JP2003242885A - Manufacturing method of substrate for field emission type display - Google Patents
Manufacturing method of substrate for field emission type displayInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、電界放出型ディス
プレイ基板の製造方法に関し、さらに詳しくは、電気め
っきによる電界放出型ディスプレイ用前面板の金属製障
壁層の製造方法に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for manufacturing a field emission display substrate, and more particularly to a method for manufacturing a metal barrier layer of a front plate for a field emission display by electroplating.
【０００２】[0002]
【従来技術】近年、コンピュ−タのディスプレイ端末装
置や壁掛けテレビ等の方式として、液晶ディスプレイや
プラズマディスプレイが実用化されている。これらの平
面ディスプレイの中で、電界放出型ディスプレイ（フィ
−ルドエミッションディスプレイ（ＦＥＤ））は消費電
力が小さく、高輝度、高精細で、視野角が広くて見やす
いのが特徴で、一般家庭への普及が期待されている。2. Description of the Related Art In recent years, liquid crystal displays and plasma displays have been put into practical use as methods for computer display terminal devices, wall-mounted televisions, and the like. Among these flat displays, the field emission display (field emission display (FED)) has low power consumption, high brightness, high definition, wide viewing angle and easy viewing, and is suitable for general household use. It is expected to spread.
【０００３】一般に、電界放出型ディスプレイは、背面
板と前面板より成る一対の平坦なガラス等の絶縁基板
を、スペ−サ部材を介して対向に配置し、平板状の真空
容器を形成した構造を有している。一方の背面板（カソ
−ド基板）には、ガラス基板上に電気信号により電子を
放出するマトリックス状に配置した電子放出素子（エミ
ッタ電極）と、絶縁層を介してゲ−ト電極が設けられて
いる。他方の前面板（アノ−ド電極）には、ガラス基板
上にアノ−ド電極と、エミッタ電極から放出された電子
により可視発光する赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色
（Ｂ）の各色の蛍光体層が設けられており、従来、種々
の改良が成されてきている。Generally, a field emission display has a structure in which a flat vacuum container is formed by arranging a pair of flat insulating substrates, such as glass, including a back plate and a front plate, facing each other through a spacer member. have. One of the back plates (cathode substrate) is provided with electron-emitting devices (emitter electrodes) arranged in a matrix on the glass substrate to emit electrons in response to an electric signal, and a gate electrode via an insulating layer. ing. The other front plate (anode electrode) is an anode electrode on a glass substrate, and red (R), green (G), and blue (B) colors that emit visible light by electrons emitted from the emitter electrode. The phosphor layer is provided, and various improvements have been conventionally made.
【０００４】例えば、電界放出型ディスプレイ用前面板
として、外光の反射率を低減させることによりコントラ
ストを向上し、ディスプレイとして見やすくするため
に、Ｒ、Ｇ、Ｂの各画素以外の場所を低反射材料のブラ
ックマトリックス層で埋める方法が行われている。ブラ
ックマトリックス層としては、低反射の酸化クロム等を
真空成膜しフォトリソグラフィによりパタ−ン形成した
もの、黒色電着塗料を電着してパタ−ン形成したもの、
黒色インク層を印刷によりパタ−ン形成したもの等があ
る。For example, as a front plate for a field emission display, the reflectance of external light is reduced to improve the contrast, and in order to make it easier to see as a display, a portion other than each pixel of R, G and B has low reflection. A method of filling with a black matrix layer of material has been practiced. As the black matrix layer, a low reflection chromium oxide film formed by vacuum deposition and patterning by photolithography, a pattern formed by electrodeposition of a black electrocoating material,
There is a pattern in which a black ink layer is formed by printing.
【０００５】また、電界放出型ディスプレイ用前面板で
は、エミッタ電極から放出された電子の散乱や、あるい
は放出電子が蛍光体を発光させる時などに生じる反射電
子が、隣接する他の領域の蛍光体層に入射し、コントラ
ストや色純度を低下させて表示画質が劣化するという問
題がある。このため、特開平１１−１８５６７３号公報
に開示されているように、電界放出型ディスプレイ用前
面板に、ガラスを母材としたブラックマトリックスを蛍
光膜層の発光面よりも突出させ、例えば、高さ５０μｍ
のリブ状凸部を形成し、表面全体を導電薄膜層で被覆す
ることが行われている。Further, in the front panel for a field emission display, scattered electrons emitted from the emitter electrode, or reflected electrons generated when the emitted electrons cause the phosphor to emit light are used as fluorescent substances in other adjacent regions. There is a problem that the image quality is deteriorated due to the incidence on the layer and the reduction in contrast and color purity. Therefore, as disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 11-185673, a black matrix having glass as a base material is made to protrude from the light emitting surface of the fluorescent film layer on the front plate for a field emission display, and, for example, 50 μm
The rib-shaped protrusions are formed and the entire surface is covered with the conductive thin film layer.
【０００６】しかし、特開平１１−１８５６７３号公報
に示されるように、黒色ガラスペ−ストのような高粘度
の材料を均一に基板に塗布し、サンドブラスト処理でパ
タ−ン化する場合、基板面に損傷を与え易く、例えば、
すでにガラス基板上に配線パタ−ンが形成されている場
合には、配線部分を物理的にたたいて傷を付けてしまう
という問題があった。また、絶縁物でリブ状凸部である
障壁層を形成したままでは、障壁層に電荷が蓄積し、障
壁層のチャ−ジアップにより後から放出された電子が曲
げられ、効率のよい表示が行えないので、導電性付与の
ための金属薄膜形成工程が必須となり、工程が複雑にな
るという問題があった。However, as disclosed in Japanese Unexamined Patent Publication No. 11-185673, when a highly viscous material such as black glass paste is uniformly applied to a substrate and patterning is performed by sandblasting, the substrate surface is covered. Prone to damage, for example
When the wiring pattern has already been formed on the glass substrate, there is a problem that the wiring portion is physically hit and scratched. In addition, if the barrier layer, which is a rib-shaped convex portion, is made of an insulating material, charges are accumulated in the barrier layer, and the electrons emitted later are bent by the charge-up of the barrier layer, which enables efficient display. Therefore, there is a problem in that the step of forming a metal thin film for imparting conductivity becomes essential and the step becomes complicated.
【０００７】一方、この障壁層の電荷蓄積対策として、
例えば特開平９−７３８６９号公報、あるいは特開２０
０２−０３３０５８号公報に示されるように、スペ−サ
部材や障壁層を導電性材料のニッケル等の金属をめっき
で形成する方法が知られている。On the other hand, as a measure for accumulating charges in the barrier layer,
For example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 9-73869, or Japanese Patent Application Laid-Open No. 20
As disclosed in Japanese Unexamined Patent Publication No. 02-033058, a method is known in which a spacer member and a barrier layer are formed by plating a metal such as nickel which is a conductive material.
【０００８】[0008]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、特開平
９−７３８６９号公報が開示しているめっき法によるニ
ッケル等の導電性金属のスペ−サ部材は、スペ−サ部材
形成予定部に開口部を有するレジストパタ−ンを、多層
レジスト法で形成しているが、多層レジスト法はレジス
トプロセスが複雑となり、レジスト欠陥を生じ易いとい
う問題があった。However, in the spacer member made of a conductive metal such as nickel by the plating method disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. 9-73869, an opening is formed in the space where the spacer member is to be formed. The existing resist pattern is formed by the multi-layer resist method, but the multi-layer resist method has a problem that the resist process is complicated and resist defects are likely to occur.
