JP2003183053A

JP2003183053A - ガラスの加工方法

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Publication number: JP2003183053A
Application number: JP2001384681A
Authority: JP
Inventors: Takashi Yamate; 貴志山手; Hiroyuki Tamon; 宏幸多門; Shinji Nishikawa; 晋司西川; Hiroshi Kamimura; 宏上村; Kohei Sumino; 広平角野; Tomoko Akai; 智子赤井; Masaru Yamashita; 勝山下; Tetsuo Yazawa; 哲夫矢澤
Original assignee: Central Glass Co Ltd; National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST
Current assignee: Central Glass Co Ltd; National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST
Priority date: 2001-12-18
Filing date: 2001-12-18
Publication date: 2003-07-03

Abstract

(57)【要約】【課題】ガラス基板にレーザ光を集光して照射すると、
レーザ光照射部には微細なクラックが発生し、該クラッ
クにより、例えば、精緻なフォトマスクパターンなどを
ガラス基板表面に加工できないという問題があった。【解決手段】銀イオンを含有させたガラスにレーザ光を
走査し、表面を窪ませるガラスの加工方法。イオン交換
法により銀イオンを含有させたガラスにレーザ光を照射
すると、その表面が窪むことが判った。窪みと窪み周辺
には微細粒子の集合体のように見える膜が付着てしいる
が、研磨により容易に除去可能である。本発明の加工方
法はフォトマスクの製造に応用できる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、ガラスにレーザ光
を絞って照射し該照射部を移動させて、即ち、レーザビ
ームを走査してレーザアブレーション加工することによ
り、ガラス表面を窪ませて微細加工するガラスの加工方
法に関する。本発明のガラスの加工方法はフォトマスク
の製造に応用できる。

【０００２】

【従来の技術】フォトマスクは、例えば半導体集積回路
（以後、ＬＳＩと略する）または液晶ディスプレイ（以
後、ＬＣＤと略する）を製造する際に用いる、透明な基
板の上に電子回路のパターンまたはブラックマトリック
スを遮光性の材料で形成した部品であり原版となるもの
である。透明基板は、ＬＳＩの場合、シリコンウェハを
用い、ＬＣＤの場合、ガラス基板を用いる。

【０００３】フォトマスクは、パターンデータを加工装
置により、パターンとして透明基板上に加工することに
よって得られる。加工装置の主なものとして、電子線加
工装置またはレーザ加工装置が挙げられ、ＬＣＤ用フォ
トマスクにおいては、これら加工装置により、通常、Ｃ
ｒ膜付きガラス基板上のレジストを感光させた後、フォ
トリソ法を用いてパターンを形成している。ブラックマ
トリックス（ＢＭ）基板およびＲＧＢ膜付き基板など
は、この様にして得られた原版であるフォトマスクを用
いて量産されている。

【０００４】より微細なパターンに対応するため、将来
は、ＬＳＩ製造、ＢＭ基板、ＲＧＢ膜付き基板の製造に
おいて用いる光の短波長化が進み、フッ化クリプトンレ
ーザ（波長、２４８ｎｍ）フッ化アルゴンレーザ（波
長、１９３ｎｍ）、Ｆ₂レーザ（波長、１５４ｎｍ）、
Ｘ線縮小レーザ（波長、１３ｎｍ）へとより波長の短い
レーザが使用されるようになるといわれ、短波長になる
に従い、好ましい解像度を得るため、原版であるフォト
マスクの遮光膜の膜厚を厚くする必要があり、ガラス基
板に直接溝加工して遮光膜となる金属を埋め込む方式の
開発が現在進められている。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ガラス
基板にレーザ光を集光して照射すると、レーザ光照射部
に微細なクラックが発生し、該クラックにより、例え
ば、精緻なフォトマスクパターンなどをガラス基板に加
工できないという問題があった。

