JP2003258313A - Ｌｅｄチップを使用した発光装置の構造及び製造方法 - Google Patents

Ｌｅｄチップを使用した発光装置の構造及び製造方法

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Abstract

(57)【要約】 【課題】 配線基板１１の表面に形成した第１電極パタ
ーン１２及び第２電極パターン１３と、前記第２電極パ
ターンに搭載のＬＥＤチップ１９と、このＬＥＤチップ
を第１電極パターンに接続する金属線２０と、ＬＥＤチ
ップ及び金属線をパッケージする透明合成樹脂によるレ
ンズ体２１とから成る発光装置において、電極パターン
による光の反射を確保した状態で、前記レンズ体を、所
定形状にする。 【解決手段】 第１電極パターン１２を、円形にして、
その中心部分に、電極なしの抜き孔部１４を設けて、こ
の抜き孔部内に、前記第２電極パターン１３を配設す
る。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、配線基板等に搭載
したＬＥＤチップを、透明な合成樹脂製のレンズ体にて
パッケージして成る発光装置の構造と、その製造方法と
に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】この種の発光装置は、一般的にいって、
配線基板の上面に、一対をなす第１電極パターン及び第
２電極パターンを形成し、第２電極パターンの上面に、
ＬＥＤチップを搭載し、このＬＥＤチップと、前記第１
電極パターンとの間を、細い金属線によるワイヤボンデ
ィングにて電気的に接続する一方、前記配線基板の上面
のうち前記ＬＥＤチップの部分に、透明合成樹脂による
レンズ体を、当該レンズ体にて前記ＬＥＤチップ及び金
属線をパッケージするように形成するという構成であ
る。
【０００３】先行技術としての特開平４−２８２６９号
公報は、図１０及び図１１に示すように、配線基板１の
上面に、第２電極パターン２を、金属膜にて平面視で円
形にして形成し、その円形の中心にＬＥＤチップ３を搭
載する一方、前記円形の第２電極パターン２に、その外
周から前記ＬＥＤチップ３に向かって内向きに延びる切
り込み溝４を設けて、前記配線基板１の上面のうち前記
切り込み溝４内の部分に、金属膜による第１電極パター
ン５を、半径方向の外向きに延びるように形成して、こ
の第１電極パターン５の先端と前記ＬＥＤチップ３との
間を、細い金属線６によるワイヤボンディングにて電気
的に接続したのち、前記円形の第２電極パターン２の上
面に、透明合成樹脂を液体の状態で適宜量を滴下して略
半球形状に盛り上げ、この状態で硬化することによって
レンズ体７を形成することを提案している。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】この先行技術は、第２
電極パターン２を、金属膜にて円形にして形成し、その
上面にレンズ体７を設けるという構成であることによ
り、前記円形の第２電極パターン２が、ＬＥＤチップ３
が発する光の反射膜になるから、発光した光の輝度を向
上できる利点を有する。
【０００５】しかし、その反面、前記円形の第２電極パ
ターン２に、その外周から前記ＬＥＤチップ３に向かっ
て延びる切り込み溝４を設け、この切り込み溝４内に金
属膜による第１電極パターン５を、半径方向外向きに延
びるように形成した構成であることにより、以下に述べ
るような問題がある。
【０００６】すなわち、前記円形の第２電極パターン２
の上面に、前記レンズ体７を形成するための透明合成樹
脂を液体の状態で滴下したとき、この液体の透明合成樹
脂は、円形の第２電極パターン２の上面を伝って半径方
向外向きに広がったのち、当該第２電極パターン２の外
周円の縁に至り、その表面張力で第２電極パターンの上
面に略半球状に盛り上がり、この状態で硬化してレンズ
体７になるのであるが、この場合、前記第２電極パター
ン２の外周円の縁は、前記第１電極パターン５を形成す
る切り込み溝４の部分において部分的に分断されている
ことに加えて、この切り込み溝４の部分には、前記第１
電極パターン５が外側に延びるように配設されているこ
とにより、前記第２電極パターン２に対して滴下した液
体の透明合成樹脂の一部は、前記切り込み溝４の部分、
つまり、前記第１電極パターン５の部分において、当該
第１電極パターン５の上面を伝って前記第２電極パター
ン２における外周円の縁より更に外側に広がるようには
み出すことになる。
【０００７】その結果、硬化した後のレンズ体７は、平
面視において、前記第２電極パターン２の形状通りの真
円にならずに、前記第１電極パターン５の箇所において
部分的に膨らむというようにいびつな形状になるととも
に、レンズ体７の形状を、多数個について略同じ形状に
揃えることができず、レンズ形状のバラ付きが大きいの
である。
【０００８】そこで、前記先行技術においては、この問
題を避けるために、前記円形の第２電極パターン２の上
面に、図１２に示すように、ＬＥＤチップ３及び金属線
６の囲うように円形リング状にしたダムリング８を形成
して、このダムリング８内に液体の透明合成樹脂を滴下
することにより、レンズ体７を所定通りの形状にすると
ともに、レンズ形状のバラ付きを小さくするようにして
いる。
【０００９】しかし、円形の第２電極パターン２の上面
にダムリング８を形成することは、これだけ製造コスト
がアップし、価格の上昇を招来するばかりか、ＬＥＤチ
ップ３からの光の放射がこのダムリング８にて遮れて光
量が低下することになるという問題がある。
【００１０】本発明は、これらの問題を解消した発光装
置の構造と、その製造方法とを提供することを技術的課
題とするものである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】この技術的課題を達成す
るため本発明の請求項１における構造は、「配線基板の
表面に金属膜にて形成した第１電極パターン及び第２電
極パターンと、前記第２電極パターンに搭載したＬＥＤ
チップと、このＬＥＤチップ及び前記第１電極パターン
の相互間を電気的に接続する金属線と、前記配線基板の
表面において前記ＬＥＤチップ及び金属線をパッケージ
する透明合成樹脂によるレンズ体とから成る発光装置に
おいて、前記第１電極パターンを、円形にして、その中
心部分に、電極なしの抜き孔部を設けて、この抜き孔部
内に、前記第２電極パターンを配設した。」ことを特徴
としている。
【００１２】本発明の請求項２における構造は、「配線
基板の表面に金属膜にて形成した第１電極パターン及び
第２電極パターンと、前記第２電極パターンに搭載した
ＬＥＤチップと、このＬＥＤチップ及び前記第１電極パ
ターンの相互間を電気的に接続する金属線と、前記配線
基板の表面において前記ＬＥＤチップ及び金属線をパッ
ケージする透明合成樹脂によるレンズ体とから成る発光
装置において、前記第１電極パターンを、円形にして、
その中心部分に、電極なしの抜き孔部を設ける一方、前
記第２電極パターンを複数個にし、この各第２電極パタ
ーンを、前記第１電極パターンにおける抜き孔部内に、
前記円形の第１電極パターンとと略同心円の円周方向に
沿って略等しい間隔にして設け、更に、前記各第２電極
パターンに搭載したＬＥＤチップと前記第１電極パター
ンとを電気的に接続する金属線を、半径方向外向きの放
射状に延びるように配設した。」ことを特徴としてい
る。
【００１３】本発明の請求項３における構造は、「前記
請求項１又は２の記載において、前記配線基板に裏面
に、前記第１電極パターン及び第２電極パターンに配線
基板におけるスルーホールを介して電気的に接続する通
電用配線パターンを形成した。」ことを特徴としてい
る。
【００１４】本発明の請求項４における構造は、「前記
請求項２の記載において、前記第１電極パターンのうち
前記抜き孔の内周縁の部分に、前記各第２電極パターン
間への入り込み部を設けた。」ことを特徴としている。
【００１５】次に、本発明の請求項５における製造方法
は、「配線基板に、金属膜による第１電極パターンを円
形にし且つその中心部分に電極なしの抜け孔部を設けて