【０００９】また、特開平９−７３８６９号公報および
特開２００２−０３３０５８号公報が示しているよう
に、電界放出型ディスプレイ用前面板を構成する層を電
気めっきで形成する場合には、めっきが必要な部分のみ
をめっきし、それ以外の部分はフォトレジスト等で覆っ
て、めっきされないようにするパタ−ンめっきが用いら
れている。電界放出型ディスプレイ用前面板の金属製障
壁層のようにアスペクト比（高さ／幅）の大きい金属製
パタ−ンを形成するには、必要とされる障壁層の高さ以
上の厚さでレジストパタ−ンを形成しなければならな
い。しかし、従来、障壁層に対応するレジストパタ−ン
を形成した後の電気めっきにおいて、しばしばめっきに
よる欠陥が生じていた。Further, as disclosed in JP-A-9-73869 and JP-A-2002-033058, when a layer constituting a front plate for a field emission display is formed by electroplating, plating is performed. Pattern plating is used in which only the necessary portions are plated and the other portions are covered with photoresist or the like to prevent plating. In order to form a metal pattern having a large aspect ratio (height / width) like the metal barrier layer of the front panel for a field emission display, a thickness not less than the required height of the barrier layer is required. A resist pattern must be formed. However, conventionally, in electroplating after forming a resist pattern corresponding to the barrier layer, defects due to plating often occur.
【００１０】図３は従来の方法により、透明基板２の導
電層４上の所定位置にフォトレジストで障壁層用レジス
トパタ−ン５を形成し、次に基板をめっき液中に浸漬し
た時に、レジストパタ−ンの開口部６に生じた気泡１８
の模式図である。図３に示すように、めっき液の圧力に
より、アスペクト比の大きいレジストパタ−ン開口部６
の底部やレジスト側面に付着している気泡１８は排出さ
れずに残り易く、気泡１８の残留した個所はめっき液に
濡れることがない。この状態でめっきを進めても、気泡
１８の残留部分にめっき膜は形成されない。そのため、
めっきむら、めっき密着不良、めっき形状不良、めっき
欠け等の欠陥を生じるという問題があった。In FIG. 3, a resist pattern 5 for a barrier layer is formed by a photoresist at a predetermined position on the conductive layer 4 of the transparent substrate 2 by a conventional method, and when the substrate is then immersed in a plating solution, the resist pattern is formed. Air bubbles 18 generated in the opening 6
FIG. As shown in FIG. 3, the resist pattern opening 6 having a large aspect ratio is formed by the pressure of the plating solution.
The bubbles 18 adhering to the bottom and the side surface of the resist tend to remain without being discharged, and the portion where the bubbles 18 remain does not get wet with the plating solution. Even if the plating proceeds in this state, the plating film is not formed on the remaining portion of the bubbles 18. for that reason,
There is a problem that defects such as uneven plating, poor plating adhesion, poor plating shape, and defective plating occur.
【００１１】[0011]
【発明が解決しようとする課題】そこで、本発明はこの
ような問題点を解消するためになされたものである。そ
の目的は、めっきによる欠陥がなく、下地層との密着性
の良い、電界放出型ディスプレイ用前面板の金属製障壁
層を形成するめっき方法を提供することである。Therefore, the present invention has been made to solve such a problem. It is an object of the present invention to provide a plating method for forming a metal barrier layer of a front plate for a field emission display, which is free from defects due to plating and has good adhesion to an underlayer.
【００１２】めっき時に、アスペクト比の大きいレジス
トパタ−ン開口部内の気泡発生を防止するためには、め
っき前にレジストパタ−ン開口部内の濡れ性を向上させ
ておく必要がある。従来、めっき前に基板表面の濡れ性
を改善する方法としては、振動衝撃法、超音波法、スプ
レ−水洗法等が知られている。During plating, in order to prevent bubbles from being generated in the resist pattern opening having a large aspect ratio, it is necessary to improve the wettability in the resist pattern opening before plating. Conventionally, as a method of improving the wettability of the substrate surface before plating, a vibration impact method, an ultrasonic method, a spray-water washing method and the like are known.
【００１３】しかしながら、振動や超音波等により気泡
を破砕する振動衝撃法や超音波法は、電界放出型ディス
プレイ用前面板部材のような薄いガラス基板上に有機高
分子化合物からなるフォトレジストを設けた対象物には
不向きである。また、特開平１１−３５０１８７号公報
に示されるような、霧化液体吹付けもしくはスプレ−水
洗法は、水圧によってパタ−ン内部を濡らし、めっき下
地層やレジスト表面の濡れ性を向上させるが、めっきす
べきパタ−ンの形状やパタ−ン部の面積によってスプレ
−条件を調整する必要があり、比較的パラメ−タ管理が
複雑であった。However, in the vibration impact method or ultrasonic method in which air bubbles are crushed by vibration or ultrasonic waves, a photoresist made of an organic polymer compound is provided on a thin glass substrate such as a front plate member for a field emission display. It is not suitable for a target object. Further, the atomized liquid spraying or spray washing method as disclosed in JP-A-11-350187 wets the inside of the pattern with water pressure to improve the wettability of the plating underlayer and the resist surface. It was necessary to adjust the spray conditions depending on the shape of the pattern to be plated and the area of the pattern portion, and the parameter management was relatively complicated.
【００１４】[0014]
【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
めに、請求項１の発明に係わる電界放出型ディスプレイ
用前面板の金属製障壁層の製造方法は、透明基板の一方
の面にブラックマトリックス層、導電層が順次設けら
れ、該導電層上の所定位置にフォトレジストで障壁層用
レジストパタ−ンを形成し、該障壁層用レジストパタ−
ンの開口部に電気めっきにより金属製障壁層を形成し、
次に該障壁層用レジストパタ−ンを除去することにより
形成する電界放出型ディスプレイ用前面板の金属製障壁
層の製造方法において、前記障壁層用レジストパタ−ン
形成後、障壁層用レジストパタ−ンを有する透明基板を
減圧下で処理液に浸漬し、次に電気めっきを行うように
したものである。本発明によれば、めっき欠陥のない金
属製障壁層を有する電界放出型ディスプレイ用前面板が
提供される。In order to solve the above-mentioned problems, a method of manufacturing a metal barrier layer of a front plate for a field emission display according to the invention of claim 1 has a black surface on one surface of a transparent substrate. A matrix layer and a conductive layer are sequentially provided, and a resist layer resist pattern is formed with a photoresist at a predetermined position on the conductive layer, and the barrier layer resist pattern is formed.
A metal barrier layer by electroplating in the opening of the
Next, in the method for manufacturing a metal barrier layer of a front panel for a field emission display, which is formed by removing the resist pattern for the barrier layer, after forming the resist pattern for the barrier layer, the resist pattern for the barrier layer is formed. The transparent substrate is immersed in the treatment liquid under reduced pressure, and then electroplating is performed. According to the present invention, there is provided a front plate for a field emission display having a metal barrier layer having no plating defect.
【００１５】請求項２の発明に係わる電界放出型ディス
プレイ用前面板の金属製障壁層の製造方法は、前記処理
液が、純水であるようにしたものであり、簡便な方法が
提供される。In the method for producing the metal barrier layer of the front panel for a field emission display according to the second aspect of the present invention, the treatment liquid is pure water, and a simple method is provided. .
【００１６】請求項３の発明に係わる電界放出型ディス
プレイ用前面板の金属製障壁層の製造方法は、前記処理
液が、界面活性剤を添加した純水であるようにしたもの
であり、レジストパタ−ン開口部の濡れ性を向上させた
方法が提供される。According to a third aspect of the present invention, there is provided a method for producing a metal barrier layer for a front panel for a field emission display, wherein the treatment liquid is pure water containing a surfactant, and the resist pattern is used. A method is provided that has improved wettability of the opening.
【００１７】請求項４の発明に係わる電界放出型ディス
プレイ用前面板の金属製障壁層の製造方法は、前記処理
液が導電層を構成する金属のソフトエッチング液である
ようにしたものであり、めっきの前処理を兼ねた方法が
提供される。According to a fourth aspect of the present invention, there is provided a method for manufacturing a metal barrier layer of a front plate for a field emission display, wherein the treatment liquid is a soft etching liquid for a metal forming a conductive layer. A method that doubles as a pretreatment for plating is provided.
【００１８】請求項５の発明に係わる電界放出型ディス
プレイ用前面板の金属製障壁層の製造方法は、請求項１
〜請求項４に記載のいずれかの製造方法において、前記
処理液に浸漬時の減圧下の圧力が、１Ｐａ〜１×１０2
Ｐａであるようにしたものであり、短時間の処理液浸漬
で効果を示す方法が提供される。A method of manufacturing a metal barrier layer of a front plate for a field emission display according to the invention of claim 5 is the method according to claim 1.
~ In any one of the manufacturing methods according to claim 4, the pressure under reduced pressure at the time of immersion in the treatment liquid is 1 Pa to 1 x 10 2.
A method of exhibiting an effect by immersion in the treatment liquid for a short time is provided.
【００１９】[0019]
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
を参照して説明する。図１は本発明における電界放出型
ディスプレイ用前面板の金属製障壁層の製造方法を示す
工程図である。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 is a process diagram showing a method for manufacturing a metal barrier layer of a front plate for a field emission display according to the present invention.
【００２０】図１（ａ）に示すように、ガラス基板等の
透明基板２の一方の面上に酸化クロム等の低反射金属化
合物をスパッタリング、蒸着等の真空成膜法で設けてブ
ラックマトリックス層３を形成し、次に、真空成膜法ま
たは無電界めっき法によりブラックマトリックス層３上
に導電層４を設けた基板を準備する。As shown in FIG. 1A, a black matrix layer is formed by providing a low reflection metal compound such as chromium oxide on one surface of a transparent substrate 2 such as a glass substrate by a vacuum film forming method such as sputtering or vapor deposition. 3 is formed, and then, a substrate in which the conductive layer 4 is provided on the black matrix layer 3 is prepared by a vacuum film forming method or an electroless plating method.
【００２１】透明基板２としては、電界放出型ディスプ
レイに用いられる厚さ０．５〜３ｍｍ程度のガラス基
板、石英基板等が使用できる。ブラックマトリックス層
３としては、金属酸化物、金属窒化物、金属酸窒化物等
が用いられ、例えば、酸化クロム、窒化クロム、酸窒化
クロム等の低反射金属化合物を単層、もしくは酸化クロ
ム／クロムの２層あるいは酸化クロム／クロム／酸化ク
ロムの３層構造として、真空蒸着法やスパッタリング法
等の真空成膜法により、厚さ０．０４〜０．３μｍ程度
の範囲で形成する。As the transparent substrate 2, a glass substrate, a quartz substrate or the like having a thickness of about 0.5 to 3 mm used in a field emission display can be used. As the black matrix layer 3, a metal oxide, a metal nitride, a metal oxynitride, or the like is used. For example, a low-reflection metal compound such as chromium oxide, chromium nitride, or chromium oxynitride is formed as a single layer or chromium oxide / chromium. The two-layer structure or the three-layer structure of chromium oxide / chromium / chromium oxide is formed in a thickness of about 0.04 to 0.3 μm by a vacuum film forming method such as a vacuum vapor deposition method or a sputtering method.
【００２２】なお、本発明では、透明基板として、透明
基板の一方の面上に予め酸化インジウムスズ（ＩＴ
Ｏ）、酸化スズ等の透明電極のパタ−ンを設けた基板も
使用可能である。また、本発明は、各障壁層を導通回路
によって相互に導通する目的で、透明基板の一方の面上
に導電性金属で障壁層導通回路を予め設けた基板にも適
用できるものである。In the present invention, as a transparent substrate, indium tin oxide (IT) is previously formed on one surface of the transparent substrate.
It is also possible to use a substrate provided with a pattern of transparent electrodes such as O) and tin oxide. Further, the present invention can be applied to a substrate in which a barrier layer conduction circuit is previously provided with a conductive metal on one surface of a transparent substrate for the purpose of mutually conducting the barrier layers by a conduction circuit.
【００２３】本発明では、ブラックマトリックス層およ
び導電層は、障壁層用フォトレジストを塗布する前に、
すでに所定形状にパタ−ン化された状態であってもよい
し、あるいは障壁層用フォトレジストを塗布する前に
は、ブラックマトリックス層および導電層は、まだパタ
−ン化されていなくて全面に設けられた状態であっても
よい。後者の場合には、障壁層をめっきした後の工程
で、ブラックマトリックス層および導電層は所定の形状
にエッチングされてパタ−ン化される。In the present invention, the black matrix layer and the conductive layer are formed by applying the photoresist for the barrier layer,
It may have been patterned into a predetermined shape, or the black matrix layer and the conductive layer have not yet been patterned and may be formed on the entire surface before applying the photoresist for the barrier layer. It may be provided. In the latter case, the black matrix layer and the conductive layer are etched into a predetermined shape and patterned in the step after plating the barrier layer.
【００２４】後述のめっき工程で設けられる障壁層は、
三原色の蛍光体素子Ｒ、Ｇ、Ｂからなる一組の素子間に
おいて、ブラックマトリックス層上に他の層を介して形
成される。一般に、ブラックマトリックス層３は金属酸
化物が主体なので、絶縁性か、もしくは電気導電性が低
いため、障壁層を電気めっきで形成する場合には、まず
ブラックマトリックス層３上に導電層４を設ける必要が
ある。導電層４としては、銅、銀、金、白金、パラジウ
ム、鉄、ニッケル、コバルト、ロジウム、亜鉛等からな
る金属の１種または２種以上の組み合わせ、またはこれ
らの合金が使用できる。The barrier layer provided in the plating step described below is
It is formed on the black matrix layer through another layer between a set of three primary color phosphor elements R, G and B. Generally, since the black matrix layer 3 is mainly composed of a metal oxide, it has an insulating property or a low electric conductivity. Therefore, when the barrier layer is formed by electroplating, first, the conductive layer 4 is provided on the black matrix layer 3. There is a need. For the conductive layer 4, one or a combination of two or more metals such as copper, silver, gold, platinum, palladium, iron, nickel, cobalt, rhodium and zinc, or an alloy thereof can be used.
【００２５】また、障壁層のめっき応力を緩和するため
に、あるいは蛍光体層塗布後の加熱工程での熱歪みを緩
和する目的で、導電層上の所定部分に、応力を緩衝する
導電性の中間層が設けられた構成の前面板であつても、
中間層が導電性である限り、本発明では導電層として解
釈する。Further, in order to reduce the plating stress of the barrier layer or to reduce the thermal strain in the heating step after coating the phosphor layer, a conductive portion for buffering the stress is provided in a predetermined portion on the conductive layer. Even with a front plate having a configuration in which an intermediate layer is provided,
As long as the intermediate layer is electrically conductive, it is understood in the present invention as an electrically conductive layer.
