JP2003238240A

JP2003238240A - Dielectric porcelain composition, dielectric porcelain and porcelain capacitor obtained by using the same

Info

Publication number: JP2003238240A
Application number: JP2002033663A
Authority: JP
Inventors: Takaharu Nagae; 隆治永江; Masanori Fujimura; 正紀藤村; Shinichi Wakasugi; 伸一若杉; Tokuji Nishino; 徳次西野; Emi Deguchi; 江美出口
Original assignee: Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Current assignee: Panasonic Holdings Corp
Priority date: 2002-02-12
Filing date: 2002-02-12
Publication date: 2003-08-27
Anticipated expiration: 2022-02-12
Also published as: JP4048790B2

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a lead-free dielectric porcelain composition and a dielectric porcelain which satisfy all properties of flat temperature properties, a high dielectric constant, low self-heat generation or the like, and to provide a porcelain capacitor obtained by using the same. <P>SOLUTION: The invention relates to a composition to form a new perovskite structure, and, provided that the compositional formula by molar ratio is expressed as xBaCO<SB>3</SB>-yBi<SB>2</SB>O<SB>3</SB>-zTiO<SB>2</SB>, where x, y, and z satisfy 0.75≤x≤0.94, 0.06≤y≤0.25, 0.90≤x+y≤1.10, and 0.90≤z≤1.10 as the main components, and, in the range by the atomic % of 0.01≤La, Nd, Ce, Sn, Zr, Ta, Nb≤0.10 to 1 mol of the main components, one or more kinds of elements selected from La, Nd, Ce, Sn, Zr, Ta and Nb are contained. <P>COPYRIGHT: (C)2003,JPO

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【０００１】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、鉛を含有しない誘
電体磁器組成物および誘電体磁器、それを用いた磁器コ
ンデンサに関する。TECHNICAL FIELD The present invention relates to a dielectric ceramic composition containing no lead, a dielectric ceramic, and a ceramic capacitor using the same.

【０００２】[0002]

【従来の技術】近年、環境問題がクローズアップされ、
その中で電子機器に使用される電子部品についても、環
境有害物質を含まない材質が検討されている。電子部品
に用いられる材料の中で、特に環境に対して有害とされ
るものの中に鉛（Ｐｂ）がある。鉛は放置すると環境に
溶け出し悪影響を及ぼすため、電子業界では鉛フリーの
電子部品の開発が進められている。2. Description of the Related Art In recent years, environmental problems have been highlighted,
Among them, materials that do not contain environmentally harmful substances are also being considered for electronic components used in electronic devices. Among materials used for electronic parts, lead (Pb) is particularly harmful to the environment. If lead is left alone, it will melt into the environment and adversely affect it. Therefore, lead-free electronic parts are being developed in the electronic industry.

【０００３】そして、半田や半田ペーストに関しては、
種々の鉛フリー半田合金が開発され、鉛フリーが進み、
実用化の段階に入っている。Regarding solder and solder paste,
Various lead-free solder alloys were developed, lead-free progressed,
It is in the stage of practical application.

【０００４】また、電子部品の一つとして誘電体磁器の
対向面に電極を形成した磁器コンデンサがあるが、この
誘電体磁器の材料である誘電体磁器組成物にも鉛が含有
されており、半田や半田ペーストに関して鉛フリー化が
達成されたとしても、誘電体磁器組成物にも鉛が含有さ
れている以上、電子部品としての鉛フリーは達成するこ
とができない。Further, as one of electronic parts, there is a porcelain capacitor having electrodes formed on opposite surfaces of a dielectric porcelain. The dielectric porcelain composition as a material of this dielectric porcelain also contains lead, Even if lead-free solder and solder paste are achieved, lead-free electronic components cannot be achieved because lead is also contained in the dielectric ceramic composition.

【０００５】この鉛は全ての種類の磁器コンデンサに含
有されていると言う訳ではなく、容量の温度特性が平滑
で、誘電率が高く、自己発熱の低い等の目的で誘電体磁
器組成物に主成分の鉛がチタン酸鉛の形で添加され、こ
の固溶体を形成するＰｂＴｉＯ₃の量はモル比で１０〜
２０％と非常に多い。This lead is not necessarily contained in all types of porcelain capacitors, and is used in dielectric porcelain compositions for the purpose of smoothing the temperature characteristics of capacitance, high dielectric constant, low self-heating, etc. The main component lead is added in the form of lead titanate, and the amount of PbTiO ₃ forming this solid solution is 10 to 10 in molar ratio.
Very high at 20%.

【０００６】[0006]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、誘電体
磁器組成物から単に鉛を除去すると、当然ながら磁器コ
ンデンサに要求される容量の温度特性が平滑で、誘電率
が高く、自己発熱の低い等の特性を得ることができな
い。However, when lead is simply removed from the dielectric ceramic composition, the temperature characteristics of the capacitance required for the ceramic capacitor are naturally smooth, the dielectric constant is high, and the self-heating is low. You cannot get the characteristics.

【０００７】そこで、誘電体磁器組成物に添加される鉛
成分の代わりに種々の材料を吟味し、添加することが行
われてきたが、温度特性が平滑で、誘電率が高く、自己
発熱の低い等の全ての特性を満足する誘電体磁器組成物
を得ることは未だなされていなかった。Therefore, various materials have been examined and added in place of the lead component added to the dielectric ceramic composition, but the temperature characteristics are smooth, the dielectric constant is high, and self-heating is caused. It has not yet been possible to obtain a dielectric ceramic composition satisfying all properties such as low.

【０００８】そこで本発明はこれら従来の課題を解決
し、温度特性が平滑で、誘電率が高く、自己発熱の低い
等の全ての特性を満足して、鉛を含有しない誘電体磁器
組成物および誘電体磁器、それを用いた磁器コンデンサ
を提供することを目的としている。Therefore, the present invention solves these conventional problems, satisfies all the characteristics such as smooth temperature characteristics, high dielectric constant and low self-heating, and a dielectric ceramic composition containing no lead and It is an object of the present invention to provide a dielectric ceramic and a ceramic capacitor using the dielectric ceramic.

【０００９】[0009]

【課題を解決するための手段】この課題を解決するため
に、本発明は、新たなペロブスカイト構造を形成する組
成を備えた構成としたものであり、モル比による組成式
をｘＢａＣＯ₃・ｙＢｉ₂Ｏ₃・ｚＴｉＯ₂と表した時、前
記ｘ，ｙ，ｚが０．７５≦ｘ≦０．９４０．０６≦ｙ≦０．２５０．９０≦ｘ＋ｙ≦１．１００．９０≦ｚ≦１．１０を主成分とし、前記主成分１モルに対して、０．０１≦Ｌａ≦０．１００．０１≦Ｎｄ≦０．１００．０１≦Ｃｅ≦０．１００．０１≦Ｓｎ≦０．１００．０１≦Ｚｒ≦０．１００．０１≦Ｔａ≦０．１００．０１≦Ｎｂ≦０．１０なる原子％の範囲で、Ｌａ，Ｎｄ，Ｃｅ，Ｓｎ，Ｚｒ，
Ｔａ，Ｎｂのうち１種以上の元素を含む構成としたもの
である。In order to solve this problem, the present invention has a composition having a composition for forming a new perovskite structure, and the composition formula based on the molar ratio is xBaCO ₃ · yBi ₂ When expressed as O ₃ · zTiO ₂ , x, y and z are 0.75 ≦ x ≦ 0.94 0.06 ≦ y ≦ 0.25 0.90 ≦ x + y ≦ 1.10 0.90 ≦ z ≦ 1.10 as a main component, and 0.01 ≦ La ≦ 0.10 0.01 ≦ Nd ≦ 0.10 0.01 ≦ Ce ≦ 0.10 0.01 ≦ Sn ≦ with respect to 1 mol of the main component. 0.10 0.01 ≤ Zr ≤ 0.10 0.01 ≤ Ta ≤ 0.10 0.01 ≤ Nb ≤ 0.10 within the atomic% range of La, Nd, Ce, Sn, Zr,
It is configured to include at least one element of Ta and Nb.

【００１０】[0010]

【発明の実施の形態】請求項１に記載の発明は、モル比
による組成式をｘＢａＣＯ₃・ｙＢｉ₂Ｏ₃・ｚＴｉＯ₂と
表した時、ｘ，ｙ，ｚが０．７５≦ｘ≦０．９４０．０６≦ｙ≦０．２５０．９０≦ｘ＋ｙ≦１．１００．９０≦ｚ≦１．１０を主成分とし、主成分１モルに対して、０．０１≦Ｌａ≦０．１００．０１≦Ｎｄ≦０．１００．０１≦Ｃｅ≦０．１００．０１≦Ｓｎ≦０．１００．０１≦Ｚｒ≦０．１００．０１≦Ｔａ≦０．１００．０１≦Ｎｂ≦０．１０なる原子％の範囲で、Ｌａ，Ｎｄ，Ｃｅ，Ｓｎ，Ｚｒ，
Ｔａ，Ｎｂのうち１種以上の元素を含むことを特徴とす
る誘電体磁器組成物であって、鉛を含有することなく、
磁器コンデンサに要求される、容量の温度特性が平滑
で、誘電率が高く、自己発熱の低い等の特性を得ること
ができる。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION In the invention described in claim 1, when the composition formula based on the molar ratio is expressed as xBaCO ₃ .yBi ₂ O ₃ .zTiO ₂ , x, y and z are 0.75 ≦ x ≦ 0. .94 0.06 ≤ y ≤ 0.25 0.90 ≤ x + y ≤ 1.10 0.90 ≤ z ≤ 1.10 as a main component, and 0.01 ≤ La ≤ 0. 10 0.01 ≦ Nd ≦ 0.10 0.01 ≦ Ce ≦ 0.10 0.01 ≦ Sn ≦ 0.10 0.01 ≦ Zr ≦ 0.10 0.01 ≦ Ta ≦ 0.10 0.01 ≦ In the atomic% range of Nb ≦ 0.10, La, Nd, Ce, Sn, Zr,
A dielectric ceramic composition comprising one or more elements of Ta and Nb, which does not contain lead,
It is possible to obtain characteristics such as smooth temperature characteristics of capacitance, high dielectric constant, and low self-heating, which are required for a porcelain capacitor.

【００１１】請求項２に記載の発明は、モル比による組
成式をｘＢａＣＯ₃・ｙＢｉ₂Ｏ₃・ｚＴｉＯ₂と表した
時、ｘ，ｙ，ｚが０．５０≦ｘ≦０．９４０．０６≦ｙ≦０．２５０．９０≦ｘ＋ｙ≦１．１００．９０≦ｚ≦１．１０かつ、Ｂａの一部をＣａ≦０．４０なるモル比の範囲で
Ｃａで置換して、主成分とし、主成分１モルに対して、０．０１≦Ｌａ≦０．１００．０１≦Ｎｄ≦０．１００．０１≦Ｃｅ≦０．１００．０１≦Ｓｎ≦０．１００．０１≦Ｚｒ≦０．１００．０１≦Ｔａ≦０．１００．０１≦Ｎｂ≦０．１０なる原子％の範囲で、Ｌａ，Ｎｄ，Ｃｅ，Ｓｎ，Ｚｒ，
Ｔａ，Ｎｂのうち１種以上の元素を含むことを特徴とす
る誘電体磁器組成物であって、磁器コンデンサに要求さ
れる、容量の温度特性が平滑で、誘電率が高く、自己発
熱の低い等の特性を得ることができる。According to a second aspect of the present invention, when the composition formula based on the molar ratio is expressed as xBaCO ₃ .yBi ₂ O ₃ .zTiO ₂ , x, y, z are 0.50≤x≤0.940. 06 ≦ y ≦ 0.25 0.90 ≦ x + y ≦ 1.10 0.90 ≦ z ≦ 1.10, and a part of Ba is replaced with Ca in a molar ratio range of Ca ≦ 0.40, 0.01 ≦ La ≦ 0.10 0.01 ≦ Nd ≦ 0.10 0.01 ≦ Ce ≦ 0.10 0.01 ≦ Sn ≦ 0.10 0.01 ≤Zr ≤0.10 0.01 ≤Ta ≤0.10 0.01 ≤Nb ≤0.10 within the atomic% range of La, Nd, Ce, Sn, Zr,
A dielectric ceramic composition containing at least one element of Ta and Nb, which is required for a ceramic capacitor and has a smooth temperature characteristic of capacitance, a high dielectric constant, and low self-heating. Such characteristics can be obtained.

【００１２】請求項３に記載の発明は、モル比による組
成式をｘＢａＣＯ₃・ｙＢｉ₂Ｏ₃・ｚＴｉＯ₂と表した
時、ｘ，ｙ，ｚが０．６５≦ｘ≦０．９４０．０６≦ｙ≦０．２５０．９０≦ｘ＋ｙ≦１．１００．９０≦ｚ≦１．１０かつ、Ｂａの一部をＳｒ≦０．１５なるモル比の範囲で
Ｓｒで置換して、主成分とし、主成分１モルに対して、０．０１≦Ｌａ≦０．１００．０１≦Ｎｄ≦０．１００．０１≦Ｃｅ≦０．１００．０１≦Ｓｎ≦０．１００．０１≦Ｚｒ≦０．１００．０１≦Ｔａ≦０．１００．０１≦Ｎｂ≦０．１０なる原子％の範囲で、Ｌａ，Ｎｄ，Ｃｅ，Ｓｎ，Ｚｒ，
Ｔａ，Ｎｂのうち１種以上の元素を含むことを特徴とす
る誘電体磁器組成物であって、磁器コンデンサに要求さ
れる、容量の温度特性が平滑で、誘電率が高く、自己発
熱の低い等の特性を得ることができる。According to a third aspect of the present invention, when the compositional formula based on the molar ratio is expressed as xBaCO ₃ .yBi ₂ O ₃ .zTiO ₂ , x, y, z are 0.65 ≦ x ≦ 0.940. 06 ≦ y ≦ 0.25 0.90 ≦ x + y ≦ 1.10 0.90 ≦ z ≦ 1.10, and a part of Ba is replaced with Sr in a molar ratio range of Sr ≦ 0.15, 0.01 ≦ La ≦ 0.10 0.01 ≦ Nd ≦ 0.10 0.01 ≦ Ce ≦ 0.10 0.01 ≦ Sn ≦ 0.10 0.01 ≤Zr ≤0.10 0.01 ≤Ta ≤0.10 0.01 ≤Nb ≤0.10 within the atomic% range of La, Nd, Ce, Sn, Zr,
A dielectric ceramic composition containing at least one element of Ta and Nb, which is required for a ceramic capacitor and has a smooth temperature characteristic of capacitance, a high dielectric constant, and low self-heating. Such characteristics can be obtained.

【００１３】請求項４に記載の発明は、モル比による組
成式をｘＢａＣＯ₃・ｙＢｉ₂Ｏ₃・ｚＴｉＯ₂と表した
時、ｘ，ｙ，ｚが０．４５≦ｘ≦０．９４０．０６≦ｙ≦０．２５０．９０≦ｘ＋ｙ≦１．１００．９０≦ｚ≦１．１０かつ、Ｂａの一部をＣａ≦０．４０、Ｓｒ≦０．１５な
るモル比の範囲でＣａ，Ｓｒで置換して、主成分とし、
主成分１モルに対して、０．０１≦Ｌａ≦０．１００．０１≦Ｎｄ≦０．１００．０１≦Ｃｅ≦０．１００．０１≦Ｓｎ≦０．１００．０１≦Ｚｒ≦０．１００．０１≦Ｔａ≦０．１００．０１≦Ｎｂ≦０．１０なる原子％の範囲で、Ｌａ，Ｎｄ，Ｃｅ，Ｓｎ，Ｚｒ，
Ｔａ，Ｎｂのうち１種以上の元素を含むことを特徴とす
る誘電体磁器組成物であって、磁器コンデンサに要求さ
れる、容量の温度特性が平滑で、誘電率が高く、自己発
熱の低い等の特性を得ることができる。According to a fourth aspect of the invention, when the composition formula based on the molar ratio is expressed as xBaCO ₃ .yBi ₂ O ₃ .zTiO ₂ , x, y, z are 0.45≤x≤0.94 0. 06 ≦ y ≦ 0.25 0.90 ≦ x + y ≦ 1.10 0.90 ≦ z ≦ 1.10 and a part of Ba is Ca ≦ 0.40 and Sr ≦ 0.15 in a molar ratio range. , Sr as the main component,
0.01 ≦ La ≦ 0.10 0.01 ≦ Nd ≦ 0.10 0.01 ≦ Ce ≦ 0.10 0.01 ≦ Sn ≦ 0.10 0.01 ≦ Zr ≦ with respect to 1 mol of the main component 0.10 0.01 ≦ Ta ≦ 0.10 0.01 ≦ Nb ≦ 0.10 In the atomic% range, La, Nd, Ce, Sn, Zr,
A dielectric ceramic composition containing at least one element of Ta and Nb, which is required for a ceramic capacitor and has a smooth temperature characteristic of capacitance, a high dielectric constant, and low self-heating. Such characteristics can be obtained.

【００１４】請求項５に記載の発明は、請求項１〜４に
おいて、誘電体磁器組成物に対してＭｎＣＯ₃を０．２
〜１．５ｗｔ％、もしくは他のＭｎ化合物を用い、Ｍｎ
に換算して同じ原子当量のＭｎを添加したことを特徴と
する誘電体磁器組成物であって、鉛を含有することな
く、磁器コンデンサに要求される、容量の温度特性が平
滑で、誘電率が高く、自己発熱の低い等の特性を得るこ
とができる。According to a fifth aspect of the present invention, in the first to fourth aspects, 0.2% of MnCO ₃ is added to the dielectric ceramic composition.
~ 1.5 wt%, or using other Mn compounds, Mn
A dielectric porcelain composition characterized in that the same atomic equivalent of Mn is added in the form of, which does not contain lead and has a smooth temperature characteristic of capacitance required for a porcelain capacitor and a dielectric constant. It is possible to obtain characteristics such as high temperature and low self-heating.

【００１５】請求項６に記載の発明は、請求項１〜５に
おいて、誘電体磁器組成物に対してＭｇＯを０．２〜
０．４ｗｔ％添加したことを特徴とする誘電体磁器組成
物であって、鉛を含有することなく、磁器コンデンサに
要求される、容量の温度特性が平滑で、誘電率が高く、
自己発熱の低い等の特性を得ることができる。According to a sixth aspect of the present invention, in the first to fifth aspects, the dielectric ceramic composition contains MgO in an amount of 0.2 to 0.2.
A dielectric porcelain composition characterized by being added in an amount of 0.4 wt%, which does not contain lead, has a smooth temperature characteristic of capacitance required for a porcelain capacitor, and has a high dielectric constant,
It is possible to obtain characteristics such as low self-heating.

【００１６】請求項７に記載の発明は、請求項１〜６い
ずれか１項に記載の誘電体磁器組成物を焼成して得られ
てことを特徴とする誘電体磁器であって、磁器コンデン
サに要求される、容量の温度特性が平滑で、誘電率が高
く、自己発熱の低い等の特性を得ることができる。The invention according to claim 7 is a dielectric porcelain obtained by firing the dielectric porcelain composition according to any one of claims 1 to 6, which is a porcelain capacitor. It is possible to obtain characteristics such as smooth temperature characteristics of capacitance, high dielectric constant, and low self-heating required for the above.

【００１７】請求項８に記載の発明は、請求項７に記載
の誘電体磁器と、誘電体磁器の対向表面に形成された電
極とを備えたことを特徴とする磁器コンデンサであっ
て、容量の温度特性が平滑で、誘電率が高く、自己発熱
の低い等の特性を備えた磁器コンデンサを得ることがで
きる。The invention according to claim 8 is a ceramic capacitor comprising the dielectric porcelain according to claim 7 and an electrode formed on an opposing surface of the dielectric porcelain. It is possible to obtain a porcelain capacitor having characteristics such as a smooth temperature characteristic, a high dielectric constant, and low self-heating.

【００１８】請求項９に記載の発明は、請求項７に記載
の誘電体磁器と、誘電体磁器の表面に形成された対向電
極とを備えたことを特徴とする磁器コンデンサであっ
て、容量の温度特性が平滑で、誘電率が高く、自己発熱
の低い等の特性を備えた磁器コンデンサを得ることがで
きる。A ninth aspect of the present invention is a porcelain capacitor comprising the dielectric porcelain according to the seventh aspect and a counter electrode formed on the surface of the dielectric porcelain, which has a capacitance of It is possible to obtain a porcelain capacitor having characteristics such as a smooth temperature characteristic, a high dielectric constant, and low self-heating.

【００１９】このように本発明は、新たなペロブスカイ
ト型構造を形成する組成により、鉛（Ｐｂ）入り材料と
同等の特性を得ることができる。As described above, according to the present invention, it is possible to obtain the same characteristics as the material containing lead (Pb) by the composition forming the new perovskite structure.

【００２０】まず、本発明の誘電体磁器組成物及び誘電
体磁器について説明する。First, the dielectric ceramic composition and dielectric ceramic of the present invention will be described.

【００２１】誘電体磁器組成物は、モル比による組成式
をｘＢａＣＯ₃・ｙＢｉ₂Ｏ₃・ｚＴｉＯ₂と表した時、
ｘ，ｙ，ｚが０．７５≦ｘ≦０．９４０．０６≦ｙ≦０．２５０．９０≦ｘ＋ｙ≦１．１００．９０≦ｚ≦１．１０を主成分とし、０．０１≦Ｌａ≦０．１００．０１≦Ｎｄ≦０．１００．０１≦Ｃｅ≦０．１００．０１≦Ｓｎ≦０．１００．０１≦Ｚｒ≦０．１００．０１≦Ｔａ≦０．１００．０１≦Ｎｂ≦０．１０なる原子％の範囲で、Ｌａ，Ｎｄ，Ｃｅ，Ｓｎ，Ｚｒ，
Ｔａ，Ｎｂのうち１種以上の元素を含む。The dielectric porcelain composition has a composition formula of xBaCO ₃ .yBi ₂ O ₃ .zTiO ₂ in terms of molar ratio,
x, y and z are 0.75 ≦ x ≦ 0.94 0.06 ≦ y ≦ 0.25 0.90 ≦ x + y ≦ 1.10 0.90 ≦ z ≦ 1.10 as a main component, and 0.01 ≦ La ≦ 0.10 0.01 ≦ Nd ≦ 0.10 0.01 ≦ Ce ≦ 0.10 0.01 ≦ Sn ≦ 0.10 0.01 ≦ Zr ≦ 0.10 0.01 ≦ Ta ≦ 0. La, Nd, Ce, Sn, Zr, in the atomic% range of 10 0.01 ≦ Nb ≦ 0.10
It contains at least one element of Ta and Nb.

【００２２】更に、０．５０≦ｘ≦０．９４とし、Ｂａ
の一部をＣａ≦０．４０なるモル比の範囲でＣａで置換
することもできる。Further, 0.50≤x≤0.94, and Ba
It is also possible to replace a part of Ca with Ca in a molar ratio range of Ca ≦ 0.40.

【００２３】更に、０．６５≦ｘ≦０．９４とし、Ｂａ
の一部をＳｒ≦０．１５なるモル比の範囲でＳｒで置換
することもできる。Further, 0.65≤x≤0.94, and Ba
It is also possible to replace a part of Sr with Sr in a molar ratio range of Sr ≦ 0.15.

【００２４】或いは、０．４５≦ｘ≦０．９４とし、Ｂ
ａの一部をＣａ≦０．４０、Ｓｒ≦０．１５なるモル比
の範囲でＣａ，Ｓｒで置換することもできる。Alternatively, 0.45 ≦ x ≦ 0.94, and B
It is also possible to replace a part of a with Ca and Sr in a molar ratio range of Ca ≦ 0.40 and Sr ≦ 0.15.

【００２５】これらの誘電体磁器組成物に対してＭｎＣ
Ｏ₃を０．２〜１．５ｗｔ％添加してもよく、更に、Ｍ
ｇＯを０．２〜０．４ｗｔ％添加してもよい。なお、Ｍ
ｎＣＯ₃とＭｇＯを同時に添加してもよい。MnC is added to these dielectric ceramic compositions.
O ₃ may be added in an amount of 0.2 to 1.5 wt%, and further M
You may add 0.2-0.4 wt% of gO. In addition, M
nCO ₃ and MgO may be added at the same time.

【００２６】また、誘電体磁器は、上述した誘電体磁器
組成物を焼成して得られるものであり、具体的には、上
述したＢａＣＯ₃、Ｂｉ₂Ｏ₃、ＴｉＯ₂粉末、或いは、必
要に応じてＬａ，Ｎｄ，Ｃｅ，Ｓｎ，Ｚｒ，Ｔａ，Ｎｂ
のうち１種以上の元素を単独或いは酸化物の状態で添加
した粉末を主成分とし、添加剤兼焼結助剤成分であるＭ
ｎＣＯ₃とＭｇＯから選ばれた少なくとも１つ以上を添
加して、焼成することによって得ることができる。The dielectric porcelain is obtained by firing the above-mentioned dielectric porcelain composition, and specifically, the above-mentioned BaCO ₃ , Bi ₂ O ₃ , TiO ₂ powder or, if necessary, Depending on La, Nd, Ce, Sn, Zr, Ta, Nb
Among these, M is a powder which is obtained by adding at least one element alone or in the form of an oxide, and which is an additive and a sintering aid component.
It can be obtained by adding at least one selected from nCO ₃ and MgO and firing.

【００２７】次に、磁器コンデンサについて説明する。Next, the porcelain capacitor will be described.

【００２８】上述した誘電体磁器の対向電極として形成
される電極としては、Ｚｎ，Ｃｕ，Ｎｉ，Ａｇ，Ｐｄ，
Ａｌ，等の金属を単独或いは合金として用いることがで
きる。また、電極としては単層或いは複層であってもよ
い。The electrodes formed as the counter electrodes of the above-mentioned dielectric ceramics include Zn, Cu, Ni, Ag, Pd,
A metal such as Al can be used alone or as an alloy. Further, the electrode may be a single layer or multiple layers.

【００２９】そして、この電極に対して、必要に応じて
リード線やリード端子を接続することもでき、更に、外
装材を形成してもよい。If necessary, a lead wire or a lead terminal may be connected to this electrode, and an exterior material may be formed.

【００３０】なお、本発明の誘電体磁器は、その対向表
面に電極を形成して磁器コンデンサとし、一つの電子部
品として用いることができるのは言うまでもないが、本
発明の誘電体磁器を配線基板として、その表面に対向電
極を形成し、その部分をコンデンサとし、更に、導体、
抵抗体等の電子回路を形成するような配線基板の基板と
しても用いることもできる。Needless to say, the dielectric porcelain of the present invention can be used as one electronic component by forming electrodes on the opposing surfaces to form a porcelain capacitor, but the dielectric porcelain of the present invention can be used as a wiring board. As a result, a counter electrode is formed on the surface, and that portion is used as a capacitor, and a conductor,
It can also be used as a substrate of a wiring substrate for forming an electronic circuit such as a resistor.

【００３１】以下、本発明の磁器コンデンサについて、
図面を参照して更に詳しく説明する。The porcelain capacitor of the present invention will be described below.
A more detailed description will be given with reference to the drawings.

【００３２】（実施の形態１）図１（ａ）は本発明の実
施の形態１における磁器コンデンサを示す透視側面図で
あり、図１（ｂ）は本発明の実施の形態１における磁器
コンデンサを示す透視正面図である。そして、図１
（ａ），（ｂ）において、１は誘電体磁器基板、２は第
１層電極、３は第２層電極、４，５はリード線、６は外
装材である。また、１００は磁器コンデンサを示してい
る。(First Embodiment) FIG. 1A is a perspective side view showing a porcelain capacitor according to the first embodiment of the present invention, and FIG. 1B shows a porcelain capacitor according to the first embodiment of the present invention. It is a perspective front view shown. And FIG.
In (a) and (b), 1 is a dielectric ceramic substrate, 2 is a first layer electrode, 3 is a second layer electrode, 4 and 5 are lead wires, and 6 is an exterior material. Moreover, 100 has shown the porcelain capacitor.

【００３３】図１（ａ），（ｂ）に示すように、磁器コ
ンデンサ１００は、円板型の誘電体磁器基板１の両主表
面に、それぞれ第１層電極２、第２層電極３が形成さ
れ、更に、第２層電極３に、それぞれ一対のリード線
４，５が半田接合された構成である。As shown in FIGS. 1 (a) and 1 (b), a porcelain capacitor 100 has a first layer electrode 2 and a second layer electrode 3 on both main surfaces of a disk-shaped dielectric porcelain substrate 1, respectively. A pair of lead wires 4 and 5 are soldered to the second layer electrode 3 respectively.

【００３４】そして、リード線４，５の一部と、誘電体
磁器基板１及び第１層電極２、第２層電極３を埋設する
外装材６が形成される。Then, a part of the lead wires 4, 5 and the exterior material 6 in which the dielectric ceramic substrate 1, the first layer electrode 2 and the second layer electrode 3 are embedded are formed.

【００３５】誘電体磁器基板１としては、上述した誘電
体磁器が用いられる。As the dielectric ceramic substrate 1, the above-mentioned dielectric ceramic is used.

【００３６】そして、同様に、第１層電極２、第２層電
極３としてＺｎ，Ｃｕ，Ｎｉ，Ａｇ，Ｐｄ，Ａｌから選
ばれる少なくとも一つの金属が用いられる。第２層電極
３は、リード線４，５を接合する際の鉛フリー半田や半
田との接着強度が高い金属を選べばよく、更に第２層電
極３を設けずに第１層電極２のみを形成してもよい。Similarly, at least one metal selected from Zn, Cu, Ni, Ag, Pd and Al is used for the first layer electrode 2 and the second layer electrode 3. For the second layer electrode 3, a lead-free solder or a metal having a high adhesive strength with the solder when joining the lead wires 4 and 5 may be selected, and only the first layer electrode 2 is provided without providing the second layer electrode 3. May be formed.

【００３７】更に、リード線４，５としては、例えば、
ＪＩＳＣ３１０２で規定される電気用軟銅線を原料と
し、これに電気メッキ、又は、溶融半田を施した線材を
使用することができる。Further, as the lead wires 4 and 5, for example,
It is possible to use, as a raw material, an annealed copper wire for electrical use specified by JIS C3102, and use a wire material that is electroplated or is subjected to molten solder.

【００３８】また、外装材６としては、絶縁性を有する
材料が用いられ、ガラス、絶縁性樹脂等を用いることが
できる。この中でも、絶縁性樹脂が加工適正、低価格で
あり好ましく、熱硬化性樹脂が加工適正に優れより好ま
しく、更に、熱硬化型のエポキシ樹脂が強度、耐湿性に
優れているので特に好ましい。そして、オプトクレゾー
ルノボラック系，ビフェニール系，ペンタジエン系等の
エポキシ樹脂があげられる。As the exterior material 6, a material having an insulating property is used, and glass, an insulating resin or the like can be used. Among these, an insulating resin is preferable because it is suitable for processing and is inexpensive, a thermosetting resin is more preferable because it is excellent in processing suitability, and a thermosetting epoxy resin is particularly preferable because it is excellent in strength and moisture resistance. Further, epoxy resins such as optocresol novolac type, biphenyl type and pentadiene type can be mentioned.

【００３９】また、図１（ａ）に示すように、誘電体磁
器基板１の両主表面の第２層電極３に接合された一対の
リード線４，５は、誘電体磁器基板１を間に挟んで離間
し平行に延設されるが、折り曲げられて、最終的には、
誘電体磁器基板１の厚み方向で重なるように引き出され
ている。そして、一対のリード線４，５は、離間距離の
略半分の位置、即ち、誘電体磁器基板１の厚みを略半分
にする位置で重なっている。Further, as shown in FIG. 1A, the pair of lead wires 4 and 5 joined to the second layer electrodes 3 on both main surfaces of the dielectric ceramic substrate 1 are interposed between the dielectric ceramic substrate 1. It is spaced apart and extended in parallel, but it is bent and finally,
The dielectric ceramic substrate 1 is drawn out so as to overlap in the thickness direction. The pair of lead wires 4 and 5 are overlapped with each other at a position approximately half the distance, that is, at a position where the thickness of the dielectric ceramic substrate 1 is approximately half.

【００４０】更に、図１（ｂ）に示すように、一対のリ
ード線４，５は、誘電体磁器基板１の表裏面でクロスす
るように第２層電極３にそれぞれ接合され、折り曲げら
れて、略平行になるように互いに離間して延設され、更
に折り曲げられて、双方の離間距離を狭めた状態で略平
行に延設されている。Further, as shown in FIG. 1 (b), the pair of lead wires 4 and 5 are joined and bent to the second layer electrode 3 so as to cross the front and back surfaces of the dielectric ceramic substrate 1. , Are spaced apart from each other so as to be substantially parallel to each other, are further bent, and are substantially parallel to each other with the distance between them being narrowed.

【００４１】そして、磁器コンデンサ１００の一対のリ
ード線４，５は、回路基板のスルーホールに挿入され
て、回路基板の裏面で半田接合され実装されるが、図１
（ｂ）に示すように、一対のリード線４，５が離間する
距離をスルーホールへの挿入部分で狭くすることによっ
て、外装材６から突出したリード線４，５の全ての部分
がスルーホールに入り込むこともない。The pair of lead wires 4 and 5 of the porcelain capacitor 100 are inserted into the through holes of the circuit board and soldered and mounted on the back surface of the circuit board.
As shown in (b), the distance between the pair of lead wires 4 and 5 is narrowed at the insertion portion into the through hole, so that all of the lead wires 4 and 5 protruding from the exterior material 6 have through holes. It doesn't get in.

【００４２】また、実装される磁器コンデンサ１００の
外装材６の最下部と回路基板の間にはリード線４，５の
一部が必ず介在するので、半田接合時の熱の影響を受け
にくい上、半田フラックスも確実に排出できる。そし
て、半田接合時の熱の影響を受けにくいので、半田付け
温度の高い鉛（Ｐｂ）フリー半田が使用可能となる。Further, since some of the lead wires 4 and 5 are inevitably interposed between the lowermost part of the exterior material 6 of the ceramic capacitor 100 to be mounted and the circuit board, it is difficult to be affected by heat during soldering. Also, solder flux can be reliably discharged. Further, since it is hardly affected by heat at the time of soldering, lead (Pb) -free solder having a high soldering temperature can be used.

【００４３】次に、本発明の実施の形態１における磁器
コンデンサの製造方法について説明する。Next, a method of manufacturing the ceramic capacitor according to the first embodiment of the present invention will be described.

【００４４】まず、上述した誘電体磁器を配合し、通常
の窯業的手法によって、湿式混合或いは造粒を行い、円
板型の形状に加圧成形した後、これを焼成する。First, the above-mentioned dielectric porcelain is blended, wet-mixed or granulated by an ordinary ceramic method, pressure-molded into a disc shape, and then fired.

【００４５】そして、得られた誘電体磁器基板１の両主
表面に、第１層電極２として例えばＺｎ電極を印刷法に
よって形成する。具体的には、亜鉛ペーストをスクリー
ン印刷法によって誘電体磁器の両主表面に形成した後、
約６００℃で焼き付けを行う。この焼き付けは、中性又
は還元雰囲気中で行う必要はなく、大気雰囲気下で行う
ことができる。なお、Ｚｎ電極のその他の形成方法とし
ては、導電ペーストに浸積して塗布するいわゆるディッ
プ塗装や、電着法、鍍金法、蒸着法等の成膜方法を用い
ることができる。Then, for example, Zn electrodes are formed as the first layer electrodes 2 on both main surfaces of the obtained dielectric ceramic substrate 1 by a printing method. Specifically, after forming a zinc paste on both main surfaces of the dielectric ceramic by screen printing,
Bake at about 600 ° C. This baking need not be performed in a neutral or reducing atmosphere, but can be performed in an air atmosphere. Other methods for forming the Zn electrode include so-called dip coating in which the Zn electrode is immersed and applied, or a film forming method such as an electrodeposition method, a plating method, or a vapor deposition method.

【００４６】更に、第１層電極２であるＺｎ電極表面の
活性化処理を行う。この表面活性化処理は、Ｚｎ電極表
面の酸化物を除去するものである。これにより、積層さ
れる第２層電極３のＣｕ，Ｎｉ，Ａｇ，Ｐｄ，Ａｌから
選ばれる少なくとも一つの金属を主体とする電極との密
着性を向上させ、Ｚｎ電極と例えばＣｕ電極との間に不
安定な金属化合物を発生させることもない。Ｚｎ電極表
面活性化処理としては、化学的エッチングを用いること
ができ、酸を利用することによって行われる。具体的に
は、ｐＨ３程度の例えばりんご酸を用いて行う。他の方
法としては、表面を物理的に粗す等の物理的エッチング
によっても良い。Further, the surface of the Zn electrode which is the first layer electrode 2 is activated. This surface activation treatment removes oxides on the surface of the Zn electrode. As a result, the adhesion of the second layer electrode 3 to be laminated to the electrode mainly composed of at least one metal selected from Cu, Ni, Ag, Pd and Al is improved, and the second electrode 3 between the Zn electrode and the Cu electrode is improved. It does not generate an unstable metal compound. As the Zn electrode surface activation treatment, chemical etching can be used and is performed by using an acid. Specifically, for example, malic acid having a pH of about 3 is used. As another method, physical etching such as physically roughening the surface may be used.

【００４７】次に、第１層電極２であるＺｎ電極の上
に、第２層電極３として、例えばＣｕ電極を形成する。
第２層電極３であるＣｕ電極の形成は、メッキ法によっ
て行う。このメッキは電解メッキ、或いは、無電解メッ
キのいずれの方法であってもよいが、無電解メッキがセ
ラミック素子特性を劣化させないと言う理由で好まし
い。Next, for example, a Cu electrode is formed as the second layer electrode 3 on the Zn electrode which is the first layer electrode 2.
The Cu electrode that is the second layer electrode 3 is formed by a plating method. This plating may be performed by either electrolytic plating or electroless plating, but is preferable because electroless plating does not deteriorate the characteristics of the ceramic element.

【００４８】そして、第２層電極３であるＣｕ電極の上
にリード線４，５を鉛フリー半田等で半田付けし、リー
ド線４，５の一部を除いて、絶縁性樹脂等でコーティン
グし、外装材６を形成する。Then, the lead wires 4 and 5 are soldered on the Cu electrode which is the second layer electrode 3 by lead-free solder or the like, and the lead wires 4 and 5 are partially removed and coated with an insulating resin or the like. Then, the exterior material 6 is formed.

【００４９】（実施の形態２）図２は本発明の実施の形
態２における面実装型磁器コンデンサを示す断面図であ
り、図２において、７，８はリード端子であり、２００
は面実装型磁器コンデンサを示している。なお、実施の
形態１で説明したものと同様の部分には、同じ符号を付
している。(Second Embodiment) FIG. 2 is a sectional view showing a surface mount type ceramic capacitor according to a second embodiment of the present invention. In FIG. 2, 7 and 8 are lead terminals, and 200
Indicates a surface-mounted porcelain capacitor. The same parts as those described in the first embodiment are designated by the same reference numerals.

【００５０】図２に示すように、面実装型磁器コンデン
サ２００は、円板状の誘電体磁器基板１の両主表面に、
それぞれ第１層電極２、第２層電極３が形成され、更
に、第２層電極３に、それぞれ一対のリード端子７，８
が半田接合された構成である。As shown in FIG. 2, the surface-mount type porcelain capacitor 200 is provided on both main surfaces of the disk-shaped dielectric porcelain substrate 1.
A first layer electrode 2 and a second layer electrode 3 are formed respectively, and a pair of lead terminals 7 and 8 are further formed on the second layer electrode 3, respectively.
Is a structure that is soldered.

【００５１】そして、外装材６によって、誘電体磁器基
板１、第１層及び第２層の電極２，３、リード端子の一
部が埋設される。Then, the dielectric material substrate 1, the electrodes 2 and 3 of the first and second layers, and part of the lead terminals are buried by the exterior material 6.

【００５２】また、リード端子７，８の外装材６から突
出した部分は、外部端子形成部を構成するものであり、
このリード端子７，８の外部端子形成部を介して回路基
板に表面実装できるようになっている。Further, the portions of the lead terminals 7 and 8 protruding from the exterior material 6 constitute an external terminal forming portion,
The lead terminals 7 and 8 can be surface-mounted on the circuit board via the external terminal forming portions.

【００５３】誘電体磁器基板１としては、実施の形態１
で説明したように、本発明の誘電体組成物を主成分とす
る誘電体磁器が用いられ、同様に、第１層電極２、第２
層電極３としては、Ｚｎ，Ｃｕ，Ｎｉ，Ａｇ，Ｐｄ，Ａ
ｌから選ばれる少なくとも一つの金属が用いられる。As the dielectric ceramic substrate 1, the first embodiment is used.
As described above, the dielectric porcelain containing the dielectric composition of the present invention as a main component is used. Similarly, the first layer electrode 2, the second layer
As the layer electrode 3, Zn, Cu, Ni, Ag, Pd, A
At least one metal selected from 1 is used.

【００５４】また、外装材６としても、実施の形態１で
説明したものと同様であり、絶縁性を有する材料を用い
られ、ガラス、絶縁性樹脂等を用いることができ、絶縁
性樹脂が加工適正、低価格であり好ましく、熱硬化性樹
脂が加工適正に優れより好ましく、更に、オプトクレゾ
ールノボラック系，ビフェニール系，ペンタジエン系等
のエポキシ樹脂等に代表される熱硬化型のエポキシ樹脂
が強度、耐湿性に優れているので特に好ましい。The exterior material 6 is also the same as that described in the first embodiment, a material having an insulating property is used, and glass, an insulating resin or the like can be used, and the insulating resin is processed. Appropriate, inexpensive and preferable, thermosetting resin is excellent in processing suitability and more preferable, and thermosetting epoxy resin represented by epoxy resin such as optocresol novolac type, biphenyl type, pentadiene type, etc. has strength, It is particularly preferable because it has excellent moisture resistance.

【００５５】リード端子７，８としては、導電材料を用
いることができるが、Ｆｅ，Ｃｕ，Ｎｉの少なくとも一
つから選択される金属材料が好適に用いられ、電気的特
性や加工性の面で有利である。A conductive material can be used for the lead terminals 7 and 8, but a metal material selected from at least one of Fe, Cu, and Ni is preferably used, and in terms of electrical characteristics and workability. It is advantageous.

【００５６】次に、本発明の実施の形態２における面実
装型磁器コンデンサの製造方法は、実施の形態１で説明
したものと同様であるが、リード線４，５ではなく、第
２層電極３の上にリード端子７，８が半田付けされ、リ
ード端子７，８の一部を除いて、誘電体磁器基板１、第
１層電極２、第２層電極３を絶縁性樹脂等でコーティン
グし、外装材６を形成し、面実装型磁器コンデンサ２０
０を得ることができる。Next, the method of manufacturing the surface mount type ceramic capacitor according to the second embodiment of the present invention is the same as that described in the first embodiment, but the second layer electrodes are used instead of the lead wires 4 and 5. The lead terminals 7 and 8 are soldered on top of the dielectric 3, and the dielectric ceramic substrate 1, the first layer electrode 2 and the second layer electrode 3 are coated with an insulating resin or the like except for a part of the lead terminals 7 and 8. Then, the exterior material 6 is formed, and the surface mount type porcelain capacitor 20.
You can get 0.

【００５７】（実施の形態３）図３は、本発明の実施の
形態３におけるチップ型磁器コンデンサを示す透視斜視
図であり、図４は本発明の実施の形態３におけるチップ
型磁器コンデンサを示す断面図である。なお、図４は図
３のＡ−Ａ線断面図である。(Third Embodiment) FIG. 3 is a perspective view showing a chip type ceramic capacitor according to a third embodiment of the present invention, and FIG. 4 shows a chip type ceramic capacitor according to the third embodiment of the present invention. FIG. 4 is a sectional view taken along the line AA of FIG.

【００５８】図３，４において、１ａは誘電体磁器で構
成された基体、２ａは導電膜、６は外装材、９は端子電
極である。更に、１０は間隙、１１は軸芯部、１２は端
子部、１３は傾斜部であり、３００はチップ型磁器コン
デンサを示している。なお、図４において、ｈ１は端子
部１２の高さ、ｈ２は軸芯部１１の高さであり、θは軸
芯部１１と傾斜部１３とがなす角度である。また、実施
の形態１，２で説明したものと同様の部分には、同じ符
号を付している。In FIGS. 3 and 4, reference numeral 1a is a base made of a dielectric ceramic, 2a is a conductive film, 6 is an exterior material, and 9 is a terminal electrode. Further, 10 is a gap, 11 is a shaft core portion, 12 is a terminal portion, 13 is an inclined portion, and 300 is a chip type ceramic capacitor. In FIG. 4, h1 is the height of the terminal portion 12, h2 is the height of the shaft core portion 11, and θ is the angle formed by the shaft core portion 11 and the inclined portion 13. The same parts as those described in the first and second embodiments are designated by the same reference numerals.

【００５９】図３，４に示すように、チップ型磁器コン
デンサ３００は、端子部１２間に外装材６が充填され、
外形が略直方体である。As shown in FIGS. 3 and 4, in the chip-type ceramic capacitor 300, the exterior material 6 is filled between the terminal portions 12,
The outer shape is a substantially rectangular parallelepiped.

【００６０】更に、基体１ａは、その両端に端子部１
２、中央に軸芯部１１を備えた構成であり、軸芯部１１
は端子部１２よりも外周に亘って凹んでいる。そして、
この凹んだ部分に外装材６が充填される。Further, the base body 1a has terminal portions 1 on both ends thereof.
2. The shaft core 11 is provided at the center,
Is recessed over the outer periphery of the terminal portion 12. And
The exterior material 6 is filled in the recessed portion.

【００６１】そして、基体１ａは、その機械的強度、諸
特性を維持するために、端子部１２の高さｈ１と、軸芯
部１１の高さｈ２との寸法比は、ｈ２／ｈ１＝０．５〜
０．８５であること、即ち、端子部１２の高さｈ１と、
軸芯部１１の高さｈ２の比が、ｈ１：ｈ２＝１：０．５
〜０．８５の範囲にあることが好ましい。この値が０．
５未満であると、機械的強度が不足して、コンデンサ製
品として品質を維持することができない。また、この値
が０．８５を超えると、充填される外装材６の厚みが不
足し、耐湿性の低下など、信頼性が悪くなる。In order to maintain the mechanical strength and various characteristics of the base body 1a, the dimensional ratio between the height h1 of the terminal portion 12 and the height h2 of the shaft core portion 11 is h2 / h1 = 0. .5-
0.85, that is, the height h1 of the terminal portion 12,
The ratio of the height h2 of the shaft core portion 11 is h1: h2 = 1: 0.5.
It is preferably in the range of 0.85. If this value is 0.
If it is less than 5, the mechanical strength is insufficient and the quality cannot be maintained as a capacitor product. On the other hand, if this value exceeds 0.85, the thickness of the exterior material 6 to be filled becomes insufficient, and the reliability deteriorates, such as a decrease in moisture resistance.

【００６２】更に、基体１ａにおいて、軸芯部１１と、
両端の端子部１２との間には、それぞれ傾斜部１３が形
成されることが好ましい。この傾斜部１３を備えること
によって、外装材６が確実かつ安定して充填でき、チッ
プ型磁器コンデンサ３００は、外装材６と基体１ａの間
には、気泡の抱き込みがほとんどない。また、この軸芯
部１１と傾斜部１３とがなす角度θは、９０度〜１５０
度であることが好ましい。９０度以下であると、気泡が
発生し、安定した外装材６の充填が困難である。また、
１５０度を超えると充填される外装材６が薄くなってし
まい、耐湿性の低下など、信頼性が悪くなる。Further, in the base body 1a, the shaft core portion 11,
It is preferable that inclined portions 13 are formed between the terminal portions 12 at both ends. By providing this inclined portion 13, the exterior material 6 can be filled reliably and stably, and in the chip-type porcelain capacitor 300, there is almost no inclusion of bubbles between the exterior material 6 and the base body 1a. Further, the angle θ formed by the shaft core portion 11 and the inclined portion 13 is 90 degrees to 150 degrees.
The degree is preferably. When it is 90 degrees or less, bubbles are generated, and it is difficult to stably fill the exterior material 6. Also,
If it exceeds 150 degrees, the exterior material 6 to be filled becomes thin, and the reliability deteriorates, such as a decrease in moisture resistance.

【００６３】以上のような構成を有する基体１ａの表面
には、導電膜２ａが形成され、更に、軸芯部１１におい
て導電膜２ａは間隙１０によって分離されている。そし
て、間隙１０、軸芯部１１及び傾斜部１３に形成された
導電膜２ａを覆うように外装材６が形成されている。A conductive film 2a is formed on the surface of the base body 1a having the above structure, and the conductive film 2a is separated by the gap 10 in the shaft core portion 11. Then, the exterior material 6 is formed so as to cover the conductive film 2 a formed on the gap 10, the shaft core portion 11 and the inclined portion 13.

【００６４】また、外装材６で被覆されていない端子部
１２の導電膜２ａの上には、導電膜２ａを覆うように端
子電極９が形成されている。なお、端子電極９を設けず
に、端子部１２で露出している導電膜２ａをそのまま電
極として用いても良い。A terminal electrode 9 is formed on the conductive film 2a of the terminal portion 12 which is not covered with the exterior material 6 so as to cover the conductive film 2a. The conductive film 2a exposed at the terminal portion 12 may be used as it is as an electrode without providing the terminal electrode 9.

【００６５】また、外装材６と端子部１２は略面一であ
り、外形が略直方体となり、チップコンデンサとしての
実装性に優れるものである。また、チップ型磁器コンデ
ンサ３００の外形は略直方体であることが実装性に優れ
るので好ましいが、チップコンデンサとしての実装性を
阻害しない範囲で、円柱状、多角形状であってもよい。Further, the exterior material 6 and the terminal portion 12 are substantially flush with each other, and the outer shape is a substantially rectangular parallelepiped, which is excellent in mountability as a chip capacitor. Further, it is preferable that the external shape of the chip-type ceramic capacitor 300 is a substantially rectangular parallelepiped because it is excellent in mountability, but it may be cylindrical or polygonal as long as the mountability as a chip capacitor is not impaired.

【００６６】更に、チップ型磁器コンデンサ３００の各
構成について詳しく説明する。Further, each structure of the chip type ceramic capacitor 300 will be described in detail.

【００６７】まず、基体１ａは、実施の形態１，２で説
明したように、本発明の誘電体組成物を主成分とする誘
電体磁器が用いられる。そして、導電膜２ａはＺｎ，Ｃ
ｕ，Ｎｉ，Ａｇ，Ｐｄ，Ａｌから選ばれる少なくとも一
つの金属を主体とするものである。First, as the base 1a, as described in the first and second embodiments, the dielectric ceramic containing the dielectric composition of the present invention as the main component is used. The conductive film 2a is made of Zn, C
It is mainly composed of at least one metal selected from u, Ni, Ag, Pd and Al.

【００６８】また、外装材６としても、実施の形態１、
２で説明したものと同様である。Further, as the exterior material 6, the first embodiment,
It is similar to that described in 2.

【００６９】また、端子電極９は、実装時の半田付け性
を向上させ、導電膜２ａを保護することができる。この
端子電極９としては、Ｎｉ，Ｓｎ，鉛フリー半田または
半田の中から選ばれる少なくとも１種以上の材料を用い
ることができる。この中でも、Ｎｉ層上にＳｎまたは鉛
フリー半田、半田を形成した電極は、半田付性および耐
熱性が向上すると言う理由で特に好ましい。Further, the terminal electrode 9 can improve the solderability at the time of mounting and protect the conductive film 2a. As the terminal electrode 9, at least one material selected from Ni, Sn, lead-free solder or solder can be used. Among these, Sn or lead-free solder on the Ni layer, or an electrode formed by soldering is particularly preferable because the solderability and heat resistance are improved.

【００７０】また、導電膜２ａと端子電極９との間に、
実施の形態１、２における第２層の電極としてＺｎ，Ｃ
ｕ，Ｎｉ，Ａｇ，Ｐｄ，Ａｌから選ばれる少なくとも一
つの金属を用いてもよい。Further, between the conductive film 2a and the terminal electrode 9,
Zn, C as the second layer electrode in the first and second embodiments
At least one metal selected from u, Ni, Ag, Pd, and Al may be used.

【００７１】次に、本発明の実施の形態３におけるチッ
プ型磁器コンデンサの製造方法について説明する。Next, a method of manufacturing the chip type ceramic capacitor according to the third embodiment of the present invention will be described.

【００７２】まず、実施の形態１，２と同様に、本発明
の誘電体磁器組成物を配合して、これら誘電体材料を金
型に装填し加圧成形した後焼成する。First, as in the first and second embodiments, the dielectric ceramic composition of the present invention is mixed, these dielectric materials are loaded into a mold, pressure-molded, and then fired.

【００７３】そして、焼成された略直方体のベース基体
１ａの中央を外周に亘って削ることによって、両端の端
子部１２よりも外周に亘って凹んでいる軸芯部１１を形
成する。なお、両端の端子部１２よりも外周に亘って凹
んでいる軸芯部１１を備えるように予め金型を形成し、
この金型で誘電体材料を加圧成形し、これを焼成して基
体１ａを形成してもよい。このように形成することで、
基体１ａを削る工程を無くすことができる。Then, the center of the fired substantially rectangular parallelepiped base substrate 1a is shaved over the outer circumference to form the shaft core portion 11 recessed over the outer circumference more than the terminal portions 12 at both ends. In addition, the mold is formed in advance so as to include the shaft core portion 11 that is recessed over the outer periphery of the terminal portions 12 at both ends,
The dielectric material may be pressure-molded with this mold and fired to form the substrate 1a. By forming in this way,
The step of shaving the substrate 1a can be eliminated.

【００７４】次に、この基体１ａに感光性樹脂を塗布
し、露光及び現像を行って、所定幅の間隙１０に相当す
る導電膜２ａを形成しない部分を基体１ａの外周に亘っ
てマスクする。Next, a photosensitive resin is applied to the base body 1a, exposed and developed to mask a portion corresponding to the gap 10 having a predetermined width where the conductive film 2a is not formed, over the outer periphery of the base body 1a.

【００７５】そして、このマスク部分以外の基体１ａ表
面にＺｎ，Ｃｕ，Ｎｉ，Ａｇ，Ｐｄ，Ａｌから選ばれる
少なくとも一つの金属を主体とする導電膜２ａを形成す
る。導電膜２ａの形成方法としては、導電ペーストに浸
積して塗布するいわゆるディップ塗装や、印刷法、電着
法、鍍金法、蒸着法等の成膜方法を用いることができ
る。Then, a conductive film 2a mainly composed of at least one metal selected from Zn, Cu, Ni, Ag, Pd and Al is formed on the surface of the substrate 1a other than the masked portion. As a method of forming the conductive film 2a, so-called dip coating in which the conductive paste is dipped and applied, or a film forming method such as a printing method, an electrodeposition method, a plating method, or a vapor deposition method can be used.

【００７６】次に、所定幅の間隙１０に相当する導電膜
２ａを形成しない部分にマスクされた感光性樹脂を除去
し、所望の形状にパターニングされ、間隙１０によって
分離された導電膜２ａを得ることができる。Next, the photosensitive resin masked in the portion where the conductive film 2a corresponding to the gap 10 having the predetermined width is not formed is removed and patterned into a desired shape to obtain the conductive film 2a separated by the gap 10. be able to.

【００７７】基体１ａに間隙１０によって分離された導
電膜２ａを形成する方法としては、所定幅の間隙１０に
相当する導電膜２ａを形成しない部分を除いて、導電膜
２ａを基体１ａに直接塗布形成することもできる。As a method of forming the conductive film 2a separated by the gap 10 on the base body 1a, the conductive film 2a is directly applied to the base body 1a except for the portion where the conductive film 2a corresponding to the gap 10 having a predetermined width is not formed. It can also be formed.

【００７８】更に、種々の成膜方法によって、一旦導電
膜２ａを基体１ａの表面全面に形成した後、所定幅の間
隙１０に相当する導電膜２ａを形成しない部分のみを研
磨、レーザートリミング、物理的或いは化学的エッチン
グ等の方法によって除去してもよい。この中でも、レー
ザートリミングは高精度であり好ましい。Further, after the conductive film 2a is once formed on the entire surface of the substrate 1a by various film forming methods, only the portion where the conductive film 2a corresponding to the gap 10 having a predetermined width is not formed is polished, laser trimmed, and physically. It may be removed by a method such as mechanical or chemical etching. Among these, laser trimming is preferable because it has high precision.

【００７９】更に、レーザートリミングにより導電膜２
ａの不要な部分を除去する場合において、まず、レーザ
ートリミングで不要部分の導電膜２ａの所定厚み分を除
去する。次に、不要部分及びその他の部分を含め全体を
一律にエッチングする。このエッチングは不要部分の導
電膜２ａの膜厚が完全に除去されるまで行う。これによ
って、不要部分以外の導電膜２ａは残留し、所望の形状
にパターニングされた導電膜２ａを得ることができる。
この方法によれば、レーザートリミングによって、基体
１ａの表面に形成された導電膜２ａを除去する際に、レ
ーザーの熱が基体１ａに達することがないので、基体１
ａの材料を熱変性させ、特性を劣化させることがなく、
レーザーの熱による基体１ａの特性劣化を防ぐことがで
きる。Further, the conductive film 2 is formed by laser trimming.
In the case of removing the unnecessary portion of “a”, first, a predetermined thickness of the conductive film 2a in the unnecessary portion is removed by laser trimming. Next, the entire portion including the unnecessary portion and other portions is uniformly etched. This etching is performed until the film thickness of the conductive film 2a in the unnecessary portion is completely removed. As a result, the conductive film 2a other than the unnecessary portion remains, and the conductive film 2a patterned into a desired shape can be obtained.
According to this method, the heat of the laser does not reach the base body 1a when the conductive film 2a formed on the surface of the base body 1a is removed by laser trimming.
The material of a is not heat-denatured and its characteristics are not deteriorated.
It is possible to prevent the characteristic deterioration of the substrate 1a due to the heat of the laser.

【００８０】次に、軸芯部１１に形成された導電膜２ａ
を覆うように、上述した絶縁性を有する材料を用いて外
装材６を充填する。Next, the conductive film 2a formed on the shaft core portion 11
The exterior material 6 is filled with the above-described insulating material so as to cover the.

【００８１】次に、端子部１２の導電膜２ａに対して、
導電膜２ａを覆うように端子電極９を形成する。Next, with respect to the conductive film 2a of the terminal portion 12,
The terminal electrode 9 is formed so as to cover the conductive film 2a.

【００８２】そして、本発明の実施の形態３におけるチ
ップ型磁器コンデンサ３００は、外形が略直方体とな
り、チップコンデンサとしての実装性に優れる。The chip type ceramic capacitor 300 according to the third embodiment of the present invention has a substantially rectangular parallelepiped outer shape, and is excellent in mountability as a chip capacitor.

【００８３】なお、本発明の実施の形態３において、実
装性や外装材６の充填性を必要としない場合には、両端
の端子部１２よりも外周に亘って凹んでいる軸芯部１１
を形成せずに、単に略直方体、或いは角柱状、円柱状の
基体１ａの表面に導電膜２ａを形成し、導電膜２ａを分
離する間隙１０を備えた単純な構成としてもよい。In the third embodiment of the present invention, when the mountability and the filling property of the exterior material 6 are not required, the shaft core portion 11 recessed in the outer circumference more than the terminal portions 12 at both ends.
It is also possible to simply form the conductive film 2a on the surface of the substantially rectangular parallelepiped or prismatic or cylindrical base body 1a without forming the above, and to provide the gap 10 for separating the conductive film 2a.

【００８４】（実施の形態４）図５は本発明の実施の形
態４におけるチップ型磁器コンデンサを示す透視斜視図
であり、図６は本発明の実施の形態４におけるチップ型
磁器コンデンサを示す断面図である。なお、図６は図５
のＡ−Ａ線断面図である。(Fourth Embodiment) FIG. 5 is a perspective view showing a chip type ceramic capacitor according to a fourth embodiment of the present invention, and FIG. 6 is a cross section showing a chip type ceramic capacitor according to the fourth embodiment of the present invention. It is a figure. 6 is shown in FIG.
FIG. 9 is a sectional view taken along line AA of FIG.

【００８５】図５，６において、１ａは誘電体磁器で構
成された基体、２ａは導電膜、６は外装材、９は端子電
極である。更に、１０ａ，１０ｂは間隙、１１は軸芯
部、１２は端子部、１３は傾斜部であり、４００はチッ
プ型磁器コンデンサを示している。In FIGS. 5 and 6, reference numeral 1a is a base made of a dielectric ceramic, 2a is a conductive film, 6 is an exterior material, and 9 is a terminal electrode. Further, 10a and 10b are gaps, 11 is a shaft core portion, 12 is a terminal portion, 13 is an inclined portion, and 400 is a chip type ceramic capacitor.

【００８６】なお、図６において、ｈ１は端子部１２の
高さ、ｈ２は軸芯部１１の高さであり、θは軸芯部１１
と傾斜部１３とがなす角度である。また、実施の形態３
で説明したものと同様の部分には、同じ符号を付してい
る。In FIG. 6, h1 is the height of the terminal portion 12, h2 is the height of the shaft core portion 11, and θ is the shaft core portion 11.
And the inclined portion 13 forms an angle. In addition, the third embodiment
The same reference numerals are given to the same parts as those described in.

【００８７】図５，６に示すように、チップ型磁器コン
デンサ４００は、端子部１２間に外装材６が充填され、
外形が略直方体である。As shown in FIGS. 5 and 6, in the chip-type porcelain capacitor 400, the exterior material 6 is filled between the terminal portions 12,
The outer shape is a substantially rectangular parallelepiped.

【００８８】更に、基体１ａは、その両端に端子部１
２、中央に軸芯部１１を備えた構成であり、軸芯部１１
は端子部１２よりも外周に亘って凹んでいる。そして、
この凹んだ部分に外装材６が充填される。Further, the base body 1a has terminal portions 1 at both ends thereof.
2. The shaft core 11 is provided at the center,
Is recessed over the outer periphery of the terminal portion 12. And
The exterior material 6 is filled in the recessed portion.

【００８９】そして、基体１ａは、その機械的強度、諸
特性を維持するために、端子部１２の高さｈ１と、軸芯
部１１の高さｈ２との寸法比は、ｈ２／ｈ１＝０．５〜
０．８５であること、即ち、端子部１２の高さｈ１と、
軸芯部１１の高さｈ２の比が、ｈ１：ｈ２＝１：０．５
〜０．８５の範囲にあることが好ましい。この値が０．
５未満であると、機械的強度が不足して、コンデンサ製
品として品質を維持することができない。また、この値
が０．８５を超えると、充填される外装材６の厚みが不
足し、耐湿性の低下など、信頼性が悪くなる。In order to maintain the mechanical strength and various characteristics of the base body 1a, the dimensional ratio between the height h1 of the terminal portion 12 and the height h2 of the shaft core portion 11 is h2 / h1 = 0. .5-
0.85, that is, the height h1 of the terminal portion 12,
The ratio of the height h2 of the shaft core portion 11 is h1: h2 = 1: 0.5.
It is preferably in the range of 0.85. If this value is 0.
If it is less than 5, the mechanical strength is insufficient and the quality cannot be maintained as a capacitor product. On the other hand, if this value exceeds 0.85, the thickness of the exterior material 6 to be filled becomes insufficient, and the reliability deteriorates, such as a decrease in moisture resistance.

【００９０】更に、基体１ａにおいて、軸芯部１１と、
両端の端子部１２との間には、それぞれ傾斜部１３が形
成されることが好ましい。この傾斜部１３を備えること
によって、外装材６が確実かつ安定して充填でき、チッ
プ型磁器コンデンサ３００は、外装材６と基体１ａの間
には、気泡の抱き込みがほとんどない。また、この軸芯
部１１と傾斜部１３とがなす角度θは、９０度〜１５０
度であることが好ましい。９０度以下であると、気泡が
発生し、安定した外装材６の充填が困難である。また、
１５０度を超えると充填される外装材６が薄くなってし
まい、耐湿性の低下など、信頼性が悪くなる。Further, in the base body 1a, the shaft core portion 11,
It is preferable that inclined portions 13 are formed between the terminal portions 12 at both ends. By providing this inclined portion 13, the exterior material 6 can be filled reliably and stably, and in the chip-type porcelain capacitor 300, there is almost no inclusion of bubbles between the exterior material 6 and the base body 1a. Further, the angle θ formed by the shaft core portion 11 and the inclined portion 13 is 90 degrees to 150 degrees.
The degree is preferably. When it is 90 degrees or less, bubbles are generated, and it is difficult to stably fill the exterior material 6. Also,
If it exceeds 150 degrees, the exterior material 6 to be filled becomes thin, and the reliability deteriorates, such as a decrease in moisture resistance.

【００９１】以上のような構成を有する基体１ａの表面
には、導電膜２ａが形成され、更に、軸芯部１１におい
て導電膜２ａは間隙１０ａ，１０ｂによって分離されて
いる。A conductive film 2a is formed on the surface of the base body 1a having the above structure, and the conductive film 2a is separated by the gaps 10a and 10b in the shaft core portion 11.

【００９２】そして、図５，６に示すように、軸芯部１
１の対向する一対の側面及び端子部１２には導電膜２ａ
が形成され、この導電膜２ａは、対向する一対の側面で
互いに異なる端子部１２と間隙１０ａ，１０ｂを介し、
対向する一対の側面で互いに異なる端子部１２に引き出
されている。Then, as shown in FIGS.
The conductive film 2a is provided on the pair of side surfaces facing each other and the terminal portion 12.
This conductive film 2a is formed on a pair of side surfaces facing each other with the terminal portions 12 and the gaps 10a and 10b different from each other,
The pair of side surfaces facing each other are drawn to different terminal portions 12.

【００９３】即ち、チップ型磁器コンデンサ４００に
は、基体１ａの軸芯部１１の表裏で、互いに異なる方向
に引き出された導電膜２ａが形成され、基体１ａの表裏
でそれぞれ間隙１０ａ，１０ｂによって分離されてい
る。そして、互いに異なる方向に引き出された導電膜２
ａのそれぞれが端子部１２を覆う構成であり、互いに対
向する端子部１２間において、基体１ａの表裏に形成さ
れ、導電膜２ａを分離する間隙１０ａと間隙１０ｂとは
点対称の関係にある。なお、端子部１２における導電膜
２ａは、側面にのみ設け端面には設けなくてもよい。That is, in the chip-type porcelain capacitor 400, the conductive films 2a drawn in different directions are formed on the front and back of the shaft core portion 11 of the base 1a, and separated by the gaps 10a and 10b on the front and back of the base 1a. Has been done. Then, the conductive film 2 drawn out in different directions
Each of a covers the terminal portion 12, and between the terminal portions 12 facing each other, the gaps 10a and the gaps 10b formed on the front and back surfaces of the base body 1a and separating the conductive film 2a have a point-symmetrical relationship. The conductive film 2a in the terminal portion 12 may be provided only on the side surface and may not be provided on the end surface.

【００９４】そして、本発明の実施の形態４におけるチ
ップ型磁器コンデンサ４００は、対向する端子部１２間
において、導電膜２ａを分離する間隙１０ａと間隙１０
ｂによって静電容量を得ることができる。更に、軸芯部
１１を介して互いに対向する導電膜２ａが形成され、基
体１ａの軸芯部１１の厚み（高さｈ２）によって、静電
容量を得ることができる。また、基体１ａの軸芯部１１
の厚みを変更することによって、所望の静電容量を得る
ことができる。In the chip-type ceramic capacitor 400 according to the fourth embodiment of the present invention, the gap 10a and the gap 10 separating the conductive film 2a are provided between the opposing terminal portions 12.
The capacitance can be obtained by b. Further, the conductive films 2a facing each other with the shaft core 11 interposed therebetween are formed, and the capacitance can be obtained by the thickness (height h2) of the shaft core 11 of the substrate 1a. Further, the shaft core portion 11 of the base body 1a
A desired capacitance can be obtained by changing the thickness of the.

【００９５】また、外装材６と端子部１２は略面一であ
り、外形が略直方体となり、チップコンデンサとしての
実装性に優れるものである。また、チップ型磁器コンデ
ンサ４００の外形は略直方体であることが実装性に優れ
るので好ましいが、チップコンデンサとしての実装性を
阻害しない範囲で、円柱状、多角形状であってもよい。Further, the exterior material 6 and the terminal portion 12 are substantially flush with each other, and the outer shape is a substantially rectangular parallelepiped, which is excellent in mountability as a chip capacitor. Further, it is preferable that the outer shape of the chip-type ceramic capacitor 400 is a substantially rectangular parallelepiped because it is excellent in mountability, but it may be cylindrical or polygonal as long as the mountability as a chip capacitor is not impaired.

【００９６】更に、チップ型磁器コンデンサ４００の各
構成について詳しく説明する。Further, each structure of the chip type ceramic capacitor 400 will be described in detail.

【００９７】まず、基体１は、実施の形態１〜３で説明
したように、本発明の誘電体組成物を主成分とする誘電
体磁器が用いられる。そして、導電膜２ａはＺｎ，Ｃ
ｕ，Ｎｉ，Ａｇ，Ｐｄ，Ａｌから選ばれる少なくとも一
つの金属を主体とするものである。First, as the substrate 1, as described in the first to third embodiments, the dielectric ceramic containing the dielectric composition of the present invention as a main component is used. The conductive film 2a is made of Zn, C
It is mainly composed of at least one metal selected from u, Ni, Ag, Pd and Al.

【００９８】また、外装材６としても、実施の形態１〜
３で説明したものと同様である。Also, as the exterior material 6, the first to third embodiments can be used.
It is similar to that described in 3.

【００９９】また、実施の形態３と同様に、端子電極９
は、実装時の半田付け性を向上させ、導電膜２ａを保護
することができる。この端子電極９としては、Ｎｉ，Ｓ
ｎ，半田の中から選ばれる少なくとも１種以上の材料を
用いることができる。この中でも、Ｎｉ層上にＳｎまた
は半田を形成した電極は、半田付性および耐熱性が向上
すると言う理由で特に好ましい。また、導電膜２ａと端
子電極９との間に、実施の形態１、２における第２層の
電極としてＺｎ，Ｃｕ，Ｎｉ，Ａｇ，Ｐｄ，Ａｌから選
ばれる少なくとも一つの金属を用いてもよい。Further, similarly to the third embodiment, the terminal electrode 9
Can improve solderability during mounting and protect the conductive film 2a. As the terminal electrode 9, Ni, S
It is possible to use at least one kind of material selected from n and solder. Among these, an electrode in which Sn or solder is formed on the Ni layer is particularly preferable because it improves solderability and heat resistance. Further, between the conductive film 2a and the terminal electrode 9, at least one metal selected from Zn, Cu, Ni, Ag, Pd and Al may be used as the second layer electrode in the first and second embodiments. .

【０１００】次に、本発明の実施の形態４におけるチッ
プ型磁器コンデンサの製造方法について説明する。Next, a method of manufacturing the chip type ceramic capacitor according to the fourth embodiment of the present invention will be described.

【０１０１】まず、実施の形態１〜３と同様に、本発明
のを配合して、これら誘電体材料を金型に装填し加圧成
形した後焼成する。First, as in the first to third embodiments, the composition of the present invention is blended, these dielectric materials are loaded into a mold, pressure-molded, and then fired.

【０１０２】そして、焼成された略直方体のベース基体
１ａの中央を外周に亘って削ることによって、両端の端
子部１２よりも外周に亘って凹んでいる軸芯部１１を形
成する。なお、両端の端子部１２よりも外周に亘って凹
んでいる軸芯部１１を備えるように予め金型を形成し、
この金型で誘電体材料を加圧成形し、これを焼成して基
体１ａを形成してもよい。このように形成することで、
基体１ａを削る工程を無くすことができる。Then, the center of the fired substantially rectangular parallelepiped base substrate 1a is shaved over the outer circumference to form the shaft core portion 11 recessed over the outer circumference more than the terminal portions 12 at both ends. In addition, the mold is formed in advance so as to include the shaft core portion 11 that is recessed over the outer periphery of the terminal portions 12 at both ends,
The dielectric material may be pressure-molded with this mold and fired to form the substrate 1a. By forming in this way,
The step of shaving the substrate 1a can be eliminated.

【０１０３】次に、この基体１ａに感光性樹脂を塗布
し、露光及び現像を行って、所定幅の間隙１０ａ，１０
ｂに相当する導電膜２ａを形成しない部分を基体１ａの
表裏でそれぞれマスクする。Next, a photosensitive resin is applied to the base 1a, exposed and developed to form gaps 10a, 10 having a predetermined width.
The portions of the substrate 1a on which the conductive film 2a is not formed are masked on the front and back sides, respectively.

【０１０４】そして、このマスク部分以外の基体１ａ表
面に例えばＺｎを主体とする導電膜２ａを形成する。導
電膜２ａの形成方法としては、導電ペーストに浸積して
塗布するいわゆるディップ塗装や、印刷法、電着法、鍍
金法、蒸着法等の成膜方法を用いることができる。Then, a conductive film 2a mainly composed of, for example, Zn is formed on the surface of the substrate 1a other than the mask portion. As a method of forming the conductive film 2a, so-called dip coating in which the conductive paste is dipped and applied, or a film forming method such as a printing method, an electrodeposition method, a plating method, or a vapor deposition method can be used.

【０１０５】次に、所定幅の間隙１０ａ，１０ｂに相当
する導電膜２ａを形成しない部分にマスクされた感光性
樹脂を除去し、所望の形状にパターニングされ、間隙１
０ａ，１０ｂによって分離された導電膜２ａを得ること
ができる。Next, the photosensitive resin masked at the portions where the conductive film 2a corresponding to the gaps 10a and 10b having a predetermined width is not formed is removed, and patterned into a desired shape.
The conductive film 2a separated by 0a and 10b can be obtained.

【０１０６】基体１ａに間隙１０ａ，１０ｂによって分
離された導電膜２ａを形成する方法としては、所定幅の
間隙１０ａ，１０ｂに相当する導電膜２を形成しない部
分を除いて、導電膜２ａを基体１ａに直接塗布形成する
こともできる。As a method of forming the conductive film 2a separated by the gaps 10a and 10b on the base body 1a, the conductive film 2a is formed on the base body except the portions where the conductive film 2 corresponding to the gaps 10a and 10b having a predetermined width is not formed. It is also possible to directly form the coating on 1a.

【０１０７】更に、種々の成膜方法によって、一旦導電
膜２ａを基体１ａの表面全面に形成した後、所定幅の間
隙１０ａ，１０ｂに相当する導電膜２ａを形成しない部
分のみを研磨、レーザートリミング、物理的或いは化学
的エッチング等の方法によって除去してもよい。この中
でも、レーザートリミングは高精度であり好ましい。Further, after the conductive film 2a is once formed on the entire surface of the substrate 1a by various film forming methods, only the portions where the conductive film 2a corresponding to the gaps 10a and 10b having a predetermined width is not formed are polished and laser trimmed. It may be removed by a method such as physical or chemical etching. Among these, laser trimming is preferable because it has high precision.

【０１０８】更に、レーザートリミングにより導電膜２
ａの不要な部分を除去する場合において、まず、レーザ
ートリミングで不要部分の導電膜２ａの所定厚み分を除
去する。次に、不要部分及びその他の部分を含め全体を
一律にエッチングする。このエッチングは不要部分の導
電膜２ａの膜厚が完全に除去されるまで行う。これによ
って、不要部分以外の導電膜２ａは残留し、所望の形状
にパターニングされた導電膜２ａを得ることができる。
この方法によれば、レーザートリミングによって、基体
１ａの表面に形成された導電膜２ａを除去する際に、レ
ーザーの熱が基体１ａに達することがないので、基体１
ａの材料を熱変性させ、特性を劣化させることがなく、
レーザーの熱による基体１ａの特性劣化を防ぐことがで
きる。Further, the conductive film 2 is formed by laser trimming.
In the case of removing the unnecessary portion of “a”, first, a predetermined thickness of the conductive film 2a in the unnecessary portion is removed by laser trimming. Next, the entire portion including the unnecessary portion and other portions is uniformly etched. This etching is performed until the film thickness of the conductive film 2a in the unnecessary portion is completely removed. As a result, the conductive film 2a other than the unnecessary portion remains, and the conductive film 2a patterned into a desired shape can be obtained.
According to this method, the heat of the laser does not reach the base body 1a when the conductive film 2a formed on the surface of the base body 1a is removed by laser trimming.
The material of a is not heat-denatured and its characteristics are not deteriorated.
It is possible to prevent the characteristic deterioration of the substrate 1a due to the heat of the laser.

【０１０９】次に、軸芯部１１に形成された導電膜２ａ
を覆うように、上述した絶縁性を有する材料を用いて外
装材６を充填する。Next, the conductive film 2a formed on the shaft core portion 11
The exterior material 6 is filled with the above-described insulating material so as to cover the.

【０１１０】次に、端子部１２の導電膜２ａに対して、
導電膜２ａを覆うように端子電極９を形成する。Next, with respect to the conductive film 2a of the terminal portion 12,
The terminal electrode 9 is formed so as to cover the conductive film 2a.

【０１１１】そして、本発明の実施の形態４におけるチ
ップ型磁器コンデンサ４００は、外形が略直方体とな
り、チップコンデンサとしての実装性に優れる。The chip-type ceramic capacitor 400 according to the fourth embodiment of the present invention has a substantially rectangular parallelepiped outer shape and is excellent in mountability as a chip capacitor.

【０１１２】なお、本発明の実施の形態４において、実
装性や外装材６の充填性を必要としない場合には、両端
の端子部１２よりも外周に亘って凹んでいる軸芯部１１
を形成せずに、単に、基体１ａを略直方体とし、略直方
体の基体１ａの対向する一対の側面で互いに異なる端面
と間隙１０ａ，１０ｂを介して、一対の側面で互いに異
なる端面に引き出された導電膜２ａを備えた単純な構成
としてもよい。In the fourth embodiment of the present invention, when the mountability and the filling property of the exterior material 6 are not required, the shaft core portion 11 which is recessed more in the outer circumference than the terminal portions 12 at both ends.
Without forming the above, the base body 1a is simply formed into a substantially rectangular parallelepiped, and the pair of side surfaces are drawn out to the different end surfaces through the gaps 10a and 10b and the different end surfaces from the pair of side surfaces facing each other of the substantially rectangular parallelepiped base body 1a. A simple structure including the conductive film 2a may be used.

【０１１３】（実施の形態５）図７は、本発明の実施の
形態５におけるチップ型磁器コンデンサを示す斜視図で
あり、図８は本発明の実施の形態５におけるチップ型磁
器コンデンサを示す断面図である。なお、図８（ａ）は
図７のＡ−Ａ線断面図、図８（ｂ）は図７のＢ−Ｂ線断
面図、図８（ｃ）は図７のＣ−Ｃ線断面図である。(Fifth Embodiment) FIG. 7 is a perspective view showing a chip type ceramic capacitor according to a fifth embodiment of the present invention, and FIG. 8 is a cross section showing a chip type ceramic capacitor according to the fifth embodiment of the present invention. It is a figure. 8A is a sectional view taken along line AA of FIG. 7, FIG. 8B is a sectional view taken along line BB of FIG. 7, and FIG. 8C is a sectional view taken along line CC of FIG. is there.

【０１１４】図７，８において、１１ａは中央対向部で
ある。また、５００はチップ型磁器コンデンサを示して
いる。また、Ｌは凹部に挟まれた中央対向部１１ａの基
体１ａの厚みである。なお、本実施の形態５において
は、実施の形態４で説明した部分と同じものには同じ符
号を付している。In FIGS. 7 and 8, 11a is the central facing portion. Further, reference numeral 500 indicates a chip type ceramic capacitor. L is the thickness of the base body 1a of the central facing portion 11a sandwiched between the recesses. In the fifth embodiment, the same parts as those described in the fourth embodiment are designated by the same reference numerals.

【０１１５】そして、本実施の形態５においては、チッ
プ型磁器コンデンサ５００を構成する各部は、実施の形
態４で説明したものと同様であり、詳しい説明は一部省
略する。Further, in the fifth embodiment, each part constituting the chip-type ceramic capacitor 500 is the same as that described in the fourth embodiment, and a detailed description thereof will be partially omitted.

【０１１６】図７に示すように、チップ型磁器コンデン
サ５００は、基体１ａの両端部に端子電極９を備え、端
子電極９間の凹部に外装材６が充填され、外形が略直方
体である。As shown in FIG. 7, the chip-type porcelain capacitor 500 is provided with terminal electrodes 9 at both ends of the base body 1a, the recesses between the terminal electrodes 9 are filled with the exterior material 6, and the outer shape is a substantially rectangular parallelepiped.

【０１１７】更に、図８（ａ）に示すように、チップ型
磁器コンデンサ５００は、略直方体である基体１ａの対
向する一対の面に凹部がそれぞれ形成されている。この
対向する凹部の深さは任意であり、対向する凹部の深さ
によって、基体１ａの中央対向部１１ａの厚みＬが決定
される。対向する凹部は、中央対向部１１ａを挟み対称
形状であり、体積も同一である事が好ましいが、互いに
異なっていてもよい。Further, as shown in FIG. 8A, the chip-type ceramic capacitor 500 has recesses formed in a pair of opposing surfaces of the base 1a which is a substantially rectangular parallelepiped. The depth of the facing concave portions is arbitrary, and the thickness L of the central facing portion 11a of the base body 1a is determined by the depth of the facing concave portions. It is preferable that the facing concave portions are symmetrical with respect to the central facing portion 11a and have the same volume, but they may be different from each other.

【０１１８】また、図８（ａ）、（ｂ）、（ｃ）に示す
ように、基体１ａの表面には、対向する凹部で、即ち、
基体１ａの中央対向部１１ａの表裏で、互いに異なる端
面に引き出された導電膜２ａが形成されている。更に、
導電膜２ａは、基体１ａの中央対向部１１ａの表裏でそ
れぞれ間隙１０ａ，１０ｂによって分離されている。As shown in FIGS. 8 (a), 8 (b) and 8 (c), on the surface of the substrate 1a, there are concave portions facing each other, that is,
Conductive films 2a are formed on the front and back sides of the central facing portion 11a of the base body 1a and are drawn to different end faces. Furthermore,
The conductive film 2a is separated by gaps 10a and 10b on the front and back of the central facing portion 11a of the base body 1a.

【０１１９】そして、互いに異なる端面に引き出された
導電膜２ａのそれぞれが基体１ａの端子部１２を覆う構
成であり、互いに対向する端子部１２間において、基体
１ａの中央対向部１１ａの表裏に形成され、導電膜２ａ
を分離する間隙１０ａと間隙１０ｂとは点対称の関係に
ある。Each of the conductive films 2a drawn to different end faces is configured to cover the terminal portion 12 of the base 1a, and is formed on the front and back surfaces of the central facing portion 11a of the base 1a between the terminal portions 12 facing each other. And the conductive film 2a
The gap 10a and the gap 10b separating the two have a point-symmetrical relationship.

【０１２０】更に、対向する凹部には、それぞれ外装材
６が充填され、基体１ａの中央対向部１１ａの表裏の導
電膜２ａ及び間隙１０ａ，１０ｂを覆う構成となってい
る。Further, the facing concave portions are filled with the exterior material 6, respectively, so as to cover the conductive films 2a and the gaps 10a and 10b on the front and back sides of the central facing portion 11a of the base 1a.

【０１２１】また、端子部１２の導電膜２ａに対して、
導電膜２ａを覆うように端子電極９が形成されている。
なお、端子電極９を設けずに、端子部１２で露出してい
る導電膜２ａをそのまま電極として用いても良い。Further, with respect to the conductive film 2a of the terminal portion 12,
A terminal electrode 9 is formed so as to cover the conductive film 2a.
The conductive film 2a exposed at the terminal portion 12 may be used as it is as an electrode without providing the terminal electrode 9.

【０１２２】また、外装材６を端子部１２と略面一に充
填することで、外形が略直方体となり、チップコンデン
サとしての実装性に優れるものである。Further, by filling the exterior material 6 substantially flush with the terminal portion 12, the outer shape becomes a substantially rectangular parallelepiped, and the mountability as a chip capacitor is excellent.

【０１２３】そして、本発明の実施の形態５におけるチ
ップ型磁器コンデンサ５００は、対向する端子部１２間
において、導電膜２ａを分離する間隙１０ａと間隙１０
ｂによって静電容量を得ることができると共に、更に、
中央対向部１１ａを介して互いに対向する導電膜２ａが
形成され、基体１ａの中央対向部１１ａの厚みＬによっ
て、静電容量を得ることができる。また、基体１ａの中
央対向部１１ａの厚みＬを変更することによって、所望
の静電容量を得ることができる。In the chip type ceramic capacitor 500 according to the fifth embodiment of the present invention, the gap 10a and the gap 10 separating the conductive film 2a are provided between the opposing terminal portions 12.
The capacitance can be obtained by b, and further,
The conductive films 2a facing each other with the central facing portion 11a interposed therebetween are formed, and the capacitance can be obtained by the thickness L of the central facing portion 11a of the base 1a. Further, a desired capacitance can be obtained by changing the thickness L of the central facing portion 11a of the base body 1a.

【０１２４】特に、大きな静電容量を得るために、基体
１ａの中央対向部１１ａの厚みＬを小さくしても、中央
対向部１１ａを取り囲む基体１ａの存在によって、チッ
プ型磁器コンデンサ５０の機械的強度を維持することが
可能である。In particular, even if the thickness L of the central facing portion 11a of the base body 1a is reduced in order to obtain a large electrostatic capacitance, the mechanical strength of the chip-type porcelain capacitor 50 is increased by the presence of the base body 1a surrounding the central facing portion 11a. It is possible to maintain strength.

【０１２５】基体１は、実施の形態１〜４で説明したよ
うに、本発明の誘電体組成物を主成分とする誘電体磁器
が用いられる。そして、導電膜２ａはＺｎ，Ｃｕ，Ｎ
ｉ，Ａｇ，Ｐｄ，Ａｌから選ばれる少なくとも一つの金
属を主体とするものである。As the base 1, as described in the first to fourth embodiments, the dielectric ceramic containing the dielectric composition of the present invention as a main component is used. The conductive film 2a is made of Zn, Cu, N.
It is mainly composed of at least one metal selected from i, Ag, Pd and Al.

【０１２６】また、外装材６としても、実施の形態１〜
４で説明したものと同様である。Further, also as the exterior material 6, the first to third embodiments can be used.
It is similar to that described in Section 4.

【０１２７】また、端子電極９も、実施の形態３，４で
説明したものと同様である。The terminal electrode 9 is also the same as that described in the third and fourth embodiments.

【０１２８】次に、チップ型磁器コンデンサ５００の製
造方法について説明する。Next, a method of manufacturing the chip type ceramic capacitor 500 will be described.

【０１２９】この基体１ａの形成方法としては、まず、
金型に上記した誘電体材料を装填し加圧成形後これを焼
成する。そして、焼成されたこの略直方体のベース基体
１ａの対向する一対の面の中央を削ることによって、凹
部を形成する。また、基体１ａの対向する一対の面の中
央にそれぞれ凹部を備えるように予め金型を形成し、こ
の金型で誘電体材料を加圧成形し、これを焼成してもよ
い。このように形成することで、基体１ａを削る工程を
無くすことができる。As a method of forming the base 1a, first,
The above-mentioned dielectric material is loaded into a mold, pressure-molded, and then baked. Then, the recess is formed by cutting the center of a pair of opposing surfaces of the fired substantially rectangular parallelepiped base substrate 1a. Alternatively, a mold may be formed in advance so as to have a concave portion at the center of each of a pair of opposing surfaces of the base body 1a, the dielectric material may be pressure-molded by this mold, and the dielectric material may be baked. By forming in this way, the step of shaving the substrate 1a can be eliminated.

【０１３０】次に、基体１ａの表裏に導電膜２ａが形成
される。一方の凹部において導電膜２ａは間隙１０ａを
備えるように形成され、他方の凹部において導電膜２ａ
は間隙１０ｂを備えるように形成される。Next, the conductive film 2a is formed on the front and back of the base 1a. The conductive film 2a is formed so as to have a gap 10a in one concave portion, and the conductive film 2a is formed in the other concave portion.
Are formed to have a gap 10b.

【０１３１】導電膜２ａの形成方法としては、実施の形
態４で説明した方法と同様である。The method of forming the conductive film 2a is the same as the method described in the fourth embodiment.

【０１３２】そして、凹部に上記した絶縁性を有する材
料を用いて外装材６を充填する。なお、外装材６は端子
部１２と略面一に形成することが好ましい。Then, the exterior material 6 is filled in the concave portion using the above-mentioned material having an insulating property. The exterior material 6 is preferably formed to be substantially flush with the terminal portion 12.

【０１３３】更に、端子部１２の導電膜２ａに対して、
導電膜２ａを覆うように端子電極９を形成する。Furthermore, with respect to the conductive film 2a of the terminal portion 12,
The terminal electrode 9 is formed so as to cover the conductive film 2a.

【０１３４】そして、本発明の実施の形態５におけるチ
ップ型磁器コンデンサ５００は、外形が略直方体とな
り、チップコンデンサとしての実装性に優れる。The chip type ceramic capacitor 500 according to the fifth embodiment of the present invention has a substantially rectangular parallelepiped outer shape, and is excellent in mountability as a chip capacitor.

【０１３５】以上実施の形態１〜５で説明したように、
本発明の磁器コンデンサは、様々な形態を取ることが可
能である。そして、いずれの形態であっても、本発明の
磁器コンデンサは、本発明の誘電体磁器を備えることに
より、鉛を含有せず、温度特性が平滑で、誘電率が高
く、自己発熱の低い全ての特性を満足することができる
ものである。As described in the first to fifth embodiments,
The porcelain capacitor of the present invention can take various forms. In any of the forms, the porcelain capacitor of the present invention includes the dielectric porcelain of the present invention, does not contain lead, has a smooth temperature characteristic, a high dielectric constant, and low self-heating. The characteristics of can be satisfied.

【０１３６】用途としては、液晶バックライトインバー
ターのバラスト回路、スイッチング電源の１次、２次ス
ナバー回路、テレビ・ＣＲＴディスプレイなどの水平共
振回路、インバーター蛍光灯、電子機器の高圧・パルス
回路、通信用モデムの対サージ回路等として広く使用さ
れる。The applications include ballast circuits of liquid crystal backlight inverters, primary and secondary snubber circuits of switching power supplies, horizontal resonance circuits of televisions and CRT displays, inverter fluorescent lamps, high-voltage / pulse circuits of electronic equipment, and communications. Widely used as a surge circuit for modems.

【０１３７】[0137]

【実施例】実施例により本発明を詳細に説明する。な
お、本発明は以下の実施例等により何ら限定されるもの
ではない。The present invention will be described in detail with reference to examples. The present invention is not limited to the following examples.

【０１３８】（実施例１）まず、主成分であるＢａＣＯ
₃・Ｂｉ₂Ｏ₃・ＴｉＯ₂粉末（モル比で、ＢａＣＯ ₃
０．９４〜０．７５Ｂｉ₂Ｏ₃ ０．０６〜０．２５
ＴｉＯ₂ ０．９６）と、ＳｎＯ₂をモル比で０．０４、
それぞれ電子天秤で秤量し、１０ｍｍφのＺｒＯ₂質ボ
ールが入ったモノマロン製ポットミル中に投入した。Example 1 First, BaCO as the main component
₃・ Bi₂O₃・ TiO₂Powder (molar ratio of BaCO ₃
0.94 to 0.75 Bi₂O₃  0.06-0.25
TiO₂  0.96) and SnO₂In a molar ratio of 0.04,
Each is weighed with an electronic balance and 10 mmφ ZrO₂Quality
It was put into the pot mill made of Monomaron containing the syrup.

【０１３９】次に、１００ｒｐｍの回転速度で水を媒体
とした湿式で１６時間混合した後、テフロンシートを敷
いたステンレスバット中に投入し、１２０℃の温度で乾
燥した。乾燥した塊状物はアルミナ乳鉢中で解砕した
後、この粉体をアルミナルツボに入れ、約２００℃／ｈ
の昇温速度で１０５０℃まで昇温した後４時間保持し約
２００℃／ｈで降温した。この仮焼粉体を１０ｍｍφの
ＺｒＯ₂質ボールが入ったモノマロン製ポットミル中に
投入し、１００ｒｐｍの回転速度で水を媒体とした湿式
で１６時間混合粉砕した後、１２０℃の温度で乾燥し
た。乾燥した塊状物はアルミナ乳鉢中で解砕した後、ポ
リビニールアルコール１０％水溶液を粉体重量に対し１
０％添加混合しメッシュカットを行い造粒した。Next, the mixture was wet mixed with water as a medium for 16 hours at a rotation speed of 100 rpm, then put into a stainless steel vat provided with a Teflon sheet and dried at a temperature of 120 ° C. After crushing the dried lumps in an alumina mortar, put this powder in an alumina crucible,
After the temperature was raised to 1050 ° C. at 4 ° C., the temperature was maintained for 4 hours and the temperature was lowered at about 200 ° C./h. The calcined powder was put into a pot mill made of Monomaron containing ZrO ₂ quality balls of 10 mmφ, mixed and pulverized for 16 hours by wet using water as a medium at a rotation speed of 100 rpm, and then dried at a temperature of 120 ° C. The dried lumps are crushed in an alumina mortar and then a 10% aqueous solution of polyvinyl alcohol is added to the powder weight to 1
0% was added and mixed, and the mixture was mesh-cut and granulated.

【０１４０】この造粒物を円板型の形状に加圧成形した
後、約２００℃／ｈの昇温速度で約１２００℃まで昇温
し、２時間保持した後、約２００℃／ｈで降温し、誘電
体磁器基板を得た。誘電体磁器基板の形状は、直径約１
０．０ｍｍ、厚さ約１．０ｍｍである。This granulated product was pressure-molded into a disk shape, heated to about 1200 ° C. at a heating rate of about 200 ° C./h, held for 2 hours, and then heated at about 200 ° C./h. The temperature was lowered to obtain a dielectric ceramic substrate. The shape of the dielectric ceramic substrate is about 1 in diameter.
The thickness is 0.0 mm and the thickness is about 1.0 mm.

【０１４１】次に、得られた誘電体磁器基板の両主表面
に、印刷法によって第１層電極としてのＡｇ電極を直径
８．０ｍｍで形成し、８００℃で焼き付けを行った。Next, an Ag electrode as a first layer electrode having a diameter of 8.0 mm was formed on both main surfaces of the obtained dielectric ceramic substrate by a printing method and baked at 800 ° C.

【０１４２】そして、誘電体磁器の両主表面のＡｇ電極
上に、それぞれリード線を半田付けした。Then, lead wires were soldered on the Ag electrodes on both main surfaces of the dielectric ceramics.

【０１４３】更に、リード線の一部を除いて、エポキシ
樹脂をコーティングし、Ａｇ電極が形成された誘電体磁
器を被覆して外装材を形成し、図１に示したような磁器
コンデンサを得た。Further, except for a part of the lead wire, an epoxy resin is coated, and a dielectric ceramic on which an Ag electrode is formed is coated to form an exterior material, and a porcelain capacitor as shown in FIG. 1 is obtained. It was

【０１４４】次に、得られた実施例１の磁器コンデンサ
の静電容量（Ｃａｐ）、誘電体損失（ｔａｎδ）、誘電
体形状（φ／ｔ）、誘電率（ε）、温度特性（ＴＣ）、
自己発熱特性（Δｔ）を測定した。Next, the capacitance (Cap), dielectric loss (tan δ), dielectric shape (φ / t), dielectric constant (ε), temperature characteristic (TC) of the obtained ceramic capacitor of Example 1 were obtained. ,
The self-heating property (Δt) was measured.

【０１４５】静電容量（Ｃａｐ）と誘電体損失（ｔａｎ
δ）はＹＨＰ製Ｃメータ４２７８Ａを使用して１Ｖ／１
ＭＨｚの信号電圧下で測定した。誘電体形状（φ／ｔ）
はマイクロメーターで測定し、誘電率（ε）は以下の計
算で求めた。温度特性（ＴＣ）は温度毎の静電容量をＹ
ＨＰ製Ｃメータ４２７８Ａで測定した。Capacitance (Cap) and dielectric loss (tan)
δ) is 1V / 1 using YHP C meter 4278A
It was measured under a signal voltage of MHz. Dielectric shape (φ / t)
Was measured with a micrometer, and the dielectric constant (ε) was calculated by the following calculation. The temperature characteristic (TC) is the capacitance for each temperature Y
It was measured by HP C meter 4278A.

【０１４６】Ｃ＝ε・Ｄ²／１４４ｔＣ：静電容量 ε：誘電率Ｄ：誘電体電極径ｔ：誘電体厚み自己発熱特性（δｔ）は、実施例１の磁器コンデンサ
に、ＡＣ５００Ｖｐ−ｐ、周波数１００ｋＨｚを印加
し、φ０．１ｍｍの熱電対（クロメルアルメル）を実施
例１の磁器コンデンサのエポキシ樹脂からなる外装材に
密着させ、温度上昇が安定した時の外装材の表面温度を
測定し、この外装材の表面温度と、そのときの雰囲気温
度との差を自己発熱特性（Δｔ）とした。C = ε · D ² / 144t C: capacitance ε: permittivity D: dielectric electrode diameter t: dielectric thickness self-heating characteristic (δt) is 500V ACp-p for the porcelain capacitor of the first embodiment. , A frequency of 100 kHz was applied, and a thermocouple of φ0.1 mm (chromel alumel) was brought into close contact with the exterior material made of epoxy resin of the porcelain capacitor of Example 1, and the surface temperature of the exterior material when the temperature rise was stabilized was measured. The difference between the surface temperature of this exterior material and the ambient temperature at that time was defined as the self-heating characteristic (Δt).

【０１４７】この測定結果を実施例１の組成と共に（表
１）に示した。なお、実施例１の組成及び測定結果は、
（表１）のＮｏ２〜６が対応する。The measurement results are shown in Table 1 together with the composition of Example 1. The composition and measurement results of Example 1 are
Nos. 2 to 6 in (Table 1) correspond.

【０１４８】[0148]

【表１】 [Table 1]

【０１４９】（表１）の結果から明らかなように、本実
施例１の組成の誘電体磁器を用いた磁器コンデンサは、
鉛を含有せず、温度特性が平滑で、誘電率が高く、自己
発熱の低い全ての特性を満足することができた。As is clear from the results of (Table 1), the porcelain capacitor using the dielectric porcelain having the composition of Example 1 is
It did not contain lead, had smooth temperature characteristics, high permittivity, and low self-heating.

【０１５０】（比較例１）（表１）のＮｏ１に示す組成
で、その他は実施例１と同様にして、比較例１の磁器コ
ンデンサを得た。更に、実施例１と同様に評価を行い、
その測定結果も（表１）に示した。（表１）からわかる
ように、Ｂｉ₂Ｏ₃が０．０６より少ない場合は誘電体損
失（ｔａｎδ）、自己発熱特性（Δｔ）が悪化し実用的
でない。(Comparative Example 1) A porcelain capacitor of Comparative Example 1 was obtained in the same manner as in Example 1, except that the composition was No. 1 in Table 1. Furthermore, the same evaluation as in Example 1 was performed.
The measurement results are also shown in (Table 1). As can be seen from (Table 1), when Bi ₂ O ₃ is less than 0.06, the dielectric loss (tan δ) and the self-heating characteristic (Δt) deteriorate, which is not practical.

【０１５１】（比較例２）（表１）のＮｏ７に示す組成
で、その他は実施例１と同様にして、比較例２の磁器コ
ンデンサを得た。更に、実施例１と同様に評価を行い、
その測定結果も（表１）に示した。（表１）からわかる
ように、Ｂｉ₂Ｏ₃が０．２５より多い場合は、誘電率
（ε）が低下し実用的でない。(Comparative Example 2) A porcelain capacitor of Comparative Example 2 was obtained in the same manner as in Example 1, except that the composition was No. 7 in Table 1. Furthermore, the same evaluation as in Example 1 was performed.
The measurement results are also shown in (Table 1). As can be seen from (Table 1), when Bi ₂ O ₃ is more than 0.25, the dielectric constant (ε) decreases and it is not practical.

【０１５２】（実施例２）主成分であるＢａＣＯ₃・Ｂ
ｉ₂Ｏ₃・ＴｉＯ₂粉末（モル比で、ＢａＣＯ₃ ０．８４
〜０．７５Ｂｉ₂Ｏ₃ ０．１５ＴｉＯ₂ １．０
０）と、Ｎｄ₂Ｏ₃をモル比で０．００５〜０．０５、そ
れぞれ電子天秤で秤量し、その他は実施例１と同様にし
て、実施例２の磁器コンデンサを得た。更に、実施例１
と同様に評価を行い、その測定結果を実施例２の組成と
共に（表１）に示した（Ｎｏ９〜１１）。(Example 2) BaCO ₃ .B as the main component
i ₂ O ₃ · TiO ₂ powder (molar ratio: BaCO ₃ 0.84
~ 0.75 Bi ₂ O ₃ 0.15 TiO ₂ 1.0
0) and Nd ₂ O ₃ in a molar ratio of 0.005 to 0.05 were weighed by an electronic balance, and otherwise the same as in Example 1 to obtain a porcelain capacitor of Example 2. Furthermore, Example 1
The evaluation was performed in the same manner as above, and the measurement results are shown in Table 1 together with the composition of Example 2 (Nos. 9 to 11).

【０１５３】（表１）の結果から明らかなように、本実
施例２の組成の誘電体磁器を用いた磁器コンデンサは、
鉛を含有せず、温度特性が平滑で、誘電率が高く、自己
発熱の低い全ての特性を満足することができた。As is clear from the results of (Table 1), the porcelain capacitor using the dielectric porcelain having the composition of Example 2 is:
It did not contain lead, had smooth temperature characteristics, high permittivity, and low self-heating.

【０１５４】（比較例３）（表１）のＮｏ８に示す組成
で、その他は実施例２と同様にして、比較例３の磁器コ
ンデンサを得た。更に、実施例２と同様に評価を行い、
その測定結果も（表１）に示した。（表１）からわかる
ように、Ｎｄ₂Ｏ₃が０．００５より少ない場合は誘電体
損失（ｔａｎδ）、自己発熱特性（Δｔ）が悪化し実用
的でない。(Comparative Example 3) A porcelain capacitor of Comparative Example 3 was obtained in the same manner as in Example 2, except that the composition was No. 8 in Table 1. Furthermore, the same evaluation as in Example 2 was carried out,
The measurement results are also shown in (Table 1). As can be seen from (Table 1), when Nd ₂ O ₃ is less than 0.005, the dielectric loss (tan δ) and the self-heating characteristic (Δt) deteriorate, which is not practical.

【０１５５】（比較例４）（表１）のＮｏ１２に示す組
成で、その他は実施例２と同様にして、比較例４の磁器
コンデンサを得た。更に、実施例２と同様に評価を行
い、その測定結果も（表１）に示した。（表１）からわ
かるように、Ｎｄ₂Ｏ₃が０．０５より多い場合は、誘電
率（ε）が低下し実用的でない。(Comparative Example 4) A porcelain capacitor of Comparative Example 4 was obtained in the same manner as in Example 2 except that the composition was No. 12 in Table 1. Furthermore, evaluation was performed in the same manner as in Example 2, and the measurement results are also shown in (Table 1). As can be seen from (Table 1), when Nd ₂ O ₃ is more than 0.05, the dielectric constant (ε) decreases and it is not practical.

【０１５６】（実施例３）主成分であるＢａＣＯ₃・Ｂ
ｉ₂Ｏ₃・ＴｉＯ₂粉末（モル比で、ＢａＣＯ₃ ０．８４
〜０．７５Ｂｉ₂Ｏ₃ ０．１５ＴｉＯ₂ １．０
０）と、Ｌａ₂Ｏ₃をモル比で０．００５〜０.０５、そ
れぞれ電子天秤で秤量し、その他は実施例１と同様にし
て、実施例３の磁器コンデンサを得た。更に、実施例１
と同様に評価を行い、その測定結果を実施例３の組成と
共に（表１）に示した（Ｎｏ１４〜１６）。(Example 3) BaCO ₃ .B as the main component
i ₂ O ₃ · TiO ₂ powder (molar ratio: BaCO ₃ 0.84
~ 0.75 Bi ₂ O ₃ 0.15 TiO ₂ 1.0
0) and La ₂ O ₃ in a molar ratio of 0.005 to 0.05 were weighed by an electronic balance, and otherwise the same as in Example 1 to obtain a porcelain capacitor of Example 3. Furthermore, Example 1
Evaluation was performed in the same manner as above, and the measurement results are shown in (Table 1) together with the composition of Example 3 (Nos. 14 to 16).

【０１５７】（表１）の結果から明らかなように、本実
施例の組成の誘電体磁器を用いた磁器コンデンサは、鉛
を含有せず、温度特性が平滑で、誘電率が高く、自己発
熱の低い全ての特性を満足することができた。As is clear from the results of (Table 1), the ceramic capacitor using the dielectric ceramic of the composition of this example does not contain lead, has a smooth temperature characteristic, a high dielectric constant and self-heating. It was possible to satisfy all the characteristics of low.

【０１５８】（比較例５）（表１）のＮｏ１３に示す組
成で、その他は実施例３と同様にして、比較例５の磁器
コンデンサを得た。更に、実施例３と同様に評価を行
い、その測定結果も（表１）に示した。（表１）からわ
かるように、Ｌａ₂Ｏ₃が０．００５より少ない場合は誘
電体損失（ｔａｎδ）、自己発熱特性（Δｔ）が悪化し
実用的でない。(Comparative Example 5) A ceramic capacitor of Comparative Example 5 was obtained in the same manner as in Example 3, except that the composition was No. 13 in Table 1. Furthermore, evaluation was performed in the same manner as in Example 3, and the measurement results are also shown in (Table 1). As can be seen from (Table 1), when La ₂ O ₃ is less than 0.005, the dielectric loss (tan δ) and the self-heating characteristic (Δt) deteriorate, which is not practical.

【０１５９】（比較例６）（表１）のＮｏ１７に示す組
成で、その他は実施例３と同様にして、比較例６の磁器
コンデンサを得た。更に、実施例３と同様に評価を行
い、その測定結果も（表１）に示した。（表１）からわ
かるように、Ｌａ₂Ｏ₃が０．０５より多い場合は誘電率
（ε）が低下し実用的でない。(Comparative Example 6) A porcelain capacitor of Comparative Example 6 was obtained in the same manner as in Example 3, except that the composition was No. 17 in Table 1. Furthermore, evaluation was performed in the same manner as in Example 3, and the measurement results are also shown in (Table 1). As can be seen from (Table 1), when La ₂ O ₃ is more than 0.05, the dielectric constant (ε) decreases and it is not practical.

【０１６０】（実施例４）主成分であるＢａＣＯ₃・Ｂ
ｉ₂Ｏ₃・ＴｉＯ₂粉末（モル比で、ＢａＣＯ₃ ０．８４
〜０．７５Ｂｉ₂Ｏ₃ ０．１５ＴｉＯ₂ １．０
０）と、ＣｅＯ₂をモル比で０．０１〜０．１０、それ
ぞれ電子天秤で秤量し、その他は実施例１と同様にし
て、実施例４の磁器コンデンサを得た。更に、実施例１
と同様に評価を行い、その測定結果を実施例４の組成比
と共に（表１）に示した（Ｎｏ１８〜２１）。Example 4 BaCO ₃ .B as the main component
i ₂ O ₃ · TiO ₂ powder (molar ratio: BaCO ₃ 0.84
~ 0.75 Bi ₂ O ₃ 0.15 TiO ₂ 1.0
0) and CeO ₂ in a molar ratio of 0.01 to 0.10 were weighed by an electronic balance, and otherwise the same as in Example 1 to obtain a porcelain capacitor of Example 4. Furthermore, Example 1
Evaluation was performed in the same manner as above, and the measurement results are shown in (Table 1) together with the composition ratio of Example 4 (Nos. 18 to 21).

【０１６１】（表１）の結果から明らかなように、本実
施例の組成の誘電体磁器を用いた磁器コンデンサは、鉛
を含有せず、温度特性が平滑で、誘電率が高く、自己発
熱の低い全ての特性を満足することができた。As is clear from the results of (Table 1), the ceramic capacitor using the dielectric ceramic of the composition of this example does not contain lead, has a smooth temperature characteristic, a high dielectric constant, and self-heating. It was possible to satisfy all the characteristics of low.

【０１６２】（比較例７）（表１）のＮｏ２２に示す組
成で、その他は実施例４と同様にして、比較例７の磁器
コンデンサを得た。更に、実施例４と同様に評価を行
い、その測定結果も（表１）に示した。（表１）からわ
かるように、ＣｅＯ₂が０．１０より多い場合は誘電率
（ε）が低下し実用的でない。(Comparative Example 7) A porcelain capacitor of Comparative Example 7 was obtained in the same manner as in Example 4, except that the composition was No. 22 in Table 1. Furthermore, evaluation was performed in the same manner as in Example 4, and the measurement results are also shown in (Table 1). As can be seen from (Table 1), when CeO ₂ is more than 0.10, the dielectric constant (ε) decreases, which is not practical.

【０１６３】（実施例５）主成分であるＢａＣＯ₃・Ｂ
ｉ₂Ｏ₃・ＴｉＯ₂粉末（モル比で、ＢａＣＯ₃ ０．８５
Ｂｉ₂Ｏ₃ ０．１５ＴｉＯ₂ ０．９９〜０．９
０）と、ＳｎＯ₂をモル比で０．０１〜０．１０、それ
ぞれ電子天秤で秤量し、その他は実施例１と同様にし
て、実施例５の磁器コンデンサを得た。更に、実施例１
と同様に評価を行い、その測定結果を実施例５の組成と
共に（表１）に示した（Ｎｏ２３〜２６）。(Example 5) BaCO ₃ .B as the main component
i ₂ O ₃ · TiO ₂ powder (molar ratio of BaCO ₃ 0.85
Bi _₂ O ₃ 0.15 TiO ₂ 0.99~0.9
0) and SnO ₂ in a molar ratio of 0.01 to 0.10 were weighed by an electronic balance, and otherwise the same as in Example 1 to obtain a porcelain capacitor of Example 5. Furthermore, Example 1
Evaluation was performed in the same manner as above, and the measurement results are shown in Table 1 together with the composition of Example 5 (Nos. 23 to 26).

【０１６４】（表１）の結果から明らかなように、本実
施例５の組成の誘電体磁器を用いた磁器コンデンサは、
鉛を含有せず、温度特性が平滑で、誘電率が高く、自己
発熱の低い全ての特性を満足することができた。As is clear from the results of (Table 1), the ceramic capacitor using the dielectric ceramic of the composition of this Example 5 is
It did not contain lead, had smooth temperature characteristics, high permittivity, and low self-heating.

【０１６５】（比較例８）（表１）のＮｏ２７に示す組
成で、その他は実施例５と同様にして、比較例８の磁器
コンデンサを得た。更に、実施例５と同様に評価を行
い、その測定結果も（表１）に示した。（表１）からわ
かるように、ＳｎＯ₂が０．１０より多い場合は誘電率
（ε）が低下し実用的でない。(Comparative Example 8) A porcelain capacitor of Comparative Example 8 was obtained in the same manner as in Example 5, except that the composition was No. 27 shown in Table 1. Furthermore, evaluation was performed in the same manner as in Example 5, and the measurement results are also shown in (Table 1). As can be seen from (Table 1), when SnO ₂ is more than 0.10, the dielectric constant (ε) decreases, which is not practical.

【０１６６】（実施例６）主成分であるＢａＣＯ₃・Ｂ
ｉ₂Ｏ₃・ＴｉＯ₂粉末（モル比で、ＢａＣＯ₃ ０．８５
Ｂｉ₂Ｏ₃ ０．１５ＴｉＯ₂ ０．９９〜０．９
０）と、ＺｒＯ₂をモル比で０．０１〜０．１０、それ
ぞれ電子天秤で秤量し、その他は実施例１と同様にし
て、実施例６の磁器コンデンサを得た。更に、実施例１
と同様に評価を行い、その測定結果を実施例６の組成と
共に（表２）に示した（Ｎｏ２９〜３１）。Example 6 BaCO ₃ .B as the main component
i ₂ O ₃ · TiO ₂ powder (molar ratio of BaCO ₃ 0.85
Bi _₂ O ₃ 0.15 TiO ₂ 0.99~0.9
0) and ZrO ₂ in a molar ratio of 0.01 to 0.10 were weighed by an electronic balance, and otherwise the same as in Example 1 to obtain a porcelain capacitor of Example 6. Furthermore, Example 1
The evaluation was performed in the same manner as above, and the measurement results are shown in Table 2 together with the composition of Example 6 (Nos. 29 to 31).

【０１６７】[0167]

【表２】 [Table 2]

【０１６８】（表２）の結果から明らかなように、本実
施例６の組成の誘電体磁器を用いた磁器コンデンサは、
鉛を含有せず、温度特性が平滑で、誘電率が高く、自己
発熱の低い全ての特性を満足することができた。As is clear from the results of (Table 2), the ceramic capacitor using the dielectric ceramic of the composition of this Example 6 is
It did not contain lead, had smooth temperature characteristics, high permittivity, and low self-heating.

【０１６９】（比較例９）（表２）のＮｏ２８に示す組
成で、その他は実施例６と同様にして、比較例９の磁器
コンデンサを得た。更に、実施例６と同様に評価を行
い、その測定結果も（表２）に示した。（表２）からわ
かるように、ＺｒＯ₂が０.０１より少ない場合は誘電体
損失（ｔａｎδ）、自己発熱特性（Δｔ）が悪化し実用
的でない。(Comparative Example 9) A porcelain capacitor of Comparative Example 9 was obtained in the same manner as in Example 6, except that the composition was No. 28 in Table 2. Furthermore, evaluation was performed in the same manner as in Example 6, and the measurement results are also shown in (Table 2). As can be seen from (Table 2), when ZrO ₂ is less than 0.01, the dielectric loss (tan δ) and the self-heating characteristic (Δt) deteriorate, which is not practical.

【０１７０】（比較例１０）（表２）のＮｏ３２に示す
組成で、その他は実施例６と同様にして、比較例１０の
磁器コンデンサを得た。更に、実施例６と同様に評価を
行い、その測定結果も（表２）に示した。（表２）から
わかるように、ＺｒＯ₂が０.１０より多い場合は誘電率
（ε）が低下し実用的でない。(Comparative Example 10) A porcelain capacitor of Comparative Example 10 was obtained in the same manner as in Example 6 except that the composition was No. 32 in Table 2. Furthermore, evaluation was performed in the same manner as in Example 6, and the measurement results are also shown in (Table 2). As can be seen from (Table 2), when ZrO ₂ is more than 0.10, the dielectric constant (ε) decreases and it is not practical.

【０１７１】（実施例７）主成分であるＢａＣＯ₃・Ｂ
ｉ₂Ｏ₃・ＴｉＯ₂粉末（モル比で、ＢａＣＯ₃ ０．８５
Ｂｉ₂Ｏ₃ ０．１５ＴｉＯ₂ ０．９９〜０．９
０）と、Ｎｂ₂Ｏ₅をモル比で０．００５〜０．０５、そ
れぞれ電子天秤で秤量し、その他は実施例１と同様にし
て、実施例７の磁器コンデンサを得た。更に、実施例１
と同様に評価を行い、その測定結果を実施例７の組成と
共に（表２）に示した（Ｎｏ３４〜３６）。Example 7 BaCO ₃ .B as the main component
i ₂ O ₃ · TiO ₂ powder (molar ratio of BaCO ₃ 0.85
Bi _₂ O ₃ 0.15 TiO ₂ 0.99~0.9
0) and Nb ₂ O ₅ in a molar ratio of 0.005 to 0.05 were weighed by an electronic balance, and otherwise the same as in Example 1 to obtain a porcelain capacitor of Example 7. Furthermore, Example 1
Evaluation was performed in the same manner as above, and the measurement results are shown in Table 2 together with the composition of Example 7 (Nos. 34 to 36).

【０１７２】（表２）の結果から明らかなように、本実
施例７の組成の誘電体磁器を用いた磁器コンデンサは、
鉛を含有せず、温度特性が平滑で、誘電率が高く、自己
発熱の低い全ての特性を満足することができた。As is clear from the results of (Table 2), the ceramic capacitor using the dielectric ceramic of the composition of this Example 7 is
It did not contain lead, had smooth temperature characteristics, high permittivity, and low self-heating.

【０１７３】（比較例１１）（表２）のＮｏ３３に示す
組成で、その他は実施例７と同様にして、比較例１１の
磁器コンデンサを得た。更に、実施例７と同様に評価を
行い、その測定結果も（表２）に示した。（表２）から
わかるように、Ｎｂ₂Ｏ₅が０．００５より少ない場合は
誘電体損失（ｔａｎδ）、自己発熱特性（Δｔ）が悪化
し実用的でない。(Comparative Example 11) A porcelain capacitor of Comparative Example 11 was obtained in the same manner as in Example 7, except that the composition was No. 33 in Table 2. Furthermore, evaluation was performed in the same manner as in Example 7, and the measurement results are also shown in (Table 2). As can be seen from (Table 2), when Nb ₂ O ₅ is less than 0.005, the dielectric loss (tan δ) and the self-heating characteristic (Δt) deteriorate, which is not practical.

【０１７４】（比較例１２）（表２）のＮｏ３７に示す
組成で、その他は実施例７と同様にして、比較例１２の
磁器コンデンサを得た。更に、実施例７と同様に評価を
行い、その測定結果も（表２）に示した。（表２）から
わかるように、Ｎｂ₂Ｏ₅が０．０５より多い場合は誘電
率（ε）が低下し実用的でない。(Comparative Example 12) A porcelain capacitor of Comparative Example 12 was obtained in the same manner as in Example 7, except that the composition was No. 37 shown in Table 2. Furthermore, evaluation was performed in the same manner as in Example 7, and the measurement results are also shown in (Table 2). As can be seen from (Table 2), when Nb ₂ O ₅ is more than 0.05, the dielectric constant (ε) decreases and it is not practical.

【０１７５】（実施例８）主成分であるＢａＣＯ₃・Ｂ
ｉ₂Ｏ₃・ＴｉＯ₂粉末（モル比で、ＢａＣＯ₃ ０．８５
Ｂｉ₂Ｏ₃ ０．１５ＴｉＯ₂ ０．９９〜０．９
０）と、Ｔａ２Ｏ５をモル比で０．００５〜０．０５、
それぞれ電子天秤で秤量し、その他は実施例１と同様に
して、実施例８の磁器コンデンサを得た。更に、実施例
１と同様に評価を行い、その測定結果を実施例８の組成
と共に（表２）に示した（Ｎｏ３９〜４１）。(Example 8) BaCO ₃ .B as the main component
i ₂ O ₃ · TiO ₂ powder (molar ratio of BaCO ₃ 0.85
Bi _₂ O ₃ 0.15 TiO ₂ 0.99~0.9
0) and Ta2O5 in a molar ratio of 0.005 to 0.05,
Each was weighed with an electronic balance, and otherwise the same as in Example 1 to obtain a porcelain capacitor of Example 8. Furthermore, evaluation was performed in the same manner as in Example 1, and the measurement results are shown in (Table 2) together with the composition of Example 8 (Nos. 39 to 41).

【０１７６】（表２）の結果から明らかなように、本実
施例８の組成の誘電体磁器を用いた磁器コンデンサは、
鉛を含有せず、温度特性が平滑で、誘電率が高く、自己
発熱の低い全ての特性を満足することができた。As is clear from the results of (Table 2), the ceramic capacitor using the dielectric ceramic of the composition of this Example 8 is
It did not contain lead, had smooth temperature characteristics, high permittivity, and low self-heating.

【０１７７】（比較例１３）（表２）のＮｏ３８に示す
組成で、その他は実施例８と同様にして、比較例１３の
磁器コンデンサを得た。更に、実施例８と同様に評価を
行い、その測定結果も（表２）に示した。（表２）から
わかるように、Ｔａ₂Ｏ₅が０．００５より少ない場合は
誘電体損失（ｔａｎδ）、自己発熱特性（Δｔ）が悪化
し実用的でない。(Comparative Example 13) A porcelain capacitor of Comparative Example 13 was obtained in the same manner as in Example 8 except that the composition was No. 38 shown in Table 2. Furthermore, evaluation was performed in the same manner as in Example 8, and the measurement results are also shown in (Table 2). As can be seen from (Table 2), when Ta ₂ O ₅ is less than 0.005, the dielectric loss (tan δ) and the self-heating characteristic (Δt) deteriorate, which is not practical.

【０１７８】（比較例１４）（表２）のＮｏ４２に示す
組成で、その他は実施例８と同様にして、比較例１４の
磁器コンデンサを得た。更に、実施例８と同様に評価を
行い、その測定結果も（表２）に示した。（表２）から
わかるように、Ｔａ₂Ｏ₅が０．０５より多い場合は誘電
率（ε）が低下し実用的でない。(Comparative Example 14) A ceramic capacitor of Comparative Example 14 was obtained in the same manner as in Example 8 except that the composition was No. 42 in Table 2. Furthermore, evaluation was performed in the same manner as in Example 8, and the measurement results are also shown in (Table 2). As can be seen from (Table 2), when Ta ₂ O ₅ is more than 0.05, the dielectric constant (ε) decreases, which is not practical.

【０１７９】（実施例９）主成分であるＢａＣＯ₃・Ｂ
ｉ₂Ｏ₃・ＴｉＯ₂粉末（モル比で、ＢａＣＯ₃ ０．７５
〜０．９５Ｂｉ₂Ｏ₃ ０．１５ＴｉＯ₂ ０．８５
〜１．０５）と、ＺｒＯ₂をモル比で０．０５、また
は、ＳｎＯ₂をモル比で０．０５、それぞれ電子天秤で
秤量し、その他は実施例１と同様にして、実施例９の磁
器コンデンサを得た。更に、実施例１と同様に評価を行
い、その測定結果を実施例９の組成と共に（表２）に示
した（Ｎｏ４３〜４６）。Example 9 BaCO ₃ .B as the main component
i ₂ O ₃ · TiO ₂ powder (molar ratio: BaCO ₃ 0.75
~ 0.95 Bi ₂ O ₃ 0.15 TiO ₂ 0.85
.About.1.05) and ZrO ₂ in a molar ratio of 0.05, or SnO ₂ in a molar ratio of 0.05 were weighed by an electronic balance, and otherwise the same as in Example 1, and the same as in Example 9. I got a porcelain capacitor. Furthermore, evaluation was performed in the same manner as in Example 1, and the measurement results are shown in Table 2 together with the composition of Example 9 (Nos. 43 to 46).

【０１８０】（表２）の結果から明らかなように、本実
施例９の組成の誘電体磁器を用いた磁器コンデンサは、
鉛を含有せず、温度特性が平滑で、誘電率が高く、自己
発熱の低い全ての特性を満足することができた。As is clear from the results of (Table 2), the ceramic capacitor using the dielectric ceramic of the composition of this Example 9 is
It did not contain lead, had smooth temperature characteristics, high permittivity, and low self-heating.

【０１８１】（実施例１０）主成分であるＢａＣＯ₃・
Ｂｉ₂Ｏ₃・ＴｉＯ₂粉末（モル比で、ＢａＣＯ₃ ０．７
２５〜０．８９Ｂｉ₂Ｏ₃ ０．０６〜０．１５Ｔｉ
Ｏ₂ １．００）と、モル比で０．０１〜０．０２５の
Ｎｄ₂Ｏ₃とＬａ₂Ｏ₃、ＣｅＯ₂をそれぞれ電子天秤で秤
量し、その他は実施例１と同様にして、実施例１０の磁
器コンデンサを得た。更に、実施例１と同様に評価を行
い、その測定結果を実施例１０の組成と共に（表２）に
示した（Ｎｏ４７〜４８）。(Example 10) BaCO ₃ · as the main component
Bi ₂ O ₃ · TiO ₂ powder (molar ratio: BaCO ₃ 0.7
25~0.89 Bi ₂ O ₃ 0.06~0.15 Ti
O ₂ 1.00), Nd ₂ O ₃ and La ₂ O ₃ and CeO ₂ in a molar ratio of 0.01 to 0.025 were weighed by an electronic balance, and the other operations were performed in the same manner as in Example 1. A porcelain capacitor of Example 10 was obtained. Furthermore, evaluation was performed in the same manner as in Example 1, and the measurement results are shown in Table 2 together with the composition of Example 10 (Nos 47 to 48).

【０１８２】（表２）の結果から明らかなように、本実
施例１０の組成の誘電体磁器を用いた磁器コンデンサ
は、鉛を含有せず、温度特性が平滑で、誘電率が高く、
自己発熱の低い全ての特性を満足することができた。As is clear from the results of (Table 2), the ceramic capacitor using the dielectric ceramic of the composition of this Example 10 does not contain lead, has a smooth temperature characteristic and a high dielectric constant.
It was possible to satisfy all the characteristics of low self-heating.

【０１８３】（実施例１１）主成分であるＢａＣＯ₃・
Ｂｉ₂Ｏ₃・ＴｉＯ₂粉末（モル比で、ＢａＣＯ₃ ０．９
４Ｂｉ₂Ｏ₃ ０．０６ＴｉＯ₂ ０．９６〜０．９
４）と、モル比で０．０１のＳｎＯ₂とＺｒＯ₂、０．０
０５〜０．０１のＮｂ₂Ｏ₅とＴａ₂Ｏ₅をそれぞれ電子天
秤で秤量し、その他は実施例１と同様にして、実施例１
１の磁器コンデンサを得た。更に、実施例１と同様に評
価を行い、その測定結果を実施例１１の組成と共に（表
２）に示した（Ｎｏ４９〜５０）。(Example 11) BaCO ₃ · as the main component
Bi ₂ O ₃ · TiO ₂ powder (molar ratio: BaCO ₃ 0.9
4 Bi ₂ O ₃ 0.06 TiO ₂ 0.96-0.9
4) and SnO ₂ and ZrO _{2 in} a molar ratio of 0.01, 0.0
Example 1 was carried out in the same manner as in Example 1 except that 05 to 0.01 of Nb ₂ O ₅ and Ta ₂ O ₅ were weighed by an electronic balance.
A porcelain capacitor of No. 1 was obtained. Furthermore, evaluation was performed in the same manner as in Example 1, and the measurement results are shown in (Table 2) together with the composition of Example 11 (Nos. 49 to 50).

【０１８４】（表２）の結果から明らかなように、本実
施例１１の組成の誘電体磁器を用いた磁器コンデンサ
は、鉛を含有せず、温度特性が平滑で、誘電率が高く、
自己発熱の低い全ての特性を満足することができた。As is clear from the results of (Table 2), the ceramic capacitor using the dielectric ceramic of the composition of this Example 11 does not contain lead, has a smooth temperature characteristic and a high dielectric constant.
It was possible to satisfy all the characteristics of low self-heating.

【０１８５】（実施例１２）主成分であるＢａＣＯ₃・
Ｂｉ₂Ｏ₃・ＴｉＯ₂粉末（モル比で、ＢａＣＯ₃ ０．７
２〜０．９１Ｂｉ₂Ｏ₃ ０．０６〜０．２５ＴｉＯ
₂ ０．９７）と、モル比で０．００５のＮｄ₂Ｏ₃とＬ
ａ₂Ｏ₃、０．０１のＣｅＯ₂、０．００５のＳｎＯ₂、Ｚ
ｒＯ₂、Ｎｂ₂Ｏ₅、Ｔａ₂Ｏ₅をそれぞれ電子天秤で秤量
し、その他は実施例１と同様にして、実施例１２の磁器
コンデンサを得た。更に、実施例１と同様に評価を行
い、その測定結果を実施例１２の組成と共に（表２）に
示した（Ｎｏ５１〜５２）。(Example 12) BaCO ₃ · as the main component
Bi ₂ O ₃ · TiO ₂ powder (molar ratio: BaCO ₃ 0.7
_{2 to} 0.91 Bi ₂ O ₃ 0.06 to 0.25 TiO
₂ 0.97) and a molar ratio of 0.005 Nd ₂ O ₃ and L
a ₂ O ₃ , 0.01 CeO ₂ , 0.005 SnO ₂ , Z
rO ₂ , Nb ₂ O ₅ and Ta ₂ O ₅ were each weighed by an electronic balance, and otherwise the same as in Example 1 to obtain a porcelain capacitor of Example 12. Furthermore, evaluation was performed in the same manner as in Example 1, and the measurement results are shown in Table 2 together with the composition of Example 12 (Nos. 51 to 52).

【０１８６】（表２）の結果から明らかなように、本実
施例１２の組成の誘電体磁器を用いた磁器コンデンサ
は、鉛を含有せず、温度特性が平滑で、誘電率が高く、
自己発熱の低い全ての特性を満足することができた。As is clear from the results of (Table 2), the ceramic capacitor using the dielectric ceramic of the composition of Example 12 does not contain lead, the temperature characteristics are smooth, the dielectric constant is high,
It was possible to satisfy all the characteristics of low self-heating.

【０１８７】（実施例１３）主成分であるＢａＣＯ₃・
Ｂｉ₂Ｏ₃・ＴｉＯ₂粉末（モル比で、ＢａＣＯ₃ ０．８
３Ｂｉ₂Ｏ₃ ０．１５ＴｉＯ₂ ０．９７）と、モ
ル比で０．００５のＮｄ₂Ｏ₃とＬａ₂Ｏ₃、０．０１のＣ
ｅＯ₂、０．００５のＳｎＯ₂、ＺｒＯ₂、Ｎｂ₂Ｏ₅、Ｔ
ａ₂Ｏ₅、また添加剤としてＭｎＣＯ₃を０．２〜１．５
ｗｔ％、それぞれ電子天秤で秤量し、その他は実施例１
と同様にして、実施例１３の磁器コンデンサを得た。更
に、実施例１と同様に評価を行い、その測定結果を実施
例１３の組成と共に（表３）に示した（Ｎｏ５４〜５
６）。なお、ＭｎＣＯ₃の添加量は、ＢａＣＯ₃、Ｂｉ₂
Ｏ₃、ＴｉＯ₂、Ｎｄ₂Ｏ₃、Ｌａ₂Ｏ₃、ＣｅＯ₂、Ｓｎ
Ｏ₂、ＺｒＯ₂、Ｎｂ₂Ｏ₅、Ｔａ₂Ｏ₅で構成される誘電体
磁器組成物の総重量に対するものであり、これら誘電体
磁器組成物を１００重量部とすれば、０．２〜１．５重
量部添加される。(Example 13) BaCO ₃ · as the main component
Bi ₂ O ₃ · TiO ₂ powder (in molar ratio, BaCO ₃ 0.8
3 Bi ₂ O ₃ 0.15 TiO ₂ 0.97) and 0.005 molar ratio of Nd ₂ O ₃ and La ₂ O ₃ and 0.01 C
eO ₂ , 0.005 SnO ₂ , ZrO ₂ , Nb ₂ O ₅ , T
a ₂ O ₅ and MnCO ₃ as an additive in an amount of 0.2 to 1.5
wt%, each weighed by an electronic balance, and the others are in Example 1
A ceramic capacitor of Example 13 was obtained in the same manner as in. Furthermore, evaluation was performed in the same manner as in Example 1, and the measurement results are shown in Table 3 together with the composition of Example 13 (Nos. 54 to 5).
6). The amount of MnCO ₃ added was BaCO ₃ , Bi ₂
O ₃ , TiO ₂ , Nd ₂ O ₃ , La ₂ O ₃ , CeO ₂ , Sn
It is based on the total weight of the dielectric ceramic composition composed of O ₂ , ZrO ₂ , Nb ₂ O ₅ , and Ta ₂ O ₅ , and if these dielectric ceramic compositions are 100 parts by weight, 0.2 to 1.5 parts by weight are added.

【０１８８】[0188]

【表３】 [Table 3]

【０１８９】（表３）の結果から明らかなように、本実
施例１３の組成の誘電体磁器を用いた磁器コンデンサ
は、鉛を含有せず、温度特性が平滑で、誘電率が高く、
自己発熱の低い全ての特性を満足することができた。As is clear from the results of (Table 3), the ceramic capacitor using the dielectric ceramic of the composition of Example 13 does not contain lead, the temperature characteristics are smooth, the dielectric constant is high,
It was possible to satisfy all the characteristics of low self-heating.

【０１９０】（比較例１５）（表３）のＮｏ５３に示す
組成で、その他は実施例１３と同様にして、比較例１５
の磁器コンデンサを得た。更に、実施例１３と同様に評
価を行い、その測定結果も（表３）に示した。（表３）
からわかるように、ＭｎＣＯ₃が０．２より少ない場合
は温度特性（ＴＣ）が悪化し実用的でない。(Comparative Example 15) Comparative Example 15 having the composition shown in No. 53 of Table 3 and the same as Example 13 except for the above.
I got a porcelain capacitor. Furthermore, evaluation was performed in the same manner as in Example 13, and the measurement results are also shown in (Table 3). (Table 3)
As can be seen from the above, when MnCO ₃ is less than 0.2, the temperature characteristic (TC) deteriorates and it is not practical.

【０１９１】（比較例１６）（表３）のＮｏ５７に示す
組成で、その他は実施例１３と同様にして、比較例１６
の磁器コンデンサを得た。更に、実施例１３と同様に評
価を行い、その測定結果も（表３）に示した。（表３）
からわかるように、ＭｎＣＯ₃が１．５より多い場合は
誘電体損失（ｔａｎδ）、自己発熱特性（Δｔ）が悪化
し実用的でない。Comparative Example 16 Comparative Example 16 having the composition shown in No. 57 of Table 3 and the same as Example 13 except for the above.
I got a porcelain capacitor. Furthermore, evaluation was performed in the same manner as in Example 13, and the measurement results are also shown in (Table 3). (Table 3)
As can be seen from the above, when MnCO ₃ is more than 1.5, the dielectric loss (tan δ) and the self-heating characteristic (Δt) are deteriorated, which is not practical.

【０１９２】（実施例１４）主成分であるＢａＣＯ₃・
Ｂｉ₂Ｏ₃・ＴｉＯ₂粉末（モル比で、ＢａＣＯ₃ ０．８
２Ｂｉ₂Ｏ₃ ０．１５ＴｉＯ₂ ０．９７）と、モ
ル比で０．００５のＮｄ₂Ｏ₃とＬａ₂Ｏ₃、０．０１のＣ
ｅＯ₂、０．００５のＳｎＯ₂、ＺｒＯ₂、Ｎｂ₂Ｏ₅、Ｔ
ａ₂Ｏ₅、また添加剤としてＭｇＯを０．２〜０．４ｗｔ
％、それぞれ電子天秤で秤量し、その他は実施例１と同
様にして、実施例１４の磁器コンデンサを得た。更に、
実施例１と同様に評価を行い、その測定結果を実施例１
４の組成と共に（表３）に示した（Ｎｏ５９〜６１）。
なお、ＭｇＯの添加量は、ＢａＣＯ₃、Ｂｉ₂Ｏ₃、Ｔｉ
Ｏ₂、Ｎｄ₂Ｏ₃、Ｌａ₂Ｏ₃、ＣｅＯ₂、ＳｎＯ₂、Ｚｒ
Ｏ₂、Ｎｂ₂Ｏ₅、Ｔａ₂Ｏ₅で構成される誘電体磁器組成
物の総重量に対するものであり、これら誘電体磁器組成
物を１００重量部とすれば、０．２〜０．４重量部添加
される。(Example 14) BaCO ₃ · as the main component
Bi ₂ O ₃ · TiO ₂ powder (in molar ratio, BaCO ₃ 0.8
2 Bi ₂ O ₃ 0.15 TiO ₂ 0.97) and 0.005 molar ratio of Nd ₂ O ₃ and La ₂ O ₃ and 0.01 C.
eO ₂ , 0.005 SnO ₂ , ZrO ₂ , Nb ₂ O ₅ , T
a ₂ O ₅ and 0.2 to 0.4 wt% of MgO as an additive
%, Each was weighed with an electronic balance, and otherwise the same as in Example 1 to obtain a porcelain capacitor of Example 14. Furthermore,
Evaluation was performed in the same manner as in Example 1, and the measurement results are shown in Example 1.
It is shown in (Table 3) together with the composition of No. 4 (Nos. 59 to 61).
The amount of MgO added was BaCO ₃ , Bi ₂ O ₃ , Ti.
_{_{_{O 2, Nd 2 O 3,}}} La 2 O 3, CeO 2, SnO 2, Zr
This is based on the total weight of the dielectric ceramic composition composed of O ₂ , Nb ₂ O ₅ , and Ta ₂ O ₅ , and if these dielectric ceramic compositions are 100 parts by weight, 0.2 to 0.4 Parts by weight are added.

【０１９３】（表３）の結果から明らかなように、本実
施例１４の組成の誘電体磁器を用いた磁器コンデンサ
は、鉛を含有せず、温度特性が平滑で、誘電率が高く、
自己発熱の低い全ての特性を満足することができた。As is clear from the results of (Table 3), the ceramic capacitor using the dielectric ceramic of the composition of this Example 14 does not contain lead, has a smooth temperature characteristic and a high dielectric constant.
It was possible to satisfy all the characteristics of low self-heating.

【０１９４】（比較例１７）（表３）のＮｏ５８に示す
組成で、その他は実施例１４と同様にして、比較例１７
の磁器コンデンサを得た。更に、実施例１４と同様に評
価を行い、その測定結果も（表３）に示した。（表３）
からわかるように、ＭｇＯが０．２より少ない場合は温
度特性（ＴＣ）が悪化し実用的でない。(Comparative Example 17) Comparative Example 17 having the composition shown in No. 58 of (Table 3) and the same as Example 14 except for the above.
I got a porcelain capacitor. Furthermore, evaluation was performed in the same manner as in Example 14, and the measurement results are also shown in (Table 3). (Table 3)
As can be seen from the above, when MgO is less than 0.2, the temperature characteristic (TC) deteriorates, which is not practical.

【０１９５】（比較例１８）（表３）のＮｏ６２に示す
組成で、その他は実施例１４と同様にして、比較例１８
の磁器コンデンサを得た。更に、実施例１４と同様に評
価を行い、その測定結果も（表３）に示した。（表３）
からわかるように、ＭｇＯが０．４より多い場合は誘電
率（ε）が低下し実用的でない。(Comparative Example 18) Comparative Example 18 having the composition shown in No. 62 of (Table 3) and otherwise the same as Example 14.
I got a porcelain capacitor. Furthermore, evaluation was performed in the same manner as in Example 14, and the measurement results are also shown in (Table 3). (Table 3)
As can be seen from the above, when MgO is more than 0.4, the dielectric constant (ε) decreases, which is not practical.

【０１９６】（実施例１５）主成分であるＢａＣＯ₃・
Ｂｉ₂Ｏ₃・ＴｉＯ₂粉末（モル比で、ＢａＣＯ₃ ０．４
０〜０．７０Ｂｉ₂Ｏ₃ ０．１５ＴｉＯ₂ ０．９
５）と、モル比で０．１０〜０．４０のＣａＣＯ₃、
０．０１のＮｄ₂Ｏ₃とＬａ₂Ｏ₃、ＣｅＯ₂、０．０１５
のＳｎＯ₂、ＺｒＯ₂、０．００５のＮｂ₂Ｏ₅、Ｔａ₂Ｏ₅
をそれぞれ電子天秤で秤量し、その他は実施例１と同様
にして、実施例１５の磁器コンデンサを得た。更に、実
施例１と同様に評価を行い、その測定結果を実施例１５
の組成と共に（表４）に示した（Ｎｏ６３〜６５）。(Example 15) BaCO ₃ · as the main component
Bi ₂ O ₃ · TiO ₂ powder (molar ratio: BaCO ₃ 0.4
0-0.70 Bi ₂ O ₃ 0.15 TiO ₂ 0.9
5) and CaCO ₃ having a molar ratio of 0.10 to 0.40,
0.01 Nd ₂ O ₃ and La ₂ O ₃ , CeO ₂ , 0.015
SnO ₂ , ZrO ₂ , 0.005 Nb ₂ O ₅ , Ta ₂ O ₅
Were weighed with an electronic balance, and otherwise the same as in Example 1 to obtain a porcelain capacitor of Example 15. Furthermore, evaluation was performed in the same manner as in Example 1, and the measurement results are shown in Example 15.
The composition is shown in (Table 4) (Nos. 63 to 65).

【０１９７】[0197]

【表４】 [Table 4]

【０１９８】（表４）の結果から明らかなように、本実
施例１５の組成の誘電体磁器を用いた磁器コンデンサ
は、鉛を含有せず、温度特性が平滑で、誘電率が高く、
自己発熱の低い全ての特性を満足することができた。As is clear from the results of (Table 4), the ceramic capacitor using the dielectric ceramic of the composition of Example 15 does not contain lead, the temperature characteristics are smooth, the dielectric constant is high,
It was possible to satisfy all the characteristics of low self-heating.

【０１９９】（比較例１９）（表４）のＮｏ６６に示す
組成で、その他は実施例１５と同様にして、比較例１９
の磁器コンデンサを得た。更に、実施例１５と同様に評
価を行い、その測定結果も（表４）に示した。（表４）
からわかるように、ＣａＣＯ₃が０．４０より多い場合
は誘電率（ε）が低下し実用的でない。(Comparative Example 19) A composition of No. 66 in (Table 4) is used, and otherwise the same as in Example 15, Comparative Example 19
I got a porcelain capacitor. Furthermore, evaluation was performed in the same manner as in Example 15, and the measurement results are also shown in (Table 4). (Table 4)
As can be seen from the above, when CaCO ₃ is more than 0.40, the dielectric constant (ε) decreases and it is not practical.

【０２００】（実施例１６）主成分であるＢａＣＯ₃・
Ｂｉ₂Ｏ₃・ＴｉＯ₂粉末（モル比で、ＢａＣＯ₃ ０．６
５〜０．７５Ｂｉ₂Ｏ₃ ０．１５ＴｉＯ₂ ０．９
５）と、モル比で０．０５〜０．１５のＳｒＣＯ₃、
０．０１のＮｄ₂Ｏ₃とＬａ₂Ｏ₃、ＣｅＯ₂、０．０１５
のＳｎＯ₂、ＺｒＯ₂、０．００５のＮｂ₂Ｏ₅、Ｔａ₂Ｏ₅
をそれぞれ電子天秤で秤量し、その他は実施例１と同様
にして、実施例１６の磁器コンデンサを得た。更に、実
施例１と同様に評価を行い、その測定結果を実施例１６
の組成と共に（表４）に示した（Ｎｏ６７〜６９）。(Example 16) BaCO ₃ · as the main component
Bi ₂ O ₃ · TiO ₂ powder (molar ratio: BaCO ₃ 0.6
5 to 0.75 Bi ₂ O ₃ 0.15 TiO ₂ 0.9
5) and SrCO _{3 in} a molar ratio of 0.05 to 0.15,
0.01 Nd ₂ O ₃ and La ₂ O ₃ , CeO ₂ , 0.015
SnO ₂ , ZrO ₂ , 0.005 Nb ₂ O ₅ , Ta ₂ O ₅
Were weighed with an electronic balance, and otherwise the same as in Example 1 to obtain a porcelain capacitor of Example 16. Furthermore, evaluation was performed in the same manner as in Example 1, and the measurement results are shown in Example 16.
It is shown in (Table 4) together with the composition of (No. 67 to 69).

