JP2003203769A - Linear pattern, method of forming linear pattern, image display device, and method of manufacturing image display device - Google Patents
Linear pattern, method of forming linear pattern, image display device, and method of manufacturing image display deviceInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、例えばパッシブマ
トリックス方式のディスプレイパネルの配線ラインのよ
うな線状パターン及びその形成方法に関するものであ
り、さらには、これを応用した画像表示装置及びその製
造方法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a linear pattern such as a wiring line of a passive matrix type display panel and a method of forming the same, and further, an image display device to which the same is applied and a method of manufacturing the same. Regarding
【０００２】[0002]
【従来の技術】有機ＥＬ素子は、一般に、光透過性を有
する透明基板上に、アノードとしての透明電極層と、こ
の透明電極層上に形成され有機ＥＬ材料からなる有機発
光層と、さらにこの有機発光層上に形成されカソードと
して機能する金属電極層とを順次積層することにより構
成されており、自発光型のため視認性が高い等の特徴を
有することから、各種表示装置における発光素子として
注目を集めている。この有機ＥＬ素子においては、アノ
ードである透明電極層及びカソードである金属電極層へ
の通電（ＤＣ電圧の印加）により、それぞれの電極から
注入された正孔及び電子が有機発光層内で再結合し、こ
のときのエネルギーにより発光現象を生ずる。前記発光
現象は、発光ダイオードと類似した注入発光であるた
め、発光電圧が１０Ｖ以下と低いことが特徴である。2. Description of the Related Art In general, an organic EL element has a transparent electrode layer as an anode, an organic light emitting layer made of an organic EL material formed on the transparent electrode layer, and a transparent electrode layer which is formed on the transparent substrate having light transparency. It is composed by sequentially stacking a metal electrode layer formed on an organic light emitting layer and functioning as a cathode, and since it has characteristics such as high visibility due to its self-luminous type, it is used as a light emitting element in various display devices. It is getting attention. In this organic EL element, holes and electrons injected from the respective electrodes are recombined in the organic light emitting layer by energizing (applying a DC voltage) to the transparent electrode layer as the anode and the metal electrode layer as the cathode. However, the energy at this time causes a light emission phenomenon. Since the light emission phenomenon is injection light emission similar to that of a light emitting diode, the light emission voltage is low at 10 V or less.
【０００３】上記有機ＥＬ素子を用いたディスプレイパ
ネルとしては、有機ＥＬ層を挟んだアノードラインとカ
ソードラインとが互いに直交するような構成とし、例え
ばアノードラインにデータ信号を、またカソードライン
にスキャン信号を入力して画像の表示を行う、いわゆる
パッシブマトリックス方式が知られている。A display panel using the above organic EL element has a structure in which an anode line and a cathode line sandwiching the organic EL layer are orthogonal to each other. For example, a data signal is supplied to the anode line and a scan signal is supplied to the cathode line. There is known a so-called passive matrix method in which an image is displayed by inputting.
【０００４】[0004]
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記パッシ
ブマトリックス方式のディスプレイパネルを作製する場
合、ガラス基板上のアノードライン（例えば、酸化イン
ジウム錫）のパターニングには、半導体プロセスで一般
的なウェットプロセスを使用することができる。これに
対して、有機ＥＬ層形成後のパターニング、例えばカソ
ードラインのパターニングにはウェットエッチングを使
用することができず、例えばシャドーマスクを使用した
パターニングが行われている。By the way, in the case of manufacturing the above-mentioned passive matrix type display panel, a general wet process in a semiconductor process is used for patterning an anode line (for example, indium tin oxide) on a glass substrate. Can be used. On the other hand, wet etching cannot be used for patterning after forming the organic EL layer, for example, patterning of the cathode line, and patterning using, for example, a shadow mask is performed.
【０００５】ここで使用されるシャドーマスクは、例え
ば厚さ０．１ｍｍ程度のメタルシートをエッチングやレ
ーザ等により所望のパターンに加工したものである。通
常は、線状の開口部であるスリットが互いに平行に配列
形成される。そのため、パターンによってはメタルの残
っている部分（リブ）が細くなり、その長さがある程度
長くなってしまうと剛性が低下し、パターンを精度良く
維持することが難しくなる。特に、カソードラインパタ
ーン用のマスクは、細く長いリブとなってしまうパター
ンであるため、剛性が著しく低く、精度の良いパターニ
ングは不可能である。メタルシートの剛性を確保するに
は、板厚を厚くすることが考えられるが、パターン精度
の観点からは不利である。マスクのパターン精度を向上
させるためには、マスクの板厚は薄い方が好ましい。The shadow mask used here is, for example, a metal sheet having a thickness of about 0.1 mm processed into a desired pattern by etching, laser, or the like. Usually, slits, which are linear openings, are formed in parallel with each other. Therefore, depending on the pattern, the metal-remaining portion (rib) becomes thin, and if the length is increased to some extent, the rigidity is lowered, and it becomes difficult to maintain the pattern with high accuracy. In particular, since the mask for the cathode line pattern is a pattern in which the ribs are thin and long, the rigidity is extremely low, and accurate patterning is impossible. To secure the rigidity of the metal sheet, it is conceivable to increase the plate thickness, but this is disadvantageous from the viewpoint of pattern accuracy. In order to improve the pattern accuracy of the mask, the plate thickness of the mask is preferably thin.
【０００６】また、リブの太さを確保する方法として、
図１０に示すように、半分の長さのスリット１０１，１
０２を左右交互に配列した、いわゆる１つとばしのパタ
ーンにしておき、これを図中矢印で示すように２回に分
けて成膜するという方法も考えられる。しかしながら、
この場合、１回目のプロセスと２回目のプロセスが全く
同じ条件で行わなければ、素子特性にムラが生じ、例え
ば有機ＥＬ層を発光させたときに違いが顕著に現れてし
まうという大きな問題がある。Further, as a method for ensuring the thickness of the rib,
As shown in FIG. 10, half length slits 101, 1
It is also conceivable that a pattern in which 02 are arranged alternately on the left and right, that is, a so-called one skip pattern, is formed, and this is divided into two portions as shown by an arrow in the figure and the film is formed. However,
In this case, if the first process and the second process are not performed under exactly the same conditions, unevenness occurs in device characteristics, and a significant difference occurs when the organic EL layer emits light, for example. .
【０００７】本発明は、かかる従来の実情に鑑みて提案
されたものであり、精度の高いパターン形成が可能な線
状パターン及びパターン形成方法を提供することを目的
とする。また、本発明は、素子特性にムラが生じること
のない画像表示装置及びその製造方法を提供することを
目的とする。The present invention has been proposed in view of such a conventional situation, and an object thereof is to provide a linear pattern and a pattern forming method capable of forming a pattern with high accuracy. It is another object of the present invention to provide an image display device in which the element characteristics do not have unevenness and a manufacturing method thereof.
【０００８】[0008]
【課題を解決するための手段】上述の目的を達成するた
めに、本発明の線状パターンは、長手方向において分割
された複数の分割パターンが順次成膜されてなり、これ
ら分割パターンが繋ぎ合わされて線状とされていること
を特徴とするものである。また、本発明のパターン形成
方法は、所定の間隔で配列される線状パターンをマスク
を介して成膜するパターン形成方法において、長手方向
において分割された複数の分割パターンを順次成膜し、
これらを繋ぎ合わせることで線状パターンとすることを
特徴とするものである。In order to achieve the above-mentioned object, the linear pattern of the present invention is formed by sequentially forming a plurality of division patterns divided in the longitudinal direction and connecting these division patterns. It is characterized by being linear. Further, the pattern forming method of the present invention is a pattern forming method of forming a linear pattern arranged at a predetermined interval through a mask, and sequentially forming a plurality of divided patterns divided in the longitudinal direction,
It is characterized by forming a linear pattern by connecting these.
【０００９】一方、本発明の画像表示装置は、長手方向
において分割された複数の分割パターンが順次成膜され
てなり、これら分割パターンが繋ぎ合わされて線状とさ
れた線状パターンを配線ラインとすることを特徴とする
ものである。また、本発明の画像表示装置の製造方法
は、所定の間隔で配列される配線ラインをマスクを介し
て成膜する画像表示装置の製造方法において、長手方向
において分割された複数の分割パターンを順次成膜し、
これらを繋ぎ合わせることで線状パターンとし、上記配
線ラインとすることを特徴とするものである。On the other hand, in the image display device of the present invention, a plurality of division patterns divided in the longitudinal direction are sequentially formed, and the linear patterns formed by connecting these division patterns are formed into wiring lines. It is characterized by doing. Further, the image display device manufacturing method of the present invention is a method of manufacturing an image display device in which wiring lines arranged at a predetermined interval are formed through a mask, and a plurality of division patterns divided in the longitudinal direction are sequentially formed. Film formation,
The above-mentioned wiring line is characterized by forming a linear pattern by connecting these.
【００１０】長さが長いパターンを複数の分割パターン
に分け、複数回に分けて部分部分を成膜してこれを繋ぐ
ことで、精度の高いパターニングが可能となる。すなわ
ち、長さが長いパターンを複数の分割パターンに分ける
ことにより、マスクの剛性の低下が抑制され、マスクの
板厚を厚くしなくとも剛性が確保される。その結果、剛
性の低下やマスク板厚増加によるパターニング精度の劣
化が抑えられ、パターンが精度良く維持される。By dividing a pattern having a long length into a plurality of divided patterns, forming a partial portion into a plurality of divided portions, and connecting the divided portions, it is possible to perform highly precise patterning. That is, by dividing a pattern having a long length into a plurality of divided patterns, a decrease in rigidity of the mask is suppressed, and the rigidity is secured without increasing the thickness of the mask. As a result, deterioration in patterning accuracy due to a decrease in rigidity and an increase in mask plate thickness is suppressed, and the pattern is maintained with high accuracy.
【００１１】[0011]
【発明の実施の形態】以下、本発明を適用した線状パタ
ーン及びパターン形成方法、さらには画像表示装置及び
その製造方法について説明する。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION A linear pattern and a pattern forming method to which the present invention is applied, an image display device and a manufacturing method thereof will be described below.
【００１２】図１は、パッシブマトリックスパネルの配
線の概略図であり、アノードライン１とカソードライン
２とが互いに直交して形成されている。本発明は、線状
ラインとして、例えばこのカソードラインに適用するこ
とができる。FIG. 1 is a schematic view of wiring of a passive matrix panel, in which an anode line 1 and a cathode line 2 are formed so as to be orthogonal to each other. The present invention can be applied as a linear line, for example, to this cathode line.
【００１３】上記カソードラインは、通常、シャドーマ
スクを使用してパターニングが行われる。このとき、シ
ャドーマスクのリブは、細くても長さが短ければ、シャ
ドーマスク全体の剛性、精度は維持される。そこで、カ
ソードラインをいくつかのドットに分割したマスクで成
膜し、次にドット間を埋めるようなパターンのマスクで
成膜して１本のラインを形成する方法を採れば、高精度
で長いカソードラインを形成することができる。The cathode lines are usually patterned using a shadow mask. At this time, if the ribs of the shadow mask are thin but short in length, the rigidity and accuracy of the entire shadow mask are maintained. Therefore, if a method of forming a single line by forming a film with a mask that divides the cathode line into several dots and then forming a film with a mask having a pattern that fills the spaces between dots is used, it is highly accurate and long. A cathode line can be formed.
【００１４】なお、上記のようなパターニングを行う場
合、プロセスのバラツキによる素子特性のムラを避ける
ために、１回目に成膜されるドット部分は発光部の全て
を覆っている方が好ましい。そして、２回目に発光部上
に成膜されたドット間を繋ぐようなパターンで形成すれ
ば、１回目と２回目のプロセスのバラツキに起因して発
光特性がパネル内の部位によって変わってしまうという
現象が解消される。In the case of patterning as described above, it is preferable that the dot portion formed for the first time covers the entire light emitting portion in order to avoid unevenness in device characteristics due to process variations. Then, if the pattern is formed so as to connect the dots formed on the light emitting portion for the second time, the light emitting characteristics may change depending on the parts in the panel due to the process variations of the first time and the second time. The phenomenon is resolved.
【００１５】図２は、有機ＥＬ素子を発光部とするパッ
シブマトリックスパネルのカソードラインのパターニン
グの一例を示すものである。本例では、アノードライン
を形成した後、図２（ａ）に示すように、先ず、発光部
として機能し各画素を構成することになる短冊状の有機
ＥＬ層１１を形成する。FIG. 2 shows an example of patterning of cathode lines of a passive matrix panel having an organic EL element as a light emitting portion. In this example, after forming the anode line, first, as shown in FIG. 2A, a strip-shaped organic EL layer 11 which functions as a light emitting portion and constitutes each pixel is formed.
【００１６】有機ＥＬ層１１は、例えば図３に示すよう
に３層構造とされており、上記アノードライン１と接す
る側に配される正孔輸送層１１ａ、有機発光層１１ｂ、
及びカソードライン２と接する側に配される電子輸送層
１１ｃとから構成されている。なお、上記の構成におい
て、有機ＥＬ層１１とカソードライン２の間にバッファ
層が形成されていてもよい。このバッファ層は、例えば
Ｌｉ２Ｏを数オングストローム程度の膜厚で成膜するこ
とにより形成されるもので、このバッファ層により発光
開始電圧を下げることが可能である。The organic EL layer 11 has, for example, a three-layer structure as shown in FIG. 3, and has a hole transporting layer 11a, an organic light emitting layer 11b, and a hole transporting layer 11a arranged on the side in contact with the anode line 1.