形成するとともに、前記抜け孔部内に金属膜による第２
電極パターンを形成する工程と、前記第２電極パターン
にＬＥＤチップを搭載する工程と、前記ＬＥＤチップと
前記第１電極パターンとの間を金属線にて電気的に接続
する工程と、前記第１電極パターンに対して液体の透明
合成樹脂を当該透明合成樹脂が前記ＬＥＤチップ及び金
属線を覆って盛り上がるように滴下したのち硬化してレ
ンズ体にする工程とから成る。」ことを特徴としてい
る。
【００１６】
【発明の作用・効果】前記したように、第１電極パター
ンを、円形にして、その中心部分に、電極なしの抜け孔
部を設けて、この抜け孔部内に、前記第２電極パターン
を配設するという構成にすると、前記円形の第１電極パ
ターンは、ＬＥＤチップを搭載する第２電極パターンの
周囲の全体を完全に囲うとともに、当該第１電極パター
ンの外周円の縁は、円の途中に分断箇所のない完全に閉
じるように連続した円になることにより、透明合成樹脂
によるレンズ体を形成するに際して、前記第１電極パタ
ーンに対して液体の透明合成樹脂の適宜量を滴下したと
き、この液体の透明合成樹脂は、円形の第１電極パター
ンの上面を伝って半径方法外向きに広がったのち、当該
第１電極パターンの外周円の縁に至り、その表面張力で
第１電極パターンの上面に、前記外周円の縁の総てから
はみ出すことがない状態で略半球状に盛り上がることに
なるから、前記先行技術の場合のように、盛り上がった
液体の透明合成樹脂が前記外周円の縁の一部から外側に
はみ出して、レンズ体がいびつな形状になることを確実
に回避できる。
【００１７】また、前記円形の第１電極パターン、及
び、この第１電極パターンにおける抜き孔内における第
２電極パターンは、いずれも金属膜であることにより、
ＬＥＤチップが発する光を配線基板から離れる方向に反
射するという反射になるのである。
【００１８】従って、本発明によると、ＬＥＤチップか
らの光を各電極パターンにてレンズ体の方向に確実に反
射することができる一方、前記レンズ体を、所定形状に
することができるとともに、レンズ形状のバラ付きを小
さくすることができ、しかも、前記先行技術のようにレ
ンズ体を囲うダムリングを必要としないから、光の輝度
をアップできる効果を有する。
【００１９】そして、請求項２によると、一つのレンズ
体に複数個のＬＥＤチップを設けた場合において、各Ｌ
ＥＤチップに対する金属線が、半径方向外向きの放射状
に延びていることで、前記第１電極パターンに対して滴
下した液体の透明合成樹脂における半径方向外向きへの
流れは、前記各金属線の箇所において略同じようにな
り、前記液体の透明合成樹脂は確実に真円に広がるか
ら、複数個のＬＥＤチップを備えた発光装置において同
様の効果を得ることができる。
【００２０】請求項３によると、前記第１電極パターン
及び第２電極パターンに対する通電を配線基板における
裏面側の通電用配線パターンにて行うことができて通電
用配線パターンの形成が容易にできる。
【００２１】請求項４によると、第１電極パターンにお
ける光の反射面を、各第２電極パターンの間の部分まで
拡大できるので、光の輝度の更なるアップを図ることが
できる。
【００２２】更に、請求項５の製造方法によると、前記
の効果を有する発光装置を、前記先行技術のようにレン
ズ体を囲うダムリングを使用することなく、低コストで
製造できる効果を有する。
【００２３】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
について説明する。
【００２４】図１〜図２は、第１の実施の形態を示す。
この第１の実施の形態は、一つのＬＥＤチップを使用し
た場合である。
【００２５】この図において、符号１１は、例えばガラ
スエポキシ樹脂（ガラス繊維をエポキシ樹脂で固めたも
の）等の絶縁体製の配線基板を示し、この配線基板１１
の上面に、銅箔の表面にニッケルメッキ層を下地として
金メッキ層を形成して成る金属膜による第１電極パター
ン１２及び第２電極パターン１３を形成する。
【００２６】この場合において、前記第１電極パターン
１２は、直径Ｄの円形であり、この第１電極パターン１
２における中心部分に、電極なしの抜き孔１４を設ける
一方、前記第２電極パターン１３を、小径ｄにして、こ
の第２電極パターン１３を、前記第１電極パターン１２
における抜き孔１４内に、島状に独立して配設するよう
にする。
【００２７】また、前記配線基板１１における下面に、
前記第１電極パターン１２に対する通電用配線パターン
１５と、前記第２電極パターン１３に対する通電用配線
パターン１６とを形成して、これら各通電用配線パター
ン１５，１６と、前記両電極パターン１２，１３とを配
線基板１１を貫通するスルーホール１７，１８にて電気
的に接続する。
【００２８】そして、前記第２電極パターン１３におけ
る上面のうち前記第１電極パターン１２における円の中
心の部位に、ＬＥＤチップ１９をダイボンディングにて
搭載したのち、このＬＥＤチップ１９と、前記第１電極
パターン１２との間を、細い金属線２０によるワイヤボ
ンディングにて電気的に接続する。
【００２９】次いで、前記配線基板１１の上面のうち前
記第１電極パターン１２の部分（好ましくは、第１電極
パターン１２における略中心部分）に、従来から良く知
られているポッティング方法により、エポキシ樹脂等の
透明合成樹脂を液体の状態で適宜量滴下する。
【００３０】この場合において、前記円形の第１電極パ
ターン１２は、ＬＥＤチップ１９を搭載する第２電極パ
ターン１３の周囲の全体を完全に囲うとともに、当該第
１電極パターン１２の外周円の縁は、円の途中に分断箇
所のない完全に閉じるように連続した円になっているこ
とにより、これに滴下した液体の透明合成樹脂は、円形
の第１電極パターン１２の上面を伝って半径方法外向き
に広がったのち、当該第１電極パターン１２の外周円の
縁に至り、その表面張力で第１電極パターン１２の上面
に、前記外周円の縁の総てからはみ出すことがない状態
で略半球状に盛り上がることになる。
【００３１】そこで、前記のように盛り上げた液体の透
明合成樹脂を、加熱等にて硬化することにより、略半球
状のレンズ体２１を、当該レンズ体２１にて前記ＬＥＤ
チップ１９及び金属線２０をパッケージするようにして
形成することができる。
【００３２】次に、図１〜図２は、第２の実施の形態を
示す。この第２の実施の形態は、同じ色か、又は異なっ
た色を発光する二つのＬＥＤチップを使用した場合であ
る。
【００３３】この図において、符号１１ａは、絶縁体製
の配線基板を示し、この配線基板１１ａの上面には、前
記第１の実施の形態と同様に金属膜による第１電極パタ
ーン１２ａ及び二つの第２電極パターン１３ａ，１３
ａ′を形成する。
【００３４】この場合において、前記第１電極パターン
１２ａは、直径Ｄの円形であり、この第１電極パターン
１２ａにおける中心部分に、電極なしの抜き孔１４ａを
設ける一方、前記二つの第２電極パターン１３ａ，１３
ａ′を、小径ｄにして、この両第２電極パターン１３
ａ，１３ａ′を、前記第１電極パターン１２ａにおける
抜き孔１４ａ内に、平面視（図３）において、前記第１
電極パターン１２ａにおける円の中心、又は、その近傍
を中心とする半径ｒの円ｓ、つまり、前記円形の第１電
極パターン１２ａと略同心円ｓの円周方向に沿って等し
い間隔にして、島状に独立して配設する。
【００３５】また、前記配線基板１１ａの下面に、前記
第１電極パターン１２ａにスルーホール１７ａを介して
電気的に接続する通電用配線パターン１５ａ、前記両第
２電極パターン１３ａ，１３ａ′のうち一方の第２電極
パターン１３ａにスルーホール１８ａを介して電気的に
接続する通電用配線パターン１６ａ、及び、他方の第２
電極パターン１３ａ′にスルーホール１８ａ′を介して
電気的に接続する通電用配線パターン１６ａ′を各々形
成する。
【００３６】そして、前記両第２電極パターン１３ａ，
１３ａ′における上面のうちその略中心の各々に、ＬＥ
Ｄチップ１９ａ，１９ａ′をダイボンディングにて搭載
したのち、この両ＬＥＤチップ１９ａ，１９ａ′と、前
記第１電極パターン１２ａとの間の各々を、細い金属線
