JP2003257902A - Chemical reactive abrasive - Google Patents

Chemical reactive abrasive

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JP2003257902A JP2002061724A JP2002061724A JP2003257902A JP 2003257902 A JP2003257902 A JP 2003257902A JP 2002061724 A JP2002061724 A JP 2002061724A JP 2002061724 A JP2002061724 A JP 2002061724A JP 2003257902 A JP2003257902 A JP 2003257902A
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昭次郎 岡田
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an inexpensive chemical reactive abrasive which can work the surface of a ground material to an extremely smooth mirror surface, can prevent the ground surface from being contaminated, and moreover, can prevent environmental pollution caused by working liquid. <P>SOLUTION: After a chemical reaction layer is formed on the surface of the ground material, the chemical reaction layer is removed by the chemical reactive abrasive to work the surface of the ground material. The raw material of the abrasive is fluoromica. The surface of the ground material can be worked to the mirror surface having no layer modified by treatment. Since the abrasive itself reacts on the ground material, chemically active working liquid is not needed for reaction, and water can be used as grinding liquid. Herewith, there is no occurrence of environmental pollution caused by the working liquid. Since fluoromica is easily manufactured, the cost of the abrasive can be held down, and the working cost of the ground material can be reduced. <P>COPYRIGHT: (C)2003,JPO

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【０００１】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、化学反応性研磨材
に関する。シリコンウエハ等の硬脆材料は、砥石による
研削やラッピングを行った後、ポリッシング加工され
る。このポリッシングによって研削等により生じた表面
の加工傷等の加工変質層が除去されて、硬脆材料の表面
が鏡面に仕上げられる。本発明は、かかるポリッシング
作業に使用される化学反応性研磨材に関する。TECHNICAL FIELD The present invention relates to a chemically reactive abrasive. Hard and brittle materials such as silicon wafers are subjected to polishing processing after grinding and lapping with a grindstone. By this polishing, a work-affected layer such as a work scratch on the surface caused by grinding or the like is removed, and the surface of the hard and brittle material is mirror-finished. The present invention relates to chemically reactive abrasives used in such polishing operations.

【０００２】[0002]

【従来の技術】従来より、シリコンウエハのポリッシン
グには、一般的に、酸化珪素を素材とする研磨材が使用
されている。この酸化珪素は、その硬度がシリコンウエ
ハの硬度に比べて高いため、酸化珪素を素材とする研磨
材を用いて直接シリコンウエハを研削すると加工面にス
クラッチが形成されてしまう。したがって、通常、酸化
珪素を素材とする研磨材によってシリコンウエハのポリ
ッシングを行う場合には、水酸化カリウム等の化学反応
性の高い加工液が使用される。すると、加工液とシリコ
ンウエハとが反応してシリコンウエハの表面に硬度の低
い水和膜や化合物膜が形成されるから、この水和膜等の
みを除去する程度の力で研磨材をシリコンウエハに押し
付ければ、研磨材によってシリコンウエハ表面にスクラ
ッチ等の加工変質層を形成することなく、シリコンウエ
ハをポリッシングすることができる。しかも、加工液に
よって研磨材自体の硬度を低下させる効果も得られるか
ら、加工変質層の形成を防ぐ効果をさらに高くすること
ができる。2. Description of the Related Art Conventionally, an abrasive made of silicon oxide has been generally used for polishing a silicon wafer. Since the hardness of this silicon oxide is higher than the hardness of the silicon wafer, when the silicon wafer is directly ground using an abrasive made of silicon oxide, scratches are formed on the processed surface. Therefore, when polishing a silicon wafer with an abrasive made of silicon oxide, a processing liquid having a high chemical reactivity such as potassium hydroxide is usually used. Then, the processing liquid and the silicon wafer react with each other to form a hydrated film or a compound film having low hardness on the surface of the silicon wafer. Therefore, the polishing material is applied to the silicon wafer with a force sufficient to remove only the hydrated film or the like. If pressed against, the silicon wafer can be polished without forming a work-affected layer such as a scratch on the surface of the silicon wafer by the abrasive. Moreover, the effect of reducing the hardness of the polishing material itself can be obtained by the working liquid, so that the effect of preventing the formation of the work-affected layer can be further enhanced.

【０００３】[0003]