【００２６】次に、導電層上にフォトレジストを塗布
し、所定のパタ−ンを有するフォトマスクで露光し、現
像し、図１（ｂ）に示すように、障壁層用レジストパタ
−ンの開口部６を除いて他の部分をフォトレジスト層５
で覆う。使用するフォトレジストとしては、めっき液に
耐性があり、塗布膜厚が大きい材料が望ましい。高粘度
フォトレジストを複数回塗布する方法も可能であるが、
一般に、ドライフィルムレジストが作業性がよくて好ま
しい。障壁層のレジストパタ−ンの開口部６は、例え
ば、底辺の幅１５μｍ、膜厚５０μｍ、アスペクト比約
１．３のアスペクト比の大きいパタ−ンや、あるいは直
径１５μｍの円形パタ−ン等の様々な形状、寸法があ
り、ディスプレイとして求められる性能に応じて適宜決
められる。Next, a photoresist is coated on the conductive layer, exposed with a photomask having a predetermined pattern, and developed, and as shown in FIG. 1B, an opening of the resist pattern for the barrier layer is formed. The photoresist layer 5 is formed on the other part except the part 6.
Cover with. As the photoresist to be used, a material that is resistant to the plating solution and has a large coating film thickness is desirable. It is possible to apply high viscosity photoresist multiple times,
Generally, a dry film resist is preferable because of its good workability. The opening 6 of the resist pattern of the barrier layer has various widths such as a bottom width of 15 μm, a film thickness of 50 μm and a large aspect ratio of about 1.3, or a circular pattern with a diameter of 15 μm. It has various shapes and dimensions, and is appropriately determined according to the performance required for the display.
【００２７】次に、図３に示すように、被めっき部分と
なるレジストパタ−ンの開口部６の露出している導電層
４上あるいは開口部６側面のレジスト表面に付着してい
る気泡を除去するために、フォトレジスト現像後の基板
１３をめっき治具１４に固定し、治具１４と共にめっき
液と相溶性のある処理液１２を入れた処理槽１１中に静
置し、減圧下で一定時間浸漬する。処理槽１１は基板を
置く台１５が設けられており、基板を浸漬し、密閉した
後は、排気管１７を通して真空ポンプ１６で排気する構
造になっている。基板は脱泡を容易にするため、フォト
レジストの膜面側を上向きにして水平に置くのが望まし
いが、必ずしもこれに限定されず、垂直もしくはフォト
レジスト膜面を斜め上向きにして置いてもよい。Next, as shown in FIG. 3, bubbles adhering to the resist surface on the conductive layer 4 exposed on the opening 6 of the resist pattern to be plated and on the side surface of the opening 6 are removed. In order to do so, the substrate 13 after the photoresist development is fixed to the plating jig 14, and the jig 13 and the jig 13 are allowed to stand still in a processing tank 11 containing a processing solution 12 compatible with the plating solution, and the temperature is kept constant under reduced pressure. Soak for hours. The processing tank 11 is provided with a table 15 on which a substrate is placed. After the substrate is immersed in the processing tank 11 and hermetically sealed, a vacuum pump 16 exhausts the gas through an exhaust pipe 17. The substrate is preferably placed horizontally with the film surface side of the photoresist facing upward in order to facilitate defoaming, but is not necessarily limited to this, and may be placed vertically or with the photoresist film surface facing diagonally upward. .
【００２８】本発明では、フォトレジストとしてアルカ
リ現像型のドライフィルムを使用する場合や、処理液と
して導電層のソフトエッチング液を使用する場合があ
り、これらの場合には後述するように、処理液に長時間
浸漬することは避けなければならない。したがって、短
時間で十分な気泡除去効果が得られるように、本発明に
おける減圧の圧力は、１Ｐａ〜１×１０2Ｐａが好まし
い。In the present invention, an alkali-developing dry film may be used as the photoresist, or a conductive layer soft etching solution may be used as the processing solution. In these cases, as described below, the processing solution is used. Soaking for a long time should be avoided. Therefore, the pressure of the reduced pressure in the present invention is preferably 1 Pa to 1 × 10 2 Pa so that a sufficient bubble removing effect can be obtained in a short time.
【００２９】本発明における好ましい処理液としては、
純水がある。純水としては、イオン交換水、蒸留水があ
げられる。減圧環境下で純水中に一定時間浸漬すること
により、レジスト開口部から気泡が除去されていき、後
工程でめっき液が開口部内に充満し得るようになる。浸
漬時間は３０秒〜１２０秒が適する。フォトレジストに
アルカリ現像型のドライフィルムを使用した場合には、
浸漬時間が長いと、レジストが膨潤してレジストの密着
不良や剥離を引き起こすこともあるので、長時間浸漬は
避け、適切な時間で浸漬を行う。減圧下で純水浸漬した
基板は、被処理表面が濡れた状態のうちに、通常のめっ
き前処理に従って、酸洗、純水洗を経て、電気めっきを
行う。The preferred treatment liquid in the present invention is
There is pure water. Examples of pure water include ion-exchanged water and distilled water. By immersing in pure water for a certain period of time in a depressurized environment, bubbles are removed from the resist openings, and the plating solution can fill the openings in a later step. A suitable immersion time is 30 seconds to 120 seconds. If you use an alkaline development type dry film for the photoresist,
If the dipping time is long, the resist may swell and cause poor adhesion or peeling of the resist. Therefore, dipping for a long time is avoided, and dipping is performed at an appropriate time. A substrate immersed in pure water under reduced pressure is subjected to pickling and pure water washing and electroplating according to a usual pretreatment for plating while the surface to be treated is wet.
【００３０】また、本発明における好ましい処理液の一
つとして、濡れ性を向上させるために、界面活性剤を添
加した水溶液がある。添加する界面活性剤としては、ア
ニオン系界面活性剤としては、例えば、ラウリン酸ナト
リウム等のカルボン酸型、ドデシルベンゼンスルホン酸
ナトリウム等のスルホン酸型、硫酸ドデシルナトリウム
等の硫酸エステル型、モノラウリルリン酸ナトリウム等
のリン酸エステル型があげられる。カチオン系界面活性
剤としては、例えば、ステアリルアミン塩酸塩等のアミ
ン塩型、ステアリルトリメチルアンモニウムクロリド等
の第４級アンモニウム塩型があげられる。両性系界面活
性剤としては、例えば、ラウリルジメチル酢酸ベタイン
等のカルボキシベタイン型、２−ウンデシル−Ｎ−カル
ボキシメチル−Ｎ−ヒドロキシエチルイミダゾリニウム
ベタイン等のグリシン型があげられる。また、非イオン
系界面活性剤としては、例えば、グリセリンモノステア
リン酸エステル等のエステル型、ポリオキシエチレンノ
ニルフェニルエ−テル等のエ−テル型、ポリエチレング
リコ−ルオレイン酸エステル等のエステルエ−テル型、
ラウリル酸ジエタノ−ルアミド等のアルカノ−ルアミド
型があげられる。Further, as one of the preferred treatment liquids in the present invention, there is an aqueous solution containing a surfactant in order to improve the wettability. As the surfactant to be added, examples of the anionic surfactant include carboxylic acid type such as sodium laurate, sulfonic acid type such as sodium dodecylbenzenesulfonate, sulfate ester type such as sodium dodecyl sulfate, and monolauryl phosphorus. Examples thereof include phosphoric acid ester type such as sodium acid salt. Examples of the cationic surfactant include amine salt type such as stearylamine hydrochloride and quaternary ammonium salt type such as stearyltrimethylammonium chloride. Examples of the amphoteric surfactant include carboxybetaine type such as betayl lauryl dimethylacetate and glycine type such as 2-undecyl-N-carboxymethyl-N-hydroxyethylimidazolinium betaine. Examples of the nonionic surfactants include ester type such as glycerin monostearate, ether type such as polyoxyethylene nonylphenyl ether, and ester ether type such as polyethylene glycol oleate. ,
Examples thereof include alkanolamide type compounds such as lauric acid diethanolamide.
