JP2003283025A - 二波長レーザー装置 - Google Patents
二波長レーザー装置Info
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- JP2003283025A JP2003283025A JP2002083774A JP2002083774A JP2003283025A JP 2003283025 A JP2003283025 A JP 2003283025A JP 2002083774 A JP2002083774 A JP 2002083774A JP 2002083774 A JP2002083774 A JP 2002083774A JP 2003283025 A JP2003283025 A JP 2003283025A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 一つの固体結晶から二波長のレーザー光を同
時に得ることのできる、小型で信頼性があり低価格で効
率の良い二波長レーザー装置を提供する。 【解決手段】 レーザー媒質の固体結晶と、レーザー媒
質を励起させてレーザー光を発生させる励起用の半導体
レーザー発振器６、集光レンズ５、及び１／２波長板８
と、レーザー媒質から発生した光を共振させる反射鏡１
及びレーザー出力鏡４とＱスイッチ３とを備えたレーザ
ー装置において、レーザー媒質の固体結晶にラマン結晶
であるＰｂＷＯ4 単結晶２を使用し、Ｑスイッチ３にＡ
ＯＱスイッチを使用して、一つの固体結晶で同時に二波
長のレーザー発振を行う。
時に得ることのできる、小型で信頼性があり低価格で効
率の良い二波長レーザー装置を提供する。 【解決手段】 レーザー媒質の固体結晶と、レーザー媒
質を励起させてレーザー光を発生させる励起用の半導体
レーザー発振器６、集光レンズ５、及び１／２波長板８
と、レーザー媒質から発生した光を共振させる反射鏡１
及びレーザー出力鏡４とＱスイッチ３とを備えたレーザ
ー装置において、レーザー媒質の固体結晶にラマン結晶
であるＰｂＷＯ4 単結晶２を使用し、Ｑスイッチ３にＡ
ＯＱスイッチを使用して、一つの固体結晶で同時に二波
長のレーザー発振を行う。
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、レーザー発振と同
時にラマン変換の結果生じるストークス光ならびに反ス
トークス光を発振する二波長レーザー装置に関するもの
である。 【０００２】 【従来の技術】蛍光顕微鏡では、二波長のレーザー光を
利用し色素発光の非線型性を利用して、見かけの空間分
離性を向上させる試みが行われている。従来、二波長の
レーザー光を同時に得るためには、二種類のレーザー装
置が必要であった。しかし、二種類のレーザー装置を使
用すると、蛍光顕微鏡は装置全体が大きくなり、コスト
も増加することになる。 【０００３】一般のレーザー装置で二波長のレーザー光
を得るために、波長可変レーザー装置も実用化されてい
るが、このレーザー装置は、波長変更のための回折格子
や複屈折板を機械的に動かすため、装置が複雑で大きく
なる。また、波長可変レーザー装置を使用しても一台の
装置で同時に二波長のレーザー発振を得ることはできな
い。 【０００４】一方、ラマン結晶を使用し二波長を得られ
るレーザー装置も検討されている。しかし、このレーザ
ー装置は、レーザー発振させる結晶（例えばＮｄ：ＹＡ
Ｇ）から発振したレーザー光を二つに分け、一つはその
まま、他の一つはラマン結晶を通しラマンシフト分だけ
ずれた発振を得るという方法なので、レーザー光を分け
る装置や、分けた光をラマン結晶に導くための光学系
や、ラマン結晶等が余分に必要になり、装置が複雑化し
