JP2003172920A - Electrooptical device, manufacturing method therefor, electronic instrument and projection type display device - Google Patents

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To reduce heat accumulation in an electrooptical device. <P>SOLUTION: The electrooptical device is provided with a counter substrate (20) having a surface in which light (L1) is made incident and sandwiching a liquid crystal layer between a TFT array substrate disposed opposite to the counter substrate and the counter substrate and a light shielding film (501) having a prescribed pattern in an image display area of the counter substrate and containing a portion having a light incident surface inclined to the surface so as to reflect at least part of the light to the outside of the image display area. <P>COPYRIGHT: (C)2003,JPO

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【０００１】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、例えば液晶装置等
の電気光学装置及びその製造方法並びに電子機器及び投
射型表示装置の技術分野に属する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention belongs to the technical field of electro-optical devices such as liquid crystal devices, manufacturing methods thereof, electronic equipment, and projection display devices.

【０００２】[0002]

【背景技術】従来の電気光学装置としては、例えば、マ
トリクス状に配列された画素電極及び該電極の各々に接
続された薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor；以
下適宜、「ＴＦＴ」という。）、該ＴＦＴの各々に接続
され、行（又は列）方向に平行に設けられた走査線及び
列（又は行）方向に平行に設けられたデータ線等を備え
ることによって、いわゆるアクティブマトリクス駆動が
可能な電気光学装置が知られている。そして、このよう
な電気光学装置においては、上記画素電極、ＴＦＴ等の
他、これらが形成されたＴＦＴアレイ基板と、該基板に
対向配置される対向基板、更に両基板間に挟持される液
晶等の電気光学物質等を更に備えることで、画像表示が
可能となる。BACKGROUND ART As a conventional electro-optical device, for example, pixel electrodes arranged in a matrix and thin film transistors (hereinafter, appropriately referred to as “TFT”) connected to each of the electrodes, the TFT. An electro-optical device capable of so-called active matrix driving by including scan lines connected in parallel with each other in the row (or column) direction and data lines provided in parallel with the column (or row) direction. It has been known. In such an electro-optical device, in addition to the pixel electrodes, TFTs, etc., a TFT array substrate on which these are formed, a counter substrate arranged to face the substrate, a liquid crystal sandwiched between the both substrates, and the like. By further including the electro-optic substance and the like, image display becomes possible.

【０００３】ここに、この画像の表示は、各々の画素電
極に対し、ＴＦＴを介して所定の電圧を与えることで、
該電圧が与えられた画素電極と前記対向基板上の全面に
形成された対向電極との間に電位差を生じさせ、その位
置における液晶の配向状態等に変更を加えることで、光
の透過・非透過を制御することにより実現されることに
なる。つまり、画像の表示は、前記画素電極の一つ一つ
を基準に定義される画素を単位として行われるのであ
る。In order to display this image, a predetermined voltage is applied to each pixel electrode through the TFT,
A potential difference is generated between the pixel electrode to which the voltage is applied and the counter electrode formed on the entire surface of the counter substrate, and the alignment state of the liquid crystal at that position is changed to allow transmission / non-transmission of light. It will be realized by controlling the transmission. That is, the display of the image is performed in units of pixels defined with reference to each of the pixel electrodes.

【０００４】このように、画像の表示が画素を単位とし
て行われることから、当該画素の部分においては、上述
したような光の透過・非透過、とりわけ光透過が可能で
ある必要があるが、相隣接する画素間においては、基本
的に光の透過が不可能なように構成しておくとよい。と
いうのも、そのような部位において、光が透過すること
になると、画像のコントラストの低下等を招くこととな
るからである。As described above, since an image is displayed in units of pixels, it is necessary that the above-described light transmission / non-transmission, especially light transmission is possible in the pixel portion. Basically, it is preferable that light is not allowed to pass between adjacent pixels. The reason is that if light is transmitted through such a portion, the contrast of an image is deteriorated.

【０００５】このような問題に対処するため、従来の電
気光学装置では、マトリクス状に配列された画素電極に
対応するように、例えば、前記対向基板上に格子状にパ
ターニングされた遮光膜を形成する（すなわち、非開口
領域を規定する）、等の措置がとられていた。この遮光
膜により、画素間における光の透過は基本的に生じなく
なり、上述したような不具合が発生しない。また、この
ような遮光膜によれば、画素を単位としたカラーフィル
タを設ける場合にあって、混色の防止をも図ることが可
能となる。なお、このような遮光膜の材質としては、従
来、例えば、金属クロム（Ｃｒ）、カーボン（Ｃ）又は
チタン（Ｔｉ）をフォトレジストに分散した樹脂ブラッ
クや、ニッケル（Ｎｉ）等の金属材料等があてられてい
る。In order to cope with such a problem, in the conventional electro-optical device, for example, a light-shielding film patterned in a lattice pattern is formed on the counter substrate so as to correspond to the pixel electrodes arranged in a matrix. Yes (that is, defining the non-open area), etc. were taken. The light-shielding film basically prevents the transmission of light between the pixels, and the above-mentioned problems do not occur. Further, according to such a light-shielding film, it is possible to prevent color mixture when a color filter is provided for each pixel. As a material of such a light shielding film, conventionally, for example, resin black in which metallic chromium (Cr), carbon (C) or titanium (Ti) is dispersed in a photoresist, a metallic material such as nickel (Ni), or the like is used. Has been addressed.

【０００６】[0006]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
遮光膜においては、次のような問題があった。すなわ
ち、遮光膜は、上述したような、比較的光反射率の低い
材料で構成されることが一般的であったため、電気光学
装置内部において熱の蓄積が生じることである。これ
は、電気光学装置に対して入射する光が、該遮光膜にお
いて熱に変換されることで発生する。このような熱の蓄
積が発生すると、液晶等の性質に変化をもたらし、ま
た、一般に熱に弱いＴＦＴに対して、例えばスレッショ
ルド電圧の上昇等の悪影響を与えることとなってしま
う。その結果、電気光学装置全体としては、表示特性の
変化、焼きつき、フリッカの発生、信頼性の低下等の不
都合が生じることとなる。ちなみに、このような問題
は、電気光学装置が、例えば液晶プロジェクタの構成要
素として使用される場合に特に深刻である。というの
も、該プロジェクタに利用される光源からは、一般に強
力な光が発せられるからである。However, the conventional light-shielding film has the following problems. That is, since the light shielding film is generally made of a material having a relatively low light reflectance as described above, heat is accumulated inside the electro-optical device. This occurs when light incident on the electro-optical device is converted into heat in the light shielding film. When such heat accumulation occurs, the properties of the liquid crystal or the like are changed, and the TFT, which is generally weak against heat, is adversely affected, for example, the threshold voltage rises. As a result, the electro-optical device as a whole suffers from inconveniences such as changes in display characteristics, image sticking, flicker, and reduced reliability. Incidentally, such a problem is particularly serious when the electro-optical device is used as a component of a liquid crystal projector, for example. This is because the light source used for the projector generally emits strong light.

【０００７】そこで、上述のような熱の蓄積に対応する
ため、遮光膜を、光反射率の大きいアルミニウムにより
構成する、等の措置をとる場合が考えられる。これによ
れば、遮光膜において光の熱への変換作用が生じないこ
とになるから、液晶やＴＦＴ等に対して熱の蓄積による
悪影響を与える可能性を低減することができる。Therefore, in order to deal with the heat accumulation as described above, it is conceivable that the light shielding film is made of aluminum having a high light reflectance. According to this, since the light-shielding film does not have a function of converting light into heat, it is possible to reduce the possibility that the liquid crystal, the TFT, and the like are adversely affected by heat accumulation.

【０００８】しかしながら、遮光膜をこのように構成す
ると、新たな問題が生じる。すなわち、遮光膜で反射し
た光が、対向基板の光が入射する表面上に通常形成され
る、光学要素の一例たる偏光板等にダメージを与える結
果となってしまうのである。ここに、ダメージとは、光
が該偏光板等で熱に変換されることによるダメージ、す
なわち熱の蓄積によるものである。つまり、反射率の大
きい遮光膜を利用すれば、たしかに電気光学装置内部に
おける熱の蓄積はある程度防止することが可能となるも
のの、その外部において、新たな熱の蓄積を発生させる
ことになってしまうのである。However, if the light-shielding film is constructed in this way, a new problem arises. That is, the light reflected by the light-shielding film will result in damage to a polarizing plate or the like, which is an example of an optical element, which is usually formed on the surface of the counter substrate on which the light is incident. Here, the damage means damage caused by light being converted into heat by the polarizing plate or the like, that is, heat accumulation. That is, if a light-shielding film having a high reflectance is used, it is possible to prevent heat accumulation inside the electro-optical device to some extent, but new heat accumulation occurs outside the device. Of.

【０００９】本発明は、上記問題点に鑑みてなされたも
のであり、入射光に起因した熱の蓄積を低減しつつ、入
射側に配置された光学要素に対する入射光に起因したダ
メージを低減することが可能な電気光学装置及びその製
造方法並びに電子機器を提供することを課題とする。The present invention has been made in view of the above problems, and reduces damage due to incident light on an optical element arranged on the incident side while reducing heat accumulation due to incident light. An object of the present invention is to provide an electro-optical device, a manufacturing method thereof, and an electronic device capable of performing the same.

【００１０】[0010]

【課題を解決するための手段】本発明の電気光学装置
は、上記課題を解決するために、光が入射される表面を
有するとともに、対向配置される他方の基板との間に電
気光学物質を挟持してなる一方の基板と、該一方の基板
における画像表示領域内で所定パターンを有するととも
に、前記光の少なくとも一部を前記画像表示領域外へと
反射させるように、前記表面に対して傾いた光入射面を
有する部分を含む遮光膜とを備える。In order to solve the above problems, an electro-optical device according to the present invention has a surface on which light is incident, and an electro-optical substance is provided between the substrate and the other substrate which faces the surface. It has one substrate sandwiched and a predetermined pattern in the image display region of the one substrate, and is inclined with respect to the surface so as to reflect at least a part of the light to the outside of the image display region. And a light shielding film including a portion having a light incident surface.

【００１１】本発明の電気光学装置によれば、一方の基
板の表面に対して光が入射し、これを通過することで、
電気光学物質に至る。液晶等の電気光学物質は、例え
ば、一対の基板のそれぞれの上側に形成された電極等に
よって電圧が印加されることで、その状態を変更し、前
記光を透過させるか、又は非透過とする。このうち透過
した光は、一対の基板のうちの他方の基板を通り抜けて
出射する。このような作用に加え、電気光学物質の状態
を前記電極等の位置に応じて適宜制御することによれ
ば、画像を表示することが可能となる。According to the electro-optical device of the present invention, light is incident on the surface of one of the substrates and passes through it,
To electro-optic materials. Electro-optical material such as liquid crystal changes its state by applying a voltage, for example, by electrodes formed on the upper side of each of a pair of substrates, and makes the light transmit or non-transmit. . The light that has passed therethrough passes through the other of the pair of substrates and is emitted. In addition to such an action, an image can be displayed by appropriately controlling the state of the electro-optical material according to the position of the electrode or the like.

【００１２】ここで特に、本発明では、一方の基板にお
ける画像表示領域内で所定パターンを有するとともに、
前記光の少なくとも一部を前記画像表示領域外へと反射
させるように、前記表面に対して傾いた光入射面を有す
る部分を含む遮光膜を備える。すなわち、遮光膜の光入
射面にたつ法線の方向が、一方の基板の「外側」（すな
わち、該基板の「辺縁」から抜け出す方向）に向くよう
になされているのである。このことから、例えば、一方
の基板における前記表面上に、偏光板、位相差板等その
他の光学要素（以下、単に「偏光板等」という。）を備
え付ける場合にあっては、該偏光板等及び一方の基板の
表面を介して入射し、前記遮光膜の光入射面において反
射された光は、偏光板等には殆ど至らないという状態を
実現することが可能となる。なぜなら、その反射光は、
一方の基板の「外側」に、言い換えると、電気光学装置
の「外側」に向かうからである。Particularly, in the present invention, in addition to having a predetermined pattern in the image display area on one substrate,
A light shielding film including a portion having a light incident surface inclined with respect to the surface is provided so as to reflect at least a part of the light to the outside of the image display region. That is, the direction of the normal line to the light-incident surface of the light-shielding film is oriented toward the “outside” of one of the substrates (that is, the direction out of the “edge” of the substrate). From this, for example, in the case where a polarizing plate, a retardation plate, or other optical element (hereinafter, simply referred to as “polarizing plate”) is provided on the surface of one of the substrates, the polarizing plate, etc. Also, it is possible to realize a state in which the light that has entered through the surface of one of the substrates and reflected by the light incident surface of the light shielding film hardly reaches the polarizing plate or the like. Because the reflected light is
This is because it goes to the “outside” of one substrate, in other words, to the “outside” of the electro-optical device.

【００１３】より具体的に、このような要件を満たす光
入射面としては、例えば、後述する凸形状を含むものの
他、凹形状を含むものや、前記表面に対して所定の傾き
を有する四辺形を含むもの、あるいは表面粗さの大きい
もの（すなわち例えば、不規則な凹凸形状を含むもの）
等を考えることができる。要するに、前記偏光板等の面
と遮光膜の光入射面とが、それらの全面において、完全
に平行な状態になければ、遮光膜の光入射面で反射した
光の少なくとも一部は、画像表示領域外に向かいうるか
ら、当該光入射面の具体的形状如何に応じて、相応の作
用効果を得ることができるのである。本発明の範囲は、
このような態様をも含めた上で規定される。More specifically, examples of the light incident surface satisfying such requirements include, in addition to the convex shape described later, a concave shape and a quadrangle having a predetermined inclination with respect to the surface. Containing, or having a large surface roughness (that is, containing irregular irregular shapes, for example)
Etc. can be considered. In short, unless the surfaces of the polarizing plate and the light-incident surface of the light-shielding film are completely parallel to each other, at least a part of the light reflected by the light-incident surface of the light-shielding film is an image display. Since it can go out of the region, it is possible to obtain a corresponding action and effect depending on the specific shape of the light incident surface. The scope of the invention is
It is defined after including such an aspect.

【００１４】また、本発明では、一方の基板の表面から
入射した光の、電気光学装置内における進行は前記遮光
膜で遮られることとなるから、その光が電気光学物質等
その他の電気光学装置の内部に至ることが殆どない。Further, in the present invention, the progress of the light incident from the surface of one of the substrates in the electro-optical device is blocked by the light-shielding film, so that the light is electro-optical material or other electro-optical device. Rarely reaches inside.

【００１５】以上のことから、本発明によればまず、偏光
板等に対する光の再入射が生じることは殆どなくなるか
ら、該偏光板等における光から熱への変換作用が生じる
可能性が低減する。その結果、偏光板等が熱によるダメ
ージを受けることが殆どない。また、本発明によれば、
電気光学装置の内部に光が入射することが殆どないか
ら、該内部における熱の蓄積により発生する、表示特性
の変化、焼きつき、フリッカの発生、信頼性の低下等そ
の他種々の不都合を被る可能性を低減することができ
る。From the above, according to the present invention, first, the re-incidence of light on the polarizing plate or the like hardly occurs, so that the possibility of the action of converting light into heat in the polarizing plate or the like is reduced. . As a result, the polarizing plate and the like are hardly damaged by heat. Further, according to the present invention,
Since light hardly enters the interior of the electro-optical device, it is possible to suffer from various inconveniences such as changes in display characteristics, burn-in, flicker, deterioration of reliability, etc., which are caused by heat accumulation inside the electro-optical device. Can be reduced.