【発明が解決しようとする課題】上記のごとく、酸化珪
素研磨材を用いてシリコンウエハのポリッシングを行う
場合には、水酸化カリウム等の化学反応性の高い加工液
を必ず使用しなければならないが、この加工液は著しく
高いアルカリ性を呈するので、環境汚染上大きな問題と
なっている。また、酸化珪素研磨材は、通常水ガラスか
ら製造されるが、この水ガラスにはナトリウム等のシリ
コンウエハを汚染する物質が含まれている。このため、
加工変質層を形成することなくシリコンウエハの表面を
加工することができても、その表面にナトリウム等が取
り込まれてしまうと、そのシリコンウエハは使用できな
くなってしまう。かといって、ナトリウム等を全く含ま
ない酸化珪素研磨材の製造には、高度な技術と数多くの
製造工数が必要とされるため、そのような酸化珪素研磨
材は非常に高価となり、シリコンウエハの加工コストの
増大につながる。As described above, when polishing a silicon wafer using a silicon oxide abrasive, a working liquid having a high chemical reactivity such as potassium hydroxide must be used without fail. Since this processing liquid exhibits extremely high alkalinity, it poses a serious problem in terms of environmental pollution. Further, the silicon oxide abrasive is usually manufactured from water glass, and this water glass contains a substance such as sodium that contaminates the silicon wafer. For this reason,
Even if the surface of a silicon wafer can be processed without forming a work-affected layer, if sodium or the like is taken into the surface, the silicon wafer cannot be used. However, the production of silicon oxide abrasives that do not contain sodium, etc., requires sophisticated technology and a large number of manufacturing man-hours. This leads to an increase in processing cost.

【０００４】さらに、従来のシリコンウエハのポリッシ
ングは、酸化珪素研磨材と加工液の混合液であるスラリ
ーをポリシャーによってシリコンウエハに押し付ける遊
離砥粒加工を行っているが、遊離砥粒加工には以下の
(ｉ)〜(iii)に示す大きな欠点がある。 （ｉ）ポリシャーには硬度が低く粘弾性のある素材を使
用しているため、シリコンウエハ表面の平坦度が悪くな
るし、シリコンウエハ外周にダレが発生する。よって、
シリコンウエハの加工精度を高く保つことは非常に困難
である。かといって、ポリシャーの硬度を高くすると平
坦度を向上することができ、シリコンウエハ外周におけ
るダレの発生を防ぐことはできるが、酸化珪素研磨材が
強くシリコンウエハに押し付けられることになるため、
シリコンウエハ表面に加工変質層が形成され、そのまま
残存してしまう。したがって、加工精度の向上と表面の
質の向上を両立させることはできない。 （ii）研磨材はスラリーとともに流れてしまうため、使
用する研磨材の量が非常に多くなり加工コストが高くな
る。 (iii）加工液として、反応性の高いアルカリ液を使用し
ているので、加工雰囲気が悪く、またその処理に多大の
費用がかかる。かといって、スラリーや加工液としてア
ルカリ液を用いなければ作業環境は改善できるが、酸化
珪素のメカニカルな作用によるシリコンウエハ表面損傷
が大きくなるし、ケミカルな作用も得られないため単位
時間当たりの加工量も極めて少なくなる。Further, in the conventional polishing of a silicon wafer, free abrasive grain processing in which a slurry, which is a mixed liquid of a silicon oxide abrasive and a working fluid, is pressed against a silicon wafer by a polisher, is described below. of
There are major drawbacks shown in (i) to (iii). (I) Since a material having low hardness and viscoelasticity is used for the polisher, the flatness of the surface of the silicon wafer becomes poor, and sagging occurs on the outer periphery of the silicon wafer. Therefore,
It is very difficult to keep the processing accuracy of a silicon wafer high. However, increasing the hardness of the polisher can improve the flatness and prevent the occurrence of sagging on the outer periphery of the silicon wafer, but since the silicon oxide abrasive is strongly pressed against the silicon wafer,
A work-affected layer is formed on the surface of the silicon wafer and remains as it is. Therefore, it is impossible to improve the processing accuracy and the surface quality at the same time. (Ii) Since the abrasive flows together with the slurry, the amount of the abrasive used is very large and the processing cost is high. (iii) Since a highly reactive alkaline liquid is used as the working liquid, the working atmosphere is bad and the treatment requires a great deal of cost. On the other hand, the working environment can be improved by using no alkaline liquid as the slurry or processing liquid, but the silicon wafer surface damage due to the mechanical action of silicon oxide becomes large, and the chemical action cannot be obtained. The amount of processing is also extremely small.

【０００５】一方、シリコンウエハのポリッシングに砥
石を使用すれば、加工精度を向上できるし、研磨材は砥
石に固定されているから加工コストも安くすることがで
きるが、研磨材のシリコンウエハへの押付力が強くなる
ため、シリコンウエハ表面に加工変質層が形成されてし
まう。しかも、遊離砥粒加工と同様に、加工液としてア
ルカリ液を使用しなければならないので、加工雰囲気が
悪く、その処理に多大な費用がかかる。したがって、砥
石を使用したシリコンウエハのポリッシング作業は、い
まだ実用化されていない。On the other hand, if a grindstone is used for polishing a silicon wafer, the working accuracy can be improved and the working cost can be reduced because the abrasive is fixed to the grindstone. Since the pressing force becomes strong, a work-affected layer is formed on the surface of the silicon wafer. Moreover, as in the case of the free-abrasive grain processing, since an alkaline liquid must be used as the processing liquid, the processing atmosphere is bad and the processing is very expensive. Therefore, the polishing work of a silicon wafer using a grindstone has not yet been put to practical use.

