JP2003229727A

JP2003229727A - 非線形歪補償回路

Info

Publication number: JP2003229727A
Application number: JP2002027580A
Authority: JP
Inventors: Yoshihiko Tezuka; 吉彦手塚; Hiroyuki Toda; 浩幸戸田
Original assignee: Japan Radio Co Ltd; Nagano Japan Radio Co Ltd
Current assignee: Japan Radio Co Ltd; Nagano Japan Radio Co Ltd
Priority date: 2002-02-05
Filing date: 2002-02-05
Publication date: 2003-08-15

Abstract

(57)【要約】【課題】高効率を維持しつつ被補償高周波増幅回路の
非線形歪を十分に抑圧し得る非線形歪補償回路を提供す
る。【解決手段】被補償高周波増幅回路の非線形歪を補償
するための非線形歪補償回路１であって、非線形歪とし
ての３次混変調歪〜Ｎ次混変調歪をそれぞれ補償可能な
３次歪信号ε３からＮ次歪信号εＮまでの歪信号を高周
波信号Ｓｉに基づいて生成すると共に、生成した３次歪
信号ε３からＮ次歪信号εＮまでの歪信号と高周波信号
Ｓｉとを合成して出力信号Ｓｏとして出力する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、被補償高周波増幅
回路における入出力特性の非線形特性によって発生する
非線形歪を補償する非線形歪補償回路に関するものであ
る。

【０００２】

【従来の技術】この種の非線形歪補償回路として、特公
平７−１０１８２０号公報や特公平８−１５２４５号公
報などに開示されたプリディストーション方式による非
線形歪補償回路が従来から知られている。図６は、この
プリディストーション方式による非線形歪補償回路を備
えた高周波電力増幅装置６１の基本構成を示している。
同図に示すように、高周波電力増幅装置６１は、非線形
歪補償回路４１、および被補償高周波増幅回路としての
高周波増幅回路５１を備えて構成されている。この場
合、非線形歪補償回路４１は、高周波増幅回路５１の前
段に接続されて、高周波増幅回路５１によって高周波信
号Ｓｉが増幅された際に発生する３次混変調歪を除去す
るための歪信号εを高周波信号Ｓｉに予め加えること
で、高周波増幅回路５１から出力される出力信号Ｓｏの
高次混変調歪を低減する。

【０００３】この高周波電力増幅装置６１では、原理的
には、非線形歪補償回路４１が、信号成分およびその電
圧が「Ｓｉ」で表される高周波信号Ｓｉを入力した際
に、信号成分およびその電圧が電圧「ε」で表される歪
信号εをその内部で生成して、信号成分およびその電圧
が「（Ｓｉ＋ε）」で表されるドライブ信号Ｓｄを出力
する。次いで、高周波増幅回路５１が、ドライブ信号Ｓ
ｄを所定の利得Ｇで増幅する。この場合、高周波増幅回
路５１の内部で発生する歪信号δの信号成分およびその
電圧を「δ」で表した場合、高周波増幅回路５１は、信
号成分およびその電圧が「（Ｇ・（Ｓｉ＋ε）＋δ）」
で表される出力信号Ｓｏを出力する。このため、非線形
歪補償回路４１によって生成される歪信号εの信号成分
およびその電圧が「（δ／Ｇ）」で表されるとき、つま
り、「ε」と「δ」が逆相で、かつその電圧の絶対値が
（ε＝δ／Ｇ）の関係式を満たすときに（以下、単に、
「補償条件」ともいう）、高周波増幅回路５１は、信号
成分および電圧が「Ｇ・Ｓｉ」で表される出力信号Ｓｏ
を出力する。したがって、上記の補償条件がすべての高
周波信号Ｓｉに対して成立する場合に、高周波増幅回路
５１によって出力される出力信号Ｓｏの非線形歪成分が
補償されて抑圧されることになる。

【０００４】具体的には、非線形歪補償回路４１は、図
７に示すように、電力分配器４２、歪発生回路４３、線
形回路４４，４５および電力合成器４６，４７を備えて
構成されている。この非線形歪補償回路４１では、電力
分配器４２が高周波信号Ｓｉを３分配して、歪発生回路
４３、線形回路４４および線形回路４５に出力する。次
いで、歪発生回路４３が、分配された高周波信号Ｓｉを
所定の利得で増幅すると共に歪信号εを発生させて信号
Ｓ１１として出力する。この場合、信号Ｓ１１の信号成
分および電圧を「（Ｓｉ＋ε）」で表すものとする。同
時に、線形回路４４が、分配された高周波信号Ｓｉを所
定の利得で線形増幅して信号Ｓ１２として出力する。こ
の場合、信号Ｓ１２の信号成分および電圧を「Ｓｉ」で
表す。次いで、電力合成器４６が、信号Ｓ１２から信号
Ｓ１１を差し引く。この結果、高周波信号Ｓｉが相殺さ
れて、電力合成器４６は、逆相の歪信号εを信号Ｓ１３
として出力する。一方、線形回路４５も、分配された高
周波信号Ｓｉを所定の利得で線形増幅して信号Ｓ１４と
して出力する。この場合、信号Ｓ１４の信号成分および
電圧を「Ｓｉ」で表すものとする。次いで、電力合成器
４７が、信号Ｓ１３と信号Ｓ１４とを加算して、信号成
分および電圧が「（Ｓｉ＋ε）」で表されるドライブ信
号Ｓｄを生成する。したがって、高周波信号Ｓｉの電圧
レベル（振幅）、高周波信号Ｓｉの周波数、および温度
等をパラメータとした場合、このパラメータの変動に拘
わらず非線形歪補償回路４１が上記のドライブ信号Ｓｄ
を出力する限り、高周波増幅回路５１によって出力され
る出力信号Ｓｏの高次混変調歪が補償されて抑圧され
る。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】ところが、この非線形
歪補償回路４１には、以下の問題点がある。すなわち、
伝送信号の広帯域化が進む今日では、高周波増幅回路５
１によって送信される出力信号Ｓｏに含まれている高次
混変調歪のさらなる抑圧が要請されている。その一方、
従来の非線形歪補償回路４１では、高周波増幅回路５１
内で発生する３次混変調歪を抑圧すべく、高周波信号Ｓ
ｉに歪信号εを加えている。このため、従来の非線形歪
補償回路４１を使用する高周波電力増幅装置６１では、
３次混変調歪を抑圧できたとしても、５次混変調歪や７
次混変調歪などのさらに高次の混変調歪を除去すること
ができないのが現状である。したがって、従来は、さら
に高次の混変調歪を抑圧するために、高周波増幅回路５
１の内部に設けられている電力増幅器を線形的に増幅さ
せるべく多大な電流を供給したり、カットアンドトライ
によって電力増幅器のバイアス調整やマッチング調整な
どを行ったりしている。しかしながら、たとえ、これら
の方法を用いたとしても、例えば、５次混変調歪を抑圧
させることはできても７次混変調歪が増加したり、７次
混変調歪を抑圧させることはできても５次混変調歪が増
加したりするといったように、すべての高次混変調歪を
一律的に抑圧するのは非常に困難である。加えて、これ
らの方法を採用した場合、消費電流の増加に起因する効
率の低下、および調整コストの高騰に起因する装置コス
トの高騰などの問題が生じている。

【０００６】本発明は、かかる問題点に鑑みてなされた
ものであり、高効率を維持しつつ被補償高周波増幅回路
の非線形歪を十分に抑圧し得る非線形歪補償回路を提供
することを主目的とする。

【０００７】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成すべく本
発明に係る非線形歪補償回路は、被補償高周波増幅回路
の非線形歪を補償するための非線形歪補償回路であっ
て、前記非線形歪としてのＮ次混変調歪（Ｎは自然数の
３と、５以上の奇数のうちの任意の１つまたは任意の複
数との各々）をそれぞれ補償可能なＮ次歪信号を入力高
周波信号に基づいて生成すると共に、当該生成したＮ次
歪信号と前記入力高周波信号とを合成して出力信号とし
て出力する。

【０００８】この場合、前記入力高周波信号に基づいて
前記各Ｎ次歪信号をそれぞれ生成する複数の歪生成回路
と、前記入力高周波信号を線形増幅する線形回路と、前
記生成された各Ｎ次歪信号および前記線形増幅された入
力高周波信号を合成して前記出力信号を生成する出力合
成回路とを備えているのが好ましい。

【０００９】また、前記入力高周波信号を線形増幅する
線形回路と、前記入力高周波信号を入力して３次歪信号
を生成する３次歪生成回路と、前記入力高周波信号を入
力して３次歪信号および５次歪信号を生成する５次歪生
成回路と、前記出力信号を生成する出力合成回路とを備
え、前記出力合成回路は、前記３次歪生成回路の出力信
号を分配する第１分配器と、前記５次歪生成回路の出力
信号を分配する第２分配器と、当該第２分配器によって
分配された分配信号から前記第１分配器によって分配さ
れた分配信号を差し引いて前記５次歪信号を生成する第
１合成器と、前記第１分配器によって分配された前記３
次歪信号、前記第１合成器によって生成された前記５次
歪信号、および前記線形増幅された入力高周波信号を合
成して前記出力信号として出力する第２合成器とを備え
て構成されているのが好ましい。

【００１０】さらに、前記３次歪生成回路によって出力
された前記出力信号のベクトル量を調整可能に構成され
た３次歪用ベクトル量調整回路と、前記５次歪生成回路
によって出力された前記出力信号のベクトル量を調整可
能に構成された５次歪用ベクトル量調整回路とを備えて
いるのが好ましい。

【００１１】また、前記第１分配器によって分配された
前記３次歪信号のベクトル量を調整可能に構成された第
１ベクトル量調整回路と、前記第１合成器によって生成
された前記５次歪信号のベクトル量を調整可能に構成さ
れた第２ベクトル量調整回路とを備えているのが好まし
い。

【００１２】また、前記入力高周波信号の周波数、前記
入力高周波信号の電力、当該非線形歪補償回路の内部ま
たは近傍の温度、および前記被補償高周波増幅回路の内
部または近傍の温度の少なくとも１つを検出する検出器
と、当該検出器によって検出される検出信号に対応させ
て前記３次歪用ベクトル量調整回路および前記５次歪用
ベクトル量調整回路の各調整量を記憶するメモリと、入
力した前記検出信号に対応する前記各調整量を前記メモ
リから読み出すと共に前記３次歪用ベクトル量調整回路
および前記５次歪用ベクトル量調整回路に対して対応す
る当該読み出した各調整量で制御する制御回路とを備え
ているのが好ましい。

【００１３】さらに、前記被補償高周波増幅回路の出力
信号に含まれる前記非線形歪が低下するように前記第１
ベクトル量調整回路の調整量および前記第２ベクトル量
調整回路の調整量を制御する制御回路とを備えているの
が好ましい。

【００１４】また、前記各ベクトル量調整回路は、対応
する前記歪信号の減衰量および位相量を調整可能に構成
されているのが好ましい。

【００１５】

【発明の実施の形態】以下、添付図面を参照して、本発
明に係る非線形歪補償回路の好適な実施の形態について
説明する。なお、本発明に係る非線形歪補償回路の後段
に接続される高周波増幅回路については、従来の高周波
増幅回路５１と同様に構成されているため、重複した説
明を省略する。また、上述した構成要素や信号について
同一のものには同一の符号を付して重複した説明を省略
する。

【００１６】最初に、図１に示すブロック図を参照して
非線形歪補償回路１の基本構成について説明する。この
非線形歪補償回路１は、被補償高周波増幅回路としての
高周波増幅回路５１（図示せず）による電力増幅の際に
発生する３次混変調歪からＮ次混変調歪までの非線形歪
をプリディストーション方式によって補償可能なＮ次歪
信号εＮ（Ｎは、３以上所定数以下の奇数の各々、以
下、区別しないときには、「歪信号ε」ともいう）を高
周波信号Ｓｉ（本発明における入力高周波信号）に基づ
いて生成可能に構成されている。具体的には、非線形歪
補償回路１は、高周波信号Ｓｉを分配信号Ｓ１−１，Ｓ
１−３，・・・Ｓ１ーＮ（以下、区別しないときには、
「分配信号Ｓ１」ともいう）に分配する入力分配器２を
備えている。また、非線形歪補償回路１は、３次歪信号
ε３を生成する３次歪生成回路３−３（以下、後述する
各歪生成回路を含めて区別しないときには、「歪生成回
路３」ともいう）と、３次歪信号ε３のベクトル量を調
整する３次歪用ベクトル量調整回路４−３（以下、後述
する各歪用ベクトル量調整回路を含めて区別しないとき
には、「ベクトル量調整回路４」ともいう）とを備えて
いる。なお、以下、この一対のＭ次（Ｍは３以上Ｎ以下
の奇数）歪生成回路３およびＭ次歪用ベクトル量調整回
路４を総称して単に、「Ｍ次歪生成系列」ともいう。さ
らに、非線形歪補償回路１は、５次からＮ次までの歪生
成系列を備えている。

【００１７】また、非線形歪補償回路１は、分配信号Ｓ
１−１を例えば高周波信号Ｓｉの電力レベルまで線形増
幅する線形回路５と、各ベクトル量調整回路４から出力
された３次歪信号ε３〜Ｎ次歪信号εＮおよび線形回路
５から出力された高周波信号Ｓｉを合成して本発明にお
ける出力信号に相当するドライブ信号Ｓｄを出力する出
力合成回路６とを備えている。

【００１８】次に、非線形歪補償回路１の動作原理につ
いて説明する。

【００１９】この非線形歪補償回路１では、入力分配器
２が、高周波信号Ｓｉを分配して線形回路５および各歪
生成回路３−３〜３−Ｎに分配信号Ｓ１−１〜Ｓ１−Ｎ
を出力する。次いで、３次歪生成回路３−３が、３次混
変調歪を補償するための３次歪信号ε３を生成し、５次
歪生成回路３−５が５次混変調歪を補償するための５次
歪信号ε５を生成し、同様にして、Ｎ次までの他の歪生
成回路３が対応する高次混変調歪を補償するための高次
歪信号εを生成する。これにより、３次からＮ次までの
高次混変調歪を補償するための３次歪信号ε３〜Ｎ次歪
信号εＮが生成される。一方、線形回路５は、分配信号
Ｓ１−１を例えば高周波信号Ｓｉと等しい電圧レベルま
で線形増幅する。次いで、出力合成回路６が、図２に示
すように、高周波信号Ｓｉと、３次歪信号ε３〜Ｎ次歪
信号εＮまでの歪信号εとで合成されるドライブ信号Ｓ
ｄを出力する。この場合、同図では、３次歪信号ε３〜
Ｎ次歪信号εＮの電圧位相が後述する高周波増幅回路５
１による増幅に起因して発生する高次混変調歪の電圧位
相と反転していることを容易に理解できるように、高周
波信号Ｓｉの信号成分を正の向きで表し、３次歪信号ε
３〜Ｎ次歪信号εＮの信号成分を負の向きで表してい
る。

【００２０】次いで、高周波増幅回路５１がドライブ信
号Ｓｄを入力して利得Ｇで電力増幅する。この際に、高
周波増幅回路５１は、ドライブ信号Ｓｄに３次歪信号ε
３〜Ｎ次歪信号εＮが含まれていないとした場合、図３
に示すように、信号成分が（Ｇ・Ｓｄ＋δ）で表される
出力信号Ｓｏを生成する。この場合、歪信号δは、同図
に示す３次歪信号ε３’、５次歪信号ε５’、・・・、
Ｎ次歪信号εＮ’の合成信号を意味する。したがって、
上記した補償条件（ε＝δ／Ｇ）を満足するように、３
次歪信号ε３、５次歪信号ε５、７次歪信号ε７、・・
・、Ｎ次歪信号εＮの各電圧レベルを利得Ｇでそれぞれ
乗算した電圧レベルと、高周波増幅回路５１で発生する
３次歪信号ε３’、５次歪信号ε５’、７次歪信号ε
７’、・・・、Ｎ次歪信号εＮ’の各電圧レベルとが互
いに等しく、かつ位相が反転しているときには、３次歪
信号ε３によって３次歪信号ε３’が補償されて抑圧さ
れ、同様にして、５次歪信号ε５によって５次歪信号ε
５’が補償されて抑圧され、７次歪信号ε７によって７
次歪信号ε７’が補償されて抑圧され、・・・、Ｎ次歪
信号εＮによってＮ次歪信号εＮ’が補償されて抑圧さ
れる。この結果、非線形歪補償回路１から出力されるド
ライブ信号Ｓｄを高周波増幅回路５１に入力した際に
は、図４に示すように、理論的には、各高次混変調歪が
抑圧されるため、高周波増幅回路５１は、高周波信号Ｓ
ｉの信号成分のみからなる出力信号Ｓｏを出力する。

【００２１】このように、この非線形歪補償回路１によ
れば、プリディストーション方式で３次歪信号ε３から
Ｎ次歪信号εＮまでの歪信号εと高周波信号Ｓｉとを合
成することにより、効率の低下や、調整コストに起因す
る装置コストの高騰を招くことなく、高周波増幅回路５
１が高周波信号Ｓｉを増幅する際に発生する高次混変調
歪を一律的かつ十分に抑圧することができる。

【００２２】次に、図５を参照して、高周波増幅回路５
１で発生する高次混変調歪として３次混変調歪、５次混
変調歪および７次混変調歪を抑圧させるための３次歪信
号ε３、５次歪信号ε５および７次歪信号ε７を高周波
信号Ｓｉと合成する非線形歪補償回路１の具体的な一構
成例について説明する。なお、上記した構成要素と同一
の構成要素には同一の符号を付して重複した説明を省略
する。

【００２３】同図に示すように、非線形歪補償回路１
は、トランスなどで構成された入力分配器２と、３次歪
信号ε３を生成する３次歪生成回路３−３、５次歪信号
ε５を生成する５次歪生成回路３−５、７次歪信号ε７
を生成する７次歪生成回路３−７、３次歪信号ε３のベ
クトル量を調整するための３次歪用ベクトル量調整回路
４−３、５次歪信号ε５のベクトル量を調整するための
５次歪用ベクトル量調整回路４−５、７次歪信号ε７の
ベクトル量を調整するための７次歪用ベクトル量調整回
路４−７、出力合成回路６、高周波信号Ｓｉの電力値お
よび周波数を検出するＰ・Ｆ検出器（検出器）１１、例
えば非線形歪補償回路１の内部温度を検出する温度セン
サ（検出器）１２、ＣＰＵ（制御回路）１３、ＲＯＭ
（メモリ）１４および歪検出器１５を備えて構成されて
いる。なお、温度センサ１２としては、非線形歪補償回
路１の内部または近傍の温度、および高周波増幅回路５
１の内部または近傍の温度の少なくとも１つを検出可能
に構成することができる。

【００２４】３次歪生成回路３−３、５次歪生成回路３
−５および７次歪生成回路３−７は、同一に構成され、
分配器２１、可変増幅器２２、可変減衰器２３、増幅器
２４、可変位相器２５および合成器２６を備えて構成さ
れている。この場合、分配器２１は、分配信号Ｓ１を２
分配して可変増幅器２２および増幅器２４に出力する。
可変増幅器２２は、ＣＰＵ１３から出力される利得制御
信号ＳG3（またはＳG5，ＳG7、以下、区別しないときに
は、「利得制御信号ＳG 」ともいう）に応じた利得で分
配信号Ｓ１を増幅する。また、３次歪生成回路３−３の
可変増幅器２２は、増幅器２４の利得よりも大きい利得
で分配信号Ｓ１を非線形増幅して、増幅した高周波信号
Ｓｉと共に３次歪信号ε３を出力する。一方、５次歪生
成回路３−５の可変増幅器２２は、増幅器２４の利得よ
りも大きい利得で分配信号Ｓ１を非線形増幅して、増幅
した高周波信号Ｓｉと共に３次歪信号ε３および５次歪
信号ε５を出力する。また、７次歪生成回路３−７の可
変増幅器２２は、増幅器２４の利得よりも大きい利得で
分配信号Ｓ１を非線形増幅して、増幅した高周波信号Ｓ
ｉと共に３次歪信号ε３、５次歪信号ε５および７次歪
信号ε７を出力する。可変減衰器２３は、ＣＰＵ１３か
ら出力される減衰量制御信号ＳA3（またはＳA5，ＳA7、
以下、区別しないときには、「減衰量制御信号ＳA 」と
もいう）に応じた減衰量で可変増幅器２２によって増幅
された分配信号Ｓ１を減衰させて、可変位相器２５によ
って出力される高周波信号Ｓｉと同じ電力の高周波信号
Ｓｉを出力する。増幅器２４は、固定利得で分配信号Ｓ
１を線形増幅する。可変位相器２５は、ＣＰＵ１３から
出力される位相量制御信号ＳP3（またはＳP5，ＳP7、以
下、区別しないときには、「位相量制御信号ＳP 」とも
いう）に応じた位相量で増幅器２４によって増幅された
高周波信号Ｓｉの位相を移相させる。合成器２６は、可
変位相器２５によって出力された分配信号Ｓ１から可変
減衰器２３によって出力された分配信号Ｓ１を差し引く
ことで３次歪信号ε３としての高周波信号Ｓ２−３を生
成して出力する。

【００２５】この３次歪生成回路３−３では、可変増幅
器２２が、分配器２１によって分配された高周波信号Ｓ
ｉを利得制御信号ＳG3に応じた利得で増幅して、その非
線形入出力特性に応じた電圧レベルの３次歪信号ε３を
生成すると共に、増幅した高周波信号Ｓｉと共に３次歪
信号ε３を可変減衰器２３に出力する。また、可変減衰
器２３は、減衰量制御信号ＳA3に応じた減衰量で可変増
幅器２２の出力信号を減衰させて合成器２６の一方の入
力端子に出力する。一方、増幅器２４は、所定の固定利
得で高周波信号Ｓｉを線形増幅して可変位相器２５に出
力し、可変位相器２５が、位相量制御信号ＳP3に応じた
位相量で増幅器２４の出力信号（高周波信号Ｓｉ）を移
相させて合成器２６の他方の入力端子に出力する。ま
た、合成器２６は、他方の入力端子に入力された高周波
信号Ｓｉから、一方の入力端子に入力された高周波信号
Ｓｉおよび３次歪信号ε３を差し引く。この場合、可変
減衰器２３によって一方の入力端子に入力される高周波
信号Ｓｉの電力が調整され、かつ可変位相器２５によっ
て他方の入力端子に入力される高周波信号Ｓｉの位相が
調整されるため、一方の入力端子に入力される高周波信
号Ｓｉと他方の入力端子に入力される高周波信号Ｓｉと
が確実に相殺される。したがって、合成器２６は、逆相
の３次歪信号ε３のみを高周波信号Ｓ２−３（以下、高
周波信号Ｓ２−５，Ｓ２−７を含めて区別しないときに
は、「高周波信号Ｓ２」ともいう）として出力する。

【００２６】また、５次歪生成回路３−５では、可変増
幅器２２が、分配器２１によって分配された高周波信号
Ｓｉを利得制御信号ＳG5に応じた利得で増幅して、その
非線形入出力特性に応じた電圧レベルの３次歪信号ε３
および５次歪信号ε５を生成すると共に、増幅した高周
波信号Ｓｉと共に３次歪信号ε３および５次歪信号ε５
を可変減衰器２３に出力する。また、可変減衰器２３
は、減衰量制御信号ＳA5に応じた減衰量で可変増幅器２
２の出力信号を減衰させて合成器２６の一方の入力端子
に出力する。一方、増幅器２４は、所定の固定利得で高
周波信号Ｓｉを線形増幅して合成器２６に出力し、可変
位相器２５が、位相量制御信号ＳP5に応じた位相量で増
幅器２４の出力信号（高周波信号Ｓｉ）を移相させて合
成器２６の他方の入力端子に出力する。また、合成器２
６は、他方の入力端子に入力された高周波信号Ｓｉか
ら、一方の入力端子に入力された高周波信号Ｓｉ、３次
歪信号ε３および５次歪信号ε５を差し引く。この場
合、可変減衰器２３によって一方の入力端子に入力され
る高周波信号Ｓｉの電力が調整され、かつ可変位相器２
５によって他方の入力端子に入力される高周波信号Ｓｉ
の位相が調整されるため、一方の入力端子に入力される
高周波信号Ｓｉと他方の入力端子に入力される高周波信
号Ｓｉとが確実に相殺される。したがって、合成器２６
は、逆相の３次歪信号ε３および５次歪信号ε５のみを
高周波信号Ｓ２−５として出力する。

【００２７】また、７次歪生成回路３−７では、可変増
幅器２２が、分配器２１によって分配された高周波信号
Ｓｉを利得制御信号ＳG7に応じた利得で増幅して、その
非線形入出力特性に応じた電圧レベルの３次歪信号ε
３、５次歪信号ε５および７次歪信号ε７を生成すると
共に、増幅した高周波信号Ｓｉと共に３次歪信号ε３、
５次歪信号ε５および７次歪信号ε７を可変減衰器２３
に出力する。また、可変減衰器２３は、減衰量制御信号
ＳA7に応じた減衰量で可変増幅器２２の出力信号を減衰
させて合成器２６の一方の入力端子に出力する。一方、
増幅器２４は、所定の固定利得で高周波信号Ｓｉを線形
増幅して可変位相器２５に出力し、可変位相器２５が、
位相量制御信号ＳP7に応じた位相量で増幅器２４の出力
信号（高周波信号Ｓｉ）を移相させて合成器２６の他方
の入力端子に出力する。また、合成器２６は、他方の入
力端子に入力された高周波信号Ｓｉから、一方の入力端
子に入力された高周波信号Ｓｉ、３次歪信号ε３、５次
歪信号ε５および７次歪信号ε７を差し引く。この場
合、可変減衰器２３によって一方の入力端子に入力され
る高周波信号Ｓｉの電力が調整され、かつ可変位相器２
５によって他方の入力端子に入力される高周波信号Ｓｉ
の位相が調整されるため、一方の入力端子に入力される
高周波信号Ｓｉと他方の入力端子に入力される高周波信
号Ｓｉとが確実に相殺される。したがって、合成器２６
は、逆相の３次歪信号ε３、５次歪信号ε５および７次
歪信号ε７のみを高周波信号Ｓ２−７として出力する。

【００２８】３次歪用ベクトル量調整回路４−３は、Ｃ
ＰＵ１３から出力されるベクトル量制御信号ＳV3に応じ
て、高周波信号Ｓ２−３の位相を移相させると共に必要
に応じて減衰量を可変して３次歪信号ε３を高周波信号
Ｓ２−３として出力する。５次歪用ベクトル量調整回路
４−５は、ＣＰＵ１３から出力されるベクトル量制御信
号ＳV5に応じて、高周波信号Ｓ２−５の位相を移相させ
ると共に必要に応じて減衰量を可変して３次歪信号ε３
および５次歪信号ε５を高周波信号Ｓ２−５として出力
する。７次歪用ベクトル量調整回路４−７は、ＣＰＵ１
３から出力されるベクトル量制御信号ＳV7（以下、ベク
トル量制御信号ＳV3〜ＳV7を区別しないときには、「ベ
クトル量制御信号ＳV 」ともいう）に応じて、高周波信
号Ｓ２−７の位相を移相させると共に必要に応じて減衰
量を可変して３次歪信号ε３、５次歪信号ε５および７
次歪信号ε７を高周波信号Ｓ２−７として出力する。

【００２９】出力合成回路６は、３次歪用ベクトル量調
整回路４−３から出力される高周波信号Ｓ２−３を２分
配する分配器（本発明における第１分配器）３１−３
と、５次歪用ベクトル量調整回路４−５から出力される
高周波信号Ｓ２−５を２分配する分配器（本発明におけ
る第２分配器）３１−５と、７次歪用ベクトル量調整回
路４−７から出力される高周波信号Ｓ２−７を２分配す
る分配器３１−７と、合成器３２，３３と、ベクトル量
調整回路３４−３，３４−５，３４−７と、合成器３５
と、分配器３６とを備えて構成されている。この場合、
合成器３２は、本発明における第１合成器に相当し、分
配器３１−３によって分配された高周波信号Ｓ２−３
（つまり３次歪信号ε３）と分配器３１−５によって分
配された高周波信号Ｓ２−５（つまり３次歪信号ε３お
よび５次歪信号ε５）とを入力して、位相を反転した高
周波信号Ｓ２−３と高周波信号Ｓ２−５とを合成するこ
とによって、つまり高周波信号Ｓ２−５から高周波信号
Ｓ２−３を差し引いて５次歪信号ε５を生成する。ま
た、合成器３３は、本発明における第２合成器に相当
し、分配器３１−５によって分配された高周波信号Ｓ２
−５と分配器３１−７によって分配された高周波信号Ｓ
２−７（つまり３次歪信号ε３、５次歪信号ε５および
７次歪信号ε７）とを入力して、位相を反転した高周波
信号Ｓ２−５と高周波信号Ｓ２−７とを合成することに
よって、つまり高周波信号Ｓ２−７から高周波信号Ｓ２
−５を差し引いて７次歪信号ε７を生成する。

【００３０】また、ベクトル量調整回路３４−３は、本
発明における第１ベクトル量調整回路に相当し、ＣＰＵ
１３から出力されるベクトル量制御信号ＳVO3 （以下、
ベクトル量制御信号ＳVO5 〜ＳVO7 を区別しないときに
は、「ベクトル量制御信号ＳVO」ともいう）に応じて、
高周波信号Ｓ２−３（つまり３次歪信号ε３）の位相を
移相させると共に必要に応じて減衰量を可変して３次歪
信号ε３を合成器３５に出力する。ベクトル量調整回路
３４−５は、本発明における第２ベクトル量調整回路に
相当し、ＣＰＵ１３から出力されるベクトル量制御信号
ＳVO5 に応じて、５次歪信号ε５の位相を移相させると
共に必要に応じて減衰量を可変して５次歪信号ε５を合
成器３５に出力する。ベクトル量調整回路３４−７は、
ＣＰＵ１３から出力されるベクトル量制御信号ＳVO7 に
応じて、７次歪信号ε７の位相を移相させると共に必要
に応じて減衰量を可変して７次歪信号ε７を合成器３５
に出力する。なお、分配器３１−７から出力される高周
波信号Ｓ２−７のうちの一方は、９次歪生成系列を配設
するときに必要とされる合成器（図示せず）に入力さ
れ、９次歪生成系列を配設しないときには、分配器３１
−７の出力インピーダンスと同じ抵抗値の終端抵抗で終
端される。

【００３１】合成器３５は、線形回路５によって線形増
幅された高周波信号Ｓｉ、３次歪信号ε３、５次歪信号
ε５および７次歪信号ε７を入力して合成することによ
ってドライブ信号Ｓｄ（つまり（Ｓｉ＋ε３＋ε５＋ε
７））を生成して出力する。分配器３６は、例えば、方
向性結合器で構成され、ドライブ信号Ｓｄの一部を歪検
出器１５に出力する。

【００３２】また、ＲＯＭ１４は、高周波信号Ｓｉの各
電力値および各周波数と、温度センサ１２によって検出
される検出温度との各組合せに対応させて、各歪生成回
路３内の各可変増幅器２２、可変減衰器２３および可変
位相器２５に対する利得制御量、減衰制御量および位相
制御量と、各ベクトル量調整回路４に対するベクトル制
御量とを記憶する。また、ＲＯＭ１４は、合成器３５に
よって出力される各歪信号εのレベルや位相に関して、
高周波増幅回路５１によって増幅された際に発生する高
次混変調歪を最も補償可能な値を記憶する。一方、ＣＰ
Ｕ１３は、Ｐ・Ｆ検出器１１および温度センサ１２から
それぞれ出力される各検出信号に基づいて、各可変増幅
器２２に対しては利得制御信号ＳG を、各可変減衰器２
３に対しては減衰量制御信号ＳA を、各可変位相器２５
に対しては位相量制御信号ＳP を、各ベクトル量調整回
路４に対してはベクトル量制御信号ＳV を出力する。ま
た、ＣＰＵ１３は、後述する歪検出器１５の検出信号に
基づいて、高周波増幅回路５１の出力信号に含まれる高
次混変調歪（非線形歪）が低下するようにベクトル量調
整回路３４−３，３４−５，３４−７の各調整量を制御
する。歪検出器１５は、出力合成回路６から出力される
ドライブ信号（出力信号）Ｓｄに含まれている歪信号ε
および高周波増幅回路５１の出力信号に含まれている高
次混変調歪の一方を検出する。

【００３３】次に、この非線形歪補償回路１の全体的な
動作について説明する。

【００３４】最初に、高周波信号Ｓｉが入力されると、
Ｐ・Ｆ検出器１１が、高周波信号Ｓｉの電力値および周
波数を検出して検出信号としてＣＰＵ１３に出力する。
また、温度センサ１２は、その周囲温度を検出して検出
信号としてＣＰＵ１３に出力する。次いで、ＣＰＵ１３
は、入力される各検出信号を常時監視して、その各検出
信号の組合せに対応する各可変増幅器２２に対する利得
制御量、各可変減衰器２３に対する減衰制御量、各可変
位相器２５に対する位相制御量、並びに各ベクトル量調
整回路４に対する位相制御量および減衰制御量をＲＯＭ
１４から読み出して、リアルタイムで、その各制御量に
応じた利得制御信号ＳG 、減衰量制御信号ＳA 、位相量
制御信号ＳP およびベクトル量制御信号ＳV を対応する
各回路に出力する。

【００３５】次いで、各歪生成回路３では、各可変増幅
器２２が、分配された高周波信号Ｓｉを各利得制御信号
ＳG に基づく利得で増幅し、各可変減衰器２３が、可変
増幅器２２の出力信号を各減衰量制御信号ＳA に基づく
減衰量で減衰させて各合成器２６の一方の入力部に出力
する。また、各増幅器２４が、分配された高周波信号Ｓ
ｉを所定固定利得で増幅し、各可変位相器２５が、増幅
器２４の出力信号の位相を各位相量制御信号ＳP に基づ
く位相量で移相させて各合成器２６の他方の入力部に出
力する。したがって、３次歪生成回路３−３の合成器２
６が、３次歪信号ε３を高周波信号Ｓ２−３として出力
する。同様にして、５次歪生成回路３−５の合成器２６
が、３次歪信号ε３および５次歪信号ε５を高周波信号
Ｓ２−５として出力し、７次歪生成回路３−７の合成器
２６が、３次歪信号ε３、５次歪信号ε５および７次歪
信号ε７を高周波信号Ｓ２−７として出力する。

【００３６】続いて、３次歪用ベクトル量調整回路４−
３がベクトル量制御信号ＳV3に基づく位相量および減衰
量で高周波信号Ｓ２−３の位相を移相すると共に減衰さ
せて出力合成回路内の分配器３１−３に出力する。同様
にして、５次歪用ベクトル量調整回路４−５がベクトル
量制御信号ＳV5に基づく位相量および減衰量で高周波信
号Ｓ２−５の位相を移相すると共に減衰させて分配器３
１−５に出力し、７次歪用ベクトル量調整回路４−７が
ベクトル量制御信号ＳV7に基づく位相量および減衰量で
高周波信号Ｓ２−７の位相を移相すると共に減衰させて
分配器３１−７に出力する。次いで、各分配器３１が、
高周波信号Ｓ２を２分配して出力する。また、合成器３
２が高周波信号Ｓ２−３，Ｓ２−５を合成して５次歪信
号ε５を出力し、合成器３３が高周波信号Ｓ２−５，Ｓ
２−７を合成して７次歪信号ε７を出力する。次いで、
各ベクトル量調整回路３４が各ベクトル量制御信号ＳVO
に基づく位相量および減衰量で高周波信号Ｓ２の位相を
移相すると共に減衰させて合成器３５に出力する。ま
た、線形回路５が、入力分配器２によって分配された分
配信号Ｓ１−１（高周波信号Ｓｉ）を所定の利得で線形
増幅して合成器３５に出力する。続いて、合成器３５
が、３次歪信号ε３、５次歪信号ε５、７次歪信号ε７
および高周波信号Ｓｉを合成してドライブ信号Ｓｄを出
力する。

【００３７】次いで、高周波増幅回路５１が、ドライブ
信号Ｓｄを電力増幅して出力信号Ｓｏを出力する。この
際に、高周波増幅回路５１は、高周波信号Ｓｉを増幅し
た際に発生する高次混変調歪と逆相の３次歪信号ε３、
５次歪信号ε５および７次歪信号ε７がドライブ信号Ｓ
ｄに予め加えられているため、３次から７次までの高次
混変調歪が極めて抑圧された出力信号Ｓｏを生成する。
この場合、歪検出器１５が、分配器３６から出力された
ドライブ信号Ｓｄに含まれている歪信号εを検出して歪
検出信号ＳεとしてＣＰＵ１３に出力する。また、ＣＰ
Ｕ１３は、入力した歪検出信号Ｓεに基づいて、各歪信
号εのレベルや位相がＲＯＭ１４内に予め記憶されてい
るレベルおよび位相と等しくなるように、各ベクトル量
調整回路３４のベクトル量を調整する。この場合、ＲＯ
Ｍ１４は、高周波増幅回路５１によって生成される高次
混変調歪を最も抑圧し得る各歪信号εのレベルおよび位
相を予め記憶している。したがって、高周波増幅回路５
１によって生成される高次混変調歪が確実に補償されて
十分かつ最も抑圧される。

【００３８】このように、この非線形歪補償回路１によ
れば、プリディストーション方式で３次歪信号ε３から
７次歪信号ε７までの歪信号εと高周波信号Ｓｉとを合
成することにより、効率の低下や、調整コストに起因す
る装置コストの高騰を招くことなく、高周波増幅回路５
１が高周波信号を増幅する際に発生する高次混変調歪の
うちの主要な３次混変調歪から７次混変調歪までを一律
的かつ十分に抑圧することができる。また、ＣＰＵ１３
がＰ・Ｆ検出器１１および温度センサ１２によって検出
された各検出信号に対応する調整量をＲＯＭ１４から読
み出すと共に各可変増幅器２２、可変減衰器２３、可変
位相器２５および各ベクトル量調整回路４に対して読み
出した調整量で制御することにより、高周波信号Ｓｉの
周波数、高周波信号Ｓｉの電力、および内部温度に応じ
て、高周波増幅回路５１で発生する非線形歪としての３
次混変調歪から７次混変調歪までの高次混変調歪を十分
に抑圧し得る３次歪信号ε３〜７次歪信号ε７を適切に
生成することができる。この結果、高次混変調歪を一律
的かつ十分に、しかも自動的に抑圧することができる。
また、ＣＰＵ１３がドライブ信号Ｓｄまたは出力信号Ｓ
ｏに基づいて、出力信号Ｓｏに含まれている高次混変調
歪が最も低下するように各ベクトル量調整回路３４のベ
クトル量を調整することで、高周波増幅回路５１は高次
混変調歪が最も抑制された出力信号Ｓｏを生成すること
ができる。

【００３９】なお、本発明は、上記の発明の実施の形態
に示した構成に限らず、適宜変更することができる。例
えば、図１に示した非線形歪補償回路１では、３次歪生
成系列からＮ次歪生成系列を有する構成例について説明
したが、すべての歪生成系列を有する必要はなく、少な
くとも、３次歪生成系列と、５次歪生成系列からＮ次歪
生成系列のうちの任意の１つまたは複数の歪生成系列と
を備えることで、高周波増幅回路５１が高周波信号Ｓｉ
を増幅する際に発生する高次混変調歪のうちの抑圧を欲
する高次混変調歪を十分に抑圧することができる。ま
た、高次混変調歪としては、３次混変調歪および５次混
変調歪が最も弊害をもたらすため、少なくとも３次歪生
成系列および５次歪生成系列を備えるのが好ましい。こ
の場合の構成としては、上記発明の実施の形態に示した
非線形歪補償回路１から７次歪生成系列を省くことで、
容易に構成することができる。さらに、本発明はプリデ
ィストーション方式の非線形歪補償回路の適用のみなら
ず、フォワード方式の非線形歪補償装置内の歪信号εを
生成する回路として有効に適用することができる。

【００４０】また、この非線形歪補償回路１では、歪生
成回路３内部の非線形入出力特性を利用して歪信号εを
生成しているが、ダイオードの非線形入出力特性を利用
してその入出力振幅特性（べき級数展開近似）に応じた
振幅の歪信号εを生成してもよいし、ベクトル合成法
（歪信号εの振幅と位相の非線形特性を同時に補償する
方法）によって各直交成分の大きさを制御してベクトル
合成を行うことで歪信号のベクトル量を直接的に制御し
て歪信号εを生成してもよい。さらに、本発明の実施の
形態では、本発明における検出器として、高周波信号Ｓ
ｉの周波数および電力を検出するＰ・Ｆ検出器１１と、
非線形歪補償回路１の内部温度を検出する温度センサ１
２とを備えた構成について説明したが、本発明における
検出器としては、高周波信号Ｓｉの周波数、高周波信号
Ｓｉの電力、非線形歪補償回路の内部または近傍の温
度、および高周波増幅回路５１の内部または近傍の温度
の少なくとも１つを検出する検出回路の構成を採用する
ことができる。

【００４１】

【発明の効果】以上のように、本発明に係る非線形歪補
償回路によれば、入力高周波信号に基づいて非線形歪と
してのＮ次混変調歪をそれぞれ補償可能なＮ次歪信号と
入力高周波信号とを合成して出力信号として出力するこ
とにより、高周波増幅回路における効率の低下や、調整
コストに起因する装置コストの高騰を招くことなく、高
周波増幅回路が高周波信号を増幅する際に発生する高次
混変調歪を一律的かつ十分に抑圧することができる。こ
の場合、複数の歪生成回路、線形回路、および出力合成
回路を備えることで、入力高周波信号に基づいて各Ｎ次
歪信号をそれぞれ確実に生成することができ、また、生
成した各Ｎ次歪信号と線形増幅した入力高周波信号とを
合成して出力信号を確実に生成することができる。

【００４２】また、本発明に係る非線形歪補償回路によ
れば、線形回路、３次歪生成回路および５次歪生成回路
を備え、出力合成回路の第１分配器が３次歪生成回路の
出力信号を分配し、第２分配器が５次歪生成回路の出力
信号を分配し、かつ第１合成器が第２分配器によって分
配された分配信号から第１分配器によって分配された分
配信号を差し引いて５次歪信号を生成し、第２合成器
が、第１分配器によって分配された３次歪信号、第１合
成器によって生成された５次歪信号、および線形増幅さ
れた入力高周波信号を合成して出力信号を出力すること
により、入力高周波信号に基づいて、３次歪信号、５次
歪信号、および線形増幅された入力高周波信号を確実に
生成することができると共に、非線形歪としての３次混
変調歪および５次混変調歪を十分に抑圧し得る歪信号を
確実に生成することができる。

【００４３】さらに、本発明に係る非線形歪補償回路に
よれば、３次歪生成回路によって出力された出力信号の
ベクトル量を調整可能に構成された３次歪用ベクトル量
調整回路と、５次歪生成回路によって出力された出力信
号のベクトル量を調整可能に構成された５次歪用ベクト
ル量調整回路とを備えたことにより、入力高周波信号に
基づいて、非線形歪としての３次混変調歪およびＮ次混
変調歪を十分に補償して抑圧し得る歪信号を一層確実に
生成することができる。

【００４４】また、本発明に係る非線形歪補償回路によ
れば、第１分配器によって分配された３次歪信号のベク
トル量を調整可能に構成された第１ベクトル量調整回路
と、第１合成器によって生成された５次歪信号のベクト
ル量を調整可能に構成された第２ベクトル量調整回路と
を備えたことにより、両ベクトル量調整回路を調整する
ことで、非線形歪としての３次混変調歪および５次混変
調歪をより確実に補償して抑圧し得る歪信号を生成する
ことができる。

【００４５】また、本発明に係る非線形歪補償回路によ
れば、制御回路が、検出回路の検出信号を入力してその
検出信号に対応する各調整量をメモリから読み出すと共
に３次歪用ベクトル量調整回路および５次歪用ベクトル
量調整回路に対して対応する読み出した各調整量で制御
することにより、入力高周波信号の周波数、入力高周波
信号の電力、非線形歪補償回路の内部または近傍の温
度、および被補償高周波増幅回路の内部または近傍の温
度の少なくとも１つに応じて、非線形歪としての３次混
変調歪および５次混変調歪を十分に抑圧し得る歪信号を
適切に生成することができる結果、高周波増幅回路が高
周波信号を増幅する際に発生する高次混変調歪を一律的
かつ十分に、しかも自動的に抑圧することができる。

【００４６】さらに、本発明に係る非線形歪補償回路に
よれば、制御回路が被補償高周波増幅回路の出力信号に
含まれる非線形歪が低下するように第１ベクトル量調整
回路の調整量および第２ベクトル量調整回路の調整量を
制御することにより、高周波増幅回路が高周波信号を増
幅する際に発生する高次混変調歪を一律的かつ十分に、
しかも自動的に抑圧することができる。

【００４７】また、本発明に係る非線形歪補償回路によ
れば、対応する歪信号の減衰量および位相量を調整可能
に各ベクトル量調整回路を構成したことにより、非線形
歪としての３次混変調歪および５次混変調歪をより確実
に補償して抑圧し得る歪信号を生成することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施の形態に係る非線形歪補償回路１
の基本ブロック図である。

【図２】非線形歪補償回路１の動作原理を説明するため
のドライブ信号Ｓｄの信号成分を示すスペクトル図であ
る。

【図３】非線形歪補償回路１の動作原理を説明するため
のスペクトル図であって、歪補償されていない状態にお
いて高周波増幅回路５１によって生成される出力信号Ｓ
ｏの信号成分を示すスペクトル図である。

【図４】非線形歪補償回路１の動作原理を説明するため
のスペクトル図であって、歪補償された状態において高
周波増幅回路５１によって生成される出力信号Ｓｏの信
号成分を示すスペクトル図である。

【図５】本発明の実施の形態に係る非線形歪補償回路１
の具体的な構成を示すブロック図である。

【図６】従来の高周波電力増幅装置６１の構成を示すブ
ロック図である。

【図７】従来の非線形歪補償回路４１の構成を示すブロ
ック図である。

【符号の説明】

１非線形歪補償回路２入力分配器３−３〜３−Ｎ歪生成回路４−３〜４−Ｎ，３４−３，３４−５ベクトル量調整
回路５線形回路６出力合成回路１１Ｐ・Ｆ検出器１２温度センサ１３ＣＰＵ１４ＲＯＭ１５歪検出器３１−３，３１−５分配器３２，３３，３５合成器 ε３〜εＮ歪信号Ｓｄドライブ信号Ｓｉ高周波信号Ｓｏ出力信号

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続きＦターム(参考） 5J090 AA01 AA41 CA21 FA15 GN02 GN04 KA16 KA23 KA33 KA68 TA01 TA03 5J500 AA01 AA41 AC21 AF15 AK16 AK23 AK33 AK68 AT01 AT03

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】被補償高周波増幅回路の非線形歪を補償
するための非線形歪補償回路であって、前記非線形歪としてのＮ次混変調歪（Ｎは自然数の３
と、５以上の奇数のうちの任意の１つまたは任意の複数
との各々）をそれぞれ補償可能なＮ次歪信号を入力高周
波信号に基づいて生成すると共に、当該生成したＮ次歪
信号と前記入力高周波信号とを合成して出力信号として
出力する非線形歪補償回路。
【請求項２】前記入力高周波信号に基づいて前記各Ｎ
次歪信号をそれぞれ生成する複数の歪生成回路と、前記
入力高周波信号を線形増幅する線形回路と、前記生成さ
れた各Ｎ次歪信号および前記線形増幅された入力高周波
信号を合成して前記出力信号を生成する出力合成回路と
を備えている請求項１記載の非線形歪補償回路。
【請求項３】前記入力高周波信号を線形増幅する線形
回路と、前記入力高周波信号を入力して３次歪信号を生
成する３次歪生成回路と、前記入力高周波信号を入力し
て３次歪信号および５次歪信号を生成する５次歪生成回
路と、前記出力信号を生成する出力合成回路とを備え、前記出力合成回路は、前記３次歪生成回路の出力信号を
分配する第１分配器と、前記５次歪生成回路の出力信号
を分配する第２分配器と、当該第２分配器によって分配
された分配信号から前記第１分配器によって分配された
分配信号を差し引いて前記５次歪信号を生成する第１合
成器と、前記第１分配器によって分配された前記３次歪
信号、前記第１合成器によって生成された前記５次歪信
号、および前記線形増幅された入力高周波信号を合成し
て前記出力信号として出力する第２合成器とを備えて構
成されている請求項１記載の非線形歪補償回路。
【請求項４】前記３次歪生成回路によって出力された
前記出力信号のベクトル量を調整可能に構成された３次
歪用ベクトル量調整回路と、前記５次歪生成回路によっ
て出力された前記出力信号のベクトル量を調整可能に構
成された５次歪用ベクトル量調整回路とを備えている請
求項３記載の非線形歪補償回路。
【請求項５】前記第１分配器によって分配された前記
３次歪信号のベクトル量を調整可能に構成された第１ベ
クトル量調整回路と、前記第１合成器によって生成され
た前記５次歪信号のベクトル量を調整可能に構成された
第２ベクトル量調整回路とを備えている請求項３または
４記載の非線形歪補償回路。
【請求項６】前記入力高周波信号の周波数、前記入力
高周波信号の電力、当該非線形歪補償回路の内部または
近傍の温度、および前記被補償高周波増幅回路の内部ま
たは近傍の温度の少なくとも１つを検出する検出器と、
当該検出器によって検出される検出信号に対応させて前
記３次歪用ベクトル量調整回路および前記５次歪用ベク
トル量調整回路の各調整量を記憶するメモリと、入力し
た前記検出信号に対応する前記各調整量を前記メモリか
ら読み出すと共に前記３次歪用ベクトル量調整回路およ
び前記５次歪用ベクトル量調整回路に対して対応する当
該読み出した各調整量で制御する制御回路とを備えてい
る請求項４記載の非線形歪補償回路。
【請求項７】前記被補償高周波増幅回路の出力信号に
含まれる前記非線形歪が低下するように前記第１ベクト
ル量調整回路の調整量および前記第２ベクトル量調整回
路の調整量を制御する制御回路とを備えている請求項５
記載の非線形歪補償回路。
【請求項８】前記各ベクトル量調整回路は、対応する
前記歪信号の減衰量および位相量を調整可能に構成され
た請求項４から７のいずれかに記載の非線形歪補償回
路。