JP2003197570A - Apparatus and method for treating periphery of substrate - Google Patents
Apparatus and method for treating periphery of substrateInfo
- Publication number
- JP2003197570A JP2003197570A JP2001390136A JP2001390136A JP2003197570A JP 2003197570 A JP2003197570 A JP 2003197570A JP 2001390136 A JP2001390136 A JP 2001390136A JP 2001390136 A JP2001390136 A JP 2001390136A JP 2003197570 A JP2003197570 A JP 2003197570A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- wafer
- etching
- peripheral
- processing apparatus
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】この発明は、基板の周縁部の
不要な薄膜をエッチング除去する基板周縁処理装置およ
び基板周縁処理方法に関する。処理対象の基板には、た
とえば、半導体ウエハ、液晶表示装置用ガラス基板、プ
ラズマディプレイパネル用ガラス基板などが含まれる。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a substrate peripheral edge processing apparatus and a substrate peripheral edge processing method for removing an unnecessary thin film on the peripheral edge of a substrate by etching. The substrates to be processed include, for example, semiconductor wafers, glass substrates for liquid crystal display devices, glass substrates for plasma display panels, and the like.
【０００２】[0002]
【従来の技術】半導体装置の製造工程においては、半導
体ウエハ（以下、単に「ウエハ」という。）のデバイス
形成面に銅薄膜などの金属薄膜を形成した後、この金属
薄膜の不要部分をエッチング除去する処理が行われる場
合がある。たとえば、配線形成のための金属薄膜はデバ
イス形成領域に形成されていればよく、デバイス形成面
の周縁部（たとえば、ウエハの周縁から幅３mm程度の部
分）に形成された金属薄膜は不要となる。しかも、ウエ
ハの周縁部の金属薄膜は、搬送ロボットによるハンドリ
ングの際に、ハンドの金属汚染を起こし、この金属汚染
がさらに他のウエハへと転移していくという看過し難い
不具合を生じる。そこで、この不要な金属薄膜を除去す
る処理が行われる。2. Description of the Related Art In a semiconductor device manufacturing process, a metal thin film such as a copper thin film is formed on a device forming surface of a semiconductor wafer (hereinafter simply referred to as "wafer"), and then unnecessary portions of the metal thin film are removed by etching. The processing may be performed. For example, the metal thin film for forming the wiring has only to be formed in the device forming region, and the metal thin film formed on the peripheral portion of the device forming surface (for example, a portion having a width of about 3 mm from the peripheral edge of the wafer) is unnecessary. . In addition, the metal thin film on the peripheral portion of the wafer causes metal contamination of the hand during handling by the transfer robot, and this metal contamination is further transferred to another wafer, which is difficult to overlook. Therefore, a process of removing this unnecessary metal thin film is performed.
【０００３】たとえば、ウエハのデバイス形成面の周縁
部に形成されている金属薄膜を除去するための装置は、
ウエハをほぼ水平に保持して回転するバキュームチャッ
クと、このバキュームチャックに保持されているウエハ
の上面（デバイス形成面）の周縁部に向けてエッチング
液を吐出するエッジリンスノズルとを備えている。処理
時には、スピンチャックによってウエハが回転され、そ
の回転しているウエハの上面（デバイス形成面）の周縁
部にエッジリンスノズルからエッチング液が供給され
る。ウエハの上面に供給されたエッチング液は、その供
給位置からウエハの周縁に向けて流れ、これにより、ウ
エハの上面の周縁部に形成されている金属薄膜がエッチ
ング液によって除去される。For example, an apparatus for removing a metal thin film formed on the peripheral portion of the device forming surface of a wafer is
It is provided with a vacuum chuck that holds the wafer substantially horizontally and rotates, and an edge rinse nozzle that discharges the etching solution toward the peripheral edge of the upper surface (device forming surface) of the wafer held by the vacuum chuck. During processing, the wafer is rotated by the spin chuck, and the etching solution is supplied from the edge rinse nozzle to the peripheral portion of the upper surface (device forming surface) of the rotating wafer. The etching liquid supplied to the upper surface of the wafer flows from the supply position toward the peripheral edge of the wafer, whereby the metal thin film formed on the peripheral portion of the upper surface of the wafer is removed by the etching liquid.
【０００４】また、ウエハのデバイス形成面の周縁部に
形成されている金属薄膜を除去するための他の装置は、
ウエハをほぼ水平に保持して回転するスピンチャック
と、このスピンチャックに保持されているウエハの下面
（非デバイス形成面）の中央部に向けてエッチング液を
吐出する裏面ノズルとを備えている。そして、処理時に
は、スピンチャックによってウエハが回転され、その回
転しているウエハの下面に裏面ノズルからエッチング液
が供給されるとともに、ウエハの上面の回転中心に向け
て不活性ガスが供給される。これにより、ウエハの上面
の周縁部を除く領域（デバイス形成領域）が不活性ガス
で覆われて、ウエハの下面から上面に回り込んだエッチ
ング液がデバイス形成領域に進入することが防止され、
ウエハの表面の周縁部に形成されている不要な金属薄膜
がエッチング除去される。Another apparatus for removing the metal thin film formed on the peripheral portion of the device forming surface of the wafer is
The wafer includes a spin chuck that holds the wafer substantially horizontally and rotates, and a back surface nozzle that discharges the etching liquid toward the center of the lower surface (non-device forming surface) of the wafer held by the spin chuck. During processing, the wafer is rotated by the spin chuck, the etching liquid is supplied from the back surface nozzle to the lower surface of the rotating wafer, and the inert gas is supplied toward the center of rotation of the upper surface of the wafer. As a result, the region (device forming region) of the upper surface of the wafer excluding the peripheral edge portion is covered with the inert gas, and the etching solution sneaking from the lower surface of the wafer to the upper surface is prevented from entering the device forming area.
The unnecessary metal thin film formed on the peripheral portion of the surface of the wafer is removed by etching.
【０００５】[0005]
【発明が解決しようとする課題】ところが、上述の各従
来装置では、エッチング液によって金属薄膜を除去する
構成であるため、エッチング液によって金属薄膜が除去
される領域の幅（エッチング幅）の精密な制御が困難で
あるという問題があった。また、上述の各従来装置で
は、オリフラ（オリエンテーションフラット）が形成さ
れたウエハを処理する場合に、オリフラ部分の縁部に形
成されている金属薄膜の除去が困難であるという問題も
あった。すなわち、ウエハのデバイス形成面の周縁部に
エッチング液を供給する装置では、オリフラ部分の縁部
にエッチング液を供給できないおそれがある。一方、ウ
エハの非デバイス形成面にエッチング液を供給して、そ
のエッチング液をデバイス形成面の周縁部に回り込ませ
る装置では、ウエハ周縁部の直線状部分（オリフラによ
る直線状部分）におけるエッチング液のデバイス形成面
への回り込み量が少なくなり、直線状部分と円弧状部分
との境界部におけるエッチング液のデバイス形成面への
回り込み量が多くなるおそれがある。However, in each of the above-mentioned conventional apparatuses, since the metal thin film is removed by the etching solution, the width (etching width) of the region where the metal thin film is removed by the etching solution is precise. There was a problem that it was difficult to control. Further, each of the above-mentioned conventional apparatuses has a problem that it is difficult to remove the metal thin film formed on the edge portion of the orientation flat portion when processing a wafer on which the orientation flat (orientation flat) is formed. That is, in an apparatus that supplies the etching liquid to the peripheral portion of the device formation surface of the wafer, the etching liquid may not be supplied to the edge portion of the orientation flat portion. On the other hand, in an apparatus that supplies the etching liquid to the non-device forming surface of the wafer and circulates the etching liquid around the peripheral portion of the device forming surface, the etching liquid in the linear portion of the wafer peripheral portion (the linear portion due to the orientation flat) is The amount of sneaking into the device forming surface is reduced, and the amount of sneaking of the etching solution into the device forming surface at the boundary between the linear portion and the arcuate portion may be increased.
