JP2003231764A - ポリイミドエッチング方法 - Google Patents
ポリイミドエッチング方法Info
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- JP2003231764A JP2003231764A JP2002034168A JP2002034168A JP2003231764A JP 2003231764 A JP2003231764 A JP 2003231764A JP 2002034168 A JP2002034168 A JP 2002034168A JP 2002034168 A JP2002034168 A JP 2002034168A JP 2003231764 A JP2003231764 A JP 2003231764A
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- Japan
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- etching
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- wiring
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- Adjustment Of The Magnetic Head Position Track Following On Tapes (AREA)
- Supporting Of Heads In Record-Carrier Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】本発明は、高精度なポリイミドエッチング加工
ができる、ハードディスク用配線付きサスペンションブ
ランクスを製造する方法を提供する。 【解決手段】バネ特性を発現させる金属層の上に電気的
な絶縁層を介して導電性層が積層された3層構造の積層
体を用いてハードディスク用配線付きサスペンションブ
ランクを製造する方法であって、エッチング対象物をエ
ッチング液中に浸漬せしめ、エッチング液を液中スプレ
ーノズルにより噴霧させ、かつ治具に固定されたエッチ
ング対象物が揺動し、またエッチング槽のオーバーフロ
ーを上部左右に設ける。これらにより、積層体加工面の
液更新状態の均一化を図られ、高精度にてポリイミドエ
ッチング加工を行うことが出来る。
ができる、ハードディスク用配線付きサスペンションブ
ランクスを製造する方法を提供する。 【解決手段】バネ特性を発現させる金属層の上に電気的
な絶縁層を介して導電性層が積層された3層構造の積層
体を用いてハードディスク用配線付きサスペンションブ
ランクを製造する方法であって、エッチング対象物をエ
ッチング液中に浸漬せしめ、エッチング液を液中スプレ
ーノズルにより噴霧させ、かつ治具に固定されたエッチ
ング対象物が揺動し、またエッチング槽のオーバーフロ
ーを上部左右に設ける。これらにより、積層体加工面の
液更新状態の均一化を図られ、高精度にてポリイミドエ
ッチング加工を行うことが出来る。
Description
【0001】
【発明が属する技術分野】本発明は、ハードディスク用
配線付きサスペンションブランクの製造方法に関する発
明である。特に積層材料を加工する工程において、電気
絶縁材料をウェットエッチング法での加工する際の、エ
ッチング処理方法に関する発明である。
配線付きサスペンションブランクの製造方法に関する発
明である。特に積層材料を加工する工程において、電気
絶縁材料をウェットエッチング法での加工する際の、エ
ッチング処理方法に関する発明である。
【0002】
【従来の技術】従来の技術として特開2002−252
13「ワイヤレスサスペンションブランクの製造方法」
がある。この製造方法では積層体として、ポリイミドフ
ィルムの片面にバネ特性を発現させる金属層としてのS
US(ステンレス)、他のもう片面に、ポリイミドフィ
ルムとの積層面に、密着性を上げる為に粗化処理の施さ
れた導電性層としてのCu(銅)を積層した3層のもの
を用いている。そしてこの製造方法は、ポリイミドフィ
ルムの両面に積層した各金属箔上にそれぞれレジストパ
ターンを形成し、両方の金属箔をエッチング液でエッチ
ング処理をした後、レジストパターンを剥離してから、
表面に露出されたポリイミドフィルムにレジストパター
ンを形成し、エッチング液でエッチング処理を行い、レ
ジストパターンを剥離して、低コストで高精度なハード
