JP2003258501A - Microwave/millimeter wave transmission circuit - Google Patents
Microwave/millimeter wave transmission circuitInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、マイクロ波／ミリ
波帯信号用のマイクロ波／ミリ波伝送回路に関し、具体
的には、コネクタや導波管を使用することなく不連続線
路を結合することができるコネクタあるいは移相器に関
する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a microwave / millimeter wave transmission circuit for microwave / millimeter wave band signals, and specifically, for coupling discontinuous lines without using a connector or a waveguide. Connector or phase shifter that can be used.
【０００２】[0002]
【発明の背景】２つの回路基板にそれぞれ形成されたマ
イクロストリップライン同士を接合したり、一度接合し
たマイクロストリップラインを分離したりすることで、
マイクロ波／ミリ波帯の回路の変更を行うことがある。
たとえば、図１（ａ），（ｂ）に示すように、２つの回
路基板１ａ，１ｂの伝送線路（マイクロストリップライ
ン）２ａ，２ｂを接合する場合には、一方の回路基板１
ａの伝送線路２ａの先端と、他方の回路基板１ｂの伝送
線路２ｂの先端とを近接するとともに、当該各先端同士
をＡｕリボン３やワイヤ４によりボンディングすること
が行われる（図１ではハンダの図示はしていない）。BACKGROUND OF THE INVENTION By joining microstrip lines respectively formed on two circuit boards or by separating the microstrip lines which have been once joined,
The circuit of microwave / millimeter wave band may be changed.
For example, as shown in FIGS. 1 (a) and 1 (b), when the transmission lines (microstrip lines) 2a and 2b of the two circuit boards 1a and 1b are joined, one of the circuit boards 1
The tip of the transmission line 2a of a and the tip of the transmission line 2b of the other circuit board 1b are brought close to each other, and the tips are bonded by the Au ribbon 3 and the wire 4 (in FIG. 1, soldering is performed). Not shown).
【０００３】また、図示はしないが、予めそれぞれの回
路基板に同軸コネクタを設けておき、この同軸コネクタ
により２つの回路基板の伝送線路同士を接続することも
行われ、あるいは両回路基板の伝送線路同士を導波管に
より接続することも行われる。Although not shown, a coaxial connector may be provided in advance on each circuit board and the transmission lines of the two circuit boards may be connected by this coaxial connector, or the transmission lines of both circuit boards may be connected. It is also possible to connect the two with a waveguide.
【０００４】一方、２つの回路基板の伝送線路同士を接
合する場合に、非接触コネクタにより伝送線路を接続す
る技術も知られている。この接続方法では、例えば図２
に示すように、２つの回路基板１ａ，１ｂの伝送線路
（マイクロストリップライン）２ａ，２ｂの各先端の上
方に、誘電体基板を備えた寄生素子５を配置して構成さ
れる（特開２００１−３３９２０８号等参照）。この構
成によれば、上記した各種の問題が解決される。On the other hand, there is also known a technique of connecting transmission lines by a non-contact connector when joining transmission lines of two circuit boards. In this connection method, for example, FIG.
As shown in FIG. 1, a parasitic element 5 having a dielectric substrate is arranged above the respective ends of the transmission lines (microstrip lines) 2a and 2b of the two circuit boards 1a and 1b (Japanese Patent Laid-Open No. 2001-2001) -339208, etc.). With this configuration, the various problems described above are solved.
【０００５】さらに、寄生素子５として、誘電体基板５
の下面に導体層Ｍを成膜した構成のものを用いることに
よっても、伝送線路２ａ，２ｂと寄生素子５との間で電
磁的に結合されるので、信号を伝搬することができる。Further, as the parasitic element 5, the dielectric substrate 5 is used.
Even by using a structure in which the conductor layer M is formed on the lower surface of the above, the signal can be propagated because the transmission lines 2a and 2b are electromagnetically coupled to the parasitic element 5.
【０００６】しかし、係る構成にした場合、寄生素子５
における電界は、導体層Ｍを中心に周囲に広がるため、
伝送するために必要な電磁的な結合を図る回路基板１
ａ，１ｂ側（下側）はもちろんのこと、反対側（上側）
にも発生する。この反対方向の電界は放射損失となるの
で、通過損失の悪化（−１５ｄＢ以下）を招く（図３の
特性Ｓ２１参照）という問題がある。However, in the case of such a configuration, the parasitic element 5
Since the electric field at spreads around the conductor layer M,
Circuit board 1 for electromagnetic coupling required for transmission
Not only a and 1b side (lower side), but also the opposite side (upper side)
Also occurs. Since the electric field in the opposite direction causes radiation loss, there is a problem that the passage loss is deteriorated (-15 dB or less) (see the characteristic S21 in FIG. 3).
【０００７】本発明は、上記した背景に鑑みてなされた
もので、その目的とするところは、コネクタや導波管を
使用することなく不連続線路を低通過損失で結合するこ
とができるマイクロ波／ミリ波伝送回路を提供すること
にある。The present invention has been made in view of the above background, and an object thereof is a microwave capable of coupling a discontinuous line with low passage loss without using a connector or a waveguide. / To provide a millimeter wave transmission circuit.
【０００８】[0008]
【課題を解決するための手段】本発明のマイクロ波／ミ
リ波伝送回路の第１態様は、伝送線路の不連続部の上部
に、所定ギャップをおいて、寄生素子が伝送線路形成面
に平行に設けられてなり、前記寄生素子は、前記伝送線
路形成面に近い側の面、および前記伝送線路形成面に遠
い側の面に導体層が形成された誘電体基板から構成し
た。According to a first aspect of a microwave / millimeter wave transmission circuit of the present invention, a parasitic element is parallel to a transmission line formation surface with a predetermined gap above a discontinuous portion of the transmission line. And the parasitic element is composed of a dielectric substrate having a conductor layer formed on a surface close to the transmission line formation surface and a surface remote from the transmission line formation surface.
【０００９】本発明のマイクロ波／ミリ波伝送回路の第
２態様は、伝送線路の不連続部の上部に、所定ギャップ
をおいて、寄生素子が伝送線路形成面に平行に設けられ
てなり、前記寄生素子は、前記伝送線路形成面に垂直で
かつ前記伝送線路に平行な１対の端面を持つ形状をな
し、前記伝送線路形成面に近い側の面、および前記１対
の端面に導体層が形成された誘電体基板から構成した。According to a second aspect of the microwave / millimeter wave transmission circuit of the present invention, a parasitic element is provided in parallel with the transmission line formation surface with a predetermined gap above the discontinuous portion of the transmission line. The parasitic element has a shape having a pair of end surfaces that are perpendicular to the transmission line formation surface and parallel to the transmission line, and a conductor layer is formed on a surface close to the transmission line formation surface and the pair of end surfaces. It is composed of a dielectric substrate on which is formed.
【００１０】本発明のマイクロ波／ミリ波伝送回路の第
３態様は、伝送線路の不連続部の上部に、所定ギャップ
をおいて、寄生素子が伝送線路形成面に平行に設けられ
てなり、前記寄生素子は、前記伝送線路形成面に垂直で
かつ前記伝送線路を伝播する波の進行方向に向いた端面
を持つ形状をなし、前記伝送線路形成面側に近い側の
面、および前記端面に導体層が形成された誘電体基板か
ら構成した。According to a third aspect of the microwave / millimeter wave transmission circuit of the present invention, a parasitic element is provided in parallel with the transmission line formation surface with a predetermined gap above the discontinuous portion of the transmission line. The parasitic element has a shape having an end face that is perpendicular to the transmission line formation surface and is oriented in the traveling direction of a wave propagating in the transmission line, and a surface close to the transmission line formation surface side and the end surface. It is composed of a dielectric substrate on which a conductor layer is formed.
