JP2003166973A - 内燃機関のガス濃度検出装置 - Google Patents

内燃機関のガス濃度検出装置

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JP2003166973A JP2001368617A JP2001368617A JP2003166973A JP 2003166973 A JP2003166973 A JP 2003166973A JP 2001368617 A JP2001368617 A JP 2001368617A JP 2001368617 A JP2001368617 A JP 2001368617A JP 2003166973 A JP2003166973 A JP 2003166973A
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純 長谷川
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 複合型のガス濃度センサの各セルを活性状態
に保持するヒータ制御による素子抵抗の経時的変動に伴
う所定のセルの検出値を適切に補正すること。 【解決手段】 複合型のガス濃度センサ100のポンプ
セル110とモニタセル120とに対して印加する電圧
または電流を所定周期で一時的に切換え、そのときの電
圧変化及び電流変化からモニタセル120及びポンプセ
ル110の各素子抵抗が検出される。これらの素子抵抗
が所望の目標素子抵抗に一致するようヒータ151への
通電が制御され、センサセル130に流れる電流の検出
値にてNOx 濃度が逐次検出される。このとき、センサ
セル130のセンサセル電流Isが他のセルの素子抵抗
の変化量等に応じて補正されるため、ガス濃度センサ1
00のヒータ制御による各セルの素子抵抗の経時的また
は一時的な変動に伴うセンサセル電流Isを適切に補正
することができる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、複合型のガス濃度
センサからの検出値に基づき内燃機関の排気ガス中の特
定ガス成分の濃度を検出する内燃機関のガス濃度検出装
置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】従来、内燃機関のガス濃度検出装置に関
連するものとして、限界電流式の複合型のガス濃度セン
サを用い、内燃機関の排気ガス中のNOx (窒素酸化
物)を検出するものが知られている。この複合型のガス
濃度センサは、例えば、ポンプセル、センサセル及びモ
ニタセルからなる3セル構造を有する。このガス濃度セ
ンサのポンプセルでは、チャンバに導入した排気ガス中
の酸素の排出または汲み込みが行なわれ、また、センサ
セルでは、ポンプセルを通過したのちのガスから特定ガ
ス成分の濃度としてNOx 濃度が検出され、モニタセル
では、チャンバ内の残留酸素濃度が検出される。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】ところで、前述の複合
型のガス濃度センサでは、各セルのうち制御中のセル
(以下、『制御セル』と記す)を活性状態に保持するた
め、その素子抵抗が制御目標値になるようヒータ制御さ
れるが、長期にわたるセンサ使用に伴って、ヒータに同
一電流を流しているにもかかわらず各セルの素子抵抗が
経時的に変動する傾向にある。ここで、各セルの素子抵
抗が変動するとガス濃度センサの所定のセルの検出値に
誤差が生じるという不具合があった。
【0004】また、前述の複合型のガス濃度センサで
は、センサ使用の過渡時には、ヒータに同一電流を流し
ているにもかかわらず各セルの素子抵抗が一時的に変動
する傾向にある。ここで、各セルの素子抵抗が一時的に
でも変動するとガス濃度センサの所定のセルの検出値に
誤差が生じるという不具合があった。
【0005】そこで、この発明はかかる不具合を解決す
るためになされたもので、複合型のガス濃度センサの各
セルを活性状態に保持するヒータ制御による素子抵抗の
経時的または一時的な変動に伴う所定のセルの検出値を
適切に補正可能な内燃機関のガス濃度検出装置の提供を
課題としている。
【0006】
【課題を解決するための手段】請求項1の内燃機関のガ
ス濃度検出装置によれば、素子抵抗検出手段にて複合型
のガス濃度センサを構成する少なくともポンプセル、セ
ンサセル、モニタセルのうち少なくとも2つのセルに対
して印加する電圧または電流が所定周期で一時的に切換
えられ、そのときの電圧変化及び電流変化から各セルの
素子抵抗が検出され、これらの素子抵抗が所望の目標素
子抵抗に一致するようヒータ制御手段にてヒータへの通
電が制御され、センサセルに流れる電流の検出値から特
定ガス成分の濃度が逐次検出される。このように、ヒー
タ制御手段によって、所定のセルの素子抵抗が所望の目
標素子抵抗に一致するよう制御される際、補正手段によ
って他のセルの素子抵抗または目標素子抵抗の変化量に
応じて、または目標素子抵抗が所定範囲外となるとき、
所定のセルの検出値が補正される。これにより、ガス濃
度センサのヒータ制御による素子抵抗の経時的または一