【０００６】本発明はかかる事情に鑑み、被削材の表面
を超平滑な鏡面に加工することができ、被削材表面が汚
染されることを防ぐことができ、加工液による環境汚染
を防ぐことができ、安価であり、砥石によるシリコンウ
エハの加工を実現化できる化学反応性研磨材を提供する
ことを目的とする。In view of the above situation, the present invention can process the surface of a work material into an ultra-smooth mirror surface, prevent the work material surface from being contaminated, and prevent environmental pollution by a working fluid. It is an object of the present invention to provide a chemically reactive polishing material that can be manufactured, is inexpensive, and can realize processing of a silicon wafer with a grindstone.

【０００７】[0007]

【課題を解決するための手段】請求項１の化学反応性研
磨材は、被削材表面に化学反応層を形成させ、その化学
反応層を除去することによって被削材表面を加工する研
磨材であって、前記研磨材の素材が、フッ素雲母である
ことを特徴とする。請求項２の化学反応性研磨材は、請
求項１記載の発明において、前記フッ素雲母が、フッ素
４珪素雲母であることを特徴とする。The chemically-reactive abrasive according to claim 1 forms a chemically-reactive layer on the surface of a work material, and removes the chemically-reactive layer to process the surface of the work material. The material of the polishing material is fluoromica. According to a second aspect of the present invention, in the invention according to the first aspect, the fluorine mica is fluorine 4 silicon mica.

【０００８】請求項１の発明によれば、研磨材がフッ素
雲母であるから、研磨材が、被削材に接触したときに、
その接触点において発生する高温高圧によって、被削材
と研磨材に含まれるカリウムやマグネシウム、フッ素と
の間の化学反応が活性化される。すると、その接触点に
軟質の化学反応層が形成されるので、この化学反応層を
研磨材によって除去することができる。しかも、研磨材
は被削材よりも硬度が低いので、化学反応層以外の部分
に研磨材が接触しても、研磨材によって被削材の表面が
削られることがない。したがって、被削材の表面を加工
変質層のない鏡面に加工することができる。しかも、砥
石の研磨材として使用すれば、砥石による加工変質層の
ない鏡面加工を実現化することができる。また、研磨材
自体が被削材と反応するので、化学的に活性な加工液を
使用する必要がなく、研削液には水を使用すればよい。
したがって、加工液によって環境汚染が発生しない。ま
た、フッ素雲母はその製造が容易であるから、研磨材の
コストを抑えることができ、被削材の加工コストを低く
することができる。しかも、フッ素雲母は、化学的に純
粋な原料だけから合成することも可能であるから、ナト
リウム等の不純物質を含まないものを製造できる。よっ
て、被削材を汚染することなく研削することができる。
請求項２の発明によれば、フッ素４珪素雲母には、ナト
リウムやアルミニウム等が全く含まれていないから、シ
リコンウエハの表面にナトリウム等が取り込まれる心配
がなく、シリコンウエハ表面が汚染されることもない。
よって、加工された被削材表面の性質を高品質に保つこ
とができる。According to the invention of claim 1, since the abrasive is fluorine mica, when the abrasive comes into contact with the work material,
The high temperature and high pressure generated at the contact point activates the chemical reaction between the work material and potassium, magnesium, or fluorine contained in the polishing material. Then, since a soft chemical reaction layer is formed at the contact point, the chemical reaction layer can be removed by the abrasive. Moreover, since the abrasive material has a lower hardness than the work material, the surface of the work material is not scraped by the abrasive material even when the abrasive material comes into contact with a portion other than the chemical reaction layer. Therefore, the surface of the work material can be processed into a mirror surface without a work-affected layer. Moreover, if it is used as a polishing material for a grindstone, it is possible to realize mirror surface processing without a work-affected layer by the grindstone. Further, since the abrasive itself reacts with the work material, it is not necessary to use a chemically active machining liquid, and water may be used as the grinding liquid.
Therefore, the working fluid does not cause environmental pollution. Further, since the fluoromica is easy to manufacture, the cost of the abrasive material can be suppressed, and the processing cost of the work material can be reduced. Moreover, since it is possible to synthesize fluoromica only from a chemically pure raw material, it is possible to manufacture fluoromica containing no impurities such as sodium. Therefore, the work material can be ground without being contaminated.
According to the second aspect of the present invention, since the fluorinated 4-silicon mica does not contain sodium or aluminum at all, there is no concern that sodium or the like will be taken into the surface of the silicon wafer and the surface of the silicon wafer will be contaminated. Nor.
Therefore, the property of the processed work material surface can be kept high quality.

【０００９】[0009]

【発明の実施の形態】つぎに、本発明の実施形態を説明
する。本発明は、硬度の低いフッ素雲母を、硬脆材料、
とくにシリコンウエハのポリッシングに使用される化学
反応性研磨材として用いることを特徴とする。従来か
ら、フッ素雲母は、耐熱性や難燃性、絶縁性を付与する
充填材や、加工性の良いマシナブルセラミックスの原料
として使用されているが、硬度が低いために研磨材とし
ての使用は検討されていなかった。しかるに、本発明者
は、鋭意研究した結果、上記のごときフッ素雲母が、硬
脆材料、とくにシリコンウエハのポリッシングに使用さ
れる化学反応性研磨材として好適であることを見出した
ものである。なお、このフッ素雲母は、砥石に含有され
る固定砥粒としても使用できるし、遊離砥粒加工の砥粒
としても使用することができるものである。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Next, an embodiment of the present invention will be described. The present invention, fluorine mica having a low hardness, hard brittle material,
In particular, it is characterized by being used as a chemically reactive polishing material used for polishing a silicon wafer. Conventionally, fluoromica has been used as a filler for imparting heat resistance, flame retardancy, and insulation, and as a raw material for machinable ceramics with good workability, but it is not used as an abrasive because of its low hardness. Had not been considered. However, as a result of diligent research, the present inventor has found that the above-described fluoromica is suitable as a chemically reactive abrasive used for polishing hard and brittle materials, particularly silicon wafers. The fluoromica can be used as a fixed abrasive contained in a grindstone, or can also be used as an abrasive in free abrasive processing.

【００１０】フッ素雲母は、通常の研磨材として使用さ
れるコロイダルシリカと同様に、その主成分は酸化珪素
であるが、コロイダルシリカが四面体の酸化珪素が三次
元的に配列された結晶構造を有するのに対し、フッ素雲
母は以下のような結晶構造となっている。Similar to colloidal silica used as an ordinary abrasive, fluoromica has silicon oxide as a main component, but colloidal silica has a crystal structure in which tetrahedral silicon oxide is three-dimensionally arranged. On the other hand, fluoromica has the following crystal structure.

【００１１】フッ素雲母では、四面体の酸化珪素が二次
元的に配列され板状に連なった酸化珪素（以下、単に板
状酸化珪素という）同士がマグネシウムによって連結さ
れて板状酸化珪素が層状に重なった層状体（以下、層状
体という）を有しており、この層状体同士が更にカリウ
ムによって結合されて形成されている。このフッ素雲母
において、板状酸化珪素同士はマグネシウムによって結
合されているが、このマグネシウムと板状酸化珪素はイ
オン結合によって結合されている。そして、層状体とカ
リウムもイオン結合によって結合されている。しかし、
イオン結合は非常に弱いため、外力が加わると、板状酸
化珪素同士および層状体同士は簡単に分離されてしまう
ので、フッ素雲母はコロイダルシリカに比べて硬度が低
く簡単に破砕する性質を有することになる。In the case of fluoromica, silicon oxides of tetrahedron are two-dimensionally arranged and connected in a plate shape (hereinafter simply referred to as plate-like silicon oxides) are connected by magnesium to form plate-like silicon oxides in layers. It has an overlapping layered body (hereinafter referred to as a layered body), and the layered bodies are further bonded by potassium. In this fluoromica, the plate-like silicon oxides are bound together by magnesium, but the magnesium and the plate-like silicon oxides are bound together by ionic bonding. The layered body and potassium are also bonded by ionic bonding. But,
Since ionic bonds are extremely weak, plate-like silicon oxides and layered bodies are easily separated when an external force is applied.Therefore, fluoromica has a lower hardness than colloidal silica and easily fractures. become.

【００１２】したがって、フッ素雲母を研磨材としてポ
リッシングした場合には、以下のようにフッ素雲母が作
用して研削が進行する。まず、研磨材であるフッ素雲母
をシリコンウエハに押し付ければ、フッ素雲母はシリコ
ンウエハと接触するとすぐに破砕する。このため、フッ
素雲母中の酸化珪素がシリコンウエハに強く押し付けら
れないので、酸化珪素によってシリコンウエハ表面に加
工変質層は形成されない。Therefore, when polishing is performed using fluoromica as an abrasive, the fluoromica acts as described below to proceed with grinding. First, fluorinated mica, which is an abrasive, is pressed against a silicon wafer, and the fluorinated mica crushes as soon as it comes into contact with the silicon wafer. For this reason, the silicon oxide in the fluoromica is not strongly pressed against the silicon wafer, so that the silicon oxide does not form a work-affected layer on the surface of the silicon wafer.

【００１３】そして、フッ素雲母が破砕すると、フッ素
雲母の板状酸化珪素同士および層状体同士を結合してい
たカリウムとマグネシウムが露出する。すると、フッ素
雲母がシリコンウエハに接触したときに、その接触点に
おいて発生する高温高圧によって、シリコンウエハとカ
リウムおよびマグネシウムとの間の化学反応が活性化さ
れるので、その接触点におけるシリコンウエハの表面に
は軟質の化学反応層が形成される。When the fluoric mica is crushed, the potassium and magnesium that bond the plate-like silicon oxides of the fluoric mica and the layers are exposed. Then, when the fluoromica comes into contact with the silicon wafer, the high temperature and high pressure generated at the contact point activates the chemical reaction between the silicon wafer and potassium and magnesium, so that the surface of the silicon wafer at the contact point is activated. A soft chemical reaction layer is formed on the surface.

【００１４】この化学反応層は非常に硬度が低いので、
この化学反応層と接触したフッ素雲母は破砕せず、フッ
素雲母に含まれる酸化珪素によって化学反応層がシリコ
ンウエハ表面から除去される。なお、板状酸化珪素中に
珪素原子とともに共存しているフッ素原子がシリコンウ
エハとの接触点でフッ化水素となっており、酸化珪素に
よる化学反応層の除去を補助しているので、酸化珪素に
よる化学反応層の除去効率は向上される。Since this chemical reaction layer has a very low hardness,
The fluoromica that has come into contact with this chemical reaction layer is not crushed, and the chemical reaction layer is removed from the silicon wafer surface by the silicon oxide contained in the fluoromica. Fluorine atoms coexisting with silicon atoms in the plate-shaped silicon oxide become hydrogen fluoride at the contact point with the silicon wafer, which assists the removal of the chemical reaction layer by silicon oxide. The removal efficiency of the chemical reaction layer due to is improved.

【００１５】そして、化学反応層が除去されると再びシ
リコンウエハが表面に出てくるが、このシリコンウエハ
と接触した場合にはフッ素雲母は破砕するので、シリコ
ンウエハ表面に加工変質層を形成することがない。When the chemically reactive layer is removed, the silicon wafer again appears on the surface. When the silicon wafer comes into contact with the silicon wafer, the fluorine mica is crushed, so that a work-affected layer is formed on the surface of the silicon wafer. Never.

【００１６】上記のごとく、フッ素雲母とシリコンウエ
ハが反応して形成された硬度の低い化学反応層をフッ素
雲母中の酸化珪素によって除去するから、シリコンウエ
ハよりも硬度の低いフッ素雲母の研磨材によってシリコ
ンウエハをポリッシングすることができるのである。As described above, since the chemical reaction layer having a low hardness formed by the reaction between the fluoromica and the silicon wafer is removed by the silicon oxide in the fluoromica, an abrasive material for the fluoromica having a hardness lower than that of the silicon wafer is used. It is possible to polish a silicon wafer.

【００１７】そして、シリコンウエハ（ヌープ硬度９３
０）よりも硬度の低いフッ素雲母（ヌープ硬度１３０）
をシリコンウエハ研磨用砥石の砥粒として使用すれば、
たとえ砥粒がシリコンウエハに接触してもシリコンウエ
ハの表面には加工変質層が形成されない。よって、シリ
コンウエハのポリッシングを砥石によって実現すること
ができ、シリコンウエハの表面を鏡面に加工することが
できる。Then, a silicon wafer (Knoop hardness 93
Fluorine mica (Knoop hardness 130) with hardness lower than 0)
If you use as the abrasive grains of a silicon wafer polishing stone,
Even if the abrasive grains come into contact with the silicon wafer, the work-affected layer is not formed on the surface of the silicon wafer. Therefore, polishing of the silicon wafer can be realized with a grindstone, and the surface of the silicon wafer can be processed into a mirror surface.

【００１８】また、フッ素雲母に含まれるカリウムやマ
グネシウムがシリコンウエハと反応して化学反応層を形
成するから、化学的に活性な加工液を使用する必要がな
く、加工液には水を使用すればよい。したがって、加工
液によって環境汚染が発生しない。しかも、フッ素雲母
はシリコンウエハよりも硬度が低いので、化学反応層以
外の部分にフッ素雲母が接触しても、フッ素雲母によっ
てシリコンウエハの表面が削られることがない。したが
って、シリコンウエハの表面を加工変質層のない鏡面に
加工することができる。Further, since potassium or magnesium contained in the fluorine mica reacts with the silicon wafer to form a chemically reactive layer, it is not necessary to use a chemically active working fluid, and water may be used as the working fluid. Good. Therefore, the working fluid does not cause environmental pollution. Moreover, since the fluorine mica has a lower hardness than the silicon wafer, the surface of the silicon wafer is not scraped by the fluorine mica even when the fluorine mica comes into contact with the portion other than the chemically reactive layer. Therefore, the surface of the silicon wafer can be processed into a mirror surface without a work-affected layer.

【００１９】さらに、フッ素雲母は、例えば、常圧の下
で酸化珪素（SiO2）、マグネシア（MgO ）、フッ化物等
安価な原料を化学量論的に調合し溶融することによっ
て、容易に人工的に合成することができるから非常に安
価である。したがって、研磨材のコストを抑えることが
できるので、被削材の加工コストを低くすることができ
る。しかも、フッ素雲母は、化学的に純粋な原料だけか
ら合成することも可能であるから、ナトリウム等の不純
物質を含まないものを製造できる。よって、被削材を汚
染することなく研削することができる。Fluorine mica is easily artificially prepared by stoichiometrically mixing and melting inexpensive raw materials such as silicon oxide (SiO 2 ), magnesia (MgO 2 ) and fluoride under normal pressure. It is very cheap because it can be synthesized synthetically. Therefore, the cost of the polishing material can be suppressed, and the processing cost of the work material can be reduced. Moreover, since it is possible to synthesize fluoromica only from a chemically pure raw material, it is possible to manufacture fluoromica containing no impurities such as sodium. Therefore, the work material can be ground without being contaminated.