【００３１】界面活性剤を添加する量は、０．1〜５重
量％程度が好ましい。添加する量が少なすぎると濡れ性
を改善する効果が低く、多すぎると後工程のめっき液に
界面活性剤が持ち込まれてめっき液の特性を変えてしま
うことがあるからである。浸漬時間は３０秒〜１２０秒
が適する。界面活性剤の処理液に浸漬後は、通常のめっ
き前処理に従って、被処理表面が濡れた状態のうちに、
純水洗、酸洗、純水洗を行って、電気めっきを行う。The amount of the surfactant added is preferably about 0.1 to 5% by weight. This is because if the added amount is too small, the effect of improving the wettability is low, and if the added amount is too large, the surfactant may be brought into the plating solution in the subsequent step to change the characteristics of the plating solution. A suitable immersion time is 30 seconds to 120 seconds. After dipping in the treatment liquid of the surfactant, according to the usual pretreatment of plating, while the surface to be treated is wet,
Electrolytic plating is performed by washing with pure water, pickling, and pure water.
【００３２】また、本発明では、導電層を構成する金属
の表面を軽くエッチングするソフトエッチング液も好ま
しい処理液である。ソフトエッチングは、めっき下地金
属となる導電層を軽くエッチングして濡れ性を向上させ
ると共に、導電層表面にめっきパタ−ンの欠陥や密着度
低下につながる酸化膜がある場合の除去を行うめっき前
処理としての酸活性化も兼ねることができる。Further, in the present invention, a soft etching solution for lightly etching the surface of the metal forming the conductive layer is also a preferable processing solution. In soft etching, the conductive layer that serves as the plating base metal is lightly etched to improve wettability, and when there is an oxide film on the surface of the conductive layer that causes defects in the plating pattern or reduces adhesion, before plating It can also serve as acid activation as a treatment.
【００３３】浸漬するソフトエッチング液としては、障
壁層用レジストパタ−ンに影響を与えず、導電層を構成
する金属を緩和にエッチングする溶液が選ばれ、例え
ば、導電層が銅あるいは銅合金の場合には、過硫酸アン
モニウム、過硫酸ナトリウム等の過硫化物の水溶液、過
酸化水素と過硫酸アンモニウムの水溶液、塩酸と塩化第
２銅の水溶液、塩酸と過酸化水素と塩化第２銅の水溶液
等があげられる。導電層がニッケルあるいはニッケル合
金の場合には、塩化第２鉄水溶液、硝酸と塩酸の混合水
溶液等があげられる。導電層が金の場合には、塩酸と硝
酸の混合水溶液、ヨウ素とヨウ化アンモニウムの水溶液
等があげられる。導電層が銀の場合には、硝酸水溶液、
硝酸第二鉄水溶液等があげられる。導電層がクロムの場
合には、硝酸第２セリウムアンモニウム水溶液等があげ
られる。As the soft etching solution to be dipped, a solution that does not affect the resist pattern for the barrier layer and gently etches the metal forming the conductive layer is selected. For example, when the conductive layer is copper or a copper alloy. Examples include aqueous solutions of persulfates such as ammonium persulfate and sodium persulfate, aqueous solutions of hydrogen peroxide and ammonium persulfate, aqueous solutions of hydrochloric acid and cupric chloride, and aqueous solutions of hydrochloric acid, hydrogen peroxide and cupric chloride. To be When the conductive layer is nickel or a nickel alloy, an aqueous ferric chloride solution, a mixed aqueous solution of nitric acid and hydrochloric acid, and the like can be given. When the conductive layer is gold, a mixed aqueous solution of hydrochloric acid and nitric acid, an aqueous solution of iodine and ammonium iodide, and the like can be given. If the conductive layer is silver, nitric acid solution,
Examples include ferric nitrate aqueous solutions. When the conductive layer is chromium, an aqueous solution of cerium ammonium nitrate can be used.
【００３４】処理時におけるソフトエッチング液の濃
度、温度、ソフトエッチング時間は、導電層金属の組
成、膜厚等に応じて最適な条件で行うが、浸漬時間が長
いと、導電層のソフトエッチングが進みすぎてしまう恐
れがある。したがって、浸漬時間は、５秒〜３０秒が好
ましい。ソフトエッチング後は、直ちに、純水洗を行
い、電気めっきを行う。The concentration, temperature, and soft etching time of the soft etching solution during the treatment are optimally selected according to the composition of the conductive layer metal, the film thickness, and the like. There is a risk of going too far. Therefore, the immersion time is preferably 5 seconds to 30 seconds. Immediately after soft etching, washing with pure water is performed and electroplating is performed.
【００３５】浸漬処理終了後は、圧力を大気圧まで戻
し、処理槽１１から基板１３を設置した治具１４を取り
出し、直ちに前述の各処理液に応じためっき前処理を行
い、表面を乾燥させることなく、速やかにめっき工程に
進める。After completion of the dipping treatment, the pressure is returned to atmospheric pressure, the jig 14 on which the substrate 13 is installed is taken out of the treatment tank 11, and immediately the plating pretreatment according to the above-mentioned treatment liquid is performed to dry the surface. Promptly proceed to the plating process.
【００３６】次に、図１（ｃ）に示すように、電気めっ
きを行い、障壁層８を形成する。障壁層８の材質は、電
気めっき可能な導電性金属であり、例えば、銅、銀、
金、白金、パラジウム、鉄、ニッケル、クロム、コバル
ト、ロジウム、亜鉛等からなる金属の１種または２種以
上の組み合わせ、またはこれらの２種以上の金属からな
る合金等が使用できる。Next, as shown in FIG. 1C, electroplating is performed to form the barrier layer 8. The material of the barrier layer 8 is a conductive metal capable of electroplating, such as copper, silver,
It is possible to use one or a combination of two or more metals such as gold, platinum, palladium, iron, nickel, chromium, cobalt, rhodium and zinc, or an alloy of two or more of these metals.
【００３７】障壁層８の大きさは、ディスプレイとして
求める性能に応じて決められる。導電性の障壁層は、散
乱電子や反射電子の入射を防ぎ、隣接する蛍光体層への
不必要な発光を防止するために設けられるので、蛍光体
層の大きさに依存するが、好ましくは高さ２０〜１００
μｍ、幅１０〜５０μｍ、長さは蛍光体層の長さとほぼ
同等か数１０μｍ長い範囲で設定できる。図１（ｃ）で
は障壁層８の形状として長方体の場合を示しているが、
これに限定されず、底面が円形、多角形、両端部が幅広
い形状等、適宜設定することができる。The size of the barrier layer 8 is determined according to the performance required for the display. The conductive barrier layer is provided to prevent the incidence of scattered electrons and reflected electrons and to prevent unnecessary light emission to the adjacent phosphor layer, and therefore depends on the size of the phosphor layer, but is preferably Height 20-100
The width can be set to be approximately equal to the length of the phosphor layer or several tens of μm longer than the length of the phosphor layer. Although the shape of the barrier layer 8 is a rectangular parallelepiped in FIG. 1C,
The shape is not limited to this, and the bottom surface may be appropriately set to have a circular shape, a polygonal shape, a wide end shape, or the like.
【００３８】次に、図１（ｄ）に示すように、フォトレ
ジスト７を剥膜する。剥膜する方法は、それぞれのレジ
ストの推奨する方法を適用すればよい。Next, as shown in FIG. 1D, the photoresist 7 is stripped. As a method for removing the film, a method recommended by each resist may be applied.
【００３９】ブラックマトリックス層および導電層が、
障壁層用フォトレジストを塗布する前に、すでに所定形
状にパタ−ン化された状態の場合には、フォトレジスト
の剥膜で電界放出型ディスプレイ用前面板部材の製造工
程は完了し、次の蛍光体塗布工程を行う。The black matrix layer and the conductive layer are
Before applying the photoresist for the barrier layer, if it is in a state of being patterned into a predetermined shape, the manufacturing process of the front plate member for a field emission display is completed by removing the photoresist, and A phosphor coating process is performed.
【００４０】障壁層用フォトレジストを塗布する前に、
ブラックマトリックス層および導電層が、まだパタ−ン
化されていなくて全面に設けられた状態の場合には、障
壁層をめっきした後、フォトリソグラフィ法等の方法に
より、ブラックマトリックス層および導電層を順次パタ
−ンエッチングし、図１（ｅ）に示すように、透明基板
2上にパタ−ン化したブラックマトリックス層９、パタ
−ン化した導電層１０を形成し、高い導電性障壁層７と
ブラックマトリックス層の開口部８を有する電界放出型
ディスプレイ用前面板部材１を得る。図２は前面板部材
１の部分平面図であり、Ａ−Ａ線における断面模式図が
図１（ｅ）である。Before applying the barrier layer photoresist,
When the black matrix layer and the conductive layer are not patterned yet and are provided on the entire surface, the black matrix layer and the conductive layer are formed by a method such as photolithography after plating the barrier layer. Pattern etching is performed sequentially, and as shown in FIG. 1 (e), the transparent substrate
A front plate member 1 for a field emission display, in which a patterned black matrix layer 9 and a patterned conductive layer 10 are formed on 2 and which has a highly conductive barrier layer 7 and an opening 8 of the black matrix layer. To get FIG. 2 is a partial plan view of the front plate member 1, and a schematic sectional view taken along the line AA is FIG.
【００４１】エッチングされたブラックマトリックス層
の開口部８は、蛍光体層を形成する部分となり、開口部
８の形状、寸法、ピッチ等は電界放出型ディスプレイの
設計に応じて、例えば、長方形、多角形、円形等適宜設
定することができる。The opening 8 of the etched black matrix layer becomes a portion for forming the phosphor layer, and the shape, size, pitch, etc. of the opening 8 are, for example, rectangular or multi-shaped depending on the design of the field emission display. It can be appropriately set to a square shape, a circular shape, or the like.
【００４２】本発明において、前面板を構成する蛍光体
層は従来の電界放出型ディスプレイと同様の方法、材料
を用いて形成できる。すなわち、パタ−ン化したブラッ
クマトリックス層の開口部８に、従来使用されている材
料と同様の青色発光蛍光体層、赤色発光蛍光体層、緑色
発光蛍光体層を、従来と同様の方法であるフォトリソグ
ラフィ法等によりパタ−ニング形成することができる。In the present invention, the phosphor layer forming the front plate can be formed by using the same method and material as those of the conventional field emission display. That is, a blue light emitting phosphor layer, a red light emitting phosphor layer, and a green light emitting phosphor layer, which are the same as the conventionally used materials, are provided in the openings 8 of the patterned black matrix layer in the same manner as in the conventional method. The patterning can be performed by a certain photolithography method or the like.
【００４３】本発明の電界放出型ディスプレイ用部材
は、ブラックマトリックス層９上の導電層１１と複数の
障壁層８がすべて同電位となり、反射電子や散乱電子は
障壁層７に吸収されて飛翔が阻止され、電子を吸収した
障壁層７の電荷は導電層１０を介して分散するので、障
壁層７のチャ−ジアップは防止される。In the field emission display member of the present invention, the conductive layer 11 on the black matrix layer 9 and the plurality of barrier layers 8 are all at the same potential, and the reflected electrons and scattered electrons are absorbed by the barrier layer 7 and fly. Since the charges of the barrier layer 7 which have been blocked and have absorbed electrons are dispersed through the conductive layer 10, charge-up of the barrier layer 7 is prevented.
【００４４】[0044]
【実施例１】厚さ１．１ｍｍのガラス基板上に、スパッ
タリング法により酸化クロムを厚さ４０ｎｍ、クロムを
１００ｎｍの順に成膜し、２層構造のブラックマトリッ
クス層を形成した。次いで、スパッタリング法により金
を１００ｎｍ成膜し、導電層を形成した。Example 1 On a glass substrate having a thickness of 1.1 mm, chromium oxide was deposited in the order of 40 nm in thickness and 100 nm in thickness by a sputtering method to form a black matrix layer having a two-layer structure. Then, gold was deposited to a thickness of 100 nm by a sputtering method to form a conductive layer.
【００４５】次に、フォトレジスト（東京応化工業
（株）製ＯＦＰＲ−８００）を塗布し、蛍光体層形成部
のパタ−ンを有するフォトマスクで露光し、現像し、露
出している導電層の金をヨウ素とヨウ化カリウムのエタ
ノ−ル水溶液（ヨウ素：ヨウ化カリウム：水：エタノ−
ル＝０．５：０．９：４：１）でエッチングし、水洗
後、次に露出したクロムそして下層の酸化クロム層を硝
酸第２セリウムアンモニウム系のエッチング液（ザ・イ
ンクテック（株）製ＭＲ−ＥＳ）でエッチングし、ブラ
ックマトリックス層に開口部を設け、次にフォトレジス
トを剥膜した。Next, a photoresist (OFPR-800 manufactured by Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd.) is applied, exposed with a photomask having a pattern of the phosphor layer forming portion, developed, and exposed conductive layer. Aqueous solution of iodine and potassium iodide in iodine (iodine: potassium iodide: water: ethanol
(= 0.5: 0.9: 4: 1) and then washed with water, and then the exposed chromium and the lower chromium oxide layer are treated with a ceric ammonium nitrate based etchant (The Inktech Co., Ltd.). MR-ES) to form openings in the black matrix layer, and then the photoresist was peeled off.
【００４６】次に、導電層を含む基板面を厚さ５０μｍ
のドライフィルムレジスト（ニチゴ−モ−トン（株）製
ＮＩＴ２５０）をラミネ−トし、その後、長方形状（３
０×２７０μｍ）の障壁層パタ−ンを複数設けたフォト
マスクを用いてドライフィルムレジストを露光量１４０
ｍＪ／ｃｍ2にて露光し、炭酸ナトリウムの１重量％水
溶液で現像してレジストパタ−ンを形成した。Next, the surface of the substrate including the conductive layer has a thickness of 50 μm.
Of the dry film resist (NITGO-MORTON Co., Ltd. NIT250) was laminated, and then rectangular (3
The exposure amount of the dry film resist is 140 using a photomask provided with a plurality of barrier layer patterns of 0 × 270 μm).
The resist pattern was formed by exposing at mJ / cm 2 and developing with a 1 wt% aqueous solution of sodium carbonate.
【００４７】次に、フォトレジスト現像後の基板をめっ
き治具に固定し、治具と共に純水よりなる処理液を入れ
た処理槽中に静置し、１×１０Ｐａの減圧環境下で１分
間浸漬した。Next, the substrate after the photoresist development was fixed to a plating jig, and the jig was allowed to stand still in a treatment tank containing a treatment liquid consisting of pure water, and under a reduced pressure environment of 1 × 10 Pa for 1 minute. Soaked.