【００１１】本発明のマイクロ波／ミリ波伝送回路の第
４態様は、第２態様と第３態様との複合であり、第３態
様における前記寄生素子は、さらに前記伝送線路形成面
に垂直でかつ前記伝送線路に平行な１対の端面を持つ形
状をなし、当該各端面に導体層が形成された誘電体基板
から構成した。A fourth aspect of the microwave / millimeter wave transmission circuit of the present invention is a composite of the second and third aspects, wherein the parasitic element in the third aspect is further perpendicular to the transmission line forming surface. The dielectric substrate has a shape having a pair of end faces parallel to the transmission line, and a conductor layer is formed on each end face.
【００１２】本発明のマイクロ波／ミリ波伝送回路の第
５態様は、第１態様と、第２〜第４態様との複合であ
り、第２〜第４態様における寄生素子の前記伝送線路形
成面に遠い側の面に導体層が形成されるように構成し
た。A fifth aspect of the microwave / millimeter wave transmission circuit of the present invention is a composite of the first aspect and the second to fourth aspects, wherein the transmission line formation of the parasitic element in the second to fourth aspects is performed. The conductor layer was formed on the surface far from the surface.
【００１３】本発明のマイクロ波／ミリ波伝送回路の第
６態様は、伝送線路の不連続部の上部に、所定ギャップ
をおいて、寄生素子が伝送線路形成面に平行に設けられ
てなり、前記寄生素子は、前記伝送線路形成面に垂直で
かつ前記伝送線路に平行な１対の端面を持つ形状をな
し、前記伝送線路形成面に遠い側の面、および前記１対
の端面に導体層が形成された誘電体基板から構成した。According to a sixth aspect of the microwave / millimeter wave transmission circuit of the present invention, a parasitic element is provided in parallel with the transmission line formation surface with a predetermined gap above the discontinuous portion of the transmission line. The parasitic element has a shape having a pair of end surfaces that are perpendicular to the transmission line formation surface and parallel to the transmission line, and a conductor layer is formed on a surface far from the transmission line formation surface and on the pair of end surfaces. It is composed of a dielectric substrate on which is formed.
【００１４】本発明のマイクロ波／ミリ波伝送回路の第
７態様は、伝送線路の不連続部の上部に、所定ギャップ
をおいて、寄生素子が伝送線路形成面に平行に設けられ
てなり、前記寄生素子は、前記伝送線路形成面に垂直で
かつ前記伝送線路に垂直でかつ前記伝送線路を伝送する
波の進行方向に向いた端面を持つ形状をなし、前記伝送
線路形成面に遠い側の面、および前記端面に導体層が形
成された誘電体基板から構成した。According to a seventh aspect of the microwave / millimeter wave transmission circuit of the present invention, a parasitic element is provided in parallel with the transmission line formation surface with a predetermined gap above the discontinuous portion of the transmission line. The parasitic element has a shape having an end face that is perpendicular to the transmission line formation surface and perpendicular to the transmission line and that is oriented in the traveling direction of the wave transmitted through the transmission line, and is located on the side far from the transmission line formation surface. And a dielectric substrate having a conductor layer formed on the end face.
【００１５】本発明のマイクロ波／ミリ波伝送回路の第
９態様は、前記寄生素子が、さらに前記伝送線路形成面
に垂直でかつ前記伝送線路に平行な１対の端面を持つ形
状をなし、前記各端面に導体層が形成された誘電体基板
から構成した。In a ninth aspect of the microwave / millimeter wave transmission circuit of the present invention, the parasitic element further has a pair of end faces which are perpendicular to the transmission line forming surface and parallel to the transmission line. The dielectric substrate has a conductor layer formed on each end face.
【００１６】第１〜第５態様のマイクロ波／ミリ波伝送
回路は、コネクタとしても、移相器としても使用するこ
ともできる。また、第６〜第９態様は、移相器として使
用される。たとえば、前記伝送線路が形成された基板
が、第１基板と第２基板とからなり、第１基板と第２基
板とが前記不連続部において、前記伝送線路に垂直な方
向に分離されている場合には、コネクタとして使用する
ことができる。また、たとえば、伝送線路が形成された
基板と、寄生素子との間に誘電体基板を介在させた場合
には、移相器として使用することができる。The microwave / millimeter wave transmission circuits of the first to fifth aspects can be used as both a connector and a phase shifter. The sixth to ninth aspects are used as a phase shifter. For example, the substrate on which the transmission line is formed includes a first substrate and a second substrate, and the first substrate and the second substrate are separated in the discontinuous portion in a direction perpendicular to the transmission line. In some cases, it can be used as a connector. Further, for example, when a dielectric substrate is interposed between the substrate on which the transmission line is formed and the parasitic element, it can be used as a phase shifter.
【００１７】また、移相器として使用する場合の別の構
成としては、伝送線路の不連続部の上部に、所定ギャッ
プをおいて、寄生素子が伝送線路形成面に平行に設けら
れ、前記寄生素子は、前記伝送線路形成面に遠い側の面
に導体層が形成されるとともに、前記伝送線路形成面に
近い側の面を除く他の所定の表面に導体層が形成された
誘電体基板からなるようにしてもよい。As another configuration when used as a phase shifter, a parasitic element is provided in parallel with the transmission line forming surface with a predetermined gap above the discontinuous portion of the transmission line. The element is a dielectric substrate in which a conductor layer is formed on a surface far from the transmission line formation surface and a conductor layer is formed on a predetermined surface other than the surface near the transmission line formation surface. It may be.
【００１８】上記した各面に形成する導体層のパターン
形状は任意であり、各面の一部領域に形成してもよい
し、全領域に形成してもよい。所定の導体ペーストをメ
タライズすることにより簡単に形成できる。但し、誘電
体基板の伝送線路形成面に近い側の面に形成される導体
層と、誘電体基板の端面（側面）に形成する導体層とは
非導通状態にする。なお、端面に形成する導体層や、伝
送線路形成面に遠い側の面に形成する導体層、つまり、
寄生素子（誘電体基板）からの無駄な放射を抑制ために
寄与する導体層同士は、導通していても良いし非導通で
も良い。但し、導通させた方がより好ましい。The conductor layer formed on each of the above-mentioned surfaces may have any pattern shape, and may be formed on a partial area of each surface or on the entire area. It can be easily formed by metallizing a predetermined conductor paste. However, the conductor layer formed on the surface of the dielectric substrate on the side close to the transmission line formation surface and the conductor layer formed on the end surface (side surface) of the dielectric substrate are made non-conductive. The conductor layer formed on the end face or the conductor layer formed on the surface far from the transmission line forming surface, that is,
The conductor layers that contribute to suppressing wasteful radiation from the parasitic element (dielectric substrate) may be conductive or non-conductive. However, it is more preferable to make it conductive.
【００１９】本発明のマイクロ波／ミリ波伝送回路で
は、マイクロストリップラインに代表される伝送線路
は、寄生素子に電磁的に強く結合する。これにより寄生
素子の位置が多少変動しても伝送状態の変動は小さい。In the microwave / millimeter wave transmission circuit of the present invention, the transmission line represented by the microstrip line is electromagnetically strongly coupled to the parasitic element. As a result, even if the position of the parasitic element changes a little, the change in the transmission state is small.