大きくならざるを得ない。 【０００５】 【発明が解決しようとする課題】上記の通り、一つの固
体結晶で、二波長のレーザー光が同時に得られるレーザ
ー装置は実用化されていなかった。この問題を解決する
ためにＰｂＷＯ4 結晶にＮｄをドープし、これをレーザ
ー媒質の固体結晶として使用する二波長レーザー装置
（特願２００１−５１５７５）が開発された。 【０００６】しかし、この二波長レーザー装置では、出
力増幅手段としてＣｒ：ＹＡＧ等通常のＱスイッチを用
いていたため発振効率が悪く高出力を要する分野では能
力が不足する場合があった。本発明は、レーザー装置に
おける上記問題を解決するものであって、一つの固体結
晶から二波長のレーザー光を同時に得ることのできる、
小型で信頼性があり安価で効率の良い二波長レーザー装
置を提供することを目的とする。 【０００７】 【課題を解決するための手段】本発明の二波長レーザー
装置は、レーザー媒質の固体結晶にラマン結晶であるＰ
ｂＷＯ4 単結晶を使用し、レーザー媒質を励起させてレ
ーザー光を発生させる励起用の光源手段と、レーザー媒
質から発生した光を共振させる光共振手段とを備え、同
時に二波長のレーザー発振を行う二波長レーザー装置に
おいて、出力増幅手段としてＡＯＱスイッチを使用する
ことにより上記課題を解決している。 【０００８】この二波長レーザー装置では、レーザー媒
質の固体結晶にラマン結晶であるＰｂＷＯ4 単結晶を使
用し、レーザー活性物質としてＮｄ，Ｙｂ，Ｅｒ，Ｐ
ｒ，Ｅｕ，Ｔｂ，Ｓｍ等を固体結晶に含有させること
で、固体結晶から発振したレーザー光と、ラマンシフト
量が約９００ｃｍ-1のラマン変換されたストークス光並
びに反ストークス光を同時に発振し、出力増幅手段とし
てＡＯＱスイッチを使用することで、パルス幅の狭い尖
頭値の大きいパルスレーザー光を得る。 【０００９】レーザー活性物質にＮｄを使用した場合
は、１０５８ｎｍ（９４５１．８ｃｍ -1）と、９００ｃ
ｍ-1ずれた１１７０ｎｍ（８５４７．０ｃｍ-1）とにそ
れぞれピークを持った発光が認められ、同時に二波長の
レーザー発振光が生じる。固体結晶中のレーザー活性物
質は、一般的には含有量の多い方が効率が上がるので望
ましい。しかし、ＰｂＷＯ4 単結晶ではレーザー活性物
質濃度が１０モル％を越えると切断や研磨等の加工がで
きなくなる。また、ＰｂＷＯ4 中のレーザー活性物質濃
度が１８モル％を越えると単結晶ができなくなる。従っ
て、ＰｂＷＯ4 中のレーザー活性物質濃度は１０モル％
以下とすることが必要であり、５モル％以下にすること
が好ましい。 【００１０】一方、ＰｂＷＯ4 単結晶中のレーザー活性
物質濃度が０．０１モル％以下になると、レーザー発振
が生じなくなるので、レーザー活性物質濃度が０．０１
モル％以上とすることが必要であり、０．０５モル％以
上とすることがより好ましい。蛍光顕微鏡に使用する場
合は、５００ｎｍから６００ｎｍ付近の波長のレーザー
光が望ましい。レーザー活性物質としてＮｄを使用した
場合は、ＰｂＷＯ4 単結晶から生じたレーザー発振及び
ラマンシフトした光をＬＮ等のＳＨＧ素子や高調波発生
装置に通すことで、２倍高調波が得られるので、５２９
ｎｍと５８５ｎｍの光を同時に得ることができる。 【００１１】さらに短波長の光を得たいときは、ＳＨＧ
素子や高調波発生装置からの３倍高調波や４倍高調波等
を利用すればよい。従って、二波長のレーザー光を同時
に得る場合でも、レーザー発振装置以外の余分な設備は
不要になり、レーザー装置の小型化、低価格化が実現で
きる。 【００１２】 【発明の実施の形態】図１は本発明の実施の一形態を示
す二波長レーザー装置の構成図、図２は二波長レーザー
装置の出力レーザー光のスペクトルを示す図である。こ
のレーザー装置には、レーザー媒質の固体結晶としてラ
マン結晶であるＰｂＷＯ4 単結晶２が使用されている。
また、レーザー媒質を励起させてレーザー光７を発生さ
せる励起用の光源手段として半導体レーザー発振器６、
集光レンズ５及び光の偏光方向を整える１／２波長板
８、レーザー媒質から発生した光を共振させる光共振手
段として反射鏡１及びレーザー出力鏡４を備えている。
更に、レーザー光７の光軸上にはＱスイッチ３が設けら
れている。 【００１３】ＰｂＷＯ4 単結晶２にはレーザー活性物質
としてＮｄが含有されている。半導体レーザー発振器６
は、２０Ｈｚのパルス発振型半導体レーザー発振器であ
り、Ｎｄの吸収波長である８０２ｎｍの半導体レーザー
光（励起光）を発振する。集光レンズ５は、この励起光
を集光してＰｂＷＯ4 単結晶２にその光軸と９０度の方
向から入射させる。 【００１４】ＰｂＷＯ4 単結晶２の励起光が入射する面
２Ｂには８０２ｎｍの励起光に対する反射防止コートが
施してあり、それと対向する面２Ａには８０２ｎｍの励
起光に対する鏡面コートが施してある。この鏡面コート
は８０２ｎｍの励起光を反射させ、ＰｂＷＯ4 単結晶２
の経路を増やし有効に利用するためのものである。ま
た、ＰｂＷＯ4 単結晶２の光軸面２Ｃには、レーザー活
性物質Ｎｄの発振波長１．０６μｍに対する反射防止コ
ートが施されている。 【００１５】なお、ＰｂＷＯ4 単結晶２に含有されるレ
ーザー活性物質がＮｄと異なる場合には、ＰｂＷＯ4 単
結晶２の励起光が入射する面２Ｂには、そのレーザー活
性物質の吸収波長に対する反射防止コート、それと対向
する面２Ａにはそのレーザー活性物質の吸収波長に対す
る鏡面コートを施す必要がある。更に、ＰｂＷＯ4 単結
晶２の光軸面２Ｃには、そのレーザー活性物質の発振波
長に対する反射防止コートを施す必要がある。 【００１６】また、ＰｂＷＯ4 単結晶２への励起光の入
射方向は、光軸と９０度の方向でなくても良いが、９０
度の方向より大きくずれると入射面での反射が多くなり
入射エネルギーのロスが多くなるので不利である。従っ
て、励起光の入射方向は光軸と９０度±４５度以内にす
ることが望ましい。勿論、固体レーザー結晶を励起させ
る一般的な方法である光軸方向からの入射でも差し支え
ない。 【００１７】Ｑスイッチ３にはＡＯＱスイッチを使用し
ている。ＴｅＯ2 結晶を使用し、電源周波数１０ｋＨｚ
で使用した。パルスジェネレーターにより、励起用半導
体レーザーと同期をかけ励起用半導体レーザーと同じ１
００Ｈｚの周波数でＱスイッチ３をかけた。図１の二波
長レーザー装置でＰｂＷＯ4 単結晶２に、１モル％のＮ
ｄを含有するＰｂＷＯ4 単結晶（３×３×２０ｍｍ）を
使用し、８０２ｎｍの波長で１００Ｈｚのパルス発振型
半導体レーザー光を励起光として照射したところ、図２
に示すように、レーザー出力鏡４から１０５８ｎｍと１
１７０ｎｍの波長のレーザー光７の同時発生が確認され
た。 【００１８】表１に示すように、ＡＯＱスイッチを使用
方が発振効率が向上することが確認できた。 【００１９】 【表１】 励起光：９ｍＪ 波長：８０２ｎｍ 周波数：１００Ｈ
ｚ パルス幅：２００μｓ 【００２０】また、８０２ｎｍの波長で連続発振の励起
光を使用した場合でも、同様の結果が得られた。発振し
たレーザー光７を解析の結果、１０５８ｎｍの発振はＮ
ｄによるレーザー発振光、１１７０ｎｍの発振は１０５
８ｎｍの光が結晶内部でラマン散乱（ラマンシフト約９
００ｃｍ-1）し、発振したもの（ラマンレーザー）であ
ることが判明した。 【００２１】また、それぞれの光を高調波素子に通す
と、波長が半分の光を取り出せることも確認された。更
に、レーザー活性物質にＹｂ，Ｅｕ，Ｐｒ，Ｔｂ，Ｅ
ｒ，Ｓｍを使用しても、それぞれレーザー活性物質に応
じた発光とラマン散乱されたストークス光並びに反スト