【０００６】さらに、ウエハのデバイス形成面の周縁部
にエッチング液を供給する装置では、エッチング液のミ
ストがデバイス形成領域上の金属薄膜に付着するのを防
止するために、エッチング液が供給されている間、ウエ
ハのデバイス形成面の中央部に純水を供給して、デバイ
ス形成領域を純水で覆っておくなどの措置が必要とな
る。そのうえ、デバイス形成領域を純水で覆った場合、
その純水で覆われたデバイス形成領域とエッチング液に
よって金属薄膜が除去される領域との境界付近におい
て、エッチング液が純水で希釈されるために金属薄膜が
良好に除去されず、ウエハの表面に残る金属薄膜の端面
が下方に向けて広がる傾斜面となるという新たな問題を
生じる。Further, in the apparatus for supplying the etching liquid to the peripheral portion of the device forming surface of the wafer, the etching liquid is supplied to prevent the mist of the etching liquid from adhering to the metal thin film on the device forming region. During this time, it is necessary to supply pure water to the central portion of the device formation surface of the wafer to cover the device formation region with pure water. Moreover, when the device formation area is covered with pure water,
In the vicinity of the boundary between the device formation region covered with pure water and the region where the metal thin film is removed by the etching liquid, the metal thin film is not removed well because the etching liquid is diluted with pure water, and the surface of the wafer A new problem arises that the end face of the remaining metal thin film becomes an inclined surface that spreads downward.
【０００７】そこで、この発明は、エッチング幅を精密
に制御可能な基板周縁処理装置および基板周縁処理方法
を提供することである。また、この発明の他の目的は、
オリフラが形成された基板であっても良好な処理を施す
ことができる基板周縁処理装置および基板周縁処理方法
を提供することである。この発明のさらに他の目的は、
デバイス形成領域を純水などで保護する必要の特にない
基板周縁処理装置および基板周縁処理方法を提供するこ
とである。Therefore, the present invention is to provide a substrate peripheral edge processing apparatus and a substrate peripheral edge processing method capable of precisely controlling the etching width. Another object of the present invention is to
An object of the present invention is to provide a substrate peripheral edge processing apparatus and a substrate peripheral edge processing method that can perform excellent processing even on a substrate on which an orientation flat is formed. Yet another object of the present invention is to
It is an object of the present invention to provide a substrate peripheral edge processing apparatus and a substrate peripheral edge processing method which do not particularly need to protect the device formation region with pure water or the like.
【０００８】[0008]
【課題を解決するための手段および発明の効果】上記の
目的を達成するための請求項１記載の発明は、基板
（Ｗ）の周縁部の不要な薄膜をエッチング除去する基板
周縁処理装置であって、基板を保持する基板保持機構
（１）と、光源（２１）からの所定の波長の光を基板の
周縁部に向けて照射し、基板の周縁部を光エッチングす
る光エッチング手段（２）と、基板の外周に沿って上記
光源からの光が照射されるように、上記基板保持機構と
上記光エッチング手段とを相対的に移動させる相対移動
機構（１４，２４）とを含むことを特徴とする基板周縁
処理装置である。The invention according to claim 1 for achieving the above object is a substrate edge processing apparatus for etching and removing an unnecessary thin film on the edge of a substrate (W). And a substrate holding mechanism (1) for holding the substrate, and a light etching means (2) for irradiating the peripheral portion of the substrate with light of a predetermined wavelength from the light source (21) to optically etch the peripheral portion of the substrate. And a relative movement mechanism (14, 24) for relatively moving the substrate holding mechanism and the photoetching means so that the light from the light source is irradiated along the outer periphery of the substrate. It is a substrate edge processing apparatus.
【０００９】なお、括弧内の英数字は、後述の実施形態
における対応構成要素等を表す。以下、この項において
同じ。この発明によれば、基板の周縁部に所定の波長の
光（エッチング光）が照射されて、その周縁部に形成さ
れている不要な薄膜がエッチング除去される。エッチン
グ光は、エッチング液とは異なり、基板上で流動するこ
とがない。よって、この発明の基板周縁処理装置は、エ
ッチング液によって基板の周縁部の薄膜をエッチング除
去する構成の装置に比べて、そのエッチング幅を精密に
制御することができる。The alphanumeric characters in parentheses represent corresponding components in the embodiments described later. The same applies in this section below. According to the present invention, the peripheral portion of the substrate is irradiated with light having a predetermined wavelength (etching light), and the unnecessary thin film formed on the peripheral portion is removed by etching. Unlike the etching liquid, the etching light does not flow on the substrate. Therefore, the substrate edge processing apparatus of the present invention can control the etching width more precisely than the apparatus configured to etch and remove the thin film on the peripheral edge of the substrate with the etching liquid.
【００１０】さらに、エッチング光によって薄膜を除去
する構成では、エッチング液によって薄膜をエッチング
除去する構成とは異なり、基板の中央部（デバイス形成
領域）に形成されている薄膜が不所望な腐食を受けるお
それがないから、基板の中央部を純水などで保護してお
く必要が特になく、これにより、装置のランニングコス
トの低減を図ることができる。また、相対移動機構によ
って基板保持機構と光エッチング手段とが相対的に移動
されることにより、光エッチング手段の光源からの光の
照射位置が基板の外周に沿って移動されるから、基板の
外形形状にかかわらず、基板の周縁部から不要な薄膜を
良好にエッチング除去することができる。Further, in the structure in which the thin film is removed by etching light, unlike the structure in which the thin film is removed by etching with an etching solution, the thin film formed in the central portion (device forming region) of the substrate undergoes undesired corrosion. Since there is no fear, it is not particularly necessary to protect the central portion of the substrate with pure water or the like, which can reduce the running cost of the device. Further, since the relative movement mechanism relatively moves the substrate holding mechanism and the photoetching means, the irradiation position of the light from the light source of the photoetching means is moved along the outer periphery of the substrate. Irrespective of the shape, unnecessary thin films can be satisfactorily removed by etching from the peripheral portion of the substrate.
【００１１】たとえば、基板がほぼ円形の基板で、オリ
エンテーションフラットを有しているものであっても
（請求項７，８）、そのオリエンテーションフラット部
分の縁部に形成されている銅薄膜を良好にエッチング除
去することができ、基板の周縁部から不要な銅薄膜を良
好にエッチング除去することができる。なお、上記光源
は、所定の波長のレーザ光を発生するレーザ光源であっ
てもよく（請求項２）、さらには、所定の波長のＸｅレ
ーザ光を発生するＸｅレーザ光源であってもよい（請求
項３）。For example, even if the substrate is a substantially circular substrate having an orientation flat (claims 7 and 8), the copper thin film formed on the edge portion of the orientation flat portion can be favorably processed. It can be removed by etching, and the unnecessary copper thin film can be removed favorably by etching from the peripheral portion of the substrate. The light source may be a laser light source that emits laser light of a predetermined wavelength (claim 2), or may be a Xe laser light source that emits Xe laser light of a predetermined wavelength (claim 2). Claim 3).
【００１２】また、上記光源からの光は、波長が２４８
〜２６６ｎｍの光であることが好ましい（請求項４）。
さらに、上記光エッチング手段は、上記光源からの光を
基板の表面に対して斜め方向から基板の周縁部に照射可
能に構成されていることが好ましい（請求項５）。この
場合、光源からの光を基板の端面にも良好に照射するこ
とができ、基板の端面に形成されている薄膜を良好にエ
ッチング除去することができる。The light from the light source has a wavelength of 248.
It is preferably light of ˜266 nm (claim 4).
Further, it is preferable that the photo-etching means is configured to be able to irradiate the peripheral portion of the substrate with light from the light source obliquely to the surface of the substrate (claim 5). In this case, the light from the light source can be satisfactorily applied to the end face of the substrate, and the thin film formed on the end face of the substrate can be satisfactorily removed by etching.
【００１３】さらにまた、上記基板周縁処理装置は、上
記基板保持機構に保持された基板の外周位置を検出する
基板外周検出手段（４）をさらに含むことが好ましい
（請求項６）。この基板外周検出手段を含むことによ
り、基板の外周に応じて基板保持機構と光エッチング手
段とを相対的に移動させることが容易となる。請求項９
記載の発明は、基板（Ｗ）の周縁部の不要な薄膜をエッ
チング除去して、その基板の周縁部を処理する方法であ
って、基板保持機構（１）で基板を保持する基板保持工
程と、光エッチング手段（２）に備えられた光源（２
１）からの所定の波長の光を、上記基板保持機構に保持
された基板の周縁部に照射して、基板の周縁部を光エッ
チングする光エッチング工程と、この光エッチング工程
中において、基板の外周に沿って光が照射されるよう
に、上記基板保持機構と上記光エッチング手段とを相対
的に移動させる相対移動工程とを含むことを特徴とする
基板周縁処理方法である。Furthermore, it is preferable that the substrate edge processing apparatus further includes a substrate outer periphery detecting means (4) for detecting an outer periphery position of the substrate held by the substrate holding mechanism (claim 6). By including the substrate outer circumference detecting means, it becomes easy to relatively move the substrate holding mechanism and the photoetching means according to the outer circumference of the substrate. Claim 9
The described invention is a method of etching and removing an unnecessary thin film on the peripheral portion of the substrate (W) to process the peripheral portion of the substrate, which comprises a substrate holding step of holding the substrate by the substrate holding mechanism (1). , A light source (2) provided in the optical etching means (2)
1) The light having a predetermined wavelength from 1) is applied to the peripheral portion of the substrate held by the substrate holding mechanism to perform the optical etching of the peripheral portion of the substrate; A substrate peripheral edge processing method comprising: a relative movement step of relatively moving the substrate holding mechanism and the photoetching means so that light is irradiated along the outer periphery.
【００１４】この方法によれば、請求項１に関連して述
べた効果と同様な効果を奏することができる。請求項１
０記載の発明は、上記光エッチング工程の後、周縁部が
光エッチングされた基板にリンス液を供給するリンス液
供給工程をさらに含むことを特徴とする請求項９記載の
基板周縁処理方法である。この方法によれば、光で分解
されて基板上に残っている薄膜の残渣がリンス液で洗い
流され、処理後の基板を清浄にすることができる。なお
ここで、リンス液は基板上に残っている薄膜の残渣を洗
い流せるものならなんでもよく、たとえば、純水、有機
溶剤、還元水（水素水）、イオン水、脱酸素水、および
炭酸水等のうちのいずれであってもよい。According to this method, the same effects as the effects described in relation to claim 1 can be obtained. Claim 1
10. The method according to claim 9, further comprising a rinse liquid supply step of supplying a rinse liquid to the substrate whose peripheral portion has been photo-etched after the photo-etching step. . According to this method, the thin film residue that has been decomposed by light and remains on the substrate is washed away with the rinse liquid, and the processed substrate can be cleaned. Any rinse liquid may be used as long as it can wash away the residue of the thin film remaining on the substrate. For example, pure water, organic solvent, reduced water (hydrogen water), ion water, deoxidized water, carbonated water, etc. Either of them may be used.
【００１５】請求項１１記載の発明は、上記光エッチン
グ工程と並行して、基板の中央部に保護液を供給する保
護液供給工程をさらに含むことを特徴とする請求項９ま
たは１０記載の基板周縁処理方法である。この方法によ
れば、光エッチング工程中に薄膜の残渣が飛散する場合
に、その残渣が基板の中央部に付着することをさらに防
止できる。なお、ここでいう保護液としては、基板中央
部のデバイス形成領域（デバイス形成面）に影響を与え
にくいものであればなんでもよく、たとえば、純水、還
元水（水素水）、イオン水、脱酸素水、および炭酸水等
のうちのいずれであってもよい。The invention according to claim 11 further comprises a protective liquid supply step of supplying a protective liquid to the central portion of the substrate in parallel with the photoetching step. This is a peripheral edge processing method. According to this method, when the residue of the thin film is scattered during the photoetching process, it is possible to further prevent the residue from adhering to the central portion of the substrate. Any protective liquid may be used as long as it does not easily affect the device forming area (device forming surface) in the central portion of the substrate. For example, pure water, reducing water (hydrogen water), ionic water, or deionized water may be used. It may be oxygen water, carbonated water, or the like.
【００１６】[0016]
【発明の実施の形態】以下では、この発明の実施の形態
を、添付図面を参照して詳細に説明する。図１は、この
発明の一実施形態に係る基板周縁処理装置の構成を図解
的に示す図である。この基板周縁処理装置は、ほぼ円形
の基板であるウエハＷのデバイス形成面の周縁部（ウエ
ハ周縁領域）および周端面に形成されている不要な銅薄
膜をエッチング除去するための装置である。Embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the accompanying drawings. FIG. 1 is a diagram schematically showing the structure of a substrate edge processing apparatus according to an embodiment of the present invention. The substrate peripheral edge processing apparatus is an apparatus for etching and removing unnecessary copper thin films formed on the peripheral edge portion (wafer peripheral area) of the device formation surface of the wafer W, which is a substantially circular substrate, and the peripheral end surface.
【００１７】この基板周縁処理装置は、ウエハＷをほぼ
水平に保持して回転するバキュームチャック１と、この
バキュームチャック１に保持されたウエハＷの周縁部お
よび周端面から銅薄膜を除去するためのレーザ光を照射
する光エッチング装置２と、バキュームチャック１に保
持されているウエハＷの上面のほぼ中心付近にリンス液
としての純水を供給する純水ノズル３とを備えている。
バキュームチャック１は、ほぼ鉛直に配置されたチャッ
ク軸１１と、このチャック軸１１の上端にほぼ水平に固
定された円板状の吸着ベース１２とを含む。チャック軸
１１は、たとえば、円筒状に形成されることによって吸
気路１３を内部に有しており、この吸気路１３の上端
は、吸着ベース１２の内部に形成された吸着路を介し
て、吸着ベース１２の上面に形成された吸着口に連通さ
れている。また、チャック軸１１には、モータなどを含
む回転駆動機構１４から回転力が入力されるようになっ
ている。This substrate edge processing apparatus is for holding a wafer W in a substantially horizontal position and rotating it, and for removing a copper thin film from a peripheral edge portion and a peripheral end surface of the wafer W held by the vacuum chuck 1. An optical etching device 2 for irradiating a laser beam and a pure water nozzle 3 for supplying pure water as a rinse liquid to near the center of the upper surface of the wafer W held by the vacuum chuck 1 are provided.
The vacuum chuck 1 includes a chuck shaft 11 arranged substantially vertically and a disc-shaped suction base 12 fixed to the upper end of the chuck shaft 11 substantially horizontally. The chuck shaft 11 has, for example, a suction passage 13 formed therein by being formed into a cylindrical shape, and an upper end of the suction passage 13 is sucked through a suction passage formed inside the suction base 12. It communicates with the suction port formed on the upper surface of the base 12. Rotational force is input to the chuck shaft 11 from a rotary drive mechanism 14 including a motor and the like.
【００１８】これにより、バキュームチャック１は、吸
着ベース１２上にウエハＷがデバイス形成面を上方に向
けて載置された状態で、吸気路１３の内部を排気するこ
とにより、ウエハＷの非デバイス形成面を真空吸着して
ほぼ水平に保持することができる。そして、この状態
で、回転駆動機構１４からチャック軸１１に回転力を入
力することにより、吸着ベース１２で吸着保持したウエ
ハＷを、そのほぼ中心を通る鉛直軸線（チャック軸１１
の中心軸線）Ｏまわりに回転させることができる。Thus, in the vacuum chuck 1, the wafer W is placed on the suction base 12 with the device formation surface facing upward, and the inside of the intake passage 13 is evacuated to remove the non-device of the wafer W. The forming surface can be vacuum-adsorbed and held substantially horizontally. Then, in this state, by inputting a rotational force from the rotary drive mechanism 14 to the chuck shaft 11, the wafer W sucked and held by the suction base 12 is vertically aligned with the vertical axis (chuck shaft 11).
It can be rotated around the central axis O).
【００１９】光エッチング装置２は、波長が２４８〜２
６６ｎｍのＸｅレーザを発生するレーザ光源２１をハウ
ジング２２内に内蔵しており、レーザ光源２１からのＸ
ｅレーザ光を、ハウジング２２に設けられた投光部２３
を介して、ウエハＷの上面（デバイス形成面）の周縁部
に照射できるようになっている。投光部２３は、たとえ
ば、縦０．５〜１ｍｍ×横０．８〜１ｍｍのサイズの矩
形状に形成されていて、その全面（全域）からＸｅレー
ザ光を出射する。また、光エッチング装置２には、ハウ
ジング２２をウエハＷの上面とほぼ平行なＸＹ平面内で
動かすためのＸＹ駆動機構２４とウエハＷの上面に対す
るＸｅレーザ光の照射角度（入射角度）を変更するため
のθ駆動機構２５とが備えられている。The photo-etching device 2 has a wavelength of 248-2.
A laser light source 21 for generating a 66 nm Xe laser is built in a housing 22.
An e-laser light projecting unit 23 provided in the housing 22.
The peripheral portion of the upper surface (device forming surface) of the wafer W can be irradiated via the. The light projecting portion 23 is formed in a rectangular shape having a size of 0.5 to 1 mm in length and 0.8 to 1 mm in width, and emits Xe laser light from the entire surface (entire area) thereof. Further, in the photoetching apparatus 2, the XY drive mechanism 24 for moving the housing 22 in the XY plane substantially parallel to the upper surface of the wafer W and the irradiation angle (incident angle) of the Xe laser light with respect to the upper surface of the wafer W are changed. And a θ drive mechanism 25 for
【００２０】この基板周縁処理装置はさらに、バキュー
ムチャック１に保持されているウエハＷの外周位置を検
出するエッジサンプリングセンサ４と、ウエハＷ（バキ
ュームチャック１）の回転位置を検出するための回転位
置センサ５とを備えている。エッジサンプリングセンサ
４は、たとえば、バキュームチャック１に保持されたウ
エハＷの半径方向に０．５ｍｍの間隔で並んだ複数本
（たとえば、２２本）のセンサ光を出力する投光部４１
と、この投光部４１からのセンサ光を受光する受光部４
２とを含む。図２に示すように、投光部４１および受光
部４２は、バキュームチャック１に保持されたウエハＷ
を挟んで対向するように配置されていて、投光部４１か
ら出力される複数本のセンサ光は、投光部４１と受光部
４２との間に進入しているウエハＷによって、そのウエ
ハＷの外周位置に応じた本数だけ受光部４２側への通過
が遮られる。したがって、そのウエハＷによって遮断さ
れたセンサ光の本数に基づいて、予め定める位置を基準
とするウエハＷの外周位置のＸＹ座標を検出することが
できる。The substrate edge processing apparatus further includes an edge sampling sensor 4 for detecting the outer peripheral position of the wafer W held on the vacuum chuck 1 and a rotational position for detecting the rotational position of the wafer W (vacuum chuck 1). And a sensor 5. The edge sampling sensor 4 outputs, for example, a plurality of (for example, 22) sensor lights arranged in the radial direction of the wafer W held by the vacuum chuck 1 at intervals of 0.5 mm (for example, 22).
And a light receiving section 4 for receiving the sensor light from the light projecting section 41.
Including 2 and. As shown in FIG. 2, the light projecting unit 41 and the light receiving unit 42 are the wafers W held by the vacuum chuck 1.
The plurality of sensor lights, which are arranged so as to face each other with the wafer W interposed therebetween, are emitted from the light projecting unit 41 by the wafer W entering between the light projecting unit 41 and the light receiving unit 42. The passage to the side of the light receiving unit 42 is blocked by the number corresponding to the outer peripheral position. Therefore, based on the number of sensor lights blocked by the wafer W, it is possible to detect the XY coordinates of the outer peripheral position of the wafer W with reference to a predetermined position.
【００２１】エッジサンプリングセンサ４および回転位
置センサ５の出力は、たとえば、パーソナルコンピュー
タで構成される制御部６に与えられている。制御部６
は、エッジサンプリングセンサ４および回転位置センサ
５の出力に基づいて、バキュームチャック１の回転駆動
機構１４、ならびに光エッチング装置２のＸＹ駆動機構
２４およびθ駆動機構２５の動作を制御する。ウエハＷ
に対する処理を開始する前の期間には、制御部６は、回
転駆動機構１４を停止させて、バキュームチャック１を
停止状態に保持している。ウエハＷのデバイス形成面へ
の銅薄膜の形成後、そのウエハＷが、基板搬送ロボット
（図示せず）によって搬入されてきて、デバイス形成面
を上に向けた状態でバキュームチャック１に受け渡され
ると、制御部６は、回転駆動機構１４を制御して、バキ
ュームチャック１の回転を開始させる。The outputs of the edge sampling sensor 4 and the rotational position sensor 5 are given to a control unit 6 which is, for example, a personal computer. Control unit 6
Controls the operation of the rotary drive mechanism 14 of the vacuum chuck 1 and the XY drive mechanism 24 and the θ drive mechanism 25 of the photoetching apparatus 2 based on the outputs of the edge sampling sensor 4 and the rotational position sensor 5. Wafer W
In the period before starting the process for (1), the control unit 6 stops the rotary drive mechanism 14 and holds the vacuum chuck 1 in a stopped state. After the copper thin film is formed on the device forming surface of the wafer W, the wafer W is carried in by a substrate transfer robot (not shown) and transferred to the vacuum chuck 1 with the device forming surface facing upward. Then, the control unit 6 controls the rotation drive mechanism 14 to start the rotation of the vacuum chuck 1.
【００２２】バキュームチャック１が予め定める低速度
（たとえば、３〜１０ｒｐｍ）に達すると、制御部６
は、エッジサンプリングセンサ４の検出信号を一定の時
間間隔で取り込んで、その回転中のウエハＷの外周位置
のＸＹ座標を一定時間間隔で検出する。また、回転位置
センサ５の出力に基づいて、各ＸＹ座標の検出タイミン
グにおけるウエハＷの回転位置を検出する。そして、こ
れらの検出結果に基づいて、制御部６は、回転中のウエ
ハＷの画像をコンピュータ上で構築する。When the vacuum chuck 1 reaches a predetermined low speed (for example, 3 to 10 rpm), the controller 6
Captures the detection signal of the edge sampling sensor 4 at regular time intervals and detects the XY coordinates of the outer peripheral position of the rotating wafer W at regular time intervals. Further, the rotation position of the wafer W at the detection timing of each XY coordinate is detected based on the output of the rotation position sensor 5. Then, based on these detection results, the control unit 6 builds an image of the rotating wafer W on the computer.
【００２３】その後、制御部６は、θ駆動機構２５を制
御して、図３に示すように、回転中のウエハＷの周端面
に斜め上方からＸｅレーザ光を照射させる。このとき、
制御部４は、コンピュータ上に構築した回転中のウエハ
Ｗの画像に基づいて、ＸＹ駆動機構２４を制御して、Ｘ
ｅレーザ光がウエハＷの端面に良好に照射されるよう
に、光エッチング装置２の位置をウエハＷの外形に応じ
て調整する。これにより、ウエハＷにオリフラ（オリエ
ンテーションフラット）やノッチが形成されていても、
そのオリフラ部分やノッチ部分の端面に形成されている
銅薄膜もエッチング除去することができ、ウエハＷの周
端面に形成されている不要な銅薄膜を良好にエッチング
除去することができる。また、ウエハＷの中心とバキュ
ームチャック１によるウエハＷの回転中心とが一致して
おらず、ウエハＷが偏心回転している場合であっても、
ウエハＷの周端面に形成されている不要な銅薄膜を良好
にエッチング除去することができる。After that, the controller 6 controls the θ driving mechanism 25 to irradiate the peripheral end surface of the rotating wafer W with Xe laser light from obliquely above, as shown in FIG. At this time,
The control unit 4 controls the XY drive mechanism 24 based on the image of the rotating wafer W constructed on the computer, and the X
The position of the photoetching device 2 is adjusted according to the outer shape of the wafer W so that the end facet of the wafer W is favorably irradiated with the e-laser light. As a result, even if an orientation flat or a notch is formed on the wafer W,
The copper thin film formed on the end faces of the orientation flat portion and the notch portion can also be removed by etching, and the unnecessary copper thin film formed on the peripheral end face of the wafer W can be removed by etching. Further, even when the center of the wafer W and the rotation center of the wafer W by the vacuum chuck 1 do not coincide with each other and the wafer W is eccentrically rotated,
The unnecessary copper thin film formed on the peripheral end surface of the wafer W can be satisfactorily removed by etching.
【００２４】ウエハＷの周端面へのＸｅレーザ光の照射
が開始されてからウエハＷが一回転し、ウエハＷの周端
面全域から銅薄膜が除去されると、制御部６は、θ駆動
機構２５を制御して、光エッチング装置２からのＸｅレ
ーザ光の照射角度をウエハＷの上面に対してほぼ垂直に
する。そして、たとえば、ウエハＷが一回転するごと
に、ＸＹ駆動機構２４を制御して、ウエハＷの上面にお
けるＸｅレーザ光の照射位置がウエハＷの回転中心に近
づくように光エッチング装置２（ハウジング２２）を移
動させる。これにより、ウエハＷの上面に形成されてい
る銅薄膜が、周縁部からＸｅレーザ光によってエッチン
グ除去されていく。また、このとき、制御部４は、コン
ピュータ上に構築した回転中のウエハＷの画像に基づい
て、ＸＹ駆動機構２４を制御して、光エッチング装置２
の位置をウエハＷの外形に応じて調整する。これによ
り、ウエハＷにオリフラ（オリエンテーションフラッ
ト）やノッチが形成されていても、そのオリフラ部分や
ノッチ部分の上面縁部に形成されている銅薄膜を良好に
エッチング除去することができ、ウエハＷの上面の周縁
部全域から銅薄膜を良好にエッチング除去することがで
きる。また、ウエハＷの中心とバキュームチャック１に
よるウエハＷの回転中心とが一致しておらず、ウエハＷ
が偏心回転している場合であっても、ウエハＷの上面の
周縁部全域から銅薄膜を良好にエッチング除去すること
ができる。When the wafer W makes one rotation after the irradiation of the Xe laser beam to the peripheral end surface of the wafer W is started and the copper thin film is removed from the entire peripheral end surface of the wafer W, the control unit 6 causes the θ drive mechanism. 25 is controlled so that the irradiation angle of the Xe laser beam from the photoetching device 2 is substantially perpendicular to the upper surface of the wafer W. Then, for example, every time the wafer W makes one revolution, the XY drive mechanism 24 is controlled so that the irradiation position of the Xe laser light on the upper surface of the wafer W approaches the rotation center of the wafer W (the housing 22). ) Move. As a result, the copper thin film formed on the upper surface of the wafer W is etched away from the peripheral edge portion by the Xe laser light. Further, at this time, the control unit 4 controls the XY drive mechanism 24 based on the image of the rotating wafer W built on the computer, and the photoetching apparatus 2 is controlled.
Position is adjusted according to the outer shape of the wafer W. As a result, even if the orientation flat or the notch is formed on the wafer W, the copper thin film formed on the edge portion of the upper surface of the orientation flat or the notch can be satisfactorily etched and removed. The copper thin film can be satisfactorily removed by etching from the entire peripheral portion of the upper surface. Further, the center of the wafer W and the rotation center of the wafer W by the vacuum chuck 1 do not coincide with each other, and the wafer W
Even if the eccentric rotation occurs, the copper thin film can be satisfactorily removed by etching from the entire peripheral portion of the upper surface of the wafer W.
【００２５】なお、ウエハＷにオリフラが形成されてい
る場合には、制御部６は、そのオリフラ部分が光エッチ
ング装置２に対向した時にバキュームチャック１による
ウエハＷの回転を停止させ、図４に示すように、オリフ
ラ部分に沿って光エッチング装置２を移動させることに
より、オリフラ部分の上面縁部にＸｅレーザ光を照射し
て銅薄膜を除去するようにしてもよい。また、オリフラ
部分の端面についても、それと同様な処理が行われても
よい。When the orientation flat is formed on the wafer W, the control unit 6 stops the rotation of the wafer W by the vacuum chuck 1 when the orientation flat portion faces the photo-etching device 2, and FIG. As shown, by moving the photoetching device 2 along the orientation flat portion, the copper thin film may be removed by irradiating the upper edge of the orientation flat portion with Xe laser light. Further, the same processing may be performed on the end face of the orientation flat portion.
【００２６】こうしてウエハＷの上面の周縁部の銅薄膜
を除去すべき領域（ウエハＷの周縁から幅３mm程度の領
域）から銅薄膜が除去されると、光エッチング装置２か
らのＸｅレーザ光の出力が停止され、その後、純水ノズ
ル３から回転中のウエハＷの上面の中央部にリンス液と
しての純水が供給される。これにより、Ｘｅレーザ光で
分解されてウエハＷの上面の周縁部に残っている残渣
が、ウエハＷの回転による遠心力を受けてウエハＷの中
央部から周縁に向けて流れる純水によって押し流され
る。この純水によるリンス処理が所定時間だけ行われる
と、純水ノズル３からウエハＷへの純水の供給が停止さ
れる。In this way, when the copper thin film is removed from the region where the copper thin film is to be removed from the peripheral portion of the upper surface of the wafer W (the region having a width of about 3 mm from the peripheral edge of the wafer W), the Xe laser beam from the optical etching apparatus 2 is emitted. The output is stopped, and thereafter, pure water as a rinse liquid is supplied from the pure water nozzle 3 to the central portion of the upper surface of the rotating wafer W. As a result, the residue decomposed by the Xe laser light and remaining on the peripheral edge of the upper surface of the wafer W is washed away by the pure water flowing from the central portion of the wafer W toward the peripheral edge by the centrifugal force generated by the rotation of the wafer W. . When this rinse treatment with pure water is performed for a predetermined time, the supply of pure water from the pure water nozzle 3 to the wafer W is stopped.
【００２７】純水の供給停止後、制御部６は、回転駆動
機構１４を制御して、バキュームチャック１の回転を停
止させる。これでウエハＷのデバイス形成面のウエハ周
縁領域および周端面から銅薄膜を除去するための処理は
終了であり、この処理後のウエハＷは、基板搬送ロボッ
トによって、この基板周縁処理装置から次工程のための
処理装置へと搬出される。なお、Ｘｅレーザ光の照射中
に銅薄膜の残渣がどうしても飛散してしまうような場合
には、特別にウエハＷの中央部に保護液としての純水を
供給しつつ、ウエハＷの上面周縁部または端面にＸｅレ
ーザ光を照射するようにしてもよい。こうすることによ
り、銅薄膜の残渣がウエハＷの中央部のデバイス形成領
域に付着することをさらに防止できる。After stopping the supply of pure water, the control unit 6 controls the rotation drive mechanism 14 to stop the rotation of the vacuum chuck 1. This is the end of the process for removing the copper thin film from the wafer peripheral region and the peripheral end face of the device formation surface of the wafer W, and the processed wafer W is transferred from the substrate peripheral processing apparatus to the next step by the substrate transfer robot. To the processing equipment for. When the residue of the copper thin film is inevitably scattered during the irradiation with the Xe laser light, the pure water as the protective liquid is supplied to the central portion of the wafer W and the peripheral portion of the upper surface of the wafer W is specially supplied. Alternatively, the end face may be irradiated with Xe laser light. By doing so, it is possible to further prevent the residue of the copper thin film from adhering to the device formation region in the central portion of the wafer W.
【００２８】また、この実施形態では、ウエハＷが一回
転するごとに、ウエハＷの上面におけるＸｅレーザ光の
照射位置がウエハＷの回転中心に近づくように光エッチ
ング装置２を移動させるとしたが、ウエハＷの回転速度
によっては、ウエハＷが複数回転するごとに光エッチン
グ装置２を移動させるようにしてもよい。以上のよう
に、この基板周縁処理装置では、ウエハＷの上面の周縁
部および周端面にＸｅレーザ光が照射されて、その周縁
部および周端面に形成されている不要な銅薄膜がエッチ
ング除去される。Further, in this embodiment, the photoetching apparatus 2 is moved so that the irradiation position of the Xe laser light on the upper surface of the wafer W approaches the rotation center of the wafer W every time the wafer W rotates once. Depending on the rotation speed of the wafer W, the photoetching apparatus 2 may be moved every time the wafer W rotates a plurality of times. As described above, in this substrate peripheral edge processing apparatus, the peripheral edge portion and the peripheral edge surface of the upper surface of the wafer W are irradiated with the Xe laser light to remove the unnecessary copper thin film formed on the peripheral edge portion and the peripheral edge surface by etching. It
【００２９】Ｘｅレーザ光は、エッチング液とは異な
り、ウエハＷ上で流動することがない。よって、この基
板周縁処理装置は、エッチング液によってウエハＷの上
面の周縁部の銅薄膜をエッチング除去する構成の装置に
比べて、そのエッチング幅を精密に制御することができ
る。また、上述のように、光エッチング装置２の位置が
ウエハＷの外形に応じて調整されるから、ウエハＷにオ
リフラやノッチが形成されていても、そのオリフラ部分
やノッチ部分の上面縁部および端面に形成されている銅
薄膜を良好にエッチング除去することができ、ウエハＷ
の上面周縁部および周端面の全域から不要な銅薄膜を良
好にエッチング除去することができる。Unlike the etching liquid, the Xe laser light does not flow on the wafer W. Therefore, this substrate peripheral processing apparatus can control the etching width more precisely than an apparatus configured to etch and remove the copper thin film on the peripheral portion of the upper surface of the wafer W by the etching liquid. Further, as described above, since the position of the optical etching apparatus 2 is adjusted according to the outer shape of the wafer W, even if an orientation flat or a notch is formed on the wafer W, the orientation flat portion or the upper surface edge portion of the notch portion and It is possible to satisfactorily remove the copper thin film formed on the end face by etching,
Unnecessary copper thin film can be satisfactorily removed by etching from the peripheral portion of the upper surface and the entire peripheral end surface.
【００３０】さらに、Ｘｅレーザ光によって銅薄膜を除
去する構成では、エッチング液によって銅薄膜をエッチ
ング除去する構成とは異なり、ウエハＷの上面の中央部
（デバイス形成領域）に形成されている銅薄膜が不所望
な腐食を受けるおそれがないから、ウエハＷの上面の中
央部を純水などで保護しておく必要が特になく、これに
より、装置のランニングコストの低減を図ることができ
る。以上、この発明の一実施形態について説明したが、
この発明は他の形態で実施することもできる。たとえ
ば、ウエハＷを保持して回転させる手段としては、バキ
ュームチャック１に限らず、ウエハＷの端面を少なくと
も３つのローラ（たとえば、鼓状ローラ）で挟持し、そ
の状態でローラを回転させることによりウエハＷを回転
させるローラピンチャックが採用されてもよい。Further, in the structure in which the copper thin film is removed by the Xe laser beam, unlike the structure in which the copper thin film is removed by etching with the etching liquid, the copper thin film formed in the central portion (device forming region) of the upper surface of the wafer W is removed. Since there is no possibility of undesired corrosion, it is not necessary to protect the central portion of the upper surface of the wafer W with pure water or the like, which can reduce the running cost of the apparatus. The embodiment of the present invention has been described above.
The present invention can be implemented in other forms. For example, the means for holding and rotating the wafer W is not limited to the vacuum chuck 1, but the end surface of the wafer W is clamped by at least three rollers (for example, drum rollers), and the rollers are rotated in that state. A roller pin chuck that rotates the wafer W may be adopted.
【００３１】また、光エッチング装置２のレーザ光源２
１は、Ｘｅレーザ光を発生するものに限らず、たとえ
ば、ＣＯ2レーザ、ＡｒＦエキシマレーザ、ＫｒＦエキ
シマレーザまたはＸｅＣｌエキシマレーザを発生するも
のであってもよい。さらに、光エッチング装置２は、レ
ーザ光をウエハＷに照射するものに限らず、たとえば、
Ｘｅ−ＨｇランプまたはＨｇランプを光源として備え、
この光源からの光をウエハＷに照射するものであっても
よい。Further, the laser light source 2 of the optical etching apparatus 2
1 is not limited to the one that generates the Xe laser light, and may be, for example, one that generates a CO 2 laser, an ArF excimer laser, a KrF excimer laser, or a XeCl excimer laser. Further, the photoetching device 2 is not limited to one that irradiates the wafer W with the laser light, and, for example,
Equipped with a Xe-Hg lamp or Hg lamp as a light source,
The light from the light source may be applied to the wafer W.
【００３２】また、上述の実施形態では、銅薄膜をレー
ザ光でエッチング除去する例を挙げたが、アルミニウム
薄膜やタングステン薄膜など、レーザ光などのエッチン
グ光を透過しない性質を有する金属の薄膜であれば、エ
ッチング光でエッチング除去することが可能である。さ
らにまた、上述の実施形態では、ウエハＷの上面周縁部
および端面の全域から銅薄膜を除去する場合を例にとっ
たが、上述の実施形態に係る基板周縁処理装置であれ
ば、ウエハＷの上面周縁部および端面の一部分に形成さ
れている銅薄膜だけを除去することが可能であるから、
たとえば、ウエハＷを搬送する際に基板搬送ロボット
（アーム）が接触する部位に形成されている銅薄膜のみ
をエッチング除去するようにしてもよい。Further, in the above-mentioned embodiment, an example in which the copper thin film is removed by etching with a laser beam has been described, but it may be a thin metal film such as an aluminum thin film or a tungsten thin film having a property of not transmitting etching light such as laser light. For example, it can be removed by etching with etching light. Furthermore, in the above-described embodiment, the case where the copper thin film is removed from the entire upper edge portion and the entire end surface of the wafer W has been described as an example. Since it is possible to remove only the copper thin film formed on the peripheral portion of the upper surface and a part of the end surface,
For example, when the wafer W is transferred, only the copper thin film formed at the portion contacted by the substrate transfer robot (arm) may be removed by etching.
【００３３】また、処理対象の基板は、ほぼ円形のウエ
ハＷに限らず、液晶表示装置用ガラス基板などの角形基
板であってもよい。処理対象の基板が角形基板の場合に
は、角形基板を停止させた状態で、その角形基板の外周
に沿って光エッチング装置２を移動させて、角形基板の
周縁部の金属薄膜をエッチング除去することが好まし
い。その他、特許請求の範囲に記載された事項の範囲で
種々の設計変更を施すことが可能である。The substrate to be processed is not limited to the substantially circular wafer W, but may be a rectangular substrate such as a glass substrate for a liquid crystal display device. When the substrate to be processed is a rectangular substrate, the photoetching device 2 is moved along the outer periphery of the rectangular substrate while the rectangular substrate is stopped, and the metal thin film on the peripheral portion of the rectangular substrate is removed by etching. It is preferable. In addition, various design changes can be made within the scope of the matters described in the claims.
【図１】この発明の一実施形態に係る基板周縁処理装置
の構成を図解的に示す図である。FIG. 1 is a diagram schematically showing a configuration of a substrate edge processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
【図２】エッジサンプリングセンサの構成について説明
するための図である。FIG. 2 is a diagram for explaining a configuration of an edge sampling sensor.
【図３】エッチング処理時の光エッチング装置の動きに
ついて説明するための図である。FIG. 3 is a diagram for explaining the movement of the photoetching device during the etching process.
【図４】オリフラ部分のエッチング処理について説明す
るための図である。FIG. 4 is a diagram for explaining an etching process of an orientation flat portion.
１ バキュームチャック ２ 光エッチング装置 ３ 純水ノズル ４ エッジサンプリングセンサ ５ 回転位置センサ ６ 制御部 １１ チャック軸 １２ 吸着ベース １３ 吸気路 １４ 回転駆動機構 ２１ レーザ光源 ２２ ハウジング ２３ 投光部 ２４ ＸＹ駆動機構 ２５ θ駆動機構 Ｗ ウエハ 1 vacuum chuck 2 Optical etching equipment 3 Pure water nozzle 4 Edge sampling sensor 5 Rotational position sensor 6 control unit 11 chuck axis 12 Adsorption base 13 Intake passage 14 Rotational drive mechanism 21 Laser light source 22 housing 23 Projector 24 XY drive mechanism 25 θ drive mechanism W wafer
Claims (11)
去する基板周縁処理装置であって、 基板を保持する基板保持機構と、 光源からの所定の波長の光を基板の周縁部に向けて照射
し、基板の周縁部を光エッチングする光エッチング手段
と、 基板の外周に沿って上記光源からの光が照射されるよう
に、上記基板保持機構と上記光エッチング手段とを相対
的に移動させる相対移動機構とを含むことを特徴とする
基板周縁処理装置。1. A substrate peripheral processing apparatus for etching and removing an unnecessary thin film on a peripheral portion of a substrate, comprising: a substrate holding mechanism for holding the substrate; and light of a predetermined wavelength from a light source directed to the peripheral portion of the substrate. Photoetching means for irradiating and photoetching the peripheral edge of the substrate, and relatively moving the substrate holding mechanism and the photoetching means so that light from the light source is illuminated along the outer periphery of the substrate. A substrate peripheral edge processing apparatus including a relative movement mechanism.
するレーザ光源であることを特徴とする請求項１記載の
基板周縁処理装置。2. The substrate edge processing apparatus according to claim 1, wherein the light source is a laser light source that generates a laser beam having a predetermined wavelength.
発生するＸｅレーザ光源であることを特徴とする請求項
２記載の基板周縁処理装置。3. The substrate peripheral edge processing apparatus according to claim 2, wherein the light source is an Xe laser light source for generating Xe laser light having a predetermined wavelength.
あることを特徴とする請求項１ないし３のいずれかに記
載の基板周縁処理装置。4. The substrate edge processing apparatus according to claim 1, wherein the predetermined wavelength is 248 to 266 nm.
光を基板の表面に対して斜め方向から基板の周縁部に照
射可能に構成されていることを特徴とする請求項１ない
し４のいずれかに記載の基板周縁処理装置。5. The optical etching means is configured so that the light from the light source can be applied to the peripheral portion of the substrate obliquely with respect to the surface of the substrate. The substrate peripheral edge processing apparatus as described in 1.
位置を検出する基板外周検出手段をさらに含むことを特
徴とする請求項１ないし５のいずれかに記載の基板周縁
処理装置。6. The substrate edge processing apparatus according to claim 1, further comprising a substrate outer peripheral detection means for detecting an outer peripheral position of the substrate held by the substrate holding mechanism.
特徴とする請求項１ないし６のいずれかに記載の基板周
縁処理装置。7. The substrate peripheral edge processing apparatus according to claim 1, wherein the substrate is a substantially circular substrate.
を有していることを特徴とする請求項７記載の基板周縁
処理装置。8. The substrate edge processing apparatus according to claim 7, wherein the substrate has an orientation flat.
去して、その基板の周縁部を処理する方法であって、 基板保持機構で基板を保持する基板保持工程と、 光エッチング手段に備えられた光源からの所定の波長の
光を、上記基板保持機構に保持された基板の周縁部に照
射して、基板の周縁部を光エッチングする光エッチング
工程と、 この光エッチング工程中において、基板の外周に沿って
光が照射されるように、上記基板保持機構と上記光エッ
チング手段とを相対的に移動させる相対移動工程とを含
むことを特徴とする基板周縁処理方法。9. A method of processing an edge portion of a substrate by etching away an unnecessary thin film on the edge portion of the substrate, comprising a substrate holding step of holding the substrate by a substrate holding mechanism, and an optical etching means. A light etching step of irradiating the peripheral portion of the substrate held by the substrate holding mechanism with light having a predetermined wavelength from the light source to perform optical etching on the peripheral portion of the substrate; And a relative moving step of relatively moving the substrate holding mechanism and the photoetching means so that light is irradiated along the outer periphery of the substrate peripheral edge processing method.
エッチングされた基板にリンス液を供給するリンス液供
給工程をさらに含むことを特徴とする請求項９記載の基
板周縁処理方法。10. The method according to claim 9, further comprising a rinse liquid supplying step of supplying a rinse liquid to the substrate whose peripheral portion has been photo-etched after the photo-etching step.
の中央部に保護液を供給する保護液供給工程をさらに含
むことを特徴とする請求項９または１０記載の基板周縁
処理方法。11. The substrate peripheral edge processing method according to claim 9, further comprising a protective liquid supplying step of supplying a protective liquid to the central portion of the substrate in parallel with the photo-etching step.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001390136A JP3768440B2 (en) | 2001-12-21 | 2001-12-21 | Substrate peripheral processing apparatus and substrate peripheral processing method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001390136A JP3768440B2 (en) | 2001-12-21 | 2001-12-21 | Substrate peripheral processing apparatus and substrate peripheral processing method |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003197570A true JP2003197570A (en) | 2003-07-11 |
| JP3768440B2 JP3768440B2 (en) | 2006-04-19 |
Family
ID=27598153
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001390136A Expired - Lifetime JP3768440B2 (en) | 2001-12-21 | 2001-12-21 | Substrate peripheral processing apparatus and substrate peripheral processing method |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3768440B2 (en) |
Cited By (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006006526A1 (en) * | 2004-07-09 | 2006-01-19 | Sekisui Chemical Co., Ltd. | Method and device for treating outer periphery of base material |
| JP2006287170A (en) * | 2004-10-22 | 2006-10-19 | Sekisui Chem Co Ltd | Method and apparatus for treating outer periphery of base material |
| JP2007019354A (en) * | 2005-07-11 | 2007-01-25 | Risotetsuku Japan Kk | Method of rinsing edge of substrate |
| JP2007324368A (en) * | 2006-06-01 | 2007-12-13 | Sekisui Chem Co Ltd | Substrate circumference treating apparatus and method therefor |
| WO2010055855A1 (en) * | 2008-11-13 | 2010-05-20 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
| JP2010141237A (en) * | 2008-12-15 | 2010-06-24 | Tokyo Electron Ltd | Foreign-matter removal method and storage medium |
| JP2010141238A (en) * | 2008-12-15 | 2010-06-24 | Tokyo Electron Ltd | Apparatus and method for removing foreign substance, and storage medium |
| JP2012079871A (en) * | 2010-09-30 | 2012-04-19 | Shibaura Mechatronics Corp | Support substrate, substrate laminate, laminating device, peeling device, and manufacturing method of substrate |
| JP2013021263A (en) * | 2011-07-14 | 2013-01-31 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | Film peeling device and film peeling method |
| KR101557586B1 (en) * | 2014-05-19 | 2015-10-05 | 주식회사 아이엠티 | Method and apparatus for wafer edge cleaning |
| KR20150141140A (en) * | 2014-06-09 | 2015-12-17 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | Etching processing method, and bevel etching apparatus |
| US20200346299A1 (en) * | 2019-04-30 | 2020-11-05 | Semes Co., Ltd. | Apparatus and method for treating substrate |
| JP2020184624A (en) * | 2019-04-30 | 2020-11-12 | セメス カンパニー，リミテッド | Film removing method, substrate processing method, and substrate processing apparatus |
| CN112005341A (en) * | 2018-04-27 | 2020-11-27 | 东京毅力科创株式会社 | Substrate processing system and substrate processing method |
| KR20210007163A (en) * | 2019-07-10 | 2021-01-20 | 세메스 주식회사 | Apparatus for treating substrate |
| US20210379703A1 (en) * | 2020-06-05 | 2021-12-09 | Disco Corporation | Edge position detecting apparatus |
-
2001
- 2001-12-21 JP JP2001390136A patent/JP3768440B2/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (34)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1801861A4 (en) * | 2004-07-09 | 2011-04-27 | Sekisui Chemical Co Ltd | Method and device for treating outer periphery of base material |
| WO2006006526A1 (en) * | 2004-07-09 | 2006-01-19 | Sekisui Chemical Co., Ltd. | Method and device for treating outer periphery of base material |
| EP1833078A3 (en) * | 2004-07-09 | 2011-04-27 | Sekisui Chemical Co., Ltd. | Method for processing outer periphery of substrate and apparatus thereof |
| EP1801861A1 (en) * | 2004-07-09 | 2007-06-27 | Sekisui Chemical Co., Ltd. | Method and device for treating outer periphery of base material |
| EP1833078A2 (en) * | 2004-07-09 | 2007-09-12 | Sekisui Chemical Co., Ltd. | Method for processing outer periphery of substrate and apparatus thereof |
| JP2006287170A (en) * | 2004-10-22 | 2006-10-19 | Sekisui Chem Co Ltd | Method and apparatus for treating outer periphery of base material |
| JP2007019354A (en) * | 2005-07-11 | 2007-01-25 | Risotetsuku Japan Kk | Method of rinsing edge of substrate |
| JP2007324368A (en) * | 2006-06-01 | 2007-12-13 | Sekisui Chem Co Ltd | Substrate circumference treating apparatus and method therefor |
| WO2010055855A1 (en) * | 2008-11-13 | 2010-05-20 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
| JP5480159B2 (en) * | 2008-11-13 | 2014-04-23 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
| KR101571585B1 (en) | 2008-11-13 | 2015-11-24 | 시바우라 메카트로닉스 가부시끼가이샤 | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
| CN102197463A (en) * | 2008-11-13 | 2011-09-21 | 芝浦机械电子株式会社 | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
| JPWO2010055855A1 (en) * | 2008-11-13 | 2012-04-12 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
| TWI469840B (en) * | 2008-11-13 | 2015-01-21 | Shibaura Mechatronics Corp | A substrate processing apparatus and a substrate processing method |
| JP2010141238A (en) * | 2008-12-15 | 2010-06-24 | Tokyo Electron Ltd | Apparatus and method for removing foreign substance, and storage medium |
| KR101546975B1 (en) | 2008-12-15 | 2015-08-24 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | Foreign substance removing apparatus foreign substance removing method and storage medium |
| JP2010141237A (en) * | 2008-12-15 | 2010-06-24 | Tokyo Electron Ltd | Foreign-matter removal method and storage medium |
| TWI512805B (en) * | 2008-12-15 | 2015-12-11 | Tokyo Electron Ltd | A foreign matter removing device, a foreign matter removing method, and a memory medium |
| US8454752B2 (en) | 2008-12-15 | 2013-06-04 | Tokyo Electron Limited | Foreign substance removing apparatus, foreign substance removing method, and storage medium |
| JP2012079871A (en) * | 2010-09-30 | 2012-04-19 | Shibaura Mechatronics Corp | Support substrate, substrate laminate, laminating device, peeling device, and manufacturing method of substrate |
| JP2013021263A (en) * | 2011-07-14 | 2013-01-31 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | Film peeling device and film peeling method |
| KR101557586B1 (en) * | 2014-05-19 | 2015-10-05 | 주식회사 아이엠티 | Method and apparatus for wafer edge cleaning |
| KR102469856B1 (en) | 2014-06-09 | 2022-11-22 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | Etching processing method, and bevel etching apparatus |
| KR20150141140A (en) * | 2014-06-09 | 2015-12-17 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | Etching processing method, and bevel etching apparatus |
| CN112005341B (en) * | 2018-04-27 | 2024-01-09 | 东京毅力科创株式会社 | Substrate processing system and substrate processing method |
| CN112005341A (en) * | 2018-04-27 | 2020-11-27 | 东京毅力科创株式会社 | Substrate processing system and substrate processing method |
| US20200346299A1 (en) * | 2019-04-30 | 2020-11-05 | Semes Co., Ltd. | Apparatus and method for treating substrate |
| JP7275068B2 (en) | 2019-04-30 | 2023-05-17 | セメス カンパニー，リミテッド | Membrane removal method, substrate processing method, and substrate processing apparatus |
| US11679447B2 (en) * | 2019-04-30 | 2023-06-20 | Semes Co., Ltd. | Apparatus and method for treating substrate |
| JP2020184624A (en) * | 2019-04-30 | 2020-11-12 | セメス カンパニー，リミテッド | Film removing method, substrate processing method, and substrate processing apparatus |
| KR102231162B1 (en) * | 2019-07-10 | 2021-03-24 | 세메스 주식회사 | Apparatus for treating substrate |
| KR20210007163A (en) * | 2019-07-10 | 2021-01-20 | 세메스 주식회사 | Apparatus for treating substrate |
| US20210379703A1 (en) * | 2020-06-05 | 2021-12-09 | Disco Corporation | Edge position detecting apparatus |
| US11819950B2 (en) * | 2020-06-05 | 2023-11-21 | Disco Corporation | Edge position detecting apparatus |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3768440B2 (en) | 2006-04-19 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3768440B2 (en) | Substrate peripheral processing apparatus and substrate peripheral processing method | |
| KR100941688B1 (en) | Substrate delivery apparatus, substrate processing apparatus, substrate delivery method | |
| JP5401089B2 (en) | Foreign matter removal method and storage medium | |
| JP2012222237A (en) | Liquid processing method and liquid processing device | |
| US20080047577A1 (en) | Substrate Cleaning Device and Cleaning Method Thereof | |
| JP2010141237A (en) | Foreign-matter removal method and storage medium | |
| JP5726686B2 (en) | Liquid processing apparatus and method for controlling liquid processing apparatus | |
| JP3990127B2 (en) | Substrate peripheral processing apparatus and substrate peripheral processing method | |
| JP2020203314A (en) | Substrate treating method and substrate treating apparatus | |
| JP6814653B2 (en) | Substrate processing method and substrate processing equipment | |
| TWI753353B (en) | Substrate processing method and substrate processing apparatus | |
| JP5619382B2 (en) | Wafer processing method | |
| US20050260771A1 (en) | Processing device and processing method | |
| JP4488780B2 (en) | Substrate processing apparatus and substrate processing method | |
| JPH07263394A (en) | Substrate edge processor | |
| JP3917493B2 (en) | Substrate processing apparatus and substrate processing method | |
| JP3776796B2 (en) | Substrate peripheral processing apparatus and substrate peripheral processing method | |
| JP2002299305A (en) | Apparatus and method for substrate peripheral edge processing | |
| JP3779582B2 (en) | Substrate peripheral processing apparatus and substrate peripheral processing method | |
| CN109256343B (en) | Substrate processing apparatus and substrate processing method | |
| JPH06124885A (en) | Rotating processor | |
| JP3884700B2 (en) | Substrate processing apparatus and substrate processing method | |
| JP2013131751A (en) | Laser processing device and control method of the same | |
| KR20000009381U (en) | Device for removing photoresist of semiconductor wafer | |
| JPH06216025A (en) | Exposure device |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20040226 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20041028 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20041102 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20041228 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20051101 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20051228 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20060131 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20060201 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 3768440 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100210 Year of fee payment: 4 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100210 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100210 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110210 Year of fee payment: 5 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110210 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120210 Year of fee payment: 6 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120210 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130210 Year of fee payment: 7 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130210 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140210 Year of fee payment: 8 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |