JP2003234299A - クリーニングガス及びエッチングガス - Google Patents

クリーニングガス及びエッチングガス

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JP2003234299A JP2002034460A JP2002034460A JP2003234299A JP 2003234299 A JP2003234299 A JP 2003234299A JP 2002034460 A JP2002034460 A JP 2002034460A JP 2002034460 A JP2002034460 A JP 2002034460A JP 2003234299 A JP2003234299 A JP 2003234299A
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perfluoro
chamber cleaning
silicon
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Yutaka Ohira
平 豊 大
Yuuki Mitsui
井 有 規 三
Taisuke Yonemura
村 泰 輔 米
Akira Sekiya
屋 章 関
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National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST
Research Institute of Innovative Technology for the Earth RITE
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Abstract

(57)【要約】 【解決手段】 本発明に係るチャンバークリーニング用
ガスおよびケイ素含有膜用エッチングガスは、炭素原子
とエーテル結合された酸素原子を２個以上４個以下有す
るパーフルオロ環状エーテルを含むことを特徴としてい
る。 【効果】 本発明に係るチャンバークリーニング用ガス
および本発明に係るケイ素含有膜用エッチングガスは、
地球温暖化の一因とされる環境に有害な排ガスであるＣ
Ｆ4を生成しにくいことから、環境に優しく、しかも毒
性のない気体または揮発性の液体であり、取扱いが容易
で、排ガス処理性にも優れている。また、本発明に係る
チャンバークリーニング用ガスは、優れたクリーニング
速度を有している。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の技術分野】本発明は、チャンバークリーニング
用ガス及びエッチングガスに関する。さらに詳しくは、
ＣＦ4等の排ガスを生成しにくく、クリーニング効率ま
たはエッチング効率に優れたフッ素含有環状エーテル系
化合物を含むチャンバークリーニング用ガス及びエッチ
ングガスに関する。
【０００２】
【発明の技術的背景】従来、半導体製造等における薄膜
デバイスの製造プロセス等においては、ＣＶＤ法等を用
いて、種々の薄膜、厚膜の形成が行われている。このよ
うな半導体用の薄膜を形成する際、膜を成膜させるべき
目的物以外の反応容器内壁、目的物を担持する冶具、配
管等にも薄膜原料と同じものが付着してしまう。このよ
うな付着物は、半導体製品への微粒子の混入原因とな
り、高品質な薄膜製造が困難となるとともに製品の歩留
りの低下を招くこともあり、随時除去することが必要で
あり、従来、人手あるいはクリーニングガスなどにより
付着物の除去が行われていた。
【０００３】また、半導体等においては、半導体回路を
構成する各種の薄膜材料に回路パターンを形成するた
め、薄膜材料を部分的に除去するガスエッチングが用い
られていた。このようなクリーニングガスあるいはエッ
チングガスに求められる基本的な性能としては、クリー
ニングガスの場合はクリーニング速度が速いこと、エッ
チングガスの場合は、目的物に対するエッチング速度が
速いこと、選択性が高いことなどが挙げられる。また、
両者に共通して、環境に有害な排ガスを排出せず、地球
環境に低負荷であること等が求められている。
【０００４】従来、このような付着物のクリーニングガ
スあるいは薄膜のエッチングガスとしては、ＣＦ4、Ｃ2
Ｆ6、ＳＦ6、ＮＦ3などのフッ素系ガスが半導体の製造
工程で大量に用いられていた。しかしながら、これらの
フッ素系ガスは、大気中で寿命の長い安定な化合物であ
り、クリーニング後、あるいはエッチング後の未分解の
ガスの処理が困難で、その処理コストが高いという問題
点があった。また、これらのフッ素系ガスは、地球温暖
化係数（積分期間１００年値）が、ＣＯ2と比較して、
ＣＦ4では５,７００倍、Ｃ2Ｆ6では１１,９００倍、Ｓ
Ｆ6では２２,２００倍、ＮＦ3では１０,８００倍と極め
て大きく、環境への悪影響が懸念されるという問題点も
あった。このため、地球温暖化係数が小さく、しかも半
導体のケイ素を含有する付着物に対するクリーニング性
能、あるいはケイ素を含有する膜に対するエッチング性
能に優れた代替ガスの開発が求められていた。
【０００５】さらに、使用するガス自体は、環境に対し
さしたる影響が無い場合であっても、クリーニング後、
あるいはエッチング後に使用したガスが分解された結
果、ＣＦ4等の大気寿命が長く環境に有害なガスを発生
する場合もあり、分解されたガスの性状も、環境に対し
悪影響をもたらさないような代替ガスの開発が求められ
ていた。
【０００６】そこで本発明者らは、上記問題を解決すべ
く鋭意研究し、特定のフッ素含有環状エーテル系化合物
