JP2003221294A - 表面弾性波素子用ダイヤモンド基板及び表面弾性波素子 - Google Patents
表面弾性波素子用ダイヤモンド基板及び表面弾性波素子Info
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Abstract
失が小さいダイヤモンド薄膜であって、周波数特性の優
れた表面弾性波素子を実現させるダイヤモンド薄膜を備
える表面弾性波素子用ダイヤモンド基板及び表面弾性波
素子を提供する。 【解決手段】 フィラメントCVD法を用いて、シリコ
ンウェハ220上に厚さ20μmのダイヤモンド薄膜2
40を形成する。ここで、ダイヤモンド薄膜240をX
線回析測定した際のダイヤモンド結晶面(220)のピ
ーク強度I(220)と、ダイヤモンド結晶面(111)、
(220)、(311)、(400)及び(331)の
ピーク強度の合計ITとの比I(220)/ITが0.8以上、ダ
イヤモンド薄膜240の水素含有量が原子比で1%以上
5%以下になるように調整する。ダイヤモンド砥粒を含
む砥石を使った機械研磨により、表面の算術平均粗さ
(Ra)が20nm以下になるようにダイヤモンド薄膜
240を平滑化する。
Description
どに適用される表面弾性波素子及びかかる表面弾性波素
子に用いられるダイヤモンド基板に関するものである。
伴い、高周波数(例えば2.5GHz)域で使用可能な
表面弾性波素子(表面弾性波素子の代表的な例として、
圧電体層上にくし型電極(IDT: Inter-Digital Transdu
cer)が形成される表面弾性波素子であって、くし型電
極と圧電体の作用により、圧電体又は圧電体以外の媒質
に表面弾性波が励振され、当該表面弾性波が検出される
装置が挙げられる。)の開発が要求される。高周波数域
で使用可能な表面弾性波素子を実現するためには、くし
型電極の電極間隔を狭くする、または表面弾性波の伝搬
速度を大きくする必要がある。くし型電極は、通常、フ
ォトリソグラフィーにより形成されるため、その微細化
には限界がある。そこで、表面弾性波の伝搬速度が大き
い媒質を実現する必要がある。
率をもつため、これを媒質とする表面弾性波の伝搬速度
は大きい。そこで、従来、高周波数域で使用可能な表面
弾性波素子として、表面弾性波の媒質であるダイヤモン
ド薄膜上に圧電体層が形成され、さらに圧電体層上にく
し形電極が形成された表面弾性波素子が用いられてい
た。
ダイヤモンド薄膜を用いた表面弾性波素子には、ダイヤ
モンド薄膜における表面弾性波の伝搬損失が大きいため
に、挿入損失が大きくなるという問題点があった。
においては、高周波数域での使用を可能にするため、表
面弾性波の高速の伝搬速度(好ましくは9000m/s
以上)が望まれる。
る表面弾性波素子としては、優れた周波数特性、すなわ
ち大きなQ値(好ましくは700以上)が望まれる。な
お、ここでQ値とは、Q=f0/Δf;半値全幅Δf=
f1−f2によって定義される。ただし、f0は表面弾性
波素子における共振周波数を意味し、f1、f2は、それ
ぞれ、f0の高周波数側、低周波数側において、振幅が
f0における振幅の2-1 /2倍になる周波数(振幅強度で
は1/2になる周波数)を意味する。
れたものであり、表面弾性波の伝搬速度が大きく、かつ
伝搬損失が小さいダイヤモンド薄膜であって、周波数特
性の優れた表面弾性波素子を実現させるダイヤモンド薄
膜を備える表面弾性波素子用ダイヤモンド基板及び表面
弾性波素子を提供することを目的とする。
に、本発明のダイヤモンド基板は、基板と、基板上に形
成されるダイヤモンド薄膜により構成される表面弾性波
素子用ダイヤモンド基板であって、ダイヤモンド薄膜の
水素含有量が原子比で1%以上5%以下であり、ダイヤ
モンド薄膜の表面の算術平均粗さ(Ra)が20nm以
下であり、ダイヤモンド薄膜をX線回析測定した際のダ
イヤモンド結晶面(220)のピーク強度I(220)と、ダ
イヤモンド結晶面(111)、(220)、(31
1)、(400)及び(331)のピーク強度の合計IT
との比I(220)/ITが0.8以上であることを特徴とす
る。
込まれると、水素が炭素の結合に介在し、ダイヤモンド
薄膜の結晶性を低下させる。特に水素含有量が30%程
度の場合、ダイヤモンド薄膜がダイヤモンド・ライク・
カーボン(DLC)のようなアモルファス構造になりや
すい。ダイヤモンド薄膜の水素含有量が大きい場合、ダ
イヤモンド薄膜の硬度低下(弾性率低下)により表面弾
性波の伝搬速度が小さくなる。
さい場合、ダイヤモンド薄膜における結晶性が良いこと
により結晶粒界での表面弾性波の散乱が大きくなり、伝
搬損失が増加する。
表面弾性波の散乱が大きくなり、伝搬損失が増加する。
対数を増加させるなど表面弾性波素子の設計を改善する
ことも考えられるが、その場合表面弾性波素子の挿入損
失が大きくなるという問題点がある。そこで、Q値を大
きくするためには、ダイヤモンド薄膜の構成条件を限定
することにより、好適な表面弾性波の伝搬速度及び伝搬
損失を維持しつつQ値を大きくすることが望ましい。
ド薄膜の水素含有量が原子比で1%以上5%以下であ
り、かつダイヤモンド薄膜の表面の算術平均粗さ(R
a)が20nm以下であるとき、表面弾性波の好ましい
伝搬速度と伝搬損失を同時に実現できることを知見し
た。さらに、ダイヤモンド薄膜をX線回析測定した際の
ダイヤモンド結晶面(220)のピーク強度I(220)と、
ダイヤモンド結晶面(111)、(220)、(31
1)、(400)及び(331)のピーク強度の合計IT
との比I(220)/ITが0.8以上であるとき、好適な表面
弾性波の伝搬速度及び伝搬損失を維持しつつQ値が好適
なレベルに大きくなることを知見した。
板は、ダイヤモンド薄膜が、ラマン分光分析において、
波数1333cm-1付近にピークを有し、ピークの半値
幅が10cm-1以上であることが好適である。
ダイヤモンド薄膜の結晶性が良い場合、すなわちSP2
性の結合の割合が小さい場合は、ラマン分光分析におけ
るピークの半値幅が減少する。この場合は、結晶粒界で
の表面弾性波の散乱が大きくなり、伝搬損失が増加す
る。
ド薄膜が、ラマン分光分析において、波数1333cm
-1付近にピークを有し、ピークの半値幅が10cm-1以
上であるとき、更に好適な表面弾性波の伝搬損失を実現
できることを知見した。
板は、ダイヤモンド薄膜の荷重500gで測定したヌー
プ硬度が6000kgf/mm2以上8500kgf/
mm2以下であることが好適である。
面弾性波の伝搬速度が低くなる。
合、すなわちダイヤモンド薄膜の結晶性が良いとき、結
晶粒界での表面弾性波の散乱が大きくなり、伝搬損失が
増加する。
ド薄膜の荷重500gで測定したヌープ硬度が6000
kgf/mm2以上8500kgf/mm2以下であると
き、更に好適な表面弾性波の伝搬速度と伝搬損失を同時
に実現できることを知見した。
板は、ダイヤモンド薄膜におけるダイヤモンド結晶の平
均粒径が1μm以下であることが好適である。
表面弾性波が散乱されやすくなり、伝搬損失が増大す
る。
ド薄膜におけるダイヤモンド結晶の平均粒径が1μm以
下であるとき、更に好適な表面弾性波の伝搬損失を実現
できることを知見した。
板は、ダイヤモンド薄膜の表面の算術平均粗さ(Ra)
が10nm以下であることが好適である。
ド薄膜の表面の算術平均粗さ(Ra)が10nm以下で
あるとき、更に好適な表面弾性波の伝搬損失を実現でき
ることを知見した。
弾性波素子は、上記いずれかに記載の表面弾性波素子用
ダイヤモンド基板の上に圧電体薄膜が形成され、圧電体
薄膜の上にくし型電極が形成されることを特徴とする。
ずれかに記載の表面弾性波素子用ダイヤモンド基板の上
にくし型電極が形成され、くし型電極が形成されたダイ
ヤモンド基板の上に圧電体薄膜が形成されることが好適
である。
に記載の表面弾性波素子用ダイヤモンド基板を備えるこ
とにより、好適な表面弾性波の伝搬速度、伝搬損失及び
Q値を同時に実現できる。
明の表面弾性波素子用ダイヤモンド基板及び当該表面弾
性波素子用ダイヤモンド基板を適用した表面弾性波素子
の好適な実施形態について詳細に説明する。
0の模式斜視図である。図2は、図1に示す表面弾性波
素子100のII―II線に沿った断面図である。
イヤモンド基板200と、ダイヤモンド基板200上に
形成される圧電体薄膜120(ダイヤモンド基板200
と圧電体薄膜120との間には中間層が形成されてもよ
い。)と、圧電体薄膜120上に形成されるくし型電極
140及びくし型電極160とにより構成される。ダイ
ヤモンド基板200は、シリコンウェハ220とダイヤ
モンド薄膜240とにより構成される。なお、本発明の
表面弾性波素子は、ダイヤモンド基板の上にくし型電極
を形成した上で、ダイヤモンド基板の上に更に圧電体薄
膜を形成することにより作製してもよい。
学的気相成長)法、熱フィラメントCVD法、マイクロ
波プラズマCVD法、高周波プラズマCVD法、DCプ
ラズマジェト法などによりダイヤモンド薄膜240が形
成される。成膜の際、ダイヤモンド薄膜240の水素含
有量が原子比で1%以上5%以下であり、かつX線回析
測定した際のダイヤモンド結晶面(220)のピーク強
度I(220)と、ダイヤモンド結晶面(111)、(22
0)、(311)、(400)及び(331)のピーク
強度の合計ITとの比I(220)/ITが0.8以上になるよう
に調整される。ここで、図5にダイヤモンド基板のX線
回析チャートの一例を示す。なお、この例では、I(220)
/ITは0.66であり、本発明の範囲とは異なる。
は、算術平均粗さ(Ra)が20nm以下(より好まし
くは10nm以下)になるよう、研磨により平滑化され
る。研磨方法は、ダイヤモンド砥粒を含む砥石を使った
機械研磨により行うことができる。または、研磨による
平滑化に代えて、ダイヤモンド薄膜240の成膜時の結
晶粒径をナノメータオーダに微細化し、算術平均粗さ
(Ra)が20nm以下(より好ましくは10nm以
下)にしてもよい。なお、研磨により表面の粗さを低減
するためには、砥石は、ボンドの表面からダイヤモンド
砥粒の先端平坦面までの距離が小さく、ダイヤモンド砥
粒の先端平坦面の面積が大きいことが好ましい。
ための基板の材質は、シリコンに限られるものではな
く、GaAs、SiC、AlN、InP、GaNのほか
に、Si3N4、Moなどのセラミックスや金属を用いる
ことができる。また、用途により、超硬合金、サーメッ
トを用いることができる。
げる(1)ないし(3)の条件を満たすことが好適であ
る。
用いたラマン分光分析において、波数1333cm-1付
近にピークを有し、当該ピークの半値幅が10cm-1以
上であること。 (2)荷重500gで測定したヌープ硬度が6000k
gf/mm2以上8500kgf/mm2以下であるこ
と。 (3)ダイヤモンド結晶の平均粒径が1μm以下である
こと。
0の表面にCVD法、マイクロ波プラズマCVD法、P
VD(物理的気相成長)法、スパッタリング法、イオン
プレーティング法、レーザーアブレーション法などによ
り圧電体薄膜120が形成される。圧電体としては、A
lN、ZnO、LiNbO3、LiTaO3、KNb
O 3、PZT(PbZrxTi(1-x)O3)などが用いられ
る。
140及びくし型電極160が形成される。くし型電極
140は、入力端子142及び入力端子144を、くし
型電極160は、出力端子162及び出力端子164を
備える。
ダイヤモンド薄膜240の水素含有量が原子比で5%以
下であることにより、2次セザワにおいて伝搬速度が9
000m/sという高い伝搬速度を実現する。また、ダ
イヤモンド基板200は、ダイヤモンド薄膜240の水
素含有量が原子比で1%以上であることにより、2.5
GHzの表面弾性波素子に適用された際の伝搬損失が
0.022dB/λ以下になり、(220)強度比(I
(220)/IT)が0.8以上であることにより、Q値が7
00以上になる。このような高い伝搬速度、小さい伝搬
損失、大きいQ値を同時に実現するのは本発明が初めて
であり、このダイヤモンド基板により低損失で優れた周
波数特性を持つ高周波数対応の表面弾性波素子を実現で
きる。
容を更に具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例
に限定されるものではない。
て、厚さ0.8mmのシリコンウェハ220上に厚さ2
0μmのダイヤモンド薄膜240を形成した。フィラメ
ントにはW線を用いた。フィラメントの温度は2100
〜2200℃程度、シリコンウェハ220の温度は70
0〜800℃程度とした。原料ガスとしては、水素及び
メタンを用いた。水素ガス流量は500〜5000sc
cmとし、メタンガス流量の水素ガス流量に対する比率
は、0.5〜5.0%とした。ガス圧力は、5〜120
torrとした。
0を金属ホルダに固定した後、ダイヤモンド砥粒を含む
砥石を使った機械研磨によりダイヤモンド薄膜240を
平滑化した。ダイヤモンド砥粒の平均直径が20μm、
ボンドの表面からダイヤモンド砥粒の先端平坦面までの
距離が2μm、ダイヤモンド砥粒の先端平坦面の最大長
さが6μmの砥石を用いた。研磨条件は、砥石回転数2
00rpm、ホルダ回転数200rpm、荷重4kgと
した。表1に、ダイヤモンド薄膜240の成膜条件を示
す。
Fスパッタリング法により厚さ500nmのZnO膜
(圧電体薄膜120)を形成した。
厚さ80nmのAl膜を形成した。Al膜の一部をフォ
トリソグラフィーにより除去し、くし形電極140及び
くし形電極160を形成した。表面弾性波の波長をλ=
4μmとし、くし形電極140及びくし形電極160の
電極幅は1μm、電極交差幅は波長λの50倍、電極対
数は40対とした。
0)強度比、水素含有量(原子比)、表面の算術平均粗
さ(Ra)、表面弾性波の伝搬損失及び伝搬速度並びに
Q値についての実施例及び比較例を示す。なお、水素含
有量は、JAPANESE JOURNALOF APPLIED PHYSICS VOL23,
No.7, PP810-814に報告されている方法を用いて、赤外
吸収分析での3000cm-1付近のCHnの吸収ピーク
より求めることができる。また、表面の算術平均粗さ
(Ra)は、原子間力顕微鏡(AFM)により測定する
ことができる。
ンド薄膜240の(220)強度比を0.80以上、水
素含有量を原子比で1%以上5%以下に調整し、かつ表
面の算術平均粗さ(Ra)が20nm以下になるように
研磨することにより、好適な伝搬損失、伝搬速度及びQ
値(2.5GHzの表面弾性波の伝搬損失が0.022
dB/λ以下であり、かつ2次セザワ波の伝搬速度が9
000m/s以上、Q値が700以上)が実現された。
このようなダイヤモンド基板200を適用することによ
り、2.5GHz以上の高周波数域でも使用可能で、挿
入損失が小さくかつ優れた周波数特性を有する表面弾性
波素子が実現される。
(220)強度比が0.75、0.71と小さいためQ
値が小さくなるという問題が生じた。比較例1−3で
は、水素含有量が0.3%と少なく、結晶粒界での表面
弾性波の散乱が大きいため伝搬損失が増大するという問
題が生じた。比較例1−4では、表面の算術平均粗さ
(Ra)が25nmと大きく、表面弾性波の散乱が大き
いため伝搬損失が増大するという問題が生じた。比較例
1−5では、水素含有量が6.8%と大きく、ダイヤモ
ンド薄膜240の硬度低下(弾性率低下)により伝搬速
度が低下するという問題が生じた。
クロ波CVD法を用いて、厚さ1.0mmのシリコンウ
ェハ220上に厚さ20μmのダイヤモンド薄膜240
を形成した。シリコンウェハ220の温度は700〜8
00℃程度とした。原料ガスとしては、水素及びメタン
を用いた。水素ガス流量は500〜5000sccmと
し、メタンガス流量の水素ガス流量に対する比率は、
0.5〜5.0%とした。ガス圧力は、5〜120to
rrとした。
1と同様に、研磨により平滑化した。また、実施例1と
同様に、ダイヤモンド基板200を適用して表面弾性波
素子100を作製した。
0)強度比、水素含有量、表面の算術平均粗さ(R
a)、ラマン分光分析におけるピークの半値幅、表面弾
性波の伝搬損失及び伝搬速度並びにQ値についての実施
例及び比較例を示す。図3にダイヤモンド薄膜のラマン
分光分析におけるスペクトルの例を示す。図3に示され
る波数1333cm-1付近のピークが、ダイヤモンドの
ピークである。当該ピークにはラマン効果により幅がで
きる。
半値幅が10cm-1以上になるようにダイヤモンド薄膜
240の結晶性を調整することにより、好適な伝搬損
失、伝搬速度及びQ値(2.5GHzの表面弾性波の伝
搬損失が0.022dB/λ以下であり、かつ2次セザ
ワ波の伝搬速度が9000m/s以上、Q値が700以
上)が実現された。このようなダイヤモンド基板200
を適用することにより、2.5GHz以上の高周波数域
でも使用可能で、挿入損失が小さくかつ優れた周波数特
性を有する表面弾性波素子が実現される。
ピークの半値幅が5cm-1、8cm -1と小さく、表面弾
性波の散乱が大きいため伝搬損失が増大するという問題
が生じた。比較例2−3では、(220)強度比、水素
含有量及び表面粗さ(Ra)の値は好適であるが、半値
幅が9cm-1と小さく、伝搬損失を減少させる効果が相
対的に小さかった。
て、厚さ0.8mmのシリコンウェハ220上に厚さ2
0μmのダイヤモンド薄膜240を形成した。フィラメ
ントにはW線を用いた。フィラメントの温度は2100
〜2200℃程度、シリコンウェハ220の温度は70
0〜800℃程度とした。原料ガスとしては、水素及び
メタンを用いた。水素ガス流量は500〜5000sc
cmとし、メタンガス流量の水素ガス流量に対する比率
は、0.5〜5.0%とした。ガス圧力は、5〜120
torrとした。
1と同様に、研磨により平滑化した。また、実施例1と
同様に、ダイヤモンド基板200を適用して表面弾性波
素子100を作製した。
0)強度比、水素含有量、表面の算術平均粗さ(R
a)、硬度(荷重500gで測定したヌープ硬度)、表
面弾性波の伝搬損失及び伝搬速度並びにQ値についての
実施例及び比較例を示す。
ンド薄膜240の荷重500gで測定したヌープ硬度が
6000kgf/mm2以上8500kgf/mm2以下
になるように調整することにより、好適な伝搬損失、伝
搬速度及びQ値(2.5GHzの表面弾性波の伝搬損失
が0.022dB/λ以下であり、かつ2次セザワ波の
伝搬速度が9000m/s以上、Q値が700以上)が
実現された。このようなダイヤモンド基板200を適用
することにより、2.5GHz以上の高周波数域でも使
用可能で、挿入損失が小さくかつ優れた周波数特性を有
する表面弾性波素子が実現される。
たヌープ硬度が5300kgf/mm2と小さく、伝搬
速度が低下するという問題が生じた。比較例3−2で
は、荷重500gで測定したヌープ硬度が9400kg
f/mm2と大きく、結晶粒界での表面弾性波の散乱が
大きいため伝搬損失が増大するという問題が生じた。比
較例3−3では、(220)強度比、水素含有量及び表
面粗さ(Ra)の値は好適であるが、荷重500gで測
定したヌープ硬度が5500kgf/mm2と小さく、
伝搬速度を上昇させる効果が相対的に小さかった。比較
例3−4では、(220)強度比、水素含有量及び表面
粗さ(Ra)の値は好適であるが、荷重500gで測定
したヌープ硬度が8700kgf/mm2と大きく、伝
搬損失を減少させる効果が相対的に小さかった。
て、厚さ1.0mmのシリコンウェハ220上に厚さ2
0μmのダイヤモンド薄膜240を形成した。フィラメ
ントにはW線を用いた。フィラメントの温度は2100
〜2200℃程度、シリコンウェハ220の温度は70
0〜800℃程度とした。原料ガスとしては、水素及び
メタンを用いた。水素ガス流量は500〜5000sc
cmとし、メタンガス流量の水素ガス流量に対する比率
は、0.5〜5.0%とした。ガス圧力は、5〜120
torrとした。
1と同様に、研磨により平滑化した。また、実施例1と
同様に、ダイヤモンド基板200を適用して表面弾性波
素子100を作製した。
0)強度比、水素含有量、表面の算術平均粗さ(R
a)、ダイヤモンド結晶の平均粒径、表面弾性波の伝搬
損失及び伝搬速度並びにQ値についての実施例及び比較
例を示す。なお、結晶粒径は、走査型電子顕微鏡(SE
M)により測定することができる。図4にダイヤモンド
薄膜を走査型電子顕微鏡(SEM)で観察した例を示
す。
ンド薄膜240におけるダイヤモンド結晶の平均粒径が
1μm以下になるように調整することにより、好適な伝
搬損失、伝搬速度及びQ値(2.5GHzの表面弾性波
の伝搬損失が0.022dB/λ以下であり、かつ2次
セザワ波の伝搬速度が9000m/s以上、Q値が70
0以上)が実現された。このようなダイヤモンド基板2
00を適用することにより、2.5GHz以上の高周波
数域でも使用可能で、挿入損失が小さくかつ優れた周波
数特性を有する表面弾性波素子が実現される。
ぞれ、ダイヤモンド薄膜240におけるダイヤモンド結
晶の平均粒径が2.0μm、3.0μmと大きく、表面
弾性波が散乱されやすくなり、伝搬損失が増大するとい
う問題が生じた。比較例4−3では、(220)強度
比、水素含有量及び表面粗さ(Ra)の値は好適である
が、ダイヤモンド薄膜240におけるダイヤモンド結晶
の平均粒径が2.0μmと大きく、伝搬損失を減少させ
る効果が相対的に小さかった。
て、厚さ1.2mmのシリコンウェハ220上に厚さ3
0μmのダイヤモンド薄膜240を形成した。フィラメ
ントにはW線を用いた。フィラメントの温度は2100
〜2200℃程度、シリコンウェハ220の温度は70
0〜800℃程度とした。原料ガスとしては、水素及び
メタンを用いた。水素ガス流量は1500sccmと
し、メタンガス流量は60sccmとした。ガス圧力は
20torrとした。
%、(220)強度比が0.88のダイヤモンド基板2
00が得られた。ダイヤモンド基板200を金属ホルダ
に固定した後、平均直径が30μmのダイヤモンド砥粒
を含む砥石を使った機械研磨によりダイヤモンド薄膜2
40を平滑化した。砥石におけるボンドの表面からダイ
ヤモンド砥粒の先端平坦面までの距離及びダイヤモンド
砥粒の先端平坦面の最大長さ並びに研磨時の荷重を表5
に示す。研磨条件は、砥石回転数200rpm、ホルダ
回転数200rpmとした。
0を適用して表面弾性波素子100を作製した。
算術平均粗さ(Ra)、表面弾性波の伝搬損失及び伝搬
速度並びにQ値についての実施例及び比較例を示す。
ンド薄膜240の表面の算術平均粗さ(Ra)を10n
m以下になるよう調整することにより、表面弾性波の散
乱が小さくなり、好適な伝搬損失、伝搬速度及びQ値
(2.5GHzの表面弾性波の伝搬損失が0.022d
B/λ以下であり、かつ2次セザワ波の伝搬速度が90
00m/s以上、Q値が700以上)が実現された。こ
のようなダイヤモンド基板200を適用することによ
り、2.5GHz以上の高周波数域でも使用可能で、挿
入損失が小さくかつ優れた周波数特性を有する表面弾性
波素子が実現される。
0の表面の算術平均粗さ(Ra)が26nmと大きく、
表面弾性波の散乱が大きくなるため伝搬損失が増大し
た。比較例5−1では、ダイヤモンド薄膜240の表面
の算術平均粗さ(Ra)が15nmと大きく、相対的
に、伝搬損失減少の効果が小さかった。
面弾性波の伝搬速度が大きく、かつ伝搬損失が小さいダ
イヤモンド薄膜であって、周波数特性の優れた表面弾性
波素子を実現させるダイヤモンド薄膜を備える表面弾性
波素子用ダイヤモンド基板及び表面弾性波素子が実現さ
れる。
式斜視図である。
面図である。
ペクトルの一例である。
M)で観察した一例である。
ある。
0、160…くし型電極、142、144…入力端子、
162、164…出力端子、200…ダイヤモンド基
板、220…シリコンウェハ、240…ダイヤモンド薄
膜。
Claims (6)
- 【請求項1】 基板と、前記基板上に形成されるダイヤ
モンド薄膜により構成される表面弾性波素子用ダイヤモ
ンド基板であって、前記ダイヤモンド薄膜の水素含有量
が原子比で1%以上5%以下であり、前記ダイヤモンド
薄膜の表面の算術平均粗さ(Ra)が20nm以下であ
り、前記ダイヤモンド薄膜をX線回析測定した際のダイ
ヤモンド結晶面(220)のピーク強度I(220)と、ダイ
ヤモンド結晶面(111)、(220)、(311)、
(400)及び(331)のピーク強度の合計ITとの比
I(220)/ITが0.8以上であることを特徴とする表面弾
性波素子用ダイヤモンド基板。 - 【請求項2】 前記ダイヤモンド薄膜が、ラマン分光分
析において、波数1333cm-1付近にピークを有し、
前記ピークの半値幅が10cm-1以上であることを特徴
とする請求項1記載の表面弾性波素子用ダイヤモンド基
板。 - 【請求項3】 前記ダイヤモンド薄膜の荷重500gで
測定したヌープ硬度が6000kgf/mm2以上85
00kgf/mm2以下であることを特徴とする請求項
1記載の表面弾性波素子用ダイヤモンド基板。 - 【請求項4】 前記ダイヤモンド薄膜におけるダイヤモ
ンド結晶の平均粒径が1μm以下であることを特徴とす
る請求項1記載の表面弾性波素子用ダイヤモンド基板。 - 【請求項5】 前記ダイヤモンド薄膜の表面の算術平均
粗さ(Ra)が10nm以下であることを特徴とする請
求項1記載の表面弾性波素子用ダイヤモンド基板。 - 【請求項6】 請求項1ないし5のいずれか1項に記載
の表面弾性波素子用ダイヤモンド基板の上に圧電体薄膜
が形成され、前記圧電体薄膜の上にくし型電極が形成さ
れることを特徴とする表面弾性波素子。
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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WO2007102444A1 (en) * | 2006-03-07 | 2007-09-13 | Ebara Corporation | Method for production of diamond electrodes |
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JP2020096220A (ja) * | 2018-12-10 | 2020-06-18 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置、高周波フロントエンド回路及び通信装置 |
-
2002
- 2002-01-30 JP JP2002022249A patent/JP2003221294A/ja active Pending
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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