JP2003197968A - Package structure for full-color light emitting diode light source constituted by laminating chips directly coupled with each other via transparent conductive layers and reflective layers upon another - Google Patents
Package structure for full-color light emitting diode light source constituted by laminating chips directly coupled with each other via transparent conductive layers and reflective layers upon anotherInfo
- Publication number
- JP2003197968A JP2003197968A JP2001384431A JP2001384431A JP2003197968A JP 2003197968 A JP2003197968 A JP 2003197968A JP 2001384431 A JP2001384431 A JP 2001384431A JP 2001384431 A JP2001384431 A JP 2001384431A JP 2003197968 A JP2003197968 A JP 2003197968A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- emitting diode
- light emitting
- transparent conductive
- bonding pad
- red
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は透明導電層及び反射
層で直接結合されたチップの積み重ねによるフルカラー
発光ダイオード光源のパッケージ構造に係り、特にチッ
プを積み重ねてボンディングし、単色の光の波長を混合
させた光源でフルカラーの発光ダイオードを提供する技
術に関わる。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a package structure of a full-color light emitting diode light source by stacking chips directly connected by a transparent conductive layer and a reflective layer, and more particularly, stacking and bonding chips to mix wavelengths of monochromatic light. Involved in the technology to provide full-color light-emitting diodes with the selected light source.
【０００２】[0002]
【従来の技術】発光ダイオードは半導体材料によって製
造されたものであり、極微細な固体光源であり、電気エ
ネルギを光に転換するものであり、体積が小さく寿命が
長い、また駆動電圧が低く反応速度が速い、耐震性を具
える等の特性を有し、各種設備に要求される薄くて軽い
という点に注目され、日常生活でも大いに利用されてい
る。このような発光ダイオードは、各種化合物半導体材
料及び構造の相違によって、赤，オレンジ，黄色，緑，
青，紫等各種色彩のダイオードや、赤外光や紫外光など
の見えない波長の発光ダイオード等とされている。また
1000mcd以上の高い明るさの発光ダイオード製造に適し
たものとして、波長が長いものから短いものまでA1GaA
s，InGaA1PとInGaNが挙げられる。A1GaAsは、輝度の高
い赤及び赤外発光ダイオードを製造するのに適してお
り、商業上ではLPE（Liquid Phase Epitaxy）法で量産
されており、構造はDH（Double Hetero）が主流となっ
ている。InGaA1Pは高輝度の赤，オレンジ，黄色及び黄
緑色の発光ダイオードチップ製造に適しており、商業上
ではMOVPE（Metal Organic Vapor Physical Epitaxy）
法によって量産されており、構造はDH（Double Heter
o）及びQuantum Wellが主流である。2. Description of the Related Art A light emitting diode, which is made of a semiconductor material, is an extremely fine solid-state light source, which converts electric energy into light, has a small volume, a long life, and a low driving voltage. It has characteristics such as high speed and anti-seismic property, and it has been noticed that it is thin and light required for various equipment, and it is widely used in daily life. Such a light emitting diode has different compound semiconductor materials and different structures, and thus has different colors of red, orange, yellow, green,
It is said to be diodes of various colors such as blue and purple, and light emitting diodes of invisible wavelengths such as infrared light and ultraviolet light. Also
Suitable for manufacturing light emitting diodes with high brightness of 1000 mcd or more, from long wavelength to short wavelength A1GaA
s, InGaA1P and InGaN. A1GaAs is suitable for manufacturing red and infrared light emitting diodes with high brightness, and is commercially mass-produced by the LPE (Liquid Phase Epitaxy) method, and the structure is mainly DH (Double Hetero). . InGaA1P is suitable for manufacturing high-brightness red, orange, yellow, and yellow-green LED chips, and is commercially available as MOVPE (Metal Organic Vapor Physical Epitaxy).
It is mass-produced by the method, and the structure is DH (Double Heter
o) and Quantum Well are the mainstream.
【０００３】図１に示すように公知構造の黄色発光ダイ
オードチップ１０においては、図中のプラス極ボンディ
ングパッド１１は通常金（Au）であり、エバポレーショ
ン方式（真空蒸着法）によって形成されている。基板１
３はｎ型GaAs或いはGaPであり、基板１３上には更にP型
InGaA1Pエピ層１４を気相成長或いは液相成長させ、更
にエバポレーション法によって形成したA1或いはAuをマ
イナス極ボンディングパッド１２にボンディングする。
InGaNは高輝度の深緑，青，紫外発光ダイオードに適し
ており、高温MOVPE法によって量産されており、エレメ
ントもDH及びQuantum Well構造であり、効率は上述のも
のよりも高い。公知構造における緑色或いは青色発光ダ
イオードチップ２０の構造は図２に示すように、図中の
ｎ型InGaNエピ層２４及びp型InGaNエピ層２５が光を通
すサファイアの基板２３上にて気相成長或いは液相成長
されている。プラス極ボンディングパッド２１はｐ型In
GaNのプラス極として、またn型InGaNはマイナス極ボン
ディングパッド２２のマイナス極用となる。しかし先ず
該p型InGaNエピ層２５を成長させ、更に該ｎ型InGaNエ
ピ層２４を成長させなければならない。図１と異なるの
は、該サファイアの基板２３を加えた後、該マイナス極
ボンディングパッド２２の位置が異なることであるが、
サファイア基板２３は絶対に必要とは限らない。As shown in FIG. 1, in a yellow light emitting diode chip 10 having a known structure, a positive electrode bonding pad 11 in the figure is usually gold (Au) and is formed by an evaporation method (vacuum evaporation method). . Board 1
3 is n-type GaAs or GaP, and P-type is further provided on the substrate 13.
The InGaA1P epilayer 14 is vapor-phase grown or liquid-phase grown, and A1 or Au formed by the evaporation method is further bonded to the negative electrode bonding pad 12.
InGaN is suitable for high brightness dark green, blue and ultraviolet light emitting diodes, mass-produced by high temperature MOVPE method, the elements are DH and Quantum Well structure, and the efficiency is higher than the above. As shown in FIG. 2, the structure of the green or blue light emitting diode chip 20 in the known structure is vapor-phase grown on the sapphire substrate 23 through which the n-type InGaN epi layer 24 and the p-type InGaN epi layer 25 in the figure pass light. Alternatively, liquid phase growth is performed. Positive electrode bonding pad 21 is p-type In
The n-type InGaN serves as the negative pole of the negative pole bonding pad 22 as the positive pole of GaN. However, first, the p-type InGaN epi layer 25 must be grown, and then the n-type InGaN epi layer 24 must be grown. The difference from FIG. 1 is that the position of the negative electrode bonding pad 22 is different after adding the sapphire substrate 23.
The sapphire substrate 23 is not absolutely necessary.
【０００４】赤，緑，青，黄色以外の色を得るため、図
３に示すように、色彩図では赤，緑，青の三原色で明る
さを調整して異なる色彩を得ることができる。例えば図
３中のABの線に沿って青，黄色の明るさを調整すると、
中間にあるABとCD線が交差する個所で白の光が得られ、
中点より遠く離れたA点に近い個所では青色の光が得ら
れる。つまり赤，青，緑の三原色があればこの調整によ
ってフルカラーの光源が得られるということになる。で
は公知技術では図４に示すように、赤，緑，青の三原色
による発光ダイオードチップ４０１，４０２，４０３は
並列或いは陣を模ってPC板上にダイボンディングされて
おり、赤い光のプラス極R＋から赤い光の電源が供給さ
れ、PC板４０５のアース４０４を経てマイナス極にまで
接続され、その他の緑，青色も同様の方法によって電源
に連結され、図５に示すようになる。一般には約20mAの
電源電流固定電流であり、例えば赤色発光ダイオード４
０１は20mAで電圧は約２V，緑色発光ダイオード４０２
は20mAで電圧は約3.5V，青色発光ダイオード４０３は20
mAで電圧は約3.5Vでこれらの合成光によって白い光が得
られ、電気消費量は180mW（20×２＋3.5＋20×3.5＝180
mW）であり、よって電流は20mAのままで、スイッチ６０
１，６０２，６０３でそれぞれ各色のチップを点灯させ
る時間を制御し、積分時間によって各種色を組み合わせ
る。また図６に示すのは公知構造における等価回路であ
る。In order to obtain colors other than red, green, blue, and yellow, as shown in FIG. 3, different colors can be obtained by adjusting the brightness of the three primary colors of red, green, and blue in the color diagram. For example, if you adjust the brightness of blue and yellow along the line AB in Figure 3,
White light is obtained at the intersection of the AB and CD lines in the middle,
Blue light is obtained at a location near point A, which is farther from the midpoint. In other words, if there are three primary colors, red, blue, and green, this adjustment will give a full-color light source. In the publicly known technology, as shown in FIG. 4, light emitting diode chips 401, 402, 403 of the three primary colors of red, green, and blue are die-bonded on a PC board in parallel or in the shape of a group, and the positive pole of red light is used. The red light power is supplied from R +, is connected to the negative pole through the ground 404 of the PC board 405, and the other green and blue are also connected to the power by the same method, as shown in FIG. Generally, the power supply current is fixed at about 20 mA. For example, the red light emitting diode 4
01 is 20mA, voltage is about 2V, green LED 402
Is 20mA, the voltage is about 3.5V, the blue LED 403 is 20
With mA, the voltage is about 3.5V, white light is obtained by these combined lights, and the electricity consumption is 180mW (20 × 2 + 3.5 + 20 × 3.5 = 180
mW), so the current remains at 20mA and switch 60
1, 602 and 603 control the time for turning on the chips of each color respectively, and combine various colors according to the integration time. Further, FIG. 6 shows an equivalent circuit in a known structure.
【０００５】[0005]
【発明が解決しようとする課題】上述のような公知の構
造及び技術におけるフルカラー発光ダイオードのボンデ
ィングにおいては、完全に20mAの電流で、且つ点灯時間
の長さによって異なる組み合わせで各種異なる色が提供
されているが、その制御法が難しく、電源制御ICの設計
が複雑になっている。また電流が固定されており、発熱
量が大きいことから放熱の効率が悪く、結果として発光
ダイオードの寿命を短くしており、また近い距離で観察
した場合は三つの色が見えてしまい、遠くから見るとい
う条件付きでのフルカラーであり、室内等で使用するに
は不適である等の欠点がある。そこで上述の欠点に鑑
み、光の強度が強められており、また金属酸化物による
透明導電層でダイボンディングした構造によって分解能
を高くすることで、近距離及び遠距離両用の顕示に適し
たものを提供し、同時にパッケージの体積を小さいもの
にし、また発光ダイオードの電流の大小を制御すること
で光の強度を制御して異なる色の光源を提供し、発熱効
率を下げると共に放熱効果を上げるべく、本発明の透明
導電層及び反射層で直接結合されたチップの積み重ねに
よるフルカラー発光ダイオード光源のパッケージ構造を
提供する。In the bonding of the full-color light emitting diode according to the above-described known structure and technique, various colors are provided at a current of 20 mA and different combinations depending on the length of lighting time. However, the control method is difficult and the design of the power supply control IC is complicated. In addition, since the current is fixed and the amount of heat generated is large, the efficiency of heat dissipation is poor, and as a result the life of the LED is shortened. It is a full color subject to viewing conditions and is not suitable for indoor use. Therefore, in view of the above-mentioned drawbacks, the intensity of light has been strengthened, and by increasing the resolution by the structure that is die-bonded with a transparent conductive layer made of a metal oxide, a material suitable for both short-distance and long-distance revealing is provided. At the same time, to reduce the volume of the package, and to control the intensity of light by controlling the magnitude of the current of the light emitting diode to provide light sources of different colors, to reduce the heat generation efficiency and improve the heat dissipation effect, A package structure of a full-color light emitting diode light source is provided by stacking chips directly coupled with a transparent conductive layer and a reflective layer of the present invention.