を含むガスが、クリーニング後あるいはエッチング後に
おいて、地球温暖化に与える影響の大きいＣＦ4等の環
境に有害な排ガスを発生しにくく、クリーニング効率ま
たはエッチング効率に優れ、しかもケイ素含有付着物あ
るいはケイ素含有膜に対し優れたクリーニング性能及び
エッチング性能を有していることを見出し、本発明を完
成するに至った。
【０００７】
【発明の目的】本発明は、地球温暖化の一因とされる環
境に有害なＣＦ4等の排ガスを発生しにくく、しかも排
ガス処理性に優れるとともに取扱いが容易であり、ま
た、ケイ素含有付着物に対するクリーニング性能に優れ
た半導体製造に好適なＣＶＤ装置等のチャンバークリー
ニング用ガス及びケイ素含有膜に対するエッチング性能
に優れたエッチングガスを提供することを目的としてい
る。
【０００８】
【発明の概要】本発明に係るチャンバークリーニング用
ガスは、炭素原子とエーテル結合された酸素原子を２個
以上４個以下有するパーフルオロ環状エーテルを含むこ
とを特徴としている。前記パーフルオロ環状エーテル
は、下記一般式（１）
【０００９】
【化３】
【００１０】（前記式（１）中、ｍは０〜２の整数であ
り、ｎは０〜３の整数であり、ｍとｎとは同時に０とな
ることはなく、ｍとｎとが同時にｍ＝０、ｎ＝１となる
場合はなく、ｍとｎとが同時にｍ＝１、ｎ＝０となる場
合はなく、ｍとｎとが同時にｍ＝２、ｎ＝３となる場合
はない）で表されることが好ましい。前記パーフルオロ
環状エーテルが、５〜８員環の環状エーテルであること
が好ましい。
【００１１】前記チャンバークリーニング用ガスは、さ
らにＯ2と、必要に応じその他のガスとを含むことが好
ましい。全ガス量１００モル％に対し、前記パーフルオ
ロ環状エーテルとＯ2との含有量の合計が１０〜１００
モル％であることが好ましい。前記パーフルオロ環状エ
ーテルとＯ2との含有モル比（パーフルオロ環状エーテ
ル／Ｏ2）の値は、０．１≦パーフルオロ環状エーテル
／Ｏ2≦９であることが好ましい。
【００１２】前記パーフルオロ環状エーテルとＯ2との
含有量の合計は７０〜１００モル％であることがより好
ましい。前記パーフルオロ環状エーテルとＯ2の含有モ
ル比（パーフルオロ環状エーテル／Ｏ2）の値は、０．
１０≦パーフルオロ環状エーテル／Ｏ2≦６であること
がより好ましい。
【００１３】前記パーフルオロ環状エーテルは、パーフ
ルオロ-1,3-ジオキソラン（c-C3F6O 2）、パーフルオロ-
1,4-ジオキサン（c-C4F8O2）およびパーフルオロ-1,3,5
-トリオキサン（c-C3F6O3）からなる群から選ばれる少
なくとも一種であることが好ましい。前記その他のガス
は、Ｎ2、Ｈｅ、Ｎｅ、Ａｒ、Ｋｒ、ＸｅおよびＲｎか
ら選ばれる少なくとも１種の不活性ガスであることが好
ましい。
【００１４】前記チャンバークリーニング用ガスは、Ｃ
ＶＤ装置チャンバーのクリーニング用ガスであることが
好ましい。前記チャンバークリーニング用ガスは、ケイ
素含有付着物のクリーニング用ガスであることが好まし
い。前記ケイ素含有付着物は、（１）ケイ素、（２）酸
素、窒素、フッ素および炭素のうちの少なくとも１種
と、ケイ素とからなる化合物、および（３）高融点金属
シリサイドからなる化合物のうちの少なくとも１種であ
ることが好ましい。
【００１５】本発明に係るケイ素含有膜用エッチングガ
スは、炭素原子とエーテル結合された酸素原子を２個以
上４個以下有するパーフルオロ環状エーテルを含むこと
を特徴としている。前記パーフルオロ環状エーテルは、
下記一般式（１）
【００１６】
【化４】
【００１７】（前記式（１）中、ｍは０〜２の整数であ
り、ｎは０〜３の整数であり、ｍとｎとは同時に０とな
ることはなく、ｍとｎとが同時にｍ＝０、ｎ＝１となる
場合はなく、ｍとｎとが同時にｍ＝１、ｎ＝０となる場
合はなく、ｍとｎとが同時にｍ＝２、ｎ＝３となる場合
はない）で表されることが好ましい。前記パーフルオロ
環状エーテルが、５〜８員環の環状エーテルであること
が好ましい。
【００１８】前記ケイ素含有膜用エッチングガスは、さ
らにＯ2と、必要に応じその他のガスとを含むことが好
ましい。この場合、全ガス量１００モル％に対し、前記
パーフルオロ環状エーテルとＯ2との含有量の合計が７
０〜１００モル％であることが好ましい。また、前記パ
ーフルオロ環状エーテルとＯ2との含有モル比（パーフ
ルオロ環状エーテル／Ｏ2）の値は、０．１≦パーフル
オロ環状エーテル／Ｏ2であることが好ましい。
【００１９】前記パーフルオロ環状エーテルは、パーフ
ルオロ-1,3-ジオキソラン（c-C3F6O 2）、パーフルオロ-
1,4-ジオキサン（c-C4F8O2）およびパーフルオロ-1,3,5
-トリオキサン（c-C3F6O3）からなる群から選ばれる少
なくとも一種であることが好ましい。
【００２０】
【発明の具体的説明】本発明に係るケイ素含有付着物の
チャンバークリーニング用ガス及びケイ素含有膜用エッ
チングガスは、特定のパーフルオロ環状エーテルを含有
している。以下、詳細に説明する。 ［チャンバークリーニング用ガス］本発明に係るチャン
バークリーニング用ガスは、炭素原子とエーテル結合さ
れた酸素原子を２個以上４個以下有するパーフルオロ環
状エーテルを含むガスであり、前記酸素原子の数は好ま
しくは２個または３個であることが望ましい。
【００２１】このようなパーフルオロ環状エーテルは、
下記一般式（１）で表されるパーフルオロ環状エーテル
であることが好ましい。
【００２２】
【化５】
【００２３】前記式（１）中、ｍは０〜２の整数であ
り、ｎは０〜３の整数であり、ｍとｎとは同時に０とな
ることはなく、ｍとｎとが同時にｍ＝０、ｎ＝１となる
