JP2003244074A - 光受信器 - Google Patents
光受信器Info
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- JP2003244074A JP2003244074A JP2002043762A JP2002043762A JP2003244074A JP 2003244074 A JP2003244074 A JP 2003244074A JP 2002043762 A JP2002043762 A JP 2002043762A JP 2002043762 A JP2002043762 A JP 2002043762A JP 2003244074 A JP2003244074 A JP 2003244074A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 簡易な回路構成により、周波数特性の優れた
光受信器を得る。 【解決手段】 光受信器は、アノード端子とグラウンド
とを接続する抵抗１−２と、カソード端子に一方の端子
が接続された抵抗１−３と、抵抗１−３の他方の端子と
グラウンドとを接続する容量１−４と、抵抗１−３の他
方の端子と電源端子Ｖｃｃとを接続するインダクタンス
１−５とを備え、電源端子Ｖｃｃに、電源から信号出力
の振幅電圧と等しいバイアス電圧を印加した。
光受信器を得る。 【解決手段】 光受信器は、アノード端子とグラウンド
とを接続する抵抗１−２と、カソード端子に一方の端子
が接続された抵抗１−３と、抵抗１−３の他方の端子と
グラウンドとを接続する容量１−４と、抵抗１−３の他
方の端子と電源端子Ｖｃｃとを接続するインダクタンス
１−５とを備え、電源端子Ｖｃｃに、電源から信号出力
の振幅電圧と等しいバイアス電圧を印加した。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、差動出力型の光受
信器に関する。
信器に関する。
【０００２】
【従来の技術】光受信器は、入力された光信号を電気信
号に変換するためのデバイスであり、光通信、光計測な
どの分野で広く用いられている。近年、光通信システム
の発達により、光受信器の高速広帯域化、受信感度の向
上が求められている。光受信器の受信感度の向上は、雑
音の低減により達成することができるが、その一例が、
特開平６−３７５５６号公報に開示されている。
号に変換するためのデバイスであり、光通信、光計測な
どの分野で広く用いられている。近年、光通信システム
の発達により、光受信器の高速広帯域化、受信感度の向
上が求められている。光受信器の受信感度の向上は、雑
音の低減により達成することができるが、その一例が、
特開平６−３７５５６号公報に開示されている。
【０００３】図６に、従来の差動出力型光受信器の構成
を示す。雑音低減のための有効な方法として、フォトダ
イオードの出力を差動出力としたものである。フォトダ
イオード４−１のアノード端子及びカソード端子は、そ
れぞれ増幅器５−１，５−２を介して、出力端子Ｖｏｕ
ｔ１，Ｖｏｕｔ２に接続されている。フォトダイオード
４−１のアノード端子は、抵抗４−２を介して、グラウ
ンド端子に接続され、カソード端子は、抵抗４−３を介
して、電源端子Ｖｃｃに接続され、フォトダイオード４
−１に逆バイアスがかけられている。
を示す。雑音低減のための有効な方法として、フォトダ
イオードの出力を差動出力としたものである。フォトダ
イオード４−１のアノード端子及びカソード端子は、そ
れぞれ増幅器５−１，５−２を介して、出力端子Ｖｏｕ
ｔ１，Ｖｏｕｔ２に接続されている。フォトダイオード
４−１のアノード端子は、抵抗４−２を介して、グラウ
ンド端子に接続され、カソード端子は、抵抗４−３を介
して、電源端子Ｖｃｃに接続され、フォトダイオード４
−１に逆バイアスがかけられている。
【０００４】このような構成により、光信号をフォトダ
イオード４−１に入力すると、光信号の強度に応じて逆
バイアス電流が変化する。抵抗４−２，４−３により生
ずる差動電圧の変化を、増幅器５−１，５−２を介し
て、出力端子Ｖｏｕｔ１，Ｖｏｕｔ２から取り出すこと
ができる。
イオード４−１に入力すると、光信号の強度に応じて逆
バイアス電流が変化する。抵抗４−２，４−３により生
ずる差動電圧の変化を、増幅器５−１，５−２を介し
て、出力端子Ｖｏｕｔ１，Ｖｏｕｔ２から取り出すこと