【００２０】本発明のマイクロ波／ミリ波伝送回路で
は、たとえば第１形態における伝送線路形成面に遠い側
の面に形成された導体層や、第２形態および第６形態に
おける伝送線路形成面に垂直でかつ伝送線路に平行な１
対の端面に形成された導体層や、第３形態および第７形
態における伝送線路形成面に垂直でかつ伝送線路に垂直
な１対の端面に形成された導体層が、寄生素子からの放
射を抑制する。In the microwave / millimeter wave transmission circuit of the present invention, for example, the conductor layer formed on the surface farther from the transmission line formation surface in the first embodiment and the transmission line formation surface in the second and sixth embodiments. 1 vertical and parallel to the transmission line
The conductor layers formed on the pair of end faces and the conductor layers formed on the pair of end faces that are perpendicular to the transmission line formation surface in the third form and the seventh form and perpendicular to the transmission line form the radiation from the parasitic element. Suppress.
【００２１】２つの回路基板のマイクロストリップライ
ン同士を、Ａｕリボン／ワイヤでボンディングする場
合、加工公差や組付け公差が原因して、設計時に設定し
た間隔で接合することは容易ではなく、接合間隔にばら
つきが生じる。この間隔のばらつきは、Ａｕリボン／ワ
イヤの形状に影響を与える。すなわち、回路基板同士の
間隔が広い場合と狭い場合とで、Ａｕリボン／ワイヤの
形状が不均一となり、これが伝送状態の変動を起こす。
本発明のマイクロ波／ミリ波伝送回路では、マイクロス
トリップラインと寄生素子とは電磁的に強く接続されて
いるので、上記のような不都合はなく、λｇ／１０程度
まで安定した伝送状態を確保することができる。When microstrip lines of two circuit boards are bonded to each other with Au ribbons / wires, it is not easy to bond them at the intervals set at the time of design due to processing tolerances and assembly tolerances. Variation occurs. This variation in spacing affects the shape of the Au ribbon / wire. That is, the Au ribbon / wire has a non-uniform shape depending on whether the distance between the circuit boards is wide or narrow, which causes a change in the transmission state.
In the microwave / millimeter wave transmission circuit of the present invention, since the microstrip line and the parasitic element are electromagnetically strongly connected, the above-mentioned inconvenience does not occur, and a stable transmission state up to about λg / 10 is secured. be able to.
【００２２】本発明のマイクロ波／ミリ波伝送回路で
は、前記伝送線路の不連続部となる端部に、伝送線路幅
より広い幅のパッチ部をそれぞれ形成することができ
る。また、前記寄生素子を、前記両パッチ部を合わせた
領域に重なるように配置することができる。パッチ部の
幅をλｇ／４とすることで、共振器が構成されるので、
伝播効率は極めて高くなる。さらにこのパッチ部と、寄
生素子との間に形成されるキャパシタンスは、線路に生
じるサージを吸収する効果をも有する。In the microwave / millimeter wave transmission circuit of the present invention, the patch portion having a width wider than the transmission line width can be formed at each of the discontinuous end portions of the transmission line. Further, the parasitic element can be arranged so as to overlap a region where the both patch portions are combined. Since the width of the patch section is set to λg / 4, the resonator is constructed.
Propagation efficiency is extremely high. Furthermore, the capacitance formed between the patch portion and the parasitic element also has an effect of absorbing a surge generated in the line.
【００２３】本発明のマイクロ波／ミリ波伝送回路で
は、前記寄生素子を、前記伝送線路形成面に支持部材を
介して取り付けることができる。この支持部材は合成樹
脂発泡体等の柔軟材により構成することができる。寄生
素子を、伝送線路に形成された基板にボルトにより取り
付けたり、寄生素子にステーを設け、当該ステーを基板
に形成したパターンにハンダ付けたりするような場合に
は、基板の熱収縮によりパターンの剥離が生じることが
あるが、支持部材を合成樹脂発泡体等の柔軟材により構
成することで、このような不都合は生じない。さらに、
本発明のマイクロ波／ミリ波伝送回路では、前記寄生素
子をセラミック基体により構成することができる。In the microwave / millimeter wave transmission circuit of the present invention, the parasitic element can be attached to the transmission line forming surface via a supporting member. This support member can be made of a flexible material such as synthetic resin foam. When a parasitic element is attached to a board formed on a transmission line with a bolt or a stay is provided on the parasitic element and the stay is soldered to the pattern formed on the board, the pattern shrinks due to thermal contraction of the board. Although peeling may occur, such inconvenience does not occur when the supporting member is made of a flexible material such as synthetic resin foam. further,
In the microwave / millimeter wave transmission circuit of the present invention, the parasitic element can be formed of a ceramic substrate.
【００２４】[0024]
【発明の実施の形態】図４，図５は、本発明のマイクロ
波／ミリ波伝送回路をコネクタとして使用する第１の実
施の形態の説明図である。図４（ａ）に基づいて基本構
成を説明する。FIG. 4 and FIG. 5 are explanatory views of a first embodiment in which the microwave / millimeter wave transmission circuit of the present invention is used as a connector. The basic configuration will be described with reference to FIG.
【００２５】まず、アルミナ等の誘電体材料で構成され
た２つの回路基板１０，１１の表面（上面）に導体膜で
構成される伝送線路、つまり、所定の回路パターンから
なるマイクロストリップライン１２，１３が形成され
る。図では、接続部分のみを示している。この２本のス
トリップライン１２，１３は、その先端に接続部となる
パッチ部１２ａ，１３ａが形成されている。このパッチ
部１２ａ，１３ａは、矩形状からなり、その幅Ｗは、使
用周波数（λｇ）の１／４とし、共振器を構成してい
る。なお、λｇは、回路基板１０，１１を構成する誘電
体材料の誘電率を考慮した実効波長である。First, a transmission line formed of a conductor film on the surfaces (upper surfaces) of two circuit boards 10 and 11 made of a dielectric material such as alumina, that is, a microstrip line 12 having a predetermined circuit pattern, 13 is formed. In the figure, only the connecting portion is shown. The two strip lines 12 and 13 are provided with patch portions 12a and 13a, which are connection portions, at their tips. The patch portions 12a and 13a have a rectangular shape, and the width W thereof is 1/4 of the used frequency (λg) to form a resonator. Note that λg is an effective wavelength in consideration of the dielectric constant of the dielectric material forming the circuit boards 10 and 11.
【００２６】さらに、パッチ部１２ａ，１３ａの先端
は、所定の距離（ギャップ）をおいて離れており、ＤＣ
的に遮断されている。そして、両パッチ部１２ａ，１３
ａは同一直線上に配置される。また、回路基板１０，１
１の裏面側は、全面に導体膜が成膜されている。Furthermore, the tips of the patch portions 12a and 13a are separated by a predetermined distance (gap), and DC
Have been cut off. Then, both patch portions 12a, 13
a is arranged on the same straight line. In addition, the circuit boards 10, 1
A conductor film is formed on the entire back surface of No. 1.
【００２７】ここで、本発明では、上記した２つのパッ
チ部１２ａ，１３ａを跨ぐようにして、その上方に寄生
素子２０を配置している。この寄生素子２０は、誘電体
基板２０ａから構成される。この寄生素子２０の幅と、
パッチ部１２ａ，１３ａの幅は、ほぼ一致させている。
そして、この寄生素子２０と、パッチ部１２ａ，１３ａ
の間には、合成樹脂発泡体からなる４本の支持部材Ｓ
（破線で示す）が介在される。具体的には、支持部材Ｓ
が寄生素子２０の４隅を支えるようになっている。Here, in the present invention, the parasitic element 20 is arranged above the two patch portions 12a and 13a so as to straddle them. The parasitic element 20 is composed of a dielectric substrate 20a. The width of this parasitic element 20,
The widths of the patch portions 12a and 13a are substantially the same.
Then, the parasitic element 20 and the patch portions 12a and 13a
Between the four, there are four support members S made of synthetic resin foam.
(Indicated by the dashed line). Specifically, the support member S
Support the four corners of the parasitic element 20.
【００２８】なお、４つの支持部材Ｓに代えて、１枚の
支持板を用いることもできる。また寄生素子２０を構成
する誘電体基板２０ａは、回路基板１０，１１に併せて
アルミナ等の誘電体セラミックにより形成しているが、
回路基板１０，１１と必ずしも同じ材料を用いる必要は
ない。Instead of the four support members S, one support plate can be used. Further, the dielectric substrate 20a forming the parasitic element 20 is formed of a dielectric ceramic such as alumina along with the circuit boards 10 and 11,
It is not always necessary to use the same material as the circuit boards 10 and 11.
【００２９】さらに、この寄生素子２０は、図４（ａ）
に示すように、誘電体基板２０ａの表面のうち、回路基
板１０，１１に近い側の面（下面）、及び回路基板１
０，１１から遠い側の面（上面）の全域にそれぞれ導体
層Ｍ０，Ｍ１を形成している。これにより、パッチ部１
２ａ，１３ａ（共振器）と寄生素子２０が、電磁的に結
合した構造がとられる。この電磁的な結合は強いので、
寄生素子２０の位置が変動したり、回路基板１０，１１
間のギャップが変動したりしても回路全体の伝送状態の
変動は小さく抑えることができる。Further, this parasitic element 20 is shown in FIG.
As shown in FIG. 2, the surface (lower surface) of the surface of the dielectric substrate 20a closer to the circuit boards 10 and 11 and the circuit board 1
Conductor layers M0 and M1 are formed over the entire surface (upper surface) on the side remote from 0 and 11, respectively. As a result, the patch unit 1
2a, 13a (resonator) and the parasitic element 20 are electromagnetically coupled to each other. Since this electromagnetic coupling is strong,
The position of the parasitic element 20 may change, and the circuit boards 10 and 11 may be changed.
Even if the gap between them fluctuates, the fluctuation of the transmission state of the entire circuit can be suppressed to a small level.
【００３０】また、上記のように電磁的に結合されるこ
とから、伝送波（マイクロ波／ミリ波）が、たとえば回
路基板１０のマイクロストリップライン１２を伝播する
（伝播方向をＴで示す）と、パッチ部１２ａから寄生素
子２０（導体層Ｍ０）を介して回路基板１１のパッチ部
１３ａに伝達され、マイクロストリップライン１３を伝
播することになる。Since the electromagnetic waves are electromagnetically coupled as described above, a transmission wave (microwave / millimeter wave) propagates through the microstrip line 12 of the circuit board 10 (the propagation direction is indicated by T). , Is transmitted from the patch portion 12a to the patch portion 13a of the circuit board 11 via the parasitic element 20 (conductor layer M0) and propagates through the microstrip line 13.
【００３１】このとき、寄生素子２０（導体層Ｍ０）側
に発生している電界は、主基板である回路基板１０，１
１側はもちろんのこと、他の方向（反対側（上側）等）
にも発生する。しかし、本実施の形態では、図４（ａ）
に示したように寄生素子２０の上面に導体層Ｍ１を設け
ているので、寄生素子２０（誘電体基板）の上方外側に
電磁波が放射されてしまうのが抑制され、通過損失が低
減される。At this time, the electric field generated on the side of the parasitic element 20 (conductor layer M0) is the circuit board 10, 1 which is the main board.
Not to mention one side, other direction (opposite side (upper side), etc.)
Also occurs. However, in this embodiment, as shown in FIG.
As described above, since the conductor layer M1 is provided on the upper surface of the parasitic element 20, it is possible to prevent the electromagnetic wave from being radiated to the upper and outer sides of the parasitic element 20 (dielectric substrate) and reduce the passage loss.
【００３２】また、図４（ａ）では、寄生素子２０（誘
電体基板２０ａ）の上面の全領域にわたり導体層Ｍ１を
設けたが、本発明はこれに限ることはなく、上面の一部
に導体層を形成するものでも良い。一例としては、図４
（ｂ）に示すように、寄生素子２０の上面の縁を残した
パターンで導体層Ｍ１を形成することもできる。また、
図５（ａ）に示すように、寄生素子２０の上面のうち、
伝送波の伝播方向Ｔと平行な縁を残したパターンで導体
層Ｍ１を形成することもできる。さらには、図５（ｂ）
に示すように、寄生素子２０の上面のうち、伝送波の伝
播方向Ｔと垂直な縁を残したパターンで導体層Ｍ１を形
成することもできる。Further, in FIG. 4A, the conductor layer M1 is provided over the entire area of the upper surface of the parasitic element 20 (dielectric substrate 20a), but the present invention is not limited to this, and a part of the upper surface is provided. A conductor layer may be formed. As an example, FIG.
As shown in (b), the conductor layer M1 can be formed in a pattern in which the edge of the upper surface of the parasitic element 20 is left. Also,
As shown in FIG. 5A, of the upper surface of the parasitic element 20,
The conductor layer M1 can also be formed in a pattern that leaves an edge parallel to the propagation direction T of the transmitted wave. Furthermore, FIG. 5 (b)
As shown in, the conductor layer M1 can be formed in a pattern in which an edge of the upper surface of the parasitic element 20 which is perpendicular to the propagation direction T of the transmission wave is left.
【００３３】図４（ａ）に示す寄生素子２０の上面の全
面に導体層を形成した接続構造における通過損失特性
は、図６に示すようになった。同様に、図４（ｂ）に示
したパターンを形成したときの通過損失特性は、図７に
示すようになった。何れの場合も、誘電体基板の下面の
みに導体層を形成した寄生素子を用いた構成の伝送線路
特性（図３参照）と比較すれば明らかなように、通過損
失（Ｓ２１）が抑えられている。FIG. 6 shows the pass loss characteristics in the connection structure in which a conductor layer is formed on the entire upper surface of the parasitic element 20 shown in FIG. 4 (a). Similarly, the pass loss characteristics when the pattern shown in FIG. 4B is formed are as shown in FIG. In any case, as is clear from comparison with the transmission line characteristics (see FIG. 3) of the configuration using the parasitic element in which the conductor layer is formed only on the lower surface of the dielectric substrate, the pass loss (S21) is suppressed. There is.
【００３４】図８，図９は、本発明のマイクロ波／ミリ
波伝送回路をコネクタとして使用する第２の実施の形態
の説明図である。２つの回路基板１０，１１は、第１の
実施の形態と同様の構成を採るとともに、寄生素子２１
の基本構成も第１の実施の形態と同様である。すなわ
ち、アルミナなどからなる誘電体基板２１ａの下面の全
域に導体層Ｍ０を設けた構成を採り、係る寄生素子２１
を、パッチ部１２ａ，１３ａの上部を覆うように位置合
わせして設けられる（４つの支持部材Ｓで支持され
る）。8 and 9 are explanatory views of a second embodiment in which the microwave / millimeter wave transmission circuit of the present invention is used as a connector. The two circuit boards 10 and 11 have the same configuration as that of the first embodiment, and the parasitic element 21
The basic configuration of is also the same as that of the first embodiment. That is, the parasitic element 21 having the structure in which the conductor layer M0 is provided on the entire lower surface of the dielectric substrate 21a made of alumina or the like is used.
Are aligned and provided so as to cover the upper portions of the patch portions 12a and 13a (supported by the four support members S).
【００３５】ここで、本実施の形態では、図８（ａ）に
示すように、寄生素子２１（誘電体基板２１ａ）の表面
のうち、伝搬方向つまりマイクロストリップライン１
２，１３と平行な１対の端面（側面）の全域に、導体層
Ｍ２を形成している。Here, in this embodiment, as shown in FIG. 8A, of the surface of the parasitic element 21 (dielectric substrate 21a), the propagation direction, that is, the microstrip line 1 is formed.
The conductor layer M2 is formed over the entire area of the pair of end faces (side faces) parallel to the electrodes 2 and 13.
【００３６】これにより、伝送波（マイクロ波／ミリ
波）が、たとえば回路基板１０のマイクロストリップラ
イン１２を伝播（伝播方向をＴで示す）すると、パッチ
部１２ａから寄生素子２１を介して回路基板１１のパッ
チ部１３ａに伝達され、マイクロストリップライン１３
を伝播する。このとき、図８（ａ）に示したように寄生
素子２１は、誘電体基板２１ａのマイクロストリップラ
イン１２，１３と平行な２つの端面に導体層Ｍ２を設け
ているので、係る端面から寄生素子２１の外に出ようと
する電磁波の放射が抑制され、通過損失が低減する。As a result, when the transmission wave (microwave / millimeter wave) propagates through the microstrip line 12 of the circuit board 10 (the propagation direction is indicated by T), the patch portion 12a passes through the parasitic element 21 and the circuit board. 11 is transmitted to the patch portion 13a of the microstrip line 13
To propagate. At this time, as shown in FIG. 8A, the parasitic element 21 is provided with the conductor layer M2 on the two end surfaces of the dielectric substrate 21a parallel to the microstrip lines 12 and 13. Radiation of electromagnetic waves that try to go out of 21 is suppressed, and the passage loss is reduced.
【００３７】また、図８（ａ）では、寄生素子２１（誘
電体基板２１ａ）の表面のうち、マイクロストリップラ
イン１２，１３と平行な２つの端面の全領域にわたり導
体層を設けたが、本発明はこれに限ることはなく、係る
端面の一部に導体層を形成するものでも良い。一例とし
ては、図８（ｂ）に示すように、寄生素子（誘電体基板
２１ａ）の端面の両側を残したパターンで導体層Ｍ２を
形成することもできる。また、図９（ａ）に示すよう
に、寄生素子２１の上記端面の両側を残したパターンで
導体層Ｍ２を形成することもできる。さらに図９（ｂ）
に示すように、上記端面の上下側を残した細帯状のパタ
ーンで導体層Ｍ２を形成することもできる。In FIG. 8A, the conductor layer is provided over the entire area of the two end faces parallel to the microstrip lines 12 and 13 on the surface of the parasitic element 21 (dielectric substrate 21a). The invention is not limited to this, and the conductor layer may be formed on a part of the end face. As an example, as shown in FIG. 8B, the conductor layer M2 may be formed in a pattern in which both sides of the end surface of the parasitic element (dielectric substrate 21a) are left. Further, as shown in FIG. 9A, the conductor layer M2 can be formed in a pattern in which both sides of the end face of the parasitic element 21 are left. Further, FIG. 9 (b)
As shown in, the conductor layer M2 can be formed in a strip-shaped pattern in which the upper and lower sides of the end face are left.
【００３８】本発明の効果を実証する一例として、寄生
素子２１の端面に図８（ａ）に示したパターンを形成し
たときの通過損失特性を図１０に示し、図８（ｂ）に示
したパターンを形成したときの通過損失特性を図１１に
示し、図９（ａ）に示したパターンを形成したときの通
過損失特性を図１２に示す。何れの場合も、誘電体基板
の下面のみに導体層を形成した寄生素子を用いた場合の
伝送線路特性（図３参照）と比較すれば明らかなよう
に、通過損失（Ｓ２１）が抑えられている。なお、その
他の構成並びに作用効果は、上記した第１の実施の形態
と同様であるので、対応する部材に同一符号を付し、そ
の詳細な説明を省略する。As an example for demonstrating the effect of the present invention, the pass loss characteristics when the pattern shown in FIG. 8A is formed on the end face of the parasitic element 21 are shown in FIG. 10 and shown in FIG. 8B. FIG. 11 shows the passage loss characteristic when the pattern is formed, and FIG. 12 shows the passage loss characteristic when the pattern shown in FIG. 9A is formed. In either case, as is clear from the comparison with the transmission line characteristics (see FIG. 3) in the case of using the parasitic element in which the conductor layer is formed only on the lower surface of the dielectric substrate, the pass loss (S21) is suppressed. There is. Since the other configurations and effects are the same as those of the first embodiment described above, corresponding members are designated by the same reference numerals, and detailed description thereof will be omitted.
【００３９】図１３は、本発明のマイクロ波／ミリ波伝
送回路をコネクタとして使用する第３の実施の形態の説
明図である。図８に示すように、２つの回路基板１０，
１１は、第１，第２の実施の形態と同様の構成をしてい
る。そして、パッチ部１２ａ，１３ａの上部に支持部材
Ｓを介して設置される寄生素子２２は、誘電体基盤２２
ａの回路基板１０，１１側の面（下面）の全域に、導体
層Ｍ０を形成する点も上記した各実施の形態と同様であ
る。FIG. 13 is an explanatory diagram of a third embodiment in which the microwave / millimeter wave transmission circuit of the present invention is used as a connector. As shown in FIG. 8, the two circuit boards 10,
11 has the same configuration as that of the first and second embodiments. The parasitic element 22 installed on the upper part of the patch portions 12a and 13a via the support member S is the dielectric substrate 22.
The fact that the conductor layer M0 is formed over the entire surface (lower surface) of the circuit board 10 on the side of the circuit boards 10 and 11 is the same as in each of the above-described embodiments.
【００４０】ここで、本実施の形態では、寄生素子２２
を構成する誘電体基板２２ａの表面のうち、マイクロス
トリップライン１２，１３の伝送線路の進行方向に対し
て垂直な端面に、導体層Ｍ３が形成されている。ここで
形成した導体層Ｍ３のパターンは、上記垂直な端面の両
端側を残したパターン形状としている。また、図では、
垂直な端面のうち、片側（伝播方向の前方側）のみ導体
層Ｍ３を設けているが、反対側に設けてもよいし、両方
の端面に設けてももちろんよい。Here, in the present embodiment, the parasitic element 22
The conductor layer M3 is formed on the end surface of the surface of the dielectric substrate 22a constituting the above, which is perpendicular to the traveling direction of the transmission lines of the microstrip lines 12 and 13. The pattern of the conductor layer M3 formed here has a pattern shape in which both ends of the vertical end face are left. Also, in the figure,
Of the vertical end faces, the conductor layer M3 is provided only on one side (front side in the propagation direction), but it may be provided on the opposite side or may be provided on both end faces.
【００４１】係る構成をとると、たとえば回路基板１０
のマイクロストリップライン１２を伝播する伝送波（伝
播方向をＴで示す）は、パッチ部１２ａから寄生素子２
２を介して回路基板１１のパッチ部１３ａに伝達され、
マイクロストリップライン１３を伝播するが、このと
き、寄生素子２２（誘電体基板２２ａ）のマイクロスト
リップライン１２，１３と垂直な端面に導体層Ｍ３を設
けているので、係る面から電界が外部に漏れる（電磁波
の放射）が抑制され、通過損失が低減する。With such a configuration, for example, the circuit board 10
The transmission wave (the propagation direction is indicated by T) propagating through the microstrip line 12 of the parasitic element 2 from the patch portion 12a.
2 is transmitted to the patch portion 13a of the circuit board 11 via
Although it propagates through the microstrip line 13, at this time, since the conductor layer M3 is provided on the end surface of the parasitic element 22 (dielectric substrate 22a) perpendicular to the microstrip lines 12 and 13, the electric field leaks to the outside from the surface. (Radiation of electromagnetic waves) is suppressed, and the passage loss is reduced.
【００４２】この実施の形態における通過損失特性の一
例を示すと、図１４のようになる。この図１４と図３を
比較すると明らかなように、本実施の形態によれば、通
過損失（Ｓ２１）が抑えられるのが確認できる。なお、
その他の構成並びに作用効果は、上記した第１の実施の
形態と同様であるので、対応する部材に同一符号を付
し、その詳細な説明を省略する。An example of the pass loss characteristic in this embodiment is shown in FIG. As is clear from comparison between FIG. 14 and FIG. 3, it can be confirmed that the passage loss (S21) is suppressed according to the present embodiment. In addition,
Other configurations and operational effects are similar to those of the above-described first embodiment, and therefore corresponding members are designated by the same reference numerals and detailed description thereof is omitted.
【００４３】図１５は、本発明のマイクロ波／ミリ波伝
送回路をコネクタとして使用する第４の実施の形態の説
明図である。本実施の形態は、上記した各実施の形態の
複合タイプである。すなわち、図１５（ａ）は、寄生素
子２３（誘電体基板２３ａ）の回路基板１０，１１側の
面（下面）の全域に導体層Ｍ０が形成されるとともに、
その反対側の面（上面）の全域に導体層Ｍ１が形成さ
れ、伝播方向（マイクロストリップライン１２，１３の
伝送線路の進行方向）と平行な２つの端面（側面）の全
域に導体層Ｍ２が形成され、さらに、その伝播方向と垂
直な一端面の両端に導体層Ｍ３が形成されている。すな
わち、これは第１の実施の形態（図４（ａ））と、第２
の実施の形態（図８（ａ））と、第３の実施の形態を組
み合わせたものである。FIG. 15 is an explanatory view of a fourth embodiment in which the microwave / millimeter wave transmission circuit of the present invention is used as a connector. This embodiment is a composite type of the above embodiments. That is, in FIG. 15A, the conductor layer M0 is formed over the entire surface (lower surface) of the parasitic element 23 (dielectric substrate 23a) on the circuit board 10, 11 side.
The conductor layer M1 is formed over the entire surface (upper surface) on the opposite side, and the conductor layer M2 is formed over the entire two end surfaces (side surfaces) parallel to the propagation direction (the traveling direction of the transmission lines of the microstrip lines 12 and 13). Further, the conductor layer M3 is formed on both ends of the one end surface perpendicular to the propagation direction. That is, this is the same as the first embodiment (FIG. 4A) and the second embodiment.
The embodiment (FIG. 8A) and the third embodiment are combined.
【００４４】係る構成にすると、回路基板１０のマイク
ロストリップライン１２を伝播する伝送波（伝播方向を
Ｔで示す）は、パッチ部１２ａから寄生素子２３を介し
て回路基板１１のパッチ部１３ａに伝達され、マイクロ
ストリップライン１３を伝播する。このとき、寄生素子
２３の下面に設けた導体層Ｍ０を中心に周囲に広がる電
界が生じ、パッチ部１２ａ，１３ａとの間では強固に電
磁的に結合する。そして、誘電体基板２３ａの内部にも
電界が発生し、その基板の外に出ようとするが、各導体
層Ｍ１，Ｍ２，Ｍ３によってその放出が抑制される。そ
の結果、通貨損失が可及的に抑制され、良好な特性が得
られる（図１６参照）。With such a configuration, the transmission wave (the propagation direction is indicated by T) propagating through the microstrip line 12 of the circuit board 10 is transmitted from the patch section 12a to the patch section 13a of the circuit board 11 via the parasitic element 23. And propagates through the microstrip line 13. At this time, an electric field spreading around the conductor layer M0 provided on the lower surface of the parasitic element 23 is generated, and strong electromagnetic coupling is established between the patch elements 12a and 13a. Then, an electric field is also generated inside the dielectric substrate 23a and tries to go out of the substrate, but the emission is suppressed by the conductor layers M1, M2, M3. As a result, currency loss is suppressed as much as possible and good characteristics are obtained (see FIG. 16).
【００４５】上記した図１５（ａ）に示した構成は、最
良の実施の形態の一態様であるが、各実施の形態の組み
合わせは、係る構成に限るものではなく、たとえば図１
５（ｂ）に示すように、寄生素子２３（誘電体基板２３
ａ）の表面のうち、伝播方向に平行な２つの端面の中心
部を残すとともに、伝播方向に垂直な一端面の両側に導
体層Ｍ３を残したパターンで導体層Ｍ２，Ｍ３を形成す
ることもできる。もちろん、寄生素子２３の下面にも導
体層Ｍ０はあるが、この例では、上面には導体層を設け
ていない。つまり、第２の実施の形態（図８（ｂ））と
第３の実施の形態を組み合わせたものである。The configuration shown in FIG. 15 (a) described above is an aspect of the best mode, but the combination of the respective modes is not limited to such a configuration, and for example, FIG.
As shown in FIG. 5B, the parasitic element 23 (dielectric substrate 23
It is also possible to form the conductor layers M2 and M3 in a pattern in which the central portions of the two end faces parallel to the propagation direction are left on the surface of a) and the conductor layer M3 is left on both sides of one end face perpendicular to the propagation direction. it can. Of course, the conductor layer M0 is also on the lower surface of the parasitic element 23, but in this example, the conductor layer is not provided on the upper surface. That is, it is a combination of the second embodiment (FIG. 8B) and the third embodiment.
【００４６】もちろん、これ以外の任意の組み合わせが
できるのは言うまでもない。なお、その他の構成並びに
作用効果は上記した各実施の形態と同様であるので、対
応する部材に同一符号を付し、その詳細な説明を省略す
る。Of course, it goes without saying that any other combination can be used. Since the other configurations and operational effects are the same as those in the above-described respective embodiments, corresponding members are designated by the same reference numerals and detailed description thereof will be omitted.
【００４７】また、具体的な図示は省略するが、たとえ
ば上記した各実施の形態等の構成を基準とし、寄生素子
とパッチ部１２ａ，１３ａの間に誘電体を介在させるこ
とにより、移相器を構成することができる。なお、この
場合にマイクロストリップライン１２，１３やパッチ部
１２ａ，１３ａは、同一の基板上に形成される。また、
このとき、寄生素子の下面に形成するパターンを適宜異
ならせることにより、任意の位相量を得ることができ
る。Although not specifically shown, a phase shifter is provided by interposing a dielectric between the parasitic element and the patch portions 12a and 13a based on the configurations of the above-described respective embodiments. Can be configured. In this case, the microstrip lines 12 and 13 and the patch portions 12a and 13a are formed on the same substrate. Also,
At this time, an arbitrary phase amount can be obtained by appropriately changing the pattern formed on the lower surface of the parasitic element.
【００４８】さらにまた、具体的な図示は省略するが、
たとえば上記した第１の実施の形態を含む第４の実施の
形態、つまり、寄生素子（誘電体基板）の上面並びに下
面と、さらにその他の所定の端面に導体層を形成した構
成を前提とし、下面の導体層Ｍ０を除去した構成をとっ
た場合でも移相器を形成することができる。Further, although a concrete illustration is omitted,
For example, on the premise of the fourth embodiment including the above-described first embodiment, that is, the structure in which a conductor layer is formed on the upper surface and the lower surface of the parasitic element (dielectric substrate), and other predetermined end surfaces, The phase shifter can be formed even when the conductor layer M0 on the lower surface is removed.
【００４９】[0049]
【発明の効果】本発明によれば、不連続の伝送線路を電
磁界結合するマイクロ波／ミリ波伝送回路（コネクタや
移相器）において、寄生素子（誘電体基板）からの無駄
な放射を抑制でき、通過損失を小さくすることができ
る。According to the present invention, in a microwave / millimeter wave transmission circuit (connector or phase shifter) for electromagnetically coupling discontinuous transmission lines, useless radiation from a parasitic element (dielectric substrate) is generated. It can be suppressed, and the passage loss can be reduced.
【図１】２つの回路基板を接合する場合の従来技術の説
明図であり、（ａ）はＡｕリボンによる接続を示す図、
（ｂ）はＡｕワイヤによる接続を示す図である。FIG. 1 is an explanatory diagram of a conventional technique in the case of joining two circuit boards, FIG. 1A is a diagram showing a connection by an Au ribbon,
(B) is a figure which shows the connection by Au wire.
【図２】非接触コネクタにより伝送線路を接続する従来
技術の説明図である。FIG. 2 is an explanatory diagram of a conventional technique of connecting a transmission line with a non-contact connector.
【図３】図２に示した導体層Ｍ付きの寄生素子を用いた
マイクロ波／ミリ波伝送回路の通過損失特性図である。3 is a pass loss characteristic diagram of a microwave / millimeter wave transmission circuit using a parasitic element with a conductor layer M shown in FIG.
【図４】本発明のマイクロ波／ミリ波伝送回路をコネク
タとして使用する第１の実施の形態の説明図（その１）
である。FIG. 4 is an explanatory diagram of the first embodiment in which the microwave / millimeter wave transmission circuit of the present invention is used as a connector (No. 1).
Is.
【図５】本発明のマイクロ波／ミリ波伝送回路をコネク
タとして使用する第１の実施の形態の説明図（その２）
である。FIG. 5 is an explanatory view (No. 2) of the first embodiment in which the microwave / millimeter wave transmission circuit of the present invention is used as a connector.
Is.
【図６】図４（ａ）に示した寄生素子を用いたマイクロ
波／ミリ波伝送回路の通過損失特性図である。6 is a pass loss characteristic diagram of a microwave / millimeter wave transmission circuit using the parasitic element shown in FIG. 4 (a).
【図７】図４（ｂ）に示した寄生素子を用いたマイクロ
波／ミリ波伝送回路の過損失特性図である。7 is an over-loss characteristic diagram of a microwave / millimeter wave transmission circuit using the parasitic element shown in FIG. 4 (b).
【図８】本発明のマイクロ波／ミリ波伝送回路をコネク
タとして使用する第２の実施の形態の説明図（その１）
である。FIG. 8 is an explanatory diagram of the second embodiment in which the microwave / millimeter wave transmission circuit of the present invention is used as a connector (Part 1).
Is.
【図９】本発明のマイクロ波／ミリ波伝送回路をコネク
タとして使用する第２の実施の形態の説明図（その２）
である。FIG. 9 is an explanatory diagram of the second embodiment in which the microwave / millimeter wave transmission circuit of the present invention is used as a connector (Part 2).
Is.
【図１０】図８（ａ）に示した寄生素子を用いたマイク
ロ波／ミリ波伝送回路の通過損失特性図である。10 is a pass loss characteristic diagram of the microwave / millimeter wave transmission circuit using the parasitic element shown in FIG.
【図１１】図８（ｂ）に示した寄生素子を用いたマイク
ロ波／ミリ波伝送回路の通過損失特性図である。11 is a pass loss characteristic diagram of a microwave / millimeter wave transmission circuit using the parasitic element shown in FIG. 8 (b).
【図１２】図８（ｃ）に示した寄生素子を用いたマイク
ロ波／ミリ波伝送回路の通過損失特性図である。12 is a pass loss characteristic diagram of the microwave / millimeter wave transmission circuit using the parasitic element shown in FIG. 8 (c).
【図１３】本発明のマイクロ波／ミリ波伝送回路をコネ
クタとして使用する第３の実施の形態の説明図である。FIG. 13 is an explanatory diagram of a third embodiment in which the microwave / millimeter wave transmission circuit of the present invention is used as a connector.
【図１４】図１３に示した寄生素子を用いたマイクロ波
／ミリ波伝送回路の通過損失特性図である。14 is a pass loss characteristic diagram of the microwave / millimeter wave transmission circuit using the parasitic element shown in FIG.
【図１５】本発明のマイクロ波／ミリ波伝送回路をコネ
クタとして使用する第４の実施の形態の説明図である。FIG. 15 is an explanatory diagram of a fourth embodiment in which the microwave / millimeter wave transmission circuit of the present invention is used as a connector.
【図１６】図１５（ａ）に示した寄生素子を用いたマイ
クロ波／ミリ波伝送回路の通過損失特性図である。16 is a pass loss characteristic diagram of a microwave / millimeter wave transmission circuit using the parasitic element shown in FIG. 15 (a).
２０，２１，２２，２３ 寄生素子 ２０ａ，２１ａ，２２ａ，２３ａ 誘電体基板 １０，１１ 回路基板 １２，１３ マイクロストリップライン １２ａ，１３ａ パッチ部 Ｍ０，Ｍ１，Ｍ２，Ｍ３ 導体層 Ｓ 支持部材 Ｔ 伝播方向 20, 21, 22, 23 Parasitic element 20a, 21a, 22a, 23a Dielectric substrate 10,11 Circuit board 12, 13 Micro strip line 12a, 13a patch section M0, M1, M2, M3 Conductor layer S support member T propagation direction
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 城山 優美 東京都港区新橋５丁目36番11号 エフ・デ ィー・ケイ株式会社内 (72)発明者 新井 宏之 神奈川県横浜市旭区今宿東町615−11 Ｆターム(参考） 5J011 DA12 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continued front page (72) Inventor Yumi Shiroyama F-de, 5-36-1 Shimbashi, Minato-ku, Tokyo K.K Co., Ltd. (72) Inventor Hiroyuki Arai 615-11 Imajuku Higashimachi, Asahi Ward, Yokohama City, Kanagawa Prefecture F-term (reference) 5J011 DA12
Claims (16)
ップをおいて、寄生素子が伝送線路形成面に平行に設け
られてなるマイクロ波／ミリ波伝送回路であって、 前記寄生素子は、前記伝送線路形成面に近い側の面、お
よび前記伝送線路形成面に遠い側の面に導体層が形成さ
れた誘電体基板からなることを特徴とするマイクロ波／
ミリ波伝送回路。1. A microwave / millimeter wave transmission circuit in which a parasitic element is provided in parallel with a transmission line forming surface at a predetermined gap above a discontinuous portion of the transmission line, wherein the parasitic element is And a dielectric substrate having a conductor layer formed on a surface near the transmission line forming surface and on a surface far from the transmission line forming surface.
Millimeter wave transmission circuit.
ップをおいて、寄生素子が伝送線路形成面に平行に設け
られてなるマイクロ波／ミリ波伝送回路であって、 前記寄生素子は、前記伝送線路形成面に垂直でかつ前記
伝送線路に平行な１対の端面を持つ形状をなし、前記伝
送線路形成面に近い側の面、および前記１対の端面に導
体層が形成された誘電体基板からなることを特徴とする
マイクロ波／ミリ波伝送回路。2. A microwave / millimeter wave transmission circuit in which a parasitic element is provided in parallel with a transmission line forming surface at a predetermined gap above a discontinuous portion of the transmission line, wherein the parasitic element is A shape having a pair of end faces that are perpendicular to the transmission line formation face and parallel to the transmission line, and conductor layers are formed on a face near the transmission line formation face and on the pair of end faces. A microwave / millimeter wave transmission circuit characterized by comprising a dielectric substrate.
ップをおいて、寄生素子が伝送線路形成面に平行に設け
られてなるマイクロ波／ミリ波伝送回路であって、 前記寄生素子は、前記伝送線路形成面に垂直でかつ前記
伝送線路を伝送する波の進行方向に向いた端面を持つ形
状をなし、前記伝送線路形成面側に近い側の面、および
前記端面に導体層が形成された誘電体基板からなること
を特徴とするマイクロ波／ミリ波伝送回路。3. A microwave / millimeter wave transmission circuit in which a parasitic element is provided in parallel with a transmission line forming surface at a predetermined gap above a discontinuous portion of the transmission line, wherein the parasitic element is Forming a shape having an end face that is perpendicular to the transmission line formation face and that is oriented in the traveling direction of the wave transmitted through the transmission line, and a conductor layer is formed on the face close to the transmission line formation face side and the end face. Microwave / millimeter wave transmission circuit, characterized in that it comprises a dielectric substrate.
垂直でかつ前記伝送線路に平行な１対の端面を持つ形状
をなし、当該各端面に導体層が形成された誘電体基板か
らなることを特徴とする請求項３に記載のマイクロ波／
ミリ波伝送回路。4. The parasitic element has a shape having a pair of end faces perpendicular to the transmission line formation surface and parallel to the transmission line, and is made of a dielectric substrate having a conductor layer formed on each end face. The microwave according to claim 3, wherein
Millimeter wave transmission circuit.
い側の面に導体層が形成されてなることを特徴とする請
求項２から４の何れか１項に記載のマイクロ波／ミリ波
伝送回路。5. The microwave / millimeter wave according to any one of claims 2 to 4, wherein a conductor layer is formed on a surface of the parasitic element far from a surface on which the transmission line is formed. Transmission circuit.
ップをおいて、寄生素子が伝送線路形成面に平行に設け
られてなるマイクロ波／ミリ波伝送回路であって、 前記寄生素子は、前記伝送線路形成面に垂直でかつ前記
伝送線路に平行な１対の端面を持つ形状をなし、前記伝
送線路形成面に遠い側の面、および前記１対の端面に導
体層が形成された誘電体基板からなることを特徴とする
マイクロ波／ミリ波伝送回路。6. A microwave / millimeter wave transmission circuit in which a parasitic element is provided in parallel with a transmission line forming surface at a predetermined gap above a discontinuous portion of the transmission line, wherein the parasitic element is A conductor layer is formed on a surface far from the transmission line forming surface and on the pair of end surfaces, and has a shape having a pair of end surfaces perpendicular to the transmission line forming surface and parallel to the transmission line. A microwave / millimeter wave transmission circuit characterized by comprising a dielectric substrate.
ップをおいて、寄生素子が伝送線路形成面に平行に設け
られてなるマイクロ波／ミリ波伝送回路であって、 前記寄生素子は、前記伝送線路形成面に垂直でかつ前記
伝送線路に垂直でかつ前記伝送線路を伝送する波の進行
方向に向いた端面を持つ形状をなし、前記伝送線路形成
面に遠い側の面、および前記端面に導体層が形成された
誘電体基板からなることを特徴とするマイクロ波／ミリ
波伝送回路。7. A microwave / millimeter wave transmission circuit in which a parasitic element is provided in parallel with a transmission line forming surface at a predetermined gap above a discontinuous portion of the transmission line, wherein the parasitic element is Forming a shape having an end face that is perpendicular to the transmission line formation surface and perpendicular to the transmission line and is oriented in a traveling direction of a wave transmitted through the transmission line, and a surface far from the transmission line formation surface; A microwave / millimeter wave transmission circuit comprising a dielectric substrate having a conductor layer formed on an end surface.
成面に垂直でかつ前記伝送線路に平行な１対の端面を持
つ形状をなし、前記各端面に導体層が形成された誘電体
基板からなることを特徴とする請求項７に記載のマイク
ロ波／ミリ波伝送回路。8. The dielectric element further has a shape having a pair of end faces perpendicular to the transmission line formation surface and parallel to the transmission line, and a dielectric substrate having a conductor layer formed on each end face. The microwave / millimeter wave transmission circuit according to claim 7, wherein
伝送線路幅より広い幅のパッチ部がそれぞれ形成されて
なることを特徴とする請求項１から８の何れか１項に記
載のマイクロ波／ミリ波伝送回路。9. An end portion which is a discontinuous portion of the transmission line,
The microwave / millimeter wave transmission circuit according to any one of claims 1 to 8, wherein patch portions each having a width wider than the transmission line width are formed.
わせた領域に重なるように配置されてなることを特徴と
する請求項１から９の何れか１項に記載のマイクロ波／
ミリ波伝送回路。10. The microwave / wave according to claim 1, wherein the parasitic element is arranged so as to overlap a region where the both patch portions are combined.
Millimeter wave transmission circuit.
することを特徴とする請求項１から１０の何れか１項に
記載のマイクロ波／ミリ波伝送回路。11. The microwave / millimeter wave transmission circuit according to claim 1, wherein the parasitic element is made of ceramic as a base.
に支持部材を介して取り付けられてなることを特徴とす
る請求項１から１１の何れか１項に記載のマイクロ波／
ミリ波伝送回路。12. The microwave according to any one of claims 1 to 11, wherein the parasitic element is attached to the transmission line forming surface via a supporting member.
Millimeter wave transmission circuit.
されてなることを特徴とする請求項１２に記載のマイク
ロ波／ミリ波伝送回路。13. The microwave / millimeter wave transmission circuit according to claim 12, wherein the support member is made of a low dielectric constant material.
／ミリ波伝送回路であって、 前記伝送線路が形成された基板が第１基板と第２基板と
からなり、当該第１基板と当該第２基板とは前記不連続
部において、前記伝送線路に垂直な方向に分離されてな
ることを特徴とする請求項１から５および９から１３の
何れか１項に記載のマイクロ波／ミリ波伝送回路。14. A microwave / millimeter wave transmission circuit used as a connector, wherein the substrate on which the transmission line is formed comprises a first substrate and a second substrate, and the first substrate and the second substrate. 14. The microwave / millimeter wave transmission circuit according to any one of claims 1 to 5 and 9 to 13, wherein is separated from the discontinuous portion in a direction perpendicular to the transmission line.
ミリ波伝送回路であって、前記伝送線路が形成された基
板と、前記寄生素子との間に誘電体基板が介在してなる
ことを特徴とする請求項１から５および９から１３の何
れか１項に記載のマイクロ波／ミリ波伝送回路。15. A microwave / used as a phase shifter
14. A millimeter wave transmission circuit, wherein a dielectric substrate is interposed between the substrate on which the transmission line is formed and the parasitic element. The microwave / millimeter wave transmission circuit according to item 1.
ャップをおいて、寄生素子が伝送線路形成面に平行に設
けられ、移相器として使用されるマイクロ波／ミリ波伝
送回路であって、 前記寄生素子は、前記伝送線路形成面に遠い側の面に導
体層が形成されるとともに、前記伝送線路形成面に近い
側の面を除く他の所定の表面に導体層が形成された誘電
体基板からなることを特徴とするマイクロ波／ミリ波伝
送回路。16. A microwave / millimeter wave transmission circuit used as a phase shifter, wherein a parasitic element is provided in parallel with a transmission line forming surface at a predetermined gap above a discontinuous portion of the transmission line. In the parasitic element, a conductor layer is formed on a surface far from the transmission line forming surface, and a conductor layer is formed on a predetermined surface other than the surface close to the transmission line forming surface. A microwave / millimeter wave transmission circuit characterized by comprising a dielectric substrate.
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