ークス光の発光が同時に観測された。 【００２２】 【発明の効果】本発明の二波長レーザー装置によれば、
一つの固体結晶から二波長のレーザー光を同時に得るこ
とができ、装置の小型化、低価格化が実現できる。レー
ザー活性物質としてＮｄ，Ｙｂ，Ｅｒ，Ｐｒ，Ｅｕ，Ｔ
ｂ，Ｓｍ等を、固体結晶に含有させることで、固体結晶
から発振したレーザー光と、ラマンシフト量が約９００
ｃｍ-1のラマン変換されたストークス光並びに反ストー
クス光を同時に発光させることができる。励起用の光源
手段に半導体レーザーを使用すると、全固体で部品が少
なく小型で信頼性の高い二波長レーザー装置が実現で
き、ＱスイッチにＡＯＱスイッチを用いているのでパル
ス幅の狭い尖頭値の大きいパルスレーザ光が得られる。
時にラマン変換の結果生じるストークス光ならびに反ス
トークス光を発振する二波長レーザー装置に関するもの
である。 【０００２】 【従来の技術】蛍光顕微鏡では、二波長のレーザー光を
利用し色素発光の非線型性を利用して、見かけの空間分
離性を向上させる試みが行われている。従来、二波長の
レーザー光を同時に得るためには、二種類のレーザー装
置が必要であった。しかし、二種類のレーザー装置を使
用すると、蛍光顕微鏡は装置全体が大きくなり、コスト
も増加することになる。 【０００３】一般のレーザー装置で二波長のレーザー光
を得るために、波長可変レーザー装置も実用化されてい
るが、このレーザー装置は、波長変更のための回折格子
や複屈折板を機械的に動かすため、装置が複雑で大きく
なる。また、波長可変レーザー装置を使用しても一台の
装置で同時に二波長のレーザー発振を得ることはできな
い。 【０００４】一方、ラマン結晶を使用し二波長を得られ
るレーザー装置も検討されている。しかし、このレーザ
ー装置は、レーザー発振させる結晶（例えばＮｄ：ＹＡ
Ｇ）から発振したレーザー光を二つに分け、一つはその
まま、他の一つはラマン結晶を通しラマンシフト分だけ
ずれた発振を得るという方法なので、レーザー光を分け
る装置や、分けた光をラマン結晶に導くための光学系
や、ラマン結晶等が余分に必要になり、装置が複雑化し
大きくならざるを得ない。 【０００５】 【発明が解決しようとする課題】上記の通り、一つの固
体結晶で、二波長のレーザー光が同時に得られるレーザ
ー装置は実用化されていなかった。この問題を解決する
ためにＰｂＷＯ4 結晶にＮｄをドープし、これをレーザ
ー媒質の固体結晶として使用する二波長レーザー装置
（特願２００１−５１５７５）が開発された。 【０００６】しかし、この二波長レーザー装置では、出
力増幅手段としてＣｒ：ＹＡＧ等通常のＱスイッチを用
いていたため発振効率が悪く高出力を要する分野では能
力が不足する場合があった。本発明は、レーザー装置に
おける上記問題を解決するものであって、一つの固体結
晶から二波長のレーザー光を同時に得ることのできる、
小型で信頼性があり安価で効率の良い二波長レーザー装
置を提供することを目的とする。 【０００７】 【課題を解決するための手段】本発明の二波長レーザー
装置は、レーザー媒質の固体結晶にラマン結晶であるＰ
ｂＷＯ4 単結晶を使用し、レーザー媒質を励起させてレ
ーザー光を発生させる励起用の光源手段と、レーザー媒
質から発生した光を共振させる光共振手段とを備え、同
時に二波長のレーザー発振を行う二波長レーザー装置に
おいて、出力増幅手段としてＡＯＱスイッチを使用する
ことにより上記課題を解決している。 【０００８】この二波長レーザー装置では、レーザー媒
質の固体結晶にラマン結晶であるＰｂＷＯ4 単結晶を使
用し、レーザー活性物質としてＮｄ，Ｙｂ，Ｅｒ，Ｐ
ｒ，Ｅｕ，Ｔｂ，Ｓｍ等を固体結晶に含有させること
で、固体結晶から発振したレーザー光と、ラマンシフト
量が約９００ｃｍ-1のラマン変換されたストークス光並
