JP2003282751A - Package for high frequency, power module substrate for high frequency, and its manufacturing method - Google Patents
Package for high frequency, power module substrate for high frequency, and its manufacturing methodInfo
- Publication number
- JP2003282751A JP2003282751A JP2002077926A JP2002077926A JP2003282751A JP 2003282751 A JP2003282751 A JP 2003282751A JP 2002077926 A JP2002077926 A JP 2002077926A JP 2002077926 A JP2002077926 A JP 2002077926A JP 2003282751 A JP2003282751 A JP 2003282751A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- heat sink
- ring
- sink plate
- shaped frame
- semiconductor element
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
Landscapes
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明が属する技術分野】本発明は、半導体素子を実装
するための高周波用パッケージ、ならびに、ヒートシン
ク板とリング状枠体、及び外部接続端子を有し、半導体
素子を実装してなる高周波用パワーモジュール基板及び
その製造方法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a high-frequency package for mounting a semiconductor element, and a high-frequency power package having a heat sink plate, a ring-shaped frame, and external connection terminals for mounting the semiconductor element. The present invention relates to a module substrate and a method for manufacturing the same.
【０００２】[0002]
【従来の技術】高周波用パッケージは、例えば、移動体
通信の基地局等に用いるシリコンや、ガリウム砒素電界
効果トランジスタ等の高周波、高出力用の半導体素子を
実装するのに用いられる。この高周波用パッケージは、
半導体素子を実装するためのキャビティ部が、半導体素
子の高周波の領域での電気特性を悪化させないために、
略長方形状をした高放熱特性を有する金属板上に形成さ
れた半導体素子実装領域をセラミック製のリング状枠体
で囲繞するように接合して形成されている。そして、高
周波用パッケージは、半導体素子が実装された後、リン
グ状枠体上に接合される蓋体でキャビティ部を気密に封
止するようになっている。また、高周波信号は、リング
状枠体上と蓋体との間に接合された外部接続端子を介し
て入出力されるようになっている。2. Description of the Related Art A high frequency package is used for mounting a high frequency and high power semiconductor element such as silicon or gallium arsenide field effect transistor for use in a mobile communication base station. This high frequency package is
Since the cavity for mounting the semiconductor element does not deteriorate the electrical characteristics of the semiconductor element in the high frequency region,
The semiconductor element mounting region formed on a metal plate having a substantially rectangular shape and having high heat dissipation characteristics is formed by being joined so as to be surrounded by a ring frame made of ceramic. In the high frequency package, after the semiconductor element is mounted, the cavity is hermetically sealed with the lid joined to the ring-shaped frame. Further, the high frequency signal is inputted and outputted through an external connection terminal joined between the ring-shaped frame body and the lid body.
【０００３】この高周波用パッケージは、セラミック製
のリング状枠体と、半導体素子からの発熱を効率よく放
熱するための放熱用の金属板からなるヒートシンク板と
の接合において、セラミックとヒートシンク板の熱膨張
係数を近似させて応力の発生を少なくし、パッケージに
発生する反りを回避することで、半導体素子の実装不良
の発生を防止している。In this high-frequency package, when the ceramic ring-shaped frame and the heat sink plate made of a metal plate for heat dissipation for efficiently dissipating the heat generated from the semiconductor element are joined, the heat of the ceramic and the heat sink plate is The expansion coefficient is approximated to reduce the generation of stress and avoid the warp generated in the package, thereby preventing the mounting failure of the semiconductor element.
【０００４】図４（Ａ）、（Ｂ）に従来の高周波用パッ
ケージ５０の一例を示す。セラミックと熱膨張係数が近
似し、しかも放熱特性が比較的よいＣｕ−Ｗ（ポーラス
状のタングステンに銅を含浸させたもの）からなるヒー
トシンク板５１には、セラミック製のリング状枠体５２
が、その裏面側に形成されたメタライズパターンを介し
てヒートシンク板５１にＡｇろう５３でろう付け接合さ
れている。更に、リング状枠体５２には、表面側に形成
されたメタライズパターン（図示せず）を介して外部と
接続するための金属部材からなる外部接続端子５４がＡ
ｇろう５３でろう付け接合されている。ヒートシンク板
５１、リング状枠体５２、及び外部接続端子５４には、
ろう付け接合された後、金属表面にＮｉめっき、及びＡ
ｕめっきが施されて高周波用パッケージ５０を形成して
いる。略長方形状をしたヒートシンク板５１の長手方向
の両端部には、固定部材に固定するための固定用切り欠
き部５５が設けられている。4A and 4B show an example of a conventional high frequency package 50. A heat-sink plate 51 made of Cu-W (a porous tungsten in which copper is impregnated) having a thermal expansion coefficient similar to that of ceramic and having a relatively good heat dissipation property is attached to a ceramic ring-shaped frame 52.
However, it is brazed to the heat sink plate 51 with Ag brazing 53 through the metallized pattern formed on the back surface side. Further, the ring-shaped frame body 52 has an external connection terminal 54 made of a metal member for connecting to the outside through a metallization pattern (not shown) formed on the front surface side.
It is brazed with g brazing 53. The heat sink plate 51, the ring-shaped frame body 52, and the external connection terminal 54 are
After brazing and joining, Ni plating on the metal surface, and A
u plating is performed to form the high frequency package 50. Fixing notches 55 for fixing to a fixing member are provided at both ends in the longitudinal direction of the heat sink plate 51 having a substantially rectangular shape.
【０００５】図５に示すように、この高周波用パッケー
ジ５０には、半導体素子５６がリング状枠体５２の内側
のヒートシンク板５１上にダイボンドされ、半導体素子
５６と外部接続端子５４とをボンディングワイヤ５７で
接続した後、樹脂や、セラミックや、金属等からなる蓋
体５８を用いてリング状枠体５２の上部と外部接続端子
５４を間に挟みながら樹脂接着剤５９で接着して気密に
封止を行い、高周波用パワーモジュール基板６０を形成
している。この高周波用パワーモジュール基板６０は、
固定部材に固定用切り欠き部５５でねじ止め等を行って
固定される。As shown in FIG. 5, in this high-frequency package 50, a semiconductor element 56 is die-bonded on a heat sink plate 51 inside a ring-shaped frame 52 to bond the semiconductor element 56 and an external connection terminal 54 with a bonding wire. After connecting with 57, a lid 58 made of resin, ceramic, metal, or the like is used to bond the upper portion of the ring-shaped frame 52 and the external connection terminal 54 with a resin adhesive 59 to hermetically seal them. Then, the high frequency power module substrate 60 is formed. This high frequency power module substrate 60 is
The fixing notch 55 is fixed to the fixing member by screwing or the like.
