JP2003177263A - Method of manufacturing optical waveguide and optical waveguide element - Google Patents
Method of manufacturing optical waveguide and optical waveguide elementInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、例えば擬似位相整
合方式の第二高調波発生デバイスに適した光導波路素子
およびその製造方法に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an optical waveguide element suitable for a quasi phase matching type second harmonic generation device and a method for manufacturing the same.
【０００２】[0002]
【従来の技術】光情報処理技術全般において、高密度光
記録を実現するためには、波長４００−４３０ｎｍ程度
の青色光を、３０ｍＷ以上の出力で安定的に発振する青
色光レーザーが要望されており、開発競争が行われてい
る。青色光光源としては、赤色光を基本波として発振す
るレーザーと、疑似位相整合方式の第二高調波発生素子
とを組み合わせた光導波路型の波長変換素子が期待され
ている。2. Description of the Related Art In general optical information processing technology, a blue light laser capable of stably oscillating blue light having a wavelength of about 400 to 430 nm with an output of 30 mW or more is required to realize high density optical recording. There is competition for development. As a blue light source, an optical waveguide type wavelength conversion element in which a laser that oscillates red light as a fundamental wave and a second harmonic generation element of a quasi phase matching system are combined is expected.
【０００３】[0003]
【発明が解決しようとする課題】本出願人は、特願２０
０１−７１５０８号明細書において、非線形光学結晶か
らなる被加工基板を支持基板上に樹脂などによって接着
し、次いで被加工基板の主面（被加工面）を機械加工す
ることによって被加工基板の厚さを充分に薄くし、次い
で機械加工やレーザー加工によって三次元光導波路を形
成することを開示した。また、この被加工基板に予め周
期分極反転構造を形成しておくことによって、三次元光
導波路中にも周期分極反転構造を残し、この三次元光導
波路を利用して二次高調波を発生させることを開示し
た。DISCLOSURE OF INVENTION Problems to be Solved by the Invention
No. 01-71508, the thickness of the substrate to be processed is obtained by adhering a substrate to be processed made of a non-linear optical crystal to a supporting substrate with a resin or the like, and then machining the main surface (the surface to be processed) of the substrate to be processed. It has been disclosed that the thickness is made sufficiently thin, and then the three-dimensional optical waveguide is formed by mechanical processing or laser processing. Further, by forming a periodic domain-inverted structure on the substrate to be processed in advance, the periodic domain-inverted structure is left in the three-dimensional optical waveguide, and the second harmonic is generated by using this three-dimensional optical waveguide. I disclosed that.
【０００４】しかし、本発明者が更に具体的に加工条件
を検討していくと、次の問題点が残されていることがわ
かった。即ち、光学材料からなる基板の被加工面を加工
することによって三次元光導波路を形成するためには、
基板の被加工面を研削加工および研磨加工し、基板の厚
さを、シングルモードの光導波路として動作可能な厚さ
とする必要がある。このためには、高精度の研磨加工が
必要であり、かつ、基板の裏面の平面度を高精度とする
必要がある。たとえ高精度の研磨加工を行えるものとし
ても、かりに基板の裏面の平面度が大きい場合には、研
磨加工終了後の基板の厚さが変動し、シングルモード条
件を満足するような高精度の三次元光導波路を形成する
ことができない。However, when the present inventor examined the processing conditions more specifically, it was found that the following problems remained. That is, in order to form a three-dimensional optical waveguide by processing the processed surface of the substrate made of an optical material,
It is necessary to grind and polish the surface to be processed of the substrate so that the thickness of the substrate can be operated as a single mode optical waveguide. For this purpose, it is necessary to perform highly accurate polishing and to make the flatness of the back surface of the substrate highly accurate. Even if high-precision polishing can be performed, if the flatness of the back surface of the substrate is extremely large, the thickness of the substrate after polishing will vary, and a highly accurate tertiary The original optical waveguide cannot be formed.
【０００５】しかし、実際の製造プロセスにおいては、
非線形光学材料からなる基板それ自体が反っており、こ
のために被加工基板の裏面の平面度が大きくなっている
場合があった。また、被加工基板の研削加工、研磨加工
を行うためには、被加工基板を別体の支持基板に対して
接着することによって接着体を作製し、この支持基板を
定盤に対して接着し、固定する。そして、この状態で被
加工基板の被加工面を研削加工および研磨加工する。し
かし、被加工基板を支持基板に対して接着した段階で被
加工基板が反り、被加工基板の裏面の平面度が大きくな
ることがあった。また、この段階で被加工基板の裏面の
平面度が規定値まで低下していた場合にも、支持基板を
定盤に接着した段階で、再び被加工基板が反り、被加工
基板の裏面の平面度が大きくなることがあった。However, in the actual manufacturing process,
The substrate itself made of a non-linear optical material is warped, which may increase the flatness of the back surface of the substrate to be processed. In addition, in order to grind and polish the substrate to be processed, the substrate to be processed is adhered to a separate support substrate to form an adhesive body, and the support substrate is adhered to a surface plate. , Fix it. Then, in this state, the surface of the substrate to be processed is ground and polished. However, when the substrate to be processed is bonded to the support substrate, the substrate to be processed may warp, and the flatness of the back surface of the substrate to be processed may increase. Even if the flatness of the back surface of the substrate to be processed has decreased to the specified value at this stage, the substrate to be processed warps again when the support substrate is bonded to the surface plate, and There was a case where the degree became large.
【０００６】本発明の課題は、光学材料からなる被加工
基板をその被加工面側から加工することによって光導波
路を形成するのに際して、被加工基板の裏面の平面度を
小さくできるようにし、これによって加工時の精度を向
上させ、光導波路の製造歩留りを向上させることであ
る。An object of the present invention is to make it possible to reduce the flatness of the back surface of a substrate to be processed when forming an optical waveguide by processing a substrate to be processed made of an optical material from the surface to be processed. It is to improve the accuracy at the time of processing and improve the manufacturing yield of the optical waveguide.
【０００７】[0007]
【課題を解決するための手段】本発明は、光学材料から
なる被加工基板の裏面と被加工面との一方の上に加熱下
で平面度調整膜を形成することによって、被加工基板の
裏面の平面度を、平面度調整膜を形成しない場合に比べ
て小さくし、次いで被加工基板を被加工面側から加工す
ることによって光導波路を形成することを特徴とする、
光導波路の製造方法に係るものである。The present invention provides a back surface of a substrate to be processed by forming a flatness adjusting film on one of the back surface and the surface of the substrate to be processed made of an optical material under heating. Characterized in that the optical waveguide is formed by reducing the flatness of the substrate compared to the case where the flatness adjusting film is not formed, and then processing the substrate to be processed from the surface to be processed.
The present invention relates to a method for manufacturing an optical waveguide.
【０００８】また、本発明は、光学材料からなる被加工
基板の裏面側と支持基板の接着面側とを加熱下で接着す
ることによって接着体を作製し、接着体を被加工面側か
ら加工することによって光導波路を形成するのに際し
て、被加工基板の裏面、被加工基板の被加工面、支持基
板の接着面および支持基板の背面のうち少なくとも一つ
の上に加熱下で平面度調整膜を形成することによって、
被加工基板の裏面の平面度を、平面度調整膜を形成しな
い場合に比べて小さくすることを特徴とする、光導波路
の製造方法に係るものである。Further, according to the present invention, an adhesive body is produced by adhering the back surface side of a substrate to be processed made of an optical material and the bonding surface side of a supporting substrate under heating, and processing the adhesive body from the surface to be processed side. When forming an optical waveguide by doing so, a flatness adjusting film is heated on at least one of the back surface of the substrate to be processed, the surface to be processed of the substrate to be processed, the bonding surface of the supporting substrate and the rear surface of the supporting substrate under heating. By forming
The present invention relates to a method for manufacturing an optical waveguide, which is characterized in that the flatness of the back surface of the substrate to be processed is made smaller than in the case where the flatness adjusting film is not formed.
【０００９】また、本発明は、光学材料からなる被加工
基板の裏面側と支持基板の接着面側とを加熱下で接着す
ることによって接着体を作製し、次いで支持基板の背面
を固定用基盤に対して接着して固定し、接着体を被加工
面側から加工することによって光導波路を形成するのに
際して、被加工基板と支持基板とを接着する前に、被加
工基板の裏面、被加工基板の被加工面、支持基板の接着
面および支持基板の背面のうち少なくとも一つの上に加
熱下で平面度調整膜を形成することによって、接着体を
固定用基盤に接着した後の裏面の平面度を調節すること
を特徴とする、光導波路の製造方法に係るものである。Further, according to the present invention, an adhesive body is produced by adhering the back surface side of a substrate to be processed made of an optical material and the adhesive surface side of a supporting substrate under heating, and then the back surface of the supporting substrate is fixed to a fixing substrate. When the optical waveguide is formed by adhering and fixing to the processed surface of the bonded body, the back surface of the processed substrate and the processed surface are processed before the substrate and the supporting substrate are bonded. By forming a flatness adjusting film under heating on at least one of the work surface of the substrate, the adhesive surface of the supporting substrate and the rear surface of the supporting substrate, the flat surface of the rear surface after adhering the adhesive to the fixing base. The present invention relates to a method for manufacturing an optical waveguide, which is characterized by adjusting the degree.
【００１０】また、本発明は、バルク状の非線形光学結
晶からなる三次元光導波路、この光導波路に対して接着
されている支持基板、光導波路の接着面側と支持基板の
接着面側とを接合している非晶質材料からなる接着層、
および光導波路の接着面、支持基板の接着面、支持基板
の背面の少なくとも一つの上に形成されている、金属酸
化物からなる平面度調整膜とを備えていることを特徴と
する、光導波路素子に係るものである。Further, according to the present invention, a three-dimensional optical waveguide made of a bulk nonlinear optical crystal, a support substrate adhered to the optical waveguide, an adhesive surface side of the optical waveguide and an adhesive surface side of the support substrate are provided. An adhesive layer made of an amorphous material that is joined,
And a flatness adjusting film made of a metal oxide, which is formed on at least one of the adhesive surface of the optical waveguide, the adhesive surface of the supporting substrate, and the back surface of the supporting substrate. It relates to an element.