【００１６】なお、本発明に係る遮光膜は、光反射率の
比較的大きい材料からなるものとすると好ましい。具体
的には例えば、概ね５０％以上の反射率を有する材料と
すると特に好ましい。このようであれば、吸収される光
量より、反射される光量の方が大きくなるから、上述し
たような「外側」へ向かう光の反射に係る、偏光板等に
おける熱の蓄積防止作用を、より確実に享受し得るとと
もに、電気光学装置内部における熱の蓄積を効果的に防
止しうることになる。The light shielding film according to the present invention is preferably made of a material having a relatively high light reflectance. Specifically, for example, a material having a reflectance of about 50% or more is particularly preferable. In this case, since the amount of reflected light is larger than the amount of absorbed light, the effect of preventing heat accumulation in the polarizing plate or the like, which is related to the reflection of light toward the “outside” as described above, is further improved. In addition to being surely enjoyed, it is possible to effectively prevent the accumulation of heat inside the electro-optical device.

【００１７】また、遮光膜は、多層構造を有するものと
して構成してもよい。すなわち、光入射面が位置する側
については、上述した光反射率の比較的大きい材料で構
成するとともに、その反対側については、例えば、光吸
収率の比較的大きい材料で構成する、等の構成とするこ
とも可能である。The light-shielding film may have a multi-layer structure. That is, the side on which the light incident surface is located is made of the above-mentioned material having a relatively large light reflectance, and the opposite side is made of, for example, a material having a relatively large light absorption rate. It is also possible to

【００１８】ちなみに、本発明にいう「前記光の少なく
とも一部を前記画像表示領域外へと反射させるように、
前記表面に対して傾いた光入射面」を、例えば、幾何学
的に表現すると、「一方の基板の表面中央部で定義され
る法線を軸線とし、前記電気光学物質の存在する側に頂
点及び前記表面の存在する側に底面を有する錐におい
て、その稜線又は該稜線の延長線に一致する法線がたつ
光入射面」と言い換えることも可能である。ここに、
「錐」とは、具体的には、円錐、三角錐、四角錐等々の
ことをいい、より一般的には、底面の形状が如何なるも
のであっても、該底面の辺縁と一つの頂点とを結ぶこと
で定義される立体形状のことをいうものである。このよ
うな表現でも、本発明の内容は言い表されていると考え
るが、特に、前記錐が円錐等その他の軸線に対して対称
な形状となる場合には、前記傾いた光入射面の法線が、
全方位的に画像表示領域外に向くことになるから、特に
好ましい態様といえよう。Incidentally, according to the present invention, "at least a part of the light is reflected to the outside of the image display region,
When the "light incident surface inclined with respect to the surface" is expressed geometrically, for example, "the normal line defined by the central portion of the surface of one substrate is an axis line, and the vertex is located on the side where the electro-optical material exists. It is also possible to rephrase it as a "light incident surface on which a cone having a bottom surface on the side where the surface is present has a normal line that coincides with the ridge line or an extension line of the ridge line." here,
The “cone” specifically means a cone, a triangular pyramid, a quadrangular pyramid, and the like. More generally, no matter what shape the bottom surface has, the edge of the bottom surface and one vertex It is a three-dimensional shape defined by connecting and. Although it is considered that the content of the present invention is expressed by such an expression, in particular, when the cone has a shape symmetrical with respect to other axes such as a cone, the method of the inclined light incident surface is used. The line
It can be said to be a particularly preferable mode because the image is directed to the outside of the image display area in all directions.

【００１９】本発明の電気光学装置の一態様では、前記
遮光膜は、前記画像表示領域の縁寄りの領域で、前記傾
いた光入射面を有する部分を含む。In an aspect of the electro-optical device of the present invention, the light shielding film includes a portion having the inclined light incident surface in a region near the edge of the image display region.

【００２０】この態様によれば、一方の基板の表面から
入射する光を、より効率的に画像表示領域外へと反射さ
せることが可能となる。なぜなら、前記光のうち、画像
表示領域の縁寄りの領域に入射するものについては、遮
光膜における光入射面の、一方の基板における前記表面
に対する傾きを僅かに設定するのみでもって、該光を比
較的容易に画像表示領域外へと反射させることが可能と
なるからである。According to this aspect, the light incident from the surface of one of the substrates can be more efficiently reflected to the outside of the image display area. This is because, among the above-mentioned lights, those that are incident on the region near the edge of the image display region can be converted into light by only slightly setting the inclination of the light-incident surface of the light-shielding film with respect to the surface of one of the substrates. This is because it is possible to relatively easily reflect the light to the outside of the image display area.

【００２１】本発明の電気光学装置の他の態様では、前
記遮光膜は、アルミニウムを含む。In another aspect of the electro-optical device of the present invention, the light shielding film contains aluminum.

【００２２】この態様によれば、遮光膜、とりわけその
光入射面は、光反射率が８０〜９０％程度であるところ
のアルミニウムを含んでなるから、該光入射面に対して
入射した光は、殆ど確実に反射されることになる。した
がって、上述した作用効果、すなわち電気光学装置内部
において熱を蓄積させないという作用効果は勿論、偏光
板等において熱を蓄積させないという作用効果をも、よ
り効果的に享受することが可能となる。According to this aspect, since the light-shielding film, especially the light incident surface thereof, contains aluminum whose light reflectance is about 80 to 90%, the light incident on the light incident surface is not affected. , Will almost certainly be reflected. Therefore, it is possible to more effectively enjoy the above-described action and effect, that is, the action and effect that heat is not accumulated inside the electro-optical device, and the action and effect that heat is not accumulated in the polarizing plate and the like.

【００２３】本発明の電気光学装置の他の態様では、前
記一方の基板の上又は前記他方の基板の上のいずれか一
方には、マトリクス状に配列された複数の画素電極と、
該複数の画素電極の各々に接続された複数の薄膜トラン
ジスタと、該複数の薄膜トランジスタに接続された配線
とを備え、前記遮光膜は、前記複数の画素電極が形成さ
れない位置に対向する格子状のパターンを有する。In another aspect of the electro-optical device of the present invention, a plurality of pixel electrodes arranged in a matrix are provided on either the one substrate or the other substrate.
A plurality of thin film transistors connected to each of the plurality of pixel electrodes, and a wiring connected to the plurality of thin film transistors, wherein the light-shielding film is a grid pattern facing a position where the plurality of pixel electrodes are not formed. Have.

【００２４】この態様によれば、まず、配線及び薄膜ト
ランジスタを通じて、画素電極を駆動することにより、
前記電気光学物質の状態を変更することが可能となる。
この際、複数の画素電極の各々は、これらに対応するよ
うに設けられた複数の薄膜トランジスタの各々により、
個別的に制御されうるから、画素電極の一つ一つは、い
わゆる「画素」を構成する。なお、上記画素電極等が形
成されない基板においては、対向電極を形成しておき、
前記電気光学物質に有効に電圧を印加しうるようにして
おくとよい。According to this aspect, first, by driving the pixel electrode through the wiring and the thin film transistor,
It is possible to change the state of the electro-optical material.
At this time, each of the plurality of pixel electrodes is formed by each of the plurality of thin film transistors provided so as to correspond to them.
Each of the pixel electrodes constitutes a so-called “pixel” because it can be controlled individually. In addition, in the substrate on which the pixel electrodes and the like are not formed, a counter electrode is formed in advance,
A voltage may be effectively applied to the electro-optical material.

【００２５】ここで特に、本態様では、前記遮光膜は、
前記複数の画素電極が形成されない位置に対向する格子
状のパターンを有する。したがって、本態様において
は、画素間の光の透過を有効に阻止することが可能とな
ることで、画像のコントラスト向上を図ることが可能と
なり、また、カラーフィルタを設ける場合にあっては、
混色の防止をも図ることが可能となる。Particularly, in this embodiment, the light shielding film is
It has a grid-like pattern facing the positions where the plurality of pixel electrodes are not formed. Therefore, in the present aspect, it is possible to effectively prevent the transmission of light between pixels, and thus it is possible to improve the contrast of an image, and in the case of providing a color filter,
It is also possible to prevent color mixing.

【００２６】なお、上記画素電極、薄膜トランジスタ及
び配線等が形成されるのが、前記他方の基板上であれ
ば、前記一方の基板は、いわゆる対向基板に該当するこ
ととなり、本発明に係る遮光膜は、該対向基板上に形成
される遮光膜であると想定することが可能である。If the pixel electrode, the thin film transistor, the wiring and the like are formed on the other substrate, the one substrate corresponds to a so-called counter substrate, and the light-shielding film according to the present invention. Can be assumed to be a light-shielding film formed on the counter substrate.

【００２７】一方、上記画素電極等が形成されるのが、
前記一方の基板上であれば、本発明に係る遮光膜は、こ
れら画素電極等とともに形成される、いわゆる内蔵遮光
膜であると想定することが可能である。この際、該遮光
膜は、前記配線と兼用される（すなわち、遮光膜の機能
と配線の機能とを併せ持つ一つの部材が存在する）とし
てもよい。なお、この場合、一方の基板は、いわゆるＴ
ＦＴアレイ基板に該当するということがいえる。On the other hand, the pixel electrodes and the like are formed
On one of the substrates, the light-shielding film according to the present invention can be assumed to be a so-called built-in light-shielding film formed together with these pixel electrodes and the like. At this time, the light-shielding film may be used also as the wiring (that is, there is one member having both the function of the light-shielding film and the function of the wiring). In this case, one substrate is a so-called T
It can be said that it corresponds to the FT array substrate.

【００２８】この場合においては、例えば、本発明に係
る電気光学装置がカラー表示可能な液晶プロジェクタに
備えられる、複数のライトバルブとして適用される場合
を想定すると、該プロジェクタの光源から発せられた、
いわば正規の光が入射するのは、通常、「他方の基板」
（すなわち、対向基板）の表面ということになる。しか
しながら、このような場合であっても、本発明に係る遮
光膜の、上述した作用効果が無意味になるわけではな
い。というのも、上記液晶プロジェクタにおいて、複数
のライトバルブ（すなわち、電気光学装置）のうちの一
のライトバルブに着目すると、その他方の基板の表面か
らは、上述の通り正規の光が入射することとなるが、こ
れと同時に、一方の基板の表面からは、他のライトバル
ブを通り抜けた光、いわゆる「戻り光」が入射する場合
があり得るからである。In this case, for example, assuming that the electro-optical device according to the present invention is applied to a plurality of light valves provided in a liquid crystal projector capable of color display, the light emitted from the light source of the projector,
So-called normal light is usually incident on the "other substrate".
That is, it is the surface of the counter substrate. However, even in such a case, the above-described effects of the light-shielding film according to the present invention are not meaningless. In the above liquid crystal projector, focusing on one light valve of the plurality of light valves (that is, the electro-optical device), regular light is incident from the surface of the other substrate as described above. However, at the same time, the light passing through the other light valve, so-called “return light”, may be incident from the surface of one of the substrates.

【００２９】要するに、本発明においては、遮光膜が、
いわゆる対向基板上に形成される場合は勿論、いわゆる
ＴＦＴアレイ基板上に形成される場合であっても、相応
の作用効果をあげることが可能なのである。In short, in the present invention, the light shielding film is
Not only when it is formed on a so-called counter substrate, but also when it is formed on a so-called TFT array substrate, it is possible to obtain a corresponding effect.

【００３０】この態様では特に、前記配線は走査線を含
み、前記遮光膜の光入射面は、該走査線の延在する方向
に垂直な断面内で、前記一方の基板の前記表面側から見
て、凸形状を含むようにするとよい。In this aspect, in particular, the wiring includes a scanning line, and the light-incident surface of the light-shielding film is viewed from the front surface side of the one substrate in a cross section perpendicular to the extending direction of the scanning line. Therefore, it is preferable to include a convex shape.

【００３１】このような構成によれば、上述したような
作用効果を発揮する遮光膜を、比較的容易に製造するこ
とが可能となる。例えば、このような単純な形態となる
遮光膜であれば、よく知られているマイクロレンズを形
成する方法と同様な方法により製造することが可能であ
る。ここで、マイクロレンズを形成する方法とは、例え
ば、基板上に塗布されたレジストが、所定パターン（す
なわち、本態様においては、走査線が有する帯状パター
ン）を有するようなパターニングを実施した上、このパ
ターニングされたレジストを除く基板上の領域に対して
ウェットエッチングを実施した後、該エッチングにより
形成された窪み内に適当な媒質（すなわち、本態様にお
いては、例えばアルミニウム等の光反射率の比較的大き
い材料）等の成膜を実施する、等の方法をいう。With this structure, it is possible to relatively easily manufacture the light-shielding film that exhibits the above-described effects. For example, a light-shielding film having such a simple form can be manufactured by a method similar to the well-known method for forming a microlens. Here, the method of forming the microlens means, for example, after performing patterning such that the resist applied on the substrate has a predetermined pattern (that is, in the present embodiment, a band-shaped pattern included in the scanning line). After performing wet etching on the region on the substrate excluding the patterned resist, an appropriate medium (that is, in the present embodiment, a comparison of the light reflectance of, for example, aluminum or the like is carried out in the recess formed by the etching. Large material) and the like are used to form a film.

【００３２】なお、遮光膜の光入射面が凸形状を含むと
いうことは、上述の規定、すなわち、一方の基板の表面
に対して入射する「光の少なくとも一部を前記画像表示
領域外へと反射させるように、前記表面に対して傾いた
光入射面」に該当しない光入射面が含まれうることにな
るが、もとより、本発明は、遮光膜の光入射面すべて
が、このような規定に合致さるべきことを要求するもの
ではないから、何ら問題はない。つまり、遮光膜の全光
入射面のうち、少なくとも一部が上記規定を満たすので
あれば、それは本発明の範囲内にあるのである。The fact that the light-incident surface of the light-shielding film includes a convex shape means that the above-mentioned definition is made, that is, "at least a part of the light incident on the surface of one of the substrates goes out of the image display region. The light incident surface that does not correspond to the “light incident surface that is inclined with respect to the surface so as to reflect” may be included. However, according to the present invention, all the light incident surfaces of the light shielding film have such a definition. There is no problem because it does not require that it conform to. That is, if at least a part of the total light-incident surface of the light-shielding film satisfies the above-mentioned requirements, it is within the scope of the present invention.

【００３３】あるいは、上記遮光膜が格子状パターンを
含む態様では、別に、前記配線はデータ線を含み、前記
遮光膜の光入射面は、該データ線の延在する方向に垂直
な断面内で、前記一方の基板の前記表面側から見て、凸
形状を含むようにするとよい。Alternatively, in the aspect in which the light-shielding film includes a grid pattern, the wiring includes a data line, and the light-incident surface of the light-shielding film is within a cross section perpendicular to the extending direction of the data line. It is preferable to include a convex shape when viewed from the front surface side of the one substrate.

【００３４】このような構成によれば、上述した、配線
が走査線を含む態様と同様な作用効果を得ることができ
る。With this structure, it is possible to obtain the same effects as the above-described embodiment in which the wiring includes the scanning line.

【００３５】また、前記遮光膜が格子状パターンを含む
態様、並びに、前記配線が走査線又はデータ線を含む構
成にあっては特に、前記配線は走査線又はデータ線を含
み、前記遮光膜の光入射面は、該走査線の延在する方向
に垂直な断面内、かつ、該データ線の延在する方向に垂
直な断面内で、前記一方の基板の前記表面側から見て、
凸形状を含む。Further, particularly in a mode in which the light shielding film includes a grid pattern and in a configuration in which the wiring includes a scanning line or a data line, the wiring includes a scanning line or a data line, and The light incident surface, in a cross section perpendicular to the extending direction of the scanning line, and in a cross section perpendicular to the extending direction of the data line, viewed from the front surface side of the one substrate,
Including convex shape.