【０００６】例えば、ガラス基板にレーザ光を照射して
レーザマーキングする方法について、特開平３−１２４
４８６号公報、特開平４−７１７９２号公報および特開
平１１−１５６５６８号公報にて開示されているが、こ
れら公報に開示の方法は、レーザ光照射により、照射部
を局所的に加熱してクラックを発生させることによる不
透明化によりマーキングする方法であって、ミクロン
（μｍ）単位の極微細なマーキングはし難い。

【０００７】

【課題を解決するための手段】このような問題に鑑み、
本発明らが、鋭意研究したところ、銀イオン含有ガラス
にレーザ光を走査させると、走査部に窪みが生じ微細な
ラインを加工できることがわかった。

【０００８】本発明は、銀イオンを含有させたガラスに
レーザ光を走査し、ガラス表面を窪ませるガラスの加工
方法である。

【０００９】更に、本発明は、レーザ発振器、光変調
器、リニアトランスレータに搭載した集光レンズ、対物
レンズ、ガルバノメータミラーおよび移動ステージから
なるレーザ加工装置により、銀イオン含有ガラスにレー
ザ光を走査する上記のガラスの加工方法である。

【００１０】更に、本発明は、レーザ発振器、光変調
器、ガルバノメータミラー、fθレンズおよび移動ステ
ージからなるレーザ加工装置により、銀イオン含有ガラ
スにレーザ光を走査する上記のガラスの加工方法であ
る。

【００１１】更に、本発明は、レーザ発振器が、連続レ
ーザ発振器またはパルスレーザ発振器であり、レーザ光
の種類が赤外光、近赤外光、可視光または紫外光である
上記のガラスの加工方法である。

【００１２】更に、本発明は、光変調器が、音響光学素
子または電気光学素子である上記のガラスの加工方法で
ある。

【００１３】更に、本発明は、複数のガルバノメータミ
ラーによって、ガラスへのレーザ光の照射位置を移動さ
せる上記のガラスの加工方法である。

【００１４】更に、本発明は、レーザ光の光軸に対し、
水平方向および垂直方向に移動可能なステージによっ
て、ガラスを移動させる上記のガラスの加工方法であ
る。

【００１５】更に、本発明は、上記のガラスの加工方法
によって、パターンが加工されたフォトマスク用基板で
ある。

【００１６】

【発明の実施の形態】イオン交換法により銀イオンを含
有させたガラスにレーザ光を照射すると、その表面が窪
むことが判った。窪みと窪み周辺のガラスには微粒子の
集合体のように見える膜が付着しており、窪み周辺の膜
は、研磨により容易に除去可能であり、本発明のガラス
の加工方法はフォトマスクの製造に応用できる。

【００１７】本発明に使用する銀イオン含有ガラスは、
ガラス内部に銀イオンを含有したガラスであればよく、
例えば、ソーダライムシリケートガラスであれば、イオ
ン交換法により、ＡｇＮＯ₃とＮａＮＯ₃をモル比１：４
で混合し加熱した溶融塩に浸漬し、ガラスのＮａイオン
を銀イオンとイオン交換することで作製できる。

【００１８】本発明のガラスの加工方法に使用するレー
ザ加工装置の構成物であるレーザ発振器には、連続的に
レーザ光を発光する連続レーザ発振器、パルス状にレー
ザ光を発光するパルスレーザ発振器のどちらを用いても
構わない。

【００１９】また、用いるレーザ光の種類は、赤外光、
近赤外光、可視光または紫外光が挙げられ、波長１００
ｎｍ以上、１ｍｍ（１０⁶ｎｍ）以下の光を使用するこ
とができ、例えば、アルゴンイオンレーザ発振器または
ＵＶパルスレーザ発振器を使用することができる。