【００１１】本発明により、光学材料からなる被加工基
板をその被加工面側から加工することによって光導波路
を形成するのに際して、被加工基板の裏面の平面度を小
さくできるようにし、これによって加工時の精度を向上
させ、光導波路の製造歩留りを向上させることができ
る。According to the present invention, the flatness of the back surface of the substrate to be processed can be reduced when the optical waveguide is formed by processing the substrate to be processed made of an optical material from the side of the surface to be processed. It is possible to improve the accuracy of time and the manufacturing yield of the optical waveguide.
【００１２】以下、適宜図面を参照しつつ、本発明を更
に詳細に説明する。光学材料からなる被加工基板は、図
１（ａ）に示す１のように、若干反っている場合があ
る。なお、被加工基板１には、後述する平面度調整膜２
以外の膜があらかじめ形成してあってもよい。なお、各
図面においては、被加工基板や支持基板の反りを、分か
りやすくするために誇張して描いている。被加工基板の
裏面１ａ、被加工面１ｂともに反っており、平面度は規
定値に達していない。The present invention will be described in more detail below with reference to the drawings. The substrate to be processed made of an optical material may be slightly warped as shown by 1 in FIG. The substrate 1 to be processed has a flatness adjusting film 2 to be described later.
Other films may be formed in advance. In each drawing, the warp of the substrate to be processed and the support substrate is exaggerated for easy understanding. Both the back surface 1a and the processing surface 1b of the substrate to be processed are warped, and the flatness does not reach the specified value.
【００１３】この被加工基板１の凹面１ａ上に、図１
（ｂ）に示すように加熱下で被加工基板１よりも熱膨張
率が小さい平面度調整膜２を形成する。これによって、
被加工基板１Ａの反りは矯正され、裏面１ｃ、被加工面
１ｄの平面度は規定値以下にできる。なお、反りを矯正
した後の被加工面１ｄを、後述のように加工する。On the concave surface 1a of the substrate 1 to be processed, as shown in FIG.
As shown in (b), the flatness adjusting film 2 having a smaller coefficient of thermal expansion than the substrate 1 to be processed is formed under heating. by this,
The warp of the substrate 1A to be processed is corrected, and the flatness of the back surface 1c and the surface 1d to be processed can be set to a prescribed value or less. The surface 1d to be processed after the warp is corrected is processed as described later.
【００１４】被加工基板１、１Ａの材質は特に限定され
ないが、非線形光学結晶が好ましく、周期分極反転構造
を形成しやすい強誘電体単結晶が更に好ましい。特に好
ましくは、ニオブ酸リチウム、タンタル酸リチウム、ニ
オブ酸リチウム−タンタル酸リチウム固溶体、ニオブ酸
カリウムリチウム、タンタル酸カリウムリチウム、ニオ
ブ酸カリウムリチウム−タンタル酸カリウムリチウム固
溶体、Ｋ３Ｌｉ２Ｎｂ５Ｏ１５の各単結晶が特に好まし
い。The material of the substrates 1 and 1A to be processed is not particularly limited, but a non-linear optical crystal is preferable, and a ferroelectric single crystal which is easy to form a periodically poled structure is more preferable. Particularly preferably, lithium niobate, lithium tantalate, lithium niobate-lithium tantalate solid solution, potassium lithium niobate, potassium lithium tantalate, potassium niobate-lithium potassium tantalate solid solution, K 3 Li 2 Nb 5 O 15 Each single crystal of is particularly preferable.
【００１５】こうした結晶中には、三次元光導波路の耐
光損傷性を更に向上させるために、マグネシウム（Ｍ
ｇ）、亜鉛（Ｚｎ）、スカンジウム（Ｓｃ）及びインジ
ウム（Ｉｎ）からなる群より選ばれる１種以上の金属元
素を含有させることができ、マグネシウムが特に好まし
い。In such a crystal, in order to further improve the light damage resistance of the three-dimensional optical waveguide, magnesium (M
g), one or more metal elements selected from the group consisting of zinc (Zn), scandium (Sc) and indium (In) can be contained, and magnesium is particularly preferable.
【００１６】平面度調整膜２の材質は特に限定されな
い。しかし、平面度調整膜２の材質の熱膨張係数は、基
板１の材質の熱膨張係数と異なっていることが好まし
い。この際には線熱膨張係数の差は、５×１０−６（1
／Ｋ）以上であることが好ましく、１０×１０−６（1
／Ｋ）以上であることがさらに好ましい。また、平面度
調整膜２の材質は、金属酸化物であることが好ましく、
酸化珪素、酸化チタン、酸化ニオブ、酸化タンタル、酸
化ジルコニウム、酸化アルミニウム、酸化マグネシウム
または酸化ハフニウムが特に好ましい。The material of the flatness adjusting film 2 is not particularly limited. However, the coefficient of thermal expansion of the material of the flatness adjusting film 2 is preferably different from the coefficient of thermal expansion of the material of the substrate 1. At this time, the difference in linear thermal expansion coefficient is 5 × 10 −6 (1
/ K) or more, preferably 10 × 10 −6 (1
/ K) or more is more preferable. Further, the material of the flatness adjusting film 2 is preferably a metal oxide,
Especially preferred are silicon oxide, titanium oxide, niobium oxide, tantalum oxide, zirconium oxide, aluminum oxide, magnesium oxide or hafnium oxide.
【００１７】平面度調整膜２の厚さは特に限定されな
い。膜２の熱膨張係数と基板１の熱膨張係数との差が大
きいほど、裏面１ａの平面度の変化への寄与が大きい。
また、膜２を厚くするほど、裏面１ａの平面度は大きく
変化しやすい。従って、基板の裏面１ａの平面度、上述
の熱膨張係数差、および平面度調整膜２の厚さを適宜変
化させることによって、膜２を形成する前の裏面１ａの
平面度に比べて、平面度調整膜２を形成した後の裏面１
ｃの平面度を小さくすることができる。The thickness of the flatness adjusting film 2 is not particularly limited. The larger the difference between the coefficient of thermal expansion of the film 2 and the coefficient of thermal expansion of the substrate 1, the greater the contribution to the change in the flatness of the back surface 1a.
Further, as the film 2 is made thicker, the flatness of the back surface 1a is likely to change greatly. Therefore, by appropriately changing the flatness of the back surface 1a of the substrate, the above-described difference in thermal expansion coefficient, and the thickness of the flatness adjusting film 2, the flatness of the back surface 1a before the formation of the film 2 is increased. Back surface 1 after forming degree adjusting film 2
The flatness of c can be reduced.
【００１８】また、平面度調整膜２を形成する際の加熱
温度を高くするほど、裏面１ａの平面度の変化への寄与
が大きい。この観点からは、平面度調整膜２を形成する
際の温度は、１００℃以上とすることが好ましく、２０
０℃以上とすることが更に好ましい。Further, the higher the heating temperature for forming the flatness adjusting film 2, the greater the contribution to the change in the flatness of the back surface 1a. From this viewpoint, the temperature for forming the flatness adjusting film 2 is preferably 100 ° C. or higher, and 20
More preferably, the temperature is 0 ° C. or higher.
【００１９】平面度調整膜２の形成方法は特に限定され
ず、スパッタリング法、蒸着法、スピンコート法、化学
的気相成長法を例示できる。The method for forming the flatness adjusting film 2 is not particularly limited, and examples thereof include a sputtering method, a vapor deposition method, a spin coating method, and a chemical vapor deposition method.
【００２０】また、本発明においては、光学材料からな
る被加工基板の裏面側と支持基板の接着面側とを加熱下
で接着することによって接着体を作製し、被加工基板を
被加工面側から加工することによって光導波路を形成す
るのに際して、被加工基板の裏面上または被加工面上に
加熱下で平面度調整膜を形成することによって、被加工
基板の裏面の平面度を、平面度調整膜を形成しない場合
に比べて小さくすることができる。In the present invention, the back side of the substrate to be processed made of an optical material and the bonding surface side of the supporting substrate are bonded to each other under heating to form an adhesive body, and the substrate to be processed side is processed. When forming an optical waveguide by processing from, the flatness of the back surface of the substrate to be processed is formed by forming a flatness adjusting film on the back surface or surface of the substrate to be processed under heating. It can be made smaller than in the case where the adjustment film is not formed.
【００２１】この実施形態について説明する。図２
（ａ）に示すように、反りのほとんどない被加工基板１
Ａと、支持基板４を接着する。この際、場合によって
は、図２（ｂ）に示すように、接着体５の全体（１Ｂお
よび４Ａ）が一方に反ることがある。この場合には、図
３（ａ）に示すように、支持基板４の接着面４ａ上に平
面度調整膜６を形成しておくことができる。これによっ
て、支持基板との接着面４ａ側と被加工基板１Ａの裏面
（接着面）１ｃ側とを接着して接着体５Ａを得た場合
に、被加工基板や支持基板の反りを抑制できる。この結
果、被加工基板の裏面１ｃが平坦となり、平面度が小さ
くなる。This embodiment will be described. Figure 2
As shown in (a), the processed substrate 1 with almost no warpage
A and the supporting substrate 4 are adhered. At this time, depending on the case, as shown in FIG. 2B, the entire adhesive body 5 (1B and 4A) may warp to one side. In this case, as shown in FIG. 3A, the flatness adjusting film 6 can be formed on the adhesive surface 4 a of the supporting substrate 4. Thereby, when the adhesive body 4A is obtained by adhering the adhesive surface 4a side with the supporting substrate and the back surface (adhesive surface) 1c side of the substrate 1A to be processed, it is possible to suppress warpage of the substrate to be processed or the supporting substrate. As a result, the back surface 1c of the substrate to be processed becomes flat and the flatness becomes small.