【００４８】次に、処理槽内を大気圧に戻して基板を取
り出し、直ちに、５％塩酸で酸洗し、再度純水洗し、次
に、スルファミン酸ニッケル浴にて、温度５０度、電流
密度４Ａ／ｄｍ2 にてニッケルめっきを行い、所定の厚
さをめっき後、レジストパタ−ンを剥膜し、導電層上に
めっき欠陥のない厚さ４５μｍの障壁層を形成した電界
放出型ディスプレイ用前面板部材を得た。Next, the inside of the processing tank was returned to atmospheric pressure, the substrate was taken out, immediately pickled with 5% hydrochloric acid, again washed with pure water, and then in a nickel sulfamate bath at a temperature of 50 ° C. and current density. Before field emission display in which nickel plating was performed at 4 A / dm 2 and after plating a predetermined thickness, the resist pattern was peeled off and a barrier layer having a thickness of 45 μm without plating defects was formed on the conductive layer. A face plate member was obtained.
【００４９】上記の部材を用いて、通常の方法により、
Ｒ、Ｇ、Ｂ用の感光性の蛍光体塗料を順次基板上に塗布
し、露光し、現像して、３色の蛍光体塗料層をブラック
マトリックス層の開口部に形成した。次に、４００℃で
３０分加熱して、蛍光体塗料層中の有機成分を除去し、
開口部にＲ、Ｇ、Ｂの蛍光体層を設けた電界放出型ディ
スプレイ用前面板を作製した。Using the above-mentioned members, by the usual method,
R, G and B photosensitive phosphor coatings were sequentially applied on the substrate, exposed and developed to form three color phosphor coating layers in the openings of the black matrix layer. Next, it is heated at 400 ° C. for 30 minutes to remove the organic component in the phosphor coating layer,
A front plate for a field emission display having R, G, and B phosphor layers provided in the openings was produced.
【００５０】次に、この電界放出型ディスプレイ用前面
板と別途作製した背面板を組み合わせ、電界放出型ディ
スプレイを作製した。このディスプレイを表示したとこ
ろ、高品質の画像が得られた。Next, a field emission display was produced by combining this field emission display front plate and a separately produced back plate. When this display was displayed, a high quality image was obtained.
【００５１】[0051]
【実施例２】透明導電性ガラス（ＩＴＯ）をパタ−ン化
して透明電極を形成した厚さ１．１ｍｍのガラス基板上
に、スパッタリング法により酸化クロムを厚さ３０ｎ
ｍ、クロムを１００ｎｍの順に成膜してブラックマトリ
ックス層を形成した。次いで、スパッタリング法により
ニッケルを５００ｎｍ成膜し、導電層を形成した。Example 2 A transparent conductive glass (ITO) was patterned to form a transparent electrode on a 1.1 mm-thick glass substrate.
m and chromium were deposited in this order in the order of 100 nm to form a black matrix layer. Then, nickel was deposited to a thickness of 500 nm by a sputtering method to form a conductive layer.
【００５２】次に、導電層上に厚さ５０μｍのドライフ
ィルムレジスト（ニチゴ−モ−トン（株）製ＮＩＴ２５
０）をラミネ−トし、その後、障壁層パタ−ンを複数設
けたフォトマスクを用いてドライフィルムレジストを露
光し、現像してレジストパタ−ンを形成した。Next, a dry film resist having a thickness of 50 μm (NIT25 manufactured by Nichigo-Morton Co., Ltd.) is formed on the conductive layer.
0) was laminated, and then the dry film resist was exposed using a photomask provided with a plurality of barrier layer patterns and developed to form a resist pattern.
【００５３】次に、レジストパタ−ンを形成した基板を
めっき治具に固定し、純水中に界面活性剤としてドデシ
ルベンゼンスルホン酸ナトリウムを０．２重量％添加し
た処理液に、治具と共に浸漬し、１×１０Ｐａの減圧環
境下で３０秒間浸漬した。Next, the substrate on which the resist pattern was formed was fixed on a plating jig and immersed in a treatment liquid containing 0.2% by weight of sodium dodecylbenzenesulfonate as a surfactant in pure water together with the jig. Then, it was immersed in a reduced pressure environment of 1 × 10 Pa for 30 seconds.
【００５４】次に、処理槽内を大気圧に戻し、基板を純
水洗し、５％塩酸で酸洗し、再度純水洗し、硼弗化ニッ
ケル浴にて、温度５０度、電流密度３Ａ／ｄｍ2 にてニ
ッケルめっきを行い、所定の厚さをめっき後、レジスト
パタ−ンを剥膜し、導電層上にめっき欠陥のない厚さ４
０μｍの障壁層を形成した。Next, the inside of the processing tank is returned to atmospheric pressure, the substrate is washed with pure water, pickled with 5% hydrochloric acid, and again washed with pure water, and the temperature is 50 ° C. and the current density is 3 A / in a nickel borofluoride bath. Nickel plating is performed at dm 2 , and after plating to a predetermined thickness, the resist pattern is peeled off to a thickness of 4 which is free from plating defects on the conductive layer.
A barrier layer of 0 μm was formed.
【００５５】次に、障壁層、導電層を覆うようにフォト
レジストを塗布し、蛍光体層形成部のパタ−ンを有する
フォトマスクで露光し、現像し、次に露出している導電
層のニッケルを硝酸と塩酸の混合水溶液（硝酸：塩酸：
水＝１：１：３）でエッチングし、水洗後、次に露出し
たクロムそして下層の酸化クロム層を硝酸第２セリウム
アンモニウム系のエッチング液（ザ・インクテック
（株）製ＭＲ−ＥＳ）でエッチングし、次にフォトレジ
ストを剥膜して、電界放出型ディスプレイ用部材を得
た。Next, a photoresist is applied so as to cover the barrier layer and the conductive layer, exposed with a photomask having a pattern of the phosphor layer forming portion, developed, and then the exposed conductive layer is exposed. Nickel is a mixed aqueous solution of nitric acid and hydrochloric acid (nitric acid: hydrochloric acid:
After etching with water = 1: 1: 3) and washing with water, the exposed chromium and the lower chromium oxide layer are then treated with a ceric ammonium nitrate-based etching solution (MR-ES manufactured by The Inktech Co., Ltd.). After etching, the photoresist was removed to obtain a field emission display member.
【００５６】上記の部材を用いて、実施例１と同様の方
法により、ブラックマトリックス層の開口部にＲ、Ｇ、
Ｂの蛍光体層を設けた電界放出型ディスプレイ用前面板
を作成した。Using the above members, R, G, and G were formed in the openings of the black matrix layer in the same manner as in Example 1.
A front plate for a field emission display provided with the phosphor layer B was prepared.
【００５７】この電界放出型ディスプレイ用前面板と別
途作製した背面板を組み合わせ、電界放出型ディスプレ
イを作製した。このディスプレイを表示したところ、高
品質の画像が得られた。A field emission display was produced by combining this front plate for field emission display and a back plate produced separately. When this display was displayed, a high quality image was obtained.
【００５８】[0058]
【実施例３】厚さ１．１ｍｍのガラス基板上に、スパッ
タリング法により酸化クロムを厚さ４０ｎｍ、クロムを
１００ｎｍの順に成膜し、２層構造のブラックマトリッ
クス層を形成し、さらに、ニッケルを５０ｎｍ、金を１
００ｎｍ成膜し、導電層を形成した。Example 3 On a glass substrate having a thickness of 1.1 mm, a chromium oxide film having a thickness of 40 nm and a chromium film having a thickness of 100 nm were formed in this order by a sputtering method to form a black matrix layer having a two-layer structure. 50nm, 1 gold
A film having a thickness of 00 nm was formed to form a conductive layer.
【００５９】次に、実施例１と同様に、導電層上に厚さ
５０μｍのレジストパタ−ンを形成した。Next, as in Example 1, a resist pattern having a thickness of 50 μm was formed on the conductive layer.