【０００６】[0006]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前述し
たような従来の高周波用パッケージならびに高周波用パ
ワーモジュール基板及びその製造方法は、次のような問
題がある。
（１）半導体素子の高周波化が進む中において、高周波
の領域で電気特性を悪化させないために更なる高放熱化
の要求が強い。そこで、ヒートシンク板にＣｕ−Ｗ（熱
伝導率が２２０Ｗ／ｍＫ程度）からなる金属板に代わっ
て熱伝導率が高く、安価なＣｕ（熱伝導率が３９０Ｗ／
ｍＫ）板やＣｕ合金板等のＣｕ系金属板を使用するする
ことが考えられる。しかしながら、ヒートシンク板とセ
ラミック製のリング状枠体をＡｇろうからなる高温ろう
材で接合するときの熱膨張係数のミスマッチングから接
合面で応力が発生し、高周波用パッケージに大きな反り
が発生する。この反りによって、半導体素子が実装でき
ない場合が発生している。また、半導体素子が実装でき
たとしても、高周波用パワーモジュール基板を固定部材
に固定するときに曲げが発生して、半導体素子を破壊す
る場合が発生している。However, the above-described conventional high-frequency package, high-frequency power module substrate, and manufacturing method thereof have the following problems. (1) While semiconductor devices have higher frequencies, there is a strong demand for higher heat dissipation in order to prevent deterioration of electrical characteristics in the high frequency region. Therefore, in place of the metal plate made of Cu-W (heat conductivity is about 220 W / mK) for the heat sink plate, high heat conductivity and inexpensive Cu (heat conductivity is 390 W / mK) are used.
It is conceivable to use a Cu-based metal plate such as a mK) plate or a Cu alloy plate. However, when the heat sink plate and the ceramic ring-shaped frame are joined with a high-temperature brazing material made of Ag brazing, stress is generated at the joint surface due to a mismatch of thermal expansion coefficients, and a large warp occurs in the high-frequency package. Due to this warpage, there are cases where semiconductor elements cannot be mounted. Even if the semiconductor element can be mounted, bending may occur when the high frequency power module substrate is fixed to the fixing member, and the semiconductor element may be destroyed.
【０００７】（２）移動体通信の基地局等に用いられる
高周波用パワーモジュール基板は、低コストの要求が高
い。しかしながら、ヒートシンク板に比較的高価なＣｕ
−Ｗからなる金属板を用いる場合においては、低コスト
化に限界が生じている。(2) A high-frequency power module substrate used for a mobile communication base station or the like is highly required to be low in cost. However, the heat sink plate has a relatively expensive Cu
When using a metal plate made of -W, there is a limit to cost reduction.
【０００８】（３）蓋体を樹脂で接合する高周波用パワ
ーモジュール基板は、樹脂から発生する水分及びキャビ
ティ部内の空気中の水分がキャビティ部に含まれた状態
で気密封止される。この状態で環境試験等を行った時
に、キャビティ部内で露結し、そこに電圧が掛けられる
と、ヒートシンク板とリング状枠体、及びリング状枠体
と外部接続端子の接合に使用したＡｇろうのＡｇがイオ
ン化し、Ａｇが析出して樹枝状に成長し、セラミック製
のリング状枠体の内部側壁に樹枝状晶（デントライト）
が発生することが考えられる。これにより、外部接続端
子とヒートシンク板が短絡を起こす場合がある。(3) The power module substrate for high frequency in which the lid is joined with resin is hermetically sealed in a state where the moisture generated from the resin and the moisture in the air in the cavity are contained in the cavity. When an environmental test is conducted in this state, if condensation occurs in the cavity and a voltage is applied to it, the Ag solder used for joining the heat sink plate and the ring-shaped frame, and the ring-shaped frame and the external connection terminal. Ag ionizes, Ag precipitates and grows in a dendrite form, and dendritic crystals (dentrite) are formed on the inner side wall of the ceramic ring frame.
May occur. This may cause a short circuit between the external connection terminal and the heat sink plate.
【０００９】本発明は、かかる事情に鑑みてなされたも
のであって、安価で高放熱特性を有するヒートシンク板
が使用でき、反りやデントライトの発生を防止する高周
波用パッケージならびに高周波用パワーモジュール基板
及びその製造方法を提供することを目的とする。The present invention has been made in view of the above circumstances, and it is possible to use a heat sink plate which is inexpensive and has a high heat dissipation characteristic, and which prevents generation of warpage and dent light, and a high frequency power module substrate. And its manufacturing method.
【００１０】[0010]
【課題を解決するための手段】前記目的に沿う本発明に
係る高周波用パッケージは、略長方形状からなるヒート
シンク板の表面にリング状枠体を接合して有する高周波
用パッケージにおいて、ヒートシンク板が高放熱特性を
有するＣｕ又はＣｕ系金属板からなり、リング状枠体が
電気絶縁性を有する樹脂又はセラミックの絶縁体からな
り、しかも、ヒートシンク板とリング状枠体が樹脂、半
田、又はガラスからなる低融点接合材で接合されてい
る。これにより、ヒートシンク板が安価なＣｕ又はＣｕ
系金属板からなり、パッケージを安価にすることができ
る。また、ヒートシンク板とリング状枠体との接合に低
温度で接合できる低融点接合材を用いているので、熱膨
張係数の差の影響を受けることが少なく、反りの発生を
防止することができる。更に、ヒートシンク板とリング
状枠体との接合にＡｇろうを用いないので、デントライ
トの発生を防止することができる。A high frequency package according to the present invention which meets the above-mentioned object is a high frequency package in which a ring-shaped frame is joined to the surface of a heat sink plate having a substantially rectangular shape. The heat sink plate and the ring-shaped frame are made of resin, solder, or glass. The heat-sink plate and the ring-shaped frame are made of Cu or a Cu-based metal plate having a heat dissipation property, the ring-shaped frame is made of an electrically insulating resin or ceramic insulator. It is bonded with a low melting point bonding material. As a result, the heat sink plate is inexpensive Cu or Cu.
The package can be made inexpensive because it is made of a metal plate. Further, since the low melting point bonding material that can be bonded at a low temperature is used for bonding the heat sink plate and the ring-shaped frame body, it is less affected by the difference in thermal expansion coefficient, and the occurrence of warpage can be prevented. . Furthermore, since Ag brazing is not used for joining the heat sink plate and the ring-shaped frame, it is possible to prevent the occurrence of dentrite.
【００１１】前記目的に沿う本発明に係る高周波用パワ
ーモジュール基板は、ヒートシンク板とリング状枠体、
及び外部接続端子を有し、半導体素子を実装して気密に
封止する蓋体を有する高周波用パワーモジュール基板に
おいて、ヒートシンク板が高放熱特性を有するＣｕ又は
Ｃｕ系金属板からなり、リング状枠体が電気絶縁性を有
する樹脂又はセラミックの絶縁体からなり、ヒートシン
ク板とリング状枠体で形成するキャビティ部には半導体
素子が実装され、しかも、上面側に外部接続端子が樹
脂、ろう材、ガラス、又は半田からなる接合部材を介し
て接合されているリング状枠体の下面側とヒートシンク
板が樹脂、半田、又はガラスからなる低融点接合材で接
合されており、蓋体でキャビティ部が気密に封止されて
いる。これにより、ヒートシンク板が安価なＣｕ又はＣ
ｕ系金属板からなり、高周波用パワーモジュール基板を
安価にすることができる。また、ヒートシンク板とリン
グ状枠体との接合に低温度で接合できる低融点接合材を
用いているので、熱膨張係数の差により発生する応力の
影響を受けることが少なく、反りの発生を防止すること
ができる。更に、ヒートシンク板とリング状枠体との接
合にＡｇろうを用いないので、デントライトの発生を防
止することができる。A high-frequency power module substrate according to the present invention which meets the above-mentioned object includes a heat sink plate and a ring-shaped frame,
And a power module board for high frequency having an external connection terminal and a lid for hermetically sealing a semiconductor element mounted thereon, wherein the heat sink plate is made of Cu or a Cu-based metal plate having a high heat dissipation property, and has a ring-shaped frame. The body is made of an electrically insulating resin or ceramic insulator, the semiconductor element is mounted in the cavity formed by the heat sink plate and the ring-shaped frame, and the external connection terminals are made of resin, a brazing material, The lower surface side of the ring-shaped frame that is joined via a joining member made of glass or solder and the heat sink plate are joined by a low melting point joining material made of resin, solder, or glass, and the cavity part is formed by the lid. It is hermetically sealed. As a result, the heat sink plate is inexpensive Cu or C.
