JP2003235099A

JP2003235099A - コンデンサマイクロホン

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Publication number: JP2003235099A
Application number: JP2002030357A
Authority: JP
Inventors: Yasunori Tsukuda; 保徳佃; Takao Imahori; 能男今堀; Hiroshi Fujinami; 宏藤浪
Original assignee: Star Micronics Co Ltd
Current assignee: Star Micronics Co Ltd
Priority date: 2002-02-07
Filing date: 2002-02-07
Publication date: 2003-08-22
Anticipated expiration: 2022-02-07
Also published as: JP4014886B2

Abstract

(57)【要約】【課題】薄型で、さらに製品の安定したエレクトレッ
ト型のコンデンサマイクロホンを提供する。【解決手段】コンデンサマイクロホン１０は、背極板
１８とＪＦＥＴボード２４の接続に皿ばね２２を用いる
ことにより、ケース１２をかしめる際のかしめ圧を皿ば
ね２２により受けることができるため、背極板１８やＪ
ＦＥＴボード２４等の破損を防止することが可能にな
り、歩留まりが向上する。また、皿ばね２２を利用する
ことにより、コイルばね等を利用するのに比べ、より薄
型化がはかれるためマイクロホン全体としての薄型化に
も貢献できる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本願発明は、エレクトレット
型のコンデンサマイクロホンに関するものであり、特
に、コンデンサ部とインピーダンス変換素子を並列に配
置した薄型のエレクトレット型コンデンサマイクロホン
の品質の安定化を図るための構造に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来より、マイクロホンの一形式とし
て、エレクトレット型のコンデンサマイクロホンが知ら
れている。

【０００３】このエレクトレット型のコンデンサマイク
ロホンは、一端が音孔用開口部を有する端面壁で構成さ
れるとともに他端が開放された筒状のケース内に、スペ
ーサを介して対向する振動板と背極板とからなるコンデ
ンサ部と、このコンデンサ部の静電容量の変化を電気イ
ンピーダンス変換するインピーダンス変換素子（能動素
子）を実装する基板とが収容された構成となっている。
また、例えば特開平１０−９８７９６号公報に開示され
ているように、コンデンサ部とインピーダンス変換素子
を並列に配置し、薄型化を図るための構成のものも存在
する。

【０００４】このような構成においては、外装は円形で
あっても、内部ではコンデンサ部とインピーダンス変換
素子を並列に配置するため、円形のコンデンサ部が外装
部に対し偏心した位置に収容されることが多い。このよ
うな構成のものでも、組立に際しては、従来のコンデン
サ部とインピーダンス変換素子が直列に配置されるもの
と同様に外装を基板裏側でかしめ止めにより組立るもの
がほとんどであった。

【０００５】また、このエレクトレット型のコンデンサ
マイクロホンは、小型に構成することが比較的容易であ
るが、これを近年薄型化が進んでいる携帯電話機等に搭
載して使用する場合には、単に小型化するだけでなく、
できるだけ薄型化することが望まれる。例えば、現在で
は外径６ｍｍ、高さ１．２〜１．８ｍｍ程度のサイズが
主流となっている。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の並列配置のエレクトレット型のコンデンサマイクロ
ホンの場合、直列配置のものと同様のかしめ止めを行お
うとすると、コンデンサ部が偏心した位置に収容される
為、内部配置がかしめ圧を受ける面で均等でないため、
局部的に大きな力が加わり、内部破損のおそれや、製品
毎にかしめ圧が違ってしまい、製品にバラツキがでてし
まう等の問題があった。また、近年の薄型傾向により、
コンデンサ部と基板とを結ぶ接続部材の高さが低くな
り、リング等で形成された接続部材の場合には、たわみ
等が減ってしまうため、かしめの際により大きな力がコ
ンデンサ部に掛かってしまい、内部破損や接続部材が干
渉することによる基板パターンの切断等の問題があっ
た。

【０００７】本願発明は、このような事情に鑑みてなさ
れたものであって、薄型で、さらに製品の安定したエレ
クトレット型のコンデンサマイクロホンを提供すること
を目的とするものである。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本願発明は、コンデンサ
部とインピーダンス変換素子との導通部に皿ばねを利用
しあるいは、導通部の一部に回路退避部設けることによ
り、上記目的達成を図るようにしたものである。

【０００９】すなわち、本願発明に係るコンデンサマイ
クロホンは、音等による振動を静電容量変化に変換する
ためのダイヤフラムとバックプレートを含むコンデンサ
部と、上記コンデンサ部で変換した静電容量変化を電気
信号に変換するためのインピーダンス変換素子を含む回
路基板と、上記コンデンサ部と上記回路基板とを電気的
に接続するための導通部と、を備えるコンデンサマイク
ロホンにおいて、上記導通部が皿ばねにより形成されて
いることを特徴とするものである。また、上記導通部
は、上記回路基板上の特定の回路パターンとの接触を防
止するための回路退避部を有することを特徴とするもの
である。

【００１０】また、本願発明に係るコンデンサマイクロ
ホンは、音等による振動を静電容量変化に変換するため
のダイヤフラムとバックプレートを含むコンデンサ部
と、上記コンデンサ部で変換した静電容量変化を電気信
号に変換するためのインピーダンス変換素子を含む回路
基板と、上記コンデンサ部と上記回路基板とを電気的に
接続するための導通部と、を備えるコンデンサマイクロ
ホンにおいて、上記導通部は、上記回路基板上の特定の
回路パターンとの接触を防止するための回路退避部を有
することを特徴とするものである。また、上記回路退避
部は、上記導通部の一部に欠落部を設けることにより構
成されたことを特徴とするものである。また、上記導通
部は、上記回路基板上に位置決めするための位置決め部
を有することを特徴とするものである。

【００１１】上記「コンデンサマイクロホン」は、振動
板にエレクトレットの機能が付与されたホイルエレクト
レット型のコンデンサマイクロホンであってもよいし、
背極板にエレクトレットの機能が付与されたバックエレ
クトレット型のコンデンサマイクロホンであってもよ
い。また、カバー側にエレクトレットの機能を付与し、
振動板をマイクロホン内側に配置した、フロントエレク
トレット型のコンデンサマイクロホンであってもよい。

【００１２】上記「インピーダンス変換素子」は、コン
デンサ部の静電容量の変化を電気インピーダンスに変換
することが可能なものであれば、特定の素子に限定され
るものではなく、例えばＪＦＥＴ（接合形ＦＥＴ）等が
採用可能である。

【００１３】

【発明の作用効果】上記構成に示すように、本願発明に
係るコンデンサマイクロホンは、バックプレートと回路
基板の接続を行う導通部に皿ばねを用いることにより、
ケースをかしめる際のかしめ圧を皿ばねにより受けるこ
とができるため、バックプレートや回路基板等の破損を
防止することが可能になる。また、皿ばねを利用するこ
とにより、コイルばね等を利用するのに比べ、より薄型
化がはかれる。したがって本願発明によれば、エレクト
レット型のコンデンサマイクロホンにおいて、薄型化を
図り、さらに製造歩留まりの向上を図ることができる。

【００１４】また、導通部に、回路基板上の特定の回路
パターンとの接触を防止するための回路退避部を有する
ことにより、回路基板上に、導通部の外側と内側の導通
を行う回路パターンを、導通部との無用な接触無く形成
できる。

【００１５】また、回路退避部を導通部の一部に欠落部
を設けることにより形成することにより、回路基板上の
特定の回路パターンに導通部が接触し、導通してしまう
ことがないのはもちろんのこと、回路パターンを導通部
で切断してしまうことも防止することができる。これに
より、製品の歩留まりの向上及び信頼性の向上に貢献で
きる。

【００１６】また、導通部には、回路基板上に位置決め
するための位置決め部があり、常に所望の位置に導通部
を配置及び固定できるため、導通部が回転することがな
いので、回転摩擦による回路パターンの切断の心配がな
い。さらに、回路退避部も所望の位置に配置できるた
め、特定の回路パターンとの接触を確実に防止すること
が可能となる。

【００１７】

【発明の実施の形態】以下、図面を用いて、本願発明の
実施の形態について説明する。

【００１８】図１は、本願発明の一実施形態に係るコン
デンサマイクロホンを上向きに配置した状態で示す斜視
図であり、図６はコンデンサマイクロホンを下向きに配
置した状態で示す斜視図である。また、図２は、図１の
II-II 線断面図であり、図３は、図２のIII-III 線断面
図である。さらに、図４は、ＪＦＥＴボードを詳細した
平面図であり、図５は、皿ばねを示す斜視図である。

【００１９】これらの図に示すように、本実施形態に係
るコンデンサマイクロホン１０は、外径が６．０ｍｍ程
度のエレクトレット型の小型マイクロホンであって、上
下方向に延びる背の低い円筒状のケース１２内に、絶縁
ブッシュ２０を配し、その内側に、振動板サブアッシー
１４、スペーサ１６、バックプレートである背極板１８
および皿ばね２２が、上からこの順序で収容されて、さ
らにＪＦＥＴボード２４（基板）により封止されてい
る。

【００２０】ケース１２は、その上端（一端）が内径
０．３ｍｍ程度の複数の音孔３０を有する端面壁１２ａ
で構成されるとともに、下端（他端）が開放された金属
製（例えばアルミニウム製）の部材であって、プレス成
形等により形成されている。そして、このケース１２
は、該ケース１２内に上記各部品を収容した状態で、そ
の開放端部１２bがＪＦＥＴボード２４の外周縁部に全
周にわたってかしめ固定されている。

【００２１】このケース１２の上端には、音孔３０を保
護するように、フィルター１１が貼り付けられており、
これにより、コンデンサマイクロホン１０内部への、誇
りや水滴の進入を防いでいる。

【００２２】このケース１２には、その上端にコンデン
サマイクロホン１０の内外の気圧を調整するためのベン
ト溝が形成されている。このベント溝の幅は０．２ｍｍ
程度、深さ０．０２ｍｍ程度に設定されている。

【００２３】振動板サブアッシー１４（ダイヤフラム）
は、薄い円板状の振動膜２６と、この振動膜２６を固定
支持するリング状の支持フレーム２８とからなってい
る。支持フレーム２８による振動膜２６の固定支持は、
振動膜２６の上面を支持フレーム２８の下面に、導電性
接着剤等にて接着固定することにより行われており、こ
れにより支持フレーム２８と振動膜２６とが電気的に接
続されている。

【００２４】振動膜２６は、厚みが１．５μｍ程度のＰ
ＥＴ(Polyethylene Terephthalate）フィルムの上面
に、例えばニッケル(Ｎｉ)等の金属蒸着膜が形成されて
なり、その外径は絶縁ブッシュ２０の内径（３．８ｍｍ
程度）よりもやや小さい値（３．７ｍｍ程度）に設定さ
れている。

【００２５】一方、支持フレーム２８は、金属製（例え
ばステンレス製）であって、振動膜２６と略同じ外径を
有するとともに２．７ｍｍ程度の内径を有している。な
お、振動板サブアッシー１４がケース１２内に収容され
た状態では、振動膜２６の金属蒸着膜が支持フレーム２
８を介してケース１２と、後述する押圧力により圧接さ
れているため、電気的に接続されることとなる。

【００２６】スペーサ１６は、振動板サブアッシー１４
の外形と略同じ外径を有するフレーム状の部材であっ
て、板厚２５μｍ程度の円形の樹脂フィルムＰＥＴの中
央部にプレス等により大きな開口部１６ａが形成されて
なっている。

【００２７】背極板１８(バックプレート)は、背極板本
体１８０と、この背極板本体１８０の上面に形成された
エレクトレット１８２と、この背極板本体１８０及びエ
レクトレット１８２に形成された複数の開口部１８８
と、からなっている。

【００２８】背極板本体１８０は、その外形形状が略十
字形状の板厚０．１５ｍｍ程度の金属板（例えばステン
レス鋼板）からなっている。

【００２９】一方、エレクトレット１８２は、厚みが２
５μｍ程度のＦＥＰ（Fluorinated Ethylene Propyle
ne）フィルムからなっている。

【００３０】開口部１８８は、等間隔に4個形成されて
いる。この開口部１８８により、振動膜２６と背極板
１８の背面空間とを連通することができ、振動板サブア
ッシー１４と背極板１８の間で形成される薄流体層の抵
抗成分を減少させ、高周波域（５KHz以上帯域）の周波
数応答性の改善に役立っている。また、設計段階におい
て、開口部１８８の大きさ等を調節することにより、高
周波域の周波数応答性の調整をすることも可能である。

【００３１】そして背極板１８は、あらかじめフィルム
状のエレクトレット１８２を熱融着(ラミネート)させ、
背極板本体１８０を構成することとなる金属板の表面に
プレスやエッチング等により、開口部１８８が形成され
ると同時に、外形が略十字形状に形成される。

【００３２】その後、エレクトレット１８２に成極処理
を施して所定の表面電位（例えば−３００Ｖ程度）とな
るように設定される。この背極板１８は、絶縁ブッシュ
２０内に収容されるようになっている。

【００３３】ケース１２内においては、背極板１８と振
動膜２６とがスペーサ１６を介してその板厚である２５
μｍ程度の間隔をおいて対向し、これによりコンデンサ
部Ｃを構成するようになっている。

【００３４】絶縁ブッシュ２０は、ケース１２の内径と
略同じ外径を有し、その内側の一端部(外形の円の内側
に偏心して配置された位置)にコンデンサ部を収容する
円形の気室２０ａ及び、その他端にJFETチップ３４を収
容する気室２０ｂ及び、ノイズフィルタ３８を収容する
気室２０cを有する形状であり、弾性を有する合成樹脂
（例えばＡＢＳ樹脂）あるいはエラストマで構成され
ている。この絶縁ブッシュ２０の肉厚は、振動板サブア
ッシー１４、スペーサ１６、背極板１８、皿ばね２２が
内在できる厚さ(０．５ｍｍ程度)に設定されている。

【００３５】この、気室２０ｃ及び気室２０ｂは、背極
板１８の開口部１８８と連通させることにより、背圧音
響空間としても利用可能である。またこの絶縁ブッシュ
２０には、皿ばね２２の位置決めを行う嵌合部２０ｄが
設けられている。

【００３６】弾性体である皿ばね２２は、SUS等の金属
製により形成され、上部(背極板１８との接触部)の直径
が下部の直径より狭まっている皿ばねであり、ＪＦＥＴ
ボード２４上の接続部(導電パターン３６)と背極板１８
とを電気的に接続するものである。また、皿ばね２２を
使用することにより、組み立てた際に振動板サブアッシ
ー１４やスペーサ１６、背極板１８等をケース１２に押
圧力を働かせながら固定することが可能になる上、皿ば
ね２２が、組立の際のかしめ圧を吸収することができる
ため、振動板サブアッシー１４やスペーサ１６、背極板
１８等への必要以上のかしめ圧の荷重を吸収でき、組立
時の破損を防止することができる。

【００３７】皿ばね２２の下部には、回路退避の為の欠
落部である切り欠き部２２ａ及び切り起こし部２２ｂ
が、各２ヶ所９０゜毎に交互に形成されている。この切
り欠き部２２ａは、円周方向に0.2mm、高さ方向に0.15m
m切り欠かれている。この切り欠き部２２ａは、円周方
向に導電パターン３６の幅よりも0.3mm程度余裕を持っ
て切り欠かれている。この切り欠き部２２ａは、後述す
る導電パターン３６のドレイン電極Ｄと接触しないよう
に、パターンをまたぐように配置される。また導電パタ
ーン３６を切り欠き部２２ａによりまたぐため、導電パ
ターン３６を切断することも同時に回避している。

【００３８】切り起こし部２２ｂは、円周方向に0.2m
m、高さ方向に0.15mm切り起こされて、さらに直径方向
に0.3mm程度はみ出るように、突起２２ｃが設けられて
いる。この突起２２ｃを、絶縁ブッシュ２０の嵌合部２
０ｄに位置決めすることにより、導電パターン３６のド
レイン電極Ｄをまたぐような位置に、皿ばね２２を配置
することが可能となり、また、円形の皿ばね２２の回転
を防止することも可能になる。

【００３９】ＪＦＥＴボード２４は、円形のボード本体
３２に、ＪＦＥＴ（Junction Field-Effect Transist
or）チップ３４と、携帯電話等の通信機器の搬送波ノイ
ズをカットするためのチップコンデンサ等によるノイズ
フィルタ３８とが実装されてなっている。ボード本体３
２は、ケース１２の内径と略同じ外径を有しており、そ
の上下両面には所定の導電パターン３６が形成されてい
る。ボード本体３２の下面の導電パターン３６は、ブル
ズアイ形状になっており、中心部に円形のパターンが、
その周囲にリング状のパターンが形成されており、ボー
ド本体３２の上面の導電パターン３６とスルーホール４
０を介して、接続されている。

【００４０】ＪＦＥＴチップ３４は、振動膜２６と背極
板１８との間の静電容量（すなわちコンデンサ部Ｃの静
電容量）の変化を電気インピーダンス変換するインピー
ダンス変換素子であって、ボード本体３２の上面に形成
された導電パターン３６上に実装されている。

【００４１】導電パターン３６には、ＪＦＥＴチップ３
４のドレイン電極、ソース電極及びゲート電極に各々電
気的に接続され各々に対応しているドレイン電極Ｄ、ソ
ース電極Ｓ及びゲート電極Ｇが形成されており、導電パ
ターン３６のドレイン電極Ｄとソース電極Ｓの間には、
ノイズフィルタ３８が実装されている。また、ドレイン
電極Ｄは、ボード本体３２の中心部に延出され、スルー
ホール４０によりボード本体３２の下面(ＪＦＥＴチッ
プ３４実装面の裏面)の導電パターン３６のドレイン電
極Ｄと電気的に接続している。

【００４２】ソース電極Ｓは、スルーホール４０により
ボード本体３２の下面の導電パターン３６のソース電極
Ｓと電気的に接続しており、導電パターン３６のソース
電極Ｓは、ケース１２をかしめた際に、開放端部１２ｂ
と確実に電気的に接続されるようにリング状に形成され
ている。また、ＪＦＥＴチップ３４のゲート電極は、導
電パターン３６のゲート電極Ｇより皿ばね２２を介して
背極板１８に電気的に接続されている。

【００４３】次に、本実施形態に係るコンデンサマイク
ロホン１０の組付方法を説明する。

【００４４】このコンデンサマイクロホン１０の組付け
は、まずケース１２を下向きに配置して（端面壁１２ａ
が下になるように配置して）、このケース１２内に、絶
縁ブッシュ２０を内装し、そして振動板サブアッシー１
４、スペーサ１６、背極板１８、皿ばね２２およびＪＦ
ＥＴボード２４を、この順序で上方から挿入した後、ケ
ース１２の開放端部１２bをかしめることにより行われ
る。

【００４５】すなわち、まず、絶縁ブッシュ２０をケー
ス１２内に嵌合挿入する。そして、振動板サブアッシー
１４およびスペーサ１６、背極板１８を順次ケース１２
内に挿入する。さらに、皿ばね２２を背極板１８の下面
側に配設する。この際、皿ばね２２の突起２２ｃを絶縁
ブッシュ２０の嵌合部２０ｄに位置決めすることによ
り、切り欠き部２２aが、導電パターン３６のドレイン
電極Ｄ上に配置されるため、パターンに接触したりある
いは、パターンを切断するおそれが無く配置できる。

【００４６】その後、ＪＦＥＴボード２４をケース１２
内に挿入する。この際、ＪＦＥＴチップ３４が絶縁ブッ
シュ２０の気室２０ｂにはまるように、ＪＦＥＴボード
２４を配置することにより、位置決めを行うことができ
る。また、ＪＦＥＴチップ３４のゲート電極と接続され
る導電パターン３６のゲート電極Ｇには、後述するよう
に皿ばね２２の押圧力が働くように接触される。

【００４７】最後に、ケース１２の開放端部１２bを、
ＪＦＥＴボード２４のボード本体３２の外周縁部に、全
周にわたってかしめ固定する。このかしめ固定は、図示
しないかしめ治具によりケース１２の開放端部１２bを
上方から加圧して該開放端部１２bを内周側へ折り曲げ
ることにより行われるが、その際の加圧力はボード本体
３２を介して絶縁ブッシュ２０に作用する。これにより
背極板１８をケース１２と電気的に絶縁した状態でケー
ス１２に対して位置決めする。またこれにより、絶縁ブ
ッシュ２０とケース１２、ＪＦＥＴボード２４との間の
シール性を確保して、振動板サブアッシー１４とＪＦＥ
Ｔボード２４とで画成される空間の気密性を高める。

【００４８】コンデンサマイクロホン１０の組付けが完
了した状態において、スペーサ１６とＪＦＥＴボード２
４のボード本体３２との間隔は、絶縁ブッシュ２０の高
さによって規定され、その値は０．７ｍｍ程度となり、
コンデンサマイクロホン１０の全高は１．０ｍｍ程度と
なる。また、皿ばね２２の弾性変形量は絶縁ブッシュ２
０の高さによって規定され、背極板１８等の押圧量も絶
縁ブッシュ２０の高さによって規定される。

【００４９】以上詳述したように、本実施形態に係るコ
ンデンサマイクロホン１０は、背極板１８とＪＦＥＴボ
ード２４の接続に皿ばね２２を用いることにより、ケー
ス１２をかしめる際のかしめ圧を皿ばね２２により受け
ることができるため、背極板１８やＪＦＥＴボード２４
等の破損を防止することが可能になり、歩留まりが向上
する。また、皿ばね２２を利用することにより、コイル
ばね等を利用するのに比べ、より薄型化がはかれるため
マイクロホン全体としての薄型化にも貢献できる。

