JP2003218406A - 発光装置 - Google Patents

発光装置

Info

Publication number
JP2003218406A
JP2003218406A JP2002016181A JP2002016181A JP2003218406A JP 2003218406 A JP2003218406 A JP 2003218406A JP 2002016181 A JP2002016181 A JP 2002016181A JP 2002016181 A JP2002016181 A JP 2002016181A JP 2003218406 A JP2003218406 A JP 2003218406A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light emitting
component
emitting device
epoxy
weight
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP2002016181A
Other languages
English (en)
Inventor
Akira Mabuchi
彰 馬淵
Masahito Kawamura
雅人 河村
Kanae Matsumura
佳苗 松村
Takemasa Yasukawa
武正 安川
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toyoda Gosei Co Ltd
Original Assignee
Toyoda Gosei Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toyoda Gosei Co Ltd filed Critical Toyoda Gosei Co Ltd
Priority to JP2002016181A priority Critical patent/JP2003218406A/ja
Priority to US10/349,165 priority patent/US6730942B2/en
Publication of JP2003218406A publication Critical patent/JP2003218406A/ja
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32245—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32245—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/32257—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic the layer connector connecting to a bonding area disposed in a recess of the surface of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48257—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a die pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/491—Disposition
    • H01L2224/49105—Connecting at different heights
    • H01L2224/49107—Connecting at different heights on the semiconductor or solid-state body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265—Layer and wire connectors

Landscapes

  • Epoxy Resins (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Led Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 耐変色性及び耐割れ性に優れた短波長発光素
子用の封止部材を提供する。 【構成】 芳香族エポキシ、好ましくはビスフェノール
Ａ型エポキシを水素化して得られる脂環式エポキシから
なる第１成分と、該第１成分より分子量が小さい脂環式
エポキシからなる第２成分とを含む主剤であって、該第
２成分の配合量が１０重量％以上３０重量％未満である
主剤、及び酸無水物からなる硬化剤を含んでなる封止部
材。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は発光装置に関する。更に
詳しくは、ＬＥＤなどのIII族窒化物系化合物半導体発
光素子（以下、単に「発光素子」という）を光源とする
発光装置の封止部材の改良に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般的な発光装置ではマウントリードの
カップ部にＬＥＤがマウントされ、このＬＥＤが導電性
ワイヤーによりインナーリードに連結される。ＬＥＤは
導電性ワイヤー、マウントリードの一部及びインナーリ
ードの一部とともに透光性樹脂からなる封止部材により
被覆される。
【０００３】このような構成の発光装置において封止部
材は透明なエポキシ樹脂で形成されることが一般的であ
った。短い波長の光を放出する発光素子では封止部材の
変色が問題とされ、その原因がエポキシ樹脂中の２重結
合にあるという推定のもと、特開平１１−２７４５７１
号公報において脂環式エポキシ樹脂の使用が提案されて
いる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】脂環式エポキシ樹脂を
用いると封止部材の耐変色性は確かに向上するが、硬化
速度が著しく速かったり硬化後の歪が生じるなどの機械
的、物理的な特性が低下して割れが生じ易くなる。これ
らの点を考慮して、本出願人は特開２００１−１９６６
４２号公報において封止部材として、芳香族エポキシ樹
脂を水素化して得られ、芳香環の水素化率が８５％以上
で、エポキシ基の損失率が２０％以下であり、かつ全塩
素の含有量が０．３重量％以下である水素化エポキシ樹
脂を採用することを提案している。
【０００５】本発明は、上記特開２００１−１９６６４
２号公報に記載の発明と同様に耐変色性及び耐割れ性を
確保しつつ、当該先願発明を改良して新規な組成の封止
部材を提供することを目的とする。更には、封止部材の
変色の原因が発光素子からの短波長光ばかりでなく、発
光素子の発熱にもあることが考えられるので、耐熱性に
も優れた封止部材を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、III族窒
化物系化合物半導体からなる発光素子とエポキシ樹脂と
の関係を鋭意検討した。その結果、芳香族エポキシを水
素化して得られる脂環式エポキシと、それより分子量の
小さい脂環式エポキシを一定の割合で配合することによ
り、光や熱に対して耐性が高く、劣化の少ない封止部材
を得ることができた。本発明は以上の知見に基づくもの
であり、次の構成からなる。III族窒化物系化合物半導
体発光素子と、該発光素子の光放出側を被覆する封止部
材と、を有する発光装置であって、前記封止部材は、芳
香族エポキシを水素化して得られる脂環式エポキシから
なる第１成分と、該第１成分より分子量が小さい脂環式
エポキシからなる第２成分とを含む主剤であって、該第
２成分の配合量が１０重量％以上３０重量％未満である
主剤、及び酸無水物からなる硬化剤を含む、ことを特徴
とする発光装置。
【０００７】このように構成された発光装置によれば、
封止部材の主剤として第１成分と第２成分とを所定の割
合で配合することにより、封止部材の耐変色性を維持し
つつ優れた機械的・物理的性質を確保できる。また、硬
化剤として酸無水物を選択することにより、硬化前に２
液性とすることが可能となり、特に封止部材を成形する
ときにその作業性が向上する。これにより、発光装置を
安価に提供できることとなる。
【０００８】以下、この発明の各構成要素について詳細
に説明する。 （主剤の第１成分）芳香族エポキシ樹脂を水素化して得
られる脂環式エポキシからなる第１成分として、特開平
１１−１９９６４５号公報で提案されているエポキシ樹
脂を用いることが出来る。かかるエポキシ樹脂は芳香族
エポキシ樹脂を水素化して得られ、芳香環の水素化率が
８５％以上で、エポキシ基の損失率が２０％以下であ
り、かつ全塩素の含有量が０．３重量％以下である水素
化エポキシ樹脂である。なお、本発明者らの検討によれ
ば、芳香族エポキシ樹脂において、ビスフェノールＡ型
エポキシの方がビスフェノールＦ型エポキシよりも好ま
しいことがわかった。これは、芳香族エポキシのベンゼ
ン環を完全に水素化することは困難な場合が多く、ベン
ゼン環が残ったときにベンゼン環に挟まれる部分が−Ｃ
Ｈ２−基であるＦ型では、そこが−Ｃ（ＣＨ３）２−基
であるＡ型よりも、Ｈが脱離してキノイド化しやすため
と考えられる。ビスフェノールＡ型エポキシを水素化し
たものを以下に示す。
【化１】
【０００９】この段落において、発明の開示を明確にす
るため、上記特開平１１−１９９６４５号公報の関連個
所を引用する。 （１）本発明は、（Ａ）芳香族エポキシ樹脂を水素化し
て得られる、芳香環の水素化率が８５％以上で、エポキ
シ基の損失率が２０％以下であり、かつ全塩素の含有量
が０．３重量％以下である水素化エポキシ樹脂及び
（Ｂ）エポキシ樹脂用硬化剤を含有する、エポキシ樹脂
組成物に関するものである。 （２）本発明は、上記水素化エポキシ樹脂１００重量部
に対し、エポキシ樹脂用硬化剤０．０１〜２００重量部
配合されてなる上記（１）の本発明のエポキシ樹脂組成
物に関する。 （３）本発明は、前記水素化エポキシ樹脂が、芳香族エ
ポキシ樹脂をエーテル系溶剤に溶解し、ロジウム又はル
テニウムをグラファイトに担持した触媒の存在下、加圧
下に水素化して得られた水素化エポキシ樹脂である、前
記（１）又は（２）の本発明のエポキシ樹脂組成物に関
する。 （４）本発明は、前記水素化エポキシ樹脂が、ビスフェ
ノールＡ型エポキシ樹脂を水素化して得られる液状のエ
ポキシ樹脂であり、回転型の粘度計で測定した２５℃に
おける粘度が２．５Ｐａ・ｓ以下である、前記（１）〜
（３）のいずれかに記載の本発明のエポキシ樹脂組成物
に関する。 （５）本発明は、前記水素化エポキシ樹脂が下記一般式
（１）で示されるエポキシ当量１５０〜２３０の範囲の
ノボラック型エポキシ樹脂を水素化して得られるエポキ
シ樹脂である、前記（１）〜（３）のいずれかに記載の
本発明のエポキシ樹脂組成物に関する。
【化２】 〔式中、Ｒ1 、Ｒ2 及びＲ3 は水素原子又は炭素数１〜
４のアルキル基を示し、ｎは０〜１０の数を示し、Ｚは
水素原子又は式
【化３】 （式中、Ｒ1 、Ｒ2 及びＲ3 は水素原子又は炭素数１〜
４のアルキル基を示す。）を示す。〕 （６）本発明は、前記水素化エポキシ樹脂が、全塩素の
含有量が０．３重量％以下であり、かつ加水分解性塩素
の含有量が０．１重量％以下である、前記（１）〜
（５）のいずれかに記載の本発明のエポキシ樹脂組成物
に関する。 （７）本発明は、エポキシ樹脂用硬化剤が、アミン類、
酸無水物類、多価フェノール類、イミダゾール類、ブレ
ンステッド酸塩類、ジシアンジアミド類、有機酸ヒドラ
ジッド類、ポリメルカプタン類及び有機ホスフィン類か
ら選ばれる化合物である、前記（１）〜（６）のいずれ
かに記載の本発明のエポキシ樹脂組成物に関する。 （８）本発明は、前記エポキシ樹脂硬化剤が、全硬化剤
中に占める芳香環の含有率が１０重量％以下である、前
記（１）〜（７）のいずれかに記載の本発明のエポキシ
樹脂組成物に関する。以下、本発明について詳細に説明
する。 （Ａ）成分：水素化エポキシ樹脂 本発明における（Ａ）成分の水素化エポキシ樹脂は、芳
香族エポキシ樹脂を水素化反応して得られる、芳香環の
水素化率が８５％以上で、エポキシ基の損失率が２０％
以下であり、かつ全塩素の含有量が０．３重量％以下の
エポキシ樹脂である。エポキシ樹脂中の芳香環の水素化
率は、芳香環が脂肪族環に変化した割合であり、核磁気
共鳴分析により求められる。エポキシ基の損失率は、エ
ポキシ基が水素化分解された割合であり、過塩素酸によ
り滴定することにより、エポキシ基の損失率を求めるこ
とができる。また、全塩素とは、エポキシ樹脂中に含有
する有機塩素及び無機塩素の総量のことであり、ビフェ
ニルナトリウムでエポキシ樹脂中の塩素を反応させた
後、硝酸銀で滴定することにより求められる。この
（Ａ）成分の水素化エポキシ樹脂の加水分解性塩素含量
は０．１重量％以下であることが電子部品の封止材用途
には好ましい。芳香環の水素化率が８５％未満である
と、エポキシ樹脂硬化物の耐候性が極端に低下するため
好ましくない。また、エポキシ基の損失率が２０％を越
えると、そのエポキシ樹脂硬化物の耐熱性が極端に低下
するため好ましくない。更に、全塩素含有量が０．３重
量％を超えると、耐湿性、高温電気特性及び耐候性が低
下するため、電気・電子材料用エポキシ樹脂として使用
するには好ましくない。 （水素化エポキシ樹脂の製造方法）本発明の（Ａ）成分
の水素化エポキシ樹脂は、芳香族エポキシ樹脂を、触媒
の存在下、加圧下で選択的に水素化反応を行うことによ
り得られる。芳香族エポキシ樹脂としては例えば、ビス
フェノールＡのジグリシジルエーテル、ビスフェノール
Ｆのジグリシジルエーテル及びビスフェノールＳのジグ
リシジルエーテル等のビスフェノール型エポキシ樹脂、
フェノールノボラックエポキシ、クレゾールノボラック
エポキシ及びヒドロキシベンズアルデヒドフェノールノ
ボラックエポキシ等のノボラック型のエポキシ樹脂、テ
トラヒドロキシフェニルメタンのグリシジルエーテル、
テトラヒドロキシベンゾフェノンのグリシジルエーテル
及びエポキシ化ポリビニルフェノール等の多官能型のエ
ポキシ樹脂等が挙げられる。これらの中で、ビスフェノ
ールＡ型エポキシ樹脂及び一般式（１）で示されるノボ
ラック型のエポキシ樹脂が低塩素という点で好ましい。
【化２】 〔式中、Ｒ1 、Ｒ2 及びＲ3 は水素原子又は炭素数１〜
４のアルキル基を示し、ｎは０〜１０の数を示し、Ｚは
水素原子又は式
【化３】 （式中、Ｒ1 、Ｒ2 及びＲ3 は水素原子又は炭素数１〜
４のアルキル基を示す。）を示す。〕 また、耐熱性及び耐湿性のバランスが特に要求される用
途には、回転型の粘度計で測定した２５℃における粘度
が２．５Ｐａ・ｓ以下である、水素化されたビスフェノ
ールＡ型エポキシ樹脂及び、一般式（１）で示されるノ
ボラック型のエポキシ樹脂、特に、Ｒ1 、Ｒ2 及びＲ3
が水素原子又はメチル基であり、エポキシ当量が１５０
〜２３０の芳香族エポキシ樹脂を水素化して製造したエ
ポキシ樹脂を用いるのがより好ましい。本発明の（Ａ）
成分の水素化エポキシ樹脂の製造方法は、テトラヒドロ
フラン、ジオキサン等のエーテル系の有機溶剤を用い
て、ロジウム又はルテニウムをグラファイト（六方晶結
晶の黒鉛）に担持した触媒の存在下、芳香環を選択的に
水素化する。グラファイトとしては、表面積が１０ｍ2
／ｇ以上、４００ｍ2 ／ｇ以下の範囲の担体を用いる。
反応は、圧力１〜３０ＭＰａ、温度３０〜１５０℃、反
応時間１〜２０時間の範囲内で行う。反応終了後、触媒
をろ過により除去し、減圧でエーテル系有機溶剤が実質
的に無くなるまで留去し、水素化エポキシ樹脂を得る。 （Ｂ）成分：エポキシ樹脂用硬化剤 本発明における（Ａ）成分の水素化エポキシ樹脂はエポ
キシ樹脂用硬化剤を用いて硬化させることができる。用
いられる（Ｂ）成分のエポキシ樹脂の硬化剤としては、
一般のエポキシ樹脂用硬化剤が用いられる。たとえば次
のものが挙げられる。 アミン類：ジエチレントリアミン、トリエチレンテ
トラミン、テトラエチレンペンタミン、Ｎ−アミノエチ
ルピペラジン、イソホロンジアミン、ビス（４−アミノ
シクロヘキシル）メタン、ビス（アミノメチル）シクロ
ヘキサン、ｍ−キシリレンジアミン、３，９−ビス（３
−アミノプロピル）−２，４，８，１０−テトラスピロ
〔５，５〕ウンデカン等の脂肪族及び脂環族アミン類；
メタフェニレンジアミン、ジアミノジフェニルメタン、
ジアミノジフェニルスルホン等の芳香族アミン類；ベン
ジルジメチルアミン、２，４，６−トリス（ジメチルア
ミノメチル）フェノール、１，８−ジアザビシクロ
（５，４，０）ウンデセン−７、１，５−ジアザビシク
ロ（４，３，０）ノネン−５等の３級アミン類及びその
塩類。 酸無水物類：無水フタル酸、無水トリメリット酸、
無水ピロメリット酸等の芳香族酸無水物類、無水テトラ
ヒドロフタル酸、無水メチルテトラヒドロフタル酸、無
水ヘキサヒドロフタル酸、無水メチルヘキサヒドロフタ
ル酸、無水メチルエンドメチレンテトラヒドロフタル
酸、無水ドデセニルコハク酸、無水トリアルキルテトラ
ヒドロフタル酸等の環状脂肪族酸無水物類。 多価フェノール類：カテコール、レゾルシン、ハイ
ドロキノン、ビスフェノールＦ、ビスフェノールＡ、ビ
スフェノールＳ、ビスフェノール、フェノールノボラッ
ク類、クレゾールノボラック類、ビスフェノールＡ等の
２価フェノールのノボラック化物類、トリスヒドロキシ
フェニルメタン類、アラルキルポリフェノール類、ジシ
クロペンタジエンポリフェノール類等。 ポリアミノアミド：のアミン類とダイマー酸との
縮合反応で得られるポリアミノアミド、例えばヘンケル
社のバーサミド（商品名）１４０、１２５（グレード
名）等。 その他：２−メチルイミダゾール、２−エチル−４
−イミダゾール及び２−フェニルイミダゾール等のイミ
ダゾール系化合物及びその塩類、アミンのＢＦ3錯体化
合物、脂肪族スルホニウム塩及び芳香族スルホニウム塩
等のブレンステッド酸塩類、ジシアンジアミド類、アジ
ピン酸ジヒドラジッド及びフタル酸ジヒドラジッド等の
有機酸ヒドラジッド類、ポリメルカプタン類、トリフェ
ニルホスフィン等の有機ホスフィン化合物類等。これら
のエポキシ樹脂用硬化剤は、単独で使用してもよいが、
２種以上を併用して使用することも可能である。上記し
たエポキシ樹脂用硬化剤は、全硬化剤中に占める芳香環
の含有率が、１０重量％以下であるように使用するのが
好ましい。芳香環の含有率が１０重量％を越えると、エ
ポキシ硬化物の耐候性が低下するため好ましくない。ま
た、（Ａ）成分の水素化エポキシ樹脂及び（Ｂ）成分の
エポキシ樹脂用硬化剤の配合割合は、（Ａ）成分の水素
化エポキシ樹脂１００重量部に対して、（Ｂ）成分のエ
ポキシ樹脂用硬化剤が０．０１〜２００重量部、好まし
くは、０．１〜１５０重量部の範囲内となるよう配合す
る。上記範囲を外れると、エポキシ樹脂硬化物の耐熱性
及び耐湿性のバランスが悪くなるため好ましくない。
（任意成分）本発明のエポキシ樹脂組成物には、必要に
応じて次の成分を添加配合することができる。 粉末状の補強剤や充填剤、たとえば酸化アルミニウ
ム、酸化マグネシウムなどの金属酸化物、炭酸カルシウ
ム、炭酸マグネシウムなどの金属炭酸塩、ケイソウ土
粉、塩基性ケイ酸マグネシウム、焼成クレイ、微粉末シ
リカ、溶融シリカ、結晶シリカなどのケイ素化合物、水
酸化アルミニウムなどの金属水酸化物、その他、カオリ
ン、マイカ、石英粉末、グラファイト、二硫化モリブデ
ン等、さらに繊維質の補強剤や充填剤、たとえばガラス
繊維、セラミック繊維、カーボンファイバー、アルミナ
繊維、炭化ケイ素繊維、ボロン繊維、ポリエステル繊維
及びポリアミド繊維等である。これらはエポキシ樹脂と
硬化剤の和の１００重量部に対して、１０〜９００重量
部配合される。 着色剤、顔料、難燃剤、たとえば二酸化チタン、鉄
黒、モリブデン赤、紺青、群青、カドミウム黄、カドミ
ウム赤、三酸化アンチモン、赤燐、ブロム化合物及びト
リフェニルホスフェイト等である。これらはエポキシ樹
脂と硬化剤の和の１００重量部に対して、０．１〜２０
重量部配合される。 さらに、最終的な塗膜、接着層、成形品などにおけ
る樹脂の性質を改善する目的で種々の硬化性モノマー、
オリゴマー及び合成樹脂を配合することができる。たと
えば、モノエポキシ等のエポキシ樹脂用希釈剤、フェノ
ール樹脂、アルキド樹脂、メラミン樹脂、フッ素樹脂、
塩化ビニル樹脂、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、ポリ
エステル樹脂等の１種又は２種以上の組み合わせを挙げ
ることができる。これら樹脂類の配合割合は、本発明の
樹脂組成物の本来の性質を損なわない範囲の量、すなわ
ちエポキシ樹脂と硬化剤の和の１００重量部に対して５
０重量部以下が好ましい。本発明のエポキシ樹脂、エポ
キシ樹脂用硬化剤及び任意成分の配合手段としては、加
熱溶融混合、ロール、ニーダーによる溶融混練、適当な
有機溶剤を用いての湿式混合及び乾式混合等が挙げられ
る。
【００１０】（主剤の第２成分）芳香族エポキシを水素
化して得られる第１成分の脂環式エポキシに比べ、この
第２成分の脂環式エポキシはその分子量が小さい。この
ように分子量の小さな第２成分の脂環式エポキシは第１
成分の脂環式エポキシを架橋するように作用し、エポキ
シ樹脂の耐熱性を向上させる。その結果、耐変色性が向
上し、また封止部材の機械的・物理的特性、即ち耐割れ
性が向上する。第２成分の脂環式エポキシはエポキシシ
クロヘキセニル基を含むものが好ましく、例えば、3,4-
エポキシシクロヘキセニルメチル3',4'-エポキシシクロ
ヘキセンカルボキシレート（化４参照）を用いることが
できる。
【化４】
【００１１】（第１成分と第２成分との配合比）第１成
分と第２成分の配合比は、主剤において、第２成分が１
０重量％以上３０重量％未満とすることが好ましい。図
１に示すように、第２成分の配合比が１０重量％に満た
ないと、耐変色性が十分でなくなる。他方、第２成分の
配合が不必要に多いと、耐割れ性が十分でなくなるの
で、この発明では第２成分の上限を３０重量％未満とし
た。なお、図１は、第１成分(ジャパンエポキシレジン
(株)製、商品名：エピコ−トＹＬ６６６３)と第２成分
（ダイセル化学(株)製、商品名：セロキサイド２０２１
Ｐ）との配合比（横軸参照）に対する高温加速試験（１
５０℃、２４時間）後の全光束（ＬＥＤから放出される
光の全量）変化量（縦軸参照）の関係を示している。第
１成分と第２成分のより好ましい配合比は、主剤におい
て、第２成分が１０重量％以上２５重量％以下であり、
更に好ましくは１０重量％以上２０重量％未満である。
【００１２】（硬化剤）この発明では、硬化剤として酸
無水物を採用した。硬化剤として用いられる酸無水物
は、その構造中に二重結合を含まないものが好ましい。
硬化剤自体の変色を防止するためである。硬化剤として
例えば4-メチルヘキサヒドロ無水フタル酸（化学式
５）、等を挙げることができる。
【化５】 硬化剤として酸無水物は、主剤１００重量部に対して５
０〜１２０重量部配合することが好ましく、６０〜９０
重量部配合することが更に好ましい。
【００１３】硬化剤としてカチオン重合触媒を使用する
ことも考えられるが、カチオン重合触媒を使用した場合
は、酸無水物を使用した場合に比べて、耐変色性を確保
することが困難になる。これは、熱と光が影響してカチ
オン重合触媒（スルホニウム塩）がエポキシ樹脂の変色
を促進するためと考えられる。ただし、適当な酸化防止
剤及び／又は光安定剤を選択配合することにより、カチ
オン重合触媒によるエポキシ樹脂の変色を抑制すること
が可能である。カチオン重合触媒を用いると、エポキシ
環が開裂してエポキシ基同士が反応してエーテル結合を
形成する。カチオン重合触媒は一般的に活性種及び官能
種を持たないので、エポキシ樹脂中に残存してもIII族
窒化物系化合物半導体発光素子からの光に対して不活性
である。かかるカチオン重合触媒として、スルホニウム
塩、アンモニウム塩及びホスホニウム塩等のオニウム塩
並びにシラノール・アルミニウム錯体等の周知のものが
利用可能である。例えば特許第2875479号、特開平2-289
611号公報、特開平11-29609号公報に記載のカチオン重
合触媒を例示できる。より好ましくはスルホニウム塩系
のカチオン重合触媒を用いる。カチオン重合触媒の配合
量は、当該触媒の性能に依存するが、エポキシ樹脂に対
して０．１〜５．０重量％配合することが好ましい。更
に好ましくは０．５〜１．５重量％である。
【００１４】なお、特開２００１−１９６６４２号公報
では、酸無水物に含まれるカルボニル基が活性種となっ
てエポキシの変色が促進されると考えていたが、その後
の検討の結果、エポキシに対する影響（特に熱の影響）
はカチオン重合触媒の場合の方が酸無水物よりも大きい
ことが判明している。
【００１５】（その他の助剤）その他の助剤としては既
述のように特開平１１−２７４５７１号公報で挙げられ
ているものを使用できることは勿論であるが、本発明者
は光安定剤に着目して検討を進めてきた。安定剤におい
てベンゼン環が含まれていると、そのベンゼン環が緑色
系ないし青色光を吸収する。従って、その配合量が多く
なると、発光効率を低下させるおそれがある。本発明者
らの検討によれば、緑色系ないし青色系の発光素子（主
発光波長ピーク：５５０〜４２０ｎｍ）を用いる場合、
安定剤の配合量は封止部材において１０重量％以下にす
ることが好ましい。好ましくは、０．１〜５重量％、更
に好ましくは０．２重量％程度である。このような安定
剤としてＢＨＴ（ジブチルヒドロキシトルエン）（化学
式６）などのフェノール系酸化防止剤を挙げることがで
きる。
【化６】 また安定剤としてＨＣＡ（化学式７）などのリン系光安
定剤を挙げることができる。
【化７】 発光素子が紫外光（主発光波長ピーク：４００〜３６０
ｎｍ）を発光するものである場合は、化学式６や化学式
７に示すようにベンゼン環を含む安定剤を配合させない
ことが好ましい。これはベンゼン環が紫外線を強く吸収
して変色するためである。
【００１６】添加剤として下記の蛍光体を添加すること
もできる。ＺｎＳ：Ｃｕ，Ａｕ，Ａｌ、ＺｎＳ：Ｃｕ，
Ａｌ、ＺｎＳ：Ｃｕ、ＺｎＳ：Ｍｎ、ＺｎＳ：Ｅｕ、Ｙ
ＶＯ ４：Ｅｕ、ＹＶＯ４：Ｃｅ、Ｙ２Ｏ２Ｓ：Ｅｕ、及
びＹ２Ｏ２Ｓ：Ｃｅの中から選ばれる一又は二以上の蛍
光体が用いられる。ここで、ＺｎＳ：Ｃｕ，Ａｕ，Ａｌ
とは、ＺｎＳを母体としてＣｕ、Ａｕ、及びＡｌで付活
したＺｎＳ系のフォトルミネセンス蛍光体であり、Ｚｎ
Ｓ：Ｃｕ，Ａｌ、ＺｎＳ：Ｃｕ、ＺｎＳ：Ｍｎ及びＺｎ
Ｓ：Ｅｕとは、同じくＺｎＳを母体としてそれぞれＣｕ
とＡｌ、Ｃｕ、Ｍｎ、及びＥｕで付活したフォトルミネ
センス蛍光体である。同様に、ＹＶＯ４：Ｅｕ及びＹＶ
Ｏ４：ＣｅはＹＶＯ４を母体としてそれぞれＥｕ及びＣ
ｅで付活した蛍光体であり、Ｙ２Ｏ２Ｓ：Ｅｕ及びＹ２
Ｏ２Ｓ：ＣｅはＹ２Ｏ２を母体としてそれぞれＥｕ及び
Ｃｅで付活した蛍光体である。これらの蛍光体は、青色
〜緑色の光に対して吸収スペクトルを有し、励起波長よ
りも波長の長い光を発光する。上記蛍光体の中でも、Ｚ
ｎＳ：Ｅｕ、ＹＶＯ４：Ｃｅ及びＹ２Ｏ２Ｓ：Ｃｅは、
青色〜緑色の励起光に対する発光波長がその他の蛍光体
と比較して長いため、即ち、これらの蛍光体からの発光
色はより赤色系であって、その結果、これらの蛍光体か
ら発せられる光と一次光源である発光素子からの光との
混合により得られる光はより白色に近い色となる。この
ように、より白色に近い発光色を得るためには、Ｚｎ
Ｓ：Ｅｕ、ＹＶＯ４：Ｃｅ及びＹ２Ｏ２Ｓ：Ｃｅの中か
ら選ばれる一又は二以上を蛍光体として選択することが
好ましい。また、ＣａＳ：Ｅｕを蛍光体として使用する
こともできる。かかる蛍光体によれば赤色系の蛍光が得
られる。更には、特許第２９２７２７９号にあるよう
に、セリウムで付活されたイットリウム・アルミニウム
・ガーネット系蛍光体を使用することもできる。セリウ
ムの付活を省略することもできる。イットリウム・アル
ミニウム・ガーネット系蛍光体において、イットリウム
の一部あるいは全体を、Ｌｕ、Ｓｃ、Ｌａ、Ｇｄ及びＳ
ｍからなる群から選ばれる少なくとも１つの元素に置換
し、あるいは、アルミニウムの一部あるいは全体を、Ｇ
ａとＩｎの何れかまたは両方で置換することができる。
更に詳しくは、（ＲＥ１−ｘＳｍｘ）３（ＡｌｙＧａ
１−ｙ）５Ｏ１ ２：Ｃｅ（但し、０≦ｘ＜１、０≦ｙ≦
１、ＲＥは、Ｙ、Ｇｄから選択される少なくとも一種）
である。この場合のIII族窒化物系化合物半導体発光素
子から放出された光は４００〜５３０ｎｍにピーク波長
を持つものとすることが好ましい。
【００１７】（封止部材の成形）このようにして調製さ
れたエポキシ樹脂により発光素子を囲繞する透光性の封
止部材が形成される。封止部材の形状は特に限定されな
いが、レンズ効果の得られるような砲弾型とすることが
好ましい。かかる封止部材の全ての部分が本願発明に係
るエポキシ樹脂で形成される必要はない。最も劣化が進
む発光素子の周囲を本願発明に係るエポキシ樹脂で形成
し、他の部分を他の透光性材料で形成することもでき
る。封止部材の製造時において、硬化剤及び各種助剤は
主剤及び硬化剤の一方若しくは双方に配合することが出
来る。
【００１８】（III族窒化物系化合物半導体）III族窒化
物系化合物半導体は、一般式としてＡｌＸＧａＹＩｎ
１−Ｘ−ＹＮ（０≦Ｘ≦１、０≦Ｙ≦１、０≦Ｘ＋Ｙ≦
１）で表され、ＡｌＮ、ＧａＮ及びＩｎＮのいわゆる２
元系、ＡｌｘＧａ１−ｘＮ、ＡｌｘＩｎ１−ｘＮ及びＧ
ａｘＩｎ１−ｘＮ（以上において０＜ｘ＜１）のいわゆ
る３元系を包含する。III族元素の少なくとも一部をボ
ロン（Ｂ）、タリウム（Ｔｌ）等で置換しても良く、ま
た、窒素（Ｎ）の少なくとも一部もリン（Ｐ）、ヒ素
（Ａｓ）、アンチモン（Ｓｂ）、ビスマス（Ｂｉ）等で
置換できる。III族窒化物系化合物半導体層は任意のド
ーパントを含むものであっても良い。ｎ型不純物とし
て、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｅ、Ｔｅ、Ｃ等を用いることができ
る。ｐ型不純物として、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｂｅ、Ｃａ、Ｓ
ｒ、Ｂａ等を用いることができる。なお、ｐ型不純物を
ドープした後にIII族窒化物系化合物半導体を電子線照
射、プラズマ照射若しくは炉による加熱にさらすことも
可能であるが必須ではない。III族窒化物系化合物半導
体層の形成方法は特に限定されないが、周知の有機金属
気相成長法（ＭＯＣＶＤ法）、分子線結晶成長法（ＭＢ
Ｅ法）、ハライド系気相成長法（ＨＶＰＥ法）、スパッ
タ法、イオンプレーティング法、電子シャワー法等によ
って形成することができる。なお、発光素子の構成とし
ては、ホモ構造、ヘテロ構造若しくはダブルへテロ構造
のものを用いることができる。さらに、量子井戸構造
（単一量子井戸構造若しくは多重量子井戸構造）を採用
することもできる。
【００１９】（ペースト）ペーストは発光素子をリード
フレーム等へ固定するための接着剤であり、上記の主材
及び硬化材をベース材料として、各種の助剤が混合され
る。銀等の反射性材料を添加することによりいわゆる銀
ペーストとよばれる光反射性のペーストが得られる。ま
た、蛍光材料を添加することにより発光素子の光を波長
変換することも可能である。
【００２０】
【実施例】以下、実施例を用いて本発明の構成をより詳
細に説明する。III族窒化物系化合物半導体発光素子か
らなる発光素子として、豊田合成株式会社（出願人）の
提供する約４８５ｎｍにピーク波長を持つＬＥＤを用い
た。かかるＬＥＤの構成は次の通りである。 層 ： 組成 ｐ型層 ： ｐ−ＧａＮ：Ｍｇ 発光する層を含む層 ： ＩｎＧａＮ層を含む ｎ型層 ： ｎ−ＧａＮ：Ｓｉ バッファ層 ： ＡｌＮ 基板 ： サファイア
【００２１】図２に示すように、発光素子１０はリード
フレーム３０に設けられるカップ状部３３に接着剤２０
を用いてマウントされる。接着剤２０はエポキシ樹脂の
中に銀をフィラーとして混合させた銀ペーストである。
かかる銀ペーストを用いることにより発光素子１０から
の熱の放散がよくなる。尚、銀ペーストに換えて、透明
ペースト、白色ペースト等、他の公知の接着剤を用いて
もよい。発光素子１０のｐ電極及びｎ電極は、それぞれ
ワイヤ４１及び４０によりリードフレーム３１及び３０
にワイヤボンディングされる。このような発光素子１０
を後述する各実施例及び比較例の封止部材５０で被覆し
た。１００℃において発光素子１０に３０ｍＡの通電を
連続して行い、図２のＬＥＤ１の全光束の経時変化（全
光束の保持率）を測定した。結果を図３に示す。
【００２２】実施例及び比較例の樹脂組成は次の通りで
ある。なお、単位は全て重量部である。これらの一覧表
を図４に示した。 （実施例１）実施例１のエポキシ樹脂組成物は水素添加
により芳香族の二重結合を脂肪環としたビスフェノール
Ａ（以下、「水添ビスＡ」という）と、それより分子量
の小さい脂環式エポキシと、硬化剤として酸無水物を配
合してなるものであり、具体的には次の通りである。 エピコートＹＬ６６６３１） ８０ セロキサイドＣ２０２１Ｐ２） ２０ ＰＸＥ−４ＥＴ３） １ リカシッドＭＨ７００Ｇ４） ８７．５ １）：ジャパンエポキシレジン株式会社製の水添ビスＡ
型エポキシ樹脂の商品名、エポキシ等量２０５（ｇ／ｅ
ｑ） ２）：ダイセル化学株式会社製の脂肪族エポキシ樹脂の
商品名、エポキシ等量１２３（ｇ／ｅｑ） ３）：触媒（三新化学工業(株)製の触媒の商品名）
【化８】 ４）：酸無水物（新日本理化(株)製の酸無水物の商品
名）
【００２３】（実施例２） 実施例２のエポキシ樹脂組成物は上記実施例１と同じ組
成物に安定剤を配合してなるものであり、具体的には次
の通りである。 ＢＨＴ５） ０．１ ＨＣＡ６） ０．１ ５）：安定剤（化学式６参照） ６）：安定剤（化学式７参照）
【００２４】（実施例３）実施例３のエポキシ樹脂組成
物は上記実施例２と同じ組成物において安定剤の配合比
を変化させたものであり、具体的には次の通りである。 ＢＨＴ ０．２ ＨＣＡ ０．２
【００２５】（実施例４）実施例４のエポキシ樹脂組成
物は上記実施例２と同じ組成物において安定剤の配合比
を変化させたものであり、具体的には次の通りである。 ＢＨＴ ２ ＨＣＡ ２
【００２６】（実施例５）実施例５のエポキシ樹脂組成
物は上記実施例２と同じ組成物において安定剤の配合比
を変化させたものであり、具体的には次の通りである。 ＢＨＴ ４ ＨＣＡ ４
【００２７】（実施例６）実施例６のエポキシ樹脂組成
物はエポキシ等量の異なる水添ビスＡのブレンドと、そ
れより分子量の小さい脂環式エポキシと、硬化剤として
酸無水物を配合してなるものであり、具体的には次の通
りである。 エピコートＹＬ６６６３ ４０ エピコートＹＬ６８３４７） ４０ セロキサイドＣ２０２１Ｐ ２０ ＰＸＥ−４ＥＴ １ リカシッドＭＨ７００Ｇ ７４．５ ＢＨＴ ０．２ ＨＣＡ ０．２ ７）：ジャパンエポキシレジン株式会社の水添ビスフェ
ノールＡ型エポキシ樹脂の商品名、エポキシ等量２８７
（ｇ／ｅｑ）
【００２８】（実施例７）実施例７のエポキシ樹脂組成
物は上記実施例６と同じ組成物において水添ビスＡと酸
無水物の配合比を変化させたものであり、具体的には次
の通りである。 エピコートＹＬ６６６３ ０ エピコートＹＬ６８３４ ８０ リカシッドＭＨ７００Ｇ ６４．５
【００２９】（実施例８）実施例８のエポキシ樹脂組成
物は水添ビスＡと、硬化剤として酸無水物と、安定剤と
を配合してなるものであり、具体的には次の通りであ
る。 エピコートＹＬ６８３４ １００ ＰＸＥ−４ＥＴ １ リカシッドＭＨ７００Ｇ ５７．５ ＢＨＴ ０．２ ＨＣＡ ０．２
【００３０】（比較例１）比較例１のエポキシ樹脂組成
物はビスフェノールＡ（水素添加無し）と、それより分
子量の小さい脂環式エポキシと、硬化剤として酸無水物
と、安定剤とを配合してなるものであり、具体的には次
の通りである。 エピコート８２８ＥＬ８） ６０ セロキサイドＣ２０２１Ｐ ４０ ＰＸＥ−４ＥＴ １ リカシッドＭＨ７００Ｇ １００ ＢＨＴ ０．１ ＨＣＡ ０．１ ８）：ジャパンエポキシレジン株式会社製のビスＡ型エ
ポキシ樹脂の商品名、エポキシ等量１８６（ｇ／ｅｑ）
【００３１】図３の結果から分かるように、比較例に比
べて各実施例のエポキシ樹脂は時間が経過しても全光束
の保持率の低下が抑制される。特に、実施例６、７及び
８においては全光束の低下が殆どみられない。
【００３２】実施例１、２及び４において、硬化剤をカ
チオン重合触媒（スルホニウム塩、配合量：０．５重量
部）としたときの実施例９、１０及び１１（図５の表参
照）の全光束保持率の経時変化を図６に示す。図６から
わかるように、硬化剤としてカチオン重合触媒を用いる
と、酸無水物を用いた場合に比べて、全光束の低下が大
きくなる。これは、カチオン重合触媒が熱と光により活
性化されてエポキシ樹脂を変色させるためと考えられ
る。
【００３３】紫外光（ピーク波長：３８５ｎｍ）の発光
素子に対する実施例６、７及び８の変化について検討し
たところ、図７の結果を得た。図７の結果は、かかる紫
外線発光素子を各実施例の封止部材で被覆し、１００℃
において発光素子に３０ｍＡの通電を連続して行い、放
出される紫外線のパワーを測定したものである。他方、
実施例６、７及び８より安定剤及び安定剤を取り除いた
ものを実施例１２、１３及び１４として（図８の表参
照）、同様に紫外線のパワー保持率を測定した。図７の
結果より、紫外線に対して安定剤が大きく影響すること
が確認できた。この結果より、紫外線を放出する発光素
子用の封止部材においては、かかる安定剤を用いないよ
うにすることが好ましいことがわかった。
【００３４】この発明は、上記発明の実施の形態及び実
施例の説明に何ら限定されるものではない。特許請求の
範囲の記載を逸脱せず、当業者が容易に想到できる範囲
で種々の変形態様もこの発明に含まれる。
【００３５】以下、次ぎの事項を開示する。 ７ 前記発光素子の主発光ピークが５５０ｎｍ〜４２０
ｎｍであって、前記封止部材に１０重量％以下の安定剤
が含まれる、ことを特徴とする請求項１〜５のいずれか
に記載の発光装置。 ８ 前記発光素子の主発光ピークが紫外領域にあり、前
記封止部材にはベンゼン環を有する安定剤が含まれな
い、ことを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の
発光装置。 １１ III族窒化物系化合物半導体発光素子と、ダイボ
ンディングペーストと、を有する発光装置であって、前
記ペーストは、芳香族エポキシを水素化して得られる脂
環式エポキシからなる第１成分と、該第１成分より分子
量が小さい脂環式エポキシからなる第２成分とを含む主
剤であって、該第２成分の配合量が１０重量％以上３０
重量％未満である主剤、及び酸無水物からなる硬化剤を
含む、ことを特徴とする発光装置。 １２ 前記芳香族エポキシはビスフェノールＡ型エポキ
シである、ことを特徴とする１１に記載の発光装置。 １３ 前記主剤の第１成分は芳香環の水素化率が８５％
以上で、エポキシ基の損失率が２０％以下であり、かつ
全塩素の含有量が０．３重量％以下である、ことを特徴
とする１１又は１２に記載の発光装置。 １４ 前記主剤における前記第２成分の配合量が１０重
量％〜２５重量％である、ことを特徴とする１１〜１３
のいずれかに記載の発光装置。 １５ 前記発光素子の主発光ピーク波長が５５０ｎｍ以
下である、ことを特徴とする１１〜１４のいずれかに記
載の発光装置。 １６ 前記発光素子の主発光ピークが５５０ｎｍ〜４２
０ｎｍであって、前記ペーストに１０重量％以下の安定
剤が含まれる、ことを特徴とする１１〜１５のいずれか
に記載の発光装置。 １７ 前記発光素子の主発光ピークが紫外領域にあり、
前記ペーストにはベンゼン環を有する安定剤が含まれな
い、ことを特徴とする１１〜１５のいずれかに記載の発
光装置。 ２１ 芳香族エポキシを水素化して得られる脂環式エポ
キシからなる第１成分と、該第１成分より分子量が小さ
い脂環式エポキシからなる第２成分とを含む主剤であっ
て、該第２成分の配合量が１０重量％以上３０重量％未
満である主剤と、及び酸無水物からなる硬化剤と、を含
む、ことを特徴とする発光素子用の封止部材。 ２２ 前記芳香族エポキシはビスフェノールＡ型エポキ
シである、ことを特徴とする２１に記載の封止部材。 ２３ 前記主剤の第１成分は芳香環の水素化率が８５％
以上で、エポキシ基の損失率が２０％以下であり、かつ
全塩素の含有量が０．３重量％以下である、ことを特徴
とする２１又は２２に記載の封止部材。 ２４ 前記主剤における前記第２成分の配合量が１０重
量％〜２５重量％である、ことを特徴とする２１〜２３
のいずれかに記載の封止部材。 ２５ 前記発光素子の主発光ピーク波長が５５０ｎｍ以
下である、ことを特徴とする２１〜２４のいずれかに記
載の封止部材。 ２６ 前記発光素子の主発光ピークが５５０ｎｍ〜４２
０ｎｍであって、前記封止部材に１０重量％以下の安定
剤が含まれる、ことを特徴とする２１〜２５のいずれか
に記載の封止部材。 ２７ 前記発光素子の主発光ピークが紫外領域にあり、
前記封止部材にはベンゼン環を有する安定剤が含まれな
い、ことを特徴とする２１〜２５のいずれかに記載の封
止部材。 ３１ 芳香族エポキシを水素化して得られる脂環式エポ
キシからなる第１成分と、該第１成分より分子量が小さ
い脂環式エポキシからなる第２成分とを含む主剤であっ
て、該第２成分の配合量が１０重量％以上３０重量％未
満である主剤と、及び酸無水物からなる硬化剤と、を含
む、ことを特徴とする発光素子のダイボンディング用の
ペースト。 ３２ 前記芳香族エポキシはビスフェノールＡ型エポキ
シである、ことを特徴とする３１に記載のペースト。 ３３ 前記主剤の第１成分は芳香環の水素化率が８５％
以上で、エポキシ基の損失率が２０％以下であり、かつ
全塩素の含有量が０．３重量％以下である、ことを特徴
とする３１又は３２に記載のペースト。 ３４ 前記主剤における前記第２成分の配合量が１０重
量％〜２５重量％である、ことを特徴とする３１〜３３
のいずれかに記載のペースト。 ３５ 前記発光素子の主発光ピーク波長が５５０ｎｍ以
下である、ことを特徴とする３１〜３４のいずれかに記
載のペースト。 ３６ 前記発光素子の主発光ピークが５５０ｎｍ〜４２
０ｎｍであって、前記封止部材に１０重量％以下の安定
剤が含まれる、ことを特徴とする３１〜３５のいずれか
に記載のペースト。 ３７ 前記発光素子の主発光ピークが紫外領域にあり、
前記封止部材にはベンゼン環を有する安定剤が含まれな
い、ことを特徴とする３１〜３５のいずれかに記載のペ
ースト。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１は主剤における第１成分と第２成分の配合
比と耐変色性との関係を示すグラフ図である。
【図２】図２は実施例の発光装置の構成を模式的に示す
断面図である。
【図３】図３はこの発明の実施例１−８及び比較例１に
おける全光束保持率の経時変化を示すグラフである。
【図４】図４は実施例１−８及び比較例１の配合を示す
表図である。
【図５】図５は実施例１、２、４及び９−１１の配合を
示す表図である。
【図６】図６は実施例１、２、４及び９−１１における
全光束保持率の経時変化を示すグラフである。
【図７】図７は実施例６−８及び１２−１４における紫
外線パワーの経時変化を示すグラフである。
【図８】図８は実施例６−８及び１２−１４の配合を示
す表図である。
【符号の説明】
１０ ＬＥＤ ２０ 銀ペースト ３０ マウントリード ３１ インナーリード ５０ 封止部材
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 松村 佳苗 愛知県西春日井郡春日町大字落合字長畑１ 番地 豊田合成株式会社内 (72)発明者 安川 武正 愛知県西春日井郡春日町大字落合字長畑１ 番地 豊田合成株式会社内 Ｆターム(参考） 4J036 AB07 AD08 AF06 CC04 DA01 DB15 DC02 DC03 DC04 DC05 DC06 DC09 DC10 DC22 DC40 DD02 JA07 5F041 AA44 CA04 CA34 CA40 CA46 DA02 DA18 DA44

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 III族窒化物系化合物半導体発光素子
    と、 該発光素子の光放出側を被覆する封止部材と、を有する
    発光装置であって、 前記封止部材は、 芳香族エポキシを水素化して得られる脂環式エポキシか
    らなる第１成分と、該第１成分より分子量が小さい脂環
    式エポキシからなる第２成分とを含む主剤であって、該
    第２成分の配合量が１０重量％以上３０重量％未満であ
    る主剤、及び酸無水物からなる硬化剤を含む、ことを特
    徴とする発光装置。
  2. 【請求項２】 前記芳香族エポキシはビスフェノールＡ
    型エポキシである、ことを特徴とする請求項１に記載の
    発光装置。
  3. 【請求項３】 前記主剤の第１成分は芳香環の水素化率
    が８５％以上で、エポキシ基の損失率が２０％以下であ
    り、かつ全塩素の含有量が０．３重量％以下である、こ
    とを特徴とする請求項１又は２に記載の発光装置。
  4. 【請求項４】 前記主剤における前記第２成分の配合量
    が１０重量％〜２５重量％である、ことを特徴とする請
    求項１〜３のいずれかに記載の発光装置。
  5. 【請求項５】 前記発光素子の主発光ピーク波長が５５
    ０ｎｍ以下である、ことを特徴とする請求項１〜４のい
    ずれかに記載の発光装置。
  6. 【請求項６】 III族窒化物系化合物半導体発光素子
    と、 該発光素子の基板を固定するペーストと、を有する発光
    装置であって、 前記ペーストは、 芳香族エポキシを水素化して得られる脂環式エポキシか
    らなる第１成分と、該第１成分より分子量が小さい脂環
    式エポキシからなる第２成分とを含む主剤であって、該
    第２成分の配合量が１０重量％以上３０重量％未満であ
    る主剤、及び酸無水物からなる硬化剤を含む、ことを特
    徴とする発光装置。
JP2002016181A 2002-01-24 2002-01-24 発光装置 Withdrawn JP2003218406A (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002016181A JP2003218406A (ja) 2002-01-24 2002-01-24 発光装置
US10/349,165 US6730942B2 (en) 2002-01-24 2003-01-23 Light emitting apparatus

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002016181A JP2003218406A (ja) 2002-01-24 2002-01-24 発光装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2003218406A true JP2003218406A (ja) 2003-07-31

Family

ID=27652329

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2002016181A Withdrawn JP2003218406A (ja) 2002-01-24 2002-01-24 発光装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2003218406A (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005171120A (ja) * 2003-12-12 2005-06-30 Stanley Electric Co Ltd 熱硬化性樹脂組成物及び該組成物を封止剤とする発光ダイオード
JP2017510828A (ja) * 2013-12-20 2017-04-13 スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー 改善されたエッジ侵入を有する量子ドット物品
JP2018076538A (ja) * 2018-01-29 2018-05-17 京セラ株式会社 光半導体用エポキシ樹脂組成物および樹脂封止型電子部品装置

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005171120A (ja) * 2003-12-12 2005-06-30 Stanley Electric Co Ltd 熱硬化性樹脂組成物及び該組成物を封止剤とする発光ダイオード
JP2017510828A (ja) * 2013-12-20 2017-04-13 スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー 改善されたエッジ侵入を有する量子ドット物品
JP2018076538A (ja) * 2018-01-29 2018-05-17 京セラ株式会社 光半導体用エポキシ樹脂組成物および樹脂封止型電子部品装置

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6361761B2 (ja) 発光装置及びその製造方法並びに成形体
TWI433875B (zh) 二縮水甘油基異氰尿酸基改性有機聚矽氧烷以及含有該有機聚矽氧烷的組成物
JP5489280B2 (ja) 光半導体封止用エポキシ組成物
JP4876426B2 (ja) 耐熱性及び耐光性に優れる発光装置
JP5305452B2 (ja) 光半導体素子封止用樹脂組成物
JP2006328231A (ja) 光素子用封止樹脂組成物
JP2003176333A (ja) エポキシ樹脂組成物、該組成物で封入された固体素子デバイス及び封入方法
US6617787B2 (en) Light-emitting system with alicyclic epoxy sealing member
US6730942B2 (en) Light emitting apparatus
JP2008007782A (ja) オプトエレクトロニックデバイス
JP2011127011A (ja) 光半導体装置用封止剤及びそれを用いた光半導体装置
JP4088697B2 (ja) 変性ポリシロキサン及びそれを用いた硬化性樹脂組成物
JP5253260B2 (ja) Ｌｅｄ用蛍光樹脂組成物、それを用いた封止材及び蓄光材料
JPWO2012093591A1 (ja) 硬化性エポキシ樹脂組成物
JP2007056146A (ja) 光素子用封止樹脂組成物
JP2003212959A (ja) 発光装置
JP5445614B2 (ja) 光学素子封止材用エポキシ樹脂組成物
JP5653826B2 (ja) エポキシ化合物、エポキシ基含有シリコーン化合物および硬化性組成物
JP3795491B2 (ja) 光半導体封止用樹脂組成物および光半導体装置
JP2016160352A (ja) 硬化性エポキシ樹脂組成物
JP4736560B2 (ja) エポキシ樹脂組成物
JP4725186B2 (ja) 発光装置
JP5119770B2 (ja) 光学素子封止材用エポキシ樹脂組成物
JP2003218406A (ja) 発光装置
JP2014055220A (ja) 硬化性エポキシ樹脂組成物

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20040720

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20070228

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20070327

A761 Written withdrawal of application

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761

Effective date: 20070523