JP2003272253A - スタンパの製造方法 - Google Patents
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Landscapes
- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】スタンパ基板の平坦性を高く維持することで
き、且つその製造が容易なスタンパの製造方法を提供す
る。 【解決手段】スタンパ基板102の表面にフォトレジス
ト103を塗布する工程と、前記フォトレジストを塗布
したスタンパ基板102の裏面に支持基板101を真空
吸着により取り付ける工程と、前記フォトレジストを露
光、現像して情報マスク107を形成する工程と、前記
情報マスクで被覆されない部分をエッチング除去して前
記スタンパ基板上に情報パターンを形成する工程と、前
記情報マスクを除去する工程とを備えたる。
き、且つその製造が容易なスタンパの製造方法を提供す
る。 【解決手段】スタンパ基板102の表面にフォトレジス
ト103を塗布する工程と、前記フォトレジストを塗布
したスタンパ基板102の裏面に支持基板101を真空
吸着により取り付ける工程と、前記フォトレジストを露
光、現像して情報マスク107を形成する工程と、前記
情報マスクで被覆されない部分をエッチング除去して前
記スタンパ基板上に情報パターンを形成する工程と、前
記情報マスクを除去する工程とを備えたる。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明はスタンパの製造方法
に係り、特に光情報記録媒体の製造に適したスタンパの
製造方法に関する。
に係り、特に光情報記録媒体の製造に適したスタンパの
製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】近年、大容量高密度の光情報記録媒体の
実用化が進んでいる。再生専用媒体ではコンパクトディ
スク(CD)、レーザディスク(LD)等を中心として
広く普及している。CDフォーマットをベースとしたC
D−ROMなどではMPEGなどの画像圧縮技術を適用
してCDl枚に略1時間の動画像を記録したビデオCD
なども普及しつつある。なかでもCD−ROMはコンピ
ューターやゲームのアプリケーションソフトの配給を中
心として急速な拡がりを見せている。
実用化が進んでいる。再生専用媒体ではコンパクトディ
スク(CD)、レーザディスク(LD)等を中心として
広く普及している。CDフォーマットをベースとしたC
D−ROMなどではMPEGなどの画像圧縮技術を適用
してCDl枚に略1時間の動画像を記録したビデオCD
なども普及しつつある。なかでもCD−ROMはコンピ
ューターやゲームのアプリケーションソフトの配給を中
心として急速な拡がりを見せている。
【0003】また、CDの音楽データ、LDの高品質の
画像データ、CD−ROMのコンピュータデータを包括
し、更に再生専用ディスクと記録メディアを統合した次
世代のマルチメディアとしての光ディスクが提案され、
1996年8月にはDVD(Digital Versatile Disc)
として規格化された。このDVDは大容量マルチメディ
アとして期待されている。
画像データ、CD−ROMのコンピュータデータを包括
し、更に再生専用ディスクと記録メディアを統合した次
世代のマルチメディアとしての光ディスクが提案され、
1996年8月にはDVD(Digital Versatile Disc)
として規格化された。このDVDは大容量マルチメディ
アとして期待されている。
【0004】図4は、これら光ディスクの従来の製造方
法を示す図である。まず、ガラス基板201の表面にフ
ォトレジスト103を塗布し(工程a)、前記フォトレ
ジスト103に集光ビームを照射し所定パターンに露光
し、露光部分106を形成する(工程b)。次いでガラ
ス基板201をアルカリ現像液に浸漬して前記露光部分
106を除去し、情報マスク202を形成する(工程
c)。次いで情報マスク202の表面にスパック法など
により導電体の電極を薄膜で形成し、更にめっき(電気
鋳造)によりNiなどの金属を析出させてスタンパ10