The high-frequency power module substrate made of a u-based metal plate can be made inexpensive. In addition, since a low melting point bonding material that can be bonded at a low temperature is used to bond the heat sink plate and the ring-shaped frame, it is less affected by the stress generated by the difference in thermal expansion coefficient and the occurrence of warpage is prevented. can do. Furthermore, since Ag brazing is not used for joining the heat sink plate and the ring-shaped frame, it is possible to prevent the occurrence of dentrite.
【００１２】前記目的に沿う本発明に係る高周波用パワ
ーモジュール基板の製造方法は、高放熱特性を有する金
属からなるヒートシンク板と絶縁体からなるリング状枠
体で形成するキャビティ部に半導体素子を接合し、金属
板からなる外部接続端子で電気的に接続する高周波用パ
ワーモジュール基板の製造方法において、リング状枠体
が樹脂又はセラミックからなり、リング状枠体の上面に
外部接続端子を樹脂、ろう材、ガラス、又は半田からな
る接合部材で接合する第１工程と、ヒートシンク板のキ
ャビティ部を形成する部分に半導体素子をダイボンドす
る第２工程と、ヒートシンク板にダイボンドされた半導
体素子を囲繞するように、ヒートシンク板にリング状枠
体の下面を樹脂、半田、又はガラスからなる低融点接合
材を介して当接して接合する第３工程と、半導体素子と
外部接続端子をボンディングワイヤで接続する第４工程
と、キャビティ部を蓋体で接合して半導体素子を気密に
封止する第５工程を有する。これにより、ヒートシンク
板に安価なＣｕ又はＣｕ系金属板を用いて、高周波用パ
ワーモジュール基板を安価に製造することができる。ま
た、ヒートシンク板とリング状枠体との接合に低温度で
接合できる低融点接合材を用いて接合するので、熱膨張
係数の差から発生する応力の影響を受けることが少な
く、反りの発生を防止することができる高周波用パワー
モジュール基板を製造することができる。更に、ヒート
シンク板とリング状枠体との接合にＡｇろうを用いるこ
となく製造しているので、デントライトの発生を防止す
ることができる高周波用パワーモジュール基板を製造す
ることができる。In the method of manufacturing a high frequency power module substrate according to the present invention, which meets the above-mentioned object, a semiconductor element is bonded to a cavity portion formed by a heat sink plate made of metal having a high heat dissipation characteristic and a ring-shaped frame made of an insulator. Then, in the method of manufacturing a high frequency power module substrate which is electrically connected by an external connection terminal made of a metal plate, the ring-shaped frame body is made of resin or ceramic, and the external connection terminal is made of resin or solder on the upper surface of the ring-shaped frame body. A first step of joining with a joining member made of a material, glass, or solder, a second step of die-bonding a semiconductor element to a portion of the heat sink plate that forms a cavity, and a step of surrounding the semiconductor element die-bonded to the heat sink plate. The lower surface of the ring-shaped frame body against the heat sink plate through a low melting point bonding material made of resin, solder, or glass. And a third step of bonding, a fourth step of connecting the semiconductor element and the external connection terminal by a bonding wire, a fifth step of sealing the semiconductor element hermetically bonded to the cavity portion in the lid. This makes it possible to inexpensively manufacture the high-frequency power module substrate by using an inexpensive Cu or Cu-based metal plate for the heat sink plate. Moreover, since the heat sink plate and the ring-shaped frame are joined using a low-melting-point joining material that can be joined at a low temperature, the influence of the stress generated due to the difference in the thermal expansion coefficient is less likely to occur, and the warpage is prevented. A high frequency power module substrate that can be prevented can be manufactured. Further, since the heat sink plate and the ring-shaped frame are joined without using Ag brazing, it is possible to produce a high-frequency power module substrate capable of preventing the generation of dentrite.
【００１３】[0013]
【発明の実施の形態】続いて、添付した図面を参照しつ
つ、本発明を具体化した実施の形態について説明し、本
発明の理解に供する。ここに、図１（Ａ）、（Ｂ）はそ
れぞれ本発明の一実施の形態に係る高周波用パッケージ
の平面図、正面図、図２（Ａ）、（Ｂ）はそれぞれ本発
明の一実施の形態に係る高周波用パワーモジュール基板
の平面図、Ａ−Ａ’線拡大縦断面図、図３（Ａ）〜
（Ｅ）はそれぞれ同高周波用パワーモジュール基板の製
造方法の説明図である。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Next, referring to the attached drawings, an embodiment in which the present invention is embodied will be described to provide an understanding of the present invention. 1A and 1B are a plan view and a front view of a high-frequency package according to one embodiment of the present invention, and FIGS. 2A and 2B are one embodiment of the present invention. 3A is a plan view of the high-frequency power module substrate according to the embodiment, FIG.
(E) is each explanatory drawing of the manufacturing method of the same high frequency power module substrate.
【００１４】図１（Ａ）、（Ｂ）に示すように、本発明
の一実施の形態に係る高周波用パッケージ１０は、略長
方形状からなり、高放熱特性を有するＣｕ又はＣｕ合金
等のＣｕ系金属板で形成されるヒートシンク板１１と、
絶縁体からなり、電気絶縁性を有する樹脂又はセラミッ
クのリング状枠体１２を有している。ヒートシンク板１
１の長手方向中央部表面とリング状枠体１２は、エポキ
シ等の樹脂、Ｐｂ−Ｓｎ系等の半田、又は低融点のガラ
スからなる低融点接合材１３で接合されている。低融点
接合材１３が半田からなる場合には、リング状枠体１２
のヒートシンク板１１との接合面にメタライズパターン
が形成されて、このメタライズパターンを介してリング
状枠体１２とヒートシンク板１１が接合されている。As shown in FIGS. 1 (A) and 1 (B), a high frequency package 10 according to an embodiment of the present invention has a substantially rectangular shape, and has a high heat dissipation characteristic such as Cu or Cu alloy. A heat sink plate 11 formed of a metal plate,
It is made of an insulating material and has a ring-shaped frame 12 made of a resin or a ceramic having an electric insulation property. Heat sink plate 1
The surface of the central portion in the longitudinal direction of No. 1 and the ring-shaped frame body 12 are joined by a low melting point bonding material 13 made of resin such as epoxy, Pb—Sn based solder, or low melting point glass. When the low melting point bonding material 13 is made of solder, the ring-shaped frame 12
A metallized pattern is formed on the joint surface with the heat sink plate 11, and the ring-shaped frame 12 and the heat sink plate 11 are joined via this metallized pattern.