びに反ストークス光を同時に発振し、出力増幅手段とし
てＡＯＱスイッチを使用することで、パルス幅の狭い尖
頭値の大きいパルスレーザー光を得る。 【０００９】レーザー活性物質にＮｄを使用した場合
は、１０５８ｎｍ（９４５１．８ｃｍ -1）と、９００ｃ
ｍ-1ずれた１１７０ｎｍ（８５４７．０ｃｍ-1）とにそ
れぞれピークを持った発光が認められ、同時に二波長の
レーザー発振光が生じる。固体結晶中のレーザー活性物
質は、一般的には含有量の多い方が効率が上がるので望
ましい。しかし、ＰｂＷＯ4 単結晶ではレーザー活性物
質濃度が１０モル％を越えると切断や研磨等の加工がで
きなくなる。また、ＰｂＷＯ4 中のレーザー活性物質濃
度が１８モル％を越えると単結晶ができなくなる。従っ
て、ＰｂＷＯ4 中のレーザー活性物質濃度は１０モル％
以下とすることが必要であり、５モル％以下にすること
が好ましい。 【００１０】一方、ＰｂＷＯ4 単結晶中のレーザー活性
物質濃度が０．０１モル％以下になると、レーザー発振
が生じなくなるので、レーザー活性物質濃度が０．０１
モル％以上とすることが必要であり、０．０５モル％以
上とすることがより好ましい。蛍光顕微鏡に使用する場
合は、５００ｎｍから６００ｎｍ付近の波長のレーザー
光が望ましい。レーザー活性物質としてＮｄを使用した
場合は、ＰｂＷＯ4 単結晶から生じたレーザー発振及び
ラマンシフトした光をＬＮ等のＳＨＧ素子や高調波発生
装置に通すことで、２倍高調波が得られるので、５２９
ｎｍと５８５ｎｍの光を同時に得ることができる。 【００１１】さらに短波長の光を得たいときは、ＳＨＧ
素子や高調波発生装置からの３倍高調波や４倍高調波等
を利用すればよい。従って、二波長のレーザー光を同時
に得る場合でも、レーザー発振装置以外の余分な設備は
不要になり、レーザー装置の小型化、低価格化が実現で
きる。 【００１２】 【発明の実施の形態】図１は本発明の実施の一形態を示
す二波長レーザー装置の構成図、図２は二波長レーザー
装置の出力レーザー光のスペクトルを示す図である。こ
のレーザー装置には、レーザー媒質の固体結晶としてラ
マン結晶であるＰｂＷＯ4 単結晶２が使用されている。
また、レーザー媒質を励起させてレーザー光７を発生さ
せる励起用の光源手段として半導体レーザー発振器６、
集光レンズ５及び光の偏光方向を整える１／２波長板
８、レーザー媒質から発生した光を共振させる光共振手
段として反射鏡１及びレーザー出力鏡４を備えている。
更に、レーザー光７の光軸上にはＱスイッチ３が設けら
れている。 【００１３】ＰｂＷＯ4 単結晶２にはレーザー活性物質
としてＮｄが含有されている。半導体レーザー発振器６
は、２０Ｈｚのパルス発振型半導体レーザー発振器であ
り、Ｎｄの吸収波長である８０２ｎｍの半導体レーザー
光（励起光）を発振する。集光レンズ５は、この励起光
を集光してＰｂＷＯ4 単結晶２にその光軸と９０度の方
向から入射させる。 【００１４】ＰｂＷＯ4 単結晶２の励起光が入射する面
２Ｂには８０２ｎｍの励起光に対する反射防止コートが
施してあり、それと対向する面２Ａには８０２ｎｍの励
起光に対する鏡面コートが施してある。この鏡面コート
は８０２ｎｍの励起光を反射させ、ＰｂＷＯ4 単結晶２
の経路を増やし有効に利用するためのものである。ま
た、ＰｂＷＯ4 単結晶２の光軸面２Ｃには、レーザー活
性物質Ｎｄの発振波長１．０６μｍに対する反射防止コ
ートが施されている。 【００１５】なお、ＰｂＷＯ4 単結晶２に含有されるレ
ーザー活性物質がＮｄと異なる場合には、ＰｂＷＯ4 単
結晶２の励起光が入射する面２Ｂには、そのレーザー活
性物質の吸収波長に対する反射防止コート、それと対向
する面２Ａにはそのレーザー活性物質の吸収波長に対す