And an electron transport layer 11c arranged on the side in contact with the cathode line 2. In the above structure, a buffer layer may be formed between the organic EL layer 11 and the cathode line 2. This buffer layer is formed by depositing, for example, Li 2 O in a film thickness of about several angstroms, and the light emission starting voltage can be lowered by this buffer layer.
【００１７】有機ＥＬ層１１のうち、正孔輸送層１１ａ
は、アノードライン１から注入された正孔を有機発光層
１１ｂまで輸送するという役割を果たすものである。こ
の正孔輸送層１１ａに用いられる正孔輸送材料として
は、公知のものがいずれも使用可能であり、ベンジン、
スチリルアミン、トリフェニルアミン、ポルフィリン、
トリアゾール、イミダゾール、オキサジアゾール、ポリ
アリールアルカン、フェニレンジアミン、アリールアミ
ン、オキサゾール、アントラセン、フルオレノン、ヒド
ラゾン、スチルベン、またはこれらの誘導体、並びにポ
リシラン系化合物、ビニルカルバゾール系化合物、チオ
フェン系化合物、アニリン系化合物等の複素環式共役系
のモノマー、オリゴマー、ポリマー等が使用可能であ
る。具体的化合物としては、α−ナフチルフェニルジア
ミン、ポルフィリン、金属テトラフェニルポルフィリ
ン、金属ナフタロシアニン、４，４，４−トリス（３−
メチルフェニルフェニルアミノ）トリフェニルアミン、
Ｎ，Ｎ，Ｎ，Ｎ−テトラキス（ｐ−トリル）ｐ−フェニ
レンジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ，Ｎ−テトラフェニル４，４
−ジアミノビフェニル、Ｎ−フェニルカルバゾール、４
−ジ−ｐ−トリルアミノスチルベン、ポリ（パラフェニ
レンビニレン）、ポリ（チオフェンビニレン）、ポリ
（２，２−チエニルピロール）等を挙げることができる
が、勿論これらに限定されるものではない。Of the organic EL layer 11, the hole transport layer 11a
Plays a role of transporting holes injected from the anode line 1 to the organic light emitting layer 11b. As the hole-transporting material used for the hole-transporting layer 11a, any known material can be used.
Styrylamine, triphenylamine, porphyrin,
Triazole, imidazole, oxadiazole, polyarylalkane, phenylenediamine, arylamine, oxazole, anthracene, fluorenone, hydrazone, stilbene, or derivatives thereof, and polysilane compounds, vinylcarbazole compounds, thiophene compounds, aniline compounds Heterocyclic conjugated system monomers, oligomers, polymers and the like can be used. Specific compounds include α-naphthylphenyldiamine, porphyrin, metal tetraphenylporphyrin, metal naphthalocyanine, 4,4,4-tris (3-
Methylphenylphenylamino) triphenylamine,
N, N, N, N-tetrakis (p-tolyl) p-phenylenediamine, N, N, N, N-tetraphenyl 4,4
-Diaminobiphenyl, N-phenylcarbazole, 4
Examples thereof include, but are not limited to, -di-p-tolylaminostilbene, poly (paraphenylene vinylene), poly (thiophenvinylene), and poly (2,2-thienylpyrrole).
【００１８】有機発光層２２ｂに用いられる材料は、電
圧印加時に陽極側から正孔を、また陰極側から電子を注
入できること、注入された電荷、すなわち正孔及び電子
を移動させ、これら正孔と電子が再結合できる場を提供
できること、発光効率が高いこと、等の条件を満たして
いれば如何なるものであってもよく、例えば低分子蛍光
色素、蛍光性の高分子、金属錯体等の有機材料等が挙げ
られる。このような材料としては、具体的には、アント
ラセン、ナフタリン、フェナントレン、ピレン、クリセ
ン、ペリレン、ブタジエン、クマリン、アクリジン、ス
チルベン、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム錯
体、ビス（ベンゾキノリノラト）ベリリウム錯体、トリ
（ジベンゾイルメチル）フェナントロリンユーロピウム
錯体、ジトルイルビニルビフェニル、α−ナフチルフェ
ニルジアミン等を挙げることができる。The material used for the organic light-emitting layer 22b is capable of injecting holes from the anode side and electrons from the cathode side when a voltage is applied, and moves the injected charges, that is, holes and electrons, and Any material may be used so long as it can provide a field where electrons can be recombined, high luminous efficiency, and the like. For example, an organic material such as a low-molecular fluorescent dye, a fluorescent polymer, or a metal complex. Etc. Specific examples of such a material include anthracene, naphthalene, phenanthrene, pyrene, chrysene, perylene, butadiene, coumarin, acridine, stilbene, tris (8-quinolinolato) aluminum complex, and bis (benzoquinolinolato) beryllium complex. , Tri (dibenzoylmethyl) phenanthroline europium complex, ditoluylvinylbiphenyl, α-naphthylphenyldiamine, and the like.
【００１９】電子輸送層１１ｃは、カソードライン２か
ら注入された電子を有機発光層１１ｂまで輸送するもの
である。電子輸送層１１ｃに使用可能な電子輸送材料と
しては、キノリン、ペリレン、ビススチリル、ピラジ
ン、またはこれらの誘導体を挙げることができる。具体
的化合物としては、８−ヒドロキシキノリンアルミニウ
ム、アントラセン、ナフタリン、フェナントレン、ピレ
ン、クリセン、ペリレン、ブタジエン、クマリン、アク
リジン、スチルベン、（８−キノリノラト）アルミニウ
ム錯体、またはこれらの誘導体等を例示することができ
る。The electron transport layer 11c transports the electrons injected from the cathode line 2 to the organic light emitting layer 11b. Examples of the electron transport material that can be used for the electron transport layer 11c include quinoline, perylene, bisstyryl, pyrazine, and derivatives thereof. Specific examples of the compound include 8-hydroxyquinoline aluminum, anthracene, naphthalene, phenanthrene, pyrene, chrysene, perylene, butadiene, coumarin, acridine, stilbene, (8-quinolinolato) aluminum complex, and derivatives thereof. it can.
【００２０】上記の有機ＥＬ層１１を形成した後、図２
（ｂ）に示すように、カソードラインの一部となる第１
のドット状分割パターン１２を成膜する。このドット状
分割パターン１２の成膜は、ドット状のスリットを設け
たシャドーマスクを用いて行えばよく、シャドーマスク
の剛性が維持されるので、高精度のパターニングが可能
である。形成されるドット状分割パターン１２は、上記
有機ＥＬ層１１を完全に覆って形成され、したがって、
有機ＥＬ層１１よりも一回り面積が大きな短冊状のパタ
ーンとされている。After forming the organic EL layer 11 described above, FIG.
As shown in (b), the first part becomes a part of the cathode line.
The dot-shaped division pattern 12 is formed. The dot-shaped divided pattern 12 may be formed by using a shadow mask provided with dot-shaped slits, and since the rigidity of the shadow mask is maintained, highly precise patterning is possible. The formed dot-shaped division pattern 12 is formed so as to completely cover the organic EL layer 11, and
The strip-shaped pattern has a larger area than the organic EL layer 11.
【００２１】ここで、カソードラインを構成する第１の
ドット状分割パターン１２には、効率良く電子を注入す
るために、真空準位からの仕事関数が小さい電極材料
（金属）を用いることが好ましい。具体的には、アルミ
ニウム、インジウム、マグネシウム、銀、カルシウム、
バリウム、リチウム等の仕事関数が小さい金属を単体で
用いる。あるいは、これらの金属を他の金属との合金と
して安定性を高めて使用してもよい。Here, in order to efficiently inject electrons, it is preferable to use an electrode material (metal) having a small work function from the vacuum level for the first dot-shaped divided pattern 12 which constitutes the cathode line. . Specifically, aluminum, indium, magnesium, silver, calcium,
A metal having a low work function such as barium or lithium is used alone. Alternatively, these metals may be used as alloys with other metals with increased stability.
【００２２】最後に、図２（ｃ）に示すように、上記第
１のドット状分割パターン１２間を繋ぐ第２のドット状
分割パターン１３を成膜する。このドット状分割パター
ン１３の成膜も、ドット状のスリットを設けたシャドー
マスクを用いて行えばよく、シャドーマスクの剛性が維
持されるので、高精度のパターニングが可能である。ま
た、第２のドット状分割パターン１３に用いられる電極
材料も、上記第１のドット状分割パターン１２と同様で
ある。Finally, as shown in FIG. 2C, a second dot-shaped divided pattern 13 that connects the first dot-shaped divided patterns 12 is formed. The dot-shaped divided pattern 13 may be formed by using a shadow mask provided with dot-shaped slits. Since the rigidity of the shadow mask is maintained, highly precise patterning is possible. The electrode material used for the second dot-shaped division pattern 13 is also the same as that of the first dot-shaped division pattern 12.
【００２３】以上により、第１のドット状分割パターン
１２と第２のドット状分割パターン１３とが線状に連な
った線状パターンが形成され、これがカソードラインと
して機能する。ここで、各ドット状分割パターン１２，
１３が高精度に形成されることから、カソードライン全
体も高精度に形成されることになる。As described above, a linear pattern in which the first dot-shaped division pattern 12 and the second dot-shaped division pattern 13 are linearly connected is formed, and this functions as a cathode line. Here, each dot-shaped division pattern 12,
Since 13 is formed with high precision, the entire cathode line is also formed with high precision.
【００２４】なお、上記パターン形成において、必ずし
も１回目の成膜（第１のドット状分割パターン１２の成
膜）で、発光部１つ１つに対応してパターンを切り分け
る必要はなく、剛性、精度が許す範囲で複数の発光部に
対応するパターンをまとめて成膜し、その後、それらの
間を繋ぐようにしてもよい。In the above-mentioned pattern formation, it is not always necessary to divide the pattern corresponding to each light emitting portion in the first film formation (film formation of the first dot-shaped divided pattern 12). Patterns corresponding to a plurality of light emitting units may be collectively formed into a film within a range permitted by accuracy, and then the patterns may be connected.
【００２５】図４は、かかるパターン形成の一例を示す
ものである。この場合、図４（ａ）に示す有機ＥＬ素子
１１のパターニングは先の図２に示すものと同様である
が、図４（ｂ）に示すように、第１のドット状分割パタ
ーン１２を複数（ここでは３つ）の有機ＥＬ層１１を覆
って形成する。その後、図４（ｃ）に示すように、これ
ら第１のドット状分割パターン１２を繋ぐ第２のドット
状分割パターン１３を成膜する。FIG. 4 shows an example of such pattern formation. In this case, the patterning of the organic EL element 11 shown in FIG. 4A is the same as that shown in FIG. 2 above, but as shown in FIG. 4B, a plurality of first dot-shaped division patterns 12 are formed. It is formed so as to cover the organic EL layers 11 (here, three). After that, as shown in FIG. 4C, a second dot-shaped division pattern 13 that connects these first dot-shaped division patterns 12 is formed.
【００２６】あるいは、１回目用（第１のドット状分割
パターン１２形成用）、２回目用（第２のドット状分割
パターン形成用）に別々にシャドーマスクを用意しなく
とも、１枚のマスクをずらして２度使うようにすること
も可能である。かかるプロセスの一例を図５（ａ）〜図
５（ｃ）に示す。この例では、図５（ｂ）に示す第１の
ドット状分割パターン１２と図５（ｃ）に示す第２のド
ット状分割パターン１３の成膜を同一のマスクをずらす
ことにより行っている。このため、第１のドット状分割
パターン１２の形状と第２のドット状分割パターン１３
の形状が同じになっている。Alternatively, one mask may be prepared without preparing separate shadow masks for the first time (for forming the first dot-shaped divided pattern 12) and the second time (for formed the second dot-shaped divided pattern). It is also possible to shift and use it twice. An example of such a process is shown in FIGS. 5 (a) to 5 (c). In this example, the first dot-shaped divided pattern 12 shown in FIG. 5B and the second dot-shaped divided pattern 13 shown in FIG. 5C are formed by shifting the same mask. Therefore, the shape of the first dot-shaped divided pattern 12 and the shape of the second dot-shaped divided pattern 13
Have the same shape.
【００２７】また、上記のように、発光部である有機Ｅ
Ｌ層１１に対応する第１のドット状分割パターン１２の
成膜と、それらの間を繋ぐ配線用の第２のドット状分割
パターン１３を成膜を分けているので、それぞれに適し
た材料を使用することにより特性改善を図ることも可能
である。例えば、発光部である有機ＥＬ層１１に対応す
る第１のドット状分割パターン１２には、有機ＥＬ層１
１との接触による電気的特性が最も良い材料を選択して
成膜し、それらの間を繋ぐ第２のドット状分割パターン
１３には、電気抵抗が最も小さくなるような材料を成膜
する。Further, as described above, the organic E which is the light emitting portion is used.
Since the film formation of the first dot-shaped divided pattern 12 corresponding to the L layer 11 and the film formation of the second dot-shaped divided pattern 13 for wiring connecting them are made different, a material suitable for each is selected. It is also possible to improve the characteristics by using it. For example, in the first dot-shaped division pattern 12 corresponding to the organic EL layer 11 which is a light emitting portion, the organic EL layer 1
A material having the best electrical characteristics by contact with 1 is selected and formed into a film, and a material having the smallest electric resistance is formed on the second dot-shaped division pattern 13 connecting them.
【００２８】さらに、上記の例では２回に分けてカソー
ドラインを成膜するようにしたが、３回、あるいは４回
等、２回以上に分けて１つのカソードラインを成膜する
ことも可能である。Further, in the above example, the cathode line is formed in two times, but it is also possible to form one cathode line in two or more times such as three times or four times. Is.
【００２９】上述の例では、有機ＥＬ層１１成膜後に、
第１のドット状分割パターン１２及び第２のドット状分
割パターン１３を形成しているが、間を繋ぐ第２の分割
パターンを有機ＥＬ層成膜前に予め形成しておき、その
後、有機ＥＬ層、ドット状の第１の分割パターンを順次
成膜することも可能である。第２の分割パターンを有機
ＥＬ層成膜前に形成することで、第２の分割パターンの
形成にウエットエッチングプロセス等が使えるようにな
り、高精細化が可能となる。また、メッキプロセス等に
より第２の分割パターンを厚膜として形成し、配線抵抗
を下げることも可能となる。In the above example, after forming the organic EL layer 11,
Although the first dot-shaped divided pattern 12 and the second dot-shaped divided pattern 13 are formed, the second divided pattern for connecting the two is formed in advance before the organic EL layer is formed, and then the organic EL is formed. It is also possible to sequentially form layers and dot-shaped first division patterns. By forming the second division pattern before forming the organic EL layer, a wet etching process or the like can be used for forming the second division pattern, and high definition can be achieved. It is also possible to reduce the wiring resistance by forming the second divided pattern as a thick film by a plating process or the like.
【００３０】図６に、この場合のプロセスの手順を示
す。本プロセスでは、先ず、図６（ａ）に示すように、
基板２１上にアノードライン２２を形成する。このアノ
ードライン２２は、例えばＩＴＯをライン状にパターニ
ングすることにより形成する。アノードライン２２のパ
ターニングの方法としては、ＩＴＯを基板２１上の全面
に成膜した後、ウエットエッチングを行ってもよいし、
ライン状の開口部を有するメタルマスクを用いて、最初
からライン状にＩＴＯを成膜してもよい。FIG. 6 shows the procedure of the process in this case. In this process, first, as shown in FIG.
The anode line 22 is formed on the substrate 21. The anode line 22 is formed, for example, by patterning ITO in a line shape. As a method of patterning the anode line 22, wet etching may be performed after forming ITO on the entire surface of the substrate 21.
The ITO film may be formed in a linear shape from the beginning by using a metal mask having a linear opening.
【００３１】次に、図６（ｂ）に示すように、絶縁層２
３を所定のパターンで形成する。この絶縁層２３は、ア
ノードライン２２と後述のカソードラインの短絡を防止
するものであり、後述の有機ＥＬ層に対応する領域を除
き、上記アノードライン２２を覆うようにパターニング
形成する。有機ＥＬ層に対応する領域には、開口部２３
ａを形成する。Next, as shown in FIG. 6B, the insulating layer 2
3 is formed in a predetermined pattern. The insulating layer 23 prevents short circuit between the anode line 22 and a cathode line described later, and is patterned to cover the anode line 22 except for a region corresponding to an organic EL layer described later. The opening 23 is provided in the region corresponding to the organic EL layer.
a is formed.
【００３２】上記絶縁層２３は、例えばＳｉＮｘ等の無
機絶縁材料により形成してもよいし、フォトレジストの
ような高分子絶縁材料により形成してもよい。ただし、
絶縁層２３の開口部２３ａに臨む開口壁は、順テーパ形
状となっていることが好ましい。仮に逆テーパ形状とな
っていたり、ほとんど垂直な面になっていると、後の工
程でカソードラインを形成した際に、分割パターン間の
接触が取れなくなる虞れがある。The insulating layer 23 may be formed of an inorganic insulating material such as SiN x or a polymer insulating material such as photoresist. However,
It is preferable that the opening wall of the insulating layer 23 that faces the opening 23a has a forward tapered shape. If the taper has a reverse taper shape or an almost vertical surface, the divided patterns may not be contacted when the cathode line is formed in a later step.
【００３３】続いて、図６（ｃ）に示すように、カソー
ドラインのうち有機ＥＬ層に対応して形成されるドット
状分割パターン（第１の分割パターン）の間を繋ぐ第２
の分割パターン２４を形成する。この第２の分割パター
ン２４は、上記絶縁層２３の上面上に形成され、例えば
第１の分割パターン間を繋ぐドット状のパターンとして
パターニングされる。Subsequently, as shown in FIG. 6C, a second connecting pattern is formed between the dot-shaped division patterns (first division patterns) formed corresponding to the organic EL layer in the cathode line.
The divided pattern 24 is formed. The second division pattern 24 is formed on the upper surface of the insulating layer 23, and is patterned as, for example, a dot pattern connecting the first division patterns.
【００３４】上記第２の分割パターン２４は、絶縁層２
３上にメタル層を成膜することにより形成される。メタ
ル層の成膜は、スパッタリング法等の真空プロセスが一
般的であるが、有機膜である有機ＥＬ層を成膜する前に
成膜するため、メッキ等の手法を用いて厚膜として形成
することも可能である。第２の分割パターン２４を構成
するメタル層を厚膜として形成することができれば、電
気抵抗を下げることが可能である。また、上記メタル層
をパターニングして第２の分割パターン２４を形成する
際に、パターニングの手法としてウエットエッチングプ
ロセスを使用することができ、これにより高精細なパタ
ーンを形成することが可能である。The second division pattern 24 is made up of the insulating layer 2
It is formed by depositing a metal layer on the metal layer 3. The metal layer is generally formed by a vacuum process such as a sputtering method. However, since the metal layer is formed before forming the organic EL layer which is an organic film, it is formed as a thick film by a method such as plating. It is also possible. If the metal layer forming the second divided pattern 24 can be formed as a thick film, the electric resistance can be reduced. Further, when the metal layer is patterned to form the second divided pattern 24, a wet etching process can be used as a patterning method, whereby a high-definition pattern can be formed.
【００３５】最後に、図６（ｄ）に示すように、有機Ｅ
Ｌ層２５及び第１の分割パターン２６を成膜する。有機
ＥＬ層２５は、上記絶縁層２３の開口部２３ａに対応し
てドット状に形成され、開口部２３ａを塞ぐ形でアノー
ドライン２２を覆って形成される。第１の分割パターン
２６も、上記絶縁層２３の開口部２３ａに対応して上記
有機ＥＬ層２５を覆う形で形成されるが、有機ＥＬ層２
５よりも若干大きく形成され、両側縁が上記第２の分割
パターン２４と重なり合うように形成される。その結
果、第１の分割パターン２６と第２の分割パターン２４
とが電気的に接続され、カソードラインが１本に繋がる
ことになる。Finally, as shown in FIG. 6 (d), organic E
The L layer 25 and the first division pattern 26 are formed. The organic EL layer 25 is formed in a dot shape corresponding to the opening 23a of the insulating layer 23, and is formed so as to cover the anode line 22 so as to close the opening 23a. The first divided pattern 26 is also formed so as to cover the organic EL layer 25 corresponding to the opening 23a of the insulating layer 23.
It is formed slightly larger than 5, and both side edges are formed so as to overlap with the second divided pattern 24. As a result, the first division pattern 26 and the second division pattern 24
And are electrically connected, and the cathode line is connected to one.
【００３６】図７に、第２の分割パターン乃至第１の分
割パターンの形成手順を平面図として示す。基本的には
図２に示すものと同じであるが、成膜の順序が異なる。
すなわち、図７（ａ）に示すように、先ず絶縁層上に第
２の分割パターン２４をドット状（短冊状）に形成し、
図７（ｂ）に示すように、これらの間の領域に有機ＥＬ
層２５を成膜する。最後に、図７（ｃ）に示すように、
有機ＥＬ層２５を覆い第２の分割パターン２４と接続さ
れる第１の分割パターン２６を形成する。FIG. 7 shows a plan view of the procedure for forming the second to first divided patterns. Although it is basically the same as that shown in FIG. 2, the order of film formation is different.
That is, as shown in FIG. 7A, first, the second divided pattern 24 is formed in a dot shape (a strip shape) on the insulating layer,
As shown in FIG. 7B, the organic EL is formed in the region between these.
The layer 25 is deposited. Finally, as shown in FIG. 7 (c),
A first division pattern 26 that covers the organic EL layer 25 and is connected to the second division pattern 24 is formed.
【００３７】上記の例では、第２の分割パターン２４を
ドット状のパターンとしたが、これに限らず、例えば、
はしご状のパターンや、くし歯状のパターンとすること
も可能である。図８は、第２の分割パターン２４を「は
しご状」のパターンとした場合のプロセスを示すもので
ある。この場合には、図８（ａ）に示すように、はしご
状の第２の分割パターン２４を形成し、図８（ｂ）に示
すように、有機ＥＬ層２５を成膜した後、図８（ｃ）に
示すように、第１の分割パターン２６を成膜する。In the above example, the second divided pattern 24 is a dot-shaped pattern, but the present invention is not limited to this.
It is also possible to use a ladder-shaped pattern or a comb-shaped pattern. FIG. 8 shows a process when the second division pattern 24 is a "ladder-like" pattern. In this case, as shown in FIG. 8A, a ladder-shaped second divided pattern 24 is formed, and as shown in FIG. As shown in (c), the first divided pattern 26 is formed.
【００３８】「くし歯状」のパターンとする場合も同様
であり、図９（ａ）に示すように、くし歯状の第２の分
割パターン２４を形成し、図９（ｂ）に示すように、有
機ＥＬ層２５を成膜した後、図９（ｃ）に示すように、
第１の分割パターン２６を成膜する。The same applies to the case of the "comb-tooth" pattern. As shown in FIG. 9 (a), a second comb-tooth-shaped divided pattern 24 is formed, and as shown in FIG. 9 (b). Then, after forming the organic EL layer 25, as shown in FIG.
The first divided pattern 26 is formed.
【００３９】なお、図６乃至図９に示すプロセス例にお
いても、発光部である有機ＥＬ層２５に対応する第１の
ドット状分割パターン２６と、それらの間を繋ぐ配線用
の第２の分割パターン２４に、それぞれに適した材料を
使用することにより特性改善を図ることが可能である。
例えば、発光部である有機ＥＬ層２５に対応する第１の
ドット状分割パターン２６には、有機ＥＬ層２５との接
触による電気的特性が最も良い材料を選択して成膜し、
それらの間を繋ぐ第２の分割パターン２４には、電気抵
抗が最も小さくなるような材料を成膜する。特に、第２
の分割パターン２４については、有機ＥＬ層２５の成膜
前に形成しているので、材料や膜厚、パターニング方法
等に関して、選択の余地が大きく広がる。Also in the process examples shown in FIGS. 6 to 9, the first dot-shaped division pattern 26 corresponding to the organic EL layer 25 as the light emitting portion and the second division for wiring connecting them. It is possible to improve the characteristics by using a material suitable for each of the patterns 24.
For example, for the first dot-shaped division pattern 26 corresponding to the organic EL layer 25 that is the light emitting portion, a material having the best electrical characteristics by contact with the organic EL layer 25 is selected and formed.
A material having the smallest electric resistance is formed on the second divided pattern 24 connecting them. Especially the second
The divided pattern 24 is formed before the organic EL layer 25 is formed, and therefore, there is a lot of choice in terms of material, film thickness, patterning method, and the like.
【００４０】また、上記はしご状のパターンや、くし歯
状のパターンは、先のプロセス例（図２、図３、図４に
示すプロセス例）にも適用可能であり、これらのプロセ
スにおいても第２の分割パターンのパターン形状を「は
しご状」、あるいは「くし歯状」とすればよい。The ladder-shaped pattern and the comb-shaped pattern described above are also applicable to the previous process examples (process examples shown in FIGS. 2, 3, and 4), and in these processes as well, The pattern shape of the two divided patterns may be "ladder-like" or "comb-like".
【００４１】以上、本発明の種々の実施の形態について
説明してきたが、本発明は、上記パッシブマトリクスパ
ネルのカソードラインに限らず、線状パターン全般に適
用することができ、広範な分野に適用可能である。Although various embodiments of the present invention have been described above, the present invention can be applied not only to the cathode lines of the above passive matrix panel but also to linear patterns in general and applied to a wide range of fields. It is possible.
【００４２】[0042]
【発明の効果】以上の説明からも明らかなように、本発
明によれば、精度の高いパターン形成が可能であり、例
えば画像表示装置等における素子特性のムラ等を解消す
ることができる。また、分割パターン毎に最適な材料、
膜厚を選択することができるので、この点でも特性改善
を図ることが可能である。As is apparent from the above description, according to the present invention, it is possible to form a pattern with high accuracy, and it is possible to eliminate, for example, unevenness of element characteristics in an image display device or the like. Also, the optimum material for each division pattern,
Since the film thickness can be selected, it is possible to improve the characteristics also in this respect.
【図１】パッシブマトリックスパネルにおける配線例を
示す概略平面図である。FIG. 1 is a schematic plan view showing an example of wiring in a passive matrix panel.
【図２】カソードラインのパターニングの一例を示す概
略平面図であり、（ａ）は有機ＥＬ層形成工程、（ｂ）
は第１のドット状分割パターン成膜工程、（ｃ）は第２
のドット状分割パターン成膜工程を示す。FIG. 2 is a schematic plan view showing an example of patterning of cathode lines, (a) being an organic EL layer forming step, (b)
Is the first dot-shaped divided pattern film forming step, and (c) is the second
The dot-shaped divided pattern film forming step is shown.
【図３】有機ＥＬ層の膜構成の一例を示す模式図であ
る。FIG. 3 is a schematic diagram showing an example of a film configuration of an organic EL layer.
【図４】カソードラインのパターニングの他の例を示す
概略平面図であり、（ａ）は有機ＥＬ層形成工程、
（ｂ）は第１のドット状分割パターン成膜工程、（ｃ）
は第２のドット状分割パターン成膜工程を示す。FIG. 4 is a schematic plan view showing another example of patterning of a cathode line, in which (a) is an organic EL layer forming step,
(B) is a first dot-shaped divided pattern film forming step, (c)
Shows a second dot-shaped divided pattern film forming step.
【図５】カソードラインのパターニングのさらに他の例
を示す概略平面図であり、（ａ）は有機ＥＬ層形成工
程、（ｂ）は第１のドット状分割パターン成膜工程、
（ｃ）は第２のドット状分割パターン成膜工程を示す。FIG. 5 is a schematic plan view showing still another example of patterning of cathode lines, (a) is an organic EL layer forming step, (b) is a first dot-shaped divided pattern film forming step,
(C) shows a second dot-shaped divided pattern film forming step.
【図６】有機ＥＬ層成膜前に配線部（第２の分割パター
ン）を形成するプロセス例を工程順に示す概略断面図で
あり、（ａ）はアノードライン形成工程、（ｂ）は絶縁
層形成工程、（ｃ）は第２の分割パターン形成工程、
（ｄ）は有機ＥＬ層及び第１の分割パターン形成工程を
示す。6A and 6B are schematic cross-sectional views showing a process example of forming a wiring portion (second divided pattern) before forming an organic EL layer, in which (a) is an anode line forming step and (b) is an insulating layer. Forming step, (c) second dividing pattern forming step,
(D) shows an organic EL layer and a 1st division | segmentation pattern formation process.
【図７】有機ＥＬ層成膜前に配線部（第２の分割パター
ン）を形成するパターニングの手順を示す概略平面図で
あり、（ａ）はドット状の第２の分割パターン形成工
程、（ｂ）は有機ＥＬ層形成工程、（ｃ）は第１の分割
パターン形成工程を示す。FIG. 7 is a schematic plan view showing a patterning procedure for forming a wiring portion (second divided pattern) before forming an organic EL layer, wherein (a) is a dot-shaped second divided pattern forming step; b) shows an organic EL layer forming step, and (c) shows a first divided pattern forming step.
【図８】有機ＥＬ層成膜前に配線部（第２の分割パター
ン）を形成するパターニングの手順の他の例を示す概略
平面図であり、（ａ）ははしご状の第２の分割パターン
形成工程、（ｂ）は有機ＥＬ層形成工程、（ｃ）は第１
の分割パターン形成工程を示す。FIG. 8 is a schematic plan view showing another example of a patterning procedure for forming a wiring portion (second divided pattern) before forming an organic EL layer, and (a) is a ladder-shaped second divided pattern. Forming step, (b) is an organic EL layer forming step, and (c) is the first
The division pattern formation process of is shown.
【図９】有機ＥＬ層成膜前に配線部（第２の分割パター
ン）を形成するパターニングの手順のさらに他の例を示
す概略平面図であり、（ａ）はくし歯状の第２の分割パ
ターン形成工程、（ｂ）は有機ＥＬ層形成工程、（ｃ）
は第１の分割パターン形成工程を示す。FIG. 9 is a schematic plan view showing still another example of a patterning procedure for forming a wiring portion (second division pattern) before forming an organic EL layer, (a) a second comb-like division; Pattern forming step, (b) organic EL layer forming step, (c)
Shows the first divided pattern forming step.
【図１０】１つとばしのパターンによるカソードライン
のパターニングの一例を示す概略平面図である。FIG. 10 is a schematic plan view showing an example of patterning of cathode lines by one skip pattern.
１，２１ アノードライン、２ カソードライン、１
１，２５ 有機ＥＬ層、１２，２６ 第１のドット状分
割パターン、１３，２４ 第２のドット状分割パター
ン、２３ 絶縁層1,21 Anode line, 2 Cathode line, 1
1, 25 organic EL layer, 12, 26 first dot-shaped division pattern, 13, 24 second dot-shaped division pattern, 23 insulating layer
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０５Ｂ 33/22 Ｈ０５Ｂ 33/22 Ｚ 33/26 33/26 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of front page (51) Int.Cl. 7 Identification code FI theme code (reference) H05B 33/22 H05B 33/22 Z 33/26 33/26
Claims (37)
パターンが順次成膜されてなり、これら分割パターンが
繋ぎ合わされて線状とされていることを特徴とする線状
パターン。1. A linear pattern, wherein a plurality of division patterns divided in the longitudinal direction are sequentially formed, and these division patterns are connected to form a linear shape.
の分割パターンと、これら第１の分割パターンを繋ぐ第
２の分割パターンとからなることを特徴とする請求項１
記載の線状パターン。2. A dot-shaped first array arranged at a predetermined interval.
2. A division pattern of 1 and a second division pattern connecting these first division patterns.
The described linear pattern.
パターンであることを特徴とする請求項２記載の線状パ
ターン。3. The linear pattern according to claim 2, wherein the second divided pattern is a dot-shaped pattern.
パターンであることを特徴とする請求項２記載の線状パ
ターン。4. The linear pattern according to claim 2, wherein the second division pattern is a ladder pattern.
パターンであることを特徴とする請求項２記載の線状パ
ターン。5. The linear pattern according to claim 2, wherein the second division pattern is a comb-shaped pattern.
求項１記載の線状パターン。6. The linear pattern according to claim 1, which is a wiring pattern.
ソードラインであることを特徴とする請求項６記載の線
状パターン。7. The linear pattern according to claim 6, which is a cathode line of an organic electroluminescence device.
形成するパターン形成方法において、 長手方向において分割された複数の分割パターンを順次
形成し、これらを繋ぎ合わせることで線状パターンとす
ることを特徴とするパターン形成方法。8. A pattern forming method for forming a linear pattern arranged at a predetermined interval, wherein a plurality of division patterns divided in the longitudinal direction are sequentially formed, and these are connected to form a linear pattern. And a pattern forming method.
の分割パターンを形成した後、これら第１の分割パター
ンの間を繋ぐ第２の分割パターンを形成することを特徴
とする請求項８記載のパターン形成方法。9. A dot-shaped first array arranged at a predetermined interval.
9. The pattern forming method according to claim 8, further comprising forming a second divided pattern that connects the first divided patterns after forming the divided pattern.
割パターンをそれぞれマスクを介して成膜することによ
り形成することを特徴とする請求項９記載のパターン形
成方法。10. The pattern forming method according to claim 9, wherein the first divided pattern and the second divided pattern are formed by respectively forming films through a mask.
分割パターンを形成した後、所定の間隔で配列されるド
ット状の第１の分割パターンを形成することを特徴とす
る請求項８記載のパターン形成方法。11. The dot-shaped first divided pattern arranged at a predetermined interval after forming the second divided pattern connecting the first divided patterns. The described pattern forming method.
ッチングによりパターニングすることにより形成し、上
記第１の分割パターンをマスクを介して成膜することに
より形成することを特徴とする請求項１１記載のパター
ン形成方法。12. The method according to claim 11, wherein the second division pattern is formed by patterning by wet etching, and the first division pattern is formed by forming a film through a mask. Pattern formation method.
割パターンが順次成膜されてなり、これら分割パターン
が繋ぎ合わされて線状とされた線状パターンを配線ライ
ンとすることを特徴とする画像表示装置。13. An image display, characterized in that a plurality of division patterns divided in the longitudinal direction are sequentially formed, and a linear pattern formed by joining these division patterns is made into a wiring line. apparatus.
り発光部が構成されていることを特徴とする請求項１３
記載の画像表示装置。14. The light emitting section is constituted by an organic electroluminescence layer.
The image display device described.
列されるドット状の第１の分割パターンと、これら第１
の分割パターンの間を繋ぐ第２の分割パターンとからな
り、 上記有機エレクトロルミネッセンス層は、上記第１の分
割パターンに対応して配列されていることを特徴とする
請求項１４記載の画像表示装置。15. The linear pattern includes dot-shaped first divided patterns arranged at a predetermined interval, and the first divided patterns.
15. The image display device according to claim 14, wherein the organic electroluminescence layer is arranged corresponding to the first division pattern, and the second division pattern connects the division patterns. .
分割パターン毎に複数の有機エレクトロルミネッセンス
層が配列されていることを特徴とする請求項１５記載の
画像表示装置。16. The image display device according to claim 15, wherein in the first division pattern, a plurality of organic electroluminescence layers are arranged for each division pattern.
のパターンであることを特徴とする請求項１５記載の画
像表示装置。17. The image display device according to claim 15, wherein the second division pattern is a dot pattern.
のパターンであることを特徴とする請求項１５記載の画
像表示装置。18. The image display device according to claim 15, wherein the second division pattern is a ladder pattern.
のパターンであることを特徴とする請求項１５記載の画
像表示装置。19. The image display device according to claim 15, wherein the second division pattern is a comb-shaped pattern.
パターンは、構成材料が異なることを特徴とする請求項
１５記載の画像表示装置。20. The image display device according to claim 15, wherein the first division pattern and the second division pattern are made of different constituent materials.
パターンは、膜厚が異なることを特徴とする請求項１５
記載の画像表示装置。21. The first divided pattern and the second divided pattern have different film thicknesses.
The image display device described.
あり、上記有機エレクトロルミネッセンス層を覆って形
成されていることを特徴とする請求項１３記載の画像表
示装置。22. The image display device according to claim 13, wherein the linear pattern is a cathode line and is formed so as to cover the organic electroluminescent layer.
の下にアノードラインが形成されていることを特徴とす
る請求項１３記載の画像表示装置。23. The image display device according to claim 13, wherein an anode line is formed below the organic electroluminescence layer.
マスクを介して成膜する画像表示装置の製造方法におい
て、 長手方向において分割された複数の分割パターンを順次
成膜し、これらを繋ぎ合わせることで線状パターンと
し、上記配線ラインとすることを特徴とする画像表示装
置の製造方法。24. A method of manufacturing an image display device, wherein wiring lines arranged at a predetermined interval are formed through a mask, wherein a plurality of divided patterns divided in the longitudinal direction are sequentially formed, and these are joined together. Thus, a method for manufacturing an image display device is characterized in that a linear pattern is formed and the wiring line is formed.
１の分割パターンを形成した後、これら第１の分割パタ
ーンの間を繋ぐ第２の分割パターンを形成することを特
徴とする請求項２４記載の画像表示装置の製造方法。25. A dot-shaped first division pattern arranged at a predetermined interval is formed, and then a second division pattern for connecting the first division patterns is formed. 24. The method for manufacturing the image display device according to 24.
割パターンをそれぞれマスクを介して成膜することによ
り形成することを特徴とする請求項２５記載の画像表示
装置の製造方法。26. The method of manufacturing an image display device according to claim 25, wherein the first division pattern and the second division pattern are formed by respectively forming films through a mask.
記第１の分割パターンに対応して配列形成することを特
徴とする請求項２５記載の画像表示装置の製造方法。27. The method of manufacturing an image display device according to claim 25, wherein the organic electroluminescence layer is formed in an array corresponding to the first division pattern.
分割パターン毎に複数の有機エレクトロルミネッセンス
層が配列されるように形成することを特徴とする請求項
２７記載の画像表示装置の製造方法。28. The method of manufacturing an image display device according to claim 27, wherein in the first divided pattern, a plurality of organic electroluminescent layers are formed for each divided pattern.
あり、上記第１の分割パターンを有機エレクトロルミネ
ッセンス層を覆って形成することを特徴とする請求項２
７記載の画像表示装置の製造方法。29. The linear pattern is a cathode line, and the first divided pattern is formed so as to cover the organic electroluminescent layer.
7. The method for manufacturing the image display device according to 7.
分割パターンを形成した後、所定の間隔で配列されるド
ット状の第１の分割パターンを形成することを特徴とす
る請求項２４記載の画像表示装置の製造方法。30. The dot-shaped first division pattern arranged at a predetermined interval is formed after forming the second division pattern connecting the first division patterns. A method for manufacturing the image display device described.
ッチングによりパターニングすることにより形成し、上
記第１の分割パターンをマスクを介して成膜することに
より形成することを特徴とする請求項３０記載の画像表
示装置の製造方法。31. The method according to claim 30, wherein the second divisional pattern is formed by patterning by wet etching, and the first divisional pattern is formed through a mask. Image display device manufacturing method.
記第１の分割パターンに対応して配列形成することを特
徴とする請求項３０記載の画像表示装置の製造方法。32. The method of manufacturing an image display device according to claim 30, wherein the organic electroluminescent layers are formed in an array corresponding to the first division pattern.
あり、上記第１の分割パターンを有機エレクトロルミネ
ッセンス層を覆って形成することを特徴とする請求項３
０記載の画像表示装置の製造方法。33. The linear pattern is a cathode line, and the first divided pattern is formed so as to cover the organic electroluminescent layer.
0. The method for manufacturing the image display device according to 0.
にアノードラインを形成することを特徴とする請求項３
３記載の画像表示装置の製造方法。34. An anode line is formed under the electroluminescent layer.
3. The method for manufacturing the image display device according to 3.
の間に絶縁層を形成することを特徴とする請求項３４記
載の画像表示装置の製造方法。35. The method of manufacturing an image display device according to claim 34, wherein an insulating layer is formed between the anode line and the cathode line.
上に形成することを特徴とする請求項３５記載の画像表
示装置の製造方法。36. The method of manufacturing an image display device according to claim 35, wherein the second division pattern is formed on the insulating layer.
を特徴とする請求項３５記載の画像表示装置の製造方
法。37. The method of manufacturing an image display device according to claim 35, wherein the insulating layer has a forward tapered shape.
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