JP2003224326A - レーザダイオード制御用半導体集積回路および光送信モジュールならびに光出力設定方法 - Google Patents

レーザダイオード制御用半導体集積回路および光送信モジュールならびに光出力設定方法

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JP2003224326A
JP2003224326A JP2002021954A JP2002021954A JP2003224326A JP 2003224326 A JP2003224326 A JP 2003224326A JP 2002021954 A JP2002021954 A JP 2002021954A JP 2002021954 A JP2002021954 A JP 2002021954A JP 2003224326 A JP2003224326 A JP 2003224326A
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laser diode
optical
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transmission module
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Takeshi Inagaki
武 稲垣
So Fujiwara
宗 藤原
Tomomi Koyanagi
友美 小柳
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NTT Electronics Corp
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    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 WDM通信用の光送信モジュールで、光強度
および光波長の調整を自動化するとともに、実動作中で
も必要に応じて設定変更することができるようにする。 【解決手段】 ATC回路3、APC回路4、ACC回
路5に、外部とのディジタル通信を可能にするためのD
AC13などを追加した回路を同一基板上に集積化した
LSIを提供する。このチップを搭載した光送信モジュ
ールをパソコンや測定器に接続し、ディジタルデータを
与えることにより自動調整を行う。自動調整を行って、
複数の光送信モジュールについて入力データと光出力の
関係を示すデータテーブルを取得しておき、実動作中
は、取得したデータテーブルを参照して光出力の設定変
更を行う。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、レーザダイオード
制御用の半導体集積回路と、その半導体集積回路が搭載
された光送信モジュールと、その光送信モジュールの光
出力を設定する方法に関する。
【0002】
【従来の技術】光ファイバを使った高速伝送技術として
知られている波長分割多重(WDM:Wavelength Divis
ion Multiplexing)では、波長が異なる光ビームは互い
に干渉しないという性質を利用して、複数の搬送波を多
重化する。このため、WDM用光送信モジュールでは、
搬送波同士が影響しあわないように光波長を一定に保つ
ことが重要となる。
【0003】一般に、WDM用光送信モジュールの発光
源としては、分布帰還形レーザダイオード(DFB−L
D:Distributed Feed Back Laser Diode:以下、単に
LDと称する)が用いられることが多い。LDの光波長
は、約0.1nm/℃の温度依存性を有しているので、
光波長を一定に保つためには、LDの温度を一定に保つ
ことが必要である。また、LDの光強度は、電流が発光
閾値電流以上の場合、その電流に比例して増加するの
で、通常、光強度は、LDへのバイアス電流を制御する
ことにより制御している。
【0004】図6に、従来の一般的な波長分割多重用の
光送信モジュールの一例を示す。WDM用光送信モジュ
ール1は、LDモジュール2、自動温度制御(ATC:
Automatic Temperature Control)回路3、自動光強度
制御(APC:Automatic Power Control)回路4、自
動電流制御(ACC:Automatic Current Control)回
路5、およびレーザダイオード変調駆動(LD−Dr
v:Laser Diode Modulation Driver)回路6により構
成される。
【0005】LDモジュール2は、供給される電流の極
性および大きさにより発熱量や吸熱量を変化させる冷却
器(TEC:Thermo Electric Cooler)7と、そのTE
C7上に実装されたLD8、光強度をモニタする半導体
フォトダイオード(mPD:monitor Photo Diode)
9、およびTECの温度を検出する感温抵抗(サーミス
タ)10により構成される。
【0006】サーミスタ10はTEC7の温度を検出
し、ATC回路3はサーミスタ10が検出した温度に基
づいてTEC7への供給電流を調整する。すなわち、A
TC回路3が、TEC7の温度が一定になるようにTE
C7への供給電流を制御することにより、TEC7上に
実装され熱結合されたLD8の温度が一定に保たれ、こ
れにより、LD8の光波長が一定に保たれる。
【0007】一方、LD8の光強度は、APC回路4と
ACC回路5により一定になるように制御される。LD
−Drv回路6は、LD8の光出力を変調して光信号を
出力する。ACC回路5は、LDバイアス電流を発光閾
値電流付近に設定することにより、LD−Drv回路6
による光強度変調のlowレベルを制御している。AP
C回路4は、LD8の光強度をmPD9によって検出
し、LD8の光強度(強度変調時の平均強度)が一定に
なるようにLD-Drv回路6を制御している。また、
長距離伝送を行う場合には、光ファイバーで生じる光の
分散や損失により信号波形が歪むことがあるため、LD
−Drv回路6にてクロスポイントの調整やデューティ
比の調整を行ない、伝送末端での光出力の波形品質を補
償する。
【0008】以上に説明したように、従来のWDM用の
光送信モジュールは、ATC回路3、APC回路4およ
びACC回路5により、一旦設定された光出力が通信環
境の変化にかかわらず一定に保持されるように自動制御
を行うものである。したがって、光出力を設定しなおす
場合には、調整回路を設けて別途調整を行わなければな
らない。
【0009】調整回路としては、図に示すような可変抵
抗器101が一般的である。WDM光通信システムで
は、256波長多重、512波長多重といった多重化数
の増加による装置の肥大化が懸念されているが、簡易か
つ実装面積が小さい可変抵抗器を調整回路として採用す
れば、光送信モジュールを小型化することができるから
である。
【0010】
【発明が解決しようとする課題】しかし、調整回路とし
て可変抵抗器を採用した従来の光送信モジュールには、
以下に説明するような2つの問題点がある。第1の問題
点は、可変抵抗器は一般に複雑な調整が必要であり、調
整を自動化することが困難であるという点である。ま
た、第2の問題点は、そのように可変抵抗器の調整の自
動化が難しいことから、光送信モジュールの出力を光送
信モジュールの実動作中に変更(再設定)することが困
難であるという点である。
【0011】まず、第1の問題点について詳細に説明す
る。光強度を調整する場合、波形品質と光強度を同時に
調整するため光出力波形と光強度の両方を測定しなが
ら、APC回路4、ACC回路5およびLD−Drv回
路6を調整してLDバイアス電流を決める。あるいは、
予め測定しておいた個々の回路(LDモジュール2、A
PC回路4、ACC回路5、LD−Drv回路6など)
の特性に基づいて回路を調整してLDバイアス電流を決
める場合もある。
【0012】次に、光波長の調整では、光波長を光波長
メータまたは光スペクトラムアナライザで測定しながら
ATC回路3を調整して、TEC7の温度、すなわちL
D8の温度を決める。あるいは、予め測定しておいたL
Dモジュール2の特性に基づいて回路を調整してLD8
の温度を決める場合もある。
【0013】ところが、光波長を調整するためにLD8
の温度を変更すると、LD発光閾値やLD効率特性(発
光強度とバイアス電流の関係)が変わるため、光強度も
変化する。このため、APC回路4、ACC回路5およ
びLD−Drv回路6を再調整して、光強度を設定しな
おさなければならなくなる。
【0014】さらに、この再調整により光強度を設定し
なおすと、今度はLDバイアス電流が変わるため、LD
8で発生する熱量が変化する。LD8は、TEC7と同
一温度になるように実装されているものの、実際には熱
抵抗があるため、LD8自体が発生する熱量が変化した
場合には、LD8とTEC7との間に温度差が生じる。
この場合、ATC回路3によりTEC7の温度が一定に
制御されていても、LD8の温度変化により光波長が変
化してしまう。このため、ATC回路3を再調整しなけ
ればならなくなる。
【0015】このように、従来の光送信モジュールで、
WDM通信の実用に耐えうる高精度な光出力を得るため
には、光強度と光波長の調整を交互に繰り返さなければ
ならず、可変抵抗器による簡易な調整機能では、多大な
時間を費やさなければならない。
【0016】また、個々のLDモジュール2は、LD発
光閾値やLD効率といった特性のばらつきが大きいの
で、可変抵抗器の調整を自動化することは困難であり、
結局光送信モジュールごとの個別調整が必要となる。
【0017】次に、第2の問題点について説明する。W
DM通信システムでは、伝送チャンネルごとに特定の波
長で出力する光送信モジュールを準備するが、ある波長
の光送信モジュールが故障した場合、必ずしも同じ波長
で発光する光送信モジュールに置き換えるとは限らず、
近傍の波長で発光している光送信モジュールに対してL
D発光波長の温度依存性を利用して波長の並べ替えを行
う場合がある。この場合、可変抵抗器などの簡易な調整
機能では第1の問題点のように非常に面倒な調整が要求
される。このため、実動作中の光送信モジュールに対し
て出力の変更(再設定)を行うことは実質的に不可能に
近く、実際にはほとんど行われていない。
【0018】本発明は、上記第1および第2の問題点を
解決するために、光強度および光波長の調整を自動化す
るとともに、実動作中でも必要に応じて光出力の設定を
変更できるようにすることを目的とする。
【0019】
【課題を解決するための手段】本発明のレーザダイオー
ド制御用半導体集積回路(以下、LD制御LSIと称す
る。)は、光送信モジュールに搭載するLSIチップで
あり、レーザダイオードの温度を制御する自動温度制御
回路と、レーザダイオードのバイアス電流を制御する自
動電流制御回路と、レーザダイオードの光強度を制御す
る自動光強度制御回路と、それら自動温度制御回路、自
動電流制御回路および自動光強度制御回路の各々の入力
段に配置され、外部から入力されたディジタルデータを
各回路の入力電圧に変換するディジタル/アナログ変換
回路とを同一基板上に備えたLSIである。このような
構成とすることにより、外部から入力されたディジタル
データに基づいてレーザダイオードの温度、バイアス電
流および光強度を制御できるようにしている。
【0020】また、このLSIには、レーザダイオード
が出力する光信号の波形を調整する回路であって、外部
から入力されたディジタルデータを、光信号を変調する
レーザダイオード変調駆動回路の入力電圧に変換するデ
ィジタル/アナログ変換回路を含む波形調整回路をさら
に備えてもよい。これにより光信号の波形を外部からデ
ィジタル制御することも可能になる。
【0021】また、各ディジタル/アナログ変換回路に
入力されるコードとそのコードにより設定される光波長
および光強度の対応付けを記憶するためのメモリと、外
部から入力されたディジタルデータをそのメモリ内の対
応づけに基づいて前記コードに変換するコード変換回路
とをさらに備える構成としてもよい。この場合、光波長
および光強度を指定するディジタルデータが入力された
際に、レーザダイオードの光波長および光強度が指定ど
おりになるように自動温度制御回路、自動電流制御回路
および自動光強度制御回路の入力電圧を自動設定するこ
とができる。
【0022】この際、メモリに、前記コードとレーザダ
イオードが出力する光信号の波形の特徴との対応付けを
さらに記憶させることにより、光信号の波形の特徴(ク
ロスポイント、デューティ比など)を指定するディジタ
ルデータが入力された際に、レーザダイオードが出力す
る光信号の波形の特徴が指定どおりになるような波形調
整回路の入力電圧を自動設定してもよい。
【0023】また、コード変換回路ではなくプログラム
によりコード変換を行ってもよい。具体的には、光波長
および光強度を指定するディジタルデータを、所定の対
応づけに基づいて、各ディジタル/アナログ変換回路に
入力するコードに変換するプログラムを書換え可能なメ
モリに記憶しておき、演算回路(CPU)によりメモリ
内に記憶されたプログラムを実行する。これにより、光
波長および光強度を指定するディジタルデータが入力さ
れた際に、レーザダイオードの光波長および光強度が指
定どおりになるように自動温度制御回路、自動電流制御
回路および自動光強度制御回路の入力電圧を自動設定す
る。
【0024】この際、このプログラムに、レーザダイオ
ードが出力する光信号の波形の特徴を指定するディジタ
ルデータを、所定の対応付けに基づいて、前記ディジタ
ル/アナログ変換回路に入力するコードに変換する処理
を含めて、光信号の波形の特徴を指定するディジタルデ
ータが入力された際に、レーザダイオードが出力する光
信号の波形の特徴が指定どおりになるように波形調整回
路の入力電圧を自動設定するようにしてもよい。
【0025】また、上記LSIに、さらに、自動温度制
御回路、自動電流制御回路および自動光強度制御回路の
各々の出力段に配置され、各回路の出力電圧をディジタ
ルデータに変換するアナログ/ディジタル変換回路をさ
らに備えてもよい。これにより、レーザダイオードの温
度、バイアス電流および光強度をディジタルデータとし
て確認できるようになる。
【0026】また、外部から入力されたディジタルデー
タを一時記憶するレジスタをさらに備え、各ディジタル
/アナログ変換回路は、そのディジタルデータをレジス
タから読み出して変換してもよい。この場合、レジスタ
には、初期値が設定されていることが好ましい。
【0027】次に、本発明の光送信モジュールは、上記
レーザダイオード制御用半導体集積回路と、レーザダイ
オード制御用半導体集積回路により制御されるレーザダ
イオードおよびレーザダイオード変調駆動回路を有する
光送信モジュールである。
【0028】また、本発明の方法は、上記光送信モジュ
ールの光出力を、その光送信モジュールの実動作中に設
定する方法であって、光送信モジュールを実動作させる
前に、その光送信モジュールに対し所定の複数のデータ
を入力するとともに、そのデータを入力した際の光送信
モジュールの光出力を測定して、データと光出力の対応
付けを保存しておき、光送信モジュールの実動作中に、
保存された対応付けから所望の光出力に対応するデータ
を取得してその光送信モジュールに前記取得したデータ
を入力することにより、光送信モジュールの光出力の設
定を行うことを特徴とする。
【0029】
【発明の実施の形態】以下、本発明の、いくつかの実施
の形態について、図面を参照して詳細に説明する。
【0030】実施の形態1.図1は、本発明の光送信モ
ジュールと、その光送信モジュール上に実装される本発
明のLD制御LSIの、一実施の形態を表す図である。
図に示すように、光送信モジュール11は、LDモジュ
ール2、LD−Drv回路16およびLD制御LSI1
2により構成される。
【0031】LDモジュール2は、図6において説明し
た従来の光送信モジュールのLDモジュールと同じであ
り、TEC7と、そのTEC7上に実装されたLD8、
mPD9およびサーミスタ10により構成される。LD
−Drv回路16は、図6の光送信モジュールのLD−
Drv回路16と同様、LD8の光出力を変調して光信
号を出力する。
【0032】LD制御LSI12は、従来個別部品で構
成されていたATC回路3、APC回路4、ACC回路
5に、外部とのディジタル通信を可能にするための回路
を追加して集積化したものである。具体的には、LD制
御LSI12は、ATC回路3、APC回路4およびA
CC回路5と、シリアル/パラレル変換回路15と、レ
ジスタ14と、ATC回路3、APC回路4およびAC
C回路5の各々の入力段に配置されたDAC13とを同
一基板上に形成して1つのLSIとしたものである。
【0033】ここで、ATC回路3はTECの温度を制
御するため、APC回路4やACC回路5に比べて、扱
う電流が大きい。このため、3種類の回路を同一基板上
に形成する場合には、大電流によりLSIが発熱して特
性劣化を引き起こすことがないよう、ATC回路3の電
力損失を抑える必要がある。本実施の形態では、ATC
回路をDMOS(Double Diffused MOS)により構成
し、近年注目されているBCD(BiCD)プロセス技
術を採用して他の回路とともに1チップに集積化するこ
とで、この問題を解決する。DMOSは、製造プロセス
において、チャネル部分への拡散を2回行うことによっ
て実効的なチャネル長を従来のMOSよりも短くし、こ
れにより抵抗を低く抑えたものである。また、BCDプ
ロセス技術は、バイポーラトランジスタと、CMOS
と、DMOS(Double Diffused MOS)を1チップ上に
形成するプロセス技術である。
【0034】このLD制御LSI12に対し外部システ
ムからシリアルデータが入力されると、入力されたデー
タはシリアル/パラレル変換回路15によりパラレルデ
ータに変換され、レジスタ14に一時記憶される。記憶
される領域は、ATC回路3、APC回路4、ACC回
路5ごとに、それぞれ決まっており、どの回路を調整す
るための信号かを区別できるようになっている。レジス
タ14に一時記憶されたディジタルデータは、DAC1
3により各回路への入力電圧に変換される。
【0035】外部システムと各回路との通信は、簡易な
通信プロトコルを使用して行う。例えばシリアル通信用
のプロトコルとして知られているI2C(Inter-Integr
ated-Circuit)やSPI(Serial-Peripheral-Interfac
e)などを利用する。
【0036】なお、外部システムから与えられるディジ
タルデータがパラレルデータである場合には、シリアル
/パラレル変換回路15は無くてもよい。この場合、入
力されたディジタルデータはレジスタ14に直接入力さ
れる。また、本実施の形態では、入力されたディジタル
データをレジスタ14に一旦記憶しているが、入力端子
を3つ備え、各DAC13に直接入力できるようにして
もよい。
【0037】以下、上記構成における光出力の設定、調
整、変更方法について説明する。本実施の形態では、最
初におおよその初期値を設定しておき、次にその初期値
を基準とした自動調整を行う。但し、初期値の設定は調
整時間を短縮するうえで効果的であるというだけで、必
須ではない。
【0038】初期値を設定するために、はじめにLD効
率特性(発光強度とバイアス電流の関係)、mPD変換
効率特性(受光強度と検出電流の関係)、TEC特性
(吸熱・放熱量と電流・電圧の関係)、サーミスタ特性
(基準抵抗、B定数)などの基礎データを、実験によ
り、またはデータシートを参照することにより取得す
る。同様に、LD−Drv回路16についても、入出力
特性などのデータを取得する。
【0039】これらのデータにより、光送信モジュール
の所望出力(光波長・光強度)に対応するATC回路
3、APC回路4およびACC回路5のおおよその設定
値を求め、これらを調整の初期値とする。初期値の設定
は、外部から各回路に、シリアル/パラレル変換回路1
5、レジスタ14、DAC13を介して所定の通信プロ
トコルにしたがった信号を入力することにより設定す
る。
【0040】初期値の設定が完了したら、次にATC回
路3、APC回路4およびACC回路5の調整を行う。
図2は、これらの回路の自動調整系24を示す図であ
る。図に示すように、この自動調整系24は、LD制御
LSI12が搭載された光送信モジュール11と、光送
信モジュール11の出力を測定する2つの測定器18お
よび19と、測定器18および19の測定結果と与えら
れた所望値に基づいて光送信モジュール11内の各回路
の設定値を変更する演算装置17とを備えている。本実
施の形態では、測定器18は光波長を測定するためのス
ペクトラムアナライザ、測定器19は光強度を測定する
ためのオシロスコープとする。
【0041】光送信モジュール11の出力は光ファイバ
21により伝送され、途中スターカプラ22により分岐
されて、測定器18と測定器19に並列に入力される。
測定器18および19と、演算装置17との間はバス2
3により接続され、自動測定系において一般的に用いら
れているRS232CやGP−IB(General Purpose
Interface Bus)などの通信プロトコルにしたがった通
信が行われる。演算装置17と光送信モジュール11と
の間はバス20により接続され、前述のようにI2Cや
SPIなどの通信プロトコルにしたがった通信が行われ
る。
【0042】演算装置17には、入力された所望の光出
力と、測定器18および19の測定結果とを比較して、
比較結果に応じてLD制御LSI12のATC回路3、
APC回路4およびACC回路5の設定値を変更するデ
ータ(シリアルデータ)を発生して光送信モジュール1
1に与える制御プログラムが組み込まれている。
【0043】この制御プログラムは、まず、スペクトラ
ムアナライザ18による測定値を取り込んで、入力され
た所望の光波長と比較する。次に、ATC回路3用のD
AC13に入力するディジタルコードを、測定値が所望
の波長より大きければ−1、測定値が所望の波長より小
さければ+1とするようなような演算を行ない、演算結
果を図1のLD制御LSI12のレジスタ14に書き込
む。この処理を、スペクトラムアナライザ18による測
定値が所望の光波長と同じになるまで繰り返す。
【0044】光強度についても同様に、オシロスコープ
19による測定値を取り込んで所望の光強度と比較し、
比較結果に基づいてAPC回路4とACC回路5用のD
AC13に入力するディジタルコードを調整してレジス
タ14に書き込む。この処理を、オシロスコープ19に
よる測定値が所望の光強度と同じになるまで繰り返す。
【0045】以降、この自動調整系24は、光送信モジ
ュール11の光出力が、所望の光波長、所望の光強度と
なるまで、光波長の調整と、光強度の調整を交互に繰り
返す。
【0046】このように、本実施の形態では、ATC回
路3、APC回路4、ACC回路5に、外部とのディジ
タル通信を可能にするための回路を追加して、各回路の
設定値を外部から操作できるようにしているので、パソ
コンなどの演算装置と測定器との組み合わせにより簡単
に自動調整系を構築することができる。これにより、光
送信モジュールの調整時間を短縮することができ、さら
には製品検査などにかかるコストを大幅に節減すること
ができる。
【0047】また、ATC回路3、APC回路4、AC
C回路5、および上記追加の回路を、同一基板上に集積
化し、1つのLSIとして光送信モジュール11に実装
しているので、従来に比べて装置が大型化する心配もな
い。
【0048】この際、LD制御に関する基本機能はすべ
てLD制御LSIにより提供されるため、光送信モジュ
ールの設計者は特別な設計を行う必要はなく、使用する
LDやLD変調駆動回路に合わせてLD制御LSIに外
付けする抵抗・容量などの値を調整するだけでよい。
【0049】また、基本機能を1チップに集積化したこ
とにより、ATC回路、APC回路、ACC回路を個別
部品として実装する場合に比べて、特性のばらつきが小
さくなり見積もりも容易になる。各回路が個別部品とし
て存在する場合には、それぞれが特性ばらつきを有して
いるため、光送信モジュールが要求される仕様を満たす
ように各部品を選定することは困難であった。しかし1
チップ化することにより、LD制御LSIのばらつきと
光送信モジュールのばらつきの相関を把握しやすくなる
ので、光送信モジュールの設計は容易になる。
【0050】以上、光強度および波長の調整を自動化す
る手段について説明したが、次に、実動作中の光送信モ
ジュールの設定値を変更するための手段について説明す
る。
【0051】実動作中の光送信モジュールの設定値を変
更できるようにするためには、まず、上記制御プログラ
ムに、所望の光強度や光波長が得られるように調整され
た設定値を、保存する機能を追加する。設定値は、演算
装置17が備える記憶装置(パソコンのハードディスク
や、マイコンICの不揮発性メモリなど)に記憶させれ
ばよい。
【0052】このような制御プログラムを用いて何種類
かの光出力について自動調整を行えば、光出力と各回路
の設定値の関係を表すデータテーブルを得ることができ
る。例えば、強度が0dBm、波長が1550nmの光
出力が得られるように調整されたときの各回路の設定値
をデータ1として保存し、強度が1dBm、波長が15
50nmの光出力が得られるように調整されたときの各
回路の設定値をデータ2として保存しておく。同様に、
所望の光強度と波長の組み合わせを何種類か定義してお
き、自動調整系24により調整された各回路の設定値を
順に保存する。このような調整を光送信モジュールごと
に行って、個々の光送信モジュールに対応したデータテ
ーブルを予め取得しておく。取得されたデータテーブル
は、光送信モジュールを使用するWDM通信システムが
保管、管理する。
【0053】WDM通信システムの管理者が、実動作中
の光送信モジュールに対し、光出力を所望の強度あるい
は波長に設定しなおす操作を行った場合には、システム
は、上記データテーブルから所望の光出力に対応する各
回路の設定値の組を求めて設定する。
【0054】このように、予めデータテーブルを取得し
ておくことにより、稼動中のシステムから対象の光送信
モジュールを切り離すことなく、光強度、波長を、簡単
に所望の値に変更することができる。
【0055】実施の形態2.図3に示す光送信モジュー
ル25は、図1に示した実施の形態1のLD制御LSI
12に、クロスポイントやデューティ比を調整して波形
の品質をよくするための回路を追加したものである。以
下に説明する点以外は実施の形態1と同じであるため、
実施の形態1と同一の要素には同一の符号を付すことと
し、説明を省略する。
【0056】本実施の形態のLD制御LSI26には、
実施の形態1の回路構成に加え、DAC28と出力バッ
ファ29とからなるLD−Drv調整回路30が備えら
れている。LD−Drv調整回路30は、クロスポイン
ト調整用と、デューティ比調整用に、それぞれ1つずつ
ある。また、レジスタ27には、クロスポイント調整
用、デューティ比調整用の信号を一時記憶する領域が設
けられている。
【0057】外部システムから入力され、レジスタ27
に一時記憶されたクロスポイント調整用のディジタルデ
ータ、あるいはデューティ比調整用のディジタルデータ
は、いずれもDAC28によりアナログ信号に変換さ
れ、出力バッファ29に一旦保持された後に、LD−D
rv回路31に入力される。
【0058】波形の調整は、図2の自動調整系24を用
いて、光波長や強度の調整と同様の方法により行うこと
ができる。具体的には、オシロスコープ19によりクロ
スポイントやデューティ比を測定して、演算装置17に
組み込まれた制御プログラムにより、その測定値を所望
の波形のクロスポイントやデューティ比と比較し、比較
結果に基づいてLD−Drv調整回路30へ入力するデ
ィジタルコードを調整する。この処理は、オシロスコー
プ19による測定値が所望の光出力波形になるまで繰り
返される。本実施の形態では、自動調整系24は、所望
の光波長、所望の光強度、所望の光出力波形となるま
で、光波長の調整と、光強度の調整と、光出力波形の調
整を、順番に繰り返す。
【0059】なお、実施の形態1と同様、所望の光強度
と波長と波形の組み合わせを何種類か定義しておき、各
光送信モジュールについて自動調整系24により調整さ
れた各回路の設定値の組を順に保存することによって予
めデータテーブルを取得しておけば、光送信モジュール
の実作動中でも光出力を再設定できる。
【0060】本実施の形態のLD制御LSI26および
光送信モジュール25は、実施の形態1において示した
効果に加え、光の分散や損失により生じる信号波形の歪
みを補正して伝送末端での光出力の波形品質を補償する
効果を有する。
【0061】実施の形態3.図4に示す光送信モジュー
ル32は、図3に示した実施の形態2のLD制御LSI
26に、光出力と各回路の設定値の関係を表すデータテ
ーブルを自ら保持するための回路を追加したものであ
る。実施の形態1および2では、実動作中の光出力の変
更を実現するために、WDM通信システムがそのような
データテーブルを管理するが、本実施の形態では、光送
信モジュール自体がデータテーブルを管理することによ
り、同様の機能を実現する。なお、以下に説明する点以
外は実施の形態2と同じであるため、実施の形態2と同
一の要素には同一の符号を付すこととし、説明を省略す
る。
【0062】本実施の形態のLD制御LSI33は、実
施の形態2のLD制御LSI26のレジスタ27の前段
にコード変換回路34を配置し、さらに、そのコード変
換回路34が使用するデータテーブルを保存する不揮発
性メモリ35を備えた構成をしている。不揮発性メモリ
35は、コード変換回路34がコード変換を行う際に参
照するデータテーブル(データとコードの変換テーブ
ル)を保存する書換え可能なメモリである。コード変換
回路34は、外部から入力指定された光波長、光強度あ
るいは波形のデータを、ATC回路3、APC回路4、
ACC回路5あるいはLD−Drv調整回路30のDA
C13,28に入力するコードに変換する。
【0063】なお、不揮発性メモリ35に、データテー
ブルとコード変換プログラムを記憶しておき、コード変
換回路34の代わりに演算装置(CPU)を配置して、
プログラムを実行させてもよい。
【0064】不揮発性メモリ35が保持するデータテー
ブルは、実施の形態1および2の場合と同様に、図2の
自動調整系24を用いて作成する。すなわち、図2の演
算装置17の制御プログラムにより、所望の光出力が得
られるように調整されたときの設定値を蓄積保存してお
き、蓄積された値からテーブルを作成する。例えば、あ
る光送信モジュールについて、強度0dBm、波長15
50nmの光出力が得られるように調整を行った結果、
ATC回路3のDACに“11110000”、APC
回路4のDACに“00001111”、ACC回路5
のDACに“01010101”というコードを入力す
れば、その所望の光出力が得られるということがわかっ
たとする。この場合、データテーブルには、光出力を示
すデータ(0,1550)と、各回路の設定値である3
つのコードとの対応付けが記憶される。作成されたデー
タテーブルは、光送信モジュール内の不揮発性メモリ3
5に記憶される。
【0065】光送信モジュール32の実動作中に、外部
から所望の光波長、光強度あるいは光出力波形を示すデ
ータが入力されると、コード変換回路34は不揮発性メ
モリ35内のデータテーブルを参照して、入力されたデ
ータに対応するコードを読み込み、読み込んだコードを
レジスタ27にセットする。
【0066】このように、本実施の形態では、光送信モ
ジュール自体がデータテーブルを保持しているので、そ
の光送信モジュールが組み込まれた通信システムから光
波長、光強度あるいは光出力波形の指示値を与えるだけ
で、指示どおりの光が出力される。実施の形態1や2と
異なり、通信システムは、ばらつきの大きい光送信モジ
ュールについて個々に回路の設定値を管理する必要はな
く、所望の光出力を指示するだけでよい。これにより、
実動作中の光出力の変更が容易になるのみならず、通信
システムへの依存性が小さいことから、システムの交換
にも柔軟に対応することができる。
【0067】実施の形態4.図5に示す光送信モジュー
ル36は、図4に示した実施の形態3のLD制御LSI
33に、光出力をディジタルデータとして監視するため
の回路を追加したものである。これにより、光送信モジ
ュールの光出力の設定から監視までを、すべてディジタ
ル方式で行えるようにする。なお、以下に説明する点以
外は実施の形態3と同じであるため、実施の形態3と同
一の要素には同一の符号を付すこととし、説明を省略す
る。
【0068】本実施の形態のLD制御LSI37は、実
施の形態3のATC回路3、APC回路4およびACC
回路5に変更を加え、さらに各回路内部の電圧をディジ
タルデータに変換するADC38と、ADC38により
ディジタル化されたデータをパラレルデータからシリア
ルデータに変換するパラレル/シリアル変換回路39を
追加したものである。但し、パラレル/シリアル変換回
路39は、シリアル/パラレル変換回路15と同様、外
部システムとシリアルデータを交換することを前提に設
けたものである。したがって、外部システムとパラレル
データを交換する場合には無くてもよい。
【0069】本実施の形態のATC回路40は、サーミ
スタ10の抵抗値を電圧情報に変換して出力するモニタ
端子を有する。前述のようにLD8の発光波長はTEC
7の温度に依存する。よって、サーミスタ10の抵抗値
として検出したTEC7の温度を、ATC回路40のモ
ニタ端子から電圧情報(アナログ信号)として出力し、
ADC38によりディジタルデータに変換する。これに
より、LD8の光波長をディジタルデータとして監視す
ることができる。
【0070】また、本実施の形態のAPC回路41は、
mPD9の出力電流を電圧情報に変換して出力するモニ
タ端子を有する。LD8の光強度はmPD9の出力電流
とmPD変換効率から求めることができる。よって、m
PD9の出力電流を、APC回路41のモニタ端子から
電圧情報(アナログ信号)として出力し、ADC38に
よりディジタルデータに変換する。これにより、LD8
の光強度をディジタルデータとして監視することができ
る。
【0071】また、本実施の形態では、光強度を制御す
るLDバイアス電流もディジタルデータとして監視す
る。LDバイアス電流の検出は、電流経路に抵抗値が既
知の抵抗を挿入し(図示せず)、ACC回路42に、そ
の抵抗で発生する電圧効果を検出して出力するモニタ端
子を設けることにより実現する。ACC回路42のモニ
タ端子からの出力信号をADC38によりディジタルデ
ータに変換すれば、LDバイアス電流をディジタルデー
タとして監視することができる。
【0072】このように、本実施の形態では、光出力を
ディジタルデータとして監視することができるため、ス
ペクトラムアナライザやオシロスコープなどの測定機器
を用いることなく光出力の状態を確認することができ
る。よって、この光送信モジュールが組み込まれた通信
システムは、特殊な測定機器を接続することなく光送信
モジュールの光出力を常時監視することができ、光出力
の異常や、経年劣化・環境変化による光出力の変化が起
きた場合に、迅速かつ適切に対応することができる。
【0073】なお、本実施の形態および前述の各実施の
形態において、レジスタ14、27には、予め初期値を
与えておくことが好ましい。これは、電源投入時や、W
DM通信システムからのデータが未入力の場合でも、光
送信モジュールを安定的に動作させるためである。
【0074】例えば、発熱と吸熱を行うTECのように
両極性の特性をもった対象物の制御回路は、入力の中心
値(入力が正負にまたがる場合であればゼロ)で制御対
象の特性中心値(TECの場合には発熱も吸熱もしな
い)となるような制御を行うのが一般的である。上記レ
ジスタの値がゼロコードであると、TECを制御するA
TC回路の入力電圧は最低値または最高値となる。すな
わち、ATC回路はTECを最大発熱または最大吸熱す
るように設定されることになり光送信モジュールに過大
負荷がかかる。
【0075】この場合、ATC回路に対応するレジスタ
の初期値として上記中心値を与えておけば、電源投入時
や上位システムからのデータが未入力の場合でも、TE
Cは発熱も吸熱もしないので、光送信モジュールを安定
的に動作させることができる。同様の理由から、APC
回路、ACC回路、LD−Drv回路についても、レジ
スタに適切な初期値を設定しておくことが好ましい。
【0076】
【発明の効果】本発明のレーザダイオード制御用半導体
集積回路およびその半導体集積回路を搭載した光送信モ
ジュールは、レーザダイオードの光出力を制御する各回
路の入力電圧を、外部から入力されるディジタルデータ
によって操作できるようにしたものである。ディジタル
方式で簡単に光出力の調整ができ、演算装置などとの組
み合わせにより光出力の調整を自動化することができる
ので、光出力の調整に要していた時間や労力を低減する
ことができる。また、レーザダイオード制御に必要な基
本機能を1チップに集積化したことにより、光送信モジ
ュールの設計も容易になる。
【0077】また、本発明のレーザダイオード制御用半
導体集積回路およびその半導体集積回路を搭載した光送
信モジュールを用いる場合、調整時間、労力が低減され
たことから、種々の光出力について何度も調整を行って
入力データと光出力の関係を示すデータテーブルを作成
することも、それほど大きな負担とはならない。よっ
て、予めデータテーブルを作成しておいて、データテー
ブルを参照することにより所望の光出力を設定するとい
う手法を用いることが可能となる。これにより、光送信
モジュールの実動作中でも、簡単に光出力を再設定する
ことができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の実施の形態1における光送信モジュ
ールを示す図
【図2】 光送信モジュールの自動調整系を示す図
【図3】 実施の形態2における光送信モジュールを示
す図
【図4】 実施の形態3における光送信モジュールを示
す図
【図5】 実施の形態4における光送信モジュールを示
す図
【図6】 従来の光送信モジュールを示す図
【符号の説明】
1、11、25、32、36 光送信モジュール、 1
2、26、33、37LD制御LSI、 2 LDモジ
ュール、 7 TEC、 8 LD、 9mPD、 1
0 サーミスタ、 21 光ファイバ、 22 スター
カプラ、20、23 バス、 29 出力バッファ、
30 調整回路、 101 可変抵抗。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 小柳 友美 東京都渋谷区道玄坂一丁目12番1号 エヌ ティティエレクトロニクス株式会社内 Fターム(参考) 5F073 BA02 EA03 EA11 EA29 GA03 GA12 GA23 HA08 HA10

Claims (11)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 レーザダイオードの温度を制御する自動
    温度制御回路と、 前記レーザダイオードのバイアス電流を制御する自動電
    流制御回路と、 前記レーザダイオードの光強度を制御する自動光強度制
    御回路と、 前記自動温度制御回路、前記自動電流制御回路および前
    記自動光強度制御回路の各々の入力段に配置され、外部
    から入力されたディジタルデータを前記各回路の入力電
    圧に変換するディジタル/アナログ変換回路とを同一基
    板上に備え、 外部から入力されたディジタルデータに基づいて前記レ
    ーザダイオードの温度、バイアス電流および光強度を制
    御できるようにしたことを特徴とするレーザダイオード
    制御用半導体集積回路。
  2. 【請求項2】 前記レーザダイオードが出力する光信号
    の波形を調整する回路であって、外部から入力されたデ
    ィジタルデータを、前記光信号を変調するレーザダイオ
    ード変調駆動回路の入力電圧に変換するディジタル/ア
    ナログ変換回路を含む波形調整回路をさらに備えたこと
    を特徴とする請求項1記載のレーザダイオード制御用半
    導体集積回路。
  3. 【請求項3】 前記各ディジタル/アナログ変換回路に
    入力されるコードと該コードにより設定される光波長お
    よび光強度の対応付けを記憶するためのメモリと、 外部から入力されたディジタルデータを、前記メモリ内
    の対応づけに基づいて前記コードに変換するコード変換
    回路をさらに備えることにより、 光波長および光強度を指定するディジタルデータが入力
    された際に、前記レーザダイオードの光波長および光強
    度が指定どおりになるように前記自動温度制御回路、前
    記自動電流制御回路および前記自動光強度制御回路の入
    力電圧を自動設定することを特徴とする請求項1または
    2記載のレーザダイオード制御用半導体集積回路。
  4. 【請求項4】 前記メモリに、前記コードと前記レーザ
    ダイオードが出力する光信号の波形の特徴との対応付け
    をさらに記憶させることにより、 前記光信号の波形の特徴を指定するディジタルデータが
    入力された際に、前記レーザダイオードが出力する光信
    号の波形の特徴が指定どおりになるように前記波形調整
    回路の入力電圧を自動設定することを特徴とする請求項
    3記載のレーザダイオード制御用半導体集積回路。
  5. 【請求項5】 光波長および光強度を指定するディジタ
    ルデータを、所定の対応づけに基づいて、前記各ディジ
    タル/アナログ変換回路に入力するコードに変換するプ
    ログラムを記憶するためのメモリと、 前記メモリ内に記憶されたプログラムを実行する演算回
    路をさらに備えることにより、 光波長および光強度を指定するディジタルデータが入力
    された際に、前記レーザダイオードの光波長および光強
    度が指定どおりになるように前記自動温度制御回路、前
    記自動電流制御回路および前記自動光強度制御回路の入
    力電圧を自動設定することを特徴とする請求項1または
    2記載のレーザダイオード制御用半導体集積回路。
  6. 【請求項6】 前記プログラムに、前記レーザダイオー
    ドが出力する光信号の波形の特徴を指定するディジタル
    データを、所定の対応付けに基づいて、前記ディジタル
    /アナログ変換回路に入力するコードに変換する処理が
    含まれており、 前記光信号の波形の特徴を指定するディジタルデータが
    入力された際に、前記レーザダイオードが出力する光信
    号の波形の特徴が指定どおりになるように前記波形調整
    回路の入力電圧を自動設定することを特徴とする請求項
    5記載のレーザダイオード制御用半導体集積回路。
  7. 【請求項7】 前記自動温度制御回路、前記自動電流制
    御回路および前記自動光強度制御回路の各々の出力段に
    配置され、前記各回路の出力電圧をディジタルデータに
    変換するアナログ/ディジタル変換回路をさらに備える
    ことにより、 前記レーザダイオードの温度、バイアス電流および光強
    度をディジタルデータとして確認できるようにしたこと
    を特徴とする請求項1から6のいずれかに記載のレーザ
    ダイオード制御用半導体集積回路。
  8. 【請求項8】 外部から入力されたディジタルデータを
    一時記憶するレジスタをさらに備え、 前記各ディジタル/アナログ変換回路は、前記ディジタ
    ルデータを前記レジスタから読み出して変換することを
    特徴とする請求項1から7のいずれかに記載のレーザダ
    イオード制御用半導体集積回路。
  9. 【請求項9】 前記レジスタに初期値が設定されている
    ことを特徴とする請求項8記載のレーザダイオード制御
    用半導体集積回路。
  10. 【請求項10】 請求項1から9のいずれかに記載のレ
    ーザダイオード制御用半導体集積回路と、該レーザダイ
    オード制御用半導体集積回路により制御されるレーザダ
    イオードおよびレーザダイオード変調駆動回路を有する
    光送信モジュール。
  11. 【請求項11】 請求項10記載の光送信モジュールの
    光出力を、該光送信モジュールの実動作中に設定する方
    法であって、 前記光送信モジュールを実動作させる前に、該光送信モ
    ジュールに対し所定の複数のデータを入力するととも
    に、該データを入力した際の該光送信モジュールの光出
    力を測定して、前記データと前記光出力の対応付けを保
    存しておき、 前記光送信モジュールの実動作中に、前記保存された対
    応付けから所望の光出力に対応するデータを取得して該
    光送信モジュールに前記取得したデータを入力すること
    により、該光送信モジュールの光出力の設定を行うこと
    を特徴とする光出力設定方法。
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