【００１５】なお、リング状枠体１２の上面には、鉄系
や、銅系等の薄い金属板からなるリードフレーム形状の
外部接続端子１４が、樹脂、ろう材、ガラス、又は半田
等の接合部材１５を介して接合されていてもよい。ま
た、ヒートシンク板１１には、略長方形状の長手方向の
両端部に、この高周波用パッケージ１０を固定するため
の固定用切り欠き部１６が設けられており、外部の固定
部材にねじ止め等を行うために使用される。そして、こ
の高周波用パッケージ１０の金属表面には、Ｎｉめっき
及びＡｕめっきが施されている。この高周波用パッケー
ジ１０には、ヒートシンク板１１とリング状枠体１２の
接合に用いた低融点接合材１３の接合時の温度より低い
温度の接合材、例えば、Ａｇペースト（接合温度は約１
５０℃）等を用いることで半導体素子を接合することが
できる。On the upper surface of the ring-shaped frame body 12, a lead frame-shaped external connection terminal 14 made of a thin metal plate such as an iron-based or copper-based material is joined by resin, a brazing material, glass, solder or the like. It may be joined via the member 15. Further, the heat sink plate 11 is provided with fixing notches 16 for fixing the high frequency package 10 at both ends in a substantially rectangular shape in the longitudinal direction, and is fixed to an external fixing member with screws or the like. Used to do. The metal surface of the high frequency package 10 is plated with Ni and Au. In this high frequency package 10, a bonding material having a temperature lower than the temperature at the time of bonding the low melting point bonding material 13 used for bonding the heat sink plate 11 and the ring-shaped frame body 12, for example, Ag paste (bonding temperature is about 1
The semiconductor element can be bonded by using (50 ° C.) or the like.
【００１６】次いで、図２（Ａ）、（Ｂ）に示すよう
に、本発明の一実施の形態に係る高周波用パワーモジュ
ール基板２０は、ヒートシンク板１１と、リング状枠体
１２、及び外部接続端子１４を有し、キャビティ部２１
に半導体素子２２を実装して有し、キャビティ部２１内
を気密に封止する蓋体２４を有している。Next, as shown in FIGS. 2A and 2B, a high frequency power module substrate 20 according to an embodiment of the present invention includes a heat sink plate 11, a ring-shaped frame body 12, and an external connection. It has a terminal 14 and a cavity portion 21.
The semiconductor element 22 is mounted on and has a lid 24 that hermetically seals the inside of the cavity 21.
【００１７】このヒートシンク板１１は、略長方形状か
らなり、高放熱特性を有するＣｕ又はＣｕ合金等のＣｕ
系金属板で形成されている。また、リング状枠体１２
は、電気絶縁性を有する樹脂又はセラミックからなる絶
縁体で形成されている。そして、ヒートシンク板１１と
リング状枠体１２を接合して形成するキャビティ部２１
のヒートシンク板１１の上に、半導体素子２２が、例え
ば、Ａｕ−Ｓｎろうからなるダイアタッチ材２３を介し
てダイボンドされている。リング状枠体１２の上面側に
は、Ｆｅ系や、Ｃｕ系等の薄い金属板からなるリードフ
レーム形状の外部接続端子１４が、例えば、エポキシ等
の樹脂、Ａｇろう材等のろう材、低融点や高融点のガラ
ス、又はＰｂ−Ｓｎ半田等の半田からなる低融点や高融
点の接合部材１５を介して接合されている。また、リン
グ状枠体１２の下面側には、ヒートシンク板１１がエポ
キシ等の樹脂、Ｐｂ−Ｓｎ半田等の半田、又は低融点の
ガラスからなる低融点接合材１３を介して接合されてい
る。蓋体２４は、樹脂や、セラミックや、金属部材等を
用いて外形寸法がリング状枠体１２と実質的に同じ大き
さからなり、例えば、箱型に形成されている。そして、
蓋体２４は、キャビティ部２１に実装されている半導体
素子２２を気密に保つために、リング状枠体１２や、外
部接続端子１４の上面側にエポキシ等の樹脂接着剤２５
を介して被せられて接合され、キャビティ部２１内の半
導体素子２２を気密に封止している。The heat sink plate 11 has a substantially rectangular shape and has a high heat dissipation property such as Cu or Cu alloy.
It is made of a metal plate. In addition, the ring-shaped frame 12
Is formed of an insulator made of resin or ceramic having electrical insulation properties. Then, the cavity portion 21 formed by joining the heat sink plate 11 and the ring-shaped frame body 12 together
The semiconductor element 22 is die-bonded onto the heat sink plate 11 via a die attach material 23 made of, for example, Au—Sn solder. On the upper surface side of the ring-shaped frame body 12, a lead frame-shaped external connection terminal 14 made of a thin metal plate such as Fe-based or Cu-based is provided, for example, resin such as epoxy, brazing material such as Ag brazing material, low Bonding is performed through a low-melting point or high-melting point joining member 15 made of glass having a melting point or a high melting point, or solder such as Pb-Sn solder. A heat sink plate 11 is joined to the lower surface side of the ring-shaped frame 12 via a resin such as epoxy, a solder such as Pb-Sn solder, or a low melting point bonding material 13 made of low melting point glass. The lid 24 is made of resin, ceramics, a metal member, or the like and has an outer dimension substantially the same as that of the ring-shaped frame 12, and is formed in, for example, a box shape. And
The lid 24 has a resin adhesive 25 such as epoxy on the upper surface of the ring-shaped frame 12 and the external connection terminals 14 in order to keep the semiconductor element 22 mounted in the cavity 21 airtight.
The semiconductor element 22 in the cavity portion 21 is hermetically sealed by being covered and bonded via.
【００１８】なお、半導体素子２２と外部接続端子１４
との接続はボンディングワイヤ２６で接続されている。
また、ヒートシンク板１１には、略長方形状の長手方向
の両端部に、高周波用パワーモジュール基板２０を固定
部材に固定するための固定用切り欠き部１６が設けられ
ており、固定部材にねじ止め等で固定するのに使用され
る。The semiconductor element 22 and the external connection terminal 14
The bonding wire 26 is used for the connection with.
Further, the heat sink plate 11 is provided with fixing notches 16 for fixing the high frequency power module substrate 20 to the fixing member at both ends in the longitudinal direction of the substantially rectangular shape, and is screwed to the fixing member. Used to fix with etc.
【００１９】次いで、図３（Ａ）〜（Ｅ）を参照しなが
ら本発明の一実施の形態に係る高周波用パワーモジュー
ル基板２０の製造方法を説明する。図３（Ａ）に示すよ
うに、樹脂又はセラミックからなるリング状枠体１２の
上面には、エポキシ等の樹脂、Ａｕ−Ｓｎろう材等のろ
う材、低融点や、高融点からなるガラス、又はＰｂ−Ｓ
ｎ系等の半田からなる接合部材１５で外部接続端子１４
が接合されている。なお、このリング状枠体１２は、絶
縁性の樹脂を額縁状に成形して形成したり、又はアルミ
ナ（Ａｌ２Ｏ３）等のセラミック粉末を額縁状にプレス
して成形したり、あるいはシート状のセラミックグリー
ンシートを成形して複数枚を重ね合わせて積層して額縁
状に成形したりして形成している。また、外部接続端子
１４は、Ｆｅ系や、Ｃｕ系等の薄い金属板を打ち抜き金
型等を用いてリードフレーム形状に打ち抜いて形成して
いる。Next, a method of manufacturing the high frequency power module board 20 according to the embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. As shown in FIG. 3A, on the upper surface of the ring-shaped frame body 12 made of resin or ceramic, resin such as epoxy, brazing material such as Au—Sn brazing material, glass having a low melting point or high melting point, Or Pb-S
The external connection terminal 14 is formed by the joining member 15 made of n-type solder or the like.
Are joined. The ring-shaped frame 12 is formed by molding an insulating resin in a frame shape, or by pressing a ceramic powder such as alumina (Al 2 O 3 ) in a frame shape, or a sheet. Shaped ceramic green sheets are formed, and a plurality of sheets are stacked and laminated to form a frame shape. The external connection terminal 14 is formed by punching a thin metal plate such as Fe-based or Cu-based into a lead frame shape using a punching die or the like.
【００２０】次いで、図３（Ｂ）に示すように、Ｃｕ又
はＣｕ系金属板からなる高放熱特性を有するヒートシン
ク板１１とリング状枠体１２を接合させたらキャビティ
部２１（図３（Ｃ）参照）を形成する部分に、半導体素
子２２をＡｕ−Ｓｎろう（接合温度は約３２０℃）や、
Ａｕ−Ｓｉろう（接合温度は約４００℃）等のダイアタ
ッチ材２３を用いてダイボンドしている。Next, as shown in FIG. 3B, when the heat sink plate 11 made of Cu or a Cu-based metal plate and having a high heat dissipation characteristic and the ring-shaped frame 12 are joined, the cavity portion 21 (FIG. 3C) is formed. (Refer to FIG. 3), the semiconductor element 22 is formed of Au—Sn solder (junction temperature is about 320 ° C.),
Die-bonding is performed using a die attach material 23 such as Au-Si solder (bonding temperature is about 400 ° C.).
【００２１】次いで、図３（Ｃ）に示すように、ヒート
シンク板１１上にダイアタッチ材２３を介してダイボン
ドされた半導体素子２２を、外部接続端子１４が接合部
材１５で接合されているリング状枠体１２の貫通孔の内
側壁２７で囲繞するようにして、ヒートシンク板１１に
リング状枠体１２の下面を、エポキシ等の樹脂、低融点
のガラス、又はＰｂ−Ｓｎ系等の半田からなる低融点接
合材１３を介して当接して接合している。これにより、
ヒートシンク板１１とリング状枠体１２で囲まれた内部
には、キャビティ部２１が形成される。低融点接合材１
３を用いてキャビティ部２１を形成することができるの
は、キャビティ部２１を形成する前に低融点接合材１３
の接合温度より高い接合温度のダイアタッチ材２３を用
いて半導体素子を２２を接合しているからである。従っ
て、キャビティ部２１を形成するのにＡｇろうを用いな
くてもよいので、デントライトの発生を防止することが
できる。Next, as shown in FIG. 3C, the semiconductor element 22 die-bonded on the heat sink plate 11 via the die attach material 23 is joined to the external connection terminal 14 by the joining member 15 to form a ring shape. The heat sink plate 11 is surrounded by the inner side wall 27 of the through hole of the frame body 12, and the lower surface of the ring-shaped frame body 12 is made of resin such as epoxy, low-melting glass, or solder such as Pb-Sn system. The low melting point bonding material 13 is abutted and bonded. This allows
A cavity 21 is formed inside the heat sink plate 11 and the ring-shaped frame 12. Low melting point bonding material 1
3 can be used to form the cavity portion 21 because the low melting point bonding material 13 is formed before the cavity portion 21 is formed.
This is because the semiconductor element 22 is bonded by using the die attach material 23 having a bonding temperature higher than the bonding temperature of. Therefore, since it is not necessary to use Ag brazing to form the cavity portion 21, it is possible to prevent the occurrence of dentrite.
【００２２】次いで、図３（Ｄ）に示すように、ヒート
シンク板１１上に接合された半導体素子２２のボンディ
ングパッド（図示せず）と外部接続端子１４の端部とを
ボンディングワイヤ２６で接続している。これにより、
高周波信号は、リング状枠体１２上と蓋体２４（図３
（Ｅ）参照）との間に接合された外部接続端子１４を介
して半導体素子２２との間で入出力させることができ
る。Next, as shown in FIG. 3D, the bonding pads (not shown) of the semiconductor element 22 bonded on the heat sink plate 11 and the ends of the external connection terminals 14 are connected by the bonding wires 26. ing. This allows
The high-frequency signal is transmitted through the ring-shaped frame 12 and the lid 24 (see FIG. 3).
Input and output can be performed with the semiconductor element 22 through the external connection terminal 14 that is joined to (see (E)).
【００２３】次いで、図３（Ｅ）に示すように、半導体
素子２２が実装されているキャビティ部２１には、半導
体素子２２を気密に保つために、蓋体２４がリング状枠
体１２と外部接続端子１４の上面側にエポキシ等の樹脂
接着剤２５を介して被せられて接合され、キャビティ部
２１内の半導体素子２２が気密に封止されている。蓋体
２４は、樹脂や、セラミックや、金属部材等からなり、
外形寸法がリング状枠体１２と実質的に同じ大きさで、
例えば、箱型に形成されている。Next, as shown in FIG. 3 (E), in the cavity portion 21 in which the semiconductor element 22 is mounted, a lid 24 is attached to the ring-shaped frame 12 and the outside in order to keep the semiconductor element 22 airtight. The upper surface side of the connection terminal 14 is covered and bonded via a resin adhesive 25 such as epoxy, and the semiconductor element 22 in the cavity 21 is hermetically sealed. The lid 24 is made of resin, ceramic, metal member, or the like,
The outer dimensions are substantially the same as the ring-shaped frame 12,
For example, it is formed in a box shape.