２０ａ，２０ａ′によるワイヤボンディングにて電気的
に接続する。
【００３７】この場合において、前記両金属線２０ａ，
２０ａ′は、平面視（図３）において、その各々におけ
るＬＥＤチップ１９ａ，１９ａ′から互いに反対の方向
に延びるように、つまり、半径方向外向きの放射状に延
びるように配設する。
【００３８】次いで、前記第１の実施の形態の場合と同
様に、前記配線基板１１ａの上面のうち前記第１電極パ
ターン１２ａの部分（好ましくは、第１電極パターン１
２ａにおける略中心部分）に、透明合成樹脂を液体の状
態で適宜量滴下して、この液体の透明合成樹脂を、略半
球状に盛り上げ、この状態で硬化することにより、略半
球形のレンズ体２１ａを、当該レンズ体２１ａにて前記
両ＬＥＤチップ１９ａ，１９ａ′及び金属線２０ａ，２
０ａ′をパッケージするようにして形成することができ
る。
【００３９】この場合において、前記両ＬＥＤチップ１
９ａ，１９ａ′に対する金属線２０ａ，２０ａ′は、互
いに反対の方向に延びるように、つまり、半径方向外向
きの放射状に延びていることにより、前記第１電極パタ
ーン１２ａに対して滴下した液体の透明合成樹脂におけ
る半径方向外向きへの流れは、前記両金属線２０ａ，２
０ａ′の箇所において略同じようになるから、前記液体
の透明合成樹脂は、平面視（図３）において、確実に真
円に広がるのである。
【００４０】また、前記第１電極パターン１２ａのうち
その抜き孔１４ａの内周縁の部分には、前記各第２電極
パターン１３ａ，１３ａ′間への入り込み部１２ａ′，
１２ａ″を備えている。この入り込み部１２ａ′，１２
ａ″を備えていることにより、第１電極パターン１２ａ
における光の反射面を、各第２電極パターン１３ａ，１
３ａ′の間の部分まで拡大することができる。
【００４１】次に、図５及び図６は、第３の実施の形態
を示す。
【００４２】この第３の実施の形態は、赤色発光ＬＥＤ
チップ、緑色発光ＬＥＤチップ及び青色発光ＬＥＤチッ
プの三つのＬＥＤチップを使用した場合である。
【００４３】この図において、符号１１ｂは、絶縁体製
の配線基板を示し、この配線基板１１ｂの上面には、前
記第１及び第２の実施の形態と同様に金属膜による第１
電極パターン１２ｂ及び三つの第２電極パターン１３
ｂ，１３ｂ′，１３ｂ″を形成する。
【００４４】この場合において、前記第１電極パターン
１２ｂは、直径Ｄの円形であり、この第１電極パターン
１２ｂにおける中心部分に、電極なしの抜き孔１４ｂを
設ける一方、前記三つの第２電極パターン１３ｂ，１３
ｂ′，１３ｂ″を、小径ｄにして、この各第２電極パタ
ーン１３ｂ，１３ｂ′，１３ｂ″を、前記第１電極パタ
ーン１２ｂにおける抜き孔１４ｂ内に、平面視（図５）
において、前記第１電極パターン１２ｂにおける円の中
心、又は、その近傍を中心とする半径ｒの円ｓ、つま
り、前記円形の第１電極パターン１２ｂと略同心円ｓの
円周方向に沿って１２０度の略等しい間隔にして、島状
に独立して配設する。
【００４５】また、前記配線基板１１ｂの下面に、前記
第１電極パターン１２ｂにスルーホール１７ｂを介して
電気的に接続する通電用配線パターン１５ｂ、前記各第
２電極パターン１３ｂ，１３ｂ′，１３ｂ″のうち一つ
の第２電極パターン１３ｂにスルーホール１８ｂを介し
て電気的に接続する通電用配線パターン１６ｂ、別の一
つの第２電極パターン１３ｂ′にスルーホール１８ｂ′
を介して電気的に接続する通電用配線パターン１６
ｂ′、及び、更に別の一つの第２電極パターン１３ｂ″
にスルーホール１８ｂ″を介して電気的に接続する通電
用配線パターン１６ｂ″を各々形成する。
【００４６】そして、前記各第２電極パターン１３ｂ，
１３ｂ′，１３ｂ″のうち一つの一つの第２電極パター
ン１３ｂには、赤色発光ＬＥＤチップ１９ｂを、別の一
つの第２電極パターン１３ｂ′には、緑色発光ＬＥＤチ
ップ１９ｂ′を、そして、更に別の一つの第２電極パタ
ーン１３ｂ″には、青色発光ＬＥＤチップ１９ｂ″ダイ
ボンディングにて搭載したのち、この各ＬＥＤチップ１
９ｂ，１９ｂ′，１９ｂ″と、前記第１電極パターン１
２ｂとの間の各々を、細い金属線２０ｂ，２０ｂ′，２
０ｂ″によるワイヤボンディングにて電気的に接続す
る。
【００４７】この場合において、前記各金属線２０ｂ，
２０ｂ′，２０ｂ″は、平面視（図５）において、半径
方向外向きの放射状に延びるように配設する。
【００４８】次いで、前記第１及び第２の実施の形態の
場合と同様に、前記配線基板１１ｂの上面のうち前記第
１電極パターン１２ｂの部分（好ましくは、第１電極パ
ターン１２ｂにおける略中心部分）に、透明合成樹脂を
液体の状態で適宜量滴下して、この液体の透明合成樹脂
を、略半球状に盛り上げ、この状態で硬化することによ
り、略半球形のレンズ体２１ｂを、当該レンズ体２１ｂ
にて前記各ＬＥＤチップ１９ｂ，１９ｂ′，１９ｂ″及
び金属線２０ｂ，２０ｂ′，２０ｂ″をパッケージする
ようにして形成することができる。
【００４９】この場合において、前記各ＬＥＤチップ１
９ｂ，１９ｂ′，１９ｂ″に対する金属線２０ｂ，２０
ｂ′，２０ｂ″は、半径方向外向きの放射状に延びてい
ることにより、前記第１電極パターン１２ｂに対して滴
下した液体の透明合成樹脂における半径方向外向きへの
流れは、前記各金属線２０ｂ，２０ｂ′，２０ｂ″の箇
所において略同じようになるから、前記液体の透明合成
樹脂は、平面視（図５）において、確実に真円に広がる
のである。
【００５０】また、この第３の実施の形態においても、
前記第１電極パターン１２ｂのうちその抜き孔１４ｂの
内周縁の部分には、前記各第２電極パターン１３ｂ，１
３ｂ′，１３ｂ″間への入り込み部１２ｂ′を備えてい
る。この入り込み部１２ｂ′を備えていることにより、
第１電極パターン１２ｂにおける光の反射面を、各第２
電極パターン１３ｂ，１３ｂ′，１３ｂ″の間の部分ま
で拡大することができる。
【００５１】そして、図７，図８及び図９は、第４の実
施形態を示す。
【００５２】この第４の実施の形態は、前記第３の実施
の形態による発光装置２２の多数個を、一つの共通配線
基板２３に、縦及び横方向に並べて設けることにより、
全体として、文字又は画像を光の三原色によるフルカラ
ーにて表示するパネルに構成した場合である。
【００５３】この第４の実施の形態においては、前記共
通配線基板２３の表面のうち各発光装置２２における円
形の第１電極パターン１２ｂを除く部分の全体に導体パ
ターン２４を、第１電極パターン１２ｂとの間にリング
状隙間２５をあけて形成し、この導体パターン２４に対
して、前記各発光装置２２における円形の第１電極パタ
ーン１２ｂを、共通配線基板２３の裏面側に形成した通
電用配線パターン２６及びスルーホール２７，２８，２
９を介して電気的に接続するという構成にしたものであ
る。
【００５４】なお、前記導体パターン２４の表面は、二
点鎖線で示すように、絶縁膜３０にて被覆されている。
【００５５】この構成によると、各発光装置２２におけ
る第１電極パターン１２ｂと、導体パターン２４との間
には、リング状隙間２５をあけられ、前記第１電極パタ
ーン１２ｂは、完全な円形になっているので、前記した
効果を有し、しかも、前記各発光装置２２における第１
電極パターン１２ｂに対する通電を、共通配線基板２３
の表面に形成した導体パターン２４に行うことができる
ことにより、各発光装置２２に対する通電用配線パター
ンの構造を簡単化できる利点がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明における第１の実施の形態を示す平面図
である。
【図２】図１のII−II視断面図である。
【図３】本発明における第２の実施の形態を示す平面図
である。
【図４】図３のIV−IV視断面図である。
【図５】本発明における第３の実施の形態を示す平面図
である。
【図６】図５のVI−VI視断面図である。
【図７】本発明における第４の実施の形態を示す斜視図
である。
【図８】前記第４の実施の形態の要部を示す平面図であ
る。
【図９】図８のIX−IX視断面図である。
【図１０】先行技術の例を示す平面図である。
【図１１】図１０のXII −XII 視断面図である。
【図１２】別の先行技術の例を示す視断面図である。
【符号の説明】
１１，１１ａ，１１ｂ 配線基板 １２，１２ａ，１２ｂ 第１電極パター
ン １３，１３ａ，１３ｂ 第３電極パター
ン １４，１４ａ，１４ｂ 抜き孔部 １５，１５ａ，１５ｂ 配線パターン １６，１６ａ，１６ｂ 配線パターン １７，１７ａ，１７ｂ スルーホール １８，１８ａ，１８ｂ スルーホール １９，１９ａ，１９ｂ ＬＥＤチップ ２０，２０ａ，２０ｂ 金属線 ２１，２１ａ，２１ｂ レンズ体
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 北村 剛 京都市右京区西院溝崎町21番地 ローム株 式会社内 Ｆターム(参考） 5F041 AA37 AA42 DA07 DA13 DA20 DA25 DA26 DA43 DB08 EE17 FF06

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】配線基板の表面に金属膜にて形成した第１
    電極パターン及び第２電極パターンと、前記第２電極パ
    ターンに搭載したＬＥＤチップと、このＬＥＤチップ及
    び前記第１電極パターンの相互間を電気的に接続する金
    属線と、前記配線基板の表面において前記ＬＥＤチップ
    及び金属線をパッケージする透明合成樹脂によるレンズ
    体とから成る発光装置において、 前記第１電極パターンを、円形にして、その中心部分
    に、電極なしの抜き孔部を設けて、この抜き孔部内に、
    前記第２電極パターンを配設したことを特徴とするＬＥ
    Ｄチップを使用した発光装置の構造。
  2. 【請求項２】配線基板の表面に金属膜にて形成した第１
    電極パターン及び第２電極パターンと、前記第２電極パ
    ターンに搭載したＬＥＤチップと、このＬＥＤチップ及
    び前記第１電極パターンの相互間を電気的に接続する金
    属線と、前記配線基板の表面において前記ＬＥＤチップ
    及び金属線をパッケージする透明合成樹脂によるレンズ
    体とから成る発光装置において、 前記第１電極パターンを、円形にして、その中心部分
    に、電極なしの抜き孔部を設ける一方、前記第２電極パ
    ターンを複数個にし、この各第２電極パターンを、前記
    第１電極パターンにおける抜き孔部内に、前記円形の第
    １電極パターンとと略同心円の円周方向に沿って略等し
    い間隔にして配設し、更に、前記各第２電極パターンに
    搭載したＬＥＤチップと前記第１電極パターンとを電気
    的に接続する金属線を、半径方向外向きの放射状に延び
    るように配設したことを特徴とするＬＥＤチップを使用
    した発光装置の構造。
  3. 【請求項３】前記請求項１又は２の記載において、前記
    配線基板に裏面に、前記第１電極パターン及び第２電極
    パターンに配線基板におけるスルーホールを介して電気
    的に接続する通電用配線パターンを形成したことを特徴
    とするＬＥＤチップを使用した発光装置の構造。
  4. 【請求項４】前記請求項２の記載において、前記第１電
    極パターンのうち前記抜き孔の内周縁の部分に、前記各
    第２電極パターン間への入り込み部を設けたことを特徴
    とするＬＥＤチップを使用した発光装置の構造。
  5. 【請求項５】配線基板に、金属膜による第１電極パター
    ンを円形にし且つその中心部分に電極なしの抜き孔部を
    設けて形成するとともに、前記抜き孔部内に金属膜によ
    る第２電極パターンを形成する工程と、前記第２電極パ
    ターンにＬＥＤチップを搭載する工程と、前記ＬＥＤチ
    ップと前記第１電極パターンとの間を金属線にて電気的
    に接続する工程と、前記第１電極パターンに対して液体
    の透明合成樹脂を当該透明合成樹脂が前記ＬＥＤチップ
    及び金属線を覆って盛り上がるように滴下したのち硬化
    してレンズ体にする工程とから成ることを特徴とするＬ
    ＥＤチップを使用した発光装置の製造方法。
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KR1020037016751A KR100862985B1 (ko) 2002-03-05 2003-03-03 발광다이오드칩을 사용한 발광장치 및 그 제조방법
PCT/JP2003/002448 WO2003075367A1 (fr) 2002-03-05 2003-03-03 Dispositif electroluminescent comprenant une puce a del et procede de fabrication de celui-ci
EP03743566A EP1482567A4 (en) 2002-03-05 2003-03-03 ELECTROLUMINESCENT DEVICE COMPRISING A LED CHIP AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME
US10/505,845 US7126159B2 (en) 2002-03-05 2003-03-03 Plural leds mounted within a central cutout of a surrounding circular reflective electrode

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Cited By (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6359360A (ja) * 1986-08-29 1988-03-15 Koito Mfg Co Ltd ヘツドランプクリ−ナ用超広角ノズル
JP2006114737A (ja) * 2004-10-15 2006-04-27 Akita Denshi Systems:Kk 光半導体装置及びその製造方法
JP2007005372A (ja) * 2005-06-21 2007-01-11 Rohm Co Ltd 発光ダイオードを使用した表示パネル装置
WO2007055970A1 (en) * 2005-11-02 2007-05-18 3M Innovative Properties Company Light emitting diode encapsulation shape control
JP2007142383A (ja) * 2005-10-20 2007-06-07 Showa Denko Kk 発光素子実装用基板、発光素子実装パッケージおよび面光源装置
JP2007157686A (ja) * 2005-11-11 2007-06-21 Hitachi Displays Ltd 照明装置及びそれを用いた液晶表示装置
WO2007083481A1 (ja) * 2006-01-19 2007-07-26 Rohm Co., Ltd. 半導体表示装置及び半導体表示装置の製造方法
JP2008034806A (ja) * 2006-07-31 2008-02-14 Cree Inc 気泡なくレンズを配置するための内部メニスカスを備えた発光ダイオードパッケージ要素
WO2009001606A1 (ja) * 2007-06-28 2008-12-31 Showa Denko K.K. 発光装置、表示装置、発光装置の製造方法
JP2009503888A (ja) * 2005-08-04 2009-01-29 クリー インコーポレイテッド 調合された封止剤を用いた半導体発光デバイス用パッケージとそれをパッケージする方法
JP2011077084A (ja) * 2009-09-29 2011-04-14 Rohm Co Ltd Ｌｅｄ照明装置および液晶表示装置
JP2011077559A (ja) * 2011-01-18 2011-04-14 Rohm Co Ltd 発光ダイオードを使用した表示パネル装置