【００２２】平面度調整膜６は、支持基板４の背面４ｂ
と接着面４ａとの少なくとも一方に設けることができ
る。更に、膜６は、被加工基板１Ａの裏面１ｃと被加工
面１ｄの少なくとも一方に形成することができる。いず
れにせよ、接着によって生成する接着体５Ａの反りを、
膜のない場合に比べて緩和することができる。The flatness adjusting film 6 is provided on the back surface 4b of the supporting substrate 4.
And the adhesive surface 4a. Further, the film 6 can be formed on at least one of the back surface 1c and the processed surface 1d of the processed substrate 1A. In any case, the warp of the adhesive body 5A generated by the adhesion,
It can be relaxed compared to the case without a film.
【００２３】本実施形態において特に好ましくは、被加
工基板１の裏面１ｃ上に平面度調整膜２を形成するのと
同時に、支持基板４の背面および／または接着面上にも
平面度調整膜６を形成する。平面度調整膜６の材質も金
属酸化物であることが好ましく、酸化珪素、酸化チタ
ン、酸化ニオブ、酸化タンタル、酸化ジルコニウム、酸
化アルミニウム、酸化マグネシウムまたは酸化ハフニウ
ムであることが特に好ましい。In the present embodiment, particularly preferably, the flatness adjusting film 2 is formed on the back surface 1c of the substrate 1 to be processed, and at the same time, the flatness adjusting film 6 is formed on the back surface and / or the adhesive surface of the supporting substrate 4. To form. The material of the flatness adjusting film 6 is also preferably a metal oxide, and particularly preferably silicon oxide, titanium oxide, niobium oxide, tantalum oxide, zirconium oxide, aluminum oxide, magnesium oxide or hafnium oxide.
【００２４】被加工基板と支持基板とを接着する接着剤
は特に限定されない。接着剤の材質は、有機樹脂やガラ
ス（特に好ましくは低融点ガラス）が好ましい。有機樹
脂としては、アクリル系樹脂、エポキシ系樹脂、ポリウ
レタン系樹脂、シリコーン樹脂等を例示できる。ガラス
としては、酸化珪素を主成分とする低融点ガラスが好ま
しい。The adhesive for bonding the substrate to be processed and the supporting substrate is not particularly limited. The material of the adhesive is preferably organic resin or glass (particularly preferably low-melting glass). Examples of the organic resin include acrylic resin, epoxy resin, polyurethane resin, silicone resin and the like. As the glass, a low melting point glass containing silicon oxide as a main component is preferable.
【００２５】また、光学材料からなる被加工基板の裏面
側と支持基板の接着面側とを加熱下で接着することによ
って接着体を作製し、次いで支持基板の背面を固定用基
盤に対して接着して固定した段階で、支持基板および被
加工基板が反り、被加工基板の裏面の平面度が大きくな
ることがある。Further, an adhesive body is produced by adhering the back surface side of the substrate to be processed made of an optical material and the adhesive surface side of the supporting substrate under heating, and then adhering the rear surface of the supporting substrate to the fixing base. At the stage of fixing, the supporting substrate and the substrate to be processed may warp, and the flatness of the back surface of the substrate to be processed may increase.
【００２６】即ち、図４（ａ）に示すように、ほとんど
反りのない接着体５Ａが得られたものとする。この場合
にも、図４（ｂ）に示すように、接着体５Ａの支持基板
４の背面４ｂを、定盤８の固定面８ａ上に接着剤７によ
って接着すると、接着体５Ｂの被加工基板１Ｃおよび支
持基板４Ｂが反ることがある。即ち、被加工面４ｂの平
面度が大きくなるだけでなく、裏面１ａ、接着面４ｃお
よび背面４ｄの平面度がいずれも大きくなる。このよう
な反りの原因は、定盤８の固定面８ａへの接着の際に、
例えは８０℃程度に加熱することによるものである。That is, as shown in FIG. 4A, it is assumed that an adhesive body 5A having almost no warp is obtained. Also in this case, as shown in FIG. 4B, when the back surface 4b of the supporting substrate 4 of the adhesive body 5A is adhered to the fixing surface 8a of the surface plate 8 with the adhesive agent 7, the substrate to be processed of the adhesive body 5B is processed. 1C and the support substrate 4B may be warped. That is, not only the flatness of the processed surface 4b increases, but also the flatness of the back surface 1a, the bonding surface 4c, and the back surface 4d increase. The reason for such warpage is that when the surface plate 8 is bonded to the fixed surface 8a,
An example is by heating to about 80 ° C.
【００２７】本発明においては、こうした場合に、被加
工基板と支持基板とを接着する前に、被加工基板の裏
面、被加工基板の被加工面、支持基板の接着面および支
持基板の背面のうち少なくとも一つの上に加熱下で平面
度調整膜を形成することによって、接着体を固定用基盤
に接着した後の被加工基板の裏面の平面度を調節する。In the present invention, in such a case, before adhering the substrate to be processed and the supporting substrate, the back surface of the substrate to be processed, the surface to be processed of the substrate to be processed, the adhering surface of the supporting substrate and the back surface of the supporting substrate are formed. By forming a flatness adjusting film on at least one of the substrates under heating, the flatness of the back surface of the substrate to be processed after the bonding body is bonded to the fixing substrate is adjusted.
【００２８】即ち、被加工基板の被加工面、被加工基板
の裏面、支持基板の接着面および支持基板の背面のうち
少なくとも一つの上に加熱下で平面度調整膜を形成する
と、この平面度調整膜の材質、熱膨張係数および成膜時
の加熱温度を調節することによって、接着体５Ｃの反り
の度合いを適当に調節することができる。例えば図４
（ｂ）の例においては、接着体５Ｂが上に凹となるよう
に反っている。従って、この場合には、図５（ａ）に示
すように、接着体５Ｃを定盤に固定する前の段階におい
て、接着体５Ｃが上向けに凸となるように変形させてお
く。このように接着体を変形させることは、平面度調整
膜２、６の厚さ、材質の熱膨張係数、成膜時の加熱温度
を選択することによって実施可能である。That is, when the flatness adjusting film is formed on at least one of the processed surface of the processed substrate, the back surface of the processed substrate, the adhesive surface of the support substrate and the back surface of the support substrate under heating, By adjusting the material of the adjustment film, the coefficient of thermal expansion, and the heating temperature during film formation, the degree of warpage of the adhesive body 5C can be adjusted appropriately. For example, in FIG.
In the example of (b), the adhesive body 5B is warped so as to be concave upward. Therefore, in this case, as shown in FIG. 5A, before the adhesive body 5C is fixed to the surface plate, the adhesive body 5C is deformed so as to be convex upward. Such deformation of the adhesive body can be performed by selecting the thickness of the flatness adjusting films 2 and 6, the coefficient of thermal expansion of the material, and the heating temperature during film formation.
【００２９】この状態で接着体５Ｃの背面４ｄと、定盤
８の固定面８ａとを接着すると、図５（ｂ）に示すよう
に、反りのほとんどない接着体５Ａが得られる。When the back surface 4d of the adhesive body 5C and the fixing surface 8a of the surface plate 8 are adhered in this state, an adhesive body 5A having almost no warp is obtained as shown in FIG. 5 (b).
【００３０】固定用基盤８は好ましくは機械加工用の定
盤であるが、他の固定用基盤であってもよい。また、固
定用基盤の形状は特に限定されず、平板状である必要は
ない。The fixing base 8 is preferably a surface plate for machining, but other fixing bases may be used. Moreover, the shape of the fixing base is not particularly limited, and does not have to be a flat plate.
【００３１】接着剤７の材質は、ワックスや樹脂が好ま
しい。また、接着時の加熱温度は、５０〜３５０℃が好
ましい。The material of the adhesive 7 is preferably wax or resin. The heating temperature at the time of bonding is preferably 50 to 350 ° C.
【００３２】加工を行う際の被加工基板の裏面の平面度
は、０．６μｍ以下が好ましく、０．１５μｍ以下が更
に好ましい。The flatness of the back surface of the substrate to be processed at the time of processing is preferably 0.6 μm or less, and more preferably 0.15 μm or less.
【００３３】接着体を定盤に固定した後、被加工面１ｄ
を加工、好ましくは研削加工および研磨加工し、被加工
基板１Ａの厚さを充分に小さくする。次いで、機械加工
やレーザーアブレーション加工によって被加工基板を加
工し、リッジ型の三次元光導波路を形成することができ
る。次いで加工用の定盤を除去する。After fixing the adhesive to the surface plate, the work surface 1d
Are processed, preferably grinding and polishing, to sufficiently reduce the thickness of the substrate 1A to be processed. Then, the substrate to be processed can be processed by mechanical processing or laser ablation processing to form a ridge-type three-dimensional optical waveguide. Next, the surface plate for processing is removed.
【００３４】被加工基板の厚さ、即ち光導波路の高さを
所定の寸法に研削加工する方法は限定されない。特に好
適な実施形態においては、光導波路底面に対して垂直に
回転する切削用外周刃を使用する。そして、この外周刃
のエッジと光導波路底面との間隔を所定の高さに設定
し、切削加工することにより、光導波路の厚さを必要値
とする。The method of grinding the thickness of the substrate to be processed, that is, the height of the optical waveguide to a predetermined dimension is not limited. In a particularly preferred embodiment, a peripheral cutting blade that rotates perpendicular to the bottom surface of the optical waveguide is used. Then, the gap between the edge of the outer peripheral blade and the bottom surface of the optical waveguide is set to a predetermined height, and the thickness of the optical waveguide is set to a required value by cutting.