【００３６】このような構成によれば、走査線のみ、あ
るいはデータ線のみに関して、上述したような凸形状を
形成した場合に比べて、遮光膜の全光入射面に占める、
入射する「光の少なくとも一部を前記画像表示領域外へ
と反射させるように、前記表面に対して傾いた光入射
面」の割合が、より多くなる。したがって、偏光板等に
達しない光の割合がより多くなるから、上述した作用効
果を、より確実に享受することが可能となる。According to such a structure, as compared with the case where the above-described convex shape is formed only for the scanning lines or only the data lines, the light-shielding film occupies the entire light incident surface.
The proportion of the incident “light incident surface inclined with respect to the surface so as to reflect at least a part of the light to the outside of the image display area” becomes larger. Therefore, the proportion of light that does not reach the polarizing plate or the like is increased, so that it is possible to more reliably enjoy the above-described effects.

【００３７】本発明の電気光学装置の他の態様では、前
記光入射面における傾きが、前記一方の基板の中央部か
ら周辺部にかけて、漸次小さくされている。In another aspect of the electro-optical device of the present invention, the inclination of the light incident surface is gradually reduced from the central portion to the peripheral portion of the one substrate.

【００３８】このような構成によれば、例えば、前記光
入射面が凸形状を含む場合を前提とすると、一方の基板
の中央寄りに位置する遮光膜の光入射面は、曲率のより
大きい凸形状を含み、周辺寄りに位置するそれは、曲率
のより小さい凸形状を含むことになる。このような構成
によれば、偏光板等に到達する光の割合を、より効果的
に低減することが可能となる。なぜなら、中央部に入射
した光は、曲率の大きい凸形状を含む光入射面で反射さ
れる結果、この反射後の光は、基板表面に略平行に近い
光路を進むことになるからである。According to such a configuration, for example, assuming that the light incident surface includes a convex shape, the light incident surface of the light shielding film located near the center of one of the substrates has a convex shape with a larger curvature. A shape that includes a shape and that is located closer to the periphery will include a convex shape with a smaller curvature. With such a configuration, it is possible to more effectively reduce the proportion of light that reaches the polarizing plate or the like. This is because the light incident on the central portion is reflected by the light incident surface including the convex shape having a large curvature, and as a result, the reflected light travels along an optical path that is almost parallel to the substrate surface.

【００３９】本発明の電気光学装置の他の態様では、前
記表面上に光学要素を更に備える。In another aspect of the electro-optical device of the present invention, an optical element is further provided on the surface.

【００４０】この態様によれば、例えば、偏光板、位相
差板等の光学要素が、光が入射する、一方の基板の表面
上に備えられることから、上述したことからも明らかな
通り、当該光学要素が、熱により劣化する可能性を低減
することが可能となる。According to this aspect, for example, an optical element such as a polarizing plate and a retardation plate is provided on the surface of one of the substrates on which light is incident. Therefore, as is apparent from the above, It is possible to reduce the possibility that the optical element deteriorates due to heat.

【００４１】本発明の電気光学装置の製造方法は、光が
入射される表面を有する一方の基板と、該一方の基板に
対向配置される他方の基板との間に電気光学物質を挟持
してなる電気光学装置の製造方法であって、前記一方の
基板における前記表面とは反対側の面に凹曲面部を形成
する工程と、前記凹曲面部に対して、光を反射する材料
を成膜することにより、前記一方の基板における画像表
示領域内で、前記光の少なくとも一部を前記画像表示領
域外へと反射させるように、前記表面に対して傾いた光
入射面を有する遮光膜を形成する工程とを含む。According to the method of manufacturing an electro-optical device of the present invention, an electro-optical substance is sandwiched between one substrate having a surface on which light is incident and the other substrate arranged to face the one substrate. A method of manufacturing an electro-optical device comprising: a step of forming a concave curved surface portion on a surface of the one substrate opposite to the surface; and forming a material that reflects light on the concave curved surface portion. By doing so, a light-shielding film having a light incident surface inclined with respect to the surface is formed in the image display area of the one substrate so as to reflect at least a part of the light to the outside of the image display area. And a step of performing.

【００４２】本発明の電気光学装置の製造方法によれ
ば、上述した本発明の電気光学装置を、比較的容易に製
造することが可能となる。According to the method of manufacturing the electro-optical device of the present invention, the above-described electro-optical device of the present invention can be manufactured relatively easily.

【００４３】なお、本発明によれば、一方の基板の表面
とは反対側の面上に、遮光膜を形成すべき凹曲面部が形
成されるが、この凹曲面部は、前記一方の基板の表面に
対して入射する「光の少なくとも一部を前記画像表示領
域外へと反射させるように、前記表面に対して傾いた」
面を有するという点で、この規定の要件を満たすもので
ある。その具体的形状としては、既に述べたように、凸
形状を含むもの、凹形状を含むもの、あるいはより一般
的に表面粗さが大きいもの（すなわち例えば、不規則な
凹凸形状を含むもの）等を考えることができる。According to the present invention, the concave curved surface portion on which the light-shielding film is to be formed is formed on the surface of the one substrate opposite to the surface thereof. Incident on the surface of the "tilted with respect to the surface so as to reflect at least part of the light outside the image display area"
It meets the requirements of this regulation in that it has a face. As the specific shape, as described above, a shape including a convex shape, a shape including a concave shape, or a shape having a larger surface roughness in general (that is, a shape including an irregular asperity shape), etc. Can think of.

【００４４】また、本発明にいう「光を反射する材料」
としては、これも既に述べたように、光反射率が比較的
大きい材料、例えばアルミニウム等を充てると好まし
い。The "material that reflects light" referred to in the present invention
As described above, it is preferable to use a material having a relatively large light reflectance, such as aluminum, as described above.

【００４５】本発明の電気光学装置の製造方法の一態様
では、前記凹曲面部を形成する工程は、前記一方の基板
上にマイクロレンズを形成する工程の一部と同時に実施
される。In one aspect of the method of manufacturing an electro-optical device of the present invention, the step of forming the concave curved surface portion is performed at the same time as a part of the step of forming a microlens on the one substrate.

【００４６】この態様によれば、前記凹曲面部は、マイ
クロレンズを形成する工程の一部を兼用して形成され
る。すなわち、本態様では、遮光膜の形成工程の一部
を、マイクロレンズの形成工程の一部と兼用して実施す
ることになるから、相応分の製造コストを低減すること
が可能となるのである。According to this aspect, the concave curved surface portion is formed also for a part of the step of forming the microlens. That is, in this aspect, part of the step of forming the light-shielding film is performed also as part of the step of forming the microlens, so that the manufacturing cost can be reduced correspondingly. .

【００４７】本発明の電子機器は、上述の本発明の電気
光学装置（ただし、その各種態様を含む。）を具備して
なる。The electronic equipment of the present invention comprises the above-mentioned electro-optical device of the present invention (however, including its various aspects).

【００４８】本発明の電子機器によれば、上述の本発明
の電気光学装置を具備してなるから、熱の蓄積により表
示特性等の変化が生じることのない、液晶テレビ、携帯
電話、電子手帳、ワードプロセッサ、ビューファインダ
型又はモニタ直視型のビデオテープレコーダ、ワークス
テーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネル等
の各種電子機器を実現することができる。According to the electronic equipment of the present invention, since it comprises the above-mentioned electro-optical device of the present invention, the liquid crystal television, the mobile phone, the electronic notebook in which the display characteristics and the like do not change due to the accumulation of heat. Various electronic devices such as a word processor, a viewfinder type or a monitor direct-viewing type video tape recorder, a workstation, a videophone, a POS terminal, and a touch panel can be realized.

【００４９】本発明の投射型表示装置は、上述の本発明
の電気光学装置（ただし、その各種態様を含む。）から
なるライトバルブと、該ライトバルブに投射光を入射す
る光源と、該ライトバルブから出射した前記投射光を投
射する光学系と、前記ライトバルブ、前記光源及び前記
光学系を収容するモールドとを備える。The projection type display device of the present invention comprises a light valve comprising the above-mentioned electro-optical device of the present invention (including various aspects thereof), a light source for making projection light enter the light valve, and the light. An optical system that projects the projection light emitted from the bulb, and a mold that houses the light valve, the light source, and the optical system are provided.

【００５０】本発明の投射型表示装置（いわゆる「液晶
プロジェクタ」とも呼称される。）によれば、前記光源
として、比較的強力なものが搭載されることが一般的で
あることにより、ライトバルブ（すなわち、上述の本発
明の電気光学装置）における熱の蓄積は、より発生しや
すい状況にあるということがいえるため、本発明に係る
作用効果をより効果的に享受しうることになる。According to the projection type display device of the present invention (also referred to as a so-called "liquid crystal projector"), since a light source which is relatively powerful is generally mounted as the light source, a light valve is provided. That is, it can be said that the heat accumulation in the above-described electro-optical device of the present invention is more likely to occur, so that the effects of the present invention can be more effectively enjoyed.

【００５１】また、本発明では、前記ライトバルブ、前
記光源及び前記ライトバルブを収容するモールドが備え
られることから、以下に記す作用効果を享受することが
可能となる。すなわち、このモールドによれば、本発明
に係る作用により電気光学装置「外部」に反射された光
は、該モールドの内面において吸収されることになる。
したがって、いわゆる迷光が発生しやすいともいえる本
発明に係る電気光学装置において、当該迷光の発生、な
いしその無用な乱反射等というような現象が生じること
がなく、安定した画像表示が可能となる。この場合、前
記モールドの内面を、例えば、黒色に塗装しておく等、
光吸収がより生じやすい形態としておけば、より好まし
いことは言うまでもない。Further, according to the present invention, since the light valve, the light source, and the mold for housing the light valve are provided, it is possible to enjoy the following operational effects. That is, according to this mold, the light reflected to the "outside" of the electro-optical device by the action of the present invention is absorbed by the inner surface of the mold.
Therefore, in the electro-optical device according to the present invention in which so-called stray light is likely to be generated, a phenomenon such as generation of the stray light or unnecessary irregular reflection thereof does not occur, and stable image display can be performed. In this case, the inner surface of the mold, for example, painted black,
Needless to say, it is more preferable if the light absorption is more likely to occur.

【００５２】さらに、本発明に係るような液晶プロジェ
クタにおいては、前記ライトバルブを冷却するための冷
却ファンが一般に備えられるが、本発明によれば、ライ
トバルブにおける熱の蓄積量は従来に比べて小さくなる
のであるから、当該冷却ファンには特段優れた能力が要
求されない。したがって、従来に比べて消費電力を小さ
く、また、静穏化した液晶プロジェクタを提供すること
が可能となる。Further, in the liquid crystal projector according to the present invention, a cooling fan for cooling the light valve is generally provided. According to the present invention, the amount of heat accumulated in the light valve is higher than that in the conventional case. Since it becomes smaller, the cooling fan is not required to have particularly excellent performance. Therefore, it is possible to provide a liquid crystal projector that consumes less power and is quieter than conventional ones.

【００５３】本発明のこのような作用及び他の利得は次
に説明する実施の形態から明らかにされる。The operation and other advantages of the present invention will be apparent from the embodiments described below.

【００５４】[0054]

【発明の実施の形態】以下では、本発明の実施の形態に
ついて図を参照しつつ説明する。以下の実施形態は、本
発明の電気光学装置を液晶装置に適用したものである。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. The following embodiments apply the electro-optical device of the present invention to a liquid crystal device.

【００５５】（電気光学装置の全体構成）まず、本発明
の実施形態に係る電気光学装置の全体構成について、図
１及び図２を参照して説明する。なお、図１は、ＴＦＴ
アレイ基板をその上に形成された各構成要素とともに対
向基板２０の側からみた平面図であり、図２は図１のＨ
−Ｈ´断面図である。(Overall Configuration of Electro-Optical Device) First, the overall configuration of the electro-optical device according to the embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 1 and 2. Note that FIG. 1 shows a TFT
FIG. 2 is a plan view of the array substrate together with the constituent elements formed thereon as viewed from the counter substrate 20, and FIG.
It is a -H 'sectional view.

【００５６】図１及び図２において、本実施形態に係る
電気光学装置では、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２
０とが対向配置されている。ＴＦＴアレイ基板１０と対
向基板２０との間には、液晶層５０が封入されており、
ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とは、画像表示領
域１０ａの周囲に位置するシール領域に設けられたシー
ル材５２により相互に接着されている。1 and 2, in the electro-optical device according to this embodiment, the TFT array substrate 10 and the counter substrate 2 are used.
0 and 0 are arranged to face each other. A liquid crystal layer 50 is enclosed between the TFT array substrate 10 and the counter substrate 20,
The TFT array substrate 10 and the counter substrate 20 are adhered to each other by a sealing material 52 provided in a sealing region located around the image display region 10a.

【００５７】シール材５２は、両基板を貼り合わせるた
め、例えば紫外線硬化樹脂、熱硬化樹脂等からなり、紫
外線、加熱等により硬化させられたものである。また、
このシール材５２中には、本実施形態における液晶装置
がプロジェクタ用途のように小型で拡大表示を行う液晶
装置であれば、両基板間の距離（基板間ギャップ）を所
定値とするためのグラスファイバ、あるいはガラスビー
ズ等のギャップ材（スペーサ）が散布されている。ある
いは、当該液晶装置が液晶ディスプレイや液晶テレビの
ように大型で等倍表示を行う液晶装置であれば、このよ
うなギャップ材は、液晶層５０中に含まれてよい。The sealing material 52 is made of, for example, an ultraviolet curable resin, a thermosetting resin, or the like and is cured by ultraviolet rays, heating, or the like in order to bond the two substrates together. Also,
If the liquid crystal device according to the present embodiment is a liquid crystal device that is small and performs enlarged display, such as a projector, a glass for adjusting the distance between the substrates (the gap between the substrates) to a predetermined value is provided in the sealing material 52. Gap materials (spacers) such as fibers or glass beads are scattered. Alternatively, such a gap material may be included in the liquid crystal layer 50 if the liquid crystal device is a large-sized liquid crystal device, such as a liquid crystal display or a liquid crystal television, that displays at the same magnification.

【００５８】また、前記シール材５２の内側に並行し
て、画像表示領域１０ａの周辺を規定する額縁としての
額縁遮光膜５３が、対向基板２０側に設けられている。
ただし、このような額縁遮光膜５３の一部又は全部は、
ＴＦＴアレイ基板１０側に内蔵遮光膜として設けられて
いてもよい。Further, in parallel with the inside of the sealing material 52, a frame light-shielding film 53 as a frame for defining the periphery of the image display area 10a is provided on the counter substrate 20 side.
However, part or all of such a frame light-shielding film 53 is
It may be provided as a built-in light shielding film on the TFT array substrate 10 side.

【００５９】シール材５２の外側の領域には、データ線
６ａに画像信号を所定のタイミングで供給することによ
り該データ線６ａを駆動するデータ線駆動回路１０１及
び外部回路接続端子１０２がＴＦＴアレイ基板１０の一
辺に沿って設けられており、走査線３ａに走査信号を所
定のタイミングで供給することにより、走査線３ａを駆
動する走査線駆動回路１０４が、この一辺に隣接する二
辺に沿って設けられている。In the area outside the sealing material 52, the data line drive circuit 101 and the external circuit connection terminal 102 for driving the data line 6a by supplying the image signal to the data line 6a at a predetermined timing are provided with the TFT array substrate. The scanning line driving circuit 104, which is provided along one side of the scanning line 3a, drives the scanning line 3a by supplying the scanning signal to the scanning line 3a at a predetermined timing. It is provided.

【００６０】なお、走査線３ａに供給される走査信号遅
延が問題にならないのならば、走査線駆動回路１０４は
片側だけでもよいことは言うまでもない。また、データ
線駆動回路１０１を画像表示領域１０ａの辺に沿って両
側に配列してもよい。Needless to say, if the delay of the scanning signal supplied to the scanning line 3a does not matter, the scanning line driving circuit 104 may be provided on only one side. Further, the data line driving circuits 101 may be arranged on both sides along the side of the image display area 10a.