時的な変動に伴う所定のセルの検出値であるセンサセル
の電流値が適切に補正され、結果として、特定ガス成分
の濃度の検出精度が向上される。
【0007】請求項2の内燃機関のガス濃度検出装置に
おける素子抵抗検出手段では、セルに対して印加する電
圧または電流を一時的に切換えることで素子抵抗を検出
する際、センサセル以外のセルを対象に素子抵抗が検出
されるため、センサセルによる特定ガス成分の濃度の検
出が中断されることがなく、特定ガス成分の濃度検出に
影響を及ぼすことがないという効果が得られる。
【0008】請求項3の内燃機関のガス濃度検出装置に
おける補正手段では、内燃機関の運転条件または排気温
に基づき所定のセルの検出値が補正されるため、ガス濃
度センサの補正後センサセル電流算出の際にも、センサ
セルによる特定ガス成分の濃度の検出が中断されること
がなく、特定ガス成分の濃度検出に影響を及ぼすことが
ないという効果が得られる。
【0009】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を実施
例に基づいて説明する。
【0010】図1は本発明の実施の形態の一実施例にか
かる内燃機関のガス濃度検出装置の電気的構成を示す概
略図である。図2及び図3は、図1のガス濃度センサ1
00の要部構成を示す断面図である。
【0011】本実施例のガス濃度検出装置は、限界電流
式のガス濃度センサ100を用い、被検出ガスである内
燃機関1からの排気ガス中の酸素(O )濃度を検出
すると共に、特定ガス成分の濃度としてのNOx (窒素
酸化物)濃度を検出する。
【0012】まず、ガス濃度センサ100の構造につい
て、図2及び図3を参照して説明する。
【0013】図2に示すように、ガス濃度センサ100
はポンプセル110、モニタセル120及びセンサセル
130を有する3セル構造からなり、排気ガス中の酸素
濃度とNOx 濃度とを同時に検出可能な、所謂、複合型
ガスセンサとして具体化されている。なお、図2(a)
はセンサ素子の先端部構造を示す断面図であり、図2
(b)は図2(a)のA−A線に沿う断面図である。
【0014】また、ガス濃度センサ100では、酸素イ
オン伝導性材料からなる固体電解質(固体電解質素子)
141,142が板状に形成され、アルミナ等の絶縁材
料からなるスペーサ143を介して上下に所定間隔を隔
てて積層されている。このうち、固体電解質141には
ピンホール141aが形成されており、このピンホール
141aを介してガス濃度センサ100周囲の排気ガス
が第1チャンバ144内に導入される。第1チャンバ1
44は、絞り部145を介して第2チャンバ146に連
通されている。なお、147は多孔質拡散層である。
【0015】固体電解質142には、第1チャンバ14
4に面するようにしてポンプセル110が設けられてお
り、ポンプセル110によって第1チャンバ144内に
導入された排気ガス中の酸素が排出または汲み込まれる
と共に、この際に排気ガス中の酸素濃度が検出される。
ここで、ポンプセル110には、固体電解質142を挟
んで一対の電極111,112が形成され、このうち特
に第1チャンバ144側の電極111はNOx 不活性電
極(NOx ガスを分解し難い電極)に形成されている。
このポンプセル110によって、第1チャンバ144内
に存在する酸素が分解され電極112より大気通路15
0側に排出される。
【0016】また、固体電解質141には、第2チャン
バ146に面するようにしてモニタセル120及びセン
サセル130が設けられている。モニタセル120から
は、第2チャンバ146内の余剰酸素濃度に応じて起電
力または電圧印加に伴う電流出力が発生される。また、
センサセル130によって、ポンプセル110を通過し
たのちのガスからNOx 濃度が検出される。
【0017】特に、図2(b)に示すように、排気ガス
の流れ方向に対して同等位置になるよう、モニタセル1
20及びセンサセル130が並列に配置されていると共
に、これら各セル120,130の大気通路148側の
電極が共通電極122として形成されている。即ち、モ
ニタセル120は、固体電解質141とそれを挟んで対
向配置された電極121及び共通電極122とからな
り、センサセル130は同じく固体電解質141とそれ
を挟んで対向配置された電極131及び共通電極122
とからなる。なお、モニタセル120の電極121(第
2チャンバ146側の電極)はNOx ガスに不活性なA
u−Pt等の貴金属にて形成されているのに対し、セン
サセル130の電極131(第2チャンバ146側の電
極)はNOx ガスに活性なPt等の貴金属にて形成され
ている。
【0018】更に、図3(a)は、モニタセル120及
びセンサセル130の電極を第2チャンバ146側から
見た断面図であり、図3(b)は、これら各セルの電極
を大気通路148側から見た断面図である。但し、モニ
タセル120及びセンサセル130の電極は、図3
(a)に示すように、排気ガスの流れ方向に沿って並列
に配置すること以外に、排気ガスの流れ方向で前後(即
ち、図3(a)の左右)に配置してもよい。例えば、モ
ニタセル120を上流側(図3(a)の左側)、センサ
セル130を下流側(図3(a)の右側)に配置しても
よい。