る鏡面コートを施す必要がある。更に、ＰｂＷＯ4 単結
晶２の光軸面２Ｃには、そのレーザー活性物質の発振波
長に対する反射防止コートを施す必要がある。 【００１６】また、ＰｂＷＯ4 単結晶２への励起光の入
射方向は、光軸と９０度の方向でなくても良いが、９０
度の方向より大きくずれると入射面での反射が多くなり
入射エネルギーのロスが多くなるので不利である。従っ
て、励起光の入射方向は光軸と９０度±４５度以内にす
ることが望ましい。勿論、固体レーザー結晶を励起させ
る一般的な方法である光軸方向からの入射でも差し支え
ない。 【００１７】Ｑスイッチ３にはＡＯＱスイッチを使用し
ている。ＴｅＯ2 結晶を使用し、電源周波数１０ｋＨｚ
で使用した。パルスジェネレーターにより、励起用半導
体レーザーと同期をかけ励起用半導体レーザーと同じ１
００Ｈｚの周波数でＱスイッチ３をかけた。図１の二波
長レーザー装置でＰｂＷＯ4 単結晶２に、１モル％のＮ
ｄを含有するＰｂＷＯ4 単結晶（３×３×２０ｍｍ）を
使用し、８０２ｎｍの波長で１００Ｈｚのパルス発振型
半導体レーザー光を励起光として照射したところ、図２
に示すように、レーザー出力鏡４から１０５８ｎｍと１
１７０ｎｍの波長のレーザー光７の同時発生が確認され
た。 【００１８】表１に示すように、ＡＯＱスイッチを使用
方が発振効率が向上することが確認できた。 【００１９】 【表１】 励起光：９ｍＪ 波長：８０２ｎｍ 周波数：１００Ｈ
ｚ パルス幅：２００μｓ 【００２０】また、８０２ｎｍの波長で連続発振の励起
光を使用した場合でも、同様の結果が得られた。発振し
たレーザー光７を解析の結果、１０５８ｎｍの発振はＮ
ｄによるレーザー発振光、１１７０ｎｍの発振は１０５
８ｎｍの光が結晶内部でラマン散乱（ラマンシフト約９
００ｃｍ-1）し、発振したもの（ラマンレーザー）であ
ることが判明した。 【００２１】また、それぞれの光を高調波素子に通す
と、波長が半分の光を取り出せることも確認された。更
に、レーザー活性物質にＹｂ，Ｅｕ，Ｐｒ，Ｔｂ，Ｅ
ｒ，Ｓｍを使用しても、それぞれレーザー活性物質に応
じた発光とラマン散乱されたストークス光並びに反スト
ークス光の発光が同時に観測された。 【００２２】 【発明の効果】本発明の二波長レーザー装置によれば、
一つの固体結晶から二波長のレーザー光を同時に得るこ
とができ、装置の小型化、低価格化が実現できる。レー
ザー活性物質としてＮｄ，Ｙｂ，Ｅｒ，Ｐｒ，Ｅｕ，Ｔ
ｂ，Ｓｍ等を、固体結晶に含有させることで、固体結晶
から発振したレーザー光と、ラマンシフト量が約９００
ｃｍ-1のラマン変換されたストークス光並びに反ストー
クス光を同時に発光させることができる。励起用の光源
手段に半導体レーザーを使用すると、全固体で部品が少
なく小型で信頼性の高い二波長レーザー装置が実現で
き、ＱスイッチにＡＯＱスイッチを用いているのでパル
ス幅の狭い尖頭値の大きいパルスレーザ光が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の一形態を示す二波長レーザー装
置の構成図である。 【図２】二波長レーザー装置の出力レーザー光を示す図
である。 【符号の説明】 １ 反射鏡 ２ ＰｂＷＯ4 単結晶 ３ Ｑスイッチ（ＡＯＱスイッチ） ４ レーザー出力鏡 ５ 集光レンズ ６ 半導体レーザー発振器 ７ レーザー光 ８ １／２波長板
置の構成図である。 【図２】二波長レーザー装置の出力レーザー光を示す図
である。 【符号の説明】 １ 反射鏡 ２ ＰｂＷＯ4 単結晶 ３ Ｑスイッチ（ＡＯＱスイッチ） ４ レーザー出力鏡 ５ 集光レンズ ６ 半導体レーザー発振器 ７ レーザー光 ８ １／２波長板
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フロントページの続き