【００３５】従来、略平板形状の被加工物の厚さを研削
加工して調整する場合、被加工物の表面を、この表面と
平行に回転する外周刃によって研削することが一般的で
あった。しかし、この方法では、外周刃の回転面の僅か
な傾斜によって、被加工基板の厚さが不均一になりやす
い。従って、幅数μｍ、長さ１ｍｍ程度の細長い形状の
光導波路の高さを、サブミクロンのオーダーで制御する
ことは困難であった。Conventionally, when adjusting the thickness of an approximately flat plate-shaped workpiece by grinding, it has been common to grind the surface of the workpiece with an outer peripheral blade that rotates parallel to this surface. . However, in this method, the thickness of the substrate to be processed tends to be non-uniform due to the slight inclination of the rotating surface of the outer peripheral blade. Therefore, it is difficult to control the height of an elongated optical waveguide having a width of several μm and a length of about 1 mm on the order of submicrons.
【００３６】これに対して、光導波路の底面に垂直に回
転する切削用外周刃と光導波路底面との間隔を所定高さ
に設定して切削加工すれば、外周刃の高さを調節するこ
とによって、高さ方向の調節を容易に行える。そして、
被加工基板の厚さ（光導波路の高さ）の加工精度は、一
般的な加工装置の持つ加工精度（サブミクロンオーダ
ー）にならう。On the other hand, the height of the outer peripheral blade can be adjusted by setting the gap between the outer peripheral blade for cutting, which rotates perpendicularly to the bottom surface of the optical waveguide, and the bottom surface of the optical waveguide to a predetermined height for cutting. This makes it easy to adjust the height direction. And
The processing accuracy of the thickness of the substrate to be processed (height of the optical waveguide) follows the processing accuracy (submicron order) of a general processing apparatus.
【００３７】図６、図７は、いずれもこのようにして得
られた波長変換素子を概略的に示す断面図である。図６
に示す素子においては、支持基板４の接着面４ａ上に、
平面度調整膜６、接着層９、平面度調整膜２、非線形光
学材料からなるバルク体１０が順次形成されている。バ
ルク体１０は、リッジ型の三次元光導波路１０ｂ、三次
元光導波路１０ｂの両側から延在している一対の延在部
１０ｃ、および各延在部１０ｃから更に両端に向かって
延びている肉厚の補強部１０ｄを備えている。三次元光
導波路１０ｂの両側は、一対の細長い凹部１１によって
区画されている。凹部１１は、機械加工やレーザーアブ
レーション加工によって形成できる。本例では、バルク
体１０の全体にわたって周期分極反転構造が形成されて
いる。6 and 7 are sectional views schematically showing the wavelength conversion element thus obtained. Figure 6
In the element shown in (1), on the adhesive surface 4a of the support substrate 4,
A flatness adjusting film 6, an adhesive layer 9, a flatness adjusting film 2, and a bulk body 10 made of a non-linear optical material are sequentially formed. The bulk body 10 includes a ridge-shaped three-dimensional optical waveguide 10b, a pair of extending portions 10c extending from both sides of the three-dimensional optical waveguide 10b, and meat extending from each extending portion 10c toward both ends. It is provided with a thick reinforcing portion 10d. Both sides of the three-dimensional optical waveguide 10b are partitioned by a pair of elongated recesses 11. The recess 11 can be formed by mechanical processing or laser ablation processing. In this example, the periodic domain-inverted structure is formed over the entire bulk body 10.
【００３８】図７に示す素子においては、支持基板４の
接着面４ａ上に、平面度調整膜６、接着層９、平面度調
整膜２、非線形光学材料からなるバルク体１３が順次形
成されている。バルク体１３は、リッジ型の三次元光導
波路１３ｂ、三次元光導波路１３ｂの両側から延在して
いる一対の延在部１３ｃ、および各延在部１３ｃから更
に両端に向かって延びている肉厚の補強部１３ｄを備え
ている。三次元光導波路１３ｂの両側は、一対の細長い
凹部１１によって区画されている。凹部１１は、機械加
工やレーザーアブレーション加工によって形成できる。
本例では、バルク体１３の中央部分のみに周期分極反転
構造１２が形成されている。In the device shown in FIG. 7, the flatness adjusting film 6, the adhesive layer 9, the flatness adjusting film 2 and the bulk body 13 made of a non-linear optical material are sequentially formed on the adhesive surface 4a of the supporting substrate 4. There is. The bulk body 13 has a ridge-shaped three-dimensional optical waveguide 13b, a pair of extending portions 13c extending from both sides of the three-dimensional optical waveguide 13b, and meat extending from each extending portion 13c toward both ends. It has a thick reinforcing portion 13d. Both sides of the three-dimensional optical waveguide 13b are partitioned by a pair of elongated recesses 11. The recess 11 can be formed by mechanical processing or laser ablation processing.
In this example, the periodic domain inversion structure 12 is formed only in the central portion of the bulk body 13.
【００３９】周期分極反転構造の形成法は限定されな
い。電気光学結晶基板、例えばニオブ酸リチウム基板に
周期分極反転構造を形成する方法としては、Ｔｉ内拡散
法、Ｌｉ２Ｏ外拡散法、ＳｉＯ２装荷熱処理法、Ｔｉ熱
酸化法、プロトン交換熱処理法、電子ビーム走査照射
法、電圧印加法、コロナ帯電法等が好ましい。これらの
方法の中で、深い周期分極反転構造を精度良く形成する
という観点から、ＸカットまたはＹカット、あるいはそ
のオフカット基板を使用する場合には、電圧印加法が特
に好ましい。また、Ｚカット基板を使用する場合にはコ
ロナ帯電法あるいは電圧印加法で行うことが特に好まし
い。The method for forming the periodically poled structure is not limited. As a method of forming a periodically poled structure on an electro-optic crystal substrate, for example, a lithium niobate substrate, a Ti in-diffusion method, a Li 2 O out-diffusion method, a SiO 2 loading heat treatment method, a Ti thermal oxidation method, a proton exchange heat treatment method, An electron beam scanning irradiation method, a voltage application method, a corona charging method and the like are preferable. Among these methods, the voltage application method is particularly preferable when an X-cut or Y-cut or an off-cut substrate thereof is used from the viewpoint of forming a deep periodically domain-inverted structure with high accuracy. When a Z-cut substrate is used, it is particularly preferable to use the corona charging method or the voltage application method.
【００４０】[0040]
【実施例】（実施例１）厚さ０．５ｍｍのＹ軸方向に反
った平面度５μｍの３インチのＸカットＭｇ：ＬｉＮｂ
Ｏ３（ＭｇＯを５ｍｏｌ％ドープしたニオブ酸リチウム
単結晶）ウエハー（図１の１）を準備した。この凹面
に、スパッタリング法によって、厚さ４０００オングス
トロームの酸化珪素膜２を成膜した。成膜温度は２００
℃である。この結果、ウエハーの凹面の平面度を０．４
μｍ以下にすることができた。このウエハーから縦３０
ｍｍ×横３０ｍｍの基板を切り出したところ、平面度は
０．１５μｍ以下であった。Example 1 A 3-inch X-cut Mg: LiNb having a thickness of 0.5 mm and a flatness of 5 μm warped in the Y-axis direction.
An O 3 (lithium niobate single crystal doped with 5 mol% MgO) wafer (1 in FIG. 1) was prepared. A silicon oxide film 2 having a thickness of 4000 angstrom was formed on this concave surface by a sputtering method. Film formation temperature is 200
℃. As a result, the flatness of the concave surface of the wafer is 0.4
It was possible to make it below μm. Vertical 30 from this wafer
When a substrate of mm × width 30 mm was cut out, the flatness was 0.15 μm or less.
【００４１】（実施例２）厚さ０．５ｍｍのお椀状に反
った平面度５μｍの３インチのＺカットＭｇ：ＬｉＮｂ
Ｏ３ウエハーを準備した。この凹面に、スパッタリング
法によって、厚さ４０００オングストロームの酸化珪素
膜２を成膜した。成膜温度は２００℃である。この結
果、ウエハーの凹面の平面度を０．４μｍ以下にするこ
とができた。このウエハーから縦３０ｍｍ×横３０ｍｍ
の基板を切り出したところ、平面度は０．１５μｍ以下
であった。Example 2 A 3-inch Z-cut Mg: LiNb having a flatness of 5 μm which is warped like a bowl having a thickness of 0.5 mm.
An O 3 wafer was prepared. A silicon oxide film 2 having a thickness of 4000 angstrom was formed on this concave surface by a sputtering method. The film forming temperature is 200 ° C. As a result, the flatness of the concave surface of the wafer could be 0.4 μm or less. 30mm in length x 30mm in width from this wafer
When the substrate was cut out, the flatness was 0.15 μm or less.
【００４２】（比較例１）図２（ａ）に示すように、厚
さ０．５ｍｍ、縦１５ｍｍ、横１５ｍｍのＸカットＭ
ｇ：ＬｉＮｂＯ３基板の接着面（裏面）２上に、スパッ
タリング法によって、成膜温度２００℃で、厚さ４００
０オングストロームの酸化珪素膜２を成膜した。裏面１
ｃの平面度は０．１５μｍ以下である。また、平面度
０．１５μｍ以下の厚さ１ｍｍ、縦２０ｍｍ、横２０ｍ
ｍのＸカットニオブ酸リチウム基板（マグネシウム等の
ドーピングなし）４を準備した。それぞれの基板のＺ軸
方向を合わせて、エポキシ系の加熱硬化型の接着剤を使
用し、１００℃で接着した。得られた接着体には、図２
（ｂ）に示すように、Ｙ軸方向に平面度１μｍの反りが
発生した。Comparative Example 1 As shown in FIG. 2A, an X-cut M having a thickness of 0.5 mm, a length of 15 mm and a width of 15 mm.
g: A film having a film thickness of 200 ° C. and a thickness of 400 on the bonding surface (back surface) 2 of the LiNbO 3 substrate by the sputtering method.