【００６１】ＴＦＴアレイ基板１０の残る一辺には、画
像表示領域１０ａの両側に設けられた走査線駆動回路１
０４間をつなぐための複数の配線１０５が設けられてい
る。また、対向基板２０のコーナ部の少なくとも一箇所
においては、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との
間で電気的に導通をとるための導通材１０６が設けられ
ている。そして、図２に示すように、図１に示したシー
ル材５２とほぼ同じ輪郭を持つ対向基板２０が当該シー
ル材５２によりＴＦＴアレイ基板１０に固着されてい
る。On the remaining side of the TFT array substrate 10, the scanning line driving circuit 1 provided on both sides of the image display area 10a.
A plurality of wirings 105 are provided to connect between 04. In addition, at least one location of the corner portion of the counter substrate 20 is provided with a conductive material 106 for electrically connecting the TFT array substrate 10 and the counter substrate 20. Then, as shown in FIG. 2, the counter substrate 20 having substantially the same contour as the sealing material 52 shown in FIG. 1 is fixed to the TFT array substrate 10 by the sealing material 52.

【００６２】図２において、ＴＦＴアレイ基板１０上に
は、画素スイッチング用のＴＦＴや走査線、データ線等
の配線が形成された後の画素電極９ａ上に、配向膜が形
成されている。他方、対向基板２０上には、対向電極２
１のほか、最上層部分に配向膜が形成されている。ま
た、液晶層５０は、例えば一種又は数種類のネマテッィ
ク液晶を混合した液晶からなり、これら一対の配向膜間
で、所定の配向状態をとる。In FIG. 2, on the TFT array substrate 10, an alignment film is formed on the pixel electrodes 9a after the pixel switching TFTs and wirings such as scanning lines and data lines are formed. On the other hand, on the counter substrate 20, the counter electrode 2
1, an alignment film is formed on the uppermost layer. The liquid crystal layer 50 is made of, for example, liquid crystal in which one kind or several kinds of nematic liquid crystals are mixed, and a predetermined alignment state is established between the pair of alignment films.

【００６３】なお、ＴＦＴアレイ基板１０上には、これ
らのデータ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０４等
に加えて、複数のデータ線６ａに画像信号を所定のタイ
ミングで印加するサンプリング回路、複数のデータ線６
ａに所定電圧レベルのプリチャージ信号を画像信号に先
行して各々供給するプリチャージ回路、製造途中や出荷
時の当該電気光学装置の品質、欠陥等を検査するための
検査回路等を形成してもよい。On the TFT array substrate 10, in addition to the data line driving circuit 101, the scanning line driving circuit 104, etc., a sampling circuit for applying an image signal to a plurality of data lines 6a at a predetermined timing, a plurality of sampling circuits are provided. Data line 6
In a, a precharge circuit for supplying a precharge signal of a predetermined voltage level prior to each image signal, an inspection circuit for inspecting the quality, defects, etc. of the electro-optical device during manufacturing or shipping are formed. Good.

【００６４】次に、以上のような全体構成を有する電気
光学装置において、対向基板に設けられる遮光膜の構成
及び作用を、第１乃至第６実施形態として、図３から図
８を参照して説明する。Next, in the electro-optical device having the above-mentioned overall structure, the structure and action of the light-shielding film provided on the counter substrate will be described as first to sixth embodiments with reference to FIGS. explain.

【００６５】（第１実施形態）まず、第１実施形態に係
る遮光膜の構成及び作用について、図３及び図４を参照
して説明する。ここに、図３は、図２における符号ＣＲ
１を付した円内部分を拡大して示す拡大断面図であり、
図４は、第１実施形態に係る遮光膜の構成を明瞭に把握
するため、該遮光膜のみを図示する斜視図である。(First Embodiment) First, the structure and operation of the light-shielding film according to the first embodiment will be described with reference to FIGS. Here, FIG. 3 shows the code CR in FIG.
FIG. 2 is an enlarged cross-sectional view showing an enlargement of a portion inside a circle marked with 1,
FIG. 4 is a perspective view showing only the light shielding film in order to clearly understand the configuration of the light shielding film according to the first embodiment.

【００６６】まず、図３の対向基板２０側の拡大図にお
いては、対向基板２０、該基板２０上（図中では、下
方）に形成された遮光膜５０１、該遮光膜５０１及び前
記基板２０上に形成された、透明な対向電極２１、該対
向電極２１上に形成された配向膜２２を備えている。ま
た、図２においては示されていなかったが、図３では上
記の他、対向電極２０の表面側（図中では、上方）に、
その両面に位置する部材（すなわち、対向基板２０及び
防塵ガラス９０２）を接着するためのシリコンゲル膜９
０１、防塵ガラス９０２、無反射コート９０３、及び本
発明にいう「光学要素」の一例に該当する偏光板７０１
が順次設けられている。First, in the enlarged view of the counter substrate 20 side in FIG. 3, the counter substrate 20, the light shielding film 501 formed on the substrate 20 (lower side in the drawing), the light shielding film 501, and the substrate 20 are shown. The transparent counter electrode 21 and the alignment film 22 formed on the counter electrode 21 are provided. Although not shown in FIG. 2, in addition to the above in FIG. 3, on the surface side of the counter electrode 20 (upper side in the figure),
Silicon gel film 9 for adhering members (that is, counter substrate 20 and dustproof glass 902) located on both sides thereof.
01, dust-proof glass 902, non-reflective coating 903, and polarizing plate 701 corresponding to an example of the “optical element” in the present invention.
Are provided in sequence.

【００６７】このうち、偏光板７０１は、図３中下方に
位置する液晶層５０に入射するのに適した偏光作用を、
入射光Ｌ１に対して施す。この偏光板７０１は、通常
は、光透過率８０〜９０％なるものが使用されるが、逆
にいうと、１０〜２０％は光を吸収することとなり、こ
れが熱に変換されると該偏光板７０１はダメージを受け
ることになる。Of these, the polarizing plate 701 has a polarization action suitable for entering the liquid crystal layer 50 located in the lower part of FIG.
It is applied to the incident light L1. The polarizing plate 701 usually has a light transmittance of 80 to 90%, but conversely, 10 to 20% absorbs light, and when this is converted into heat, The board 701 will be damaged.

【００６８】そして、遮光膜５０１は、図３及び図４に
示すように、画像表示領域１０ａ内で、平面的にみて格
子状のパターンを有するように形成されている。これ
は、後述する複数の画素電極がマトリクス状に配列され
ていることに対応している。すなわち、遮光膜５０１
は、該複数の画素電極が形成されていない位置に対向し
て形成されており、これにより非開口領域を規定するこ
とになる。なお、この非開口領域には、図４に示すよう
に、図中左右方向に延在する走査線３ａ、及び、図中上
下方向に延在するデータ線６ａが、上記ＴＦＴアレイ基
板１０側に設けられている。なお、これら走査線３ａ及
びデータ線６ａについては、後に改めて説明する。As shown in FIGS. 3 and 4, the light shielding film 501 is formed in the image display area 10a so as to have a grid pattern when seen in a plan view. This corresponds to a plurality of pixel electrodes, which will be described later, arranged in a matrix. That is, the light shielding film 501
Are formed so as to face the positions where the plurality of pixel electrodes are not formed, and thereby define a non-opening region. In this non-opening area, as shown in FIG. 4, a scanning line 3a extending in the left-right direction in the figure and a data line 6a extending in the up-down direction in the figure are provided on the TFT array substrate 10 side. It is provided. The scanning lines 3a and the data lines 6a will be described later.

【００６９】また、このような遮光膜５０１は、例え
ば、アルミニウム等その他の光反射率の比較的大きい材
料からなるものとされている。The light-shielding film 501 is made of, for example, aluminum or other material having a relatively high light reflectance.

【００７０】ここで特に、第１実施形態における遮光膜
５０１は、図３及び図４に示すように、その断面がいわ
ば蒲鉾のそれと同様な形状を有するように形成されてい
る。換言すると、遮光膜５０１の一表面は、凸形状を含
むものとして形成されているのである。ここに、一表面
とは、図３の配置関係から明らかな通り、光入射面に該
当する。また、図４を参照するとわかるように、この凸
形状は、走査線３ａの延在する方向に垂直な断面内でみ
ることができると同時に、データ線６ａの延在する方向
に垂直な断面内でもみることができる。Here, in particular, as shown in FIGS. 3 and 4, the light shielding film 501 in the first embodiment is formed so that its cross section has a shape similar to that of a kamaboko. In other words, one surface of the light shielding film 501 is formed so as to include a convex shape. Here, the one surface corresponds to the light incident surface, as is clear from the arrangement relationship of FIG. Further, as can be seen from FIG. 4, this convex shape can be seen in the cross section perpendicular to the extending direction of the scanning line 3a, and at the same time, in the cross section perpendicular to the extending direction of the data line 6a. But you can see it.

【００７１】このような遮光膜５０１によれば、図３に
示すように、対向基板２０の表面側から入射してきた入
射光Ｌ１は、上述したような凸形状を含む光入射面によ
り、反射されることになる。このようなことから、ま
ず、この反射に係る光Ｌ１Ｒが、図３に示すように、偏
光板７０１に殆ど到達することがない。その理由は、図
示されているところから明らかであるが、反射光Ｌ１Ｒ
が、入射光Ｌ１とは異なる経路を辿って、画像表示領域
１０ａ外に、あるいは対向基板２０の「外側」、ないし
は電気光学装置の「外側」に向かうからである。したが
って、第１実施形態においては、偏光板７０１に光の再
入射が生じることは殆どなくなるから、該偏光板７０１
における光から熱への変換作用が生じる可能性が低減す
る。その結果、該偏光板７０１が熱によるダメージを受
けることが殆どない。According to such a light shielding film 501, as shown in FIG. 3, the incident light L1 incident from the surface side of the counter substrate 20 is reflected by the light incident surface including the convex shape as described above. Will be. For this reason, first, the light L1R related to this reflection hardly reaches the polarizing plate 701 as shown in FIG. The reason is clear from the figure, but the reflected light L1R
However, it follows a path different from that of the incident light L1 and goes to the outside of the image display area 10a or the “outside” of the counter substrate 20 or the “outside” of the electro-optical device. Therefore, in the first embodiment, re-incidence of light hardly occurs on the polarizing plate 701.
The likelihood of a light-to-heat conversion effect at is reduced. As a result, the polarizing plate 701 is hardly damaged by heat.

【００７２】ちなみに、図３に示されるところからする
と、上述のような反射光Ｌ１Ｒが、例えば、防塵ガラス
９０２及び無反射コート９０３間等の界面において全反
射し、光が電気光学装置内に閉じ込められるような場合
が若干懸念されるところではあるが、第１実施形態にお
いては、そのような心配は殆ど無用である。なぜなら、
シリコンゲル９０１、防塵ガラス９０２、無反射コート
９０３及び偏光板７０１における、それぞれの界面で
は、大きく屈折率が変じるような界面が存在しないから
である。Incidentally, from the point shown in FIG. 3, the reflected light L1R as described above is totally reflected, for example, at the interface between the dustproof glass 902 and the non-reflective coating 903, and the light is confined in the electro-optical device. Although there is some concern about such cases, such concerns are almost unnecessary in the first embodiment. Because
This is because there is no interface in the silicon gel 901, the dustproof glass 902, the non-reflection coating 903, and the polarizing plate 701 that has a large change in the refractive index.

【００７３】また、第１実施形態では、遮光膜５０１
は、光反射率が８０〜９０％程度であるところのアルミ
ニウム等により構成されていたから、上述したような
「外側」へ向かう光の反射に係る作用を、より確実に享
受し得るとともに、対向基板２０の表面から入射した光
は、遮光膜５０１で殆ど遮られることとなるから、これ
が液晶層５０等その他の電気光学装置の内部に至ること
が殆どなくなる。したがって、第１実施形態における電
気光学装置においては、表示特性の変化、焼きつき、フ
リッカの発生、信頼性の低下等その他の熱の蓄積に伴う
種々の不都合を被る可能性を低減することができる。Further, in the first embodiment, the light shielding film 501
Since it was made of aluminum or the like having a light reflectance of about 80 to 90%, it is possible to more reliably enjoy the above-described action related to the reflection of light toward the “outside”, and the counter substrate 20. Most of the light that has entered from the surface of the is blocked by the light shielding film 501, so that it hardly reaches the inside of the electro-optical device such as the liquid crystal layer 50. Therefore, in the electro-optical device according to the first embodiment, it is possible to reduce the possibility of suffering various inconveniences associated with heat accumulation, such as changes in display characteristics, image sticking, flicker, deterioration of reliability, and the like. .

【００７４】なお、上記にいう遮光膜５０１には、上述
の額縁遮光膜５３をも含めて考えてよい。すなわち、額
縁遮光膜５３において、上述したような構成を備える形
態にあっても、それは本発明の範囲内に当然に含まれ
る。The above-mentioned light-shielding film 501 may include the above-mentioned frame light-shielding film 53. That is, even if the frame light-shielding film 53 has the above-described configuration, it is naturally included in the scope of the present invention.

【００７５】また、上記においては、格子状パターンを
有する遮光膜５０１における、走査線３ａが延在する方
向に垂直な断面、及び、データ線６ａが延在する方向に
垂直な断面のいずれにおいても、凸形状を含む構成とな
っていたが、本発明は、このような形態に限定されるわ
けではない。例えば、上記した二つの断面のいずれか一
方においてのみ、凸形状を含むような形態も、当然に本
発明の範囲内である。Further, in the above description, in the light-shielding film 501 having the grid pattern, both the cross section perpendicular to the direction in which the scanning line 3a extends and the cross section perpendicular to the direction in which the data line 6a extends. However, the present invention is not limited to such a form. For example, a configuration in which only one of the above-mentioned two cross sections includes a convex shape is naturally within the scope of the present invention.

【００７６】さらに、前記遮光膜５０１は、前記画像表
示領域１０ａの縁寄りの領域で、前記傾いた光入射面を
有する部分を含むような形態でもよい。このようにすれ
ば、入射光の反射をより効率的に実現することが可能で
ある。というのも、入射光のうち、画像表示領域１０ａ
の縁寄りの領域に入射するものについては、遮光膜５０
１における光入射面の、対向基板２０における前記表面
に対する傾きを僅かに設定するのみでもって、該入射光
を比較的容易に画像表示領域１０ａ外へと反射させるこ
とが可能となるからである。Further, the light shielding film 501 may be in a form including a portion having the inclined light incident surface in a region near the edge of the image display region 10a. By doing so, it is possible to more efficiently realize the reflection of incident light. Of the incident light, the image display area 10a
The light-shielding film 50 that is incident on the region near the edge of
This is because it is possible to relatively easily reflect the incident light to the outside of the image display area 10a by merely setting the inclination of the light incident surface in 1 with respect to the surface of the counter substrate 20.

【００７７】（第２実施形態）以下では、第２実施形態
に係る遮光膜の構成及び作用について、図５を参照して
説明する。ここに、図５は、図３と同趣旨の図である
が、図２における符号ＣＲ１ではなく、符号ＣＲ２を付
した円内部分を拡大して示す拡大断面図である点で異な
るものであって、かつ、図３とは遮光膜の構成が若干異
なる態様を示すものである。(Second Embodiment) The structure and action of the light shielding film according to the second embodiment will be described below with reference to FIG. Here, FIG. 5 is a diagram having the same meaning as in FIG. 3, but is different in that it is an enlarged cross-sectional view showing a circled portion designated by reference numeral CR2 instead of reference numeral CR1 in FIG. In addition, the configuration of the light shielding film is slightly different from that of FIG.

【００７８】第２実施形態においては、図５に示すよう
に、遮光膜５０２の光入射面における凸形状の曲率が、
対向基板２０の中央部から周辺部にかけて、漸次緩やか
に小さくなっている。すなわち、対向基板２０の中央寄
りに位置する遮光膜５０２Ａの光入射面は、曲率のより
大きい凸形状を含み、周辺寄りに位置する遮光膜５０２
Ｂ及び５０２Ｃの光入射面は、順次、曲率のより小さい
凸形状を含んでいる。In the second embodiment, as shown in FIG. 5, the convex curvature of the light incident surface of the light shielding film 502 is
The size of the counter substrate 20 gradually decreases from the center to the periphery. That is, the light-incident surface of the light-shielding film 502A located near the center of the counter substrate 20 includes a convex shape with a larger curvature, and is located nearer the periphery.
The light incident surfaces of B and 502C sequentially include convex shapes having a smaller curvature.