場合はなく、ｍとｎとが同時にｍ＝１、ｎ＝０となる場
合はなく、ｍとｎとが同時にｍ＝２、ｎ＝３となる場合
はない。なお、上記式（１）中の曲線からなる実線は、
繰り返し単位の両端が、単結合により結合していること
を示している。
【００２４】このようなパーフルオロ環状エーテルは、
好ましくは５〜８員環、さらに好ましくは５〜７員環、
より好ましくは５または６員環の環状エーテルであるこ
とが望ましい。このようなパーフルオロ環状エーテルと
しては、具体的には、たとえば、パーフルオロ-1,3-ジ
オキソラン（本明細書において「c-C3F6O2」ということ
がある）、パーフルオロ-1,4-ジオキサン（本明細書に
おいて「c-C4F8O2」ということがある）またはパーフル
オロ-1,3,5-トリオキサン（本明細書において「c-C3F6O
3」ということがある）が挙げられ、これらからなる群
から選ばれる少なくとも１種を好ましく用いることがで
きる。
【００２５】このような特定のパーフルオロ環状エーテ
ルを含むチャンバークリーニング用ガスは、酸素ガス
（Ｏ2）を含有することが好ましい。このようなパーフ
ルオロ環状エーテルを含有するチャンバークリーニング
用ガスを用いると、ＣＦ4の発生が著しく抑制され、し
かも用いるパーフルオロ環状エーテルの分解率が極めて
高いクリーニング効率に優れたチャンバークリーニング
用ガスとすることができる。
【００２６】さらに、チャンバークリーニング用ガス
は、前記特定のパーフルオロ環状エーテルと、酸素ガス
の他に、必要に応じその他のガスを含有していてもよ
い。本発明に係るチャンバークリーニング用ガスがパー
フルオロ環状エーテル、たとえば前記c-C3F6O2、c-C4F8
O2またはc-C3F6O3とＯ2と、必要に応じてその他のガス
とを含む場合、全ガス量を１００モル％としたとき、前
記パーフルオロ環状エーテルとＯ2との含有量の合計は
好ましくは１０〜１００モル％、さらに好ましくは７０
〜１００モル％、特に好ましくは８０〜１００モル％で
あることが望ましい。
【００２７】また、前記パーフルオロ環状エーテル、た
とえば、前記c-C3F6O2、c-C4F8O2またはc-C3F6O3とＯ2
との混合モル比（パーフルオロ環状エーテル／Ｏ2、た
とえばc-C3F6O2/Ｏ2、c-C4F8O2/Ｏ2またはc-C3F6O3/
Ｏ2）の値は、０．１≦（パーフルオロ環状エーテル／
Ｏ2、たとえばc-C3F6O2/Ｏ2、c-C4F8O2/Ｏ2またはc-C3F
6O3/Ｏ2）≦９、好ましくは０．１≦（パーフルオロ環
状エーテル／Ｏ2、たとえばc-C3F6O2/Ｏ2、c-C4F8O2/Ｏ
2またはc-C3F6O3/Ｏ2）≦６、さらに好ましくは０．１
≦（パーフルオロ環状エーテル／Ｏ2、たとえばc-C3F6O
2/Ｏ2、c-C4F8O2/Ｏ2またはc-C3F6O3/Ｏ2）≦３である
ことが望ましい。
【００２８】前記パーフルオロ環状エーテルを含むチャ
ンバークリーニング用ガスにおいて、必要に応じて含む
ことができるその他のガスとしては、Ｎ2，Ｈｅ，Ｎ
ｅ，Ａｒ，Ｋｒ，Ｘｅ，Ｒｎなどの不活性ガスが挙げら
れる。前記不活性ガスは、一種単独で用いてもよく、ま
た、２種以上の混合ガスとして用いてもよい。本発明に
係るチャンバークリーニング用ガスにおいて、前記ガス
の含有量、前記混合モル比が前記のような量および値で
あると、従来使用されていたＣ2Ｆ6と同等のクリーニン
グ速度を得ることが可能であり、チャンバーに付着した
堆積物を迅速に除去することができる。
【００２９】さらに、通常、チャンバークリーニング後
の排ガスの中には、前記クリーニングガスが分解して副
生する化合物が含まれる。例えば上記のＣ2Ｆ6を用いて
チャンバークリーニングを行った場合、排ガス中には、
大気寿命が５０,０００年と長く地球温暖化係数が大き
いＣＦ4が含まれるが、本発明で用いるパーフルオロ環
状エーテルを含むチャンバークリーニング用ガスを用い
た場合は、Ｃ2Ｆ6の場合と同等のクリーニング速度を維
持しながらも、排ガス中のＣＦ4の含有量を、Ｃ2Ｆ6を
用いた場合と比較し、顕著に減少させることができる。
【００３０】しかも、本発明に係るチャンバークリーニ
ング用ガスは、Ｃ2Ｆ6と比較しても、用いるガス（本発
明においてはパーフルオロ環状エーテル）の分解率が極
めて高くクリーニング効率にも優れている。したがっ
て、本発明で用いられるパーフルオロ環状エーテル、た
とえば、前記c-C3F6O2、c-C4F8O2またはc-C3F6O3は、従
来からの燃焼式等分解処理装置の設備コストを抑えるこ
とができる。
【００３１】また、クリーニングガスとしてＣ2Ｆ6を用
いる場合、たとえばクリーニング電力を増加させると、
ＣＦ4等の排ガスの含有割合が増加するが、本発明に係
るチャンバークリーニング用ガスを用いると、ＣＦ4等
の排ガスの含有割合の増加を著しく抑制することができ
る。さらに、たとえば前記c-C3F6O2は、沸点（-22.1
℃）が低く、半導体製造条件下では毒性のない気体であ
ることから、チャンバークリーニングにおいて、取扱い
が容易である。
【００３２】また前記c-C4F8O2は、沸点（18-20℃）が
低く、半導体製造条件下では毒性の少ない揮発性液体で
あると考えられることから、チャンバークリーニングに
おいて、取扱いが容易である。前記c-C3F6O3は、半導体
製造条件下では毒性の少ない気体であると推測され、チ
ャンバークリーニングにおいても、取扱いが容易であ
る。
【００３３】取扱いの容易性の観点からは、c-C3F6O2、
c-C4F8O2またはc-C3F6O3のうちでは、c-C3F6O2を用いる
ことが好ましい。本発明で用いるパーフルオロ環状エー