【００２０】本発明のガラスの加工方法に使用するレー
ザ加工装置の構成物である光変調器は、スイッチング素
子としての役割を果たす。すなわち、レーザ光の進行方
向を変えるか、遮蔽と透過を切り替えることで、加工物
に対してレーザ光の照射のＯＮ／ＯＦＦを正確に制御す
るものである。ＯＮ／ＯＦＦを行うことで、例えば、ガ
ラス表面を窪ませて加工したラインを非連続とすること
ができ、様々な加工に対応できる。光変調器には、音響
光学変調器（以後、ＡＯＭと略する）または電気光学変
調器（以後、ＥＯＭと略する）のいずれを用いても構わ
ない。

【００２１】ＡＯＭは、ＯＮの状態では、無線周波数域
のＲＦ波を超音波に変換する圧電素子、すなわち、トラ
ンスデューサにより石英ガラスに超音波を伝搬させ、
石英ガラスの密度揺らぎにより回折格子を形成してレー
ザ光を回折させ、その光路を変化させる、ＯＦＦの状態
では、レーザ光を石英ガラス内に直進させるスイッチン
グ素子である。

【００２２】ＥＯＭは、レーザ光に電圧を印加し偏光方
向を変えることで、偏光板によりレーザ光を通過または
遮蔽させるスイッチング素子である。

【００２３】本発明のガラスの加工方法に使用するレー
ザ加工装置の構成物であるガルバノメータミラーは、可
動可能な複数のミラー、通常、Ｘミラー、Ｙミラーから
なり、ミラーの角度を変えてレーザ光の光軸を振ること
が可能である。Ｘミラー、Ｙミラーの角度を制御しつつ
走査調整し、光軸を振って対象物であるガラスへのレー
ザ光の照射位置を移動させて、精度よくガラスを加工す
ることができ、レーザ光を絞り込むことで、ガラスに、
１ｍｍの間隔内に数１０本以上の線を書き込むことので
きる分解能を要し、精緻な加工が行える。

【００２４】本発明のガラスの加工方法に使用するレー
ザ加工装置の構成物としてのリニアトランスレータに搭
載された集光レンズ、対物レンズ、またはｆθレンズ
は、ガルバノメータミラーによって円弧状に走査された
レーザ光の焦点位置を補正し、平面上に集光させ加工パ
ターンの解像度を上げる役割を果たす。

【００２５】本発明のガラスの加工方法に使用するレー
ザ加工装置の構成物である水平方向および／または垂直
方向に移動可能なステージ、例えば、照射面に対し水平
方向に移動可能なＸ−Ｙ軸ステージと垂直方向に移動可
能なＺ軸ステージによって、高速でレーザ光を走査する
際、ガラスを移動させることによりガラスの加工を効率
よく行うことができる。また、移動可能なステージに取
り付けられたガラスをある間隔あけて移動させた後、静
止させて、前述のガルバノメータミラーによりレーザ光
を走査して加工を行うことで、加工部の間隔を開けるこ
とができる。

【００２６】図１は、レーザ光の焦点位置の制御に集光
レンズおよび対物レンズを用いた本発明で使用するレー
ザ加工装置の一例の説明図である。

【００２７】図１に示すレーザ発振器１は、紫外、即
ち、ＵＶパルスレーザ発振器である。ＵＶパルスレーザ
発振器には、通常、ＡＯＭまたはＥＯＭからなる光変調
器が、通称、Ｑスイッチとして既に組み込まれている。
集光レンズ２および対物レンズ３のうち、図示しないリ
ニアトランスレータに搭載された集光レンズ２を、リニ
アトランスレータにより光軸上を動かすことによって、
ターゲット６である銀イオン含有ガラスに照射するレー
ザビームを制御する。

【００２８】ＵＶパルスレーザ発振器から放射したレー
ザ光は、集光レンズ２、次いで対物レンズ３を通過した
後、ガルバノメータミラーであるＸミラー４およびＹミ
ラー５により反射し、その後、ターゲット６である銀イ
オン含有ガラスに走査させて、該銀イオン含有ガラスを
加工する。前記銀イオン含有ガラスの加工は、照射面に
対し水平方向に移動可能なＸ−Ｙ軸ステージと垂直方向
に移動可能なＺ軸ステージからなるＸＹＺ−ステージ７
にガラスを載せて、ステージ７を移動させつつ銀イオン
含有ガラス上にレーザ光を走査させて行うこともでき
る。