【0019】また、図2(a)に示すように、固体電解
質142の下面には絶縁層149が設けられ、この絶縁
層149により大気通路150が形成されている。ま
た、絶縁層149にはセンサ全体を加熱するためのヒー
タ151が埋設されている。そして、ポンプセル11
0、モニタセル120及びセンサセル130を含めたセ
ンサ全体を活性状態にすべく、ヒータ151では外部か
らの給電により熱エネルギが発生される。
【0020】上記構成のガス濃度センサ100におい
て、排気ガスは多孔質拡散層147及びピンホール14
1aを通って第1チャンバ144に導入される。そし
て、この排気ガスがポンプセル110近傍を通過する
際、ポンプセル110の電極111,112間に電圧が
印加されることで分解反応が起こされ、第1チャンバ1
44内の酸素濃度に応じてポンプセル110を介して酸
素が排出または汲み込まれる。なお、このとき、第1チ
ャンバ144側の電極111がNOx 不活性電極である
ので、ポンプセル110では排気ガス中のNOx は分解
されず、酸素のみが分解されて大気通路150に排出さ
れる。そして、ポンプセル110に流れるポンプセル電
流Ipにより、排気ガス中に含まれる酸素濃度が検出さ
れる。
【0021】この後、ポンプセル110近傍を通過した
排気ガスは第2チャンバ146に流れ込み、モニタセル
120ではガス中の余剰酸素濃度に応じた出力が発生さ
れる。モニタセル120の出力は、このモニタセル12
0の電極121,122間に所定の電圧が印加されるこ
とで、モニタセル電流Imとして検出される。また、セ
ンサセル130の電極131,122間に所定の電圧が
印加されることでガス中のNOx が還元分解され、この
とき発生する酸素が大気通路148に排出される。この
際、センサセル130に流れるセンサセル電流Isによ
り、排気ガス中に含まれるNOx 濃度が検出される。
【0022】次に、本実施例の内燃機関のガス濃度検出
装置の電気的な構成について、図1を参照して説明す
る。なお、図1は、上述の図2及び図3に示すガス濃度
センサ100を用いたガス濃度検出装置であるが、モニ
タセル120及びセンサセル130の電極配置について
は、便宜上、横並びの状態で示す。
【0023】図1において、制御回路200は、CP
U、A/Dコンバータ、D/Aコンバータ、I/Oポー
ト等からなる周知のマイクロコンピュータで構成されて
おり、ポンプセル110、モニタセル120及びセンサ
セル130の印加電圧がD/Aコンバータ(D/A0〜
D/A2)より適宜、出力される。また、制御回路20
0には、これらポンプセル110、モニタセル120及
びセンサセル130に流れる電流を測定すべく、各端子
Vc,Ve,Vd,Vb,Vg,Vhの電圧がA/Dコ
ンバータ(A/D0〜A/D5)より各々入力される。
そして、制御回路200では、ポンプセル110やセン
サセル130による測定電流に基づく排気ガス中の酸素
濃度やNOx 濃度が検出され、それらの検出値がD/A
コンバータ(D/A3,D/A4)より外部に出力され
る。
【0024】回路構成について、詳しくは、ポンプセル
110において一方の電極112には、基準電源201
及びオペアンプ202により基準電圧Vaが印加され、
他方の電極111には、オペアンプ203及び電流検出
抵抗204を介して制御回路200からの指令電圧Vb
が印加される。指令電圧Vbの印加に際し、排気ガス中
の酸素濃度に応じてポンプセル110に電流が流れる
と、この電流が電流検出抵抗204により検出される。
つまり、電流検出抵抗204の両端子電圧Vb,Vdが
制御回路200に取込まれ、この電圧Vb,Vdにより
ポンプセル電流Ipが算出される。
【0025】また、モニタセル120及びセンサセル1
30の共通電極122には、基準電源205及びオペア
ンプ206により基準電圧Vfが印加され、共通電極1
22と異なる方のセンサセル電極131には、オペアン
プ207及び電流検出抵抗208を介して制御回路20
0からの指令電圧Vgが印加される。指令電圧Vgの印
加に際し、排気ガス中のNOx 濃度に応じてセンサセル
130に電流が流れると、この電流が電流検出抵抗20
8により検出される。つまり、電流検出抵抗208の両
端子電圧Vg,Vhが制御回路200に取込まれ、この
電圧Vg,Vhによりセンサセル電流Isが算出され
る。
【0026】そして、共通電極122と異なる方のモニ
タセル電極121には、LPF(ローパスフィルタ)2
09、オペアンプ210及び電流検出抵抗211を介し
て制御回路200からの指令電圧Vcが印加される。指
令電圧Vcの印加に際し、排気ガス中のNOx 濃度に応
じてモニタセル120に電流が流れると、この電流が電
流検出抵抗211により検出される。つまり、電流検出
抵抗211の両端子電圧Vc,Veが制御回路200に
取込まれ、この電圧Vc,Veによりモニタセル電流I
mが算出される。なお、LPF209は、例えば、抵抗
及びコンデンサからなる1次フィルタにて実現される。
【0027】また、本実施例では、モニタセル120を
対象に、掃引法を用いて素子抵抗に相当する素子インピ
ーダンスが検出されるようになっている。つまり、モニ
タセル120のインピーダンス検出時において、制御回
