JP2003173975A

JP2003173975A - 反応管のベーキング方法及び気相成長装置

Info

Publication number: JP2003173975A
Application number: JP2001371344A
Authority: JP
Inventors: Hiroyuki Okuyama; 浩之奥山; Masato Doi; 正人土居; Tsuyoshi Biwa; 剛志琵琶
Original assignee: Sony Corp
Current assignee: Sony Corp
Priority date: 2001-12-05
Filing date: 2001-12-05
Publication date: 2003-06-20

Abstract

(57)【要約】【課題】反応管の内壁面のみを効率的に清浄化する。【解決手段】気相成長により成膜が行われる反応管３
と、上記反応管３にガスを供給するガス供給管７とを備
え、上記ガス供給管７には、上記反応管３をベーキング
するための加熱手段１２が設けられている。そして、反
応管３の上流側で加熱したガスを上記反応管３に連続供
給することにより、上記反応管３の内壁面を加熱する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は反応管のベーキング
方法及び気相成長装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】ＧａＮ型化合物半導体の結晶を成長させ
る方法として、有機金属化学気相成長（以下、ＭＯＣＶ
Ｄと称する。）法等の気相成長法が広く知られている。
ＭＯＣＶＤ法は、基板を設置した反応管に反応ガスとし
て有機金属化合物ガスを供給し、所定温度で保持した基
板上で熱化学反応を生じさせて化合物半導体結晶のエピ
タキシャル層を成長させる方法である。

【０００３】ところで、ＭＯＣＶＤ法で結晶を作製する
には、反応管への反応ガスの供給に先立って、反応管内
を排気して真空状態にする必要があるが、このとき、反
応管の内壁面に吸着したＨ_２Ｏ等の不純物ガスが真空中
に脱離して反応管内を汚染し、高品質な結晶成長を妨げ
て歩留まりの低下を生じさせる。このため、反応管へ反
応ガスを供給する前に反応管の内壁面を清浄化すること
が必要不可欠である。反応管を清浄化する手段として、
反応管を加熱することにより反応管の内壁面に吸着した
不純物を脱離させる、いわゆるベーキングという方法が
とられる。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
ベーキングでは、反応管の外周面にヒータを巻回して加
熱する手法がとられるため、反応管の形状が複雑な場合
にはヒータの巻回が困難となり加熱が不均一となって十
分な清浄化効果が得られないことがある。また、加熱が
反応管全体に及ぶため、Ｏリング等の耐熱性の低い部材
までも加熱してこの部材にダメージを与えること等の様
々な不都合を伴う。

【０００５】そこで本発明はこのような従来の実情に鑑
みて提案されたものであり、反応管の内壁面のみを効率
的に清浄化することが可能な反応管のベーキング方法及
び気相成長装置を提供することを目的とする。

【０００６】

【課題を解決するための手段】上述の目的を達成するた
めに、本発明に係る反応管のベーキング方法は、反応管
の上流側で加熱したガスを上記反応管に連続供給するこ
とにより、上記反応管の内壁面を加熱することを特徴と
する。

【０００７】以上のように構成された反応管のベーキン
グ方法では、上流側で加熱したガスを反応管へ連続供給
して反応管の内壁面を加熱するため、反応管の形状に依
存することなく反応管の内壁面を均一に加熱し、内壁面
に付着した不純物を脱離させる。また、余計な部材を加
熱することなく、ベーキングの対象となる反応管の内壁
面のみを確実に加熱する。さらに、ベーキングに要する
時間の短縮が図られる。

【０００８】また、本発明に係る気相成長装置は、気相
成長により成膜が行われる反応管と、上記反応管にガス
を供給するガス供給管とを備え、上記ガス供給管には、
上記反応管をベーキングするための加熱手段が設けられ
ていることを特徴とする。

【０００９】以上のように構成された気相成長装置は、
気相成長による成膜を行う前に、加熱されたガスを流し
て反応管の内壁面のみを効率的にベーキングするので、
反応管内部に流れる気体が高純度なものとなる。