【００２０】とくに、フッ素雲母でも、フッ素４珪素雲
母がシリコンウエハのポリッシングには好適である。フ
ッ素４珪素雲母は、その組成が、KMg2.5(Si4O10)F2であ
る。この組成から分かるように、フッ素４珪素雲母には
ナトリウムやアルミニウム等が全く含まれていないか
ら、シリコンウエハの表面にナトリウム等が取り込まれ
る心配がなく、シリコンウエハ表面が汚染されることも
ない。よって、加工されたシリコンウエハ表面の性質を
高品質に保つことができる。In particular, even with fluorine mica, fluorine-4 silicon mica is suitable for polishing a silicon wafer. The composition of tetrafluorofluorine mica is KMg 2.5 (Si 4 O 10 ) F 2 . As can be seen from this composition, since sodium tetrafluoride mica does not contain sodium or aluminum at all, there is no concern that sodium or the like will be taken into the surface of the silicon wafer and the surface of the silicon wafer will not be contaminated. Therefore, the quality of the surface of the processed silicon wafer can be kept high.

【００２１】[0021]

【実施例１】比較は、研磨材であるフッ素４ケイ素雲母
（平均粒径１６μｍ）と純水を混同したスラリー（研磨
材濃度 １０重量％：実施例１）と、市販のコロイダル
シリカスラリー（シリカ粒径0.1 μｍ、濃度５％、ＰＨ
10.5：比較例１）を用いてシリコンウエハ（初期面粗さ
Ｒａ＝0.1 μｍ）を研削し、その単位時間当たりの加工
量と加工面粗さを比較した。研削対象は、外径153 ｍｍ
の試料ホルダーに等間隔に配置された３枚の直径３０ｍ
ｍのシリコンウエハであり、このシリコンウエハを直径
400 ｍｍの溝つき硬質プラスチック（ポリカーボネー
ト）板上に設置し、研磨圧を５０kPa 、硬質プラスチッ
ク板の回転数を９０rpm とした状態で２０分間研削し
た。加工量は、ミツトヨ製触針式変位測定器（EF-11PR
H）を用いて測定し、加工面粗さは、小坂研究所製触針
式表面粗さ測定器（ET‐30HK）を用いて測定した。Example 1 For comparison, a slurry in which fluorine 4 silicon mica (average particle size 16 μm) as an abrasive was mixed with pure water (abrasive concentration 10% by weight: Example 1) and a commercially available colloidal silica slurry (silica) Particle size 0.1 μm, concentration 5%, PH
10.5: A silicon wafer (initial surface roughness Ra = 0.1 μm) was ground using Comparative Example 1), and the processing amount per unit time and the processed surface roughness were compared. 153 mm outer diameter to be ground
30m diameter of three pieces arranged at equal intervals in the sample holder
m silicon wafer, and the diameter of this silicon wafer is
The plate was placed on a hard plastic (polycarbonate) plate having a groove of 400 mm, and was ground for 20 minutes while the polishing pressure was 50 kPa and the rotation speed of the hard plastic plate was 90 rpm. The amount of processing is the Mitutoyo stylus displacement measurement device (EF-11PR
H), and the processed surface roughness was measured using a stylus type surface roughness measuring instrument (ET-30HK) manufactured by Kosaka Laboratory.

【００２２】比較例１では、２０分後の加工量が２４μ
ｍであり、その表面粗さは１ｎｍであるのに対し、実施
例１では、２０分後の加工量が２８μｍであり、その表
面粗さは0.6 ｎｍであった。つまり、比較例１に比べ
て、実施例１は、加工量、面粗さとも優れた効果が得ら
れており、しかも、実施例１は加工液として水を使用し
ているから、環境を汚染することもない。また、比較例
１のコロイダルシリカの強アルカリ性スラリーの場合、
このスラリーの乾燥物が被削材表面に付着することによ
る諸弊害（スクラッチの発生等）が発生するが、実施例
１のスラリーではこのような弊害もない。したがって、
研磨材のコスト、環境負荷を合わせ考えると、従来のシ
リカに比べて、フッ素４ケイ素雲母はきわめて優れた研
磨材であることが確認できる。In Comparative Example 1, the processing amount after 20 minutes was 24 μm.
m, the surface roughness was 1 nm, whereas in Example 1, the processing amount after 20 minutes was 28 μm, and the surface roughness was 0.6 nm. In other words, compared to Comparative Example 1, Example 1 has excellent effects in terms of processing amount and surface roughness, and since Example 1 uses water as the processing liquid, it pollutes the environment. There is nothing to do. Further, in the case of the strong alkaline slurry of colloidal silica of Comparative Example 1,
Various problems (such as scratches) occur due to the dried material of the slurry adhering to the surface of the work material, but the slurry of Example 1 does not have such problems. Therefore,
Considering the cost and environmental load of the abrasive, it can be confirmed that fluorinated 4-silicon mica is an extremely excellent abrasive as compared with conventional silica.