【００７９】このような構成によれば、次のような作用
効果が達成される。すなわち、図５に示すように、対向
基板２０のより中央側に入射した入射光ＬＡに基づく反
射光ＬＡＲの方が、より周辺寄りに入射した入射光ＬＢ
に基づく反射光ＬＢＲよりも、対向基板２０の面とより
平行な光路をとるようになる。これは、より中央寄りに
入射した入射光ＬＡの反射光ＬＡＲが、偏光板７０１に
達しないようにするためには、有効であることが明白で
ある。したがって、第２実施形態によれば、上記第１実
施形態に比べて、より確実に、偏光板７０１が熱の蓄積
によるダメージを受けることを回避することができる。With this structure, the following operational effects are achieved. That is, as shown in FIG. 5, the reflected light LAR based on the incident light LA incident on the center side of the counter substrate 20 is incident light LB incident on the more peripheral side.
The optical path is more parallel to the surface of the counter substrate 20 than the reflected light LBR based on. It is clear that this is effective in preventing the reflected light LAR of the incident light LA that is incident closer to the center from reaching the polarizing plate 701. Therefore, according to the second embodiment, it is possible to more reliably prevent the polarizing plate 701 from being damaged by heat accumulation, as compared with the first embodiment.

【００８０】（第３実施形態）以下では、第３実施形態
に係る遮光膜の構成及び作用について、図６を参照して
説明する。ここに、図６は、図３と同趣旨の図である
が、図３とはマイクロレンズ６０１が形成されている点
で異なる態様を示すものである。(Third Embodiment) The structure and operation of the light shielding film according to the third embodiment will be described below with reference to FIG. Here, FIG. 6 is a diagram having the same effect as FIG. 3, but shows an aspect different from FIG. 3 in that a microlens 601 is formed.

【００８１】第３実施形態においては、図６に示すよう
に、遮光膜５０３が、凹型のマイクロレンズ６０１と同
一層として形成されている点に特徴がある。なお、図６
においては、上記マイクロレン６０１の他、該レンズ６
０１上に、カバーガラス６１１が設けられている。この
カバーガラス６１１とマイクロレンズ６０１ないし対向
基板２０とは、適当な接着剤等を含む接着層６１２でも
って、相互に接着されている。ただし、接着層６１２
は、図６に示すように対向基板２０の全面について塗布
する必要はなく、場合によっては、その周辺部分にのみ
塗布するような構造としてもよい。The third embodiment is characterized in that, as shown in FIG. 6, the light shielding film 503 is formed in the same layer as the concave microlens 601. Note that FIG.
In addition to the microlens 601, the lens 6
01, a cover glass 611 is provided. The cover glass 611 and the microlens 601 or the counter substrate 20 are adhered to each other with an adhesive layer 612 containing an appropriate adhesive or the like. However, the adhesive layer 612
Does not need to be applied to the entire surface of the counter substrate 20 as shown in FIG. 6, and may be applied only to the peripheral portion in some cases.

【００８２】このマイクロレンズ６０１を設ける形態に
よれば、画素電極９ａ上の所定の領域に対して、入射光
を集光することが可能となるから、該入射光の利用効率
を高めることが可能となる。According to the mode in which the microlens 601 is provided, the incident light can be condensed on a predetermined region on the pixel electrode 9a, so that the utilization efficiency of the incident light can be improved. Becomes

【００８３】そして特に、このような構成では、後の遮
光膜の製造方法で説明する通り、遮光膜５０３を形成す
る工程の一部を、マイクロレンズ６０１を形成する工程
の一部と同時に実施することが可能となるから、製造コ
ストを相応分低減することが可能となる。In particular, in such a configuration, as will be described later in the method of manufacturing the light-shielding film, part of the step of forming the light-shielding film 503 is performed at the same time as part of the step of forming the microlens 601. Therefore, the manufacturing cost can be reduced accordingly.

【００８４】なお、図６において、遮光膜５０３の光入
射面と反対側に位置する面は、図３に示すところとは異
なり、対向基板２０の面からはみ出す形態とはなってい
ないが、これは本質的な相違ではなく、いずれについて
も、本発明の範囲内にあることに変わりはない。It should be noted that, in FIG. 6, the surface of the light shielding film 503 located on the side opposite to the light incident surface does not protrude from the surface of the counter substrate 20 unlike the one shown in FIG. Are not essential differences, and both are within the scope of the present invention.

【００８５】（第４実施形態）以下では、第４実施形態
に係る遮光膜の構成及び作用について、図７を参照して
説明する。ここに、図７は、図３と同趣旨の図である
が、図３とは遮光膜の構成が若干異なる態様を示すもの
である。(Fourth Embodiment) The structure and operation of the light shielding film according to the fourth embodiment will be described below with reference to FIG. Here, FIG. 7 is a diagram having the same effect as FIG. 3, but shows a mode in which the configuration of the light shielding film is slightly different from that in FIG.

【００８６】第４実施形態においては、図７に示すよう
に、遮光膜５０４の光入射面が、凹形状を含むものとさ
れている。このような形態であっても、図７に示す通
り、入射光Ｌ４が遮光膜５０４の光入射面で反射を受け
ると、その反射光Ｌ４Ｒは、偏光板７０１に到達するこ
とが殆どなくなることがわかる。すなわち、上記した各
実施形態と略同様な作用効果が得られることが明白であ
る。In the fourth embodiment, as shown in FIG. 7, the light incident surface of the light shielding film 504 is assumed to include a concave shape. Even in such a form, as shown in FIG. 7, when the incident light L4 is reflected by the light incident surface of the light shielding film 504, the reflected light L4R hardly reaches the polarizing plate 701. Recognize. That is, it is apparent that the same operational effects as those of the above-described respective embodiments can be obtained.

【００８７】（第５実施形態）以下では、第５実施形態
に係る遮光膜の構成及び作用について、図８を参照して
説明する。ここに、図８は、図３と同趣旨の図である
が、図３とは遮光膜の構成が若干異なる態様を示すもの
である。(Fifth Embodiment) The structure and operation of the light shielding film according to the fifth embodiment will be described below with reference to FIG. Here, FIG. 8 is a diagram having the same purpose as FIG. 3, but shows a mode in which the configuration of the light shielding film is slightly different from that in FIG.

【００８８】第５実施形態においては、図８に示すよう
に、遮光膜５０５の断面が、略平行四辺形状を有するよ
うにされ、かつ、光入射面が、対向基板２０の表面に対
して傾きをもつ面とされている。このような形態であっ
ても、図８に示す通り、入射光Ｌ５が遮光膜５０５の光
入射面で反射を受けると、その反射光Ｌ５Ｒは、偏光板
７０１に到達することが殆どない。すなわち、上記した
各実施形態と略同様な作用効果が得られることが明白で
ある。In the fifth embodiment, as shown in FIG. 8, the light-shielding film 505 has a cross section of a substantially parallelogram shape, and the light incident surface is inclined with respect to the surface of the counter substrate 20. It is said to have a surface. Even in such a form, as shown in FIG. 8, when the incident light L5 is reflected by the light incident surface of the light shielding film 505, the reflected light L5R hardly reaches the polarizing plate 701. That is, it is apparent that the same operational effects as those of the above-described respective embodiments can be obtained.

【００８９】ちなみに、図８は、図２における符号ＣＲ
１を付した部分の拡大断面図であるから、対向基板２０
の中央部を含んで図示されている。そして、このことか
ら、図８に示すように、遮光膜５０５の光入射面の傾き
は、前記中央部を境にして、ちょうど逆の向きとなるよ
うされている。このような構成とすれば、上述の作用効
果を、より確実に享受し得ることが明白である。By the way, FIG. 8 shows the code CR in FIG.
Since it is an enlarged cross-sectional view of the part denoted by 1, the counter substrate 20
It is shown including the central part of the. From this, as shown in FIG. 8, the inclination of the light-incident surface of the light-shielding film 505 is set in the opposite direction with the central portion as a boundary. With such a configuration, it is clear that the above-described operational effects can be enjoyed more reliably.

【００９０】このように、本発明に係る遮光膜の態様と
しては、図示はしないが、上記の他種々のものを考える
ことができる。ただし、上記各実施形態における遮光膜
５０１乃至５０５、あるいはいま述べた、図示されない
種々の形態となる遮光膜において、共通していること
は、対向基板２０の表面に対して入射する光の少なくと
も一部を、画像表示領域１０ａ外へと反射させるよう
に、前記表面に対して傾いた光入射面を有するというこ
とである。例えば、図３においては、対向基板２０の中
央部を貫く直線Ａｘ（これは、すなわち基板２０の表面
の法線でもある。）と、遮光膜５０１のある一部を構成
する光入射面の法線Ｃとの間には、図示するような傾き
が存在している。要するに、前記表面と前記光入射面と
の間には、入射光Ｌ１を画像表示領域１０ａ外へと反射
させるような傾きが存在しているのである。なお、この
ようなことは、図５以下についても同様に成立すること
がわかる。As described above, as the mode of the light-shielding film according to the present invention, although not shown, various other than the above can be considered. However, what is common to the light-shielding films 501 to 505 in each of the above-described embodiments, or the light-shielding films having various forms (not shown) described above, is that at least one of the lights incident on the surface of the counter substrate 20 is common. This means that the part has a light incident surface inclined with respect to the surface so that the part is reflected to the outside of the image display area 10a. For example, in FIG. 3, a straight line Ax penetrating the central portion of the counter substrate 20 (this is also the normal line of the surface of the substrate 20) and the light incident surface forming a part of the light shielding film 501 are measured. An inclination as shown in the figure exists between the line C and the line C. In short, there is an inclination between the surface and the light incident surface that reflects the incident light L1 to the outside of the image display area 10a. It should be noted that such a thing is similarly established for FIGS.

【００９１】ちなみに、上記にいう、対向基板２０の表
面に対して入射する「光の少なくとも一部を、画像表示
領域１０ａ外へと反射させるように、前記表面に対して
傾いた光入射面」を、幾何学的に表現すると、「対向基
板２０の表面中央部で定義される法線を軸線とし、液晶
層５０の存在する側に頂点及び前記表面の存在する側に
底面を有する錐において、その稜線又は該稜線の延長線
に一致する法線がたつ光入射面」と言い換えることも可
能である。ここに、「錐」とは、具体的には、円錐、三
角錐、四角錐等々のことをいい、より一般的には、底面
の形状が如何なるものであっても、該底面の辺縁と一つ
の頂点とを結ぶことで定義される立体形状のことをいう
ものである。このような表現でも、上記の内容は言い表
されていると考えるが、特に、前記錐が円錐等その他の
軸線に対して対称な形状となる場合には、傾いた光入射
面の法線が、全方位的に画像表示領域１０ａ外に向くこ
とになるから、特に好ましい態様といえよう。なお、図
３における符号Ａｘ、Ｐ及びＣは、それぞれ、前記錐の
軸線、頂点及び稜線又は該稜線の延長線を示している。Incidentally, the above-mentioned "light incident surface inclined with respect to the surface of the counter substrate 20 so as to reflect at least a part of the light to the outside of the image display area 10a". Is expressed geometrically, "in a cone having a normal defined by the central portion of the surface of the counter substrate 20 as an axis and having a vertex on the side where the liquid crystal layer 50 is present and a bottom surface on the side where the surface is present, It is also possible to put it in another way as "a light incident surface having a normal line that coincides with the ridgeline or an extension of the ridgeline." Here, the “cone” specifically refers to a cone, a triangular pyramid, a quadrangular pyramid, and the like, and more generally, regardless of the shape of the bottom surface, It is a three-dimensional shape defined by connecting one vertex. Even with such an expression, it is considered that the above contents are expressed, but especially when the cone has a shape symmetrical with respect to other axes such as a cone, the normal line of the inclined light incident surface is This is a particularly preferable mode because it is omnidirectionally directed to the outside of the image display area 10a. The symbols Ax, P and C in FIG. 3 indicate the axis line, the apex and the ridge line of the cone or the extension line of the ridge line, respectively.

【００９２】（電気光学装置の回路構成及び動作、並び
に画素部における詳細な構成）以下では、上記構成とな
る電気光学装置の回路構成及び動作、並びに画素部にお
ける詳細な構成について、図９から図１１を参照して説
明する。ここに、図９は、電気光学装置の画像表示領域
を構成するマトリクス状に形成された複数の画素におけ
る各種素子、配線等の等価回路である。図１０は、デー
タ線、走査線、画素電極等が形成されたＴＦＴアレイ基
板の相隣接する複数の画素群の平面図である。図１１
は、図１０のＡ−Ａ´断面図である。なお、図１１にお
いては、各層・各部材を図面上で認識可能な程度の大き
さとするため、該各層・各部材ごとに縮尺を異ならしめ
てある。(Circuit Configuration and Operation of Electro-Optical Device and Detailed Configuration in Pixel Section) The circuit configuration and operation of the electro-optical device having the above configuration and the detailed configuration in the pixel section will be described below with reference to FIGS. This will be described with reference to FIG. Here, FIG. 9 is an equivalent circuit of various elements, wirings, and the like in a plurality of pixels that are formed in a matrix and form an image display area of the electro-optical device. FIG. 10 is a plan view of a plurality of pixel groups adjacent to each other on a TFT array substrate on which data lines, scanning lines, pixel electrodes, etc. are formed. Figure 11
FIG. 11 is a sectional view taken along the line AA ′ of FIG. 10. In FIG. 11, the scale of each layer / member is made different so that each layer / member has a size recognizable in the drawing.

【００９３】図９において、本実施形態における電気光
学装置の画像表示領域１０ａを構成するマトリクス状に
形成された複数の画素には、それぞれ、画素電極９ａと
当該画素電極９ａをスイッチング制御するためのＴＦＴ
３０とが形成されており、画像信号が供給されるデータ
線６ａが当該ＴＦＴ３０のソースに電気的に接続されて
いる。データ線６ａに書き込む画像信号Ｓ１、Ｓ２、
…、Ｓｎは、この順に線順次に供給しても構わないし、
相隣接する複数のデータ線６ａ同士に対して、グループ
毎に供給するようにしてもよい。In FIG. 9, a pixel electrode 9a and a pixel electrode 9a for switching control are provided for each of a plurality of pixels formed in a matrix forming the image display area 10a of the electro-optical device according to the present embodiment. TFT
And the data line 6a to which the image signal is supplied is electrically connected to the source of the TFT 30. Image signals S1, S2 to be written to the data line 6a,
, Sn may be supplied line-sequentially in this order,
The data lines 6a adjacent to each other may be supplied for each group.

【００９４】また、ＴＦＴ３０のゲートに走査線３ａが
電気的に接続されており、所定のタイミングで、走査線
３ａにパルス的に走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍを、こ
の順に線順次で印加するように構成されている。画素電
極９ａは、ＴＦＴ３０のドレインに電気的に接続されて
おり、スイッチング素子であるＴＦＴ３０を一定期間だ
けそのスイッチを閉じることにより、データ線６ａから
供給される画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎを所定のタイ
ミングで書き込む。The scanning line 3a is electrically connected to the gate of the TFT 30, and the scanning signals G1, G2, ..., Gm are pulse-wise applied in this order to the scanning line 3a in a pulsed manner at a predetermined timing. Is configured to. The pixel electrode 9a is electrically connected to the drain of the TFT 30, and by closing the switch of the TFT 30, which is a switching element, for a certain period, the image signals S1, S2, ..., Sn supplied from the data line 6a are transmitted. Write at a predetermined timing.

【００９５】画素電極９ａを介して電気光学物質の一例
としての液晶に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｓ
１、Ｓ２、…、Ｓｎは、対向基板に形成された対向電極
との間で一定期間保持される。液晶は、印加される電圧
レベルにより分子集合の配向や秩序が変化することによ
り、光を変調し、階調表示を可能とする。ノーマリーホ
ワイトモードであれば、各画素の単位で印加された電圧
に応じて入射光に対する透過率が減少し、ノーマリーブ
ラックモードであれば、各画素の単位で印加された電圧
に応じて入射光に対する透過率が増加され、全体として
電気光学装置からは画像信号に応じたコントラストをも
つ光が出射する。An image signal S of a predetermined level written in liquid crystal as an example of an electro-optical material via the pixel electrode 9a.
, S2, ..., Sn are held for a certain period between the counter electrode and the counter electrode formed on the counter substrate. The liquid crystal modulates light by changing the orientation and order of the molecular assembly depending on the applied voltage level, and enables gradation display. In the normally white mode, the transmittance for incident light is reduced according to the voltage applied in each pixel unit, and in the normally black mode, the incident light is incident according to the voltage applied in each pixel unit. The transmittance for light is increased, and light having a contrast corresponding to an image signal is emitted from the electro-optical device as a whole.

【００９６】ここで保持された画像信号がリークするの
を防ぐために、画素電極９ａと対向電極２１との間に形
成される液晶容量と並列に蓄積容量７０を付加する。走
査線３ａに並んで、蓄積容量７０の固定電位側容量電極
を含むとともに定電位に固定された容量線３００が設け
られている。In order to prevent the held image signal from leaking, a storage capacitor 70 is added in parallel with the liquid crystal capacitor formed between the pixel electrode 9a and the counter electrode 21. A capacitance line 300 including a fixed potential side capacitance electrode of the storage capacitance 70 and fixed at a constant potential is provided in parallel with the scanning line 3a.

【００９７】以下では、上記データ線６ａ、走査線３
ａ、ＴＦＴ３０等による、上述のような回路動作が実現
される電気光学装置の、実際的な構成について、図１０
及び図１１を参照して説明する。In the following, the data line 6a and the scanning line 3 will be described.
10A and 10B show a practical configuration of an electro-optical device that realizes the above-described circuit operation by the a, the TFT 30, and the like.
And FIG. 11 will be described.

【００９８】まず、本実施形態に係る電気光学装置は、
図１０の断面図たる図１１に示すように、透明なＴＦＴ
アレイ基板１０と、これに対向配置される透明な対向基
板２０とを備えている。ＴＦＴアレイ基板１０は、例え
ば、石英基板、ガラス基板、シリコン基板からなり、対
向基板２０は、例えばガラス基板や石英基板からなる。First, the electro-optical device according to this embodiment is
As shown in FIG. 11 which is a sectional view of FIG.
The array substrate 10 and the transparent counter substrate 20 arranged to face the array substrate 10 are provided. The TFT array substrate 10 is made of, for example, a quartz substrate, a glass substrate, or a silicon substrate, and the counter substrate 20 is made of, for example, a glass substrate or a quartz substrate.

【００９９】図１１に示すように、ＴＦＴアレイ基板１
０には、画素電極９ａが設けられており、その上側に
は、ラビング処理等の所定の配向処理が施された配向膜
１６が設けられている。画素電極９ａは、例えばＩＴＯ
（Indium Tin Oxide）膜等の透明導電性膜からなる。ま
た、配向膜１６は、例えばポリイミド膜等の有機膜から
なる。As shown in FIG. 11, the TFT array substrate 1
A pixel electrode 9a is provided at 0, and an alignment film 16 that has been subjected to a predetermined alignment process such as a rubbing process is provided above the pixel electrode 9a. The pixel electrode 9a is, for example, ITO.
(Indium Tin Oxide) film or other transparent conductive film. The alignment film 16 is made of an organic film such as a polyimide film.

【０１００】他方、対向基板２０には、その全面に渡っ
て対向電極２１が設けられており、その下側には、ラビ
ング処理等の所定の配向処理が施された配向膜２２が設
けられている。対向電極２１は、例えばＩＴＯ膜等の透
明導電性膜からなる。また、配向膜２２は、ポリイミド
膜等の透明な有機膜からなる。On the other hand, the counter substrate 20 is provided with a counter electrode 21 over the entire surface thereof, and on the lower side thereof, an alignment film 22 subjected to a predetermined alignment treatment such as rubbing treatment is provided. There is. The counter electrode 21 is made of a transparent conductive film such as an ITO film. The alignment film 22 is made of a transparent organic film such as a polyimide film.

【０１０１】ここで、本実施形態においては特に、対向
基板２０上に、上述した格子状パターンを有する遮光膜
５０１が形成されている。この遮光膜５０１は、既に述
べたように、対向基板２０の表面に対して入射する光の
少なくとも一部を、前記画像表示領域１０ａ外へと反射
させるように、前記表面に対して傾いた光入射面を有す
ることに特徴がある（ただし、図１１においては、断面
位置等の関係から明らかではない。）。Here, particularly in the present embodiment, the light shielding film 501 having the above-mentioned lattice-shaped pattern is formed on the counter substrate 20. As described above, the light shielding film 501 is a light inclined with respect to the surface of the counter substrate 20 so that at least a part of the light incident on the surface is reflected to the outside of the image display region 10a. It is characterized by having an incident surface (however, in FIG. 11, it is not clear from the relationship of the cross-sectional position, etc.).

【０１０２】一方、図１０において、電気光学装置の透
明なＴＦＴアレイ基板上には、マトリクス状に複数の透
明な画素電極９ａ（点線部９ａ´により輪郭が示されて
いる）が設けられており、画素電極９ａの縦横の境界に
各々沿ってデータ線６ａ及び走査線３ａが設けられてい
る。On the other hand, in FIG. 10, on the transparent TFT array substrate of the electro-optical device, a plurality of transparent pixel electrodes 9a (outlined by a dotted line portion 9a ') are provided in a matrix. A data line 6a and a scanning line 3a are provided along the vertical and horizontal boundaries of the pixel electrode 9a.

【０１０３】走査線３ａは、半導体層１ａのうち図中右
上がりの斜線領域で示したチャネル領域１ａ´に対向す
るように配置されており、走査線３ａはゲート電極とし
て機能する。すなわち、走査線３ａとデータ線６ａとの
交差する箇所にはそれぞれ、チャネル領域１ａ´に走査
線３ａの本線部がゲート電極として対向配置された画素
スイッチング用のＴＦＴ３０が設けられている。The scanning line 3a is arranged so as to face a channel region 1a 'of the semiconductor layer 1a, which is shown by a hatched region in the figure, and the scanning line 3a functions as a gate electrode. That is, pixel switching TFTs 30 are provided at the intersections of the scanning lines 3a and the data lines 6a, in which the main line portions of the scanning lines 3a are opposed to each other as gate electrodes in the channel region 1a '.

【０１０４】ＴＦＴ３０は、図１１に示すように、ＬＤ
Ｄ（Lightly Doped Drain）構造を有しており、その構
成要素としては、上述したようにゲート電極として機能
する走査線３ａ、例えばポリシリコン膜からなり走査線
３ａからの電界によりチャネルが形成される半導体層１
ａのチャネル領域１ａ´、走査線３ａと半導体層１ａと
を絶縁するゲート絶縁膜を含む絶縁膜２、半導体層１ａ
における低濃度ソース領域１ｂ及び低濃度ドレイン領域
１ｃ並びに高濃度ソース領域１ｄ及び高濃度ドレイン領
域１ｅを備えている。As shown in FIG. 11, the TFT 30 is an LD
It has a D (Lightly Doped Drain) structure, and as a constituent element thereof, a channel is formed by an electric field from the scanning line 3a that functions as a gate electrode as described above, for example, a polysilicon film. Semiconductor layer 1
a channel region 1a ', an insulating film 2 including a gate insulating film for insulating the scanning line 3a and the semiconductor layer 1a, and the semiconductor layer 1a.
The low concentration source region 1b and the low concentration drain region 1c, and the high concentration source region 1d and the high concentration drain region 1e are provided.

【０１０５】なお、ＴＦＴ３０は、好ましくは図１１に
示したようにＬＤＤ構造をもつが、低濃度ソース領域１
ｂ及び低濃度ドレイン領域１ｃに不純物の打ち込みを行
わないオフセット構造をもってよいし、走査線３ａの一
部からなるゲート電極をマスクとして高濃度で不純物を
打ち込み、自己整合的に高濃度ソース領域及び高濃度ド
レイン領域を形成するセルフアライン型のＴＦＴであっ
てもよい。また、本実施形態では、画素スイッチング用
ＴＦＴ３０のゲート電極を、高濃度ソース領域１ｄ及び
高濃度ドレイン領域１ｅ間に１個のみ配置したシングル
ゲート構造としたが、これらの間に２個以上のゲート電
極を配置してもよい。このようにデュアルゲート、ある
いはトリプルゲート以上でＴＦＴを構成すれば、チャネ
ルとソース及びドレイン領域との接合部のリーク電流を
防止でき、オフ時の電流を低減することができる。さら
に、ＴＦＴ３０を構成する半導体層１ａは非単結晶層で
も単結晶層でも構わない。単結晶層の形成には、貼り合
わせ法等の公知の方法を用いることができる。半導体層
１ａを単結晶層とすることで、特に周辺回路の高性能化
を図ることができる。The TFT 30 preferably has an LDD structure as shown in FIG.
b and the lightly doped drain region 1c may have an offset structure in which no impurity is implanted, and the impurity is implanted at a high concentration by using the gate electrode formed of a part of the scanning line 3a as a mask to self-align with the highly concentrated source region and It may be a self-aligned TFT that forms the concentration drain region. Further, in the present embodiment, the gate electrode of the pixel switching TFT 30 has a single gate structure in which only one gate electrode is arranged between the high-concentration source region 1d and the high-concentration drain region 1e, but two or more gates are provided between them. The electrodes may be arranged. As described above, if the TFT is configured with dual gates or triple gates or more, it is possible to prevent the leak current at the junction between the channel and the source and drain regions, and reduce the off-time current. Further, the semiconductor layer 1a forming the TFT 30 may be a non-single crystal layer or a single crystal layer. A known method such as a bonding method can be used for forming the single crystal layer. By forming the semiconductor layer 1a as a single crystal layer, it is possible to particularly improve the performance of peripheral circuits.

【０１０６】一方、図１０及び図１１に示すように、蓄
積容量７０が、ＴＦＴ３０の高濃度ドレイン領域１ｅ及
び画素電極９ａに接続された画素電位側容量電極として
の中継層７１と、固定電位側容量電極としての容量線３
００の一部とが、誘電体膜７５を介して対向配置される
ことにより形成されている。この蓄積容量７０によれ
ば、画素電極９ａにおける電位保持特性を顕著に高める
ことが可能となる。On the other hand, as shown in FIGS. 10 and 11, the storage capacitor 70 includes a relay layer 71 as a pixel potential side capacitance electrode connected to the high concentration drain region 1e of the TFT 30 and the pixel electrode 9a, and a fixed potential side. Capacitance line 3 as a capacity electrode
00 are formed so as to face each other with the dielectric film 75 interposed therebetween. With this storage capacitor 70, the potential holding characteristic of the pixel electrode 9a can be remarkably improved.

【０１０７】中継層７１は、例えば導電性のポリシリコ
ン膜からなり画素電位側容量電極として機能する。ただ
し、中継層７１は、後に詳述する容量線３００と同様
に、金属又は合金を含む単一層膜又は多層膜から構成し
てもよい。中継層７１は、画素電位側容量電極としての
機能のほか、コンタクトホール８３及び８５を介して、
画素電極９ａとＴＦＴ３０の高濃度ドレイン領域１ｅと
を中継接続する機能をもつ。The relay layer 71 is made of, for example, a conductive polysilicon film and functions as a pixel potential side capacitance electrode. However, the relay layer 71 may be composed of a single-layer film or a multi-layer film containing a metal or an alloy, like the capacitance line 300 described in detail later. The relay layer 71 has a function as a pixel potential side capacitance electrode, and also via the contact holes 83 and 85,
It has a function of relay-connecting the pixel electrode 9a and the high-concentration drain region 1e of the TFT 30.

【０１０８】容量線３００は、例えば金属又は合金を含
む導電膜からなり固定電位側容量電極として機能する。
この容量線３００は、平面的に見ると、図１０に示すよ
うに、走査線３ａの形成領域に重ねて形成されている。
より具体的には容量線３００は、走査線３ａに沿って延
びる本線部と、図中、データ線６ａと交差する各個所か
らデータ線６ａに沿って上方に夫々突出した突出部と、
コンタクトホール８５に対応する個所が僅かに括れた括
れ部とを備えている。このうち突出部は、走査線３ａ上
の領域及びデータ線６ａ下の領域を利用して、蓄積容量
７０の形成領域の増大に貢献する。The capacitance line 300 is made of a conductive film containing metal or alloy, for example, and functions as a fixed potential side capacitance electrode.
When seen in a plan view, the capacitance line 300 is formed so as to overlap the formation region of the scanning line 3a, as shown in FIG.
More specifically, the capacitance line 300 includes a main line portion extending along the scanning line 3a, and projecting portions projecting upward along the data line 6a from respective points intersecting the data line 6a in the figure.
A portion corresponding to the contact hole 85 is provided with a slightly constricted portion. Of these, the protrusion contributes to the increase of the formation region of the storage capacitor 70 by utilizing the region above the scanning line 3a and the region below the data line 6a.

【０１０９】このような容量線３００は、好ましくは高
融点金属を含む導電性遮光膜からなり、蓄積容量７０の
固定電位側容量電極としての機能のほか、ＴＦＴ３０の
上側において入射光からＴＦＴ３０を遮光する遮光層と
しての機能をもつ。Such a capacitance line 300 is preferably made of a conductive light-shielding film containing a refractory metal, functions as a fixed potential side capacitance electrode of the storage capacitor 70, and shields the TFT 30 from the incident light on the upper side of the TFT 30. It also has a function as a light-shielding layer.

【０１１０】誘電体膜７５は、図１１に示すように、例
えば膜厚５〜２００ｎｍ程度の比較的薄いＨＴＯ（High
Temperature Oxide）膜、ＬＴＯ（Low Temperature Ox
ide）膜等の酸化シリコン膜、あるいは窒化シリコン膜
等から構成される。蓄積容量７０を増大させる観点から
は、膜の信頼性が十分に得られる限りにおいて、誘電体
膜７５は薄いほどよい。As shown in FIG. 11, the dielectric film 75 has a relatively thin HTO (High
Temperature Oxide) film, LTO (Low Temperature Ox)
ide) film or the like, or a silicon nitride film or the like. From the viewpoint of increasing the storage capacitance 70, the thinner the dielectric film 75 is, the better as long as the reliability of the film is sufficiently obtained.

【０１１１】図１０及び図１１においては、上記のほ
か、ＴＦＴ３０の下側に、下側遮光膜１１ａが設けられ
ている。下側遮光膜１１ａは、格子状にパターニングさ
れており、これにより各画素の開口領域を規定してい
る。また、開口領域の規定は、図１０中縦方向に延びる
データ線６ａと図１０中横方向に延びる容量線３００と
が相交差して形成されることによっても、なされてい
る。In addition to the above, in FIGS. 10 and 11, a lower light-shielding film 11a is provided below the TFT 30. The lower light-shielding film 11a is patterned in a lattice pattern, and thereby defines the opening area of each pixel. The opening area is also defined by the data line 6a extending in the vertical direction in FIG. 10 and the capacitance line 300 extending in the horizontal direction in FIG. 10 intersecting each other.

