JP2003283104A - Device manufacturing method, device manufacturing system and device - Google Patents
Device manufacturing method, device manufacturing system and deviceInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、基板に所定のパタ
ーンを形成する工程を有するデバイス製造方法及びデバ
イス製造装置に係り、特に液滴吐出方式を用いたデバイ
ス製造方法及び製造装置に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a device manufacturing method and device manufacturing apparatus having a step of forming a predetermined pattern on a substrate, and more particularly to a device manufacturing method and manufacturing apparatus using a droplet discharge method. .
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来より、半導体集積回路など微細な配
線パターンを有するデバイス製造方法としてフォトリソ
グラフィー法が多用されているが、近年において、液滴
吐出方式を用いたデバイス製造方法が注目されている。
特開平１１−２７４６７１号公報には液滴吐出方式を用
いた電気回路の製造方法に関する技術が開示されてい
る。上記公報に開示されている技術は、パターン形成面
にパターン形成用材料を含んだ流動体を液滴吐出ヘッド
から吐出することによって電気回路を形成するものであ
り、少量多種生産に対応可能である点などにおいて大変
有効である。2. Description of the Related Art Conventionally, a photolithography method has been widely used as a method of manufacturing a device having a fine wiring pattern such as a semiconductor integrated circuit. In recent years, a device manufacturing method using a droplet discharge method has been drawing attention. .
Japanese Unexamined Patent Publication No. 11-274671 discloses a technique relating to a method of manufacturing an electric circuit using a droplet discharge method. The technique disclosed in the above publication forms an electric circuit by ejecting a fluid containing a pattern-forming material from a droplet ejection head onto a pattern-forming surface, and is compatible with small-volume, multi-production. It is very effective in terms of points.
【０００３】[0003]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た従来例においては、液滴吐出動作停止時に液滴吐出ヘ
ッドのノズルが乾燥し、液滴の増粘化や液滴からの固形
分の析出により目詰まりや液滴の飛行曲がりが生じて安
定した吐出動作が行われない場合があった。液滴の吐出
安定性が悪化すると、所望の精度を有するデバイスが製
造できなくなるといった問題が生じる。However, in the above-mentioned conventional example, the nozzle of the droplet discharge head is dried when the droplet discharge operation is stopped, and the viscosity of the droplet is increased or the solid content is deposited from the droplet. Occasionally, a clogging or a flight deviation of droplets may occur and a stable ejection operation may not be performed. If the ejection stability of the liquid droplets deteriorates, there arises a problem that a device having desired accuracy cannot be manufactured.
【０００４】本発明はこのような事情に鑑みてなされた
もので、乾燥に起因する液滴吐出ヘッドのノズルの目詰
まり等の不具合の発生を防止し、安定した液滴吐出動作
を実現することによって所望の精度を有するデバイスを
製造できるデバイス製造方法、デバイスの製造装置、及
びデバイスを提供することを目的とする。The present invention has been made in view of the above circumstances, and it is possible to prevent the occurrence of problems such as clogging of nozzles of a droplet discharge head due to drying and to realize a stable droplet discharge operation. An object of the present invention is to provide a device manufacturing method, a device manufacturing apparatus, and a device capable of manufacturing a device having desired accuracy.
【０００５】[0005]
【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
め、本発明のデバイス製造方法は、ステージに支持され
ている基板のパターン形成領域に対して導電性材料を含
む流動体を吐出するヘッド部を有する吐出手段を用いる
ことにより前記パターン形成領域に所定のパターンを形
成する工程を有するデバイス製造方法において、前記ス
テージのうち前記基板を支持する以外の部分に予め設け
られている予備吐出領域に前記流動体を吐出してから、
前記パターン形成領域に前記流動体を吐出することを特
徴とする。In order to solve the above problems, a device manufacturing method of the present invention is a head for discharging a fluid containing a conductive material to a pattern formation region of a substrate supported by a stage. In a device manufacturing method having a step of forming a predetermined pattern in the pattern formation region by using a discharge device having a portion, a preliminary discharge region provided in advance in a portion of the stage other than supporting the substrate. After discharging the fluid,
It is characterized in that the fluid is discharged to the pattern forming region.
【０００６】本発明によれば、パターン形成領域に対し
て所定のパターンを形成するための吐出動作を行う前
に、ステージに設けられた予備吐出領域に対して予備吐
出動作を行うことにより、吐出ヘッドのノズル部におけ
る流動体（インク）の増粘化や流動体からの固形分（導
電性材料）の析出を防ぎ、吐出ヘッドのノズルの目詰ま
り等を防止できる。したがって、吐出ヘッドは安定した
吐出動作を実現でき、所定のパターンを所望の精度で形
成できる。また、パターンを形成する吐出手段として液
滴吐出方式を採用することにより、安価な設備でパター
ン形成領域の任意の場所に任意の厚さで流動体を付着さ
せることができる。According to the present invention, by performing the preliminary ejection operation on the preliminary ejection area provided on the stage before performing the ejection operation for forming the predetermined pattern on the pattern formation area, the ejection is performed. It is possible to prevent thickening of the fluid (ink) in the nozzle portion of the head and deposition of solid content (conductive material) from the fluid, and to prevent clogging of the nozzle of the ejection head. Therefore, the ejection head can realize a stable ejection operation and can form a predetermined pattern with desired accuracy. Further, by adopting the droplet discharge method as the discharge means for forming the pattern, it is possible to deposit the fluid at an arbitrary position in the pattern formation region and at an arbitrary thickness with inexpensive equipment.
【０００７】ここで、吐出手段は、液滴吐出ヘッドを有
している。液滴吐出方式としては、圧電体素子の体積変
化により流動体を吐出させるピエゾジェット方式であっ
ても、エネルギー発生素子として電気熱変換体を用いた
方式であってもよい。Here, the ejection means has a droplet ejection head. The droplet discharge method may be a piezo jet method that discharges a fluid by changing the volume of a piezoelectric element or a method that uses an electrothermal converter as an energy generating element.
【０００８】流動体とは、吐出ヘッドのノズルから吐出
可能な粘度を備えた媒体をいう。水性であると油性であ
るとを問わない。ノズル等から吐出可能な流動性（粘
度）を備えていれば十分で、固体物質が混入していても
全体として流動体であればよい。また、流動体に含まれ
る導電性材料は融点以上に加熱されて溶解されたもので
も、溶媒中に微粒子として分散させたものでもよく、溶
媒の他に染料や顔料その他の機能性材料を添加したもの
であってもよい。また電気回路とは回路素子間の電気的
な協働関係により成り立つ部材であって、形成されるパ
ターンが特定の電気的特徴や一定の電気的特性を有する
ものである。またパターン形成領域とはフラット基板の
表面を指す他、曲面状の基板であってもよい。さらにパ
ターン形成面の硬度が硬い必要はなく、フィルム、紙、
ゴム等可撓性を有するものの表面であってもよい。The fluid is a medium having a viscosity capable of being ejected from the nozzle of the ejection head. It does not matter whether it is aqueous or oily. It is sufficient if it has fluidity (viscosity) capable of being ejected from a nozzle or the like, and even if a solid substance is mixed, it may be a fluid as a whole. Further, the conductive material contained in the fluid may be one that is heated to a temperature equal to or higher than the melting point and dissolved, or one that is dispersed as fine particles in a solvent, and a dye, a pigment or other functional material is added to the solvent. It may be one. An electric circuit is a member that is formed by an electrical cooperation between circuit elements, and the pattern formed has specific electrical characteristics and constant electrical characteristics. Further, the pattern formation region refers to the surface of a flat substrate, and may be a curved substrate. Furthermore, the hardness of the pattern forming surface does not need to be hard, and it is possible to use film, paper,
It may be the surface of a flexible material such as rubber.
【０００９】この場合において、前記吐出ヘッドを前記
基板に対して加速区間、整定区間、定常区間、減速区間
の順に相対移動し、前記予備吐出領域に対する吐出動作
を前記加速区間に設定し、前記パターン形成領域に対す
る吐出動作を前記定常区間に設定することにより、パタ
ーンを精度良く形成できるとともにパターン形成領域を
拡大でき、しかもスループットを向上できる。すなわ
ち、吐出ヘッドあるいはステージの移動距離（ストロー
ク）が一定である場合、加速区間において予備吐出動作
することにより、パターンを形成するための吐出動作区
間である定常区間のストロークを大きく設定できる。し
たがって、パターンが形成されるパターン形成領域を拡
大でき、デバイスを効率良く製造できる。この場合、予
備吐出動作は高い吐出精度を必要としないため、加速区
間において予備吐出動作を行っておけば、定常区間にお
いてパターンを精度良く形成できる。In this case, the ejection head is moved relative to the substrate in the order of an acceleration section, a settling section, a steady section, and a deceleration section, and an ejection operation for the preliminary ejection area is set in the acceleration section, and the pattern is formed. By setting the discharge operation for the formation area in the steady section, the pattern can be formed with high accuracy, the pattern formation area can be expanded, and the throughput can be improved. That is, when the moving distance (stroke) of the ejection head or the stage is constant, the preliminary ejection operation in the acceleration section allows the stroke of the steady section, which is the ejection operation section for forming the pattern, to be set large. Therefore, the pattern formation region where the pattern is formed can be enlarged, and the device can be efficiently manufactured. In this case, the preliminary ejection operation does not require high ejection accuracy. Therefore, if the preliminary ejection operation is performed in the acceleration section, the pattern can be accurately formed in the steady section.
【００１０】この場合において、前記予備吐出領域に対
する吐出動作終了点を前記整定区間に設定することによ
り、パターン形成領域に対する吐出動作直前まで予備吐
出動作を行うことになるので、吐出ヘッドのノズル部の
乾燥を招くことなくパターン形成領域に対して安定した
吐出動作を行うことができる。In this case, by setting the discharge operation end point for the preliminary discharge area in the settling section, the preliminary discharge operation is performed until immediately before the discharge operation for the pattern formation area. A stable ejection operation can be performed on the pattern formation region without causing drying.
【００１１】ここで、加速区間とは、吐出ヘッドあるい
はステージを目標速度（目標値）まで加速する区間であ
り、整定区間とは、吐出ヘッドあるいはステージの移動
速度が目標速度に対して所定範囲（許容範囲）内に達す
るとともにこの移動速度が安定するまでの区間であり、
定常区間とは、吐出ヘッドあるいはステージの移動速度
が安定している区間であり、減速区間とは、移動する吐
出ヘッドあるいはステージを減速する区間である。Here, the acceleration section is a section in which the ejection head or the stage is accelerated to a target speed (target value), and the settling section is the movement speed of the ejection head or the stage within a predetermined range with respect to the target speed. It is a section until it reaches the allowable range) and this movement speed stabilizes,
The steady section is a section in which the moving speed of the ejection head or the stage is stable, and the deceleration section is a section in which the moving ejection head or the stage is decelerated.
【００１２】本発明のデバイス製造方法は、基板のパタ
ーン形成領域に対して導電性材料を含む流動体を吐出す
るヘッド部を有する吐出手段を用いることにより前記パ
ターン形成領域に所定のパターンを形成する工程を有す
るデバイス製造方法において、前記基板のうち前記パタ
ーン形成領域以外に予め設けられている予備吐出領域に
前記流動体を吐出してから、前記パターン形成領域に前
記流動体を吐出することを特徴とする。In the device manufacturing method of the present invention, a predetermined pattern is formed in the pattern forming area by using the discharging means having the head portion for discharging the fluid containing the conductive material to the pattern forming area of the substrate. In a device manufacturing method having a step, the fluid is ejected to a preliminary ejection area of the substrate other than the pattern formation area, and then the fluid is ejected to the pattern formation area. And
【００１３】本発明によれば、パターン形成領域に対し
て所定のパターンを形成するための吐出動作を行う前
に、基板の一部に設けられた予備吐出領域に対して予備
吐出動作を行うことにより、吐出ヘッドにおける流動体
（インク）の増粘化や流動体からの固形分（導電性材
料）の析出を防ぎ、吐出ヘッドのノズルの目詰まり等を
防止できる。したがって、吐出ヘッドは安定した吐出動
作を実現でき、パターンを所望の精度で形成できる。こ
のように、予備吐出領域は前述のようにステージの一部
に設けてもよいし、基板の一部に設けてもよい。According to the present invention, the preliminary discharge operation is performed on the preliminary discharge area provided on a part of the substrate before the discharge operation for forming the predetermined pattern is performed on the pattern formation area. Thus, it is possible to prevent the viscosity of the fluid (ink) in the ejection head and the precipitation of the solid content (conductive material) from the fluid, and to prevent the nozzle of the ejection head from being clogged. Therefore, the ejection head can realize a stable ejection operation and can form a pattern with desired accuracy. As described above, the preliminary ejection region may be provided on a part of the stage as described above, or may be provided on a part of the substrate.
【００１４】この場合において、前記予備吐出領域に対
する吐出動作をする前に、前記予備吐出領域に対して、
該予備吐出領域に対する前記流動体の親和性を制御する
表面処理を行うことにより、基板上の予備吐出領域に吐
出された流動体はパターン形成領域に流れ込んだりしな
い。したがって、パターンの形成工程は予備吐出動作に
よって阻害されないので、デバイスの生産性を向上でき
る。ここで、表面処理とは、基板上の予備吐出領域に対
する撥液処理あるいは親液処理である。In this case, before performing the ejection operation on the preliminary ejection area,
By performing the surface treatment for controlling the affinity of the fluid for the preliminary discharge area, the fluid discharged to the preliminary discharge area on the substrate does not flow into the pattern formation area. Therefore, the pattern forming process is not hindered by the preliminary ejection operation, so that the productivity of the device can be improved. Here, the surface treatment is a lyophobic treatment or a lyophilic treatment for the preliminary ejection area on the substrate.
【００１５】本発明のデバイス製造方法において、前記
所定のパターンが直線と曲線とを用いた配線形状であ
る。また、本発明のデバイス製造方法において、前記所
定のパターンが画素形状であり、これにより画素電極が
形成される。すなわち、本発明のデバイス製造方法は、
所定の配線パターンのみならず、液晶装置や有機エレク
トロルミネッセンス装置の画素電極の製造にも適用可能
である。In the device manufacturing method of the present invention, the predetermined pattern is a wiring shape using straight lines and curved lines. Further, in the device manufacturing method of the present invention, the predetermined pattern has a pixel shape, and thereby a pixel electrode is formed. That is, the device manufacturing method of the present invention is
It can be applied not only to a predetermined wiring pattern but also to the production of pixel electrodes of liquid crystal devices and organic electroluminescence devices.
【００１６】本発明のデバイス製造装置は、パターン形
成領域を有する基板を支持するステージと、前記基板に
対して導電性材料を含む流動体を吐出可能なヘッド部を
有する吐出手段とを備えるデバイス製造装置において、
前記ステージのうち前記基板を支持する以外の部分に設
けられた予備吐出領域と、前記パターン形成領域に対し
て前記流動体を吐出する前に、前記予備吐出領域に前記
流動体を吐出するように前記吐出ヘッドの吐出動作を制
御する制御装置とを備えることを特徴とする。The device manufacturing apparatus of the present invention comprises a stage for supporting a substrate having a pattern formation region, and a device manufacturing means having a discharge means having a head portion capable of discharging a fluid containing a conductive material onto the substrate. In the device,
Before ejecting the fluid to the preliminary ejection area provided on a portion of the stage other than supporting the substrate and the pattern formation area, the fluid is ejected to the preliminary ejection area. And a control device for controlling the ejection operation of the ejection head.
【００１７】本発明によれば、ステージの一部に予備吐
出領域を設けたことにより、パターン形成領域に対して
パターンを形成するための吐出動作を行う前に、ステー
ジに設けられた予備吐出領域に対して予備吐出動作を行
うことができる。したがって、吐出ヘッドにおける流動
体（インク）の増粘化や流動体からの固形分（導電性材
料）の析出を防ぎ、吐出ヘッドのノズルの目詰まり等を
防止できる。したがって、吐出ヘッドは安定した吐出動
作を実現でき、パターンを所望の精度で形成できる。According to the present invention, the preliminary ejection area is provided in a part of the stage, so that the preliminary ejection area provided on the stage is formed before the ejection operation for forming the pattern is performed on the pattern formation area. A preliminary discharge operation can be performed for the. Therefore, it is possible to prevent the viscosity of the fluid (ink) in the ejection head from increasing and the precipitation of the solid content (conductive material) from the fluid to prevent clogging of the nozzles of the ejection head. Therefore, the ejection head can realize a stable ejection operation and can form a pattern with desired accuracy.
【００１８】この場合において、前記制御装置は、前記
基板の前記パターン形成領域に所定のパターンを形成す
るように前記吐出手段の吐出動作を制御するものであ
り、デバイス製造装置は基板上に所定のパターンを有す
る電気回路を製造する。In this case, the control device controls the ejection operation of the ejection means so as to form a predetermined pattern in the pattern formation region of the substrate, and the device manufacturing apparatus has a predetermined pattern on the substrate. An electric circuit having a pattern is manufactured.
【００１９】この場合において、前記吐出手段を前記ス
テージに対して加速区間、整定区間、定常区間、減速区
間の順に相対移動する移動装置を備え、前記制御装置
は、前記予備吐出領域に対する吐出動作を前記加速区間
で行い、前記パターン形成領域に対する吐出動作を前記
定常区間で行うように前記吐出手段の吐出動作を制御す
るので、パターンを精度良く形成できるとともにパター
ン形成領域を拡大でき、ひいては装置を小型化できる。
すなわち、パターン形成領域が所定値に設定されている
場合、加速区間において予備吐出動作することにより、
パターンを形成するための吐出動作区間である定常区間
のストロークを大きく設定できるので、吐出ヘッドある
いはステージの移動距離（ストローク）が小さくても、
十分なパターン形成領域（すなわち定常区間）を確保で
きる。したがって、装置全体を小型化できる。また、予
備吐出動作は高い吐出精度を必要としないため、加速区
間において予備吐出動作を行っておけば、定常区間にお
いてパターンを精度良く形成できる。In this case, there is provided a moving device for moving the discharging means relative to the stage in the order of an acceleration section, a settling section, a steady section, and a deceleration section, and the control unit carries out a discharging operation for the preliminary discharge area. Since the ejection operation of the ejection unit is controlled so that the ejection operation is performed in the acceleration section and the ejection operation to the pattern formation area is performed in the steady section, the pattern can be formed with high precision and the pattern formation area can be expanded, and the apparatus can be downsized. Can be converted.