【０００６】[0006]
【課題を解決するための手段】先ず一般のフルカラー発
光ダイオードの欠点を解決すべく、金属反射層及び透明
導電層を利用して赤，青，緑の3種の発光ダイオードチ
ップを直接PC板上に結合させてカラーの光である発光ダ
イオードとする。これには少なくともPC基板，第一赤色
発光ダイオード，第二青色発光ダイオード，第三緑色発
光ダイオード，及び複数の金属線を含み、該PC基板の上
には金属反射層が施され、並びにパターンが形成されて
おり、ダイボンディングパッド，赤色のプラス極ボンデ
ィングパッド，青色のプラス極ボンディングパッド，緑
色のプラス極ボンディングパッド及び共用マイナス極ボ
ンディングパッドが含まれる。また第一赤色発光ダイオ
ードには透明導電層の赤色プラス極及び金属反射層の赤
色のマイナス極を具有し、該赤色のプラス極の片側には
方形の金属反射層を具有し、赤色のプラス極ボンディン
グパッドの役割及び赤色の光を反射する役割を果たし、
該赤色発光ダイオードはPC板上のダイボンディングパッ
ド上にて結合される。また該第二青色発光ダイオードに
は、透明導電層の青色のマイナス極，及び透明導電層の
青色のプラス極を具有し、該青色のプラス極の片側には
方形の金属反射層が設けられて青色のプラス極ボンディ
ングパッドの役割及び赤色，青色の光を反射する役割を
担っており、更に細い形状を呈した金属反射層がマイナ
ス極ボンディングパッドの役割をし、該青色発光ダイオ
ードチップは直接前述の該赤色発光ダイオード上にて結
合する。また該第三緑色発光ダイオードは、透明導電層
の緑色のプラス極及び透明導電層の緑色のマイナス極を
具有し、該緑色のプラス極の片側には方形の金属反射層
を設け、緑色のプラス極ボンディングパッドの役割、及
び赤色，青色の光反射用の役割、並びに方形の金属反射
層を具有する緑色のマイナス極のボンディングパッドの
役割を果たし、該緑色発光ダイオードを直接該青色発光
ダイオード上に結合させる。[Means for Solving the Problems] First, in order to solve the drawbacks of general full color light emitting diodes, three types of light emitting diode chips of red, blue and green are directly mounted on a PC board by using a metal reflective layer and a transparent conductive layer. To form a light emitting diode that emits colored light. This includes at least a PC board, a first red light emitting diode, a second blue light emitting diode, a third green light emitting diode, and a plurality of metal lines, a metal reflective layer is provided on the PC board, and a pattern is formed. Formed, and includes a die bonding pad, a red plus pole bonding pad, a blue plus pole bonding pad, a green plus pole bonding pad and a shared minus pole bonding pad. The first red light emitting diode has a red positive electrode of a transparent conductive layer and a red negative electrode of a metal reflective layer, and a square metal reflective layer is provided on one side of the red positive electrode, and a red positive electrode is provided. Plays the role of a bonding pad and the role of reflecting red light,
The red light emitting diode is bonded on a die bonding pad on a PC board. Further, the second blue light emitting diode has a blue negative electrode of a transparent conductive layer and a blue positive electrode of a transparent conductive layer, and a square metal reflection layer is provided on one side of the blue positive electrode. It plays the role of a blue positive electrode bonding pad and the role of reflecting red and blue light, and the metal reflection layer having a narrower shape functions as a negative electrode bonding pad, and the blue light emitting diode chip is directly On the red light emitting diode. The third green light-emitting diode has a green positive electrode of a transparent conductive layer and a green negative electrode of a transparent conductive layer, and a square metal reflection layer is provided on one side of the green positive electrode to provide a green positive electrode. It serves as a polar bonding pad and for reflecting red and blue light, and also serves as a negative bonding pad for a green negative electrode having a rectangular metal reflection layer, and the green light emitting diode is directly mounted on the blue light emitting diode. To combine.
【０００７】次に上述の複数の金属線で該第一赤色発光
ダイオード，該第二青色発光ダイオード及び該第三緑色
発光ダイオード上のプラス極ボンディングパッド及びマ
イナス極ボンディングパッドをそれぞれPC板上のプラス
極ボンディングパッド及びマイナス極ボンディングパッ
ド上に接続させる。上述のPC板上の金属反射層及びボン
ディングパッドは銅或いは金、並びに厚さは1000〜2000
0Åとする。最も理想的な厚さは2000〜5000Åであり、
上述の赤色発光ダイオードはP型InGaPをｎ型GaAS基板上
のpn接合ダイオードにエピ成長させるが、その大きさは
400〜1000μｍの長方形である。該赤色発光ダイオード
の赤色のプラス極の片側には細い形状の金属反射層を設
け、赤色プラス極ボンディングパッドの役割及び赤色の
光を反射させる役割を果たす。該青色発光ダイオードは
透明のサファイア上にｎ型InGaN及びP型InGaNのエピ成
長にて得られるpn接合ダイオードであり、その大きさは
300〜900μｍで長方形となっている。上述の青色発光ダ
イオードの青色のプラス極の片側には方形の金属反射層
が設けられ、青色のプラス極ボンディングパッド及び赤
色及び青色の光を反射する役割を果たしており、マイナ
ス極はエッチングによって細長い形状のP型InGaNを除去
した後、金属反射層を施してマイナス極ボンディングパ
ッドとする。該緑色発光ダイオードにおいては、透明の
サファイア上にｎ型InGaN及びP型InGaNがエピ成長して
得られるpn接合ダイオードの大きさは200〜800μｍで、
正方形を呈している。該緑色発光ダイオードの緑色のプ
ラス極の片側には方形の金属反射層を設け、緑色プラス
極ボンディングパッドとしての役割及び赤色及び青色の
光を反射する役割を果たしており、マイナス極はエッチ
ングによって方形のＰ型InGaNが除去された後、金属反
射層がスパッタリングされてマイナス極ボンディングパ
ッドとなっている。また該金属反射層はアルミ或いは金
であり、厚さは約1000〜20000Åであり、最も理想的な
厚さは2000から5000Åである。上述の透明導電層は酸化
インジウム（In２O３）或いは酸化錫（SnO２）及びその
他の透明導電層であり、厚さは500〜10000Åであり、50
0〜1000Åが最も理想的である。該方形であるプラス極
の金属反射層はアルミ或いは金であり、幅は約50〜200
μで、100μｍが最適である。また底部に450〜550℃の
共晶ポイントにまで加熱して結合させる、或いは超音波
による結合、或いは透明の接着剤で貼り合わせる。Next, the positive electrode bonding pad and the negative electrode bonding pad on the first red light emitting diode, the second blue light emitting diode and the third green light emitting diode are respectively connected to the positive electrode on the PC board with the plurality of metal wires. Connect on pole bonding pad and negative pole bonding pad. The metal reflection layer and the bonding pad on the above-mentioned PC board are copper or gold, and the thickness is 1000 ~ 2000.
Set to 0Å. The most ideal thickness is 2000-5000Å,
The above-mentioned red light-emitting diode epitaxes P-type InGaP into a pn-junction diode on an n-type GaAS substrate.
It is a rectangle of 400 to 1000 μm. A thin metal reflective layer is provided on one side of the red plus electrode of the red light emitting diode to serve as a red plus electrode bonding pad and to reflect red light. The blue light emitting diode is a pn junction diode obtained by epitaxial growth of n-type InGaN and P-type InGaN on transparent sapphire, and its size is
It has a rectangular shape of 300 to 900 μm. A square metal reflection layer is provided on one side of the blue positive electrode of the above-mentioned blue light emitting diode, which plays a role of reflecting the blue positive electrode bonding pad and red and blue light, and the negative electrode is elongated by etching. After removing the P-type InGaN, a metal reflection layer is applied to form a negative electrode bonding pad. In the green light emitting diode, the size of the pn junction diode obtained by epitaxially growing n-type InGaN and P-type InGaN on transparent sapphire is 200 to 800 μm,
It has a square shape. A square metal reflection layer is provided on one side of the green positive pole of the green light emitting diode to serve as a green positive pole bonding pad and to reflect red and blue light, and the negative pole is etched to form a square pole. After the P-type InGaN is removed, the metal reflective layer is sputtered to form the negative electrode bonding pad. The metal reflection layer is made of aluminum or gold and has a thickness of about 1000 to 20000Å, and the most ideal thickness is 2000 to 5000Å. The above-mentioned transparent conductive layer is indium oxide (In2O3) or tin oxide (SnO2) and other transparent conductive layers, and the thickness is 500 to 10000Å.
0 to 1000Å is the most ideal. The square positive metal reflective layer is aluminum or gold and has a width of about 50 to 200.
With μ, 100 μm is optimal. In addition, the bottom is heated to a eutectic point of 450 to 550 ° C. for bonding, or ultrasonic bonding, or a transparent adhesive is used for bonding.
【０００８】遠距離用として使用する際の積み重ねによ
る発光ダイオードのパッケージ構造は黄，青，赤，緑色
発光ダイオードを並列させ、金属反射層及び透明導電層
を利用して該黄色発光ダイオードチップ及び青色発光ダ
イオードをPC板上にて積み重ねて結合させ、該赤色発光
ダイオードチップ及び緑色発光ダイオードをPC板上の隣
接する個所で積み重ねて結合させる。これらには少なく
ともPC板，第一黄色発光ダイオードチップ，第二青色発
光ダイオードチップ，第三赤色発光ダイオードチップ，
第四緑色発光ダイオードチップ，並びに複数の金属線を
含む。該PC板上には金属反射層が施され、並びにパター
ンが形成されており、チップボンディングパッド，赤色
プラス極ボンディングパッド，青色プラス極ボンディン
グパッド，黄色プラス極ボンディングパッド，緑色プラ
ス極ボンディングパッド，及び共用のマイナス極ボンデ
ィングパッドを含む。該第一黄色発光ダイオードチップ
には金属反射層の黄色マイナス極及び透明導電層の黄色
プラス極を具有し、該黄色のプラス極の片側には細長い
形状を呈した金属反射層を有し、黄色のプラス極ボンデ
ィングパッドの役割及び黄色の光を反射する役割を果た
している。該第二青色発光ダイオードチップにおいて
は、透明導電層の青色マイナス極及び透明導電層の青色
プラス極を具有し、該青色プラス極の片側には方形を呈
した金属反射層が設けられて、青色プラス極ボンディン
グパッドの役割及び黄色及び青色の光を反射する役割を
果たし、並びに細長い金属反射層を具有し、これはマイ
ナス極ボンディングパッドの役割をし、該青色発光ダイ
オードチップが直接該黄色発光ダイオードチップ上に積
み重ねられて結合するようにしている。該第三赤色発光
ダイオードチップは、金属反射層の赤色マイナス極及び
透明導電層の赤色プラス極を具有し、該赤色プラス極の
片側には細長い金属反射層が設けられて赤色プラス極ボ
ンディングパッドの役割及び赤色の光を反射させる役割
を果たす。第四緑色発光ダイオードチップは、透明導電
層の緑色プラス極及び透明導電層の緑色マイナス極を具
有し、該緑色プラス極の片側には方形を呈した金属反射
層が設けられて、緑色プラス極ボンディングパッドの役
割及び赤色及び緑色の光を反射する役割を果たし、並び
に細長い金属反射層の緑色マイナス極ボンディングパッ
ドを具有し、該緑色発光ダイオードチップが直接該赤色
発光ダイオードチップ上にて結合されるようになってい
る。該複数の金属線においては、該第一赤色発光ダイオ
ードチップ，該第二青色発光ダイオードチップ，第三赤
色発光ダイオードチップ，第四緑色発光ダイオードチッ
プ上のプラス極ボンディングパッド及びマイナス極ボン
ディングパッドをそれぞれPC板上のプラス極ボンディン
グパッド及びマイナス極ボンディングパッド上に接続す
る。When used for a long distance, the package structure of stacked light emitting diodes has a structure in which yellow, blue, red and green light emitting diodes are arranged in parallel, and the yellow light emitting diode chip and the blue light emitting diode are formed by using a metal reflection layer and a transparent conductive layer. The light emitting diodes are stacked and combined on a PC board, and the red light emitting diode chip and the green light emitting diode are stacked and combined at adjacent locations on the PC board. These include at least a PC board, a first yellow LED chip, a second blue LED chip, a third red LED chip,
It includes a fourth green LED chip and a plurality of metal lines. A metal reflection layer is provided on the PC board and a pattern is formed, and a chip bonding pad, a red plus pole bonding pad, a blue plus pole bonding pad, a yellow plus pole bonding pad, a green plus pole bonding pad, and Includes common negative pole bonding pad. The first yellow light emitting diode chip has a yellow negative electrode of a metal reflective layer and a yellow positive electrode of a transparent conductive layer, and one side of the yellow positive electrode has a metal reflective layer having an elongated shape. Plays a role of a positive electrode bonding pad and a role of reflecting yellow light. The second blue light emitting diode chip has a blue negative pole of a transparent conductive layer and a blue positive pole of a transparent conductive layer, and a square metal reflection layer is provided on one side of the blue positive pole to provide a blue color. It has a function of a positive electrode bonding pad and a function of reflecting yellow and blue light, and has an elongated metal reflective layer, which functions as a negative electrode bonding pad, and the blue light emitting diode chip is directly connected to the yellow light emitting diode. They are stacked on the chip so that they can be combined. The third red light emitting diode chip has a red negative electrode of a metal reflective layer and a red positive electrode of a transparent conductive layer, and an elongated metal reflective layer is provided on one side of the red positive electrode to provide a red positive electrode bonding pad. It plays a role and a role of reflecting red light. The fourth green light emitting diode chip has a green positive pole of a transparent conductive layer and a green negative pole of a transparent conductive layer, and a square metal reflection layer is provided on one side of the green positive pole to provide a green positive pole. It has a function of a bonding pad and a function of reflecting red and green light, and has a green negative electrode bonding pad of an elongated metal reflective layer, and the green light emitting diode chip is directly bonded on the red light emitting diode chip. It is like this. In the plurality of metal wires, a positive pole bonding pad and a negative pole bonding pad on the first red light emitting diode chip, the second blue light emitting diode chip, the third red light emitting diode chip, and the fourth green light emitting diode chip, respectively. Connect to the positive and negative bonding pads on the PC board.