【００５０】しかも本実施形態においては、皿ばね２２
の下部には、欠落部である切り欠き部２２ａ及び切り起
こし部２２ｂが存在するため、これをＪＦＥＴボード２
４上の導電パターン３６のうち、接触させたくない導電
パターン３６を跨ぐことができ、無用な接触を防止する
ことが可能な上、導電パターン３６を傷つけることがな
いため、断線を防止することができる。これにより、製
品の歩留まりの向上及び信頼性の向上に貢献できる。

【００５１】なお、本実施形態に係るコンデンサマイク
ロホン１０の皿ばね２２は、切り欠き部２２ａを形成す
ることにより特定の接触させたくない導電パターン３６
を回避する構造としたが、これに限定されるものではな
く、皿ばね２２の下部に絶縁部を設けて対応しても接触
を防ぐことは可能である。また、切り起こし部２２ｂに
より導電パターン３６を跨ぐようにしても良い。また、
皿ばねは本実施形態において使用したものだけでなく、
Ｃ型皿ばね等も使用できる。さらに、皿ばね２２の代わ
りにＣ型リング状部材(リングの一部が切断され欠落し
ている部材)等でもよく、導電パターン３６を跨ぐよう
な構成のものであれば、特定の回路パターンとの接触を
防止する上で、適応可能である。

【図面の簡単な説明】

【図１】本願発明の一実施形態に係るコンデンサマイク
ロホンを上向きに配置した状態で示す斜視図

【図２】図１のII-II 線断面図

【図３】図２のIII-III 線断面図

【図４】上記コンデンサマイクロホンの基板を示す平面
図

【図５】上記コンデンサマイクロホンの皿ばねを示す斜
視図

【図６】上記コンデンサマイクロホンを下向きに配置し
た状態で示す斜視図

【符号の説明】

１０コンデンサマイクロホン１１フィルター１２ケース１２ａ端面壁１２ｂ開放端部１２c 内周面１４振動板サブアッシー１６スペーサ１６ａ開口部１８背極板１８０背極板本体１８２エレクトレット１８８開口部２０絶縁ブッシュ２０a、２０ｂ、２０ｃ気室２０ｄ嵌合部２２皿ばね２２ａ切り欠き部２２ｂ切り起こし部２２c 突起２４ＪＦＥＴボード（基板）２６振動膜２８支持フレーム３０音孔３２ボード本体３４ＪＦＥＴチップ３６導電パターン３８ノイズフィルタ４０スルーホールＣコンデンサ部Ｄドレイン電極Ｇゲート電極Ｓソース電極

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】音等による振動を静電容量変化に変換する
ためのダイヤフラムとバックプレートを含むコンデンサ
部と、上記コンデンサ部で変換した静電容量変化を電気
信号に変換するためのインピーダンス変換素子を含む回
路基板と、上記コンデンサ部と上記回路基板とを電気的
に接続するための導通部と、を備えるコンデンサマイク
ロホンにおいて、上記導通部が皿ばねにより形成されて
いることを特徴とするコンデンサマイクロホン。
【請求項２】上記導通部は、上記回路基板上の特定の回
路パターンとの接触を防止するための回路退避部を有す
ることを特徴とする請求項１記載のコンデンサマイクロ
ホン。
【請求項３】音等による振動を静電容量変化に変換する
ためのダイヤフラムとバックプレートを含むコンデンサ
部と、上記コンデンサ部で変換した静電容量変化を電気
信号に変換するためのインピーダンス変換素子を含む回
路基板と、上記コンデンサ部と上記回路基板とを電気的
に接続するための導通部と、を備えるコンデンサマイク
ロホンにおいて、上記導通部は、上記回路基板上の特定
の回路パターンとの接触を防止するための回路退避部を
有することを特徴とするコンデンサマイクロホン。
【請求項４】上記回路退避部は、上記導通部の一部に欠
落部を設けることにより構成されたことを特徴とする請
求項１から請求項３の何れかに記載のコンデンサマイク
ロホン。
【請求項５】上記導通部は、上記回路基板上に位置決め
するための位置決め部を有することを特徴とする請求項
１から請求項４の何れかに記載のコンデンサマイクロホ
ン。