【００２９】コンピュータ８にデジタルコマンドデータ
として入力され、デジタル・アナログ・コンバータ９に
よってアナログ信号に変換されたコントロール信号は、
サーボドライバ１０に受信されて、サ−ボドライバ１０
が、集光レンズ２、ガルバノメータミラーであるＸミラ
ー４およびＹミラー５の動作を制御しつつ駆動させ、銀
イオン含有ガラス上のレーザ光の照射位置を移動させ
る、即ち、走査させる。なお、銀イオン含有ガラスへの
レーザ照射による加工部により、微細な書き込みが可能
で、書き込み内容は、前記デジタルコマンドデータを変
更することで、容易に変えられる。

【００３０】図２は、レーザ光の焦点位置の制御にｆθ
レンズを用いた本発明に使用するレーザ加工装置の一例
の説明図である。

【００３１】レーザ発振器１である、アルゴンイオンレ
ーザ発振器から放射したレーザ光は、スイッチング素子
であるＡＯＭ１２を通過した後、ガルバノメータミラー
であるＸミラー４およびＹミラー５により反射し、ｆθ
レンズ１３を透過した後、ターゲット６である銀イオン
含有ガラスに走査させて、該銀イオン含有ガラスを加工
する。ｆθレンズ１３は、ガルバノメータミラーによっ
て走査されるレーザ光をターゲット６である銀イオン含
有ガラスに集光する。

【００３２】該銀イオン含有ガラスの加工は、照射面に
対し水平方向に移動可能なＸ−Ｙ軸ステージと垂直方向
に移動可能なＺ軸ステージからなるＸＹＺ−ステージ７
によって、ステージ７を移動させつつ、該銀イオン含有
ガラス上にレーザ光を走査させて行うこともできる。

【００３３】コンピュータ８に入力されたデジタルコマ
ンドデータは、デジタル・アナログ・コンバータ９によ
ってアナログ信号に変換される。ＡＯＭドライバ１１
は、コンピュータ８から送信されデジタル・アナログ・
コンバータ９によってアナログ信号に変換されたレーザ
変調信号を無線周波数の信号、すなわち、ＲＦ信号に変
換し、図示しない圧電素子、すなわち、トランスデュー
サを介して、ＡＯＭ１２の中に超音波を発生させる。Ａ
ＯＭ１２に入射したレーザ光は、超音波が形成する回折
格子によって回折され、その光路が変化する。その結
果、レーザ光はＯＮ／ＯＦＦする。一方、コンピュータ
８にデジタルコマンドデータとして入力され、デジタル
・アナログ・コンバータ９によってアナログ信号に変換
されたコントロール信号は、サーボドライバ１０に受信
されて、サ−ボドライバ１０が、ガルバノメータミラー
であるＸミラー４およびＹミラー５の動作を制御しつつ
駆動させ、ターゲット６である銀イオン含有ガラス上の
レーザ光の照射位置を移動させる、即ち、走査させる。
なお、ターゲット６である銀イオン含有ガラスへのレー
ザ光による書き込み内容は、前記デジタルコマンドデー
タを変更することで、容易に変えられる。

【００３４】本発明のガラスの加工方法に使用するレー
ザ加工装置の構成物であるステージ７は、例えば、照射
面に対し水平方向に移動可能なＸ−Ｙ軸ステージと垂直
方向に移動可能なＺ軸ステージで構成され、高速でレー
ザ光を走査する際、前記銀イオン含有ガラスを移動させ
ることによりガラスの加工を効率よく行うことができ
る。また、移動可能なステージ７に取り付けられた前記
銀イオン含有ガラスをある間隔あけて移動させた後、静
止させて、前述のガルバノメータミラーによりレーザ光
を走査して加工を行うことで、加工部の間隔を開けられ
る。