【００１０】

【発明の実施の形態】以下、本発明を適用した反応管の
ベーキング方法及び気相成長装置について、図面を参照
しながら詳細に説明する。

【００１１】本発明を適用した有機金属化学気相成長
（以下、ＭＯＣＶＤと称する。）装置を、図１に示す。

【００１２】図１に示すＭＯＣＶＤ装置１は、基板２を
内部に配置して結晶成長を行う反応管３と、ＩＩＩ族の
原料となる反応ガスを反応管３に供給する成長用原料ラ
イン４と、成長用原料ライン４から反応管３に供給され
ている反応ガスにより形成されている気相成長膜の上に
形成される気相成長膜を成膜するための反応ガスを予め
準備しておくためのベントライン５と、Ｖ族の原料とな
る反応ガスを反応管３に供給するＶ族供給ライン６と、
後述するベーキングの際に反応管３へ加熱されたガスを
連続供給する加熱ガス供給ライン７と、反応管３内の反
応ガス及びベントライン５に供給される反応ガスを排気
する真空ポンプ８と、成長用原料ライン４とベントライ
ン５とのそれぞれのラインを流れる反応ガスの差圧を測
定する差圧計９とを有して構成される。

【００１３】成長用原料ライン４には、キャリアガスと
なる窒素が、ガス流量を調整するマスフローコントロー
ラ（ＭＦＣ）１０ａ及びバルブ１１ａを介して供給され
る。また、成長用原料ライン４には、キャリアガスとな
る水素が、ＭＦＣ１０ｂ及びバルブ１１ｂを介して供給
される。

【００１４】また、成長用原料ライン４には、ＩＩＩ族
の原料として例えば有機金属のＭＯ１が、それぞれＭＦ
Ｃ１０ｃ、１０ｄ及びバルブ１１ｃを介して供給され、
また、ＭＯ２が、ＭＦＣ１０ｅ、１０ｆ及びバルブ１１
ｄを介して供給される。

【００１５】ベントライン５には、ＭＦＣ１０ａ及び成
長用原料ライン４にキャリアガスを供給するラインとは
異なるラインのバルブ１１ｅを介して、キャリアガスと
なる窒素が供給される。また、ベントライン５には、Ｍ
ＦＣ１０ｂ及び成長用原料ライン４にキャリアガスを供
給するラインとは異なるラインのバルブ１１ｆを介し
て、キャリアガスとなる水素が供給される。

【００１６】また、ベントライン５には、ＭＦＣ１０
ｃ、１０ｄ及び成長用原料ライン４に原料を供給するラ
インとは異なるラインのバルブ１１ｇを介して、原料と
なるＭＯ１が供給され、また、ＭＦＣ１０ｅ、１０ｆ及
び成長用原料ライン４に原料を供給するラインとは異な
るラインのバルブ１１ｈを介して、原料となるＭＯ２が
供給される。

【００１７】さらに、ベントライン５には、最上流側か
ら常にＭＦＣ１０ｇを介して窒素が供給されている。

【００１８】ベントライン５は、反応管３内の反応ガス
を排気する真空ポンプ８により排気されており、常に流
れている状態にある。これにより、ベントライン５を流
れている反応ガスは、成長用原料ライン４を流れている
反応ガスと同程度の減圧状態に保たれ、成長用原料ライ
ン４に供給されている反応ガスによる成膜が終了した
後、直ちにバルブを切り替えて成長用原料ライン４に移
され、反応管３に供給される状態に保持されている。

【００１９】バルブ１１ａ及び１１ｅは、キャリアガス
として窒素を、成長用原料ライン４又はベントライン５
のいずれか一方に供給するための窒素切替手段となる。
また、バルブ１１ｂ及び１１ｆは、キャリアガスとして
水素を成長用原料ライン４又はベントライン５のキャリ
アガスとして水素が供給されていない方へ供給するため
の水素切替手段となる。これらバルブ１１ａ、１１ｂ、
１１ｅ、１１ｆは、互いに連動して開閉動作することに
より２つの状態をとるように制御され、窒素又は水素の
いずれか一方を選択的に成長用原料ライン４へ供給し、
他方をベントライン５へ供給する。具体的には、成長用
原料ライン４にキャリアガスとして水素を供給する際に
はベントライン５に窒素を供給するように、バルブ１１
ａがオフ、バルブ１１ｂがオン、バルブ１１ｅがオン、
バルブ１１ｆがオフとなる。逆に、成長用原料ライン４
にキャリアガスとして窒素を供給する際にはベントライ
ン５に水素を供給するように、バルブ１１ａがオン、バ
ルブ１１ｂがオフ、バルブ１１ｅがオフ、バルブ１１ｆ
がオンとなる。

【００２０】このＭＯＣＶＤ装置１では、成長用原料ラ
イン４とベントライン５との差圧が設定値からずれたこ
とを検出して配管系統の異常を早期に発見するための差
圧計９が、配管のほぼ中央、具体的にはキャリアガスと
して水素を成長用原料ライン４へ供給するためのバルブ
１１ｂ及びベントライン５へ供給するためのバルブ１１
ｆよりも下流であり、且つＭＯ１を供給するためのバル
ブよりも上流側となるように、成長用原料ライン４とベ
ントライン５との間に接続されている。

【００２１】そして、本発明のＭＯＣＶＤ装置１は、後
述するベーキングの際に用いるガスを反応管３に供給す
るための加熱ガス供給ライン７を有し、この加熱ガス供
給ライン７の外周面にヒータ１２が巻回されている。加
熱ガス供給ライン７は例えば熱伝導率に優れるステンレ
ス等からなる。ＭＯＣＶＤ装置１においては、ベーキン
グの際に、ヒータ１２が加熱ガス供給ライン７内を流れ
るガスを所定の高温に加熱するとともに、高温を維持し
たままガスを反応管３へ連続供給するようになされてい
る。

【００２２】上述したＭＯＣＶＤ装置１においては、気
相成長による成膜を行う前に、反応管３のベーキングを
行う。反応管３のベーキングを行う際には、先ず、反応
管３に接続された真空ポンプ８によって、所定の真空状
態となるまで反応管３内を真空排気する。

【００２３】次に、反応管３と加熱ガス供給ライン７と
の間の図示しないバルブを開け、純化装置を通過するこ
とにより高純度とされ、且つ加熱ガス供給ライン７に巻
回されたヒータ１２によってベーキングに好適な程度に
加熱されたガスを、その高温を維持しながらよどみなく
反応管３に連続供給する。これと同時に、反応管３に供
給されたガスを真空ポンプ８により連続的に排気する。
このように、加熱されたガスを連続供給することにより
反応管３の内壁面を加熱し、反応管３の内壁面に吸着し
ている不純物ガスを脱離させる。以上のように、加熱さ
れたガスを連続供給することにより反応管３の内壁面を
充分に清浄化させて、ベーキングを完了する。

【００２４】なお、必要に応じて、反応管３内部に設置
された、基板を加熱するための図示しない内部ヒータを
作動させて反応管３内部を昇温し、反応管３の内壁面を
さらに清浄化してもよい。

【００２５】本発明の反応管のベーキング方法では、反
応管３の上流の加熱ガス供給ライン７でヒータ１２によ
り予め加熱されたガスを反応管３に連続供給して、反応
管３の内壁面にガスを接触させることにより反応管３の
内壁面を加熱して反応管３の内壁面から不純物を脱離さ
せ、反応管３を容易に清浄化できる。また、反応管全体
を加熱する従来のベーキング方法とは異なり、ベーキン
グの対象となる反応管３の内壁面のみを確実に加熱す
る。さらに、従来に比べて短時間でベーキングを完了す
ることが可能であり、反応管３の立ち上げが容易となる
という効果も得られる。以上のように、本発明のベーキ
ング方法によれば、反応管３の内壁面を効率的に加熱・
清浄化し、反応管３の内部を流れる気体の高純度化が達
成される。

【００２６】このとき、ガスの設定温度をＨ_２Ｏの沸点
である１００℃以上とすることが好ましく、これにより
反応管３の内壁面に吸着したＨ_２Ｏのガスが脱離しやす
くなる。さらに、ガスの設定温度を２００℃以上とする
ことがより好ましく、これにより反応管３の内壁面に吸
着したＣＯ、ＣＯ_２、Ｈ_２、Ｏ_２等のガスが脱離しやす
くなり、反応管３の清浄化をより確実とする。

【００２７】ここで用いるガスは、反応管３の内部をよ
り清浄なものとするために高純度のガスを用いることが
好ましい。具体的には、容易に高純度のガスが得られる
とともに不活性ガスである、例えばＮ_２、Ｈｅ、Ａｒ等
を用いることが好ましい。また、ガスとして還元作用を
有するＨ_２を用いることも可能であり、この場合、特に
反応管３の内壁面に吸着したＯ_２及びＣＯの脱離に有効
であり、より優れたベーキング効果を得ることができ
る。さらに、これらのガスを混合して用いることもでき
る。

【００２８】また、ガスの流量は、ヒータ１２の加熱能
力等を考慮して適宜設定すべきであるが、ベーキングの
効果を確実に得るためには、例えば気相成長による成膜
を行うときに反応管３に供給する通常の反応ガスの流量
（４リットル／分〜１０リットル／分）の２倍以上とす
ることが好ましい。

【００２９】そして、以上のような反応管３のベーキン
グが完了した後のＭＯＣＶＤ装置１を用いて、例えば基
板上に発光素子を気相成長により成膜する。ここでは、
発光素子として、ＧａＮ系の発光ダイオードを例に挙げ
て説明する。

【００３０】図２に示す発光ダイオード２１は、ＧａＮ
系半導体層からなる下地成長層２２上に平板状のＧａＮ
層２３が形成されている。なお、下地成長層２２上には
図示しない絶縁膜が存在し、ＧａＮ層２３はその絶縁膜
を開口した部分に後述するＭＯＣＶＤ法等の気相成長に
よって形成される。このＧａＮ層２３は、シリコンがド
ープされており、ダブルへテロ構造のクラッドとして機
能する。ＧａＮ層２３上に活性層であるＩｎＧａＮ層２
４が形成されており、さらにその上にマグネシウムドー
プのＧａＮ層２５が形成される。このマグネシウムドー
プのＧａＮ層２５もクラッドとして機能する。

【００３１】このような発光ダイオード２１には、ｐ電
極２６とｎ電極２７とが形成されている。ｐ電極２６は
マグネシウムドープのＧａＮ層２５上に形成されるＮｉ
／Ｐｔ／Ａｕ又はＮｉ（Ｐｄ）／Ｐｔ／Ａｕ等の金属材
料を蒸着して形成される。ｎ電極２７は前述の図示しな
い絶縁膜を開口した部分でＴｉ／Ａｌ／Ａｕ等の金属材
料を蒸着して形成される。なお、下地成長層２２の裏面
側からｎ電極取り出しを行う場合は、ｎ電極２７の形成
は下地成長層２２の表面側には不要となる。

【００３２】なお、ＧａＮ系の発光ダイオードとして
は、例えば帯状に活性層が形成される構造、傾斜したＳ
面を有する六角錘構造、上端部にＣ面が形成された角錐
構造のものであってもよい。また、他の窒化物系発光素
子や化合物半導体素子であってもよい。

【００３３】このような発光ダイオード２１を作製する
ためには、先ず、ベーキング終了後の反応管３の内部に
結晶成長用の基板２を載置し、図示しないヒータによっ
て例えば１０００℃付近に基板２を加熱する。そして、
Ｖ族供給ライン６からＭＦＣで流量を制御されたＮＨ_３
と成長用原料ライン４から反応ガスとを反応管３に供給
することにより、基板２上で熱化学反応を生じさせて原
料元素を基板２上に堆積させ、クラッド層として機能す
るＧａＮ層２３を成長させる。この場合、対応するバル
ブの開閉を制御することにより、キャリアガスとして水
素とＩＩＩ族の原料としてトリメチルガリウム（ＴＭ
Ｇ）との混合ガスを反応ガスとして成長用原料ライン４
から反応管３に供給する。これと同時に、対応するバル
ブの開閉を制御することにより、ＧａＮ層２３の成膜後
に行われるＩｎＧａＮ層２４の成膜の際の反応ガスをベ
ントライン５に準備しておく。なお、ＧａＮ系発光ダイ
オードの製造中、ＭＦＣ９ｇを介してベントライン５に
窒素を常時供給する。

【００３４】次に、ＧａＮ層２３の成膜終了後、対応す
るバルブを切り替えることにより、ベントライン５で予
め準備した反応ガスを成長用原料ライン４へ移し、活性
層として機能するＩｎＧａＮ層２４の成膜を開始する。
そして、対応するバルブの開閉を制御することにより、
キャリアガスとして窒素とＩＩＩ族の原料としてトリメ
チルインジウム（ＴＭＩ）及びＴＭＧとの混合ガスを反
応ガスとして成長用原料ライン４から反応管３に供給
し、ＩｎＧａＮ層２４をさらに成長させる。これと同時
に、ＩｎＧａＮ層２４の成膜後に行われるＧａＮ層２５
の成膜の際の反応ガスをベントライン５に準備してお
く。

