JP2003207802A

JP2003207802A - 液晶表示装置

Info

Publication number: JP2003207802A
Application number: JP2003031485A
Authority: JP
Inventors: Yoshihiro Izumi; 良弘和泉
Original assignee: Sharp Corp
Current assignee: Sharp Corp
Priority date: 2003-02-07
Filing date: 2003-02-07
Publication date: 2003-07-25

Abstract

(57)【要約】【課題】複数のアクティブマトリクス基板を側面で接
続して大画面化を図る液晶表示装置において、アクティ
ブマトリクス基板の接続辺にあるチッピングによって表
示不良が発生するのを防止する。また複数の液晶表示パ
ネルを側面で接続して大画面化を図る液晶表示装置にお
いて、液晶表示パネルを構成する枠状の周辺シールの硬
化不良をなくす。【解決手段】アクティブマトリクス基板を複数側面で
接続して一方の大基板を構成し、他方の基板と貼り合わ
せて大画面化を図る液晶表示装置であって、アクティブ
マトリクス基板の接続辺に沿って設けられる信号配線あ
るいは走査配線よりも画素電極の方を接続辺寄りに配置
する。また、液晶表示パネルを複数側面で接続して大画
面化を図る液晶表示装置であって、液晶表示パネルの接
続辺に沿って設けられる信号配線あるいは走査配線より
も画素電極の方を接続辺寄りに配置する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、ＡＶ（オーディオ
ビデュアル）機器の表示装置やＯＡ（オフィスオートメ
ーション）機器の表示装置として使用される大画面液晶
表示装置に関し、特に、複数のアクティブマトリクス基
板又は液晶表示パネルを側面で接続することで大画面化
を図る液晶表示装置及びその製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、ＡＶ機器として用いられる家庭用
のテレビ、ＯＡ機器に用いられる表示装置は、軽量化、
薄型化、低消費電力化、高精細化及び画面の大型化が要
求されている。このため、ＣＲＴ、液晶表示装置（ＬＣ
Ｄ）、プラズマ表示装置（ＰＤＰ）、ＥＬ表示装置、Ｌ
ＥＤ表示装置等の表示装置においても大画面化の開発・
実用化が進められている。

【０００３】なかでも液晶表示装置は、他の表示装置に
比べ、厚さ（奥行き）が格段に薄くできること、消費電
力が小さいこと、フルカラー化が容易なこと等の利点を
有するので、近年においては種々の分野で用いられつつ
あり、画面の大型化への期待も大きい。液晶表示装置
は、単純マトリクス型とアクティブマトリクス型に大別
されるが、アクティブマトリクス型液晶表示装置は、高
精細、大画面、高表示品位が期待されている。

【０００４】ところがその反面、アクティブマトリクス
液晶表示装置は、画面の大型化を図ると、製造工程にお
いて信号配線、走査配線の断線、画素欠陥等による不良
率が急激に高くなり、更には液晶表示装置の価格上昇を
もたらすといった問題が生じる。そこでこれを解決する
為に、液晶表示装置を構成する一対の電極付き基板の
内、少なくとも一方の基板を複数枚の小基板をその側面
で接続して、大基板とした構造の液晶表示装置が実開昭
６０−１９１０２９号公報に開示されている。

【０００５】図１１は、実開昭６０−１９１０２９号公
報で開示されている液晶表示装置の構成を、平面図
（ａ）と、平面図（ａ）のＢ−Ｂ'線断面図（ｂ）で示
す。ここでは４枚のアクティブマトリクス基板（以下、
ＴＦＴ基板という）５２、５３、５４、５５を側面同士
で田字状に接続することにより一方の大基板を構成し、
他方の電極付きのカラーフィルターを形成した対向基板
（以下、ＣＦ基板という）５１との間に、スペーサ５７
及び液晶層５０を介して貼り合わせることで大画面の液
晶表示装置を形成している。一般にアクティブマトリク
ス型液晶表示装置の場合、一画素毎に微細なアクティブ
素子７０と画素電極７１がマトリクス状に配置されてい
るＴＦＴ基板を大面積で歩留まり良く製造することは極
めて困難である。従って、液晶表示装置を構成する一対
の基板の内、ＴＦＴ基板を複数の小基板として製造し、
それらを互いの側面で接続して一方の大型ＴＦＴ基板を
構成し、カラーフィルターが付設された他方の大型の対
向基板と貼り合わせてパネル化すると、生産性の上で効
率が良くなる。

【０００６】また、上記と同様の目的で、複数の液晶表
示パネルを同一平面上に側面同士隣接させ接続すること
で大画面化を図った液晶表示装置が特開平８−１２２７
６９号公報に開示されている。

【０００７】図１５は、特開平８−１２２７６９号公報
で開示されている液晶表示装置の構成図を、平面図
（ａ）と、断面図（ｂ）で示す。ここでは左右２枚のア
クティブマトリクス型液晶表示パネル８１、８２を補強
基板８３上に側面同士隣接させて接着剤８４で貼り付け
ることで大画面の液晶表示装置を形成している。個々の
液晶表示パネル８１、８２は、ＴＦＴ基板８５、８６
と、電極付きカラーフィルターを形成した対向基板（Ｃ
Ｆ基板）８７、８８が液晶層８９を介してシール９０で
貼り合わされた構造になっている。シール９０は各液晶
表示パネルの周辺部に枠状に設けられており、その枠シ
ール内に液晶層８９が封入された構造になっている。こ
の構造の液層表示装置は、既存の生産設備で得られる最
大サイズの液晶表示パネルを継ぎ合わせることで、新た
な大型液晶表示装置の生産設備を導入することなく液晶
表示装置の大画面化を実現できるといった長所を有す
る。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記液
晶表示装置は下記の問題点を有している。

【０００９】実開昭６０−１９１０２９号公報の問題点
この液晶表示装置では、複数のＴＦＴ基板５２、５３、
５４、５５を先に製造し、それらを互いの側面で接続し
て一方の大型ＴＦＴ基板としている。周知の通り、ＴＦ
Ｔ基板上には、マトリクス状に形成された走査配線（ゲ
ートバスライン）７２と信号配線（ソースバスライン）
７３、それら両配線のマトリクス交差点毎に形成された
薄膜トランジスタ（ＴＦＴ素子）をスイッチング素子と
するアクティブ素子７０と画素電極７１が具備されてい
る。

【００１０】図１１を見て分かるように、大型ＴＦＴ基
板を構成する複数の小さいＴＦＴ基板５２、５３、５
４、５５には、上記マトリクス状に配列された信号配線
７３、走査配線７２と、アクティブ素子７０及び画素電
極７１が全て同じ位置関係で設けられている。具体的に
は、全てのＴＦＴ基板５２、５３、５４、５５におい
て、Ｙ方向に延長されている信号配線７３の右側で、か
つＸ方向に延長されている走査配線７２の下側に、信号
配線７３にソース電極が接続され、走査配線７２にゲー
ト電極が接続されるＴＦＴよりなるアクティブ素子７０
が設けられ、そしてドレインと接続される画素電極７１
が設けられている。

【００１１】図１２は、左上側のＴＦＴ基板５２と右上
側のＴＦＴ基板５３の接続領域近傍を示す拡大平面図で
ある。左右のＴＦＴ基板５２、５３は、接続領域６０で
接着剤５６を用いて接続されている。この接続領域６０
を含む領域における画素ピッチは、左右のＴＦＴ基板５
２と５３の連続性を得るため、ＴＦＴ基板５２及び５３
の表示領域の画素ピッチと同一に形成することが望まし
い。このため、各ＴＦＴ基板の接続端面は非常に精度良
く平坦に処理し、接続領域６０を狭く形成する必要があ
る。しかしながら、ＴＦＴ基板をマザーガラスから所定
のサイズに切り出す際にスクライブ切断方法を用いる
と、切断面に０．５ｍｍ程度の凹凸が生じるため平坦な
切断端面を得ることは不可能である。従って、切断端面
の平坦性を得るためにダイヤモンドブレードを用いたダ
イシング装置を用いて切断する必要が有る。ダイシング
装置を用いた切断の場合は、切断面を０．０５ｍｍ以下
の凹凸に仕上げることが可能である。

【００１２】ダイシング装置を用いて切断した場合も、
図１３に示す様にＴＦＴ基板５３の切断端面のエッジに
微細な欠け（チッピング）６３が生じることがある。た
とえば経験によると、表１に示した条件でダイシング切
断を行うと、縦５５０ｍｍ、横６５０ｍｍ、厚さ１．１
ｍｍのマザーガラスを横方向に切断する場合、６５０ｍ
ｍの切断距離の中で、小さいチッピング（チッピング奥
行きＷが０．０１ｍｍ以下のもの）が多数と、大きなチ
ッピング（チッピング奥行きＷが０．０３〜０．０５ｍ
ｍ程度のもの）が２〜５箇所で突発的に発生することが
判明している。

【００１３】

【表１】

【００１４】ダイシング条件を最適化することで、チッ
ピング奥行きＷが０．０３〜０．０５ｍｍ程度の大きな
チッピングの発生確率を減らすことは可能であるとは思
われるが、生産効率の向上が求められる生産条件の中
で、大きなチッピングの発生を皆無にすることは不可能
である。

【００１５】ＴＦＴ基板の接続領域に大きなチッピング
（チッピング奥行きＷが０．０３〜０．０５ｍｍ程度の
もの）が発生すると、以下の様な問題が生じる。

【００１６】図１４は、接続領域にチッピング６３を有
する左右のＴＦＴ基板５２、５３を継ぎ合わせた際の接
続領域近傍の拡大平面図である。図に示す様に、ダイシ
ング切断時に発生するチッピング６３が、右側ＴＦＴ基
板５３では接続辺に隣接している信号配線７３を断線す
る可能性がある。また、場合によっては、アクティブ素
子７０を破壊することもある。このように、大きいチッ
ピング６３は、液晶表示パネルの生産良品率に大きな影
響があるが、小さいチッピングは信号配線を断線するよ
うな大きな生産良品率に影響を与える損傷とはならな
い。

【００１７】従って、ＴＦＴ基板５３のエッジに大きな
チッピング（チッピング奥行きＷが０．０３〜０．０５
ｍｍ程度のもの）が発生したとしても、信号配線やアク
ティブ素子が破壊されない構造が求められている。

【００１８】特開平８−１２２７６９号公報の問題点こ
の液晶表示装置は、図１５（ａ）に平面図、図１５
（ｂ）断面図を示す様に、液晶表示パネル８１、８２を
隣接接続することによって構成されている。液晶表示パ
ネルに用いられるＴＦＴ基板８５、８６には、周知の通
り、マトリクス状に形成された走査配線（ゲートバスラ
イン）９１と信号配線（ソースバスライン）９２、それ
ら両配線のマトリクス交差点毎に形成されたアクティブ
素子（ＴＦＴ素子）９３と画素電極９４が具備されてい
る。また、前述した様に、シール９０は各液晶表示パネ
ル８１、８２の周辺部に枠状に設けられており、その枠
状のシール９０の内側に液晶層８９が封入された構造に
なっている。

【００１９】図１６は、図１５に示した液晶表示装置に
おける、左右の液晶表示パネル８１、８２の接続領域近
傍におけるＴＦＴ基板８５、８６の拡大平面図である。
左右のＴＦＴ基板８５、８６は、接続領域８０で接着剤
８４を用いて接続されているとともに、ＴＦＴ基板８
５、８６の接続辺に沿って、ＴＦＴ基板８５、８６とＣ
Ｆ基板８７、８８を貼り合わせるためのシール９０が設
けられている。なお、シール９０は、個々の液晶表示パ
ネル８１、８２の周囲に設けられている枠状のシールパ
ターンを示している。

【００２０】ここで、接続領域での画素ピッチを他領域
の画素ピッチと同一にすると、表示の均一性が得られ
て、継ぎ目が目立たなくなるので、シール９０は、でき
るだけ細く形成するとともに、接続辺に沿って配置され
ている画素電極９４に隣接して配置する必要がある。こ
のためシール９０の材料としては、シール９０に隣接す
る表示画素に表示不良等の悪影響を与えないように、硬
化時に形状乱れの少ない光硬化型シール剤を用いてい
る。

【００２１】ところが、上記マトリクス状の走査配線９
１及び信号配線９２と、ＴＦＴ素子９３及び画素電極９
４の位置関係が、左右の液晶表示パネル８１、８２にお
いて、同じである場合、即ち、図１６に示すように、左
右のＴＦＴ基板８５と８６で、Ｘ方向に延長される走査
配線９１の下側で、かつＹ方向に延長されている信号配
線９２の右側に、走査配線９１、信号配線９２と接続さ
れるＴＦＴ素子９３及び画素電極９４が設けられている
と、以下の問題が生じる。

【００２２】ＴＦＴ基板８５、８６とＣＦ基板８７、８
８を周辺部で枠状にシールする工程において、シール樹
脂を光照射によって硬化させる際、ＣＦ基板８７、８８
の側から光照射を行うと、画素電極９４と対向する領域
以外の領域に形成したブラックマトリクス（ＢＭ）によ
って光が遮られてしまうため、ＴＦＴ基板８５、８６側
から照射を行う必要がある。しかしながら、右側のＴＦ
Ｔ基板８６では、図１６に示す様にシール９０と接続辺
に沿った信号配線９２が重なっているため、信号配線９
２によって光が遮られてシール９０の硬化不良を招く結
果となる。シール９０の硬化不良が存在すると、シール
９０に隣接する表示画素に表示不良等の悪影響を与える
ことになる。

【００２３】従って、シール９０に隣接して表示画素が
配置された場合でも、シール９０の硬化不良を生じない
構造が求められている。

【００２４】

【課題を解決する為の手段】本発明の請求項１記載の液
晶表示装置は、信号配線と走査配線とが直交配列され、
該信号配線と走査配線との各交差点近傍にアクティブ素
子及び画素電極が形成されてなるアクティブマトリクス
基板を複数側面同士で接続して一方の大基板を構成し、
該一方の基板とほぼ同じ大きさの電極付き対向基板との
間に液晶層を介して貼り合わせて構成される液晶表示装
置において、前記対向基板上には、異なる３色からなる
カラーフィルターが形成され、隣接する３色の画素及び
非表示領域を１ユニットとする画素ユニットが構成さ
れ、前記非表示領域の幅が、前記アクティブマトリクス
基板のそれぞれの接続領域側に形成される前記画素電極
間の間隔とほぼ等しいことを特徴としている。

【００２５】また、本発明の請求項２記載の液晶表示装
置は、前記一方の大基板を構成するアクティブマトリク
ス基板上の接続辺に沿って形成される前記信号配線と画
素電極のうち、該画素電極の方が前記接続領域側に形成
されている、あるいは前記走査線と画素電極のうち、該
画素電極の方が前記接続領域側に形成されていることを
特徴としている。

【００２６】また、本発明の請求項３記載の液晶表示装
置は、信号配線と走査配線とが直交配列され、該信号配
線と走査配線との各交差点近傍にアクティブ素子及び画
素電極が形成されてなるアクティブマトリクス基板と、
該アクティブマトリクス基板とほぼ同じ大きさの電極付
き対向基板との間に液晶層を介して貼り合せてなる液晶
表示パネルを、同一平面上で複数枚隣接させて側面同士
を接続して構成される液晶表示装置において、前記対向
基板上には、異なる３色からなるカラーフィルターが形
成され、隣接する３色の画素及び非表示領域を１ユニッ
トとする画素ユニットが構成され、前記非表示領域の幅
が、前記液晶表示パネルのそれぞれの接続領域側に形成
される前記画素電極間の間隔とほぼ等しいことを特徴と
している。

【００２７】また、本発明の請求項４の液晶表示装置
は、前記液晶表示パネルを構成するアクティブマトリク
ス基板上の接続辺に沿って形成される前記信号配線と画
素電極のうち、該画素電極の方が前記接続領域側に形成
されている、あるいは前記走査線と画素電極のうち、該
画素電極の方が前記接続領域側に形成されていることを
特徴としている。

【００２８】また、本発明の請求項５の液晶表示装置
は、前記アクティブマトリクス基板と対向基板との間に
おいて前記液晶層を封止するシール剤が、前記液晶表示
パネルの接続辺に沿って前記アクティブマトリクス基板
上に設けられ、さらに前記接続辺に沿って設けられたシ
ール剤は、前記信号配線及び操作配線と重ならないよう
に設けられていることを特徴としている。

【００２９】本発明の液晶表示装置は、以上の特徴を有
することにより、各実施例において、次のような作用が
ある。

【００３０】（実施例１の作用）本発明の実施例１の液
晶表示装置は、２枚のアクティブマトリクス基板を側面
同士で接続することにより一方の大基板を構成し、該一
方の大基板とほぼ同じ大きさの対向基板との間に液晶層
を介して貼り合わせることで大画面の液晶表示装置を構
成している。ＴＦＴ基板を複数の小基板で形成し、それ
らを互いの側面で接続して一方の大型ＴＦＴ基板として
いる点は、基本的に従来例に示した液晶表示装置と同様
である。ただし、ＴＦＴ基板上に設けられている、マト
リクス状に形成された走査配線と信号配線、それら両配
線のマトリクス交差点毎に形成されたアクティブ素子及
び画素電極の位置関係が異なっている。即ち、右側のＴ
ＦＴ基板では、Ｙ方向に延長されている信号配線の左側
に、該信号配線と接続されるアクティブ素子及び画素電
極が設けられている。これに対し、左側のＴＦＴ基板で
は、Ｙ方向に延長されている信号配線の右側に、該信号
配線と接続されるアクティブ素子及び画素電極が設けら
れている。つまり、左右２枚のＴＦＴ基板の接続辺近傍
には、信号配線ではなく、画素電極が隣接している構造
になっている。

【００３１】従って、これらＴＦＴ基板の接続辺をダイ
シング切断法によって切り出す際、前述したような理由
で接続辺に大きなチッピング（チッピング奥行きＷが
０．０３〜０．０５ｍｍ程度のもの）が発生したとして
も、信号配線やアクティブ素子が破壊されることを防ぐ
ことができる。また、仮に画素電極に到達する程大きな
該チッピングが発生したとしても、チッピングによって
破損された画素のみが点欠陥不良となるだけで済み、従
来の様に信号配線の断線による線欠陥不良になる様なこ
とはなく、最低限の表示不良に抑えることが可能であ
る。ただし、このチッピングは最大でチッピング奥行き
Ｗが５０μｍのものが存在する為、上記効果を得る為に
は、ＴＦＴ基板の接続辺から画素電極までの隙間Ｍを５
０μｍ以上に設定する必要がある。

【００３２】（実施例２の作用）また、本発明の実施例
２は、実施例１と同様の構造で、４枚のアクティブマト
リクス基板を上下左右で田字状に接続することにより一
方の大基板を構成し、該一方の基板とほぼ同じ大きさの
対向基板との間に液晶層を介して貼り合わせることで大
画面の液晶表示装置を形成している。この実施例２で
は、右上側のＴＦＴ基板では、Ｙ方向に延長されている
信号配線の左側に、かつＸ方向に延長されている走査配
線の下側に、該信号配線、走査配線と接続されるアクテ
ィブ素子及び画素電極が設けられている。また、右下側
のＴＦＴ基板では、Ｙ方向に延長されている信号配線の
左側に、かつＸ方向に延長されている走査配線の上側
に、該信号配線、走査配線と接続されるアクティブ素子
と画素電極が設けられている。また、左上側のＴＦＴ基
板では、Ｙ方向に延長されている信号配線の右側に、か
つＸ方向に延長されている走査配線の下側に、該信号配
線、走査配線と接続されるアクティブ素子と画素電極が
設けられている。また、左下側のＴＦＴ基板では、Ｙ方
向に延長されている信号配線の右側に、かつＸ方向に延
長されている走査配線の上側に、該信号配線、走査配線
と接続されるＴＦＴ素子及び画素電極が設けられてい
る。

【００３３】従って、これらＴＦＴ基板の接続辺をダイ
シング切断法によって切り出す際、前述したような理由
で接続辺に大きなチッピング（チッピング奥行きＷが
０．０３〜０．０５ｍｍ程度のもの）が発生したとして
も、実施例１と同様に信号配線や走査配線やアクティブ
素子が破壊されることを防ぐことができる。また、仮に
画素電極に到達する程大きなチッピングが発生したとし
ても、チッピングによって破損された画素のみが点欠陥
不良となるだけで済み、従来の様に信号断線による線欠
陥不良になる様なことはなく、最低限の表示不良に抑え
ることが可能である。

【００３４】（実施例３の作用）本発明の実施例３の液
晶表示装置は、左右２枚のアクティブマトリクス型液晶
表示パネルを補強基板上に側面同士隣接させて接着剤で
貼り付けることで大画面の液晶表示装置を形成してい
る。各液晶表示パネルは、ＴＦＴ基板とＣＦ基板が液晶
表示パネルの周辺部に枠状に設けられたシールで貼り合
わされ、その枠状シール内に液晶が封入された構造であ
る点は、基本的に従来例に示した液晶表示装置と同様で
ある。ただし、ＴＦＴ基板上に設けられている、マトリ
クス状に形成された走査配線と信号配線、それら両配線
のマトリクス交差点毎に形成されたアクティブ素子及び
画素電極の位置関係が異なっている。即ち、右側のＴＦ
Ｔ基板では、Ｙ方向に延長されている信号配線の左側
に、該信号配線と接続されるアクティブ素子及び画素電
極が設けられている。これに対し、左側のＴＦＴ基板で
は、Ｙ方向に延長されている信号配線の右側に、該信号
配線と接続されるアクティブ素子及び画素電極が設けら
れている。つまり、左右のＴＦＴ基板の接続辺近傍に
は、信号配線ではなく、画素電極が隣接している構造に
なっている。

【００３５】従って、これらＴＦＴ基板の接続辺沿って
シールを設ける際、シールを画素電極に近づけてもシー
ルが信号配線と重なることがない。このため、シールを
硬化させるためにＴＦＴ基板側から光を照射しても、信
号配線によって光が遮られることがなく、シールを完全
に硬化させることが可能である。

【００３６】（実施例４の作用）また本発明の実施例４
は、上記実施例３と同様の構造で、４枚の液晶表示パネ
ルを補強基板上に上下左右に側面同士隣接させて接着剤
で貼り付けることで大画面の液晶表示装置を形成してい
る。この実施例４では、右上側のＴＦＴ基板では、Ｙ方
向に延長されている信号配線の左側に、かつＸ方向に延
長されている走査配線の下側に、該信号配線、走査配線
と接続されるアクティブ素子及び画素電極が設けられて
いる。また、右下側のＴＦＴ基板では、Ｙ方向に延長さ
れている信号配線の左側に、かつＸ方向に延長されてい
る走査配線の上側に、該信号配線、走査配線と接続され
るアクティブ素子及び画素電極が設けられている。ま
た、左上側のＴＦＴ基板では、Ｙ方向に延長されている
信号配線の右側に、かつＸ方向に延長されている走査配
線の下側に、該信号配線、走査配線と接続されるアクテ
ィブ素子及び画素電極が設けられている。また、左下側
のＴＦＴ基板では、Ｙ方向に延長されている信号配線の
右側に、かつＸ方向に延長されている走査配線の上側
に、該信号配線、走査配線と接続されるアクティブ素子
及び画素電極が設けられている。

【００３７】従って、これらＴＦＴ基板の接続辺に沿っ
てシールを設ける際、シールを画素電極に近づけてもシ
ールが信号配線と走査配線に重なることがない。このた
め、シールを硬化させるためにＴＦＴ基板側から光を照
射しても、信号配線や走査配線によって光が遮られるこ
とがなく、シールを完全に硬化させることが可能にな
る。

【００３８】

【発明の実施の形態】（実施例１）以下、図面を参考に
しながら本発明の実施例１を説明する。

【００３９】図１は、本発明の実施例１にかかわる液晶
表示装置の構成を示し、図１（ａ）は平面図、図１
（ｂ）は断面図を示す。図１に示す様に、本発明の液晶
表示装置は、アクティブマトリクス基板（ＴＦＴ基板）
１、２を左右で接続することにより一方の大基板を形成
し、この一方の大基板とほぼ同じ大きさの電極付きのカ
ラーフィルターを形成した対向基板３との間に、液晶層
４を介して貼り合わせることで大画面の液晶表示装置を
形成している。通常、ＴＦＴ基板１、２が接続された大
基板は対向基板３より若干大きく形成され、対向基板３
より大きい部分に走査配線、信号配線の接続端子を形成
している。図２は、図１に示す液晶表示装置を構成して
いる左右のＴＦＴ基板の接続領域付近を示す拡大平面図
である。ＴＦＴ基板１、２は、図２に示すように、ガラ
ス等の透明基板上に、マトリクス状に配置された走査配
線（ゲートバスライン）５及び信号配線（ソースバスラ
イン）６、これら両配線のマトリクス交差点に形成され
たアモルファスシリコンやポリシリコン等の半導体材料
よりなる薄膜トランジスタ（ＴＦＴ（ＴｈｉｎＦｉｌ
ｍＴｒａｎｓｉｓｉｔｏｒ））をスイッチング素子と
するアクティブ素子７、ＩＴＯ等の透明導電膜から形成
される画素電極８が周知の材料及びプロセスで形成され
ている。ＴＦＴのゲート電極は走査配線５に接続され、
ソース電極は信号配線６に接続され、ドレイン電極は画
素電極８に接続される。対向基板（ＣＦ基板）３は、ガ
ラス等の透明基板上に、上記各画素電極８に対応して設
けられた赤（Ｒ）緑（Ｇ）青（Ｂ）の各カラーフィルタ
ー９と、各画素電極８の間からの光漏れを防ぐための格
子状遮光膜（ブラックマトリクス（ＢＭ））１０、ＩＴ
Ｏ等の透明導電膜から形成される共通電極が周知の材料
及びプロセスで形成されている。

【００４０】また、図２は、マトリクス状に配線された
走査配線５、信号配線６とアクティブ素子７及び画素電
極８の位置関係を示している。図２に示すように、左側
のＴＦＴ基板１と、右側のＴＦＴ基板２は、マトリクス
状の走査配線５、信号配線６とアクティブ素子７及び画
素電極８の位置関係が反対に配置された構造になってい
る。即ち、接続領域Ｎを中心とする線対称に配置されて
いる。具体的には、左側のＴＦＴ基板１では、Ｙ方向に
延長されている信号配線６の右側に、この信号配線６と
ソース電極が接続されるアクティブ素子７及び画素電極
８が設けられている。これに対し、右側のＴＦＴ基板２
では、Ｙ方向に延長されている信号配線６の左側に、こ
の信号配線６とソース電極が接続されるアクティブ素子
７及び画素電極８が設けられている。つまり、左右のＴ
ＦＴ基板１、２の接続領域Ｎの近傍には、信号配線６は
なく、画素電極８が隣接している構造になっている。ま
た、上記左右２枚のＴＦＴ基板１、２は、図に示す接続
領域Ｎにおいて透明な接着剤１１で側面同士が接続され
ている。

【００４１】なお、図３に示すように、ＴＦＴ基板１と
２の接続辺から画素電極８までの距離Ｍは、５０μｍに
設定した。このため、接続領域Ｎが５０μｍの場合、Ｔ
ＦＴ基板１と２の接続領域Ｎをはさむ画素電極間８と８
の距離は（２Ｍ＋Ｎ）＝１５０μｍとなる。ところで、
図１に示す本発明の液晶表示装置で、例えば、対角４０
インチサイズ、解像度８００×６００（ＳＶＧＡ）の表
示を得るためには、Ｒ、Ｇ、Ｂの３画素を１ユニットと
する１画素ユニットのサイズは約１０００μｍ×１００
０μｍとなる。そこで、図４に示すように、１画素ユニ
ットＵあたり１５０／１０００の割合で非表示エリアＮ
Ｕを設けておくことで、ＴＦＴ基板の接続領域Ｎをこの
非表示エリア内に納めることができる。表示領域の全て
の画素ユニットにこのような非表示エリアを設けること
で、ＴＦＴ基板１、２の接続領域Ｎにおいても他の部分
と同様の画素ピッチが実現でき、継ぎ目を目立たせない
で違和感のない表示が実現できる。なお、非表示エリア
ＮＵはＣＦ基板に設けられているブラックマトリクス
（ＢＭ）で覆い隠しておくと良い。

【００４２】ＴＦＴ基板をマザーガラスから所定のサイ
ズに切り出す場合、簡便なスクライブ切断方法を用いる
と、切断面に０．５ｍｍ程度の凹凸が生じるため平坦な
切断端面を得ることは不可能である。そこで本実施例で
は、ダイヤモンドブレードを使用したダイシング装置を
用いて切断を行うことにした。この結果、表１で示した
条件でダイシング装置を用いることで、切断面を０．０
２ｍｍの凹凸に仕上げることができ、接続領域Ｎを５０
μｍにして接続することが可能であった。

【００４３】ただし、たとえダイシング装置を用いて切
断したとしても、図３に示す様に切断面のエッジに微細
な欠け（チッピング）Ｂが生じる。たとえば、表１に示
した条件でダイシング切断を行うと、６５０ｍｍの切断
距離の中で、小さいチッピング（チッピング奥行きＷが
０．０１ｍｍ以下のもの）が多数と、大きなチッピング
（チッピング奥行きＷが０．０３〜０．０５ｍｍ程度の
もの）が２〜５箇所で突発的に発生する。

【００４４】このような場合、従来の液晶表示装置で
は、ＴＦＴ基板のダイシング切断時に発生するチッピン
グが、図１４に示した様に接続辺に隣接している信号配
線を断線する可能性があった。また場合によっては、ア
クティブ素子を破壊する可能性もあった。

【００４５】しかしながら、本発明の液晶表示装置の場
合、図２に示す構造を採用しているためこのような問題
を解決することが可能である。図３は、接続辺に上記チ
ッピングＢを有するＴＦＴ基板１、２を継ぎ合わせた際
のＴＦＴ基板の拡大平面図である。図に示す様に、ＴＦ
Ｔ基板１、２のダイシング切断時にチッピングＢが発生
したとしても、従来のように接続領域Ｎに信号配線６が
隣接していないので、チッピングＢによって信号配線６
が断線されることは全くない。また、アクティブ素子７
が破壊されることもない。ただし、このチッピングＢは
最大でチッピング奥行きＷが５０μｍのものが存在する
為、上記効果を得る為には、ＴＦＴ基板の接続辺から画
素電極までの隙間Ｍを５０μｍ以上に設定する必要があ
る。

【００４６】上述してきたように、本発明の液晶表示装
置では、図２に示す配線設計を採用し、ＴＦＴ基板１、
２の接続領域Ｎから画素電極８までの隙間Ｍを５０μｍ
以上に設定することで、ＴＦＴ基板を切断加工する際に
チッピング奥行きＷが０．０３〜０．０５ｍｍ程度のチ
ッピングＢが発生したとしても、断線不良や点欠陥不良
の発生を防ぐことが可能になる。また、ダイシング切断
加工条件を究極に最適化する必要がなく、生産効率の向
上を妨げることもない。また、仮に極希であるが画素電
極８に到達する程大きなチッピングが発生したとして
も、チッピングによって破損された画素電極８の部分の
みが点欠陥不良となるだけで済み、従来の様に信号配線
の断線による線欠陥不良になる様なことはなく、最低限
の表示不良に抑えることが可能である。

【００４７】なお、ここでは、対角４０インチサイズ、
解像度８００×６００（ＳＶＧＡ）の表示を得ることの
できる液晶表示装置について具体例を示したが、本発明
はこれらサイズ、解像度にこだわるものではなく、図１
に示すようにＴＦＴ基板を接続することで大型化を図る
液晶表示装置であれば、サイズを問わず広く適用させる
ことが可能である。また、図５（ａ）の平面図、図５
（ｂ）の断面図を示す液晶表示装置のように、２枚のＴ
ＦＴ基板１、２の接続領域Ｎに沿って、各ＴＦＴ基板
１、２とＣＦ基板３の隙間にシール１２、１２が設けら
れた構造の液晶表示装置でも同様の効果を得ることが可
能である。また、アクティブ素子として、例えばＭＩＭ
のようにＴＦＴ素子以外のものを用いた場合でも同様の
効果を得ることができる。

【００４８】（実施例２）実施例２に示す本発明の液晶
表示装置は、アクティブマトリクス基板（ＴＦＴ基板）
を上下左右に配置して、田字状に接続することにより一
方の大基板を形成し、この一方の大基板とほぼ同じ大き
さの他方の電極付きのカラーフィルターを形成した対向
基板との間に液晶層を介して貼り合わせることで大画面
の液晶表示装置を形成している。ＴＦＴ基板の接続数が
異なる以外は、基本的には実施例１に示した液晶表示装
置と同様の構造である。

【００４９】図６は、上下左右のＴＦＴ基板２１、２
２、２３、２４の接続領域付近を示す拡大平面図であ
る。マトリクス状の走査配線２５、信号配線２６と、ア
クティブ素子２７及び画素電極２８の位置関係が示され
ている。図から分かるように、上下左右のＴＦＴ基板２
１、２２、２３、２４において、マトリクス状の走査配
線２５、信号配線２６と、アクティブ素子２７及び画素
電極２８の位置関係が異なっている。即ち、接続領域Ｎ
を中心にして、上下方向及び左右方向に線対称に配置さ
れている。具体的には、右上側のＴＦＴ基板２１では、
Ｙ方向に延長されている信号配線２６の左側に、かつＸ
方向に延長されている走査配線２５の下側に、該信号配
線２６、走査配線２５と接続されるアクティブ素子２７
及び画素電極２８が設けられている。また、右下側のＴ
ＦＴ基板２２では、Ｙ方向に延長されている信号配線２
６の左側に、かつＸ方向に延長されている走査配線２５
の上側に、該信号配線２６、走査配線２５と接続される
アクティブ素子２７及び画素電極２８が設けられてい
る。また、左上側のＴＦＴ基板２４では、Ｙ方向に延長
されている信号配線２６の右側に、かつＸ方向に延長さ
れている走査配線２５の下側に、該信号配線２６、走査
配線２５と接続されるアクティブ素子２７及び画素電極
２８が設けられている。また、左下側のＴＦＴ基板２３
では、Ｙ方向に延長されている信号配線２６の右側に、
かつＸ方向に延長されている走査配線２５の上側に、該
信号配線２６、走査配線２５と接続されるアクティブ素
子２７及び画素電極２８が設けられている。

【００５０】従って、これらＴＦＴ基板２１、２２、２
３、２４の接続辺をダイシング切断法によって切り出す
際、前述したような理由で接続辺に大きなチッピングＢ
（チッピング奥行きＷが０．０３〜０．０５ｍｍ程度の
もの）が発生したとしても、実施例１と同様に様の作用
で信号配線２６や走査配線２５やアクティブ素子２７が
破壊されることを防ぐことができる。ただし、チッピン
グＢは最大でチッピング奥行きＷが５０μｍのものが存
在する為、上記効果を得る為には、横方向の接続辺及び
縦方向の接続辺ともに、ＴＦＴ基板の接続辺から画素電
極までの隙間Ｍを５０μｍ以上に設定する必要がある。

【００５１】また、ダイシング切断加工条件を究極に最
適化する必要がなく、生産効率の向上を妨げることもな
い。また、仮に極希であるが画素電極に到達する程大き
な該チッピングが発生したとしても、チッピングによっ
て破損された画素のみが点欠陥不良となるだけで済み、
従来の様に信号配線の断線による線欠陥不良になる様な
ことはなく、最低限の表示不良に抑えることが可能であ
る。

【００５２】（実施例３）図７は、実施例３に示す本発
明の液晶表示装置の構成を示し、図７（ａ）は平面図、
図７（ｂ）は断面図を示す。この液晶表示装置は、左右
のアクティブマトリクス型液晶表示パネル３１、３２を
補強基板３３上に側面同士隣接させて接着剤３４で貼り
付けることで大画面の液晶表示装置を形成している。液
晶表示パネル３１、３２に用いられるＴＦＴ基板３５
ａ、３５ｂは、ガラス等の透明基板上に、マトリクス状
に配置された走査配線（ゲートバスライン）４１及び信
号配線（ソースバスライン）４２、これら両配線のマト
リクス交差点に形成された薄膜トランジスタ（ＴＦＴ
（Thin Film Transistor））をスイッチング素子とする
アクティブ素子４３、ＩＴＯ等の透明導電膜から形成さ
れる画素電極４４が周知の材料及びプロセスで形成され
ている。ＴＦＴのゲート電極は走査配線４１に接続さ
れ、ソース電極は信号配線４２に接続され、ドレイン電
極は画素電極４４に接続される。また、対向基板（ＣＦ
基板）３７ａ、３７ｂは、ガラス等の透明基板上に、各
画素毎に設けられた赤（Ｒ）緑（Ｇ）青（Ｂ）のカラー
フィルター４５と、各画素間からの光漏れを防ぐための
格子状遮光膜（ブラックマトリクス（ＢＭ））４６、Ｉ
ＴＯ等の透明導電膜から形成される共通電極が周知の材
料及びプロセスで形成されている。

【００５３】また、ＴＦＴ基板３５ａ、３５ｂとＣＦ基
板３７ａ、３７ｂはシール４０によって貼り合わされて
いる。このシールは個々の液晶表示パネル３１、３２の
周辺部に枠状に設けられており、その枠シール内にそれ
ぞれ液晶層３９が封入された構造になっている。液晶表
示装置の光の入射側と出射側に偏光板３６ａ、３６ｂが
設けられ、ノーマリホワイトモードの場合、偏光板３６
ａ、３６ｂの偏光軸方向は互いに直交するよう配置され
る。

【００５４】図８は、図７に示す液晶表示装置を構成し
ている左右のＴＦＴ基板３５ａ、３５ｂの接続部付近を
示す拡大平面図である。マトリクス状の走査配線４１、
信号配線４２と、アクティブ素子４３及び画素電極４４
の位置関係が示されている。図から分かるように、左右
のＴＦＴ基板３５ａ、３５ｂによって、マトリクス状の
走査配線４１、信号配線４２と、アクティブ素子４３及
び画素電極４４の位置関係が異なっている。即ち、接続
領域Ｎ'を中心とする線対称になっている。具体的に
は、右側のＴＦＴ基板３５ｂでは、Ｙ方向に延長されて
いる信号配線４２の左側に、該信号配線４２と接続され
るアクティブ素子４３及び画素電極４４が設けられてい
る。これに対し、左側のＴＦＴ基板３５ａでは、Ｙ方向
に延長されている信号配線４２の右側に、該信号配線４
２と接続されるアクティブ素子４３及び画素電極４４が
設けられている。つまり、左右のＴＦＴ基板３５ａと３
５ｂの接続辺近傍には、信号配線４２ではなく、画素電
極４４が隣接している構造になっている。

【００５５】なお、ＴＦＴ基板３５ａ、３５ｂの接続辺
から画素電極４４までの隙間Ｍ'は、１５０μｍに設定
した。このため、接続領域Ｎ'が５０μｍの場合、ＴＦ
Ｔ基板３５ａ、３５ｂの接続領域にまたがる画素電極間
の間隙は（２Ｍ'＋Ｎ'）＝３５０μｍとなる。ところ
で、図７に示す本発明の液晶表示装置で、例えば、対角
４０インチサイズ、解像度８００×６００（ＳＶＧＡ）
の表示を得るためには、Ｒ、Ｇ、Ｂの３画素を１ユニッ
トとする１画素ユニットのサイズは約１０００μｍ×１
０００μｍとなる。そこで、図９に示すように、１画素
ユニットＵあたり３５０／１０００の割合で非表示エリ
アＮＵを設けておくことで、ＴＦＴ基板の接続部を該非
表示エリア内に納めることができる。表示領域の全ての
画素ユニットにこのような非表示エリアを設けること
で、ＴＦＴ基板３５ａ、３５ｂの接続領域Ｎ'において
も他の部分と同様の画素ピッチが実現でき、継ぎ目の目
立たせないで、違和感のない表示が実現できる。なお、
非表示エリアはＣＦ基板に設けられているブラックマト
リクス（ＢＭ）で覆い隠しておくと良い。

【００５６】また、左右の液晶表示パネル３１、３２
は、接続領域Ｎ'で接着剤３４を用いて接続されている
とともに、ＴＦＴ基板の接続辺に沿って、ＴＦＴ基板３
５ａ、３５ｂとＣＦ基板３７ａ、３７ｂを貼り合わせる
ためのシール４０が設けられている。なお、シール４０
は、個々の液晶表示パネル３１、３２の周囲に設けられ
ている枠状のシールパターンの内、左右ＴＦＴ基板の接
続辺に沿って設けられているシールのことである。この
シール４０は、接続領域での画素ピッチを他領域の画素
ピッチと揃えて表示の均一性を得るために、できるだけ
細く形成するとともに、接続辺に沿って形成されている
画素電極４４にできるだけ近づけて配置する必要があ
る。例えば、図８に示す設計の場合、ＴＦＴ基板の接続
辺から画素電極４４までの隙間Ｍ'（１５０μｍ）以内
にシール４０を納める必要がある。このためシール４０
の材料としては、シール４０に隣接する表示画素に表示
不良等の悪影響を与えないように、硬化時に形状乱れの
少ない光硬化型シール剤を用いる必要がある。具体的に
は、アクリル系の紫外線硬化型シール剤を用いている。

【００５７】従来は、マトリクス状の走査配線９１と信
号配線９２がアクティブ素子９３及び画素電極９４と
は、図１６に示したような位置関係であったため、シー
ル４０と接続辺に沿った信号配線９２が重なることがあ
り、シール４０を光照射によって硬化させる際、信号配
線９２によって光が遮られるためシール４０の硬化不良
を招いていた。

【００５８】これに対し、本発明の液晶表示装置では、
図８に示した様に、シール４０を接続領域Ｎ'に隣接し
ている画素電極４４にできるだけ近づけて配置しても、
信号配線４２とシール４０が重なることがない。従っ
て、シール硬化用の光をＴＦＴ基板側から照射した場合
でも信号配線４２によって光が遮られることがなく、シ
ール４０を完全に硬化させることが可能となり、シール
４０に隣接する表示画素に表示不良等の悪影響を与える
ことがない。

【００５９】なお、ここでは、対角４０インチサイズ、
解像度８００×６００（ＳＶＧＡ）の表示を得ることの
できる液晶表示装置について具体例を示したが、本発明
はこれらサイズ、解像度にこだわるものではなく、図７
に示すように左右のアクティブマトリクス型液晶表示パ
ネルを同一平面上に側面同士隣接させて接着剤で貼り付
けることで大型化を図る液晶表示装置であれば、サイズ
を問わず広く適用させることが可能である。また、アク
ティブ素子として、例えばＭＩＭのようにＴＦＴ素子以
外のものを用いた場合でも同様の効果を得ることができ
る。

【００６０】（実施例４）実施例４に示す本発明の液晶
表示装置は、上下左右にアクティブマトリクス型液晶表
示パネルを配置して補強基板上に側面同士田字状に隣接
させて接着剤で貼り付けることで大画面の液晶表示装置
を形成している。液晶表示パネルの接続数が異なる以外
は、基本的には実施例３に示した液晶表示装置と同様の
構造である。

【００６１】図１０は、上下左右に配置したＴＦＴ基板
の接続部付近を示す拡大平面図である。マトリクス状の
走査配線、信号配線と、アクティブ素子及び素電極の位
置関係が示されている。図から分かるように、上下左右
に配置されたＴＦＴ基板４７、４８、４９、５０におい
て、マトリクス状の走査配線４１、信号配線４２と、ア
クティブ素子４３及び画素電極４４の位置関係が異なっ
ている。即ち、接続領域Ｎ'を中心にして上下左右方向
に線対称に配置されている。具体的には、右上のＴＦＴ
基板４５では、Ｙ方向に延長されている信号配線４２の
左側に、かつＸ方向に延長されている走査配線４１の下
側に、該信号配線４２、走査配線４１と接続されるアク
ティブ素子４３及び画素電極４４が設けられている。ま
た、右下のＴＦＴ基板４８では、Ｙ方向に延長されてい
る信号配線４２の左側に、かつＸ方向に延長されている
走査配線４１の上側に、該信号配線４２、走査配線４１
と接続されるアクティブ素子４３及び画素電極４４が設
けられている。また、左下のＴＦＴ基板５０では、Ｙ方
向に延長されている信号配線４２の右側に、かつＸ方向
に延長されている走査配線４１の下側に、該信号配線４
２、走査配線４１と接続されるアクティブ素子４３及び
画素電極４４が設けられている。また、左上のＴＦＴ基
板４９では、Ｙ方向に延長されている信号配線４２の右
側に、かつＸ方向に延長されている走査配線４１の上側
に、該信号配線４２、走査配線４１と接続されるアクテ
ィブ素子４３及び画素電極４４が設けられている。

【００６２】従って、これら液晶表示パネルをＴＦＴ基
板４７、４８、４９、５０の接続辺に沿ってシール４０
を設ける際、シール４０を画素電極に近づけてもシール
４０が信号配線４２や、走査配線４１と重なることがな
い。このため、シール４０を硬化させるためにＴＦＴ基
板側から光を照射しても、信号配線４２や走査配線４１
によって光が遮られることがなく、シール４０を完全に
硬化させることが可能になる。

【００６３】

【発明の効果】（実施例１の効果）本発明の液晶表示装
置は、液晶表示装置を構成している左右のＴＦＴ基板の
接続辺近傍には、信号配線ではなく、画素電極が隣接し
ている配線設計になっている。従って、これらＴＦＴ基
板の接続辺をダイシング切断法によって切り出す際、接
続辺にチッピングが発生したとしても、信号配線やＴＦ
Ｔ素子が破壊されることを防ぐことができる。また、仮
に画素配線に到達する程大きな該チッピングが発生した
としても、チッピングによって破損された画素のみが点
欠陥不良となるだけで済み、従来の様に信号断線による
線欠陥不良になる様なことはなく、最低限の表示不良に
抑えることが可能である。

【００６４】（実施例２の効果）本発明の液晶表示装置
は、液晶表示装置を構成している上下左右のＴＦＴ基板
の接続辺近傍には、信号配線や走査配線ではなく、画素
電極が隣接している配線設計になっている。従って、こ
れらＴＦＴ基板の接続辺をダイシング切断法によって切
り出す際、接続辺にチッピングが発生したとしても、信
号配線や走査配線やＴＦＴ素子が破壊されることを防ぐ
ことができる。また、仮に画素電極に到達する程大きな
該チッピングが発生したとしても、チッピングによって
破損された画素のみが点欠陥不良となるだけで済み、従
来の様に信号断線による線欠陥不良になる様なことはな
く、最低限の表示不良に抑えることが可能である。

【００６５】（実施例３の効果）本発明の液晶表示装置
は、液晶表示装置を構成している左右のアクティブマト
リクス型液晶表示パネルのＴＦＴ基板の接続辺近傍に
は、信号配線ではなく、画素電極が隣接している配線設
計になっている。従って、シールを接続辺に隣接してい
る画素電極にできるだけ近づけて配置したとしても、Ｔ
ＦＴ基板側から照射される光が何ら遮られることなくシ
ールに届くため、シールを完全に硬化させることが可能
である。

【００６６】（実施例４の効果）本発明の液晶表示装置
は、液晶表示装置を構成している上下左右のアクティブ
マトリクス型液晶表示パネルのＴＦＴ基板の接続辺近傍
には、信号配線や走査配線ではなく、画素電極が隣接し
ている配線設計になっている。従って、シール４０を接
続辺に隣接している画素電極にできるだけ近づけて配置
したとしても、ＴＦＴ基板側から照射される光が何ら遮
られることなくシール４０に届くため、シール４０を完
全に硬化させることが可能である。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施例１にかかわる液晶表示装置の構
成を示し、（ａ）は平面図、（ｂ）は断面図である。

【図２】図１に示す液晶表示装置を構成している左右の
ＴＦＴ基板の接続領域付近を示す拡大平面図である。

【図３】図２の拡大平面図において、接続辺にチッピン
グを有するＴＦＴ基板を継ぎ合わせた際のＴＦＴ基板の
拡大平面図である。

【図４】図１に示す液晶表示装置の１画素ユニットの画
素配置図である。

【図５】図１に示す液晶表示装置のＴＦＴ基板とＣＦ基
板の隙間にシールが設けられた構造の液晶表示装置を示
し、（ａ）は平面図、（ｂ）は断面図である。

【図６】本発明の実施例２にかかわる液晶表示装置の上
下左右のＴＦＴ基板の接続領域付近を示す拡大平面図で
ある。

【図７】本発明の実施例３にかかわる液晶表示装置の構
成を示し、（ａ）は平面図、（ｂ）は断面図である。

【図８】図７に示す液晶表示装置を構成している左右の
ＴＦＴ基板の接続領域付近を示す拡大平面図である。

【図９】図７に示す液晶表示装置の１画素ユニットの画
素配置図である。

【図１０】本発明の実施例４にかかわる液晶表示装置の
上下左右のＴＦＴ基板の接続領域付近を示す拡大平面図
である。

【図１１】従来の液晶表示装置の構成を示し、（ａ）は
平面図、（ｂ）は断面図である。

【図１２】図１１に示す液晶表示装置の左右のＴＦＴ基
板の接続領域近傍を示す拡大平面図である。

【図１３】ＴＦＴ基板をダイシング装置を用いて切断し
た時の、切断面のエッジに生じる微細な欠け（チッピン
グ）を示す図である。

【図１４】接続辺にチッピングを有するＴＦＴ基板を継
ぎ合わせた際のＴＦＴ基板の拡大平面図である。

【図１５】従来の液晶表示装置の構成を示し、（ａ）は
平面図、（ｂ）は断面図である。

【図１６】図１５に示す液晶表示装置の左右のＴＦＴ基
板の接続領域近傍を示す拡大平面図である。

【符号の説明】

１、２アクティブマトリクス基板（ＴＦＴ基板）３対向基板４液晶層５走査配線（ゲートバスライン）６信号配線（ソースバスライン）７アクティブ素子（ＴＦＴ素子）８画素電極９カラーフィルター１０ブラックマトリクス（ＢＭ）１１接着剤Ｂチッピング１２シール２１、２２、２３、２４ＴＦＴ基板２５走査配線２６信号配線２７アクティブ素子２８画素電極３１、３２アクティブマトリクス液晶表示パネル３３補強基板３４接着剤３５ａ、３５ｂＴＦＴ基板３６ａ、３６ｂ偏光板３７ａ、３７ｂ対向基板３９液晶層４０シール４１走査配線４２信号配線４３アクティブ素子４４画素電極４５カラーフィルター４６ブラックマトリクス（ＢＭ）４７、４８、４９、５０ＴＦＴ基板

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Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】信号配線と走査配線とが直交配列され、該
信号配線と走査配線との各交差点近傍にアクティブ素子
及び画素電極が形成されてなるアクティブマトリクス基
板を複数側面同士で接続して一方の大基板を構成し、該
一方の大基板とほぼ同じ大きさの電極付き対向基板との
間に液晶層を介して貼り合わせて構成される液晶表示装
置において、前記対向基板上には、異なる３色からなるカラーフィル
ターが形成され、隣接する３色の画素及び非表示領域を
１ユニットとする画素ユニットが構成され、前記非表示
領域の幅が、前記アクティブマトリクス基板のそれぞれ
の接続領域側に形成される前記画素電極間の間隔とほぼ
等しいことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】前記一方の大基板を構成するアクティブマ
トリクス基板上の接続辺に沿って形成される前記信号配
線と画素電極のうち、該画素電極の方が前記接続領域側
に形成されている、あるいは前記走査線と画素電極のう
ち、該画素電極の方が前記接続領域側に形成されている
ことを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項３】信号配線と走査配線とが直交配列され、該
信号配線と走査配線との各交差点近傍にアクティブ素子
及び画素電極が形成されてなるアクティブマトリクス基
板と、該アクティブマトリクス基板とほぼ同じ大きさの
電極付き対向基板との間に液晶層を介して貼り合せてな
る液晶表示パネルを、同一平面上で複数枚隣接させて側
面同士を接続して構成される液晶表示装置において、前記対向基板上には、異なる３色からなるカラーフィル
ターが形成され、隣接する３色の画素及び非表示領域を
１ユニットとする画素ユニットが構成され、前記非表示
領域の幅が、前記液晶表示パネルのそれぞれの接続領域
側に形成される前記画素電極間の間隔とほぼ等しいこと
を特徴とする液晶表示装置。
【請求項４】前記液晶表示パネルを構成するアクティブ
マトリクス基板上の接続辺に沿って形成される前記信号
配線と画素電極のうち、該画素電極の方が前記接続領域
側に形成されている、あるいは前記走査線と画素電極の
うち、該画素電極の方が前記接続領域側に形成されてい
ることを特徴とする請求項３に記載の液晶表示装置。
【請求項５】前記アクティブマトリクス基板と対向基板
との間において前記液晶層を封止するシール剤が、前記
液晶表示パネルの接続辺に沿って前記アクティブマトリ
クス基板上に設けられ、さらに前記接続辺に沿って設け
られたシール剤は、前記信号配線及び操作配線と重なら
ないように設けられていることを特徴とする請求項３に
記載の液晶表示装置。