JP2003277699A - Radiation curable adhesive tape for processing semiconductor wafer - Google Patents
Radiation curable adhesive tape for processing semiconductor waferInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウエハの加
工工程（研削、切断およびチップ化）で使用する放射線
硬化型粘着テープに関し、特には、該テープの構成層で
ある粘着剤層の改良技術に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a radiation-curable pressure-sensitive adhesive tape used in semiconductor wafer processing steps (grinding, cutting, and chipping), and more particularly, an improved technique for a pressure-sensitive adhesive layer which is a constituent layer of the tape. Regarding
【０００２】[0002]
【従来の技術】半導体集積回路は、シリコンウエハ表面
上に所定の回路パターンをエッチング形成して組み込
み、次にウエハ裏面を研削機により厚みを１００〜６０
０μｍ程度まで研削した後、最後にダイシングしてチッ
プ化することにより製造されている。この研削およびダ
イシング工程において、放射線硬化型粘着テープが使用
される。すなわち、研削時には、ウエハの表面に貼着さ
せてウエハ表面の回路保護用として、また、ダイシング
時には、ウエハの裏面に貼着させて保持・固定化用とし
て、さらにはこれら加工後のチップの易脱離化用材料と
する。そして、この放射線硬化型粘着テープを使用する
ことにより、研削およびダイシング加工の容易化並びに
ダイシング切断で形成した半導体チップを個別に取り出
す分離操作性の向上化等を図ることができる。なお、粘
着テープとウエハ切断物との分離は、通常、次のように
行う。すなわち、ダイシング後に、先ず、粘着テープの
フィルム基材側から放射線(紫外線等)照射を行って放射
線硬化型粘着テープの粘着剤層を硬化させる。この硬化
は粘着剤層の粘着性を著しく低下させ、テープからのウ
エハの分離を容易にする。次に、同じ基材側からウエハ
切断物をニードルで突き上げ、粘着テープからウエハ切
断物を脱離ないし剥離させ、半導体チップとして分離す
る。それをピックアップし、ダイパッド上にボンディン
グして使用する。2. Description of the Related Art In a semiconductor integrated circuit, a predetermined circuit pattern is formed by etching on the front surface of a silicon wafer, and then the back surface of the wafer is ground by a grinder to a thickness of 100-60.
It is manufactured by grinding to about 0 μm and finally dicing it into chips. A radiation-curable adhesive tape is used in the grinding and dicing steps. That is, during grinding, it is attached to the front surface of the wafer for circuit protection on the front surface of the wafer, and during dicing, it is attached to the back surface of the wafer for holding and fixing. Use as a desorption material. By using this radiation-curable pressure-sensitive adhesive tape, it is possible to facilitate the grinding and dicing processes and improve the operability of separating individual semiconductor chips formed by dicing cutting. The adhesive tape and the wafer cut product are usually separated as follows. That is, after dicing, first, radiation (ultraviolet rays or the like) is irradiated from the film base side of the pressure-sensitive adhesive tape to cure the pressure-sensitive adhesive layer of the radiation-curable pressure-sensitive adhesive tape. This curing significantly reduces the tackiness of the adhesive layer and facilitates separation of the wafer from the tape. Next, a wafer cut product is pushed up by a needle from the same base material side, and the wafer cut product is detached or peeled from the adhesive tape to be separated as a semiconductor chip. It is picked up and bonded on a die pad for use.
【０００３】このような粘着テープに対しては、現在、
次のような要求があり、解決されるべき問題となってい
る。すなわち、加工中は脱離・剥離しない粘着力を有
するが、研削加工後やダイシング加工後のチップとして
の分離時には、紫外線照射による硬化で、容易に剥離で
きてウエハを破損しない低い粘着力に変化すること、
ウエハ表面や裏面にベースポリマーの残存(糊残り、と
称する)を生じず、チップを汚染しないものであるこ
と、環境汚染問題対策としての、紫外線硬化時に臭気
(異臭)を発生しないこと、光重合性物質に伴う使用特
性対策としての、室内光曝露負荷での初期粘着力低下を
起こさないこと、への要求である。上記に関しては、
半導体パッケージが、ＬＯＣやＣＳＰ等の出現で、ダイ
パッドの面積が非常に小さくなったことやウエハ裏面と
封止樹脂とが直接に接触する構造となったことにより、
ウエハ裏面から密着性阻害物質を極力排除する必要性が
生じたことによる。At present, for such adhesive tapes,
There are the following requirements, which are problems to be solved. That is, it has an adhesive force that does not detach or peel during processing, but when it is separated as a chip after grinding or dicing, it is hardened by UV irradiation to change to a low adhesive force that can be easily peeled and does not damage the wafer. What to do,
The base polymer does not remain on the front and back surfaces of the wafer (referred to as adhesive residue) and does not contaminate the chips.
It is a requirement that it does not generate (unpleasant odor), and that it does not cause a decrease in initial adhesive strength under indoor light exposure load as a measure for use characteristics associated with photopolymerizable substances. Regarding the above,
With the advent of LOC, CSP, etc., the semiconductor package has become extremely small in die pad area and has a structure in which the back surface of the wafer and the sealing resin are in direct contact with each other.
This is because it is necessary to remove the adhesion-inhibiting substance from the back surface of the wafer as much as possible.
【０００４】これらの問題に関しては、を除き、各種
の提案がなされている。例えば、特開平１０−２７９８
９４公報では、上記〜の問題は、放射線硬化型粘着
剤層を、従来公知のベースポリマーと従来公知のアクリ
レートからなる放射線重合性化合物に特定の光重合開始
剤を含有させた組成物で形成することにより解決でき
る、と開示している。ここで、特定の光重合開始剤と
は、ポリマー化した、例えば、ポリビニルベンゾイン系
およびポリビニルケトン系のものを指す。With respect to these problems, various proposals have been made except for. For example, JP-A-10-2798
In Japanese Patent Laid-Open No. 94-94, the above-mentioned problems (1) to (3) are formed with a composition in which a radiation-curable pressure-sensitive adhesive layer contains a specific photopolymerization initiator in a radiation-polymerizable compound consisting of a conventionally known base polymer and a conventionally known acrylate. It is disclosed that it can be solved by doing so. Here, the specific photopolymerization initiator refers to, for example, a polymerized polyvinyl benzoin-based or polyvinyl ketone-based one.
【０００５】[0005]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記粘
着剤層を有する放射線硬化型粘着テープは、の改善効
果は認められるものの、に関しては、未だ、糊残りに
よる微少な汚染が有ってチップ裏面と封止樹脂との界面
で剥離が起こり得る状態であり、に関しては、ポリマ
ー化した光重合開始剤を使用すると言えども、末端はベ
ンゾイン系およびケトン系であるため、従来型の光重合
開始剤を使用した場合と同様に、未だ、硬化時に強い臭
気を発生させて環境衛生上問題となるものであった。さ
らには、本発明者らの知見によれば、室内光曝露負荷
で、テープ粘着力が経時的に低下するという問題も未解
決であった。このような状況に鑑み、本発明の目的は、
研削加工およびダイシング加工時には強い粘着力(ここ
で、粘着力と剥離力とは、同じ意味、同じ力である)を
保持し、加工後に放射線を照射して粘着剤層を硬化した
際には充分に低い剥離力に変化し、それによりウエハを
破損させることなく半導体チップとすることができる粘
着剤層を有した粘着テープにおいて、前記粘着剤層が硬
化時に臭気を発生しない、また、ウエハ面への残存粘着
剤による糊残りで半導体チップを汚染しない、さらに
は、室内光による経時暴露負荷においても粘着力(剥離
力)を低下させない、ことにより従来の問題点を解決し
た、半導体ウエハ加工用放射線硬化型粘着テープの提供
である。However, although the radiation-curable pressure-sensitive adhesive tape having the above-mentioned pressure-sensitive adhesive layer is recognized to have an improving effect, it still has a slight contamination due to an adhesive residue, and thus the back surface of the chip has a problem. In the state where peeling can occur at the interface with the encapsulating resin, regarding the fact that a polymerized photopolymerization initiator is used, since the terminals are benzoin type and ketone type, conventional type photopolymerization initiators are used. Similar to the case of using it, a strong odor was still generated during curing, which was a problem in terms of environmental hygiene. Further, according to the findings of the present inventors, the problem that the tape adhesive force decreases with time due to the indoor light exposure load has not been solved. In view of such a situation, the object of the present invention is to
Holds strong adhesive force (here, adhesive force and peeling force have the same meaning and the same force) during grinding and dicing, and is sufficient when the adhesive layer is cured by irradiation after processing. In a pressure-sensitive adhesive tape having a pressure-sensitive adhesive layer capable of forming a semiconductor chip without damaging the wafer, the pressure-sensitive adhesive layer does not generate an odor when cured, and also to the wafer surface. Radiation for semiconductor wafer processing that solves the conventional problems by not contaminating semiconductor chips with adhesive residue due to the remaining adhesive of the above, and further, not decreasing the adhesive force (peeling force) even with the time exposure load due to indoor light. A curable adhesive tape is provided.
【０００６】[0006]
【課題を解決するための手段】本発明者等は、鋭意研究
した結果、放射線硬化型粘着剤層を有する半導体ウエハ
加工用放射線硬化型粘着テープにおいて、前記粘着剤層
の構成成分である放射線硬化性化合物として、従来汎用
である、光重合開始剤とアクリレート化合物を必須成分
とする組成物の代わりに、光重合開始機能を分子内に持
つことにより光重合開始剤を使用する必要がなくて化合
物そのものが光重合可能である、特定のマレイミド誘導
体化合物を使用することで上記目的が達成できることを
見出し、本発明を完成させるに至った。Means for Solving the Problems As a result of intensive studies by the present inventors, in a radiation-curable pressure-sensitive adhesive tape for processing a semiconductor wafer having a radiation-curable pressure-sensitive adhesive layer, the radiation-curable component which is a constituent component of the pressure-sensitive adhesive layer. As a polymerizable compound, it is not necessary to use a photopolymerization initiator by having a photopolymerization initiator in the molecule in place of a composition which is a general-purpose compound and has a photopolymerization initiator and an acrylate compound as essential components. The inventors have found that the above object can be achieved by using a specific maleimide derivative compound, which itself is photopolymerizable, and have completed the present invention.
【０００７】すなわち、本発明は、ベースポリマー中に
放射線硬化性化合物を含有してなる粘着剤層を有した半
導体ウエハ加工用放射線硬化型粘着テープにおいて、前
記放射線硬化性化合物がマレイミド誘導体化合物である
ことを特徴とする半導体ウエハ加工用放射線硬化型粘着
テープである。That is, according to the present invention, in a radiation-curable pressure-sensitive adhesive tape for semiconductor wafer processing having a pressure-sensitive adhesive layer containing a radiation-curable compound in a base polymer, the radiation-curable compound is a maleimide derivative compound. A radiation-curing adhesive tape for semiconductor wafer processing, characterized in that
【０００８】[0008]
【発明の実施の形態】本発明の粘着テープは、粘着剤層
を構成するマレイミド誘導体化合物およびベースポリマ
ーとフィルム基材とを必須成分とし、少なくともフィル
ム基材の片面に、前記粘着剤層を塗布などにより形成
し、さらに通常は、その上に離型紙等を貼着させて、テ
ープ構成としたものである。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION The pressure-sensitive adhesive tape of the present invention comprises a maleimide derivative compound and a base polymer constituting a pressure-sensitive adhesive layer as essential components and a film substrate, and at least one surface of the film substrate is coated with the pressure-sensitive adhesive layer. Etc., and usually, a release paper or the like is attached thereon to form a tape.
【０００９】本発明に使用するマレイミド誘導体化合物
としては、例えば、Ｎ−メチルマレイミド、Ｎ−エチル
マレイミド、Ｎ−プロピルマレイミド、Ｎ−ブチルマレ
イミド、Ｎ−ヘキシルマレイミド、Ｎ−ラウリルマレイ
ミド、２−マレイミドエチル−エチルカーボネート、２
−マレイミドエチル−イソプロピルカーボネート、Ｎ−
エチル−（２−マレイミドエチル）カーバメート、Ｎ−
シクロヘキシルマレイミドの如き単官能脂肪族マレイミ
ド類；Ｎ−フェニルマレイミド、Ｎ−（２−メチルフェ
ニル）マレイミド、Ｎ−（２−エチルフェニル）マレイ
ミド、Ｎ−（２，６−ジエチルフェニル）マレイミド、
Ｎ−（２−クロロフェニル）マレイミド、Ｎ−（４−ヒ
ドロキシフェニル）マレイミド、の如き芳香族単官能マ
レイミド類；Ｎ，Ｎ’−メチレンビスマレイミド、Ｎ，
Ｎ’−エチレンビスマレイミド、Ｎ，Ｎ’−トリメチレ
ンビスマレイミド、Ｎ，Ｎ’−ヘキサメチレンビスマレ
イミド、Ｎ，Ｎ’−ドデカメチレンビスマレイミド、ポ
リプロピレングリコール−ビス（３−マレイミドプロピ
ル）エーテル、テトラエチレングリコール−ビス（３−
マレイミドプロピル）エーテル、ビス（２−マレイミド
エチル）カーボネート、１，４−ビス（マレイミド）シ
クロヘキサン、特開平１１−２９２８７４号公報に開示
されている、トリス（ヒドロキシエチル）イソシアヌレ
ートと脂肪族マレイミドカルボン酸とを脱水エステル化
して得られるイソシアヌレート骨格のマレイミドエステ
ル化合物、トリス（カーバメートヘキシル）イソシアヌ
レートと脂肪族マレイミドアルコールとをウレタン化し
て得られるイソシアヌレート骨格のマレイミドウレタン
化合物等のイソシアヌル骨格ポリマレイミド類、米国特
許第６０３４１５０号公報に開示されているイソホロン
ビスウレタンビス（Ｎ−エチルマレイミド）、トリエチ
レングリコールビスマレイミドエチルカーボネート)、
特開平１１−１２４４０３号公報に開示されている、脂
肪族マレイミドカルボン酸と各種脂肪族ポリオールとを
脱水エステル化、又は脂肪族マレイミドカルボン酸エス
テルと各種脂肪族ポリオールとをエステル交換反応して
得られる脂肪族ポリマレイミドエステル化合物類、特開
平１１−１２４４０３号公報に開示されている、脂肪族
マレイミドカルボン酸と各種脂肪族ポリエポキシドとを
エーテル開環反応して得られる脂肪族ポリマレイミドエ
ステル化合物類、特開平１１−１２４４０４号公報に開
示されている、脂肪族マレイミドアルコールと各種脂肪
族ポリイソシアネートとのウレタン化反応して得られる
脂肪族ポリマレイミドウレタン化合物類の如き脂肪族多
官能マレイミド類；Ｎ，Ｎ’−（４，４’−ジフェニル
メタン）ビスマレイミド、Ｎ，Ｎ’−（４，４’−ジフ
ェニルオキシ）ビスマレイミド、Ｎ，Ｎ’−ｐ−フェニ
レンビスマレイミド、Ｎ，Ｎ’−ｍ−フェニレンビスマ
レイミド、Ｎ，Ｎ’−２，４−トリレンビスマレイミ
ド、Ｎ，Ｎ’−２，６−トリレンビスマレイミド、特開
平１１−１２４４０３号公報に開示されている、マレイ
ミドカルボン酸と各種芳香族ポリオールとを脱水エステ
ル化、又はマレイミドカルボン酸エステルと各種芳香族
ポリオールとをエステル交換反応して得られる芳香族ポ
リマレイミドエステル化合物類、特開平１１−１２４４
０３号公報に開示されている、マレイミドカルボン酸と
各種芳香族ポリエポキシドとをエーテル開環反応して得
られる芳香族ポリマレイミドエステル化合物類、特開平
１１−１２４４０４号公報に開示されている、マレイミ
ドアルコールと各種芳香族ポリイソシアネートとのウレ
タン化反応して得られる芳香族ポリマレイミドウレタン
化合物類の如き芳香族多官能マレイミド類、等が挙げら
れるが、これらに限定されるものではなく、特開平１１
−３０２２７８号公報に開示されているマレイミドカル
ボン酸とテトラヒドロフルフリルアルコールとを反応し
て得られる単官能マレイミド類も使用できる。Examples of the maleimide derivative compound used in the present invention include N-methylmaleimide, N-ethylmaleimide, N-propylmaleimide, N-butylmaleimide, N-hexylmaleimide, N-laurylmaleimide and 2-maleimidoethyl. -Ethyl carbonate, 2
-Maleimidoethyl-isopropyl carbonate, N-
Ethyl- (2-maleimidoethyl) carbamate, N-
Monofunctional aliphatic maleimides such as cyclohexylmaleimide; N-phenylmaleimide, N- (2-methylphenyl) maleimide, N- (2-ethylphenyl) maleimide, N- (2,6-diethylphenyl) maleimide,
Aromatic monofunctional maleimides such as N- (2-chlorophenyl) maleimide and N- (4-hydroxyphenyl) maleimide; N, N'-methylenebismaleimide, N,
N'-ethylene bismaleimide, N, N'-trimethylene bismaleimide, N, N'-hexamethylene bismaleimide, N, N'-dodecamethylene bismaleimide, polypropylene glycol-bis (3-maleimidopropyl) ether, tetra Ethylene glycol-bis (3-
Maleimidopropyl) ether, bis (2-maleimidoethyl) carbonate, 1,4-bis (maleimido) cyclohexane, tris (hydroxyethyl) isocyanurate and aliphatic maleimidocarboxylic acid disclosed in JP-A No. 11-292874. Isocyanuric skeleton polymaleimides such as maleimide urethane compound of isocyanurate skeleton obtained by urethane-forming isocyanurate skeleton maleimide ester compound obtained by dehydration esterification, and tris (carbamatehexyl) isocyanurate and aliphatic maleimide alcohol, Isophorone bisurethane bis (N-ethylmaleimide), triethylene glycol bismaleimidoethyl carbonate) disclosed in US Pat. No. 6,034,150,
Obtained by dehydration esterification of an aliphatic maleimide carboxylic acid and various aliphatic polyols disclosed in JP-A No. 11-124403, or transesterification reaction of an aliphatic maleimide carboxylic acid ester with various aliphatic polyols. Aliphatic polymaleimide ester compounds, disclosed in JP-A-11-124403, aliphatic polymaleimide ester compounds obtained by ether ring-opening reaction of aliphatic maleimide carboxylic acid and various aliphatic polyepoxides, Aliphatic polyfunctional maleimides such as aliphatic polymaleimide urethane compounds obtained by urethanization reaction of aliphatic maleimide alcohol with various aliphatic polyisocyanates, disclosed in Kaihei 11-124404; N, N '-(4,4'-diphenylmethane) bismale N, N '-(4,4'-diphenyloxy) bismaleimide, N, N'-p-phenylene bismaleimide, N, N'-m-phenylene bismaleimide, N, N'-2,4- Tolylene bismaleimide, N, N'-2,6-tolylene bismaleimide, dehydrated esterification of maleimide carboxylic acid and various aromatic polyols disclosed in JP-A-11-124403, or maleimide carboxylic acid Aromatic polymaleimide ester compounds obtained by transesterification of ester with various aromatic polyols, JP-A-11-1244
Aromatic polymaleimide ester compounds obtained by subjecting maleimide carboxylic acid and various aromatic polyepoxides to an ether ring-opening reaction disclosed in JP-A No. 03-2003, and maleimide alcohol disclosed in JP-A No. 11-124404. Examples thereof include aromatic polyfunctional maleimides such as aromatic polymaleimide urethane compounds obtained by the urethanization reaction of styrene with various aromatic polyisocyanates, but are not limited thereto.
Monofunctional maleimides obtained by reacting maleimide carboxylic acid and tetrahydrofurfuryl alcohol disclosed in JP-A-302278 can also be used.