9を形成する(工程d)。次いで前記スタンパ109を
用いて射出成形あるいは2P(フォトポリメリゼーショ
ン)法により複製基板110を成形する(工程e)。次
いでこの複製基板110に反射膜111及び保護層11
2をコーティングして光ディスクが完成する(工程
f)。
法を示す図である。まず、ガラス基板201の表面にフ
ォトレジスト103を塗布し(工程a)、前記フォトレ
ジスト103に集光ビームを照射し所定パターンに露光
し、露光部分106を形成する(工程b)。次いでガラ
ス基板201をアルカリ現像液に浸漬して前記露光部分
106を除去し、情報マスク202を形成する(工程
c)。次いで情報マスク202の表面にスパック法など
により導電体の電極を薄膜で形成し、更にめっき(電気
鋳造)によりNiなどの金属を析出させてスタンパ10
9を形成する(工程d)。次いで前記スタンパ109を
用いて射出成形あるいは2P(フォトポリメリゼーショ
ン)法により複製基板110を成形する(工程e)。次
いでこの複製基板110に反射膜111及び保護層11
2をコーティングして光ディスクが完成する(工程
f)。
【0005】この製造法では、工程dのめっき工程に時
間がかかる。スタンパ109を製造するためのめっき工
程は、例えば、工程cにおいて作製したガラス原盤をス
ルフアミン酸電解液中浸漬し、電気分解法にてNi膜を
ガラス原盤表面に析出させてスタンパ109とするが、
スタンパ109として必要な厚さ(約0.3mm)の析
出膜を形成するためには、2〜3時間、場合によっては
それ以上時間を要し、光ディスク製造工程の障害になっ
ている。またスタンパ109内部には応力が発生し、こ
の応力に基づく剥離、あるいは電解液の管理等の種々の
問題がある。
間がかかる。スタンパ109を製造するためのめっき工
程は、例えば、工程cにおいて作製したガラス原盤をス
ルフアミン酸電解液中浸漬し、電気分解法にてNi膜を
ガラス原盤表面に析出させてスタンパ109とするが、
スタンパ109として必要な厚さ(約0.3mm)の析
出膜を形成するためには、2〜3時間、場合によっては
それ以上時間を要し、光ディスク製造工程の障害になっ
ている。またスタンパ109内部には応力が発生し、こ
の応力に基づく剥離、あるいは電解液の管理等の種々の
問題がある。
【0006】また、特開昭63−50937号公報、あ
るいは特開平4−205936号公報には、予め用意し
た金属基板上に情報パターンが形成されたフォトレジス
トのマスクを形成し、更に該マスクを利用してイオンミ
リングや反応性イオンエッチングを施してマスク以外の
部分をエッチング除去して、基板上に凹凸の情報パター
ンを形成してスタンパとする方法が示されている。
るいは特開平4−205936号公報には、予め用意し
た金属基板上に情報パターンが形成されたフォトレジス
トのマスクを形成し、更に該マスクを利用してイオンミ
リングや反応性イオンエッチングを施してマスク以外の
部分をエッチング除去して、基板上に凹凸の情報パター
ンを形成してスタンパとする方法が示されている。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】前記特開昭63−50
937号公報、あるいは特開平4−205936号公報
に示す製造方法によればめっき工程に伴う問題点は回避
することができる。
937号公報、あるいは特開平4−205936号公報
に示す製造方法によればめっき工程に伴う問題点は回避
することができる。
【0008】しかしながら、前記特開昭63−5093
7号公報に開示されている光情報記録媒体のスタンパの
製造方法は、研磨された金属基板上に情報パターンが形
成されたフォトレジストのマスクを形成し、イオンミリ
ングあるいは反応性イオンエッチング等によりマスク以
外の部分をエッチング除去し、凹凸の情報パターンを金
属基板上に形成してスタンパを作製する方法である。
7号公報に開示されている光情報記録媒体のスタンパの
製造方法は、研磨された金属基板上に情報パターンが形
成されたフォトレジストのマスクを形成し、イオンミリ
ングあるいは反応性イオンエッチング等によりマスク以
外の部分をエッチング除去し、凹凸の情報パターンを金
属基板上に形成してスタンパを作製する方法である。
【0009】スタンパに適した厚さ(0.3mm)の金
属基板はたわみや反りが発生しやすく、フォトレジスト
のカッティングに必要な20μmの平坦性を出すことが
困難である。
属基板はたわみや反りが発生しやすく、フォトレジスト
のカッティングに必要な20μmの平坦性を出すことが
困難である。
【0010】一方、特開平4−205936公報には、
金属基板としてめっきで作製した鏡面基板(スタンパ基
板)を用い、該基板を支持基板に接着することにより平
坦性を確保することが示されている。しかし、基板を支
持基板に接着剤で貼り付けてしまうと射出成型機の金型
に取り付けができなくなる。このためこの公報では、更
にもう一層のめっき膜を剥離層を介して貼り合わせ、第
1のめっき層と第2のめっき層間で剥離を行うとしてい
る。しかしこの方法は工程が複雑化し現実的ではない。
金属基板としてめっきで作製した鏡面基板(スタンパ基
板)を用い、該基板を支持基板に接着することにより平
坦性を確保することが示されている。しかし、基板を支
持基板に接着剤で貼り付けてしまうと射出成型機の金型
に取り付けができなくなる。このためこの公報では、更
にもう一層のめっき膜を剥離層を介して貼り合わせ、第
1のめっき層と第2のめっき層間で剥離を行うとしてい
る。しかしこの方法は工程が複雑化し現実的ではない。
【0011】本発明は、これらの問題点に鑑みてなされ
たもので、スタンパ基板の平坦性を高く維持することで
き、且つその製造が容易なスタンパの製造方法を提供す
る。
たもので、スタンパ基板の平坦性を高く維持することで
き、且つその製造が容易なスタンパの製造方法を提供す
る。
【0012】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記の課題を
解決するために次のような手段を採用した。
解決するために次のような手段を採用した。
【0013】スタンパ基板の表面にフォトレジストを塗
布する工程と、前記フォトレジストを塗布したスタンパ
基板の裏面に支持基板を真空吸着により取り付ける工程
と、前記フォトレジストを露光、現像して情報マスクを
形成する工程と、前記情報マスクで被覆されない部分を
エッチング除去して前記スタンパ基板の表面に情報パタ
ーンを形成する工程と、前記情報マスクを除去する工程
とを備える。
布する工程と、前記フォトレジストを塗布したスタンパ
基板の裏面に支持基板を真空吸着により取り付ける工程
と、前記フォトレジストを露光、現像して情報マスクを
形成する工程と、前記情報マスクで被覆されない部分を
エッチング除去して前記スタンパ基板の表面に情報パタ
ーンを形成する工程と、前記情報マスクを除去する工程
とを備える。
【0014】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態を添付図
面を参照しながら説明する。図1は、本発明の実施形態
にかかるスタンパの製造方法を説明する図である。
面を参照しながら説明する。図1は、本発明の実施形態
にかかるスタンパの製造方法を説明する図である。
【0015】まず、工程aにおいて、スタンパ基板10
2を用意し、スタンパ基板102上にフォトレジスト1
03を塗布する。
2を用意し、スタンパ基板102上にフォトレジスト1
03を塗布する。
【0016】スタンパ基板102はNiの外にAlなど
の金属、あるいはこれらを含む合金で構成することもで
きる。また、スタンパ基板103は圧延などにより作製
した金属プレートを高精度に研磨加工してして作製する
ことができる。なお、スタンパ基板102をスルファミ
ン酸ニッケル浴中で電解めっき法により作製することも
できるが、この場合は前述のように処理に時間を要する
ことになる。
の金属、あるいはこれらを含む合金で構成することもで
きる。また、スタンパ基板103は圧延などにより作製
した金属プレートを高精度に研磨加工してして作製する
ことができる。なお、スタンパ基板102をスルファミ
ン酸ニッケル浴中で電解めっき法により作製することも
できるが、この場合は前述のように処理に時間を要する
ことになる。
【0017】これらのスタンパ基板102に要求される
厚みは0.1〜0.5mm(一般的には0.3mm程
度)である。この0.3mmという値は、射出成形の際
に成形装置の金型とのマッチング及び熱履歴に伴う寿命
から導かれる。すなわち、スタンパ基板102が0.1
mmよりも薄いと加工が難しく、射出成形に耐えうる強
度を保つことができない。また、0.5mmより厚いと
スタンパ基板102の裏面と金型とのマッチングが悪く
なり、成形する樹脂への熱の伝わり方が不均一となり、
良好な成形ができない。成形中には70〜200℃の間
でスタンパ基板の温度が変わるため、スタンパ基板10
2が厚いと歪みによるクラックが生じやすくなる。従っ
て、これらの事項を考慮するとスタンパ基板102の厚
さは0.3mm程度が好ましい。
厚みは0.1〜0.5mm(一般的には0.3mm程
度)である。この0.3mmという値は、射出成形の際
に成形装置の金型とのマッチング及び熱履歴に伴う寿命
から導かれる。すなわち、スタンパ基板102が0.1
mmよりも薄いと加工が難しく、射出成形に耐えうる強
度を保つことができない。また、0.5mmより厚いと
スタンパ基板102の裏面と金型とのマッチングが悪く
なり、成形する樹脂への熱の伝わり方が不均一となり、
良好な成形ができない。成形中には70〜200℃の間
でスタンパ基板の温度が変わるため、スタンパ基板10
2が厚いと歪みによるクラックが生じやすくなる。従っ
て、これらの事項を考慮するとスタンパ基板102の厚
さは0.3mm程度が好ましい。
【0018】また、スタンパ基板102の硬度は150
〜300Hv程度が好ましい。これより柔らかいとスタ
ンパとしての寿命が短くなり、複製基板を大量に作製で
きなくなる。また、これより硬いと金型に損傷を与えて
しまう。
〜300Hv程度が好ましい。これより柔らかいとスタ
ンパとしての寿命が短くなり、複製基板を大量に作製で
きなくなる。また、これより硬いと金型に損傷を与えて
しまう。
【0019】工程bにおいて、支持基板101によりス
タンパ基板102を支持する。これによりスタンパ基板
102の撓みや反りを抑制してスタンパ基板102の平
坦度を確保することができる。スタンパ基板102の平
坦度は20μm程度以上(寸法では小)が必要である。
これは露光を行うカッティングマシンのフォーカスサー
ボの可動範囲が50〜l00μmm程度であるためであ
る。しかしながら、その厚みが0.3mm程度のスタン
パ基板はそれ単体ではこの平坦度を保つことは不可能で
ある。このため、前記スタンパ基板102を支持基板1
01に固定して支持する支持方法を採用する。この支持
方法では、前記スタンパ基板102を支持基板101に
固定する方法として真空減圧を利用する。すなわち前記
支持基板101及び該支持基板101に固定したスタン
パ基板を透明樹脂フィルム104で密封し、該透明樹脂
フィルム104内を減圧する。透明樹脂フィルム104
の厚さは0.03mm〜0.6mm、平坦性は10μm
以上で、且つ厚さむらは20μm程度に仕上げられてい
ることが望ましい。フィルムの材質は、例えばポリカー
ボネートなどが好ましい。
タンパ基板102を支持する。これによりスタンパ基板
102の撓みや反りを抑制してスタンパ基板102の平
坦度を確保することができる。スタンパ基板102の平
坦度は20μm程度以上(寸法では小)が必要である。
これは露光を行うカッティングマシンのフォーカスサー
ボの可動範囲が50〜l00μmm程度であるためであ
る。しかしながら、その厚みが0.3mm程度のスタン
パ基板はそれ単体ではこの平坦度を保つことは不可能で
ある。このため、前記スタンパ基板102を支持基板1
01に固定して支持する支持方法を採用する。この支持
方法では、前記スタンパ基板102を支持基板101に
固定する方法として真空減圧を利用する。すなわち前記
支持基板101及び該支持基板101に固定したスタン
パ基板を透明樹脂フィルム104で密封し、該透明樹脂
フィルム104内を減圧する。透明樹脂フィルム104
の厚さは0.03mm〜0.6mm、平坦性は10μm
以上で、且つ厚さむらは20μm程度に仕上げられてい
ることが望ましい。フィルムの材質は、例えばポリカー
ボネートなどが好ましい。
【0020】工程cにおいて、レーザビーム等の集光ビ
ーム105を照射して前記フォトレジスト103を露光
し、露光部106を形成する。フォトレジスト103の
露光に用いる通常のカッティングマシンは、表面カッテ
ィングを行うため非常に高いNAの対物レンズを用い
る。対物レンズのワーキングディスタンス(対物レンズ
と基板の距離)は0.2〜0.3mm程度と短い。この
ため、本実施形態のように対物レンズとこの集光ビーム
105により露光されるフォトレジスト103との間に
透明樹脂フィルム104を間挿する場合には、前記通常
のカッティングを行うことができない。このため、例え
ば対物レンズのNAを保ったままで、焦点距離と開口を
大きくしワーキングディスタンスを大きくとらなければ
ならない。また対物レンズはフィルムの屈折率と厚さに
合わせて設計することが必要である。露光に使用する光
の波長は解像度や使用するフォトレジストによって異な
るが、300〜800nm程度の波長範囲の光(例えば
Arイオンレーザの457nmあるいはKrイオンレー
ザの351nm)を使用する。
ーム105を照射して前記フォトレジスト103を露光
し、露光部106を形成する。フォトレジスト103の
露光に用いる通常のカッティングマシンは、表面カッテ
ィングを行うため非常に高いNAの対物レンズを用い
る。対物レンズのワーキングディスタンス(対物レンズ
と基板の距離)は0.2〜0.3mm程度と短い。この
ため、本実施形態のように対物レンズとこの集光ビーム
105により露光されるフォトレジスト103との間に
透明樹脂フィルム104を間挿する場合には、前記通常
のカッティングを行うことができない。このため、例え
ば対物レンズのNAを保ったままで、焦点距離と開口を
大きくしワーキングディスタンスを大きくとらなければ
ならない。また対物レンズはフィルムの屈折率と厚さに
合わせて設計することが必要である。露光に使用する光
の波長は解像度や使用するフォトレジストによって異な
るが、300〜800nm程度の波長範囲の光(例えば
Arイオンレーザの457nmあるいはKrイオンレー
ザの351nm)を使用する。
【0021】工程dにおいて、スタンパ基板102を透
明樹脂フィルム104から取り出し、フォトレジスト1
03を現像し、情報マスク107を形成する。現像はア
ルカリ現象液によるウェット現像で行うことができる。
ウェット現像は、例えば所定の濃度に調整されたアルカ
リ現像液中にスタンパ基板102を浸漬したり、あるい
はスピンナにより現像液をフォトレジスト103表面に
供給することにより行うことができる。なお、前記フォ
トレジスト103には、露光部分が現像により可溶化す
るポジ型、及び未露光部分が現像により可溶化するネガ
型が知られているが本実施形態ではネガ型を用いる。
明樹脂フィルム104から取り出し、フォトレジスト1
03を現像し、情報マスク107を形成する。現像はア
ルカリ現象液によるウェット現像で行うことができる。
ウェット現像は、例えば所定の濃度に調整されたアルカ
リ現像液中にスタンパ基板102を浸漬したり、あるい
はスピンナにより現像液をフォトレジスト103表面に
供給することにより行うことができる。なお、前記フォ
トレジスト103には、露光部分が現像により可溶化す
るポジ型、及び未露光部分が現像により可溶化するネガ
型が知られているが本実施形態ではネガ型を用いる。
【0022】工程eにおいて、前記情報マスク107の
マスク以外の部分(スタンパ基板表面のマスクが形成さ
れていない部分)に、例えばドライエッチングを施し凹
凸の情報パターンをスタンパ基板102の表面に形成す
る。ドライエッチングの方法としては、イオンビーム1
08で物理的にエッチングを行うイオンミリング、ある
いは腐食性のガスを用いた反応性イオンエッチング等が
あるが、使用するスタンパ基板、マスク部材等により適
切な方法を選択すればよい。
マスク以外の部分(スタンパ基板表面のマスクが形成さ
れていない部分)に、例えばドライエッチングを施し凹
凸の情報パターンをスタンパ基板102の表面に形成す
る。ドライエッチングの方法としては、イオンビーム1
08で物理的にエッチングを行うイオンミリング、ある
いは腐食性のガスを用いた反応性イオンエッチング等が
あるが、使用するスタンパ基板、マスク部材等により適
切な方法を選択すればよい。
【0023】工程fにおいて、前記スタンパ基板102
に形成されているフォトレジスト(情報マスク107)
を、例えば有機溶剤中に浸漬する方法、あるいはオゾン
アッシャ等の方法により除去する。これによりスタンパ
109は完成する。
に形成されているフォトレジスト(情報マスク107)
を、例えば有機溶剤中に浸漬する方法、あるいはオゾン
アッシャ等の方法により除去する。これによりスタンパ
109は完成する。
【0024】工程gにおいて、作製したスタンパ109
を用い、例えば射出成形またはフォトポリメリゼーショ
ン法などの方法により、プラスチックの複製基板(レプ
リカ基板)110を作製する。
を用い、例えば射出成形またはフォトポリメリゼーショ
ン法などの方法により、プラスチックの複製基板(レプ
リカ基板)110を作製する。
【0025】工程hにおいて、複製基板110に反射膜
111,及び保護膜112を形成すると光ディスクが完
成する。
111,及び保護膜112を形成すると光ディスクが完
成する。
【0026】図2は、前記スタンパ基板102を支持基
板101に固定する方法(図1の工程bに相当)の他の
実施例を説明する図である。図において、101aは支
持基板、104aは透明樹脂フィルムであり、前記支持
基板101aは透明樹脂フィルム104aと一体化して
いる。従って前記支持基板101aは透明樹脂フィルム
104aとにより構成される密封容器内を減圧すること
により、前記スタンパ基板102を支持基板101aに
固定することができる。
板101に固定する方法(図1の工程bに相当)の他の
実施例を説明する図である。図において、101aは支
持基板、104aは透明樹脂フィルムであり、前記支持
基板101aは透明樹脂フィルム104aと一体化して
いる。従って前記支持基板101aは透明樹脂フィルム
104aとにより構成される密封容器内を減圧すること
により、前記スタンパ基板102を支持基板101aに
固定することができる。
【0027】図3は、前記スタンパ基板102を支持基
板101に固定する方法(図1の工程b及び工程cに相
当)の他の実施例を説明する図である。図において、1
01bは支持基板、104bは透明樹脂フィルムであ
り、前記支持基板101bは透明樹脂フィルム104b
と一体化している。従って前記支持基板101bは透明
樹脂フィルム104bとにより構成される密封容器内を
減圧することにより、前記スタンパ基板102のフォト
レジスト塗布面を支持基板101bに固定することがで
きる。
板101に固定する方法(図1の工程b及び工程cに相
当)の他の実施例を説明する図である。図において、1
01bは支持基板、104bは透明樹脂フィルムであ
り、前記支持基板101bは透明樹脂フィルム104b
と一体化している。従って前記支持基板101bは透明
樹脂フィルム104bとにより構成される密封容器内を
減圧することにより、前記スタンパ基板102のフォト
レジスト塗布面を支持基板101bに固定することがで
きる。
【0028】支持基板101bとしてガラス基板等の透
明基板を用いることにより、支持基板101bを介して
集光ビーム105を照射して前記フォトレジスト103
を露光することができる。
明基板を用いることにより、支持基板101bを介して
集光ビーム105を照射して前記フォトレジスト103
を露光することができる。
【0029】以上説明したように本実施形態によれば、
平坦性がよく、カッティングの時のフォーカスエラーが
少なく、更に信号欠陥が少ない高品質の光情報記録媒体
製作用のスタンパを効率良く提供することができる。
平坦性がよく、カッティングの時のフォーカスエラーが
少なく、更に信号欠陥が少ない高品質の光情報記録媒体
製作用のスタンパを効率良く提供することができる。
【0030】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、ス
タンパ基板の平坦性を高く維持することでき、且つその
製造が容易なスタンパの製造方法を提供することができ
る。
タンパ基板の平坦性を高く維持することでき、且つその
製造が容易なスタンパの製造方法を提供することができ
る。
【図1】本発明の実施形態にかかるスタンパの製造方法
を説明する図である。
を説明する図である。
【図2】スタンパ基板を支持基板に固定する方法の他の
例を説明する図である。
例を説明する図である。
【図3】スタンパ基板を支持基板に固定する方法の更に
他の例を説明する図である。
他の例を説明する図である。
【図4】従来の光ディスクの製造方法を説明する図であ
る。
る。
101 支持基板
102 スタンパ基板
103 フォトレジスト
104 透明樹脂フィルム
105 集光ビーム
106 露光部
107 マスク
108 イオンビーム
109 スタンパ
110 プラスチック基板
111 反射膜
112 保護膜
Claims (4)
- 【請求項1】 スタンパ基板の表面にフォトレジストを
塗布する工程と、 前記フォトレジストを塗布したスタンパ基板の裏面に支
持基板を真空吸着により取り付ける工程と、 前記フォトレジストを露光、現像して情報マスクを形成
する工程と、 前記情報マスクで被覆されない部分をエッチング除去し
て前記スタンパ基板の表面に情報パターンを形成する工
程と、 前記情報マスクを除去する工程とを備えることを特徴と
するスタンパの製造方法。 - 【請求項2】 請求項1の記載において、 前記フォトレジストを塗布したスタンパ基板の裏面に支
持基板を真空吸着により取り付ける工程は、前記フォト
レジストを塗布したスタンパ基板の裏面に支持基板を添
える工程と、前記支持基板を添えたスタンパ基板を透明
フィルム容器内に収容して該透明フィルム容器内を減圧
する工程を含むことを特徴とするスタンパの製造方法。 - 【請求項3】 請求項1の記載において、 前記フォトレジストを塗布したスタンパ基板の裏面に支
持基板を真空吸着により取り付ける工程は、前記フォト
レジストを塗布したスタンパ基板の裏面に透明フイルム
と一体化して真空容器を構成する支持基板を添える工程
と、前記真空容器内を減圧する工程を含むことを特徴と
するスタンパの製造方法。 - 【請求項4】 スタンパ基板の表面にフォトレジストを
塗布する工程と、 前記フォトレジストを塗布したスタンパ基板の表面にフ
イルムと一体化して真空容器を構成する透明支持基板を
添える工程と、 前記真空容器内を減圧して前記スタンパ基板に前記透明
支持基板を真空吸着により取り付ける工程と、 前記フォトレジストを露光、現像して情報マスクを形成
する工程と、 前記情報マスクで被覆されない部分をエッチング除去し
て前記スタンパ基板の表面に情報パターンを形成する工
程と、 前記情報マスクを除去する工程とを備えることを特徴と
するスタンパの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002079042A JP2003272253A (ja) | 2002-03-20 | 2002-03-20 | スタンパの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002079042A JP2003272253A (ja) | 2002-03-20 | 2002-03-20 | スタンパの製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2003272253A true JP2003272253A (ja) | 2003-09-26 |
Family
ID=29206212
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002079042A Pending JP2003272253A (ja) | 2002-03-20 | 2002-03-20 | スタンパの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2003272253A (ja) |
-
2002
- 2002-03-20 JP JP2002079042A patent/JP2003272253A/ja active Pending
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