ができる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
差動出力型光受信器は、一般的に、増幅器５−１，５−
２の周波数応答特性によって、光受信器の周波数帯域が
制限されるという問題があった。
差動出力型光受信器は、一般的に、増幅器５−１，５−
２の周波数応答特性によって、光受信器の周波数帯域が
制限されるという問題があった。
【０００６】また、出力端子Ｖｏｕｔ１，Ｖｏｕｔ２間
のレベルが等しくないので、直流をカットする容量を挿
入するか、または増幅器５−１，５−２で調整する必要
があり、回路構成が複雑になるとともに製造コストも高
くなる。
のレベルが等しくないので、直流をカットする容量を挿
入するか、または増幅器５−１，５−２で調整する必要
があり、回路構成が複雑になるとともに製造コストも高
くなる。
【０００７】さらに、回路構成が複雑になると、部品間
を接続する配線の寄生インダクタンス、寄生容量の影響
が大きく、光受信器の周波数帯域が制限されるという問
題もあった。
を接続する配線の寄生インダクタンス、寄生容量の影響
が大きく、光受信器の周波数帯域が制限されるという問
題もあった。
【０００８】本発明は、このような問題に鑑みてなされ
たもので、その目的とするところは、簡易な回路構成に
より、周波数特性の優れた光受信器を提供することにあ
る。
たもので、その目的とするところは、簡易な回路構成に
より、周波数特性の優れた光受信器を提供することにあ
る。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明は、このような目
的を達成するために、請求項１に記載の発明は、フォト
ダイオードのアノード端子およびカソード端子の各々か
ら信号出力を得る差動出力型の光受信器において、前記
アノード端子とグラウンドとを接続する第１の抵抗と、
前記カソード端子に一方の端子が接続された第２の抵抗
と、該第２の抵抗の他方の端子とグラウンドとを接続す
る容量と、前記第２の抵抗の前記他方の端子と電源とを
接続するインダクタンスとを備え、前記他方の端子は、
前記電源から前記信号出力の振幅電圧と等しいバイアス
電圧が印加されていることを特徴とする。
的を達成するために、請求項１に記載の発明は、フォト
ダイオードのアノード端子およびカソード端子の各々か
ら信号出力を得る差動出力型の光受信器において、前記
アノード端子とグラウンドとを接続する第１の抵抗と、
前記カソード端子に一方の端子が接続された第２の抵抗
と、該第２の抵抗の他方の端子とグラウンドとを接続す
る容量と、前記第２の抵抗の前記他方の端子と電源とを
接続するインダクタンスとを備え、前記他方の端子は、
前記電源から前記信号出力の振幅電圧と等しいバイアス
電圧が印加されていることを特徴とする。
【００１０】この構成によれば、光受信器の出力端子間
のレベルが等しいので、例えば、増幅器を介することな
く、後段に接続される回路を直接駆動することができ
る。また、増幅器を用いる場合でも、回路構成が簡略化
されるので、周波数帯域を高くすることができる。
のレベルが等しいので、例えば、増幅器を介することな
く、後段に接続される回路を直接駆動することができ
る。また、増幅器を用いる場合でも、回路構成が簡略化
されるので、周波数帯域を高くすることができる。
【００１１】請求項２に記載の発明は、フォトダイオー
ドのアノード端子およびカソード端子の各々から信号出
力を得る差動出力型の光受信器において、電気伝送線路
で形成され、前記アノード端子および前記カソード端子
の各々に接続された信号ラインと、前記アノード端子に
接続された前記信号ラインとグラウンドとを接続する第
１の抵抗と、前記カソード端子に接続された前記信号ラ
インと一方の端子が接続された第２の抵抗と、該第２の
抵抗の他方の端子とグラウンドとを接続する容量と、前
記第２の抵抗の前記他方の端子と電源とを接続するイン
ダクタンスとを備え、前記他方の端子は、前記電源から
前記信号出力の振幅電圧と等しいバイアス電圧が印加さ
れていることを特徴とする。
ドのアノード端子およびカソード端子の各々から信号出
力を得る差動出力型の光受信器において、電気伝送線路
で形成され、前記アノード端子および前記カソード端子
の各々に接続された信号ラインと、前記アノード端子に
接続された前記信号ラインとグラウンドとを接続する第
１の抵抗と、前記カソード端子に接続された前記信号ラ