【００３５】次に、ＩｎＧａＮ層２４の成膜終了後、対
応するバルブを切り替えることにより、ベントライン５
で予め準備した反応ガスを成長用原料ライン４へ移し、
クラッド層として機能するＧａＮ層２５の成膜を開始す
る。そして、対応するバルブの開閉を制御することによ
り、キャリアガスとして窒素とＩＩＩ族の原料としてＴ
ＭＧとの混合ガスを反応ガスとして成長用原料ライン４
から反応管３に供給し、ＧａＮ層２５をさらに成長させ
る。

【００３６】このようにして積層された発光ダイオード
の積層膜に対して金属材料薄膜を成膜するとともにパタ
ーニングしてｐ電極２６及びｎ電極２７を接続し、Ｇａ
Ｎ系の発光ダイオード２１が完成する。

【００３７】以上のように、このＭＯＣＶＤ装置１で
は、ＧａＮ系の発光ダイオード２１の作製に先立って、
予め加熱したガスを反応管３に連続供給することにより
反応管３の内壁面を効率的にベーキングするので、高純
度な反応管３内で安定した結晶成長を行うことができ、
高品質なＧａＮ系の発光ダイオード２１を歩留まりよく
製造することができる。

【００３８】ここで、図１に示すＭＯＣＶＤ装置１にお
いて、反応管３をベーキングした実験について説明す
る。

【００３９】ベーキング用のガスとして、純化装置を通
過することにより純度９９．９９９９９９９％とされた
Ｎ_２ガスを用いた。先ず、反応管３の下流に接続された
真空ポンプ８にて反応管３内を排気し真空チェックを行
った後、ヒータ１２により加熱ガス供給ライン７に流れ
るＮ_２ガスを２００℃に加熱し、この高温のＮ_２ガスを
反応管３へ１０分間連続供給することにより反応管３の
内壁面を加熱した。このとき、加熱ガス供給ライン７内
と反応管３内とでＮ_２ガスの温度に殆ど差がないこと、
及び反応管３内でよどみなくＮ_２ガスが流れていること
を確認した。そして、高温のＮ_２ガスを１０分間連続供
給することにより、余計な部材を加熱することなく、短
時間で効率的に反応管３をベーキングできた。

【００４０】また、ベーキング用のガスとして、純化装
置を通過することにより純度９９．９９９９９９９％と
されたＨ_２ガスを用いて上述の実験と同様にベーキング
を行ったところ、上述したＮ_２ガスを用いた場合よりさ
らに短時間にて、優れた反応管３の清浄化効果を得るこ
とができた。

【００４１】なお、本発明は上述の記載に限定されるこ
とはなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において適宜
変更可能である。

【００４２】例えば、上述の説明では、ガスを加熱する
加熱手段として加熱ガス供給ライン７に巻回されたヒー
タ１２を例に挙げたが、本発明はこれに限定されるもの
ではなく、いかなるものを用いても良い。

【００４３】また、反応管３を構成する材料は任意に選
択可能であるが、メンテナンス時等に真空を破った際に
大気中のＣＯ等によって容易に汚染されることや、外周
面にヒータを取り付けることが困難であること等の理由
から、特に石英を用いた場合に本発明の効果を顕著に得
ることができる。

【００４４】また、本発明では、高温のガスが反応管３
の内壁面に接触することにより反応管３の内壁面を均一
に加熱するため、反応管３が複雑な特殊形状を呈する場
合であってもガスを連続供給するといった簡単な操作の
みで確実にベーキングできる。

【００４５】また、図１に示すＭＯＣＶＤ装置１では、
ベーキング用のガスを反応管に供給するための配管とし
て加熱ガス供給ライン７を、ＩＩＩ族供給ラインである
成長用原料ライン４及びＶ族供給ライン６と独立して設
けたが、本発明はこれに限定されるものではなく、成長
用原料ライン４又はＶ族供給ライン６にヒータ等の加熱
手段を設けた構成でもよい。この場合、反応管３への反
応ガスの供給に先立って、成長用原料ライン４又はＶ族
供給ライン６にキャリアガスとして例えばＮ_２又はＨ_２
のみを流しながら加熱手段をオンしてこのキャリアガス
を加熱し、反応管３に連続供給することにより反応管３
のベーキングを行うことができる。