【００３５】本発明の加工方法により加工されるガラス
６は、銀イオン含有ガラス６である。

【００３６】本発明のガラスの加工方法は、従来のガラ
スのマーキング方法であるレーザの光の集光部にクラッ
クを生じさせることに比べ、ガラスにダメージを与える
ことなく耐久性に優れるとともに照射していない部分と
のコントラストに優れ、本発明に用いるレーザ加工装置
の精緻加工により、フォトマスクの製造に適用できる。

【００３７】図１に示したレーザ発振器１としてＵＶパ
ルスレーザ発振器を用い、レーザ光の焦点位置の制御に
集光レンズ２および対物レンズ３を用いたレーザ加工装
置と、図２に示したレーザ発振器１として、アルゴンイ
オンレーザ発振器を用い、レーザ光の焦点位置の制御に
ｆθレンズ１３を用いたレーザ加工装置を、本発明の銀
イオン含有ガラスの加工方法に使用した場合の差異につ
いて説明する。

【００３８】図１の加工装置は、リニアトランスレータ
に搭載された集光レンズ２をレーザ光の光軸上で動かす
ことによって、ワーキングディスタンスとフィールドサ
イズを自在に変えることが可能である。図２に示す加工
装置は、光源に可視光であるアルゴンイオンレーザを用
いるのに対して、図１の加工装置は、光源に紫外光であ
るＵＶパルスレーザを用いる。紫外光は可視光より波長
が短いことより、紫外光レーザは可視光レーザよりも照
射径が小さく、レーザ光を走査した際のトレースライン
の線幅をより細くし、一層の精緻加工が可能である。

【００３９】よって、本発明の銀イオン含有加工ガラス
の加工方法には、図１に示すレーザ発振器１としてＵＶ
パルスレーザ発振器を用い、レーザ光の焦点位置の制御
に集光レンズ２および対物３レンズを用いたレーザ加工
装置を用いることが好ましい。

【００４０】本発明を以下の実施例によって詳細に説明
するが、本発明は、以下の実施例によって、限定される
ものではない。

【００４１】

【実施例】実施例１図１に示すように、レーザ加工装置は、レーザ発振器１
であるＵＶパルスレーザ発振器、リニアトランスレータ
に搭載された集光レンズ２、対物レンズ３、ガルバノメ
ータ内のＸミラー４、Ｙミラー５、水平方向に移動可能
なＸ−Ｙ軸ステージと垂直方向に移動可能なＺ軸ステー
ジからなるＸＹＺ−ステージ７に付設されたホルダから
なり、ホルダにターゲット６である銀イオン含有ガラス
が取り付けられる。

【００４２】該銀イオン含有ガラスは、板厚５ｍｍ、サ
イズ１００ｍｍ角の組成ＳｉＯ₂、７２ｗｔ％、Ｎａ
₂Ｏ、１６ｗｔ％、ＣａＯ、１０ｗｔ％、Ａｌ₂Ｏ₃、２
ｗｔ％のソーダライムガラス基板を、ＡｇＮＯ₃とＮａ
ＮＯ₃をモル比１：４で混合した温度５９０Ｋ（３１７
℃）の溶融塩に３０分間浸漬し、ガラスのＮａイオンを
銀イオンと交換することによって作製した。

【００４３】ＵＶパルスレーザ発振器より、波長３５５
ｎｍ、パルス幅２０ｎｓ、パルスエネルギー４０μＪ、
平均出力１Ｗ、繰り返し周波数２５ｋＨｚで発振させた
レーザ光を集光レンズ２により絞って、Ｘミラー４とＹ
ミラー５とで反射させ、ホルダに取り付けられた板厚５
ｍｍ、サイズ１００ｍｍ角のターゲット６である前記銀
イオン含有ガラスの表面に、速度６０ｍｍ／ｓｅｃで走
査することによって、ライン間隔５０μｍ、線幅１０μ
ｍを加工することができた。