JP2012004596A (ja) * 2010-01-29 2012-01-05 Toshiba Corp Ｌｅｄパッケージ及びその製造方法
US8183761B2 (en) * 2007-07-20 2012-05-22 Stanley Electric Co., Ltd. Light emitting apparatus
KR20120101331A (ko) * 2009-06-29 2012-09-13 헤라우스 머티리얼즈 테크놀러지 게엠베하 ＆ 코. 카게 광전자 소자
JP2013055172A (ja) * 2011-09-02 2013-03-21 Ushio Inc Ｌｅｄ光源装置
US8507924B2 (en) 2004-07-02 2013-08-13 Cree, Inc. Light emitting diode with high aspect ratio submicron roughness for light extraction and methods of forming
US8519437B2 (en) 2007-09-14 2013-08-27 Cree, Inc. Polarization doping in nitride based diodes
JP2014003151A (ja) * 2012-06-18 2014-01-09 Mitsubishi Electric Corp 発光装置
US8679876B2 (en) 2006-11-15 2014-03-25 Cree, Inc. Laser diode and method for fabricating same
US8835952B2 (en) 2005-08-04 2014-09-16 Cree, Inc. Submounts for semiconductor light emitting devices and methods of forming packaged light emitting devices including dispensed encapsulants
WO2014196833A1 (ko) * 2013-06-07 2014-12-11 서울반도체 주식회사 발광 디바이스
JP2015023218A (ja) * 2013-07-22 2015-02-02 ローム株式会社 Ｌｅｄ照明装置
US9012937B2 (en) 2007-10-10 2015-04-21 Cree, Inc. Multiple conversion material light emitting diode package and method of fabricating same
US9041139B2 (en) 2007-01-19 2015-05-26 Cree, Inc. Low voltage diode with reduced parasitic resistance and method for fabricating
US9721934B2 (en) 2013-07-22 2017-08-01 Rohm Co., Ltd. LED lighting apparatus
JP2021002588A (ja) * 2019-06-21 2021-01-07 スタンレー電気株式会社 半導体装置、半導体素子搭載用基板、および、その製造方法
US11508879B2 (en) 2019-06-21 2022-11-22 Stanley Electric Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method therefor

Families Citing this family (56)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7675075B2 (en) * 2003-08-28 2010-03-09 Panasonic Corporation Semiconductor light emitting device, light emitting module, lighting apparatus, display element and manufacturing method of semiconductor light emitting device
US7915085B2 (en) 2003-09-18 2011-03-29 Cree, Inc. Molded chip fabrication method
US7781789B2 (en) * 2006-11-15 2010-08-24 The Regents Of The University Of California Transparent mirrorless light emitting diode
JP2005353802A (ja) * 2004-06-10 2005-12-22 Citizen Electronics Co Ltd 発光ダイオード
US9793247B2 (en) * 2005-01-10 2017-10-17 Cree, Inc. Solid state lighting component
US9070850B2 (en) 2007-10-31 2015-06-30 Cree, Inc. Light emitting diode package and method for fabricating same
JP2007053318A (ja) * 2005-08-19 2007-03-01 Matsushita Electric Ind Co Ltd 固体撮像装置及びその製造方法
DE102005048498B4 (de) * 2005-10-07 2007-06-21 Schefenacker Vision Systems Germany Gmbh Mehrfarbige Fahrzeugaußenleuchte
US20090225541A1 (en) * 2005-10-20 2009-09-10 Showa Denko K.K. Luminous device mounting substrate, luminous device mounting package, and planar light source device
KR100828891B1 (ko) * 2006-02-23 2008-05-09 엘지이노텍 주식회사 Ｌｅｄ 패키지
KR100782771B1 (ko) * 2006-03-14 2007-12-05 삼성전기주식회사 엘이디 패키지 제조방법
JP4823729B2 (ja) * 2006-03-20 2011-11-24 ローム株式会社 光通信モジュール
US8969908B2 (en) * 2006-04-04 2015-03-03 Cree, Inc. Uniform emission LED package
KR100755615B1 (ko) * 2006-04-14 2007-09-06 삼성전기주식회사 발광 다이오드를 이용한 액정 표시 장치의 백라이트
US9335006B2 (en) 2006-04-18 2016-05-10 Cree, Inc. Saturated yellow phosphor converted LED and blue converted red LED
US7547115B2 (en) * 2006-05-23 2009-06-16 Au Optronics Corporation Package structure for light emitting diode and applications of the same
KR100804021B1 (ko) * 2006-07-11 2008-02-18 우리이티아이 주식회사 단차 인캡식 엘이디 패키지 및 그의 제조방법
US7545461B2 (en) * 2006-07-25 2009-06-09 Kyocera Corporation Liquid crystal display device