ディスク用配線付きサスペンションブランクを得ること
ができるものである。
13「ワイヤレスサスペンションブランクの製造方法」
がある。この製造方法では積層体として、ポリイミドフ
ィルムの片面にバネ特性を発現させる金属層としてのS
US(ステンレス)、他のもう片面に、ポリイミドフィ
ルムとの積層面に、密着性を上げる為に粗化処理の施さ
れた導電性層としてのCu(銅)を積層した3層のもの
を用いている。そしてこの製造方法は、ポリイミドフィ
ルムの両面に積層した各金属箔上にそれぞれレジストパ
ターンを形成し、両方の金属箔をエッチング液でエッチ
ング処理をした後、レジストパターンを剥離してから、
表面に露出されたポリイミドフィルムにレジストパター
ンを形成し、エッチング液でエッチング処理を行い、レ
ジストパターンを剥離して、低コストで高精度なハード
ディスク用配線付きサスペンションブランクを得ること
ができるものである。
【0003】また、エッチング方法に関する従来技術と
して特開平10−195214「樹脂エッチング液及び
エッチング方法」がある。この方法では、ポリイミドフ
ィルムをエッチング液中に浸漬し、かつ、超音波を照射
してのエッチング、またはエッチング液をスプレーノズ
ルにて噴射してのエッチングを実施し、良好なエッチン
グ形状を得ることができるものである。
して特開平10−195214「樹脂エッチング液及び
エッチング方法」がある。この方法では、ポリイミドフ
ィルムをエッチング液中に浸漬し、かつ、超音波を照射
してのエッチング、またはエッチング液をスプレーノズ
ルにて噴射してのエッチングを実施し、良好なエッチン
グ形状を得ることができるものである。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記し
た方法では、3層の積層体におけるポリイミドフィルム
両面を、エッチング液よりエッチングするというウェッ
トエッチングを行っているが、エッチング液中に浸漬、
またはスプレーノズルによる噴霧によりエッチング処理
を行うと、エッチングのレートのばらつきが発生し、高
精度の加工ができなかった。本発明は、エッチング処理
面において、面内のエッチングレートの差、および表裏
のエッチングレートの差を極力抑えることができ、高精
度のウェットエッチング処理を実施することを目的とす
る。
た方法では、3層の積層体におけるポリイミドフィルム
両面を、エッチング液よりエッチングするというウェッ
トエッチングを行っているが、エッチング液中に浸漬、
またはスプレーノズルによる噴霧によりエッチング処理
を行うと、エッチングのレートのばらつきが発生し、高
精度の加工ができなかった。本発明は、エッチング処理
面において、面内のエッチングレートの差、および表裏
のエッチングレートの差を極力抑えることができ、高精
度のウェットエッチング処理を実施することを目的とす
る。
【0005】
【課題を解決するための手段】バネ特性を発現させる金
属層の上に電気的な絶縁層を介して導電性層が積層され
た3層構造の積層体を用いてハードディスク用配線付き
サスペンションブランクを製造する方法であって、エッ
チングレートの差を軽減させることを特徴とする、ウェ
ットエッチングにおけるポリイミドエッチング方法。前
記エッチング処理方法が、エッチング対象物をエッチン
グ液中に浸漬せしめ、かつ液中スプレーノズルにより噴
霧され、かつエッチング対象物が揺動することによりエ
ッチング処理されることを特徴とする請求項1記載のポ
リイミドエッチング方法。前記エッチング処理方法が、
エッチング液流れの均一化を図るために、エッチング槽
のオーバーフローを上部左右に設けた請求項1記載のポ
リイミドエッチング方法。前記エッチング処理方法にお
いて、エッチング対象物の四隅に穴をあけ、あらかじめ
その穴のサイズにピンをたてた治具に取り付け、固定治
具により固定したエッチング治具にて、エッチング処理
されることを特徴とする請求項1もしくは2記載のポリ
イミドエッチング方法。本発明は、ハードディスク用配
線付きサスペンションブランクの製造において、ポリイ
ミドフィルムの加工面の液更新状態の違いと、エッチン
グ処理中にパターンエッチングをする為のレジストの収
縮による基板の変形に着目し、ポリイミドフィルムに当
たるエッチング液の均等化を実施することより、高精度
のウェットエッチングを行う技術を確立したものであ
る。
属層の上に電気的な絶縁層を介して導電性層が積層され
た3層構造の積層体を用いてハードディスク用配線付き
サスペンションブランクを製造する方法であって、エッ
チングレートの差を軽減させることを特徴とする、ウェ
ットエッチングにおけるポリイミドエッチング方法。前
記エッチング処理方法が、エッチング対象物をエッチン
グ液中に浸漬せしめ、かつ液中スプレーノズルにより噴
霧され、かつエッチング対象物が揺動することによりエ
ッチング処理されることを特徴とする請求項1記載のポ
リイミドエッチング方法。前記エッチング処理方法が、
エッチング液流れの均一化を図るために、エッチング槽
のオーバーフローを上部左右に設けた請求項1記載のポ
リイミドエッチング方法。前記エッチング処理方法にお
いて、エッチング対象物の四隅に穴をあけ、あらかじめ
その穴のサイズにピンをたてた治具に取り付け、固定治
具により固定したエッチング治具にて、エッチング処理
されることを特徴とする請求項1もしくは2記載のポリ
イミドエッチング方法。本発明は、ハードディスク用配
線付きサスペンションブランクの製造において、ポリイ
ミドフィルムの加工面の液更新状態の違いと、エッチン
グ処理中にパターンエッチングをする為のレジストの収
縮による基板の変形に着目し、ポリイミドフィルムに当
たるエッチング液の均等化を実施することより、高精度
のウェットエッチングを行う技術を確立したものであ
る。
【0006】
【発明の実施の形態】図1は本研究に係るハードディス
ク用配線付きサスペンションブランクの製造におけるポ
リイミドエッチングの手順の一例を示す工程であり、以
下、その各工程を順を追って説明する。
ク用配線付きサスペンションブランクの製造におけるポ
リイミドエッチングの手順の一例を示す工程であり、以
下、その各工程を順を追って説明する。
【0007】まず図1(a)に示すようには、ポリイミ
ドフィルム12の両面に金属層11と導電層13を積層
した3層の基盤を用意する。この基板に所定の前処理、
レジスト処理、エッチング処理、レジスト剥離処理を施
し、図1(b)に示すポリイミドフィルム12の両面に
パターン加工された金属層11と、パターン加工された
導電層13からなる基板を得る。
ドフィルム12の両面に金属層11と導電層13を積層
した3層の基盤を用意する。この基板に所定の前処理、
レジスト処理、エッチング処理、レジスト剥離処理を施
し、図1(b)に示すポリイミドフィルム12の両面に
パターン加工された金属層11と、パターン加工された
導電層13からなる基板を得る。
【0008】図1(c)はポリイミドフィルム12をウ
ェットエッチング加工するため、パターンニングされた
金属層11の下面と導電性層13の上面との両面で、ポ
リイミドフィルム12を残す領域にポリイミド加工レジ
スト14を形成した状態を示す。
ェットエッチング加工するため、パターンニングされた
金属層11の下面と導電性層13の上面との両面で、ポ
リイミドフィルム12を残す領域にポリイミド加工レジ
スト14を形成した状態を示す。
【0009】図1(d)はウェットエッチングを行って
ポリイミドフィルム12を加工した状態を示す。また図
2は、そのエッチング処理の方法をに示す。上記基板を
エッチング液中に浸漬せしめ、かつ液中スプレーノズル
23により噴霧され、かつ上記基板を固定した揺動治具
24が揺動する。また上記にてエッチング槽21内に供
給されたエッチング液はオーバーフロー25にて槽外へ
排出される。また図3に上記基板の揺動治具24への固
定方法を示す。上記基板32の四隅に穴をあけ、あらか
じめその穴のサイズにピンをたてた揺動治具24に取り
付け、固定治具33により固定したエッチング治具に
て、エッチング処理を行う。これらにより上記基板32
加工面の液更新状態の均一化が図られ、かつエッチング
処理中にパターンエッチングをする為のレジストフィル
ム14の収縮による基板32の変形を少量化し、ポリイ
ミドフィルム12に当たるエッチング液の更なる均等化
が図られる。そのため精度のよい加工ができる効果があ
る。
ポリイミドフィルム12を加工した状態を示す。また図
2は、そのエッチング処理の方法をに示す。上記基板を
エッチング液中に浸漬せしめ、かつ液中スプレーノズル
23により噴霧され、かつ上記基板を固定した揺動治具
24が揺動する。また上記にてエッチング槽21内に供
給されたエッチング液はオーバーフロー25にて槽外へ
排出される。また図3に上記基板の揺動治具24への固
定方法を示す。上記基板32の四隅に穴をあけ、あらか
じめその穴のサイズにピンをたてた揺動治具24に取り
付け、固定治具33により固定したエッチング治具に
て、エッチング処理を行う。これらにより上記基板32
加工面の液更新状態の均一化が図られ、かつエッチング
処理中にパターンエッチングをする為のレジストフィル
ム14の収縮による基板32の変形を少量化し、ポリイ
ミドフィルム12に当たるエッチング液の更なる均等化
が図られる。そのため精度のよい加工ができる効果があ
る。
【0010】図1(f)はウェットエッチングのマスク
として使用したポリイミドフィルム加工レジスト14を
剥離して、ポリイミドフィルム12の加工を終了した状
態を示す。この剥離工程では50〜70℃の水酸化ナト
リウム1〜20wt%の高温アルカリ溶液での剥離が一
般的であるが、使用するポリイミドがアルカリ耐性に乏
しい場合には、エタノールアミン等の有機アルカリを使
用する。
として使用したポリイミドフィルム加工レジスト14を
剥離して、ポリイミドフィルム12の加工を終了した状
態を示す。この剥離工程では50〜70℃の水酸化ナト
リウム1〜20wt%の高温アルカリ溶液での剥離が一
般的であるが、使用するポリイミドがアルカリ耐性に乏
しい場合には、エタノールアミン等の有機アルカリを使
用する。
【0011】以上説明したように、図1に示す手順によ
り、ハードディスク用配線付きサスペンションブランク
の製造におけるポリイミドエッチングが実施され、その
後導電層13にメッキもしくは印刷等が施され、その上
に導電層保護のためのカバーコートが施され、ハードデ
ィスク用配線付きサスペンションブランクの製造が完了
する。その後最終的に機械加工等のアッセンブリ加工を
行い、ハードディスク用配線付きサスペンションが完成
する。
り、ハードディスク用配線付きサスペンションブランク
の製造におけるポリイミドエッチングが実施され、その
後導電層13にメッキもしくは印刷等が施され、その上
に導電層保護のためのカバーコートが施され、ハードデ
ィスク用配線付きサスペンションブランクの製造が完了
する。その後最終的に機械加工等のアッセンブリ加工を
行い、ハードディスク用配線付きサスペンションが完成
する。
【0012】
【実施例】絶縁層のポリイミドフィルム(宇部興産株式
会社製ユーピレックスVT)を厚み20mmのSUS
(新日本製鉄製「304HTA箔」)と、厚み18μm
の銅合金箔(オーリン社製「C7025」)に挟み(銅
箔の粗化面をフィルム側に向ける)、1MPaの圧力を
かけ、300℃で10分間、真空圧着して、金属層:絶
縁層:導電層の積層体を形成した。
会社製ユーピレックスVT)を厚み20mmのSUS
(新日本製鉄製「304HTA箔」)と、厚み18μm
の銅合金箔(オーリン社製「C7025」)に挟み(銅
箔の粗化面をフィルム側に向ける)、1MPaの圧力を
かけ、300℃で10分間、真空圧着して、金属層:絶
縁層:導電層の積層体を形成した。
【0013】上記の積層体に対し、銅合金箔の上面とS
USの下面の両方の面にアクリル系のドライフィルムレ
ジスト(旭化成株式会社製「AQ−5038」)をラミ
ネートした後、両方のドライフィルムレジストをそれぞ
れ所定のフォトマスクパターンに従って露光・現像して
パターニングした、露光はg線により露光量30〜60
mJ/cm2で行い、現像は30℃、1wt%Na2C
O3でスプレー現像した。
USの下面の両方の面にアクリル系のドライフィルムレ
ジスト(旭化成株式会社製「AQ−5038」)をラミ
ネートした後、両方のドライフィルムレジストをそれぞ
れ所定のフォトマスクパターンに従って露光・現像して
パターニングした、露光はg線により露光量30〜60
mJ/cm2で行い、現像は30℃、1wt%Na2C
O3でスプレー現像した。
【0014】次いで、SUS側をマスクし、塩化第二鉄
溶液を使用して銅箔をエッチングした後、水酸化ナトリ
ウムからなる剥離液でドライフィルムレジストを剥離し
た。続いて、銅箔側をマスクし、塩化第二鉄溶液を使用
してSUSの片面をエッチングした後、水酸化ナトリウ
ムからなる剥離液でドライフィルムレジストを剥離し
た。これにより、ポリイミドフィルムの一方の面に銅箔
がパターンニングされるとともに、他方の面にSUSが
パターンニングされた3層の積層体が得られた。
溶液を使用して銅箔をエッチングした後、水酸化ナトリ
ウムからなる剥離液でドライフィルムレジストを剥離し
た。続いて、銅箔側をマスクし、塩化第二鉄溶液を使用
してSUSの片面をエッチングした後、水酸化ナトリウ
ムからなる剥離液でドライフィルムレジストを剥離し
た。これにより、ポリイミドフィルムの一方の面に銅箔
がパターンニングされるとともに、他方の面にSUSが
パターンニングされた3層の積層体が得られた。
【0015】続いて、導電性層により配線部が形成され
たポリイミドフィルムの上面と、パターンニングされた
SUSのポリイミド下面との両方の面で、ポリイミドを
残す領域にポリイミド加エレジストを形成した。具体的
には、アクリル系ドライフィルムレジスト(旭化成製
「AQ−5038」)を100℃でラミネートし、露光
はg線により露光量30〜60mJ/cm2で行い、現
像は30℃、1wt%Na 2CO3でスプレー現像し
た。
たポリイミドフィルムの上面と、パターンニングされた
SUSのポリイミド下面との両方の面で、ポリイミドを
残す領域にポリイミド加エレジストを形成した。具体的
には、アクリル系ドライフィルムレジスト(旭化成製
「AQ−5038」)を100℃でラミネートし、露光
はg線により露光量30〜60mJ/cm2で行い、現
像は30℃、1wt%Na 2CO3でスプレー現像し
た。
【0016】そして、パターニングされた積層体に対
し、四隅に穴をあけ、あらかじめその穴のサイズにピン
をたてた揺動治具に取り付け、固定治具により固定した
エッチング治具を上下に揺動させ、エッチング液(東レ
エンジニアリング社製「TPE−3000」)に浸漬し
ながら、且つ液中にてスプレー処理を行い、且つエッチ
ング槽上部側面よりエッチング液をオーバーフローさせ
ながらエッチング処理を行い、ポリイミドフィルムを除
去した。その後、50℃の水酸化ナトリウム3wt%の
高温アルカリ溶液で、スプレー圧1kg/cm2でドラ
イフィルムレジストを剥離した。このようにウェットエ
ッチングを終えた積層体を観察したところ、エッチング
が良好に行われていた。
し、四隅に穴をあけ、あらかじめその穴のサイズにピン
をたてた揺動治具に取り付け、固定治具により固定した
エッチング治具を上下に揺動させ、エッチング液(東レ
エンジニアリング社製「TPE−3000」)に浸漬し
ながら、且つ液中にてスプレー処理を行い、且つエッチ
ング槽上部側面よりエッチング液をオーバーフローさせ
ながらエッチング処理を行い、ポリイミドフィルムを除
去した。その後、50℃の水酸化ナトリウム3wt%の
高温アルカリ溶液で、スプレー圧1kg/cm2でドラ
イフィルムレジストを剥離した。このようにウェットエ
ッチングを終えた積層体を観察したところ、エッチング
が良好に行われていた。
【0017】上記のようにして形成された積層体におけ
る配線部に加工の仕上げとして金メッキを施した。金メ
ッキは、日本高純度化学製のシアン金メッキ浴で行っ
た。具体的には、テンペレジストExを用いて、65℃に
て電流密度Dk=0.4A/dm 2で約4分間通電して
1μm厚の成膜を行った。そして、この配線部の必要な
箇所に保護層としてエポキシ系のカバーレイヤを形成
し、ハードディスク用配線付きサスペンションブランク
を製造した。もちろん、カバーレイヤはエポキシ系には
限らない。
る配線部に加工の仕上げとして金メッキを施した。金メ
ッキは、日本高純度化学製のシアン金メッキ浴で行っ
た。具体的には、テンペレジストExを用いて、65℃に
て電流密度Dk=0.4A/dm 2で約4分間通電して
1μm厚の成膜を行った。そして、この配線部の必要な
箇所に保護層としてエポキシ系のカバーレイヤを形成
し、ハードディスク用配線付きサスペンションブランク
を製造した。もちろん、カバーレイヤはエポキシ系には
限らない。
【0018】
【発明の効果】本発明によれば、積層材料を加工する工
程において、電気絶縁材料であるポリイミドフィルムを
ウェットエッチング法にて加工する際に、高精度のウェ
ットエッチングが可能となった。
程において、電気絶縁材料であるポリイミドフィルムを
ウェットエッチング法にて加工する際に、高精度のウェ
ットエッチングが可能となった。
【図1】ハードディスク用配線付きサスペンションブラ
ンクスの製造における、ポリイミドエッチング工程図で
ある。
ンクスの製造における、ポリイミドエッチング工程図で
ある。
【図2】エッチング態様を示す。
【図3】基板の固定方法を示す。
【符号の説明】
11 金属層
12 絶縁層
13 導電層
14 レジスト
21 エッチング槽
22 スプレーパイプ
23 スプレーノズル
24 揺動治具
25 オーバーフロー
31 揺動治具
32 積層基板
33 固定用治具
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 萩原 重信
鹿児島県鹿児島市南栄3丁目1番地 株式
会社渕上ミクロ内
(72)発明者 鶴ヶ崎 正人
鹿児島県鹿児島市南栄3丁目1番地 株式
会社渕上ミクロ内
Fターム(参考) 4F073 AA21 AA32 BA31 BB01 BB07
BB08 EA01
5D042 NA01 PA10 TA07
5D059 AA01 BA01 DA31 DA36 EA08
Claims (4)
- 【請求項1】 バネ特性を発現させる金属層の上に電気
的な絶縁層を介して導電層が積層された3層構造の積層
体を用いてハードディスク用配線付きサスペンションブ
ランクを製造する方法であって、エッチングレートの差
を軽減させることを特徴とする、ウェットエッチングに
おけるポリイミドエッチング方法。 - 【請求項2】 前記エッチング処理方法が、エッチング
対象物をエッチング液中に浸漬せしめ、かつ液中スプレ
ーノズルにより噴霧され、かつエッチング対象物が揺動
することによりエッチング処理されることを特徴とする
請求項1記載のポリイミドエッチング方法。 - 【請求項3】 前記エッチング処理方法が、エッチング
液流れの均一化を図るために、エッチング槽のオーバー
フローを上部左右に設けた請求項1記載のポリイミドエ
ッチング方法。 - 【請求項4】 前記エッチング処理方法において、エッ
チング対象物の四隅に穴をあけ、あらかじめその穴のサ
イズにピンをたてた治具に取り付け、固定治具により固
定したエッチング治具にて、エッチング処理されること
を特徴とする請求項1もしくは2記載のポリイミドエッ
チング方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002034168A JP2003231764A (ja) | 2002-02-12 | 2002-02-12 | ポリイミドエッチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002034168A JP2003231764A (ja) | 2002-02-12 | 2002-02-12 | ポリイミドエッチング方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2003231764A true JP2003231764A (ja) | 2003-08-19 |
Family
ID=27776752
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002034168A Pending JP2003231764A (ja) | 2002-02-12 | 2002-02-12 | ポリイミドエッチング方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2003231764A (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012232298A (ja) * | 2012-06-19 | 2012-11-29 | Tokyo Electron Ltd | 液処理におけるノズル洗浄方法及びその装置 |
JP2012235132A (ja) * | 2012-06-19 | 2012-11-29 | Tokyo Electron Ltd | 液処理におけるノズル洗浄、処理液乾燥防止方法及びその装置 |
US9143104B2 (en) | 2012-03-16 | 2015-09-22 | Rohm Co., Ltd. | Audio signal processing circuit, car audio apparatus using the same, audio component apparatus, electronic device and output audio signal generating method |
JP2016522990A (ja) * | 2013-05-07 | 2016-08-04 | ヘソン・ディーエス・カンパニー・リミテッド | 基板ホール形成方法及び基板ホール形成装置 |
US9524887B2 (en) | 2013-01-08 | 2016-12-20 | Samsung Display Co., Ltd. | Etching apparatus for substrate and method of etching using the same |
-
2002
- 2002-02-12 JP JP2002034168A patent/JP2003231764A/ja active Pending
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