【０００９】[0009]
【発明実施の形態】本発明で使用する発光ダイオードの
材料には制限がなく、赤，緑，青の三原色及び黄色の光
を発光することができる発光ダイオードであればよく、
公知の方法によって生産されたものであり、所定の規格
（サイズ，バイアス値，明るさ，色，金属接触材料であ
る等）によって製造されたものであればよく、本発明の
構造をパッケージングする前に、予め測定してレベル分
けや分類をし、相同のレベル或いは同類のもの（バイア
ス値，明るさ，色等）を同一にパッケージングする。ま
た本発明にはプリント回路板を含み、該プリント回路板
上にはダイボンディングに必要な金属反射層のパターン
が設けられ、第一チップを結合した後、第二チップを該
第一チップの上に重ねて結合させるが、その結合方法は
熱による溶接や超音波による接合、或いは透明接着剤に
よる貼合等による。更に第三チップを第二チップ上に結
合させ、最後にワイヤーボンディングを行ってプラス極
を電源に連結させ、マイナス極を共用のアース端にまで
連結させる。The material of the light emitting diode used in the present invention is not limited, and any light emitting diode capable of emitting light of the three primary colors of red, green and blue and yellow can be used.
The structure of the present invention may be packaged as long as it is manufactured by a known method and manufactured according to a predetermined standard (size, bias value, brightness, color, metal contact material, etc.). Previously, it is measured in advance and classified into levels and classified, and homologous levels or similar ones (bias value, brightness, color, etc.) are packaged in the same manner. Further, the present invention includes a printed circuit board, and a pattern of a metal reflective layer necessary for die bonding is provided on the printed circuit board. After the first chip is bonded, the second chip is placed on the first chip. The layers are bonded to each other by a method such as heat welding, ultrasonic bonding, or transparent adhesive bonding. Further, the third chip is bonded onto the second chip, and finally wire bonding is performed to connect the positive electrode to the power source and the negative electrode to the common ground end.
【００１０】本発明は近距離用に適した三原色のカラー
発光ダイオードの構造であり、図７に示すのはその第一
実施例の平面図である。また図８は図７におけるA‐A線
における断面図であり、PC板４０５上表面にてスパッタ
リング，或いはエバポレーションする，或いは電気メッ
キで一層の金属反射層８０１を形成し、スパッタリング
による層は厚さが約1000Å（オングストローム）から20
000Åであり、2000Åから5000Åの銅（Cu）や金（Au）
で形成されるのが最も理想的である。The present invention is a structure of a color light emitting diode of three primary colors suitable for short distance, and FIG. 7 is a plan view of the first embodiment thereof. 8 is a cross-sectional view taken along the line AA in FIG. 7, in which one layer of metal reflection layer 801 is formed on the upper surface of the PC plate 405 by sputtering, evaporation, or electroplating, and the layer formed by sputtering is thick. Approximately 1000Å (Angstrom) to 20
000Å, 2000Å to 5000Å copper (Cu) or gold (Au)
Is most ideally formed by
【００１１】先ず第一赤色発光ダイオードチップ４０１
においては、P型 InGaA1P／n型GaAs或いはその他の材料
によって公知の技術で製造されており、底部には金属反
射層８０１が1000Åから20000Åスパッタリング或いは
エバポレーションされており、2000Åから50000Åの銅
（Cu）或いは金（Au）が最も理想的であり、また上層に
は電極８０２が200から10000Åがスパッタリング或いは
エバポレーションされ、これは500Åから10000Åの透明
導電層が理想であり、片側には金属反射層４０６が幅が
約50μｍから200μｍのスパッタリングがされており、1
00μｍの帯状で赤い光を反射して赤色発光ダイオードの
＋極とし、一方では赤い光が単独で前向きに発射して妨
害しないようにし、もう一方では赤い光が反射によって
PC板上の反射層８０１を経て上向きに反射してその他の
光と混合されて十分に赤い光のエネルギが利用されるよ
うにする。この赤色発光ダイオードチップ４０１の大小
は約400μｍから1000μｍであり、底部に熱を加えて金
属の共晶ポイント（例えば450から550℃）にまで至らせ
る、或いは超音波による接合、或いは透明接着剤によっ
て接着する等し、赤色発光ダイオードチップ４０１及び
PC板を結合させ、底部の反射層８０１をPC板のアース共
用電極７０１即ち赤色のアース電極にまで連結させる。First, the first red LED chip 401
, P-type InGaA1P / n-type GaAs or other materials are manufactured by a known technique, and a metal reflection layer 801 is sputtered or evaporated from 1000Å to 20000Å on the bottom, and 2000Å to 50000Å copper (Cu). ) Or gold (Au) is the most ideal, and the electrode 802 is sputtered or evaporated from 200 to 10000Å on the upper layer, which is ideally a transparent conductive layer of 500Å to 10000Å and a metal reflection layer on one side. 406 is sputtered with a width of about 50 μm to 200 μm.
The 00μm band reflects the red light and makes it the + pole of the red light emitting diode. On the one hand, the red light alone emits forward and does not interfere, and on the other hand the red light is reflected.
It is reflected upward through the reflective layer 801 on the PC plate and mixed with other light so that the energy of red light is sufficiently utilized. The size of the red light emitting diode chip 401 is about 400 μm to 1000 μm, and heat is applied to the bottom to reach the eutectic point of the metal (for example, 450 to 550 ° C.), ultrasonic bonding, or a transparent adhesive. By bonding, etc., the red light emitting diode chip 401 and
The PC plate is bonded, and the reflection layer 801 at the bottom is connected to the ground common electrode 701 of the PC plate, that is, the red ground electrode.
【００１２】第二青色発光ダイオードチップ４０３にお
いては、ｎ型InGaNを光を通すサファイア８０５上にて
エピ成長し、更にＰ型InGaNがその上にエピ成長され、
また底部及び上層は透明導電層８０２及び８０３が皆20
0Å〜10000Åの厚さでスパッタリング或いはエバポレー
ションされ、これは500Å〜1000Åが最も理想であり、
片側には幅μｍの銅や金などによる金属反射層８０４が
スパッタリングされており、青色の光及び赤色の光が反
射して帰ってくるようにし、並びに青色のプラス極と
し、一方では青色と赤色の光が混合した光が前向きに発
射されて妨害されるのを防止しており、またもう一方で
は青色の光及び赤色の光が反射してPC板上の金属反射層
を経て上向きに反射し、緑色の光と混合して充分に青色
と赤色の光のエネルギを利用できるようにする。またエ
ッチングによって約100μｍ×100μｍのp型InGaNを除去
してその上に一層の銅或いは金の金属反射層をメッキし
て赤色の光を反射させ、並びに図７及び図９に示すよう
に青色のマイナス極９０１とする。該青色チップの大き
さは約300μｍから900μｍであり、基板に加熱して金属
の共晶ポイント（例えば450℃から550℃等）にまで至ら
せる、或いは超音波を利用して接合させたり、透明接着
剤を用いたりして、該青色チップ４０３及び該赤色チッ
プ４０１を結合させる。第三緑色チップ４０２は光を通
すサファイア８０５上に公知の技術によってｎ型InGaN
及びp型InGaNをエピ成長させて得られ、更に底部及び上
層には透明導電層８０３及び８０２が皆200Å〜10000Å
の厚さでスパッタリング或いはエバポレーションされて
おり、これは500Å〜1000Åの透明導電層が最も理想で
あり、上層の透明導電層は緑色のプラス極となり、また
エッチングによって約100μｍ×100μｍのp型InGaNを除
去してその上に銅或いは金の反射層９０２をメッキして
赤色及び青色の光を反射し、前向きに発射して妨害する
ことを防止し、並びに反射する赤色及び青色の光がPC板
上の金属反射層を経て上向きに反射して緑色の光と混合
され、充分に赤色及び青色の光のエネルギが利用される
ようにし、また該金属反射層９０２は図7及び図９に示
すように、緑色のマイナス極となる。また該緑色チップ
の大きさは約200μｍから800μｍであり、基板に加熱し
て金属の共晶ポイント（例えば450〜500℃）にまで至ら
せる、或いは超音波によって接合させる、或いは透明の
接着剤等を用いて該緑色チップ４０２及び青色チップ４
０３を結合させる。In the second blue light emitting diode chip 403, n-type InGaN is epitaxially grown on sapphire 805 which transmits light, and further P-type InGaN is epitaxially grown thereon.
The bottom and top layers are all transparent conductive layers 802 and 803.
Sputtered or evaporated with a thickness of 0Å ~ 10000Å, the most ideal is 500Å ~ 1000Å,
A metal reflective layer 804 of copper or gold having a width of μm is sputtered on one side so that blue light and red light are reflected and returned, and a blue positive electrode is provided, while blue and red are provided on the other side. This prevents the mixed light from being emitted forward and disturbed, and on the other hand, blue light and red light are reflected and reflected upward through the metal reflective layer on the PC board. , It mixes with green light so that the energy of blue and red light can be fully utilized. Moreover, about 100 μm × 100 μm of p-type InGaN is removed by etching, and a copper or gold metal reflective layer is plated on the p-type InGaN to reflect red light, and as shown in FIGS. The negative pole 901 is used. The size of the blue chip is about 300 μm to 900 μm, and it is heated to the substrate to reach the eutectic point of the metal (for example, 450 ° C. to 550 ° C.), or ultrasonic waves are used for bonding or transparent. The blue chip 403 and the red chip 401 are bonded together by using an adhesive. The third green chip 402 is made of sapphire 805 that transmits light and is made of n-type InGaN by a known technique.
And p-type InGaN are epitaxially grown. Further, transparent conductive layers 803 and 802 are all 200 Å-10000 Å on the bottom and upper layers.
The most ideal is a transparent conductive layer of 500 Å ~ 1000 Å, the upper transparent conductive layer becomes a green positive electrode, and the p-type InGaN of about 100 μm × 100 μm is formed by etching. To prevent red light and blue light from being reflected and preventing them from being emitted in the forward direction to interfere with each other, and by reflecting the red and blue light on the PC board. The metal reflection layer 902 is reflected upward through the upper metal reflection layer and mixed with the green light so that the energy of the red and blue light is sufficiently utilized, and the metal reflection layer 902 is formed as shown in FIGS. 7 and 9. And, it becomes the negative pole of green. The size of the green chip is about 200 μm to 800 μm, and it is heated to the substrate to reach the eutectic point of the metal (for example, 450 to 500 ° C.), or bonded by ultrasonic waves, or a transparent adhesive, etc. Using the green chip 402 and the blue chip 4
Combine 03.
【００１３】図８，９，１０に示すように、金属による
ワイヤーボンディングでチップ上の赤，緑，青色のプラ
ス極をそれぞれPC板上の赤，緑，青色のプラス極に連結
させ、並びに青，緑色のマイナス極をそれぞれPC板上の
アース電極７０１にまで連結させ、図７，１０に示すよ
うに更に透明のプラスティック材質で密封して本発明の
第一実施例が完成する。また図１１に示すものはその等
価回路である。本発明では各色のチップのバイアスを調
整して電流を変え、異なる光の強度を得て、更に混合さ
れて異なる色の光（図３参照）を得るものであり、エネ
ルギ節約の効果だけでなくて分解能が高く、色彩の品質
がアップされ、小さな電流で発光するために熱量が低く
放熱性に優れ、こうすることでチップの寿命を伸ばす目
的を達成する。As shown in FIGS. 8, 9, and 10, the red, green, and blue positive electrodes on the chip are connected to the red, green, and blue positive electrodes on the PC board by wire bonding with metal, respectively, and blue. The green negative electrodes are connected to the ground electrode 701 on the PC board, respectively, and further sealed with a transparent plastic material as shown in FIGS. 7 and 10 to complete the first embodiment of the present invention. The equivalent circuit is shown in FIG. According to the present invention, the bias of each color chip is adjusted to change the current to obtain different light intensities and further mixed to obtain different color light (see FIG. 3), which not only saves energy. The resolution is high, the color quality is improved, the amount of heat is low because it emits light with a small current, and the heat dissipation is excellent. By doing so, the purpose of extending the life of the chip is achieved.