【００１０】上記のマレイミド誘導体化合物のなかで
も、脂肪族多官能マレイミド類は、硬化が速く、得られ
る硬化塗膜の物性に優れるため好ましい。特に、アルキ
ル鎖長が１〜６のマレイミドアルキルカルボン酸と、数
平均分子量１００〜１０００のポリエチレングリコール
及び／又は数平均分子量１００〜１０００のポリプロピ
レングリコール及び／又は数平均分子量１００〜１００
０のポリテトラメチレングリコールとを脱水エステル
化、又はアルキル鎖長が１〜６のマレイミドアルキルカ
ルボン酸エステルと、数平均分子量１００〜１０００の
ポリエチレングリコール及び／又は数平均分子量１００
〜１０００のポリプロピレングリコール及び／又は数平
均分子量１００〜１０００のポリテトラメチレングリコ
ールとをエステル交換反応して得られる下記一般式
（２）Among the above maleimide derivative compounds, aliphatic polyfunctional maleimides are preferable because they cure quickly and the resulting cured coating film has excellent physical properties. Particularly, a maleimide alkylcarboxylic acid having an alkyl chain length of 1 to 6, a polyethylene glycol having a number average molecular weight of 100 to 1000 and / or a polypropylene glycol having a number average molecular weight of 100 to 1000, and / or a number average molecular weight of 100 to 100.
0 dehydration esterification with polytetramethylene glycol, or a maleimide alkylcarboxylic acid ester having an alkyl chain length of 1 to 6 and polyethylene glycol having a number average molecular weight of 100 to 1000 and / or a number average molecular weight of 100.
-1000 polypropylene glycol and / or polytetramethylene glycol having a number average molecular weight of 100-1000, which is obtained by the transesterification reaction, represented by the following general formula (2).
【００１１】[0011]
【化２】
(但し、ｍは１〜６、ｎは２〜２３の整数、Ｒは水素原
子又はメチル基を表わす)または下記一般式（３）[Chemical 2] (However, m is 1 to 6, n is an integer of 2 to 23, R is a hydrogen atom or a methyl group) or the following general formula (3).
【００１２】[0012]
【化３】
(但し、ｍは１〜６、ｐは２〜１４の整数を表わす)で表
される脂肪族ビスマレイミド化合物は、硬化速度と塗膜
物性とのバランスに優れるため推奨される。[Chemical 3] The aliphatic bismaleimide compound represented by (where m is an integer of 1 to 6 and p is an integer of 2 to 14) is recommended because it has an excellent balance between the curing speed and the physical properties of the coating film.
【００１３】本発明に使用する放射線硬化型粘着剤層用
のベースポリマーは、特に限定されず、従来公知のもの
を広く使用できる。例えば、天然ゴムや各種の合成ゴム
等のゴム系ポリマー、（メタ）アクリル酸アルキルエス
テルとこれと重合可能な他の不飽和単量体との共重合体
からなるアクリル系ポリマー等がある。これらのベース
ポリマーは、分子内に放射線にて重合する炭素−炭素２
重結合を持ったものであってもよい。The base polymer for the radiation-curable pressure-sensitive adhesive layer used in the present invention is not particularly limited, and conventionally known ones can be widely used. For example, there are rubber-based polymers such as natural rubber and various synthetic rubbers, acrylic-based polymers made of a copolymer of (meth) acrylic acid alkyl ester and other polymerizable unsaturated monomer. These base polymers are carbon-carbon 2 which is polymerized by radiation in the molecule.
It may have a heavy bond.
【００１４】また、本発明に係る放射線硬化型粘着剤層
は、前記ベースポリマーに前記マレイミド誘導体化合物
を含有させてなるものであるが、任意成分として、ポリ
イソシアネート化合物、アルキルエーテル化メラミン化
合物、エポキシ系化合物、シランカップリング剤などの
公知の熱架橋剤を含有させることができる。さらに必要
に応じて、放射線照射前後の粘着力（剥離力）を調整す
るために、マレイミド誘導体化合物以外の放射線硬化性
化合物、例えば脂肪族ポリオールのポリアクリレートや
ポリメタクリレートさらにはウレタンアクリレート等の
１種以上を併用することができる。それら放射線硬化性
化合物としては、例えば、ヘキサンジオールジ（メタ）
アクリレート、（ポリ）エチレングリコールジ（メタ）
アクリレート、（ポリ）プロピレングリコールジ（メ
タ）アクリレート、ネオペンチルグリコールジ（メタ）
アクリレート、ペンタエリスリトールジ（メタ）アクリ
レート、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレ
ート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレー
ト、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレー
ト、２−ヒドロキシエチル−ビス（２−アクリロキシエ
チル）イソシアヌレート、トリス（２−アクリロキシエ
チル）イソシアヌレート、その他エポキシアクリレー
ト、ポリエステルアクリレート、ウレタンアクリレート
等を挙げることができる。なおさらに、タッキファイ
ア、粘着調整剤、界面活性剤、その他改質剤等を含有さ
せることもできる。The radiation-curable pressure-sensitive adhesive layer according to the present invention comprises the above-mentioned base polymer and the above maleimide derivative compound. As an optional component, a polyisocyanate compound, an alkyl etherified melamine compound, or an epoxy compound is used. A known thermal crosslinking agent such as a system compound and a silane coupling agent can be contained. Further, if necessary, in order to adjust the adhesive force (peeling force) before and after irradiation with radiation, one type of radiation-curable compound other than the maleimide derivative compound, for example, polyacrylate or polymethacrylate of aliphatic polyol, or urethane acrylate. The above can be used together. Examples of such radiation-curable compounds include hexanediol di (meth)
Acrylate, (poly) ethylene glycol di (meth)
Acrylate, (poly) propylene glycol di (meth) acrylate, neopentyl glycol di (meth)
Acrylate, pentaerythritol di (meth) acrylate, trimethylolpropane tri (meth) acrylate, pentaerythritol tri (meth) acrylate, dipentaerythritol hexa (meth) acrylate, 2-hydroxyethyl-bis (2-acryloxyethyl) isocyanate Nurate, tris (2-acryloxyethyl) isocyanurate, epoxy acrylate, polyester acrylate, urethane acrylate and the like can be mentioned. Furthermore, a tackifier, an adhesion modifier, a surfactant, and other modifiers may be contained.
【００１５】本発明に係る粘着剤層でのマレイミド誘導
体化合物の使用量は、ベースポリマー１００質量部に対
して１〜１００質量部であるが、より好ましくは１〜５
０質量部である。The amount of the maleimide derivative compound used in the pressure-sensitive adhesive layer according to the present invention is 1 to 100 parts by mass, preferably 1 to 5 parts by mass, based on 100 parts by mass of the base polymer.
It is 0 part by mass.
【００１６】本発明に使用するフィルム基材は、ダイシ
ング後に基材側から放射線を照射するため、放射線透過
性であることが必要である。また、ウエハ加工時の衝撃
緩和能や洗浄水等に耐える強度を有していることを要
し、これらに適した材質や厚みを選択する必要がある。
さらに、フィルム基材の粘着剤層を形成する側は、粘着
剤と基材との密着性を向上させるためコロナ処理等を実
施することが望ましい。これらフィルム基材として使用
できるポリマーの例としては、次のようなものが挙げら
れる。ポリエチレン、ポリプロピレン、エチレン−プロ
ピレン共重合体、１−ポリフ゛テン、ポリ１，４−メチル
ペンテン、エチレン−酢酸ビニル共重合体、エチレン−
アクリル酸メチル共重合体、エチレン−アクリル酸エチ
ル共重合体、エチレン−アクリル酸共重合体、アイオノ
マー等のα−オレフィンの単独重合体または共重合体あ
るいはこれらの混合物。ポリ塩化ビニル、塩化ビニル−
エチレン共重合体、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、
塩化ビニル−エチレン−酢酸ビニル共重合体等の塩化ビ
ニル系単独重合体または共重合体あるいはこれらの混合
物。フッ化ビニル−エチレン共重合体、フッ化ビニデン
−エチレン共重合体、ＦＥＰ、ＰＦＡ等のフッ素系ポリ
マー、その他ポリエチレンテレフタレート、ポリカーボ
ネート、ポリメチルメタクリレート等が挙げられる。ま
た、これらフィルム基材の厚みは、通常、１０〜３００
μとするのが好ましい。The film substrate used in the present invention is irradiated with radiation from the substrate side after dicing, and therefore it is necessary that the film substrate be radiation transmissive. In addition, it is necessary to have a shock absorbing ability during wafer processing and strength to withstand cleaning water and the like, and it is necessary to select a material and a thickness suitable for these.
Further, on the side of the film substrate on which the pressure-sensitive adhesive layer is formed, it is desirable to perform corona treatment or the like in order to improve the adhesion between the pressure-sensitive adhesive and the substrate. Examples of polymers that can be used as these film base materials include the following. Polyethylene, polypropylene, ethylene-propylene copolymer, 1-polybutene, poly-1,4-methylpentene, ethylene-vinyl acetate copolymer, ethylene-
Homopolymers or copolymers of α-olefins such as methyl acrylate copolymers, ethylene-ethyl acrylate copolymers, ethylene-acrylic acid copolymers, ionomers, or mixtures thereof. Polyvinyl chloride, vinyl chloride-
Ethylene copolymer, vinyl chloride-vinyl acetate copolymer,
A vinyl chloride-based homopolymer or copolymer such as a vinyl chloride-ethylene-vinyl acetate copolymer or a mixture thereof. Examples thereof include a vinyl fluoride-ethylene copolymer, a vinylidene fluoride-ethylene copolymer, a fluorine-based polymer such as FEP and PFA, polyethylene terephthalate, polycarbonate, polymethyl methacrylate and the like. The thickness of these film base materials is usually 10 to 300.
It is preferably set to μ.
【００１７】本発明の半導体ウエハ加工用放射線硬化型
粘着テープにおける粘着剤層の製造方法としては、前記
放射線硬化型粘着剤を前記フィルム基材の片面に直接塗
工して加熱乾燥する方法、あるいは剥離用基材（セパレ
ーター）に一端塗工して乾燥した後、該粘着テープ用フ
ィルム基材の片面に転写する方法がある。また、放射線
硬化型粘着剤層の厚さは、特に制限はないが、通常２〜
１００μとする。尚、粘着剤層は配合成分の異なる多層
構造としてもよい。The method for producing the pressure-sensitive adhesive layer in the radiation-curable pressure-sensitive adhesive tape for processing a semiconductor wafer according to the present invention is a method in which the radiation-curable pressure-sensitive adhesive is directly coated on one side of the film base material and dried by heating, or There is a method in which the base material for peeling (separator) is coated on one side, dried, and then transferred to one side of the film base material for adhesive tape. The thickness of the radiation-curable pressure-sensitive adhesive layer is not particularly limited, but is usually 2
100 μ. The pressure-sensitive adhesive layer may have a multi-layer structure in which the components are mixed.
【００１８】本発明の放射線硬化型粘着テープを用いて
半導体ウエハの加工を行うには、半導体ウエハの表面ま
たは裏面に該粘着テープを貼着した後、常法により、ウ
エハ裏面の研削加工、ダイシング加工を実施すれば良
い。その際、粘着テープの粘着力は十分に大きいために
剥離等の支障をきたさず、また、ウエハ破損等の不都合
が生じることもない。この加工後、粘着テープの基材側
から紫外線・電子線等の放射線を照射して、粘着テープ
の放射線硬化型粘着剤層を硬化させる。これにより、粘
着力が著しく低下してウエハからの剥離が容易となり、
その後のピックアップ作業を容易にすることができる。
しかも、硬化時に臭気を発生することがなく、環境上の
問題を起こすことがない。また、剥離後に、ウエハの極
表面での糊残り汚染がみられず、それにより、チップ裏
面と封止樹脂との界面で、剥離等が発生することがな
い。To process a semiconductor wafer using the radiation-curable pressure-sensitive adhesive tape of the present invention, the pressure-sensitive adhesive tape is attached to the front surface or the back surface of the semiconductor wafer, and then the back surface of the wafer is ground and diced by a conventional method. Processing may be carried out. At that time, since the adhesive strength of the adhesive tape is sufficiently large, it does not cause any trouble such as peeling, and does not cause inconvenience such as wafer damage. After this processing, radiation such as ultraviolet rays and electron beams is irradiated from the base material side of the adhesive tape to cure the radiation-curable adhesive layer of the adhesive tape. As a result, the adhesive strength is significantly reduced, making it easier to peel from the wafer,
Subsequent pickup work can be facilitated.
Moreover, no odor is generated during curing, and no environmental problem occurs. In addition, after the peeling, no adhesive residue contamination is observed on the extreme surface of the wafer, whereby peeling or the like does not occur at the interface between the chip back surface and the sealing resin.
【００１９】[0019]
【実施例】次に、実施例及び比較例により本発明を更に
詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるもので
はない。尚、以下に表示する部は、揮発性の溶剤成分を
除く、固形分としての質量部である。EXAMPLES Next, the present invention will be described in more detail with reference to Examples and Comparative Examples, but the present invention is not limited thereto. The parts shown below are parts by mass as solid content excluding volatile solvent components.
【００２０】〔合成例１〕攪拌装置、温度計、ディーン
スターク型分留器を備えた容量１Ｌのセパラブルフラス
コに、数平均分子量２５０のポリテトラメチレングリコ
ール（デュポン社製：テラサン２５０）１２５ｇ（０．
５モル）、マレイミド酢酸１７１ｇ（１．１モル）、ｐ
−トルエンスルホン酸・１水和物１２ｇ、ヒドロキノン
０．１５ｇ、トルエン２００mlを仕込み、３５ｋＰａ、
８０℃の条件で生成する水を除去しながら４時間攪拌し
て反応を終了した。反応混合物にトルエン２００mlを加
え、飽和炭酸水素ナトリウム１００mlで３回、飽和食塩
水１００mlで２回洗浄した。得られた有機層を濃縮し、
下記一般式(１)[Synthesis Example 1] 125 g of polytetramethylene glycol (Terasan 250 manufactured by DuPont) having a number average molecular weight of 250 was placed in a separable flask having a volume of 1 L equipped with a stirrer, a thermometer, and a Dean-Stark type fractionator. 0.
5 mol), 171 g (1.1 mol) of maleimidoacetic acid, p
-Toluenesulfonic acid monohydrate 12 g, hydroquinone 0.15 g, and toluene 200 ml were charged, and 35 kPa,
The reaction was completed by stirring for 4 hours while removing water produced under the condition of 80 ° C. To the reaction mixture was added 200 ml of toluene, and the mixture was washed 3 times with 100 ml of saturated sodium hydrogen carbonate and twice with 100 ml of saturated saline. The obtained organic layer is concentrated,
The following general formula (1)
【００２１】[0021]
【化４】
（但し、ｎは１〜２,５００の整数を表わす）で表され
るマレイミド誘導体化合物を得た。[Chemical 4] (However, n represents an integer of 1 to 2,500) to obtain a maleimide derivative compound.
【００２２】（実施例１）ベースポリマーとして市販の
ｎ−ブチルアクリレート系ポリマー（重量平均分子量６
０万）５０部、合成例１で得られたマレイミド誘導体化
合物１０部、ユニディック１７−８１３（大日本インキ
化学工業社製：ウレタンアクリレート）５０部、架橋剤
としてのコロネートＬ（ポリイソシアネート化合物）
１．５部を揮発性溶剤中で混合して、放射線硬化型粘着
剤溶液を調製した。この放射線硬化型粘着剤溶液を用い
て、厚さが３８μｍのＰＥＴフィルムからなるセパレー
ターの片面に乾燥後の厚みが１０μｍとなるように塗布
し、１００℃で２分間乾燥して溶剤分を留去させた後、
厚さが１００μｍのポリオレフィン系フィルムにラミネ
ートし、さらにこれを４０℃恒温漕中で３日間エージン
グさせることにより、半導体ウエハ加工用放射線硬化型
粘着テープサンプルを作製した。Example 1 A commercially available n-butyl acrylate polymer (weight average molecular weight 6) was used as a base polymer.
50,000 parts, 10 parts of the maleimide derivative compound obtained in Synthesis Example 1, 50 parts of Unidick 17-813 (manufactured by Dainippon Ink and Chemicals, Inc .: urethane acrylate), Coronate L (polyisocyanate compound) as a crosslinking agent.
A radiation-curable pressure-sensitive adhesive solution was prepared by mixing 1.5 parts in a volatile solvent. Using this radiation-curable pressure-sensitive adhesive solution, one side of a separator made of a PET film having a thickness of 38 μm was applied so that the thickness after drying would be 10 μm, and dried at 100 ° C. for 2 minutes to remove the solvent component. After letting
A radiation-curable pressure-sensitive adhesive tape sample for semiconductor wafer processing was prepared by laminating it on a polyolefin film having a thickness of 100 μm and aging it for 3 days in a constant temperature bath at 40 ° C.
【００２３】（実施例２）実施例１のポリマー５０部、
合成例１で得られたマレイミド誘導体化合物８部、アロ
ニックスＭ−３１５（東亜合成社製：トリス（アクリロ
キシエチル）イソシアヌレート）４０部、架橋剤として
のコロネートＬ２．５部を揮発性溶剤中で混合して、放
射線硬化型粘着剤溶液を調製した。この粘着剤溶液を用
いて、上記実施例１と同様にして、半導体ウエハ加工用
放射線硬化型粘着テープサンプルを作製した。(Example 2) 50 parts of the polymer of Example 1
In a volatile solvent, 8 parts of the maleimide derivative compound obtained in Synthesis Example 1, 40 parts of Aronix M-315 (manufactured by Toagosei Co., Ltd .: tris (acryloxyethyl) isocyanurate), and 2.5 parts of Coronate L as a crosslinking agent were added in a volatile solvent. The mixture was mixed to prepare a radiation curable pressure sensitive adhesive solution. Using this adhesive solution, a radiation-curable adhesive tape sample for semiconductor wafer processing was prepared in the same manner as in Example 1 above.
【００２４】（実施例３）実施例１のポリマー５０部、
合成例１で得られたマレイミド誘導体化合物６部、ＤＰ
ＨＡ（ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート）３
５部、架橋剤としてのコロネートＬ１．５部を揮発性溶
剤中で混合して、放射線硬化型粘着剤溶液を調製した。
この粘着剤溶液を用いて、上記実施例１と同様にして、
半導体ウエハ加工用放射線硬化型粘着テープサンプルを
作製した。(Example 3) 50 parts of the polymer of Example 1
6 parts of maleimide derivative compound obtained in Synthesis Example 1, DP
HA (dipentaerythritol hexaacrylate) 3
A radiation-curable pressure-sensitive adhesive solution was prepared by mixing 5 parts and 1.5 parts of Coronate L as a crosslinking agent in a volatile solvent.
Using this adhesive solution, in the same manner as in Example 1 above,
A radiation curable adhesive tape sample for semiconductor wafer processing was prepared.
【００２５】（比較例１）実施例１におけるマレイミド
誘導体化合物１０部の代わりにイルガキュア１８４（チ
バ・スペシャリティーケミカルズ社製：光重合開始剤）
２．５部を用いる以外は実施例１と同様にして放射線硬
化型粘着剤溶液を調製し、これを用いて半導体ウエハ加
工用放射線硬化型粘着テープサンプルを作製した。Comparative Example 1 Irgacure 184 (manufactured by Ciba Specialty Chemicals: photopolymerization initiator) instead of 10 parts of the maleimide derivative compound in Example 1
A radiation-curable pressure-sensitive adhesive solution was prepared in the same manner as in Example 1 except that 2.5 parts was used, and a radiation-curable pressure-sensitive adhesive tape sample for semiconductor wafer processing was prepared using this solution.
【００２６】（比較例２）実施例２におけるマレイミド
誘導体化合物８部の代わりにイルガキュア１８４（チバ
・スペシャリティーケミカルズ社製：光重合開始剤）２
部を用いる以外は実施例１と同様にして放射線硬化型粘
着剤溶液を調製し、これを用いて半導体ウエハ加工用放
射線硬化型粘着テープサンプルを作製した。Comparative Example 2 Irgacure 184 (manufactured by Ciba Specialty Chemicals: photopolymerization initiator) 2 instead of 8 parts of the maleimide derivative compound in Example 2
A radiation-curable pressure-sensitive adhesive solution was prepared in the same manner as in Example 1 except that parts were used, and a radiation-curable pressure-sensitive adhesive tape sample for semiconductor wafer processing was prepared using this solution.
【００２７】（比較例３）実施例３におけるマレイミド
誘導体化合物８部の代わりに２，４−ジエチルチオキサ
ントン（汎用、光重合開始剤）２部を用いる以外は実施
例１と同様にして放射線硬化型粘着剤溶液を調製し、こ
れを用いて半導体ウエハ加工用放射線硬化型粘着テープ
サンプルを作製した。Comparative Example 3 A radiation-curable type was prepared in the same manner as in Example 1 except that 2 parts of 2,4-diethylthioxanthone (general-purpose photopolymerization initiator) was used instead of 8 parts of the maleimide derivative compound in Example 3. A pressure-sensitive adhesive solution was prepared and used to prepare a radiation-curable pressure-sensitive adhesive tape sample for semiconductor wafer processing.
【００２８】以上の実施例１〜３及び比較例１〜３の各
半導体ウエハ加工用放射線硬化型粘着テープサンプルに
ついて、放射線照射後における臭気発生の有無、半導体
ウエハに貼着して放射線照射により粘着剤層を硬化した
後に粘着テープを剥離したときのウエハ面の糊残り汚染
状態、放射線照射前後での粘着力（剥離強度）値、さら
に、前記硬化用の放射線照射は行わずに市販の蛍光灯下
に暴露した時の粘着力（剥離強度）の経時変化を以下の
方法で測定・評価した。結果は、表１および表２に記載
した。Regarding the radiation-curable adhesive tape samples for processing semiconductor wafers of Examples 1 to 3 and Comparative Examples 1 to 3 described above, the presence or absence of odor after irradiation of radiation, and sticking to the semiconductor wafer by radiation irradiation. The state of adhesive residue contamination on the wafer surface when the adhesive tape is peeled off after the agent layer is cured, the adhesive strength (peel strength) value before and after irradiation with radiation, and the commercially available fluorescent lamp without the irradiation for curing. The change with time of the adhesive force (peel strength) when exposed to the bottom was measured and evaluated by the following method. The results are shown in Tables 1 and 2.
【００２９】＜臭気の測定＞実施例、比較例の各半導体
ウエハ加工用放射線硬化型粘着テープを半導体用シリコ
ンウエハの鏡面に貼り付け、１時間放置した。基材側か
ら、１２０Ｗ／ｃｍ高圧水銀ランプ（ＧＳ日本電池社
製）により、５００ｍＪ／ｃｍ２の紫外線を照射し、粘
着剤層を硬化させた。硬化後の臭気発生の有無を調べ、
臭気が感じられない場合を○、臭気を感じる場合を×と
評価した。<Measurement of Odor> The radiation-curable adhesive tapes for semiconductor wafer processing of Examples and Comparative Examples were attached to the mirror surface of a semiconductor silicon wafer and left for 1 hour. A 120 W / cm high-pressure mercury lamp (manufactured by GS Nippon Battery Co., Ltd.) was used to irradiate ultraviolet rays of 500 mJ / cm 2 from the substrate side to cure the adhesive layer. Check for the occurrence of odor after curing,
The case where no odor was felt was rated as ○, and the case where odor was felt was rated as ×.
【００３０】＜ウエハ面の汚染度合の測定＞上記と同様
に紫外線照射して粘着剤層を硬化させた後、粘着テープ
を剥離し、シリコンウエハ面をＥＳＣＡ（島津製ＥＳＣ
Ａ７５０）により表面分析した。炭素に由来する２８４
ｅＶにおけるピークとケイ素に由来する１００ｅＶにお
けるピークとの面積比Ｃ／Ｓｉを算出した。Ｃ／Ｓｉが
大きい程、汚染度合が高い。<Measurement of Degree of Contamination on Wafer Surface> After the adhesive layer was cured by irradiating ultraviolet rays in the same manner as above, the adhesive tape was peeled off, and the silicon wafer surface was subjected to ESCA (ESC manufactured by Shimadzu).
Surface analysis according to A750). 284 derived from carbon
The area ratio C / Si between the peak at eV and the peak at 100 eV derived from silicon was calculated. The larger C / Si, the higher the degree of contamination.
【００３１】＜放射線照射前後の粘着力（剥離強度）値
の測定＞ＪＩＳ Ｚ ０２３７に準拠して粘着力（剥離
強度）を測定した。実施例および比較例の各サンプルを
２５ｍｍ幅で長さ１２ｃｍに切断したものを夫々２枚ず
つ作製し、これらを半導体用シリコンウエハの鏡面に貼
り付け、１時間放置した。このままでの剥離強度測定値
を放射線(紫外線)照射前の値、放射線を照射した後の測
定値を放射線照射後の値とした。ここで、剥離強度測定
条件は、剥離角度１８０度、剥離速度３００ｍｍ／ｍｉ
ｎであり、フィルム基材側からの紫外線照射による硬化
条件は、１２０Ｗ／ｃｍ高圧水銀ランプ（ＧＳ日本電池
(株)製）使用で５００ｍＪ／ｃｍ２である。<Measurement of Adhesive Strength (Peeling Strength) Values Before and After Radiation Irradiation> The adhesive strength (peeling strength) was measured according to JIS Z 0237. Each of the samples of Examples and Comparative Examples was cut into a piece having a width of 25 mm and a length of 12 cm, and two pieces each were prepared. The pieces were attached to a mirror surface of a silicon wafer for semiconductor and left for 1 hour. The peel strength measurement value as it was was taken as the value before irradiation with radiation (ultraviolet rays), and the measurement value after irradiation with radiation was taken as the value after irradiation with radiation. Here, the peel strength measurement conditions are a peel angle of 180 degrees and a peel speed of 300 mm / mi.
n, and the curing condition by irradiation of ultraviolet rays from the film base side is 120 W / cm high pressure mercury lamp (GS Japan Battery
(Manufactured by Co., Ltd.) is 500 mJ / cm 2 .
【００３２】＜放射線照射は不実施、蛍光灯下暴露にお
ける粘着力の経時変化値の測定＞実施例および比較例の
各サンプルを、照度２００ルクスの市販の蛍光灯光下に
暴露し、３日、５日、１０日間経過後の粘着力を、前記
と同様の剥離強度の測定方法および条件で測定した。<No Radiation Irradiation, Measurement of Change in Adhesive Strength with Time under Exposure to Fluorescent Lamp> Each sample of Examples and Comparative Examples was exposed to a commercially available fluorescent lamp having an illuminance of 200 lux for 3 days. The adhesive strength after 5 days and 10 days was measured by the same peel strength measuring method and conditions as described above.
【００３３】[0033]
【表１】 [Table 1]
【００３４】[0034]
【表２】 [Table 2]
【００３５】（評価結果のまとめ）表１の結果から、実
施例１〜３の半導体ウエハ加工用放射線硬化型粘着テー
プは、紫外線照射後の臭気発生が認められないこと、Ｅ
ＳＣＡによる極表面の分析でウエハ面の粘着剤糊残りに
よる汚染が著しく少ないことが判る。これに対し、比較
例１〜３はすべて劣ることが判る。また、表２の結果か
ら、実施例１〜３の半導体ウエハ加工用放射線硬化型粘
着テープは、放射線照射前後での粘着力(剥離強度)値が
充分に変化（低下）し、かつ比較例１〜３(従来品)と同
程度であること、さらに、硬化用の紫外線照射を行わな
い、蛍光灯光下での暴露で粘着力の低下が小さく安定で
あり、比較例１〜３(従来品)に比較し優れていることが
判る。また、この評価とは別に実施した、実施例１〜３
の各半導体ウエハ加工用放射線硬化型粘着テープを用い
ての実機による評価においても、研削加工およびダイシ
ング加工に全く支障が出ず、紫外線照射後の臭気も無
く、チップ化後のウエハ表面および裏面の粘着剤による
糊残り汚染も極めて少ないことが確認できた。(Summary of Evaluation Results) From the results shown in Table 1, the radiation-curable pressure-sensitive adhesive tapes for processing semiconductor wafers of Examples 1 to 3 showed no generation of odor after ultraviolet irradiation, E
Analysis of the extreme surface by SCA shows that the contamination due to the adhesive paste residue on the wafer surface is extremely small. On the contrary, Comparative Examples 1 to 3 are all inferior. In addition, from the results in Table 2, the radiation-curable adhesive tapes for semiconductor wafer processing of Examples 1 to 3 had a sufficiently changed (decreased) adhesive force (peel strength) value before and after irradiation with radiation, and Comparative Example 1 Approximately 3 (conventional product), moreover, the ultraviolet light for curing is not irradiated, and the adhesive strength is small and stable by exposure under fluorescent light, and Comparative Examples 1 to 3 (conventional product). It turns out that it is superior to. In addition, Examples 1 to 3 performed separately from this evaluation
Even in the evaluation using the radiation curable adhesive tapes for semiconductor wafer processing on the actual machine, there was no trouble in the grinding and dicing processing, no odor after UV irradiation, and there was no odor after UV irradiation. It was confirmed that the adhesive residue contamination by the adhesive was extremely small.
【００３６】[0036]
【発明の効果】本発明の半導体ウエハ加工用放射線硬化
型粘着テープは、研削加工やダイシング加工時には大き
な粘着力を発揮して所期の機能を果たし、加工後には放
射線照射による粘着剤層の硬化で粘着力(剥離強度)を著
しく低下させることができるため、ウエハ破損等を生じ
ることなく、容易に、粘着剤テープから半導体チップを
剥離・分離させることができる。また、硬化時および後
で臭気が発生せず、環境上好ましい。さらに、糊残りに
よるウエハ極表面での汚染が少ないため、特にチップを
封止した際、チップと封止樹脂との界面において剥離等
の不良を発生させることがない。さらにはまた、室内光
に暴露しても粘着剤の硬化が著しく抑制され、生産工程
や使用工程での不用意な光暴露負荷に対しても、品質変
動の危険性が大幅に緩和できる、優れた材料品質の半導
体ウエハ加工用放射線硬化型粘着テープを提供すること
ができる。The radiation-curable pressure-sensitive adhesive tape for semiconductor wafer processing of the present invention exerts a large adhesive force at the time of grinding processing or dicing processing to perform a desired function, and after processing, the adhesive layer is cured by irradiation with radiation. Since the adhesive strength (peeling strength) can be remarkably reduced by the above, the semiconductor chip can be easily peeled and separated from the adhesive tape without causing damage to the wafer. In addition, no odor is generated during and after curing, which is environmentally preferable. Furthermore, since there is little contamination on the surface of the wafer due to adhesive residue, defects such as peeling do not occur at the interface between the chip and the sealing resin, especially when the chip is sealed. Furthermore, curing of the adhesive is significantly suppressed even when exposed to indoor light, and the risk of quality fluctuations can be greatly mitigated even with careless light exposure loads in the production and use processes. It is possible to provide a radiation-curable pressure-sensitive adhesive tape for semiconductor wafer processing, which has excellent material quality.
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 4J004 AA11 AB01 CA03 CA04 CA06 CB03 CC02 FA04 4J005 AA03 BD02 BD05 4J040 CA001 DF041 DF051 EH031 JB08 MA10 MA11 NA20 5F031 CA02 DA15 HA78 MA22 MA34 MA39 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continued front page F-term (reference) 4J004 AA11 AB01 CA03 CA04 CA06 CB03 CC02 FA04 4J005 AA03 BD02 BD05 4J040 CA001 DF041 DF051 EH031 JB08 MA10 MA11 NA20 5F031 CA02 DA15 HA78 MA22 MA34 MA39
Claims (3)
を含有してなる粘着剤層を有した半導体ウエハ加工用放
射線硬化型粘着テープにおいて、前記放射線硬化性化合
物がマレイミド誘導体化合物であることを特徴とする半
導体ウエハ加工用放射線硬化型粘着テープ。1. A radiation-curable pressure-sensitive adhesive tape for semiconductor wafer processing, comprising a pressure-sensitive adhesive layer containing a radiation-curable compound in a base polymer, wherein the radiation-curable compound is a maleimide derivative compound. Radiation curing adhesive tape for semiconductor wafer processing.
（１） 【化１】 （但し、ｎは１〜２,５００の整数を表わす）の構造を
持つ化合物である請求項１記載の半導体ウエハ加工用放
射線硬化型粘着テープ。2. A maleimide derivative compound is represented by the following general formula (1): The radiation-curable pressure-sensitive adhesive tape for processing a semiconductor wafer according to claim 1, which is a compound having a structure (wherein n represents an integer of 1 to 2,500).
外線である請求項１または請求項２に記載の半導体ウエ
ハ加工用放射線硬化性粘着テープ。3. The radiation curable pressure sensitive adhesive tape for semiconductor wafer processing according to claim 1, wherein the radiation for curing the pressure sensitive adhesive layer is ultraviolet light.
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