【０２０１】（表４）の結果から明らかなように、本実
施例１６の組成の誘電体磁器を用いた磁器コンデンサ
は、鉛を含有せず、温度特性が平滑で、誘電率が高く、
自己発熱の低い全ての特性を満足することができた。As is clear from the results of (Table 4), the ceramic capacitor using the dielectric ceramic of the composition of Example 16 does not contain lead, has smooth temperature characteristics, has a high dielectric constant,
It was possible to satisfy all the characteristics of low self-heating.

【０２０２】（比較例２０）（表４）のＮｏ７０に示す
組成で、その他は実施例１６と同様にして、比較例２０
の磁器コンデンサを得た。更に、実施例１６と同様に評
価を行い、その測定結果も（表４）に示した。（表４）
からわかるように、ＳｒＣＯ₃が０.１５より多い場合は
誘電率（ε）が低下し実用的でない。(Comparative Example 20) The composition is shown in No. 70 of Table 4 and the other conditions are the same as in Example 16 and Comparative Example 20
I got a porcelain capacitor. Furthermore, evaluation was performed in the same manner as in Example 16, and the measurement results are also shown in (Table 4). (Table 4)
As can be seen from the above, when SrCO ₃ is more than 0.15, the dielectric constant (ε) decreases, which is not practical.

【０２０３】（実施例１７）主成分であるＢａＣＯ₃・
Ｂｉ₂Ｏ₃・ＴｉＯ₂粉末（モル比で、ＢａＣＯ₃ ０．４
５〜０．５５Ｂｉ₂Ｏ₃ ０．１５ＴｉＯ₂ ０．９
５）と、モル比で０．０５〜０．１５のＳｒＣＯ₃、
０．２０のＣａＣＯ₃、０．０１のＮｄ₂Ｏ₃とＬａ
₂Ｏ₃、ＣｅＯ₂、０．０１５のＳｎＯ₂、ＺｒＯ₂、０．
００５のＮｂ₂Ｏ₅、Ｔａ₂Ｏ₅をそれぞれ電子天秤で秤量
し、その他は実施例１と同様にして、実施例１７の磁器
コンデンサを得た。更に、実施例１と同様に評価を行
い、その測定結果を実施例１７の組成と共に（表４）に
示した（Ｎｏ７１〜７３）。(Example 17) BaCO ₃ · as the main component
Bi ₂ O ₃ · TiO ₂ powder (molar ratio: BaCO ₃ 0.4
5 to 0.55 Bi ₂ O ₃ 0.15 TiO ₂ 0.9
5) and SrCO _{3 in} a molar ratio of 0.05 to 0.15,
0.20 CaCO ₃ , 0.01 Nd ₂ O ₃ and La
₂ O ₃ , CeO ₂ , 0.015 SnO ₂ , ZrO ₂ , 0.
Nb ₂ O ₅ and Ta ₂ O ₅ of No. 005 were each weighed by an electronic balance, and otherwise the same as in Example 1 to obtain a porcelain capacitor of Example 17. Furthermore, evaluation was performed in the same manner as in Example 1, and the measurement results are shown in Table 4 together with the composition of Example 17 (Nos. 71 to 73).

【０２０４】（表４）の結果から明らかなように、本実
施例１７の組成の誘電体磁器を用いた磁器コンデンサ
は、鉛を含有せず、温度特性が平滑で、誘電率が高く、
自己発熱の低い全ての特性を満足することができた。As is clear from the results of Table 4, the ceramic capacitor using the dielectric ceramic of the composition of Example 17 does not contain lead, has a smooth temperature characteristic and a high dielectric constant.
It was possible to satisfy all the characteristics of low self-heating.

【０２０５】（比較例２１）（表４）のＮｏ７４に示す
組成で、その他は実施例１７と同様にして、比較例２１
の磁器コンデンサを得た。更に、実施例１７と同様に評
価を行い、その測定結果も（表４）に示した。（表４）
からわかるように、ＳｒＣＯ₃が０．１５より多い場合
は誘電率（ε）が低下し実用的でない。(Comparative Example 21) A comparative example 21 having the composition shown in No. 74 of (Table 4) and the same as example 17 except for the above.
I got a porcelain capacitor. Furthermore, evaluation was performed in the same manner as in Example 17, and the measurement results are also shown in (Table 4). (Table 4)
As can be seen from the above, when SrCO ₃ is more than 0.15, the dielectric constant (ε) decreases, which is not practical.

【０２０６】ここで、（表１）〜（表４）において、Ｂ
ａＣＯ₃、Ｂｉ₂Ｏ₃、ＴｉＯ₂、Ｎｄ ₂Ｏ₃、Ｌａ₂Ｏ₃、Ｃ
ｅＯ₂、ＳｎＯ₂、ＺｒＯ₂、Ｎｂ₂Ｏ₅、Ｔａ₂Ｏ₅の単位
はモル比であり、ＭｎＣＯ₃及びＭｇＯの単位はｗｔ％
である。Here, in (Table 1) to (Table 4), B
aCO₃, Bi₂O₃, TiO₂, Nd ₂O₃, La₂O₃, C
eO₂, SnO₂, ZrO₂, Nb₂O_Five, Ta₂O_FiveUnit of
Is the molar ratio, MnCO₃The unit of MgO and MgO is wt%
Is.

【０２０７】なお、本発明は基幹組成であり、例えばＳ
ｉ、Ａｌ、Ｗ、Ｚｎなどの焼結助材の添加の有無や、出
発原料にあらかじめ作成したチタン酸バリウムやチタン
酸ストロンチウム、チタン酸カルシウム、チタン酸ビス
マス等を用いたり、他の成分をあらかじめ反応させたも
のを用いる等により基本特性を左右されるものではな
い。The present invention has a basic composition, for example, S
Whether or not a sintering aid such as i, Al, W, or Zn is added, or barium titanate, strontium titanate, calcium titanate, bismuth titanate, or the like, which is prepared in advance, is used as a starting material, or other components are previously added The basic characteristics are not influenced by the use of a reacted product.

【０２０８】[0208]

【発明の効果】以上の様に本発明によれば、温度特性が
平滑で、誘電率が高く、自己発熱の低い全ての特性を満
足して、鉛を含有しない誘電体磁器組成物および誘電体
磁器、それを用いた磁器コンデンサを提供することがで
きる。As described above, according to the present invention, a dielectric ceramic composition and a dielectric material which do not contain lead and satisfy all the characteristics of smooth temperature characteristics, high dielectric constant and low self-heating. A porcelain and a porcelain capacitor using the same can be provided.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図１】（ａ）本発明の実施の形態１における磁器コン
デンサを示す透視側面図（ｂ）本発明の実施の形態１における磁器コンデンサを
示す透視正面図1A is a perspective side view showing a porcelain capacitor according to a first embodiment of the present invention, and FIG. 1B is a perspective front view showing a porcelain capacitor according to a first embodiment of the present invention.

【図２】本発明の実施の形態２における面実装型磁器コ
ンデンサを示す断面図FIG. 2 is a sectional view showing a surface-mounted ceramic capacitor according to a second embodiment of the present invention.

【図３】本発明の実施の形態３におけるチップ型磁器コ
ンデンサを示す透視斜視図FIG. 3 is a perspective view showing a chip type ceramic capacitor according to a third embodiment of the present invention.

【図４】本発明の実施の形態３におけるチップ型磁器コ
ンデンサを示す断面図FIG. 4 is a sectional view showing a chip type ceramic capacitor according to a third embodiment of the present invention.

【図５】本発明の実施の形態４におけるチップ型磁器コ
ンデンサを示す透視斜視図FIG. 5 is a perspective view showing a chip type ceramic capacitor according to a fourth embodiment of the present invention.

【図６】本発明の実施の形態４におけるチップ型磁器コ
ンデンサを示す断面図FIG. 6 is a sectional view showing a chip type ceramic capacitor according to a fourth embodiment of the present invention.

【図７】本発明の実施の形態５におけるチップ型磁器コ
ンデンサを示す斜視図FIG. 7 is a perspective view showing a chip type ceramic capacitor according to a fifth embodiment of the present invention.

【図８】本発明の実施の形態５におけるチップ型磁器コ
ンデンサを示す断面図FIG. 8 is a sectional view showing a chip type ceramic capacitor according to a fifth embodiment of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

１誘電体磁器基板１ａ基体２第１層電極２ａ導電膜３第２層電極４，５リード線６外装材７，８リード端子９端子電極１０，１０ａ，１０ｂ間隙１１軸芯部１１ａ中央対向部１２端子部１３傾斜部１００磁器コンデンサ２００面実装型磁器コンデンサ３００，４００，５００チップ型磁器コンデンサ 1 Dielectric porcelain substrate 1a base 2 First layer electrode 2a conductive film 3 Second layer electrode 4,5 lead wire 6 Exterior materials 7,8 lead terminals 9 terminal electrodes 10, 10a, 10b Gap 11 Shaft core 11a central facing part 12 terminals 13 Inclined part 100 porcelain capacitor 200 surface mount porcelain capacitor 300,400,500 Chip type porcelain capacitors

フロントページの続き (72)発明者若杉伸一大阪府門真市大字門真1006番地松下電器産業株式会社内 (72)発明者西野徳次大阪府門真市大字門真1006番地松下電器産業株式会社内 (72)発明者出口江美大阪府門真市大字門真1006番地松下電器産業株式会社内Ｆターム(参考） 4G031 AA03 AA04 AA05 AA06 AA07 AA09 AA11 AA12 AA14 AA15 AA19 AA31 AA35 BA09 5E001 AB03 AE02 AE03 AF03 AH01 AH06 5G303 AA01 AA07 AB05 AB11 CB03 CB05 CB08 CB15 CB17 CB18 CB21 CB22 CB31 CB33 CB35 CB39 Continued front page (72) Inventor Shinichi Wakasugi 1006 Kadoma, Kadoma-shi, Osaka Matsushita Electric Sangyo Co., Ltd. (72) Inventor Tokuji Nishino 1006 Kadoma, Kadoma-shi, Osaka Matsushita Electric Sangyo Co., Ltd. (72) Inventor Demi Emi 1006 Kadoma, Kadoma-shi, Osaka Matsushita Electric Sangyo Co., Ltd. F-term (reference) 4G031 AA03 AA04 AA05 AA06 AA07 AA09 AA11 AA12 AA14 AA15 AA19 AA31 AA35 BA09 5E001 AB03 AE02 AE03 AF03 AH01 AH06 5G303 AA01 AA07 AB05 AB11 CB03 CB05 CB08 CB15 CB17 CB18 CB21 CB22 CB31 CB33 CB35 CB39

Claims

【特許請求の範囲】[Claims]

【請求項１】モル比による組成式をｘＢａＣＯ₃・ｙＢ
ｉ₂Ｏ₃・ｚＴｉＯ₂と表した時、前記ｘ，ｙ，ｚが０．７５≦ｘ≦０．９４０．０６≦ｙ≦０．２５０．９０≦ｘ＋ｙ≦１．１００．９０≦ｚ≦１．１０を主成分とし、前記主成分１モルに対して、０．０１≦Ｌａ≦０．１００．０１≦Ｎｄ≦０．１００．０１≦Ｃｅ≦０．１００．０１≦Ｓｎ≦０．１００．０１≦Ｚｒ≦０．１００．０１≦Ｔａ≦０．１００．０１≦Ｎｂ≦０．１０なる原子％の範囲で、Ｌａ，Ｎｄ，Ｃｅ，Ｓｎ，Ｚｒ，
Ｔａ，Ｎｂのうち１種以上の元素を含むことを特徴とす
る誘電体磁器組成物。1. A composition formula based on a molar ratio is xBaCO ₃ .yB.
When expressed as i ₂ O ₃ · zTiO ₂ , the above x, y and z are 0.75 ≦ x ≦ 0.94 0.06 ≦ y ≦ 0.25 0.90 ≦ x + y ≦ 1.10 0.90 ≦ z ≦ 1.10 as a main component, with respect to 1 mol of the main component, 0.01 ≦ La ≦ 0.10 0.01 ≦ Nd ≦ 0.10 0.01 ≦ Ce ≦ 0.10 0.01 ≦ Sn ≦ 0.10 0.01 ≦ Zr ≦ 0.10 0.01 ≦ Ta ≦ 0.10 0.01 ≦ Nb ≦ 0.10 within the atomic% range of La, Nd, Ce, Sn, Zr,
A dielectric ceramic composition containing one or more elements of Ta and Nb.

【請求項２】モル比による組成式をｘＢａＣＯ₃・ｙＢ
ｉ₂Ｏ₃・ｚＴｉＯ₂と表した時、前記ｘ，ｙ，ｚが０．５０≦ｘ≦０．９４０．０６≦ｙ≦０．２５０．９０≦ｘ＋ｙ≦１．１００．９０≦ｚ≦１．１０かつ、Ｂａの一部をＣａ≦０．４０なるモル比の範囲で
Ｃａで置換して、主成分とし、前記主成分１モルに対して、０．０１≦Ｌａ≦０．１００．０１≦Ｎｄ≦０．１００．０１≦Ｃｅ≦０．１００．０１≦Ｓｎ≦０．１００．０１≦Ｚｒ≦０．１００．０１≦Ｔａ≦０．１００．０１≦Ｎｂ≦０．１０なる原子％の範囲で、Ｌａ，Ｎｄ，Ｃｅ，Ｓｎ，Ｚｒ，
Ｔａ，Ｎｂのうち１種以上の元素を含むことを特徴とす
る誘電体磁器組成物。2. A composition formula based on a molar ratio is xBaCO ₃ .yB.
When expressed as i ₂ O ₃ · zTiO ₂ , x, y, and z are 0.50 ≦ x ≦ 0.94 0.06 ≦ y ≦ 0.25 0.90 ≦ x + y ≦ 1.10 0.90 ≦ z ≦ 1.10 and a part of Ba is replaced with Ca in a molar ratio range of Ca ≦ 0.40 to form a main component, and 0.01 ≦ La ≦ 0. 10 0.01 ≦ Nd ≦ 0.10 0.01 ≦ Ce ≦ 0.10 0.01 ≦ Sn ≦ 0.10 0.01 ≦ Zr ≦ 0.10 0.01 ≦ Ta ≦ 0.10 0.01 ≦ In the atomic% range of Nb ≦ 0.10, La, Nd, Ce, Sn, Zr,
A dielectric ceramic composition containing one or more elements of Ta and Nb.

【請求項３】モル比による組成式をｘＢａＣＯ₃・ｙＢ
ｉ₂Ｏ₃・ｚＴｉＯ₂と表した時、前記ｘ，ｙ，ｚが０．６５≦ｘ≦０．９４０．０６≦ｙ≦０．２５０．９０≦ｘ＋ｙ≦１．１００．９０≦ｚ≦１．１０かつ、Ｂａの一部をＳｒ≦０．１５なるモル比の範囲で
Ｓｒで置換して、主成分とし、前記主成分１モルに対して、０．０１≦Ｌａ≦０．１００．０１≦Ｎｄ≦０．１００．０１≦Ｃｅ≦０．１００．０１≦Ｓｎ≦０．１００．０１≦Ｚｒ≦０．１００．０１≦Ｔａ≦０．１００．０１≦Ｎｂ≦０．１０なる原子％の範囲で、Ｌａ，Ｎｄ，Ｃｅ，Ｓｎ，Ｚｒ，
Ｔａ，Ｎｂのうち１種以上の元素を含むことを特徴とす
る誘電体磁器組成物。3. A composition formula based on a molar ratio is xBaCO ₃ .yB.
When expressed as i ₂ O ₃ · zTiO ₂ , the above x, y and z are 0.65 ≦ x ≦ 0.94 0.06 ≦ y ≦ 0.25 0.90 ≦ x + y ≦ 1.10 0.90 ≦ z ≦ 1.10 and a part of Ba is replaced with Sr in a molar ratio range of Sr ≦ 0.15 to form a main component, and 0.01 ≦ La ≦ 0. 10 0.01 ≦ Nd ≦ 0.10 0.01 ≦ Ce ≦ 0.10 0.01 ≦ Sn ≦ 0.10 0.01 ≦ Zr ≦ 0.10 0.01 ≦ Ta ≦ 0.10 0.01 ≦ In the atomic% range of Nb ≦ 0.10, La, Nd, Ce, Sn, Zr,
A dielectric ceramic composition containing one or more elements of Ta and Nb.

【請求項４】モル比による組成式をｘＢａＣＯ₃・ｙＢ
ｉ₂Ｏ₃・ｚＴｉＯ₂と表した時、前記ｘ，ｙ，ｚが０．４５≦ｘ≦０．９４０．０６≦ｙ≦０．２５０．９０≦ｘ＋ｙ≦１．１００．９０≦ｚ≦１．１０かつ、Ｂａの一部をＣａ≦０．４０、Ｓｒ≦０．１５な
るモル比の範囲でＣａ，Ｓｒで置換して、主成分とし、前記主成分１モルに対して、０．０１≦Ｌａ≦０．１００．０１≦Ｎｄ≦０．１００．０１≦Ｃｅ≦０．１００．０１≦Ｓｎ≦０．１００．０１≦Ｚｒ≦０．１００．０１≦Ｔａ≦０．１００．０１≦Ｎｂ≦０．１０なる原子％の範囲で、Ｌａ，Ｎｄ，Ｃｅ，Ｓｎ，Ｚｒ，
Ｔａ，Ｎｂのうち１種以上の元素を含むことを特徴とす
る誘電体磁器組成物。4. A composition formula based on a molar ratio is xBaCO ₃ .yB.
When expressed as i ₂ O ₃ · zTiO ₂ , the above x, y and z are 0.45 ≦ x ≦ 0.94 0.06 ≦ y ≦ 0.25 0.90 ≦ x + y ≦ 1.10 0.90 ≦ z ≦ 1.10 and a part of Ba is substituted with Ca and Sr in a molar ratio range of Ca ≦ 0.40 and Sr ≦ 0.15 to make a main component, and 1 mol of the main component 0.01 ≦ La ≦ 0.10 0.01 ≦ Nd ≦ 0.10 0.01 ≦ Ce ≦ 0.10 0.01 ≦ Sn ≦ 0.10 0.01 ≦ Zr ≦ 0.10 0.01 ≦ Ta ≦ 0.10 0.01 ≦ Nb ≦ 0.10 In the atomic% range, La, Nd, Ce, Sn, Zr,
A dielectric ceramic composition containing one or more elements of Ta and Nb.

【請求項５】前記誘電体磁器組成物に対してＭｎＣＯ₃
を０．２〜１．５ｗｔ％、もしくは他のＭｎ化合物を用
い、Ｍｎに換算して同じ原子当量のＭｎを添加したこと
を特徴とする請求項１〜４いずれか１項に記載の誘電体
磁器組成物。5. MnCO _{3 based on the} dielectric ceramic composition
5 to 0.2 wt% or other Mn compound is used, and Mn having the same atomic equivalent in terms of Mn is added. Porcelain composition.

【請求項６】前記誘電体磁器組成物に対してＭｇＯを
０．２〜０．４ｗｔ％添加したことを特徴とする請求項
１〜５いずれか１項に記載の誘電体磁器組成物。6. The dielectric ceramic composition according to any one of claims 1 to 5, wherein 0.2 to 0.4 wt% of MgO is added to the dielectric ceramic composition.

【請求項７】請求項１〜６いずれか１項に記載の誘電体
磁器組成物を焼成して得られてことを特徴とする誘電体
磁器。7. A dielectric ceramic obtained by firing the dielectric ceramic composition according to any one of claims 1 to 6.

【請求項８】請求項７に記載の誘電体磁器と、前記誘電
体磁器の対向表面に形成された電極とを備えたことを特
徴とする磁器コンデンサ。8. A porcelain capacitor comprising the dielectric porcelain according to claim 7 and an electrode formed on an opposing surface of the dielectric porcelain.

【請求項９】請求項７に記載の誘電体磁器と、前記誘電
体磁器の表面に形成された対向電極とを備えたことを特
徴とする磁器コンデンサ。9. A ceramic capacitor comprising the dielectric ceramic according to claim 7 and a counter electrode formed on the surface of the dielectric ceramic.