インと一方の端子が接続された第２の抵抗と、該第２の
抵抗の他方の端子とグラウンドとを接続する容量と、前
記第２の抵抗の前記他方の端子と電源とを接続するイン
ダクタンスとを備え、前記他方の端子は、前記電源から
前記信号出力の振幅電圧と等しいバイアス電圧が印加さ
れていることを特徴とする。
【００１２】この構成によれば、信号ラインをコプレナ
線路またはマイクロストリップ線路などの電気伝送線路
で形成することにより、配線に付随する寄生インダクタ
ンスが減少し、周波数特性の優れた光受信器を構成する
ことができる。
線路またはマイクロストリップ線路などの電気伝送線路
で形成することにより、配線に付随する寄生インダクタ
ンスが減少し、周波数特性の優れた光受信器を構成する
ことができる。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照しながら本発明
の実施形態について詳細に説明する。
の実施形態について詳細に説明する。
【００１４】図１に、本発明の一実施形態にかかる光受
信器の回路構成を示す。フォトダイオード１−１のアノ
ード端子及びカソード端子は、それぞれ出力端子Ｓ＋，
Ｓ−に接続されている。フォトダイオード１−１のアノ
ード端子は、抵抗１−２を介して、グラウンド端子に接
続され、カソード端子は、抵抗１−３とインダクタンス
１−５を介して、電源端子Ｖｃｃに接続され、フォトダ
イオード１−１に逆バイアスがかけられている。抵抗１
−３とインダクタンス１−５の接続点は、容量１−４を
介して、グラウンド端子に接続されている。抵抗１−２
と抵抗１−３の抵抗値は等しい。
信器の回路構成を示す。フォトダイオード１−１のアノ
ード端子及びカソード端子は、それぞれ出力端子Ｓ＋，
Ｓ−に接続されている。フォトダイオード１−１のアノ
ード端子は、抵抗１−２を介して、グラウンド端子に接
続され、カソード端子は、抵抗１−３とインダクタンス
１−５を介して、電源端子Ｖｃｃに接続され、フォトダ
イオード１−１に逆バイアスがかけられている。抵抗１
−３とインダクタンス１−５の接続点は、容量１−４を
介して、グラウンド端子に接続されている。抵抗１−２
と抵抗１−３の抵抗値は等しい。
【００１５】直流電源から電源端子Ｖｃｃを介して供給
されるバイアス電圧Ｖｂｉａｓは、例えば、光受信器の
後段に接続される論理回路を駆動するために、差動出力
の振幅とレベルとが適正となる様に設定される。フォト
ダイオード１−１の出力電圧（ＶＬ）は、平均電流と、
抵抗１−２，１−３および論理回路の入力抵抗とにより
決定される。差動出力のレベルが合う条件は、ＶＬ＝Ｖ
ｂｉａｓである。必要なＶＬと差動出力レベルとを得る
ためには、平均電流を調整してＶＬを変化させてＶＬ＝
Ｖｂｉａｓとなるようにすればよい。
されるバイアス電圧Ｖｂｉａｓは、例えば、光受信器の
後段に接続される論理回路を駆動するために、差動出力
の振幅とレベルとが適正となる様に設定される。フォト
ダイオード１−１の出力電圧（ＶＬ）は、平均電流と、
抵抗１−２，１−３および論理回路の入力抵抗とにより
決定される。差動出力のレベルが合う条件は、ＶＬ＝Ｖ
ｂｉａｓである。必要なＶＬと差動出力レベルとを得る
ためには、平均電流を調整してＶＬを変化させてＶＬ＝
Ｖｂｉａｓとなるようにすればよい。
【００１６】このような構成により、光信号をフォトダ
イオード１−１に入力すると、光信号の強度に応じて逆
バイアス電流が変化する。抵抗１−２，１−３の両端に
は電圧降下が発生し、出力端子Ｓ＋には＋ＶＬボルト、
出力端子Ｓ−にはＶｂｉａｓ−ＶＬ＝０ボルトが出力さ
れる。光信号を入力しない場合には、出力端子Ｓ＋には
０ボルト、出力端子Ｓ−には＋ＶＬボルトが出力され
る。図２に、本発明の一実施形態にかかる光受信器の出
力端子の出力波形を示す。図２（ａ）は、光信号の入力
波形であり、図２（ｂ）は、出力端子Ｓ＋の出力波形で
あり、図２（ｃ）は、出力端子Ｓ−の出力波形である。
イオード１−１に入力すると、光信号の強度に応じて逆
バイアス電流が変化する。抵抗１−２，１−３の両端に
は電圧降下が発生し、出力端子Ｓ＋には＋ＶＬボルト、
出力端子Ｓ−にはＶｂｉａｓ−ＶＬ＝０ボルトが出力さ
れる。光信号を入力しない場合には、出力端子Ｓ＋には
０ボルト、出力端子Ｓ−には＋ＶＬボルトが出力され
る。図２に、本発明の一実施形態にかかる光受信器の出
力端子の出力波形を示す。図２（ａ）は、光信号の入力