路200によりモニタセル印加電圧(指令電圧Vc)が
正(+)側または負(−)側の少なくとも何れかに瞬間
的に切換えられる。この印加電圧は、LPF209によ
り正弦波的になまされつつモニタセル120に印加され
る。なお、交流電圧の周波数は10〔kHz〕以上が望
ましく、LPF209の時定数は5〔μsec〕程度に
設定される。そして、このときの電圧変化量と電流変化
量とからモニタセル120の素子インピーダンスが算出
される。
【0028】更に、モニタセル120及びセンサセル1
30では、一方の電極が共通電極122として形成され
ているため、基準電圧側のドライブ回路が削減できると
いう利点や、ガス濃度センサ100からのリード線の取
出し本数が削減できるという利点が得られる。また、モ
ニタセル120とセンサセル130とは同じ固体電解質
141で隣合って形成されているため、掃引時には隣の
電極に電流が流れ、インピーダンスの検出精度が悪化す
ることが懸念されるが、共通電極122が設けられてい
ることで一方の電極が同電位となり、この影響が低減さ
れる。
【0029】ところで、モニタセル120では残留酸素
を検出する際に数〔μA〕程度の電流しか流れないのに
対し、インピーダンス検出のための掃引時には数〔m
A〕程度の電流が流れる。このオーダの異なる電流を同
じ検出抵抗で検出すると、オーバレンジしたり、検出精
度が悪くなったりする。そこで、本実施例では、モニタ
セル120による残留酸素検出時とインピーダンス検出
時とで電流検出抵抗を切換えることとする。
【0030】具体的には、電流検出抵抗211に並列
に、別の電流検出抵抗212とスイッチ回路213(例
えば、半導体スイッチ)とが設けられている。そして、
制御回路200のI/Oポートからの出力により、スイ
ッチ回路213がON(オン)/OFF(オフ)される
よう構成されている。この場合、通常のガス濃度検出時
には、スイッチ回路213がOFF(開放)され、電流
検出抵抗211による数100〔kΩ〕程度の抵抗でモ
ニタセル電流Imが検出される。これに対し、インピー
ダンス検出時には、スイッチ回路213がON(閉鎖)
され、電流検出抵抗211,212による数100
〔Ω〕程度の抵抗でモニタセル電流Imが検出される。
【0031】また、制御回路200内のCPUによっ
て、制御指令値DutyがI/Oポートから出力されM
OSFETドライバ251が駆動される。このとき、M
OSFET252により電源253(例えば、バッテリ
電源)からヒータ151へ供給される電力がPWM制御
される。
【0032】次に、本発明の実施の形態の一実施例にか
かる内燃機関のガス濃度検出装置で使用されている制御
回路200内のCPUにおけるガス濃度センサ100の
各セルに対するヒータ制御の処理手順を示す図4のフロ
ーチャートに基づいて説明する。なお、このヒータ制御
ルーチンは制御回路200への電源投入に伴い所定時間
毎にCPUにて繰返し実行される。
【0033】図4において、まず、ステップS101で
は、前回のA/F(酸素濃度)及びNOx 濃度の検出時
から所定時間Taが経過しているかが判定される。この
所定時間Taは、A/F及びNOx 濃度の検出周期に相
当する時間であって、例えば、Ta=4〔msec〕程
度に設定される。ステップS101の判定条件が成立、
即ち、所定時間Taが経過しているときにはステップS
102に移行し、A/F及びNOx 濃度の検出処理が実
行される。
【0034】このA/F(酸素濃度)の検出処理では、
その時々のポンプセル電流Ipに応じたポンプセル印加
電圧が設定されると共に、その電圧印加時のポンプセル
電流Ipが検出される。この検出されたポンプセル電流
IpがA/F値に変換される。また、NOx 濃度の検出
処理では、所定のセンサセル印加電圧が設定されると共
に、その電圧印加時のセンサセル電流Isが検出され
る。この検出されたセンサセル電流IsがNOx 濃度値
に変換される。
【0035】次にステップS103に移行して、前回の
素子インピーダンス検出時から所定時間Tbが経過して
いるかが判定される。この所定時間Tbは、素子インピ
ーダンスZACの検出周期に相当する時間であって、例
えば、運転状態に応じて128〔msec〕,2〔se
c〕等の時間が選択的に設定される。ステップS103
の判定条件が成立、即ち、所定時間Tbが経過している
ときにはステップS104に移行し、後述の素子インピ
ーダンスZACの検出処理が実行される。次にステップ
S105に移行して、ヒータ151に対する通電制御が
実行され、本ルーチンを終了する。一方、ステップS1
01の判定条件が成立せず、即ち、所定時間Taが未だ
経過していないとき、またはステップS103の判定条
件が成立せず、即ち、所定時間Tbが未だ経過していな
いときには、何もすることなく本ルーチンを終了する。
【0036】なお、ヒータ151に対する通電制御に関
しては、素子インピーダンスZACが所望の目標値に一
致するようヒータ151に通電制御されるものであれ
ば、任意の制御手法が適用できる。一例としては、ガス
濃度センサ100の素子温が低く、素子インピーダンス
ZACが比較的大きい場合には、例えば、デューティ比
100〔%〕の全通電制御によりヒータ151に通電さ
れる。また、素子温が上昇すると、周知のPID制御手
法等を用いて制御デューティ比が算出され、このデュー
ティ比によりヒータ151に通電される。
【0037】次に、上述の図4のステップS104にお
ける素子インピーダンスZACの検出処理について、図
5のフローチャートを参照して説明する。
【0038】図5において、まず、ステップS201で
は、スイッチ回路213がOFFからONに切換えられ
る。これにより、それまで数100〔kΩ〕程度であっ
た検出抵抗が数100〔Ω〕程度に切換えられる。次に
ステップS202に移行して、モニタセル120の印加
電圧(指令電圧Vc)が操作され、それまでの残留酸素
濃度検出用の印加電圧に対して電圧が正側に数10〜1
00〔μsec〕程度の時間で一時的に切換えられ変化
される。
【0039】次にステップS203に移行して、このと
きのモニタセル印加電圧の変化量とモニタセル電流Im
の変化量とが読込まれる。次にステップS204に移行
して、電圧変化量と電流変化量とから素子インピーダン
スZAC(=電圧変化量/電流変化量)が算出される。
次にステップS205に移行して、スイッチ回路213
がONからOFFに戻されたのち、本ルーチンを終了す
る。
【0040】これにより、以下に示すような効果が得ら
れる。
【0041】ガス濃度センサ100のモニタセル120
を対象に素子インピーダンスZACが検出されるので、
素子インピーダンスZACの検出に際し、センサセル1
30でのNOx 濃度検出が中断されることはない。即
ち、NOx 濃度の不検出期間ができることはない。また
同様に、ポンプセル110でのA/F検出(酸素濃度検
出)が中断されることはなく、A/Fの不検出期間がで
きることもない。したがって、NOx 濃度検出やA/F
検出に影響を及ぼすことなく素子インピーダンスZAC
を好適に検出することができる。
【0042】また、この際、モニタセル120とセンサ
セル130とは近接した状態で配置されており、モニタ
セル120での素子インピーダンスZACに基づきヒー
タ151に対する通電制御が実行されることで、これら
モニタセル120とセンサセル130とが共に所望の活
性状態に保持されることとなる。つまり、センサセル1
30での温度変動が抑制され、この結果、NOx 濃度の
検出精度が向上される。
【0043】また、ガス濃度センサ100において、モ
ニタセル120とセンサセル130とで一方の電極が共
通化されており、共通電極ではない方のモニタセル電極
で印加電圧が一時的に切換えられ、素子インピーダンス
ZACが検出される。このため、構成の簡素化を図りつ
つ、適正なる素子インピーダンス検出を実施することが
できる。但し、モニタセル120及びセンサセル130
で共通電極を設けず、各セルで個別に電極を設けてもよ
い。この場合、モニタセル印加電圧を一時的に変化させ
る電極は、モニタセル120の何れの電極であってもよ
い。
【0044】そして、モニタセル120による残留酸素
濃度検出時と素子インピーダンス検出時とで、電流検出
抵抗の抵抗値が切換えられるので、モニタセル120で
の電流検出に際し、オーバレンジしたり、検出精度が悪
くなったりする等の不都合が解消される。
【0045】次に、上述の図4のステップS104にお
ける素子インピーダンスZACの検出処理の変形例につ
いて、図6のフローチャートを参照して説明する。
【0046】上述の素子インピーダンスZACの検出処
理では、モニタセル120を対象に素子インピーダンス
が検出されるのに対し、本変形例では、ポンプセル11
0を対象に素子インピーダンスが検出される。
【0047】なお、内燃機関のガス濃度検出装置の構成
上の違いとしては、ポンプセル110での素子インピー
ダンスの検出に際して、制御回路200から出力される
ポンプセル印加電圧(指令電圧Vb)を正弦波的になま
すことができるよう制御回路200のD/A1にLPF
が接続される。
【0048】図6において、まず、ステップS301で
は、ポンプセル110の印加電圧(指令電圧Vb)が操
作され、それまでのA/F検出用の印加電圧に対して電
圧が正側に数10〜100〔μsec〕程度の時間で一
時的に切換えられ変化される。次にステップS302に
移行して、このときのポンプセル印加電圧の変化量とポ
ンプセル電流Ipの変化量とが読込まれる。次にステッ
プS303に移行して、電圧変化量と電流変化量とから
素子インピーダンスZAC(=電圧変化量/電流変化
量)が算出され、本ルーチンを終了する。
【0049】ここで、ポンプセル110で素子インピー
ダンスZACが検出される場合、A/F検出時及びイン
ピーダンス検出時には何れも数mA程度の電流が流れ
る。このため、上述の図1に示すようなスイッチ回路2
13を設けて検出抵抗の切換えを行なう必要はない。
【0050】このように、本変形例でも、素子インピー
ダンスZACの検出に際し、同様にセンサセル130で
のNOx 濃度検出が中断されることはない。即ち、NO
x 濃度の不検出期間ができることはない。したがって、
NOx 濃度検出に影響を及ぼすことなく、素子インピー
ダンスZACを好適に検出することができる。
【0051】また、この場合、ポンプセル110が所望
の活性状態に保持できるため、ポンプセル110での酸
素排出機能が適正に作用し、チャンバ144内の残留酸
素濃度を一定に保つことができ、NOx 濃度の検出精度
が確保される。
【0052】次に、本実施例のガス濃度センサ100の
ヒータ制御による各セルの劣化前及び劣化後における素
子温度〔℃〕と素子抵抗〔Ω〕との関係について、図7
に示す特性図を参照して説明する。
【0053】図7において、ガス濃度センサ100のヒ
ータ151への通電を制御するヒータ制御によって、各
セルが劣化前から劣化後と徐々に劣化が進むに連れて、
白抜き矢印にて『劣化』として示すように、各セルの素
子抵抗の制御目標を一定に維持した場合、素子温度は高
くなるという特性を有する。このように、各セルは素子
温度が高くなると劣化が促進されてしまうため、各セル
が活性状態を保持可能な素子温度より必要以上に高くな
らないようにすることが重要である。そこで、各セルの
素子温度の上昇を抑え劣化前に維持するには、白抜き矢
印にて『補正』として示すように、各セルの素子抵抗の
制御目標を劣化の進み具合に連れて高く設定することで
達成できる。
【0054】次に、本実施例のガス濃度センサ100の
ヒータ制御によるセンサセル130の劣化前及び劣化後
における素子温度〔℃〕とセンサセル電流Is〔nA〕
との関係について、図8に示す特性図を参照して説明す
る。
【0055】図8において、ガス濃度センサ100のヒ
ータ151への通電を制御するヒータ制御によって、セ
ンサセル130が劣化前から劣化後へと徐々に劣化が進
むに連れて、素子温度の制御目標を一定に維持した場
合、センサセル130のセンサセル電流Isが増加する
という特性を有する。このように、センサセル130は
劣化が進むと素子温度の制御目標を一定に維持している
と、センサセル130のセンサセル電流Isが大きくな
ってしまうため、センサセル130のセンサセル電流I
sを劣化に連れて補正することが重要である。そこで、
センサセル130のセンサセル電流Isを劣化前に維持
するには、白抜き矢印にて『補正』として示すように、
センサセル130のセンサセル電流Isを劣化の進み具
合に連れて小さく設定することで達成できる。
【0056】次に、本発明の実施の形態の一実施例にか
かる内燃機関のガス濃度検出装置で使用されている制御
回路200内のCPUにおける補正後センサセル電流演
算の処理手順を示す図9のフローチャートに基づき、図
10を参照して説明する。ここで、図10は図9におけ
るポンプセル110の素子抵抗Rps〔Ω〕の定常時から
の変化量に応じてセンサセル130の電流補正量ISHOSE
I 〔nA〕を算出するマップである。なお、この補正後
センサセル電流演算ルーチンは制御回路200への電源
投入に伴い所定時間毎にCPUにて繰返し実行される。
【0057】図9において、ステップS401では、ガ
ス濃度センサ100に導入された排気ガスのガス濃度に
応じてセンサセル130に流れるセンサセル電流Isが
検出される。次にステップS402に移行して、ポンプ
セル110の素子抵抗Rpsが検出される。このポンプセ
ル110の素子抵抗Rpsの検出では、上述したように、
ポンプセル110の印加電圧(指令電圧Vb)が操作さ
れ、それまでのA/F検出用の印加電圧に対して電圧が
正側に数10〜100〔μsec〕程度の時間で一時的
に切換えられ変化される。このときのポンプセル印加電
圧の変化量とポンプセル電流Ipの変化量とが読込まれ
る。そして、ポンプセル110の素子抵抗Rpsは、この
電圧変化量と電流変化量とから素子インピーダンスZA
C(=電圧変化量/電流変化量)として検出される。
【0058】次にステップS403に移行して、図10
に示すマップに基づき、ステップS402で算出された
ポンプセル110の素子抵抗Rpsの定常時からの変化量
に応じて、センサセル130のセンサセル電流補正量IS
HOSEI が算出される。次にステップS404に移行し
て、ステップS401で検出されたセンサセル130の
センサセル電流IsにステップS403で算出されたセ
ンサセル130の電流補正量ISHOSEI が加算され、セン
サセル130の補正後センサセル電流ISBHOSEIが算出さ
れ、本ルーチンを終了する。
【0059】上述のように算出されたセンサセル130
のセンサセル電流補正量ISHOSEI を用いたセンサセル電
流Is補正について、図10及び図11を参照して説明
する。ここで、図11は図9の処理に対応するヒータ制
御セルであるモニタセル120の素子抵抗Rms〔Ω〕、
ポンプセル110の素子抵抗Rps〔Ω〕及びセンサセル
電流Is〔nA〕の遷移状態を示すタイムチャートであ
る。
【0060】図10に示すマップにより算出されたポン
プセル110の素子抵抗Rpsの定常時からの変化量に応
じたセンサセル130のセンサセル電流補正量ISHOSEI
に基づき、センサセル130のセンサセル電流Isが補
正される。即ち、図11において、センサセル130の
補正前(破線にて示す)におけるセンサセル電流Is
が、ポンプセル110の素子抵抗Rpsの変化量に応じた
センサセル電流補正量ISHOSEI に基づき、矢印にて示す
ように小さくなるよう補正される。これにより、ガス濃
度センサ100のセンサセル130のセンサセル電流I
sが各セルの経時的または一時的な影響を受けないよう
適切に補正され、結果として、NOx 濃度を正確に検出
することができる。
【0061】次に、本発明の実施の形態の一実施例にか
かる内燃機関のガス濃度検出装置で使用されている制御
回路200内のCPUにおける補正後センサセル電流演
算の処理手順の第1の変形例を示す図12のフローチャ
ートに基づき、図13を参照して説明する。ここで、図
13は図12におけるモニタセル120の素子抵抗Rms
〔Ω〕の定常時からの変化量に応じてセンサセル130
の電流補正量ISHOSEI〔nA〕を算出するマップであ
る。なお、この補正後センサセル電流演算ルーチンは制
御回路200への電源投入に伴い所定時間毎にCPUに
て繰返し実行される。
【0062】図12において、ステップS501では、
ガス濃度センサ100に導入された排気ガスのガス濃度
に応じてセンサセル130に流れるセンサセル電流Is
が検出される。次にステップS502に移行して、モニ
タセル120の素子抵抗Rmsが検出される。このモニタ
セル120の素子抵抗Rmsの検出では、上述したよう
に、モニタセル120の印加電圧(指令電圧Vc)が操
作され、それまでの残留酸素濃度検出用の印加電圧に対
して電圧が正側に数10〜100〔μsec〕程度の時
間で一時的に切換えられ変化される。このときのモニタ
セル印加電圧の変化量とモニタセル電流Imの変化量と
が読込まれる。そして、モニタセル120の素子抵抗R
msは、この際の電圧変化量と電流変化量とから素子イン
ピーダンスZAC(=電圧変化量/電流変化量)として
検出される。
【0063】次にステップS503に移行して、図13
に示すマップに基づき、ステップS502で算出された
モニタセル120の素子抵抗Rmsの定常時からの変化量
に応じて、センサセル130の電流補正量ISHOSEI が算
出される。次にステップS504に移行して、ステップ
S501で検出されたセンサセル130のセンサセル電
流IsにステップS503で算出されたセンサセル13
0の電流補正量ISHOSEI が加算され、センサセル130
の補正後のセンサセル電流ISBHOSEIが算出され、本ルー
チンを終了する。
【0064】上述のように算出されたセンサセル130
のセンサセル電流補正量ISHOSEI を用いたセンサセル電
流Is補正について、図13及び図14を参照して説明
する。ここで、図14は図12の処理に対応するヒータ
制御セルであるモニタセル120の素子抵抗Rms〔Ω〕
及びセンサセル電流Is〔nA〕の遷移状態を示すタイ
ムチャートである。
【0065】図13に示すマップにより算出されたモニ
タセル120の素子抵抗Rmsの定常時からの変化量に応
じたセンサセル130のセンサセル電流補正量ISHOSEI
に基づき、センサセル130のセンサセル電流Isが補
正される。即ち、図14において、センサセル130の
補正前(破線にて示す)におけるセンサセル電流Is
が、モニタセル120の素子抵抗Rmsの変化量に応じた
センサセル電流補正量ISHOSEI に基づき、矢印にて示す
ように大きくなるよう補正される。これにより、ガス濃
度センサ100のセンサセル130のセンサセル電流I
sが各セルの経時的または一時的な影響を受けないよう
適切に補正され、結果として、NOx 濃度を正確に検出
することができる。
【0066】次に、本発明の実施の形態の一実施例にか
かる内燃機関のガス濃度検出装置で使用されている制御
回路200内のCPUにおける補正後センサセル電流演
算の処理手順の第2の変形例を示す図15のフローチャ
ートに基づき、図16を参照して説明する。ここで、図
16は図15におけるモニタセル120の目標素子抵抗
Rmsm 〔Ω〕の劣化前からの変化量に応じてセンサセル
130の電流補正量ISHOSEI 〔nA〕を算出するマップ
である。なお、この補正後センサセル電流演算ルーチン
は制御回路200への電源投入に伴い所定時間毎にCP
Uにて繰返し実行される。
【0067】図15において、ステップS601では、
ガス濃度センサ100に導入された排気ガスのガス濃度
に応じてセンサセル130に流れるセンサセル電流Is
が検出される。次にステップS602に移行して、モニ
タセル120の目標素子抵抗Rmsm が検出される。次に
ステップS603に移行して、図16に示すマップに基
づき、ステップS602で算出されたモニタセル120
の目標素子抵抗Rmsmの劣化前からの変化量に応じて、
センサセル130の電流補正量ISHOSEI が算出される。
次にステップS604に移行して、ステップS601で
検出されたセンサセル130のセンサセル電流Isにス
テップS603で算出されたセンサセル130の電流補
正量ISHOSEI が加算され、センサセル130の補正後の
センサセル電流ISBHOSEIが算出され、本ルーチンを終了
する。
【0068】上述のように算出されたセンサセル130
のセンサセル電流補正量ISHOSEI を用いたセンサセル電
流Is補正について、図16及び図17を参照して説明
する。ここで、図17は図15の処理に対応するヒータ
制御セルであるモニタセル120の素子抵抗Rms〔Ω〕
