JP2003215162A - プローブカード及びこれを備えた半導体測定装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】待機時間を短縮しつつ被測定領域への確実な位
置合わせ及び探針の接触が可能なプローブカード及びこ
れを備えた半導体測定装置を提供する。 【解決手段】プローブカード１０は、その基板１１から
各探針１２が伸長され、被測定対象となる半導体ウェハ
Ｗａｆのチップ領域における各接触領域（パッドやバン
プ等）にテスト信号の授受が行われるものである。各探
針１２の伸長元に温度制御機構１３が設けられている。
温度制御機構１３は、基板１１側から伝達される電気的
な制御で各探針１２を冷却、加熱制御可能とし、ここで
はペルチェ方式のモジュール１３１が配備されている。
モジュール１３１への直流電流を制御することにより、
モジュール両表面それぞれが加熱（放熱）、冷却（吸
熱）される。電流の向きを切替えれば加熱面、冷却面を
切替えることもできる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、ウェハ状態におけ
るＬＳＩチップの電極部に探針を機械的に接触させて電
気的特性を測定するプローブカード及びこれを備えた半
導体測定装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】プローブカードは、ＬＳＩ製造の組立工
程前におけるウェハ状態でのチップ領域各々の試験に用
いられるものである。プローブカードは、被測定領域で
あるチップ領域の電極部（Ａｌパッド、Ａｕバンプ、は
んだバンプ等の上面）に対応して接触させる探針（プロ
ーブピン、ニードルまたはカンチレバーともいう）を有
する。この探針から被測定チップに対し、試験信号また
は試験パターンを入力する。

【０００３】プローブカードの探針は、例えば高温条件
下での試験等、半導体ウェハとの温度差が大きい場合熱
膨脹し、本来位置決めした位置から外れる恐れがある。
つまり、プローブカードの探針とウェハにおける大きな
温度差は、コンタクトずれ発生の原因となる。

【０００４】そこで、従来では任意の温度にされた測定
対象のウェハの上方数十μｍにプローブカードの探針を
待機させ、雰囲気によりプローブカードの探針の温度を
ウェハの温度に近付けるようにしていた。これにより、
プローブカードの探針は、熱膨脹分を含めた位置合わせ
に適合し、ウェハの被測定領域へ確実にコンタクトさせ
るよう構成されていた。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ウェハ
の温度雰囲気によってプローブカードの探針の温度を変
化させる構成では、非接触のため探針位置が安定するま
でに相当の待機時間が費やされる。結局この待機時間が
スループット低下の原因となる。

【０００６】本発明は上記のような事情を考慮してなさ
れたもので、待機時間を短縮しつつ被測定領域への確実
な位置合わせ及び探針の接触が可能なプローブカード及
びこれを備えた半導体測定装置を提供しようとするもの
である。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明の［請求項１］に
係るプローブカードは、前記各探針が伸長するプローブ
カードの基板と、前記各探針の伸長元に設けられ各探針
を冷却、加熱制御可能とした温度制御機構と、を具備し
たことを特徴とする。

【０００８】上記本発明に係るプローブカードによれ
ば、温度制御機構は各探針の伸長元に設けられ、基板側
から伝達される電気的な制御で各探針を冷却、加熱制御
可能とする。これにより、被測定対象の温度に短時間で
近付けるよう低温から高温まで各探針の温度を制御し、
探針の収縮、膨脹を加味した安定したプロービングを実
現させる。

【０００９】上記［請求項１］において、探針の収縮、
膨脹を加味した安定したプロービングを実現させるため
のより好ましい実施態様として、次の［請求項２］〜
［請求項６］に示すようないずれかのプローブカードが
有用である。

【００１０】［請求項２］として、前記温度制御機構
は、前記基板側から供給される駆動電流の制御で前記各
探針に所定範囲の温度を提供するペルチェ方式のモジュ
ールを含むことを特徴とする。

【００１１】［請求項３］として、前記温度制御機構
は、前記基板側から供給される駆動電流の制御で前記各
探針に所定範囲の温度を提供するペルチェ方式のモジュ
ールを含み、このモジュールの一方面側には冷媒供給機
構が設けられていることを特徴とする。

【００１２】［請求項４］として、前記温度制御機構
は、前記基板側から供給される駆動電流の制御で前記各
探針に所定範囲の温度を提供するペルチェ方式のモジュ
ールを含み、このモジュールの一方面側には冷媒供給機
構が設けられ、さらに別途前記各探針を加熱する加熱機
構が設けられていることを特徴とする。

【００１３】これら［請求項２］〜［請求項４］いずれ
かに係る［請求項５］として、前記ペルチェ方式のモジ
ュールは、前記基板側から供給される駆動電流の制御で
電流の向きが切替えられることによって前記各探針へ対
向させる側の面を冷却（吸熱）面または加熱（放熱）面
として機能させることを特徴とする。

【００１４】また、［請求項６］として、前記温度制御
機構は、少なくとも加熱機構及び冷媒供給機構が設けら
れ、加熱機構の稼動または冷媒供給の状態に応じて前記
各探針へ所定範囲の温度を提供することを特徴とする。
前記ペルチェ方式のモジュールを必ずしも持たない構成
でも実現可能である。

【００１５】その他［請求項７］として、上記［請求項
３］または［請求項４］または［請求項６］いずれかに
係る前記冷媒供給機構は、冷却液の循環制御または冷媒
ガスの循環制御を伴うことを特徴とする。

【００１６】そして、［請求項８］として、本発明に係
る半導体測定装置は、上述の［請求項１］〜［請求項
７］いずれか一つに記載のプローブカードを具備したこ
とを特徴とする。半導体測定装置として上記のようなプ
ローブカードを配備することは有用である。

【００１７】また、［請求項９］として、より好ましい
実施態様となる半導体測定装置は、被測定対象の半導体
ウェハの設置領域、この被測定対象における電気的特性
検査に関る信号の授受を担う信号伝達機構、及び前記電
気的特性検査に利用されるための信号の生成、解析に関
係するテストシステムが構築されたテスター本体を備え
た半導体測定装置であって、前記信号伝達機構に前記半
導体ウェハに対する信号の授受を行う各探針を備えたプ
ローブカードが含まれ、このプローブカードにおいて前
記テスター本体における信号制御で前記各探針を冷却、
加熱制御可能としたペルチェ方式のモジュールが配備さ
れていることを特徴とする。

【００１８】上記本発明に係る半導体測定装置によれ
ば、プローブカードにおいてペルチェ方式のモジュール
が配備され、テスター本体における信号制御でペルチェ
方式のモジュールが各探針を冷却、加熱制御する。これ
により、被測定対象の温度に短時間で近付けるよう低温
から高温まで各探針の温度が制御され、探針の収縮、膨
脹を加味した安定したプロービングを実現させる。

【００１９】さらに、［請求項９］に係る［請求項１
０］として、ペルチェ方式のモジュールの作用を有効に
利用するべく、次のような特徴を有する。前記プローブ
カードにおいて前記ペルチェ方式のモジュールの一方面
側に設けられた冷媒供給機構をさらに具備し、前記ペル
チェ方式のモジュールは前記テスター本体の制御により
前記各探針へ対向させる側の面を冷却（吸熱）面または
加熱（放熱）面として機能させると共に、前記冷媒供給
機構は前記テスター本体の制御により測定環境を整える
ようにように働くことを特徴とする。

【００２０】また、［請求項９］に係る［請求項１１］
として、ペルチェ方式のモジュールの作用を有効に利用
するべく、次のような特徴を有する。前記プローブカー
ドにおいて前記ペルチェ方式のモジュールの一方面側に
設けられた冷媒供給機構と、別途前記各探針を加熱する
加熱機構と、をさらに具備し、前記ペルチェ方式のモジ
ュールは前記テスター本体の制御により前記各探針へ対
向させる側の面を冷却（吸熱）面または加熱（放熱）面
として機能させると共に、前記冷媒供給機構及び加熱機
構は前記テスター本体の制御により測定環境を整えるよ
うにように働くことを特徴とする。

【００２１】［請求項１２］として、別のより好ましい
実施態様となる半導体測定装置は、被測定対象の半導体
ウェハの設置領域、この被測定対象における電気的特性
検査に関る信号の授受を担う信号伝達機構、及び前記電
気的特性検査に利用されるための信号の生成、解析に関
係するテストシステムが構築されたテスター本体を備え
た半導体測定装置であって、前記信号伝達機構に前記半
導体ウェハに対する信号の授受を行う各探針を備えたプ
ローブカードが含まれ、前記プローブカードにおいて前
記テスター本体における信号制御で前記各探針を冷却、
加熱制御可能とした加熱機構及び冷却機構がそれぞれ配
備されていることを特徴とする。

【００２２】上記本発明に係る半導体測定装置によれ
ば、ペルチェ方式のモジュールを必ずしも持たない構成
でもテスター本体における信号制御で各探針を冷却、加
熱制御する加熱機構及び冷却機構が配備可能である。こ
れにより、被測定対象の温度に短時間で近付けるよう低
温から高温まで各探針の温度が制御され、探針の収縮、
膨脹を加味した安定したプロービングを実現させる。

【００２３】

【発明の実施の形態】図１（ａ），（ｂ）は、それぞれ
本発明の第１実施形態に係るプローブカードの要部構成
を示す上面、断面概観図である。プローブカードＰ１
は、その基板１１の所定部から各探針１２が伸長され、
被測定対象となる半導体ウェハＷａｆのチップ領域にお
ける各接触領域（パッドやバンプ等）にテスト信号の授
受が行われるものである。テスト信号の授受は図示しな
いテスター本体からテストヘッドを介する伝達経路によ
り達成される。

【００２４】各探針１２の伸長元に熱伝導可能な温度制
御機構１３が設けられている。温度制御機構１３は、基
板１１側から伝達される電気的な制御で各探針１２を冷
却、加熱制御可能とするものであり、ここでは、ペルチ
ェ方式のモジュール（ペルチェモジュールという）１３
１を配備している。

【００２５】ペルチェモジュール１３１は、冷却能力を
有するＰ型、Ｎ型半導体の接合対である熱電冷却素子
（図示せず）を複数電気的に直列接続（熱的には並列）
した構成のユニットであり、ペルチェ効果を利用したも
のである。

【００２６】すなわち、モジュール１３１への直流電流
を制御することにより、モジュールの両表面それぞれが
加熱（放熱）、冷却（吸熱）される。電流の向きを切替
えることによって加熱（放熱）面、冷却（吸熱）面を切
替えることもできる。冷却面で吸収する総熱量が総供給
電力量（Ｗ）に相当する熱量と合算され、加熱面に熱を
放出する。冷却面での熱の吸収能力は、電流及びモジュ
ール内部のＰＮ接合対の数に比例する。

【００２７】ペルチェモジュール１３１の利用両面は熱
伝導性に優れた絶縁物質、例えばセラミック等で構成さ
れる。このペルチェモジュール１３１の一方面を各探針
１２の伸長元全域に接触させている。各探針１２の伸長
元は絶縁性樹脂が配されている、あるいはコーティング
されていることもあるが、熱伝導性に支障無ければその
表面にペルチェモジュール１３１の一方面を接触させる
構成とする。

【００２８】上記構成により、例えば高温条件下での試
験では、半導体ウェハ（Ｗａｆ）を搭載するプローバー
（後述する）本体の制御で基板１１側から伝達される供
給電流（電流量、向き）によりペルチェモジュール１３
１が制御される。すなわち、ペルチェモジュール１３１
は、半導体ウェハ側の面を吸熱面、探針１２との接触側
の面を放熱面とし、各探針１２を所定温度範囲にすばや
く加熱する。

【００２９】また、常温あるいは低温条件下での試験に
なる場合も、後述するプローバー本体の制御で基板１１
側から伝達される供給電流（電流量、向き）によりペル
チェモジュール１３１が制御される。すなわち、ペルチ
ェモジュール１３１は、半導体ウェハ側の面を放熱面、
探針１２との接触側の面を吸熱面とし、各探針１２を所
定温度範囲にすばやく冷却する。

【００３０】上記第１実施形態の構成によれば、温度制
御機構１３としてペルチェモジュール１３１を各探針１
２の伸長元に熱伝導し易い形態で設けられ、基板１１側
から伝達される電気的な制御で各探針１２を冷却、加熱
制御可能とする。なお、後述するがプローバーは被測定
ウェハ（Ｗａｆ）が載置されるステージの設定温度を制
御しているので、温度制御機構１３とステージの設定温
度が連動制御される形態が好ましい。これにより、被測
定ウェハ温度に短時間で近付けるよう低温から高温まで
各探針の温度を制御し、探針１２の収縮、膨脹を加味し
た安定したプロービングが実現できる。この結果、プロ
ービング前の待機時間は大幅に短縮されスループット向
上に寄与する。

【００３１】図２（ａ），（ｂ）は、それぞれ本発明の
第２実施形態に係るプローブカードの要部構成を示す上
面、断面概観図である。前記第１実施形態と同様の構成
には同一の符号を付す。プローブカードＰ２に関し、第
１実施形態に比べて異なる点は、ペルチェモジュール１
３１における探針１２と対向していない面に、冷媒供給
機構１４が設けられていることである。その他の構成に
ついては第１実施形態と同様である。

【００３２】冷媒供給機構１４は、熱伝導率の高い金属
の筐体内部に、例えば冷却水が循環制御されるものであ
る。冷却水が循環しない、または空になる状態を作れる
ものとする。あるいは、冷媒供給機構１４は、熱伝導率
の高い金属の筐体内部に、例えば冷媒ガスが循環制御さ
れるものである。冷媒ガスが循環しない、または空にな
る状態を作れるものとする。

【００３３】冷媒供給機構１４は、例えば高温条件下の
試験においてはペルチェモジュール１３１の吸熱面と接
触している形態となる。この場合、冷媒供給機構１４内
部は冷却液（または冷媒ガス）の循環はない（空でも良
い）状態である。これにより、半導体ウェハ側の熱をペ
ルチェモジュール１３１の吸熱面に伝達する。

【００３４】一方、常温あるいは低温条件下での試験に
なると、冷媒供給機構１４は、ペルチェモジュール１３
１の放熱面と接触している形態となる。この場合、冷媒
供給機構１４内部は冷却液（または冷媒ガス）の循環状
態とする。これにより、半導体ウェハ側へ熱を伝え難く
する。

【００３５】上記第２実施形態の構成によれば、冷媒供
給機構１４は、ペルチェモジュール１３１による探針１
２の温度制御と共に測定環境を整えるように働く。これ
により、第１実施形態と同様、被測定ウェハ温度に短時
間で近付けるよう低温から高温まで各探針の温度を制御
し、探針１２の収縮、膨脹を加味した安定したプロービ
ングが実現できる。この結果、プロービング前の待機時
間は大幅に短縮されスループット向上に寄与する。

【００３６】図３（ａ），（ｂ）は、それぞれ本発明の
第３実施形態に係るプローブカードの要部構成を示す上
面、断面概観図である。前記第２実施形態と同様の構成
には同一の符号を付す。プローブカードＰ３に関し、第
２実施形態に比べて異なる点は、ペルチェモジュール１
３１とは別途に各探針１２を加熱する加熱機構１５が設
けられていることである。その他の構成については第２
実施形態と同様である。

【００３７】加熱機構１５は、例えば熱伝導率の高いセ
ラミック等で構成されるセラミックヒータであり、各探
針１２を加熱する際に働き、ペルチェモジュール１３１
による加熱動作を助長する。すなわち、加熱機構１５
は、例えば高温条件下の試験においてはペルチェモジュ
ール１３１の放熱面と共に各探針１２を加熱する。一
方、常温あるいは低温条件下での試験になると、加熱機
構１５は稼動しない。

【００３８】その他は、冷媒供給機構１４の構成、動作
等、第２実施形態と同様の作用効果を有する。上記実施
形態の構成によれば、冷媒供給機構１４及び加熱機構１
５は、ペルチェモジュール１３１による探針１２の温度
制御と共に測定環境を整えるように働く。加熱機構１５
の取り付け位置は、図ではペルチェモジュール１３１の
内側としたが、それ以外の設置場所も考えられる。

【００３９】また、この第３実施形態に係るプローブカ
ードでは、加熱機構１５が付加されていることにより、
ペルチェモジュール１３１は、各探針１２との接触面を
冷却（吸熱）面としてのみ機能させることも可能であ
る。これにより、ペルチェモジュール１３１の制御は冷
却動作だけでよくなり、制御性の向上が期待できる。

【００４０】上記第３実施形態の構成によれば、第１、
第２実施形態と同様、被測定ウェハ温度に短時間で近付
けるよう低温から高温まで各探針の温度を制御し、探針
１２の収縮、膨脹を加味した安定したプロービングが実
現できる。この結果、プロービング前の待機時間は大幅
に短縮されスループット向上に寄与する。

【００４１】図４（ａ），（ｂ）は、それぞれ本発明の
第４実施形態に係るプローブカードの要部構成を示す上
面、断面概観図である。上述の各実施形態と同様の箇所
には同一の符号を付す。プローブカードＰ４に関し、温
度制御機構２３として、前記第１〜第３実施形態で示し
たペルチェモジュール（１３１）は用いない。冷媒供給
機構２４及び加熱機構２５の配備で各探針１２の安定し
たプロービングを実現する。冷媒供給機構２４及び加熱
機構２５は各探針１２の伸長元に接触するように設置さ
れればよく、図の設置構成に限らない。

【００４２】冷媒供給機構２４は、上述の冷媒供給機構
１４と同様である。すなわち、熱伝導率の高い金属の筐
体内部に、例えば冷却水（または冷媒ガス）が循環制御
されるものである。冷却水（または冷媒ガス）が循環し
ない、または空になる状態を作れるものとする。基板１
１側から伝達される電気的な制御により、各探針１２を
冷却する際に働く。

【００４３】加熱機構２５は、上述の冷媒供給機構１５
と同様であり、例えば熱伝導率の高いセラミック等で構
成されるセラミックヒーターである。基板１１側から伝
達される電気的な制御により、各探針１２を加熱する際
に働く。

【００４４】上記構成により、例えば高温条件下での試
験では、後述するプローバーの制御で基板１１側から伝
達される信号制御により加熱機構２５が働き、各探針１
２を所定温度範囲にすばやく加熱する。このとき、冷媒
供給機構２４内部は冷却液（または冷媒ガス）の循環は
ない（空でも良い）状態である。

【００４５】また、常温あるいは低温条件下での試験に
なる場合、後述するプローバーの制御で基板１１側から
伝達される信号制御により冷媒供給機構２４が働き、各
探針１２を所定温度範囲にすばやく冷却する。このと
き、加熱機構２５は稼動しない。

【００４６】上記第４実施形態の構成においても、上述
の各実施形態と同様、被測定ウェハ温度に短時間で近付
けるよう低温から高温まで各探針の温度を制御し、探針
１２の収縮、膨脹を加味した安定したプロービングが実
現できる。この結果、プロービング前の待機時間は大幅
に短縮されスループット向上に寄与する。

【００４７】図５は、本発明に係る半導体測定装置の一
例を示す概略図である。プローバー５１内には半導体ウ
ェハＷａｆを載置する移動制御ステージ５１１及びプロ
ーブカード５１２、信号中継用の回路基材５１３が配備
されている。プローバー５１は移動制御ステージ５１１
の設定温度を制御している。移動制御ステージ５１１に
よるウェハＷａｆの移動制御により、プローブカード５
１２はウェハＷａｆの被測定ＬＳＩチップ領域と対向す
る。これにより、プローブカード５１２は、図示しない
探針をチップ領域上の所定領域に接触させ、試験信号ま
たは試験パターンを入力し、また、結果としての出力信
号を得る。

【００４８】上記プローバー５１に送られるＬＳＩチッ
プへの信号（試験信号または試験パターン）は、テスタ
ー５３本体からテストヘッド５２を介して伝達される。
プローバー５１とテストヘッド５２は、図示しない開閉
機構で電気的接続／開放がなされるようになっている。
すなわち、テストヘッド５２はプローバー５１上部の信
号伝達用の端子（図示せず）に接触、開放させるように
なっている。

【００４９】ここで、上記プローブカード５１２は、前
記第１〜第４実施形態に示すプローブカードＰ１〜Ｐ３
のいずれかが採用される（図１〜図４参照）。プローブ
カード５１２における各探針の温度制御機構（１３）に
対する制御は、移動制御ステージ５１１の設定温度と連
動した制御信号や電流等である。すなわち、プローバー
本体でステージの設定温度の制御と連動してプローブカ
ード５１２の各探針の温度制御機構（１３）が制御され
る。これにより、プローブカードの各探針（１２）を冷
却、加熱制御可能とするものである。

【００５０】プローブカード５１２は、上述の各実施形
態図１〜図４における温度制御機構（１３）いずれかを
有し、ペルチェモジュール１３１を含む構成、さらに冷
媒供給機構１４や加熱機構１５を付加した構成、あるい
は温度制御機構２３として冷媒供給機構２４及び加熱機
構２５からなる構成のいずれかの配備による作用によっ
て、プローブカード５１２における各探針（１２）を冷
却、加熱制御可能とする。これにより、被測定ウェハ温
度に短時間で近付けるよう低温から高温まで各探針の温
度を制御し、探針（１２）の収縮、膨脹を加味した安定
したプロービングが実現できる。

【００５１】プローバー５１によって得られるＬＳＩチ
ップからの信号結果は、テストヘッド５２を介してテス
ター５３本体へ伝達される。テスター５３は、期待値と
比較して被測定ＬＳＩチップの機能の良否を判定した
り、入出力信号、電源部分の電圧、電流などのアナログ
値等の測定、解析をする。このようなウェハプロービン
グ試験によって良品として選別されたＬＳＩチップのみ
が組立工程へと回される。

【００５２】

【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、プ
ローブカードの各探針を冷却、加熱制御可能とする温度
制御機構として、ペルチェモジュールの配備、さらに冷
媒供給機構や加熱機構の付加、あるいは冷媒供給機構及
び加熱機構のみで構成といった形態を有する。これによ
り、被測定ウェハ温度に短時間で近付けるよう低温から
高温まで各探針の温度を制御し、探針の収縮、膨脹を加
味した安定したプロービングが実現できる。この結果、
待機時間を短縮しつつ被測定領域への確実な位置合わせ
及び探針の接触が可能なプローブカード及びこれを備え
た半導体測定装置を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】（ａ），（ｂ）は、それぞれ本発明の第１実施
形態に係るプローブカードの要部構成を示す上面、断面
概観図である。

【図２】（ａ），（ｂ）は、それぞれ本発明の第２実施
形態に係るプローブカードの要部構成を示す上面、断面
概観図である。

【図３】（ａ），（ｂ）は、それぞれ本発明の第３実施
形態に係るプローブカードの要部構成を示す上面、断面
概観図である。

【図４】（ａ），（ｂ）は、それぞれ本発明の第４実施
形態に係るプローブカードの要部構成を示す上面、断面
概観図である。

【図５】本発明に係る半導体測定装置の一例を示す概略
図である。

【符号の説明】

Ｐ１〜Ｐ４，５１２…プローブカード １１…プローブカードの基板 １２…探針 １３，２３…温度制御機構 １３１…ペルチェ式のモジュール １４，２４…冷媒供給機構 １５，２５…加熱機構 ５１…プローバー ５１１…移動制御ステージ ５１３…信号中継用の回路基材 ５２…テストヘッド ５３…テスター Ｗａｆ…半導体ウェハ

Claims (12)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 被測定対象の各接触領域に対応する各探
   針により信号の授受を行うプローブカードであって、 前記各探針が伸長するプローブカードの基板と、 前記各探針の伸長元に設けられ、前記基板側から伝達さ
   れる電気的な制御で各探針を冷却、加熱制御可能とした
   温度制御機構と、を具備したことを特徴とするプローブ
   カード。
2. 【請求項２】 前記温度制御機構は、前記基板側から供
   給される駆動電流の制御で前記各探針に所定範囲の温度
   を提供するペルチェ方式のモジュールを含むことを特徴
   とする請求項１記載のプローブカード。
3. 【請求項３】 前記温度制御機構は、前記基板側から供
   給される駆動電流の制御で前記各探針に所定範囲の温度
   を提供するペルチェ方式のモジュールを含み、このモジ
   ュールの一方面側には冷媒供給機構が設けられているこ
   とを特徴とする請求項１記載のプローブカード。
4. 【請求項４】 前記温度制御機構は、前記基板側から供
   給される駆動電流の制御で前記各探針に所定範囲の温度
   を提供するペルチェ方式のモジュールを含み、このモジ
   ュールの一方面側には冷媒供給機構が設けられ、さらに
   別途前記各探針を加熱する加熱機構が設けられているこ
   とを特徴とする請求項１記載のプローブカード。
5. 【請求項５】 前記ペルチェ方式のモジュールは、前記
   基板側から供給される駆動電流の制御で電流の向きが切
   替えられることによって前記各探針へ対向させる側の面
   を冷却（吸熱）面または加熱（放熱）面として機能させ
   ることを特徴とする請求項２〜４いずれか一つに記載の
   プローブカード。
6. 【請求項６】 前記温度制御機構は、少なくとも加熱機
   構及び冷媒供給機構が設けられ、加熱機構の稼動または
   冷媒供給の状態に応じて前記各探針へ所定範囲の温度を
   提供することを特徴とする請求項１記載のプローブカー
   ド。
7. 【請求項７】 前記冷媒供給機構は、冷却液の循環制御
   または冷媒ガスの循環制御を伴うことを特徴とする請求
   項３または４または６記載のプローブカード。
8. 【請求項８】 請求項１〜７いずれか一つに記載のプロ
   ーブカードを具備したことを特徴とする半導体測定装
   置。
9. 【請求項９】 被測定対象の半導体ウェハの設置領域、
   この被測定対象における電気的特性検査に関る信号の授
   受を担う信号伝達機構、及び前記電気的特性検査に利用
   されるための信号の生成、解析に関係するテストシステ
   ムが構築されたテスター本体を備えた半導体測定装置で
   あって、 前記信号伝達機構に前記半導体ウェハに対する信号の授
   受を行う各探針を備えたプローブカードが含まれ、この
   プローブカードにおいて前記テスター本体における信号
   制御と連動して前記各探針を冷却、加熱制御可能とした
   ペルチェ方式のモジュールが配備されていることを特徴
   とする半導体測定装置。
10. 【請求項１０】 前記プローブカードにおいて前記ペル
    チェ方式のモジュールの一方面側に設けられた冷媒供給
    機構をさらに具備し、 前記ペルチェ方式のモジュールは前記テスター本体の制
    御により前記各探針へ対向させる側の面を冷却（吸熱）
    面または加熱（放熱）面として機能させると共に、前記
    冷媒供給機構は前記テスター本体の制御により測定環境
    を整えるように働くことを特徴とする請求項９記載の半
    導体測定装置。
11. 【請求項１１】 前記プローブカードにおいて前記ペル
    チェ方式のモジュールの一方面側に設けられた冷媒供給
    機構と、 別途前記各探針を加熱する加熱機構と、をさらに具備
    し、 前記ペルチェ方式のモジュールは前記テスター本体の制
    御により前記各探針へ対向させる側の面を冷却（吸熱）
    面または加熱（放熱）面として機能させると共に、前記
    冷媒供給機構及び加熱機構は前記テスター本体の制御に
    より測定環境を整えるように働くことを特徴とする請求
    項９記載の半導体測定装置。
12. 【請求項１２】 被測定対象の半導体ウェハの設置領
    域、この被測定対象における電気的特性検査に関る信号
    の授受を担う信号伝達機構、及び前記電気的特性検査に
    利用されるための信号の生成、解析に関係するテストシ
    ステムが構築されたテスター本体を備えた半導体測定装
    置であって、 前記信号伝達機構に前記半導体ウェハに対する信号の授
    受を行う各探針を備えたプローブカードが含まれ、前記
    プローブカードにおいて前記テスター本体における信号
    制御で前記各探針を冷却、加熱制御可能とした加熱機構
    及び冷却機構がそれぞれ配備されていることを特徴とす
    る半導体測定装置。