JP2003178868A - Transfer material and manufacturing method of organic thin film element - Google Patents
Transfer material and manufacturing method of organic thin film elementInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は有機薄膜素子の転写
材料、及びそれを用いた有機薄膜素子の製造方法に関す
る。TECHNICAL FIELD The present invention relates to a transfer material for an organic thin film element and a method for manufacturing an organic thin film element using the same.
【０００２】[0002]
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】有機EL
素子等の有機発光素子は容易に面状発光素子に適用し得
るため、新たな光デバイスとして注目されている。具体
的には、固体発光型の安価な大面積フルカラー表示素子
や書き込み光源アレイとしての用途が有望視され、多く
の開発が行われている。一般に有機発光素子は、発光層
及び前記発光層を挟んだ一対の対向電極（背面電極及び
透明電極）から構成されている。前記有機発光素子にお
いて、一対の対向電極間に電界が印加されると、有機発
光素子内に背面電極から電子が注入されるとともに、透
明電極から正孔が注入される。電子と正孔とが前記発光
層中で再結合し、エネルギー準位が伝導帯から価電子帯
に戻る際にエネルギーが光として放出され、発光する。PRIOR ART AND PROBLEMS TO BE SOLVED BY THE INVENTION Organic EL
Organic light-emitting devices such as organic light-emitting devices can be easily applied to planar light-emitting devices, and are therefore attracting attention as new optical devices. Specifically, it is promising to be used as a solid-state light emitting type inexpensive large area full-color display device and a writing light source array, and many developments have been made. Generally, an organic light emitting device is composed of a light emitting layer and a pair of counter electrodes (a back electrode and a transparent electrode) sandwiching the light emitting layer. In the organic light emitting device, when an electric field is applied between the pair of opposing electrodes, electrons are injected from the back electrode and holes are injected from the transparent electrode into the organic light emitting device. Electrons and holes recombine in the light emitting layer, and when the energy level returns from the conduction band to the valence band, energy is emitted as light to emit light.
【０００３】有機EL素子の有機薄膜形成の多くは蒸着法
により製造されている。特開平9-167684号及び特開2000
-195665号は、マイカ又はフイルムの仮基板上に予め有
機層を均一に蒸着法により形成し、次いで基板と有機層
を近接させ、加熱蒸着する方法を提案している。しかし
ながらこれらの方法には、蒸着法を用いるために製造効
率が悪いという問題がある。また有機薄膜用に低分子有
機化合物しか使用できないため、フレキシブルなディス
プレイ用途等に用いると耐屈曲性や膜強度等の耐久性が
不十分であるという問題があり、特に大面積化した場合
に問題になる。Most of the organic thin film formation of the organic EL element is manufactured by the vapor deposition method. JP-A-9-167684 and 2000
No. 195665 proposes a method in which an organic layer is uniformly formed in advance on a temporary substrate of mica or film by a vapor deposition method, and then the substrate and the organic layer are brought close to each other and heat vapor deposition is performed. However, these methods have a problem that the manufacturing efficiency is low because the vapor deposition method is used. In addition, since only low molecular weight organic compounds can be used for organic thin films, there is a problem that durability such as bending resistance and film strength is insufficient when used for flexible display applications etc., especially when large area is used. become.
【０００４】また緑色の発光を示すポリパラフェニレン
ビニレン（「ネイチャー」、347巻、539頁、1990年）、
赤燈色の発光を示すポリ3-アルキルチオフェン（ジャパ
ニーズ・ジャーナル・オブ・アプライド・フィジクス、30
巻、L1938頁、1991年）、青色発光素子としてポリアル
キルフルオレン（ジャパニーズ・ジャーナル・オブ・アプ
ライド・フィジクス、30巻、L1941頁、1991年）等の高分
子の発光薄膜や、低分子化合物をバインダー樹脂に分散
させた発光薄膜を用いた高分子型素子も知られている。
これらの高分子型素子は大面積化にも有利であり、フレ
キシブルなディスプレイ用途として期待されているが、
有機発光薄膜の形成に蒸着法を適応できない。そのた
め、通常湿式法により薄膜形成が基板上に直接行われて
いる。Polyparaphenylene vinylene (Green, 347, 539, 1990), which emits green light,
Poly 3-alkylthiophene with red light emission (Japanese Journal of Applied Physics, 30
Vol., L1938, 1991), polyalkylfluorene as a blue light emitting device (Japanese Journal of Applied Physics, 30, L1941, 1991), and other polymer light-emitting thin films and low-molecular compounds as binders. A polymer type element using a light emitting thin film dispersed in a resin is also known.
These polymer type devices are also advantageous for increasing the area, and are expected as flexible display applications.
The evaporation method cannot be applied to the formation of the organic light emitting thin film. Therefore, a thin film is usually formed directly on the substrate by a wet method.
【０００５】しかし湿式法では、溶液の表面張力により
有機薄膜の膜厚均一性が不十分になることや、有機薄膜
層を積層する場合に各有機薄膜層が界面で溶解してしま
うという問題がある。このため、この方法により得られ
た有機薄膜素子には発光効率や素子耐久性に劣るという
問題があった。However, in the wet method, the film thickness uniformity of the organic thin film becomes insufficient due to the surface tension of the solution, and when the organic thin film layers are laminated, each organic thin film layer dissolves at the interface. is there. Therefore, the organic thin film element obtained by this method has a problem that it is inferior in luminous efficiency and element durability.
【０００６】WO00／41893号は、有機薄膜と光熱変換層
を有するドナーシートを用いて、レーザにより熱転写す
る方法を提案している。ところがWO00／41893号のよう
な熱転写の場合、有機薄膜層の接合界面に気体の巻き込
みの問題がある。有機薄膜層の界面の状態により、有機
EL素子の発光効率や耐久性、更に発光面状の均一性が異
なり、有機薄膜層の接合界面に気体の巻き込みがある
と、素子機能は悪化する。[0006] WO00 / 41893 proposes a method of thermal transfer by laser using a donor sheet having an organic thin film and a photothermal conversion layer. However, in the case of thermal transfer as in WO00 / 41893, there is a problem of gas entrapment at the bonding interface of the organic thin film layers. Depending on the state of the interface of the organic thin film layer, the organic
If the EL element has different luminous efficiency and durability, and the uniformity of the light emitting surface is different, and if gas is entrapped at the bonding interface of the organic thin film layers, the element function deteriorates.
【０００７】またプリント技術分野で利用されている熱
ヘッドやレーザを用いたパターン状の熱書き込みの場
合、熱拡散性によりパターンの周辺に温度分布が生じ
て、有機薄膜パターンの輪郭がきれいにドナー側から切
断されない。このため発光量のばらつきが生じたり、ま
た電気的不良や薄膜破片による欠陥が起こり、更に耐久
性も悪くなるという問題がある。また基板と熱ヘッドや
レーザとの位置合わせの不良により、歩留まり低下の問
題もある。Further, in the case of pattern-shaped thermal writing using a thermal head or a laser used in the field of printing technology, a temperature distribution is generated around the pattern due to thermal diffusivity, so that the contour of the organic thin film pattern is neat. Is not disconnected from. As a result, there is a problem in that variations in the amount of emitted light occur, electrical defects and defects due to thin film debris occur, and durability deteriorates. In addition, there is a problem that the yield is lowered due to the misalignment of the substrate with the thermal head or the laser.
【０００８】従って本発明の目的は、有機薄膜層を簡便
な製造装置で安価に基板上に形成できるとともに、均一
性及び良好な接合界面を有する有機薄膜素子を製造する
方法を提供することであり、特に仮支持体上に均一な有
機薄膜層を形成することにより、発光効率、発光量の均
一性及び耐久性に優れた有機EL素子等の有機薄膜素子を
効率良く製造する方法、それに用いる転写材料を提供す
ることである。Therefore, an object of the present invention is to provide a method for producing an organic thin film element having a uniform and good bonding interface, which can form an organic thin film layer on a substrate at a low cost with a simple production apparatus. , A method for efficiently producing an organic thin film element such as an organic EL element having excellent luminous efficiency, uniformity of light emission amount and durability by forming a uniform organic thin film layer on a temporary support, and a transfer used therefor To provide the material.
【０００９】[0009]
【課題を解決するための手段】上記目的に鑑み鋭意研究
の結果、本発明者は、有機薄膜素子を構成する少なくと
も１層の有機薄膜層を仮支持体上に設け、その有機薄膜
層を基板に転写することにより、発光効率、発光量の均
一性及び耐久性に優れた有機EL素子等の有機薄膜素子を
低コストで製造できることを発見し、本発明に想到し
た。As a result of earnest research in view of the above object, the present inventor found that at least one organic thin film layer constituting an organic thin film element is provided on a temporary support, and the organic thin film layer is a substrate. It was discovered that an organic thin film element such as an organic EL element excellent in light emission efficiency, uniformity of light emission amount, and durability can be manufactured at low cost by transferring to the present invention, and the present invention was conceived.
【００１０】すなわち、本発明の転写材料は、仮支持体
上に少なくとも１層の有機薄膜層を形成してなる転写材
料において、有機薄膜層側が基板の被成膜面に対面する
ように転写材料を基板に重ねて加熱及び／又は加圧し、
仮支持体を引き剥がすことにより有機薄膜層を基板の被
成膜面に転写して有機薄膜素子を製造する剥離転写法に
使用する転写材料であって、仮支持体表面の表面粗さが
最大高さRmax（JIS B0601-1982により規定される）で、
有機薄膜層の膜厚を100とした場合に50以下であること
を特徴とする。That is, the transfer material of the present invention is a transfer material in which at least one organic thin film layer is formed on a temporary support, so that the organic thin film layer side faces the film formation surface of the substrate. Is placed on the substrate and heated and / or pressurized,
A transfer material used in the peel transfer method for manufacturing an organic thin film element by transferring the organic thin film layer to the film formation surface of the substrate by peeling off the temporary support, and the surface roughness of the temporary support surface is maximum. Height Rmax (specified by JIS B0601-1982),
When the film thickness of the organic thin film layer is 100, it is 50 or less.
【００１１】本発明の有機薄膜素子の製造方法は、仮支
持体上に少なくとも１層の有機薄膜層を有する転写材料
を使用し、有機薄膜層側が基板の被成膜面に対面するよ
うに転写材料を基板に重ねて加熱及び／又は加圧し、仮
支持体を引き剥がすことにより有機薄膜層を基板の被成
膜面に転写する有機薄膜素子の製造方法であって、仮支
持体表面の表面粗さが最大高さRmax（JIS B 0601-1982
により規定される）で、有機薄膜層の膜厚を100とした
場合に50以下であることを特徴とする。The method for producing an organic thin film element of the present invention uses a transfer material having at least one organic thin film layer on a temporary support, and transfers so that the organic thin film layer side faces the film formation surface of the substrate. A method of manufacturing an organic thin film element, which comprises transferring a material of an organic thin film to a film formation surface of a substrate by stacking a material on a substrate, heating and / or pressing the material, and peeling off the temporary support. Roughness is maximum height Rmax (JIS B 0601-1982
), And is 50 or less when the film thickness of the organic thin film layer is 100.
【００１２】少なくとも発光性化合物及び／又はキャリ
ア輸送性化合物を含有する有機薄膜層を使用するのが好
ましい。また基板側から順にホール輸送性有機薄膜層、
発光性有機薄膜層及び電子輸送性有機薄膜層を転写する
のが好ましい。基板は基板支持体とその上に形成された
透明導電膜からなるのが好ましい。It is preferable to use an organic thin film layer containing at least a light emitting compound and / or a carrier transporting compound. Also, a hole transporting organic thin film layer in order from the substrate side,
It is preferable to transfer the light emitting organic thin film layer and the electron transporting organic thin film layer. The substrate preferably comprises a substrate support and a transparent conductive film formed thereon.
【００１３】転写材料及び／又は前記基板は連続ウエブ
であるのが好ましい。The transfer material and / or the substrate is preferably a continuous web.
【００１４】[0014]
【発明の実施の形態】まず本発明の有機薄膜層転写材料
を説明し、次いで有機薄膜素子の製造方法を説明し、最
後に有機薄膜素子を説明する。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION First, the organic thin film layer transfer material of the present invention will be explained, then the method for producing an organic thin film element will be explained, and finally the organic thin film element will be explained.
【００１５】[1] 転写材料
(1) 構成
有機薄膜層は仮支持体上に湿式法で作製する。有機薄膜
層を設けた転写材料は、個々独立した転写材料として作
製してもよいし、図１に示すように面順次に複数の有機
薄膜層を設けてもよい。すなわち、進行方向順に112a，
112b，112cと複数の有機薄膜層を１枚の仮支持体に設け
てもよい。この場合、転写材料の交換の必要なしに、複
数の有機薄膜層を連続的に形成することができる。[1] Transfer Material (1) The constituent organic thin film layer is formed on a temporary support by a wet method. The transfer material provided with the organic thin film layer may be prepared as an independent transfer material, or a plurality of organic thin film layers may be provided in the frame order as shown in FIG. That is, 112a in the direction of travel,
You may provide 112b, 112c and several organic thin film layers in one temporary support body. In this case, a plurality of organic thin film layers can be continuously formed without the need to replace the transfer material.
【００１６】また仮支持体上に２層以上の有機薄膜層を
予め積層した転写材料を使用すれば、１回の転写工程で
基板の被成膜面に多層膜を積層することができる。仮支
持体上に予め積層する場合、積層される各有機薄膜層の
界面が均一でないと正孔や電子の移動にムラが生じてし
まうので、界面を均一にするために溶剤を慎重に選ぶ必
要があり、またその溶剤に可溶な有機薄膜層用の有機化
合物を選択する必要がある。If a transfer material in which two or more organic thin film layers are preliminarily laminated on the temporary support is used, the multilayer film can be laminated on the film formation surface of the substrate in one transfer process. When preliminarily laminating on a temporary support, if the interface of each organic thin film layer to be laminated is not uniform, uneven movement of holes and electrons will occur, so it is necessary to carefully select the solvent to make the interface uniform. In addition, it is necessary to select an organic compound for the organic thin film layer that is soluble in the solvent.
【００１７】(2) 仮支持体
本発明の転写材料に使用する仮支持体の表面は、表面粗
さでJIS B 0601-1982で規定される最大高さRmaxが、転
写材料の有機薄膜層の膜厚を100とした場合に50以下で
あり、0以上25以下であるのが好ましく、0.0001以上10
以下であるのが特に好ましい。50を超えると有機薄膜層
の膜質が低下したり（製膜性、膜強度が低下する等）、
発光が不均一になるので好ましくない。(2) Temporary support The surface of the temporary support used for the transfer material of the present invention has a surface roughness of the maximum height Rmax defined by JIS B 0601-1982, which is the same as that of the organic thin film layer of the transfer material. When the film thickness is 100, it is 50 or less, preferably 0 or more and 25 or less, and 0.0001 or more 10
The following is particularly preferable. When it exceeds 50, the film quality of the organic thin film layer may be deteriorated (film-forming property, film strength, etc.),
It is not preferable because the light emission becomes non-uniform.
【００１８】JIS B 0601-1982で規定される最大高さRma
xとは、図２に示すように断面曲線から基準長さの部分
を抜き取り、その抜き取り部分の平均線に平行な２直線
（山頂線と谷底線）で抜き取り部分を挟んだとき、この
２直線の間隔を縦倍率の方向（Z軸方向）に測定した値
をいい、本発明の転写材料では単位をnmで表示する。Maximum height Rma specified in JIS B 0601-1982
As shown in Fig. 2, x is the reference length part extracted from the section curve, and when the extracted part is sandwiched by two straight lines (peak line and valley bottom line) parallel to the average line of the extracted part, these two straight lines Is the value measured in the direction of longitudinal magnification (Z-axis direction), and in the transfer material of the present invention, the unit is expressed in nm.
【００１９】最大高さRmaxを測定する方法としては、原
子間力顕微鏡法、共焦点顕微鏡法、触針法、光学顕微干
渉法、多重干渉法、光切断法等が挙げられるが、原子間
力顕微鏡法及び共焦点顕微鏡法によるのが好ましい。Examples of the method for measuring the maximum height Rmax include atomic force microscopy, confocal microscopy, stylus method, optical microscopic interference method, multiple interference method, light section method, etc. Preferably by microscopy and confocal microscopy.
【００２０】仮支持体は、化学的及び熱的に安定であっ
て、可撓性を有する材料により構成されるべきであり、
具体的にはフッ素樹脂［例えば４フッ化エチレン樹脂
（PTFE）、３フッ化塩化エチレン樹脂（PCTFE）］、ポ
リエステル（例えばポリエチレンテレフタレート、ポリ
エチレンナフタレート（PEN））、ポリアリレート、ポ
リカーボネート、ポリオレフィン（例えばポリエチレ
ン、ポリプロピレン）、ポリエーテルスルホン（PES）
等の薄いシート、又はこれらの積層体が好ましい。仮支
持体の厚さは１μm〜300μmが適当であり、更に３μm〜
200μmが好ましく、特に５μm〜150μmであるのが好ま
しい。The temporary support should be made of a flexible material that is chemically and thermally stable.
Specifically, fluororesin [eg, tetrafluoroethylene resin (PTFE), trifluoroethylene chloride resin (PCTFE)], polyester (eg, polyethylene terephthalate, polyethylene naphthalate (PEN)), polyarylate, polycarbonate, polyolefin (eg, Polyethylene, polypropylene), polyether sulfone (PES)
And the like, or a laminated body thereof is preferable. The suitable thickness of the temporary support is 1 μm to 300 μm, and further 3 μm to
200 μm is preferable, and particularly preferably 5 μm to 150 μm.
【００２１】また、仮支持体の構成は単層体及び積層体
のいずれでもよい。積層体の場合は、基体の有機薄膜層
を設ける側に少なくとも１層の平滑層を形成することに
より仮支持体を作製することができる。平滑層は、上述
したJIS B 0601-1982で規定される最大高さRmaxを満た
す層であればよく、構成する素材は特に限定されない
が、上記仮支持体に用いる材料が好ましい。The structure of the temporary support may be either a single layer or a laminate. In the case of a laminate, a temporary support can be prepared by forming at least one smooth layer on the side of the substrate on which the organic thin film layer is provided. The smooth layer may be any layer as long as it satisfies the maximum height Rmax defined by JIS B 0601-1982 described above, and the material constituting it is not particularly limited, but the material used for the temporary support is preferable.
【００２２】(3) 仮支持体への有機薄膜層の形成
バインダーとして高分子化合物を含む有機薄膜層は、湿
式法により仮支持体に形成するのが好ましい。これに
は、有機薄膜層用材料を有機溶剤に所望の濃度に溶解
し、得られた溶液を仮支持体に塗布する。塗布法として
は、有機薄膜層の乾燥膜厚が200 nm以下で均一な膜厚分
布が得られれば特に制限はなく、スピンコート法、グラ
ビアコート法、ディップコート法、キャスト法、ダイコ
ート法、ロールコート法、バーコート法、エクストルー
ジェンコート法、インクジェット塗布法等が挙げられ
る。中でも、ロールツーロールによる生産性の高いエク
ストルージェンコート法が好ましい。(3) Formation of Organic Thin Film Layer on Temporary Support The organic thin film layer containing a polymer compound as a binder is preferably formed on the temporary support by a wet method. For this, the material for the organic thin film layer is dissolved in an organic solvent to a desired concentration, and the resulting solution is applied to a temporary support. The coating method is not particularly limited as long as a dry film thickness of the organic thin film layer is 200 nm or less and a uniform film thickness distribution can be obtained, and a spin coating method, a gravure coating method, a dip coating method, a casting method, a die coating method, a roll method. Examples thereof include a coating method, a bar coating method, an extrusion coating method, an inkjet coating method and the like. Among them, the extrusion coat method, which has high productivity by roll-to-roll, is preferable.
【００２３】(4) 有機薄膜層
有機薄膜層は有機薄膜素子を構成する層であり、発光性
有機薄膜層、電子輸送性有機薄膜層、ホール輸送性有機
薄膜層、電子注入層、ホール注入層等が挙げられる。本
発明の転写材料は、これらの層のいずれか１種又は複数
の層を含むことができる。また発色性を向上するための
種々の層を挙げることができる。各層に用いる化合物の
具体例については、例えば「月刊ディスプレイ」1998年
10月号別冊の「有機ELディスプレイ」（テクノタイムズ
社）等に記載されている。(4) Organic thin film layer The organic thin film layer is a layer constituting an organic thin film element, and is a light emitting organic thin film layer, an electron transporting organic thin film layer, a hole transporting organic thin film layer, an electron injection layer, a hole injection layer. Etc. The transfer material of the present invention can include any one or more of these layers. Further, various layers for improving the color developability can be mentioned. For specific examples of compounds used for each layer, see “Monthly Display” 1998
It is described in "Organic EL Display" (Techno Times, Inc.) etc.
【００２４】(a) 発光性有機薄膜層
発光性有機薄膜層は少なくとも一種の発光性化合物を含
有する。発光性化合物は特に限定的ではなく、蛍光発光
性化合物であっても燐光発光性化合物であっても良い。
また蛍光発光性化合物及び燐光発光性化合物を同時に用
いても良い。本発明においては、発光輝度及び発光効率
の点から燐光発光性化合物を用いるのが好ましい。(A) Luminescent organic thin film layer The luminescent organic thin film layer contains at least one luminescent compound. The light emitting compound is not particularly limited, and may be a fluorescent light emitting compound or a phosphorescent light emitting compound.
Further, the fluorescent compound and the phosphorescent compound may be used at the same time. In the present invention, it is preferable to use a phosphorescent compound from the viewpoint of light emission brightness and light emission efficiency.
【００２５】蛍光発光性化合物としては、ベンゾオキサ
ゾール誘導体、ベンゾイミダゾール誘導体、ベンゾチア
ゾール誘導体、スチリルベンゼン誘導体、ポリフェニル
誘導体、ジフェニルブタジエン誘導体、テトラフェニル
ブタジエン誘導体、ナフタルイミド誘導体、クマリン誘
導体、ペリレン誘導体、ペリノン誘導体、オキサジアゾ
ール誘導体、アルダジン誘導体、ピラリジン誘導体、シ
クロペンタジエン誘導体、ビススチリルアントラセン誘
導体、キナクリドン誘導体、ピロロピリジン誘導体、チ
アジアゾロピリジン誘導体、スチリルアミン誘導体、芳
香族ジメチリデン化合物、金属錯体（8-キノリノール誘
導体の金属錯体、希土類錯体等）、高分子発光性化合物
（ポリチオフェン誘導体、ポリフェニレン誘導体、ポリ
フェニレンビニレン誘導体、ポリフルオレン誘導体等）
等が使用できる。これらは単独で用いても２種以上を混
合して用いてもよい。Examples of the fluorescent compound include benzoxazole derivatives, benzimidazole derivatives, benzothiazole derivatives, styrylbenzene derivatives, polyphenyl derivatives, diphenylbutadiene derivatives, tetraphenylbutadiene derivatives, naphthalimide derivatives, coumarin derivatives, perylene derivatives, and perinone. Derivatives, oxadiazole derivatives, aldazine derivatives, pyraridine derivatives, cyclopentadiene derivatives, bisstyrylanthracene derivatives, quinacridone derivatives, pyrrolopyridine derivatives, thiadiazolopyridine derivatives, styrylamine derivatives, aromatic dimethylidene compounds, metal complexes (8-quinolinol Derivative metal complex, rare earth complex, etc., polymer light emitting compound (polythiophene derivative, polyphenylene derivative, polyphenylene vinylene) Derivatives, polyfluorene derivatives and the like)
Etc. can be used. These may be used alone or in combination of two or more.
【００２６】燐光発光性化合物は、好ましくは三重項励
起子から発光することができる化合物であり、オルトメ
タル化錯体及びポルフィリン錯体が好ましい。ポルフィ
リン錯体の中ではポルフィリン白金錯体が好ましい。燐
光発光性化合物は単独で使用しても２種以上を併用して
もよい。The phosphorescent compound is preferably a compound capable of emitting light from triplet excitons, and orthometallated complex and porphyrin complex are preferred. Among the porphyrin complexes, the porphyrin platinum complex is preferable. The phosphorescent compounds may be used alone or in combination of two or more.
【００２７】本発明でいうオルトメタル化錯体とは、山
本明夫著「有機金属化学 基礎と応用」，150頁及び232
頁，裳華房社（1982年）、H. Yersin著「Photochemistr
y and Photophysics of Coordination Compounds」，71
〜77頁及び135〜146頁，Springer-Verlag社（1987年）
等に記載されている化合物群の総称である。オルトメタ
ル化錯体を形成する配位子は特に限定されないが、2-フ
ェニルピリジン誘導体、7,8-ベンゾキノリン誘導体、2-
(2-チエニル)ピリジン誘導体、2-(1-ナフチル)ピリジン
誘導体又は2-フェニルキノリン誘導体であるのが好まし
い。これら誘導体は置換基を有してもよい。またこれら
のオルトメタル化錯体形成に必須の配位子以外に他の配
位子を有していてもよい。オルトメタル化錯体を形成す
る中心金属としては、遷移金属であればいずれも使用可
能であり、本発明ではロジウム、白金、金、イリジウ
ム、ルテニウム、パラジウム等を好ましく用いることが
できる。このようなオルトメタル化錯体を含む有機化合
物層は、発光輝度及び発光効率に優れている。オルトメ
タル化錯体については、特願2000-254171号に具体例が
記載されている。The ortho-metallated complex referred to in the present invention refers to Akio Yamamoto, "Organometallic Chemistry: Fundamentals and Applications," pages 150 and 232.
Pp. Shokabosha (1982), H. Yersin, “Photochemistr
y and Photophysics of Coordination Compounds ", 71
~ 77 and 135 ~ 146, Springer-Verlag (1987)
Etc. is a general term for a compound group described in. The ligand forming the orthometallated complex is not particularly limited, but it may be a 2-phenylpyridine derivative, a 7,8-benzoquinoline derivative or a 2-phenylpyridine derivative.
It is preferably a (2-thienyl) pyridine derivative, a 2- (1-naphthyl) pyridine derivative or a 2-phenylquinoline derivative. These derivatives may have a substituent. In addition to these ligands essential for forming the orthometalated complex, other ligands may be contained. As the central metal forming the ortho-metallated complex, any transition metal can be used, and in the present invention, rhodium, platinum, gold, iridium, ruthenium, palladium and the like can be preferably used. The organic compound layer containing such an orthometalated complex is excellent in light emission brightness and light emission efficiency. Specific examples of orthometalated complexes are described in Japanese Patent Application No. 2000-254171.
【００２８】本発明で用いるオルトメタル化錯体は、In
org. Chem., 30, 1685, 1991、Inorg. Chem., 27, 346
4, 1988、Inorg. Chem., 33, 545, 1994、Inorg. Chim.
Acta, 181, 245, 1991、J. Organomet. Chem., 335, 2
93, 1987、J. Am. Chem. Soc., 107, 1431, 1985等に記
載の公知の方法により合成することができる。The ortho-metallated complex used in the present invention is In
org. Chem., 30, 1685, 1991, Inorg. Chem., 27, 346
4, 1988, Inorg. Chem., 33, 545, 1994, Inorg. Chim.
Acta, 181, 245, 1991, J. Organomet. Chem., 335, 2
93, 1987, J. Am. Chem. Soc., 107, 1431, 1985, etc., and can be synthesized by a known method.
【００２９】発光性有機薄膜層中の発光性化合物の含有
量は特に制限されないが、例えば0.1〜70質量％である
のが好ましく、１〜20質量％であるのがより好ましい。
発光性化合物の含有量が0.1質量％未満であるか又は70
質量％を超えると、その効果が十分に発揮されないこと
がある。The content of the light emitting compound in the light emitting organic thin film layer is not particularly limited, but is preferably 0.1 to 70% by mass, and more preferably 1 to 20% by mass.
The content of the luminescent compound is less than 0.1% by mass or 70
If the content is more than mass%, the effect may not be sufficiently exhibited.
【００３０】発光性有機薄膜層は必要に応じてホスト化
合物、ホール輸送材料、電子輸送材料、電気的に不活性
なポリマーバインダー等を含有してもよい。なおこれら
の材料の機能は1つの化合物により同時に達成できるこ
とがある。例えば、カルバゾール誘導体はホスト化合物
として機能するのみならず、ホール輸送材料としても機
能する。The luminescent organic thin film layer may contain a host compound, a hole transport material, an electron transport material, an electrically inactive polymer binder and the like, if necessary. Note that the functions of these materials may be simultaneously achieved by one compound. For example, a carbazole derivative functions not only as a host compound but also as a hole transport material.
【００３１】ホスト化合物とは、その励起状態から発光
性化合物へエネルギー移動が起こり、その結果その発光
性化合物を発光させる化合物である。その具体例として
は、カルバゾール誘導体、トリアゾール誘導体、オキサ
ゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール
誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導
体、ピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、ア
リールアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、スチ
リルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラ
ゾン誘導体、スチルベン誘導体、シラザン誘導体、芳香
族第三級アミン化合物、スチリルアミン化合物、芳香族
ジメチリデン化合物、ポルフィリン化合物、アントラキ
ノジメタン誘導体、アントロン誘導体、ジフェニルキノ
ン誘導体、チオピランジオキシド誘導体、カルボジイミ
ド誘導体、フルオレニリデンメタン誘導体、ジスチリル
ピラジン誘導体、ナフタレンペリレン等の複素環テトラ
カルボン酸無水物、フタロシアニン誘導体、8-キノリノ
ール誘導体の金属錯体、メタルフタロシアニン、ベンゾ
オキサゾールやベンゾチアゾール等を配位子とする金属
錯体、ポリシラン化合物、ポリ(N-ビニルカルバゾール)
誘導体、アニリン共重合体、チオフェンオリゴマー、ポ
リチオフェン等の導電性高分子、ポリチオフェン誘導
体、ポリフェニレン誘導体、ポリフェニレンビニレン誘
導体、ポリフルオレン誘導体等が挙げられる。ホスト化
合物は１種単独で使用しても２種以上を併用してもよ
い。The host compound is a compound which causes energy transfer from its excited state to the light emitting compound, and as a result causes the light emitting compound to emit light. Specific examples thereof include a carbazole derivative, a triazole derivative, an oxazole derivative, an oxadiazole derivative, an imidazole derivative, a polyarylalkane derivative, a pyrazoline derivative, a pyrazolone derivative, a phenylenediamine derivative, an arylamine derivative, an amino-substituted chalcone derivative, and a styrylanthracene derivative. , Fluorenone derivative, hydrazone derivative, stilbene derivative, silazane derivative, aromatic tertiary amine compound, styrylamine compound, aromatic dimethylidene compound, porphyrin compound, anthraquinodimethane derivative, anthrone derivative, diphenylquinone derivative, thiopyran dioxide Heterocyclic tetra derivatives such as derivatives, carbodiimide derivatives, fluorenylidenemethane derivatives, distyrylpyrazine derivatives, and naphthaleneperylene Carboxylic acid anhydrides, phthalocyanine derivatives, 8-quinolinol derivative metal complexes, metal phthalocyanine, metal complexes having benzoxazole or benzothiazole as a ligand, polysilane compounds, poly (N- vinylcarbazole)
Examples include derivatives, aniline copolymers, thiophene oligomers, conductive polymers such as polythiophenes, polythiophene derivatives, polyphenylene derivatives, polyphenylenevinylene derivatives, polyfluorene derivatives, and the like. The host compounds may be used alone or in combination of two or more.
【００３２】ホール輸送材料は、陽極からホールを注入
する機能、ホールを輸送する機能、及び陰極から注入さ
れた電子を障壁する機能のいずれかを有しているもので
あれば特に限定されず、低分子材料であっても高分子材
料であってもよい。その具体例としては、カルバゾール
誘導体、トリアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、オ
キサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリ
ールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラゾロン誘
導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導
体、アミノ置換カルコン誘導体、スチリルアントラセン
誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチ
ルベン誘導体、シラザン誘導体、芳香族第三級アミン化
合物、スチリルアミン化合物、芳香族ジメチリデン化合
物、ポルフィリン化合物、ポリシラン化合物、ポリ(N-
ビニルカルバゾール)誘導体、アニリン共重合体、チオ
フェンオリゴマー、ポリチオフェン等の導電性高分子、
ポリチオフェン誘導体、ポリフェニレン誘導体、ポリフ
ェニレンビニレン誘導体、ポリフルオレン誘導体等が挙
げられる。これらは単独で使用しても２種以上を混合し
て使用してもよい。The hole transport material is not particularly limited as long as it has any of the function of injecting holes from the anode, the function of transporting holes, and the function of blocking electrons injected from the cathode. It may be a low molecular weight material or a high molecular weight material. Specific examples thereof include carbazole derivative, triazole derivative, oxazole derivative, oxadiazole derivative, imidazole derivative, polyarylalkane derivative, pyrazoline derivative, pyrazolone derivative, phenylenediamine derivative, arylamine derivative, amino-substituted chalcone derivative, styrylanthracene derivative. , Fluorenone derivatives, hydrazone derivatives, stilbene derivatives, silazane derivatives, aromatic tertiary amine compounds, styrylamine compounds, aromatic dimethylidene compounds, porphyrin compounds, polysilane compounds, poly (N-
Vinylcarbazole) derivative, aniline copolymer, thiophene oligomer, conductive polymer such as polythiophene,
Examples thereof include polythiophene derivatives, polyphenylene derivatives, polyphenylene vinylene derivatives, polyfluorene derivatives and the like. These may be used alone or in combination of two or more.
【００３３】電子輸送材料は、陰極から電子を注入する
機能、電子を輸送する機能、及び陽極から注入されたホ
ールを障壁する機能のいずれかを有しているものであれ
ば特に限定されない。その具体例としては、例えばトリ
アゾール誘導体、オキサゾール誘導体、オキサジアゾー
ル誘導体、フルオレノン誘導体、アントラキノジメタン
誘導体、アントロン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、
チオピランジオキシド誘導体、カルボジイミド誘導体、
フルオレニリデンメタン誘導体、ジスチリルピラジン誘
導体、ナフタレンペリレン等の複素環テトラカルボン酸
無水物、フタロシアニン誘導体、8-キノリノール誘導体
等の金属錯体、メタロフタロシアニン、ベンゾオキサゾ
ールやベンゾチアゾール等を配位子とする金属錯体、ア
ニリン共重合体、チオフェンオリゴマー、ポリチオフェ
ン等の導電性高分子、ポリチオフェン誘導体、ポリフェ
ニレン誘導体、ポリフェニレンビニレン誘導体、ポリフ
ルオレン誘導体等が挙げられる。The electron transport material is not particularly limited as long as it has any of the function of injecting electrons from the cathode, the function of transporting electrons, and the function of blocking holes injected from the anode. Specific examples thereof include triazole derivatives, oxazole derivatives, oxadiazole derivatives, fluorenone derivatives, anthraquinodimethane derivatives, anthrone derivatives, diphenylquinone derivatives,
Thiopyran dioxide derivative, carbodiimide derivative,
Fluorenylidene methane derivative, distyryl pyrazine derivative, heterocyclic tetracarboxylic acid anhydride such as naphthalene perylene, phthalocyanine derivative, metal complex such as 8-quinolinol derivative, metallophthalocyanine, benzoxazole, benzothiazole, etc. as ligands Examples thereof include metal complexes, aniline copolymers, thiophene oligomers, conductive polymers such as polythiophenes, polythiophene derivatives, polyphenylene derivatives, polyphenylenevinylene derivatives, polyfluorene derivatives and the like.
【００３４】ポリマーバインダーとしては、ポリ塩化ビ
ニル、ポリカーボネート、ポリスチレン、ポリメチルメ
タクリレート、ポリブチルメタクリレート、ポリエステ
ル、ポリスルホン、ポリフェニレンオキシド、ポリブタ
ジエン、炭化水素樹脂、ケトン樹脂、フェノキシ樹脂、
ポリアミド、エチルセルロース、酢酸ビニル、ABS樹
脂、ポリウレタン、メラミン樹脂、不飽和ポリエステ
ル、アルキド樹脂、エポキシ樹脂、シリコン樹脂、ポリ
ビニルブチラール、ポリビニルアセタール等が使用可能
である。ポリマーバインダーを含有する発光性有機薄膜
層は、湿式製膜法により容易に大面積に塗布形成するこ
とができる。As the polymer binder, polyvinyl chloride, polycarbonate, polystyrene, polymethyl methacrylate, polybutyl methacrylate, polyester, polysulfone, polyphenylene oxide, polybutadiene, hydrocarbon resin, ketone resin, phenoxy resin,
Polyamide, ethyl cellulose, vinyl acetate, ABS resin, polyurethane, melamine resin, unsaturated polyester, alkyd resin, epoxy resin, silicone resin, polyvinyl butyral, polyvinyl acetal and the like can be used. The luminescent organic thin film layer containing a polymer binder can be easily formed by coating on a large area by a wet film forming method.
【００３５】発光性有機薄膜層の厚さは10〜200 nmとす
るのが好ましく、20〜80 nmとするのがより好ましい。
厚さが200 nmを超えると駆動電圧が上昇することがあ
る。一方10 nm未満であると有機薄膜素子が短絡するこ
とがある。The thickness of the luminescent organic thin film layer is preferably 10 to 200 nm, more preferably 20 to 80 nm.
If the thickness exceeds 200 nm, the driving voltage may increase. On the other hand, if it is less than 10 nm, the organic thin film element may be short-circuited.
【００３６】(b) ホール輸送性有機薄膜層
有機薄膜素子は、必要に応じて上記ホール輸送材料から
なるホール輸送性有機薄膜層を有してよい。ホール輸送
性有機薄膜層は上記ポリマーバインダーを含有してもよ
い。ホール輸送性有機薄膜層の厚さは10〜200 nmとする
のが好ましく、20〜80 nmとするのがより好ましい。厚
さが200 nmを超えると駆動電圧が上昇することがあり、
10 nm未満であると有機薄膜素子が短絡することがあ
る。(B) Hole Transporting Organic Thin Film Layer The organic thin film element may have a hole transporting organic thin film layer made of the above hole transporting material, if necessary. The hole transporting organic thin film layer may contain the above polymer binder. The thickness of the hole transporting organic thin film layer is preferably 10 to 200 nm, more preferably 20 to 80 nm. If the thickness exceeds 200 nm, the drive voltage may increase,
If it is less than 10 nm, the organic thin film element may be short-circuited.
【００３７】(c) 電子輸送性有機薄膜層
有機薄膜素子は、必要に応じて上記電子輸送材料からな
る電子輸送性有機薄膜層を有してもよい。電子輸送性有
機薄膜層は上記ポリマーバインダーを含有してもよい。
電子輸送性有機薄膜層の厚さは10〜200 nmとするのが好
ましく、20〜80nmとするのがより好ましい。厚さが200
nmを超えると駆動電圧が上昇することがあり、10 nm未
満であると有機薄膜素子が短絡することがある。(C) Electron Transporting Organic Thin Film Layer The organic thin film element may have an electron transporting organic thin film layer made of the above electron transporting material, if necessary. The electron transporting organic thin film layer may contain the polymer binder.
The thickness of the electron transporting organic thin film layer is preferably 10 to 200 nm, more preferably 20 to 80 nm. Thickness is 200
If it exceeds 10 nm, the driving voltage may increase, and if it is less than 10 nm, the organic thin film element may short-circuit.
【００３８】[2] 有機薄膜素子の製造方法
本発明の方法は、仮支持体上に少なくとも１層の有機薄
膜層を形成した転写材料を用いて、剥離転写法により基
板上に有機薄膜層を転写する方法であって、仮支持体表
面の表面粗さが最大高さRmax（JIS B 0601-1982により
規定される）で、有機薄膜層の膜厚を100とした場合に5
0以下であることを特徴とする。剥離転写法は、転写材
料を加熱及び／または加圧することにより有機薄膜層を
軟化させて、基板の被成膜面に接着させた後、仮支持体
を剥離することにより、有機薄膜層だけを被成膜面に残
留させる方法（転写方法）である。加熱手段としては、
一般に公知の方法を用いることができ、例えばラミネー
タ、赤外線ヒータ、レーザ、熱ヘッド等を用いることが
できる。熱ヘッドとしては、例えばファーストラミネー
タVA-400III（大成ラミネータ（株）製）や、熱転写プ
リント用の熱ヘッド等を用いることができる。転写用の
温度は特に限定的でなく、有機薄膜層の材質や加熱部材
によって変更することができるが、一般に40〜250℃が
好ましく、更に50〜200℃が好ましく、特に60〜180℃が
好ましい。ただし転写用の温度の好ましい範囲は、加熱
部材、転写材料及び基板の耐熱性に関係しており、耐熱
性が向上すればそれにともなって変化する。[2] Method of Manufacturing Organic Thin Film Element The method of the present invention uses a transfer material in which at least one organic thin film layer is formed on a temporary support, and an organic thin film layer is formed on a substrate by a peel transfer method. When the surface roughness of the temporary support surface is the maximum height Rmax (defined by JIS B 0601-1982) and the thickness of the organic thin film layer is 100, the transfer method is 5
It is characterized by being 0 or less. In the peeling transfer method, the organic thin film layer is softened by heating and / or pressurizing the transfer material to adhere it to the film formation surface of the substrate, and then the temporary support is peeled off to remove only the organic thin film layer. This is a method (transfer method) of leaving it on the film-forming surface. As heating means,
A generally known method can be used, and for example, a laminator, an infrared heater, a laser, a thermal head or the like can be used. As the thermal head, for example, a fast laminator VA-400III (manufactured by Taisei Laminator Co., Ltd.) or a thermal head for thermal transfer printing can be used. The temperature for transfer is not particularly limited and can be changed depending on the material of the organic thin film layer and the heating member, but is generally preferably 40 to 250 ° C, more preferably 50 to 200 ° C, and particularly preferably 60 to 180 ° C. . However, the preferable range of the temperature for transfer is related to the heat resistance of the heating member, the transfer material, and the substrate, and changes as the heat resistance improves.
【００３９】図３〜５を用いて、本発明の有機薄膜素子
の製造方法を実施するための装置の例を示すが、本発明
はこれらに限定されることはない。図３において、仮支
持体111に有機薄膜層112が設けられた転写材料110は、
転写材料巻回用ロール113から供給する。転写装置は加
熱（加圧）ロール121及び加圧（加熱）ロール122からな
る。加熱（加圧）ロール121と加圧（加熱）ロール122と
の間に、基板支持体101と透明導電層（陰極又は陽極）1
02とからなる基板100を配置し、加熱（加圧）ロール121
と基板100の透明導電層102との間に、基板100の透明導
電層102が転写材料110の有機薄膜層112と接するよう
に、転写材料110を送給する。加熱（加圧）ロール121で
加熱又は加圧するか、加熱（加圧）ロール121及び加圧
（加熱）ロール122で加圧しながら加熱することによ
り、有機薄膜層112を基板100の透明導電層102上に転写
する。残りの仮支持体111は仮支持体巻回用ロール114で
巻き取る。Examples of an apparatus for carrying out the method for producing an organic thin film element of the present invention will be shown with reference to FIGS. 3 to 5, but the present invention is not limited to these. In FIG. 3, the transfer material 110 in which the organic thin film layer 112 is provided on the temporary support 111 is
The transfer material is supplied from a winding roll 113. The transfer device includes a heating (pressure) roll 121 and a pressure (heating) roll 122. Between the heating (pressurizing) roll 121 and the pressing (heating) roll 122, the substrate support 101 and the transparent conductive layer (cathode or anode) 1
A substrate 100 composed of 02 and is placed, and a heating (pressurizing) roll 121
The transfer material 110 is fed between the transparent conductive layer 102 of the substrate 100 and the transparent conductive layer 102 of the substrate 100 so that the transparent conductive layer 102 of the substrate 100 contacts the organic thin film layer 112 of the transfer material 110. The organic thin film layer 112 is heated by the heating (pressurizing) roll 121 or heated while being pressed by the heating (pressurizing) roll 121 and the pressing (heating) roll 122, so that the organic conductive layer 102 of the substrate 100 is heated. Transfer to the top. The remaining temporary support 111 is wound by a temporary support winding roll 114.
【００４０】図４に示す実施例では、転写材料110を予
め加熱する転写材料用プレヒータ123、及び基板用プレ
ヒータ124を設けることにより、送給される転写材料110
や環境変化による転写温度の低下による転写不良を防止
する。また冷却部材125、126を設けることにより剥離不
良を防止する。その他の部分は図３と同じである。In the embodiment shown in FIG. 4, a transfer material preheater 123 for preheating the transfer material 110 and a substrate preheater 124 are provided so that the transfer material 110 to be fed is supplied.
And prevent transfer failure due to a decrease in transfer temperature due to environmental changes. Further, by providing the cooling members 125 and 126, peeling failure can be prevented. The other parts are the same as in FIG.
【００４１】図５に示す実施例では、加熱（加圧）部材
121の前面は後方に傾斜しており、前面下部に丸みを帯
びた進入角度調整部127が設けられており、また前面上
部の僅かに上流側に回転自在のガイドローラ130が設け
られている。進入角度調整部127及びガイドローラ130に
より、転写材料110はＺ字形に進路を変えながら加熱
（加圧）部材121と基板100の透明導電層102との間に進
入する。進入角度調整部127で気泡の巻き込みを防止
し、かつ転写材料110と透明導電層102との密着性が良好
になり、加熱（加圧）部材121の加熱又は加圧による転
写材料110の有機薄膜層112の転写性が向上する。良好な
気泡の巻き込み防止性を得るためには、進入角度調整部
127の進入角度αは０〜90°であるのが好ましい。また
ガイドローラ130の代わりに丸棒を利用しても良い。In the embodiment shown in FIG. 5, a heating (pressurizing) member
The front surface of 121 is inclined rearward, a rounded approach angle adjusting portion 127 is provided at the lower portion of the front surface, and a rotatable guide roller 130 is provided slightly upstream of the upper portion of the front surface. The transfer material 110 enters between the heating (pressurizing) member 121 and the transparent conductive layer 102 of the substrate 100 while changing its course in a Z shape by the approach angle adjusting unit 127 and the guide roller 130. The approach angle adjusting unit 127 prevents air bubbles from being entrapped, improves the adhesion between the transfer material 110 and the transparent conductive layer 102, and heats or pressurizes the heating (pressurizing) member 121 to form an organic thin film of the transfer material 110. The transferability of layer 112 is improved. In order to obtain good air bubble entrapment prevention, the entry angle adjustment part
The entry angle α of 127 is preferably 0 to 90 °. A round bar may be used instead of the guide roller 130.
【００４２】冷却部材125の後面は前方に傾斜してお
り、後面下部に丸みを帯びた剥離角度調整部128が設け
られており、また後面の途中に回転自在のガイドローラ
131が設けられている。剥離角度調整部128及びガイドロ
ーラ131により、転写材料110の仮支持体111はＺ字形に
行路を変えながら進行する。有機薄膜層112との間に大
きな剥離角度βをもたらすので、剥離不良を防止するこ
とができる。剥離角度βとしては90〜180°が好まし
い。またガイドローラ131の代わりに丸棒を利用しても
良い。The rear surface of the cooling member 125 is inclined forward, a rounded separation angle adjusting portion 128 is provided at the lower portion of the rear surface, and a rotatable guide roller is provided in the middle of the rear surface.
131 is provided. By the peeling angle adjusting unit 128 and the guide roller 131, the temporary support 111 of the transfer material 110 advances while changing its course in a Z shape. Since a large peeling angle β is provided between the thin film layer 112 and the organic thin film layer 112, peeling failure can be prevented. The peeling angle β is preferably 90 to 180 °. A round bar may be used instead of the guide roller 131.
【００４３】本発明は、図３〜５に示す転写・剥離工程
を繰返し行い、複数の有機薄膜層を基板上に積層しても
よい。複数の有機薄膜層は同一の組成であっても異なっ
ていてもよい。同一組成の場合、転写不良や剥離不良に
よる層の抜けを防止することができるという利点があ
る。また異なる層を設ける場合、機能を分離して発光効
率を向上する設計とすることができ、例えば、本発明の
転写法により被成膜面に、透明導電層／発光性有機薄膜
層／電子輸送性有機薄膜層／電子注入層／背面電極、透
明導電層／ホール注入層／ホール輸送性有機薄膜層／発
光性有機薄膜層／電子輸送性有機薄膜層／電子注入層／
背面電極を積層することができる。In the present invention, a plurality of organic thin film layers may be laminated on the substrate by repeating the transfer and peeling steps shown in FIGS. The plurality of organic thin film layers may have the same composition or different compositions. In the case of the same composition, there is an advantage that it is possible to prevent the layer from coming off due to a transfer failure or a peeling failure. When different layers are provided, the function can be separated to improve the light emission efficiency. For example, a transparent conductive layer / a light emitting organic thin film layer / electron transport layer can be formed on the film formation surface by the transfer method of the present invention. Organic thin film layer / electron injection layer / back electrode, transparent conductive layer / hole injection layer / hole transporting organic thin film layer / luminescent organic thin film layer / electron transporting organic thin film layer / electron injection layer /
The back electrode can be stacked.
【００４４】基板に転写した有機薄膜層に対して、ある
いは先に転写した有機薄膜層に転写した新たな有機薄膜
層に対して、必要に応じて再加熱するのが好ましい。再
加熱により有機薄膜層は基板又は先に転写した有機薄膜
層にいっそう密着する。再加熱時に必要に応じて加圧す
るのが好ましい。It is preferable to reheat the organic thin film layer transferred to the substrate or the new organic thin film layer transferred to the previously transferred organic thin film layer, if necessary. The reheating causes the organic thin film layer to adhere more closely to the substrate or the previously transferred organic thin film layer. It is preferable to apply pressure as needed during reheating.
【００４５】先の転写層が次の転写層に逆転写されない
ように、先の転写工程と次の転写工程の間で、被成膜面
に密着力を向上するような表面処理を施してもよい。こ
のような表面処理としては、例えばコロナ放電処理、火
炎処理、グロー放電処理、プラズマ処理等の活性化処理
が挙げられる。Between the previous transfer step and the next transfer step, a surface treatment may be applied to the film-forming surface to improve the adhesion so that the previous transfer layer is not reversely transferred to the next transfer layer. Good. Examples of such surface treatment include activation treatments such as corona discharge treatment, flame treatment, glow discharge treatment, and plasma treatment.
【００４６】[3] 有機薄膜素子
(1) 構成
有機薄膜素子の全体構成は、基板支持体上に透明導電層
／発光層／背面電極、透明導電層／発光層／電子輸送層
／背面電極、透明導電層／ホール輸送層／発光層／電子
輸送層／背面電極、透明導電層／ホール輸送層／発光層
／背面電極、透明導電層／発光層／電子輸送層／電子注
入層／背面電極、透明導電層／ホール注入層／ホール輸
送層／発光層／電子輸送層／電子注入層／背面電極等を
この順に積層した構成、これらを逆に積層した構成等で
あってよい。発光層は蛍光発光性化合物及び／又は燐光
発光性化合物を含有し、通常透明導電層から発光が取り
出される。各層に用いる化合物の具体例については、例
えば「月刊ディスプレイ」1998年10月号別冊の「有機EL
ディスプレイ」（テクノタイムズ社）等に記載されてい
る。[3] Organic thin film element (1) Structure The overall structure of the organic thin film element is as follows: transparent conductive layer / light emitting layer / back electrode, transparent conductive layer / light emitting layer / electron transport layer / back electrode on a substrate support. Transparent conductive layer / hole transport layer / light emitting layer / electron transport layer / back electrode, transparent conductive layer / hole transport layer / light emitting layer / back electrode, transparent conductive layer / light emitting layer / electron transport layer / electron injection layer / back electrode, The transparent conductive layer / hole injecting layer / hole transporting layer / light emitting layer / electron transporting layer / electron injecting layer / back electrode may be laminated in this order, or these layers may be laminated in reverse. The light emitting layer contains a fluorescent light emitting compound and / or a phosphorescent light emitting compound, and light is usually taken out from the transparent conductive layer. For specific examples of the compounds used for each layer, see, for example, "Monthly Display" October 1998 issue, "Organic EL".
Display "(Techno Times, Inc.) and the like.
【００４７】(2) 基板
(a) 基板支持体
基板支持体は、ジルコニア安定化イットリウム（YS
Z）、ガラス等の無機材料、ポリエチレンテレフタレー
ト、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタ
レート等のポリエステルやポリスチレン、ポリカーボネ
ート、ポリエーテルスルホン、ポリアリレート、アリル
ジグリコールカーボネート、ポリイミド、ポリシクロオ
レフィン、ノルボルネン樹脂、ポリクロロトリフルオロ
エチレン、テフロン（登録商標）、ポリテトラフルオロ
エチレン−ポリエチレン共重合体等の高分子材料等から
なるものであってよい。基板支持体は単一材料で形成し
ても、２種以上の材料で形成してもよい。中でも、フレ
キシブルな有機薄膜素子を形成するためには高分子材料
が好ましく、耐熱性、寸法安定性、耐溶剤性、電気絶縁
性及び加工性に優れ、且つ低通気性及び低吸湿性である
ポリエステル、ポリカーボネート、ポリエーテルスルホ
ンや、ポリクロロトリフルオロエチレン、テフロン、ポ
リテトラフルオロエチレン−ポリエチレン共重合体等の
フッ素原子を含む高分子材料がより好ましい。(2) Substrate (a) Substrate support The substrate support is zirconia-stabilized yttrium (YS
Z), inorganic materials such as glass, polyethylene terephthalate, polybutylene terephthalate, polyesters such as polyethylene naphthalate, polystyrene, polycarbonate, polyether sulfone, polyarylate, allyl diglycol carbonate, polyimide, polycycloolefin, norbornene resin, polychloro It may be made of a polymer material such as trifluoroethylene, Teflon (registered trademark), or a polytetrafluoroethylene-polyethylene copolymer. The substrate support may be formed of a single material or two or more materials. Among them, a polymer material is preferable for forming a flexible organic thin film element, and is a polyester having excellent heat resistance, dimensional stability, solvent resistance, electrical insulation and processability, and low air permeability and low hygroscopicity. Further, polymer materials containing a fluorine atom such as polycarbonate, polyether sulfone, polychlorotrifluoroethylene, Teflon, and polytetrafluoroethylene-polyethylene copolymer are more preferable.
【００４８】基板支持体の形状、構造、大きさ等は有機
薄膜素子の用途及び目的に応じて適宜選択することがで
きる。形状は板状とするのが一般的である。構造は単層
構造であっても積層構造であってもよい。基板支持体は
単一の部材で形成しても、２以上の部材で形成してもよ
い。また基板支持体は無色透明であっても有色透明であ
ってもよいが、発光層から発せられる光を散乱又は減衰
させることがない点で無色透明であるのが好ましい。The shape, structure, size and the like of the substrate support can be appropriately selected according to the application and purpose of the organic thin film element. The shape is generally a plate. The structure may be a single layer structure or a laminated structure. The substrate support may be formed of a single member or two or more members. The substrate support may be colorless and transparent or colored and transparent, but is preferably colorless and transparent in that it does not scatter or attenuate the light emitted from the light emitting layer.
【００４９】基板支持体の電極側の面、電極と反対側の
面又はその両方に透湿防止層（ガスバリア層）を設けて
もよい。透湿防止層を構成する材料としては窒化ケイ
素、酸化ケイ素等の無機物を用いるのが好ましい。透湿
防止層は高周波スパッタリング法等により成膜できる。
また基板支持体には必要に応じてハードコート層やアン
ダーコート層を設けてもよい。A moisture permeation preventive layer (gas barrier layer) may be provided on the electrode side surface of the substrate support, the surface opposite to the electrode side, or both. As a material forming the moisture permeation preventive layer, it is preferable to use an inorganic substance such as silicon nitride or silicon oxide. The moisture permeation preventive layer can be formed by a high frequency sputtering method or the like.
If necessary, the substrate support may be provided with a hard coat layer or an undercoat layer.
【００５０】(3) 電極（陰極又は陽極）
透明導電層も背面電極もどちらでも陰極又は陽極として
用いることができ、いずれかは有機薄膜素子の構成によ
って決まる。(3) Electrode (Cathode or Anode) Either the transparent conductive layer or the back electrode can be used as a cathode or an anode, and either one is determined by the structure of the organic thin film element.
【００５１】(a) 透明導電層（透明電極）
透明導電層は有機化合物層にホール（正孔）を供給する
陽極としての機能を有するが、陰極として機能させるこ
ともできる。以下、透明導電層を陽極とする場合につい
て説明する。(A) Transparent Conductive Layer (Transparent Electrode) The transparent conductive layer has a function as an anode for supplying holes to the organic compound layer, but can also function as a cathode. Hereinafter, the case where the transparent conductive layer is used as the anode will be described.
【００５２】透明導電層の形状、構造、大きさ等は特に
制限されず、有機薄膜素子の用途及び目的に応じて適宜
選択することができる。透明導電層を形成する材料とし
ては、金属、合金、金属酸化物、電気伝導性化合物、こ
れらの混合物等を用いることができ、好ましくは仕事関
数が４eV以上の材料を用いる。具体例としては、アンチ
モンをドープした酸化スズ（ATO）、フッ素をドープし
た酸化スズ（FTO）、半導性金属酸化物（酸化スズ、酸
化亜鉛、酸化インジウム、酸化インジウムスズ（IT
O）、酸化亜鉛インジウム（IZO）等）、金属（金、銀、
クロム、ニッケル等）、これら金属と導電性金属酸化物
との混合物又は積層物、無機導電性物質（ヨウ化銅、硫
化銅等）、有機導電性材料（ポリアニリン、ポリチオフ
ェン、ポリピロール等）及びこれとITOとの積層物等が
挙げられる。The shape, structure, size, etc. of the transparent conductive layer are not particularly limited and can be appropriately selected according to the application and purpose of the organic thin film element. As a material for forming the transparent conductive layer, a metal, an alloy, a metal oxide, an electrically conductive compound, a mixture thereof, or the like can be used, and a material having a work function of 4 eV or more is preferably used. Specific examples include antimony-doped tin oxide (ATO), fluorine-doped tin oxide (FTO), semiconducting metal oxides (tin oxide, zinc oxide, indium oxide, indium tin oxide (IT
O), zinc indium oxide (IZO), etc.), metals (gold, silver,
(Chromium, nickel, etc.), mixtures or laminates of these metals and conductive metal oxides, inorganic conductive materials (copper iodide, copper sulfide, etc.), organic conductive materials (polyaniline, polythiophene, polypyrrole, etc.) and this Examples thereof include a laminate with ITO.
【００５３】透明導電層は印刷法、コーティング法等の
湿式方法、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレ
ーティング法等の物理的方法、CVD法、プラズマCVD法等
の化学的方法等によって基板支持体上に形成することが
できる。形成方法は透明導電層材料との適性を考慮して
適宜選択すればよい。例えば、透明導電層の材料として
ITOを用いる場合には、直流又は高周波スパッタ法、真
空蒸着法、イオンプレーティング法等を用いればよい。
また透明導電層の材料として有機導電性材料を用いる場
合には、湿式製膜法を用いてよい。The transparent conductive layer is formed by a wet method such as a printing method or a coating method, a physical method such as a vacuum deposition method, a sputtering method or an ion plating method, or a chemical method such as a CVD method or a plasma CVD method. Can be formed on. The forming method may be appropriately selected in consideration of suitability with the transparent conductive layer material. For example, as the material of the transparent conductive layer
When ITO is used, a direct current or high frequency sputtering method, a vacuum deposition method, an ion plating method or the like may be used.
When an organic conductive material is used as the material of the transparent conductive layer, a wet film forming method may be used.
【００５４】透明導電層のパターニングはフォトリソグ
ラフィー等による化学的エッチング、レーザ等を用いた
物理的エッチング等により行うことができる。またマス
クを用いた真空蒸着法やスパッタリング法、リフトオフ
法、印刷法等によりパターニングしてもよい。The transparent conductive layer can be patterned by chemical etching such as photolithography, physical etching using a laser or the like. Further, patterning may be performed by a vacuum evaporation method using a mask, a sputtering method, a lift-off method, a printing method, or the like.
【００５５】透明導電層の形成位置は有機薄膜素子の用
途及び目的に応じて適宜選択してよいが、基板支持体上
に形成するのが好ましい。このとき透明導電層は基板支
持体の表面全体に形成しても一部のみに形成してもよ
い。The formation position of the transparent conductive layer may be appropriately selected according to the use and purpose of the organic thin film element, but it is preferably formed on the substrate support. At this time, the transparent conductive layer may be formed on the entire surface of the substrate support or only on a part thereof.
【００５６】透明導電層の厚さはその材料に応じて適宜
選択すればよいが、通常10 nm〜50μmであり、好ましく
は50 nm〜20μmである。透明導電層の抵抗値は103Ω／
□以下とするのが好ましく、102Ω／□以下とするのが
より好ましい。透明導電層は無色透明であっても有色透
明であってもよい。透明導電層側から発光を取り出すた
めには、その透過率は60％以上とするのが好ましく、70
％以上とするのがより好ましい。透過率は分光光度計を
用いた公知の方法に従って測定することができる。The thickness of the transparent conductive layer may be appropriately selected depending on the material thereof, but is usually 10 nm to 50 μm, preferably 50 nm to 20 μm. The resistance value of the transparent conductive layer is 10 3 Ω /
It is preferably □ or less, and more preferably 10 2 Ω / □ or less. The transparent conductive layer may be colorless and transparent or colored and transparent. In order to take out light emission from the transparent conductive layer side, its transmittance is preferably 60% or more.
% Or more is more preferable. The transmittance can be measured according to a known method using a spectrophotometer.
【００５７】また「透明導電膜の新展開」（沢田豊監
修、シーエムシー刊、1999年）等に詳細に記載されてい
る電極も本発明に適用できる。特に耐熱性の低いプラス
チック基板支持体を用いる場合は、透明導電層材料とし
てITO又はIZOを使用し、150℃以下の低温で製膜するの
が好ましい。The electrodes described in detail in "New Development of Transparent Conductive Film" (supervised by Yutaka Sawada, published by CMC, 1999) are also applicable to the present invention. Particularly when a plastic substrate support having low heat resistance is used, it is preferable to use ITO or IZO as the transparent conductive layer material and form the film at a low temperature of 150 ° C. or lower.
【００５８】(b) 背面電極
背面電極は有機化合物層に電子を注入する陰極としての
機能を有するが、陽極として機能させることもできる。
以下、背面電極を陰極とする場合について説明する。(B) Back Electrode The back electrode has a function as a cathode for injecting electrons into the organic compound layer, but can also function as an anode.
The case where the back electrode is the cathode will be described below.
【００５９】背面電極の形状、構造、大きさ等は特に制
限されず、有機薄膜素子の用途及び目的に応じて適宜選
択することができる。背面電極を形成する材料として
は、金属、合金、金属酸化物、電気伝導性化合物、これ
らの混合物等を用いることができ、好ましくは仕事関数
が4.5 eV以下の材料を用いる。具体例としては、アルカ
リ金属（Li、Na、K、Cs等）、アルカリ土類金属（Mg、C
a等）、金、銀、鉛、アルミニウム、ナトリウム−カリ
ウム合金、リチウム−アルミニウム合金、マグネシウム
−銀合金、インジウム、希土類金属（イッテルビウム
等）等が挙げられる。これらは単独で使用してもよい
が、安定性と電子注入性とを両立させるためには２種以
上を併用するのが好ましい。これら材料の中で、電子注
入性の観点からはアルカリ金属及びアルカリ土類金属が
好ましく、保存安定性の観点からはアルミニウムを主体
とする材料が好ましい。ここでアルミニウムを主体とす
る材料とは、アルミニウム単独のみならず、アルミニウ
ムと0.01〜10質量％のアルカリ金属又はアルカリ土類金
属との合金又は混合物（リチウム−アルミニウム合金、
マグネシウム−アルミニウム合金等）を指す。背面電極
の材料としては、特開平2-15595号、特開平5-121172号
等に詳述されているものも使用できる。The shape, structure, size and the like of the back electrode are not particularly limited and can be appropriately selected according to the use and purpose of the organic thin film element. As a material for forming the back electrode, a metal, an alloy, a metal oxide, an electrically conductive compound, a mixture thereof, or the like can be used, and a material having a work function of 4.5 eV or less is preferably used. Specific examples include alkali metals (Li, Na, K, Cs, etc.), alkaline earth metals (Mg, Cs).
a), gold, silver, lead, aluminum, sodium-potassium alloy, lithium-aluminum alloy, magnesium-silver alloy, indium, rare earth metal (ytterbium, etc.), and the like. These may be used alone, but it is preferable to use two or more kinds in combination in order to achieve both stability and electron injection property. Among these materials, alkali metal and alkaline earth metal are preferable from the viewpoint of electron injection property, and aluminum-based material is preferable from the viewpoint of storage stability. Here, the material mainly composed of aluminum is not only aluminum alone, but an alloy or a mixture of aluminum and 0.01 to 10 mass% of an alkali metal or an alkaline earth metal (lithium-aluminum alloy,
Magnesium-aluminum alloy). As the material for the back electrode, those detailed in JP-A Nos. 2-15595 and 5-121172 can be used.
【００６０】背面電極は印刷法、コーティング法等の湿
式方法、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレー
ティング法等の物理的方法、CVD法、プラズマCVD法等の
化学的方法等によって形成することができる。形成方法
は背面電極材料との適性を考慮して適宜選択すればよ
い。例えば背面電極の材料として２種以上の金属等を用
いる場合、その材料を同時又は順次にスパッタして形成
できる。また背面電極のパターニングは透明導電層と同
様に行なうことができる。The back electrode can be formed by a wet method such as a printing method and a coating method, a physical method such as a vacuum deposition method, a sputtering method and an ion plating method, a chemical method such as a CVD method and a plasma CVD method. it can. The forming method may be appropriately selected in consideration of the suitability for the back electrode material. For example, when two or more kinds of metals or the like are used as the material of the back electrode, the materials can be formed by sputtering simultaneously or sequentially. The back electrode can be patterned in the same manner as the transparent conductive layer.
【００６１】背面電極の形成位置は有機薄膜素子の用途
及び目的に応じて適宜選択してよいが、有機化合物層上
に形成するのが好ましい。このとき背面電極は有機化合
物層の表面全体に形成しても一部のみに形成してもよ
い。また背面電極と有機化合物層との間にアルカリ金属
又はアルカリ土類金属のフッ化物等からなる誘電体層を
0.1〜５ nmの厚さで設置してもよい。誘電体層は真空蒸
着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法等に
より形成することができる。The formation position of the back electrode may be appropriately selected according to the use and purpose of the organic thin film element, but it is preferably formed on the organic compound layer. At this time, the back electrode may be formed on the entire surface of the organic compound layer or only on a part thereof. In addition, a dielectric layer made of fluoride of alkali metal or alkaline earth metal is provided between the back electrode and the organic compound layer.
You may install with a thickness of 0.1-5 nm. The dielectric layer can be formed by a vacuum vapor deposition method, a sputtering method, an ion plating method, or the like.
【００６２】背面電極の厚さはその材料に応じて適宜選
択すればよいが、通常10 nm〜５μmであり、好ましくは
50 nm〜１μmである。背面電極は透明であっても不透明
であってもよい。透明背面電極は、上記材料の層を１〜
10 nmの厚さに薄く製膜し、更にITOやIZO等の透明導電
性材料を積層して形成してもよい。The thickness of the back electrode may be appropriately selected according to the material thereof, but is usually 10 nm to 5 μm, and preferably
50 nm to 1 μm. The back electrode may be transparent or opaque. The transparent back electrode comprises 1 to 3 layers of the above materials.
It may be formed by forming a thin film with a thickness of 10 nm and further laminating a transparent conductive material such as ITO or IZO.
【００６３】(4) パターニング
微細パターン状有機薄膜層の形成には、微細パターン状
の開口部を有するマスク（微細マスク）を使用する。マ
スクの材質は限定的でないが、金属、ガラス、セラミッ
ク、耐熱性樹脂等の耐久性があって安価なものが好まし
い。またこれらの材料を組み合わせて使用することもで
きる。また機械的強度及び有機薄膜層の転写精度の観点
から、マスクの厚さは２〜100μmであるのが好ましく、
５〜60μmがより好ましい。(4) Patterning To form the fine patterned organic thin film layer, a mask (fine mask) having fine patterned openings is used. The material of the mask is not limited, but a durable and inexpensive material such as metal, glass, ceramic, and heat resistant resin is preferable. Further, these materials can be used in combination. From the viewpoint of mechanical strength and transfer accuracy of the organic thin film layer, the thickness of the mask is preferably 2 to 100 μm,
5-60 micrometers is more preferable.
【００６４】転写材料の有機薄膜層が正確にマスクの開
口部の形状通りに下地の透明導電層又は他の有機薄膜層
に接着するように、マスク開口部は基板側より転写材料
側の方が大きくなるようにテーパしているのが好まし
い。The mask opening is closer to the transfer material side than the substrate side so that the organic thin film layer of the transfer material adheres to the underlying transparent conductive layer or another organic thin film layer exactly in the shape of the opening of the mask. It is preferably tapered so as to be large.
【００６５】(5) その他の層
有機薄膜素子を構成する層として、発光性能の劣化を防
止するために保護層や封止層を設けるのが好ましい。さ
らに転写材料においては発光性能に影響しなければ、転
写性を向上するために仮支持体と有機薄膜層の間に剥離
層を設けたり、有機薄膜層と被成膜面の間に接着層を設
けてもよい。(5) Other Layers As a layer constituting the organic thin film element, it is preferable to provide a protective layer or a sealing layer in order to prevent deterioration of light emitting performance. Furthermore, if the transfer material does not affect the light emitting performance, a release layer may be provided between the temporary support and the organic thin film layer or an adhesive layer may be provided between the organic thin film layer and the film formation surface in order to improve transferability. It may be provided.
【００６６】(a) 保護層
有機薄膜素子は、特開平7-85974号、同7-192866号、同8
-22891号、同10-275682号、同10-106746号等に記載の保
護層を有していてもよい。保護層は有機薄膜素子の最上
面に形成する。ここで最上面とは、例えば基板支持体、
透明導電層、有機化合物層及び背面電極をこの順に積層
する場合には背面電極の外側表面を指し、また例えば基
板支持体、背面電極、有機化合物層及び透明導電層をこ
の順に積層する場合には透明導電層の外側表面を指す。
保護層の形状、大きさ、厚さ等は特に限定的でない。保
護層をなす材料は、水分や酸素等の有機薄膜素子を劣化
させ得るものが素子内に侵入又は透過するのを抑制する
機能を有しているものであれば特に限定されず、例えば
一酸化ケイ素、二酸化ケイ素、一酸化ゲルマニウム、二
酸化ゲルマニウム等が使用できる。(A) Protective layer organic thin film element is disclosed in JP-A Nos. 7-85974, 7-129866 and 8
-22891, 10-275682, 10-106746 and the like may have a protective layer. The protective layer is formed on the uppermost surface of the organic thin film element. Here, the uppermost surface is, for example, a substrate support,
When the transparent conductive layer, the organic compound layer and the back electrode are laminated in this order, it indicates the outer surface of the back electrode, and, for example, when the substrate support, the back electrode, the organic compound layer and the transparent conductive layer are laminated in this order. Refers to the outer surface of the transparent conductive layer.
The shape, size, thickness, etc. of the protective layer are not particularly limited. The material forming the protective layer is not particularly limited as long as it has a function of suppressing entry or permeation of an organic thin film element such as water or oxygen that may deteriorate the organic thin film element, for example, monoxide. Silicon, silicon dioxide, germanium monoxide, germanium dioxide, etc. can be used.
【００６７】保護層の形成方法は特に限定はなく、例え
ば真空蒸着法、スパッタリング法、反応性スパッタリン
グ法、分子線エピタキシ法、クラスターイオンビーム
法、イオンプレーティング法、プラズマ重合法、プラズ
マCVD法、レーザCVD法、熱CVD法、コーティング法等が
適用できる。The method for forming the protective layer is not particularly limited and includes, for example, vacuum deposition method, sputtering method, reactive sputtering method, molecular beam epitaxy method, cluster ion beam method, ion plating method, plasma polymerization method, plasma CVD method, Laser CVD method, thermal CVD method, coating method and the like can be applied.
【００６８】(b) 封止層
有機薄膜素子には水分や酸素の侵入を防止するための封
止層を設けるのが好ましい。封止層を形成する材料とし
ては、テトラフルオロエチレンと少なくとも１種のコモ
ノマーとの共重合体、共重合主鎖に環状構造を有する含
フッ素共重合体、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリ
メチルメタクリレート、ポリイミド、ポリユリア、ポリ
テトラフルオロエチレン、ポリクロロトリフルオロエチ
レン、ポリジクロロジフルオロエチレン、クロロトリフ
ルオロエチレン又はジクロロジフルオロエチレンと他の
コモノマーとの共重合体、吸水率１％以上の吸水性物
質、吸水率0.1％以下の防湿性物質、金属（In、Sn、P
b、Au、Cu、Ag、Al、Ti、Ni等）、金属酸化物（MgO、Si
O、SiO2、Al2O3、GeO、NiO、CaO、BaO、Fe2O3、Y2O3、T
iO2等）、金属フッ化物（MgF2、LiF、AlF3、CaF2等）、
液状フッ素化炭素（パーフルオロアルカン、パーフルオ
ロアミン、パーフルオロエーテル等）、液状フッ素化炭
素に水分や酸素の吸着剤を分散させたもの等が使用可能
である。(B) Sealing Layer The organic thin film element is preferably provided with a sealing layer for preventing moisture and oxygen from entering. As a material for forming the sealing layer, a copolymer of tetrafluoroethylene and at least one comonomer, a fluorine-containing copolymer having a cyclic structure in the copolymer main chain, polyethylene, polypropylene, polymethylmethacrylate, polyimide, Polyurea, polytetrafluoroethylene, polychlorotrifluoroethylene, polydichlorodifluoroethylene, chlorotrifluoroethylene or copolymers of dichlorodifluoroethylene and other comonomers, water-absorbing substances with water absorption of 1% or more, water absorption of 0.1% The following moisture-proof substances, metals (In, Sn, P
b, Au, Cu, Ag, Al, Ti, Ni, etc., metal oxides (MgO, Si)
O, SiO 2 , Al 2 O 3 , GeO, NiO, CaO, BaO, Fe 2 O 3 , Y 2 O 3 , T
iO 2, etc.), metal fluorides (MgF 2 , LiF, AlF 3 , CaF 2, etc.),
Liquid fluorinated carbon (perfluoroalkane, perfluoroamine, perfluoroether, etc.), liquid fluorinated carbon in which an adsorbent for water or oxygen is dispersed, and the like can be used.
【００６９】外部からの水分や酸素を遮断する目的で、
有機化合物層を封止板、封止容器等の封止部材により封
止するのが好ましい。封止部材を背面電極側のみに設置
しても、発光積層体全体を封止部材で覆ってもよい。有
機化合物層を封止でき外部の空気を遮断することができ
れば、封止部材の形状、大きさ、厚さ等は特に限定され
ない。封止部材に用いる材料としては、ガラス、ステン
レススチール、金属（アルミニウム等）、プラスチック
（ポリクロロトリフルオロエチレン、ポリエステル、ポ
リカーボネート等）、セラミック等が使用できる。For the purpose of blocking moisture and oxygen from the outside,
It is preferable to seal the organic compound layer with a sealing member such as a sealing plate or a sealing container. The sealing member may be provided only on the back electrode side, or the entire light emitting laminate may be covered with the sealing member. The shape, size, thickness, etc. of the sealing member are not particularly limited as long as the organic compound layer can be sealed and the outside air can be blocked. As a material used for the sealing member, glass, stainless steel, metal (aluminum or the like), plastic (polychlorotrifluoroethylene, polyester, polycarbonate or the like), ceramic or the like can be used.
【００７０】封止部材を発光積層体に設置する際には、
適宜封止剤（接着剤）を用いてもよい。発光積層体全体
を封止部材で覆う場合は、封止剤を用いずに封止部材同
士を熱融着してもよい。封止剤としては紫外線硬化樹
脂、熱硬化樹脂、二液型硬化樹脂等が使用可能である。When the sealing member is installed in the light emitting laminate,
A sealing agent (adhesive) may be used as appropriate. When the entire light emitting laminate is covered with the sealing member, the sealing members may be heat-sealed without using the sealing agent. An ultraviolet curable resin, a thermosetting resin, a two-component curable resin, or the like can be used as the sealing agent.
【００７１】さらに封止容器と有機薄膜素子の間の空間
に水分吸収剤又は不活性液体を挿入してもよい。水分吸
収剤は特に限定されず、具体例としては酸化バリウム、
酸化ナトリウム、酸化カリウム、酸化カルシウム、硫酸
ナトリウム、硫酸カルシウム、硫酸マグネシウム、五酸
化リン、塩化カルシウム、塩化マグネシウム、塩化銅、
フッ化セシウム、フッ化ニオブ、臭化カルシウム、臭化
バナジウム、モレキュラーシーブ、ゼオライト、酸化マ
グネシウム等が挙げられる。不活性液体としてはパラフ
ィン類、流動パラフィン類、フッ素系溶剤（パーフルオ
ロアルカン、パーフルオロアミン、パーフルオロエーテ
ル等）、塩素系溶剤、シリコーンオイル類等が使用可能
である。Further, a water absorbent or an inert liquid may be inserted in the space between the sealed container and the organic thin film element. The water absorbent is not particularly limited, and specific examples include barium oxide,
Sodium oxide, potassium oxide, calcium oxide, sodium sulfate, calcium sulfate, magnesium sulfate, phosphorus pentoxide, calcium chloride, magnesium chloride, copper chloride,
Cesium fluoride, niobium fluoride, calcium bromide, vanadium bromide, molecular sieves, zeolite, magnesium oxide and the like can be mentioned. As the inert liquid, paraffins, liquid paraffins, fluorine-based solvents (perfluoroalkane, perfluoroamine, perfluoroether, etc.), chlorine-based solvents, silicone oils and the like can be used.
【００７２】[0072]
【実施例】本発明を以下の実施例により具体的に説明す
るが、本発明はこれらに限定されるものではない。EXAMPLES The present invention will be specifically described with reference to the following examples, but the present invention is not limited thereto.
【００７３】実施例１〜６、比較例１〜３
(A) 転写材料A-1〜A-3の作製
表１に示す仮支持体（M-1〜M-3）のそれぞれの片面上
に、下記組成：
PTPDES（Mw＝22000、下記構造（化１））： 40質量部
ジクロロエタン： 3500質量部 Examples 1 to 6 and Comparative Examples 1 to 3 (A) Preparation of Transfer Materials A-1 to A-3 On one side of each of the temporary supports (M-1 to M-3) shown in Table 1. , The following composition: PTPDES (Mw = 22000, the following structure (Chemical formula 1)): 40 parts by mass Dichloroethane: 3500 parts by mass
【００７４】[0074]
【化１】 [Chemical 1]
【００７５】を有する有機薄膜層用塗布液をエクストル
ージョン型塗布機を用いて塗布し、室温で乾燥させるこ
とにより、厚さ30 nmのホール輸送性有機薄膜層を仮支
持体（M-1〜M-3）上にそれぞれ形成した転写材料A-1〜A
-3を作製した[実施例１,２（A-1，A-2）、比較例１（A-
3）]。The coating solution for organic thin film layer having the above is applied using an extrusion type coating machine and dried at room temperature to form a hole transporting organic thin film layer having a thickness of 30 nm on a temporary support (M-1 to M-3) Transfer materials A-1 to A respectively formed on
-3 was manufactured [Examples 1 and 2 (A-1, A-2), Comparative Example 1 (A-
3)].
【００７６】[0076]
【表１】 [Table 1]
【００７７】仮支持体表面の最大高さRmaxはJIS B 0601
-1982に基づき原子間力顕微鏡法で測定した。測定はセ
イコーインスツルメンツ（株）製、SPI3800N SPA-400を
用いて、20000nm×20000nmの面積を0.05nm毎（ピッチ）
で格子状にサンプリングして行った。The maximum height Rmax of the surface of the temporary support is JIS B 0601.
-1982 based on atomic force microscopy. The measurement was performed using a SPI3800N SPA-400 manufactured by Seiko Instruments Inc., and an area of 20000nm x 20000nm was measured at 0.05nm intervals (pitch).
The sample was sampled in a grid pattern at.
【００７８】(B) 転写材料B-1〜B-3の作製
表１に示す仮支持体（M-1〜M-3）のそれぞれの片面上
に、下記組成：
ポリビニルカルバゾール（Mw＝63000、アルドリッチ社
製）： 40質量部
トリス（2-フェニルピリジン）イリジウム錯体（オルト
メタル化錯体）：１質量部
ジクロロエタン： 3500質量部
を有する発光性有機薄膜層用塗布液をバーコータを用い
て塗布し、室温で乾燥させることにより、厚さ40 nmの
発光性有機薄膜層を仮支持体（M-1〜M-3）上にそれぞれ
形成した転写材料B-1〜B-3を作製した[実施例３,４（B-
1，B-2）、比較例２（B-3）]。(B) Preparation of Transfer Materials B-1 to B-3 On one surface of each of the temporary supports (M-1 to M-3) shown in Table 1, the following composition: polyvinylcarbazole (Mw = 63000, Aldrich): 40 parts by mass of tris (2-phenylpyridine) iridium complex (orthometalated complex): 1 part by mass of dichloroethane: A coating solution for luminescent organic thin film layer having 3500 parts by mass is applied using a bar coater, By drying at room temperature, transfer materials B-1 to B-3 were produced by forming a luminescent organic thin film layer having a thickness of 40 nm on a temporary support (M-1 to M-3), respectively. 3, 4 (B-
1, B-2), Comparative Example 2 (B-3)].
【００７９】(C) 転写材料C-1〜C-3の作製
表１に示す仮支持体（M-1〜M-3）のそれぞれの片面上
に、下記組成：
ポリビニルブチラール（Mw＝50000、アルドリッチ社
製）： 10質量部
下記構造（化２）を有する電子輸送性化合物： 20質量
部
1-ブタノール： 3500質量部(C) Preparation of Transfer Materials C-1 to C-3 On one side of each of the temporary supports (M-1 to M-3) shown in Table 1, the following composition: polyvinyl butyral (Mw = 50000, (Manufactured by Aldrich): 10 parts by mass Electron transporting compound having the following structure (Formula 2): 20 parts by mass 1-butanol: 3500 parts by mass
【００８０】[0080]
【化２】 [Chemical 2]
【００８１】を有する電子輸送性有機薄膜層用塗布液を
エクストルージョン型塗布機を用いて塗布し、80℃で２
時間真空乾燥させることにより、厚さ60nmの電子輸送性
有機薄膜層を仮支持体（M-1〜M-3）上にそれぞれ形成し
た転写材料C-1〜C-3を作製した[実施例５,６（C-1，C-
2）、比較例３（C-3）]。The coating liquid for an electron-transporting organic thin film layer having is coated by using an extrusion type coating machine,
Transfer materials C-1 to C-3 were produced by vacuum-drying for 60 hours to form an electron-transporting organic thin film layer having a thickness of 60 nm on a temporary support (M-1 to M-3), respectively. 5, 6 (C-1, C-
2), Comparative Example 3 (C-3)].
【００８２】実施例７〜13、比較例４〜９
(A) 有機EL素子の作製
(1) 転写材料の作製
実施例１〜６及び比較例１〜３と同様にして転写材料A-
1〜A-3、B-1〜B-3、及びC-1〜C-3を作製した。
(2) 被成膜面の作製
基板支持体として0.5 mm×2.5 cm×2.5 cmのガラス板を
用い、この基板支持体を真空チャンバー内に導入し、Sn
O2含有率が10質量％のITOターゲット（インジウム：錫
＝95：５（モル比））を用いて、DCマグネトロンスパッ
タリング（条件：基板支持体の温度250℃、酸素圧１×1
0-3Pa）により、厚さ0.2μmのITO薄膜からなる透明電極
を形成した。ITO薄膜の表面抵抗は10Ω／□であった。 Examples 7 to 13 and Comparative Examples 4 to 9 (A) Preparation of Organic EL Element (1) Preparation of Transfer Material Transfer Material A- in the same manner as in Examples 1 to 6 and Comparative Examples 1 to 3.
1 to A-3, B-1 to B-3, and C-1 to C-3 were produced. (2) Fabrication of film formation surface A glass plate of 0.5 mm × 2.5 cm × 2.5 cm was used as a substrate support, and this substrate support was introduced into a vacuum chamber and Sn
DC magnetron sputtering (conditions: substrate support temperature 250 ° C., oxygen pressure 1 × 1) using an ITO target (indium: tin = 95: 5 (molar ratio)) with an O 2 content of 10% by mass.
0 -3 Pa) to form a 0.2 μm thick ITO thin film transparent electrode. The surface resistance of the ITO thin film was 10Ω / □.
【００８３】透明電極を形成したガラス板を洗浄容器に
入れ、イソプロピルアルコール（IPA）により洗浄した
後、酸素プラズマ処理を行った。The glass plate on which the transparent electrode was formed was placed in a washing container, washed with isopropyl alcohol (IPA), and then subjected to oxygen plasma treatment.
【００８４】(3) 有機薄膜層を被成膜面に転写
酸素プラズマ処理した透明電極の表面に、ポリエチレン
ジオキシチオフェンポリスチレンスルホン酸の水性分散
液（BAYER社製、Baytron P：固形分1.3質量％）をスピ
ンコートした後、150℃で２時間真空乾燥し、厚さ100 n
mのホール輸送性有機薄膜層Dを形成した（実施例７〜1
0、比較例４〜７）。(3) Transferring an organic thin film layer to a surface to be deposited On the surface of a transparent electrode which has been subjected to oxygen plasma treatment, an aqueous dispersion of polyethylenedioxythiophene polystyrenesulfonic acid (manufactured by BAYER, Baytron P: solid content 1.3 mass% ) Is spin-coated and then vacuum dried at 150 ° C for 2 hours to obtain a thickness of 100 n.
A hole-transporting organic thin film layer D having a thickness of m was formed (Examples 7-1).
0, Comparative Examples 4 to 7).
【００８５】また、同様に酸素プラズマ処理した透明電
極の表面に、転写材料A-1〜A-3のホール輸送性有機薄膜
層側を重ね、転写材料A-1〜A-3の仮支持体側から、0.3M
Paの圧力で加圧した160℃の加熱ローラの間を0.05m/分
の速度にて加熱・加圧し、仮支持体を引き剥がすことに
より、処理した透明電極の表面にホール輸送性有機薄膜
層A-1〜A-3を形成した（実施例11〜13、比較例８，
９）。Similarly, the hole transporting organic thin film layer side of the transfer materials A-1 to A-3 is overlaid on the surface of the transparent electrode similarly subjected to the oxygen plasma treatment, and the temporary support side of the transfer materials A-1 to A-3 is placed. From 0.3M
A hole transporting organic thin film layer is formed on the surface of the treated transparent electrode by heating and pressurizing at a speed of 0.05 m / min between a heating roller of 160 ° C that is pressed by Pa pressure and peeling off the temporary support. A-1 to A-3 were formed (Examples 11 to 13, Comparative Example 8,
9).
【００８６】２種類のホール輸送性有機薄膜層（D及びA
-1〜A-3）を有する基板の表面に、転写材料B-1〜B-3の
発光性有機薄膜層側を重ね合わせ、転写材料B-1〜B-3の
仮支持体側から、0.3MPaの圧力で加圧した160℃の加熱
ローラの間を0.05m/分の速度にて加熱・加圧し、転写材
料B-1〜B-3の仮支持体側から仮支持体を引き剥がすこと
により、ホール輸送性有機薄膜層の上面に発光性有機薄
膜層B-1〜B-3を形成した（実施例７〜13、比較例４，６
〜８）。Two kinds of hole transporting organic thin film layers (D and A)
-1 ~ A-3), the luminescent organic thin film layer side of the transfer materials B-1 ~ B-3 is superposed on the surface of the substrate having the transfer materials B-1 ~ B-3, and 0.3 By heating and pressurizing between the heating roller of 160 ℃ pressurized with MPa at a speed of 0.05m / min, and peeling the temporary support from the temporary support side of the transfer materials B-1 to B-3. Light emitting organic thin film layers B-1 to B-3 were formed on the upper surface of the hole transporting organic thin film layer (Examples 7 to 13 and Comparative Examples 4 and 6).
~ 8).
【００８７】同様に、発光性有機薄膜層B-1〜B-3を有す
る基板の表面に転写材料C-1〜C-3の電子輸送性有機薄膜
層側を重ね、転写材料C-1〜C-3の仮支持体側から、0.3M
Paの圧力で加圧した160℃の加熱ローラの間を0.05m/分
の速度にて加熱・加圧し、仮支持体を引き剥がすことに
より、発光性有機薄膜層の上面に電子輸送性有機薄膜層
C-1〜C-3を形成した（実施例９，10，13、比較例６）。Similarly, the electron transporting organic thin film layer side of the transfer materials C-1 to C-3 is overlaid on the surface of the substrate having the light emitting organic thin film layers B-1 to B-3 to transfer the transfer materials C-1 to C-3. From the temporary support side of C-3, 0.3M
An electron-transporting organic thin film is formed on the upper surface of the light-emitting organic thin film layer by heating and pressurizing between the heating roller of 160 ° C which is pressed by Pa pressure at a speed of 0.05 m / min and peeling off the temporary support. layer
C-1 to C-3 were formed (Examples 9, 10, 13 and Comparative Example 6).
【００８８】また、比較のために、２種類のホール輸送
性有機薄膜層（D及びA-1〜A-3）を有する基板の表面
に、転写材料B-1〜B-3を作成した発光性有機薄膜層用塗
布液をスピンコータを用いて塗布し、室温で乾燥させる
ことにより、厚さ40 nmの発光性有機薄膜層BBを形成し
た（比較例５，９）。For comparison, the transfer materials B-1 to B-3 were formed on the surface of the substrate having two kinds of hole transporting organic thin film layers (D and A-1 to A-3). The coating liquid for the organic thin organic layer was applied using a spin coater and dried at room temperature to form a light emitting organic thin film BB having a thickness of 40 nm (Comparative Examples 5 and 9).
【００８９】さらに、発光性有機薄膜層B-1を有する基
板の表面に、転写材料C-1〜C-3を作成した電子輸送性有
機薄膜層用塗布液をスピンコータを用いて塗布し、80℃
で２時間真空乾燥させることにより、厚さ60nmの電子輸
送性有機薄膜層CCを発光性有機薄膜層の上面に形成した
（比較例７）。Further, the surface of the substrate having the light-emitting organic thin film layer B-1 was coated with the coating liquid for the electron transporting organic thin film layer containing the transfer materials C-1 to C-3 by using a spin coater. ℃
By vacuum drying for 2 hours, an electron transporting organic thin film layer CC having a thickness of 60 nm was formed on the upper surface of the light emitting organic thin film layer (Comparative Example 7).
【００９０】(4) 背面電極の作製
形成した発光性有機薄膜層（実施例７，８，11，12、比
較例４，５，８，９）及び電子輸送性有機薄膜層（実施
例９，10，13、比較例６，７）の上にパターニングした
蒸着用のマスク（発光面積が５mm×５mmとなるマスク）
を設置し、蒸着装置内でマグネシウム：銀＝10：１（モ
ル比）を0.25μmの厚さに蒸着し、銀を0.3μmの厚さに
蒸着して、背面電極を形成した。透明電極（陽極として
機能する）及び背面電極よりそれぞれアルミニウムのリ
ード線を結線し、積層構造体を形成した。(4) Fabrication of Back Electrode Light-emitting organic thin film layer formed (Examples 7, 8, 11, 12 and Comparative Examples 4,5, 8, 9) and electron-transporting organic thin film layer (Example 9, 10, 13 and Comparative Examples 6 and 7) patterned mask for vapor deposition (mask having a light emitting area of 5 mm × 5 mm)
Was installed, and magnesium: silver = 10: 1 (molar ratio) was vapor-deposited to a thickness of 0.25 μm and silver was vapor-deposited to a thickness of 0.3 μm in the vapor deposition device to form a back electrode. Aluminum lead wires were respectively connected from the transparent electrode (which functions as an anode) and the back electrode to form a laminated structure.
【００９１】(5) 封止
得られた積層構造体を、窒素ガスで置換したグローブボ
ックス内に入れ、ガラス製の封止容器で紫外線硬化型接
着剤（長瀬チバ（株）製、XNR5493）を用いて封止し、
有機EL素子を作製した。(5) Sealing The obtained laminated structure was placed in a glove box purged with nitrogen gas, and an ultraviolet curable adhesive (XNR5493, manufactured by Nagase Ciba Co., Ltd.) was placed in a glass sealing container. Sealed with
An organic EL device was produced.
【００９２】(B) 評価
得られた有機EL素子を以下の方法により評価した。まず
ソースメジャーユニット2400型（東洋テクニカ（株）
製）を用いて、直流電圧を有機EL素子に印加し、発光さ
せた。200 cd/m2で発光させた発光素子について、50倍
の顕微鏡で発光ムラを観察した。発光ムラの評価基準は
下記の通りである。結果を表２に示す。
９割以上が均一に発光した場合：◎
発光に濃淡があるが、７割以上が均一に発光した場合：
○
発光に濃淡があり、７割未満しか均一に発光しなかった
場合：×(B) Evaluation The obtained organic EL device was evaluated by the following method. First, Source Measure Unit Model 2400 (Toyo Technica Co., Ltd.)
DC voltage was applied to the organic EL device to emit light. With respect to the light emitting device that emitted light at 200 cd / m 2 , uneven light emission was observed with a 50 × microscope. The evaluation criteria for uneven light emission are as follows. The results are shown in Table 2. When 90% or more uniformly emits light: ◎ When light emission has light and shade, but 70% or more emits uniformly:
○ When light emission has light and shade and less than 70% uniformly emitted light: ×
【００９３】[0093]
【表２】 [Table 2]
【００９４】また基板支持体を角ガラス板から厚さ75μ
mのポリエチレンテレフタレートの連続ウエブに変えた
以外、実施例と同じ方法により有機薄膜層の転写を行な
ったところ、生産性が良く、発光ムラの評価においても
同様な結果が得られた。The substrate support is made of a square glass plate and has a thickness of 75 μm.
When the organic thin film layer was transferred by the same method as in Example except that the continuous web of m polyethylene terephthalate was used, the productivity was good, and similar results were obtained in the evaluation of uneven light emission.
【００９５】[0095]
【発明の効果】本発明において、仮支持体表面の最大高
さRmax（JIS B 0601-1982で規定される）が有機薄膜層
の膜厚を100とした場合に50以下である仮支持体上に、
有機薄膜素子を構成する有機薄膜層を形成してなる転写
材料を使用し、剥離転写法を行なうことで、層の界面接
合が良好となり、積層の過程が蒸着法と比較して簡便か
つ安価となり、発光面・発光量の均一性に優れた有機EL
素子等の有機薄膜素子を低コストで製造できる。INDUSTRIAL APPLICABILITY In the present invention, the maximum height Rmax of the surface of the temporary support (defined by JIS B 0601-1982) is 50 or less when the thickness of the organic thin film layer is 100. To
By using the transfer material formed by forming the organic thin film layer that constitutes the organic thin film element and performing the peel transfer method, the interfacial bonding of the layers becomes good, and the stacking process becomes simpler and cheaper than the vapor deposition method. , Organic EL with excellent uniformity of light emitting surface and light emission amount
An organic thin film element such as an element can be manufactured at low cost.
【図１】 本発明の一実施例による複数の有機薄膜層を
面順次に有する転写材料を示す。FIG. 1 shows a transfer material having a plurality of organic thin film layers in a frame sequential manner according to an embodiment of the present invention.
【図２】 JIS B 00601-1982で規定される最大高さRmax
を示す。[Fig. 2] Maximum height Rmax specified in JIS B 00601-1982
Indicates.
【図３】 本発明の別の実施例による有機薄膜素子の製
造方法を実施するための装置を示す。FIG. 3 shows an apparatus for carrying out a method of manufacturing an organic thin film element according to another embodiment of the present invention.
【図４】 本発明のさらに別の実施例による有機薄膜素
子の製造方法を実施するための装置を示す。FIG. 4 shows an apparatus for carrying out a method for manufacturing an organic thin film element according to another embodiment of the present invention.
【図５】 本発明のさらに別の実施例による有機薄膜素
子の製造方法を実施するための装置を示す。FIG. 5 shows an apparatus for carrying out a method of manufacturing an organic thin film element according to still another embodiment of the present invention.
100・・・基板 101・・・基板支持体 102・・・陰極又は陽極 110・・・転写材料 111・・・仮支持体 112・・・有機薄膜層 113・・・転写材料巻回用ロール 114・・・仮支持体巻回用ロール 121・・・加熱（加圧）部材（ロール） 122・・・加圧（加熱）部材（ロール） 123・・・転写材料用プレヒータ 124・・・基板用プレヒータ 125，126・・・冷却部 127・・・挿入角度調整部 128・・・剥離角度調整部 100 ... Substrate 101 ... Substrate support 102 ... Cathode or anode 110: Transfer material 111 ... Temporary support 112 ... Organic thin film layer 113 ・ ・ ・ Roll for winding transfer material 114 ... Roll for winding temporary support 121 ・ ・ ・ Heating (pressurizing) member (roll) 122 ... Pressure (heating) member (roll) 123 ... Preheater for transfer material 124 ... Preheater for substrate 125, 126 ... Cooling unit 127 ・ ・ ・ Insert angle adjusting part 128 ... Peeling angle adjustment unit
Claims (8)
層を形成してなる転写材料において、前記有機薄膜層側
が基板の被成膜面に対面するように前記転写材料を前記
基板に重ねて加熱及び／又は加圧し、前記仮支持体を引
き剥がすことにより前記有機薄膜層を前記基板の被成膜
面に転写して有機薄膜素子を製造する剥離転写法に使用
する転写材料であって、前記仮支持体表面の表面粗さが
最大高さRmax（JIS B 0601-1982により規定される）
で、前記有機薄膜層の膜厚を100とした場合に50以下で
あることを特徴とする転写材料。1. A transfer material in which at least one organic thin film layer is formed on a temporary support, and the transfer material is superposed on the substrate so that the organic thin film layer side faces the film formation surface of the substrate. A transfer material used in a peeling transfer method for manufacturing an organic thin film element by transferring the organic thin film layer to a film formation surface of the substrate by heating and / or pressurizing and peeling off the temporary support. , The surface roughness of the surface of the temporary support is the maximum height Rmax (specified by JIS B 0601-1982)
The transfer material is 50 or less when the thickness of the organic thin film layer is 100.
記有機薄膜層が少なくとも発光性化合物及び／又はキャ
リア輸送性化合物を含有することを特徴とする転写材
料。2. The transfer material according to claim 1, wherein the organic thin film layer contains at least a light emitting compound and / or a carrier transporting compound.
て、連続ウエブ状であることを特徴とする転写材料。3. The transfer material according to claim 1 or 2, which is in the form of a continuous web.
層を有する転写材料を使用し、前記有機薄膜層側が基板
の被成膜面に対面するように前記転写材料を前記基板に
重ねて加熱及び／又は加圧し、前記仮支持体を引き剥が
すことにより前記有機薄膜層を前記基板の被成膜面に転
写する有機薄膜素子の製造方法であって、前記仮支持体
表面の表面粗さが最大高さRmax（JIS B 0601-1982によ
り規定される）で、前記有機薄膜層の膜厚を100とした
場合に50以下であることを特徴とする有機薄膜素子の製
造方法。4. A transfer material having at least one organic thin film layer on a temporary support is used, and the transfer material is superposed on the substrate so that the organic thin film layer side faces the film formation surface of the substrate. A method of manufacturing an organic thin film element, wherein the organic thin film layer is transferred to a film formation surface of the substrate by heating and / or pressurizing and peeling off the temporary support, and the surface roughness of the temporary support surface. Is the maximum height Rmax (defined by JIS B 0601-1982), and is 50 or less when the thickness of the organic thin film layer is 100, which is 50 or less.
法において、少なくとも発光性化合物及び／又はキャリ
ア輸送性化合物を含有する有機薄膜層を使用することを
特徴とする有機薄膜素子の製造方法。5. The method for producing an organic thin film element according to claim 4, wherein an organic thin film layer containing at least a light emitting compound and / or a carrier transporting compound is used. .
製造方法において、基板側から順にホール輸送性有機薄
膜層、発光性有機薄膜層及び電子輸送性有機薄膜層を転
写することを特徴とする有機薄膜素子の製造方法。6. The method for manufacturing an organic thin film element according to claim 4 or 5, wherein the hole transporting organic thin film layer, the light emitting organic thin film layer and the electron transporting organic thin film layer are sequentially transferred from the substrate side. And a method for manufacturing an organic thin film element.
膜素子の製造方法において、基板支持体とその上に形成
された透明導電膜からなる基板を使用することを特徴と
する有機薄膜素子の製造方法。7. The method of manufacturing an organic thin film element according to claim 4, wherein a substrate comprising a substrate support and a transparent conductive film formed thereon is used. Device manufacturing method.
膜素子の製造方法において、前記転写材料及び／又は前
記基板が連続ウエブであることを特徴とする有機薄膜素
子の製造方法。8. The method of manufacturing an organic thin film element according to claim 4, wherein the transfer material and / or the substrate is a continuous web.
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006073969A (en) * | 2004-09-06 | 2006-03-16 | Fuji Xerox Co Ltd | Organic electroluminescent element |
| JP2006236626A (en) * | 2005-02-22 | 2006-09-07 | Shinshu Univ | Manufacturing method for flexible resin film with electrode layer |
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2001
- 2001-10-31 JP JP2001334858A patent/JP2003178868A/en active Pending
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