【００４６】また、上述の説明では、反応ガスとして有
機金属化合物ガスを用いたＭＯＣＶＤ装置を例に挙げて
説明したが、本発明は、分子線エピタキシー（ＭＢＥ）
装置、ハイドライドＣＶＤ（ＨＣＶＤ）装置等、いかな
る気相成長装置に適用することもできる。

【００４７】

【発明の効果】以上の説明からも明らかなように、上流
側で加熱したガスを反応管へ連続供給して反応管の内壁
面を加熱するため、反応管の形状に依存することなく反
応管の内壁面を均一に加熱し、内壁面に付着した不純物
を脱離させる。また、余計な部材を加熱することなく、
ベーキングの対象となる反応管の内壁面のみを確実に加
熱する。さらに、ベーキングに要する時間の短縮が図ら
れる。したがって、本発明の反応管のベーキング方法に
よれば、効率的に反応管の内壁面を清浄化し、反応管内
部に流れる気体を高純度なものとすることができる。

【００４８】また、本発明に係る気相成長装置は、気相
成長による成膜を行う前に、加熱されたガスを流して反
応管の内壁面のみを効率的にベーキングするので、反応
管内部に流れる気体を高純度なものとする。したがっ
て、本発明によれば、高品質な結晶層の製造を歩留まり
よく実現する気相成長装置を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明を適用したＭＯＣＶＤ装置の反応管周辺
を示す模式図である。

【図２】発光素子の一例を示す断面図である。

【符号の説明】

１ＭＯＣＶＤ装置２基板３反応管４成長用原料ライン５ベントライン６Ｖ族供給ライン７加熱ガス供給ライン８真空ポンプ９差圧計１０ＭＦＣ１１バルブ１２ヒータ２１発光ダイオード

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者琵琶剛志東京都品川区北品川６丁目７番35号ソニー株式会社内Ｆターム(参考） 4K030 AA11 AA13 BA08 BA38 DA06 JA10 KA09 KA25 KA46 LA14 5F045 AA04 AB14 AC15 AC16 AC17 EB15 EE14

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】反応管の上流側で加熱したガスを上記反
応管に連続供給することにより、上記反応管の内壁面を
加熱することを特徴とする反応管のベーキング方法。
【請求項２】上記ガスを１００℃以上に加熱すること
を特徴とする請求項１記載の反応管のベーキング方法。
【請求項３】上記ガスを２００℃以上に加熱すること
を特徴とする請求項２記載の反応管のベーキング方法。
【請求項４】上記ガスとしてＮ_２、Ｈ_２、Ｈｅ、Ａｒ
のうち少なくとも１種を用いることを特徴とする請求項
１記載の反応管のベーキング方法。
【請求項５】上記反応管の内壁面は石英からなること
を特徴とする請求項１記載の反応管のベーキング方法。
【請求項６】上記ガスの流量を、成膜時に上記反応管
に供給される反応ガスの流量の２倍以上とすることを特
徴とする請求項１記載の反応管のベーキング方法。
【請求項７】気相成長により成膜が行われる反応管
と、上記反応管にガスを供給するガス供給管とを備え、上記ガス供給管には、上記反応管をベーキングするため
の加熱手段が設けられていることを特徴とする気相成長
装置。
【請求項８】上記加熱手段は、上記ガスを１００℃以
上に加熱することを特徴とする請求項７記載の気相成長
装置。
【請求項９】上記加熱手段は、上記ガスを２００℃以
上に加熱することを特徴とする請求項８記載の気相成長
装置。
【請求項１０】上記ガスとしてＮ_２、Ｈ_２、Ｈｅ、Ａ
ｒのうち少なくとも１種を用いることを特徴とする請求
項７記載の気相成長装置。
【請求項１１】上記ガス供給管の周囲に上記加熱手段
としてヒータが設けられていることを特徴とする請求項
７記載の気相成長装置。
【請求項１２】上記反応管は特殊形状であることを特
徴とする請求項７記載の気相成長装置。
【請求項１３】上記反応管の内壁面は石英からなるこ
とを特徴とする請求項７記載の気相成長装置。
【請求項１４】上記ガス供給管はステンレスからなる
ことを特徴とする請求項７記載の気相成長装置。
【請求項１５】有機金属化学気相成長装置であること
を特徴とする請求項７記載の気相成長装置。