【００４４】図３は、前記ラインのレーザ顕微鏡写真で
ある。

【００４５】図３に示すように、ラインＡは溝状に窪ん
でおり、ラインＡとラインＡ近傍のガラスには微細粒子
の集合体のように見える膜が付着していた。窪みは銀含
有ガラスが揮発したものであり、窪み周辺の膜は、銀が
揮発した跡か、揮発物が凝集したことによるかは定かで
はないが、厚みが１μｍ以下であるため、研磨すること
で容易に除去することが可能であった詳しくは、ガラス
のレーザ加工面に付着した膜は、ポリシュ研磨機によっ
て除去した。すなわち、ガラスの加工面を、発泡ポリウ
レタンフィルムを貼り付けた研磨盤と向き合わせ、その
間に二酸化セリウムのスラリーを供給しながら研磨盤を
回転することによって除去した。比較例１実施例１で用いた加工装置を用い、実施例１と同じ走査
条件で、実施例１と異なり、イオン交換法により銀イオ
ンをドープする処理を行っていない、板厚５ｍｍ、サイ
ズ１００ｍｍ角の組成ＳｉＯ₂、７２ｗｔ％、Ｎａ₂Ｏ、
１６ｗｔ％、ＣａＯ、１０ｗｔ％、Ａｌ₂Ｏ₃、２ｗｔ％
のソーダライムガラス基板にレーザ光を走査して、ガラ
スに線幅１０μｍのラインを加工しようとしたが、ライ
ンは描けなかった。レーザ顕微鏡にて観察したところ、
走査部のガラスは何ら変化していなかった。比較例２実施例１および比較例１で用いた加工装置を用い、イオ
ン交換法により銀イオンをドープする処理を行っていな
い、板厚５ｍｍ、サイズ１００ｍｍ角の組成ＳｉＯ₂、
７２ｗｔ％、Ｎａ₂Ｏ、１６ｗｔ％、ＣａＯ、１０ｗｔ
％、Ａｌ₂Ｏ₃、２ｗｔ％のソーダライムガラス基板に、
ＵＶパルスレーザ発振器より、波長３５５ｎｍ、パルス
幅２０ｎｓ、パルスエネルギー１００μＪ、平均出力
２．５Ｗ、繰り返し周波数２５ｋＨｚで発振させたレー
ザ光を集光レンズ２により絞って、Ｘミラー４とＹミラ
ー５とで反射させ、ホルダに取り付けられた板厚５ｍ
ｍ、サイズ１００ｍｍ角のターゲット６である前記ガラ
スの表面に速度６０ｍｍ／ｓｅｃでレーザ光を走査し
て、ライン間隔５０μｍ、線幅１０μｍのラインを加工
しようとしたが、走査部は幅１０μｍのハマ欠けとクラ
ックを伴う断続線であった。比較例３実施例１、比較例１および比較例２で用いた加工装置を
用い、イオン交換法により銀イオンをドープする処理を
行っていない、板厚５ｍｍ、サイズ１００ｍｍ角の組成
ＳｉＯ₂、７２ｗｔ％、Ｎａ₂Ｏ、１６ｗｔ％、ＣａＯ、
１０ｗｔ％、Ａｌ₂Ｏ₃、２ｗｔ％のソーダライムガラス
基板に、ＵＶパルスレーザ発振器より、波長３５５ｎ
ｍ、パルス幅２０ｎｓ、パルスエネルギー１５０μＪ、
平均出力３．８Ｗ、繰り返し周波数２５ｋＨｚで発振さ
せたレーザ光を集光レンズ２により絞って、Ｘミラー４
とＹミラー５とで反射させ、ホルダに取り付けられた板
厚５ｍｍ、サイズ１００ｍｍ角のターゲット６である前
記ガラスの表面に速度６０ｍｍ／ｓｅｃでレーザ光を走
査して、ライン間隔５０μｍ、線幅１０μｍのラインを
加工しようとしたが、走査部は幅３０〜５０μｍのハマ
欠けの連続であった。

【００４６】

【発明の効果】本発明で使用した前記加工装置により、
多数の微細な窪みを寸法精度および位置精度よくを銀イ
オン含有ガラス基板表面に加工することができ、パター
ンデータを加工装置に入力して透明基板表面に加工し、
パターンとすることでフォトマスクを作製することが可
能である。

【図面の簡単な説明】

【図１】レーザ光の焦点位置の制御に集光レンズおよび
対物レンズを用いた本発明で使用するレーザ加工装置の
一例の説明図である。

【図２】レーザ光の焦点位置の制御にｆθレンズを用い
た本発明で使用するレーザ加工装置の一例の説明図であ
る。

【図３】実施例１で得られた加工ラインの図面代用レー
ザ顕微鏡写真である。

【符号の説明】

１レーザ発振器２集光レンズ３対物レンズ４Ｘミラー５Ｙミラー６ターゲット（銀イオン含有ガラス）７ＸＹＺ−ステージ

フロントページの続き (72)発明者多門宏幸三重県松阪市大口町1510番地セントラル硝子株式会社硝子研究所内 (72)発明者西川晋司三重県松阪市大口町1510番地セントラル硝子株式会社硝子研究所内 (72)発明者上村宏三重県松阪市大口町1510番地セントラル硝子株式会社硝子研究所内 (72)発明者角野広平大阪府池田市緑丘１丁目８番31号独立行政法人産業技術総合研究所関西センター内 (72)発明者赤井智子大阪府池田市緑丘１丁目８番31号独立行政法人産業技術総合研究所関西センター内 (72)発明者山下勝大阪府池田市緑丘１丁目８番31号独立行政法人産業技術総合研究所関西センター内 (72)発明者矢澤哲夫大阪府池田市緑丘１丁目８番31号独立行政法人産業技術総合研究所関西センター内Ｆターム(参考） 2H095 BA01 BC28 4E068 CA01 CD10 CE03 CE04 DB13 4G059 AA08 AA13 AB05 AB09 AC01

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】銀イオンを含有させたガラスにレーザ光
を走査し、ガラス表面を窪ませるガラスの加工方法。
【請求項２】レーザ発振器、光変調器、リニアトラン
スレータに搭載した集光レンズ、対物レンズ、ガルバノ
メータミラーおよび移動ステージからなるレーザ加工装
置により、銀イオン含有ガラスにレーザ光を走査する請
求項１に記載のガラスの加工方法。
【請求項３】レーザ発振器、光変調器、ガルバノメー
タミラー、fθレンズおよび移動ステージからなるレー
ザ加工装置により、銀イオン含有ガラスにレーザ光を走
査する請求項１に記載のガラスの加工方法。
【請求項４】レーザ発振器が、連続レーザ発振器または
パルスレーザ発振器であり、レーザ光の種類が赤外光、
近赤外光、可視光または紫外光である請求項２または請
求項３に記載のガラスの加工方法。
【請求項５】光変調器が、音響光学素子または電気光
学素子である請求項２乃至請求項４のいずれかに記載の
ガラスの加工方法。
【請求項６】複数のガルバノメータミラーによって、
ガラスへのレーザ光の走査する請求項１乃至請求項５の
いずれかに記載のガラスの加工方法。
【請求項７】レーザ光の光軸に対し、水平方向および
垂直方向に移動可能なステージによって、ガラスを移動
させる請求項２乃至請求項６のいずれかに記載のガラス
の加工方法。
【請求項８】請求項１乃至請求項７のいずれかに記載
のガラスの加工方法によって、パターンが加工されたフ
ォトマスク用基板。