【０１１２】なお、下側遮光膜１１ａについても、前述
の容量線３００の場合と同様に、その電位変動がＴＦＴ
３０に対して悪影響を及ぼすことを避けるために、画像
表示領域からその周囲に延設して定電位源に接続すると
よい。As for the lower light-shielding film 11a, the potential fluctuations of the TFT are similar to those of the capacitance line 300 described above.
In order to avoid adversely affecting 30, it is preferable to extend from the image display area to its periphery and connect it to a constant potential source.

【０１１３】また、ＴＦＴ３０下には、下地絶縁膜１２
が設けられている。下地絶縁膜１２は、下側遮光膜１１
ａからＴＦＴ３０を層間絶縁する機能のほか、ＴＦＴア
レイ基板１０の全面に形成されることにより、ＴＦＴア
レイ基板１０の表面研磨時における荒れや、洗浄後に残
る汚れ等で画素スイッチング用のＴＦＴ３０の特性変化
を防止する機能を有する。Under the TFT 30, the base insulating film 12 is formed.
Is provided. The base insulating film 12 is the lower light-shielding film 11
In addition to the function of insulating the TFT 30 from a through the interlayer insulation, it is formed on the entire surface of the TFT array substrate 10 to change the characteristics of the TFT 30 for pixel switching due to surface roughness of the TFT array substrate 10 and stains remaining after cleaning. It has a function to prevent

【０１１４】走査線３ａ上には、高濃度ソース領域１ｄ
へ通じるコンタクトホール８１及び高濃度ドレイン領域
１ｅへ通じるコンタクトホール８３がそれぞれ開孔され
た第１層間絶縁膜４１が形成されている。A high concentration source region 1d is formed on the scanning line 3a.
A first interlayer insulating film 41 is formed in which a contact hole 81 leading to and a contact hole 83 leading to the high-concentration drain region 1e are opened.

【０１１５】第１層間絶縁膜４１上には、中継層７１、
中継層７２及び容量線３００が形成されており、これら
の上には高濃度ソース領域１ｄ中継層７２へ通じるコン
タクトホール８１及び中継層７１へ通じるコンタクトホ
ール８５がそれぞれ開孔された第２層間絶縁膜４２が形
成されている。On the first interlayer insulating film 41, the relay layer 71,
The relay layer 72 and the capacitor line 300 are formed, and the second interlayer insulation in which the contact hole 81 leading to the high-concentration source region 1d relay layer 72 and the contact hole 85 leading to the relay layer 71 are respectively formed thereon. The film 42 is formed.

【０１１６】なお、本実施形態では、第１層間絶縁膜４
１に対しては、約１０００℃の焼成を行うことにより、
半導体層１ａや走査線３ａを構成するポリシリコン膜に
注入したイオンの活性化を図ってもよい。他方、第２層
間絶縁膜４２に対しては、このような焼成を行わないこ
とにより、容量線３００の界面付近に生じるストレスの
緩和を図るようにしてもよい。In the present embodiment, the first interlayer insulating film 4
For 1, by firing at about 1000 ℃,
The ions implanted into the polysilicon film forming the semiconductor layer 1a and the scanning line 3a may be activated. On the other hand, the second interlayer insulating film 42 may be subjected to no such firing to reduce the stress generated near the interface of the capacitance line 300.

【０１１７】第２層間絶縁膜４２上には、データ線６ａ
が形成されており、これらの上には中継層７１へ通じる
コンタクトホール８５が形成された第３層間絶縁膜４３
が形成されている。The data line 6a is formed on the second interlayer insulating film 42.
Are formed, and the third interlayer insulating film 43 in which a contact hole 85 leading to the relay layer 71 is formed is formed thereon.
Are formed.

【０１１８】第３層間絶縁膜４３の表面は、ＣＭＰ（Ch
emical Mechanical Polishing）処理等により平坦化さ
れており、その下方に存在する各種配線や素子等による
段差に起因する液晶層５０の配向不良を低減する。The surface of the third interlayer insulating film 43 is CMP (Ch
The liquid crystal layer 50 is flattened by an emical mechanical polishing process or the like, and reduces misalignment of the liquid crystal layer 50 due to a step due to various wirings and elements existing therebelow.

【０１１９】ただし、このように第３層間絶縁膜４３に
平坦化処理を施すのに代えて、又は加えて、ＴＦＴアレ
イ基板１０、下地絶縁膜１２、第１層間絶縁膜４１及び
第２層間絶縁膜４２のうち少なくとも一つに溝を掘っ
て、データ線６ａ等の配線やＴＦＴ３０等を埋め込むこ
とにより、平坦化処理を行ってもよい。However, instead of or in addition to performing the flattening process on the third interlayer insulating film 43 as described above, the TFT array substrate 10, the base insulating film 12, the first interlayer insulating film 41 and the second interlayer insulating film are formed. A flattening process may be performed by forming a groove in at least one of the films 42 and burying the wiring such as the data line 6a and the TFT 30.

【０１２０】ここで、上記のような構成となる本実施形
態の電気光学装置においては特に、上述したように、遮
光機能を有する又は有するものとされた、容量線３０
０、データ線６ａ、又は下側遮光膜１１ａについて、Ｔ
ＦＴアレイ基板１０の表面に対して入射する光の少なく
とも一部を、画像表示領域１０ａ外へと反射させるよう
に、前記表面に対して傾いた光入射面を有するように構
成してもよい。このような構成によれば、本実施形態に
係る電気光学装置を、例えばカラー表示可能な複板式の
液晶プロジェクタにおける一のライトバルブとして適用
する場合を想定すると、他のライトバルブを通り抜けた
光、いわゆる「戻り光」が当該一のライトバルブのＴＦ
Ｔアレイ基板１０に対して入射することになるから、該
一のライトバルブにおける前記戻り光に起因した熱の蓄
積が生じることを防止することが可能となる。Here, in the electro-optical device of the present embodiment having the above-mentioned structure, the capacitance line 30 having the light-shielding function or having the light-shielding function is described above.
0, the data line 6a, or the lower light-shielding film 11a, T
The FT array substrate 10 may have a light incident surface inclined with respect to the surface of the FT array substrate 10 so that at least a part of the light incident on the surface is reflected to the outside of the image display region 10a. According to such a configuration, assuming that the electro-optical device according to the present embodiment is applied as one light valve in a multi-plate liquid crystal projector capable of color display, light passing through another light valve, The so-called "return light" is the TF of the one light valve.
Since the light is incident on the T array substrate 10, it is possible to prevent the accumulation of heat due to the return light in the one light valve.

【０１２１】（遮光膜の製造方法）以下では、上述した
第３実施形態に係る遮光膜５０３（図６参照）の製造方
法について、図１２を参照して説明する。ここに、図１
２は、第３実施形態に係る遮光膜５０３の製造プロセス
の順を追って示す工程断面図である。なお、図１２は、
図６との関係において、上下がちょうど逆の関係になっ
ていることに注意されたい。(Method of Manufacturing Light-Shielding Film) A method of manufacturing the light-shielding film 503 (see FIG. 6) according to the third embodiment described above will be described below with reference to FIG. Figure 1
2A to 2C are process cross-sectional views sequentially showing the manufacturing process of the light shielding film 503 according to the third embodiment. In addition, FIG.
Note that in relation to FIG. 6, the top and bottom are just the opposite.

【０１２２】まず、図１２の工程（１）に示すように、
対向基板２０上にマスク層９９０を形成する。次に、図
１２の工程（２）に示すように、このマスク層９９０に
対して、フォトリソグラフィ法のパターニング処理によ
り、所定の平面配列となる開口部９９１ａ及び９９１ｂ
を形成する。このとき、開口部９９１ａは、次工程以
降、遮光膜５０３が形成されるべき領域に対応して形成
されるとともに、その開口径は、開口部９９１ｂのそれ
と比べて小さくされ、開口部９９１ｂは、次工程以降、
凹型のマイクロレンズ６０１が形成されるべき領域に対
応して形成されるとともに、その開口径は、開口部９９
１ａのそれと比べて大きくされている。また、これら開
口部９９１ａ及び９９１ｂの開口径は、それぞれ、図１
２の工程（２）に示すように、実際に形成しようとする
遮光膜５０３用の、又は凹型のマイクロレンズ６０１用
の、凹曲面部の径よりも小さいことが望ましい。First, as shown in step (1) of FIG.
A mask layer 990 is formed on the counter substrate 20. Next, as shown in step (2) of FIG. 12, the mask layer 990 is patterned by photolithography to form openings 991a and 991b having a predetermined planar arrangement.
To form. At this time, the opening 991a is formed corresponding to the region where the light shielding film 503 is to be formed after the next step, and the opening diameter is made smaller than that of the opening 991b. After the next process,
The concave microlens 601 is formed corresponding to a region where the microlens 601 is to be formed, and the opening diameter is equal to that of the opening 99.
It is made larger than that of 1a. In addition, the opening diameters of these openings 991a and 991b are as shown in FIG.
As shown in the step (2) of No. 2, it is desirable that the diameter is smaller than the diameter of the concave curved surface portion for the light shielding film 503 to be actually formed or for the concave microlens 601.

【０１２３】次に、図１２の工程（３）に示すように、
マスク層９９０の開口部９９１ａ及び９９１ｂのそれぞ
れから、対向基板２０の面を等方的にエッチング処理
し、凹曲面部９９２ａ及び９９２ｂを形成する。このエ
ッチング処理は、例えばフッ酸を主体とするエッチング
液を用いた湿式エッチングで行う。この際、ウェットエ
ッチングの一般的特性により、当該エッチング処理を一
時に行うことによっても、開口径が小さい開口部９９１
ａでは、その深さが小さく、かつ、マスク層９９０と対
向基板２０との界面に対するエッチング量（以下、便宜
上「抉り込み量」という。）が小さい凹曲面部９９２ａ
が形成されるとともに、開口径が大きい開口部９９１ｂ
では、その深さが大きく、かつ、抉り込み量が大きい凹
曲面部９９２ｂが形成されることになる。つまり、本実
施形態では、マイクロレンズを形成すべき凹曲面部９９
２ｂを形成する工程と、遮光膜を形成すべき凹曲面部９
９２ａを形成する工程とが、同時に実施されることにな
る。Next, as shown in step (3) of FIG.
The surface of the counter substrate 20 is isotropically etched from the openings 991a and 991b of the mask layer 990 to form concave curved surface portions 992a and 992b. This etching process is performed by wet etching using an etching solution mainly containing hydrofluoric acid, for example. At this time, due to the general characteristics of wet etching, even if the etching process is performed at a time, the opening 991 having a small opening diameter is formed.
In the case of a, the concave curved surface portion 992a has a small depth and a small etching amount (hereinafter, referred to as “grooving amount” for convenience) with respect to the interface between the mask layer 990 and the counter substrate 20.
And the opening 991b having a large opening diameter.
Then, the concave curved surface portion 992b having a large depth and a large amount of hollowing is formed. That is, in this embodiment, the concave curved surface portion 99 where the microlens is to be formed.
2b, and the concave curved surface portion 9 on which the light shielding film is to be formed.
The step of forming 92a will be performed at the same time.

【０１２４】このようなエッチング処理が終了したら次
に、図１２の工程（４）に示すように、マスク層９９０
をエッチング処理によって除去する。そして次に、図１
２の工程（５）に示すように、開口部９９２ａに対して
のみ、遮光性能を有する材料、具体的には例えば、アル
ミニウム等からなる光反射率の大きい材料を成膜する。
このような成膜は、例えば、上述のマスク層９９０に関
するのと同様な手法、すなわちフォトリソグラフィ法等
によって、凹曲面部９９２ｂに対してのみマスク層を形
成するとともに、凹曲面部９９２ａ上には該マスク層の
開口部を形成するような形態を利用して実施するとよ
い。この工程により、遮光膜５０３が形成される。After the etching process as described above is completed, the mask layer 990 is then formed as shown in step (4) of FIG.
Are removed by an etching process. And then, as shown in FIG.
As shown in the step (5) of No. 2, a material having a light-shielding property, specifically, a material having a high light reflectance, such as aluminum, is formed only on the opening 992a.
For such film formation, for example, a mask layer is formed only on the concave curved surface portion 992b by a method similar to that for the above-described mask layer 990, that is, a photolithography method, and the concave curved surface portion 992a is formed. It may be carried out by utilizing a form in which the opening of the mask layer is formed. Through this step, the light shielding film 503 is formed.

【０１２５】次に、図１２の工程（６）に示すように、
マイクロレンズ６０１の表面に熱硬化性の接着剤６１２
を塗布してネオセラム等からなるカバーガラス６１１を
押し付けて硬化させる。このカバーガラス６１１につい
ては、所定の厚さとなるような研磨を施してもよい。そ
して最後に、対向電極２１及び配向膜２２をスパッタリ
ング、コーティング等によりこの順に成膜して、図６に
示した如きマイクロレンズ６０１及び遮光膜５０３を備
えた対向基板２０を完成させる。なお、図１２において
は、偏光板７０１等が示されていないが、該偏光板７０
１等については、通常、電気光学装置全体の完成をみた
後、該電気光学装置に対して外付けされる形で、貼着さ
れることになる。Next, as shown in step (6) of FIG.
A thermosetting adhesive 612 is formed on the surface of the microlens 601.
Is applied and a cover glass 611 made of neocerum or the like is pressed to cure. The cover glass 611 may be polished so as to have a predetermined thickness. Finally, the counter electrode 21 and the alignment film 22 are formed in this order by sputtering, coating, etc., and the counter substrate 20 having the microlenses 601 and the light shielding film 503 as shown in FIG. 6 is completed. Although the polarizing plate 701 and the like are not shown in FIG.
Regarding 1 and the like, after the completion of the electro-optical device as a whole, it is usually attached to the electro-optical device in an externally attached form.

【０１２６】このように、本実施形態によれば、遮光膜
５０３を形成する工程の一部を、マイクロレンズ６０１
を形成する工程と同時に実施することが可能となるか
ら、製造コストを相応分低減することが可能となる。As described above, according to this embodiment, part of the process of forming the light shielding film 503 is performed by the microlens 601.
Since it can be performed simultaneously with the step of forming, it is possible to reduce the manufacturing cost by a corresponding amount.

【０１２７】（電子機器の実施形態）次に、以上詳細に
説明した電気光学装置をライトバルブとして用いた電子
機器の一例たる投射型カラー表示装置の実施形態につい
て、その全体構成、特に光学的な構成について説明す
る。ここに、図１３は、投射型カラー表示装置の図式的
断面図である。(Embodiment of Electronic Equipment) Next, regarding the embodiment of the projection type color display device which is an example of the electronic equipment using the electro-optical device described in detail above as a light valve, its overall structure, particularly optical The configuration will be described. FIG. 13 is a schematic sectional view of the projection type color display device.

【０１２８】図１３において、本実施形態における投射
型カラー表示装置の一例たる液晶プロジェクタ１１００
は、駆動回路がＴＦＴアレイ基板上に搭載された液晶装
置を含む液晶モジュールを３個用意し、それぞれＲＧＢ
用のライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇ及び１００Ｂとし
て用いたプロジェクタとして構成されている。液晶プロ
ジェクタ１１００では、メタルハライドランプ等の白色
光源のランプユニット１１０２から投射光が発せられる
と、３枚のミラー１１０６及び２枚のダイクロックミラ
ー１１０８によって、ＲＧＢの三原色に対応する光成分
Ｒ、Ｇ及びＢに分けられ、各色に対応するライトバルブ
１００Ｒ、１００Ｇ及び１００Ｂにそれぞれ導かれる。
この際特に、Ｂ光は、長い光路による光損失を防ぐため
に、入射レンズ１１２２、リレーレンズ１１２３及び出
射レンズ１１２４からなるリレーレンズ系１１２１を介
して導かれる。そして、ライトバルブ１００Ｒ、１００
Ｇ及び１００Ｂによりそれぞれ変調された三原色に対応
する光成分は、ダイクロックプリズム１１１２により再
度合成された後、投射レンズ１１１４を介してスクリー
ン１１２０にカラー画像として投射される。In FIG. 13, a liquid crystal projector 1100 which is an example of the projection type color display device in this embodiment.
Prepares three liquid crystal modules including a liquid crystal device in which the driving circuit is mounted on the TFT array substrate.
It is configured as a projector used as the light valves 100R, 100G, and 100B for the. In the liquid crystal projector 1100, when the projection light is emitted from the lamp unit 1102 of a white light source such as a metal halide lamp, the three mirrors 1106 and the two dichroic mirrors 1108 cause the light components R, G and R corresponding to the three primary colors of RGB to be generated. It is divided into B and is led to the light valves 100R, 100G and 100B corresponding to the respective colors.
At this time, in particular, the B light is guided through a relay lens system 1121 including an entrance lens 1122, a relay lens 1123, and an exit lens 1124 in order to prevent light loss due to a long optical path. Then, the light valves 100R, 100
The light components corresponding to the three primary colors respectively modulated by G and 100B are combined again by the dichroic prism 1112 and then projected as a color image on the screen 1120 via the projection lens 1114.