波形であり、図２（ｂ）は、出力端子Ｓ＋の出力波形で
あり、図２（ｃ）は、出力端子Ｓ−の出力波形である。
【００１７】図３に、フォトダイオードの出力Ｉ−Ｖ特
性を示す。フォトダイオードがオフ状態の場合は、＋Ｖ
Ｌボルトのバイアス電圧に対して、抵抗の電圧降下がな
いため、フォトダイオードの動作点は、−ＶＬボルトの
逆バイアスとなる。一方、フォトダイオードがオン状態
の場合は、＋ＶＬボルトのバイアス電圧に対して、２つ
の抵抗の電圧降下が２ＶＬボルトになるため、フォトダ
イオードの動作点は、＋ＶＬボルトの順バイアスとな
る。
性を示す。フォトダイオードがオフ状態の場合は、＋Ｖ
Ｌボルトのバイアス電圧に対して、抵抗の電圧降下がな
いため、フォトダイオードの動作点は、−ＶＬボルトの
逆バイアスとなる。一方、フォトダイオードがオン状態
の場合は、＋ＶＬボルトのバイアス電圧に対して、２つ
の抵抗の電圧降下が２ＶＬボルトになるため、フォトダ
イオードの動作点は、＋ＶＬボルトの順バイアスとな
る。
【００１８】このようにして、０ボルトを中心として、
逆バイアス状態と順バイアス状態とが、交互に繰り返さ
れる。すなわち、逆バイアス状態のみで、フォトダイオ
ードを動作させる場合と異なり、順バイアス状態でも高
速動作が要求される。従って、フォトダイオードは、必
要な帯域に応じて選択する必要がある。例えば、低速動
作では、ｐｉｎ型フォトダイオードが適用可能であり、
高速動作では、単一走行キャリアフォトダイオードを適
用することができる。
逆バイアス状態と順バイアス状態とが、交互に繰り返さ
れる。すなわち、逆バイアス状態のみで、フォトダイオ
ードを動作させる場合と異なり、順バイアス状態でも高
速動作が要求される。従って、フォトダイオードは、必
要な帯域に応じて選択する必要がある。例えば、低速動
作では、ｐｉｎ型フォトダイオードが適用可能であり、
高速動作では、単一走行キャリアフォトダイオードを適
用することができる。
【００１９】図４は、本発明の第１の実施形態にかかる
光受信器の実装配置を示す。フォトダイオード１−１の
アノード端子は、信号ライン２−２を介して、出力端子
Ｓ＋に接続され、カソード端子は、信号ライン２−３を
介して、出力端子Ｓ−に接続されている。信号ライン２
−２，２−３の両側には、グランド層２−４，２−５が
配置され、コプレナ線路を形成している。
光受信器の実装配置を示す。フォトダイオード１−１の
アノード端子は、信号ライン２−２を介して、出力端子
Ｓ＋に接続され、カソード端子は、信号ライン２−３を
介して、出力端子Ｓ−に接続されている。信号ライン２
−２，２−３の両側には、グランド層２−４，２−５が
配置され、コプレナ線路を形成している。
【００２０】抵抗１−２は、フォトダイオード１−１の
アノード端子とグランド層２−５に接続されている。抵
抗１−３は、フォトダイオード１−１のカソード端子と
スルーホールを介して電極２−１に接続されている。電
極２−１は、インダクタンス１−５を介して、電源端子
Ｖｃｃに接続され、フォトダイオード１−１に逆バイア
スがかけられている。電極２−１とグランド層２−５と
の間に容量１−４が形成され、抵抗１−３とインダクタ
ンス１−５の接続点は、容量１−４を介して、グランド
層２−５に接続されている。
アノード端子とグランド層２−５に接続されている。抵
抗１−３は、フォトダイオード１−１のカソード端子と
スルーホールを介して電極２−１に接続されている。電
極２−１は、インダクタンス１−５を介して、電源端子
Ｖｃｃに接続され、フォトダイオード１−１に逆バイア
スがかけられている。電極２−１とグランド層２−５と
の間に容量１−４が形成され、抵抗１−３とインダクタ
ンス１−５の接続点は、容量１−４を介して、グランド
層２−５に接続されている。
【００２１】信号ライン２−２，２−３をコプレナ線路
で形成することにより、寄生インダクタンスの影響を排
除でき、超高速光受信器を実現することができる。ま
た、コプレナのグランド層２−４，２−５には、十分に
大きな容量が寄生インダクタンスの影響なく形成できる
ので、優れた接地条件を得ることができる。このように
して、簡易な回路構成により、周波数特性の優れた光受
信器を構成することができる。
で形成することにより、寄生インダクタンスの影響を排
除でき、超高速光受信器を実現することができる。ま
た、コプレナのグランド層２−４，２−５には、十分に
大きな容量が寄生インダクタンスの影響なく形成できる
ので、優れた接地条件を得ることができる。このように
して、簡易な回路構成により、周波数特性の優れた光受
信器を構成することができる。
【００２２】図５は、本発明の第２の実施形態にかかる
光受信器の実装配置を示す。フォトダイオード１−１の
アノード端子は、信号ライン２−２を介して、出力端子
Ｓ＋に接続され、カソード端子は、信号ライン２−３を
介して、出力端子Ｓ−に接続されている。光受信器を構
成する誘電体基板の裏面には、グランド層２−４が配置
され、マイクロストリップ線路を形成している。
光受信器の実装配置を示す。フォトダイオード１−１の
アノード端子は、信号ライン２−２を介して、出力端子
Ｓ＋に接続され、カソード端子は、信号ライン２−３を
介して、出力端子Ｓ−に接続されている。光受信器を構
成する誘電体基板の裏面には、グランド層２−４が配置
され、マイクロストリップ線路を形成している。
【００２３】抵抗１−２は、フォトダイオード１−１の
アノード端子とスルーホールを介してグランド層２−４
とに接続されている。抵抗１−３は、フォトダイオード
１−１のカソード端子と電極２−１に接続されている。
抵抗１−２，１−３は、グランド層の一部を除去した部
分に形成されている。電極２−１は、インダクタンス１
−５を介して、電源端子Ｖｃｃに接続され、フォトダイ
オード１−１に逆バイアスがかけられている。電極２−
１とグランド層２−４との間に容量１−４が形成され、
抵抗１−３とインダクタンス１−５の接続点は、容量１
−４を介して、グランド層２−４に接続されている。
アノード端子とスルーホールを介してグランド層２−４
とに接続されている。抵抗１−３は、フォトダイオード
１−１のカソード端子と電極２−１に接続されている。
抵抗１−２，１−３は、グランド層の一部を除去した部
分に形成されている。電極２−１は、インダクタンス１
−５を介して、電源端子Ｖｃｃに接続され、フォトダイ
オード１−１に逆バイアスがかけられている。電極２−
１とグランド層２−４との間に容量１−４が形成され、
抵抗１−３とインダクタンス１−５の接続点は、容量１
−４を介して、グランド層２−４に接続されている。
【００２４】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
アノード端子とグラウンドとを接続する第１の抵抗と、
カソード端子に一方の端子が接続された第２の抵抗と、
第２の抵抗の他方の端子とグラウンドとを接続する容量
と、第２の抵抗の他方の端子と電源とを接続するインダ
クタンスとを備え、他方の端子は、電源から信号出力の
振幅電圧と等しいバイアス電圧が印加されているので、
光受信器の出力端子間のレベルが等しいので、例えば、
増幅器を介することなく、後段に接続される回路を直接
駆動することができる。
アノード端子とグラウンドとを接続する第１の抵抗と、
カソード端子に一方の端子が接続された第２の抵抗と、
第２の抵抗の他方の端子とグラウンドとを接続する容量
と、第２の抵抗の他方の端子と電源とを接続するインダ
クタンスとを備え、他方の端子は、電源から信号出力の
振幅電圧と等しいバイアス電圧が印加されているので、
光受信器の出力端子間のレベルが等しいので、例えば、
増幅器を介することなく、後段に接続される回路を直接
駆動することができる。
【００２５】また、本発明によれば、論理振幅電圧が出
力端子に直接出力されるので増幅器が不要となり、簡易
な回路構成により、優れた周波数特性を得ることが可能
となる。
力端子に直接出力されるので増幅器が不要となり、簡易
な回路構成により、優れた周波数特性を得ることが可能
となる。
【図１】本発明の一実施形態にかかる光受信器を示した
回路構成図である。
回路構成図である。
【図２】本発明の一実施形態にかかる光受信器の出力端
子の出力波形を示した図である。
子の出力波形を示した図である。
【図３】フォトダイオードの出力Ｉ−Ｖ特性を示した図
である。
である。
【図４】本発明の第１の実施形態にかかる光受信器を示
した実装配置図である。
した実装配置図である。
【図５】本発明の第２の実施形態にかかる光受信器を示
した実装配置図である。
した実装配置図である。
【図６】従来の差動出力型光受信器を示した回路構成図
である。
である。
１−１，４−１ フォトダイオード
１−２，１−３，４−２，４−３ 抵抗
１−４ 容量
１−５ インダクタンス
２−１ 電極
２−２，２−３ 信号ライン
