JP2003243350A - Brush cleaning method for scrub cleaning device and processing system - Google Patents

Brush cleaning method for scrub cleaning device and processing system

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JP2003243350A
JP2003243350A JP2002037479A JP2002037479A JP2003243350A JP 2003243350 A JP2003243350 A JP 2003243350A JP 2002037479 A JP2002037479 A JP 2002037479A JP 2002037479 A JP2002037479 A JP 2002037479A JP 2003243350 A JP2003243350 A JP 2003243350A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
cleaning
brush
unit
substrate
scrub
Prior art date
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Pending
Application number
JP2002037479A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Shinichiro Araki
真一郎 荒木
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To enable a scrubbing brush to be easily and efficiently cleaned at a low cost without making a scrub cleaning device or a unit complicated or large in scale. <P>SOLUTION: When the brush is cleaned in each scrub cleaning unit (SCR) 40, a cleaning cup 92 is made empty (no wafer is kept), a main wafer transfer mechanism (PRA) 30 unloads a cleaning disk from one of disk storage units (CLN) and loads it into the scrub cleaning unit (SCR) 40. In the scrub cleaning unit 40, the brush is rubbed against the cleaning disk by the use of a wafer cleaning tool to remove foreign materials from it. <P>COPYRIGHT: (C)2003,JPO

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウエハやL
CD基板等の被処理基板をブラシを用いて洗浄するスク
ラブ洗浄装置および処理システムに係り、特にブラシを
クリーニングする技術に関する。
TECHNICAL FIELD The present invention relates to a semiconductor wafer and L
The present invention relates to a scrub cleaning device and a processing system for cleaning a substrate to be processed such as a CD substrate with a brush, and particularly to a technique for cleaning the brush.

【0002】[0002]

【従来の技術】スクラブ洗浄装置は、スクラビング用の
ブラシを被処理基板に押し当てながら基板上で移動(走
査)させて、基板に付着している異物(塵埃、破片、汚
染物等)をこすり取るようにして除去する。一般に、ブ
ラッシングの最中はブラシと基板との間に洗浄水を供給
し、ブランシング終了後は高速ジェットの洗浄水や超音
波重畳の洗浄水を用いたブロー洗浄により基板上から異
物を洗い流すようにしている。
2. Description of the Related Art A scrubbing cleaning device moves (scans) a scrubbing brush against a substrate to be processed while rubbing foreign matter (dust, debris, contaminants, etc.) adhering to the substrate. Remove by removing. Generally, wash water is supplied between the brush and the substrate during brushing, and after the blanking is completed, the foreign matter is washed off from the substrate by blow washing using high-speed jet cleaning water or ultrasonic superposed cleaning water. I have to.

【0003】従来より、スクラブ洗浄装置では、被処理
基板からこすり取られた異物の一部がブラシに付着して
残留ないし蓄積し、ブラシから被処理基板に異物が逆転
移または再付着することによって基板洗浄処理の品質が
低下するという問題があり、この問題に対処するために
様々な解決策が提案されている。もっとも、これまでに
提案されている解決策は、スクラブ洗浄装置内で被処理
基板から隔離した所定位置にブラシクリーニング用の治
具または機構たとえばクリーニングブラシを配設し、該
クリーニングブラシをスクラビングブラシにこすり合わ
せることによってスクラビングブラシから異物を除去す
る方式に集約される。
Conventionally, in the scrubbing cleaning apparatus, a part of the foreign matter scraped off from the substrate to be processed adheres to the brush and remains or accumulates, and the foreign substance is reversely transferred or redeposited from the brush to the substrate to be processed. There is a problem that the quality of the substrate cleaning process is deteriorated, and various solutions have been proposed to address this problem. However, the solutions proposed so far are to arrange a jig or mechanism for brush cleaning, for example, a cleaning brush, at a predetermined position separated from the substrate to be processed in the scrub cleaning device, and use the cleaning brush as a scrubbing brush. It is concentrated on the method of removing foreign matters from the scrubbing brush by rubbing.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】上記のようにスクラブ
洗浄装置内にブラシクリーニング用の特別の治具または
機構を配備する方式は、治具または機構だけでなく関連
する各種用力をも装置内に引き込むことになり、装置構
成が複雑・煩雑化し、装置サイズまたは占有スペースが
大きくなるという不都合がある。特に、ユニットタイプ
のスクラブ洗浄装置を多数併設する処理システムでは、
各ユニット毎にブラシクリーニング用の治具または機構
が配備されるため、上記のような煩雑性やスペース性の
不利点がユニットの台数分増倍して顕著な問題となる。
As described above, the method of arranging the special jig or mechanism for brush cleaning in the scrubbing cleaning device is not limited to the jig or the mechanism, and various related powers are also provided in the device. As a result, the device configuration becomes complicated and complicated, and the device size or occupied space becomes large. Especially in a processing system with many unit type scrubbing equipment
Since a jig or mechanism for brush cleaning is provided for each unit, the disadvantages of the complexity and space as described above are multiplied by the number of units and become a significant problem.

【0005】本発明は、かかる従来技術の問題点を解決
するものであり、スクラブ洗浄装置またはユニットの煩
雑化や大規模化を伴なうことなくスクラビング用のブラ
シを低コストで簡単かつ効率的にクリーニングできるよ
うにしたブラシクリーニング方法および処理システムを
提供することを目的とする。
The present invention solves the above-mentioned problems of the prior art. A scrubbing brush can be easily and efficiently manufactured at low cost without making the scrubbing cleaning device or unit complicated and large-scaled. It is an object of the present invention to provide a brush cleaning method and a processing system capable of being cleaned.

【0006】[0006]

【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明のブラシクリーニング方法は、被処理基板
を所定の処理位置で保持しながら、前記被処理基板をブ
ラシでこすって洗浄するスクラブ洗浄装置において前記
ブラシをクリーニングする方法であって、前記被処理基
板に代えて所定のクリーニング板を前記処理位置で保持
しつつ、前記クリーニング板に前記ブラシをこすりつけ
て前記ブラシから異物を除去する方法とした。
In order to achieve the above object, the brush cleaning method of the present invention cleans a substrate to be processed by rubbing it with a brush while holding the substrate at a predetermined processing position. A method of cleaning the brush in a scrubbing cleaning device, wherein a predetermined cleaning plate, instead of the substrate to be processed, is held at the processing position, and the brush is rubbed on the cleaning plate to remove foreign matter from the brush. It was a method.

【0007】本発明のブラシクリーニング方法において
は、基板洗浄処理用のツールをそのまま利用してブラシ
から異物を除去できるので、スクラブ洗浄装置内にブラ
シクリーニングのための特別な治具や機構を設ける必要
はない。
In the brush cleaning method of the present invention, since a foreign material can be removed from the brush by using the substrate cleaning processing tool as it is, it is necessary to provide a special jig or mechanism for brush cleaning in the scrub cleaning device. There is no.

【0008】本発明のブラシクリーニング方法において
は、クリーニング効果を高めるために、ブラシをクリー
ニングする際にブラシとクリーニング板とがこすり合う
部分に洗浄液を供給するのが好ましい。また、ブラシク
リーニングの後は、クリーニング板の汚れを落とすため
に、処理位置のクリーニング板に洗浄液を吹き付けてク
リーニング板を洗浄するのが好ましい。また、ブラシク
リーニングに先立って処理位置のクリーニング板に高圧
の洗浄液を吹き付けてクリーニング板を帯電させるのも
有効である。つまり、クリーニング板の帯電により静電
気を作用させてブラシからクリーニング板への異物の転
移を促進することができる。
In the brush cleaning method of the present invention, in order to enhance the cleaning effect, it is preferable to supply the cleaning liquid to the portion where the brush and the cleaning plate rub when cleaning the brush. Further, after the brush cleaning, it is preferable to wash the cleaning plate by spraying a cleaning liquid on the cleaning plate at the processing position in order to remove dirt from the cleaning plate. It is also effective to spray a high-pressure cleaning liquid on the cleaning plate at the processing position to charge the cleaning plate prior to brush cleaning. That is, it is possible to accelerate the transfer of foreign matter from the brush to the cleaning plate by applying static electricity by charging the cleaning plate.

【0009】また、本発明におけるクリーニング板の好
適な一形態として、クリーニング効果を高めるために、
クリーニング板の主面を多数の小突起を有するやすり面
に形成するのが好ましい。特に、クリーニング板の主面
に比較的細かい目の第1のやすり部と比較的粗い目の第
2のやすり部とを設けるのが好ましい。この場合、好ま
しい一態様として、クリーニング板上で第1のやすり部
を中心側に第2のやすり部を周縁側にそれぞれ設け、ブ
ラシのクリーニングを行う際にクリーニング板を処理位
置でスピン回転させるようにしてよい。あるいは、別の
好ましい一態様として、クリーニング板上で第2のやす
り部を中心側に第1のやすり部を周縁側にそれぞれ設
け、第2のやすり部と第1のやすり部との間に第2のや
すり部から流出する液を外へ導くための排液部を設け、
ブラシのクリーニングを行う際にクリーニング基板を処
理位置でスピン回転させるようにしてもよい。
Further, as one preferable mode of the cleaning plate in the present invention, in order to enhance the cleaning effect,
It is preferable to form the main surface of the cleaning plate as a file surface having a large number of small protrusions. In particular, it is preferable to provide the first file portion having relatively fine mesh and the second file portion having relatively coarse mesh on the main surface of the cleaning plate. In this case, as a preferred mode, the first file portion is provided on the cleaning plate at the center side and the second file portion is provided on the peripheral side so that the cleaning plate is spun at the processing position when cleaning the brush. You can Alternatively, as another preferable mode, the second file portion is provided on the cleaning plate in the center side and the first file portion is provided on the peripheral side, and the second file portion is provided between the second file portion and the first file portion. A drainage part is provided to guide the liquid flowing out from the file 2 to the outside.
The cleaning substrate may be spun at the processing position when cleaning the brush.

【0010】また、上記のようにクリーニング板の主面
に比較的細かい目の第1のやすり部と比較的粗い目の第
2のやすり部とを設ける場合は、ブラシクリーニングを
2段階に分け、第1工程ではブラシを第2のやすり部に
こすりつけて粗いクリーニングとし、第2工程ではブラ
シを第1のやすり部にこすりつけて仕上げのクリーニン
グとしてよい。
Further, when the first sanding portion of the relatively fine mesh and the second sanding portion of the relatively coarse mesh are provided on the main surface of the cleaning plate as described above, the brush cleaning is divided into two stages. In the first step, the brush may be rubbed on the second sanding portion for rough cleaning, and in the second step, the brush may be rubbed on the first sanding portion for final cleaning.

【0011】また、本発明のブラシクリーニング方法に
おいては、やすり面にブラシをこすりつけてブラシから
異物を取り除く形態だけでなく、やすり面でブラシ先端
を異物と共に削り取る形態を含む。
Further, the brush cleaning method of the present invention includes not only a mode of rubbing the brush on the file surface to remove foreign matter from the brush, but also a mode of scraping the brush tip together with the foreign matter on the file surface.

【0012】本発明において、クリーニング板は、被処
理基板と実質的に等価な可搬性および被保持性を有する
ものでよく、好ましくは被処理基板とほぼ同形でほぼ同
じサイズを有するものであってよい。
In the present invention, the cleaning plate may have portability and holdability substantially equivalent to the substrate to be processed, and preferably has substantially the same shape and size as the substrate to be processed. Good.

【0013】本発明の処理システムは、被処理基板を搬
入/搬出する搬入出部と、前記被処理基板を所定の処理
位置でスクラブ洗浄するためのブラシを備えるスクラブ
洗浄ユニットと、前記ブラシをクリーニングするための
クリーニング板を保管する保管ユニットと、前記搬入出
部と前記スクラブ洗浄ユニットとの間で前記被処理基板
を搬送し、前記保管ユニットと前記スクラブ洗浄ユニッ
トとの間で前記クリーニング板を搬送する搬送手段とを
有し、前記ブラシをクリーニングするために、前記搬送
手段により前記クリーニング板を前記保管ユニットから
搬出して前記スクラブ洗浄ユニットへ搬入し、前記スク
ラブ洗浄ユニット内で前記被処理基板に代えて前記クリ
ーニング板を前記処理位置で保持しつつ、前記クリーニ
ング板に前記ブラシをこすりつけて前記ブラシから異物
を除去する構成とした。
The processing system of the present invention includes a loading / unloading section for loading / unloading a substrate to be processed, a scrub cleaning unit having a brush for scrub cleaning the substrate to be processed at a predetermined processing position, and cleaning the brush. A storage unit for storing a cleaning plate for cleaning, the substrate to be processed is transported between the loading / unloading unit and the scrub cleaning unit, and the cleaning plate is transported between the storage unit and the scrub cleaning unit. In order to clean the brush, the cleaning plate is unloaded from the storage unit and loaded into the scrub cleaning unit to clean the brush, and the cleaning plate is placed on the substrate to be processed in the scrub cleaning unit. Instead, while holding the cleaning plate in the processing position, the cleaning plate is And configured to remove foreign matter from the brush rubbed.