US7808013B2 (en) * 2006-10-31 2010-10-05 Cree, Inc. Integrated heat spreaders for light emitting devices (LEDs) and related assemblies
US10295147B2 (en) 2006-11-09 2019-05-21 Cree, Inc. LED array and method for fabricating same
US7897980B2 (en) * 2006-11-09 2011-03-01 Cree, Inc. Expandable LED array interconnect
JP2010510659A (ja) 2006-11-15 2010-04-02 ザ リージェンツ オブ ザ ユニバーシティ オブ カリフォルニア テクスチャ化された蛍光体変換層を有する発光ダイオード
WO2008073400A1 (en) 2006-12-11 2008-06-19 The Regents Of The University Of California Transparent light emitting diodes
US8232564B2 (en) 2007-01-22 2012-07-31 Cree, Inc. Wafer level phosphor coating technique for warm light emitting diodes
US9159888B2 (en) 2007-01-22 2015-10-13 Cree, Inc. Wafer level phosphor coating method and devices fabricated utilizing method
US9024349B2 (en) * 2007-01-22 2015-05-05 Cree, Inc. Wafer level phosphor coating method and devices fabricated utilizing method
US9401461B2 (en) * 2007-07-11 2016-07-26 Cree, Inc. LED chip design for white conversion
US10505083B2 (en) * 2007-07-11 2019-12-10 Cree, Inc. Coating method utilizing phosphor containment structure and devices fabricated using same
KR20090058878A (ko) * 2007-12-05 2009-06-10 삼성전자주식회사 발광 장치, 그의 제조 방법 및 그를 포함하는 액정 표시장치
US9041285B2 (en) 2007-12-14 2015-05-26 Cree, Inc. Phosphor distribution in LED lamps using centrifugal force
US8167674B2 (en) 2007-12-14 2012-05-01 Cree, Inc. Phosphor distribution in LED lamps using centrifugal force
US8878219B2 (en) * 2008-01-11 2014-11-04 Cree, Inc. Flip-chip phosphor coating method and devices fabricated utilizing method
US8637883B2 (en) 2008-03-19 2014-01-28 Cree, Inc. Low index spacer layer in LED devices
US8877524B2 (en) * 2008-03-31 2014-11-04 Cree, Inc. Emission tuning methods and devices fabricated utilizing methods
KR101488451B1 (ko) * 2008-03-31 2015-02-02 서울반도체 주식회사 멀티칩 ｌｅｄ 패키지
US9425172B2 (en) 2008-10-24 2016-08-23 Cree, Inc. Light emitter array
KR101077264B1 (ko) * 2009-02-17 2011-10-27 (주)포인트엔지니어링 광소자용 기판, 이를 갖는 광소자 패키지 및 이의 제조 방법
US8511851B2 (en) 2009-12-21 2013-08-20 Cree, Inc. High CRI adjustable color temperature lighting devices
JP4951090B2 (ja) * 2010-01-29 2012-06-13 株式会社東芝 Ｌｅｄパッケージ
US10546846B2 (en) 2010-07-23 2020-01-28 Cree, Inc. Light transmission control for masking appearance of solid state light sources
US9786811B2 (en) 2011-02-04 2017-10-10 Cree, Inc. Tilted emission LED array
JP5748496B2 (ja) * 2011-02-10 2015-07-15 ローム株式会社 Ｌｅｄモジュール
US8888331B2 (en) * 2011-05-09 2014-11-18 Microsoft Corporation Low inductance light source module
JP2013004815A (ja) 2011-06-17 2013-01-07 Sony Corp 光源回路ユニットおよび照明装置、並びに表示装置
US10842016B2 (en) 2011-07-06 2020-11-17 Cree, Inc. Compact optically efficient solid state light source with integrated thermal management
USD700584S1 (en) 2011-07-06 2014-03-04 Cree, Inc. LED component
US8558252B2 (en) 2011-08-26 2013-10-15 Cree, Inc. White LEDs with emission wavelength correction
CN104170106A (zh) * 2012-03-15 2014-11-26 松下电器产业株式会社 Led用基板、led模块和led灯
EP3266049B1 (en) * 2015-03-06 2020-06-17 Lumileds Holding B.V. Led-based lighting device with asymmetrically distributed led chips
JP6842234B2 (ja) * 2015-10-13 2021-03-17 ローム株式会社 光半導体装置の製造方法および光半導体装置
KR101987196B1 (ko) 2016-06-14 2019-06-11 삼성디스플레이 주식회사 픽셀 구조체, 픽셀 구조체를 포함하는 표시장치 및 그 제조 방법
CN106486498B (zh) * 2016-10-14 2019-09-10 武汉华星光电技术有限公司 一种显示面板
JP2018206708A (ja) * 2017-06-08 2018-12-27 シチズン電子株式会社 発光装置
JP2019135512A (ja) * 2018-02-05 2019-08-15 シャープ株式会社 立体表示装置、及び空中立体表示装置
US11592166B2 (en) 2020-05-12 2023-02-28 Feit Electric Company, Inc. Light emitting device having improved illumination and manufacturing flexibility
US11876042B2 (en) 2020-08-03 2024-01-16 Feit Electric Company, Inc. Omnidirectional flexible light emitting device

Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS611067A (ja) * 1984-06-13 1986-01-07 Stanley Electric Co Ltd プリント基板に装着されたｌｅｄチツプのモ−ルド方法
JPH0428269A (ja) * 1990-05-23 1992-01-30 Fujikura Ltd Ｌｅｄベアチップの実装構造
JPH11121805A (ja) * 1997-10-09 1999-04-30 Citizen Electronics Co Ltd 赤外線データ通信モジュール
JP2000353826A (ja) * 1999-06-09 2000-12-19 Sanyo Electric Co Ltd 混成集積回路装置および光照射装置
JP2001044512A (ja) * 1999-07-29 2001-02-16 Sanyo Electric Co Ltd 混成集積回路装置
JP2001044579A (ja) * 1999-07-29 2001-02-16 Sanyo Electric Co Ltd 混成集積回路装置
JP2001044580A (ja) * 1999-07-29 2001-02-16 Sanyo Electric Co Ltd 混成集積回路装置
JP2001057446A (ja) * 1999-06-09 2001-02-27 Sanyo Electric Co Ltd 混成集積回路装置
JP2001068742A (ja) * 1999-08-25 2001-03-16 Sanyo Electric Co Ltd 混成集積回路装置
JP2002319711A (ja) * 2001-04-20 2002-10-31 Citizen Electronics Co Ltd 表面実装型発光ダイオード及びその製造方法

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3999280A (en) * 1973-06-25 1976-12-28 Amp Incorporated Narrow lead contact for automatic face down bonding of electronic chips
JPS5511356A (en) * 1978-07-11 1980-01-26 Toshiba Corp Light-emitting semiconductor display system
FR2574616B1 (fr) * 1984-12-07 1987-01-23 Radiotechnique Compelec Matrice d'element electro-luminescents et son procede de fabrication
US5557115A (en) * 1994-08-11 1996-09-17 Rohm Co. Ltd. Light emitting semiconductor device with sub-mount
JPH10242523A (ja) * 1997-02-28 1998-09-11 Kouha:Kk 発光ダイオード表示装置およびそれを利用した画像表示装置
JPH10319871A (ja) * 1997-05-19 1998-12-04 Kouha:Kk Ｌｅｄディスプレイ装置
US6335548B1 (en) * 1999-03-15 2002-01-01 Gentex Corporation Semiconductor radiation emitter package
EP1059678A2 (en) 1999-06-09 2000-12-13 Sanyo Electric Co., Ltd. Hybrid integrated circuit device
GB0000511D0 (en) * 2000-01-12 2000-03-01 Oxley Dev Co Ltd Led package
JP2001351404A (ja) * 2000-04-06 2001-12-21 Kansai Tlo Kk 発光ダイオードを用いた面発光装置
DE10033502A1 (de) * 2000-07-10 2002-01-31 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Modul, Verfahren zu dessen Herstellung und dessen Verwendung
US6611000B2 (en) * 2001-03-14 2003-08-26 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Lighting device
US6531328B1 (en) * 2001-10-11 2003-03-11 Solidlite Corporation Packaging of light-emitting diode
TW578280B (en) * 2002-11-21 2004-03-01 United Epitaxy Co Ltd Light emitting diode and package scheme and method thereof

Patent Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS611067A (ja) * 1984-06-13 1986-01-07 Stanley Electric Co Ltd プリント基板に装着されたｌｅｄチツプのモ−ルド方法
JPH0428269A (ja) * 1990-05-23 1992-01-30 Fujikura Ltd Ｌｅｄベアチップの実装構造
JPH11121805A (ja) * 1997-10-09 1999-04-30 Citizen Electronics Co Ltd 赤外線データ通信モジュール
JP2000353826A (ja) * 1999-06-09 2000-12-19 Sanyo Electric Co Ltd 混成集積回路装置および光照射装置
JP2001057446A (ja) * 1999-06-09 2001-02-27 Sanyo Electric Co Ltd 混成集積回路装置
JP2001044512A (ja) * 1999-07-29 2001-02-16 Sanyo Electric Co Ltd 混成集積回路装置
JP2001044579A (ja) * 1999-07-29 2001-02-16 Sanyo Electric Co Ltd 混成集積回路装置
JP2001044580A (ja) * 1999-07-29 2001-02-16 Sanyo Electric Co Ltd 混成集積回路装置
JP2001068742A (ja) * 1999-08-25 2001-03-16 Sanyo Electric Co Ltd 混成集積回路装置
JP2002319711A (ja) * 2001-04-20 2002-10-31 Citizen Electronics Co Ltd 表面実装型発光ダイオード及びその製造方法

Cited By (40)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6359360A (ja) * 1986-08-29 1988-03-15 Koito Mfg Co Ltd ヘツドランプクリ−ナ用超広角ノズル
US8507924B2 (en) 2004-07-02 2013-08-13 Cree, Inc. Light emitting diode with high aspect ratio submicron roughness for light extraction and methods of forming
JP2006114737A (ja) * 2004-10-15 2006-04-27 Akita Denshi Systems:Kk 光半導体装置及びその製造方法
JP2007005372A (ja) * 2005-06-21 2007-01-11 Rohm Co Ltd 発光ダイオードを使用した表示パネル装置
JP4727314B2 (ja) * 2005-06-21 2011-07-20 ローム株式会社 発光ダイオードを使用した表示パネル装置
US8202745B2 (en) 2005-08-04 2012-06-19 Cree, Inc. Submounts for semiconductor light emitting devices and methods of forming packaged light emitting devices including dispensed encapsulants
US8835952B2 (en) 2005-08-04 2014-09-16 Cree, Inc. Submounts for semiconductor light emitting devices and methods of forming packaged light emitting devices including dispensed encapsulants
JP2009503888A (ja) * 2005-08-04 2009-01-29 クリー インコーポレイテッド 調合された封止剤を用いた半導体発光デバイス用パッケージとそれをパッケージする方法
KR101455022B1 (ko) 2005-08-04 2014-11-04 크리 인코포레이티드 투입된 봉지물질을 이용한 반도체 발광 소자용 패키지와 그를 패키징하는 방법
JP2007142383A (ja) * 2005-10-20 2007-06-07 Showa Denko Kk 発光素子実装用基板、発光素子実装パッケージおよび面光源装置
WO2007055970A1 (en) * 2005-11-02 2007-05-18 3M Innovative Properties Company Light emitting diode encapsulation shape control
JP2007157686A (ja) * 2005-11-11 2007-06-21 Hitachi Displays Ltd 照明装置及びそれを用いた液晶表示装置
JP4724618B2 (ja) * 2005-11-11 2011-07-13 株式会社 日立ディスプレイズ 照明装置及びそれを用いた液晶表示装置
WO2007083481A1 (ja) * 2006-01-19 2007-07-26 Rohm Co., Ltd. 半導体表示装置及び半導体表示装置の製造方法
JPWO2007083481A1 (ja) * 2006-01-19 2009-06-11 ローム株式会社 半導体表示装置及び半導体表示装置の製造方法
JP2008034806A (ja) * 2006-07-31 2008-02-14 Cree Inc 気泡なくレンズを配置するための内部メニスカスを備えた発光ダイオードパッケージ要素
US8679876B2 (en) 2006-11-15 2014-03-25 Cree, Inc. Laser diode and method for fabricating same
US9041139B2 (en) 2007-01-19 2015-05-26 Cree, Inc. Low voltage diode with reduced parasitic resistance and method for fabricating
JP2009010184A (ja) * 2007-06-28 2009-01-15 Showa Denko Kk 発光装置、表示装置、発光装置の製造方法
US8208093B2 (en) 2007-06-28 2012-06-26 Showa Denko K.K. Light-emitting device, display device and method of manufacturing light-emitting device
WO2009001606A1 (ja) * 2007-06-28 2008-12-31 Showa Denko K.K. 発光装置、表示装置、発光装置の製造方法
US8183761B2 (en) * 2007-07-20 2012-05-22 Stanley Electric Co., Ltd. Light emitting apparatus
US8519437B2 (en) 2007-09-14 2013-08-27 Cree, Inc. Polarization doping in nitride based diodes
US9012937B2 (en) 2007-10-10 2015-04-21 Cree, Inc. Multiple conversion material light emitting diode package and method of fabricating same
KR20120101331A (ko) * 2009-06-29 2012-09-13 헤라우스 머티리얼즈 테크놀러지 게엠베하 ＆ 코. 카게 광전자 소자
KR101633444B1 (ko) 2009-06-29 2016-06-24 오스람 옵토 세미컨덕터스 게엠베하 광전자 소자
JP2012531761A (ja) * 2009-06-29 2012-12-10 オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング オプトエレクトロニクス素子
US9048393B2 (en) 2009-06-29 2015-06-02 Osram Opto Semiconductor Gmbh Optoelectronic component
JP2011077084A (ja) * 2009-09-29 2011-04-14 Rohm Co Ltd Ｌｅｄ照明装置および液晶表示装置
JP2012004596A (ja) * 2010-01-29 2012-01-05 Toshiba Corp Ｌｅｄパッケージ及びその製造方法
JP2011077559A (ja) * 2011-01-18 2011-04-14 Rohm Co Ltd 発光ダイオードを使用した表示パネル装置
JP2013055172A (ja) * 2011-09-02 2013-03-21 Ushio Inc Ｌｅｄ光源装置
JP2014003151A (ja) * 2012-06-18 2014-01-09 Mitsubishi Electric Corp 発光装置
WO2014196833A1 (ko) * 2013-06-07 2014-12-11 서울반도체 주식회사 발광 디바이스
JP2015023218A (ja) * 2013-07-22 2015-02-02 ローム株式会社 Ｌｅｄ照明装置
US9721934B2 (en) 2013-07-22 2017-08-01 Rohm Co., Ltd. LED lighting apparatus
US9837392B2 (en) 2013-07-22 2017-12-05 Rohm Co., Ltd. LED lighting apparatus
JP2021002588A (ja) * 2019-06-21 2021-01-07 スタンレー電気株式会社 半導体装置、半導体素子搭載用基板、および、その製造方法
US11508879B2 (en) 2019-06-21 2022-11-22 Stanley Electric Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method therefor
JP7299768B2 (ja) 2019-06-21 2023-06-28 スタンレー電気株式会社 半導体装置、半導体素子搭載用基板、および、その製造方法

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