【０１２９】また、この投射型カラー表示装置では、ラ
ンプユニット１１０２からは、強力な光が発せられるこ
とから、ライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇ及び１００Ｂ
において、熱の蓄積が生じないように、冷却ファン１１
４１が装着されている。そして、上述のような各種構成
は、全体的に、モールド１１５１内に収容されてなる。Further, in this projection type color display device, since strong light is emitted from the lamp unit 1102, the light valves 100R, 100G and 100B.
In order to prevent heat accumulation, the cooling fan 11
41 is attached. The various configurations as described above are generally housed in the mold 1151.

【０１３０】このような構成となる本実施形態において
は特に、上記ライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇ及び１０
０Ｂにおいて、上述した電気光学装置が適用されている
ことから、次のような作用効果が得られることになる。
すなわち、該ライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇ及び１０
０Ｂにおいては、遮光膜５０１等の作用により、熱の蓄
積が生じることが殆どないから、従来に比べて、冷却フ
ァン１１４１において特段に優れた能力を要求する必要
がない。したがって、従来に比べて、消費電力を小さ
く、また、静穏化した投射型カラー表示装置を提供する
ことが可能となる。Particularly in the present embodiment having such a configuration, the light valves 100R, 100G and 10 are used.
Since the electro-optical device described above is applied to 0B, the following operational effects can be obtained.
That is, the light valves 100R, 100G and 10
In 0B, heat is hardly accumulated due to the action of the light shielding film 501 and the like, so that it is not necessary to request the cooling fan 1141 to have a particularly excellent capability as compared with the conventional case. Therefore, it is possible to provide a projection-type color display device that consumes less power and is quieter than conventional ones.

【０１３１】また一方、前記モールド１１５１によれ
ば、遮光膜における、凸形状を含む光入射面により反射
され、ライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇ及び１００Ｂの
外部に至った光は、当該モールド１１５１の内面におい
て吸収されることになる。したがって、本実施形態によ
れば、いわゆる迷光の発生、ないしその無用な乱反射等
というような現象が生じることがなく、安定した画像表
示が可能となる。この場合、モールド１１５１の内面
を、例えば、その内面を黒色に塗装しておく等、光吸収
がより生じやすい形態としておけば、より好ましい。On the other hand, according to the mold 1151, the light reflected by the light incident surface including the convex shape in the light shielding film and reaching the outside of the light valves 100R, 100G and 100B is absorbed by the inner surface of the mold 1151. Will be done. Therefore, according to the present embodiment, a stable image display can be performed without the occurrence of so-called stray light or unnecessary diffused reflection thereof. In this case, it is more preferable to form the inner surface of the mold 1151 in a form in which light absorption is more likely to occur, for example, by painting the inner surface in black.

【０１３２】本発明は、上述した実施形態に限られるも
のではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れる
発明の要旨、あるいは思想に反しない範囲で適宜変更可
能であり、そのような変更を伴う電気光学装置及びその
製造方法並びに電子機器及び投射型表示装置もまた、本
発明の技術的範囲に含まれるものである。The present invention is not limited to the above-described embodiments, but can be appropriately modified within the scope of the gist or the concept of the invention which can be read from the claims and the entire specification, and accompanying such modifications. The electro-optical device, the manufacturing method thereof, the electronic device, and the projection display device are also included in the technical scope of the present invention.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図１】 本発明の実施形態の電気光学装置におけるＴ
ＦＴアレイ基板を、その上に形成された各構成要素とと
もに対向基板の側から見た平面図である。FIG. 1 illustrates a T in an electro-optical device according to an embodiment of the invention.
It is the top view which looked at an FT array substrate from the counter substrate side with each component formed on it.

【図２】 図１のＨ−Ｈ´断面図である。FIG. 2 is a sectional view taken along line HH ′ of FIG.

【図３】 本発明の第１実施形態に係り、図２に示す符
号ＣＲ１を付した円内部分を拡大して示す断面図であっ
て、その断面に凸形状を含む遮光膜の構成を示すもので
ある。FIG. 3 is a cross-sectional view showing, in an enlarged manner, a portion inside a circle denoted by reference numeral CR1 shown in FIG. 2 according to the first embodiment of the present invention, and showing a configuration of a light-shielding film including a convex shape in its cross-section. It is a thing.

【図４】 図３に示す遮光膜の構成の斜視図である。FIG. 4 is a perspective view of the configuration of the light shielding film shown in FIG.

【図５】 本発明の第２実施形態に係り、図２に示す符
号ＣＲ２を付した円内部分を拡大して示す断面図であっ
て、その断面に凸形状を含むとともに、基板中央部から
周辺部にかけて該凸形状の曲率が漸次小さくなる遮光膜
の構成を示すものである。FIG. 5 is a cross-sectional view showing, in an enlarged manner, a portion inside a circle denoted by reference numeral CR2 shown in FIG. 2 according to the second embodiment of the present invention, the cross-section including a convex shape, It shows a configuration of a light shielding film in which the curvature of the convex shape gradually decreases toward the peripheral portion.

【図６】 図３と同趣旨の図であって、当該図とはマイ
クロレンズが形成されている点で異なる態様を示すもの
である。FIG. 6 is a diagram having the same effect as in FIG. 3, showing a different aspect from the diagram in that a microlens is formed.

【図７】 図３と同趣旨の図であって、当該図とは、そ
の断面に凹形状を含む遮光膜となる点で異なる態様を示
すものである。FIG. 7 is a diagram having the same effect as FIG. 3, and shows a different aspect from the diagram in that it is a light-shielding film including a concave shape in its cross section.

【図８】 図３と同趣旨の図であって、当該図とは、そ
の断面に略平行四辺形を含む遮光膜となる点で異なる態
様を示すものである。FIG. 8 is a view having the same effect as FIG. 3, and shows a different aspect in that it is a light-shielding film including a substantially parallelogram in its cross section.

【図９】 本発明の実施形態の電気光学装置における画
像表示領域を構成するマトリクス状の複数の画素に設け
られた各種素子、配線等の等価回路を示す回路図であ
る。FIG. 9 is a circuit diagram showing an equivalent circuit of various elements, wirings, etc. provided in a plurality of pixels in a matrix forming an image display area in the electro-optical device according to the embodiment of the present invention.

【図１０】 本発明の実施形態の電気光学装置における
データ線、走査線、画素電極等が形成されたＴＦＴアレ
イ基板の相隣接する複数の画素群の平面図である。FIG. 10 is a plan view of a plurality of pixel groups adjacent to each other on a TFT array substrate on which data lines, scanning lines, pixel electrodes and the like are formed in the electro-optical device according to the embodiment of the invention.

【図１１】 図１０のＡ−Ａ´断面図である。11 is a cross-sectional view taken along the line AA ′ of FIG.

【図１２】 本発明の第３実施形態に係る遮光膜の製造
工程を、順を追って示す工程断面図である。12A to 12C are process cross-sectional views sequentially showing a process of manufacturing a light-shielding film according to a third embodiment of the present invention.

【図１３】 本発明の電子機器の実施形態である投射型
カラー表示装置の一例たるカラー液晶プロジェクタを示
す図式的断面図である。FIG. 13 is a schematic cross-sectional view showing a color liquid crystal projector which is an example of a projection type color display device which is an embodiment of an electronic apparatus of the invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

３ａ…走査線 ６ａ…データ線 ９ａ…画素電極 １０…基板 ２０…対向基板 ２１…対向電極 ５０…液晶層 ５３…額縁遮光膜 ５０１、５０２Ａ、５０２Ｂ、５０２Ｃ、５０３、５０
４、５０５…遮光膜 ６０１…マイクロレンズ ７０１…偏光板（光の性質を変更する板） Ｌ１、Ｌ２、Ｌ３、Ｌ４、Ｌ５…入射光 Ｌ１Ｒ、ＬＡＲ、ＬＢＲ、Ｌ３Ｒ、Ｌ４Ｒ、Ｌ５Ｒ…反
射光3a ... Scanning line 6a ... Data line 9a ... Pixel electrode 10 ... Substrate 20 ... Counter substrate 21 ... Counter electrode 50 ... Liquid crystal layer 53 ... Frame light shielding film 501, 502A, 502B, 502C, 503, 50
4, 505 ... Shading film 601 ... Micro lens 701 ... Polarizing plate (plate for changing light properties) L1, L2, L3, L4, L5 ... Incident light L1R, LAR, LBR, L3R, L4R, L5R ... Reflected light

Claims (13)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項１】 光が入射される表面を有するとともに、
対向配置される他方の基板との間に電気光学物質を挟持
してなる一方の基板と、 該一方の基板における画像表示領域内で所定パターンを
有するとともに、前記光の少なくとも一部を前記画像表
示領域外へと反射させるように、前記表面に対して傾い
た光入射面を有する部分を含む遮光膜とを備えたことを
特徴とする電気光学装置。1. Having a surface on which light is incident,
One substrate in which an electro-optical material is sandwiched between the other substrate and a substrate arranged opposite to each other, and a predetermined pattern in an image display area of the one substrate, and at least a part of the light is displayed in the image display. An electro-optical device comprising: a light-shielding film including a portion having a light incident surface inclined with respect to the surface so as to be reflected to the outside of the region. 【請求項２】 前記遮光膜は、前記画像表示領域の縁寄
りの領域で、前記傾いた光入射面を有する部分を含むこ
とを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。2. The electro-optical device according to claim 1, wherein the light shielding film includes a portion having the inclined light incident surface in a region near an edge of the image display region. 【請求項３】 前記遮光膜は、アルミニウムを含むこと
を特徴とする請求項１又は２に記載の電気光学装置。3. The electro-optical device according to claim 1, wherein the light shielding film contains aluminum. 【請求項４】 前記一方の基板の上又は前記他方の基板
の上のいずれか一方には、マトリクス状に配列された複
数の画素電極と、該複数の画素電極の各々に接続された
複数の薄膜トランジスタと、該複数の薄膜トランジスタ
に接続された配線とを備え、 前記遮光膜は、前記複数の画素電極が形成されない位置
に対向する格子状のパターンを有することを特徴とする
請求項１乃至３のいずれか一項に記載の電気光学装置。4. A plurality of pixel electrodes arranged in a matrix and a plurality of pixel electrodes connected to each of the plurality of pixel electrodes on either one of the one substrate or the other substrate. The thin film transistor and a wiring connected to the plurality of thin film transistors are provided, and the light shielding film has a lattice-shaped pattern facing each other at a position where the plurality of pixel electrodes are not formed. The electro-optical device according to any one of claims. 【請求項５】 前記配線は走査線を含み、前記遮光膜の
光入射面は、該走査線の延在する方向に垂直な断面内
で、前記一方の基板の前記表面側から見て、凸形状を含
むことを特徴とする請求項４に記載の電気光学装置。5. The wiring includes a scanning line, and the light-incident surface of the light-shielding film is convex in a cross section perpendicular to the extending direction of the scanning line when viewed from the front surface side of the one substrate. The electro-optical device according to claim 4, wherein the electro-optical device includes a shape. 【請求項６】 前記配線はデータ線を含み、前記遮光膜
の光入射面は、該データ線の延在する方向に垂直な断面
内で、前記一方の基板の前記表面側から見て、凸形状を
含むことを特徴とする請求項４に記載の電気光学装置。6. The wiring includes a data line, and a light-incident surface of the light-shielding film is convex in a cross section perpendicular to the extending direction of the data line when viewed from the front surface side of the one substrate. The electro-optical device according to claim 4, wherein the electro-optical device includes a shape. 【請求項７】 前記配線は走査線又はデータ線を含み、
前記遮光膜の光入射面は、該走査線の延在する方向に垂
直な断面内、かつ、該データ線の延在する方向に垂直な
断面内で、前記一方の基板の前記表面側から見て、凸形
状を含むことを特徴とする請求項４乃至６のいずれか一
項に記載の電気光学装置。7. The wiring includes a scan line or a data line,
The light-incident surface of the light-shielding film is viewed from the front surface side of the one substrate in a cross section perpendicular to the extending direction of the scanning line and in a cross section perpendicular to the extending direction of the data line. 7. The electro-optical device according to claim 4, further comprising a convex shape. 【請求項８】 前記光入射面における傾きが、前記一方
の基板の中央部から周辺部にかけて、漸次小さくされて
いることを特徴とする請求項１乃至７のいずれか一項に
記載の電気光学装置。8. The electro-optical device according to claim 1, wherein an inclination of the light incident surface is gradually reduced from a central portion of the one substrate to a peripheral portion thereof. apparatus. 【請求項９】 前記表面上に光学要素を更に備えたこと
を特徴とする請求項１乃至８のいずれか一項に記載の電
気光学装置。9. The electro-optical device according to claim 1, further comprising an optical element on the surface. 【請求項１０】 光が入射される表面を有する一方の基
板と、該一方の基板に対向配置される他方の基板との間
に電気光学物質を挟持してなる電気光学装置の製造方法
であって、 前記一方の基板における前記表面とは反対側の面に凹曲
面部を形成する工程と、 前記凹曲面部に対して、光を反射する材料を成膜するこ
とにより、前記一方の基板における画像表示領域内で、
前記光の少なくとも一部を前記画像表示領域外へと反射
させるように、前記表面に対して傾いた光入射面を有す
る遮光膜を形成する工程とを含むことを特徴とする電気
光学装置の製造方法。10. A method of manufacturing an electro-optical device, comprising an electro-optical substance sandwiched between one substrate having a surface on which light is incident and the other substrate opposed to the one substrate. Then, the step of forming a concave curved surface portion on the surface opposite to the surface of the one substrate, and by forming a material that reflects light on the concave curved surface portion, In the image display area,
And a step of forming a light shielding film having a light incident surface inclined with respect to the surface so as to reflect at least a part of the light to the outside of the image display area. Method. 【請求項１１】 前記凹曲面部を形成する工程は、 前記一方の基板上にマイクロレンズを形成する工程の一
部と同時に実施されることを特徴とする請求項１０に記
載の電気光学装置の製造方法。11. The electro-optical device according to claim 10, wherein the step of forming the concave curved surface portion is performed at the same time as a part of the step of forming a microlens on the one substrate. Production method. 【請求項１２】 請求項１乃至９のいずれか一項に記載
の電気光学装置を具備してなることを特徴とする電子機
器。12. An electronic apparatus comprising the electro-optical device according to claim 1. Description: 【請求項１３】 請求項１乃至９のいずれか一項に記載
の電気光学装置からなるライトバルブと、 該ライトバルブに投射光を入射する光源と、 該ライトバルブから出射した前記投射光を投射する光学
系と、 前記ライトバルブ、前記光源及び前記光学系を収容する
モールドとを備えたことを特徴とする投射型表示装置。13. A light valve comprising the electro-optical device according to claim 1, a light source which makes projection light incident on the light valve, and the projection light which is emitted from the light valve. A projection type display device, comprising: an optical system for controlling the light valve; and a mold that houses the light valve, the light source, and the optical system.