JP2003209308A - 光増幅装置 - Google Patents
光増幅装置Info
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- JP2003209308A JP2003209308A JP2002005771A JP2002005771A JP2003209308A JP 2003209308 A JP2003209308 A JP 2003209308A JP 2002005771 A JP2002005771 A JP 2002005771A JP 2002005771 A JP2002005771 A JP 2002005771A JP 2003209308 A JP2003209308 A JP 2003209308A
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- ppm
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- optical
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03D—DEMODULATION OR TRANSFERENCE OF MODULATION FROM ONE CARRIER TO ANOTHER
- H03D7/00—Transference of modulation from one carrier to another, e.g. frequency-changing
- H03D7/16—Multiple-frequency-changing
- H03D7/161—Multiple-frequency-changing all the frequency changers being connected in cascade
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C13/00—Fibre or filament compositions
- C03C13/04—Fibre optics, e.g. core and clad fibre compositions
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- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 信号光間の非線形現象を抑止し得て、しか
も、広い増幅帯域を有する光増幅装置を提供する。 【解決手段】エルビウムドープファイバ14を備えた光
増幅装置10において、エルビウムドープファイバ14
を、そのコアにドープされたエルビウムの濃度が400
0ppm以上10000ppm以下であり、且つ、エル
ビウム濃度とファイバ長との積である濃度条長積が60
kppm・m以上であるものとする。
も、広い増幅帯域を有する光増幅装置を提供する。 【解決手段】エルビウムドープファイバ14を備えた光
増幅装置10において、エルビウムドープファイバ14
を、そのコアにドープされたエルビウムの濃度が400
0ppm以上10000ppm以下であり、且つ、エル
ビウム濃度とファイバ長との積である濃度条長積が60
kppm・m以上であるものとする。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、エルビウムドープ
ファイバ(以下「EDF」という)を備えた光増幅装置
に関する。
ファイバ(以下「EDF」という)を備えた光増幅装置
に関する。
【0002】
【従来の技術】EDFを備えた光増幅装置は、1980
年代後半に1.48μm帯半導体レーザー励起による実
用的なものが提案されて以来、急速に実用化へ向けて研
究開発が行われてきた。そのような中、インターネット
の普及による通信需要の増大に対応するため、光信号の
伝送容量を拡大する方法として、光波長分割多重伝送方
式(WDM方式)と、従来のCバンド(1530〜15
65nm)に加えてより長波長のLバンド(1565〜
1625nm)への帯域拡大と、が導入されている。
年代後半に1.48μm帯半導体レーザー励起による実
用的なものが提案されて以来、急速に実用化へ向けて研
究開発が行われてきた。そのような中、インターネット
の普及による通信需要の増大に対応するため、光信号の
伝送容量を拡大する方法として、光波長分割多重伝送方
式(WDM方式)と、従来のCバンド(1530〜15
65nm)に加えてより長波長のLバンド(1565〜
1625nm)への帯域拡大と、が導入されている。
【0003】ところが、WDM方式を採用すると、隣接
する信号相互の波長間隔が狭いものとなってしまうた
め、光増幅装置から出力される信号光を大きくすると、
隣接する信号光間の非線形現象による相互作用のため
に、信号光に含まれる雑音が大きくなるという問題があ
る。
する信号相互の波長間隔が狭いものとなってしまうた
め、光増幅装置から出力される信号光を大きくすると、
隣接する信号光間の非線形現象による相互作用のため
に、信号光に含まれる雑音が大きくなるという問題があ
る。
【0004】かかる非線形現象を抑制する方法として
は、EDFのモードフィールド径を大きくすることが考
えられるが、そうすると光増幅装置のパワー変換効率が
低いものとなってしまうことが知られている。また、も
う一つの方法としては、EDFのコアのエルビウム(E
r)の濃度を高いものとし、ファイバ長さ当たりの利得
係数を高めてファイバ長を短くすることが考えられる
が、Erの濃度が1000ppmを越えるとEr元素同
士の相互作用により増幅効率が低下する、すなわち、濃
度消光が生じてパワー変換効率が低いものとなってしま
うことが知られている。
は、EDFのモードフィールド径を大きくすることが考
えられるが、そうすると光増幅装置のパワー変換効率が
低いものとなってしまうことが知られている。また、も
う一つの方法としては、EDFのコアのエルビウム(E
r)の濃度を高いものとし、ファイバ長さ当たりの利得
係数を高めてファイバ長を短くすることが考えられる
が、Erの濃度が1000ppmを越えるとEr元素同
士の相互作用により増幅効率が低下する、すなわち、濃
度消光が生じてパワー変換効率が低いものとなってしま
うことが知られている。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】本出願の課題は、信号
光間の非線形現象を抑止し得て、しかも、広い増幅帯域
を有する光増幅装置を提供することにある。
光間の非線形現象を抑止し得て、しかも、広い増幅帯域
を有する光増幅装置を提供することにある。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明は、EDFのコア
にドープするErの濃度を従来よりも大幅に高くしてフ
ァイバ長を短くすることにより、信号光間の非線形現象
を抑止すると共に、増幅帯域を長波長側に拡大するよう
にしたものである。
にドープするErの濃度を従来よりも大幅に高くしてフ
ァイバ長を短くすることにより、信号光間の非線形現象
を抑止すると共に、増幅帯域を長波長側に拡大するよう
にしたものである。
【0007】具体的には、本発明は、EDFを備えた光
増幅装置を前提とする。そして、上記EDFは、そのコ
アにドープされたErの濃度が4000ppm以上10
000ppm以下であり、且つ、該エルビウム濃度とフ
ァイバ長との積である濃度条長積が60kppm・m以
上であることを特徴とする。
増幅装置を前提とする。そして、上記EDFは、そのコ
アにドープされたErの濃度が4000ppm以上10
000ppm以下であり、且つ、該エルビウム濃度とフ
ァイバ長との積である濃度条長積が60kppm・m以
上であることを特徴とする。
【0008】上記のように、信号光間の非線形現象を抑
止する方法として、EDFのコアのEr濃度を高めてフ
ァイバ長を短くすることが考えられるものの、Er濃度
が1000ppm以上となると濃度消光が生じてパワー
変換効率が低いものとなってしまうことが知られてい
る。上記本発明によれば、EDFのEr濃度が4000
ppm以上10000ppm以下であるので、その濃度
が1000ppm以下の場合よりもややパワー変換効率
が低いものとなるが、Er濃度が高いことによりファイ
バ長が著しく短くされているので、信号光間の非線形現
象を抑止することができると共に装置のコンパクト化を
図ることができる。具体的には、例えば、濃度条長積7
0kppm・mのEDFの場合、Er濃度が1000p
pm(濃度消光が生じない最も高いEr濃度)であれ
ば、ファイバ長が70m必要であるのに対し、本発明に
よれば、パワー変換効率が10〜20%程度劣化するも
のの、ファイバ長が7〜17.5mでよい。
止する方法として、EDFのコアのEr濃度を高めてフ
ァイバ長を短くすることが考えられるものの、Er濃度
が1000ppm以上となると濃度消光が生じてパワー
変換効率が低いものとなってしまうことが知られてい
る。上記本発明によれば、EDFのEr濃度が4000
ppm以上10000ppm以下であるので、その濃度
が1000ppm以下の場合よりもややパワー変換効率
が低いものとなるが、Er濃度が高いことによりファイ
バ長が著しく短くされているので、信号光間の非線形現
象を抑止することができると共に装置のコンパクト化を
図ることができる。具体的には、例えば、濃度条長積7
0kppm・mのEDFの場合、Er濃度が1000p
pm(濃度消光が生じない最も高いEr濃度)であれ
ば、ファイバ長が70m必要であるのに対し、本発明に
よれば、パワー変換効率が10〜20%程度劣化するも
のの、ファイバ長が7〜17.5mでよい。
【0009】また、1600nm以上の波長帯域での利
得が高いものとなるので、光増幅装置として広い増幅帯
域を有するものとなる。
得が高いものとなるので、光増幅装置として広い増幅帯
域を有するものとなる。
【0010】ここで、Er濃度が4000ppmより低
い場合、EDFの短尺化による装置のコンパクト化を十
分に図ることができず、10000ppmより高い場
合、パワー変換効率が低いものとなってしまう。
い場合、EDFの短尺化による装置のコンパクト化を十
分に図ることができず、10000ppmより高い場
合、パワー変換効率が低いものとなってしまう。
【0011】また、濃度条長積が60kppmより低い
場合、パワー変換効率が著しく低いものとなってしま
う。濃度条長積の上限値は、特に限定されないが、実用
的には90kppm・m以下である。
場合、パワー変換効率が著しく低いものとなってしま
う。濃度条長積の上限値は、特に限定されないが、実用
的には90kppm・m以下である。
【0012】上記EDFは、そのコアにリン(P)が共
ドープされているものであってもよい。EDFによる利
得は長波長側に行くに従って低くなるが、上記の構成に
よれば、1.65μ帯の励起準位吸収(ESA)が抑制
され、波長1600nm以上の波長帯域においてその利
得の低下が緩やかなものとなり、より長波長帯域での利
得を高いものとすることができる。
ドープされているものであってもよい。EDFによる利
得は長波長側に行くに従って低くなるが、上記の構成に
よれば、1.65μ帯の励起準位吸収(ESA)が抑制
され、波長1600nm以上の波長帯域においてその利
得の低下が緩やかなものとなり、より長波長帯域での利
得を高いものとすることができる。
【0013】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
Er濃度が高いことによりファイバ長が短くされている
ので、信号光間の非線形現象を抑止することができると
共に装置のコンパクト化を図ることができる。また、そ
れに加えて、1600nm以上の波長帯域での利得が高
いものとなるので、光増幅装置として広い増幅帯域を有
するものとすることができる。
Er濃度が高いことによりファイバ長が短くされている
ので、信号光間の非線形現象を抑止することができると
共に装置のコンパクト化を図ることができる。また、そ
れに加えて、1600nm以上の波長帯域での利得が高
いものとなるので、光増幅装置として広い増幅帯域を有
するものとすることができる。
【0014】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態を図面に
基づいて詳細に説明する。
基づいて詳細に説明する。
【0015】図1は、本発明の実施形態に係る光増幅装
置10を示す。
置10を示す。
【0016】この光増幅装置10は、入力端11と出力
端12との間に、直列に第1アイソレータ13、EDF
14、WDMカプラ15及び第2アイソレータ16が順
に光信号パスで接続されて設けられている。WDMカプ
ラ15には光信号パスを介して励起レーザーダイオード
(以下「LD」という)が接続されている。
端12との間に、直列に第1アイソレータ13、EDF
14、WDMカプラ15及び第2アイソレータ16が順
に光信号パスで接続されて設けられている。WDMカプ
ラ15には光信号パスを介して励起レーザーダイオード
(以下「LD」という)が接続されている。
【0017】第1アイソレータ13は、入力端11から
出力端12に向かう向きに伝播する光をほとんど減衰な
く伝送する一方、逆向きに伝播する光を大きく減衰させ
る素子であり、入力端11からの信号光を低ロスでED
F14に伝送する。
出力端12に向かう向きに伝播する光をほとんど減衰な
く伝送する一方、逆向きに伝播する光を大きく減衰させ
る素子であり、入力端11からの信号光を低ロスでED
F14に伝送する。
【0018】EDF14は、ファイバ中心をなすコアと
そのコアを被覆するクラッドとを備えた光ファイバで、
コアに希土類元素であるErと共にPがドープされた光
増幅素子であり、信号光の増幅を行う。コアにドープさ
れたEr濃度は4000ppm以上10000ppm以
下であり、また、そのEr濃度とファイバ長との積であ
る濃度条長積は60kppm・m以上である。すなわ
ち、このEDF14は、従来の光増幅装置のものに比べ
てEr濃度が極めて高く且つファイバ長が短いものであ
る。
そのコアを被覆するクラッドとを備えた光ファイバで、
コアに希土類元素であるErと共にPがドープされた光
増幅素子であり、信号光の増幅を行う。コアにドープさ
れたEr濃度は4000ppm以上10000ppm以
下であり、また、そのEr濃度とファイバ長との積であ
る濃度条長積は60kppm・m以上である。すなわ
ち、このEDF14は、従来の光増幅装置のものに比べ
てEr濃度が極めて高く且つファイバ長が短いものであ
る。
【0019】WDMカプラ15は、光信号を合波する素
子であり、励起LD17からの励起光を導入してそれを
EDF14に入力する。励起LD17は、EDF14の
Erの最外殻電子を励起させる励起光を発する励起光源
であり、例えば、波長0.98μm帯又は波長1.48
μm帯の励起光を発する半導体レーザーにより構成され
る。
子であり、励起LD17からの励起光を導入してそれを
EDF14に入力する。励起LD17は、EDF14の
Erの最外殻電子を励起させる励起光を発する励起光源
であり、例えば、波長0.98μm帯又は波長1.48
μm帯の励起光を発する半導体レーザーにより構成され
る。
【0020】第2アイソレータ16は、第1アイソレー
タ13と同様のものであり、EDF14からの出力光を
低ロスで出力端12に伝送する。
タ13と同様のものであり、EDF14からの出力光を
低ロスで出力端12に伝送する。
【0021】この光増幅装置10では、励起LD17か
らの励起光は、WDMカプラ15を経てEDF14に入
力される。一方、入力端11からの信号光は、第1アイ
ソレータ13を経てEDF14に入力される。このと
き、EDF14では、励起光が入力されることによりE
rの最外殻電子が励起状態とされて反転分布状態とな
り、信号光が入力されることにより励起状態のErの電
子が基底状態へと遷移する際に誘導放出により信号光と
同波長の光が発せられ、信号光が増幅された形で出力さ
れる。EDF14からの増幅された信号光は、第2アイ
ソレータ16を経て出力端12から出力される。
らの励起光は、WDMカプラ15を経てEDF14に入
力される。一方、入力端11からの信号光は、第1アイ
ソレータ13を経てEDF14に入力される。このと
き、EDF14では、励起光が入力されることによりE
rの最外殻電子が励起状態とされて反転分布状態とな
り、信号光が入力されることにより励起状態のErの電
子が基底状態へと遷移する際に誘導放出により信号光と
同波長の光が発せられ、信号光が増幅された形で出力さ
れる。EDF14からの増幅された信号光は、第2アイ
ソレータ16を経て出力端12から出力される。
【0022】上記の光増幅装置10によれば、EDF1
4のEr濃度が4000ppm以上10000ppm以
下であるので、その濃度が1000ppm以下の場合よ
りもややパワー変換効率が低いものとなるが、Er濃度
が高いことによりファイバ長が短くされているので、信
号光間の非線形現象を抑止することができると共に、装
置のコンパクト化を図ることができる。
4のEr濃度が4000ppm以上10000ppm以
下であるので、その濃度が1000ppm以下の場合よ
りもややパワー変換効率が低いものとなるが、Er濃度
が高いことによりファイバ長が短くされているので、信
号光間の非線形現象を抑止することができると共に、装
置のコンパクト化を図ることができる。
【0023】また、1600nm以上の波長帯域での利
得が高いものとなるので、光増幅装置として広い増幅帯
域を有するものとなる。しかも、EDF14による利得
は長波長側に行くに従って低くなるが、コアにErに加
えてPが共ドープされているので、1650nm帯の励
起準位吸収(ESA)が抑制され、波長1600nm以
上の波長帯域におけるその利得の低下が緩やかなものと
なり、長波長帯域での利得を高いものとなっている。
得が高いものとなるので、光増幅装置として広い増幅帯
域を有するものとなる。しかも、EDF14による利得
は長波長側に行くに従って低くなるが、コアにErに加
えてPが共ドープされているので、1650nm帯の励
起準位吸収(ESA)が抑制され、波長1600nm以
上の波長帯域におけるその利得の低下が緩やかなものと
なり、長波長帯域での利得を高いものとなっている。
【0024】なお、上記実施形態では、後方向励起型の
光増幅装置10としたが、特にこれに限定されるもので
はなく、前方向励起型のものであっても、また、双方向
励起型のものであってもよい。
光増幅装置10としたが、特にこれに限定されるもので
はなく、前方向励起型のものであっても、また、双方向
励起型のものであってもよい。
【0025】
【実施例】(試験評価1)
<試験評価サンプル>
−例1−
上記実施形態と同一構成の光増幅装置であって、EDF
のEr濃度が4500ppmで且つ濃度条長積が70k
ppm・mのものを例1とした。
のEr濃度が4500ppmで且つ濃度条長積が70k
ppm・mのものを例1とした。
【0026】−例2−
EDFのEr濃度が10000ppmのものであること
を除いては例1と同一構成の光増幅装置を例2とした。
を除いては例1と同一構成の光増幅装置を例2とした。
【0027】<試験評価方法>例1及び2のそれぞれの
光増幅装置について、0dBm(1mW)で16波多重
信号を入力し、各波長の利得を計測した。
光増幅装置について、0dBm(1mW)で16波多重
信号を入力し、各波長の利得を計測した。
【0028】<試験評価結果>図2は例1について及び
図3は例2についてそれぞれの信号光波長と利得との関
係を示す。なお、図2及び3には、比較のために、ED
FのEr濃度が900ppmであることを除いては例1
及び2と同一構成の光増幅装置についての信号光波長と
利得との関係をも示す。
図3は例2についてそれぞれの信号光波長と利得との関
係を示す。なお、図2及び3には、比較のために、ED
FのEr濃度が900ppmであることを除いては例1
及び2と同一構成の光増幅装置についての信号光波長と
利得との関係をも示す。
【0029】図2及び3より、例1及び2のいずれも、
Er濃度が900ppmのもの(以下「参考例」とい
う)に比較して、波長1595nm付近で利得が高くな
っているのが分かる。また、いずれも長波長側に行くに
従って利得が低下しているが、例1及び2では、参考例
に比較して、1610nmを越える長波長帯域でのその
利得の低下が緩やかとなっており、その結果、長波長帯
域での利得が高いものとなっているのが分かる。すなわ
ち、例1及び2は参考例に比較して広い増幅帯域を有す
る光増幅装置であるということができる。
Er濃度が900ppmのもの(以下「参考例」とい
う)に比較して、波長1595nm付近で利得が高くな
っているのが分かる。また、いずれも長波長側に行くに
従って利得が低下しているが、例1及び2では、参考例
に比較して、1610nmを越える長波長帯域でのその
利得の低下が緩やかとなっており、その結果、長波長帯
域での利得が高いものとなっているのが分かる。すなわ
ち、例1及び2は参考例に比較して広い増幅帯域を有す
る光増幅装置であるということができる。
【0030】(試験評価2)
<試験評価サンプル>濃度条長積が90kppm・m
で、且つ、Er濃度が1514ppm、3650pp
m、4492ppm、9977ppm及び13042p
pmである各EDFを用いた光増幅装置、濃度条長積が
80kppm・mで、且つ、Er濃度が1514pp
m、3650ppm、4492ppm、9977ppm
及び13042ppmである各EDFを用いた光増幅装
置、濃度条長積が70kppm・mで、且つ、Er濃度
が910ppm、1514ppm、3650ppm、4
492ppm、9977ppm及び13042ppmで
ある各EDFを用いた光増幅装置、並びに濃度条長積が
60kppm・mで、且つ、Er濃度が910ppm、
1514ppm、3650ppm、4492ppm、9
977ppm及び13042ppmである各EDFを用
いた光増幅装置を準備した。
で、且つ、Er濃度が1514ppm、3650pp
m、4492ppm、9977ppm及び13042p
pmである各EDFを用いた光増幅装置、濃度条長積が
80kppm・mで、且つ、Er濃度が1514pp
m、3650ppm、4492ppm、9977ppm
及び13042ppmである各EDFを用いた光増幅装
置、濃度条長積が70kppm・mで、且つ、Er濃度
が910ppm、1514ppm、3650ppm、4
492ppm、9977ppm及び13042ppmで
ある各EDFを用いた光増幅装置、並びに濃度条長積が
60kppm・mで、且つ、Er濃度が910ppm、
1514ppm、3650ppm、4492ppm、9
977ppm及び13042ppmである各EDFを用
いた光増幅装置を準備した。
【0031】<試験評価方法>それぞれの光増幅装置に
ついてのパワー変換効率を計測した。ここで、パワー変
換効率とは、各波長のパワーの総和を励起LDより発せ
られる励起光のパワーで除したものである。
ついてのパワー変換効率を計測した。ここで、パワー変
換効率とは、各波長のパワーの総和を励起LDより発せ
られる励起光のパワーで除したものである。
【0032】<試験評価結果>表1は、それぞれの光増
幅装置のパワー変換効率を示す。また、図4は、各濃度
条長積毎のEr濃度とパワー変換効率との関係を示す。
幅装置のパワー変換効率を示す。また、図4は、各濃度
条長積毎のEr濃度とパワー変換効率との関係を示す。
【0033】
【表1】
【0034】図4によれば、濃度条長積が90kppm
・m及び80kppm・mのものについて、パワー変換
効率は、Er濃度1500ppmから3500ppmま
での範囲では、前者が50%前後から52〜53%に及
び後者が40%前後から50%前後にそれぞれ向上し、
4000ppm付近では、いずれも急激に35%程度ま
で低下した後、10000ppmにかけては25%強ま
で徐々に低下し、10000ppmを越えて13000
ppm付近まででは0%に向かって直線的に低下してい
るのが分かる。濃度条長積が70kppm・mのものに
ついて、パワー変換効率は、Er濃度900ppmから
1500ppm間での範囲では、35%前後から30%
前後に急激に低下し、1500ppmから3500pp
mまでの範囲では、35%前後まで徐々に向上し、40
00ppm付近では、急激に25%程度まで低下した
後、10000ppmにかけては27%まで徐々に向上
し、10000ppmを越えて13000ppm付近ま
ででは0%に向かって直線的に低下しているのが分か
る。濃度条長積が60kppm・mのものについて、パ
ワー変換効率は、Er濃度900ppmから1500p
pm間での範囲では、35%前後から30%弱に急激に
低下し、1500ppmから3500ppmまでの範囲
では、35%前後まで徐々に向上し、4000ppm付
近では、急激に15%弱まで低下した後、10000p
pmにかけては15%強まで徐々に向上し、10000
ppmを越えて13000ppm付近まででは0%に向
かって直線的に低下しているのが分かる。全体的な傾向
として、Er濃度が高くなるに従ってパワー変換効率が
低下しているが、これは、濃度消光が生じるためである
と考えられる。但し、Er濃度が4000ppm以上1
0000ppm以下の範囲では、パワー変換効率は、E
r濃度が4000ppmより低い範囲(特に2000p
pm以下)よりも低いものの、ある程度の大きさでほぼ
同じ水準で推移している。また、パワー変換効率は、こ
の範囲において、濃度条長積が80kppm・m以上9
0kppm・m以下ではほぼ同水準であるが、濃度条長
積が低くなるに従って小さくなる傾向が伺われ、濃度条
長積が60kppm・mでは15%程度である。20%
以上のパワー変換効率を得るためには、濃度条長積が7
0kppm・m以上であることが好ましく、濃度条長積
が80kppm・m以上であればさらによい。
・m及び80kppm・mのものについて、パワー変換
効率は、Er濃度1500ppmから3500ppmま
での範囲では、前者が50%前後から52〜53%に及
び後者が40%前後から50%前後にそれぞれ向上し、
4000ppm付近では、いずれも急激に35%程度ま
で低下した後、10000ppmにかけては25%強ま
で徐々に低下し、10000ppmを越えて13000
ppm付近まででは0%に向かって直線的に低下してい
るのが分かる。濃度条長積が70kppm・mのものに
ついて、パワー変換効率は、Er濃度900ppmから
1500ppm間での範囲では、35%前後から30%
前後に急激に低下し、1500ppmから3500pp
mまでの範囲では、35%前後まで徐々に向上し、40
00ppm付近では、急激に25%程度まで低下した
後、10000ppmにかけては27%まで徐々に向上
し、10000ppmを越えて13000ppm付近ま
ででは0%に向かって直線的に低下しているのが分か
る。濃度条長積が60kppm・mのものについて、パ
ワー変換効率は、Er濃度900ppmから1500p
pm間での範囲では、35%前後から30%弱に急激に
低下し、1500ppmから3500ppmまでの範囲
では、35%前後まで徐々に向上し、4000ppm付
近では、急激に15%弱まで低下した後、10000p
pmにかけては15%強まで徐々に向上し、10000
ppmを越えて13000ppm付近まででは0%に向
かって直線的に低下しているのが分かる。全体的な傾向
として、Er濃度が高くなるに従ってパワー変換効率が
低下しているが、これは、濃度消光が生じるためである
と考えられる。但し、Er濃度が4000ppm以上1
0000ppm以下の範囲では、パワー変換効率は、E
r濃度が4000ppmより低い範囲(特に2000p
pm以下)よりも低いものの、ある程度の大きさでほぼ
同じ水準で推移している。また、パワー変換効率は、こ
の範囲において、濃度条長積が80kppm・m以上9
0kppm・m以下ではほぼ同水準であるが、濃度条長
積が低くなるに従って小さくなる傾向が伺われ、濃度条
長積が60kppm・mでは15%程度である。20%
以上のパワー変換効率を得るためには、濃度条長積が7
0kppm・m以上であることが好ましく、濃度条長積
が80kppm・m以上であればさらによい。
【図1】本発明の実施形態に係る光増幅装置の構成図で
ある。
ある。
【図2】Er濃度900ppm及び4500ppmのそ
れぞれのEDFを用いた光増幅装置の信号光波長と利得
との関係を示すグラフ図である。
れぞれのEDFを用いた光増幅装置の信号光波長と利得
との関係を示すグラフ図である。
【図3】Er濃度900ppm及び10000ppmの
それぞれのEDFを用いた光増幅装置の信号光波長と利
得との関係を示すグラフ図である。
それぞれのEDFを用いた光増幅装置の信号光波長と利
得との関係を示すグラフ図である。
【図4】Er濃度とパワー変換効率との関係を示すグラ
フ図である。
フ図である。
10 光増幅装置
11 入力端
12 出力端
13 第1アイソレータ
14 EDF
15 WDMカプラ
16 第2アイソレータ
17 励起LD
フロントページの続き
Fターム(参考) 4G062 AA04 AA06 DD01 DD02 KK06
MM02 MM04 NN19
5F072 AB09 AK06 JJ01 JJ20 PP07
RR01 YY17
Claims (2)
- 【請求項1】 エルビウムドープファイバを備えた光増
幅装置において、上記エルビウムドープファイバは、そ
のコアにドープされたエルビウムの濃度が4000pp
m以上10000ppm以下であり、且つ、該エルビウ
ム濃度とファイバ長との積である濃度条長積が60kp
pm・m以上であることを特徴とする光増幅装置。 - 【請求項2】 請求項1に記載された光増幅装置におい
て、 上記エルビウムドープファイバは、そのコアにリンが共
ドープされていることを特徴とする光増幅装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002005771A JP2003209308A (ja) | 2002-01-15 | 2002-01-15 | 光増幅装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002005771A JP2003209308A (ja) | 2002-01-15 | 2002-01-15 | 光増幅装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2003209308A true JP2003209308A (ja) | 2003-07-25 |
Family
ID=27644723
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002005771A Pending JP2003209308A (ja) | 2002-01-15 | 2002-01-15 | 光増幅装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2003209308A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2006095395A1 (ja) * | 2005-03-07 | 2006-09-14 | Fujitsu Limited | 光サージ抑圧型光増幅器 |
JP2010147484A (ja) * | 2010-01-06 | 2010-07-01 | Fujitsu Ltd | 光サージ抑圧型光増幅器 |
-
2002
- 2002-01-15 JP JP2002005771A patent/JP2003209308A/ja active Pending
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2006095395A1 (ja) * | 2005-03-07 | 2006-09-14 | Fujitsu Limited | 光サージ抑圧型光増幅器 |
JPWO2006095395A1 (ja) * | 2005-03-07 | 2008-08-14 | 富士通株式会社 | 光サージ抑圧型光増幅器 |
US7751119B2 (en) | 2005-03-07 | 2010-07-06 | Fujitsu Limited | Optical surge suppressive type optical amplifier |
JP4781349B2 (ja) * | 2005-03-07 | 2011-09-28 | 富士通株式会社 | 光サージ抑圧型光増幅器 |
JP2010147484A (ja) * | 2010-01-06 | 2010-07-01 | Fujitsu Ltd | 光サージ抑圧型光増幅器 |
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