A silicon oxide film 2 of 0 angstrom was formed. Back side 1
The flatness of c is 0.15 μm or less. Also, flatness of 0.15 μm or less, thickness 1 mm, length 20 mm, width 20 m
A m-cut X-lithium lithium niobate substrate (without doping with magnesium or the like) 4 was prepared. The respective substrates were aligned in the Z-axis direction and bonded at 100 ° C. using an epoxy-based thermosetting adhesive. The obtained adhesive body has the structure shown in FIG.
As shown in (b), a warp with a flatness of 1 μm occurred in the Y-axis direction.
【００４３】（実施例３）図３（ａ）に示すような被加
工基板１Ａと支持基板４とを準備した。被加工基板１
Ａ、支持基板４は、比較例１と同様のものである。支持
基板４の接着面４ａ上に、厚さ１０００オングストロー
ムの酸化珪素膜６をスパッタリング法によって成膜した
（成膜温度は２００℃）。被加工基板１Ａ上の酸化珪素
膜２と、支持基板４上の酸化珪素膜６との間にエポキシ
系の接着剤を介在させ、１００℃で接着した。この際に
は、各基板のＺ軸方向を合わせた。得られた接着体５Ａ
の基板１Ａの裏面１ｃの平面度は０．１５μｍ以下であ
った。Example 3 A substrate 1A to be processed and a supporting substrate 4 as shown in FIG. 3A were prepared. Substrate 1
A and the support substrate 4 are the same as those in Comparative Example 1. A silicon oxide film 6 having a thickness of 1000 angstrom was formed on the adhesive surface 4a of the support substrate 4 by a sputtering method (film forming temperature is 200 ° C.). An epoxy-based adhesive was interposed between the silicon oxide film 2 on the substrate 1A to be processed and the silicon oxide film 6 on the support substrate 4, and they were bonded at 100 ° C. At this time, the Z-axis directions of the respective substrates were aligned. Obtained adhesive body 5A
The flatness of the back surface 1c of the substrate 1A was 0.15 μm or less.
【００４４】（比較例２）図２（ａ）に示すように、厚
さ０．５ｍｍ、縦３０ｍｍ、横３０ｍｍのＺカットＭ
ｇ：ＬｉＮｂＯ３基板の接着面２上に、スパッタリング
法によって、成膜温度２００℃で、厚さ４０００オング
ストロームの酸化珪素膜２を成膜した。裏面１ｃの平面
度は０．１５μｍ以下である。また、平面度０．１５μ
ｍ以下の厚さ１ｍｍ、縦４０ｍｍ、横４０ｍｍのＺカッ
トニオブ酸リチウム基板（マグネシウム等のドーピング
なし）４を準備した。それぞれの基板のＸ軸方向を合わ
せて、エポキシ系の加熱硬化型の接着剤を使用し、１０
０℃で接着した。得られた接着体には、図２（ｂ）に示
すように、平面度３．５μｍの反りが発生した。Comparative Example 2 As shown in FIG. 2A, a Z cut M having a thickness of 0.5 mm, a length of 30 mm and a width of 30 mm.
A silicon oxide film 2 having a thickness of 4000 angstrom was formed on the adhesion surface 2 of the g: LiNbO 3 substrate by a sputtering method at a film forming temperature of 200 ° C. The flatness of the back surface 1c is 0.15 μm or less. Also, flatness 0.15μ
A Z-cut lithium niobate substrate (without doping with magnesium or the like) 4 having a thickness of 1 mm or less, a length of 40 mm, and a width of 40 mm was prepared. Align the X-axis direction of each substrate and use an epoxy-based heat-curable adhesive.
Bonded at 0 ° C. As shown in FIG. 2B, the obtained adhesive body had a warp with a flatness of 3.5 μm.
【００４５】（実施例４）図３（ａ）に示すような被加
工基板１Ａと支持基板４とを準備した。被加工基板１
Ａ、支持基板４は、比較例２と同様のものである。支持
基板４の接着面４ａ上に、厚さ１５００オングストロー
ムの酸化珪素膜６をスパッタリング法によって成膜した
（成膜温度は２００℃）。被加工基板１Ａ上の酸化珪素
膜２と、支持基板４上の酸化珪素膜６との間にエポキシ
系の接着剤を介在させ、１００℃で接着した。この際に
は、各基板のＸ軸方向を合わせた。得られた接着体５Ａ
の基板１Ａの裏面１ｃの平面度は０．１５μｍ以下であ
った。Example 4 A substrate 1A to be processed and a supporting substrate 4 as shown in FIG. 3A were prepared. Substrate 1
A and the supporting substrate 4 are the same as those in Comparative Example 2. A silicon oxide film 6 having a thickness of 1500 angstrom was formed on the adhesive surface 4a of the supporting substrate 4 by a sputtering method (film forming temperature is 200 ° C.). An epoxy-based adhesive was interposed between the silicon oxide film 2 on the substrate 1A to be processed and the silicon oxide film 6 on the support substrate 4, and they were bonded at 100 ° C. At this time, the X-axis direction of each substrate was aligned. Obtained adhesive body 5A
The flatness of the back surface 1c of the substrate 1A was 0.15 μm or less.
【００４６】（比較例３）図２（ａ）に示すように、厚
さ０．５ｍｍ、縦３０ｍｍ、横３０ｍｍのＸカットＭ
ｇ：ＬｉＮｂＯ３基板の接着面１ｃ上に、スパッタリン
グ法によって、成膜温度２００℃で、厚さ４０００オン
グストロームの酸化珪素膜２を成膜した。裏面１ｃの平
面度は０．１５μｍ以下である。また、平面度０．１５
μｍ以下の厚さ１ｍｍ、縦４０ｍｍ、横４０ｍｍのＸカ
ットニオブ酸リチウム基板（マグネシウム等のドーピン
グなし）４を準備した。それぞれの基板のＺ軸方向を合
わせて、エポキシ系の加熱硬化型の接着剤を使用し、１
００℃で接着した。図２（ｂ）に示すように、得られた
接着体には、Ｙ軸方向に平面度３．５μｍの反りが発生
した。Comparative Example 3 As shown in FIG. 2A, an X-cut M having a thickness of 0.5 mm, a length of 30 mm and a width of 30 mm.
g: A silicon oxide film 2 having a thickness of 4000 angstrom was formed on the adhesion surface 1c of the LiNbO 3 substrate by a sputtering method at a film forming temperature of 200 ° C. The flatness of the back surface 1c is 0.15 μm or less. Also, the flatness of 0.15
An X-cut lithium niobate substrate (without doping with magnesium or the like) 4 having a thickness of 1 mm or less, a length of 40 mm, and a width of 40 mm, of not more than μm was prepared. Align the Z-axis direction of each board and use an epoxy-based heat-curable adhesive
Bonded at 00 ° C. As shown in FIG. 2B, the obtained adhesive body had a warp with a flatness of 3.5 μm in the Y-axis direction.
【００４７】（実施例５）図３（ａ）に示すような被加
工基板１Ａと支持基板４とを準備した。被加工基板１
Ａ、支持基板４は、比較例３と同様のものである。支持
基板４の接着面４ａ上に、厚さ１５００オングストロー
ムの酸化珪素膜６をスパッタリング法によって成膜した
（成膜温度は２００℃）。被加工基板１Ａ上の酸化珪素
膜２と、支持基板４上の酸化珪素膜６との間にエポキシ
系の接着剤を介在させ、１００℃で接着した。この際に
は、各基板のＺ軸方向を合わせた。得られた接着体５Ａ
の基板１Ａの裏面１ｃの平面度は０．１５μｍ以下であ
った。Example 5 A substrate 1A to be processed and a supporting substrate 4 as shown in FIG. 3A were prepared. Substrate 1
A and the supporting substrate 4 are the same as those in Comparative Example 3. A silicon oxide film 6 having a thickness of 1500 angstrom was formed on the adhesive surface 4a of the supporting substrate 4 by a sputtering method (film forming temperature is 200 ° C.). An epoxy-based adhesive was interposed between the silicon oxide film 2 on the substrate 1A to be processed and the silicon oxide film 6 on the support substrate 4, and they were bonded at 100 ° C. At this time, the Z-axis directions of the respective substrates were aligned. Obtained adhesive body 5A
The flatness of the back surface 1c of the substrate 1A was 0.15 μm or less.
【００４８】（比較例４）図４（ａ）に示すような接着
体５Ａを作製した。即ち、厚さ０．５ｍｍ、縦１５ｍ
ｍ、横１５ｍｍのＺカットのＭｇ：ＬｉＮｂＯ３基板１
Ａに、コロナ帯電法によって、周期３．２μｍの周期分
極反転構造を形成した。この分極反転構造は、基板の厚
み方向の全体にわたって均一に形成されていた。この基
板１Ａの接着面１ｃ上に、厚さ４０００オングストロー
ムの酸化珪素膜をスパッタリング法によって成膜温度２
００℃で成膜した。この基板１Ａの裏面１ｃの平面度は
０．１５μｍ以下である。また、厚さ１ｍｍ、縦２０ｍ
ｍ、横２０ｍｍのＺカットニオブ酸リチウム基板（マグ
ネシウム等のドーピングなし）４の接着面４ａ上に、厚
さ１０００オングストロームの酸化珪素膜をスパッタリ
ング法によって２００℃で成膜した。この基板４の接着
面４ａの平面度は０．１５μｍ以下である。Comparative Example 4 An adhesive body 5A as shown in FIG. 4 (a) was produced. That is, thickness 0.5mm, length 15m
m, 15 mm wide Z-cut Mg: LiNbO 3 substrate 1
A periodically poled structure having a period of 3.2 μm was formed on A by the corona charging method. This domain-inverted structure was formed uniformly over the entire thickness direction of the substrate. A silicon oxide film having a thickness of 4000 angstroms is formed on the adhesive surface 1c of the substrate 1A by a sputtering method at a film forming temperature 2
The film was formed at 00 ° C. The flatness of the back surface 1c of the substrate 1A is 0.15 μm or less. In addition, thickness 1mm, length 20m
A silicon oxide film having a thickness of 1000 angstrom was formed at 200 ° C. by a sputtering method on an adhesive surface 4a of a Z-cut lithium niobate substrate (without doping with magnesium, etc.) 4 having a size of m and a width of 20 mm. The flatness of the bonding surface 4a of the substrate 4 is 0.15 μm or less.
【００４９】次いで、基板１Ａ上の酸化珪素膜２と、基
板４上の酸化珪素膜６との間にエポキシ系の加熱硬化型
の接着剤を介在させ、１００℃で接着した。この際に
は、各基板のＸ軸方向を合わせた。得られた接着体５Ａ
の基板１Ａの裏面１ｃの平面度は０．１５μｍ以下であ
った。Next, an epoxy thermosetting adhesive was interposed between the silicon oxide film 2 on the substrate 1A and the silicon oxide film 6 on the substrate 4, and they were bonded at 100 ° C. At this time, the X-axis direction of each substrate was aligned. Obtained adhesive body 5A
The flatness of the back surface 1c of the substrate 1A was 0.15 μm or less.
【００５０】次いで、接着体５Ａの底面４ｂを、ワック
ス７を使用して、８０℃の温度でステンレス製定盤８上
に固定した。この結果、マグネシウムドープニオブ酸リ
チウム基板１Ｃと、マグネシウムをドープしていないニ
オブ酸リチウム基板４Ｂとの熱膨張係数の相違から、定
盤８上の接着体５Ｂの基板１Ｃの裏面１ａに、平面度１
μｍの反りが発生した（図４（ｂ）参照）。Next, the bottom surface 4b of the adhesive body 5A was fixed on the stainless steel surface plate 8 at a temperature of 80 ° C. using the wax 7. As a result, due to the difference in thermal expansion coefficient between the magnesium-doped lithium niobate substrate 1C and the lithium niobate substrate 4B not doped with magnesium, the flatness of the back surface 1a of the substrate 1C of the adhesive body 5B on the surface plate 8 is increased. 1
A warp of μm occurred (see FIG. 4B).
【００５１】（実施例６）図６に示すような構造の光導
波路素子を製造した。具体的には、まず比較例４と同様
にして、厚さ０．５ｍｍ、縦１５ｍｍ、横１５ｍｍのＺ
カットのＭｇドープＬｉＮｂＯ３基板１Ａに周期分極反
転構造を形成した。この基板１Ａの接着面１ｃ上に厚さ
４０００オングストロームの酸化珪素膜をスパッタリン
グ法によって成膜温度２００℃で成膜した。この基板１
Ａの裏面１ｃの平面度は０．１５μｍ以下である。ま
た、厚さ１ｍｍ、縦２０ｍｍ、横２０ｍｍのＺカットニ
オブ酸リチウム基板（マグネシウム等のドーピングな
し）４の接着面４ａ上に、厚さ２０００オングストロー
ムの酸化珪素膜をスパッタリング法によって２００℃で
成膜した。この基板４の接着面４ａの平面度は０．１５
μｍ以下である。Example 6 An optical waveguide device having the structure shown in FIG. 6 was manufactured. Specifically, first, as in Comparative Example 4, Z having a thickness of 0.5 mm, a length of 15 mm, and a width of 15 mm was used.
A periodically poled structure was formed on the cut Mg-doped LiNbO 3 substrate 1A. A silicon oxide film having a thickness of 4000 angstrom was formed on the adhesive surface 1c of the substrate 1A at a film forming temperature of 200 ° C. by a sputtering method. This board 1
The back surface 1c of A has a flatness of 0.15 μm or less. In addition, a silicon oxide film having a thickness of 2000 angstroms is formed at 200 ° C. on a bonding surface 4a of a Z-cut lithium niobate substrate (without doping with magnesium) having a thickness of 1 mm, a length of 20 mm, and a width of 20 mm by a sputtering method. did. The flatness of the bonding surface 4a of the substrate 4 is 0.15.
μm or less.
【００５２】次いで、基板１Ａ上の酸化珪素膜２と、基
板４上の酸化珪素膜６との間にエポキシ系の加熱硬化型
の接着剤を介在させ、１００℃で接着した。この際に
は、各基板のＸ軸方向を合わせた。得られた接着体に
は、比較例４に記載した定盤上の接着体とは逆の方向に
向かって、平面度１μｍの反りが発生していた。Next, an epoxy thermosetting adhesive was interposed between the silicon oxide film 2 on the substrate 1A and the silicon oxide film 6 on the substrate 4, and they were bonded at 100.degree. At this time, the X-axis direction of each substrate was aligned. The obtained adhesive body had a warp with a flatness of 1 μm in a direction opposite to that of the adhesive body on the surface plate described in Comparative Example 4.
【００５３】次いで、接着体５Ａの底面４ｂを、ワック
ス７を使用して、８０℃の温度でステンレス製定盤８上
に固定した。この結果、接着体５Ａの基板１Ａの裏面１
ｃの平面度は０．１５μｍ以下であった（図５（ｂ）参
照）。Next, the bottom surface 4b of the adhesive body 5A was fixed on the stainless steel surface plate 8 at a temperature of 80 ° C. using the wax 7. As a result, the back surface 1 of the substrate 1A of the adhesive body 5A
The flatness of c was 0.15 μm or less (see FIG. 5B).
【００５４】定盤上に固定した接着体５Ａの被加工面１
ｄを研削・研磨によって加工し、被加工基板の厚さを
３．５μｍとした。接着体を定盤から外した後には、基
板１Ａの裏面１ｃの平面度は０．１５μｍ以下であっ
た。ダイシング加工装置もしくはレーザー加工装置を用
いて、周期分極反転構造パターンの方向とは垂直な方向
に伸びるように、図６に示すリッジ構造を形成した。こ
の際、延設部１０ｃの厚さを１．５μｍとし、光導波路
１０ｂの高さを２μｍとし、リッジ構造の幅を４μｍと
した。リッジ構造を形成した後、基板をその横断面方向
に切断し、長さ１０ｍｍの光導波路素子を作製した。素
子の両端面を機械化学研磨した。Worked surface 1 of adhesive body 5A fixed on a surface plate
d was processed by grinding and polishing, and the thickness of the substrate to be processed was 3.5 μm. After removing the adhesive from the surface plate, the flatness of the back surface 1c of the substrate 1A was 0.15 μm or less. Using a dicing processing device or a laser processing device, the ridge structure shown in FIG. 6 was formed so as to extend in a direction perpendicular to the direction of the periodically poled structure pattern. At this time, the thickness of the extended portion 10c was 1.5 μm, the height of the optical waveguide 10b was 2 μm, and the width of the ridge structure was 4 μm. After forming the ridge structure, the substrate was cut in the direction of its cross section to manufacture an optical waveguide device having a length of 10 mm. Both end faces of the device were mechanically polished.
【００５５】この素子を使用し、チタン−サファイアレ
ーザーを使用し、第二高調波を発生させた。位相整合波
長は８５０ｎｍ、第二高調波の波長は４２５ｎｍであっ
た。基本波の入射出力が１００ｍＷの時に５０ｍＷの第
二高調波出力が得られ、光損傷等による特性劣化は観測
されなかった。Using this device, a titanium-sapphire laser was used to generate the second harmonic. The phase matching wavelength was 850 nm and the wavelength of the second harmonic was 425 nm. When the incident output of the fundamental wave was 100 mW, the second harmonic output of 50 mW was obtained, and no characteristic deterioration due to optical damage was observed.
【００５６】（比較例５）厚さ０．５ｍｍ、縦３０ｍ
ｍ、横３０ｍｍの３度オフカット基板のＸ面のＭｇドー
プニオブ酸リチウム基板１に、電圧印加法によって、周
期２．８μｍ、分極反転深さ２．５μｍの周期分極反転
構造を形成した。このＭｇドープニオブ酸リチウム基板
１の裏面１ｃ（分極反転構造形成面）上に厚さ４０００
オングストロームの酸化珪素膜をスパッタリング法によ
って成膜した。この基板１の裏面１ｃの平面度は０．１
５μｍ以下である。また、厚さ１ｍｍ、縦４０ｍｍ、横
４０ｍｍののＸカットニオブ酸リチウム基板（マグネシ
ウム等のドーピングなし）４の接着面４ｃ上に、厚さ１
５００オングストロームの酸化珪素膜をスパッタリング
法によって成膜した。この基板４の接着面４ａの平面度
は０．１５μｍ以下である。(Comparative Example 5) Thickness 0.5 mm, length 30 m
A periodic domain-inverted structure having a period of 2.8 μm and a domain-inversion depth of 2.5 μm was formed on the Mg-doped lithium niobate substrate 1 on the X-plane of a 3-degree off-cut substrate having a width of 30 mm and a width of 30 mm by a voltage application method. A thickness of 4000 is formed on the back surface 1c (the surface where the domain inversion structure is formed) of the Mg-doped lithium niobate substrate 1.
An angstrom silicon oxide film was formed by a sputtering method. The back surface 1c of the substrate 1 has a flatness of 0.1.
It is 5 μm or less. In addition, a thickness of 1 mm, a length of 40 mm, and a width of 40 mm on the bonding surface 4c of the X-cut lithium niobate substrate 4 (without doping with magnesium or the like) 4
A 500 Å silicon oxide film was formed by a sputtering method. The flatness of the bonding surface 4a of the substrate 4 is 0.15 μm or less.
【００５７】これらの基板のＺ軸方向を合わせ、エポキ
シ系の加熱硬化型の接着剤を使用して１００℃で接着し
た。この結果、得られた接着体５Ａの基板１Ａの裏面１
ｃの平面度は０．１５μｍ以下であった（図４（ａ）参
照）。次いで、この接着体を、ワックスを使用して８０
℃でステンレス製定盤上に固定した。この結果、マグネ
シウムドープニオブ酸リチウム基板５Ｂには、図４
（ｂ）に示すように、Ｙ軸方向に平面度２μｍの反りが
発生した。The Z-axis directions of these substrates were aligned and bonded at 100 ° C. using an epoxy-based heat-curable adhesive. As a result, the back surface 1 of the substrate 1A of the obtained adhesive body 5A
The flatness of c was 0.15 μm or less (see FIG. 4A). The adhesive is then applied to 80 using wax.
It was fixed on a stainless steel surface plate at ℃. As a result, the magnesium-doped lithium niobate substrate 5B shown in FIG.
As shown in (b), a warp having a flatness of 2 μm occurred in the Y-axis direction.
【００５８】（実施例７）厚さ０．５ｍｍ、縦３０ｍ
ｍ、横３０ｍｍの３度オフカット基板のＸ面のマグネシ
ウムドープニオブ酸リチウム基板に、電圧印加法によっ
て、周期２．８μｍ、分極反転深さ２．５μｍの周期分
極反転構造を形成した。このマグネシウムドープニオブ
酸リチウム基板の接着面１ｃ（分極反転構造形成面）側
に、厚さ４０００オングストロームの酸化珪素膜をスパ
ッタリング法によって成膜した。得られた基板１Ａの裏
面１ｃの平面度は０．１５μｍ以下である。また、図２
（ａ）に示すように、厚さ１ｍｍ、縦４０ｍｍ、横４０
ｍｍのＸカットニオブ酸リチウム基板（マグネシウム等
のドーピングなし）４の接着面４ｃ上に、厚さ３０００
オングストロームの酸化珪素膜をスパッタリング法によ
って形成した。(Embodiment 7) Thickness 0.5 mm, length 30 m
A periodic domain-inverted structure having a period of 2.8 μm and a domain-inverted depth of 2.5 μm was formed on a magnesium-doped lithium niobate substrate on the X-plane of a 3-degree off-cut substrate of m, 30 mm in width by a voltage application method. A silicon oxide film having a thickness of 4000 angstrom was formed on the adhesion surface 1c (polarization inversion structure formation surface) side of this magnesium-doped lithium niobate substrate by a sputtering method. The flatness of the back surface 1c of the obtained substrate 1A is 0.15 μm or less. Also, FIG.
As shown in (a), thickness 1 mm, length 40 mm, width 40
The thickness of 3000 mm on the adhesion surface 4c of the X-cut lithium niobate substrate (without doping with magnesium etc.) 4 mm.
An angstrom silicon oxide film was formed by a sputtering method.
【００５９】これら２つの基板のＺ軸方向を合わせて、
エポキシ系の加熱硬化型の接着剤を使用して１００℃で
接着した。図５（ａ）に示すように、得られた接着体５
Ｃには、比較例５において定盤上に固定した後の接着体
５Ｂ（図４（ｂ）参照）とは逆方向に、Ｙ軸方向に平面
度２μｍの反りが発生した。Matching the Z-axis directions of these two substrates,
Adhesion was performed at 100 ° C. using an epoxy-based heat-curable adhesive. As shown in FIG. 5A, the obtained adhesive body 5
In C, a warp having a flatness of 2 μm was generated in the Y-axis direction in the direction opposite to that of the bonded body 5B (see FIG. 4B) after being fixed on the surface plate in Comparative Example 5.
【００６０】接着体５Ｃを、ワックスを使用して８０℃
でステンレス製定盤８上に固定した。この結果、図５
（ｂ）に示すように、定盤８上に固定した接着体５Ａの
基板１Ａの裏面１ｃの平面度は０．１５μｍ以下であっ
た。The adhesive body 5C was heated at 80 ° C. using wax.
It was fixed on a stainless steel platen 8. As a result, FIG.
As shown in (b), the flatness of the back surface 1c of the substrate 1A of the adhesive body 5A fixed on the surface plate 8 was 0.15 μm or less.
【００６１】定盤上に固定した接着体５Ａの被加工面１
ｄを、研削・研磨によって加工し、マグネシウムドープ
ニオブ酸リチウム基板１Ａの厚さを３μｍとした。接着
体５Ａを定盤８から外した後には、接着体５Ａの基板１
Ａの裏面１ｃの平面度は０．１５μｍ以下であった。ダ
イシング加工装置もしくはレーザー加工装置を用いて、
周期分極反転パターンの方向とは垂直な方向に向かって
伸びるように、図７に示すリッジ構造１３ｂを形成し
た。この際、延設部１３ｃの厚さを１．５μｍとし、光
導波路の高さを１．５μｍとし、リッジ構造の幅を５μ
ｍとした。リッジ構造を形成した後、基板をその横断面
方向に切断し、長さ１０ｍｍの光導波路素子を作製し
た。素子の両端面を機械化学研磨した。この素子を使用
し、チタン−サファイアレーザーを使用し、第二高調波
を発生させた。位相整合波長は８２０ｎｍ、第二高調波
の波長は４１０ｎｍであった。基本波の入射出力が１０
０ｍＷの時に６０ｍＷの第二高調波出力が得られ、光損
傷等による特性劣化は観測されなかった。Worked surface 1 of adhesive body 5A fixed on a surface plate
d was processed by grinding and polishing, and the thickness of the magnesium-doped lithium niobate substrate 1A was set to 3 μm. After removing the adhesive body 5A from the surface plate 8, the substrate 1 of the adhesive body 5A is removed.
The flatness of the back surface 1c of A was 0.15 μm or less. Using a dicing machine or laser machine,
The ridge structure 13b shown in FIG. 7 was formed so as to extend in a direction perpendicular to the direction of the periodically poled pattern. At this time, the thickness of the extended portion 13c is 1.5 μm, the height of the optical waveguide is 1.5 μm, and the width of the ridge structure is 5 μm.
m. After forming the ridge structure, the substrate was cut in the direction of its cross section to manufacture an optical waveguide device having a length of 10 mm. Both end faces of the device were mechanically polished. Using this device, a titanium-sapphire laser was used to generate the second harmonic. The phase matching wavelength was 820 nm and the second harmonic wavelength was 410 nm. The incident output of the fundamental wave is 10
A second harmonic output of 60 mW was obtained at 0 mW, and no characteristic deterioration due to optical damage was observed.
【００６２】[0062]
【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、光
学材料からなる被加工基板をその被加工面側から加工す
ることによって光導波路を形成するのに際して、被加工
基板の裏面の平面度を小さくでき、これによって加工時
の精度を向上させ、光導波路の製造歩留りを向上させる
ことができる。As described above, according to the present invention, when an optical waveguide is formed by processing a substrate to be processed made of an optical material from the side of the surface to be processed, a flat surface of the back surface of the substrate to be processed is formed. It is possible to reduce the degree of precision, thereby improving the precision during processing and improving the manufacturing yield of the optical waveguide.
【図１】（ａ）は、平面度の大きい被加工基板１を示す
正面図であり、（ｂ）は、膜２の形成された基板１Ａを
示す正面図である。1A is a front view showing a substrate 1 to be processed having a large flatness, and FIG. 1B is a front view showing a substrate 1A on which a film 2 is formed.
【図２】（ａ）は、被加工基板１Ａと支持基板４とを示
す正面図であり、（ｂ）は、基板１Ａと４とを接着して
得られた接着体５を示す正面図である。FIG. 2A is a front view showing a substrate 1A to be processed and a support substrate 4, and FIG. 2B is a front view showing an adhesive body 5 obtained by adhering the substrates 1A and 4 together. is there.
【図３】（ａ）は、膜２の形成された被加工基板１Ａ
と、膜６の形成された支持基板４とを示す正面図であ
り、（ｂ）は、被加工基板１Ａと支持基板４との接着体
５Ａを示す正面図である。FIG. 3A is a substrate 1A to be processed on which a film 2 is formed.
And (b) is a front view showing the support substrate 4 on which the film 6 is formed, and (b) is a front view showing the bonded body 5A between the substrate 1A to be processed and the support substrate 4.
【図４】固定用基板８上に固定する前の接着体５Ａ（平
面度の小さい基板）を示す正面図であり、（ｂ）は、接
着体５Ａを固定用基板８上に固定した状態を示す正面図
である。FIG. 4 is a front view showing an adhesive body 5A (a substrate having a small flatness) before being fixed on the fixing substrate 8, and FIG. 4B shows a state in which the adhesive body 5A is fixed on the fixing substrate 8. It is a front view shown.
【図５】（ａ）は、固定用基板８上に固定する前の接着
体５Ｃ（平面度の大きい基板）を示す正面図であり、
（ｂ）は、接着体を固定用基板８上に固定した状態を示
す正面図である。FIG. 5A is a front view showing an adhesive body 5C (a substrate having a large flatness) before being fixed on the fixing substrate 8;
(B) is a front view showing a state in which the adhesive body is fixed on the fixing substrate 8.
【図６】光導波路素子の一例を示す正面図である。FIG. 6 is a front view showing an example of an optical waveguide device.
【図７】光導波路素子の一例を示す正面図である。FIG. 7 is a front view showing an example of an optical waveguide device.
１、１Ｂ、１Ｃ、１Ｄ 平面度の大きい被加工基板
１Ａ平面度の小さい被加工基板 １ａ 平面
度の大きい接着面（裏面）
１ｂ 平面度の大きい被加工面 １ｃ 平面度の
小さい接着面（裏面） １ｄ 平面度の小さい被
加工面 ２ 膜 ４ 平面度の小さい支持
基板 ４ａ 平面度の大きい接着面 ４ｂ
平面度の大きい背面 ４ｃ 平面度の小さい接
着面 ４ｄ 平面度の小さい背面 ４Ａ
平面度の大きい支持基板 ５Ｃ 平面度の大きい
接着体５Ａ 平面度の小さい接着体 ５Ｂ 固定
用基板８上の平面度の大きい接着体 ６ 支持基
板上の膜 ７ 固定用基板８と接着体との接着剤
８ 固定用基板 ９ 接着層 １
０、１３ バルク状の光学材料
１０ａ １３ａ 光学材料１０、１３の接着面
１０ｂ、１３ｂ 三次元光導波路 １２ 周期分
極反転構造1, 1B, 1C, 1D Processed substrate with high flatness
1A Substrate with small flatness 1a Adhesive surface with high flatness (rear surface) 1b Worked surface with large flatness 1c Adhesive surface with small flatness (rear surface) 1d Work surface with small flatness 2 Film 4 Flatness Small supporting substrate 4a Bonding surface with high flatness 4b
Rear surface with large flatness 4c Adhesive surface with small flatness 4d Rear surface with small flatness 4A
Supporting substrate with large flatness 5C Adhesive with large flatness 5A Adhesive with small flatness 5B Adhesive with large flatness on fixing substrate 8 6 Film on supporting substrate 7 Adhesion between fixing substrate 8 and adhesive Agent 8 Fixing substrate 9 Adhesive layer 1
0, 13 Bulk-shaped optical material 10a 13a Adhesive surface of optical materials 10, 13
10b, 13b three-dimensional optical waveguide 12 periodic polarization inversion structure
フロントページの続き Ｆターム(参考） 2H047 KA05 NA08 QA01 RA08 TA42 2K002 AA01 AB12 CA03 CA26 DA06 EA07 FA27 GA10 HA20 Continued front page F term (reference) 2H047 KA05 NA08 QA01 RA08 TA42 2K002 AA01 AB12 CA03 CA26 DA06 EA07 FA27 GA10 HA20
Claims (20)
工面との一方の上に加熱下で平面度調整膜を形成するこ
とによって、前記被加工基板の前記裏面の平面度を、前
記平面度調整膜を形成しない場合に比べて小さくし、次
いで前記被加工基板を前記被加工面側から加工すること
によって光導波路を形成することを特徴とする、光導波
路の製造方法。1. A flatness adjusting film is formed on one of a back surface and a processing surface of a substrate to be processed, which is made of an optical material, under heating to thereby change the flatness of the back surface of the substrate to be processed. A method for manufacturing an optical waveguide, characterized in that the optical waveguide is formed by making the flatness adjusting film smaller than in the case where the flatness adjusting film is not formed and then processing the substrate to be processed from the surface side to be processed.
とを特徴とする、請求項１記載の方法。2. The method according to claim 1, wherein the flatness adjusting film is made of a metal oxide.
ン、酸化ニオブ、酸化タンタル、酸化ジルコニウム、酸
化アルミニウム、酸化マグネシウムおよび酸化ハフニウ
ムからなる群より選ばれていることを特徴とする、請求
項２記載の方法。3. The metal oxide is selected from the group consisting of silicon oxide, titanium oxide, niobium oxide, tantalum oxide, zirconium oxide, aluminum oxide, magnesium oxide and hafnium oxide. 2. The method described in 2.
することを特徴とする、請求項１〜３のいずれか一つの
請求項に記載の方法。4. The method according to claim 1, wherein a periodically poled structure is formed in the optical waveguide.
持基板の接着面側とを加熱下で接着することによって接
着体を作製し、前記接着体を被加工面側から加工するこ
とによって光導波路を形成するのに際して、前記被加工
基板の前記被加工面と前記裏面との一方の上に加熱下で
平面度調整膜を形成することによって、前記被加工基板
の前記裏面の平面度を、前記平面度調整膜を形成しない
場合に比べて小さくすることを特徴とする、光導波路の
製造方法。5. A bonded body is produced by bonding a back surface side of a substrate to be processed made of an optical material and a bonding surface side of a support substrate under heating to process the bonded body from the surface to be processed. When forming the optical waveguide, the flatness of the back surface of the substrate to be processed is formed by forming a flatness adjusting film on one of the surface to be processed and the back surface of the substrate under heating. A method for manufacturing an optical waveguide, which is smaller than the case where the flatness adjusting film is not formed.
膜を形成し、次いで前記支持基板と前記被加工基板とを
接着することを特徴とする、請求項５記載の方法。6. The method according to claim 5, wherein another flatness adjusting film is formed on the support substrate under heating, and then the support substrate and the substrate to be processed are adhered to each other.
とを特徴とする、請求項６記載の方法。7. The method according to claim 6, wherein the flatness adjusting film is made of a metal oxide.
ン、酸化ニオブ、酸化タンタル、酸化ジルコニウム、酸
化アルミニウム、酸化マグネシウムおよび酸化ハフニウ
ムからなる群より選ばれていることを特徴とする、請求
項７記載の方法。8. The metal oxide is selected from the group consisting of silicon oxide, titanium oxide, niobium oxide, tantalum oxide, zirconium oxide, aluminum oxide, magnesium oxide and hafnium oxide. 7. The method according to 7.
することを特徴とする、請求項５〜８のいずれか一つの
請求項に記載の方法。9. The method according to claim 5, wherein a periodically poled structure is formed in the optical waveguide.
支持基板の接着面側とを加熱下で接着することによって
接着体を作製し、次いで前記支持基板の背面を固定用基
盤に対して接着して固定し、前記被加工基板を被加工面
側から加工することによって光導波路を形成するのに際
して、前記被加工基板と前記支持基板とを接着する前
に、前記被加工基板の前記裏面、前記被加工基板の前記
被加工面、前記支持基板の前記接着面および前記支持基
板の背面のうち少なくとも一つの上に加熱下で平面度調
整膜を形成することによって、前記接着体を前記固定用
基盤に接着した後の前記裏面の平面度を調節することを
特徴とする、光導波路の製造方法。10. A bonded body is produced by bonding the back surface side of a substrate to be processed made of an optical material and the bonding surface side of a support substrate under heating, and then the back surface of the support substrate is fixed to a fixing base. When forming an optical waveguide by adhering and fixing and processing the substrate to be processed from the side of the surface to be processed, before bonding the substrate to be processed and the support substrate, the back surface of the substrate to be processed Fixing the adhesive body by forming a flatness adjusting film under heating on at least one of the processed surface of the processed substrate, the adhesive surface of the support substrate, and the back surface of the support substrate. A method of manufacturing an optical waveguide, comprising adjusting the flatness of the back surface after being bonded to a substrate.
基板の前記被加工面、前記支持基板の前記接着面、およ
び前記支持基板の前記背面のうち少なくとも一つの上
に、それぞれ加熱下で平面度調整膜を形成することを特
徴とする、請求項１０記載の方法。11. At least one of the back surface of the substrate to be processed, the surface to be processed of the substrate to be processed, the bonding surface of the support substrate, and the back surface of the support substrate, each under heating. The method according to claim 10, wherein a flatness adjusting film is formed.
ことを特徴とする、請求項１１記載の方法。12. The method according to claim 11, wherein the flatness adjusting film is made of a metal oxide.
ン、酸化ニオブ、酸化タンタル、酸化ジルコニウム、酸
化アルミニウム、酸化マグネシウムおよび酸化ハフニウ
ムからなる群より選ばれていることを特徴とする、請求
項１２記載の方法。13. The metal oxide is selected from the group consisting of silicon oxide, titanium oxide, niobium oxide, tantalum oxide, zirconium oxide, aluminum oxide, magnesium oxide and hafnium oxide. 12. The method according to 12.
成することを特徴とする、請求項１０〜１３のいずれか
一つの請求項に記載の方法。14. The method according to claim 10, wherein a periodically poled structure is formed in the optical waveguide.
元光導波路、この光導波路に対して接着されている支持
基板、前記光導波路の接着面側と前記支持基板の接着面
側とを接合している非晶質材料からなる接着層、および
前記光導波路の前記接着面と前記支持基板の前記接着面
と前記支持基板の背面との少なくとも一つの上に形成さ
れている、金属酸化物からなる平面度調整膜とを備えて
いることを特徴とする、光導波路素子。15. A three-dimensional optical waveguide made of a bulk nonlinear optical crystal, a supporting substrate adhered to the optical waveguide, and an adhesive surface side of the optical waveguide and an adhesive surface side of the supporting substrate are bonded together. And an adhesive layer made of an amorphous material, and made of a metal oxide formed on at least one of the adhesive surface of the optical waveguide, the adhesive surface of the support substrate, and the back surface of the support substrate. An optical waveguide device comprising a flatness adjusting film.
支持基板の前記接着面上にそれぞれ前記平面度調整膜が
設けられていることを特徴とする、請求項１５記載の素
子。16. The element according to claim 15, wherein the flatness adjusting film is provided on each of the adhesive surface of the optical waveguide and the adhesive surface of the supporting substrate.
支持基板の前記背面上にそれぞれ前記平面度調整膜が設
けられていることを特徴とする、請求項１５記載の素
子。17. The device according to claim 15, wherein the flatness adjusting film is provided on each of the adhesive surface of the optical waveguide and the back surface of the supporting substrate.
ことを特徴とする、請求項１５〜１７のいずれか一つの
請求項に記載の素子。18. The device according to claim 15, wherein the flatness adjusting film is made of a metal oxide.
ン、酸化ニオブ、酸化タンタル、酸化ジルコニウム、酸
化アルミニウム、酸化マグネシウムおよび酸化ハフニウ
ムからなる群より選ばれていることを特徴とする、請求
項１５〜１８のいずれか一つの請求項に記載の素子。19. The metal oxide is selected from the group consisting of silicon oxide, titanium oxide, niobium oxide, tantalum oxide, zirconium oxide, aluminum oxide, magnesium oxide and hafnium oxide. The device according to any one of claims 15 to 18.
成されていることを特徴とする、請求項１５〜１９のい
ずれか一つの請求項に記載の素子。20. The device according to claim 15, wherein a periodically poled structure is formed in the optical waveguide.
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