【００２４】[0024]
【発明の効果】請求項１記載の高周波用パッケージは、
ヒートシンク板が高放熱特性を有するＣｕ又はＣｕ系金
属板からなり、リング状枠体が電気絶縁性を有する樹脂
又はセラミックの絶縁体からなり、しかも、ヒートシン
ク板とリング状枠体が樹脂、半田、又はガラスからなる
低融点接合材で接合されているので、ヒートシンク板が
安価であり、パッケージを安価にすることができる。ま
た、ヒートシンク板とリング状枠体との接合温度が低
く、熱膨張係数の差による応力の発生の影響を受けるこ
とが少なくて反りの発生を防止することができる。更
に、ヒートシンク板とリング状枠体との接合にＡｇろう
を用いないので、デントライトの発生を防止することが
できる。The high frequency package according to claim 1 is
The heat sink plate is made of Cu or a Cu-based metal plate having high heat dissipation properties, the ring-shaped frame body is made of an electrically insulating resin or ceramic insulator, and the heat sink plate and the ring-shaped frame body are made of resin, solder, Alternatively, the heat sink plate is inexpensive and the package can be inexpensive because the low melting point bonding material made of glass is used for bonding. Further, since the joining temperature between the heat sink plate and the ring-shaped frame is low, it is less affected by the generation of stress due to the difference in the coefficient of thermal expansion, and the occurrence of warpage can be prevented. Furthermore, since Ag brazing is not used for joining the heat sink plate and the ring-shaped frame, it is possible to prevent the occurrence of dentrite.
【００２５】請求項２記載の高周波用パワーモジュール
基板は、ヒートシンク板が高放熱特性を有するＣｕ又は
Ｃｕ系金属板からなり、リング状枠体が電気絶縁性を有
する樹脂又はセラミックの絶縁体からなり、ヒートシン
ク板とリング状枠体で形成するキャビティ部には半導体
素子が実装され、しかも、上面側に外部接続端子が樹
脂、ろう材、ガラス、又は半田からなる接合部材を介し
て接合されているリング状枠体の下面側とヒートシンク
板が樹脂、半田、又はガラスからなる低融点接合材で接
合されており、蓋体でキャビティ部が気密に封止されて
いるので、ヒートシンク板が安価であり、高周波用パワ
ーモジュール基板を安価にすることができる。また、ヒ
ートシンク板とリング状枠体との接合温度が低く、熱膨
張係数の差の影響を受けることが少なくて反りの発生を
防止することができる。更に、ヒートシンク板とリング
状枠体との接合にＡｇろうを用いないので、デントライ
トの発生を防止することができる。In the high frequency power module substrate according to the present invention, the heat sink plate is made of Cu or a Cu-based metal plate having a high heat dissipation characteristic, and the ring-shaped frame is made of an electrically insulating resin or ceramic insulator. The semiconductor element is mounted in the cavity formed by the heat sink plate and the ring-shaped frame, and the external connection terminals are bonded to the upper surface side through a bonding member made of resin, a brazing material, glass, or solder. Since the lower surface of the ring-shaped frame and the heat sink plate are joined with a low melting point bonding material made of resin, solder or glass, and the cavity is hermetically sealed by the lid, the heat sink plate is inexpensive. The cost of the high frequency power module substrate can be reduced. In addition, since the joining temperature between the heat sink plate and the ring-shaped frame is low, it is less affected by the difference in the coefficient of thermal expansion, and the occurrence of warpage can be prevented. Furthermore, since Ag brazing is not used for joining the heat sink plate and the ring-shaped frame, it is possible to prevent the occurrence of dentrite.
【００２６】請求項３記載の高周波用パワーモジュール
基板の製造方法は、リング状枠体が樹脂又はセラミック
からなり、リング状枠体の上面に外部接続端子を樹脂、
ろう材、ガラス、又は半田からなる接合部材で接合する
第１工程と、ヒートシンク板のキャビティ部を形成する
部分に半導体素子をダイボンドする第２工程と、ヒート
シンク板にダイボンドされた半導体素子を囲繞するよう
に、ヒートシンク板にリング状枠体の下面を樹脂、半
田、又はガラスからなる低融点接合材を介して当接して
接合する第３工程と、半導体素子と外部接続端子をボン
ディングワイヤで接続する第４工程と、キャビティ部を
蓋体で接合して半導体素子を気密に封止する第５工程を
有するので、ヒートシンク板に安価なＣｕ又はＣｕ系金
属板を用いて、高周波用パワーモジュール基板を安価に
製造することができる。また、ヒートシンク板とリング
状枠体との接合に低温度で接合できる低融点接合材を用
いて接合し、熱膨張係数の差から発生する応力の影響を
受けることが少なく、反りの発生を防止することができ
る高周波用パワーモジュール基板を製造することができ
る。更に、ヒートシンク板とリング状枠体との接合にＡ
ｇろうを用いることなく製造して、デントライトの発生
を防止することができる高周波用パワーモジュール基板
を製造することができる。According to a third aspect of the present invention, there is provided a high frequency power module substrate manufacturing method, wherein the ring-shaped frame body is made of resin or ceramic, and the external connection terminal is made of resin on the upper surface of the ring-shaped frame body.
A first step of joining with a joining member made of a brazing material, glass, or a solder, a second step of die-bonding a semiconductor element to a portion of the heat sink plate forming a cavity portion, and a step of surrounding the semiconductor element die-bonded to the heat sink plate. As described above, the third step of abutting and joining the lower surface of the ring-shaped frame body to the heat sink plate via the low melting point bonding material made of resin, solder, or glass, and connecting the semiconductor element and the external connection terminal with a bonding wire Since it has a fourth step and a fifth step of hermetically sealing the semiconductor element by joining the cavity portion with the lid, a high-frequency power module substrate is manufactured by using an inexpensive Cu or Cu-based metal plate for the heat sink plate. It can be manufactured at low cost. In addition, the heat sink plate and the ring-shaped frame are joined using a low melting point joining material that can be joined at a low temperature, and are less affected by the stress generated due to the difference in thermal expansion coefficient, preventing the occurrence of warpage. It is possible to manufacture a high frequency power module substrate that can be manufactured. In addition, A is used for joining the heat sink plate and the ring-shaped frame.
It is possible to manufacture a high frequency power module substrate capable of preventing the occurrence of dentrite by manufacturing without using g wax.
【図１】（Ａ）、（Ｂ）はそれぞれ本発明の一実施の形
態に係る高周波用パッケージの平面図、正面図である。1A and 1B are a plan view and a front view, respectively, of a high frequency package according to an embodiment of the present invention.
【図２】（Ａ）、（Ｂ）はそれぞれ本発明の一実施の形
態に係る高周波用パワーモジュール基板の平面図、Ａ−
Ａ’線拡大縦断面図である。2 (A) and 2 (B) are plan views of a high frequency power module substrate according to an embodiment of the present invention, respectively.
It is an A'line expanded longitudinal cross-sectional view.
【図３】（Ａ）〜（Ｅ）はそれぞれ同高周波用パワーモ
ジュール基板の製造方法の説明図である。3A to 3E are explanatory views of a method of manufacturing the same high-frequency power module substrate.
【図４】（Ａ）、（Ｂ）はそれぞれ従来の高周波用パッ
ケージの平面図、正面図である。4A and 4B are respectively a plan view and a front view of a conventional high frequency package.
【図５】従来の高周波用パワーモジュール基板の説明図
である。FIG. 5 is an explanatory diagram of a conventional high frequency power module substrate.
１０：高周波用パッケージ、１１：ヒートシンク板、１
２：リング状枠体、１３：低融点接合材、１４：外部接
続端子、１５：接合部材、１６：固定用切り欠き部、２
０：高周波用パワーモジュール基板、２１：キャビティ
部、２２：半導体素子、２３：ダイアタッチ材、２４：
蓋体、２５：樹脂接着剤、２６：ボンディングワイヤ、
２７：内側壁10: high frequency package, 11: heat sink plate, 1
2: ring-shaped frame, 13: low melting point bonding material, 14: external connection terminal, 15: bonding member, 16: notch for fixing, 2
0: Power module substrate for high frequency, 21: Cavity part, 22: Semiconductor element, 23: Die attach material, 24:
Lid, 25: Resin adhesive, 26: Bonding wire,
27: Inner wall
Claims (3)
面にリング状枠体を接合して有する高周波用パッケージ
において、 前記ヒートシンク板が高放熱特性を有するＣｕ又はＣｕ
系金属板からなり、前記リング状枠体が電気絶縁性を有
する樹脂又はセラミックの絶縁体からなり、しかも、前
記ヒートシンク板と前記リング状枠体が樹脂、半田、又
はガラスからなる低融点接合材で接合されていることを
特徴とする高周波用パッケージ。1. A high frequency package comprising a heat sink plate having a substantially rectangular shape and a ring-shaped frame joined to the surface of the heat sink plate, wherein the heat sink plate is Cu or Cu having high heat dissipation characteristics.
A low melting point bonding material made of a system metal plate, the ring-shaped frame made of an electrically insulating resin or ceramic insulator, and the heat sink plate and the ring-shaped frame made of resin, solder, or glass. A high-frequency package characterized by being bonded together.
部接続端子を有し、半導体素子を実装して気密に封止す
る蓋体を有する高周波用パワーモジュール基板におい
て、 前記ヒートシンク板が高放熱特性を有するＣｕ又はＣｕ
系金属板からなり、前記リング状枠体が電気絶縁性を有
する樹脂又はセラミックの絶縁体からなり、前記ヒート
シンク板と前記リング状枠体で形成するキャビティ部に
は前記半導体素子が実装され、しかも、上面側に前記外
部接続端子が樹脂、ろう材、ガラス、又は半田からなる
接合部材を介して接合されている前記リング状枠体の下
面側と前記ヒートシンク板が樹脂、半田、又はガラスか
らなる低融点接合材で接合されており、前記蓋体で前記
キャビティ部が気密に封止されていることを特徴とする
高周波用パワーモジュール基板。2. A high frequency power module board having a heat sink plate, a ring-shaped frame body, and an external connection terminal, and a lid body for mounting a semiconductor element and hermetically sealing the semiconductor element, wherein the heat sink plate has high heat dissipation characteristics. With Cu or Cu
A ring-shaped frame body made of a resin or ceramic insulator having electrical insulation, and the semiconductor element is mounted in a cavity formed by the heat sink plate and the ring-shaped frame body, and The heat sink plate is made of resin, solder, or glass, and the lower surface side of the ring-shaped frame body is joined to the upper surface side by a joining member made of resin, a brazing material, glass, or solder. A high-frequency power module substrate, which is bonded with a low-melting-point bonding material, and the cavity is hermetically sealed by the lid.
シンク板と絶縁体からなるリング状枠体で形成するキャ
ビティ部に半導体素子を接合し、金属板からなる外部接
続端子で電気的に接続する高周波用パワーモジュール基
板の製造方法において、 前記リング状枠体が樹脂又はセラミックからなり、該リ
ング状枠体の上面に前記外部接続端子を樹脂、ろう材、
ガラス、又は半田からなる接合部材で接合する第１工程
と、 前記ヒートシンク板の前記キャビティ部を形成する部分
に前記半導体素子をダイボンドする第２工程と、 前記ヒートシンク板にダイボンドされた前記半導体素子
を囲繞するように、前記ヒートシンク板に前記リング状
枠体の下面を樹脂、半田、又はガラスからなる低融点接
合材を介して当接して接合する第３工程と、 前記半導体素子と前記外部接続端子をボンディングワイ
ヤで接続する第４工程と、 前記キャビティ部を蓋体で接合して前記半導体素子を気
密に封止する第５工程を有することを特徴とする高周波
用パワーモジュール基板の製造方法。3. A high frequency wave in which a semiconductor element is joined to a cavity formed by a heat sink plate made of a metal having a high heat dissipation characteristic and a ring-shaped frame made of an insulator and electrically connected by an external connection terminal made of a metal plate. In the method for manufacturing a power module board for use, the ring-shaped frame body is made of resin or ceramic, and the external connection terminal is made of resin, a brazing material,
A first step of joining with a joining member made of glass or solder; a second step of die-bonding the semiconductor element to a portion of the heat sink plate where the cavity is formed; and a semiconductor element die-bonded to the heat sink plate. A third step of surrounding and abutting the lower surface of the ring-shaped frame body to the heat sink plate via a low melting point bonding material made of resin, solder, or glass; and the semiconductor element and the external connection terminal. And a fifth step of connecting the cavity portion with a lid to hermetically seal the semiconductor element, and a method of manufacturing a high-frequency power module substrate.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002077926A JP3816821B2 (en) | 2002-03-20 | 2002-03-20 | High frequency power module substrate and manufacturing method thereof |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002077926A JP3816821B2 (en) | 2002-03-20 | 2002-03-20 | High frequency power module substrate and manufacturing method thereof |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003282751A true JP2003282751A (en) | 2003-10-03 |
| JP3816821B2 JP3816821B2 (en) | 2006-08-30 |
Family
ID=29228171
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002077926A Expired - Lifetime JP3816821B2 (en) | 2002-03-20 | 2002-03-20 | High frequency power module substrate and manufacturing method thereof |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3816821B2 (en) |
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006041272A (en) * | 2004-07-28 | 2006-02-09 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Semiconductor device and package therefor |
| JP2007528601A (en) * | 2004-03-09 | 2007-10-11 | インフィネオン テクノロジーズ アクチエンゲゼルシャフト | Reliable, cost effective and thermally strong AuSn die attach technology |
| JP2009513026A (en) * | 2005-10-24 | 2009-03-26 | フリースケール セミコンダクター インコーポレイテッド | Semiconductor structure and assembly method |
| CN102064137A (en) * | 2010-12-06 | 2011-05-18 | 日月光半导体制造股份有限公司 | Semiconductor structure with metal frame |
| JP2012049224A (en) * | 2010-08-25 | 2012-03-08 | Kyocera Corp | Packaging structure and method of manufacturing the same |
| CN104517909A (en) * | 2013-09-30 | 2015-04-15 | 英飞凌科技股份有限公司 | Semiconductor module including printed circuit board, and method for producing same |
| JP2015138906A (en) * | 2014-01-23 | 2015-07-30 | 日産自動車株式会社 | power module |
| JP2017041541A (en) * | 2015-08-20 | 2017-02-23 | 三菱電機株式会社 | High-frequency high-output device |
| JP2019169712A (en) * | 2017-08-02 | 2019-10-03 | 住友電工デバイス・イノベーション株式会社 | Semiconductor device |
| JP2020136674A (en) * | 2019-02-12 | 2020-08-31 | 住友電工デバイス・イノベーション株式会社 | Semiconductor module and semiconductor device housing body |
| WO2020230457A1 (en) * | 2019-05-16 | 2020-11-19 | Ｎｇｋエレクトロデバイス株式会社 | Power semiconductor module and method for manufacturing same |
| US11901268B2 (en) | 2019-06-25 | 2024-02-13 | NGK Electronics Devices, Inc. | Package with an electrode-attached frame supported by a heat sink, and method for manufacturing power semiconductor module provided therewith |
| US11978682B2 (en) | 2019-06-25 | 2024-05-07 | NGK Electronics Devices, Inc. | Package, and method for manufacturing power semiconductor module |
-
2002
- 2002-03-20 JP JP2002077926A patent/JP3816821B2/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (26)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007528601A (en) * | 2004-03-09 | 2007-10-11 | インフィネオン テクノロジーズ アクチエンゲゼルシャフト | Reliable, cost effective and thermally strong AuSn die attach technology |
| JP4700681B2 (en) * | 2004-03-09 | 2011-06-15 | インフィネオン テクノロジーズ アクチエンゲゼルシャフト | Si circuit die, method of manufacturing Si circuit die, method of attaching Si circuit die to heat sink, circuit package and power module |
| JP2006041272A (en) * | 2004-07-28 | 2006-02-09 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Semiconductor device and package therefor |
| JP2009513026A (en) * | 2005-10-24 | 2009-03-26 | フリースケール セミコンダクター インコーポレイテッド | Semiconductor structure and assembly method |
| JP2012049224A (en) * | 2010-08-25 | 2012-03-08 | Kyocera Corp | Packaging structure and method of manufacturing the same |
| CN102064137A (en) * | 2010-12-06 | 2011-05-18 | 日月光半导体制造股份有限公司 | Semiconductor structure with metal frame |
| CN104517909A (en) * | 2013-09-30 | 2015-04-15 | 英飞凌科技股份有限公司 | Semiconductor module including printed circuit board, and method for producing same |
| US9609748B2 (en) | 2013-09-30 | 2017-03-28 | Infineon Technologies Ag | Semiconductor module comprising printed circuit board and method for producing a semiconductor module comprising a printed circuit board |
| CN104517909B (en) * | 2013-09-30 | 2017-12-15 | 英飞凌科技股份有限公司 | Semiconductor module and its manufacture method with printed circuit board |
| JP2015138906A (en) * | 2014-01-23 | 2015-07-30 | 日産自動車株式会社 | power module |
| JP2017041541A (en) * | 2015-08-20 | 2017-02-23 | 三菱電機株式会社 | High-frequency high-output device |
| JP2019176149A (en) * | 2017-08-02 | 2019-10-10 | 住友電工デバイス・イノベーション株式会社 | Semiconductor device |
| JP7119276B2 (en) | 2017-08-02 | 2022-08-17 | 住友電工デバイス・イノベーション株式会社 | semiconductor equipment |
| JP2019176150A (en) * | 2017-08-02 | 2019-10-10 | 住友電工デバイス・イノベーション株式会社 | Semiconductor device |
| JP2019176151A (en) * | 2017-08-02 | 2019-10-10 | 住友電工デバイス・イノベーション株式会社 | Semiconductor device |
| JP2019169712A (en) * | 2017-08-02 | 2019-10-03 | 住友電工デバイス・イノベーション株式会社 | Semiconductor device |
| JP7119277B2 (en) | 2017-08-02 | 2022-08-17 | 住友電工デバイス・イノベーション株式会社 | semiconductor equipment |
| JP7103561B2 (en) | 2017-08-02 | 2022-07-20 | 住友電工デバイス・イノベーション株式会社 | Semiconductor equipment |
| JP7081880B2 (en) | 2017-08-02 | 2022-06-07 | 住友電工デバイス・イノベーション株式会社 | Semiconductor device |
| JP2020136674A (en) * | 2019-02-12 | 2020-08-31 | 住友電工デバイス・イノベーション株式会社 | Semiconductor module and semiconductor device housing body |
| JP7364168B2 (en) | 2019-02-12 | 2023-10-18 | 住友電工デバイス・イノベーション株式会社 | Semiconductor module and semiconductor device housing |
| JPWO2020230457A1 (en) * | 2019-05-16 | 2020-11-19 | ||
| WO2020230457A1 (en) * | 2019-05-16 | 2020-11-19 | Ｎｇｋエレクトロデバイス株式会社 | Power semiconductor module and method for manufacturing same |
| JP7159464B2 (en) | 2019-05-16 | 2022-10-24 | Ｎｇｋエレクトロデバイス株式会社 | Power semiconductor module and manufacturing method thereof |
| US11901268B2 (en) | 2019-06-25 | 2024-02-13 | NGK Electronics Devices, Inc. | Package with an electrode-attached frame supported by a heat sink, and method for manufacturing power semiconductor module provided therewith |
| US11978682B2 (en) | 2019-06-25 | 2024-05-07 | NGK Electronics Devices, Inc. | Package, and method for manufacturing power semiconductor module |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3816821B2 (en) | 2006-08-30 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6261868B1 (en) | Semiconductor component and method for manufacturing the semiconductor component | |
| JP3009788B2 (en) | Package for integrated circuit | |
| JP2009513026A (en) | Semiconductor structure and assembly method | |
| JPH02501873A (en) | High-density electronic package and its manufacturing method | |
| JP5091459B2 (en) | Manufacturing method of high heat radiation type electronic component storage package | |
| JP3816821B2 (en) | High frequency power module substrate and manufacturing method thereof | |
| US11121099B2 (en) | Semiconductor device | |
| US7961470B2 (en) | Power amplifier | |
| US6049971A (en) | Casing for integrated circuit chips and method of fabrication | |
| JP2021082714A (en) | Semiconductor device | |
| US6400035B1 (en) | Microwave semiconductor device with improved heat discharge and electrical properties and manufacturing method thereof | |
| JP2001217333A (en) | Hermetically sealed semiconductor package | |
| CN112447615A (en) | Semiconductor device package assembly and method of manufacturing the same | |
| JP2005353867A (en) | Semiconductor apparatus | |
| JP2007157801A (en) | Semiconductor module and its manufacturing method | |
| JP2004022627A (en) | Package for power-amplification semiconductor device, its manufacturing method and power-amplification semiconductor device using it | |
| JP3695706B2 (en) | Semiconductor package | |
| JP2006013241A (en) | Semiconductor device and package therefor | |
| JP2007088190A (en) | Package for receiving high heat-dissipation electronic component | |
| JP2531125B2 (en) | IC chip carrier module | |
| JP2006128534A (en) | Package for storing high heat radiation type electronic component | |
| JP2583507B2 (en) | Semiconductor mounting circuit device | |
| JP2005252121A (en) | Package for storing semiconductor element and method for manufacturing the same | |
| JP2003282752A (en) | Package for high frequency and power module substrate for high frequency | |
| JP2006041272A (en) | Semiconductor device and package therefor |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20040213 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20050617 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050624 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20050808 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060216 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060405 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20060523 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20060608 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Ref document number: 3816821 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100616 Year of fee payment: 4 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100616 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110616 Year of fee payment: 5 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120616 Year of fee payment: 6 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120616 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130616 Year of fee payment: 7 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130616 Year of fee payment: 7 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |