JP2003204207A - Non-reciprocal circuit element - Google Patents
Non-reciprocal circuit elementInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、高周波信号に対し
て非可逆伝送特性を有する非可逆回路素子に関し、より
詳しくは携帯電話などの移動体通信システムの中で使用
されアイソレータやサーキュレータと呼ばれる非可逆回
路素子に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a non-reciprocal circuit device having a non-reciprocal transmission characteristic for high frequency signals, and more specifically, it is used in a mobile communication system such as a mobile phone and is called an isolator or a circulator. The present invention relates to a reversible circuit element.
【０００２】[0002]
【従来の技術】非可逆回路素子は、携帯電話あるいは自
動車電話などのマイクロ波通信機器の送信回路におい
て、アンテナから逆流してくる好ましくない信号から送
信電力増幅器（パワーアンプ）などを保護する等の為、
特にＣＤＭＡ方式では出力電力を厳密に制御する必要か
らパワーアンプの誤動作防止の為に必須の素子である。
そして、非可逆回路素子にも部品の小型化、低損失化が
要求されている。現在の非可逆回路素子は、５ｍｍ×５
ｍｍ（５ｍｍ角）×厚み１．５〜２ｍｍが主流である
が、小型化要求に伴い４ｍｍ角の非可逆回路素子の開発
が進められ、一部の通信システム（Ｗ−ＣＤＭＡ（１．
９ＧＨｚ帯）など）では４ｍｍ角が使用されている。以
下、非可逆回路素子のうちアイソレータを例にとって説
明する。2. Description of the Related Art Non-reciprocal circuit elements are used in transmission circuits of microwave communication equipment such as mobile phones and car phones to protect transmission power amplifiers (power amplifiers) from undesired signals flowing backward from antennas. Therefore,
Particularly in the CDMA system, since it is necessary to strictly control the output power, it is an essential element for preventing malfunction of the power amplifier.
In addition, the nonreciprocal circuit device is also required to have smaller parts and lower loss. Current non-reciprocal circuit element is 5mm x 5
mm (5 mm square) × thickness 1.5 to 2 mm is the mainstream, but development of a 4 mm square nonreciprocal circuit device has been promoted in response to a demand for miniaturization, and some communication systems (W-CDMA (1.
4 mm square is used in (9 GHz band) and the like). Hereinafter, an isolator of the non-reciprocal circuit elements will be described as an example.
【０００３】従来のアイソレータは、例えば図７に例示
する構造を有する。互いに電気的絶縁状態でかつ１２０
度間隔で重ねられた３つの中心導体３１〜３３をガーネ
ット磁性体３８上に配置した中心導体組立体３０と、ガ
ーネット磁性体３８に直流磁界を印加するための永久磁
石２０と、整合用容量５１〜５３と終端抵抗器５０を有
し、これらを、磁性ヨークを兼ねた上ケース１１と下ケ
ース１２とで構成する金属ケース内に収納することが多
い。上ケース１１および下ケース１２間には、絶縁体に
電極材料をインサートした絶縁体成形品６０が設けられ
ており、絶縁体成形品６０内には、３つの整合用容量５
１〜５３、１つの終端抵抗器５０、中心導体組立体３０
が収納されている。A conventional isolator has, for example, the structure shown in FIG. 120 electrically isolated from each other
A central conductor assembly 30 in which three central conductors 31 to 33, which are superposed at intervals, are arranged on a garnet magnetic body 38, a permanent magnet 20 for applying a DC magnetic field to the garnet magnetic body 38, and a matching capacitor 51. .About.53 and the terminating resistor 50, and these are often housed in a metal case composed of the upper case 11 and the lower case 12 which also serve as magnetic yokes. An insulator molded product 60 in which an electrode material is inserted into an insulator is provided between the upper case 11 and the lower case 12, and three matching capacitors 5 are provided in the insulator molded product 60.
1-53, one termination resistor 50, center conductor assembly 30
Is stored.
【０００４】整合用容量５１〜５３として、誘電体基板
の両全面に電極を形成した単板コンデンサを使用してお
り、整合用容量５１と整合用容量５２とは長手方向を平
行に配置し、整合用容量５３は長手方向を整合用容量５
１，５２と直交に配置しており、中心導体組立体３０を
囲むようにコの字状に各々別体に配置されている。As the matching capacitors 51 to 53, single plate capacitors having electrodes formed on both surfaces of a dielectric substrate are used. The matching capacitors 51 and 52 are arranged in parallel in the longitudinal direction, The matching capacitance 53 is the matching capacitance 5 in the longitudinal direction.
1, 52 are arranged orthogonally to each other, and are separately arranged in a U shape so as to surround the central conductor assembly 30.
【０００５】中心導体組立体３０については、ガーネッ
ト磁性体３８に、通常薄い導体板（銅箔で厚みが５０μ
ｍ程度）を巻回したものであり、中心導体３１〜３３間
の絶縁は、図示しない絶縁シート（例えばポリイミド
樹脂の厚み約４５μmのシート）を中心導体３１〜３３
の間に配置して行っている。図８に、中心導体組立体３
０を下面から見た斜視図を示すが、中心導体組立体３０
の下面にはガーネット磁性体３８の平面形状とほぼ同じ
形の薄い導体板３４が有り、ガーネット磁性体３８に密
着している。その導体板３４より中心導体３１〜３３が
突出し、絶縁状態でガーネット磁性体３８を包み込むよ
うに折り曲げられる。この状態で中心導体３１〜３３の
先端は整合用容量５１〜５３に接続され、中心導体組立
体３０の下面に位置する導体板３４はグランドに接地さ
れる。Regarding the center conductor assembly 30, a garnet magnetic body 38 is usually provided with a thin conductor plate (copper foil having a thickness of 50 μm).
m) is wound, and insulation between the center conductors 31 to 33 is performed by an insulating sheet (not shown) (for example, polyimide).
A sheet of resin having a thickness of about 45 μm) is used as a central conductor
I'm arranging it between. FIG. 8 shows the center conductor assembly 3
0 shows a perspective view of 0 from the bottom surface, showing the center conductor assembly 30
A thin conductor plate 34 having substantially the same shape as the plane shape of the garnet magnetic body 38 is provided on the lower surface of, and is in close contact with the garnet magnetic body 38. The central conductors 31 to 33 project from the conductor plate 34 and are bent so as to wrap the garnet magnetic body 38 in an insulated state. In this state, the tips of the center conductors 31 to 33 are connected to the matching capacitors 51 to 53, and the conductor plate 34 located on the lower surface of the center conductor assembly 30 is grounded.
【０００６】中心導体組立体３０の設置について、さら
に詳しくは、絶縁体成形品６０の凹部６２に収納される
が、中心導体組立体３０の下面の導体板３４は、絶縁体
成形品６０に設けられた貫通穴６１に貫装されて金属板
である下ケース１２に当接される。すなわちグランドに
接地される。さらに、中心導体３１〜３３においては、
中心導体３１，３２は、一端がインピーダンス整合用と
してそれぞれ整合用容量５１，５２と接続され、更に内
部ポート電極６４ａ，６４ｂに接続され、他端は導体板
３４よりグランドに接地されている。残るもう１つの中
心導体３３は、一端がインピーダンス整合用として整合
用容量５３と接続され、且つアイソレータとして動作さ
せるための終端抵抗器５０と接続され、他端は導体板３
４よりグランドに接地されている。The installation of the center conductor assembly 30 will be described in more detail. The conductor plate 34 on the lower surface of the center conductor assembly 30 is installed in the recess 60 of the insulator molded product 60. It penetrates through the formed through hole 61 and abuts on the lower case 12 which is a metal plate. That is, it is grounded to the ground. Furthermore, in the central conductors 31 to 33,
The center conductors 31 and 32 have one end connected to the matching capacitors 51 and 52 for impedance matching, respectively, and further connected to the internal port electrodes 64a and 64b, and the other end grounded to the ground from the conductor plate 34. One of the remaining center conductors 33 is connected to the matching capacitor 53 for impedance matching and to the terminating resistor 50 for operating as an isolator, and the other end is connected to the conductor plate 3
4 is grounded to ground.
【０００７】この様な構造をもつの従来の非可逆回路素
子は、高精度の絶縁体成形品をベースにして高性能フェ
ライト磁石，低損失ガーネットおよび低損失高誘電率誘
電体基板を採用し、最適な磁気回路設計をおこなう事に
より、５ｍｍ角などの小型のアイソレータが実現されて
いる。（例えば特許文献１）The conventional non-reciprocal circuit device having such a structure employs a high-precision insulator molded product as a base, and employs a high-performance ferrite magnet, a low-loss garnet, and a low-loss high-dielectric-constant dielectric substrate. By designing an optimum magnetic circuit, a small isolator with a size of 5 mm square has been realized. (For example, Patent Document 1)
【０００８】[0008]
【特許文献】 特開平１０−１３５７１１号[Patent document] Japanese Patent Laid-Open No. 10-135711
【０００９】[0009]
【発明が解決しようとする課題】近年の携帯電話等の通
信機器では高性能化が急速に進んでいるが、その中の一
つとして機器サイズを大きくしない為の省スペース設計
を必要とする。それに伴い、この種のアイソレータへも
小型化が強く要求されている。In recent years, communication devices such as mobile phones have been rapidly improved in performance, but one of them requires a space-saving design so as not to increase the device size. Accordingly, there is a strong demand for miniaturization of this type of isolator.
【００１０】従来用いられているアイソレータを小型化
する場合（例えば、５ｍｍ×５ｍｍ×２ｍｍ厚のサイズ
を単純に寸法だけスケールダウンし、４ｍｍ角化（実装
面積を４０％弱削減）するには）、従来例では、整合用
容量５１〜５３の寸法を小さくするか、ガーネット磁性
体３８の直径を小さくするか、あるいは両方を小さくし
なければならない。そうすると、共振周波数が高周波側
に変化してしまう為、比較的低い周波数８００〜９００
ＭＨｚ帯の通信システム（Ｄ−ＡＭＰＳ，Ｊ−ＣＤＭ
Ａ，ＰＤＣ８００など）に用いる非可逆回路素子の製品
化が困難となってしまう。本明細書では、これらの問題
を解決し、８００〜９００ＭＨｚ帯をカバーできる４ｍ
ｍ角の非可逆回路素子を達成させたものである。In the case of miniaturizing the conventionally used isolator (for example, in order to simply downsize a size of 5 mm × 5 mm × 2 mm in thickness by 4 mm square (to reduce the mounting area by a little less than 40%)) In the conventional example, it is necessary to reduce the size of the matching capacitors 51 to 53, the diameter of the garnet magnetic body 38, or both. Then, since the resonance frequency changes to the high frequency side, a relatively low frequency of 800 to 900
MHz communication system (D-AMPS, J-CDM
It becomes difficult to commercialize the non-reciprocal circuit device used for A, PDC800, etc.). In this specification, 4 m capable of solving these problems and covering the 800 to 900 MHz band.
This is the achievement of an m-square non-reciprocal circuit device.
【００１１】整合用容量の容量は、Ｃ＝εｒ・ε０・Ｓ
／ｄと表される。ここで、Ｃは整合用容量の容量値、ε
ｒは誘電体の比誘電率、ε０は真空の誘電率、Ｓは誘電
体基板の電極面積、ｄは誘電体基板の電極間の厚さを表
す。これにより、整合用容量の寸法を小さくし電極面積
Ｓを小さくして同じ容量を得るためには、比誘電率εr
の大きい誘電体を使用するか、電極間の誘電体基板の厚
さｄを薄くしなければならない。しかし、比誘電率εr
の大きい誘電体材料は一般に誘電損失も大きい傾向があ
り、誘電損失が大きいとアイソレ−タの挿入損失が大き
くなるため好ましくない。また、誘電体基板の厚さｄを
薄くする場合、基板の強度に限界がある。そこで、所望
のＣ容量を確保するには、電極面積Ｓを如何に大きくで
きるかが重要である。The capacitance of the matching capacitance is C = εrε0S
/ D. Where C is the capacitance value of the matching capacitance, ε
r is the relative permittivity of the dielectric, ε0 is the permittivity of the vacuum, S is the electrode area of the dielectric substrate, and d is the thickness between the electrodes of the dielectric substrate. Therefore, in order to reduce the size of the matching capacitor and the electrode area S to obtain the same capacitance, the relative permittivity εr
Of the dielectric substrate, or the thickness d of the dielectric substrate between the electrodes must be reduced. However, the relative permittivity εr
In general, a dielectric material having a large value tends to have a large dielectric loss, and a large dielectric loss causes a large insertion loss of the isolator, which is not preferable. Further, when the thickness d of the dielectric substrate is reduced, the strength of the substrate is limited. Therefore, in order to secure a desired C capacitance, it is important how the electrode area S can be increased.
【００１２】また、小型の非可逆回路素子を得るにはガ
ーネット磁性体３８の小型化が必要であるが、ガーネッ
ト磁性体３８の直径寸法を小さくした場合、中心導体３
１〜３３とガーネット磁性体３８で構成される中心導体
組立体３０のインダクタンスが小さくなり、共振周波数
がより高い周波数となるため、所定の共振周波数を得る
ためには、整合用容量５１〜５３のＣ容量を大きくしな
ければならない。Further, the size of the garnet magnetic body 38 must be reduced in order to obtain a small non-reciprocal circuit element. However, when the diameter of the garnet magnetic body 38 is reduced, the center conductor 3 is reduced.
1 to 33 and the garnet magnetic body 38 reduce the inductance of the center conductor assembly 30, and the resonance frequency becomes higher. Therefore, in order to obtain a predetermined resonance frequency, the matching capacitors 51 to 53 need to have the same resonance frequency. The C capacity must be increased.
【００１３】しかし、図７で示した従来の構造では、誘
電体基板の面積の確保にもガーネット直径拡大にも制約
があり、限られた範囲の大きさのものしか使用できな
い。したがって、従来の構造では８００〜９００ＭＨｚ
帯に使用できるアイソレータの小型化には限界が有り実
現が難しかった。However, in the conventional structure shown in FIG. 7, there are restrictions on securing the area of the dielectric substrate and enlarging the garnet diameter, and only the size within a limited range can be used. Therefore, 800-900 MHz in the conventional structure
There was a limit to the miniaturization of the isolator that can be used for the band, and it was difficult to realize it.
【００１４】本発明は、非可逆回路素子の小型化に伴う
整合用容量の容量確保、もしくは共振周波数の高周波化
などの問題を解決して、従来に比べ低周波側の所望の周
波数帯域がカバーできる、小型の非可逆回路素子を提供
することを目的とする。The present invention solves the problems of securing the capacitance of the matching capacitor accompanying the miniaturization of the non-reciprocal circuit device or increasing the resonance frequency, and covers the desired frequency band on the low frequency side as compared with the conventional one. An object of the present invention is to provide a small non-reciprocal circuit device that can be manufactured.
【００１５】[0015]
【課題を解決するための手段】本発明は、ガーネット磁
性体に複数の中心導体を電気的絶縁状態で交差状に配置
して構成された中心導体組立体と、前記中心導体に接続
される整合用容量と、前記ガーネット磁性体に直流磁界
を印加する永久磁石を有する非可逆回路素子において、
前記中心導体が交差状に配置された側を中心導体組立体
の上部とした場合、前記整合用容量の少なくとも１つが
前記中心導体組立体の下部に位置している非可逆回路素
子である。また、ガーネット磁性体に複数の中心導体を
電気的絶縁状態で交差状に配置して構成された中心導体
組立体と、前記中心導体に接続される整合用容量と、前
記ガーネット磁性体に直流磁界を印加する永久磁石を有
する非可逆回路素子において、前記永久磁石の配置され
た側を前記中心導体組立体の上部とした場合、前記整合
容量の少なくとも１つが前記中心導体組立体の下部に位
置している非可逆回路素子である。本発明においては、
前記整合用容量として積層コンデンサ又は誘電体基板の
両面に該誘電体基板を挟んで対向する電極を形成した単
板コンデンサを使用するのが好ましい。そして、前記整
合用容量として一つの誘電体基板に複数のコンデンサが
形成されたコンデンサアレイを使用しても良い。また本
発明は、ガーネット磁性体に複数の中心導体を電気的絶
縁状態で交差状に配置して構成された中心導体組立体
と、前記中心導体に接続される整合用容量と、前記ガー
ネット磁性体に直流磁界を印加する永久磁石を有する非
可逆回路素子において、前記整合容量として誘電体基板
の両面に該誘電体基板を挟んで対向する電極を形成した
単板コンデンサを使用し、該単板コンデンサを３つ並列
状に配置し、該単板コンデンサの上部に前記中心導体組
立体を配置し、その上部に前記永久磁石を配置した非可
逆回路素子である。本発明においては、中心導体組立体
の下部に位置するコンデンサの電極面は、当該コンデン
サの実装面に対し水平となるように配置するのが好まし
い。前記中心導体組立体を、ガーネット磁性体の平面形
状とほぼ同じ形の薄い導体板より３つ中心導体が突出
し、その中心導体を互いに絶縁状態でガーネット磁性体
を包み込むように折り曲げて構成し、その中心導体組立
体の下部に位置する前記導体板と整合用容量の電極を絶
縁部材で絶縁するのが好ましい。本発明においては、整
合用容量の位置決め用に絶縁体成形品を用い、その絶縁
体成形品は、前記整合用容量を電気的かつ機械的に接続
する電極材料をインサートした絶縁体成形品であるのが
好ましい。According to the present invention, there is provided a garnet magnetic body having a plurality of center conductors arranged in a cross shape in an electrically insulated state, and a center conductor assembly, and a matching member connected to the center conductor. And a nonreciprocal circuit device having a permanent magnet for applying a DC magnetic field to the garnet magnetic body,
When the side where the central conductors are arranged in a cross shape is the upper part of the central conductor assembly, at least one of the matching capacitors is a non-reciprocal circuit element located under the central conductor assembly. Further, a central conductor assembly formed by arranging a plurality of central conductors in a garnet magnetic body in an electrically insulating state in a cross shape, a matching capacitor connected to the central conductor, and a DC magnetic field applied to the garnet magnetic body. In a non-reciprocal circuit device having a permanent magnet that applies a voltage, at least one of the matching capacitors is located at a lower portion of the central conductor assembly when the side where the permanent magnet is disposed is the upper portion of the central conductor assembly. It is a non-reciprocal circuit device. In the present invention,
As the matching capacitor, it is preferable to use a multilayer capacitor or a single plate capacitor in which electrodes facing each other with the dielectric substrate sandwiched are formed on both sides of the dielectric substrate. Then, a capacitor array in which a plurality of capacitors are formed on one dielectric substrate may be used as the matching capacitor. Also, the present invention provides a central conductor assembly, which is formed by arranging a plurality of central conductors in a garnet magnetic body in an electrically insulated state in a cross shape, a matching capacitor connected to the central conductor, and the garnet magnetic body. In a non-reciprocal circuit device having a permanent magnet for applying a DC magnetic field to the non-reciprocal circuit element, a single plate capacitor having opposing electrodes sandwiching the dielectric substrate on both sides of the dielectric substrate is used as the matching capacitance. Are arranged in parallel, the central conductor assembly is arranged on the upper part of the single plate capacitor, and the permanent magnet is arranged on the upper part thereof. In the present invention, the electrode surface of the capacitor located below the central conductor assembly is preferably arranged so as to be horizontal to the mounting surface of the capacitor. The central conductor assembly is formed by projecting three central conductors from a thin conductor plate having a shape substantially the same as that of the garnet magnetic body, and bending the central conductors so as to wrap the garnet magnetic body in an insulated state. It is preferable that the conductor plate located under the central conductor assembly and the electrode of the matching capacitor are insulated by an insulating member. In the present invention, an insulator molded product is used for positioning the matching capacitor, and the insulator molded product is an insulator molded product into which an electrode material for electrically and mechanically connecting the matching capacitor is inserted. Is preferred.
【００１６】[0016]
【発明の実施の形態】（実施例１）本発明に係る非可逆
回路素子について、一実施例を示し以下の通り説明す
る。図１において、互いに電気的絶縁状態でかつ１２０
度間隔で重ねられた３つの中心導体３１〜３３をガーネ
ット磁性体３８上に配置した中心導体組立体３０と、ガ
ーネット磁性体３８に直流磁界を印加するための永久磁
石２０と、整合用容量５１〜５３と終端抵抗器５０を有
し、これらを、磁性ヨークを兼ねた上ケース１１と下ケ
ース１２とで構成する金属ケース内に収納する。整合用
容量５１〜５３と終端抵抗５０は絶縁体で成形した凹部
６２に収納されており、絶縁体は電極材料をインサート
し実装基板接続用の外部端子６３を有することで絶縁体
成形品６０を形成している。従来構造（図３）の絶縁体
成形品６０に設けられた中心導体組立体３０を挿入する
貫通穴６１は無く、この部分は整合用容量を確保するス
ペース（面積）に当てている。整合用容量５１〜５３に
は単板コンデンサを使用し、単板コンデンサ５１〜５３
の電極面が実装面に対し水平となるように配置し、ま
た、長手方向を同一に配列している。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION (Embodiment 1) A non-reciprocal circuit device according to the present invention will be described below with reference to an embodiment. In FIG. 1, 120 and 120 are electrically isolated from each other.
A central conductor assembly 30 in which three central conductors 31 to 33, which are superposed at intervals, are arranged on a garnet magnetic body 38, a permanent magnet 20 for applying a DC magnetic field to the garnet magnetic body 38, and a matching capacitor 51. .About.53 and a terminating resistor 50, which are housed in a metal case composed of an upper case 11 and a lower case 12 which also serve as magnetic yokes. The matching capacitors 51 to 53 and the terminating resistor 50 are housed in a recess 62 formed of an insulator, and the insulator is formed by inserting an electrode material and having an external terminal 63 for connecting a mounting board. Is forming. There is no through hole 61 for inserting the central conductor assembly 30 provided in the insulator molded product 60 of the conventional structure (FIG. 3), and this portion is used as a space (area) for ensuring the matching capacitance. A single plate capacitor is used for the matching capacitors 51 to 53, and the single plate capacitors 51 to 53 are used.
Are arranged so that the electrode surface thereof is horizontal with respect to the mounting surface, and the longitudinal directions thereof are the same.
【００１７】中心導体組立体３０はガーネット磁性体３
８の下面に位置する薄い導体板３４より、３つの中心導
体３１〜３３を突出させて絶縁状態でガーネット磁性体
３８を包み込むように折り曲げられたもので、絶縁体成
形品６０の凹部６２に収納されるが、単板コンデンサ５
１〜５３の上部に積み重なっている。この時、中心導体
組立体３０と単板コンデンサ５１〜５３の間に絶縁シー
ト４０を配置している。これは、中心導体組立体３０の
下面に位置する導体板３４と単板コンデンサ５１〜５３
の上面電極との接触防止のために絶縁しているものであ
り、単板コンデンサ５１〜５３を各ポートのインピーダ
ンス整合として機能させるためである。The center conductor assembly 30 is a garnet magnetic body 3.
The three central conductors 31 to 33 are protruded from the thin conductor plate 34 located on the lower surface of 8 and bent so as to wrap the garnet magnetic body 38 in an insulated state, and is housed in the recess 62 of the insulator molded product 60. However, single plate capacitor 5
Stacked on top of 1-53. At this time, the insulating sheet 40 is arranged between the central conductor assembly 30 and the single plate capacitors 51 to 53. This is because the conductor plate 34 located on the lower surface of the central conductor assembly 30 and the single plate capacitors 51 to 53 are arranged.
This is because it is insulated to prevent contact with the upper surface electrode of, and the single plate capacitors 51 to 53 function as impedance matching of each port.
【００１８】図２は本発明に係る非可逆回路素子の図１
の平面図と断面図を示しており、図２（Ａ）は上ケース
１１と永久磁石２０を除いた平面図であり、図２（Ｂ）
は上ケース１１と永久磁石２０を含めたａ−ａ’断面図
である。図２（Ａ）において、ガーネット磁性体３８の
上部より各中心導体３１〜３３が１２０℃間隔で配置さ
れ、絶縁体成形品６０に形成された内部ポート電極６４
ａ，６４ｂ、及び終端抵抗器５０に接続されている。ま
た、中心導体３１〜３３は、単板コンデンサ５１〜５３
にも接続されている。中心導体組立体３０の下部には、
絶縁シートが配置され、更にその下部には単板コンデン
サ５１〜５３が配置されている。図２（Ｂ）において、
絶縁体成形品６０の凹部６２に収納された単板コンデン
サ５１〜５３は、その電極面を実装面に対し水平に配置
しているので、単板コンデンサの下面電極は、絶縁体成
形品６０のグランド電極６５ｇ面に接地でき、上面電極
は、フォーミングを施された中心導体３１〜３３と接続
できる。なお、単板コンデンサの電極と、グランド電極
６５ｇ、中心導体３１〜３３とははんだ付け等による、
電気的かつ機械的な接続手段により接続される。このこ
とより、絶縁体成形品６０は複雑な構造を必要とせず電
気的な接続方法が容易になる。中心導体組立体３０と整
合用容量５１〜５３の間には、絶縁シート４０を設け、
中心導体組立体３０の下面に位置する導体板３４と整合
用容量５１〜５３の上部電極のショート防止を果たして
いる。このような構造で、絶縁体成形品６０，単板コン
デンサ５１〜５３，絶縁シート４０，中心導体組立体３
０が実装面に対し平面的に積み重なった配置とすること
で、組立を容易にすることができる。FIG. 2 is a diagram of a nonreciprocal circuit device according to the present invention.
2A is a plan view and a cross-sectional view of FIG. 2A. FIG. 2A is a plan view excluding the upper case 11 and the permanent magnet 20, and FIG.
FIG. 4 is a sectional view taken along the line aa ′ including the upper case 11 and the permanent magnet 20. In FIG. 2A, the central conductors 31 to 33 are arranged at 120 ° C. intervals from the upper part of the garnet magnetic body 38, and the internal port electrode 64 formed on the insulator molded product 60.
a, 64b, and the terminating resistor 50. The center conductors 31 to 33 are the single plate capacitors 51 to 53.
Is also connected to. At the bottom of the center conductor assembly 30,
An insulating sheet is arranged, and further, single plate capacitors 51 to 53 are arranged below the insulating sheet. In FIG. 2 (B),
Since the electrode surfaces of the single plate capacitors 51 to 53 housed in the recesses 62 of the insulator molded product 60 are arranged horizontally with respect to the mounting surface, the lower surface electrodes of the single plate capacitors are the same as those of the insulator molded product 60. The ground electrode 65g can be grounded, and the upper electrode can be connected to the formed center conductors 31 to 33. The electrodes of the single plate capacitor, the ground electrode 65g, and the center conductors 31 to 33 are soldered or the like.
They are connected by electrical and mechanical connection means. As a result, the insulator molded product 60 does not require a complicated structure and the electrical connection method is facilitated. An insulating sheet 40 is provided between the center conductor assembly 30 and the matching capacitors 51 to 53,
A short circuit is prevented between the conductor plate 34 located on the lower surface of the central conductor assembly 30 and the upper electrodes of the matching capacitors 51 to 53. With such a structure, the insulator molded product 60, the single plate capacitors 51 to 53, the insulating sheet 40, and the center conductor assembly 3
Assembling can be facilitated by arranging 0s stacked in a plane on the mounting surface.
【００１９】本発明では整合用容量５１〜５３として単
板コンデンサを用いるのが望ましい。縦・横・高さ等の
寸法を変えることにより所望の容量値を得ることがで
き、また電極をトリミングすることにより微調整するこ
ともできる。従って、整合用容量のみによる中心周波数
の展開が可能となる。また、２００以上のＱ（回路の尖
鋭度）も容易に得ることができるので、挿入損失も低減
できる。この単板コンデンサは、大きな平板からなる母
基板の両主面に電極を形成し、該母基板を所定寸法にカ
ット加工するだけで製造でき、大量生産が可能である。
そのため従来の誘電体基板に丸孔や複数の整合用容量電
極を形成する場合に比べて、加工及び扱いが容易となり
コストを低減できる。また基板全面に電極を形成するの
で、無駄な面積増大，重量増大をなくすことができ、そ
れだけ小型化，軽量化を図ることができる。さらに各整
合用容量が別体であるので、整合用容量同士の静電結合
を防止でき、帯域外減衰特性の劣化を回避できる。In the present invention, it is desirable to use a single plate capacitor as the matching capacitors 51 to 53. A desired capacitance value can be obtained by changing the dimensions such as length, width, height, and fine adjustment can be made by trimming the electrodes. Therefore, the center frequency can be expanded only by the matching capacitance. In addition, since a Q (circuit sharpness) of 200 or more can be easily obtained, the insertion loss can be reduced. This single plate capacitor can be manufactured simply by forming electrodes on both main surfaces of a mother board made of a large flat plate and cutting the mother board to a predetermined size, and mass production is possible.
Therefore, as compared with the case where a round hole or a plurality of matching capacitance electrodes are formed on a conventional dielectric substrate, the processing and handling are easier and the cost can be reduced. In addition, since the electrodes are formed on the entire surface of the substrate, it is possible to avoid unnecessary area increase and weight increase, and it is possible to reduce the size and weight accordingly. Furthermore, since each matching capacitor is a separate body, it is possible to prevent electrostatic coupling between the matching capacitors, and avoid deterioration of the out-of-band attenuation characteristics.
【００２０】本発明に係る非可逆回路素子において、図
１，２の絶縁体成形品６０を用いれば、絶縁体により、
中心導体組立体３０、整合用容量５１〜５３、終端抵抗
器５０などの各部品の位置精度を向上できるとともに、
電極材料をインサートしているので電気的接続を容易と
し、生産性を改善することができる。しかも面実装が可
能な外部端子６３を有するので、非可逆回路素子の小型
化を可能とするとともに、また抵抗５０の放熱性も良
く、特性向上と小型化を達成できるものである。この絶
縁体成形品６０の絶縁材質としては、液晶ポリマーなど
の耐熱性樹脂が好ましい。図１，２の絶縁体成形品６０
内部にはグランド電極６５ｇが形成され、一体の導体板
で構成されており、底面側では露出し、かつ側面部の外
部グランド端子６３ｇを形成している。また、中心導体
３１，３２が接続される内部ポート電極６４ａ，６４ｂ
が形成され、この内部ポート電極６４ａは外部端子６３
ａと、内部ポート電極６４ｂは外部端子６３ｂと導通し
ており、内部グランド電極６５ｇには導通していない。In the nonreciprocal circuit device according to the present invention, if the insulator molded product 60 shown in FIGS.
The positional accuracy of each component such as the central conductor assembly 30, the matching capacitors 51 to 53, and the terminating resistor 50 can be improved, and
Since the electrode material is inserted, electrical connection can be facilitated and productivity can be improved. Moreover, since the external terminal 63 capable of surface mounting is provided, the non-reciprocal circuit device can be downsized, and the heat dissipation of the resistor 50 is also good, so that the characteristic improvement and the downsizing can be achieved. As the insulating material of the insulator molded product 60, a heat resistant resin such as a liquid crystal polymer is preferable. Insulator molded product 60 of FIGS.
A ground electrode 65g is formed inside and is formed of an integral conductor plate, and is exposed on the bottom surface side and forms an external ground terminal 63g on the side surface portion. In addition, internal port electrodes 64a and 64b to which the central conductors 31 and 32 are connected
And the internal port electrode 64a is connected to the external terminal 63.
The internal port electrode 64b is electrically connected to the external terminal 63b, and is not electrically connected to the internal ground electrode 65g.
【００２１】本発明で用いる終端抵抗器５０を説明す
る。例えば、一面に２つのポート電極を有し、そのポート
電極間に酸化ルテニウムによる抵抗膜が形成され、この
抵抗膜上には絶縁コートが施されている。そして他方の
ポート電極を、側面に形成された電極を介して底面のポ
ート電極と導通している。この底面のポート電極が半田
付けされアース接続される。The termination resistor 50 used in the present invention will be described. For example, two port electrodes are provided on one surface, a resistance film made of ruthenium oxide is formed between the port electrodes, and an insulation coating is applied on the resistance film. The other port electrode is electrically connected to the port electrode on the bottom surface via the electrode formed on the side surface. The bottom port electrode is soldered and grounded.
【００２２】本発明で用いる永久磁石２０を説明する。
図１で例示する１実施例で永久磁石２０は矩形状であ
り、上ケース１１の内面に位置決めされ、永久磁石２０
の側面の周囲と上ケース１１の内面とはほぼ密着状態で
配置されている。永久磁石２０を矩形状とし、上ケース
１１とほぼ密着状態とすることにより、上ケース１１の
内容積に無駄な空間なく永久磁石２０を配置でき、小型
化に際し有利である。勿論、永久磁石２０をガーネット
３８と同様に円盤状としても良い。材質としてはフェラ
イト磁石を用いることが多いが、用途に応じて他の材質
を適宜選択できる。The permanent magnet 20 used in the present invention will be described.
In one embodiment illustrated in FIG. 1, the permanent magnet 20 has a rectangular shape and is positioned on the inner surface of the upper case 11.
The periphery of the side surface of the upper case 11 and the inner surface of the upper case 11 are arranged in a close contact state. By making the permanent magnet 20 into a rectangular shape and in a state of being in close contact with the upper case 11, the permanent magnet 20 can be arranged in the internal volume of the upper case 11 without wasting space, which is advantageous in downsizing. Of course, the permanent magnet 20 may be disc-shaped like the garnet 38. A ferrite magnet is often used as the material, but other materials can be appropriately selected according to the application.
【００２３】本発明において中心導体組立体３０と整合
用容量５１〜５３を絶縁する方法として、絶縁シート４
０を用いる場合、材質は、例えばポリイミド樹脂などの
シート使用し、所望の形状を選択すれば良い。その他、
中心導体組立体３０の底面、もしくは整合用容量５１〜
５３上面電極の所望の部分に、レジストなどを施して絶
縁しても良い。In the present invention, as a method for insulating the center conductor assembly 30 and the matching capacitors 51 to 53, the insulating sheet 4 is used.
When 0 is used, a material such as a sheet of polyimide resin may be used and a desired shape may be selected. Other,
The bottom surface of the center conductor assembly 30 or the matching capacitors 51 to 51
53 A desired portion of the upper surface electrode may be coated with a resist or the like for insulation.
【００２４】本発明に係る非可逆回路素子において、サ
ーキュレータとしても使用する場合、例えば、図１の終
端抵抗器５０を削除し、終端抵抗器５０を接続していた
中心導体３３の先端に入出力ポートを形成すれば良い。When the nonreciprocal circuit device according to the present invention is also used as a circulator, for example, the terminating resistor 50 of FIG. 1 is deleted, and input / output is made at the tip of the center conductor 33 to which the terminating resistor 50 is connected. Just form a port.
【００２５】４ｍｍ角アイソレータにおいて、本発明構
造（図１）および従来構造（図７）での共振周波数の結
果を表１の示す。この場合、整合用容量５１〜５３に単
板コンデンサを用い同じ条件（比誘電率εｒ１２０）と
し、図1と図７の構造で単板コンデンサを最大平面寸法
にし、可能な限り低周波側の共振周波数を確認した。す
ると、本発明構造では所望の８００ＭＨｚ帯をカバー出
来たが、従来構造では整合用容量の容量不足などによ
り、共振周波数は１．２ＧＨｚ程度以下には低くできな
かった。Table 1 shows the results of the resonance frequency in the structure of the present invention (FIG. 1) and the conventional structure (FIG. 7) in the 4 mm square isolator. In this case, the same condition (relative permittivity εr120) is used for the matching capacitors 51 to 53, and the single plate capacitor is set to the maximum planar size in the structures of FIGS. 1 and 7, and resonance on the low frequency side is possible as much as possible. Checked the frequency. Then, the structure of the present invention could cover the desired 800 MHz band, but the conventional structure could not lower the resonance frequency to about 1.2 GHz or less due to lack of matching capacitance.
【００２６】[0026]
【表１】 [Table 1]
【００２７】（実施例２）本発明に係る他の実施例につ
いて図３〜図６を用いて説明する。図３は本発明の一例
を示す分解斜視図であり、図４は積層構造体とした整合
用容量の分解斜視図であり、図５は中心導体組立体の斜
視図であり、図６は中心導体組立体の分解平面図であ
る。本実施例は前記した実施例と共通する部分も多く、
上図においては実施例１に示した図面と同一機能部には
同一符号を付与している。以下実施例１と異なる部分を
中心に説明する。図３に示すように本発明に係る非可逆
回路素子は、下ケース１２に中心導体組立体３０、セラ
ミック積層体に整合用容量５１、５２、５３と終端抵抗
器５０を積層一体化したコンデンサアレイ１００を所定
の部位に搭載し、更に永久磁石を配置した構造である。(Embodiment 2) Another embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 3 is an exploded perspective view showing an example of the present invention, FIG. 4 is an exploded perspective view of a matching capacitor having a laminated structure, FIG. 5 is a perspective view of a center conductor assembly, and FIG. It is an exploded top view of a conductor assembly. This embodiment has many parts in common with the above-mentioned embodiments,
In the above figure, the same functional parts as those in the drawing shown in the first embodiment are designated by the same reference numerals. Hereinafter, description will be made focusing on the parts different from the first embodiment. As shown in FIG. 3, the nonreciprocal circuit device according to the present invention is a capacitor array in which the center conductor assembly 30 is in the lower case 12, the matching capacitors 51, 52, 53 and the terminating resistor 50 are laminated and integrated in a ceramic laminate. This is a structure in which 100 is mounted on a predetermined portion and a permanent magnet is further arranged.
【００２８】下ケース１２を構成する磁気ヨークは、金
属材料からなる長尺状のシート材をプレス加工機で所定
の形状に打ち抜き、リードフレームのフープ部から連接
する磁気ヨーク部を形成し、所定部位を折り曲げ加工し
てなるリードフレームにて供給される。このリードフレ
ームを構成する金属材料は、ＳＰＣＣ，４２Ｎｉ・Ｆｅ
合金，４５Ｎｉ・Ｆｅ合金、Ｆｅ−Ｃｏ合金などの磁気
特性に優れるものであって、これらの金属材料は、１０
０〜３００μｍ程度に冷間圧延又は熱間圧延されてい
る。磁気ヨークは磁気回路の一部として用いられるの
で、磁気特性に優れた磁性材料を選択するのが好まし
い。その磁気特性は最大透磁率は５０００以上で飽和磁
束密度は１．４テスラ以上が好ましい。さらに、その表
面には、銀、銅、金、アルミニウムのうち少なくとも一
つを含む金属または合金で電気抵抗率が５．５μΩｃｍ
以下、好ましくは３．０μΩｃｍ、更に好ましくは１．
８μΩｃｍ以下の導電性の高い金属皮膜が形成されてい
る。このときの皮膜厚さは０．５〜２５μｍ、好ましく
は０．５〜１０μｍ、更に好ましくは１〜８μｍであ
る。このように構成することで、非可逆回路素子とした
ときに、前記金属皮膜によって、高周波信号の伝送効率
を高め、外部との相互干渉を抑制して損失を低減するこ
とができる。なお、非可逆回路素子とした時に前記金属
皮膜から下ケースを構成する金属材料が露出することが
あるが、そのような場合には前記金属材料として、４２
Ｎｉ・Ｆｅ合金や４５Ｎｉ・Ｆｅ合金等の耐酸化性に優
れた金属材料を用いるのが好ましい。The magnetic yoke constituting the lower case 12 is formed by punching a long sheet material made of a metal material into a predetermined shape by a press machine to form a magnetic yoke portion connected to the hoop portion of the lead frame. It is supplied by a lead frame formed by bending parts. The metallic material forming this lead frame is SPCC, 42Ni.Fe.
Alloys, 45Ni.Fe alloys, Fe-Co alloys and the like having excellent magnetic properties, and these metallic materials are 10
It is cold-rolled or hot-rolled to about 0 to 300 μm. Since the magnetic yoke is used as a part of the magnetic circuit, it is preferable to select a magnetic material having excellent magnetic characteristics. The magnetic properties are preferably such that the maximum magnetic permeability is 5000 or more and the saturation magnetic flux density is 1.4 Tesla or more. Further, the surface thereof is made of a metal or alloy containing at least one of silver, copper, gold and aluminum and has an electric resistivity of 5.5 μΩcm.
Below, preferably 3.0 μΩcm, more preferably 1.
A metal film having a high conductivity of 8 μΩcm or less is formed. The film thickness at this time is 0.5 to 25 μm, preferably 0.5 to 10 μm, and more preferably 1 to 8 μm. With this configuration, when the non-reciprocal circuit device is used, the metal film can enhance the transmission efficiency of the high-frequency signal, suppress the mutual interference with the outside, and reduce the loss. In addition, when the non-reciprocal circuit element is formed, the metal material forming the lower case may be exposed from the metal film. In such a case, the metal material is 42
It is preferable to use a metal material having excellent oxidation resistance such as a Ni.Fe alloy or a 45Ni.Fe alloy.
【００２９】また前記Ｆｅ−Ｃｏ合金は、最大透磁率１
５０００で飽和磁束密度は２．２５テスラの特性を有
し、板材として１００μｍ程度の極薄板の製造が可能で
あり、磁気ヨークとして好適なものである。具体的には
その組成をそれぞれ質量％で、Ｃｏ：４９、Ｖ：２、
Ｃ：≦０．０１５、Ｓｉ：≦０．１０、Ｍｎ：≦０．１
５、残部Ｆｅ及び不可避不純物からなる合金とするのが
好ましい。ここで、Ｃｏは非可逆回路素子が用いられる
周波数帯と磁気特性との相関から４０〜６０％の間で選
定するが５０％前後が望ましく、Ｖは冷間加工性を改善
するために添加するが、反面磁気特性に影響を与えるの
で５％以下とし、加工性確保のためには２％が望まし
い。このＦｅ−Ｃｏ合金をヨークに用いればヨークの厚
さを薄くしても磁気回路における磁束漏れが必要十分に
抑制されるので、更に非可逆回路素子を薄型化、小型化
することが出来る。そして、所定形状に形成したリード
フレームを射出成形機に配置して液晶ポリマーやポリフ
ェニレンサルファイド等の高耐熱の熱可塑性エンジニア
リングプラスチック等の樹脂をインサート成形して下ケ
ース１２とした。この下ケース１２は、入出力端子、ア
ース端子などの端子６３が、下ケース１２の側面に露出
し、また、中央部には樹脂壁で囲まれた前記コンデンサ
アレイが収容される凹部６２が適宜形成されている。The Fe--Co alloy has a maximum magnetic permeability of 1
At 5000, the saturation magnetic flux density has a characteristic of 2.25 Tesla, and an extremely thin plate of about 100 μm can be manufactured as a plate material, which is suitable as a magnetic yoke. Specifically, the composition is each mass%, Co: 49, V: 2,
C: ≤ 0.015, Si: ≤ 0.10, Mn: ≤ 0.1
5, an alloy composed of balance Fe and unavoidable impurities is preferable. Here, Co is selected in the range of 40 to 60% based on the correlation between the frequency band in which the non-reciprocal circuit device is used and the magnetic characteristics, but is preferably around 50%, and V is added to improve the cold workability. However, it adversely affects the magnetic properties, so it is set to 5% or less, and 2% is desirable to secure workability. If this Fe-Co alloy is used for the yoke, the magnetic flux leakage in the magnetic circuit can be sufficiently suppressed even if the thickness of the yoke is reduced, so that the nonreciprocal circuit device can be further thinned and downsized. Then, the lead frame formed into a predetermined shape was placed in an injection molding machine, and a resin such as a liquid crystal polymer or high heat-resistant thermoplastic engineering plastic such as polyphenylene sulfide was insert-molded to obtain a lower case 12. In this lower case 12, terminals 63 such as an input / output terminal and a ground terminal are exposed on the side surface of the lower case 12, and a central portion is provided with a concave portion 62 for accommodating the capacitor array surrounded by a resin wall. Has been formed.
【００３０】下ケース１２の上面に樹脂で形成された樹
脂壁により囲まれた凹部６２にコンデンサアレイ１００
を適宜配置し、前記コンデンサアレイ１００の上側には
中心導体組立体３０を配置する。ここで用いたコンデン
サアレイ１００は、例えばセラミック積層体として構成
されている。図４に示すように、誘電体セラミックグリ
ーンシート１００ａ〜１００ｄに容量を形成する電極パ
ターン（５１ａ、５１ｂ、５２ａ、５２ｂ、５３ａ、５
３ｂ）、グランド電極を形成するパターン（Ｇｎｄ）を
印刷し、それらのグリーンシート１００ａ〜１００ｄを
積層、圧着した後、焼結して形成される。積層体内部の
電極は、セラミックとの同時焼結によって一体形成され
るものであり、また、前記誘電体としては、例えばＡｌ
２Ｏ３を主成分としＳｉＯ２、ＳｒＯ、ＣａＯ、Ｐｂ
Ｏ、Ｎａ２Ｏ、Ｋ２Ｏを副成分として含む低温焼結誘電
体磁器組成物を用いる。積層枚数は、必要な容量値に応
じて変化する。このコンデンサアレイ１００において、
容量用電極はビアホール（図では黒丸●表示）によって
導通され、同様に、グランド電極Ｇｎｄは、ランド電極
を介して、ビアホール（図では黒丸●表示）によって、
裏面電極に導通される。図４に示すように、コンデンサ
積層体５の下面には、入出力用電極Ｉｎ，Ｏｕｔ、グラ
ンド電極Ｇｎｄが形成されるが、これらは下ケース１２
にそれぞれ形成された、接続電極（例えばグランド電極
Ｇｎｄは凹部６２の底面が接続電極となる）とはんだ付
けされ、外部端子と電気的に接続される。また、コンデ
ンサアレイ１００の表面には、中心導体組立体３０の各
中心導体と接続する接続電極２００ａ〜２００ｄが形成
されている。The capacitor array 100 is provided in the recess 62 surrounded by the resin wall formed of resin on the upper surface of the lower case 12.
Are arranged appropriately, and the center conductor assembly 30 is arranged above the capacitor array 100. The capacitor array 100 used here is configured as a ceramic laminated body, for example. As shown in FIG. 4, electrode patterns (51a, 51b, 52a, 52b, 53a, 5a, 5a, 51b, 52a, 52b, 53a, 5) for forming capacitors on the dielectric ceramic green sheets 100a to 100d.
3b), a pattern (Gnd) for forming a ground electrode is printed, the green sheets 100a to 100d are stacked, pressure-bonded, and then sintered. The electrodes inside the laminate are integrally formed by simultaneous sintering with ceramics, and the dielectric is, for example, Al.
2 O 3 as a main component SiO 2 , SrO, CaO, Pb
A low temperature sintered dielectric ceramic composition containing O, Na 2 O, and K 2 O as subcomponents is used. The number of stacked layers changes depending on the required capacity value. In this capacitor array 100,
The capacitor electrode is conducted by a via hole (indicated by a black circle in the figure), and similarly, the ground electrode Gnd is connected via the land electrode by a via hole (indicated by a black circle in the figure).
It is conducted to the back electrode. As shown in FIG. 4, input / output electrodes In and Out and a ground electrode Gnd are formed on the lower surface of the capacitor laminated body 5.
Are soldered to the connection electrodes (for example, the bottom surface of the recessed portion 62 of the ground electrode Gnd serves as the connection electrode) respectively formed in the above, and are electrically connected to the external terminals. Further, on the surface of the capacitor array 100, connection electrodes 200a to 200d that are connected to the respective central conductors of the central conductor assembly 30 are formed.
【００３１】中心導体組立体３０は、相対向する第１お
よび第２の主面と当該主面間を連結する側面を備えた矩
形状の磁性体に、中心導体を複数の磁性体層とともに積
層配置するものであり、前記中心導体は中心導体組立体
に形成されたビアホールにより、前記第２の主面に形成
された入出力外部電極Ｉｎ、Ｏｕｔ、Ｌｏａｄ及びグラ
ンド電極Ｇｎｄと電気的に接続する。この中心導体組立
体４はガーネット等の磁性体のグリーンシートをドクタ
ーブレード法にて作成し、このグリーンシートに所定パ
ターンの中心導体３１，３２，３３をそれぞれＡｇやＣ
ｕ等の導電性のペ−ストを印刷して形成される。前記磁
性体は、最終組成が一般式：ＢｉｐＧｄｘＣａｙ＋ｖＹ
３−ｘ−ｙ−ｖ −ｐＦｅ５−ｕ−ｖ−０．５ｙＩｎｕＺ
ｒｖＶ０．５ｙＯ１２（原子％）で表され、Ｂｉ
２Ｏ３、Ｙ２Ｏ３、ＣａＣＯ３、Ｆｅ２Ｏ３、Ｉｎ２Ｏ
３、Ｖ２Ｏ５を出発原料として、最終組成が例えばｐ＝
１．０、ｘ＝０．５、ｙ＝０．８、ｖ＝０．０２、ｕ＝
０．２の磁性体材料である。そして前記出発原料をボー
ルミルにて湿式混合し、得られたスラリーを乾燥した
後、７００℃〜８５０℃の温度で仮焼し、ボールミルに
て湿式粉砕し、得られたスラリーを乾燥して酸化物磁性
材料粉末を得た。この磁性材料粉末と有機バインダー、
可塑材、および、有機溶剤をボールミルにて混合し粘度
を調整した後、ドクターブレード法にて４０μｍ〜２５
０μｍの磁性体セラミックグリーンシートを作製した。
そして、前記グリーンシートに導電性ペーストを印刷
し、ビアホールを形成して、さらにグリーンシートを重
ねて８０℃に加熱して１２ＭＰａの圧力で熱圧着して積
層体とした後、所定の大きさ、形状となるように、例え
ばダイシングソーや鋼刃で前記積層体を切断した後、９
００℃〜９４０℃で、２時間〜８時間焼成して中心導体
組立体３０を得た。The center conductor assembly 30 is formed by stacking a center conductor with a plurality of magnetic layers on a rectangular magnetic body having first and second main surfaces facing each other and side surfaces connecting the main surfaces. The central conductor is electrically connected to the input / output external electrodes In, Out, Load and the ground electrode Gnd formed on the second main surface through the via hole formed in the central conductor assembly. . The center conductor assembly 4 is made by forming a green sheet of magnetic material such as garnet by a doctor blade method, and the center conductors 31, 32, 33 having a predetermined pattern are formed on the green sheet by Ag or C, respectively.
It is formed by printing a conductive paste such as u. The final composition of the magnetic material is represented by the general formula: Bi p Gd x Ca y + v Y
3-x-y-v -p Fe 5-u-v-0.5y In u Z
r v V 0.5y O 12 (atomic%), Bi
2 O 3 , Y 2 O 3 , CaCO 3 , Fe 2 O 3 , In 2 O
3 , V 2 O 5 as a starting material, and the final composition is, for example, p =
1.0, x = 0.5, y = 0.8, v = 0.02, u =
It is a magnetic material of 0.2. Then, the starting materials are wet mixed in a ball mill, the resulting slurry is dried, then calcined at a temperature of 700 ° C. to 850 ° C., wet pulverized in a ball mill, and the obtained slurry is dried to form an oxide. A magnetic material powder was obtained. This magnetic material powder and organic binder,
The plastic material and the organic solvent are mixed in a ball mill to adjust the viscosity, and then 40 μm to 25 μm by the doctor blade method.
A magnetic ceramic green sheet of 0 μm was produced.
Then, a conductive paste is printed on the green sheet to form a via hole, the green sheet is further stacked, heated to 80 ° C., and thermocompression-bonded at a pressure of 12 MPa to form a laminated body, and then a predetermined size, After cutting the laminated body with a dicing saw or a steel blade into a shape,
The center conductor assembly 30 was obtained by firing at 00 ° C. to 940 ° C. for 2 hours to 8 hours.
【００３２】この中心導体組立体３０の磁性体層３０ｂ
〜３０ｄには、それぞれ中心導体３１〜３３が互いに絶
縁を保って所定の角度で交差するように設けられ、磁性
体層３０ｅの裏面にあたる第２の主面３０ｆにはグラン
ド電極Ｇｎｄと入出力電極Ｉｎ、Ｏｕｔ、Ｌｏａｄが形
成されＬＧＡ（Ｌａｎｄ Ｇｒｉｄ Ａｒｒａｙ）タイ
プの実装構造としている。なお、第２の主面４３ｆに形
成された前記グランド電極Ｇｎｄ、入出力電極Ｉｎ、Ｏ
ｕｔ、Ｌｏａｄの一部を中心導体組立体３０の表面に露
出するようにレジスト処理し、スクリーン印刷によりは
んだペーストを塗布し、その後リフロー加熱により球状
化させたり、単一粒径のはんだボールや金ボールを実装
させてＢＧＡ（Ｂａｌｌ Ｇｒｉｄ Ａｒｒａｙ）タイ
プの実装構造としても良い。磁性体層３０ｂ〜３０ｅの
縁部には中心導体３１〜３３とグランド電極Ｇｎｄ、入
出力電極Ｉｎ、Ｏｕｔ、Ｌｏａｄを接続するφ０．２〜
φ０．４のビアホール（図中、黒丸で表示）を形成して
いる。これらのビアホールにはＡｇやＣｕ等の導体が充
填されている。上記に示した実施例において、ビアホー
ルは、その断面を円形としているが他の形状に変更して
もよく、レーザー加工等により横長のビアホールを形成
してもよい。The magnetic layer 30b of the center conductor assembly 30
To 30d, center conductors 31 to 33 are provided so as to be insulated from each other and intersect at a predetermined angle, and the second main surface 30f, which is the back surface of the magnetic layer 30e, has a ground electrode Gnd and an input / output electrode. In, Out, and Load are formed to form an LGA (Land Grid Array) type mounting structure. The ground electrode Gnd and the input / output electrodes In, O formed on the second main surface 43f
of ut and Load are exposed to the surface of the central conductor assembly 30 by resist treatment, and a solder paste is applied by screen printing, and then spheroidized by reflow heating. A ball may be mounted to form a BGA (Ball Grid Array) type mounting structure. Φ0.2 to connect the central conductors 31 to 33, the ground electrode Gnd, and the input / output electrodes In, Out, and Load to the edges of the magnetic layers 30b to 30e.
A via hole of φ0.4 (indicated by a black circle in the figure) is formed. These via holes are filled with a conductor such as Ag or Cu. In the above-described embodiment, the via hole has a circular cross section, but it may be changed to another shape, or a laterally long via hole may be formed by laser processing or the like.
【００３３】積層体から個片への分割は、焼成後にダイ
シングソーで切断して行っても良い。また、中心導体組
立体３０の第２の主面に形成される入出力電極Ｉｎ，Ｏ
ｕｔ，Ｌｏａｄとグランド電極Ｇｎｄは、グリーンシー
トに形成するのではなく、焼結した中心導体組立体３０
にＡｇ、Ｃｕなどの導体を印刷塗布し焼付けて形成して
も良い。また必要に応じてビアホールの露出部、グラン
ド電極、入出力電極にめっきが施される。第２の主面に
レジスト処理する場合には、中心導体組立体３０を構成
する磁性体材料と組成を同じくし、または中心導体組立
体と一体で焼結可能な様に調整した絶縁体材料にエチル
セルロースなどの有機バインダと、ブチルカルビトー
ル、ターピネオールなどの有機溶剤を混合し、混練して
ペーストとし、スクリーン印刷して、積層体とともに一
体焼成するのが好ましい。以上の工程を経て中心導体組
立体３０が形成される。Dividing the laminate into individual pieces may be performed by cutting with a dicing saw after firing. In addition, the input / output electrodes In and O formed on the second main surface of the central conductor assembly 30.
ut and Load and the ground electrode Gnd are not formed on the green sheet, but are formed on the sintered center conductor assembly 30.
Alternatively, a conductor such as Ag or Cu may be applied by printing, and baked. In addition, the exposed portion of the via hole, the ground electrode, and the input / output electrode are plated if necessary. When the resist treatment is applied to the second main surface, an insulator material having the same composition as the magnetic material forming the central conductor assembly 30 or adjusted so that it can be sintered integrally with the central conductor assembly is used. It is preferable that an organic binder such as ethyl cellulose and an organic solvent such as butyl carbitol or terpineol are mixed, kneaded to form a paste, screen-printed, and integrally fired with the laminate. The center conductor assembly 30 is formed through the above steps.
【００３４】この中心導体組立体３０の入出力電極とコ
ンデンサアレイ１００の主面に形成された接続電極とを
はんだ付けして電気的に接続する。入出力電極ＩＮは接
続電極２００ａと、入出力電極ＯＵＴは接続電極２００
ｂと、入出力電極Ｌｏａｄは接続電極２００ｃと、グラ
ンド電極Ｇｎｄは接続電極２００ｄと接続される。The input / output electrodes of the central conductor assembly 30 and the connection electrodes formed on the main surface of the capacitor array 100 are soldered and electrically connected. The input / output electrode IN is the connection electrode 200a, and the input / output electrode OUT is the connection electrode 200a.
b, the input / output electrode Load is connected to the connection electrode 200c, and the ground electrode Gnd is connected to the connection electrode 200d.
【００３５】このようにして得られた非可逆回路素子
は、実施例１のものと同様にして、中心導体組立体３０
の下面に位置する様にコンデンサアレイ１００を平面的
に積み重ねた配置（異なる面上に配置）とすることで、
組立を容易にし、コンデンサ形成面積を確保することが
でき、また、中心導体組立体３０を積層構造として、実
質的にコンデンサアレイ１００と等しい外形寸法とし、
そのインダクタンスを大きくすることが出来、小型であ
りながら優れた性能を発揮するものであった。The nonreciprocal circuit device thus obtained is similar to that of the first embodiment, and the central conductor assembly 30 is used.
By arranging the capacitor arrays 100 so as to be located on the lower surface of the capacitor in a planar manner (arranged on different surfaces),
The assembly can be facilitated and a capacitor formation area can be secured. Further, the center conductor assembly 30 has a laminated structure and has an outer dimension substantially equal to that of the capacitor array 100.
Its inductance can be increased, and it has excellent performance despite its small size.
【００３６】[0036]
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
ガーネット磁性体に複数の中心導体を電気的絶縁状態で
交差状に配置して構成された中心導体組立体と、前記中
心導体に接続される整合用容量と、前記ガーネット磁性
体に直流磁界を印加する永久磁石を有する非可逆回路素
子において、中心導体の交差面側を中心導体組立体の上
部とした場合、整合用容量の少なくとも１つが中心導体
組立体の下部に位置したことによって、整合用容量を設
置する平面スペースが広がり、その容量を稼ぐことがで
きるため、共振周波数を大幅に低下させる効果がある。
また、中心導体組立体を囲むように整合用容量を配置し
ないので、整合用容量の形状に左右されることはなく、
ガーネット磁性体を所望の形状に変える事ができ、従来
に比べ中心導体組立体のインダクタンスを大きくするこ
とができるため、特性の広帯域化または最適化を図る効
果がある。さらに、整合用容量に単板コンデンサや積層
コンデンサ、またこれらを基板に一体化したコンデンサ
アレイを用い、絶縁体を用いた成形品を駆使すること
で、生産性の良い小型の非可逆回路素子を提供できる効
果がある。As described above, according to the present invention,
A central conductor assembly formed by arranging a plurality of central conductors in a garnet magnetic body in an electrically insulated state in a cross shape, a matching capacitor connected to the central conductor, and a DC magnetic field applied to the garnet magnetic body. In the non-reciprocal circuit device having a permanent magnet, when the crossing surface side of the central conductor is the upper portion of the central conductor assembly, at least one of the matching capacitances is located at the lower portion of the central conductor assembly, so that the matching capacitance is reduced. Since the plane space for installing is widened and its capacity can be earned, there is an effect of significantly reducing the resonance frequency.
Further, since the matching capacitor is not arranged so as to surround the central conductor assembly, it is not affected by the shape of the matching capacitor,
Since the garnet magnetic body can be changed into a desired shape and the inductance of the central conductor assembly can be increased as compared with the conventional case, there is an effect of broadening or optimizing the characteristics. Furthermore, by using a single-plate capacitor or multilayer capacitor for matching capacitance, or a capacitor array that integrates these on a substrate, and making full use of molded products that use an insulator, a compact non-reciprocal circuit device with good productivity can be obtained. There is an effect that can be provided.
【図１】 本発明に係る非可逆回路素子の一実施例を示
す分解斜視図である。FIG. 1 is an exploded perspective view showing an embodiment of a non-reciprocal circuit device according to the present invention.
【図２】 本発明に係る非可逆回路素子の図１の平面図
と断面図を示しており、図２（Ａ）は上ケースと永久磁
石を除いた平面図であり、図２（Ｂ）は上ケースと永久
磁石を含めたa-a’断面図である。2A and 2B are a plan view and a cross-sectional view of a nonreciprocal circuit device according to the present invention, FIG. 2A being a plan view excluding an upper case and a permanent magnet, and FIG. [Fig. 4] is a cross-sectional view taken along the line aa 'including the upper case and the permanent magnet.
【図３】 本発明に係る非可逆回路素子の他の実施例の
分解斜視図である。FIG. 3 is an exploded perspective view of another embodiment of the non-reciprocal circuit device according to the present invention.
【図４】 本発明に係る非可逆回路素子に用いる整合用
容量の分解斜視図である。FIG. 4 is an exploded perspective view of a matching capacitor used in the non-reciprocal circuit device according to the present invention.
【図５】 本発明に係る非可逆回路素子に用いる中心導
体組立体の斜視図である。FIG. 5 is a perspective view of a center conductor assembly used in the non-reciprocal circuit device according to the present invention.
【図６】 本発明に係る非可逆回路素子に用いる中心導
体組立体の分解平面図である。FIG. 6 is an exploded plan view of a central conductor assembly used in the non-reciprocal circuit device according to the present invention.
【図７】 従来の非可逆回路素子の一例を示す分解斜視
図である。FIG. 7 is an exploded perspective view showing an example of a conventional non-reciprocal circuit device.
【図８】 本発明と従来に使用される中心導体組立体を
下面から見た斜視図である。FIG. 8 is a perspective view of a center conductor assembly used in the present invention and the related art as seen from the lower surface.
１１ 上ケース
１２ 下ケース
２０ 永久磁石
３０ 中心導体組立体
３１，３２，３３ 中心導体
３４
導体板
３８ ガーネット磁性体
４０ 絶縁シート
５０ 終端抵抗器
５１，５２，５３ 整合用容量、または単板コンデン
サ
６０ 絶縁体成形品
６１ 絶縁体成形品貫通穴
６２ 絶縁体成形品凹部
６３ 外部端子
６３ｇ 外部グランド端子
６３ａ，６３ｂ 外部入出力端子
６４ａ，６４ｂ 内部ポート電極
６５ｇ 内部グランド電極
１００ コンデンサアレイ11 Upper Case 12 Lower Case 20 Permanent Magnet 30 Central Conductor Assembly 31, 32, 33 Central Conductor 34 Conductor Plate 38 Garnet Magnetic Material 40 Insulating Sheet 50 Termination Resistors 51, 52, 53 Matching Capacitor or Single Plate Capacitor 60 Insulation Body molded product 61 Insulator molded product Through hole 62 Insulator molded product Recessed portion 63 External terminal 63g External ground terminals 63a, 63b External input / output terminals 64a, 64b Internal port electrode 65g Internal ground electrode 100 Capacitor array
Claims (9)
気的絶縁状態で交差状に配置して構成された中心導体組
立体と、前記中心導体に接続される整合用容量と、前記
ガーネット磁性体に直流磁界を印加する永久磁石を有す
る非可逆回路素子において、前記中心導体が交差状に配
置された側を中心導体組立体の上部とした場合、前記整
合用容量の少なくとも１つが前記中心導体組立体の下部
に位置していることを特徴とする非可逆回路素子。1. A central conductor assembly comprising a garnet magnetic body and a plurality of central conductors arranged in an electrically insulated state in a cross shape, a matching capacitor connected to the central conductor, and the garnet magnetic body. In a non-reciprocal circuit device having a permanent magnet for applying a DC magnetic field to at least one of the matching capacitors, at least one of the matching capacitors is the central conductor assembly when the side where the central conductors are arranged in a cross shape is the upper part of the central conductor assembly. A non-reciprocal circuit device characterized by being located at the bottom of a three-dimensional structure.
気的絶縁状態で交差状に配置して構成された中心導体組
立体と、前記中心導体に接続される整合用容量と、前記
ガーネット磁性体に直流磁界を印加する永久磁石を有す
る非可逆回路素子において、前記永久磁石の配置された
側を前記中心導体組立体の上部とした場合、前記整合容
量の少なくとも１つが前記中心導体組立体の下部に位置
していることを特徴とする非可逆回路素子。2. A center conductor assembly formed by arranging a plurality of center conductors in a garnet magnetic body in an electrically insulated state in a cross shape, a matching capacitor connected to the center conductor, and the garnet magnetic body. In a non-reciprocal circuit device having a permanent magnet that applies a DC magnetic field to at least one of the matching capacitors, at least one of the matching capacitors is a lower part of the central conductor assembly when the side where the permanent magnet is disposed is the upper part of the central conductor assembly. A non-reciprocal circuit device characterized by being located at.
量として積層コンデンサ又は誘電体基板の両面に該誘電
体基板を挟んで対向する電極を形成した単板コンデンサ
を使用したことを特徴とする非可逆回路素子。3. The monolithic capacitor according to claim 1 or 2, wherein the matching capacitor is a multilayer capacitor or a single plate capacitor having electrodes facing each other with the dielectric substrate sandwiched therebetween. Non-reciprocal circuit element.
て一つの誘電体基板に複数のコンデンサが形成されたコ
ンデンサアレイを使用したことを特徴とする非可逆回路
素子。4. The nonreciprocal circuit device according to claim 3, wherein a capacitor array having a plurality of capacitors formed on one dielectric substrate is used as the matching capacitor.
気的絶縁状態で交差状に配置して構成された中心導体組
立体と、前記中心導体に接続される整合用容量と、前記
ガーネット磁性体に直流磁界を印加する永久磁石を有す
る非可逆回路素子において、前記整合容量として誘電体
基板の両面に該誘電体基板を挟んで対向する電極を形成
した単板コンデンサを使用し、該単板コンデンサを３つ
並列状に配置し、該単板コンデンサの上部に前記中心導
体組立体を配置し、その上部に前記永久磁石を配置した
ことを特徴とする非可逆回路素子。5. A center conductor assembly, which is formed by arranging a plurality of center conductors on a garnet magnetic body in an electrically insulated state in a cross shape, a matching capacitor connected to the center conductor, and the garnet magnetic body. In a non-reciprocal circuit device having a permanent magnet for applying a DC magnetic field to the non-reciprocal circuit element, a single plate capacitor having opposing electrodes sandwiching the dielectric substrate on both sides of the dielectric substrate is used as the matching capacitance. 3. A nonreciprocal circuit device in which three of the above are arranged in parallel, the central conductor assembly is arranged above the single plate capacitor, and the permanent magnet is arranged above the central conductor assembly.
逆回路素子において、中心導体組立体の下部に位置する
コンデンサの電極面は、当該コンデンサの実装面に対し
水平となるように配置することを特徴とする非可逆回路
素子。6. The nonreciprocal circuit device according to claim 3, wherein the electrode surface of the capacitor located below the central conductor assembly is arranged to be horizontal to the mounting surface of the capacitor. A non-reciprocal circuit device characterized by being.
逆回路素子において、ガーネット磁性体の平面形状とほ
ぼ同じ形の薄い導体板より３つ中心導体が突出し、絶縁
状態で該ガーネット磁性体を包み込むように折り曲げら
れた中心導体組立体を備え、該中心導体組立体の下部に
位置する前記導体板と整合用容量の電極を絶縁したこと
を特徴とする非可逆回路素子。7. The nonreciprocal circuit device according to claim 1, wherein three central conductors protrude from a thin conductive plate having a shape substantially the same as the planar shape of the garnet magnetic body, and the garnet magnetic body in an insulated state. A non-reciprocal circuit device comprising a center conductor assembly bent so as to enclose a body, and an electrode of a matching capacitor is insulated from the conductor plate located below the center conductor assembly.
逆回路素子において、整合用容量の位置決め用に絶縁体
成形品を有することを特徴とする非可逆回路素子。8. The nonreciprocal circuit device according to claim 3, further comprising an insulating molded product for positioning the matching capacitor.
逆回路素子において、整合用容量を電気的かつ機械的に
接続する電極材料をインサートした絶縁体成形品を有す
ることを特徴とする非可逆回路素子。9. The nonreciprocal circuit device according to claim 1, further comprising an insulator molded product into which an electrode material for electrically and mechanically connecting a matching capacitor is inserted. Non-reciprocal circuit element.
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-
2002
- 2002-10-29 JP JP2002314114A patent/JP3997520B2/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006157092A (en) * | 2004-11-25 | 2006-06-15 | Hitachi Metals Ltd | Nonreciprocal circuit element |
| JP4605501B2 (en) * | 2004-11-25 | 2011-01-05 | 日立金属株式会社 | Non-reciprocal circuit element |
| JP2006246432A (en) * | 2005-02-03 | 2006-09-14 | Hitachi Metals Ltd | Non-reciprocal circuit element |
| JP4655274B2 (en) * | 2005-02-03 | 2011-03-23 | 日立金属株式会社 | Non-reciprocal circuit element |
| JP2006279732A (en) * | 2005-03-30 | 2006-10-12 | Hitachi Metals Ltd | Non-reciprocal circuit element |
| JP4507192B2 (en) * | 2005-03-30 | 2010-07-21 | 日立金属株式会社 | Non-reciprocal circuit element |
| WO2007052809A1 (en) * | 2005-11-07 | 2007-05-10 | Hitachi Metals, Ltd. | Polycrystalline ceramic magnetic material, microwave magnetic components, and irreversible circuit devices made by using the same |
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