２−４，２−５ グラウンド層
５−１，５−２ 増幅器
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考）
Ｈ０４Ｂ 10/28
Claims (2)
- 【請求項１】 フォトダイオードのアノード端子および
カソード端子の各々から信号出力を得る差動出力型の光
受信器において、 前記アノード端子とグラウンドとを接続する第１の抵抗
と、 前記カソード端子に一方の端子が接続された第２の抵抗
と、 該第２の抵抗の他方の端子とグラウンドとを接続する容
量と、 前記第２の抵抗の前記他方の端子と電源とを接続するイ
ンダクタンスとを備え、 前記他方の端子は、前記電源から前記信号出力の振幅電
圧と等しいバイアス電圧が印加されていることを特徴と
する光受信器。 - 【請求項２】 フォトダイオードのアノード端子および
カソード端子の各々から信号出力を得る差動出力型の光
受信器において、 電気伝送線路で形成され、前記アノード端子および前記
カソード端子の各々に接続された信号ラインと、 前記アノード端子に接続された前記信号ラインとグラウ
ンドとを接続する第１の抵抗と、 前記カソード端子に接続された前記信号ラインと一方の
端子が接続された第２の抵抗と、 該第２の抵抗の他方の端子とグラウンドとを接続する容
量と、 前記第２の抵抗の前記他方の端子と電源とを接続するイ
ンダクタンスとを備え、 前記他方の端子は、前記電源から前記信号出力の振幅電
圧と等しいバイアス電圧が印加されていることを特徴と
する光受信器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002043762A JP2003244074A (ja) | 2002-02-20 | 2002-02-20 | 光受信器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002043762A JP2003244074A (ja) | 2002-02-20 | 2002-02-20 | 光受信器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003244074A true JP2003244074A (ja) | 2003-08-29 |
Family
ID=27783423
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002043762A Pending JP2003244074A (ja) | 2002-02-20 | 2002-02-20 | 光受信器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003244074A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014157946A (ja) * | 2013-02-15 | 2014-08-28 | Sumitomo Electric Device Innovations Inc | 光デバイス |
| JP2022528731A (ja) * | 2019-04-17 | 2022-06-15 | アクトライト エス．エー． | フォトディテクタ |
| US11837669B2 (en) | 2013-03-15 | 2023-12-05 | ActLight SA | Photo detector systems and methods of operating same |
-
2002
- 2002-02-20 JP JP2002043762A patent/JP2003244074A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014157946A (ja) * | 2013-02-15 | 2014-08-28 | Sumitomo Electric Device Innovations Inc | 光デバイス |
| US11837669B2 (en) | 2013-03-15 | 2023-12-05 | ActLight SA | Photo detector systems and methods of operating same |
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