JP2003188393A

JP2003188393A - 太陽電池の製造方法

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Publication number: JP2003188393A
Application number: JP2001384610A
Authority: JP
Inventors: Keiya Nakabayashi; 敬哉中林
Original assignee: Sharp Corp
Current assignee: Sharp Corp
Priority date: 2001-12-18
Filing date: 2001-12-18
Publication date: 2003-07-04

Abstract

(57)【要約】【課題】比較的容易に、かつ、低コストで、良好な特
性の太陽電池が製造できる製造方法を提供すること。
【解決手段】ｐ型Ｓｉ基板１の端部領域３以外の領域
に、Ｐドーパントを含むドーパント液２を、インクジェ
ット法を用いた塗布装置によって塗布した後、熱処理に
よってＳｉ基板１の表面にｎ＋層４を形成して、ｐｎ接
合を形成する。Ｓｉ基板１のドーパント液２の塗布部分
には、５５０〜６５０Åの厚みのＰＳＧ層２１が形成さ
れる。この厚みをなす塗布量で、かつ、粘度が約５ｍＰ
ａ・ｓのドーパント液２をインクジェット法で塗布する
ので、ドーパント液２のにじみや塗布量の不足などが無
く、Ｓｉ基板１の適切な領域に良好なｐｎ接合領域が形
成できる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、太陽電池の製造方
法に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、太陽電池は、図４（ａ）乃至
（ｆ）に示すようにして製造している。まず、図４
（ａ）に示すように、ｐ型の多結晶Ｓｉ（シリコン）か
らなる矩形のＳｉ基板１を、ＮａＯＨ（水酸化ナトリウ
ム）を含む溶液中に浸漬して、エッチング処理を行う。
これによって、上記Ｓｉ基板表面の加工変質層を除去
し、また、異方性エッチングを施すことによって表面に
微細なピラミッド状の凹凸を有するテクスチャ表面を形
成する。

【０００３】次に、図４（ｂ）に示すように、Ｐ（リ
ン）などのｎ型ドーパントを含むドーパント液２を、ス
ピン塗布法によってＳｉ基板１の表面に塗布する。すな
わち、静止した基板１上の中央部に、ドーパント液２を
所定量滴下した後、上記基板１を約５０００ｒｐｍ（回
転／分）で高速回転させて、上記ドーパント液２を基板
１上に均一に塗布する。その後、上記塗布したドーパン
ト液２の溶剤成分を乾燥させる。このスピン塗布法によ
ってドーパント液２を基板１に塗布するとき、このドー
パント液２は、上記Ｓｉ基板１の側面と、裏面の一部に
も付着する。

【０００４】その後、図４（ｃ）に示すように、上記ド
ーパント液２が塗布されたＳｉ基板１を拡散炉で熱処理
して、上記ドーパント液２に含まれるｎ型ドーパントを
Ｓｉ基板１の表面に拡散させる。これによって、ｐ型の
Ｓｉ基板１の表面にｎ＋層４を生成して、ｐｎ接合を形
成する。このとき、ドーパント液がＳｉ基板１の側面と
裏面の一部にも付着しているので、このＳｉ基板１の側
面と裏面の一部にもｎ＋層４１が形成される。上記ドー
パント液２の配置部分には、ＰＳＧ（リン・シリケート
・ガラス）層２１が形成される。

【０００５】その後、図４（ｄ）に示すように、上記Ｐ
ＳＧ層２１をＨＦ（フッ化水素）などを用いたエッチン
グによって除去した後、図４（ｅ）に示すように、Ｓｉ
Ｎ（窒化シリコン）からなる反射防止膜５を、上記Ｓｉ
基板１の表面にＰ−ＣＶＤ（プラズマ化学気相成長法）
を用いて成膜する。

【０００６】さらに、図４（ｆ）に示すように、印刷法
によって、Ｓｉ基板１の裏面にＡｌ（アルミニウム）電
極６とＡｇ（銀）電極７とを形成し、太陽電池の受光面
となる上記Ｓｉ基板１の表面に、Ａｇ電極８を形成す
る。そして、熱処理を行って、上記電極６、７、８と、
Ｓｉ基板１との電気的コンタクトを形成して、太陽電池
が形成される。すなわち、上記熱処理によって、受光面
上のＡｇ電極８が、反射防止膜５を貫通してｎ＋拡散層
４と接続される。また、上記熱処理によって、裏面のＡ
ｌ電極６からＡｌ原子がＳｉ基板１内に拡散して、ｐ＋
拡散層９が形成される。

【０００７】しかし、上記製造方法によって製造した太
陽電池は、上記スピン塗布法によるドーパント液２の塗
布時に上記Ｓｉ基板１の側面と裏面の一部とにドーパン
ト液２が付着するので、このＳｉ基板１の側面と底面の
一部とにｎ＋層４１が形成され、このｎ＋層４１と上記
ｐ＋拡散層９との接触部分や、上記ｎ＋層４１と上記Ａ
ｌ電極６との接続部分でショートが生じる。このショー
トによって、太陽電池の暗電流が増加し、曲線因子が悪
くなって太陽電池の最大出力が低下するという問題があ
る。さらに、太陽光の照度が低い場合、太陽電池の開放
電圧が、上記ショートに起因する暗電流によって並列抵
抗の影響を受けるので、太陽電池の発電量が低下すると
いう問題がある。

【０００８】この問題を解決するため、特開平７−１３
５３３３号公報に開示されている太陽電池の製造方法で
は、ｎ型のドーパント液をＳｉ基板に塗布する前に、こ
のＳｉ基板の裏面にマスク材を配置して、このＳｉ基板
の裏面にドーパント液が塗布されてｎ＋層が形成される
のを防止している。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記マ
スク材をＳｉ基板の裏面に塗布する太陽電池の製造方法
は、太陽電池の製造工程が増えてコストアップになると
いう問題がある。また、上記マスク材が、太陽電池の受
光面となるＳｉ基板の表面に回りこんで、太陽電池の特
性が劣化するという問題がある。

【００１０】また、上記Ｓｉ基板には、ドーパント液を
スピン塗布法で塗布しており、このスピン塗布法では、
Ｓｉ基板の回転の加減速に時間を要するなど、手間がか
かるという問題がある。また、上記Ｓｉ基板が多結晶基
板である場合には、回転モーメントでＳｉ基板に割れが
生じ易く、歩留りが低下するという問題がある。さら
に、スピン塗布法は、塗布の際に使用されるドーパント
液のうち実際にＳｉ基板に塗布されるドーパント液の割
合が少なくて、ドーパント液の利用効率が悪いという問
題がある。これらのいずれも、太陽電池の製造コストの
上昇を招く。

【００１１】そこで、本発明の目的は、比較的容易に、
かつ、低コストで、良好な特性の太陽電池が製造できる
製造方法を提供することにある。

【００１２】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明の太陽電池の製造方法は、単結晶または多結
晶の半導体基板上に、ドーパント液を塗布する工程と、
上記ドーパント液のドーパントを、熱処理によって上記
半導体基板に拡散させる工程とを備えた太陽電池の製造
方法であって、上記ドーパント液は、インクジェット印
刷によって上記半導体基板上の所定の領域に塗布され、
上記ドーパント液の塗布量は、上記熱処理の後に、上記
半導体基板上に、１００Å〜２０００Åの厚みの上記ド
ーパント液による生成物が形成される塗布量であること
を特徴としている。

【００１３】上記構成によれば、上記ドーパント液は、
インクジェット印刷によって上記半導体基板上の所定の
領域に塗布される。したがって、従来のスピン塗布によ
ってドーパント液を塗布する場合のような、半導体基板
の回転の加減速に時間を要するといった手間や、上記半
導体基板の回転に起因する割れや、上記半導体基板の側
面や裏面に付着したドーパント液に起因する電極のショ
ートや、ドーパント液の無駄が防止され、少ない手間
で、かつ確実に、上記ドーパント液が半導体基板上の所
定の領域に塗布される。その結果、歩留まりが従来より
も向上して、従来よりも安価に太陽電池が製造できる。
また、上記ドーパント液の塗布量は、上記熱処理の後
に、上記半導体基板上に、１００Å〜２０００Åの厚み
の上記ドーパント液による生成物が形成される塗布量で
あるので、上記半導体基板に拡散すべき適切な量のドー
パントを含むドーパント液が塗布されて、良好な特性の
太陽電池が製造される。ここで、上記ドーパント液の塗
布量が、上記熱処理の後に、上記半導体基板上に形成さ
れるドーパント液による生成物の厚みが、１００Åより
も小さい塗布量である場合、上記半導体基板に拡散すべ
きドーパントの量が少なくて、ｐｎ接合が適切に形成さ
れなくて、太陽電池の特性が悪化してしまう。一方、上
記ドーパント液の塗布量が、上記熱処理の後に、上記半
導体基板上に形成されるドーパント液による生成物の厚
みが、２０００Åよりも大きい塗布量である場合、上記
半導体基板上でドーパント液がにじんで、不要部分にｐ
ｎ接合が形成されてしまう。

【００１４】本発明の太陽電池の製造方法は、単結晶ま
たは多結晶の半導体基板上に、ドーパント液を塗布する
工程と、上記ドーパント液のドーパントを、熱処理によ
って上記半導体基板に拡散させる工程とを備えた太陽電
池の製造方法であって、上記ドーパント液は、１ｍＰａ
・ｓ（ミリパスカル秒）以上２０ｍＰａ・ｓ以下の粘度
を有し、インクジェット印刷によって上記半導体基板上
の所定の領域に塗布されることを特徴としている。

【００１５】上記構成によれば、上記ドーパント液は、
１ｍＰａ・ｓ以上２０ｍＰａ・ｓ以下の粘度を有し、イ
ンクジェット印刷によって上記半導体基板上の所定の領
域に塗布されるので、上記半導体基板に拡散されるべき
適切量のドーパントが、塗布ムラやインクジェットノズ
ルの詰まりなどがなく上記半導体基板上に良好に塗布さ
れる。また、従来のスピン塗布によるような手間や、基
板の割れや、電極のショートや、ドーパント液の無駄が
無くて、良好な特性の太陽電池が簡易かつ良好な歩留ま
りで製造できる。ここで、上記ドーパント液の粘度が１
ｍＰａ・ｓよりも小さい場合、インクジェットノズルか
らのドーパント液の吐出量および吐出パターンが不安定
になって、ドーパント液の塗布のムラが生じてしまう。
一方、上記ドーパント液の粘度が２０ｍＰａ・ｓよりも
大きい場合、インクジェットノズルにドーパント液が詰
まり易くなる。

【００１６】１実施形態の太陽電池の製造方法は、上記
半導体基板はｐ型Ｓｉ基板であり、上記ドーパント液は
ＰＳＧの液状前駆体である。

【００１７】上記実施形態によれば、上記ｐ型Ｓｉ基板
に、上記ＰＳＧの液状前駆体を塗布するので、熱処理に
よってＰＳＧからｐ型Ｓｉ基板に適切量のＰ（リン）を
適切な領域に拡散させることができ、これによって、容
易に、かつ良好な歩留まりで、良好な特性の太陽電池が
得られる。

【００１８】

【発明の実施の形態】以下、本発明を図示の実施の形態
により詳細に説明する。

【００１９】図１（ａ）乃至（ｆ）は、本発明の実施形
態の太陽電池の製造方法において、各工程の様子を示す
図である。本実施形態では、半導体基板として、一辺が
約１２５ｍｍの略正方形のｐ型の多結晶Ｓｉを用いてい
る。

【００２０】まず、図１（ａ）に示すように、Ｓｉ基板
１の形成時に表面に生じた加工変質層を除去するため、
また、Ｓｉ基板１の表面に微細なピラミッド状の凹凸を
含むテクスチャ表面を形成するため、このＳｉ基板１
を、ＮａＯＨを含む溶液中に浸漬して異方性エッチング
する。

【００２１】次に、図１（ｂ）に示すように、上記Ｓｉ
基板１の表面の端部以外の領域に、Ｐなどのドーパント
を含むドーパント液２を、インクジェット法を用いた塗
布装置によって塗布し、その後、ドーパント液の溶剤成
分を乾燥させる。上記ドーパント液２は、粘度が約５ｍ
Ｐａ・ｓであり、Ｐ２０５などを含むＰＳＧの液状前駆
体である。上記ドーパント液を塗布しない上記Ｓｉ基板
１の端部領域３は、平面において上記Ｓｉ基板の縁から
０．１ｍｍ内側に位置する境界までの間の領域である。
図２は、上記ドーパント液２を塗布したＳｉ基板１を示
す平面図である。図２に示すように、上記Ｓｉ基板１の
外縁から０．１ｍｍ内側に位置する境界の内側に、ドー
パント液２を塗布している。このとき、上記塗布装置を
用いてインクジェット法でドーパント液２を塗布するの
で、このドーパント液２は、従来のスピンコート法によ
るように、Ｓｉ基板の側面や裏面に付着することがな
い。

【００２２】ここで、上記塗布装置について説明する。
図３は、塗布装置を示す概略斜視図である。この塗布装
置１０は、Ｓｉ基板１を支持する基板チャック１１と、
ドーパント液２を吐出するインクジェットヘッド１２
と、上記Ｓｉ基板１の外形を検出する基板形状測定器１
３を備える。上記インクジェットヘッド１２と基板形状
測定器１３は、塗布装置の本体に固定されており、上記
Ｓｉ基板１を支持する基板チャック１１が、上記Ｓｉ基
板１を水平方向に矢印Ａで示すように移動させるように
なっている。上記基板形状測定器１３と基板チャック１
１とインクジェットヘッド１２とは、図示しない制御装
置に接続されている。この制御装置は、上記基板形状測
定器１３の信号と上記基板チャック１１の信号とに基い
て、上記インクジェットヘッド１２の図示しないノズル
を制御するようになっている。上記構成の塗布装置１０
が動作すると、上記基板チャック１１によってＳｉ基板
１が矢印Ａで示す方向に移動され、このＳｉ基板１は、
先ず、上記基板形状測定器１３の下方を通過する。この
とき、上記Ｓｉ基板１の外形が基板形状測定器１３によ
って測定される。続いて、上記Ｓｉ基板１がインクジェ
ットヘッド１２の下方に達すると、上記制御装置は、上
記基板チャック１１からの上記Ｓｉ基板１の位置を示す
信号を受け取る。そうすると、上記制御手段は、上記基
板形状測定器１３から受取った上記Ｓｉ基板１の測定結
果に基いて、上記インクジェットヘッド１２のノズルを
制御して、上記Ｓｉ基板１の所定位置に、上記ノズルか
ら所定量のドーパント液２を吐出させる。これによっ
て、上記Ｓｉ基板１は、平面において、外縁から０．１
ｍｍの距離に位置する境界の内側に、上記ドーパント液
２が塗布される。

【００２３】上記塗布装置１０でＳｉ基板１にドーパン
ト液２を塗布した後、このドーパント液２が塗布された
Ｓｉ基板１を拡散炉で熱処理して、図１（ｃ）に示すよ
うに、Ｓｉ基板１の表面、すなわち受光面にｎ＋層４を
形成して、ｐｎ接合を形成する。ここで、上記Ｓｉ基板
の側面や裏面にはドーパント液が付着していないので、
従来におけるようにＳｉ基板の側面や裏面にｎ＋層が形
成されることがない。上記Ｓｉ基板１の熱処理によっ
て、上記ドーパント液２が塗布された部分にＰＳＧ層２
１が形成される。このＰＳＧ層２１は５５０〜６５０Å
の範囲の厚みを有し、この厚みの平均は６００Åであ
る。この平均６００Åの厚みを有するように、上記塗布
装置１０によるドーパント液２の塗布量が調節されてい
る。

【００２４】この後、図１（ｄ）に示すように、上記Ｐ
ＳＧ層２１とｐｎ接合とが形成されたＳｉ基板１をＨＦ
を含む溶液に浸漬して、上記ＰＳＧ層２１をエッチング
除去する。

【００２５】次に、図１（ｅ）に示すように、Ｓｉ基板
１の表面に、Ｐ−ＣＶＤによってＳｉＮからなる反射防
止膜５を成膜する。

【００２６】さらに、図１（ｆ）に示すように、上記Ｓ
ｉ基板１の裏面に、Ａｌ電極６とＡｇ電極７とを印刷法
によって形成する。上記Ｓｉ基板１の表面には、Ａｇ電
極８を形成する。そして、上記電極６，７，８が形成さ
れたＳｉ基板１を熱処理することによって、この電極
６，７，８と、Ｓｉ基板１との間に電気的コンタクトを
形成する。すなわち、上記熱処理によって、上記受光面
上のＡｇ電極７が反射防止膜５を貫通してｎ＋拡散層３
と接合する。一方、上記裏面のＡｌ電極６では、このＡ
ｌ電極のＡｌ原子がＳｉ基板１内に拡散して、Ｓｉ基板
１にｐ＋拡散層９を形成する。このとき、上記Ｓｉ基板
１の側面および裏面には、従来におけるようなｎ＋層が
形成されていないので、上記Ａｌ電極６およびｐ＋拡散
層９は、従来におけるようにｎ＋層とショートすること
がない。したがって、図１（ｆ）に示す太陽電池は、暗
電流が増加することなく、良好な曲線因子を有して良好
な出力特性が得られる。

【００２７】上記製造方法によって製造した太陽電池の
特性を測定した結果、光電変換効率は１６．４％であ
り、逆方向電流は０．０２Ａと良好な特性が得られたこ
とが確認できた。

【００２８】上記実施形態において、熱処理後のＰＳＧ
層２１は５５０Å〜６５０Åの厚みを有するように形成
したが、上記ＰＳＧ層は、１００Å以上２０００Å以下
の他の値の厚みを有してもよい。これによって、ドーパ
ント液のにじみを生じることなく必要な領域のみにｐｎ
接合を形成でき、逆方向電流の殆どない良好な変換効率
を有する太陽電池が得られる。

【００２９】また、上記実施形態において、上記ドーパ
ント液２は、粘度が約５ｍＰａ・ｓであったが、１ｍＰ
ａ・ｓ以上２０ｍＰａ・ｓ以下の他の値の粘度を有して
もよい。これによって、ドーパント液２が、塗布装置１
０のジェットノズルから吐出される際に吐出量や吐出方
向が不安定になったり、上記ジェットノズルに詰まるよ
うなことが防止されて、良好な領域に適切な量のドーパ
ント液２が吐出されて、良好な変換効率の太陽電池が安
定して得られる。

【００３０】表１は、本発明の実施形態による太陽電池
と、比較例１乃至５の太陽電池について、熱処理で得ら
れるＰＳＧ層厚で表したドーパント液２の塗布量と、ド
ーパント液２の粘度と、変換効率と、逆方向電流とを示
した表であり、各々の太陽電池の製造時に、塗布装置１
０のジェットノズルに詰まりが生じたか否かを併せて記
している。

【００３１】

【表１】

【００３２】表１に示すように、本発明の実施形態の太
陽電池と、第１および第２比較例の太陽電池は、ドーパ
ントの塗布量のみが異なる。すなわち、太陽電池の製造
工程において、本発明の実施形態の太陽電池では、ドー
パント液の塗布量が、ＰＳＧ層厚が５５０Å〜６５０Å
になる塗布量であるのに対して、第１比較例の太陽電池
はＰＳＧ層厚が０〜１００Åになる塗布量である。ま
た、第２比較例の太陽電池は、ＰＳＧ層圧が２０００Å
〜２２００Åになる塗布量のドーパント液を塗布してい
る。

【００３３】表１から分かるように、第１比較例のドー
パント液の塗布量では、太陽電池の変換効率が、本発明
の実施形態における１６．４％から１３．０％に低下す
る。これは、ドーパント液をインクジェット法で塗布す
る際、上記ドーパント液は略球状の液滴にされてＳｉ基
板上に付着させられる。このとき、上記ＰＳＧ層厚が０
〜１００Åになるドーパント液の塗布量では、上記液滴
のドーパント液がＳｉ基板上に付着しても、この付着し
た液滴同士の間の隙間が完全に埋められなくて、ドーパ
ント液が塗布されない領域が生じるからである。したが
って、ｐｎ接合がＳｉ基板上の所定領域の全面に形成さ
れないので、太陽電池の特性が悪化してしまう。

【００３４】一方、第２比較例におけるドーパント液の
塗布量では、太陽電池の変換効率が１５．０％に低下す
ると共に、逆方向電流が０．７Ａに増大する。これは、
Ｓｉ基板へのドーパント液の塗布量が過大であるので、
ドーパント液の溶剤成分が乾燥する前に、所定の形状に
塗布されたドーパント液がにじんでしまって、ｐｎ接合
を形成する必要がない部分にドーパント液が付着してし
まうからである。すなわち、上記にじんだドーパント液
が、Ｓｉ基板の端部領域、側面、または裏面に付着して
しまい、これらの部分にｎ＋拡散層が形成される。その
結果、上記ｎ＋拡散層を介してＳｉ基板のｎ型領域とＳ
ｉ基板の裏面の電極とがショートして、逆方向電流が増
大し、変換効率が低下するのである。上記ドーパント液
を熱処理して形成されるＰＳＧ層は、熱処理工程の後の
除去工程において、層厚の厚みに比例して除去に要する
時間が増大するので、このＰＳＧ層の厚みは、太陽電池
の特性が悪化しない限り、薄く形成するのがよい。

【００３５】また、表１から分かるように、第３比較例
では、Ｓｉ基板上に塗布したドーパント液の粘度が、本
発明では５ｍＰａ・ｓであるのに対して、０．８ｍＰａ
・ｓである。この第３比較例では、本発明と比較して、
変換効率が１６．４％から１４．１％に低下すると共
に、逆方向電流が０．０２Ａから０．１Ａに増大する。
これは、ドーパント液が、粘度が低いので、Ｓｉ基板に
塗布される際に塗布装置のインクジェットノズルから安
定して吐出され難くなるからである。すなわち、インク
ジェットノズルから吐出される際、粘度が低いドーパン
ト液は、多数の微小な液滴に***して、ノズルの開口面
に対して垂直方向に吐出され難くなって、上記ノズルの
開口から広範囲にスプラッシュ状に飛び散る。したがっ
て、Ｓｉ基板上のドーパント液の塗布位置が制御し難く
なり、上記Ｓｉ基板上のドーパント液を塗布すべき領域
内に、ドーパント液が塗布できない領域が生じてしま
う。また、上記Ｓｉ基板上のドーパント液の塗布が不要
な端部領域や側面に、ドーパント液が塗布されてしま
う。その結果、太陽電池の光電変換効率の低下や、逆方
向電量の増大が生じる。

【００３６】また、表１から分かるように、第４比較例
では、Ｓｉ基板上に塗布したドーパント液の粘度が２１
ｍＰａ・ｓである。この第３比較例では、本発明と比較
して、変換効率が１６．４％から１３．３％に低下する
と共に、ドーパント液の塗布時にインクジェットノズル
に詰まりが生じる。これは、ドーパント液が、粘度が高
いので上記インクジェットノズルで詰まって、Ｓｉ基板
に付着しない部分が生じるからである。その結果、ｐｎ
接合領域が少なくなって、変換効率が低下する。

【００３７】第５比較例の太陽電池は、従来のスピンコ
ート法によってドーパント液を塗布して形成している。
この太陽電池は、本発明の実施形態の太陽電池と比較し
て、変換効率が１６．４％に対して１３．３％と低いと
共に、逆方向電流が０．０２Ａに対して２．１０Ａと大
きい。これは、ドーパント液の塗布時に、Ｓｉ基板の側
面および裏面にドーパント液が付着し、この付着部分に
ｎ＋層が形成され、この付着部分のｎ＋層を介して表面
の受光部と裏面の電極がショートしてしまうからであ
る。

【００３８】以上より明らかなように、本発明の実施形
態の太陽電池のように、ドーパント液を、ＰＳＧ層厚が
５５０Å以上６５０Å以下になる塗布量で、かつ、１ｍ
Ｐａ・ｓ以上２０ｍＰａ・ｓの粘度で塗布することによ
って、良好な特性の太陽電池が得られることが分かる。

【００３９】上記実施形態において、一辺が約１２５ｍ
ｍの略正方形の多結晶Ｓｉ基板を用いたが、多の形状の
他の材料からなる半導体基板を用いてもよい。ただし、
形状が丸型の場合は、塗布装置が基板形状測定器を備え
ていても、インクジェットノズルの制御が複雑になるの
で、矩形あるいは正方形であるのが好ましい。

【００４０】

【発明の効果】以上より明らかなように、本発明の太陽
電池の製造方法によれば、単結晶または多結晶の半導体
基板上に、ドーパント液を塗布する工程と、上記ドーパ
ント液のドーパントを、熱処理によって上記半導体基板
に拡散させる工程とを備えた太陽電池の製造方法であっ
て、上記ドーパント液は、インクジェット印刷によって
上記半導体基板上の所定の領域に塗布され、上記ドーパ
ント液の塗布量は、上記熱処理の後に、上記半導体基板
上に、１００Å〜２０００Åの厚みの上記ドーパント液
による生成物が形成される塗布量であるので、少ない手
間で、かつ確実に、上記ドーパント液が半導体基板上の
所定の領域に塗布でき、また、上記半導体基板に拡散す
べき適切な量のドーパントを含むドーパント液が、適切
な領域に塗布できて、良好な特性の太陽電池が製造でき
る。

【００４１】本発明の太陽電池の製造方法によれば、単
結晶または多結晶の半導体基板上に、ドーパント液を塗
布する工程と、上記ドーパント液のドーパントを、熱処
理によって上記半導体基板に拡散させる工程とを備えた
太陽電池の製造方法であって、上記ドーパント液は、１
ｍＰａ・ｓ以上２０ｍＰａ・ｓ以下の粘度を有し、イン
クジェット印刷によって上記半導体基板上の所定の領域
に塗布されるので、上記半導体基板に拡散されるべき適
切量のドーパントが簡易かつ確実に塗布できて、良好な
特性の太陽電池が簡易かつ良好な歩留まりで製造でき
る。

【００４２】１実施形態の太陽電池の製造方法は、上記
半導体基板はｐ型Ｓｉ基板であり、上記ドーパント液は
ＰＳＧの液状前駆体であるので、熱処理によってｐ型Ｓ
ｉ基板に適切量のＰを適切な領域に拡散させることがで
き、これによって、容易に、かつ良好な歩留まりで、良
好な特性の太陽電池が得られる。

【図面の簡単な説明】

【図１】図１（ａ）乃至（ｆ）は、本発明の実施形態
の太陽電池の製造方法を示す図である。

【図２】ドーパント液２を塗布したＳｉ基板１を示す
平面図である。

【図３】塗布装置を示す概略斜視図である。

【図４】図４（ａ）乃至（ｆ）は、従来の太陽電池の
製造方法を示す工程図である。

【符号の説明】

１Ｓｉ基板２ドーパント液３端部領域４ｎ＋層５反射防止膜６Ａｌ電極７Ａｇ電極８Ａｇ電極９ｐ＋拡散層

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】単結晶または多結晶の半導体基板上に、
ドーパント液を塗布する工程と、上記ドーパント液のド
ーパントを、熱処理によって上記半導体基板に拡散させ
る工程とを備えた太陽電池の製造方法であって、上記ドーパント液は、インクジェット印刷によって上記
半導体基板上の所定の領域に塗布され、上記ドーパント液の塗布量は、上記熱処理の後に、上記
半導体基板上に、１００Å〜２０００Åの厚みの上記ド
ーパント液による生成物が形成される塗布量であること
を特徴とする太陽電池の製造方法。
【請求項２】単結晶または多結晶の半導体基板上に、
ドーパント液を塗布する工程と、上記ドーパント液のド
ーパントを、熱処理によって上記半導体基板に拡散させ
る工程とを備えた太陽電池の製造方法であって、上記ドーパント液は、１ｍＰａ・ｓ以上２０ｍＰａ・ｓ
以下の粘度を有し、インクジェット印刷によって上記半
導体基板上の所定の領域に塗布されることを特徴とする
太陽電池の製造方法。
【請求項３】請求項１または２に記載の太陽電池の製
造方法において、上記半導体基板はｐ型Ｓｉ基板であり、上記ドーパント液はＰＳＧの液状前駆体であることを特
徴とする太陽電池の製造方法。