【実施例２】実施例２は、化学反応性を有する軟質研磨
材としてフッ素４ケイ素雲母を用い結合剤で結合してい
わゆるメカノケミカル砥石（ＭＣＰ砥石）である。この
メカノケミカル砥石（ＭＣＰ砥石）によって乾式で固定
砥粒研磨を行い、メカノケミカル砥石（MCP 砥石）の実
用性を検証した。この実施例２のメカノケミカル砥石
（ＭＣＰ砥石）は、粒径約８μｍのフッ素４ケイ素雲母
を研磨材とし、その100 重量％に４重量部のフルフラー
ルで湿らし、粉末フェノール樹脂（フロー２８ｍｍ、ヘ
キサメチレンテトラミン１４phr の耐熱ノボラック型）
５重量部を加えて充分混合し、比重1.75で直径１０ｍｍ
高さ１０ｍｍの円柱に冷間成形し、175 ℃まで一時間１
０℃の割合で昇温し３時間保った後冷却して製造された
ものである。研磨対象は、シリコンウエハ（初期面粗さ
Ｒａ＝0.1 μｍ）であり、このシリコンウエハを回転テ
ーブル（300 rpm ）上にセットし、棒軸ヘッド部に研磨
中心半径５０ｍｍの位置に取り付けた実施例２のメカノ
ケミカル砥石（ＭＣＰ砥石）によって荷重9.8 Ｎ、面圧
124.8 kPa の条件で、２０分間乾式で研磨した。なお、
加工量は、小坂研究所製SE30Ｋを用いて測定し、メカノ
ケミカル砥石（ＭＣＰ砥石）の砥面厚み変化はマイクロ
メータ（ミツトヨ製Ｍ215-25）で測定した。Example 2 Example 2 is a so-called mechanochemical grindstone (MCP grindstone) in which fluorine-4 silicon mica is used as a soft abrasive having chemical reactivity and bonded with a binder. This mechanochemical grindstone (MCP grindstone) was used for dry fixed-grain polishing to verify the practicality of the mechanochemical grindstone (MCP grindstone). The mechanochemical grindstone (MCP grindstone) of this example 2 was prepared by using fluorine 4 silicon mica having a particle size of about 8 μm as an abrasive, and moistening 100% by weight thereof with 4 parts by weight of furfural, and powdered phenol resin (flow 28 mm, hexa Heat-resistant novolak type of methylenetetramine 14phr)
Add 5 parts by weight and mix well, with a specific gravity of 1.75 and a diameter of 10 mm
Cold formed into a cylinder with a height of 10 mm, and heated to 175 ° C for 1 hour 1
It was produced by raising the temperature at a rate of 0 ° C., maintaining it for 3 hours, and then cooling. The object to be polished was a silicon wafer (initial surface roughness Ra = 0.1 μm), and this silicon wafer was set on a rotary table (300 rpm) and attached to a rod shaft head at a position with a polishing center radius of 50 mm. Load of 9.8 N, surface pressure by 2 mechanochemical whetstone (MCP whetstone)
It was dry-polished for 20 minutes under the condition of 124.8 kPa. In addition,
The processing amount was measured using SE30K manufactured by Kosaka Laboratory, and the change in the grinding surface thickness of the mechanochemical grinding wheel (MCP grinding wheel) was measured by a micrometer (M215-25 manufactured by Mitutoyo).

【００２３】ウエハ加工断面形状は良好で安定した加工
が持続され、シリコンウエハの比加工量は２０(μｍ)３
／Pa・ｍ、研削比は0.34で充分実用に耐える値であっ
た。Wafer processing The sectional shape is good and stable processing is maintained, and the specific processing amount of the silicon wafer is 20 (μm) 3
/ Pa · m and the grinding ratio was 0.34, which was a value sufficient for practical use.

【実施例３】実施例３は、実施例２と同様に、化学反応
性を有する軟質研磨材としてフッ素４ケイ素雲母を用い
結合剤で結合していわゆるメカノケミカル砥石（ＭＣＰ
砥石）であり、このメカノケミカル砥石（ＭＣＰ砥石）
によって湿式で固定砥粒研磨を行った。実施例３のメカ
ノケミカル砥石は、研磨材である粒径平均３μｍのフッ
素４ケイ素雲母を、その100 重量％を１６重量％の硫酸
マグネシウム飽和水溶液で湿らし、それに酸化マグネシ
ウム粉末１０重量部を添加して充分混合し、比重1.92で
直径１０ｍｍ、高さ１０ｍｍの円柱に圧縮成形し、８時
間８０℃に保った後放冷して製造されたものである。実
験は、実施例３のメカノケミカル砥石を、砥石の外径は
９８ｍｍ、作用面積は15.7ｃｍ２となようにフランジ外
周部に２０ケ配列したカップ型ＭＣＰホイールを、立軸
研削研磨連続加工装置（SGP-１）に取り付け、５インチ
シリコンウエハ（初期面粗さＲａ＝0.1 μｍ）の研磨
を、ホイール回転数500 rpm 、ワーク回転数５rpm 、面
圧0.15ＭPaの研磨条件で２０分間で研磨した。なお、加
工量およびエッジ部のダレは、小坂研究所製触針式表面
粗さ測定器（ET-30HK）を用いて測定し、加工面粗さ
は、ニコン製微分干渉顕微鏡AFX-DXを用いて観察した。[Embodiment 3] Similar to Embodiment 2, Embodiment 3 uses so-called mechanochemical grindstone (MCP) by bonding with a binder using fluorine 4 silicon mica as a soft abrasive having chemical reactivity.
This is a mechanochemical whetstone (MCP whetstone)
Fixed abrasive polishing was performed by a wet method. The mechanochemical grindstone of Example 3 was prepared by wetting 100% by weight of tetrafluorofluorine mica having an average particle size of 3 μm, which is an abrasive, with a 16% by weight saturated aqueous solution of magnesium sulfate, and adding 10 parts by weight of magnesium oxide powder thereto. Then, the mixture was thoroughly mixed, compression-molded into a cylinder having a specific gravity of 1.92, a diameter of 10 mm and a height of 10 mm, kept at 80 ° C. for 8 hours, and then allowed to cool. In the experiment, the mechanochemical grindstone of Example 3 was used as a vertical axis grinding and polishing continuous machining apparatus for cup-shaped MCP wheels in which 20 pieces were arranged on the outer peripheral portion of the flange so that the outer diameter of the grindstone was 98 mm and the working area was 15.7 cm 2. It was attached to SGP-1) and a 5-inch silicon wafer (initial surface roughness Ra = 0.1 μm) was polished for 20 minutes under the polishing conditions of a wheel rotation speed of 500 rpm, a work rotation speed of 5 rpm, and a surface pressure of 0.15 MPa. The machining amount and sag of the edge part are measured using a stylus type surface roughness measuring instrument (ET-30HK) manufactured by Kosaka Laboratory, and the processed surface roughness is measured using a Nikon differential interference microscope AFX-DX. I observed it.

【００２４】実施例３のメカノケミカル砥石では、２０
分後の加工量が２５μｍ、砥石摩耗厚み２０μｍ、面粗
さＲａ＝1.1 ｎｍであり、比較例１と同等の研磨効果が
得られた。しかも、実施例３のメカノケミカル砥石によ
って研磨したシリコンウエハは、そのエッジ部のダレが
0.2 μｍであり、コロイダルシリカを用いた場合に発生
する0.9 μｍに比べてはるかに少ない。したがって、実
施例３のメカノケミカル砥石は、比較例１と比較して、
優れた加工性能を有していることが確認できる。With the mechanochemical grindstone of Example 3, 20
The amount of processing after minute was 25 μm, the grindstone wear thickness was 20 μm, and the surface roughness Ra was 1.1 nm, and the polishing effect equivalent to that of Comparative Example 1 was obtained. Moreover, the silicon wafer polished by the mechanochemical grindstone of Example 3 has a droop at the edge portion.
It is 0.2 μm, which is much smaller than 0.9 μm generated when colloidal silica is used. Therefore, the mechanochemical grindstone of Example 3 is
It can be confirmed that it has excellent processing performance.

【００２５】[0025]

【発明の効果】請求項１の発明によれば、被削材の表面
を加工変質層のない鏡面に加工することができ、化学的
に活性な加工液を使用する必要がなく、加工液によって
環境汚染が発生しない。また、研磨材のコストを抑える
ことができ、被削材の加工コストを低くすることができ
る。請求項２の発明によれば、加工された被削材表面の
性質を高レベルに保つことができる。According to the invention of claim 1, the surface of the work material can be machined into a mirror surface without a work-affected layer, and it is not necessary to use a chemically active machining fluid. No environmental pollution occurs. Further, the cost of the abrasive material can be suppressed, and the processing cost of the work material can be reduced. According to the invention of claim 2, the property of the processed work material surface can be maintained at a high level.

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項１】被削材表面に化学反応層を形成させ、その
化学反応層を除去することによって被削材表面を加工す
る研磨材であって、前記研磨材の素材が、フッ素雲母で
あることを特徴とする化学反応性研磨材。1. A polishing material for forming a chemical reaction layer on the surface of a work material and processing the surface of the work material by removing the chemical reaction layer, wherein the material of the polishing material is fluoromica. A chemically reactive abrasive characterized by the following. 【請求項２】前記フッ素雲母が、フッ素４珪素雲母であ
ることを特徴とする請求項１記載の化学反応性研磨材。2. The chemically reactive polishing material according to claim 1, wherein the fluoromica is tetrafluorotetrasilicon mica.
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