That is, when the pattern formation area is set to a predetermined value, by performing the preliminary ejection operation in the acceleration section,
Since the stroke in the steady section, which is the ejection operation section for forming the pattern, can be set large, even if the movement distance (stroke) of the ejection head or the stage is small,
A sufficient pattern formation area (that is, a steady section) can be secured. Therefore, the entire device can be downsized. Further, since the preliminary ejection operation does not require high ejection accuracy, if the preliminary ejection operation is performed in the acceleration section, the pattern can be accurately formed in the steady section.
【００２０】この場合において、前記制御装置は、前記
予備吐出領域に対する吐出動作を前記整定区間で終了す
るように前記吐出ヘッドの吐出動作を制御するので、パ
ターン形成領域に対する吐出動作直前まで予備吐出動作
を行うことになるので、吐出ヘッドのノズルの乾燥を招
くことなくパターン形成領域に対して安定した吐出動作
を行うことができる。In this case, since the control device controls the ejection operation of the ejection head so that the ejection operation for the preliminary ejection area ends in the settling section, the preliminary ejection operation until just before the ejection operation for the pattern forming area. As described above, the stable ejection operation can be performed on the pattern formation region without causing the nozzles of the ejection head to dry.
【００２１】本発明のデバイス製造装置は、パターン形
成領域を有する基板に対して導電性材料を含む流動体を
吐出可能なヘッド部を有する吐出手段を備えるデバイス
製造装置において、前記パターン形成領域に対して前記
流動体を吐出する前に、前記基板のうち前記パターン形
成領域以外に予め設けられている予備吐出領域に前記流
動体を吐出するように前記吐出手段の吐出動作を制御す
る制御装置を備えることを特徴とする。The device manufacturing apparatus of the present invention is a device manufacturing apparatus including a discharging means having a head portion capable of discharging a fluid containing a conductive material onto a substrate having a pattern forming area, wherein Before ejecting the fluid, the control device controls the ejection operation of the ejecting means so that the fluid is ejected to a preliminary ejection area provided in advance in the substrate other than the pattern formation area. It is characterized by
【００２２】本発明によれば、制御装置は基板上のパタ
ーン形成領域以外の領域に流動体を予備吐出するように
吐出ヘッドの吐出動作を制御するので、吐出ヘッドのノ
ズルの乾燥を招くことなくパターン形成領域に対して安
定した吐出動作を行うことができる。According to the present invention, since the control device controls the ejection operation of the ejection head so as to preliminarily eject the fluid onto the area other than the pattern formation area on the substrate, the nozzles of the ejection head are not dried. A stable ejection operation can be performed on the pattern formation region.
【００２３】本発明のデバイスは、基板と、前記基板の
所定領域に形成された所定のパターンとを有するデバイ
スにおいて、前記基板のうち前記所定領域以外の部分
に、前記所定のパターンと同じ材料からなる予備吐出パ
ターンが前記所定領域に対して第１の方向に所定距離離
間して形成されており、前記予備吐出パターンのうち前
記第１の方向と略直交する第２の方向における幅は、前
記所定領域の前記第２の方向における幅と同じかもしく
はそれより大きく設定されていることを特徴とする。The device of the present invention is a device having a substrate and a predetermined pattern formed in a predetermined region of the substrate, wherein a portion of the substrate other than the predetermined region is made of the same material as the predetermined pattern. Is formed in the first direction at a predetermined distance from the predetermined region, and the width of the preliminary discharge pattern in the second direction substantially orthogonal to the first direction is The width is set to be equal to or larger than the width of the predetermined area in the second direction.
【００２４】本発明によれば、デバイスはパターン以外
の予備吐出パターンを有しており、パターンが形成され
る前に吐出ヘッドから流動体を予備吐出されたものであ
る。そして、予備吐出パターンの幅は、パターンが形成
されている所定領域の幅と同じかもしくはそれより大き
く設定されており、パターンの全てが予備吐出動作され
た吐出ヘッドからの流動体によって形成されていること
になる。したがって、パターンは所望の精度を有してい
ることになる。According to the present invention, the device has a preliminary ejection pattern other than the pattern, and the fluid is preliminarily ejected from the ejection head before the pattern is formed. The width of the preliminary ejection pattern is set to be equal to or larger than the width of the predetermined region in which the pattern is formed, and the entire pattern is formed by the fluid from the ejection head that has performed the preliminary ejection operation. Will be there. Therefore, the pattern has a desired accuracy.
【００２５】[0025]
【発明の実施の形態】以下、本発明のデバイス製造装置
及びデバイス製造方法について説明する。図１は本発明
のデバイス製造装置の第１実施形態を示す概略斜視図で
ある。図１のデバイス製造装置は、液滴吐出ヘッドから
基板に対して液滴を吐出することによりデバイスを製造
する液滴吐出装置である。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION The device manufacturing apparatus and device manufacturing method of the present invention will be described below. FIG. 1 is a schematic perspective view showing a first embodiment of the device manufacturing apparatus of the present invention. The device manufacturing apparatus of FIG. 1 is a droplet discharging apparatus that manufactures a device by discharging droplets from a droplet discharging head onto a substrate.
【００２６】図１において、デバイス製造装置（液滴吐
出装置）ＩＪは、ベース１２と、ベース１２上に設けら
れ、基板Ｐを支持するステージＳＴと、ベース１２とス
テージＳＴとの間に介在し、ステージＳＴを移動可能に
支持する第１移動装置（移動装置）１４と、ステージＳ
Ｔに支持されている基板Ｐに対して銀（Ａｇ）等の導電
性材料を含む液滴（流動体）を吐出可能な液滴吐出ヘッ
ド２０と、液滴吐出ヘッド２０を移動可能に支持する第
２移動装置１６と、液滴吐出ヘッド２０の液滴の吐出動
作を制御する制御装置ＣＯＮＴとを備えている。更に、
デバイス製造装置ＩＪは、ベース１２上に設けられてい
る重量測定装置としての電子天秤（不図示）と、キャッ
ピングユニット２２と、クリーニングユニット２４とを
有している。また、第１移動装置１４及び第２移動装置
１６を含むデバイス製造装置ＩＪの動作は、制御装置Ｃ
ＯＮＴによって制御される。In FIG. 1, a device manufacturing apparatus (droplet ejecting apparatus) IJ is provided between a base 12, a stage ST provided on the base 12 and supporting a substrate P, and interposed between the base 12 and the stage ST. , A first moving device (moving device) 14 that movably supports the stage ST, and a stage S.
A droplet discharge head 20 capable of discharging droplets (fluid) containing a conductive material such as silver (Ag) and a droplet discharge head 20 are movably supported on a substrate P supported by T. The second moving device 16 and the control device CONT that controls the droplet discharge operation of the droplet discharge head 20 are provided. Furthermore,
The device manufacturing apparatus IJ has an electronic balance (not shown) as a weight measuring device provided on the base 12, a capping unit 22, and a cleaning unit 24. The operation of the device manufacturing apparatus IJ including the first moving device 14 and the second moving device 16 is controlled by the control device C.
Controlled by ONT.
【００２７】第１移動装置１４はベース１２の上に設置
されており、Ｙ方向に沿って位置決めされている。第２
移動装置１６は、支柱１６Ａ，１６Ａを用いてベース１
２に対して立てて取り付けられており、ベース１２の後
部１２Ａにおいて取り付けられている。第２移動装置１
６のＸ方向（第２の方向）は、第１移動装置１４のＹ方
向（第１の方向）と直交する方向である。ここで、Ｙ方
向はベース１２の前部１２Ｂと後部１２Ａ方向に沿った
方向である。これに対してＸ方向はベース１２の左右方
向に沿った方向であり、各々水平である。また、Ｚ方向
はＸ方向及びＹ方向に垂直な方向である。The first moving device 14 is installed on the base 12 and is positioned along the Y direction. Second
The moving device 16 uses the columns 16A and 16A to form the base 1
It is attached upright with respect to 2, and is attached at the rear portion 12A of the base 12. Second moving device 1
The X direction (second direction) 6 is a direction orthogonal to the Y direction (first direction) of the first moving device 14. Here, the Y direction is a direction along the front portion 12B and the rear portion 12A of the base 12. On the other hand, the X direction is a direction along the left-right direction of the base 12 and is horizontal. Further, the Z direction is a direction perpendicular to the X direction and the Y direction.
【００２８】第１移動装置１４は、例えばリニアモータ
によって構成され、ガイドレール４０、４０と、このガ
イドレール４０に沿って移動可能に設けられているスラ
イダー４２とを備えている。このリニアモータ形式の第
１移動装置１４のスライダー４２は、ガイドレール４０
に沿ってＹ方向に移動して位置決め可能である。The first moving device 14 is composed of, for example, a linear motor, and is provided with guide rails 40, 40 and a slider 42 movably provided along the guide rail 40. The slider 42 of the first moving device 14 of the linear motor type is the guide rail 40.
Can be positioned by moving in the Y direction.
【００２９】また、スライダー４２はＺ軸回り（θＺ）
用のモータ４４を備えている。このモータ４４は、例え
ばダイレクトドライブモータであり、モータ４４のロー
タはステージＳＴに固定されている。これにより、モー
タ４４に通電することでロータとステージＳＴとは、θ
Ｚ方向に沿って回転してステージＳＴをインデックス
（回転割り出し）することができる。すなわち、第１移
動装置１４は、ステージＳＴをＹ方向（第１の方向）及
びθＺ方向に移動可能である。The slider 42 rotates around the Z axis (θZ).
The motor 44 is provided. The motor 44 is, for example, a direct drive motor, and the rotor of the motor 44 is fixed to the stage ST. As a result, by energizing the motor 44, the rotor and the stage ST are separated by θ.
The stage ST can be indexed (rotational index) by rotating along the Z direction. That is, the first moving device 14 can move the stage ST in the Y direction (first direction) and the θZ direction.
【００３０】ステージＳＴは基板Ｐを保持し、所定の位
置に位置決めするものである。また、ステージＳＴは吸
着保持装置５０を有しており、吸着保持装置５０が作動
することにより、ステージＳＴの穴４６Ａを通して基板
ＰをステージＳＴの上に吸着して保持する。The stage ST holds the substrate P and positions it at a predetermined position. Further, the stage ST has a suction holding device 50, and when the suction holding device 50 operates, the substrate P is sucked and held on the stage ST through the hole 46A of the stage ST.
【００３１】第２移動装置１６はリニアモータによって
構成され、支柱１６Ａ，１６Ａに固定されたコラム１６
Ｂと、このコラム１６Ｂに支持されているガイドレール
６２Ａと、ガイドレール６２Ａに沿ってＸ方向に移動可
能に支持されているスライダー６０とを備えている。ス
ライダー６０はガイドレール６２Ａに沿ってＸ方向に移
動して位置決め可能であり、液滴吐出ヘッド２０はスラ
イダー６０に取り付けられている。The second moving device 16 is composed of a linear motor, and is a column 16 fixed to the columns 16A and 16A.
B, a guide rail 62A supported by the column 16B, and a slider 60 movably supported in the X direction along the guide rail 62A. The slider 60 can be positioned along the guide rail 62A by moving in the X direction, and the droplet discharge head 20 is attached to the slider 60.
【００３２】液滴吐出ヘッド２０は、揺動位置決め装置
としてのモータ６２，６４，６６，６８を有している。
モータ６２を作動すれば、液滴吐出ヘッド２０は、Ｚ軸
に沿って上下動して位置決め可能である。このＺ軸はＸ
軸とＹ軸に対して各々直交する方向（上下方向）であ
る。モータ６４を作動すると、液滴吐出ヘッド２０は、
Ｙ軸回りのβ方向に沿って揺動して位置決め可能であ
る。モータ６６を作動すると、液滴吐出ヘッド２０は、
Ｘ軸回りのγ方向に揺動して位置決め可能である。モー
タ６８を作動すると、液滴吐出ヘッド２０は、Ｚ軸回り
のα方向に揺動して位置決め可能である。すなわち、第
２移動装置１６は、液滴吐出ヘッド２０をＸ方向（第１
の方向）及びＺ方向に移動可能に支持するとともに、こ
の液滴吐出ヘッド２０をθＸ方向、θＹ方向、θＺ方向
に移動可能に支持する。The droplet discharge head 20 has motors 62, 64, 66 and 68 as swing positioning devices.
When the motor 62 is operated, the droplet discharge head 20 can be vertically moved and positioned along the Z axis. This Z axis is X
It is a direction (vertical direction) orthogonal to each of the axis and the Y axis. When the motor 64 is operated, the droplet discharge head 20
Positioning is possible by swinging along the β direction around the Y axis. When the motor 66 is operated, the droplet discharge head 20
Positioning is possible by swinging in the γ direction around the X axis. When the motor 68 is operated, the droplet discharge head 20 can be positioned by swinging in the α direction around the Z axis. That is, the second moving device 16 moves the droplet discharge head 20 in the X direction (first
Direction) and the Z direction, and the droplet discharge head 20 is supported so as to be movable in the θX direction, the θY direction, and the θZ direction.
【００３３】このように、図１の液滴吐出ヘッド２０
は、スライダー６０において、Ｚ軸方向に直線移動して
位置決め可能で、α、β、γに沿って揺動して位置決め
可能であり、液滴吐出ヘッド２０の液滴吐出面２０Ｐ
は、ステージＳＴ側の基板Ｐに対して正確に位置あるい
は姿勢をコントロールすることができる。なお、液滴吐
出ヘッド２０の液滴吐出面２０Ｐには液滴を吐出する複
数のノズルが設けられている。As described above, the droplet discharge head 20 of FIG.
Can be positioned by linearly moving in the Z-axis direction on the slider 60, and can be positioned by swinging along α, β, γ, and the droplet discharge surface 20P of the droplet discharge head 20.
Can accurately control the position or orientation of the substrate P on the stage ST side. The droplet discharge surface 20P of the droplet discharge head 20 is provided with a plurality of nozzles for discharging droplets.
【００３４】図２は液滴吐出ヘッド２０を示す分解斜視
図である。図２に示すように、液滴吐出ヘッド２０は、
ノズル２１１が設けられたノズルプレート２１０及び振
動板２３０が設けられた圧力室基板２２０を、筐体２５
０に嵌め込んで構成されている。この液滴吐出ヘッド２
０の主要部構造は、図３の斜視図一部断面図に示すよう
に、圧力室基板２２０をノズルプレート２１０と振動板
２３０で挟み込んだ構造を備える。ノズルプレート２１
０は、圧力室基板２２０と貼り合わせられたときにキャ
ビティ（圧力室）２２１に対応することとなる位置にノ
ズル２１１が形成されている。圧力室基板２２０には、
シリコン単結晶基板等をエッチングすることにより、各
々が圧力室として機能可能にキャビティ２２１が複数設
けられている。キャビティ２２１間は側壁（隔壁）２２
２で分離されている。各キャビティ２２１は供給口２２
４を介して共通の流路であるリザーバ２２３に繋がって
いる。振動板２３０は、例えば熱酸化膜等により構成さ
れる。振動板２３０にはインクタンク口２３１が設けら
れ、不図示のタンク（流動体収容部）からパイプ（流
路）を通して任意の流動体を供給可能に構成されてい
る。振動板２３０上のキャビティ２２１に相当する位置
には、圧電体素子２４０が形成されている。圧電体素子
２４０は、ＰＺＴ素子等の圧電性セラミックスの結晶を
上部電極および下部電極（図示せず）で挟んだ構造を備
える。圧電体素子２４０は、制御装置ＣＯＮＴから供給
される吐出信号に対応して体積変化を生ずることが可能
に構成されている。FIG. 2 is an exploded perspective view showing the droplet discharge head 20. As shown in FIG. 2, the droplet discharge head 20 is
The nozzle plate 210 provided with the nozzles 211 and the pressure chamber substrate 220 provided with the vibration plate 230 are attached to the housing 25.
It is configured to fit in 0. This droplet discharge head 2
The main part structure of No. 0 has a structure in which the pressure chamber substrate 220 is sandwiched between the nozzle plate 210 and the vibration plate 230, as shown in the partial perspective view of the perspective view of FIG. Nozzle plate 21
No. 0 has a nozzle 211 formed at a position corresponding to the cavity (pressure chamber) 221 when bonded to the pressure chamber substrate 220. The pressure chamber substrate 220 includes
A plurality of cavities 221 are provided so that each can function as a pressure chamber by etching a silicon single crystal substrate or the like. Side walls (partition walls) 22 between the cavities 221
Separated by 2. Each cavity 221 has a supply port 22
It is connected to the reservoir 223, which is a common flow path, via No. 4. The diaphragm 230 is made of, for example, a thermal oxide film. The vibrating plate 230 is provided with an ink tank port 231 so that an arbitrary fluid can be supplied from a tank (fluid storage portion) (not shown) through a pipe (flow path). A piezoelectric element 240 is formed on the vibrating plate 230 at a position corresponding to the cavity 221. The piezoelectric element 240 has a structure in which a crystal of piezoelectric ceramics such as a PZT element is sandwiched between an upper electrode and a lower electrode (not shown). The piezoelectric element 240 is configured to be capable of causing a volume change in response to an ejection signal supplied from the control device CONT.