(72)発明者 薄 善行
茨城県つくば市観音台１−25−13 古河機
械金属株式会社研究開発本部素材総合研究
所内
(72)発明者 尾松 孝茂
神奈川県横浜市戸塚区平戸５−10−９
Ｆターム(参考） 5F072 AB20 KK01 KK11 KK30 PP07
QQ05 QQ07 SS08 SS10
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 【請求項１】 レーザー媒質の固体結晶にラマン結晶で
あるＰｂＷＯ4 単結晶を使用し、レーザー媒質を励起さ
せてレーザー光を発生させる励起用の光源手段と、レー
ザー媒質から発生した光を共振させる光共振手段とを備
え、同時に二波長のレーザー発振を行う二波長レーザー
装置において、 出力増幅手段としてＡＯＱスイッチを使用することを特
徴とする二波長レーザー装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002083774A JP2003283025A (ja) | 2002-03-25 | 2002-03-25 | 二波長レーザー装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002083774A JP2003283025A (ja) | 2002-03-25 | 2002-03-25 | 二波長レーザー装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003283025A true JP2003283025A (ja) | 2003-10-03 |
Family
ID=29231403
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002083774A Withdrawn JP2003283025A (ja) | 2002-03-25 | 2002-03-25 | 二波長レーザー装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003283025A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102104231A (zh) * | 2011-01-06 | 2011-06-22 | 中国科学院上海光学精密机械研究所 | 石墨烯拉曼锁模激光器 |
| CN103928838A (zh) * | 2014-04-21 | 2014-07-16 | 中国科学院上海光学精密机械研究所 | 1216nm的全固态拉曼激光器 |
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2002
- 2002-03-25 JP JP2002083774A patent/JP2003283025A/ja not_active Withdrawn
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102104231A (zh) * | 2011-01-06 | 2011-06-22 | 中国科学院上海光学精密机械研究所 | 石墨烯拉曼锁模激光器 |
| CN102104231B (zh) * | 2011-01-06 | 2012-05-09 | 中国科学院上海光学精密机械研究所 | 石墨烯拉曼锁模激光器 |
| CN103928838A (zh) * | 2014-04-21 | 2014-07-16 | 中国科学院上海光学精密机械研究所 | 1216nm的全固态拉曼激光器 |
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