テルの製造方法は特に限定されず、公知の方法を用いる
ことができる。たとえば、対応する環状エーテルをフッ
素ガスでパーフルオロ化すればよい。
【００３４】たとえば、c-C3F6O2の製造方法は、特に限
定されず、公知の方法を用いることができ、たとえば、
前記c-C3H6O2とフッ素ガスを反応させることにより製造
することができる。また、特開平６−８７８４８号公報
に記載の方法により製造することができ、具体的には、
CF2(OF)2をテトラフルオロエチレンガスとフロリナート
ＦＣ25中で反応させることで、パーフルオロ−1，３−
ジオキソランを得ることができる。
【００３５】また、c-C4F8O2の製造方法については、特
に限定されず、公知の方法を用いることができ、たとえ
ば、USP4,113435号に記載の方法により製造することが
できる。具体的には、ジオキサンをフッ素ガスと反応さ
せることで、ペーフルオロー1,4−ジオキサンを得るこ
とができる。さらに、c-C3F6O3の製造方法については、
特に限定されず、公知の方法を用いることができ、たと
えば、USP4,113435号に記載の方法により製造すること
ができる。具体的には、トリオキサン（c-C3H6O3）をフ
ッ素ガスと反応させることで、パーフルオロー1,3,5−
トリオキサンを得ることができる。
【００３６】＜その他の任意成分＞上記その他のガスに
は、さらに、本発明の目的を害さない範囲で、上記不活
性ガス以外のガスを含んでもよい。このような上記不活
性ガス以外のガスとしては、たとえば、Ｏ3、Ｈ2、
Ｆ2、ＣｌＦ3、ＢｒＦ3、ＮＦ3などが挙げられる。 ＜チャンバークリーニング＞本明細書においてチャンバ
ークリーニングとは、ＣＶＤ装置等の半導体製造装置内
のチャンバー壁あるいは冶具、配管等に付着した付着物
の除去を意味している。
【００３７】本発明に係るチャンバークリーニング用ガ
スは、ＣＶＤ装置等のチャンバークリーニング用ガスと
して用いることが好ましい。このような本発明に係るチ
ャンバークリーニング用ガスを用いるチャンバークリー
ニングの目的化合物としては、ＣＶＤ法等により、ＣＶ
Ｄチャンバー壁あるいはＣＶＤ装置の冶具等に付着し
た、前記ケイ素を含有する付着物（ケイ素含有付着物）
が挙げられる。このようなケイ素含有付着物としては、
たとえば、（１）ケイ素、（２）酸素、窒素、フッ素お
よび炭素のうちの少なくとも１種と、ケイ素とからなる
化合物、および（３）高融点金属シリサイドからなる化
合物などのうちの少なくとも１種が挙げられ、より具体
的には、たとえば、ＷＳｉ等の高融点金属シリサイド、
Ｓｉ、ＳｉＯ2、Ｓｉ3Ｎ4などが挙げられる。
【００３８】本発明に係るチャンバークリーニング用ガ
スを用いるチャンバーの材料は特に限定されず、公知の
材料が挙げられる。このようなチャンバーの材料として
は、たとえば、ステンレス、アルミニウム、あるいはこ
れらの合金などが挙げられる。本発明に係るチャンバー
クリーニング用ガスは、このようなチャンバーに対して
は腐食等の作用を及ぼすことが少なく、チャンバーに付
着した前記付着物を選択的かつ迅速に除去することがで
きる。
【００３９】このような本発明に係るフッ素系化合物を
用いて、チャンバー内のケイ素含有付着物をクリーニン
グするには、公知の方法が採用でき、たとえば、プラズ
マクリーニング、リモートプラズマクリーニング、マイ
クロ波クリーニングなどの各種ドライクリーニング法が
適用できる。このような本発明に係るチャンバークリー
ニング用ガスによれば、ケイ素含有付着物を除去するこ
とが可能である。
【００４０】［ケイ素含有膜用エッチングガス］本発明
に係るケイ素含有膜用エッチングガスは、炭素原子とエ
ーテル結合された酸素原子を２個以上４個以下有するパ
ーフルオロ環状エーテルを含むガスであり、前記酸素原
子の数は好ましくは２個または３個であることが望まし
い。このようなパーフルオロ環状エーテルは、下記一般
式（１）で表されるパーフルオロ環状エーテルであるこ
とが好ましい。
【００４１】
【化６】
【００４２】前記式（１）中、ｍは０〜２の整数であ
り、ｎは０〜３の整数であり、ｍとｎとは同時に０とな
ることはなく、ｍとｎとが同時にｍ＝０、ｎ＝１となる
場合はなく、ｍとｎとが同時にｍ＝１、ｎ＝０となる場
合はなく、ｍとｎとが同時にｍ＝２、ｎ＝３となる場合
はない。なお、上記式（１）中の曲線からなる実線は、
繰り返し単位の両端が、単結合により結合していること
を示している。
【００４３】このようなパーフルオロ環状エーテルは、
好ましくは５〜８員環、さらに好ましくは５〜７員環、
より好ましくは５または６員環の環状エーテルであるこ
とが望ましい。このようなパーフルオロ環状エーテルと
しては、前述のチャンバークリーニング用ガスで記載し
たのと同様のパーフルオロ-1,3-ジオキソラン（c-C3F6O
2）、パーフルオロ-1,4-ジオキサン（c-C4F8O2）または
パーフルオロ-1,3,5-トリオキサン（c-C3F6O3）などが
挙げられ、これらからなる群から選ばれる少なくとも１
種を好ましく用いることができる。
【００４４】このような特定のパーフルオロ環状エーテ
ルを含むケイ素含有膜用エッチングガスは、酸素ガス
（Ｏ2）を含有することが好ましい。このようなパーフ
ルオロ環状エーテルを含有するケイ素含有膜用エッチン
グガスを用いると、ＣＦ4の発生が著しく抑制され、し
かも用いるパーフルオロ環状エーテルの分解率が極めて
高いエッチング効率に優れたケイ素含有膜用エッチング
ガスとすることができる。
【００４５】本発明に係るケイ素含有膜用エッチングガ
スが本発明で用いる前記パーフルオロ環状エーテル、た
とえば前記c-C3F6O2、c-C4F8O2またはc-C3F6O3と、Ｏ2
と、必要に応じてその他のガスとを含む場合、全ガス量
を１００モル％としたとき、前記パーフルオロ環状エー
テルとＯ2との含有量の合計は好ましくは７０〜１００
モル％、さらに好ましくは８０〜１００モル％であるこ
とが望ましい。
【００４６】また、前記パーフルオロ環状エーテル、た
とえば、前記c-C3F6O2、c-C4F8O2またはc-C3F6O3とＯ2
との混合モル比（パーフルオロ環状エーテル／Ｏ2、た
とえばc-C3F6O2/Ｏ2、c-C4F8O2/Ｏ2またはc-C3F6O3/
Ｏ2）の値は、好ましくは０．１≦（パーフルオロ環状
エーテル／Ｏ2、たとえばc-C3F6O2/Ｏ2、c-C4F8O2/Ｏ2
またはc-C3F6O3/Ｏ2）、さらに好ましくは０．１≦（パ
ーフルオロ環状エーテル／Ｏ 2、たとえばc-C3F6O2/
Ｏ2、c-C4F8O2/Ｏ2またはc-C3F6O3/Ｏ2）≦２０、特に
好ましくは０．１≦（パーフルオロ環状エーテル／
Ｏ2、たとえばc-C3F6O2/Ｏ2、c-C4F8O2/Ｏ2またはc-C3F
6O3/Ｏ2）≦９であることが望ましい。
【００４７】本発明に係るケイ素含有膜用エッチングガ
スにおいて、必要に応じて含むことができるその他のガ
スとしては、Ｎ2，Ｈｅ，Ｎｅ，Ａｒ，Ｋｒ，Ｘｅ，Ｒ
ｎなどの不活性ガスが挙げられる。前記不活性ガスは、
一種単独で用いてもよく、また、２種以上の混合ガスと
して用いてもよい。本発明に係るケイ素含有膜用エッチ
ングガスにおいて、前記ガスの含有量、前記混合モル比
が前記のような量および値であると、従来使用されてい
たＣ2Ｆ6と同等のエッチング速度を得ることが可能であ
る。
【００４８】さらに、エッチング後の排ガスの中には、
例えば上記Ｃ2Ｆ6を用いてエッチングを行った場合、排
ガス中には、副生物として、地球温暖化係数の大きいＣ
Ｆ4が含まれるが、c-C3F6O2、c-C4F8O2またはc-C3F6O3
とＯ2とを含むケイ素含有膜用エッチングガスを用いた
場合、Ｃ2Ｆ6の場合と同等のエッチング速度を維持しな
がらも、排ガス中のＣＦ4の含有量を、Ｃ2Ｆ6を用いた
場合と比較し顕著に減少させることができる。
【００４９】しかも、前述の通り本発明に係るケイ素含
有膜用エッチングガスは、Ｃ2Ｆ6と比較しても、用いる
ガス（本発明においてはパーフルオロ環状エーテル）の
分解率が極めて高くクリーニング効率にも優れている。
これらの中で、c-C3F6O2は、沸点（-22.1℃）が低く、
半導体製造条件下では毒性のない気体であることから、
エッチングにおいて、取扱いが容易であり、取り扱いの
容易性の観点からは、c-C3F6O2、c-C4F8O2またはc-C3F6
O3のうちでは、c-C3F6O2を用いることが好ましい。
【００５０】これらパーフルオロ環状エーテルの製造方
法は前述と同様である。また本発明に係るケイ素含有膜
用エッチングガスは、被加工膜に対する選択性もよいた
め、Ｃ2Ｆ6等の代替ガスとして十分実用可能である。ま
た、エッチングガスとしてＣ2Ｆ6を用いる場合、たとえ
ばエッチング電力を増加させると、ＣＦ4等の排ガスの
含有割合が増加するが、本発明に係るケイ素含有膜用エ
ッチングガスを用いると、ＣＦ4等の排ガスの含有割合
の増加を著しく抑制することができる。
【００５１】エッチング後の排ガスの中には、例えば上
記Ｃ2Ｆ6を用いた場合、排ガスには、大気寿命が５０,
０００年と長く地球温暖化係数の大きいＣＦ4が含まれ
るが、本発明に係るケイ素含有膜用エッチングガスを用
いた場合は、Ｃ2Ｆ6を用いた場合のそれぞれ約７０％の
エッチング速度を維持しつつ、排ガス中のＣＦ4の含有
量を、Ｃ2Ｆ6を用いた場合と比較し減少させることがで
きる。
【００５２】＜その他の任意成分＞上記その他のガスに
は、本発明の目的を害さない範囲で、上記不活性ガス以
外のガスを含んでもよい。このような上記不活性ガス以
外のガスとしては、たとえば、Ｏ3、Ｈ2、Ｆ2、Ｃｌ
Ｆ3、ＢｒＦ3、ＮＦ3などが挙げられる。 ＜エッチング＞エッチングの目的化合物としては、ケイ
素を含有する薄膜等（ケイ素含有膜）が挙げられる。こ
のようなケイ素含有膜としては、たとえば、（１）ケイ
素膜、（２）酸素、窒素、フッ素および炭素のうちの少
なくとも１種と、ケイ素とからなる膜、および（３）高
融点金属シリサイド膜などのうちの少なくとも１種が挙
げられる。
【００５３】より具体的には、たとえば、Ｓｉ膜、Ｓｉ
Ｏ2膜、Ｓｉ3Ｎ4膜、或いはＷＳｉ膜等の高融点金属シ
リサイド膜などが挙げられる。このようなケイ素含有膜
を、本発明に係るケイ素含有膜用エッチングガスにより
エッチングする方法は、公知の方法が採用でき、たとえ
ば、プラズマエッチング、反応性イオンエッチング、マ
イクロ波エッチングなどの各種ドライエッチング法が適
用できる。また、ケイ素含有膜のエッチング条件は、公
知のエッチング条件を採用できる。
【００５４】
【発明の効果】本発明に係るチャンバークリーニング用
ガスは、特定のパーフルオロ環状エーテルを含有してお
り、従来クリーニングガスとして用いられているＣ2Ｆ6
とほとんど変わらない優れたクリーニング速度を維持し
つつも、地球温暖化の一因とされる環境に有害な排ガス
であるＣＦ4生成を顕著に減少させることができる。し
かも本発明に係るチャンバークリーニングガスは、取扱
いが容易であり、また、排ガス処理性にも優れているた
め、経済性および作業性を向上させることができる。
【００５５】本発明に係るケイ素含有膜用エッチングガ
スは、特定のパーフルオロ環状エーテルを含有してお
り、従来用いられていたＣ2Ｆ6とほとんど変わらない優
れたエッチング速度を維持しつつも、地球温暖化の一因
とされる環境に有害な排ガスであるＣＦ4の生成を顕著
に減少させることができる。しかも本発明に係るエッチ
ングガスは、取り扱いが容易であり、また、排ガス処理
性にも優れているため、経済性および作業性を向上させ
ることができる。また、ケイ素含有膜の除去を効率的
に、しかも半導体パターンの寸法精度を高精度に保ちな
がらエッチングが可能であり、優れたエッチング性能を
有している。
【００５６】
【実施例】以下、実施例に基づいて本発明をより詳細に
説明するが、これらの実施例により本発明は限定される
ものではない。さらに、クリーニングの間に発生する排
ガス中のＣＦ4については、排ガスを１５．５リットル
／分の窒素で希釈し、FT-IRにより測定した。
【００５７】
【実施例１〜５】［チャンバークリーニング］c-C3F6O2
および酸素を表１に示す割合で混合した混合ガスを用い
て、圧力２５０Ｐａ、入力Ｒｆ電力１,０００Ｗ、トー
タルガス流量３００sccm、電極温度３００℃、電極間距
離５０mmの条件下で、ＳｉＯ2膜を堆積したシリコンウ
ェハーをＣＶＤチャンバー内に置いてＳｉＯ2膜をクリ
ーニングした。
【００５８】上記条件下で０．５分間クリーニングした
結果を表１に示す。また、クリーニングの間に得られる
排ガス中のＣＦ4含量を表１に示す。
【００５９】
【表１】
【００６０】
【実施例６〜１０】［チャンバークリーニング］c-C3F6
O2および酸素を表１に示す割合で混合した混合ガスを用
いて、圧力２５０Ｐａ、入力Ｒｆ電力７５０Ｗ、トータ
ルガス流量３００sccm、電極温度３００℃、電極間距離
５０mmの条件下で、ＳｉＯ2膜を堆積したシリコンウェ
ハーをＣＶＤチャンバー内に置いてＳｉＯ2膜をクリー
ニングした。上記条件下で０．５分間クリーニングした
結果を表２に示す。
【００６１】また、クリーニングの間に得られる排ガス
中のＣＦ4含量を表２に示す。
【００６２】
【表２】
【００６３】
【実施例１１〜１４】［チャンバークリーニング］c-C4
F8O2および酸素を表３に示す割合で混合した混合ガスを
用いて、圧力２５０Ｐａ、入力Ｒｆ電力１,０００Ｗ、
トータルガス流量３００sccm、電極温度３００℃、電極
間距離５０mmの条件下で、ＳｉＯ2膜を堆積したシリコ
ンウェハーをＣＶＤチャンバー内に置いてＳｉＯ2膜を
クリーニングした。
【００６４】上記条件下で０．５分間クリーニングした
結果を表３に示す。また、クリーニングの間に得られる
排ガス中のＣＦ4含量を表３に示す。
【００６５】
【表３】
【００６６】
【実施例１５〜１８】［チャンバークリーニング］c-C4
F8O2および酸素を表４に示す割合で混合した混合ガスを
用いて、圧力２５０Ｐａ、入力Ｒｆ電力７５０Ｗ、トー
タルガス流量３００sccm、電極温度３００℃、電極間距
離５０mmの条件下で、ＳｉＯ2膜を堆積したシリコンウ
ェハーをＣＶＤチャンバー内に置いてＳｉＯ2膜をクリ
ーニングした。
【００６７】上記条件下で０．５分間クリーニングした
中のＣＦ4含量を表４に示す。
【００６８】
【表４】
【００６９】
【実施例１９〜２１】［チャンバークリーニング］c-C3
F6O2、酸素及び不活性ガスを表５に示す割合で混合した
混合ガスを用いて、圧力２５０Ｐａ、入力Ｒｆ電力１,
０００Ｗ、トータルガス流量３００sccm、電極温度３０
０℃、電極間距離５０mmの条件下で、ＳｉＯ2膜を堆積
したシリコンウェハーをＣＶＤチャンバー内に置いてＳ
ｉＯ2膜をクリーニングした。
【００７０】上記条件下で０．５分間クリーニングした
結果を表５に示す。また、クリーニングの間に得られる
排ガス中のＣＦ4含量を表５に示す。
【００７１】
【表５】
【００７２】
【比較例１〜７】［チャンバークリーニング］表６に示
す割合でＣ2Ｆ6と酸素とを混合した混合ガスを用いて、
実施例６〜１０と同様の条件で、ＳｉＯ2膜のクリーニ
ングをした。結果を表６に示す。また、クリーニングの
間に得られる排ガス中のＣＦ4含量を表６に示す。
【００７３】
【表６】
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 大 平 豊 東京都港区西新橋２丁目11番地６号 ニュ ー西新橋ビル９階 財団法人地球環境産業 技術研究機構 半導体ＣＶＤ洗浄プロジェ クト室内 (72)発明者 三 井 有 規 東京都港区西新橋２丁目11番地６号 ニュ ー西新橋ビル９階 財団法人地球環境産業 技術研究機構 半導体ＣＶＤ洗浄プロジェ クト室内 (72)発明者 米 村 泰 輔 東京都港区西新橋２丁目11番地６号 ニュ ー西新橋ビル９階 財団法人地球環境産業 技術研究機構 半導体ＣＶＤ洗浄プロジェ クト室内 (72)発明者 関 屋 章 茨城県つくば市東１−１−１ 独立行政法 人産業技術総合研究所つくばセンター内 Ｆターム(参考） 4K030 DA06 JA06 5F004 AA15 DA00 DA26 5F045 AC07 AC11 BB15 EB06

Claims (20)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 炭素原子とエーテル結合された酸素原子
    を２個以上４個以下有するパーフルオロ環状エーテルを
    含むことを特徴とするチャンバークリーニング用ガス。
  2. 【請求項２】 前記パーフルオロ環状エーテルが、下記
    一般式（１） 【化１】 （前記式（１）中、ｍは０〜２の整数であり、ｎは０〜
    ３の整数であり、ｍとｎとは同時に０となることはな
    く、ｍとｎとが同時にｍ＝０、ｎ＝１となる場合はな
    く、ｍとｎとが同時にｍ＝１、ｎ＝０となる場合はな
    く、ｍとｎとが同時にｍ＝２、ｎ＝３となる場合はな
    い）で表されることを特徴とする請求項１に記載のチャ
    ンバークリーニング用ガス。
  3. 【請求項３】 前記パーフルオロ環状エーテルが、５〜
    ８員環の環状エーテルであることを特徴とする請求項１
    または２に記載のチャンバークリーニング用ガス。
  4. 【請求項４】 前記チャンバークリーニング用ガスが、
    さらにＯ2と、必要に応じその他のガスとを含むことを
    特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載のチャンバー
    クリーニング用ガス。
  5. 【請求項５】 全ガス量１００モル％に対し、前記パー
    フルオロ環状エーテルとＯ2との含有量の合計が１０〜
    １００モル％であることを特徴とする請求項４に記載の
    チャンバークリーニング用ガス。
  6. 【請求項６】 前記パーフルオロ環状エーテルとＯ2と
    の含有モル比（パーフルオロ環状エーテル／Ｏ2）の値
    が、０．１≦パーフルオロ環状エーテル／Ｏ2≦９であ
    ることを特徴とする請求項４または５に記載のチャンバ
    ークリーニング用ガス。
  7. 【請求項７】 前記パーフルオロ環状エーテルとＯ2と
    の含有量の合計が７０〜１００モル％であることを特徴
    とする請求項５に記載のチャンバークリーニング用ガ
    ス。
  8. 【請求項８】 前記パーフルオロ環状エーテルとＯ2の
    含有モル比（パーフルオロ環状エーテル／Ｏ2）の値
    が、０．１０≦パーフルオロ環状エーテル／Ｏ2≦６で
    あることを特徴とする請求項６に記載のチャンバークリ
    ーニング用ガス。
  9. 【請求項９】 前記パーフルオロ環状エーテルが、パー
    フルオロ-1,3-ジオキソラン（c-C3F6O2）、パーフルオ
    ロ-1,4-ジオキサン（c-C4F8O2）およびパーフルオロ-1,
    3,5-トリオキサン（c-C3F6O3）からなる群から選ばれる
    少なくとも一種であることを特徴とする請求項１〜８の
    いずれかに記載のチャンバークリーニング用ガス。
  10. 【請求項１０】 前記その他のガスが、Ｎ2、Ｈｅ、Ｎ
    ｅ、Ａｒ、Ｋｒ、ＸｅおよびＲｎから選ばれる少なくと
    も１種の不活性ガスであることを特徴とする請求項４〜
    ９のいずれかに記載のチャンバークリーニング用ガス。
  11. 【請求項１１】 前記チャンバークリーニング用ガス
    が、ＣＶＤ装置チャンバーのクリーニング用ガスである
    ことを特徴とする請求項１〜１０のいずれかに記載のチ
    ャンバークリーニング用ガス。
  12. 【請求項１２】 前記チャンバークリーニング用ガス
    が、ケイ素含有付着物のクリーニング用ガスであること
    を特徴とする請求項１〜１１のいずれかに記載のチャン
    バークリーニング用ガス。
  13. 【請求項１３】 前記ケイ素含有付着物が、 （１）ケイ素、 （２）酸素、窒素、フッ素および炭素のうちの少なくと
    も１種と、ケイ素とからなる化合物、および （３）高融点金属シリサイドからなる化合物 のうちの少なくとも１種であることを特徴とする請求項
    １２に記載のチャンバークリーニング用ガス。
  14. 【請求項１４】 炭素原子とエーテル結合された酸素原
    子を２個以上４個以下有するパーフルオロ環状エーテル
    を含むことを特徴とするケイ素含有膜用エッチングガ
    ス。
  15. 【請求項１５】 前記パーフルオロ環状エーテルが、下
    記一般式（１） 【化２】 （前記式（１）中、ｍは０〜２の整数であり、ｎは０〜
    ３の整数であり、ｍとｎとは同時に０となることはな
    く、ｍとｎとが同時にｍ＝０、ｎ＝１となる場合はな
    く、ｍとｎとが同時にｍ＝１、ｎ＝０となる場合はな
    く、ｍとｎとが同時にｍ＝２、ｎ＝３となる場合はな
    い）で表されることを特徴とする請求項１４に記載のケ
    イ素含有膜用エッチングガス。
  16. 【請求項１６】 前記パーフルオロ環状エーテルが、５
    〜８員環の環状エーテルであることを特徴とする請求項
    １４または１５に記載のケイ素含有膜用エッチングガ
    ス。
  17. 【請求項１７】 前記ケイ素含有膜用エッチングガス
    が、さらにＯ2と、必要に応じその他のガスとを含むこ
    とを特徴とする請求項１４〜１６のいずれかに記載のケ
    イ素含有膜用エッチングガス。
  18. 【請求項１８】 全ガス量１００モル％に対し、前記パ
    ーフルオロ環状エーテルとＯ2との含有量の合計が７０
    〜１００モル％であることを特徴とする請求項１７に記
    載のケイ素含有膜用エッチングガス。
  19. 【請求項１９】 前記パーフルオロ環状エーテルとＯ2
    との含有モル比（パーフルオロ環状エーテル／Ｏ2）の
    値が、０．１≦パーフルオロ環状エーテル／Ｏ2である
    ことを特徴とする請求項１７または１８に記載のケイ素
    含有膜用エッチングガス。
  20. 【請求項２０】 前記パーフルオロ環状エーテルが、パ
    ーフルオロ-1,3-ジオキソラン（c-C3F6O2）、パーフル
    オロ-1,4-ジオキサン（c-C4F8O2）およびパーフルオロ-
    1,3,5-トリオキサン（c-C3F6O3）からなる群から選ばれ
    る少なくとも一種であることを特徴とする請求項１４〜
    １９のいずれかに記載のケイ素含有膜用エッチングガ
    ス。
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DE60325557T DE60325557D1 (de) 2002-02-12 2003-01-28 Reinigungsgas und ätzgas
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2005117082A1 (ja) * 2004-05-31 2005-12-08 National Institute Of Advanced Industrial Science And Technology ドライエッチングガスおよびドライエッチング方法

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5691163B2 (ja) * 2009-12-01 2015-04-01 セントラル硝子株式会社 クリーニングガス
SG11201605356PA (en) * 2013-12-30 2016-07-28 Chemours Co Fc Llc Chamber cleaning and semiconductor etching gases
TWI686461B (zh) * 2019-02-01 2020-03-01 才將科技股份有限公司 一種具有高矽／二氧化矽蝕刻的選擇比的矽蝕刻劑及其應用

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4281119A (en) * 1973-07-16 1981-07-28 Massachusetts Institute Of Technology Cryogenically controlled direct fluorination process, apparatus and products resulting therefrom
JPS6077429A (ja) 1983-10-04 1985-05-02 Asahi Glass Co Ltd ドライエツチング方法
US4908461A (en) 1987-12-21 1990-03-13 E. I. Du Pont De Nemours And Company Process for dechlorinating 4,5-dichlorofluorodioxolanes to obtain fluorodioxoles
WO1991009025A2 (en) 1989-12-11 1991-06-27 E.I. Du Pont De Nemours And Company Partially fluorinated compounds and polymers
IT1249208B (it) 1990-06-07 1995-02-20 Ausimont Srl Processo per la preparazione di 1,3-diossolani alogenati e nuovi prodotti ottenuti
JPH082892B2 (ja) 1991-04-16 1996-01-17 信越化学工業株式会社 パーフルオロ環状エーテル及びその製造法
JP3186031B2 (ja) * 1995-04-21 2001-07-11 セントラル硝子株式会社 エッチングガス
JP2904723B2 (ja) 1995-04-21 1999-06-14 セントラル硝子株式会社 クリーニングガス
US5861065A (en) * 1997-01-21 1999-01-19 Air Products And Chemicals, Inc. Nitrogen trifluoride-oxygen thermal cleaning process
US6872322B1 (en) * 1997-11-12 2005-03-29 Applied Materials, Inc. Multiple stage process for cleaning process chambers
US6537461B1 (en) * 2000-04-24 2003-03-25 Hitachi, Ltd. Process for treating solid surface and substrate surface
JP4492764B2 (ja) * 1999-05-24 2010-06-30 日本ゼオン株式会社 プラズマ反応用ガス及びその製造方法
WO2002007194A2 (en) * 2000-07-18 2002-01-24 Showa Denko K.K. Cleaning gas for semiconductor production equipment
JP2002280376A (ja) * 2001-03-22 2002-09-27 Research Institute Of Innovative Technology For The Earth Ｃｖｄ装置のクリーニング方法およびそのためのクリーニング装置

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2005117082A1 (ja) * 2004-05-31 2005-12-08 National Institute Of Advanced Industrial Science And Technology ドライエッチングガスおよびドライエッチング方法
JPWO2005117082A1 (ja) * 2004-05-31 2008-04-03 独立行政法人産業技術総合研究所 ドライエッチングガスおよびドライエッチング方法

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