【0014】本発明の処理システムでは、被処理基板に
代えてクリーニング板をスクラブ洗浄ユニットに搬入
し、スクラブ洗浄ユニット内に備わっている基板洗浄処
理のツールをそのまま利用してブラシから異物を除去で
きる。したがって、ユニット内にブラシクリーニングの
ための特別な治具や機構を設ける必要はない。
In the processing system of the present invention, the cleaning plate is carried into the scrub cleaning unit instead of the substrate to be processed, and the foreign material can be removed from the brush by directly using the substrate cleaning processing tool provided in the scrub cleaning unit. . Therefore, it is not necessary to provide a special jig or mechanism for brush cleaning in the unit.

【0015】本発明の処理システムにおいて、クリーニ
ング板をより清浄な状態に維持するためには、保管ユニ
ットにクリーニング板を洗浄液を用いて洗浄するための
洗浄機構を備える構成が好ましい。この場合、クリーニ
ング板の洗浄の要否または時機を判断するために、保管
ユニットに、クリーニング板の汚れ具合を検出するため
の基板汚れ検出手段を備える構成が好ましい。
In the processing system of the present invention, in order to keep the cleaning plate in a cleaner state, it is preferable that the storage unit is provided with a cleaning mechanism for cleaning the cleaning plate with a cleaning liquid. In this case, in order to determine whether cleaning of the cleaning plate is necessary or not, it is preferable that the storage unit be provided with a substrate contamination detection unit for detecting the degree of contamination of the cleaning plate.

【0016】また、本発明の処理システムにおける好適
な一形態として、スクラブ洗浄ユニットが、被処理基板
またはクリーニング板を処理位置で保持するための保持
手段と、保持手段に保持される被処理基板またはクリー
ニング板に洗浄液を供給する洗浄液供給手段と、ブラシ
を支持する可動性のブラシ支持手段と、ブラシ支持手段
を駆動する駆動手段と、ブラシを処理位置以外の所定の
場所で待機させておくためのブラシ待機部とを有する構
成としてよい。また、被処理基板またはクリーニング板
を処理位置で可変の回転速度でスピン回転させる回転駆
動手段を有する構成も好ましい。
In a preferred embodiment of the processing system of the present invention, the scrub cleaning unit holds the substrate to be processed or the cleaning plate at the processing position, and the substrate to be processed held by the holding means. Cleaning liquid supplying means for supplying the cleaning liquid to the cleaning plate, movable brush supporting means for supporting the brush, driving means for driving the brush supporting means, and for making the brush stand by at a predetermined place other than the processing position. It may be configured to have a brush standby portion. Further, it is also preferable that the substrate or the cleaning plate has a rotation driving unit that spin-rotates the substrate at the processing position at a variable rotation speed.

【0017】また、ブラシクリーニングの要否または時
機を判断するために、スクラブ洗浄ユニットに、ブラシ
待機部で待機中のブラシの汚れ具合を検出するブラシ汚
れ検出手段を設ける構成も好ましい。
Further, in order to determine whether or not the brush cleaning is necessary or not, it is preferable that the scrubbing cleaning unit is provided with a brush dirt detecting means for detecting the dirt condition of the brush waiting in the brush waiting section.

【0018】[0018]

【発明の実施の形態】以下、添付図を参照して本発明の
好適な実施形態を説明する。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Preferred embodiments of the present invention will be described below with reference to the accompanying drawings.

【0019】図1〜図3に本発明の一実施形態における
洗浄処理システムの構成を概略的に示す。図1〜図3は
それぞれシステムの略平面図、略正面図および略縦断面
図である。
1 to 3 schematically show the configuration of a cleaning processing system according to an embodiment of the present invention. 1 to 3 are a schematic plan view, a schematic front view and a schematic vertical sectional view of the system, respectively.

【0020】図1および図2に示すように、この洗浄処
理システム10は、被処理基板として半導体ウエハ(以
下、「ウエハ」と称する。)Wをシステムに搬入したり
システムから搬出するための搬入出部12と、ウエハW
に洗浄処理を施す洗浄処理部14とを有しており、搬入
から洗浄、乾燥および搬出までの一連の工程をインライ
ンで行うように構成されている。
As shown in FIGS. 1 and 2, this cleaning processing system 10 carries in a semiconductor wafer (hereinafter referred to as “wafer”) W as a substrate to be processed into and out of the system. Outgoing part 12 and wafer W
And a cleaning processing unit 14 for performing a cleaning process, and is configured to perform a series of steps from loading to cleaning, drying, and unloading inline.

【0021】搬入出部12は、複数枚(たとえば26
枚)のウエハWを多段に収容するカセットCを所定数た
とえば3個まで横(Y方向)一列に載置可能なカセット
ステージ16を設けたイン・アウトポート18と、ステ
ージ16上のカセットCと洗浄処理部14との間でウエ
ハWの搬送を行うウエハ搬送機構20を設けたウエハ搬
送部22とを有している。
A plurality of loading / unloading sections 12 (for example, 26
An in-out port 18 provided with a cassette stage 16 capable of mounting a predetermined number of, for example, three cassettes C each containing a plurality of wafers W in a row (Y direction), and a cassette C on the stage 16. The wafer transfer unit 22 is provided with a wafer transfer mechanism 20 that transfers the wafer W to and from the cleaning processing unit 14.

【0022】イン・アウトポート18とウエハ搬送部2
2との境界には垂直の隔壁24が設けられ、この隔壁2
4のステージ16上の各カセットCと対向する位置に窓
部26が形成され、各窓部26にシャッタ28が取り付
けられている。シャッタ28が開いた状態で、ウエハ搬
送機構20がステージ16上の各カセットCにアクセス
してウエハWの出し入れを行うようになっている。
In / out port 18 and wafer transfer section 2
A vertical partition wall 24 is provided at the boundary with the partition wall 2.
A window 26 is formed at a position facing each cassette C on the stage 16 of No. 4, and a shutter 28 is attached to each window 26. With the shutter 28 open, the wafer transfer mechanism 20 accesses each cassette C on the stage 16 to load / unload the wafer W.

【0023】ウエハ搬送部22において、ウエハ搬送機
構20は、ウエハWを保持できる手段たとえば搬送アー
ム20aを有し、X,Y,Z,θ(回転方向)の4軸で
移動ないし動作可能であり、イン・アウトポート18側
のカセットCだけでなく、洗浄処理部14側の後述する
ウエハ受け渡しユニット(TRS)42(図3)にもア
クセス可能となっている。
In the wafer transfer section 22, the wafer transfer mechanism 20 has a means for holding the wafer W, for example, a transfer arm 20a, and can move or operate on four axes of X, Y, Z and θ (rotational direction). In addition to the cassette C on the side of the in / out port 18, the wafer transfer unit (TRS) 42 (FIG. 3), which will be described later, on the side of the cleaning processing unit 14 can be accessed.

【0024】洗浄処理部14は、図1に示すように、中
心部に垂直搬送型の主ウエハ搬送機構(PRA)30を
配置し、この主ウエハ搬送機構(PRA)30の周りに
スクラブ洗浄ユニット群32、受け渡し/反転ユニット
群34、加熱/冷却ユニット群36および制御/ユーテ
ィリティ・ユニット群38を配置している。
As shown in FIG. 1, the cleaning processing unit 14 has a vertical transfer type main wafer transfer mechanism (PRA) 30 arranged in the center thereof, and a scrub cleaning unit around the main wafer transfer mechanism (PRA) 30. A group 32, a transfer / reversal unit group 34, a heating / cooling unit group 36 and a control / utility unit group 38 are arranged.

【0025】スクラブ洗浄ユニット群32は、図1およ
び図2に示すように、システム正面側に複数台たとえば
上下2段で各段に2台ずつ配設された枚葉式のスクラブ
洗浄ユニット(SCR)40A,40B,40C,40
Dを含んでいる。各スクラブ洗浄ユニット(SCR)4
0の構成と作用は後に詳述する。
As shown in FIGS. 1 and 2, the scrub cleaning unit group 32 is a single-wafer scrub cleaning unit (SCR) in which a plurality of scrub cleaning units 32 are arranged on the front side of the system, for example, two units are arranged in two stages in the upper and lower stages. ) 40A, 40B, 40C, 40
Contains D. Each scrub cleaning unit (SCR) 4
The structure and operation of 0 will be described in detail later.

【0026】受け渡し/反転ユニット群34は、図1お
よび図3に示すように、主ウエハ搬送機構(PRA)3
0と搬入出部12側のウエハ搬送部22との間で多段に
重ねて配置された1台または複数台(図示の例は2台)
の受け渡しユニット(TRS)42と1台または複数台
(図示の例は2台)の反転ユニット(RVS)44とを
含んでいる。各受け渡しユニット(TRS)42は、主
ウエハ搬送機構(PRA)30と搬入出部12側のウエ
ハ搬送機構20との間でウエハWの受け渡しが行われる
際にバッファとして該ウエハWを一時的に載置する載置
台を備えている。各反転ユニット(RVS)44は、ウ
エハWをおもて面(デバイス作成面)と裏面とが互いに
入れ替わるように180゜反転させるウエハ反転機構を
備えている。
As shown in FIGS. 1 and 3, the transfer / reversal unit group 34 includes a main wafer transfer mechanism (PRA) 3.
0 and the wafer transfer unit 22 on the side of the loading / unloading unit 12 and one or a plurality of units stacked in multiple stages (two units in the illustrated example).
The transfer unit (TRS) 42 and one or a plurality (two in the illustrated example) of the reversing unit (RVS) 44 are included. Each transfer unit (TRS) 42 temporarily serves as a buffer when the wafer W is transferred between the main wafer transfer mechanism (PRA) 30 and the wafer transfer mechanism 20 on the loading / unloading section 12 side. It has a mounting table for mounting. Each reversing unit (RVS) 44 includes a wafer reversing mechanism for reversing the wafer W by 180 ° so that the front surface (device preparation surface) and the back surface are interchanged.

【0027】加熱/冷却ユニット群36は、図1および
図3に示すように、主ウエハ搬送機構(PRA)30に
対して受け渡し/反転ユニット群34の反対側に多段に
重ねて配置された1台または複数台(図示の例は3台)
の加熱ユニット(HP)46と1台または複数台(図示
の例は1台)の冷却ユニット(COL)48とを含んで
いる。各加熱ユニット(HP)46および各冷却ユニッ
ト(COL)48は、ウエハWを載せて所定の温度で加
熱または冷却するための熱板を備えている。
As shown in FIGS. 1 and 3, the heating / cooling unit group 36 is arranged on the opposite side of the transfer / reversing unit group 34 with respect to the main wafer transfer mechanism (PRA) 30 in a multi-tiered arrangement. Or multiple units (3 units in the illustrated example)
Heating unit (HP) 46 and one or a plurality of cooling units (COL) 48 (one in the illustrated example). Each heating unit (HP) 46 and each cooling unit (COL) 48 includes a hot plate on which the wafer W is placed and heated or cooled at a predetermined temperature.

【0028】この実施形態では、図3に示すように、受
け渡し/反転ユニット群34および/または加熱/冷却
ユニット群36と同じ垂直方向の並びに、図示の例では
下段側に、クリーニング・ディスクFを保管するための
1台または複数台(図示の例は3台)のディスク保管ユ
ニット(CLN)50を設けている。クリーニング・デ
ィスクFおよびディスク保管ユニット(CLN)50の
構成および作用は後に詳述する。なお、以下の説明の中
で「基板」とはウエハWまたはクリーニング・ディスク
Fの意味である。
In this embodiment, as shown in FIG. 3, the cleaning disk F is arranged in the same vertical direction as the transfer / inversion unit group 34 and / or the heating / cooling unit group 36, and in the lower side in the illustrated example. One or a plurality (three in the illustrated example) of disk storage units (CLN) 50 for storage are provided. The structure and operation of the cleaning disk F and the disk storage unit (CLN) 50 will be described in detail later. In the following description, the “substrate” means the wafer W or the cleaning disk F.

【0029】制御/ユーティリティ・ユニット群38
は、図1に示すように、システムの後背部に横(X方
向)一列に配置された機械制御ユニット(MB)52、
電装ユニット(EB)54、および薬液貯蔵ユニット
(CTB)56を含んでいる。機械制御ユニット(M
B)52および電装ユニット(EB)54は、システム
全体の動作を制御するための各種制御基板、計器類、コ
ントロールパネル等を備えている。薬液貯蔵ユニット
(CTB)56は、各スクラブ洗浄ユニット(SCR)
40で使用に供される洗浄液を貯留する容器やポンプ等
の流体機器を備えている。なお、制御/ユーティリティ
・ユニット群38を他の場所に設置することで、後背部
側からもシステム内のメンテナンスを行えるようになっ
ている。
Control / utility unit group 38
1, is a machine control unit (MB) 52 arranged in a row in the back (X direction) on the back of the system, as shown in FIG.
It includes an electrical component unit (EB) 54 and a chemical liquid storage unit (CTB) 56. Machine control unit (M
The B) 52 and the electrical equipment unit (EB) 54 are equipped with various control boards, instruments, control panels, etc. for controlling the operation of the entire system. The chemical solution storage unit (CTB) 56 is a scrub cleaning unit (SCR).
40 is provided with a fluid device such as a container or a pump for storing the cleaning liquid used in 40. By installing the control / utility unit group 38 at another place, maintenance of the system can be performed from the back side.

【0030】主ウエハ搬送機構(PRA)30は、図3
に示すように、垂直方向(Z方向)に延在し、上端およ
び下端で接続された相対向する一対の垂直壁部58L,
58Rを有する筒状支持体60の内側にウエハ搬送体6
2をZ方向に移動(昇降)可能に取り付けている。筒状
支持体60は、その下に配置されたモータ64の回転駆
動力により垂直中心軸を回転中心として回転するように
なっており、ウエハ搬送体62も筒状支持体60と一緒
に回転するようになっている。
The main wafer transfer mechanism (PRA) 30 is shown in FIG.
As shown in, a pair of vertical wall portions 58L, which extend in the vertical direction (Z direction) and which are connected at the upper end and the lower end and face each other,
The wafer carrier 6 is provided inside the tubular support 60 having 58R.
2 is attached so as to be movable (elevating) in the Z direction. The cylindrical support 60 is configured to rotate about the vertical center axis by the rotational driving force of the motor 64 disposed thereunder, and the wafer transfer body 62 also rotates together with the cylindrical support 60. It is like this.

【0031】ウエハ搬送体62は、搬送基台66と、こ
の搬送基台66上で前後に移動(進退)可能に構成され
た3本の搬送アーム68A,68B,68Cとを有して
いる。これらの搬送アーム68A,68B,68Cは、
搬送基台66に内蔵されたアーム駆動機構(図示せず)
よりそれぞれ独立して進退移動可能となっており、両垂
直壁部58L,58Rの間に形成された側面開口70を
通り抜けできるようになっている。搬送基台66は、下
部プーリ74および上部プーリ76間に架け渡された昇
降駆動用の無端ベルト78に接続されており、筒状支持
体60の底部で駆動側の下部プーリ74に連結されてい
るモータ80の駆動力により昇降移動するようになって
いる。こうして、主ウエハ搬送機構(PRA)30は、
その周囲に設置されている全てのユニットにアクセス可
能であり、搬送アーム68A,68B,68Cを選択的
に前後に伸縮移動させて、基板の搬入または搬出を行え
るようになっている。
The wafer carrier 62 has a carrier base 66 and three carrier arms 68A, 68B and 68C which are movable on the carrier base 66 back and forth (advance and retract). These transfer arms 68A, 68B, 68C are
Arm drive mechanism (not shown) built in the transport base 66
Further, each of them can be independently moved forward and backward, and can pass through a side surface opening 70 formed between both vertical wall portions 58L and 58R. The transport base 66 is connected to an endless belt 78 for raising and lowering which is bridged between a lower pulley 74 and an upper pulley 76, and is connected to the drive-side lower pulley 74 at the bottom of the tubular support 60. It is configured to move up and down by the driving force of the existing motor 80. Thus, the main wafer transfer mechanism (PRA) 30 is
All the units installed around it can be accessed, and the transfer arms 68A, 68B, and 68C can be selectively extended and retracted back and forth to carry in or carry out substrates.

【0032】洗浄処理部14の天井または屋上には、洗
浄処理部14内の各部に清浄な空気をダウンフローで供
給するフィルタ・ファン・ユニット(FFU)82が設
けられている。
A filter fan unit (FFU) 82 is provided on the ceiling or roof of the cleaning processing unit 14 to supply clean air to each part in the cleaning processing unit 14 by downflow.

【0033】図4〜図6にスクラブ洗浄ユニット(SC
R)40Aの構成例を示す。図4はユニット(SCR)
40Aの内部を示す平面図、図5は図4においてX方向
から見た略縦断面図、図6は図4においてY方向から見
た略縦断面図である。
The scrub cleaning unit (SC
R) A configuration example of 40A is shown. Figure 4 shows a unit (SCR)
40A is a plan view showing the inside of FIG. 40A, FIG. 5 is a schematic vertical sectional view seen from the X direction in FIG. 4, and FIG. 6 is a schematic vertical sectional view seen from the Y direction in FIG.

【0034】図4に示すように、このスクラブ洗浄ユニ
ット(SCR)40Aは、箱型のハウジング84の中を
垂直の隔壁86によって洗浄処理室88とアーム駆動運
転室90とに分割している。洗浄処理室88において
は、上面の開口した洗浄カップ92が主ウエハ搬送機構
(PRA)30(図1)と向き合うシャッタ付きの基板
出入り口94寄りに配置され、洗浄カップ92の左右両
側に洗浄液吐出ノズル96およびブラシ98A,98B
をそれぞれ待機させておくスペースが確保されている。
As shown in FIG. 4, the scrub cleaning unit (SCR) 40A divides a box-shaped housing 84 into a cleaning processing chamber 88 and an arm driving operation chamber 90 by a vertical partition 86. In the cleaning processing chamber 88, a cleaning cup 92 having an opening on the upper surface is arranged near a substrate entrance / exit 94 with a shutter facing the main wafer transfer mechanism (PRA) 30 (FIG. 1), and cleaning liquid ejection nozzles are provided on both left and right sides of the cleaning cup 92. 96 and brushes 98A, 98B
There is a space reserved for each.

【0035】ブラシ98A,98Bは、いわゆるディス
ク型ブラシであり、Y方向に延びるブラシ保持アーム1
00A,100Bの先端部にそれぞれ着脱可能に取付さ
れ、ブラシ待機位置に設置されているブラシバス99と
洗浄カップ92内のスクラビング洗浄位置との間でX方
向に移動可能となっている。図4および図6に示すよう
に、ブラシ保持アーム100A,100B(図示省略)
は、隔壁86に形成されているX方向に延在する開口部
86aを通ってアーム駆動運転室90内のアーム駆動機
構102A,102Bにそれぞれ連結されている。アー
ム駆動運転室90内でアーム駆動機構102A,102
Bは相対向するガイド104,106に沿ってX方向に
それぞれ移動できるように構成されている。アーム駆動
機構102A,102Bは、それぞれのブラシ保持アー
ム100A,100Bを昇降移動可能に構成すること
で、互いに干渉することなくX方向の移動(アーム駆
動)を独立的に行えるようになっている。
The brushes 98A and 98B are so-called disk type brushes, and the brush holding arm 1 extending in the Y direction.
00A and 100B are detachably attached to the respective tip portions thereof, and are movable in the X direction between the brush bath 99 installed at the brush standby position and the scrubbing cleaning position in the cleaning cup 92. As shown in FIGS. 4 and 6, brush holding arms 100A and 100B (not shown)
Are respectively connected to the arm drive mechanisms 102A and 102B in the arm drive cab 90 through the openings 86a formed in the partition wall 86 and extending in the X direction. In the arm driving cab 90, arm driving mechanisms 102A, 102
B is configured to be movable in the X direction along the guides 104 and 106 facing each other. The arm drive mechanisms 102A and 102B are configured such that the brush holding arms 100A and 100B can be moved up and down, respectively, so that they can be independently moved in the X direction (arm drive) without interfering with each other.

【0036】図6に示すように、ブラシ98Aは、ブラ
シ保持アーム100Aに内蔵されたブラシ回転駆動機構
101によりZ方向の中心軸回りに回転(スピン回転)
できるようになっている。図示のブラシ回転駆動機構1
01は、ブラシ98Aを支持するブラシ支持軸103を
回転可能に構成し、このブラシ支持軸103をベルト1
05を介してモータ107の回転駆動軸に結合してい
る。他方のブラシ98Bもブラシ保持アーム100Bに
おいて同様の構成により回転可能となっている。なお、
ベルト105を省いてブラシ支持軸103をモータ10
7に直結する構成も可能である。
As shown in FIG. 6, the brush 98A is rotated about the central axis in the Z direction (spin rotation) by the brush rotation drive mechanism 101 incorporated in the brush holding arm 100A.
You can do it. The illustrated brush rotation drive mechanism 1
Reference numeral 01 designates a brush support shaft 103 that supports the brush 98A so that the brush support shaft 103 can rotate.
It is connected to the rotary drive shaft of the motor 107 via 05. The other brush 98B is also rotatable in the brush holding arm 100B with the same configuration. In addition,
The belt 105 is omitted and the brush support shaft 103 is connected to the motor 10
A configuration directly connected to 7 is also possible.

【0037】図4において、洗浄液吐出ノズル96は、
たとえば高圧ジェット式または超音波式のノズルあるい
は2流体式(洗浄液とガスとを混合して噴出する方式)
のノズルであり、Y方向に延びるノズル保持アーム10
8の先端部に着脱可能に取付され、ブラシ待機位置と洗
浄カップ92内のブロー洗浄位置との間でX方向に移動
可能となっている。このノズル保持アーム108は、隔
壁86の開口部86aを通ってアーム駆動運転室90内
のアーム駆動機構110に連結されている。アーム駆動
運転室90内でアーム駆動機構110は所定のガイド
(たとえばガイド86)に沿ってX方向に移動できるよ
うに構成されている。なお、洗浄液吐出ノズル96は、
待機位置で高さ/方向調節機構112によりZ方向位置
および吐出角度を調節できるようになっている。
In FIG. 4, the cleaning liquid discharge nozzle 96 is
For example, a high-pressure jet type or ultrasonic type nozzle or a two-fluid type (a system in which cleaning liquid and gas are mixed and ejected)
Nozzle holding arm 10 extending in the Y direction.
It is removably attached to the tip portion of 8 and is movable in the X direction between the brush standby position and the blow cleaning position in the cleaning cup 92. The nozzle holding arm 108 is connected to the arm driving mechanism 110 in the arm driving cab 90 through the opening 86 a of the partition wall 86. In the arm driving cab 90, the arm driving mechanism 110 is configured to be movable in the X direction along a predetermined guide (for example, the guide 86). The cleaning liquid discharge nozzle 96 is
The height / direction adjusting mechanism 112 can adjust the Z direction position and the discharge angle at the standby position.

【0038】図4および図5に示すように、洗浄カップ
92は、たとえばカップ外側に配置されたカップ昇降機
構114に結合されており、カップ昇降機構114の駆
動力で基板搬入出用のボトム位置(92’)と洗浄用の
トップ位置(92)との間で昇降移動できるようになっ
ている。洗浄カップ92の上端部には、洗浄液の飛散を
防止するための径方向内側に向って斜め上方に延在する
上下2段のテーパ部92a,92bが設けられている。
洗浄カップ92の内周側底部には、カップ内の排気およ
び排液を行うためにドレイン管116が接続されてい
る。
As shown in FIGS. 4 and 5, the cleaning cup 92 is connected to, for example, a cup elevating mechanism 114 arranged outside the cup, and the driving force of the cup elevating mechanism 114 causes a bottom position for loading and unloading substrates. It is possible to move up and down between (92 ') and the top position (92) for cleaning. The upper end portion of the cleaning cup 92 is provided with two upper and lower tapered portions 92a and 92b that extend obliquely upward toward the inner side in the radial direction to prevent the cleaning liquid from scattering.
A drain pipe 116 is connected to the bottom of the cleaning cup 92 on the inner peripheral side for exhausting and draining the inside of the cup.

【0039】洗浄カップ92の内側には、基板(W,
F)を保持して回転するスピンチャック118が設けら
れている。このスピンチャック118は、基板(W,
F)を水平姿勢で載置するチャックプレート120と、
メカニカル式のチャック部または基板脱着機構122
と、基板を垂直中心軸の回りに回転させる回転駆動部1
24とを有している。チャックプレート120の周縁部
には円周方向に所定の間隔を置いて複数(図示の例では
6本)の支持ピン120aが立設されており、基板
(W,F)はこれらの支持ピン120aで水平に担持さ
れる。
Inside the cleaning cup 92, the substrate (W,
A spin chuck 118 that holds and rotates F) is provided. The spin chuck 118 includes a substrate (W,
A chuck plate 120 for mounting F) in a horizontal posture;
Mechanical chuck or substrate attachment / detachment mechanism 122
And a rotation drive unit 1 for rotating the substrate about a vertical central axis.
24 and. A plurality of (six in the illustrated example) support pins 120a are provided upright on the periphery of the chuck plate 120 at predetermined intervals in the circumferential direction, and the substrate (W, F) is provided with these support pins 120a. Is supported horizontally.

【0040】基板脱着機構122は、チャックプレート
120の周縁部に所定の間隔を置いて複数(図示の例で
は3箇所)設けられ、バネ部材(図示せず)による弾性
力で基板(W,F)の周縁部を脱着可能に保持する。よ
り詳細には、チャックプレート120の下に昇降手段1
26により昇降可能な水平操作板128が設けられ、こ
の支持板128の各基板脱着機構122と対応する箇所
に脱着操作治具130が取り付けられている。昇降手段
126が水平操作板128を上昇または往動させると、
各脱着操作治具130が各対応する基板脱着機構122
に下から当接してバネ部材に抗して押圧することによ
り、基板脱着機構122が基板保持解除姿勢(図5の右
側122’の姿勢)に変位する。この基板保持解除状態
において、チャックプレート120上で基板(W,F)
の移載または搬入/搬出を行うことができる。昇降手段
126が水平操作板128を下降または復動させると、
各脱着操作治具130が各対応する基板脱着機構122
から分離し、それによってバネ部材の弾性力が復帰して
各基板脱着機構122が基板を保持する姿勢(図5の左
側122の姿勢)となる。
A plurality of substrate attaching / detaching mechanisms 122 are provided at the peripheral portion of the chuck plate 120 at predetermined intervals (three locations in the illustrated example), and the substrates (W, F) are elastically moved by a spring member (not shown). ) Is held detachably. More specifically, the lifting means 1 is provided under the chuck plate 120.
A horizontal operation plate 128 that can be moved up and down by 26 is provided, and a detachment operation jig 130 is attached to a portion of this support plate 128 corresponding to each substrate attachment / detachment mechanism 122. When the elevating means 126 raises or moves the horizontal operation plate 128,
The substrate attaching / detaching mechanism 122 corresponding to each attaching / detaching operation jig 130.
By abutting from below and pressing against the spring member, the substrate attaching / detaching mechanism 122 is displaced to the substrate holding release posture (the posture on the right side 122 ′ in FIG. 5). In this substrate holding release state, the substrates (W, F) are placed on the chuck plate 120.
Can be transferred or carried in / out. When the elevating means 126 lowers or returns the horizontal operation plate 128,
The substrate attaching / detaching mechanism 122 corresponding to each attaching / detaching operation jig 130.
, The elastic force of the spring member is restored, and each substrate attachment / detachment mechanism 122 takes a posture of holding the substrate (the posture of the left side 122 in FIG. 5).

【0041】回転駆動部124は、モータ(図示せず)
を内蔵しており、該モータの回転駆動軸を回転支持軸1
32を介してチャックプレート120に結合している。
The rotation driving unit 124 is a motor (not shown).
And the rotary drive shaft of the motor is a rotary support shaft 1
It is coupled to the chuck plate 120 via 32.

【0042】図4に示すように、洗浄カップ92の外に
は、カップ側壁の上からカップ内部を臨むようにして1
本または複数本(図示の例では2本)のリンスノズル1
34が設けられている。
As shown in FIG. 4, outside the cleaning cup 92, the inside of the cup is exposed from above the side wall of the cup.
One or a plurality (two in the illustrated example) of the rinse nozzle 1
34 are provided.

【0043】上記したように、このスクラブ洗浄ユニッ
ト(SCR)40Aでは、スピンチャック118に基板
(W,F)の周縁部を機械的に保持するメカニカルチャ
ック機構(基板脱着機構122)を用いている。このよ
うなメカニカルチャック機構は、ウエハWの裏面を上面
つまり被洗浄面とする場合に下面(おもて面)の本領域
またはデバイス作成領域に触れなくて済むので適してい
る。ウエハWのおもて面を上面(被洗浄面)とする場合
はバキューム吸引式のチャック機構も使用できる。
As described above, in the scrub cleaning unit (SCR) 40A, the spin chuck 118 uses the mechanical chuck mechanism (substrate detaching mechanism 122) that mechanically holds the peripheral edge of the substrate (W, F). . Such a mechanical chuck mechanism is suitable because when the back surface of the wafer W is used as the top surface, that is, the surface to be cleaned, it is not necessary to touch the main area or the device creation area on the bottom surface (front surface). When the front surface of the wafer W is the top surface (surface to be cleaned), a vacuum suction type chuck mechanism can also be used.

【0044】この実施形態の洗浄処理システムにおい
て、他のスクラブ洗浄ユニット(SCR)40B,40
C,40Dも、上記したスクラブ洗浄ユニット(SC
R)40Aとほぼ同様の構成を有するものであってよ
い。たとえば、下段の両スクラブ洗浄ユニット(SC
R)40A,40Bをウエハ裏面洗浄処理用とする場合
は、左側のスクラブ洗浄ユニット(SCR)40Aを右
側のスクラブ洗浄ユニット(SCR)40Aと左右対称
な構成としてよい。また、上段の両スクラブ洗浄ユニッ
ト(SCR)40C,40Dをウエハおもて面洗浄処理
用とする場合は、スピンチャック118にメカニカルチ
ャック機構(基板脱着機構122)に換えてバキューム
吸引式のチャック機構を設ける構成としてよい。
In the cleaning processing system of this embodiment, other scrub cleaning units (SCR) 40B, 40
C and 40D are also the scrub cleaning unit (SC
R) 40A may have substantially the same configuration. For example, lower scrub cleaning unit (SC
When the R) 40A and 40B are used for cleaning the back surface of the wafer, the left scrub cleaning unit (SCR) 40A may be symmetrical to the right scrub cleaning unit (SCR) 40A. Further, when both upper scrub cleaning units (SCR) 40C, 40D are used for cleaning the front surface of the wafer, the vacuum chuck type chuck mechanism is used instead of the mechanical chuck mechanism (substrate detaching mechanism 122) in place of the spin chuck 118. May be provided.

【0045】ここで、この洗浄処理システムにおいて1
枚のウエハWが一連の処理を受ける際の手順と作用を説
明する。
Here, in this cleaning processing system, 1
A procedure and an operation when a single wafer W undergoes a series of processes will be described.

【0046】先ず、搬入出部12において、ウエハ搬送
部22のウエハ搬送機構20が、イン・アウトポート1
8のステージ16上に置かれているカセットCのいずれ
か1つにアクセスして搬送アーム20aで未洗浄のウエ
ハWを1枚取り出し、取り出したウエハWを洗浄処理部
14側の受け渡しユニット(TRS)42のいずれか1
つに搬入する。
First, in the carry-in / carry-out section 12, the wafer transfer mechanism 20 of the wafer transfer section 22 is connected to the in / out port 1
Access one of the cassettes C placed on the stage 16 of No. 8 to take out one uncleaned wafer W by the transfer arm 20a, and take out the taken-out wafer W from the transfer unit (TRS) on the cleaning processing unit 14 side. ) Any one of 42
Carry in one.

【0047】洗浄処理部14側では、主ウエハ搬送機構
(PRA)30がウエハ搬送アーム68A,68B,6
8Cのいずれか1つで該受け渡しユニット(TRS)4
2から該ウエハWを取り出して、おもて面洗浄処理用の
上段スクラブ洗浄ユニット(SCR)40C,40Dの
いずれか1つに基板搬入出口94(図4)より搬入す
る。上記したように、上段スクラブ洗浄ユニット(SC
R)40C,40Dは、スピンチャック118がバキュ
ーム吸引式のチャック機構を有する点を除いて下段スク
ラブ洗浄ユニット(SCR)40A,40Bと同様の構
成を有している。
On the side of the cleaning processing unit 14, the main wafer transfer mechanism (PRA) 30 is connected to the wafer transfer arms 68A, 68B and 6A.
The transfer unit (TRS) 4 by any one of 8C
The wafer W is taken out from the substrate 2 and loaded into either one of the upper scrub cleaning units (SCR) 40C and 40D for front surface cleaning processing through the substrate loading / unloading port 94 (FIG. 4). As mentioned above, the upper scrub cleaning unit (SC
R) 40C and 40D have the same configuration as the lower scrub cleaning units (SCR) 40A and 40B, except that the spin chuck 118 has a vacuum suction type chuck mechanism.

【0048】主ウエハ搬送機構(PRA)より当該ウエ
ハWを搬入される上段スクラブ洗浄ユニット(SCR)
40Cまたは40Dでは、洗浄カップ92をボトム位置
に降ろしておいてウエハWをスピンチャック118上に
載置させ、ウエハ搬送アーム68の退去後に洗浄カップ
92をトップ位置へ上昇させる。そして、チャック機構
を作動させてスピンチャック118に当該ウエハWを保
持させ、回転駆動機構124を作動させてスピンチャッ
ク118を当該ウエハWと一体にスピン回転させる。一
方、アーム駆動運転室90内でアーム駆動機構102
A,102B,110を作動させて、ブラシ保持アーム
100A,100Bおよびノズル保持アーム108をそ
れぞれの待機位置からカップ92内へ移動させる。そし
て、図5に示すように、各ブラシ98A,98Bを所定
の圧力でウエハWの上面に押し当てながらスピン回転お
よびスキャンさせてこすり合わせ、洗浄液吐出ノズル9
6より当該ウエハWの上面に向けて洗浄液たとえば純水
または薬液を吐出させる。また、図4に示すように、リ
ンスノズル134より当該ウエハWの上面にリンス液を
供給する。
Upper scrub cleaning unit (SCR) into which the wafer W is loaded from the main wafer transfer mechanism (PRA)
In 40C or 40D, the cleaning cup 92 is lowered to the bottom position, the wafer W is placed on the spin chuck 118, and the cleaning cup 92 is raised to the top position after the wafer transfer arm 68 is withdrawn. Then, the chuck mechanism is operated to hold the wafer W on the spin chuck 118, and the rotation driving mechanism 124 is operated to rotate the spin chuck 118 integrally with the wafer W by spin. On the other hand, in the arm driving cab 90, the arm driving mechanism 102
A, 102B and 110 are operated to move the brush holding arms 100A and 100B and the nozzle holding arm 108 from their respective standby positions into the cup 92. Then, as shown in FIG. 5, the brushes 98A and 98B are pressed against the upper surface of the wafer W at a predetermined pressure, spin-rotated and scanned to rub them together, and the cleaning liquid discharge nozzle 9 is rubbed.
A cleaning liquid such as pure water or a chemical liquid is ejected from 6 toward the upper surface of the wafer W. Further, as shown in FIG. 4, the rinse liquid is supplied from the rinse nozzle 134 to the upper surface of the wafer W.

【0049】このようなウエハWに対して各ブラシ98
A,98Bによるブラッシング洗浄、洗浄液吐出ノズル
96によるブローまたはスプレー洗浄、リンスノズル1
34によるリンス液供給等の各種処理を施すレシピは任
意にプログラミングすることができる。たとえば、最初
にリンスノズル134によるリンス液供給を開始させて
当該ウエハWの上面を万遍無く濡らしてから、ブラシ9
8A,98Bによるブラッシング洗浄を開始させ、ブラ
ッシング洗浄の終了後にリンスノズル134を止めて洗
浄液吐出ノズル96によりブロー洗浄を行い、ブロー洗
浄の終了後にリンスノズル134によりリンス処理を行
い、最後にスピンチャック118を高速回転させてスピ
ン乾燥を行うといったレシピをプログラミングすること
ができる。両ブラシ98A,98Bの使い方もウエハW
の加工段階や仕様に応じて自由にプログラミングでき
る。
Each brush 98 for such a wafer W
A, 98B brushing cleaning, cleaning liquid discharge nozzle 96 blow or spray cleaning, rinse nozzle 1
The recipe for performing various kinds of processing such as the rinse liquid supply by 34 can be programmed arbitrarily. For example, first, the rinse liquid is supplied from the rinse nozzle 134 to wet the upper surface of the wafer W evenly, and then the brush 9 is used.
8A and 98B are started, and the rinse nozzle 134 is stopped after the completion of the brushing cleaning, and the cleaning liquid discharge nozzle 96 performs the blow cleaning. After the completion of the blow cleaning, the rinse nozzle 134 performs the rinse processing, and finally the spin chuck 118. It is possible to program a recipe such as spinning at high speed for spin drying. Wafer W can be used for both brushes 98A and 98B
You can freely program according to the processing stage and specifications.

【0050】この実施形態のスクラブ洗浄ユニット(S
CR)40では、隔壁86により洗浄処理室88とアー
ム駆動運転室90とを空間的に隔離しているので、洗浄
処理室88内で発生したミストがアーム駆動運転室90
に及んで動作不良を来す事態や、アーム駆動運転室90
内で発生したパーティクルが洗浄処理室88側へ、特に
洗浄カップ92内に入り込んで洗浄処理品質や歩留まり
を低下させる事態を防止することができる。
The scrub cleaning unit (S
In the CR) 40, since the cleaning processing chamber 88 and the arm driving operation room 90 are spatially separated by the partition wall 86, the mist generated in the cleaning processing room 88 is generated by the arm driving operation room 90.
And the arm drive cab 90
It is possible to prevent particles generated therein from entering the cleaning processing chamber 88 side, particularly the cleaning cup 92, and deteriorating the cleaning processing quality and the yield.

【0051】上記のようなおもて面洗浄処理が終了する
と、スピンチャック118においてスピンチャック機構
によるウエハの保持が解除され、洗浄カップ92がボト
ム位置へ下降し、主ウエハ搬送機構(PRA)30側か
ら搬送アーム68A,68B,68Cのいずれか1つが
基板搬入出口94から入ってきて当該ウエハWを引き取
る。
When the front surface cleaning process as described above is completed, the holding of the wafer by the spin chuck mechanism in the spin chuck 118 is released, the cleaning cup 92 is lowered to the bottom position, and the main wafer transfer mechanism (PRA) 30 side. Any one of the transfer arms 68A, 68B, and 68C enters from the substrate loading / unloading port 94 to pick up the wafer W.

【0052】主ウエハ搬送機構(PRA)30に引き取
られた当該ウエハWは、次に加熱ユニット(HP)46
のいずれか1つに搬入され、そこで加熱による乾燥処理
を受ける。この加熱乾燥処理の後は、必要に応じて冷却
ユニット(COL)48に移され、そこで所定温度まで
冷却される。
The wafer W taken up by the main wafer transfer mechanism (PRA) 30 is next heated by the heating unit (HP) 46.
Is loaded into any one of the above, and undergoes a drying process by heating there. After this heating and drying treatment, it is transferred to a cooling unit (COL) 48 if necessary, and cooled there to a predetermined temperature.

【0053】上記のような熱処理を受けた後、当該ウエ
ハWは、次に主ウエハ搬送機構(PRA)30により反
転ユニット(RVS)44のいずれか1つに搬入され、
そこでおもて面と裏面とが互いに入れ替わるように、つ
まりそれまで上面であった裏面が下面になり、それまで
下面であったおもて面が上面となるように上下反転され
る。
After undergoing the heat treatment as described above, the main wafer transfer mechanism (PRA) 30 then carries the wafer W into any one of the reversing units (RVS) 44,
Therefore, the front surface and the back surface are switched upside down, that is, the back surface that has been the upper surface until then becomes the lower surface, and the front surface that has been the lower surface until then becomes the upper surface.

【0054】上記のようにして上下反転された当該ウエ
ハWは、次に主ウエハ搬送機構(PRA)30により裏
面洗浄処理用の下段スクラブ洗浄ユニット(SCR)4
0Aまたは40Bに搬入される。この下段スクラブ洗浄
ユニット(SCR)40Aまたは40Bにおいても、当
該ウエハWは、スピンチャック118に保持される形態
がメカニカル式(基板脱着機構122)の基板周縁部保
持形態に替わる点を除いては、上記したように上段スク
ラブ洗浄ユニット(SCR)40Cまたは40Dにおけ
るおもて面洗浄処理と同様の洗浄処理を施される。
The wafer W, which has been turned upside down as described above, is then transferred to the lower scrub cleaning unit (SCR) 4 for back surface cleaning processing by the main wafer transfer mechanism (PRA) 30.
It is loaded into 0A or 40B. Also in this lower stage scrub cleaning unit (SCR) 40A or 40B, except that the wafer W is held by the spin chuck 118 in a mechanical (substrate detaching mechanism 122) substrate peripheral edge holding form. As described above, the same cleaning process as the front surface cleaning process in the upper scrub cleaning unit (SCR) 40C or 40D is performed.

【0055】上記のようにして下段スクラブ洗浄ユニッ
ト(SCR)40Aまたは40Bで裏面洗浄処理を受け
た当該ウエハWは、上記と同様にして主ウエハ搬送機構
(PRA)30により加熱ユニット(HP)46や冷却
ユニット(COL)48を回されて熱処理を受け、最後
に反転ユニット(RVS)44のいずれか1つに送られ
て再度の上下面反転により最初の姿勢(おもて面が上面
となる姿勢)に戻される。しかる後、当該ウエハWは主
ウエハ搬送機構(PRA)30により受け渡しユニット
(TRS)42のいずれか1つに移され、搬入出部12
側のウエハ搬送機構20に引き取られてステージ16上
のカセットCのいずれか1つへ入れられる。
The wafer W, which has been subjected to the back surface cleaning processing by the lower scrub cleaning unit (SCR) 40A or 40B as described above, is heated by the main wafer transfer mechanism (PRA) 30 in the same manner as described above. And the cooling unit (COL) 48 is rotated to undergo heat treatment, and finally sent to one of the reversing units (RVS) 44, and the first posture (the front surface becomes the upper surface by reversing the upper and lower surfaces). Posture). Thereafter, the wafer W is transferred to any one of the transfer units (TRS) 42 by the main wafer transfer mechanism (PRA) 30, and the transfer unit 12
It is taken by the wafer transfer mechanism 20 on the side and placed in any one of the cassettes C on the stage 16.

【0056】スクラブ洗浄ユニット(SCR)40A〜
40Dでは、上記のようなブラッシング洗浄において各
ブラシ98(98A,98B)がウエハWの上面からこ
すり取った異物がブラシ98に転移して、その一部はブ
ラシ98から脱落せずに残留する。ブラシ98の累積稼
動時間が増すにつれて、ブラシ98に蓄積する異物も次
第に増える。
Scrub cleaning unit (SCR) 40A-
In 40D, the foreign matter scraped off from the upper surface of the wafer W by each brush 98 (98A, 98B) in the above-described brushing cleaning is transferred to the brush 98, and a part thereof remains without dropping off from the brush 98. As the cumulative operating time of the brush 98 increases, the amount of foreign matter accumulated on the brush 98 gradually increases.

【0057】この実施形態では、各スクラブ洗浄ユニッ
ト(SCR)40A〜40Dにおいてそのようなブラシ
98の汚れを除去するために、上記したように洗浄処理
部14内の受け渡し/反転ユニット群34および/また
は加熱/冷却ユニット群36と同じ垂直方向の並びに1
つまたは複数のディスク保管ユニット(CLN)50を
設置し、各ディスク保管ユニット(CLN)50にクニ
ーニング・ディスクFを保管しておく。
In this embodiment, in order to remove such stains on the brush 98 in each of the scrub cleaning units (SCR) 40A to 40D, the transfer / reversal unit group 34 and / or the reversing unit group 34 in the cleaning processing unit 14 and / or Or the same vertical arrangement as the heating / cooling unit group 36
One or a plurality of disk storage units (CLN) 50 are installed, and the kneading disk F is stored in each disk storage unit (CLN) 50.

【0058】各スクラブ洗浄ユニット(SCR)40A
〜40Dにおいてブラシ98のクリーニングを実行する
ときは、洗浄カップ92を空にしておいて(ウエハWが
無い状態にしておいて)、主ウエハ搬送機構(PRA)
30がディスク保管ユニット(CLN)50のいずれか
1つからクリーニング・ディスクFを取り出して当該ス
クラブ洗浄ユニット(SCR)40に搬入する。このク
リーニング・ディスクFを搬入する動作はウエハWを搬
入する動作と同じでよく、搬入されたクリーニング・デ
ィスクFはスピンチャック118でチャック機構により
水平姿勢で保持される。
Each scrub cleaning unit (SCR) 40A
40D, when cleaning the brush 98, the cleaning cup 92 is emptied (without the wafer W), and the main wafer transfer mechanism (PRA) is used.
30 takes out the cleaning disk F from any one of the disk storage units (CLN) 50 and carries it into the scrub cleaning unit (SCR) 40. The operation of loading the cleaning disk F may be the same as the operation of loading the wafer W, and the loaded cleaning disk F is horizontally held by the chuck mechanism by the spin chuck 118.

【0059】この実施形態において、クリーニング・デ
ィスクFに必要な最小限の条件は、主ウエハ搬送機構
(PRA)30により搬送可能であり、かつ各スクラブ
洗浄ユニット(SCR)40内でスピンチャック118
により保持可能であることである。この点において、ク
リーニング・ディスクFは、ウエハWとほぼ同形でほぼ
同じサイズを有する基板であることが好ましい。クリー
ニング・ディスクFの材質は、変形または変質し難い剛
体が好ましく、たとえばセラミック、樹脂または金属等
でよく、ウエハと同じ材質つまりシリコン基板でもよ
い。また、クリーニング基板Fの主面つまりクリーニン
グに供される面は、平滑面でもよいが、ブラシ98から
異物を効率よく取り込むうえでは粗面が好ましく、多数
の小突起(目)を有するやすり面に形成されるのがより
好ましい。やすり面の小突起形状に特に制限はなく、任
意の形状を採択することができる。
In this embodiment, the minimum condition required for the cleaning disk F is that it can be transferred by the main wafer transfer mechanism (PRA) 30 and the spin chuck 118 in each scrub cleaning unit (SCR) 40.
Can be held by. In this respect, the cleaning disk F is preferably a substrate having substantially the same shape and size as the wafer W. The material of the cleaning disk F is preferably a rigid body that is not easily deformed or deteriorated, and may be, for example, ceramic, resin or metal, or the same material as the wafer, that is, a silicon substrate. Further, the main surface of the cleaning substrate F, that is, the surface used for cleaning may be a smooth surface, but a rough surface is preferable for efficiently taking in foreign matters from the brush 98, and a rough surface having a large number of small protrusions (eyes). More preferably, it is formed. The shape of the small protrusions on the file surface is not particularly limited, and any shape can be adopted.

【0060】図7に、一実施例によるクリーニング・デ
ィスクFの構成を示す。このクリーニング・ディスクF
は、ウエハWとほぼ同形でほぼ同じサイズを有するディ
スクであり、主面(上面)に複数たとえば2つのやすり
部140,142を設けている。より詳細には、クリー
ニング・ディスクFの中心部に比較的細かい目のやすり
部140が円形に形成されるとともに、クリーニング・
ディスクFの周縁部に比較的粗い目のやすり部142が
環状に形成されている。なお、ディスクFの外周エッジ
部は、メカニカルチャックによる保持を妨げないように
平坦面とするのが望ましい。このことは、後述する他の
実施例によるディスクにおいても同様である。
FIG. 7 shows the structure of the cleaning disk F according to one embodiment. This cleaning disk F
Is a disk having substantially the same shape as the wafer W and substantially the same size, and a plurality of, for example, two rasp portions 140, 142 are provided on the main surface (upper surface). More specifically, a relatively fine eye file portion 140 is formed in a circular shape at the center of the cleaning disk F, and
On the peripheral portion of the disc F, a relatively coarse file 142 is formed in an annular shape. The outer peripheral edge of the disk F is preferably a flat surface so as not to interfere with the holding by the mechanical chuck. This also applies to discs according to other embodiments described later.

【0061】この実施例のクリーニング・ディスクFを
用いるときは、図7の(B)に示すように、ブラシ98
を最初に粗い目のやすり部142にこすりつけて粗いク
リーニング加工とし、次に細かい目のやすり部140に
こすりつけて仕上げのクリーニング加工とするのが好ま
しい。各クリーニング加工では、やすり面にブラシをこ
すりつけてブラシから異物を取り除いてもよく、また、
やすり面でブラシ先端を異物と共に削り取ってもよい。
When the cleaning disk F of this embodiment is used, as shown in FIG.
Is preferably rubbed first on the coarse-grained sandpaper 142 for rough cleaning, and then on the fine sandpaper 140 for final cleaning. In each cleaning process, a brush may be rubbed on the file surface to remove foreign matter from the brush.
The tip of the brush may be scraped off along with the foreign material on the file surface.

【0062】このブラシクリーニングにおいては、ウエ
ハWを洗浄するときと同様に、ブラッシングの最中また
は前後で洗浄液吐出ノズル96やリンスノズル134を
使用することができる。また、回転駆動機構124によ
りスピンチャック118をスピン回転させるとともに、
ブラシ回転駆動機構101によりブラシ98側もスピン
回転させてよい。クリーニング中にカップ92内で発生
したミストは、カップ92のテーパ部92a,92bで
飛散を抑制されるとともに、カップ92の外へ出てもア
ーム駆動運転室90への進入を隔壁86によって阻止さ
れる。
In this brush cleaning, as in the case of cleaning the wafer W, the cleaning liquid discharge nozzle 96 and the rinse nozzle 134 can be used during or before and after the brushing. Further, the spin drive mechanism 124 spins the spin chuck 118, and
The brush 98 may be rotated by the brush rotation driving mechanism 101. The mist generated in the cup 92 during cleaning is prevented from scattering by the tapered portions 92a and 92b of the cup 92, and even if it goes out of the cup 92, it is prevented from entering the arm driving cab 90 by the partition wall 86. It

【0063】クリーニング・ディスクF上では、ブラシ
98からこすり取られた異物の一部または大部分が洗浄
液に巻き込まれるようにして遠心力により半径方向外側
へ流される。上記のようにディスク周縁側のやすり部1
42でブラシクリーニングが行われるときは、遠心力で
やすり部142の外に出た洗浄液が即座にディスクFの
外に落下する。また、ディスク中心側のやすり部140
でブラシクリーニングが行われるときは、遠心力でやす
り部140の外に出た洗浄液が中間の平坦部144を通
ってディスク周縁側のやすり部142側へ流れ込む。し
かし、上記のようにディスク中心側のやすり部140で
のブラシクリーニングは仕上げ段階であり、外に流出し
た廃液がブラシ98に影響するおそれはない。
On the cleaning disk F, some or most of the foreign matter scraped off from the brush 98 is caught in the cleaning liquid and is caused to flow radially outward by the centrifugal force. As described above, the file portion 1 on the peripheral side of the disk
When the brush cleaning is performed at 42, the cleaning liquid that has come out of the file portion 142 due to the centrifugal force immediately drops to the outside of the disk F. In addition, the file 140 on the center side of the disk
When the brush cleaning is performed with, the cleaning liquid, which has been ejected to the outside of the file portion 140 by centrifugal force, flows into the file portion 142 side on the disk peripheral side through the intermediate flat portion 144. However, as described above, the brush cleaning at the file 140 on the center side of the disc is a finishing step, and there is no possibility that the waste liquid flowing out will affect the brush 98.

【0064】このブラシクリーニングにおいても、スク
ラブ洗浄ユニット(SCR)40内の各部の動作につい
てウエハ洗浄処理と同様に任意のレシピをプログラミン
グでき、ウエハ洗浄処理用のレシピをそのまま利用する
ことも可能である。通常は、クリーニング・ディスクF
からブラシ98を引き離した後、洗浄液吐出ノズル96
によりブロー洗浄またはスプレー洗浄を行ってディスク
Fの主面を洗浄し、次いでリンスノズル134によりリ
ンス液を流してディスクF上から洗浄液を除去する。
Also in this brush cleaning, with respect to the operation of each part in the scrub cleaning unit (SCR) 40, an arbitrary recipe can be programmed as in the wafer cleaning process, and the recipe for the wafer cleaning process can be used as it is. . Normally, cleaning disk F
After the brush 98 is separated from the cleaning liquid discharge nozzle 96
The main surface of the disk F is cleaned by blow cleaning or spray cleaning with the above, and then a rinse liquid is flown by the rinse nozzle 134 to remove the cleaning liquid from the disk F.

【0065】この実施形態における有効なブラシクリー
ニング方法の1つとして、クリーニング・ディスクFに
ブラシ98をこすりつけるに先立って洗浄液吐出ノズル
96により高圧の洗浄水をクリーニング・ディスクFに
吹き付けてディスク表面を帯電させてよい。この直後に
ブラシ98をディスク表面にこすりつけると、ブラシ9
8に付着している異物が静電力でディスクF側へ転移し
やすくなり、クリーニング効果を高められる。この方法
を用いるためには、ディスクFを帯電しやすい材質たと
えばシリコン基板で構成するのが好ましい。
As one of the effective brush cleaning methods in this embodiment, prior to rubbing the brush 98 on the cleaning disk F, high-pressure cleaning water is sprayed onto the cleaning disk F by the cleaning liquid discharge nozzle 96 to clean the disk surface. May be charged. Immediately after this, when the brush 98 is rubbed on the surface of the disc, the brush 9
The foreign matter adhering to 8 is easily transferred to the disk F side by electrostatic force, and the cleaning effect is enhanced. In order to use this method, it is preferable that the disk F be made of a material that is easily charged, such as a silicon substrate.

【0066】図8〜図10に他の実施例によるクリーニ
ング・ディスクFの構成を示す。図8の実施例は、ディ
スク周縁部から中心部まで半径方向内側に向って目が次
第に細かくなるようにやすり面148をディスクF上に
一面に形成したものである。このようなクリーニング・
ディスクFを用いる場合においても、図8の(B)に示
すように、ブラシ98をディスク外周側からディスク中
心側へスキャンして粗いクリーニングから除除にまたは
段階的に仕上げのクリーニングへ移行させてよい。
8 to 10 show the construction of a cleaning disk F according to another embodiment. In the embodiment of FIG. 8, a file surface 148 is formed on the entire surface of the disk F so that the eyes gradually become finer radially inward from the disk peripheral portion to the central portion. Cleaning like this
Even in the case of using the disk F, as shown in FIG. 8B, the brush 98 is scanned from the disk outer peripheral side to the disk central side to remove from coarse cleaning or gradually move to final cleaning. Good.

【0067】図9および図10の実施例は、ディスク中
心側に比較的粗い目のやすり部150を円形に形成し、
ディスク周縁側に比較的細かい目のやすり部152を環
状に形成したものである。このタイプのクリーニング・
ディスクFを用いるときは、最初にブラシ98を中心側
(粗い目)のやすり部150にこすりつけて粗くクリー
ニングし、次にブラシ98を周縁側(細かい目)のやす
り部152にこすりつけて仕上げのクリーニングとして
よい。周縁側(細かい目)のやすり部152では、ディ
スクFを高速の線速度でブラシ98にこすりつけること
で、仕上げ品質を高めることができる。
In the embodiment shown in FIGS. 9 and 10, a relatively coarse mesh file 150 is formed in a circular shape on the center side of the disk,
The file portion 152 having a relatively fine mesh is formed in an annular shape on the peripheral edge side of the disk. This type of cleaning
When the disk F is used, first, the brush 98 is rubbed on the center side (coarse-grained) file 150 for coarse cleaning, and then the brush 98 is rubbed on the peripheral-side (fine-grained) file 152 for final cleaning. Good as At the peripheral side (fine-grained) file 152, the finish quality can be improved by rubbing the disk F on the brush 98 at a high linear velocity.

【0068】もっとも、このタイプのクリーニング・デ
ィスクFでは、最初の粗クリーニング工程で用いられた
ディスク中心側のやすり部150より遠心力で半径方向
外側に流れ出る廃液(使用済みの洗浄液)が周縁側のや
すり部152に流入すると、仕上げクリーニング工程で
ブラシ98が廃液で汚れるおそれがある。
However, in this type of cleaning disk F, the waste liquid (used cleaning liquid) flowing outward in the radial direction by centrifugal force from the file portion 150 on the disk center side used in the first rough cleaning step is on the peripheral side. If the brush 98 flows into the file portion 152, the brush 98 may be contaminated with the waste liquid in the finish cleaning process.

【0069】この不都合を回避するために、図9の実施
例では、ディスクF上で両やすり部150,152の間
に設けられる環状の空きスペース154より周縁側のや
すり部152を横断するようにしてディスク外周エッジ
まで半径方向外側に放射状に延びる複数(図示の例は4
本)の廃液通路156を設けている。また、図10の実
施例では、空きスペース154に多数の通孔からなる廃
液排出穴158を設けている。ディスク中心側のやすり
部150から外に出た廃液は、図9の実施例では廃液通
路156の上を流れてディスクFの外へ放出され、図1
0の実施例では廃液排出穴158を抜けてディスクFの
下へ放出される。図10の実施例は、スピンチャック1
18に比較的小さな基板載置面を有するバキューム式チ
ャックを用いる場合に適している。
In order to avoid this inconvenience, in the embodiment of FIG. 9, the file portion 152 on the peripheral side of the annular empty space 154 provided between the file files 150 and 152 on the disk F is traversed. A plurality of radially extending radially outwards to the disk outer peripheral edge (in the example shown, 4
The waste liquid passage 156 of the (book) is provided. Further, in the embodiment of FIG. 10, the empty space 154 is provided with the waste liquid discharge hole 158 composed of a large number of through holes. In the embodiment of FIG. 9, the waste liquid that has flowed out from the rasp portion 150 on the center side of the disc flows over the waste liquid passage 156 and is discharged to the outside of the disc F.
In the embodiment of No. 0, the liquid is discharged through the waste liquid discharge hole 158 and is discharged below the disc F. The embodiment of FIG. 10 is a spin chuck 1.
It is suitable when using a vacuum chuck having a relatively small substrate mounting surface.

【0070】図11に、スクラブ洗浄ユニット(SC
R)40内でブラシ・クリーニングの要否を判定するた
めの各種のモニタ方法を示す。洗浄カップ92に隣接す
るブラシ待機位置にはブラシバス99が設けられてお
り、ブラシ98は待機中にブラシバス99の中で自転
(スピン回転)しながら傍らの洗浄ノズル160より洗
浄液たとえば純水を振りかけられることにより、汚れを
ある程度まで落とすことができる。
FIG. 11 shows a scrub cleaning unit (SC
R) 40 shows various monitoring methods for determining the necessity of brush cleaning. A brush bath 99 is provided at a brush standby position adjacent to the cleaning cup 92. The brush 98 rotates (spins) in the brush bath 99 during standby, and a cleaning liquid such as pure water is supplied from a cleaning nozzle 160 beside the brush 98. By sprinkling, dirt can be removed to some extent.

【0071】この実施例におけるモニタ方法の1つは、
ブラシバス99の底または側壁部に撮像手段としてたと
えば光ファイバスコープ162を取り付け、撮像画像を
イメージファイバ164を介してモニタ処理部166へ
送り、画像処理または目視検査によりブラシ98の汚れ
具合ひいてはクリーニングの要否を判定するものであ
る。
One of the monitoring methods in this embodiment is
For example, an optical fiber scope 162 is attached to the bottom or side wall of the brush bath 99 as an image pickup means, the picked-up image is sent to the monitor processing section 166 through the image fiber 164, and the brush 98 is cleaned by image processing or visual inspection, and is then cleaned. The necessity is determined.

【0072】別のモニタ方法は、ブラシバス99からの
排液を排液管168の途中で排液成分分析器170ある
いは液中パーティクルカウンタ172に導くものであ
る。排液成分分析器170で排液に含まれるブラシ98
の汚れ成分を分析して、その分析結果から汚れ具合ひい
てはクリーニングの要否を判定することができる。ま
た、液中パーティクルカウンタ172で排液中の微粒子
を異物とみなして計数し、計数結果から汚れ具合ひいて
はクリーニングの要否を判定することができる。
Another monitoring method is to guide the drainage from the brush bath 99 to the drainage component analyzer 170 or the submerged particle counter 172 in the middle of the drainage pipe 168. Brush 98 included in the drainage in the drainage component analyzer 170
It is possible to analyze the dirt component of No. 2 and determine the degree of dirt, and thus the necessity of cleaning, from the analysis result. Further, the in-liquid particle counter 172 counts the fine particles in the discharged liquid as foreign matter and counts them, and from the count result, it is possible to determine the degree of contamination and thus the necessity of cleaning.

【0073】なお、上記のようなモニタリングにおい
て、クリーニング要の判定を出す際に、ブラシ98の汚
れ具合に関する分析結果(たとえばゴミの数、ゴミの大
きさ分布等のいずれかまたはそれらの全部)も併せて出
すようにしてよい。かかる分析結果に基づいて、ブラシ
クリーニング加工のパラメータ(たとえばクリーニング
・ディスクFの回転数、クリーニング・ディスクFにブ
ラシ98を押し当てる時間等のいずれかまたはそれらの
組み合わせ)を制御してもよく、そのようなパラメータ
制御によりブラシクリーニング能力を一層向上させるこ
とができる。また、やすり部の異なる(たとえば細かい
目は同じで粗い目が異なる)複数のクリーニング・ディ
スクFを備え、ブラシ98の汚れ具合の分析結果に基づ
いて最適なクリーニング・ディスクFを選択するように
してもよい。
In the monitoring as described above, the analysis result (for example, the number of dust particles, the size distribution of dust particles, or the like, or all of them) when the necessity of cleaning is determined is determined. You may also submit it together. Based on the analysis result, the parameters of the brush cleaning process (for example, the number of revolutions of the cleaning disk F, the time for which the brush 98 is pressed against the cleaning disk F, or a combination thereof) may be controlled. By such parameter control, the brush cleaning ability can be further improved. Further, a plurality of cleaning disks F having different files (for example, the same fine mesh but different coarse mesh) are provided, and the optimum cleaning disk F is selected based on the analysis result of the degree of dirt of the brush 98. Good.

【0074】上記のようにしてスクラブ洗浄ユニット
(SCR)40内でブラシ98のクリーニングが行われ
た後は、主ウエハ搬送機構(PRA)30がウエハWを
搬出するときと同じ仕方でクリーニング・ディスクFを
該ユニット(SCR)40から搬出する。そして、主ウ
エハ搬送機構(PRA)30は、搬出したクリーニング
・ディスクFを該当のディスク保管ユニット(CLN)
50へ戻す。
After the brush 98 is cleaned in the scrub cleaning unit (SCR) 40 as described above, the cleaning disk is carried out in the same manner as when the main wafer transfer mechanism (PRA) 30 carries out the wafer W. F is carried out from the unit (SCR) 40. The main wafer transfer mechanism (PRA) 30 then transfers the cleaning disk F carried out to the corresponding disk storage unit (CLN).
Return to 50.

【0075】上記のように、この実施形態の洗浄処理シ
ステム10では、スクラブ洗浄ユニット(SCR)40
内に外からウエハWの代わりにクリーニング・ディスク
Fを持ち込んで、ウエハ洗浄処理用のツールを利用して
洗浄カップ92内でブラシ98から異物を除去すること
ができる。このことにより、スクラブ洗浄ユニット(S
CR)40内においてブラシクリーニング用の特別な治
具や機構は一切不要としており、ブラシクリーニングに
伴なうユニット(SCR)40の煩雑化や占有スペース
の増加を完全に回避している。この利点は、スクラブ洗
浄ユニット(SCR)40の設置台数が多くなるほど顕
著であり、システム全体の効率性、コスト、フットプリ
ント、メンテナンス性等も著しく向上する。
As described above, in the cleaning processing system 10 of this embodiment, the scrub cleaning unit (SCR) 40 is used.
The cleaning disk F can be brought in from the outside instead of the wafer W, and foreign matters can be removed from the brush 98 in the cleaning cup 92 using a tool for wafer cleaning processing. As a result, the scrub cleaning unit (S
The CR (CR) 40 does not require any special jig or mechanism for brush cleaning, so that the unit (SCR) 40 associated with brush cleaning is prevented from becoming complicated and occupying a large space. This advantage becomes more remarkable as the number of scrub cleaning units (SCR) 40 installed increases, and the efficiency, cost, footprint, maintainability, and the like of the entire system are significantly improved.

【0076】ディスク保管ユニット(CLN)50は、
基本的には、外部から遮断された室内にクリーニング・
ディスクFを保管するだけのユニット構造でもよい。も
っとも、スクラブ洗浄ユニット(SCR)40内で上記
のようにブラシクリーニングの直後に洗浄しただけでは
クリーニング・ディスクFの汚れが落ちないこともあ
る。したがって、ディスク保管ユニット(CLN)50
内にも洗浄機構を設ける構成が好ましい。
The disk storage unit (CLN) 50 is
Basically, cleaning and
A unit structure in which only the disc F is stored may be used. However, in some cases, the cleaning disk F may not be contaminated by just cleaning the scrub cleaning unit (SCR) 40 immediately after the brush cleaning as described above. Therefore, the disk storage unit (CLN) 50
It is preferable that the cleaning mechanism is provided inside.

【0077】図12に、ディスク保管ユニット(CL
N)50内に設置可能な洗浄機構の一例を示す。この洗
浄機構174は、薬液等の洗浄液Bを収容する洗浄液槽
176の中にクリーニング・ディスクFを浸けてディス
クFの汚れを除去できるようにしている。ディスクF
は、水平支持板178の上に垂直に立設された複数本た
とえば3本の支持ピン180によって水平に支持され、
たとえばエアシリンダからなる昇降駆動手段182によ
る昇降移動によって洗浄液槽176の中に沈められた
り、液槽の上に持ち上げられる。各支持ピン180を昇
降可能に通す槽の底穴はベローズ182によってシール
されている。排液管184に設けられた開閉弁186を
開けて洗浄液槽178の中を空にすることも可能であ
り、洗浄液ノズル188より洗浄液Bを供給または補給
することもできる。図示省略するが、洗浄液槽178か
ら出されたディスクFにリンス液を供給するためのリン
スノズルを設けてよい。また、上方にたとえばCCDカ
メラ190を設置して、ディスクFの主面を撮像し、画
像処理によって、または目視検査によって、洗浄の要否
や洗浄時機を判定することも可能である。
FIG. 12 shows a disk storage unit (CL
N) An example of a cleaning mechanism that can be installed in the unit 50 is shown. The cleaning mechanism 174 is configured to remove the dirt on the disk F by immersing the cleaning disk F in a cleaning solution tank 176 containing a cleaning solution B such as a chemical solution. Disk F
Is horizontally supported by a plurality of, for example, three support pins 180 vertically provided on the horizontal support plate 178,
For example, it is submerged in the cleaning liquid tank 176 or lifted above the liquid tank by the vertical movement by the vertical drive means 182 including an air cylinder. The bottom hole of the tank through which each support pin 180 can be moved up and down is sealed by a bellows 182. The opening / closing valve 186 provided in the drainage pipe 184 can be opened to empty the cleaning liquid tank 178, and the cleaning liquid B can be supplied or replenished from the cleaning liquid nozzle 188. Although not shown, a rinse nozzle may be provided to supply the rinse liquid to the disc F discharged from the cleaning liquid tank 178. Further, for example, a CCD camera 190 may be installed above, an image of the main surface of the disk F may be picked up, and the necessity of cleaning or the timing of cleaning may be determined by image processing or visual inspection.

【0078】また、図13に示すように秤(たとえば電
子てんびん)192にディスクFを載せて重量を計量
し、重量の増加分を汚れの量とみなして、ディスクFの
洗浄要否を判定することも可能である。図13の構成例
において、194は支持ピン、196は昇降機構であ
る。この場合、洗浄が必要と判定したときは、別のディ
スク保管ユニット(CLN)50に設置されている洗浄
機構(たとえば図12の洗浄機構174)にディスクF
をいったん移送して汚れを落とし、きれいになったディ
スクFを元のディスク保管ユニット(CLN)50へ戻
すことができる。
Further, as shown in FIG. 13, the disk F is placed on a balance (for example, an electronic balance) 192 and the weight is measured, and the increase in the weight is regarded as the amount of dirt, and the necessity of cleaning the disk F is determined. It is also possible to do so. In the configuration example of FIG. 13, 194 is a support pin and 196 is a lifting mechanism. In this case, when it is determined that cleaning is necessary, the disk F is transferred to the cleaning mechanism (for example, the cleaning mechanism 174 of FIG. 12) installed in another disk storage unit (CLN) 50.
Can be once transferred to remove dirt, and the cleaned disk F can be returned to the original disk storage unit (CLN) 50.

【0079】なお、この洗浄処理システム10において
用意しておくクリーニング・ディスクFの型式や材質は
1種類に限るものではなく、多種類用意して使い分ける
ことも可能である。たとえば、ウエハWのおもて面にお
ける被洗浄膜の材質に応じて材質の異なるクリーニング
・ディスクFを使い分けてもよい。たとえば、金属配線
膜に対するウエハ洗浄処理の後は金属製のクリーニング
・ディスクFを用いてブラシ・クリーニングを行い、絶
縁膜に対するウエハ洗浄処理の後は樹脂たとえばPTF
E(ふっ素樹脂)製のクリーニング・ディスクFを用い
てブラシ・クリーニングを行うようにしてよい。
The type and material of the cleaning disk F prepared in the cleaning processing system 10 are not limited to one kind, and it is possible to prepare and use many kinds. For example, different cleaning disks F may be used depending on the material of the film to be cleaned on the front surface of the wafer W. For example, brush cleaning is performed using a metal cleaning disk F after the wafer cleaning process for the metal wiring film, and resin such as PTF is used after the wafer cleaning process for the insulating film.
A cleaning disk F made of E (fluorine resin) may be used for brush cleaning.

【0080】また、この洗浄処理システム10において
は、ディスク保管ユニット(CLN)50とスクラブ洗
浄ユニット(SCR)40との間だけでなく、洗浄処理
部14内の全てのユニットの間で、あるいは洗浄処理部
14と搬入出部12との間でもクリーニング・ディスク
Fをやりとりすることができる。このことにより、たと
えば、クリーニング・ディスクFの主面またはクリーニ
ング面を両面とし、反転ユニット(RVS)44で上下
反転を行うことにより、1枚のクリーニング・ディスク
Fの両面を交互にまたは選択的にブラシ・クリーニング
に供することが可能である。あるいは、各ディスク保管
ユニット(CLN)50で保管するクリーニング・ディ
スクFを新品と交換したり、ディスク保管ユニット(C
LN)50を経由することなく、搬入出部12からクリ
ーニング・ディスクFをスクラブ洗浄ユニット(SC
R)40に直接搬入したり、スクラブ洗浄ユニット(S
CR)40からクリーニング・ディスクFを搬入出部1
2へ直接搬出することも可能である。
Further, in the cleaning processing system 10, not only between the disk storage unit (CLN) 50 and the scrub cleaning unit (SCR) 40, but also between all the units in the cleaning processing unit 14 or cleaning. The cleaning disk F can be exchanged between the processing unit 14 and the loading / unloading unit 12. By this, for example, the main surface or the cleaning surface of the cleaning disk F is set to both sides, and the reversing unit (RVS) 44 performs the upside-down reversal, so that both surfaces of one cleaning disk F are alternately or selectively. It can be used for brush cleaning. Alternatively, the cleaning disk F stored in each disk storage unit (CLN) 50 may be replaced with a new one, or the disk storage unit (C
The scrubbing cleaning unit (SC) from the loading / unloading section 12 to the cleaning disk F without passing through the LN) 50.
R) 40, or directly into the scrub cleaning unit (S
Loading / unloading section 1 for cleaning disk F from CR) 40
It is also possible to directly carry out to 2.

【0081】上記した実施形態は複数のスクラブ洗浄ユ
ニット(SCR)40を含む洗浄処理システムに係わる
ものであったが、本発明は1つまたは複数のスクラブ洗
浄ユニットを含む任意の処理システムに適用可能であ
り、単体のスクラブ洗浄装置にも適用可能である。
Although the embodiments described above relate to cleaning processing systems that include multiple scrub cleaning units (SCR) 40, the present invention is applicable to any processing system that includes one or more scrub cleaning units. It is also applicable to a single scrub cleaning device.

【0082】また、本発明における被処理基板は半導体
ウエハに限るものではなく、スクラブ洗浄を必要とする
任意の被処理基板たとえばLCD基板やフォトマスク、
CD基板等も含まれる。したがって、本発明におけるク
リーニング板もディスク形状に限定されるものではな
く、被処理基板の形状に応じて種々の形状を採択するこ
とができる。本発明におけるブラシもディスク型ブラシ
に限るものでなく、ロールブラシ等の他のブラシ形式も
可能である。
The substrate to be processed in the present invention is not limited to the semiconductor wafer, and any substrate to be processed which requires scrub cleaning, such as an LCD substrate or a photomask,
A CD substrate and the like are also included. Therefore, the cleaning plate in the present invention is not limited to the disk shape, and various shapes can be adopted according to the shape of the substrate to be processed. The brush in the present invention is not limited to the disk type brush, and other brush types such as a roll brush are also possible.

【0083】[0083]

【発明の効果】以上説明したように、本発明のブラシク
リーニング方法または処理システムによれば、スクラブ
洗浄装置またはユニットの煩雑化や大規模化を伴なうこ
となくスクラビング用のブラシを低コストで簡単かつ効
率的にクリーニングすることができる。
As described above, according to the brush cleaning method or processing system of the present invention, a scrubbing brush can be manufactured at low cost without complicating the scrubbing cleaning device or unit and increasing the scale. It can be cleaned easily and efficiently.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の一実施形態における洗浄処理システム
の構成を概略的に示す略平面図である。
FIG. 1 is a schematic plan view schematically showing a configuration of a cleaning processing system according to an embodiment of the present invention.

【図2】実施形態における洗浄処理システムの構成を概
略的に示す略正面図である。
FIG. 2 is a schematic front view schematically showing the configuration of the cleaning processing system in the embodiment.

【図3】実施形態における洗浄処理システムの構成を概
略的に示す略縦断面図である。
FIG. 3 is a schematic vertical cross-sectional view schematically showing the configuration of the cleaning processing system in the embodiment.

【図4】実施形態におけるスクラブ洗浄ユニット(SC
R)の構成例を示す平面図である。
FIG. 4 is a scrub cleaning unit (SC in the embodiment.
It is a top view which shows the structural example of R).

【図5】実施形態におけるスクラブ洗浄ユニット(SC
R)の構成例を示すX方向から見た略縦断面図である。
FIG. 5 is a scrub cleaning unit (SC according to the embodiment.
It is a schematic longitudinal sectional view seen from the X direction showing a configuration example of (R).

【図6】実施形態におけるスクラブ洗浄ユニット(SC
R)の構成例を示すY方向から見た略縦断面図である。
FIG. 6 is a scrub cleaning unit (SC according to the embodiment.
It is a schematic longitudinal sectional view seen from the Y direction showing a configuration example of (R).

【図7】一実施例によるクリーニング・ディスクの構成
を示す図である。
FIG. 7 is a diagram showing a configuration of a cleaning disk according to an embodiment.

【図8】一実施例によるクリーニング・ディスクの構成
を示す図である。
FIG. 8 is a diagram showing a configuration of a cleaning disk according to an embodiment.

【図9】一実施例によるクリーニング・ディスクの構成
を示す図である。
FIG. 9 is a diagram showing a configuration of a cleaning disk according to an embodiment.

【図10】一実施例によるクリーニング・ディスクの構
成を示す図である。
FIG. 10 is a diagram showing a configuration of a cleaning disk according to an embodiment.

【図11】実施形態におけるスクラブ洗浄ユニット(S
CR)内でブラシの汚れ具合を判定するための各種の方
法を示す図である。
FIG. 11 is a scrub cleaning unit (S in the embodiment.
It is a figure showing various methods for judging the degree of dirt of a brush in CR.

【図12】実施形態におけるディスク保管ユニット(C
LN)内の洗浄機構の構成を示す図である。
FIG. 12 shows a disk storage unit (C in the embodiment.
It is a figure which shows the structure of the washing | cleaning mechanism in LN).

【図13】実施形態におけるディスク保管ユニット(C
LN)内のディス汚れ判定方法を示す図である。
FIG. 13 shows a disk storage unit (C in the embodiment.
It is a figure which shows the disc dirt determination method in LN).

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10 洗浄処理システム 12 搬入出部 14 洗浄処理部 30 主ウエハ搬送機構(PRA) 40A〜40B スクラブ洗浄ユニット(SCR) 50 ディスク保管ユニット(CLN) 92 洗浄カップ 96 洗浄液吐出ノズル 98(98A,98B) ブラシ 100A,100B ブラシ保持アーム 101 ブラシ回転駆動機構 103 ブラシ支持軸 118 スピンチャック 122 基板脱着機構122 124 回転駆動機構 134 リンスノズル F クリーニング・ディスク 140,152 比較的細かい目のやすり部 142,150 比較的粗い目のやすり部 156 廃液通路 158 廃液排出穴 162 光ファイバスコープ 170 排液成分分析器 172 液中パーティクルカウンタ 174 洗浄機構 192 秤 10 Cleaning system 12 loading / unloading section 14 Cleaning section 30 Main wafer transfer mechanism (PRA) 40A-40B Scrub Cleaning Unit (SCR) 50 Disk storage unit (CLN) 92 Wash cup 96 Cleaning liquid discharge nozzle 98 (98A, 98B) brush 100A, 100B brush holding arm 101 Brush rotation drive mechanism 103 brush support shaft 118 Spin chuck 122 Substrate attachment / detachment mechanism 122 124 Rotation drive mechanism 134 Rinse nozzle F cleaning disc 140, 152 Rasp part of relatively fine eyes 142,150 Rasp for relatively coarse eyes 156 Waste liquid passage 158 Waste liquid discharge hole 162 optical fiber scope 170 Drainage component analyzer 172 Submerged particle counter 174 Cleaning mechanism 192 Scale

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Fターム(参考) 3B116 AA01 AA46 BA03 BA12 BA22 BB22 BB83 BB90 CC01 CD41 3B201 AA01 AA03 AA41 AA46 AB51 BA03 BA12 BA22 BB22 BB83 BB90 BB92 CC01 CD41 3B202 AA50 GB12    ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continued front page    F term (reference) 3B116 AA01 AA46 BA03 BA12 BA22                       BB22 BB83 BB90 CC01 CD41                 3B201 AA01 AA03 AA41 AA46 AB51                       BA03 BA12 BA22 BB22 BB83                       BB90 BB92 CC01 CD41                 3B202 AA50 GB12

Claims (16)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 被処理基板を所定の処理位置で保持しつ
つ、前記被処理基板をブラシでこすって洗浄するスクラ
ブ洗浄装置において前記ブラシをクリーニングする方法
であって、 前記被処理基板に代えて所定のクリーニング板を前記処
理位置で保持しつつ、前記クリーニング板に前記ブラシ
をこすりつけて前記ブラシから異物を除去するブラシク
リーニング方法。
1. A method of cleaning the brush in a scrubbing cleaning device for rubbing the substrate to be processed with a brush while holding the substrate to be processed at a predetermined processing position, in place of the substrate to be processed. A brush cleaning method for removing foreign matter from the brush by rubbing the brush on the cleaning plate while holding a predetermined cleaning plate at the processing position.
【請求項2】 前記ブラシをクリーニングする際に前記
ブラシと前記クリーニング板とがこすり合う部分に洗浄
液を供給する請求項1に記載のブラシクリーニング方
法。
2. The brush cleaning method according to claim 1, wherein a cleaning liquid is supplied to a portion where the brush and the cleaning plate rub each other when cleaning the brush.
【請求項3】 前記ブラシのクリーニングに続けて前記
処理位置の前記クリーニング板に洗浄液を吹き付けて前
記クリーニング板を洗浄する請求項1または2に記載の
ブラシクリーニング方法。
3. The brush cleaning method according to claim 1, wherein after cleaning the brush, a cleaning liquid is sprayed onto the cleaning plate at the processing position to clean the cleaning plate.
【請求項4】 前記ブラシのクリーニングに先立って前
記処理位置の前記クリーニング板に高圧の洗浄液を吹き
付けて前記クリーニング板を帯電させる請求項1〜3の
いずれかに記載のブラシクリーニング方法。
4. The brush cleaning method according to claim 1, wherein a high-pressure cleaning liquid is sprayed onto the cleaning plate at the processing position to charge the cleaning plate prior to cleaning the brush.
【請求項5】 前記クリーニング板の主面を多数の小突
起を有するやすり面に形成する請求項1〜4のいずれか
に記載のブラシクリーニング方法。
5. The brush cleaning method according to claim 1, wherein the main surface of the cleaning plate is a file surface having a large number of small projections.
【請求項6】 前記クリーニング板の主面に比較的細か
い目の第1のやすり部と比較的粗い目の第2のやすり部
とを設ける請求項5に記載のブラシクリーニング方法。
6. The brush cleaning method according to claim 5, wherein the main surface of the cleaning plate is provided with a first file portion having relatively fine mesh and a second file portion having relatively coarse mesh.
【請求項7】 前記クリーニング板上で前記第1のやす
り部を中心側に前記第2のやすり部を周縁側にそれぞれ
設け、前記ブラシのクリーニングを行う際に前記クリー
ニング板を前記処理位置でスピン回転させる請求項6に
記載のブラシクリーニング方法。
7. The cleaning plate is provided with the first file part on the center side and the second file part on the peripheral side, and the cleaning plate is spun at the processing position when cleaning the brush. The brush cleaning method according to claim 6, which is rotated.
【請求項8】 前記クリーニング板上で前記第2のやす
り部を中心側に前記第1のやすり部を周縁側にそれぞれ
設け、前記第2のやすり部と前記第1のやすり部との間
に前記第2のやすり部から流出する液を外へ導くための
排液部を設け、前記ブラシのクリーニングを行う際に前
記クリーニング基板を前記処理位置でスピン回転させる
請求項6に記載のブラシクリーニング方法。
8. On the cleaning plate, the second file portion is provided on the center side and the first file portion is provided on the peripheral side, and between the second file portion and the first file portion. 7. The brush cleaning method according to claim 6, further comprising a drainage part for guiding the liquid flowing out from the second file part to the outside, and spinning the cleaning substrate at the processing position when cleaning the brush. .
【請求項9】 前記ブラシをクリーニングする工程とし
て、最初に前記ブラシを前記第2のやすり部にこすりつ
け、次に前記ブラシを前記第1のやすり部にこすりつけ
る請求項6〜8のいずれかに記載のブラシクリーニング
方法。
9. The method according to claim 6, wherein as a step of cleaning the brush, the brush is first rubbed on the second file portion, and then the brush is rubbed on the first file portion. The brush cleaning method described.
【請求項10】 前記クリーニング板が前記被処理基板
とほぼ同形でほぼ同じサイズを有する請求項1〜9のい
ずれかに記載のブラシクリーニング方法。
10. The brush cleaning method according to claim 1, wherein the cleaning plate has substantially the same shape and substantially the same size as the substrate to be processed.
【請求項11】 被処理基板を搬入/搬出する搬入出部
と、 前記被処理基板を所定の処理位置でスクラブ洗浄するた
めのブラシを備えるスクラブ洗浄ユニットと、 前記ブラシをクリーニングするためのクリーニング板を
保管する保管ユニットと、 前記搬入出部と前記スクラブ洗浄ユニットとの間で前記
被処理基板を搬送し、前記保管ユニットと前記スクラブ
洗浄ユニットとの間で前記クリーニング板を搬送する搬
送手段とを有し、 前記ブラシをクリーニングするために、前記搬送手段に
より前記クリーニング板を前記保管ユニットから搬出し
て前記スクラブ洗浄ユニットへ搬入し、前記スクラブ洗
浄ユニット内で前記被処理基板に代えて前記クリーニン
グ板を前記処理位置で保持しつつ、前記クリーニング板
に前記ブラシをこすりつけて前記ブラシから異物を除去
する処理システム。
11. A loading / unloading unit for loading / unloading a substrate to be processed, a scrub cleaning unit including a brush for scrub cleaning the substrate to be processed at a predetermined processing position, and a cleaning plate for cleaning the brush. A storage unit for storing the substrate, a transfer unit for transferring the substrate to be processed between the loading / unloading unit and the scrub cleaning unit, and a transfer unit for transferring the cleaning plate between the storage unit and the scrub cleaning unit. In order to clean the brush, the cleaning plate is carried out from the storage unit by the carrying means and carried into the scrub cleaning unit, and the cleaning plate is replaced in the scrub cleaning unit in place of the substrate to be processed. While rubbing the brush on the cleaning plate while holding the Processing system for removing foreign matter from the brush.
【請求項12】 前記保管ユニットが、前記クリーニン
グ板を洗浄液を用いて洗浄するための洗浄機構を備える
請求項11に記載の処理システム。
12. The processing system according to claim 11, wherein the storage unit includes a cleaning mechanism for cleaning the cleaning plate with a cleaning liquid.
【請求項13】 前記保管ユニットが、前記クリーニン
グ板の汚れ具合を検出するための基板汚れ検出手段を備
える請求項11または12に記載の処理システム。
13. The processing system according to claim 11, wherein the storage unit includes a substrate contamination detection unit for detecting the degree of contamination of the cleaning plate.
【請求項14】 前記スクラブ洗浄ユニットが、 前記被処理基板または前記クリーニング板を前記処理位
置で保持するための保持手段と、 前記保持手段に保持される前記被処理基板または前記ク
リーニング板に洗浄液を供給する洗浄液供給手段と、 前記ブラシを支持する可動性のブラシ支持手段と、 前記ブラシ支持手段を駆動する駆動手段と、 前記ブラシを前記処理位置以外の所定の場所で待機させ
ておくためのブラシ待機部とを有する請求項11〜13
のいずれかに記載の処理システム。
14. The scrub cleaning unit holds a substrate for holding the substrate to be processed or the cleaning plate at the processing position, and a cleaning liquid to the substrate to be processed or the cleaning plate held by the holding unit. Cleaning liquid supplying means for supplying, movable brush supporting means for supporting the brush, driving means for driving the brush supporting means, and brush for keeping the brush in a predetermined place other than the processing position. It has a standby part.
The processing system according to any one of 1.
【請求項15】 前記スクラブ洗浄ユニットが、前記ブ
ラシ待機部で待機中の前記ブラシの汚れ具合を検出する
ブラシ汚れ検出手段を有する請求項14に記載の処理シ
ステム。
15. The processing system according to claim 14, wherein the scrubbing cleaning unit includes a brush stain detection unit that detects a stain degree of the brush waiting in the brush standby unit.
【請求項16】 前記スクラブ洗浄ユニットが、前記被
処理基板または前記クリーニング板を前記処理位置で可
変の回転速度でスピン回転させる回転駆動手段を有する
請求項14または15に記載の処理システム。
16. The processing system according to claim 14, wherein the scrub cleaning unit has a rotation driving unit that spin-rotates the substrate to be processed or the cleaning plate at a variable rotation speed at the processing position.
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