【００１４】図１２に示すように、接合作業が簡略化さ
れ、また電源を節約（3色のチップを用いる必要がな
く、二組の2色チップで白或いはその他の色の光が得ら
れる）し、遠距離に向けて顕示する際はチップが2列に
配列されたパッケージ構造によって達成させる。図１
２，１３に示すように、図１３は図１２のA−Aにおける
断面図であり、PC板４０５上表面にスパッタリング或い
はエバポレーションによって金属反射層８０１を厚さ約
1000Å〜20000Å施し、特に2000Å〜5000Åの銅或いは
金が最も理想的である。As shown in FIG. 12, the joining work is simplified and the power is saved (there is no need to use three color chips, and two sets of two color chips can obtain white or other color light). However, when it is exposed to a long distance, it is achieved by a package structure in which chips are arranged in two rows. Figure 1
As shown in FIGS. 2 and 13, FIG. 13 is a sectional view taken along line AA of FIG. 12, in which the metal reflection layer 801 is formed on the upper surface of the PC plate 405 by sputtering or evaporation to a thickness of about 1.
1000 Å ~ 20000 Å, especially 2000 Å ~ 5000 Å copper or gold is the most ideal.
【００１５】先ず第一の赤色である発光ダイオードチッ
プ４０１においては、p型InGaA1P／n型GaAS或いはその
他の公知技術によって製造されるものとする。底部には
反射層８０１が1000Å〜20000Åの厚さでスパッタリン
グ或いはエバポレーションにより施され、これは2000Å
〜5000Åの銅或いは金が最も理想的であり、上層には透
明導電層８０３が200Å〜10000Åの厚さでスパッタリン
グ或いはエバポレーションによって施され、ここでは50
0Å〜1000Åの透明導電層８０３が最も理想的であり、
更に片側には反射層４０６が幅100μｍの帯状の銅或い
は金がスパッタリングされており、赤色の光を反射さ
せ、赤色の発光ダイオードのプラス極とし、一方で赤い
光が単独で前向きに発射して妨害するのを防ぎ、もう一
方では赤い光を反射させた後にPC板上の反射層８０１を
経て、上向きに反射させて緑の光と混合させて充分に赤
色の光のエネルギを利用するようにする。該赤色発光ダ
イオードチップ４０１の大きさは約300μｍから700μｍ
であり、底部に加熱して450〜550℃等金属の共晶ポイン
トに至らせる、或いは超音波を利用して接合させる、或
いは透明接着剤によって発光ダイオードチップ４０１及
びPC板を接着させ、底部の反射層８０１をPC板のアース
共用電極７０１にまで連結することで、赤色のマイナス
極とする。第二緑色の光である発光ダイオードチップ４
０２は公知の技術によってn型InGaN／P型InGaNをサファ
イア８０５上にてエピ成長させ、更に底部及び上層に皆
厚さ約200Å〜10000Åがスパッタリング或いはエバポレ
ーションされ、これは500Å〜1000Åの導電層が最も理
想的であり、上層の透明導電層は緑色のプラス極とな
り、またエッチングによって約100μｍ×100μｍのP型I
nGaNを除去し、その上に銅或いは金による金属反射層９
０２を施し、前向きに発射することで妨害が生じること
を防止し、並びに反射する赤色の光がPC板上の金属反射
層を経て更に上向きに反射して緑色の光と混合し、充分
に赤色の光のエネルギを利用し、また該金属反射層９０
２は緑色のマイナス極となる。First, the first red light emitting diode chip 401 is manufactured by p-type InGaA1P / n-type GaAS or other known techniques. A reflective layer 801 having a thickness of 1000 Å to 20000 Å is formed on the bottom by sputtering or evaporation, which is 2000 Å
~ 5000 Å copper or gold is the most ideal, transparent conductive layer 803 is applied to the upper layer with a thickness of 200 Å ~ 10000 Å by sputtering or evaporation, here 50
A transparent conductive layer 803 of 0Å to 1000Å is the most ideal,
Further, on one side, a reflective layer 406 is formed by sputtering a strip of copper or gold having a width of 100 μm, which reflects the red light and serves as the positive pole of the red light emitting diode, while the red light alone emits forward. To prevent interference, on the other hand, after reflecting the red light, through the reflection layer 801 on the PC board, it is reflected upward and mixed with the green light so that the energy of the red light is fully utilized. To do. The size of the red light emitting diode chip 401 is about 300 μm to 700 μm.
Is heated to the bottom to reach the eutectic point of the metal such as 450 to 550 ° C., or joined by using ultrasonic waves, or the light emitting diode chip 401 and the PC plate are bonded by a transparent adhesive, By connecting the reflective layer 801 to the earth electrode 701 of the PC board, a red negative electrode is formed. Light emitting diode chip 4 which is the second green light
02 is an n-type InGaN / P-type InGaN epitaxially grown on sapphire 805 by a well-known technique, and the bottom and upper layers are all sputtered or evaporated to a thickness of about 200Å-10000Å, which is a conductive layer of 500Å-1000Å. Is the most ideal, the upper transparent conductive layer becomes a green positive electrode, and the P-type I of about 100 μm × 100 μm is formed by etching.
nGaN is removed, and a metal reflection layer 9 made of copper or gold
02, to prevent the interference by firing in the forward direction, and the reflected red light is reflected further upward through the metal reflective layer on the PC board and mixed with the green light, and the red color is sufficiently red. Of the metal reflection layer 90
2 is the green negative pole.
【００１６】図１２及び図１３に示すように、更に底部
に加熱して金属の共晶ポイント（例えば450〜500℃）に
まで至らせる、或いは超音波で接合、或いは透明な接着
剤によってチップ４０３及びチップ１３１を積み重ねて
接合させる。第三の黄色の発光ダイオードは公知の技術
によって製造されたものであり、底部にはスパッタリン
グ或いはエバポレーションにより1000Åから20000Åの
厚さ反射層を施し、その内2000Åから5000Åの銅或いは
金が最も理想であり、これを反射層及び黄色のマイナス
極１３２とし、上層には透明導電層１３３が200Åから1
0000Åの厚さでスパッタリング或いはエバポレーション
により施され、これは500Åから1000Åが最も理想的で
あり、更に片側には幅約100μｍの帯状の銅或いは金に
よる金属反射層１３４をスパッタリングすることで黄色
の光を反射し、並びに黄色発光ダイオードのプラス極と
し、一方で黄色の光が単独で前向きに発射して妨害する
ことを防ぎ、もう一方では黄色の光の反射がPC板上の反
射層８０１を経て上向きに黄色の光を青色の光と混合す
ることで充分に黄色の光のエネルギを利用し、該黄色発
光ダイオード１３１の大きさは約300μｍから1000μｍ
であり、更に底部に加熱して金属の共晶ポイント（例え
ば450〜550℃等）にまで至らせる，或いは超音波によっ
て接合させる，或いは透明の接着剤によってチップ１３
１及びPC板とを接着させる等して、底部の反射層８０１
をPC板のアース電極７０１にまで連結させ、並びに黄色
のマイナス極とする。As shown in FIGS. 12 and 13, the tip 403 is further heated to the eutectic point (for example, 450 to 500 ° C.) of the metal by heating to the bottom, ultrasonic bonding, or a transparent adhesive. And the chips 131 are stacked and joined. The third yellow light emitting diode is manufactured by a known technique, and the bottom has a reflection layer of 1000 Å to 20000 Å by sputtering or evaporation, of which 2000 Å to 5000 Å copper or gold is the most ideal. This is the reflective layer and the yellow negative electrode 132, and the transparent conductive layer 133 is on the upper layer from 200Å to 1
It is applied by sputtering or evaporation with a thickness of 0000 Å, the most ideal is 500 Å to 1000 Å, and a metal reflection layer 134 of copper or gold with a width of about 100 μm is sputtered on one side to obtain a yellow color. It reflects light and also serves as the positive pole of the yellow light emitting diode, while preventing the yellow light from emitting forward alone and interfering with it. On the other hand, the reflection of yellow light causes the reflective layer 801 on the PC board to be blocked. Then, the energy of the yellow light is fully utilized by mixing the yellow light upward with the blue light, and the size of the yellow light emitting diode 131 is about 300 μm to 1000 μm.
Further, by heating to the bottom to reach the eutectic point (for example, 450 to 550 ° C.) of the metal, or by ultrasonic bonding, or by using a transparent adhesive, the chip 13
1 and the PC board are adhered to each other, and the reflection layer 801 at the bottom is attached.
Is connected to the ground electrode 701 of the PC board, and the yellow negative electrode is connected.
【００１７】更に第四の青色の光である発光ダイオード
チップ４０３も公知の技術でｎ型InGaN／P型InGaNをサ
ファイア８０５上にエピ成長させ、底部及び上層は皆厚
さ約200Å〜10000Åの透明導電層がスパッタリング或い
はエバポレーションされており、500Åから1000Åの透
明導電層が最も理想的であり、上層透明導電層は青色の
プラス極とし、エッチングによって約100μｍ×100μｍ
のP型InGaNが除去され、更にその上に銅或いは金の金属
反射層９０１が施されて黄色の光を反射し、前向きに発
射することで妨害するのを防いでおり、並びに反射する
黄色の光がPC板上の金属反射層を経て上向きに反射して
青色の光と混合し、充分に黄色の光のエネルギが利用さ
れるようにし、また同時に該金属反射層９０１は青色の
マイナス極となり、底部に加熱して金属の共晶ポイント
（450〜550℃）にまで至らせる、或いは黄色チップ１３
１上の青色チップ４０３に超音波による接合，或いは透
明接着剤結合させ、図１２及び図１３に示すように結合
させ、最後にワイヤーボンディングででチップ上の黄，
青，緑，赤のプラス極をそれぞれPC板上の黄，青，緑，
赤色のプラス極に連結させ、並びに青，緑色のマイナス
極をそれぞれPC板上のアース電極７０１に連結させて、
図１１に示すように更に透明のプラスティック材質によ
って密封させることで本発明の第二実施例が完成する。
また図１５に示すのはその等価回路であり、各色のチッ
プのバイアスを調整して電流を変え、異なる光の強度を
得て、更に混合されて異なる色の光（図３のAB或いはCD
の線参照）を得るものであり、こうすることで発熱量を
減らして放熱を良好なものにする目的が達成され、チッ
プの寿命を伸ばすことに繋がる。The fourth blue light emitting diode chip 403 is also a well-known technique in which n-type InGaN / P-type InGaN is epitaxially grown on sapphire 805, and the bottom and upper layers are all transparent with a thickness of about 200Å-10000Å. The conductive layer is sputtered or evaporated, the transparent conductive layer of 500 Å to 1000 Å is the most ideal, the upper transparent conductive layer is the blue positive electrode, and it is about 100 μm x 100 μm by etching.
P-type InGaN is removed, and a copper or gold metal reflective layer 901 is further applied thereon to reflect yellow light and prevent it from being disturbed by being emitted in a forward direction. Light is reflected upward through the metal reflection layer on the PC plate and mixed with blue light so that the energy of yellow light is sufficiently utilized, and at the same time, the metal reflection layer 901 becomes a blue negative electrode. , Heat to the bottom to reach the eutectic point of the metal (450-550 ℃), or yellow tip 13
Ultrasonic bonding or transparent adhesive bonding to the blue chip 403 on 1 and bonding as shown in FIG. 12 and FIG. 13, and finally by wire bonding, yellow on the chip,
The positive poles of blue, green, and red are yellow, blue, and green on the PC board, respectively.
Connect to the red plus pole, and connect the blue and green minus poles to the earth electrode 701 on the PC board respectively.
The second embodiment of the present invention is completed by further sealing with a transparent plastic material as shown in FIG.
Further, FIG. 15 shows an equivalent circuit thereof, in which the bias of each color chip is adjusted to change the current to obtain different light intensities, and the light of different colors is mixed (AB or CD in FIG. 3).
The line) is obtained. By doing so, the purpose of reducing the amount of heat generation and improving heat dissipation is achieved, which leads to extension of the life of the chip.
【００１８】本発明の第三実施例においては、図７及び
図１２の左半部である黄色，青色のチップ、或いは右半
部の赤色，緑色のチップの構造はバイアスを調整して固
定された電流値で白色の光を発し、図３のAB線とCD線の
交差する点白色の照明が提供され、よって本発明の第三
実施例では黄色の光及び青色の光を積み重ねる、或いは
赤色の光及び緑色の光を積み重ねることによって、両者
が波長を相互に補い合って（混合した後に白色となる二
種類の色、図３参照）目的が達成される。もちろん実施
例中の赤，緑，青，黄色発光ダイオードは上述の材料に
限られずにその他の材料でもよく、単純な発光ダイオー
ドやQuantum Well構成でなくともよい。In the third embodiment of the present invention, the structure of the yellow and blue chips in the left half of FIGS. 7 and 12 or the red and green chips in the right half is fixed by adjusting the bias. A white light is emitted at a different current value, and a point white illumination at which the AB line and the CD line in FIG. 3 intersect is provided. Therefore, in the third embodiment of the present invention, yellow light and blue light are stacked or red light is stacked. By stacking the light and the green light, they complement each other in their wavelengths (two colors that become white after mixing, see FIG. 3) and the purpose is achieved. Of course, the red, green, blue, and yellow light emitting diodes in the embodiments are not limited to the above-mentioned materials, and other materials may be used, and the light emitting diodes or the Quantum Well structure may not be used.
【００１９】[0019]
【発明の効果】本発明によると、金属酸化物による透明
導電層でダイボンディングした構造によって分解能が高
くなり、また光の強度が効果的に強められて近距離及び
遠距離の両者の顕示用に適したものとなり、同時にパッ
ケージの体積が小さく、発光ダイオードの電流の大小を
制御することで光の強度を制御して異なる色の光源を提
供することに成功し、熱効率を下げて放熱効果を上げる
等、多くの目的が達成された。According to the present invention, the structure which is die-bonded with the transparent conductive layer made of a metal oxide enhances the resolution and also effectively enhances the intensity of light for the purpose of revealing both short distance and long distance. It becomes suitable, and at the same time, the volume of the package is small, and by controlling the magnitude of the current of the light emitting diode, we succeeded in controlling the light intensity and providing light sources of different colors, lowering the thermal efficiency and increasing the heat dissipation effect. Many goals have been achieved.
【図１】公知構造の黄色発光ダイオードチップの構造を
示す図である。FIG. 1 is a view showing a structure of a yellow light emitting diode chip having a known structure.
【図２】公知構造の緑或いは青色発光ダイオードチップ
の構造を示す図である。FIG. 2 is a view showing a structure of a green or blue light emitting diode chip having a known structure.
【図３】赤，青，緑の三原色による色彩図である。FIG. 3 is a color diagram of three primary colors of red, blue, and green.
【図４】公知構造の赤，青，緑の三原色による発光ダイ
オードにおける配置説明図である。FIG. 4 is a layout explanatory diagram of a light emitting diode having three known primary colors of red, blue, and green having a known structure.
【図５】公知構造の赤，青，緑の三原色による発光ダイ
オードにおける配置外観説明図である。FIG. 5 is an explanatory view of the external appearance of an arrangement in a light emitting diode of three primary colors of red, blue, and green having a known structure.
【図６】公知構造における等価回路図である。FIG. 6 is an equivalent circuit diagram in a known structure.
【図７】第一実施例における平面図である。FIG. 7 is a plan view of the first embodiment.
【図８】図７におけるA‐A線における断面図である。8 is a cross-sectional view taken along the line AA in FIG.
【図９】第一実施例における断面図である。FIG. 9 is a sectional view of the first embodiment.
【図１０】第一実施例における金属線による連結を示す
断面図である。FIG. 10 is a sectional view showing a connection by a metal wire in the first embodiment.
【図１１】図１０における等価回路図である。11 is an equivalent circuit diagram in FIG.
【図１２】遠距離用とした場合における黄，青、並びに
赤，緑の並列カラー発光ダイオードのパッケージ構造の
第二実施例における平面図である。FIG. 12 is a plan view of a package structure of yellow, blue, and red, green parallel color light emitting diodes for a long distance in a second embodiment.
【図１３】図１２中のA−Aにおける断面図である。13 is a cross-sectional view taken along the line AA in FIG.
【図１４】第二実施例における断面図である。FIG. 14 is a sectional view of the second embodiment.
【図１５】図１２における等価回路図である。FIG. 15 is an equivalent circuit diagram in FIG.
１０ 発光ダイオードチップ １１ プラス極ボンディングパッド １２ マイナス極ボンディングパッド １３ 基板 １３１ チップ １３２ 黄色マイナス極 １３３ 透明導電層 １３４ 金属反射層 １４ InGaA1Pエピ層 ２０ 緑或いは青色発光ダイオードチップ ２１ プラス極ボンディングパッド ２２ マイナス極ボンディングパッド ２３ サファイアの基板 ２４ ｎ型InGaNエピ層 ２５ p型InGaNエピ層 ４０１，４０２，４０３ 発光ダイオードチップ ４０４ アース ４０５ PC板 ４０６ 赤色プラス極 ６０１，６０２，６０３ スイッチ ７０１ アース共用電極 ８０１ 金属反射層 ８０２，８０３ 透明導電層 ８０４ 金属反射層 ８０５ サファイア ９０１ 青色マイナス極 ９０２ 金属反射層 10 Light emitting diode chip 11 Positive pole bonding pad 12 Negative pole bonding pad 13 board 131 chips 132 yellow minus pole 133 transparent conductive layer 134 Metal reflective layer 14 InGaA1P epilayer 20 Green or blue light emitting diode chip 21 positive pole bonding pad 22 Minus electrode bonding pad 23 Sapphire substrate 24 n-type InGaN epilayer 25 p-type InGaN epi layer 401, 402, 403 Light emitting diode chip 404 Earth 405 PC board 406 red plus pole 601, 602, 603 switch 701 Ground common electrode 801 Metal reflective layer 802, 803 Transparent conductive layer 804 metal reflective layer 805 sapphire 901 Blue negative pole 902 metal reflective layer
Claims (32)
あり、金属反射層及び透明導電層によって赤色，青色，
緑色の3種の発光ダイオードチップを直接PC板上に結合
してフルカラーの発光ダイオードを形成し、少なくとも
PC基板，第一赤色発光ダイオードチップ，第二青色発光
ダイオードチップ，第三緑色発光ダイオードチップ，並
びに複数の金属線より構成され、 金属反射層が施され、且つパターンが形成されており、
これからなるダイボンディングパッド、赤色プラス極ボ
ンディングパッド，青色プラス極ボンディングパッド，
緑色プラス極ボンディングパッド，並びに共用のマイナ
ス極ボンディングパッドを含む該PC基板と、 透明導電層である赤色プラス極及び金属反射層である赤
色マイナス極を具有し、該赤色プラス極の片側には方形
の金属反射層が設けられて該赤色プラス極ボンディング
パッド及び赤色の光を反射する作用を提供しており、PC
板のダイボンディングパッド上にて結合される該第一赤
色発光ダイオードチップと、 透明導電層である青色マイナス極及び透明導電層である
青色プラス極を具有し、該青色プラス極の片側には方形
の金属反射層が設けられて該青色プラス極ボンディング
パッド及び赤色の光及び青色の光を反射する作用を提供
しており、並びに細長い形状の金属反射層を具有してマ
イナス極ボンディングパッドとし、該赤色発光ダイオー
ドチップ上に直接結合される該第二青色発光ダイオード
チップと、 透明導電層である緑色プラス極及び透明導電層である緑
色マイナス極を具有し、該緑色プラス極の片側には方形
の金属反射層が設けられて緑色プラス極ボンディングパ
ッド及び赤色の光及び青色の光を反射する作用を提供し
ており、並びに方形の金属反射層が設けられて緑色マイ
ナス極ボンディングパッドとし、該青色発光ダイオード
チップ上に直接結合される該第三緑色発光ダイオードチ
ップと、 該第二青色発光ダイオードチップ及び該第三緑色発光ダ
イオードチップ上のプラス極ボンディングパッド及びマ
イナス極ボンディングパッドを、それぞれPC板上のプラ
ス極ボンディングパッド及びマイナス極ボンディングパ
ッド上に接続する該複数の金属線と、 を具有することを特徴とする透明導電層及び反射層で直
接結合されたチップの積み重ねによるフルカラー発光ダ
イオード光源のパッケージ構造。1. A package structure of a three-primary-color light-emitting diode, wherein a metal reflection layer and a transparent conductive layer are used for red, blue, and
Three kinds of green light emitting diode chips are directly bonded on a PC board to form a full color light emitting diode.
A PC board, a first red light emitting diode chip, a second blue light emitting diode chip, a third green light emitting diode chip, and a plurality of metal wires, a metal reflective layer is applied, and a pattern is formed.
Die bonding pad, red positive pole bonding pad, blue positive pole bonding pad,
The green positive electrode bonding pad and the PC substrate including the common negative electrode bonding pad, the red positive electrode which is a transparent conductive layer and the red negative electrode which is a metal reflection layer are provided, and a square is formed on one side of the red positive electrode. The metal reflective layer of is provided to provide a function of reflecting the red positive electrode bonding pad and red light.
The first red light-emitting diode chip bonded on the die bonding pad of the plate, the blue negative electrode which is a transparent conductive layer and the blue positive electrode which is a transparent conductive layer are provided, and a square is formed on one side of the blue positive electrode. A metal reflection layer is provided to provide a function of reflecting the blue positive electrode bonding pad and red light and blue light, and a metal reflection layer having an elongated shape is provided to form a negative electrode bonding pad. The second blue light emitting diode chip directly bonded onto the red light emitting diode chip, and the green positive electrode which is a transparent conductive layer and the green negative electrode which is a transparent conductive layer are provided, and a square is provided on one side of the green positive electrode. A metal reflective layer is provided to provide a green positive pole bonding pad and the function of reflecting red light and blue light, as well as a rectangular metal reflection. Is provided as a green negative electrode bonding pad, and the third green light emitting diode chip is directly bonded onto the blue light emitting diode chip, the second blue light emitting diode chip and the positive electrode on the third green light emitting diode chip. The transparent conductive layer and the reflective layer are characterized in that the bonding pad and the negative electrode bonding pad are respectively connected to the positive electrode bonding pad and the negative electrode bonding pad on the PC board. Package structure of full color light emitting diode light source by stacking bonded chips.
ッドは銅或いは金とし、厚さは1000Åから20000Åであ
り、その内最も適する厚さは2000Åから5000Åであるこ
とを特徴とする請求項１記載の透明導電層及び反射層で
直接結合されたチップの積み重ねによるフルカラー発光
ダイオード光源のパッケージ構造。2. The metal reflection layer and the bonding pad on the PC board are made of copper or gold, and have a thickness of 1000Å to 20000Å, and the most suitable thickness is 2000Å to 5000Å. A package structure of a full-color light-emitting diode light source by stacking chips directly bonded by a transparent conductive layer and a reflective layer according to 1.
n型GaAS基板上にてエピ成長したpn接合ダイオードであ
り、大きさは400μｍから1000μｍで長方形を呈してい
ることを特徴とする請求項１記載の透明導電層及び反射
層で直接結合されたチップの積み重ねによるフルカラー
発光ダイオード光源のパッケージ構造。3. The red light emitting diode chip is a P-type InGaP
The chip directly connected by a transparent conductive layer and a reflective layer according to claim 1, which is a pn junction diode epitaxially grown on an n-type GaAS substrate and has a rectangular shape with a size of 400 μm to 1000 μm. Package structure of full color light emitting diode light source by stacking.
極の片側には細長い形状を呈した金属反射層が設けられ
て該赤色プラス極ボンディングパッド及び赤色の光を反
射する役割を果たしていることを特徴とする請求項１記
載の透明導電層及び反射層で直接結合されたチップの積
み重ねによるフルカラー発光ダイオード光源のパッケー
ジ構造。4. The red light emitting diode chip is provided with a metal reflection layer having an elongated shape on one side of the red plus electrode, and serves to reflect the red plus electrode bonding pad and red light. The package structure of a full-color light emitting diode light source according to claim 1, wherein the chips are directly connected by a transparent conductive layer and a reflective layer.
ァイア上にn型InGaN及びP型InGaNをエピ成長させて得ら
れたpn接合ダイオードであり、大きさが300μｍから100
0μｍであり、長方形を呈していることを特徴とする請
求項１記載の透明導電層及び反射層で直接結合されたチ
ップの積み重ねによるフルカラー発光ダイオード光源の
パッケージ構造。5. The blue light emitting diode chip is a pn junction diode obtained by epitaxially growing n-type InGaN and P-type InGaN on transparent sapphire and has a size of 300 μm to 100 μm.
The package structure of a full-color light emitting diode light source according to claim 1, wherein the chip has a thickness of 0 μm and has a rectangular shape.
極の片側には方形の金属反射層が設けられ、青色プラス
極ボンディングパッド及び赤色と青色の光を反射する役
割を果たしており、マイナス極はエッチングによって細
長くP型InGaNが除かれた後、金属反射層がスパッタリン
グされてマイナス極ボンディングパッドの役割を果たし
ていることを特徴とする請求項１記載の透明導電層及び
反射層で直接結合されたチップの積み重ねによるフルカ
ラー発光ダイオード光源のパッケージ構造。6. A square metal reflection layer is provided on one side of the blue positive electrode of the blue light emitting diode chip to serve as a blue positive electrode bonding pad and to reflect red and blue light, and the negative electrode is etched. 2. The chip directly coupled with the transparent conductive layer and the reflective layer according to claim 1, wherein the metal reflective layer is sputtered to remove the P-type InGaN and then plays a role of a negative electrode bonding pad. Stacked full color LED light source package structure.
ァイア上にn型InGaN及びP型InGaNをエピ成長させること
で得られたpn接合ダイオードであり、大きさは200μｍ
から800μｍで、正方形を呈していることを特徴とする
請求項１記載の透明導電層及び反射層で直接結合された
チップの積み重ねによるフルカラー発光ダイオード光源
のパッケージ構造。7. The green light emitting diode chip is a pn junction diode obtained by epitaxially growing n-type InGaN and P-type InGaN on transparent sapphire and has a size of 200 μm.
2. The package structure of a full-color light emitting diode light source according to claim 1, wherein the chips are directly connected by the transparent conductive layer and the reflective layer, wherein the package has a square shape of 800 to 800 μm.
極の片側には方形の金属反射層が設けられており、青色
プラス極ボンディングパッド及び青色の光反射の役割を
果たしており、マイナス極にはエッチングによって方形
のP型InGaNを除去した後、一層の金属反射層がスパッタ
リングされてマイナス極のボンディングパッドとなって
いることを特徴とする請求項１記載の透明導電層及び反
射層で直接結合されたチップの積み重ねによるフルカラ
ー発光ダイオード光源のパッケージ構造。8. A green metal reflective layer is provided on one side of the green positive electrode of the green light emitting diode chip to serve as a blue positive electrode bonding pad and a blue light reflection layer, and the negative electrode is etched. After removing the square P-type InGaN by sputtering, one metal reflective layer is sputtered to form a negative electrode bonding pad. Package structure of full-color light emitting diode light source by stacking chips.
1000Åから200000Åであり、その内最も理想的であるの
は2000Åから5000Åであることを特徴とする請求項１記
載の透明導電層及び反射層で直接結合されたチップの積
み重ねによるフルカラー発光ダイオード光源のパッケー
ジ構造。9. The metal reflective layer is copper or gold and has a thickness of
The full-color light emitting diode light source of stacking chips directly connected by the transparent conductive layer and the reflective layer according to claim 1, characterized in that it is 1000 Å to 200 000 Å, and the most ideal one is 2000 Å to 5000 Å Package structure.
３），或いは酸化錫（SnO２）及びその他の透明導電層
であり、その厚さは200Åから10000Åであり、その内最
も適しているのは500Åから1000Åであることを特徴と
する請求項１記載の透明導電層及び反射層で直接結合さ
れたチップの積み重ねによるフルカラー発光ダイオード
光源のパッケージ構造。10. The transparent conductive layer is made of indium oxide (In2O).
3), or tin oxide (SnO2) and other transparent conductive layers, the thickness of which is 200Å to 10000Å, the most suitable of which is 500Å to 1000Å. Of full-color light-emitting diode light source by stacking chips directly connected by transparent conductive layer and reflective layer of.
びマイナス極ボンディングパッドはアルミ或いは金であ
り、幅は50μｍから200μｍであり、その内最も適して
いる幅は100μｍであることを特徴とする請求項１記載
の透明導電層及び反射層で直接結合されたチップの積み
重ねによるフルカラー発光ダイオード光源のパッケージ
構造。11. The square-shaped positive pole metal reflection layer and the negative pole bonding pad are made of aluminum or gold and have a width of 50 μm to 200 μm, of which the most suitable width is 100 μm. The package structure of a full-color light emitting diode light source according to claim 1, wherein the chips are directly connected by a transparent conductive layer and a reflective layer.
て450℃から550℃の金属共晶ポイントにまで至らせた接
合による結合であることを特徴とする請求項１記載の透
明導電層及び反射層で直接結合されたチップの積み重ね
によるフルカラー発光ダイオード光源のパッケージ構
造。12. The transparent conductive layer according to claim 1, wherein the stacking bonding is bonding by heating to the bottom to reach a metal eutectic point of 450 ° C. to 550 ° C. Package structure of full-color light emitting diode light source by stacking chips directly connected by a reflective layer.
よる結合であることを特徴とする請求項１記載の透明導
電層及び反射層で直接結合されたチップの積み重ねによ
るフルカラー発光ダイオード光源のパッケージ構造。13. The package structure of a full-color light emitting diode light source by stacking chips directly bonded by a transparent conductive layer and a reflective layer according to claim 1, wherein the stacking bond is a bond by ultrasonic bonding. .
による貼合によるものであることを特徴とする請求項１
記載の透明導電層及び反射層で直接結合されたチップの
積み重ねによるフルカラー発光ダイオード光源のパッケ
ージ構造。14. The stacking connection is made by laminating with a transparent adhesive.
A package structure for a full-color light-emitting diode light source by stacking chips directly bonded with a transparent conductive layer and a reflective layer according to claim.
におけるバイアスの方法は、バイアスを調整してそれぞ
れ赤色発光ダイオード，青色発光ダイオード，緑色発光
ダイオードに供給し、その光の強度を変えて色彩を変え
ることを特徴とする透明導電層及び反射層で直接結合さ
れたチップの積み重ねによるフルカラー発光ダイオード
光源のパッケージ構造。15. A biasing method in a three-primary-color light-emitting diode packaging is to adjust the bias and supply it to a red light-emitting diode, a blue light-emitting diode, and a green light-emitting diode, respectively, and change the color by changing the intensity of the light. A package structure of a full-color light-emitting diode light source by stacking chips directly connected by a transparent conductive layer and a reflective layer, which are features.
イオードチップと赤色発光ダイオードチップと緑色発光
ダイオードチップとを積み重ねて並列させた構造による
カラー発光ダイオードのパッケージ構造であり、金属反
射層及び透明導電層を利用して黄色発光ダイオードチッ
プ及び青色発光ダイオードチップを積み重ねてPC板上に
て結合させ、また赤色発光ダイオードチップ及び緑色発
光ダイオードチップをPC板上の隣接する位置にて並列さ
せたパッケージのカラー発光ダイオードにおいて、少な
くともPC板，第一黄色発光ダイオードチップ，第二青色
発光ダイオードチップ，第三赤色発光ダイオードチッ
プ，第四発光ダイオードチップ，複数の金属線を含み、 金属反射層が施されてパターンが形成されており、ダイ
ボンディングパッド，赤色プラス極ボンディングパッ
ド，青色プラス極ボンディングパッド，黄色プラス極ボ
ンディングパッド，緑色プラス極ボンディングパッド、
並びに共用マイナス極ボンディングパッドが含まれる該
PC板と、 金属反射層である黄色マイナス極及び透明導電層である
黄色プラス極を含み、該黄色プラス極の片側には細長い
金属反射層が設けられて黄色プラス極ボンディングパッ
ド及び黄色の光を反射する作用を提供している第一黄色
発光ダイオードチップと透明導電層である青色マイナス
極及び透明導電層である青色プラス極がもうけられてお
り、該青色プラス極の片側には方形の金属反射層を具有
し、青色プラス極のボンディングパッド及び黄色の光と
青色の光の反射の作用を提供し、並びに細長い金属反射
層であるマイナス極ボンディングパッドを具有し、該黄
色発光ダイオードチップに直接積み重ねられて結合され
ている該第二青色発光ダイオードチップと、 金属反射層である赤色マイナス極及び透明導電層である
赤色プラス極を具有し、該赤色プラス極の片側には細長
い金属反射層が設けられて赤色プラス極ボンディングパ
ッド及び赤色の光の反射の作用を提供している該第三赤
色発光ダイオードチップと、 透明導電層である緑色のプラス極及び透明導電層である
緑色マイナス極を具有し、該緑色プラス極の片側には方
形を呈した金属反射層が設けられて緑色プラス極ボンデ
ィングパッド及び赤色の光及び緑色の光を反射する作用
を提供しており、並びに細長い形状を呈した金属反射層
である緑色マイナス極ボンディングパッドを具有し、直
接該赤色発光ダイオードチップ上に積み重ねられて結合
している該第四発光ダイオードチップと、 該第一黄色発光ダイオードチップ，該第二青色発光ダイ
オードチップ，第三赤色発光ダイオードチップ，第四緑
色発光ダイオードチップ上のプラス極ボンディングパッ
ド及びマイナス極ボンディングパッドを、それぞれPC板
上のプラス極ボンディングパッド及びマイナス極ボンデ
ィングパッド上にまで連結している該複数の金属線と、 より構成されることを特徴とする透明導電層及び反射層
で直接結合されたチップの積み重ねによるフルカラー発
光ダイオード光源のパッケージ構造。16. A package structure of a color light emitting diode having a structure in which a yellow light emitting diode chip, a blue light emitting diode chip, a red light emitting diode chip and a green light emitting diode chip are stacked and arranged in parallel, and a metal reflection layer and a transparent conductive layer are provided. Utilizing this, the yellow LED chip and the blue LED chip are stacked and combined on the PC board, and the red LED chip and the green LED chip are arranged in parallel at adjacent positions on the PC board to emit color light. The diode includes at least a PC plate, a first yellow light emitting diode chip, a second blue light emitting diode chip, a third red light emitting diode chip, a fourth light emitting diode chip, and a plurality of metal wires, and a metal reflective layer is applied to form a pattern. Formed, die bonding pad, Red plus pole bonding pad, Blue plus pole bonding pad, Yellow plus pole bonding pad, Green plus pole bonding pad,
And a common negative electrode bonding pad included
It includes a PC plate and a yellow negative electrode which is a metal reflective layer and a yellow positive electrode which is a transparent conductive layer, and an elongated metal reflective layer is provided on one side of the yellow positive electrode to provide a yellow positive electrode bonding pad and yellow light. A first yellow light emitting diode chip that provides a reflection function, a blue negative electrode that is a transparent conductive layer, and a blue positive electrode that is a transparent conductive layer are provided, and a square metal reflection is provided on one side of the blue positive electrode. A layer having a blue positive pole bonding pad and providing the function of reflecting yellow light and blue light, and a negative pole bonding pad that is an elongated metal reflective layer, stacked directly on the yellow light emitting diode chip. The second blue light-emitting diode chip, which is connected and bonded, has a red negative electrode which is a metal reflection layer and a red positive electrode which is a transparent conductive layer. A thin metal reflective layer is provided on one side of the red positive electrode to provide a red positive electrode bonding pad and the third red light emitting diode chip that provides the function of reflecting red light, and a transparent conductive layer. It has a green positive electrode and a green negative electrode which is a transparent conductive layer, and a square metal reflection layer is provided on one side of the green positive electrode to provide a green positive electrode bonding pad and a red light and a green light. The fourth light emitting diode chip, which has a green negative electrode bonding pad that provides a reflecting function and is a metal reflection layer having an elongated shape, and is directly stacked and bonded on the red light emitting diode chip. The first yellow light emitting diode chip, the second blue light emitting diode chip, the third red light emitting diode chip, and the fourth green light emitting diode chip. The positive electrode bonding pad and the negative electrode bonding pad on the PC board are connected to the positive electrode bonding pad and the negative electrode bonding pad on the PC board, respectively, and the plurality of metal wires are connected. A package structure of a full-color light emitting diode light source by stacking chips directly connected by a transparent conductive layer and a reflective layer.
パッドは銅或いは金とし、その厚さは1000Åから20000
Åであり、その内最も適しているのは3000Åから8000Å
であることを特徴とする請求項１６記載の透明導電層及
び反射層で直接結合されたチップの積み重ねによるフル
カラー発光ダイオード光源のパッケージ構造。17. The metal reflection layer and the bonding pad on the PC board are made of copper or gold and have a thickness of 1000Å to 20000.
Å, the most suitable of which is 3000 Å to 8000 Å
The package structure of a full-color light emitting diode light source according to claim 16, wherein the chips are stacked directly on each other by a transparent conductive layer and a reflective layer.
1Pがｎ型GaAS基板上にエピ成長されたpn接合ダイオード
であり、その大きさは300μｍから1000μｍで長方形を
呈していることを特徴とする請求項１６記載の透明導電
層及び反射層で直接結合されたチップの積み重ねによる
フルカラー発光ダイオード光源のパッケージ構造。18. The yellow light emitting diode chip is P-type InGaA.
The 1P is a pn junction diode epitaxially grown on an n-type GaAS substrate, and has a rectangular shape with a size of 300 μm to 1000 μm, and is directly coupled by a transparent conductive layer and a reflective layer according to claim 16. Package structure of full-color light emitting diode light source by stacking integrated chips.
ス極の片側には細長い形状を呈した金属反射層が設けら
れて黄色プラス極のボンディングパッド及び黄色の光の
反射の役割をしていることを特徴とする請求項１６記載
の透明導電層及び反射層で直接結合されたチップの積み
重ねによるフルカラー発光ダイオード光源のパッケージ
構造。19. A striped metal reflective layer is provided on one side of the yellow plus pole of the yellow light emitting diode chip to serve as a bonding pad for the yellow plus pole and to reflect yellow light. The package structure of a full-color light emitting diode light source according to claim 16, wherein the chips are directly connected by a transparent conductive layer and a reflective layer.
ファイア上にn型InGaN及びP型InGaNのエピ成長によって
得られたpn接合ダイオードであり、その大きさは300μ
ｍから900μｍで正方形を呈していることを特徴とする
請求項１６記載の透明導電層及び反射層で直接結合され
たチップの積み重ねによるフルカラー発光ダイオード光
源のパッケージ構造。20. The blue light emitting diode chip is a pn junction diode obtained by epitaxial growth of n-type InGaN and P-type InGaN on transparent sapphire and has a size of 300 μm.
The package structure of a full color light emitting diode light source by stacking chips directly connected by a transparent conductive layer and a reflective layer according to claim 16, wherein the package structure has a square shape of m to 900 μm.
ス極の片側には方形を呈した金属反射層が設けられて青
色プラス極のボンディングパッド及び反射用としての役
割を提供しており、マイナス極はエッチングによって方
形のP型InGaNが除去された後に一層の金属反射層がスパ
ッタリングされてマイナス極のボンディングパッドとな
っていることを特徴とする請求項１６記載の透明導電層
及び反射層で直接結合されたチップの積み重ねによるフ
ルカラー発光ダイオード光源のパッケージ構造。21. A square metal reflection layer is provided on one side of the blue positive pole of the blue light emitting diode chip to provide a bonding pad for the blue positive pole and a role for reflection, and the negative pole is 17. The transparent conductive layer and the reflective layer of claim 16, wherein the metal reflective layer is sputtered to form a negative electrode bonding pad after the rectangular P-type InGaN is removed by etching. Package structure of full color LED light source by stacking different chips.
1Pがn型GaAS基板上にエピ成長されたpn接合ダイオード
であり、その大きさは300μｍから700μｍで長方形を呈
していることを特徴とする請求項１６記載の透明導電層
及び反射層で直接結合されたチップの積み重ねによるフ
ルカラー発光ダイオード光源のパッケージ構造。22. The red light emitting diode chip is a P-type InGaA
The 1P is a pn junction diode epitaxially grown on an n-type GaAS substrate, and has a rectangular shape with a size of 300 μm to 700 μm, and is directly coupled by a transparent conductive layer and a reflective layer according to claim 16. Package structure of full-color light emitting diode light source by stacking integrated chips.
ス極の片側には細長い金属反射層が設けられて赤色プラ
ス極のボンディングパッド及び赤色の光の反射の役割を
提供していることを特徴とする請求項１６記載の透明導
電層及び反射層で直接結合されたチップの積み重ねによ
るフルカラー発光ダイオード光源のパッケージ構造。23. An elongated metal reflective layer is provided on one side of the red positive electrode of the red light emitting diode chip to provide a bonding pad for the red positive electrode and a role of reflecting red light. A package structure of a full color light emitting diode light source by stacking chips directly bonded by a transparent conductive layer and a reflective layer according to claim 16.
ファイア上にn型InGaN及びP型InGaNがエピ成長して得ら
れたpn接合ダイオードであり、その大きさは200μｍか
ら600μｍで正方形を呈していることを特徴とする請求
項１６記載の透明導電層及び反射層で直接結合されたチ
ップの積み重ねによるフルカラー発光ダイオード光源の
パッケージ構造。24. The green light emitting diode chip is a pn junction diode obtained by epitaxially growing n-type InGaN and P-type InGaN on transparent sapphire, and has a square size of 200 μm to 600 μm. The package structure of a full color light emitting diode light source according to claim 16, wherein the chips are directly connected by a transparent conductive layer and a reflective layer.
ス極の片側には方形の金属反射層が設けられて緑色プラ
ス極ボンディングパッド及び赤色の光の反射の作用を提
供しており、マイナス極はエッチングによって方形のP
型InGaNが除去された後に金属反射層がスパッタリング
されてマイナス極ボンディングパッドの作用が提供され
ていることを特徴とする請求項１６記載の透明導電層及
び反射層で直接結合されたチップの積み重ねによるフル
カラー発光ダイオード光源のパッケージ構造。25. A rectangular metal reflective layer is provided on one side of the green positive electrode of the green light emitting diode chip to provide a green positive electrode bonding pad and a function of reflecting red light, and the negative electrode is etched. By the square P
The stack of chips directly bonded with a transparent conductive layer and a reflective layer according to claim 16, characterized in that the metallic reflective layer is sputtered after the type InGaN is removed to provide the function of a negative electrode bonding pad. Full color LED light source package structure.
厚さは1000Åから20000Åであり、その内最も適してい
るのは2000Åから5000Åであることを特徴とする請求項
１６記載の透明導電層及び反射層で直接結合されたチッ
プの積み重ねによるフルカラー発光ダイオード光源のパ
ッケージ構造。26. The metal reflective layer is aluminum or gold,
The full color light emitting diode according to claim 16, wherein the thickness is 1000Å to 20000Å, the most suitable of which is 2000Å to 5000Å, wherein the chips are directly connected by the transparent conductive layer and the reflective layer. Light source package structure.
３）或いは酸化錫（SnO２）及びその他の透明導電層で
あり、厚さは200Åから10000Åで、その内最も適してい
る厚さは500Åから1000Åであることを特徴とする請求
項１６記載の透明導電層及び反射層で直接結合されたチ
ップの積み重ねによるフルカラー発光ダイオード光源の
パッケージ構造。27. The transparent conductive layer is made of indium oxide (In2O).
3) Or tin oxide (SnO2) and other transparent conductive layers, the thickness of which is 200Å to 10000Å, the most suitable thickness of which is 500Å to 1000Å. A package structure of a full-color light emitting diode light source by stacking chips directly connected by a conductive layer and a reflective layer.
ナス極ボンディングパッドはアルミ或いは金であり、そ
の幅は50μｍから200μｍで、その内最も適している幅
は100μｍであることを特徴とする請求項１６記載の透
明導電層及び反射層で直接結合されたチップの積み重ね
によるフルカラー発光ダイオード光源のパッケージ構
造。28. The square positive pole metal reflection layer and the negative pole bonding pad are made of aluminum or gold, and have a width of 50 μm to 200 μm, of which the most suitable width is 100 μm. A package structure of a full color light emitting diode light source by stacking chips directly bonded by a transparent conductive layer and a reflective layer according to claim 16.
ら550℃の金属共晶ポイントにまで加熱した接合による
ものであることを特徴とする請求項１記載の透明導電層
及び反射層で直接結合されたチップの積み重ねによるフ
ルカラー発光ダイオード光源のパッケージ構造。29. Direct bonding with a transparent conductive layer and a reflective layer according to claim 1, characterized in that said stacking bonding is bonding by heating the bottom to a metal eutectic point of 450 ° C. to 550 ° C. Package structure of full-color light emitting diode light source by stacking integrated chips.
よるものであることを特徴とする請求項１記載の透明導
電層及び反射層で直接結合されたチップの積み重ねによ
るフルカラー発光ダイオード光源のパッケージ構造。30. The package structure of a full-color light emitting diode light source by stacking chips directly bonded by a transparent conductive layer and a reflective layer according to claim 1, wherein the stacking bonding is by ultrasonic bonding. .
剤での接着によるものであることを特徴とする請求項１
記載の透明導電層及び反射層で直接結合されたチップの
積み重ねによるフルカラー発光ダイオード光源のパッケ
ージ構造。31. The stacking or bonding is by gluing with a transparent adhesive.
A package structure for a full-color light-emitting diode light source by stacking chips directly bonded with a transparent conductive layer and a reflective layer according to claim.
イオードチップと赤色発光ダイオードチップ並びに緑色
発光ダイオードチップを積み重ねることによって並列し
た構成のカラー発光ダイオードパッケージにおけるバイ
アスの方法は、バイアスを調整してそれぞれ赤色発光ダ
イオード，青色発光ダイオード，緑色発光ダイオードに
供給してその光の強度を変えてその色を変化させている
ことを特徴とする透明導電層及び反射層で直接結合され
たチップの積み重ねによるフルカラー発光ダイオード光
源のパッケージ構造。32. A biasing method in a color light emitting diode package having a structure in which yellow light emitting diode chips, blue light emitting diode chips, red light emitting diode chips, and green light emitting diode chips are stacked in parallel to each other, and the bias is adjusted to respectively emit red light. A full-color light emitting diode by stacking chips directly connected by a transparent conductive layer and a reflective layer, characterized in that the light is supplied to a diode, a blue light emitting diode, and a green light emitting diode to change the intensity of the light to change its color. Light source package structure.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001384431A JP2003197968A (en) | 2001-12-18 | 2001-12-18 | Package structure for full-color light emitting diode light source constituted by laminating chips directly coupled with each other via transparent conductive layers and reflective layers upon another |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001384431A JP2003197968A (en) | 2001-12-18 | 2001-12-18 | Package structure for full-color light emitting diode light source constituted by laminating chips directly coupled with each other via transparent conductive layers and reflective layers upon another |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003197968A true JP2003197968A (en) | 2003-07-11 |
Family
ID=27594164
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001384431A Pending JP2003197968A (en) | 2001-12-18 | 2001-12-18 | Package structure for full-color light emitting diode light source constituted by laminating chips directly coupled with each other via transparent conductive layers and reflective layers upon another |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003197968A (en) |
Cited By (25)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005236303A (en) * | 2004-02-20 | 2005-09-02 | Shogen Koden Kofun Yugenkoshi | Organic adhesion light emitting element with ohmic metal bulge |
| JP2006319099A (en) * | 2005-05-12 | 2006-11-24 | Oki Data Corp | Semiconductor device, print head, and image forming apparatus |
| JP2007095844A (en) * | 2005-09-27 | 2007-04-12 | Oki Data Corp | Semiconductor light-emitting composite device |
| JP2007180507A (en) * | 2005-12-27 | 2007-07-12 | Samsung Electro Mech Co Ltd | White light emitting device |
| JP2008270406A (en) * | 2007-04-18 | 2008-11-06 | Sony Corp | Method and device for manufacturing light source substrate |
| JP2010505244A (en) * | 2006-09-28 | 2010-02-18 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | LED semiconductor body and usage of LED semiconductor body |
| JP2011044733A (en) * | 2005-05-31 | 2011-03-03 | Samsung Led Co Ltd | White light emitting element |
| JP2011249460A (en) * | 2010-05-25 | 2011-12-08 | Meijo University | White light emitting diode |
| US8624270B2 (en) | 2009-10-19 | 2014-01-07 | Lg Innotek Co., Ltd. | Device having a plurality of light emitting structures bonded by adhesive layers and light emitting device package having the same |
| JP2014175427A (en) * | 2013-03-07 | 2014-09-22 | Toshiba Corp | Semiconductor light-emitting element and method of manufacturing the same |
| US8860065B2 (en) | 2005-01-18 | 2014-10-14 | Epistar Corporation | Optoelectronic semiconductor device |
| CN110603639A (en) * | 2017-11-27 | 2019-12-20 | 首尔伟傲世有限公司 | Light emitting diode for display and display device having the same |
| JP2021508170A (en) * | 2017-12-20 | 2021-02-25 | ソウル バイオシス カンパニー リミテッドＳｅｏｕｌ Ｖｉｏｓｙｓ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． | LED unit for display and display device having it |
| US20210351230A1 (en) | 2017-11-27 | 2021-11-11 | Seoul Viosys Co., Ltd. | Light emitting diode (led) stack for a display |
| CN113655660A (en) * | 2021-08-18 | 2021-11-16 | 惠州视维新技术有限公司 | Backlight module, display screen and manufacturing method of backlight module |
| CN114497292A (en) * | 2021-12-24 | 2022-05-13 | 华灿光电（浙江）有限公司 | Three-primary-color light emitting diode chip and preparation method thereof |
| US11522008B2 (en) | 2018-01-02 | 2022-12-06 | Seoul Viosys Co., Ltd. | Display device having light emitting stacked structure |
| US11522006B2 (en) | 2017-12-21 | 2022-12-06 | Seoul Viosys Co., Ltd. | Light emitting stacked structure and display device having the same |
| US11527519B2 (en) | 2017-11-27 | 2022-12-13 | Seoul Viosys Co., Ltd. | LED unit for display and display apparatus having the same |
| US11552061B2 (en) | 2017-12-22 | 2023-01-10 | Seoul Viosys Co., Ltd. | Light emitting device with LED stack for display and display apparatus having the same |
| US11557577B2 (en) | 2018-01-03 | 2023-01-17 | Seoul Viosys Co., Ltd. | Light emitting device with LED stack for display and display apparatus having the same |
| US11804512B2 (en) | 2017-12-14 | 2023-10-31 | Seoul Viosys Co., Ltd. | Light emitting stacked structure and display device having the same |
| US11804511B2 (en) | 2017-12-05 | 2023-10-31 | Seoul Viosys Co., Ltd. | Light emitting device with LED stack for display and display apparatus having the same |
| JP7413494B2 (en) | 2017-11-27 | 2024-01-15 | ソウル バイオシス カンパニー リミテッド | display device |
| US11935912B2 (en) | 2017-11-27 | 2024-03-19 | Seoul Viosys Co., Ltd. | Light emitting device having commonly connected LED sub-units |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04120256U (en) * | 1991-04-12 | 1992-10-27 | スタンレー電気株式会社 | multicolor light emitting diode |
| JPH08202288A (en) * | 1995-01-31 | 1996-08-09 | Mitsubishi Cable Ind Ltd | Arrangement structure for semiconductor light emitting element, display device constituted of using it and its manufacture |
| JPH08213657A (en) * | 1994-10-24 | 1996-08-20 | Mitsubishi Electric Corp | Visible light led device and its manufacture |
| JP2001267638A (en) * | 2000-03-16 | 2001-09-28 | Rabo Sufia Kk | Light emitting device |
-
2001
- 2001-12-18 JP JP2001384431A patent/JP2003197968A/en active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04120256U (en) * | 1991-04-12 | 1992-10-27 | スタンレー電気株式会社 | multicolor light emitting diode |
| JPH08213657A (en) * | 1994-10-24 | 1996-08-20 | Mitsubishi Electric Corp | Visible light led device and its manufacture |
| JPH08202288A (en) * | 1995-01-31 | 1996-08-09 | Mitsubishi Cable Ind Ltd | Arrangement structure for semiconductor light emitting element, display device constituted of using it and its manufacture |
| JP2001267638A (en) * | 2000-03-16 | 2001-09-28 | Rabo Sufia Kk | Light emitting device |
Cited By (45)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8237182B2 (en) | 2004-02-20 | 2012-08-07 | Epistar Corporation | Organic adhesive light-emitting device with ohmic metal bulge |
| JP2005236303A (en) * | 2004-02-20 | 2005-09-02 | Shogen Koden Kofun Yugenkoshi | Organic adhesion light emitting element with ohmic metal bulge |
| JP4648031B2 (en) * | 2004-02-20 | 2011-03-09 | 晶元光電股▲ふん▼有限公司 | Organic adhesive light emitting device with metal bulge |
| US8860065B2 (en) | 2005-01-18 | 2014-10-14 | Epistar Corporation | Optoelectronic semiconductor device |
| JP2006319099A (en) * | 2005-05-12 | 2006-11-24 | Oki Data Corp | Semiconductor device, print head, and image forming apparatus |
| JP4636501B2 (en) * | 2005-05-12 | 2011-02-23 | 株式会社沖データ | Semiconductor device, print head, and image forming apparatus |
| US8035115B2 (en) | 2005-05-12 | 2011-10-11 | Oki Data Corporation | Semiconductor apparatus, print head, and image forming apparatus |
| JP2011044733A (en) * | 2005-05-31 | 2011-03-03 | Samsung Led Co Ltd | White light emitting element |
| JP2007095844A (en) * | 2005-09-27 | 2007-04-12 | Oki Data Corp | Semiconductor light-emitting composite device |
| JP2007180507A (en) * | 2005-12-27 | 2007-07-12 | Samsung Electro Mech Co Ltd | White light emitting device |
| US8593063B2 (en) | 2005-12-27 | 2013-11-26 | Samsung Electronics Co., Ltd. | White light emitting device |
| US8314431B2 (en) | 2006-09-28 | 2012-11-20 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | LED semiconductor element having increased luminance |
| KR101386817B1 (en) * | 2006-09-28 | 2014-04-17 | 오스람 옵토 세미컨덕터스 게엠베하 | Led semiconductor element, and use thereof |
| JP2010505244A (en) * | 2006-09-28 | 2010-02-18 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | LED semiconductor body and usage of LED semiconductor body |
| JP2008270406A (en) * | 2007-04-18 | 2008-11-06 | Sony Corp | Method and device for manufacturing light source substrate |
| US11245060B2 (en) | 2007-08-27 | 2022-02-08 | Epistar Corporation | Optoelectronic semiconductor device |
| US8624270B2 (en) | 2009-10-19 | 2014-01-07 | Lg Innotek Co., Ltd. | Device having a plurality of light emitting structures bonded by adhesive layers and light emitting device package having the same |
| JP2011249460A (en) * | 2010-05-25 | 2011-12-08 | Meijo University | White light emitting diode |
| JP2014175427A (en) * | 2013-03-07 | 2014-09-22 | Toshiba Corp | Semiconductor light-emitting element and method of manufacturing the same |
| US11532664B2 (en) | 2017-11-27 | 2022-12-20 | Seoul Viosys Co., Ltd. | Light emitting diode (LED) stack for a display |
| CN110603639A (en) * | 2017-11-27 | 2019-12-20 | 首尔伟傲世有限公司 | Light emitting diode for display and display device having the same |
| US20210351230A1 (en) | 2017-11-27 | 2021-11-11 | Seoul Viosys Co., Ltd. | Light emitting diode (led) stack for a display |
| JP2021504959A (en) * | 2017-11-27 | 2021-02-15 | ソウル バイオシス カンパニー リミテッドＳｅｏｕｌ Ｖｉｏｓｙｓ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． | Light emitting diode for display and display device having it |
| US11935912B2 (en) | 2017-11-27 | 2024-03-19 | Seoul Viosys Co., Ltd. | Light emitting device having commonly connected LED sub-units |
| JP7413494B2 (en) | 2017-11-27 | 2024-01-15 | ソウル バイオシス カンパニー リミテッド | display device |
| US11610939B2 (en) | 2017-11-27 | 2023-03-21 | Seoul Viosys Co., Ltd. | Light emitting diode (LED) stack for a display |
| US11527519B2 (en) | 2017-11-27 | 2022-12-13 | Seoul Viosys Co., Ltd. | LED unit for display and display apparatus having the same |
| US11563052B2 (en) | 2017-11-27 | 2023-01-24 | Seoul Viosys Co., Ltd. | Light emitting diode (LED) stack for a display |
| US11804511B2 (en) | 2017-12-05 | 2023-10-31 | Seoul Viosys Co., Ltd. | Light emitting device with LED stack for display and display apparatus having the same |
| US11804512B2 (en) | 2017-12-14 | 2023-10-31 | Seoul Viosys Co., Ltd. | Light emitting stacked structure and display device having the same |
| JP7387606B2 (en) | 2017-12-20 | 2023-11-28 | ソウル バイオシス カンパニー リミテッド | LED unit for display and display device having same |
| US11552057B2 (en) | 2017-12-20 | 2023-01-10 | Seoul Viosys Co., Ltd. | LED unit for display and display apparatus having the same |
| JP2021508170A (en) * | 2017-12-20 | 2021-02-25 | ソウル バイオシス カンパニー リミテッドＳｅｏｕｌ Ｖｉｏｓｙｓ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． | LED unit for display and display device having it |
| US11527514B2 (en) | 2017-12-20 | 2022-12-13 | Seoul Viosys Co., Ltd. | LED unit for display and display apparatus having the same |
| US11527513B2 (en) | 2017-12-20 | 2022-12-13 | Seoul Viosys Co., Ltd. | LED unit for display and display apparatus having the same |
| US11522006B2 (en) | 2017-12-21 | 2022-12-06 | Seoul Viosys Co., Ltd. | Light emitting stacked structure and display device having the same |
| US11756984B2 (en) | 2017-12-21 | 2023-09-12 | Seoul Viosys Co., Ltd. | Light emitting stacked structure and display device having the same |
| US11973104B2 (en) | 2017-12-21 | 2024-04-30 | Seoul Viosys Co., Ltd. | Light emitting stacked structure and display device having the same |
| US11552061B2 (en) | 2017-12-22 | 2023-01-10 | Seoul Viosys Co., Ltd. | Light emitting device with LED stack for display and display apparatus having the same |
| US11522008B2 (en) | 2018-01-02 | 2022-12-06 | Seoul Viosys Co., Ltd. | Display device having light emitting stacked structure |
| US11557577B2 (en) | 2018-01-03 | 2023-01-17 | Seoul Viosys Co., Ltd. | Light emitting device with LED stack for display and display apparatus having the same |
| US11923348B2 (en) | 2018-01-03 | 2024-03-05 | Seoul Viosys Co., Ltd. | Light emitting device with LED stack for display and display apparatus having the same |
| CN113655660A (en) * | 2021-08-18 | 2021-11-16 | 惠州视维新技术有限公司 | Backlight module, display screen and manufacturing method of backlight module |
| CN114497292B (en) * | 2021-12-24 | 2023-05-09 | 华灿光电（浙江）有限公司 | Tricolor light-emitting diode chip and preparation method thereof |
| CN114497292A (en) * | 2021-12-24 | 2022-05-13 | 华灿光电（浙江）有限公司 | Three-primary-color light emitting diode chip and preparation method thereof |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2003197968A (en) | Package structure for full-color light emitting diode light source constituted by laminating chips directly coupled with each other via transparent conductive layers and reflective layers upon another | |
| US6563139B2 (en) | Package structure of full color LED form by overlap cascaded die bonding | |
| US7683396B2 (en) | High power light emitting device assembly utilizing ESD protective means sandwiched between dual sub-mounts | |
| KR100704094B1 (en) | Color mixing light emitting diode | |
| KR100845856B1 (en) | LED package and method of manufacturing the same | |
| CN105355748B (en) | Light emitting diode | |
| US6885035B2 (en) | Multi-chip semiconductor LED assembly | |
| US8089074B2 (en) | Light emitting device having vertically stacked light emitting diodes | |
| CN102686101B (en) | Multicolour light emitting diode lamp for use in plant cultivation, lighting device and plant cultivation method | |
| US9281454B2 (en) | Thin film light emitting diode | |
| US5557115A (en) | Light emitting semiconductor device with sub-mount | |
| EP1482566A2 (en) | Light emitting diode electrode structure and full color light emitting diode formed by overlap cascaded die bonding | |
| CN100392873C (en) | Structure and method for packaging colour light-emitting diode with stacked wafer | |
| US8735913B2 (en) | Light emitting semiconductor structure | |
| CN101894851B (en) | Addressable gallium nitride-based LED display microarray and preparation method thereof | |
| JP2009111339A (en) | Light emitting diode package | |
| US8269233B2 (en) | Vertical ACLED structure | |
| US20240088107A1 (en) | Multi wavelength light emitting device and method of fabricating the same | |
| CN107112404B (en) | Light emitting device | |
| JP2002335015A (en) | Semiconductor light emitting element | |
| JPH0710003B2 (en) | Mixed color light emitting semiconductor device | |
| JPH09167861A (en) | Multi-color light-emitting device and display device using that | |
| CN208014728U (en) | Display device and its light-emitting diode chip for backlight unit | |
| TW201129228A (en) | Light emitting diode lighting apparatus | |
| JP2005142556A (en) | Full color light emitting diode fabricated by three primary color superposition |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20041105 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20070914 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20071016 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20080325 |