【００３５】液滴吐出ヘッド２０からインク（流動体）
を吐出するには、まず、制御装置ＣＯＮＴが流動体を吐
出させるための吐出信号を液滴吐出ヘッド２０に供給す
る。流動体は液滴吐出ヘッド２０のキャビティ２２１に
流入しており、吐出信号が供給された液滴吐出ヘッド２
０では、その圧電体素子２４０がその上部電極と下部電
極との間に加えられた電圧により体積変化を生ずる。こ
の体積変化は振動板２３０を変形させ、キャビティ２２
１の体積を変化させる。この結果、そのキャビティ２２
１のノズル穴２１１から流動体の液滴が吐出される。流
動体が吐出されたキャビティ２２１には吐出によって減
った流動体が新たにタンクから供給される。Ink (fluid) from the droplet discharge head 20
In order to eject, the control device CONT first supplies an ejection signal for ejecting the fluid to the droplet ejection head 20. The fluid has flown into the cavity 221 of the droplet discharge head 20 and is supplied with the discharge signal.
At 0, the piezoelectric element 240 causes a volume change due to the voltage applied between the upper electrode and the lower electrode. This volume change deforms the vibration plate 230 and causes the cavity 22
Change the volume of 1. As a result, the cavity 22
A droplet of the fluid is ejected from the first nozzle hole 211. The fluid discharged from the tank is newly supplied to the cavity 221 from which the fluid has been discharged.
【００３６】なお、上記液滴吐出ヘッドは圧電体素子に
体積変化を生じさせて流動体を吐出させる構成であった
が、発熱体により流動体に熱を加えその膨張によって液
滴を吐出させるようなヘッド構成であってもよい。Although the above-mentioned droplet discharge head has a structure in which the piezoelectric element changes its volume to discharge the fluid, heat is applied to the fluid by the heating element so that the droplet is discharged by its expansion. It may have a different head configuration.
【００３７】電子天秤（不図示）は、液滴吐出ヘッド２
０のノズルから吐出された液滴の一滴の重量を測定して
管理するために、例えば、液滴吐出ヘッド２０のノズル
から、５０００滴分の液滴を受ける。電子天秤は、この
５０００滴の液滴の重量を５０００の数字で割ることに
より、一滴の液滴の重量を正確に測定することができ
る。この液滴の測定量に基づいて、液滴吐出ヘッド２０
から吐出する液滴の量を最適にコントロールすることが
できる。The electronic balance (not shown) includes a droplet discharge head 2
In order to measure and manage the weight of one droplet discharged from the 0 nozzle, for example, 5000 droplets are received from the nozzle of the droplet discharge head 20. The electronic balance can accurately measure the weight of one drop by dividing the weight of the 5000 drops by the number 5000. Based on the measured amount of this droplet, the droplet discharge head 20
It is possible to optimally control the amount of droplets discharged from the.
【００３８】クリーニングユニット２４は、液滴吐出ヘ
ッド２０のノズル等のクリーニングをデバイス製造工程
中や待機時に定期的にあるいは随時に行うことができ
る。キャッピングユニット２２は、液滴吐出ヘッド２０
の液滴吐出面２０Ｐが乾燥しないようにするために、デ
バイスを製造しない待機時にこの液滴吐出面２０Ｐにキ
ャップをかぶせるものである。The cleaning unit 24 can clean the nozzles of the droplet discharge head 20 or the like periodically or at any time during the device manufacturing process or during standby. The capping unit 22 is used for the droplet discharge head 20.
In order to prevent the liquid droplet ejection surface 20P from drying, a cap is put on the liquid droplet ejection surface 20P during standby when the device is not manufactured.
【００３９】液滴吐出ヘッド２０が第２移動装置１６に
よりＸ方向に移動することで、液滴吐出ヘッド２０を電
子天秤、クリーニングユニット２４あるいはキャッピン
グユニット２２の上部に選択的に位置決めさせることが
できる。つまり、デバイス製造作業の途中であっても、
液滴吐出ヘッド２０をたとえば電子天秤側に移動すれ
ば、液滴の重量を測定できる。また液滴吐出ヘッド２０
をクリーニングユニット２４上に移動すれば、液滴吐出
ヘッド２０のクリーニングを行うことができる。液滴吐
出ヘッド２０をキャッピングユニット２２の上に移動す
れば、液滴吐出ヘッド２０の液滴吐出面２０Ｐにキャッ
プを取り付けて乾燥を防止する。By moving the droplet discharge head 20 in the X direction by the second moving device 16, the droplet discharge head 20 can be selectively positioned above the electronic balance, cleaning unit 24 or capping unit 22. . In other words, even during the device manufacturing work,
By moving the droplet discharge head 20 to the electronic balance side, for example, the weight of the droplet can be measured. In addition, the droplet discharge head 20
Can be moved onto the cleaning unit 24 to clean the droplet discharge head 20. When the droplet discharge head 20 is moved above the capping unit 22, a cap is attached to the droplet discharge surface 20P of the droplet discharge head 20 to prevent drying.
【００４０】つまり、これら電子天秤、クリーニングユ
ニット２４、およびキャッピングユニット２２は、ベー
ス１２上の後端側で、液滴吐出ヘッド２０の移動経路直
下に、ステージＳＴと離間して配置されている。ステー
ジＳＴに対する基板Ｐの給材作業及び排材作業はベース
１２の前端側で行われるため、これら電子天秤、クリー
ニングユニット２４あるいはキャッピングユニット２２
により作業に支障を来すことはない。That is, the electronic balance, the cleaning unit 24, and the capping unit 22 are arranged on the rear end side of the base 12 and directly below the movement path of the droplet discharge head 20 and apart from the stage ST. Since the work of supplying the substrate P to the stage ST and the work of discharging the substrate P are performed on the front end side of the base 12, these electronic balance, cleaning unit 24 or capping unit 22 are used.
Will not hinder the work.
【００４１】図１に示すように、ステージＳＴのうち、
基板Ｐを支持する以外の部分には、液滴吐出ヘッド２０
が液滴を捨打ち或いは試し打ち（予備吐出）するための
予備吐出エリア（予備吐出領域）５２が、クリーニング
ユニット２４と分離して設けられている。この予備吐出
エリア５２は、図１及び図４（ａ）に示すように、ステ
ージＳＴの後端部側においてＸ方向に沿って設けられて
いる。この予備吐出エリア５２は、図４（ｂ）に示すよ
うに、ステージＳＴに固着され、上方に開口する断面凹
字状の受け部材５３と、受け部材５３の凹部に交換自在
に設置されて、吐出された液滴を吸収する吸収材５４と
から構成されている。As shown in FIG. 1, among the stages ST,
The portion other than supporting the substrate P has a droplet discharge head 20.
A preliminary ejection area (preliminary ejection area) 52 for discarding or trial ejecting (preliminary ejection) droplets is provided separately from the cleaning unit 24. The preliminary ejection area 52 is provided along the X direction on the rear end side of the stage ST, as shown in FIGS. 1 and 4A. As shown in FIG. 4B, the preliminary discharge area 52 is fixed to the stage ST, and is installed in a recessed section of the receiving member 53 and a receiving member 53 having a concave cross section, which is open upward. The absorbent material 54 is configured to absorb the discharged droplets.
【００４２】基板Ｐは、上面に配線パターン（電気回
路）が形成されるパターン形成領域ＡＲを有している。
本実施形態では、基板Ｐの上面全面をパターン形成領域
ＡＲとする。そして、配線パターンを形成するために、
基板Ｐのパターン形成領域ＡＲに対して液滴吐出ヘッド
２０から液滴（流動体）が吐出される。The substrate P has a pattern forming area AR on the upper surface of which a wiring pattern (electrical circuit) is formed.
In this embodiment, the entire upper surface of the substrate P is the pattern formation area AR. Then, in order to form the wiring pattern,
Droplets (fluid) are ejected from the droplet ejection head 20 onto the pattern formation area AR of the substrate P.
【００４３】なお、液滴吐出ヘッド２０が図４（ａ）に
示す矩形の吐出領域５５（すなわち、ノズルの配置分
布）を有するものとすると、吸収材５４のＸ方向の長さ
Ｌは、吐出領域５５のＸ軸方向の長さＡ及びパターン形
成領域ＡＲのＸ方向の長さＢを用いて、次式を満足する
ように設定されている。
Ｌ≧２Ａ＋Ｂ …（１）Assuming that the droplet discharge head 20 has a rectangular discharge area 55 (that is, the nozzle arrangement distribution) shown in FIG. 4A, the length L of the absorbent 54 in the X direction is discharged. The length A of the area 55 in the X-axis direction and the length B of the pattern forming area AR in the X-direction are used so as to satisfy the following expression. L ≧ 2A + B (1)
【００４４】そして、吸収材５４は、基板Ｐのパターン
形成領域ＡＲに対して、Ｘ方向両側にそれぞれ吐出領域
５５の長さＡ以上突出して配設される。また、吸収材５
４のＹ方向の幅は液滴吐出ヘッド２０の吐出領域５５の
Ｙ軸方向の幅よりも大きく形成されている。The absorbent material 54 is arranged so as to protrude from the pattern forming area AR of the substrate P on both sides in the X direction by at least the length A of the ejection area 55. Also, the absorbent material 5
The width in the Y direction of 4 is formed larger than the width in the Y axis direction of the discharge area 55 of the droplet discharge head 20.
【００４５】次に、上述したデバイス製造装置ＩＪを用
いて、ステージＳＴに支持されている基板Ｐのパターン
形成領域ＡＲに対して液滴吐出ヘッド２０から導電性材
料を含む液滴（流動体）を吐出することにより、パター
ン形成領域ＡＲに配線パターンを形成する方法について
説明する。Next, by using the above-mentioned device manufacturing apparatus IJ, a droplet (fluid) containing a conductive material is discharged from the droplet discharge head 20 to the pattern formation area AR of the substrate P supported by the stage ST. A method of forming a wiring pattern in the pattern formation area AR by ejecting will be described.
【００４６】作業者がステージＳＴの前端側から基板Ｐ
を第１移動装置１４のステージＳＴの上に給材すると、
この基板ＰはステージＳＴに対して吸着保持されて位置
決めされる。そして、モータ４４が作動して、基板Ｐの
端面がＹ軸方向に並行になるように設定される。The operator can move the substrate P from the front end side of the stage ST.
Is supplied on the stage ST of the first moving device 14,
The substrate P is suction-held and positioned with respect to the stage ST. Then, the motor 44 operates to set the end surface of the substrate P so as to be parallel to the Y-axis direction.
【００４７】続いて、液滴吐出ヘッド２０がＸ軸方向に
沿って移動して、電子天秤の上部に位置決めされる。そ
して、指定滴数（指定の液滴の数）の吐出を行う。これ
により、電子天秤は、たとえば５０００滴の液滴の重量
を計測して、液滴１滴当たりの重量を計算する。そし
て、液滴の一滴当たりの重量が予め定められている適正
範囲に入っているかどうかを判断し、適正範囲外であれ
ばピエゾ素子に対する印加電圧の調整等を行って、液滴
の一滴当たりの重量を適正に納める。Subsequently, the droplet discharge head 20 moves along the X-axis direction and is positioned above the electronic balance. Then, the specified number of drops (the specified number of drops) is ejected. Thereby, the electronic balance measures the weight of, for example, 5000 droplets, and calculates the weight per droplet. Then, it is determined whether the weight per droplet is within a predetermined appropriate range, and if it is outside the appropriate range, the applied voltage to the piezo element is adjusted, and the like. Pay the weight properly.
【００４８】液滴の一滴当たりの重量が適正な場合に
は、基板Ｐが第１移動装置１４よりＹ軸方向に適宜に移
動して位置決めされるとともに、液滴吐出ヘッド２０が
第２移動装置１６によりＸ軸方向に適宜移動して位置決
めされる。そして、液滴吐出ヘッド２０は、予備吐出エ
リア５２（吸収材５４）に対して全ノズルから液滴を予
備吐出した後に、基板Ｐに対してＹ軸方向に相対移動し
て（実際には、基板Ｐが液滴吐出ヘッド２０に対して、
例えば図４中＋Ｙ方向に移動する）、基板Ｐ上の所定の
パターン形成領域ＡＲに対して所定のノズルから所定幅
で液滴を吐出する。液滴吐出ヘッド２０と基板Ｐとの一
回の相対移動が終了すると、液滴吐出ヘッド２０が基板
Ｐに対してＸ方向に所定量ステップ移動し、その後、基
板Ｐが液滴吐出ヘッド２０に対して、例えば図４中−Ｙ
方向に移動する間に液滴を吐出する。そして、この動作
を複数回繰り返すことにより、液滴吐出ヘッド２０は制
御装置ＣＯＮＴの制御のもとでパターン形成領域ＡＲ全
体に液滴を吐出して、例えば図５に示すようなＲＦＩＤ
の配線パターンＰＡを形成することができる。When the weight per droplet is proper, the substrate P is appropriately moved and positioned in the Y-axis direction by the first moving device 14, and the droplet discharge head 20 is moved by the second moving device. 16 moves and positions in the X-axis direction as appropriate. Then, the liquid droplet ejection head 20 preliminarily ejects liquid droplets from all the nozzles onto the preliminary ejection area 52 (absorbent material 54) and then moves relative to the substrate P in the Y-axis direction (actually, With respect to the droplet discharge head 20, the substrate P is
(For example, it moves in the + Y direction in FIG. 4) and a droplet is ejected from a predetermined nozzle to a predetermined pattern formation area AR on the substrate P with a predetermined width. When the one-time relative movement between the droplet discharge head 20 and the substrate P is completed, the droplet discharge head 20 moves stepwise in the X direction with respect to the substrate P, and then the substrate P moves to the droplet discharge head 20. On the other hand, for example, -Y in FIG.
Droplets are ejected while moving in the direction. Then, by repeating this operation a plurality of times, the droplet discharge head 20 discharges droplets to the entire pattern formation area AR under the control of the controller CONT, and, for example, an RFID as shown in FIG.
The wiring pattern PA can be formed.
【００４９】そして、予備吐出エリア５２に設けられた
吸収材５４が予備吐出動作による液滴（インク）で満た
されたら、これを交換すればよい。When the absorbing material 54 provided in the preliminary ejection area 52 is filled with the liquid droplets (ink) by the preliminary ejection operation, this may be replaced.
【００５０】なお、液滴吐出ヘッド２０は、配線パター
ン形成作業時の途中で適宜、クリーニングユニット２４
でクリーニングしてメンテナンスしたり、あるいはキャ
ッピングユニット２２でキャップを付けたり、そして電
子天秤で液滴の重量を測定する作業を行うことができ
る。このとき、クリーニング等は、図４中、符号Ｐ１で
示す、ステージＳＴから離間したエリアＰ１で行われ
る。The droplet discharge head 20 is appropriately cleaned during the wiring pattern forming work.
It is possible to perform maintenance such as cleaning and maintenance with a cap, attaching a cap with the capping unit 22, and measuring the weight of the droplet with an electronic balance. At this time, cleaning and the like are performed in an area P1 shown by reference numeral P1 in FIG. 4, which is separated from the stage ST.
【００５１】また、液滴吐出ヘッド２０は、ステップ移
動した後にも、一旦予備吐出エリア５２で液滴を予備吐
出した後に、パターン形成領域ＡＲに液滴を吐出するシ
ーケンスとすることで、液滴を吐出していなかったノズ
ルに対して増粘対策、析出対策を施すことができ、安定
した液滴吐出を実施することができる。ここで、例えば
パターン形成領域ＡＲの−Ｘ側端縁部を吐出領域５５の
＋Ｘ側端部で吐出する位置（図４（ａ）中、位置Ｐ２）
に液滴吐出ヘッド２０がある場合、吸収材５４がパター
ン形成領域ＡＲよりも−Ｘ側に突出して設けられていな
ければ、該当するノズル以外のノズルからの液滴吐出を
停止する制御が必要になるが、本実施の形態では、液滴
吐出ヘッド２０がこの位置にある場合でも、予備吐出エ
リア５２が吐出領域５５全体に亘って配置されているた
め、全てのノズルから予備吐出を行うことができ、余分
な制御が不要になる。Further, the droplet discharge head 20 has a sequence of discharging droplets once in the preliminary discharge area 52 and then discharging the droplets to the pattern forming area AR even after the step movement. It is possible to take thickening measures and precipitation measures for the nozzles that have not discharged, and it is possible to perform stable droplet discharge. Here, for example, a position at which the −X side edge of the pattern formation region AR is discharged at the + X side end of the discharge region 55 (position P2 in FIG. 4A).
In the case where the droplet discharge head 20 is provided in the above, if the absorbent 54 is not provided so as to project to the −X side with respect to the pattern formation area AR, it is necessary to control the droplet discharge from the nozzles other than the corresponding nozzle. However, in the present embodiment, even when the droplet discharge head 20 is at this position, the preliminary discharge area 52 is arranged over the entire discharge region 55, so that preliminary discharge can be performed from all nozzles. Yes, no extra control is required.
【００５２】ここで、予備吐出エリア５２に対して予備
吐出動作を行う際には、ステージＳＴの移動を一旦停止
した状態で予備吐出エリア５２に対して液滴を予備吐出
してもよいが、液滴吐出ヘッド２０と基板Ｐを支持する
ステージＳＴとを相対移動しながら、予備吐出エリア５
２に対して液滴を予備吐出するようにしてもよい。この
ことについて図６を参照しながら説明する。Here, when performing the preliminary discharge operation on the preliminary discharge area 52, the droplets may be preliminary discharged onto the preliminary discharge area 52 while the movement of the stage ST is temporarily stopped. While moving the droplet discharge head 20 and the stage ST supporting the substrate P relatively, the preliminary discharge area 5
Alternatively, the droplets may be preliminarily ejected to the second nozzle. This will be described with reference to FIG.
【００５３】以下、図４に示す基板Ｐを支持するステー
ジＳＴを液滴吐出ヘッド２０に対して第１の方向（Ｙ方
向）に移動しつつ吐出動作する場合について説明する。
この場合、液滴吐出ヘッド２０はＸ方向及びＹ方向には
移動しない。制御装置ＣＯＮＴは、液滴吐出ヘッド２０
に対してステージＳＴを第１移動装置１４により移動さ
せつつ液滴吐出ヘッド２０の吐出動作を行うが、ステー
ジＳＴは第１移動装置１４により、加速区間Ｈ１、整定
区間Ｈ２、定常区間Ｈ３、減速区間Ｈ４の順に移動され
るようになっており、この移動中に液滴吐出ヘッド２０
からの吐出動作が行われるようになっている。Hereinafter, a case will be described in which the stage ST supporting the substrate P shown in FIG. 4 is moved in the first direction (Y direction) with respect to the droplet discharge head 20 to perform the discharge operation.
In this case, the droplet discharge head 20 does not move in the X direction and the Y direction. The controller CONT is provided with the droplet discharge head 20.
On the other hand, the discharge operation of the droplet discharge head 20 is performed while moving the stage ST by the first moving device 14, and the stage ST is accelerated by the first moving device 14 in the acceleration section H1, the settling section H2, the steady section H3, and the deceleration. The droplet discharge head 20 is moved during the movement in the section H4.
The discharge operation from is performed.
【００５４】ここで、加速区間Ｈ１とは、ステージＳＴ
が目標速度（目標値）まで加速する区間であり、整定区
間Ｈ２とは、ステージＳＴの移動速度が目標速度に対し
て所定範囲（許容範囲）内に達するとともにこの移動速
度が安定するまでの区間であり、定常区間Ｈ３とは、ス
テージＳＴの移動速度が定常状態となり、移動速度が安
定している区間であり、減速区間Ｈ４とは、移動するス
テージＳＴが減速する区間である。Here, the acceleration section H1 means the stage ST
Is a section in which the target speed (target value) is accelerated, and the settling section H2 is a section in which the moving speed of the stage ST reaches a predetermined range (allowable range) with respect to the target speed and the moving speed is stabilized. The steady section H3 is a section in which the moving speed of the stage ST is in a steady state and the moving speed is stable, and the deceleration section H4 is a section in which the moving stage ST decelerates.
【００５５】まず、ステージＳＴに基板Ｐを載置しない
状態で（載置した状態でもよい）ステージＳＴを移動
し、基準時点Ｏ（図６参照）に対する時間と、ステージ
ＳＴの速度（又は加速度）との関係を予め求めておくと
ともに、このときのステージＳＴの基準位置に対する位
置を検出しておく。ステージＳＴの速度情報（又は加速
度情報）は速度センサ（又は加速度センサ）によって検
出可能である。また、ステージＳＴの位置は光学的な位
置検出センサによって検出可能である。First, the stage ST is moved in a state where the substrate P is not placed on the stage ST (may be the placed state), the time with respect to the reference time point O (see FIG. 6), and the speed (or acceleration) of the stage ST. And the position of the stage ST with respect to the reference position at this time are detected. The speed information (or acceleration information) of the stage ST can be detected by a speed sensor (or acceleration sensor). The position of the stage ST can be detected by an optical position detection sensor.
【００５６】移動するステージＳＴの速度又は加速度を
検出することによって、図６に示すような、加速区間Ｈ
１、整定区間Ｈ２、定常区間Ｈ３、減速区間Ｈ４の各区
間が検出される。さらに、このときの位置が検出される
ことによって、移動するステージＳＴの液滴吐出ヘッド
２０に対する位置が、各区間Ｈ１〜Ｈ４のいずれに対応
するかを求めることができる。By detecting the velocity or acceleration of the moving stage ST, the acceleration section H as shown in FIG. 6 is obtained.
1, the settling section H2, the steady section H3, and the deceleration section H4 are detected. Further, by detecting the position at this time, it is possible to determine which of the sections H1 to H4 the position of the moving stage ST with respect to the droplet discharge head 20 corresponds.
【００５７】ステージＳＴの移動速度と時間及び位置と
の関係を求めたら、制御装置ＣＯＮＴは予備吐出動作開
始点を設定する。すなわち、液滴吐出ヘッド２０がステ
ージＳＴの加速区間Ｈ１において予備吐出エリア５２に
対して液滴を予備吐出可能な位置関係となるように、す
なわち、予備吐出エリア５２がステージＳＴの加速区間
Ｈ１において液滴吐出ヘッド２０の直下に配置されるよ
うに、予備吐出動作開始点を設定する。After obtaining the relationship between the moving speed of the stage ST and time and position, the control unit CONT sets the preliminary ejection operation start point. That is, the droplet discharge head 20 has a positional relationship in which the droplets can be preliminarily ejected to the preliminary ejection area 52 in the acceleration section H1 of the stage ST, that is, the preliminary ejection area 52 is in the acceleration section H1 of the stage ST. The preliminary ejection operation start point is set so as to be arranged immediately below the droplet ejection head 20.
【００５８】更に、制御装置ＣＯＮＴは予備吐出動作終
了点を設定する。このとき、予備吐出動作終了点は、加
速区間Ｈ１あるいは整定区間Ｈ２に設定されるが、整定
区間Ｈ２に設定されることが好ましい。予備吐出動作終
了点を整定区間Ｈ２に設定することにより、パターン形
成領域ＡＲに対する吐出動作直前まで予備吐出すること
になるので、液滴吐出ヘッド２０の乾燥を招くことなく
パターン形成領域ＡＲに対する吐出動作を行うことがで
きる。Further, the control unit CONT sets the preliminary discharge operation end point. At this time, the end point of the preliminary ejection operation is set to the acceleration section H1 or the settling section H2, but it is preferable to set it to the settling section H2. By setting the end point of the preliminary ejection operation to the settling section H2, the preliminary ejection is performed until immediately before the ejection operation on the pattern formation area AR, and thus the ejection operation on the pattern formation area AR without causing the droplet ejection head 20 to dry. It can be performed.
【００５９】こうして、予備吐出エリア５２に対する予
備吐出動作は、ステージＳＴの加速区間Ｈ１あるいは整
定区間Ｈ２を含む加速区間Ｈ１に設定される。制御装置
ＣＯＮＴは、予備吐出エリア５２に対する予備吐出動作
を加速区間Ｈ１で行うことができるように、ステージＳ
Ｔの加速度や速度を調整する。あるいは、予備吐出エリ
ア５２のＹ方向における幅を適宜変更するようにしても
よい。Thus, the preliminary ejection operation for the preliminary ejection area 52 is set to the acceleration section H1 of the stage ST or the acceleration section H1 including the settling section H2. The control unit CONT performs the stage S so that the preliminary discharge operation for the preliminary discharge area 52 can be performed in the acceleration section H1.
Adjust the acceleration and speed of T. Alternatively, the width of the preliminary ejection area 52 in the Y direction may be changed as appropriate.
【００６０】次に、制御装置ＣＯＮＴは、基板Ｐのパタ
ーン形成領域ＡＲに対する吐出動作開始点を設定する。
すなわち、液滴吐出ヘッド２０がステージＳＴの定常区
間Ｈ３において基板Ｐのパターン形成領域ＡＲに対して
液滴を吐出可能な位置関係となるように、すなわち、パ
ターン形成領域ＡＲがステージＳＴの定常区間Ｈ３にお
いて液滴吐出ヘッド２０の直下に配置されるように、配
線パターンを形成するための吐出動作開始点を設定す
る。Next, the control unit CONT sets the ejection operation start point for the pattern formation area AR of the substrate P.
That is, the droplet discharge head 20 has a positional relationship in which droplets can be discharged to the pattern formation area AR of the substrate P in the steady section H3 of the stage ST, that is, the pattern formation area AR is the steady section of the stage ST. The ejection operation start point for forming the wiring pattern is set so as to be arranged immediately below the droplet ejection head 20 in H3.
【００６１】更に、制御装置ＣＯＮＴは配線パターンを
形成するための吐出動作終了点を設定する。このとき、
吐出動作終了点は、定常区間Ｈ３に設定される。このよ
うに、パターン形成領域ＡＲに対する吐出動作は、ステ
ージＳＴの定常区間Ｈ３に設定される。制御装置ＣＯＮ
Ｔは、パターン形成領域ＡＲに対する吐出動作を定常区
間Ｈ３で行うことができるように、ステージＳＴの加速
区間Ｈ１における加速度や定常区間Ｈ３における速度を
調整する。あるいは、予備吐出エリア５２と基板Ｐとの
Ｙ方向における離間距離を適宜変更するようにしてもよ
い。Further, the controller CONT sets the discharge operation end point for forming the wiring pattern. At this time,
The discharge operation end point is set to the steady section H3. In this way, the ejection operation for the pattern formation area AR is set in the steady section H3 of the stage ST. Controller CON
T adjusts the acceleration in the acceleration section H1 of the stage ST and the speed in the steady section H3 so that the ejection operation for the pattern formation area AR can be performed in the steady section H3. Alternatively, the distance between the preliminary ejection area 52 and the substrate P in the Y direction may be changed as appropriate.
【００６２】こうして、ステージＳＴの移動動作の設定
が終了したら、ステージＳＴに基板Ｐが載置される。ス
テージＳＴは、加速区間Ｈ１、整定区間Ｈ２、定常区間
Ｈ３、減速区間Ｈ４の順にＹ方向に移動し、制御装置Ｃ
ＯＮＴは、予備吐出エリア５２に対する予備吐出動作を
加速区間Ｈ１で行うようにインジェットヘッド２０の吐
出動作及びステージＳＴの移動動作（速度あるいは加速
度）を制御する。更に、制御装置ＣＯＮＴは、パターン
形成領域ＡＲに対する吐出動作を定常区間Ｈ３で行うよ
うにインジェットヘッド２０の吐出動作及びステージＳ
Ｔの移動動作を制御し、配線パターンを形成する。In this way, when the setting of the movement operation of the stage ST is completed, the substrate P is placed on the stage ST. The stage ST moves in the Y direction in the order of the acceleration section H1, the settling section H2, the steady section H3, and the deceleration section H4.
The ONT controls the ejection operation of the inject head 20 and the movement operation (speed or acceleration) of the stage ST so that the preliminary ejection operation for the preliminary ejection area 52 is performed in the acceleration section H1. Further, the controller CONT performs the ejection operation of the inject head 20 and the stage S so that the ejection operation with respect to the pattern formation area AR is performed in the steady section H3.
The movement operation of T is controlled to form a wiring pattern.
【００６３】このように、予備吐出動作を加速区間Ｈ
１、整定区間Ｈ２を経て定常区間Ｈ３となってから行う
構成と異なり、加速区間Ｈ１を利用して予備吐出動作を
行い、定常区間Ｈ３を利用して配線パターンを形成する
ための吐出動作を行う構成としたため、ステージＳＴの
移動動作を効率良く利用できるとともにストロークを小
さく設定でき、配線パターンを効率良く且つ精度良く形
成できる。In this way, the preliminary discharge operation is performed in the acceleration section H
1. Unlike the configuration that is performed after the steady section H2 after the settling section H2, the preliminary discharge operation is performed using the acceleration section H1, and the discharge operation for forming the wiring pattern is performed using the steady section H3. Since it is configured, the movement operation of the stage ST can be efficiently used, the stroke can be set small, and the wiring pattern can be formed efficiently and accurately.
【００６４】なお、図６を用いた説明では、液滴吐出ヘ
ッド２０が停止しており、ステージＳＴが移動するよう
に説明したが、もちろん、液滴吐出ヘッド２０が第２移
動装置１６により、加速区間、整定区間、定常区間、加
速区間を有するように移動する構成も可能である。In the description with reference to FIG. 6, the droplet discharge head 20 is stopped and the stage ST moves, but of course, the droplet discharge head 20 is moved by the second moving device 16. It is also possible to move so as to have an acceleration section, a settling section, a steady section, and an acceleration section.
【００６５】以上説明したように、パターン形成領域Ａ
Ｒに対して配線パターンを形成するための吐出動作を行
う前に、ステージＳＴに設けられた予備吐出エリア５２
に対して予備吐出動作を行うことにより、液滴吐出ヘッ
ド２０における液滴の増粘化や液滴からの固形分（導電
性材料）の析出を防ぎ、液滴吐出ヘッド２０の目詰まり
等を防止できる。したがって、液滴吐出ヘッド２０は安
定した吐出動作を実現でき、配線パターンを所望の精度
で形成できる。また、配線パターン形成方法として液滴
吐出方式を採用することにより、安価な設備でパターン
形成領域ＡＲの任意の場所に任意の厚さで液滴を付着さ
せることができる。As described above, the pattern forming area A
Before the ejection operation for forming the wiring pattern is performed on R, the preliminary ejection area 52 provided on the stage ST is provided.
By performing a preliminary discharge operation on the droplet discharge head 20, it is possible to prevent thickening of the droplet in the droplet discharge head 20 and to prevent deposition of a solid content (conductive material) from the droplet, and to prevent clogging of the droplet discharge head 20. It can be prevented. Therefore, the droplet discharge head 20 can realize a stable discharge operation and can form a wiring pattern with desired accuracy. Further, by adopting the droplet discharge method as the wiring pattern forming method, it is possible to attach the droplets with an arbitrary thickness to an arbitrary position of the pattern formation area AR with inexpensive equipment.
【００６６】液滴吐出ヘッド２０を基板Ｐに対して加速
区間Ｈ１、整定区間Ｈ２、定常区間Ｈ３、減速区間Ｈ４
の順に相対移動し、予備吐出エリアＡＲに対する予備吐
出動作を加速区間Ｈ１に設定し、パターン形成領域ＡＲ
に対する吐出動作を定常区間Ｈ３に設定することによ
り、配線パターンを精度良く形成できるとともにパター
ン形成領域ＡＲを拡大でき、しかもスループットを向上
できる。すなわち、液滴吐出ヘッド２０あるいはステー
ジＳＴの移動距離（ストローク）が定まっている場合、
加速区間Ｈ１において予備吐出動作することにより、配
線パターンを形成するための吐出動作区間である定常区
間Ｈ３のストロークを大きく設定できる。したがって、
配線パターンが形成されるパターン形成領域ＡＲを拡大
でき、デバイスを効率良く製造できる。この場合、予備
吐出動作は高い吐出精度を必要としないため、加速区間
Ｈ１において予備吐出動作を行っておけば、定常区間Ｈ
３において配線パターンを精度良く形成できる。The droplet discharge head 20 is accelerated with respect to the substrate P by an acceleration section H1, a settling section H2, a steady section H3, and a deceleration section H4.
Relative movement in this order, the preliminary ejection operation for the preliminary ejection area AR is set in the acceleration section H1, and the pattern formation area AR
By setting the discharge operation for the constant section H3, the wiring pattern can be formed with high accuracy, the pattern formation area AR can be expanded, and the throughput can be improved. That is, when the moving distance (stroke) of the droplet discharge head 20 or the stage ST is fixed,
By performing the preliminary ejection operation in the acceleration section H1, the stroke of the steady section H3, which is the ejection operation section for forming the wiring pattern, can be set large. Therefore,
The pattern formation region AR in which the wiring pattern is formed can be enlarged, and the device can be efficiently manufactured. In this case, since the preliminary ejection operation does not require high ejection accuracy, if the preliminary ejection operation is performed in the acceleration section H1, the steady section H
In 3, the wiring pattern can be accurately formed.
【００６７】そして、予備吐出エリア５２に対する吐出
動作終了点を整定区間Ｈ２に設定することにより、パタ
ーン形成領域ＡＲに対する吐出動作直前まで予備吐出動
作を行うことになるので、液滴吐出ヘッド２０の乾燥を
招くことなくパターン形成領域ＡＲに対して安定した吐
出動作を行うことができる。しかも、整定区間Ｈ２に予
備吐出動作終了点を設定したことにより、定常区間Ｈ３
の全てを配線パターンの形成に有効利用できる。By setting the discharge operation end point for the preliminary discharge area 52 in the settling section H2, the preliminary discharge operation is performed until immediately before the discharge operation for the pattern formation area AR, so that the droplet discharge head 20 is dried. A stable ejection operation can be performed on the pattern formation area AR without causing any trouble. Moreover, by setting the preliminary discharge operation end point in the settling section H2, the steady section H3 is set.
Can be effectively used for forming a wiring pattern.
【００６８】なお、本実施形態における流動体としての
液滴は、液滴吐出ヘッド２０のノズル２２１から吐出可
能な粘度を備えた媒体であって、導電性材料を所定の溶
媒あるいはバインダーを用いてペースト化したものであ
って、６０ｗｔ％程度に設定されたＡｇコロイド分散液
などが挙げられる。ここで、液滴の粘度は５０ｃｐｓ以
下に設定されていることが好ましい。The droplet as the fluid in the present embodiment is a medium having a viscosity capable of being ejected from the nozzle 221 of the droplet ejection head 20, and the conductive material is formed by using a predetermined solvent or binder. Examples of the paste include an Ag colloidal dispersion liquid set to about 60 wt%. Here, the viscosity of the droplets is preferably set to 50 cps or less.
【００６９】導電性材料としては、所定の金属、あるい
は導電性ポリマーが挙げられる。金属としては、金属ペ
ーストの用途によって銀、金、ニッケル、インジウム、
錫、鉛、亜鉛、チタン、銅、クロム、タンタル、タング
ステン、パラジウム、白金、鉄、コバルト、ホウ素、ケ
イ素、アルミニウム、マグネシウム、スカンジウム、ロ
ジウム、イリジウム、バナジウム、ルテニウム、オスミ
ウム、ニオブ、ビスマス、バリウムなどのうち少なくと
も１種の金属又はこれらの合金が挙げられる。また、酸
化銀（ＡｇＯ又はＡｇ2Ｏ）や酸化銅なども挙げられ
る。Examples of the conductive material include a predetermined metal or a conductive polymer. Examples of metals include silver, gold, nickel, indium, and
Tin, lead, zinc, titanium, copper, chromium, tantalum, tungsten, palladium, platinum, iron, cobalt, boron, silicon, aluminum, magnesium, scandium, rhodium, iridium, vanadium, ruthenium, osmium, niobium, bismuth, barium, etc. Among these, at least one kind of metal or an alloy thereof is used. Further, silver oxide (AgO or Ag 2 O), copper oxide, etc. may also be mentioned.
【００７０】また、用いる有機溶媒としては、炭素数５
以上のアルコール類（例えばテルピネオール、シトロネ
ロール、ゲラニオール、ネロール、フェネチルアルコー
ル）の１種以上を含有する溶媒、又は有機エステル類
（例えば酢酸エチル、オレイン酸メチル、酢酸ブチル、
グリセリド）の１種以上を含有する溶媒であればよく、
使用する金属又は金属ペーストの用途によって適宜選択
できる。更には、ミネラルスピリット、トリデカン、ド
デシルベンゼンもしくはそれらの混合物、又はそれらに
α−テルピネオールを混合したもの、炭素数５以上の炭
化水素（例えば、ピネン等）、アルコール（例えば、ｎ
−ヘプタノール等）、エーテル（例えば、エチルベンジ
ルエーテル等）、エステル（例えば、ｎ−ブチルステア
レート等）、ケトン（例えば、ジイソブチルケトン
等）、有機窒素化合物（例えば、トリイソプロパノール
アミン等）、有機ケイ素化合物（シリコーン油等）、有
機硫黄化合物もしくはそれらの混合物を用いることもで
きる。なお、有機溶媒中に必要に応じて適当な有機物を
添加してもよい。The organic solvent used has 5 carbon atoms.
Solvents containing one or more of the above alcohols (eg terpineol, citronellol, geraniol, nerol, phenethyl alcohol), or organic esters (eg ethyl acetate, methyl oleate, butyl acetate,
A solvent containing at least one of (glyceride),
It can be appropriately selected depending on the application of the metal or metal paste used. Furthermore, mineral spirits, tridecane, dodecylbenzene or a mixture thereof, or a mixture thereof with α-terpineol, a hydrocarbon having 5 or more carbon atoms (for example, pinene, etc.), alcohol (for example, n
-Heptanol etc.), ether (eg ethylbenzyl ether etc.), ester (eg n-butyl stearate etc.), ketone (eg diisobutyl ketone etc.), organic nitrogen compound (eg triisopropanolamine etc.), organosilicon A compound (silicone oil or the like), an organic sulfur compound or a mixture thereof can also be used. In addition, you may add a suitable organic substance in an organic solvent as needed.
【００７１】なお、上記第１実施形態では、基板Ｐに対
してＹ方向の一方に予備吐出エリア５２を設ける構成と
したが、これに限定されるものではなく、図７に示すよ
うに、基板Ｐを挟んだＹ方向の両側に予備吐出エリア５
２、５２を設ける構成としてもよい。この場合、基板Ｐ
を液滴吐出ヘッド２０に対して往復移動させて配線パタ
ーン形成処理を行う際に、液滴吐出ヘッド２０の吐出領
域５５が基板ＰのＹ軸方向いずれの側にあっても、予備
吐出エリア５２がその近傍に存在することになり、予備
吐出エリア５２との間の移動時間が短くなりスループッ
トの向上を実現することができる。In the first embodiment, the preliminary ejection area 52 is provided on one side of the substrate P in the Y direction, but the present invention is not limited to this, and as shown in FIG. Preliminary discharge area 5 on both sides in the Y direction across P
The configuration may be such that 2, 52 are provided. In this case, the substrate P
When the wiring pattern forming process is performed by reciprocally moving the droplets with respect to the droplet discharge head 20, the preliminary discharge area 52 is provided regardless of the discharge area 55 of the droplet discharge head 20 on the Y axis direction side of the substrate P. Will be present in the vicinity thereof, and the movement time to the preliminary ejection area 52 will be shortened, and the throughput can be improved.
【００７２】また、上記実施の形態では、吸収材５４を
ステージＳＴとは別部材の受け部材５３に設ける構成と
したが、これに限られるものではなく、例えばステージ
ＳＴにＸ方向に延びる溝を形成し、この溝内に吸収材５
４を設置する構成としてもよい。In the above embodiment, the absorbent 54 is provided on the receiving member 53 which is a member different from the stage ST. However, the present invention is not limited to this. For example, a groove extending in the X direction may be provided on the stage ST. Form the absorbent material 5 in this groove
4 may be installed.
【００７３】次に、本発明のデバイス製造方法の第２実
施形態について図８を参照しながら説明する。ここで、
以下の説明において、上述した第１実施形態と同一又は
同等の構成部分についてはその説明を簡略もしくは省略
する。Next, a second embodiment of the device manufacturing method of the present invention will be described with reference to FIG. here,
In the following description, the description of the same or equivalent components as those of the above-described first embodiment will be simplified or omitted.
【００７４】図８において、基板Ｐは、配線パターンＰ
Ａが形成されるべきパターン形成領域（所定領域）ＡＲ
と、パターン形成領域ＡＲ以外の部分に設けられている
予備吐出エリア（予備吐出領域）１００とを有してい
る。なお、図８には、パターン形成領域ＡＲと予備吐出
エリア１００とのそれぞれに液滴が塗布されて、配線パ
ターンＰＡと予備吐出パターン１０１とが既に形成され
た状態の基板Ｐが示されている。In FIG. 8, the substrate P is a wiring pattern P.
Pattern forming area (predetermined area) AR in which A is to be formed
And a preliminary ejection area (preliminary ejection area) 100 provided in a portion other than the pattern formation area AR. Note that FIG. 8 shows the substrate P in a state where the wiring pattern PA and the preliminary ejection pattern 101 are already formed by applying droplets to the pattern formation area AR and the preliminary ejection area 100, respectively. .
【００７５】予備吐出パターン１０１は配線パターンＰ
Ａと同じ材料からなっており、導電性材料を含んでい
る。そして、図８に示すように、予備吐出パターン１０
１は、基板Ｐの＋Ｙ側端部においてＸ方向に延びるよう
に形成されている予備吐出パターン１０１Ｘと、基板Ｐ
の−Ｘ側端部においてＹ方向に延びるように形成されて
いる予備吐出パターン１０１Ｙとからなっている。予備
吐出パターン１０１Ｘは、パターン形成領域ＡＲに対し
てＹ方向（第１の方向）に離間して形成されており、予
備吐出パターン１０１ＸのうちＸ方向（第２の方向）に
おける幅Ｌ１は、パターン形成領域ＡＲのＸ方向におけ
る幅Ｌ２より大きく設定されている。また、予備吐出パ
ターン１０１Ｙは、パターン形成領域ＡＲに対してＸ方
向に離間して形成されており、予備吐出パターン１０１
ＹのうちＹ方向における幅Ｌ３は、パターン形成領域Ａ
ＲのＹ方向における幅Ｌ４より大きく設定されている。The preliminary ejection pattern 101 is the wiring pattern P.
It is made of the same material as A and contains a conductive material. Then, as shown in FIG.
Reference numeral 1 denotes a preliminary ejection pattern 101X formed to extend in the X direction at the + Y side end portion of the substrate P, and the substrate P.
Of the preliminary ejection pattern 101Y formed so as to extend in the Y direction at the −X side end portion thereof. The preliminary ejection pattern 101X is formed apart from the pattern formation area AR in the Y direction (first direction), and the width L1 in the X direction (second direction) of the preliminary ejection pattern 101X is the pattern. It is set to be larger than the width L2 of the formation region AR in the X direction. The preliminary ejection pattern 101Y is formed in the X direction with a space from the pattern formation area AR, and the preliminary ejection pattern 101Y is formed.
The width L3 in the Y direction of Y is defined by the pattern formation area A
It is set to be larger than the width L4 of R in the Y direction.
【００７６】次に、上述した基板（デバイス）Ｐを製造
する方法について説明する。配線パターンＰＡを形成す
る前に、基板Ｐの予備吐出エリア１００に対して表面処
理を行う。この表面処理は、例えばプラズマ、ＵＶ処
理、カップリング等の表面処理であって、予備吐出エリ
ア１００に対する液滴の濡れ性を制御する。濡れ性が高
ければ、基板に対する流動体の接触角は小さい。一方、
濡れ性が低ければ、基板に対する流動体の接触角は大き
い。そして、本実施形態では、図９に示すように、予備
吐出エリア１００のうち周縁部１００Ａを撥液処理し、
中央部１００Ｂを親液処理する。親液処理とは処理面に
対する液滴の濡れ性を高める処理であり、一方、撥液処
理とは処理面に対する液滴の濡れ性を低くする処理であ
る。こうすることによって、予備吐出エリア１００に予
備吐出された液滴は親液処理された中央部１００Ｂに留
まるとともに、撥液処理された周縁部１００Ａによって
周囲に流出しない。Next, a method of manufacturing the above-mentioned substrate (device) P will be described. Before forming the wiring pattern PA, surface treatment is performed on the preliminary ejection area 100 of the substrate P. This surface treatment is a surface treatment such as plasma treatment, UV treatment, coupling, etc., and controls the wettability of the droplet with respect to the preliminary ejection area 100. If the wettability is high, the contact angle of the fluid with the substrate is small. on the other hand,
If the wettability is low, the contact angle of the fluid with the substrate is large. Then, in the present embodiment, as shown in FIG. 9, the peripheral portion 100A of the preliminary ejection area 100 is subjected to liquid repellent treatment,
The central part 100B is subjected to lyophilic treatment. The lyophilic treatment is a treatment for enhancing the wettability of droplets on the treated surface, while the lyophobic treatment is a treatment for lowering the wettability of droplets on the treated surface. By doing so, the droplets preliminarily ejected to the preliminarily ejecting area 100 remain in the central portion 100B that has been subjected to the lyophilic treatment, and do not flow out to the surroundings due to the peripheral portion 100A that has been subjected to the liquid repellent treatment.
【００７７】そして、予備吐出エリア１００を表面処理
された基板ＰはステージＳＴに支持され、デバイス製造
装置ＩＪの制御装置ＣＯＮＴは、液滴吐出ヘッド２０に
より基板Ｐの予備吐出エリア１００に対して予備吐出動
作を行った後、基板Ｐのパターン形成領域ＡＲに対して
所定の配線パターンＰＡを形成するための吐出動作を行
う。Then, the substrate P whose surface has been preliminarily treated in the preliminary ejection area 100 is supported by the stage ST, and the controller CONT of the device manufacturing apparatus IJ preliminarily prepares the preliminary ejection area 100 of the substrate P by the droplet ejection head 20. After performing the ejection operation, the ejection operation for forming the predetermined wiring pattern PA is performed on the pattern formation area AR of the substrate P.
【００７８】ここで、Ｘ方向及びＹ方向のそれぞれに予
備吐出パターン１０１Ｘ、１０１Ｙを設けるための予備
吐出エリア１００Ｘ、１００Ｙを設けることによって、
基板Ｐの所定の辺をＸ方向又はＹ方向のいずれの方向に
一致するように基板ＰをステージＳＴ上に載置しても、
液滴吐出ヘッド２０は予備吐出動作を行うことができる
ようになっている。Here, by providing the preliminary ejection areas 100X and 100Y for providing the preliminary ejection patterns 101X and 101Y in the X and Y directions, respectively,
Even if the substrate P is placed on the stage ST so that a predetermined side of the substrate P coincides with either the X direction or the Y direction,
The droplet discharge head 20 can perform a preliminary discharge operation.
【００７９】このように、予備吐出エリア１００を基板
Ｐ上に形成することもでき、この予備吐出エリア１００
に対して予備吐出動作を行ってから配線パターンＰＡを
形成するための吐出動作を行うことによって、液滴吐出
ヘッド２０の目詰まりを防止しつつ安定したデバイス製
造ができる。また、本実施形態における予備吐出エリア
１００は基板Ｐに設けられており、第１実施形態のよう
なステージＳＴに予備吐出エリアを設けた構成に比べて
パターン形成領域ＡＲに近い位置に形成可能であるの
で、予備吐出動作終了時点から配線パターン形成のため
の吐出動作開始時点までの時間は短縮される。したがっ
て、液滴吐出ヘッド２０の乾燥を更に確実に防止した状
態でパターン形成領域ＡＲに対する吐出動作を行うこと
ができる。As described above, the preliminary ejection area 100 can be formed on the substrate P, and the preliminary ejection area 100 is formed.
By performing the preliminary ejection operation for the above and then performing the ejection operation for forming the wiring pattern PA, it is possible to prevent clogging of the droplet ejection head 20 and to perform stable device manufacturing. Further, the preliminary ejection area 100 in this embodiment is provided on the substrate P, and can be formed at a position closer to the pattern formation area AR as compared with the configuration in which the preliminary ejection area is provided on the stage ST as in the first embodiment. Therefore, the time from the end of the preliminary discharge operation to the start of the discharge operation for forming the wiring pattern is shortened. Therefore, it is possible to perform the ejection operation with respect to the pattern formation area AR in a state in which the droplet ejection head 20 is more reliably prevented from drying.
【００８０】この場合、予備吐出エリア１００が表面処
理されていることにより、予備吐出エリア１００からパ
ターン形成領域ＡＲに対して液滴が流れ込まない。した
がって、配線パターンＰＡの形成工程は予備吐出動作に
よって阻害されないので、デバイスの生産性を向上でき
る。In this case, since the preliminary ejection area 100 is surface-treated, the droplets do not flow from the preliminary ejection area 100 into the pattern formation area AR. Therefore, the process of forming the wiring pattern PA is not hindered by the preliminary ejection operation, so that the productivity of the device can be improved.
【００８１】また、予備吐出エリア１００ＸのＸ方向の
幅Ｌ１は、パターン形成領域ＡＲのＸ方向の幅Ｌ２より
大きく設定され、予備吐出エリア１００ＹのＹ方向の幅
Ｌ３は、パターン形成領域ＡＲのＹ方向の幅Ｌ４より大
きく設定されているので、液滴吐出ヘッド２０がいずれ
の位置にある場合でも、予備吐出エリア１００が液滴吐
出ヘッド２０の吐出領域５５（図４等参照）全体にわた
って配置されるため、全てのノズルから予備吐出を行う
ことができる。The width L1 of the preliminary ejection area 100X in the X direction is set larger than the width L2 of the pattern forming area AR in the X direction, and the width L3 of the preliminary ejection area 100Y in the Y direction is Y in the pattern forming area AR. Since the width L4 is set larger than the width L4 in the direction, the preliminary ejection area 100 is arranged over the entire ejection region 55 (see FIG. 4 and the like) of the droplet ejection head 20 regardless of the position of the droplet ejection head 20. Therefore, preliminary ejection can be performed from all the nozzles.
【００８２】なお、本実施形態においても、ステージＳ
Ｔの加速区間に予備吐出エリア１００に対する予備吐出
動作を設定できる。In this embodiment also, the stage S
The preliminary ejection operation for the preliminary ejection area 100 can be set in the acceleration section of T.
【００８３】なお、図８に示す基板Ｐは予備吐出パター
ン１０１を有しているが、後工程において基板（デバイ
ス）Ｐの予備吐出パターン１０１部分を切断・分離する
ようにしてもよい。Although the substrate P shown in FIG. 8 has the preliminary discharge pattern 101, the preliminary discharge pattern 101 portion of the substrate (device) P may be cut / separated in a subsequent process.
【００８４】なお、図８では１つの基板Ｐに１つのパタ
ーン形成領域ＡＲが設けられている構成であるが、図１
０に示すように、１つの基板Ｐに複数のパターン形成領
域ＡＲを設けてもよい。そして、予備吐出エリア１００
を複数のパターン形成領域ＡＲのそれぞれの間に設け、
１つのパターン形成領域ＡＲに対する液滴吐出動作前
に、隣接する予備吐出エリア１００に対して予備吐出動
作を行ってから、パターン形成領域ＡＲに配線パターン
を形成するための吐出動作をするようにしてもよい。In FIG. 8, one substrate P is provided with one pattern formation region AR, but FIG.
As shown in 0, a plurality of pattern formation regions AR may be provided on one substrate P. Then, the preliminary ejection area 100
Is provided between each of the plurality of pattern formation regions AR,
Before performing the droplet discharge operation on one pattern formation area AR, the preliminary discharge operation is performed on the adjacent preliminary discharge area 100, and then the discharge operation for forming the wiring pattern on the pattern formation area AR is performed. Good.
【００８５】本発明のデバイス製造装置は、ＲＦＩＤの
配線パターンの製造に限定されず、ＰＤＰ（プラズマデ
ィスプレイパネル）デバイスの配線パターンの製造、Ｔ
ＦＴ（薄膜トランジスタ）デバイスの配線パターンの製
造など、各種電気回路の製造に用いることができる。更
には、有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）表示デバ
イスの製造に適用可能である。The device manufacturing apparatus of the present invention is not limited to the manufacture of RFID wiring patterns, but can be used for the manufacture of PDP (plasma display panel) device wiring patterns, T
It can be used for manufacturing various electric circuits such as manufacturing wiring patterns of FT (thin film transistor) devices. Furthermore, it can be applied to manufacture of an organic EL (electroluminescence) display device.
【００８６】ＥＬ表示デバイスは、蛍光性の無機および
有機化合物を含む薄膜を、陰極と陽極とで挟んだ構成を
有し、前記薄膜に電子および正孔（ホール）を注入して
再結合させることにより励起子（エキシトン）を生成さ
せ、このエキシトンが失活する際の光の放出（蛍光・燐
光）を利用して発光させる素子である。こうしたＥＬ表
示素子に用いられる発光層や正孔輸送層、あるいは前記
電極の製造に、本発明のデバイス製造装置を適用可能で
ある。The EL display device has a structure in which a thin film containing a fluorescent inorganic and organic compound is sandwiched between a cathode and an anode, and electrons and holes are injected into the thin film to recombine. Is an element that emits light by utilizing the emission of light (fluorescence / phosphorescence) when the excitons are generated by the generation of excitons. The device manufacturing apparatus of the present invention can be applied to manufacture of the light emitting layer, the hole transporting layer, or the electrode used in such an EL display element.
【００８７】図１１は、有機ＥＬ表示デバイスの一例を
示す断面図である。図１１において、有機ＥＬ表示デバ
イス３０１は、光を透過可能な基板３０２と、基板３０
２の一方の面側に設けられ一対の陰極（電極）３０７及
び陽極（電極）３０８に狭持された有機エレクトロルミ
ネッセンス材料からなる発光層３０５と正孔輸送層３０
６とからなる有機ＥＬ素子（発光素子）３０９と、基板
３０１と有機ＥＬ素子３０９との間に積層されている低
屈折率層３０３及び封止層３０４とを備えている。FIG. 11 is a sectional view showing an example of the organic EL display device. In FIG. 11, an organic EL display device 301 includes a substrate 302 capable of transmitting light and a substrate 30.
2, a light emitting layer 305 made of an organic electroluminescent material sandwiched between a pair of cathodes (electrodes) 307 and an anode (electrodes) 308 and a hole transport layer 30.
6, an organic EL element (light emitting element) 309, a low refractive index layer 303 and a sealing layer 304, which are stacked between the substrate 301 and the organic EL element 309.
【００８８】ここで、図１１に示す有機ＥＬ表示デバイ
ス３０１は、発光層３０５からの発光光を基板３０２側
から装置外部に取り出す形態であり、基板３０２の形成
材料としては、光を透過可能な透明あるいは半透明材
料、例えば、透明なガラス、石英、サファイア、あるい
はポリエステル、ポリアクリレート、ポリカーボネー
ト、ポリエーテルケトンなどの透明な合成樹脂などが挙
げられる。特に、基板３０２の形成材料としては、安価
なソーダガラスが好適に用いられる。一方、基板と反対
側から発光光を取り出す形態の場合には、基板は不透明
であってもよく、その場合、アルミナ等のセラミック、
ステンレス等の金属シートに表面酸化などの絶縁処理を
施したもの、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂などを用いる
ことができる。Here, the organic EL display device 301 shown in FIG. 11 has a form in which the light emitted from the light emitting layer 305 is taken out from the substrate 302 side to the outside of the device, and the material forming the substrate 302 can transmit light. Examples thereof include transparent or translucent materials such as transparent glass, quartz, sapphire, and transparent synthetic resins such as polyester, polyacrylate, polycarbonate, and polyetherketone. In particular, inexpensive soda glass is preferably used as the material for forming the substrate 302. On the other hand, when the emitted light is extracted from the side opposite to the substrate, the substrate may be opaque, in which case a ceramic such as alumina,
It is possible to use a metal sheet such as stainless steel that has been subjected to an insulation treatment such as surface oxidation, a thermosetting resin, a thermoplastic resin, or the like.
【００８９】陽極３０８は、インジウム錫酸化物（ＩＴ
Ｏ：Indium Tin Oxide）等からなる透明電極であって光
を透過可能である。正孔輸送層３０６は、例えば、トリ
フェニルアミン誘導体（ＴＰＤ）、ピラゾリン誘導体、
アリールアミン誘導体、スチルベン誘導体、トリフェニ
ルジアミン誘導体等からなる。具体的には、特開昭６３
−７０２５７号、同６３−１７５８６０号公報、特開平
２−１３５３５９号、同２−１３５３６１号、同２−２
０９９８８号、同３−３７９９２号、同３−１５２１８
４号公報に記載されているもの等が例示されるが、トリ
フェニルジアミン誘導体が好ましく、中でも４，４’−
ビス（Ｎ（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミ
ノ）ビフェニルが好適とされる。The anode 308 is made of indium tin oxide (IT).
O: Indium Tin Oxide) is a transparent electrode that can transmit light. The hole transport layer 306 is formed of, for example, a triphenylamine derivative (TPD), a pyrazoline derivative,
It comprises an arylamine derivative, a stilbene derivative, a triphenyldiamine derivative and the like. Specifically, JP-A-63
-70257, 63-175860, JP-A-2-135359, 2-135361, 2-2.
09988, 3-37992, 3-15218.
Examples thereof include those described in Japanese Patent Publication No. 4, but triphenyldiamine derivatives are preferable, and among them, 4,4′-
Bis (N (3-methylphenyl) -N-phenylamino) biphenyl is preferred.
【００９０】なお、正孔輸送層に代えて正孔注入層を形
成するようにしてもよく、さらに正孔注入層と正孔輸送
層を両方形成するようにしてもよい。その場合、正孔注
入層の形成材料としては、例えば銅フタロシアニン（Ｃ
ｕＰｃ）や、ポリテトラヒドロチオフェニルフェニレン
であるポリフェニレンビニレン、１，１−ビス−（４−
Ｎ，Ｎ−ジトリルアミノフェニル）シクロヘキサン、ト
リス（８−ヒドロキシキノリノール）アルミニウム等が
挙げられるが、特に銅フタロシアニン（ＣｕＰｃ）を用
いるのが好ましい。The hole injection layer may be formed instead of the hole transport layer, or both the hole injection layer and the hole transport layer may be formed. In that case, as the material for forming the hole injection layer, for example, copper phthalocyanine (C
uPc), polytetrahydrothiophenylphenylene, polyphenylene vinylene, 1,1-bis- (4-
Examples thereof include N, N-ditolylaminophenyl) cyclohexane and tris (8-hydroxyquinolinol) aluminum, but it is particularly preferable to use copper phthalocyanine (CuPc).
【００９１】発光層３０５の形成材料としては、低分子
の有機発光色素や高分子発光体、すなわち各種の蛍光物
質や燐光物質などの発光物質、Ａｌｑ3（アルミキレー
ト錯体）などの有機エレクトロルミネッセンス材料が使
用可能である。発光物質となる共役系高分子の中ではア
リーレンビニレン又はポリフルオレン構造を含むものな
どが特に好ましい。低分子発光体では、例えばナフタレ
ン誘導体、アントラセン誘導体、ペリレン誘導体、ポリ
メチン系、キサテン系、クマリン系、シアニン系などの
色素類、８−ヒドロキノリンおよびその誘導体の金属錯
体、芳香族アミン、テトラフェニルシクロペンタジエン
誘導体等、または特開昭５７−５１７８１、同５９−１
９４３９３号公報等に記載されている公知のものが使用
可能である。陰極７はアルミニウム（Ａｌ）やマグネシ
ウム（Ｍｇ）、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）等からなる金属
電極である。Materials for forming the light emitting layer 305 include low molecular weight organic light emitting dyes and polymer light emitting materials, that is, light emitting materials such as various fluorescent materials and phosphorescent materials, and organic electroluminescent materials such as Alq 3 (aluminum chelate complex). Can be used. Among the conjugated polymers as the light emitting substance, those containing an arylene vinylene or polyfluorene structure are particularly preferable. Examples of the low molecular weight luminescent materials include naphthalene derivatives, anthracene derivatives, perylene derivatives, polymethine dyes, xanthene dyes, coumarin dyes, cyanine dyes, metal complexes of 8-hydroquinoline and its derivatives, aromatic amines, tetraphenylcyclo Pentadiene derivatives, etc., or JP-A-57-51781 and 59-1
Known products described in Japanese Patent No. 94393 can be used. The cathode 7 is a metal electrode made of aluminum (Al), magnesium (Mg), gold (Au), silver (Ag), or the like.
【００９２】なお、陰極３０７と発光層３０５との間
に、電子輸送層や電子注入層を設けることができる。電
子輸送層の形成材料としては、特に限定されることな
く、オキサジアゾール誘導体、アントラキノジメタンお
よびその誘導体、ベンゾキノンおよびその誘導体、ナフ
トキノンおよびその誘導体、アントラキノンおよびその
誘導体、テトラシアノアンスラキノジメタンおよびその
誘導体、フルオレノン誘導体、ジフェニルジシアノエチ
レンおよびその誘導体、ジフェノキノン誘導体、８−ヒ
ドロキシキノリンおよびその誘導体の金属錯体等が例示
される。具体的には、先の正孔輸送層の形成材料と同様
に、特開昭６３−７０２５７号、同６３−１７５８６０
号公報、特開平２−１３５３５９号、同２−１３５３６
１号、同２−２０９９８８号、同３−３７９９２号、同
３−１５２１８４号公報に記載されているもの等が例示
され、特に２−（４−ビフェニリル）−５−（４−ｔ−
ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール、ベ
ンゾキノン、アントラキノン、トリス（８−キノリノー
ル）アルミニウムが好適とされる。An electron transport layer or an electron injection layer can be provided between the cathode 307 and the light emitting layer 305. The material for forming the electron transport layer is not particularly limited, and includes oxadiazole derivatives, anthraquinodimethane and its derivatives, benzoquinone and its derivatives, naphthoquinone and its derivatives, anthraquinone and its derivatives, tetracyanoanthraquinodimethane. And derivatives thereof, fluorenone derivatives, diphenyldicyanoethylene and derivatives thereof, diphenoquinone derivatives, 8-hydroxyquinoline and metal complexes of derivatives thereof, and the like. Specifically, similar to the above-mentioned material for forming the hole transport layer, JP-A-63-70257 and 63-175860.
JP-A-2-135359 and JP-A-2-135536.
No. 1, No. 2-209988, No. 3-37992, No. 3-152184, etc. are illustrated, and especially 2- (4-biphenylyl) -5- (4-t-
Butylphenyl) -1,3,4-oxadiazole, benzoquinone, anthraquinone, tris (8-quinolinol) aluminum are preferred.
【００９３】低屈折率層３０３は、基板３０２より光の
透過屈折率が低い層であり、シリカエアロゲルによって
構成されている。シリカエアロゲルとは、シリコンアル
コキシドのゾルゲル反応により形成される湿潤ゲルを超
臨界乾燥することによって得られる均一な超微細構造を
持った光透過性の多孔質体である。The low refractive index layer 303 is a layer having a lower light transmission refractive index than the substrate 302, and is made of silica airgel. Silica airgel is a light-transmitting porous body having a uniform ultrafine structure obtained by supercritically drying a wet gel formed by a sol-gel reaction of silicon alkoxide.
【００９４】封止層３０４は、基板３０２側の外部から
電極３０７，３０８を含む有機ＥＬ素子３０９に対して
大気が侵入するのを遮断するものであって、膜厚や材料
を適宜選択することにより光を透過可能となっている。
封止層３０４を構成する材料としては、例えばセラミッ
クや窒化珪素、酸化窒化珪素、酸化珪素などの透明な材
料が用いられ、中でも酸化窒化珪素が透明性、ガスバリ
ア性の観点から好ましい。なお、封止層３０４の厚さは
発光層３０５から射出される光の波長より小さくなるよ
うに設定されるこのが好ましい（例えば０．１μｍ）。The sealing layer 304 blocks atmospheric air from entering the organic EL element 309 including the electrodes 307 and 308 from the outside on the substrate 302 side, and the film thickness and material can be selected appropriately. This allows light to pass through.
As a material for forming the sealing layer 304, for example, a transparent material such as ceramic, silicon nitride, silicon oxynitride, or silicon oxide is used, and among them, silicon oxynitride is preferable from the viewpoint of transparency and gas barrier property. The thickness of the sealing layer 304 is preferably set to be smaller than the wavelength of light emitted from the light emitting layer 305 (for example, 0.1 μm).
【００９５】図示しないが、この有機ＥＬ表示デバイス
３０１はアクティブマトリクス型であり、実際には複数
のデータ線と複数の走査線とが格子状に配置され、これ
らデータ線や走査線に区画されたマトリクス状に配置さ
れた各画素毎に、スイッチングトランジスタやドライビ
ングトランジスタ等の駆動用ＴＦＴを介して上記の有機
ＥＬ素子３０９が接続されている。そして、データ線や
走査線を介して駆動信号が供給されると電極間に電流が
流れ、有機ＥＬ素子３０９の発光層３０５が発光して基
板３０２の外面側に光が射出され、その画素が点灯す
る。Although not shown, this organic EL display device 301 is an active matrix type, and in practice, a plurality of data lines and a plurality of scanning lines are arranged in a grid and divided into these data lines and scanning lines. The organic EL element 309 is connected to each pixel arranged in a matrix through a driving TFT such as a switching transistor or a driving transistor. Then, when a drive signal is supplied through the data line or the scanning line, a current flows between the electrodes, the light emitting layer 305 of the organic EL element 309 emits light, and light is emitted to the outer surface side of the substrate 302, and the pixel is Light.
【００９６】また、有機ＥＬ表示デバイス３０１のう
ち、有機ＥＬ素子３０９を挟んで封止層３０４と反対側
の表面にも、電極３０７，３０８を含む有機ＥＬ素子３
０９に対して大気が侵入するのを遮断する封止部材３１
０が形成されている。Further, in the organic EL display device 301, the organic EL element 3 including the electrodes 307 and 308 on the surface opposite to the sealing layer 304 with the organic EL element 309 sandwiched therebetween.
Sealing member 31 for blocking the invasion of the atmosphere to 09
0 is formed.
【００９７】以上説明した有機ＥＬ表示デバイス３０１
の各材料層３０８，３０６，３０５，３０７などを、本
発明のデバイス製造装置を用いて製造することができ
る。更には、有機ＥＬ素子駆動用のＴＦＴを本発明のデ
バイス製造装置を用いて製造することもできる。なお、
上記有機ＥＬ表示デバイスはアクティブ駆動されるよう
に説明したが、パッシブ駆動の表示素子とすることもで
きる。The organic EL display device 301 described above
The respective material layers 308, 306, 305, 307, etc. can be manufactured using the device manufacturing apparatus of the present invention. Furthermore, a TFT for driving an organic EL element can be manufactured using the device manufacturing apparatus of the present invention. In addition,
Although the organic EL display device is described as being driven actively, it can be a passive drive display element.
【００９８】更に、本発明のデバイス製造装置は、液晶
装置の画素電極の製造にも適用可能である。図１２は液
晶装置の一実施形態を示す分解図である。また、図１３
は、図１２におけるＩ−Ｉ線に従った液晶装置の断面構
造を示している。本実施形態で例示する液晶装置４０１
は、アクティブ素子として２端子型のスイッチング素子
であるＴＦＤ（Thin Film Diode）素子を用いるアクテ
ィブマトリクス方式の液晶装置であって、反射型表示及
び透過型表示の両表示機能を併せて有する半透過反射型
の液晶装置であって、更に、基板上にＩＣチップを直接
に実装する構造のＣＯＧ（Chip On Glass）方式の液晶
装置である。Furthermore, the device manufacturing apparatus of the present invention can be applied to manufacturing pixel electrodes of liquid crystal devices. FIG. 12 is an exploded view showing an embodiment of the liquid crystal device. In addition, FIG.
12 shows a cross-sectional structure of the liquid crystal device taken along the line I-I in FIG. Liquid crystal device 401 exemplified in this embodiment
Is a liquid crystal device of an active matrix type using a TFD (Thin Film Diode) element which is a two-terminal type switching element as an active element, and is a semi-transmissive reflection having both display functions of reflective display and transmissive display. Type liquid crystal device, further, a COG (Chip On Glass) type liquid crystal device having a structure in which an IC chip is directly mounted on a substrate.
【００９９】図１２において、液晶装置４０１は、第１
基板４０３ａと第２基板４０３ｂとを環状のシール材４
０４によって貼り合わせて液晶パネル４０２を形成し、
両基板の間に形成される間隙、いわゆるセルギャップ内
に液晶Ｌを封入し、第１基板４０３ａ及び第２基板４０
３ｂに、それぞれ、液晶駆動用ＩＣ４０６ａ及び４０６
ｂを実装し、更に観察側と反対側、本実施形態では第１
基板４０３ａの外側に照明装置４０７をバックライトと
して配設することによって形成される。In FIG. 12, the liquid crystal device 401 is the first
The substrate 403a and the second substrate 403b are connected to each other by a ring-shaped sealing material 4
04 to form a liquid crystal panel 402,
The liquid crystal L is enclosed in a so-called cell gap formed between the two substrates, and the first substrate 403a and the second substrate 40 are sealed.
3b includes liquid crystal driving ICs 406a and 406, respectively.
b is mounted, and the side opposite to the observation side is the first side in this embodiment.
It is formed by disposing the lighting device 407 as a backlight on the outside of the substrate 403a.
【０１００】液晶駆動用ＩＣ４０６ａ及び４０６ｂの実
装は、例えばＡＣＦ（AnisotropicConductive Film）を
用いて行われる。また、液晶Ｌのセルギャップへの封入
はシール材４０４の適所に設けた液晶注入用開口４０４
ａを通して行われ、その開口４０４ａは液晶注入後に樹
脂等によって封止される。The liquid crystal driving ICs 406a and 406b are mounted by using, for example, an ACF (Anisotropic Conductive Film). Further, the liquid crystal L is sealed in the cell gap by a liquid crystal injection opening 404 provided at an appropriate position of the sealing material 404.
The opening 404a is sealed with resin or the like after the liquid crystal is injected.
【０１０１】第１基板４０３ａは、図１３に示すよう
に、ガラス、プラスチック等によって形成された矢印Ｂ
方向から見て方形状の第１基材４０８ａを有し、その第
１基材４０８ａの内側（図１３の上側）表面には、該表
面側から順に、カラーフィルタ４１１及び配向膜４１３
ａが形成されている。カラーフィルタ４１１は、区画材
４１４、画素電極（光反射膜）４１６、色絵素４１７、
保護膜４０９によって構成されている。また、第１基材
４０８ａの外側表面には、偏向板４１９ａが貼着等によ
って装着されている。画素電極４１６は金属材料により
形成されており、光反射膜の機能も兼ねることが出来
る。As shown in FIG. 13, the first substrate 403a has an arrow B formed of glass, plastic, or the like.
The first base material 408a has a rectangular shape when viewed from the direction, and the color filter 411 and the alignment film 413 are provided on the inner surface (upper side in FIG. 13) of the first base material 408a in order from the surface side.
a is formed. The color filter 411 includes a partition member 414, a pixel electrode (light reflecting film) 416, a color pixel 417,
It is composed of a protective film 409. A deflection plate 419a is attached to the outer surface of the first base material 408a by sticking or the like. The pixel electrode 416 is formed of a metal material and can also function as a light reflection film.
【０１０２】カラーフィルタ４１１は、図１５（ａ）に
示すように、第１基材４０８ａの上に形成された格子状
のパターンに形成された区画材としてのバンク４１４
と、バンク４１４によって区画された複数の格子穴領域
内に形成された複数の画素電極４１６と、該画素電極４
１６の上に形成された色絵素４１７と、それらの色絵素
４１７の上に形成された保護膜４０９とを有する。本実
施形態では画素電極４１６及び色絵素４１７の両方と
も、液滴吐出法を用いて形成される。As shown in FIG. 15A, the color filter 411 is a bank 414 as a partitioning material formed in a grid pattern on the first base material 408a.
A plurality of pixel electrodes 416 formed in a plurality of lattice hole regions partitioned by the bank 414;
16 and the protective film 409 formed on the color picture elements 417. In this embodiment, both the pixel electrode 416 and the color pixel 417 are formed by using a droplet discharge method.
【０１０３】なお、図１５は複数の色絵素４１７のうち
の数個、主に３個、を拡大して示しており、カラーフィ
ルタ４１１はこれらの色絵素４１７を図１５（ｂ）に示
すように縦横に多数、マトリクス状に配列することによ
って形成される。また、複数の色絵素４１７は１つずつ
が独立して色表示可能なドット毎に設けられ、Ｒ色絵素
４１７Ｒ、Ｇ色絵素４１７Ｇ、Ｂ色絵素４１７Ｂの３色
の色絵素が設けられた３ドットを１つのユニットとして
１画素を構成している。ここで、ドットとは、第２電極
４１２ｂとの重なり領域によって定義される領域のこと
を示す。FIG. 15 shows an enlarged view of some of the plurality of color picture elements 417, mainly three, and the color filter 411 shows these color picture elements 417 as shown in FIG. 15 (b). Is formed by arranging a large number of rows and columns in a matrix. Further, a plurality of color picture elements 417 are provided for each dot that can be independently displayed in color, and three color picture elements of R color picture element 417R, G color picture element 417G, and B color picture element 417B are provided. One pixel is composed of dots as one unit. Here, the dot means an area defined by an overlapping area with the second electrode 412b.
【０１０４】各画素電極４１６は、図１５（ａ）及び図
１５（ｃ）にその断面構造を示すように平坦に形成され
る。Each pixel electrode 416 is formed flat as shown in the sectional structure of FIGS. 15 (a) and 15 (c).
【０１０５】色絵素４１７は、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ
（青）の３色の各色絵素４１７Ｒ、４１７Ｇ、４１７Ｂ
を配列することによって形成される。各色の平面内での
配列形態としては、例えば、図１４（ａ）に示すストラ
イブ配列、図１４（ｂ）に示すモザイク配列、図１４
（ｃ）に示すデルタ配列等が考えられる。ここで、スト
ライブ配列は、マトリクスの縦列が全て同色になる配色
である。モザイク配列は、縦横の直線上に並んだ任意の
３つの色絵素がＲ、Ｇ、Ｂの３色となる配色である。そ
して、デルタ配列は、色絵素の配置を段違いにし、任意
の隣接する３つの色絵素がＲ、Ｇ、Ｂの３色となる配色
である。The color picture elements 417 are R (red), G (green), and B.
(Blue) three color picture elements 417R, 417G, 417B
Are formed by arranging. As the arrangement form of each color in the plane, for example, a stripe arrangement shown in FIG. 14A, a mosaic arrangement shown in FIG.
The delta arrangement shown in (c) is conceivable. Here, the stripe array is a color arrangement in which all the columns of the matrix have the same color. The mosaic arrangement is a color arrangement in which arbitrary three color picture elements arranged on a vertical and horizontal straight line have three colors of R, G, and B. The delta arrangement is a color arrangement in which the arrangement of color picture elements is staggered so that any three adjacent color picture elements have three colors of R, G, and B.
【０１０６】図１５（ａ）において、バンク４１４は、
本実施形態の場合、非透光性の樹脂を任意のコート法、
例えばスピンコート法等によって塗布した後、任意のパ
ターニング法、例えばフォトリソグラフィー法によって
パターニングすることによって形成される。非透光性樹
脂によって形成されたバンク４１４は、カラーフィルタ
４１１から光が漏れ出ることを防止するブラックマスク
としても機能する。もちろん、バンク４１４の下層に別
途、ブラックマスクをパターニングしてもよい。In FIG. 15A, the bank 414 is
In the case of the present embodiment, a non-translucent resin is coated by an arbitrary coating method,
For example, it is formed by applying it by a spin coating method or the like and then patterning it by an arbitrary patterning method, for example, a photolithography method. The bank 414 formed of a non-translucent resin also functions as a black mask that prevents light from leaking from the color filter 411. Of course, a black mask may be separately patterned on the lower layer of the bank 414.
【０１０７】保護膜４０９は、通常は透明な樹脂材料に
よって形成され、例えば、次のように機能する。第１
に、保護膜の形成によってカラーフィルタ基板の表面を
平坦化することにより、そのカラーフィルタ基板の表面
に電極が形成される際、その電極が切れることを防止す
る。第２に、保護膜上の電極の低抵抗化によって画素感
のコントラスト比を向上させる。第３に、保護膜形成後
に続いて行われる工程においてカラーフィルタ基板内の
画素が傷付くことを防止すること、すなわち保護機能を
果たす。第４に、カラーフィルタ基板が液晶装置に用い
られる場合にセルギャップ内へ液晶が封入された後、カ
ラーフィルタ基板から液晶へ不純物が拡散することを防
止する。The protective film 409 is usually made of a transparent resin material and functions as follows, for example. First
Further, the surface of the color filter substrate is flattened by forming the protective film, so that the electrode is prevented from being cut when the electrode is formed on the surface of the color filter substrate. Secondly, the contrast ratio of the pixel feeling is improved by lowering the resistance of the electrode on the protective film. Thirdly, the pixel in the color filter substrate is prevented from being damaged in the step subsequent to the formation of the protective film, that is, the protective function is achieved. Fourth, when the color filter substrate is used in a liquid crystal device, impurities are prevented from diffusing from the color filter substrate into the liquid crystal after the liquid crystal is filled in the cell gap.
【０１０８】図１２において、配向膜４１３ａは、例え
ば、ポリイミド溶液を塗布した後に焼成することによっ
て形成される。この配向膜４１３ａには配向処理、例え
ばラビング処理が施され、これにより、液晶Ｌ内の液晶
分子の第１基板４０３ａの表面近傍における配向が決定
される。In FIG. 12, the alignment film 413a is formed, for example, by applying a polyimide solution and then baking it. The alignment film 413a is subjected to an alignment treatment, for example, a rubbing treatment, whereby the alignment of liquid crystal molecules in the liquid crystal L near the surface of the first substrate 403a is determined.
【０１０９】図１２において、第２基板４０３ｂは、ガ
ラス、ブラスチック等によって形成された方形状の第２
基材４０８ｂを有し、その第２基材４０８ｂの内側（図
１２の下側）表面には、複数のドット状の第２電極４１
２ｂをマトリクス状に配列してなるパターンが形成され
ている。図１２では理解しやすくするために第２電極４
１２ｂのドットを大きく示しているが、実際には微細で
多数の第２電極４１２ｂが形成されている。In FIG. 12, the second substrate 403b is a rectangular second substrate formed of glass, plastic, or the like.
A base material 408b is provided, and a plurality of dot-shaped second electrodes 41 are provided on the inner surface (lower side in FIG. 12) of the second base material 408b.
A pattern formed by arranging 2b in a matrix is formed. In FIG. 12, the second electrode 4 is shown for easy understanding.
Although the dot 12b is shown large, in reality, a large number of fine second electrodes 412b are formed.
【０１１０】第２基材４０８ｂの内側表面には、ライン
配線４２１と、ライン配線４２１から延びるスイッチン
グ素子としてのＴＦＤ素子４２２と、ＴＦＤ素子４２２
を介してライン配線４２１に接続された第２電極４１２
ｂとが設けられている。複数の第２電極４１２ｂが図１
２においてドットマトリクス状に配列されることは既知
の通りである。On the inner surface of the second base material 408b, a line wiring 421, a TFD element 422 as a switching element extending from the line wiring 421, and a TFD element 422 are provided.
The second electrode 412 connected to the line wiring 421 via the
b and are provided. The plurality of second electrodes 412b are shown in FIG.
It is known that the dots are arranged in a dot matrix pattern in No. 2.
【０１１１】上記の各要素は、例えば次のようにして形
成される。すなわち、例えばＴａ（タンタル）をスパッ
タリング法によって一様に成膜した後、パターニングし
てライン配線４２１の第１層及びＴＦＤ素子２２の第１
金属膜を形成する。次に、陽極酸化処理を行ってライン
配線４２１の第１層の上に第２層を形成し、更にＴＦＤ
素子４２２の第１金属膜の上に絶縁膜を形成する。次
に、例えばクロム（Ｃｒ）をスパッタリング法によって
一様に成膜した後、パターニングしてライン配線４２１
の第２層の上に第３層を形成し、さらにＴＦＤ素子４２
２の絶縁膜の上にライン配線４２１から延びる第２金属
膜及び絶縁膜と第２電極４１２ｂとを接続する第２金属
膜を形成する。The above elements are formed, for example, as follows. That is, for example, Ta (tantalum) is uniformly deposited by a sputtering method and then patterned to form the first layer of the line wiring 421 and the first layer of the TFD element 22.
A metal film is formed. Next, an anodic oxidation treatment is performed to form a second layer on the first layer of the line wiring 421, and then the TFD is further formed.
An insulating film is formed on the first metal film of the element 422. Next, for example, chromium (Cr) is uniformly deposited by a sputtering method and then patterned to form the line wiring 421.
Forming a third layer on the second layer of the
A second metal film extending from the line wiring 421 and a second metal film connecting the insulating film and the second electrode 412b are formed on the second insulating film.
【０１１２】以上により、ＴＦＤ素子４２２は、ライン
配線４２１に近い側に第１ＴＦＤ要素及び第２電極４１
２ｂに近い側に第２ＴＦＤ要素を有することになる。そ
して、第１ＴＦＤ素子は、ライン配線４２１側から見
て、第２金属膜／絶縁膜／第１電極膜の層構造、すなわ
ちＭＩＭ（Metal-Insulator-Metal）構造を有する。ま
た、第２ＴＦＤ要素は、ライン配線４２１側からみて、
第１金属膜／絶縁膜／第２金属膜の層構造、すなわちＭ
ＩＭ構造を有する。As described above, the TFD element 422 has the first TFD element and the second electrode 41 on the side closer to the line wiring 421.
It will have a second TFD element on the side closer to 2b. The first TFD element has a layered structure of the second metal film / insulating film / first electrode film, that is, a MIM (Metal-Insulator-Metal) structure when viewed from the line wiring 421 side. The second TFD element is seen from the line wiring 421 side,
Layer structure of first metal film / insulating film / second metal film, that is, M
It has an IM structure.
【０１１３】このＴＦＤ構造は、２つのＴＦＤ要素を電
気的に逆向きに直列接続してなるバック・ツー・バック
（Back To Back）構造と呼ばれるものであり、これはＭ
ＩＭ素子のスイッチング特性を安定化させるために採用
される構造である。スイッチング特性に関してそれ程高
い安定性を必要としない場合には、バック・ツー・バッ
ク構造に代えて、１個のＴＦＤ要素だけからなるシング
ル構造のＴＦＤ素子を用いることもできる。This TFD structure is called a back-to-back structure in which two TFD elements are electrically connected in series in opposite directions.
This structure is used to stabilize the switching characteristics of the IM element. When not requiring so high stability in switching characteristics, a single structure TFD element including only one TFD element may be used instead of the back-to-back structure.
【０１１４】第２ＴＦＤ要素の第２金属膜に接続される
第２電極４１２ｂは、例えばＩＴＯを任意の成膜法、例
えばスパッタリング法によって一様に成膜した後、任意
のパターニング法、例えばフォトリソグラフィー法によ
ってパターニングされる。For the second electrode 412b connected to the second metal film of the second TFD element, for example, ITO is uniformly formed by an arbitrary film forming method, for example, a sputtering method, and then an arbitrary patterning method, for example, photolithography is performed. Patterned by the method.
【０１１５】反射型表示及び透過型表示のいずれの場合
でも、液晶Ｌを挟持する画素電極４１６とそれに対向す
る第２電極４１２ｂとの間にスイッチング素子４２２の
スイッチング動作に応じた電圧が印加され、これによ
り、液晶Ｌ内の液晶分子の配向が制御される。そして、
この配向制御により、液晶Ｌに供給された光が変調さ
れ、この変調光が偏光板４１９ｂに到達し、この偏光板
４１９ｂを通過する偏光と通過しない偏光とによって観
察側に像が表示される。このとき、カラーフィルタ４１
１のうち、Ｒ、Ｇ、Ｂのいずれを通った反射光を選択す
るかによって希望する色を表示できる。In both of the reflective display and the transmissive display, a voltage according to the switching operation of the switching element 422 is applied between the pixel electrode 416 sandwiching the liquid crystal L and the second electrode 412b facing it. Thereby, the alignment of the liquid crystal molecules in the liquid crystal L is controlled. And
By this orientation control, the light supplied to the liquid crystal L is modulated, the modulated light reaches the polarizing plate 419b, and an image is displayed on the observing side by the polarized light passing through the polarizing plate 419b and the polarized light not passing through the polarizing plate 419b. At this time, the color filter 41
A desired color can be displayed depending on which one of R, G, and B the reflected light passing through is selected.
【０１１６】図１６は、液晶装置の製造工程を示すフロ
ーチャート図である。第１基板４０３ａを形成する際に
は、カラーフィルタ４１１を形成し（ステップＳＰ
１）、その後、配向膜４１３ａを形成する（ステップＳ
Ｐ２）。次いで、配向膜４１３ａにラビング処理を行い
（ステップＳＰ３）、シール材４０４を設け（ステップ
ＳＰ４）、スペーサ分散を行う（ステップＳＰ５）。一
方、第２基板４０３ｂを形成する際には、素子形成を行
い（ステップＳＰ１１）、第２電極４１２ｂを形成する
（ステップＳＰ１２）。次いで、配向膜４１３ｂを形成
し（ステップＳＰ１３）、ラビング処理を行う（ステッ
プＳＰ１４）。形成された第１基板４０３ａ及び第２基
板４０３ｂが貼り合わせられ（ステップＳＰ２１）、１
次ブレイクし（ステップＳＰ２２）、液晶Ｌのセルギャ
ップへの封入がシール材４０４の適所に設けた液晶注入
用開口４０４ａを通して行われ、その開口４０４ａは液
晶注入後に樹脂等によって封止される（ステップＳＰ２
３）。次いで液晶Ｌの洗浄工程を行い（ステップＳＰ２
４）、２次ブレイクし（ステップＳＰ２５）、液晶駆動
用ＩＣを実装する（ステップＳＰ２６）。そして、偏光
板４１９ｂを貼付することにより液晶装置が製造され
る。FIG. 16 is a flow chart showing the manufacturing process of the liquid crystal device. When forming the first substrate 403a, the color filter 411 is formed (step SP
1) After that, the alignment film 413a is formed (step S).
P2). Then, the alignment film 413a is rubbed (step SP3), the sealing material 404 is provided (step SP4), and spacers are dispersed (step SP5). On the other hand, when forming the second substrate 403b, elements are formed (step SP11) and the second electrode 412b is formed (step SP12). Next, the alignment film 413b is formed (step SP13), and rubbing treatment is performed (step SP14). The formed first substrate 403a and second substrate 403b are attached (step SP21), 1
Next break (step SP22), the liquid crystal L is sealed in the cell gap through a liquid crystal injection opening 404a provided at an appropriate position of the sealing material 404, and the opening 404a is sealed with resin or the like after the liquid crystal injection (step). SP2
3). Then, a cleaning process of the liquid crystal L is performed (step SP2
4) A secondary break is made (step SP25), and a liquid crystal driving IC is mounted (step SP26). Then, the liquid crystal device is manufactured by attaching the polarizing plate 419b.
【０１１７】図１７は、上記カラーフィルタ形成工程
（ステップＳＰ１）の詳細を説明するための図である。
まず、ガラス（または基材）４３８ａ（４０８ａ）上に
バンク４１４を形成する（ステップＳＰ３１）。形成方
法は、スピンコート後に露光、現像する。バンク４１４
は画素電極形成用材料Ｍ６に対して撥液性を有すること
が好ましい。また、バンク４１４はブラックマトリクス
として機能することが好ましい。FIG. 17 is a diagram for explaining the details of the color filter forming step (step SP1).
First, the bank 414 is formed on the glass (or base material) 438a (408a) (step SP31). As a forming method, after spin coating, exposure and development are performed. Bank 414
Preferably has liquid repellency with respect to the pixel electrode forming material M6. Further, the bank 414 preferably functions as a black matrix.
【０１１８】画素電極形成用材料Ｍ６を液滴吐出ヘッド
４５２から塗布し、画素電極４１６を形成する（ステッ
プＳＰ３２）。この画素電極４１６は本発明のデバイス
製造装置を用いて製造することができる。このとき、画
素電極形成用材料Ｍ６は、金属材料、例えば、Ａｌ、Ａ
ｇ等によって形成されることが好ましく、これによっ
て、光反射膜としての機能を併せ持つことができる。こ
こで、画素電極４１６は平坦であることが好ましい。The pixel electrode forming material M6 is applied from the droplet discharge head 452 to form the pixel electrode 416 (step SP32). The pixel electrode 416 can be manufactured using the device manufacturing apparatus of the present invention. At this time, the pixel electrode forming material M6 is a metal material such as Al or A.
It is preferably formed of g or the like, and thus, it can also have a function as a light reflection film. Here, the pixel electrode 416 is preferably flat.
【０１１９】画素電極４１６上にカラーフィルタを形成
する（ステップＳＰ３３）。形成方法は任意であるが、
ここでは一例として液滴吐出法により形成される。液滴
吐出ノズル４５７より、カラーフィルタ形成用材料Ｍ７
を、所定の画素に塗布することによって、Ｒ、Ｇ、Ｂの
画素を形成することができる。配色は、ＲＧＢ系に限ら
ず、ＹＭＣ系であっても構わない。なお、Ｙはイエロ
ー、Ｍはマゼンタ、Ｃはシアンである。A color filter is formed on the pixel electrode 416 (step SP33). Although the forming method is arbitrary,
Here, as an example, it is formed by a droplet discharge method. From the droplet discharge nozzle 457, the color filter forming material M7 is formed.
Can be applied to predetermined pixels to form R, G, and B pixels. The color arrangement is not limited to the RGB system and may be the YMC system. Note that Y is yellow, M is magenta, and C is cyan.
【０１２０】次いで、保護膜４０９を形成する（ステッ
プＳＰ３４）。形成方法は任意であるが、ここでは一例
としてスピンコート法により形成される。スピンコータ
ーのノズル７０１より、保護膜形成用材料Ｍ８を塗布
し、基板４３８ａを高速回転する。これによって、均一
な保護膜４０９が形成される。Next, the protective film 409 is formed (step SP34). The forming method is arbitrary, but here, as an example, it is formed by a spin coating method. The protective film forming material M8 is applied from the nozzle 701 of the spin coater, and the substrate 438a is rotated at high speed. As a result, a uniform protective film 409 is formed.
【０１２１】上記有機ＥＬ装置又は液晶装置を備えた電
子機器の例について説明する。図１８は、携帯電話の一
例を示した斜視図である。図１８において、符号１００
０は携帯電話本体を示し、符号１００１は上記の有機Ｅ
Ｌ装置あるいは液晶装置を用いた表示部を示している。Examples of electronic equipment provided with the above organic EL device or liquid crystal device will be described. FIG. 18 is a perspective view showing an example of a mobile phone. In FIG. 18, reference numeral 100
Reference numeral 100 denotes the mobile phone main body, and reference numeral 1001 denotes the organic E
A display unit using an L device or a liquid crystal device is shown.
【０１２２】図１９は、腕時計型電子機器の一例を示し
た斜視図である。図１９において、符号１１００は時計
本体を示し、符号１１０１は上記の有機ＥＬ装置あるい
は液晶装置を用いた表示部を示している。FIG. 19 is a perspective view showing an example of a wrist watch type electronic device. In FIG. 19, reference numeral 1100 indicates a timepiece main body, and reference numeral 1101 indicates a display unit using the above organic EL device or liquid crystal device.
【０１２３】図２０は、ワープロ、パソコンなどの携帯
型情報処理装置の一例を示した斜視図である。図２０に
おいて、符号１２００は情報処理装置、符号１２０２は
キーボードなどの入力部、符号１２０４は情報処理装置
本体、符号１２０６は上記の有機ＥＬ装置あるいは液晶
装置を用いた表示部を示している。FIG. 20 is a perspective view showing an example of a portable information processing device such as a word processor and a personal computer. 20, reference numeral 1200 is an information processing apparatus, reference numeral 1202 is an input unit such as a keyboard, reference numeral 1204 is an information processing apparatus main body, and reference numeral 1206 is a display unit using the organic EL device or the liquid crystal device.
【図１】本発明のデバイス製造装置の一例を示す概略斜
視図である。FIG. 1 is a schematic perspective view showing an example of a device manufacturing apparatus of the present invention.
【図２】液滴吐出ヘッドの分解斜視図である。FIG. 2 is an exploded perspective view of a droplet discharge head.
【図３】液滴吐出ヘッドの主要部の斜視図一部断面図で
ある。FIG. 3 is a partial cross-sectional view of a perspective view of a main part of the droplet discharge head.
【図４】本発明のデバイス製造装置のステージを示す図
であって、（ａ）は平面図、（ｂ）は側面図である。FIG. 4 is a diagram showing a stage of the device manufacturing apparatus of the present invention, in which (a) is a plan view and (b) is a side view.
【図５】本発明のデバイス製造方法によって製造された
デバイスの一例を示す平面図である。FIG. 5 is a plan view showing an example of a device manufactured by the device manufacturing method of the present invention.
【図６】ステージの移動動作を説明するための図であ
る。FIG. 6 is a diagram for explaining a movement operation of a stage.
【図７】本発明のデバイス製造装置のステージの他の例
を示す図であって、（ａ）は平面図、（ｂ）は側面図で
ある。FIG. 7 is a diagram showing another example of the stage of the device manufacturing apparatus of the present invention, (a) is a plan view and (b) is a side view.
【図８】本発明のデバイス製造方法の他の実施形態を説
明するための基板の平面図である。FIG. 8 is a plan view of a substrate for explaining another embodiment of the device manufacturing method of the present invention.
【図９】基板上の予備吐出領域を示す平面図である。FIG. 9 is a plan view showing a preliminary ejection area on a substrate.
【図１０】基板上の予備吐出領域の他の例を示す平面図
である。FIG. 10 is a plan view showing another example of the preliminary discharge area on the substrate.
【図１１】有機ＥＬ表示デバイスを示す概略断面図であ
る。FIG. 11 is a schematic cross-sectional view showing an organic EL display device.
【図１２】液晶装置の分解斜視図である。FIG. 12 is an exploded perspective view of a liquid crystal device.
【図１３】液晶装置の要部断面図である。FIG. 13 is a cross-sectional view of a main part of a liquid crystal device.
【図１４】画素の配置例を示す図である。FIG. 14 is a diagram illustrating an arrangement example of pixels.
【図１５】液晶装置の要部断面図である。FIG. 15 is a cross-sectional view of a main part of a liquid crystal device.
【図１６】液晶装置の製造工程を示すフローチャート図
である。FIG. 16 is a flowchart showing a manufacturing process of a liquid crystal device.
【図１７】カラーフィルタの製造工程を示す図である。FIG. 17 is a diagram showing a manufacturing process of a color filter.
【図１８】電子機器の一例を示す図である。FIG. 18 is a diagram illustrating an example of an electronic device.
【図１９】電子機器の一例を示す図である。FIG. 19 illustrates an example of an electronic device.
【図２０】電子機器の一例を示す図である。FIG. 20 is a diagram illustrating an example of an electronic device.
１４ 第１移動装置 １６ 第２移動装置 ２０ 液滴吐出ヘッド（吐出ヘッド、吐出手段） ５２ 予備吐出領域 １００ 予備吐出領域 ＡＲ パターン形成領域 ＣＯＮＴ 制御装置 ＩＪ デバイス製造装置 Ｐ 基板 ＰＡ 配線パターン ＳＴ ステージ 14 First moving device 16 Second moving device 20 Droplet ejection head (ejection head, ejection means) 52 preliminary discharge area 100 preliminary discharge area AR pattern formation area CONT control device IJ device manufacturing equipment P substrate PA wiring pattern ST stage
フロントページの続き (72)発明者 長谷井 宏宣 長野県諏訪市大和３丁目３番５号 セイコ ーエプソン株式会社内 (72)発明者 橋本 貴志 長野県諏訪市大和３丁目３番５号 セイコ ーエプソン株式会社内 Ｆターム(参考） 2C056 EA14 EC24 EC54 JA03 JC23 2H092 GA11 HA05 JA03 JB07 MA01 MA10 MA12 MA35 NA27 NA29 PA08 PA09 3K007 AB18 DB03 FA01 5E343 AA22 DD12 GG11 Continued front page (72) Inventor Hironobu Hasei Seiko, 3-3-3 Yamato, Suwa City, Nagano Prefecture -In Epson Corporation (72) Inventor Takashi Hashimoto Seiko, 3-3-3 Yamato, Suwa City, Nagano Prefecture -In Epson Corporation F-term (reference) 2C056 EA14 EC24 EC54 JA03 JC23 2H092 GA11 HA05 JA03 JB07 MA01 MA10 MA12 MA35 NA27 NA29 PA08 PA09 3K007 AB18 DB03 FA01 5E343 AA22 DD12 GG11
Claims (15)
ン形成領域に対して導電性材料を含む流動体を吐出する
ヘッド部を有する吐出手段を用いることにより前記パタ
ーン形成領域に所定のパターンを形成する工程を有する
デバイス製造方法において、 前記ステージのうち前記基板を支持する以外の部分に予
め設けられている予備吐出領域に前記流動体を吐出して
から、前記パターン形成領域に前記流動体を吐出するこ
とを特徴とするデバイス製造方法。1. A predetermined pattern is formed in a pattern formation region of a substrate supported by a stage by using a discharge unit having a head unit for discharging a fluid containing a conductive material. In a device manufacturing method having a step, the fluid is ejected to a preliminary ejection area provided in advance in a portion of the stage other than supporting the substrate, and then the fluid is ejected to the pattern formation area. A device manufacturing method characterized by the above.
間、整定区間、定常区間、減速区間の順に相対移動し、
前記予備吐出領域に対する吐出動作を前記加速区間に設
定し、前記パターン形成領域に対する吐出動作を前記定
常区間に設定することを特徴とする請求項１記載のデバ
イス製造方法。2. The discharge means is moved relative to the substrate in the order of an acceleration section, a settling section, a steady section, and a deceleration section,
2. The device manufacturing method according to claim 1, wherein the ejection operation for the preliminary ejection area is set in the acceleration section, and the ejection operation for the pattern formation area is set in the steady section.
点を前記整定区間に設定することを特徴とする請求項２
記載のデバイス製造方法。3. The discharge operation end point for the preliminary discharge area is set in the settling section.
The device manufacturing method described.
材料を含む流動体を吐出するヘッド部を有する吐出手段
を用いることにより前記パターン形成領域に所定のパタ
ーンを形成する工程を有するデバイス製造方法におい
て、 前記基板のうち前記パターン形成領域以外に予め設けら
れている予備吐出領域に前記流動体を吐出してから、前
記パターン形成領域に前記流動体を吐出することを特徴
とするデバイス製造方法。4. A device manufacturing method including a step of forming a predetermined pattern in the pattern forming area by using an ejecting means having a head part for ejecting a fluid containing a conductive material onto a pattern forming area of a substrate. 3. The device manufacturing method according to claim 1, wherein the fluid is ejected to a preliminary ejection area provided in advance on the substrate other than the pattern formation area, and then the fluid is ejected to the pattern formation area.
る前に、前記予備吐出領域に対して、該予備吐出領域に
対する前記流動体の親和性を制御する表面処理を行うこ
とを特徴とする請求項４記載のデバイス製造方法。5. The surface treatment for controlling the affinity of the fluid for the preliminary discharge area is performed on the preliminary discharge area before the discharge operation for the preliminary discharge area. 4. The device manufacturing method according to 4.
ることを特徴とする請求項１〜５のいずれか一項記載の
デバイス製造方法。6. The device manufacturing method according to claim 1, wherein the discharging unit has a droplet discharging head.
いた配線形状であることを特徴とする請求項１〜６のい
ずれか一項記載のデバイス製造方法。7. The device manufacturing method according to claim 1, wherein the predetermined pattern has a wiring shape using straight lines and curved lines.
これにより画素電極が形成されることを特徴とする請求
項１〜６のいずれか一項記載のデバイス製造方法。8. The predetermined pattern is a pixel shape,
7. The device manufacturing method according to claim 1, wherein the pixel electrode is formed by this.
るステージと、 前記基板に対して導電性材料を含む流動体を吐出可能な
ヘッド部を有する吐出手段とを備えるデバイス製造装置
において、 前記ステージのうち前記基板を支持する以外の部分に設
けられた予備吐出領域と、 前記パターン形成領域に対して前記流動体を吐出する前
に、前記予備吐出領域に前記流動体を吐出するように前
記吐出手段の吐出動作を制御する制御装置とを備えるこ
とを特徴とするデバイス製造装置。9. A device manufacturing apparatus comprising: a stage that supports a substrate having a pattern formation region; and an ejection unit that has a head portion that can eject a fluid containing a conductive material onto the substrate. A pre-ejection region provided in a portion other than that supporting the substrate, and the ejection unit for ejecting the fluid to the pre-ejection region before ejecting the fluid to the pattern formation region. And a controller for controlling the ejection operation of the device manufacturing apparatus.
ーン形成領域に所定のパターンを形成するように前記吐
出手段の吐出動作を制御することを特徴とする請求項９
記載のデバイス製造装置。10. The control device controls the ejection operation of the ejection unit so as to form a predetermined pattern in the pattern formation region of the substrate.
The device manufacturing apparatus described.
加速区間、整定区間、定常区間、減速区間の順に相対移
動する移動装置を備え、 前記制御装置は、前記予備吐出領域に対する吐出動作を
前記加速区間で行い、前記パターン形成領域に対する吐
出動作を前記定常区間で行うように前記吐出手段の吐出
動作を制御することを特徴とする請求項１０記載のデバ
イス製造装置。11. A moving device that relatively moves the discharge means relative to the stage in the order of an acceleration section, a settling section, a steady section, and a deceleration section, wherein the control device accelerates the discharge operation to the preliminary discharge area. 11. The device manufacturing apparatus according to claim 10, wherein the discharging operation of the discharging unit is controlled so that the discharging operation is performed in a section and the discharging operation for the pattern formation region is performed in the steady section.
対する吐出動作を前記整定区間で終了するように前記吐
出手段の吐出動作を制御することを特徴とする請求項１
１記載のデバイス製造装置。12. The control device controls the discharge operation of the discharge means so that the discharge operation for the preliminary discharge region is ended in the settling section.
1. The device manufacturing apparatus according to 1.
て導電性材料を含む流動体を吐出可能なヘッド部を有す
る吐出手段を備えるデバイス製造装置において、 前記パターン形成領域に対して前記流動体を吐出する前
に、前記基板のうち前記パターン形成領域以外に予め設
けられている予備吐出領域に前記流動体を吐出するよう
に前記吐出手段の吐出動作を制御する制御装置を備える
ことを特徴とするデバイス製造装置。13. A device manufacturing apparatus comprising an ejection means having a head portion capable of ejecting a fluid containing a conductive material onto a substrate having a pattern formation region, wherein the fluid is ejected onto the pattern formation region. Prior to the above, a device comprising a control device for controlling the discharge operation of the discharge means so as to discharge the fluid to a preliminary discharge area provided in advance in the substrate other than the pattern formation area. Manufacturing equipment.
ることを特徴とする請求項９〜１３のいずれか一項記載
のデバイス製造装置。14. The device manufacturing apparatus according to claim 9, wherein the ejection unit has a droplet ejection head.
れた所定のパターンとを有するデバイスにおいて、 前記基板のうち前記所定領域以外の部分に、前記所定の
パターンと同じ材料からなる予備吐出パターンが前記所
定領域に対して第１の方向に所定距離離間して形成され
ており、前記予備吐出パターンのうち前記第１の方向と
略直交する第２の方向における幅は、前記所定領域の前
記第２の方向における幅と同じかもしくはそれより大き
く設定されていることを特徴とするデバイス。15. A device having a substrate and a predetermined pattern formed in a predetermined region of the substrate, wherein a preliminary ejection pattern made of the same material as the predetermined pattern is provided on a portion of the substrate other than the predetermined region. Are formed so as to be separated from the predetermined region by a predetermined distance in the first direction, and the width of the preliminary ejection pattern in the second direction substantially orthogonal to the first direction is equal to the predetermined region. A device having a width equal to or larger than the width in the second direction.
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Cited By (7)
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|---|---|---|---|---|
| JP2006113127A (en) * | 2004-10-12 | 2006-04-27 | Sharp Corp | Correcting device |
| JP2007024925A (en) * | 2005-07-12 | 2007-02-01 | Casio Comput Co Ltd | Display panel, method of manufacturing display panel and manufacture equipment of display panel |
| KR100703159B1 (en) * | 2005-12-29 | 2007-04-06 | 삼성전자주식회사 | Appartus and method for ink-jetting |
| US7280933B2 (en) | 2004-01-15 | 2007-10-09 | Seiko Epson Corporation | Method and apparatus for forming a pattern, device and electronic apparatus |
| JP2012187499A (en) * | 2011-03-10 | 2012-10-04 | Seiko Epson Corp | Method of measuring discharge quantity of low molecular weight ink |
| JP2013077502A (en) * | 2011-09-30 | 2013-04-25 | Toppan Printing Co Ltd | Application device, application method, and method of manufacturing organic functional element |
| JP2020040364A (en) * | 2018-09-13 | 2020-03-19 | セイコーエプソン株式会社 | Liquid jetting device and maintenance method of liquid jetting device |
-
2002
- 2002-03-26 JP JP2002087107A patent/JP2003283104A/en active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7280933B2 (en) | 2004-01-15 | 2007-10-09 | Seiko Epson Corporation | Method and apparatus for forming a pattern, device and electronic apparatus |
| JP2006113127A (en) * | 2004-10-12 | 2006-04-27 | Sharp Corp | Correcting device |
| JP2007024925A (en) * | 2005-07-12 | 2007-02-01 | Casio Comput Co Ltd | Display panel, method of manufacturing display panel and manufacture equipment of display panel |
| KR100703159B1 (en) * | 2005-12-29 | 2007-04-06 | 삼성전자주식회사 | Appartus and method for ink-jetting |
| JP2012187499A (en) * | 2011-03-10 | 2012-10-04 | Seiko Epson Corp | Method of measuring discharge quantity of low molecular weight ink |
| JP2013077502A (en) * | 2011-09-30 | 2013-04-25 | Toppan Printing Co Ltd | Application device, application method, and method of manufacturing organic functional element |
| JP2020040364A (en) * | 2018-09-13 | 2020-03-19 | セイコーエプソン株式会社 | Liquid jetting device and maintenance method of liquid jetting device |
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