【００６０】次に、レジスト現像後の基板を塩化ビニル
樹脂製のめっき治具に固定し、治具と共に金のソフトエ
ッチング液（ヨウ素：ヨウ化アンモニウム：水：エタノ
−ル＝０．５：０．９：８０：１０）よりなる処理液を
入れた処理槽中に静置し、１Ｐａの減圧環境下で１０秒
分間浸漬した。浸漬後は直ちに純水洗し、実施例１と同
じく、スルファミン酸ニッケル浴にてニッケルめっきを
行い、所定の厚さをめっき後、レジストパタ−ンを剥膜
し、ニッケル、金からなる導電層上に気泡によるめっき
欠陥のない厚さ４５μｍのニッケル金属製障壁層を形成
した。Next, the substrate after resist development was fixed to a plating jig made of vinyl chloride resin, and a soft etching solution of gold (iodine: ammonium iodide: water: ethanol = 0.5: 0) was set together with the jig. 9:80:10) and allowed to stand still in a treatment tank containing a treatment liquid, and immersed in a reduced pressure environment of 1 Pa for 10 seconds. Immediately after the immersion, washing with pure water is performed, and nickel plating is performed in a nickel sulfamate bath in the same manner as in Example 1, and after plating to a predetermined thickness, the resist pattern is peeled off and a conductive layer made of nickel and gold is formed. A nickel metal barrier layer having a thickness of 45 μm was formed without plating defects caused by bubbles.
【００６１】以後、実施例２と同様にして、金、ニッケ
ルの順に導電層をパタ−ンエッチングし、次いでブラッ
クマトリックス層に開口部を形成し、この開口部に蛍光
体層を形成して、前面板を得た。さらに、実施例２と同
様に、上記の前面板を用いて電界放出型ディスプレイを
表示したところ、高品質の画像表示が得られた。Thereafter, in the same manner as in Example 2, the conductive layer was pattern-etched in the order of gold and nickel, then an opening was formed in the black matrix layer, and a phosphor layer was formed in this opening. The front plate was obtained. Further, when a field emission display was displayed using the front plate as in Example 2, high quality image display was obtained.
【００６２】[0062]
【発明の効果】本発明による電界放出型ディスプレイ用
基板の製造方法は、めっき法により前面板の障壁層を形
成する際に、アスペクト比の大きいレジストパタ−ンの
開口部に生じた気泡をめっき前に除去することにより、
めっき欠陥の無い高品質の金属製障壁層が得られるとい
う効果がある。したがって、高品質の電界放出型ディス
プレイ用前面板が得られる。According to the method of manufacturing a substrate for a field emission display according to the present invention, when a barrier layer of a front plate is formed by a plating method, bubbles generated in an opening of a resist pattern having a large aspect ratio are plated. By removing
There is an effect that a high-quality metal barrier layer having no plating defect can be obtained. Therefore, a high quality front panel for a field emission display can be obtained.
【図１】 本発明の一実施例を示す電界放出型ディスプ
レイ用前面板の金属障壁層の製造方法の工程図FIG. 1 is a process diagram of a method for manufacturing a metal barrier layer of a front plate for a field emission display showing an embodiment of the present invention.
【図２】 本発明の電界放出型ディスプレイ用前面板部
材の部分平面図（Ａ−Ａ線における断面模式図が図１
（ｅ））FIG. 2 is a partial plan view of a front plate member for a field emission display of the present invention (a schematic sectional view taken along the line AA in FIG.
(E))
【図３】 本発明の一実施例の処理槽を示す模式断面図FIG. 3 is a schematic cross-sectional view showing a processing tank according to an embodiment of the present invention.
【図４】 従来の方法により、フォトレジスト層の開口
部に生じた気泡の模式図FIG. 4 is a schematic view of bubbles generated in an opening of a photoresist layer by a conventional method.
１ 電界放出型ディスプレイ用前面板部材 ２ 透明基板 ３ ブラックマトリックス層 ４ 導電層 ５ 障壁層用レジストパタ−ン ６ レジストパタ−ンの開口部 ７ 障壁層 ８ ブラックマトリックス層の開口部 ９ パタ−ン化したブラックマトリックス層 １０ パタ−ン化した導電層 １１ 処理槽 １２ 処理液 １３ 基板 １４ めっき治具 １５ 台 １６ 真空ポンプ １７ 排気管 1 Front panel member for field emission display 2 transparent substrate 3 Black matrix layer 4 Conductive layer 5 Barrier layer resist pattern 6 Opening of resist pattern 7 Barrier layer 8 Black matrix layer openings 9 Patterned black matrix layer 10 Patterned conductive layer 11 processing tank 12 Treatment liquid 13 board 14 Plating jig 15 units 16 vacuum pump 17 Exhaust pipe
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 富樫 和義 東京都新宿区市谷加賀町一丁目１番１号 大日本印刷株式会社内 Ｆターム(参考） 5C012 AA01 BB01 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continued front page (72) Inventor Kazuyoshi Togashi 1-1-1, Ichigaya-Kagacho, Shinjuku-ku, Tokyo Dai Nippon Printing Co., Ltd. F-term (reference) 5C012 AA01 BB01
Claims (5)
クス層、導電層が順次設けられ、該導電層上の所定位置
にフォトレジストで障壁層用レジストパタ−ンを形成
し、該障壁層用レジストパタ−ンの開口部に電気めっき
により金属製障壁層を形成し、次に該障壁層用レジスト
パタ−ンを除去することにより形成する電界放出型ディ
スプレイ用前面板の金属製障壁層の製造方法において、
前記障壁層用レジストパタ−ン形成後、障壁層用レジス
トパタ−ンを有する透明基板を減圧下で処理液に浸漬
し、次に電気めっきを行うことを特徴とする電界放出型
ディスプレイ用前面板の金属製障壁層の製造方法。1. A black matrix layer and a conductive layer are sequentially provided on one surface of a transparent substrate, and a resist layer resist pattern is formed with a photoresist at a predetermined position on the conductive layer, and the barrier layer resist pattern is formed. In the method for producing a metal barrier layer of a front plate for a field emission display, which is formed by forming a metal barrier layer by electroplating in the opening of the window, and then removing the barrier layer resist pattern,
After forming the resist pattern for the barrier layer, the transparent substrate having the resist pattern for the barrier layer is immersed in a treatment solution under reduced pressure, and then electroplating is performed. Method for manufacturing barrier layer made of.
する請求項１に記載する電界放出型ディスプレイ用前面
板の金属製障壁層の製造方法。2. The method for manufacturing a metal barrier layer of a front plate for a field emission display according to claim 1, wherein the treatment liquid is pure water.
水であることを特徴とする請求項１に記載する電界放出
型ディスプレイ用前面板の金属性障壁層の製造方法。3. The method for manufacturing a metallic barrier layer of a front plate for a field emission display according to claim 1, wherein the treatment liquid is pure water containing a surfactant.
フトエッチング液であることを特徴とする請求項１に記
載する電界放出型ディスプレイ用前面板の金属性障壁層
の製造方法。4. The method for manufacturing a metallic barrier layer of a front plate for a field emission display according to claim 1, wherein the treatment liquid is a soft etching liquid of a metal forming the conductive layer.
１Ｐａ〜１×１０2Ｐａであることを特徴とする請求項
１〜請求項４のいずれかに記載の電界放出型ディスプレ
イ用前面板の金属性障壁層の製造方法。5. The pressure under reduced pressure during immersion in the treatment liquid is
It is 1 Pa-1 * 10 < 2 > Pa, The manufacturing method of the metallic barrier layer of the front plate for field emission displays in any one of Claims 1-4 characterized by the above-mentioned.
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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-
2002
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