及びセンサセル電流Is〔nA〕の遷移状態を示すタイ
ムチャートである。
【0069】図16に示すマップにより算出されたモニ
タセル120の目標素子抵抗Rmsmの劣化前からの変化
量に応じたセンサセル130のセンサセル電流補正量IS
HOSEI に基づき、センサセル130のセンサセル電流I
sが補正される。即ち、図17において、センサセル1
30の補正前(破線にて示す)におけるセンサセル電流
Isが、モニタセル120の目標素子抵抗Rmsm の変化
量に応じたセンサセル電流補正量ISHOSEI に基づき、劣
化後から白抜き矢印にて示すように劣化前へと小さくな
るよう補正される。これにより、ガス濃度センサ100
のセンサセル130のセンサセル電流Isが各セルの経
時的な影響を受けないよう適切に補正され、結果とし
て、NOx 濃度を正確に検出することができる。
【0070】このように、本実施例及び変形例の内燃機
関のガス濃度検出装置は、第1チャンバ144に導入し
た被検出ガス中の酸素を排出または汲み込むポンプセル
110と、ポンプセル110を通過したのちのガスから
特定ガス成分としてのNOx濃度を検出するセンサセル
130と、第2チャンバ146内の残留酸素濃度を検出
するモニタセル120とを少なくとも有し、各セルを形
成する固体電解質の素子抵抗に基づき各セルを活性状態
に保持する複合型のガス濃度センサ100と、ガス濃度
センサ100の少なくとも2つのセルに対して印加する
電圧または電流を所定周期で一時的に切換え、そのとき
の電圧変化及び電流変化から各セルの素子抵抗を検出す
る制御回路200にて達成される素子抵抗検出手段と、
前記素子抵抗検出手段で検出された各セルの素子抵抗が
所望の目標素子抵抗に一致するよう各セルに対応して設
けられたヒータ151への通電を制御する制御回路20
0にて達成されるヒータ制御手段と、センサセル130
に流れる電流を検出し、その検出値から特定ガス成分の
濃度を逐次検出する制御回路200にて達成されるガス
濃度検出手段と、前記ヒータ制御手段により所定のセル
の素子抵抗が所望の目標素子抵抗に一致するよう制御す
る際、他のセルの素子抵抗または目標素子抵抗に応じ
て、または目標素子抵抗が所定範囲外となるとき、各セ
ルの素子抵抗を補正する制御回路200にて達成される
補正手段とを具備するものである。
【0071】つまり、複合型のガス濃度センサ100の
ポンプセル110、モニタセル120、センサセル13
0のうちポンプセル110とモニタセル120とに対し
て印加する電圧または電流を所定周期で一時的に切換
え、そのときの電圧変化及び電流変化からモニタセル1
20の素子抵抗Rmsとポンプセル110の素子抵抗Rps
とが検出される。そして、これらの素子抵抗が所望の目
標素子抵抗に一致するようヒータ151への通電が制御
され、センサセル130に流れる電流の検出値から特定
ガス成分としてのNOx 濃度が逐次検出される。このと
き、他のセルであるポンプセル110の素子抵抗Rpsの
変化量またはモニタセル120の素子抵抗Rmsの変化量
に応じて、所定のセルの検出値、即ち、センサセル13
0のセンサセル電流Isが補正される。これにより、ガ
ス濃度センサ100のヒータ制御による各セルの素子抵
抗の経時的または一時的な変動に伴うセンサセル130
のセンサセル電流Isを適切に補正することができ、結
果として、NOx 濃度の検出精度を向上することができ
る。
【0072】また、本実施例及び変形例の内燃機関のガ
ス濃度検出装置の制御回路200にて達成される素子抵
抗検出手段は、センサセル130以外のセルであるポン
プセル110及びモニタセル120を対象にそれらの素
子抵抗Rms,Rpsを検出するものである。このため、ガ
ス濃度センサ100の補正後センサセル電流算出の際に
も、センサセル130によるNOx 濃度の検出が中断さ
れることがなく、NOx 濃度検出に影響を及ぼすことが
ない。
【0073】次に、本発明の実施の形態の一実施例にか
かる内燃機関のガス濃度検出装置で使用されている制御
回路200内のCPUにおける補正後センサセル電流演
算の処理手順の第3の変形例を示す図18のフローチャ
ートに基づき、図19を参照して説明する。ここで、図
19は図18における排気温TEMPH〔℃〕の定常時
からの変移量に応じてセンサセル130の電流補正量IS
HOSEI 〔nA〕を算出するマップである。なお、この補
正後センサセル電流演算ルーチンは制御回路200への
電源投入に伴い所定時間毎にCPUにて繰返し実行され
る。
【0074】図18において、ステップS701では、
ガス濃度センサ100に導入された排気ガスのガス濃度
に応じてセンサセル130に流れるセンサセル電流Is
が検出される。次にステップS702に移行して、内燃
機関の排気通路に配設された排気温センサ(図示略)に
よって、ガス濃度センサ100の近傍における排気ガス
の排気温TEMPHが検出される。
【0075】次にステップS703に移行して、図19
に示すマップに基づき、ステップS702で算出された
排気温TEMPHの定常時からの変化量に応じて、セン
サセル130の電流補正量ISHOSEI が算出される。次に
ステップS704に移行して、ステップS701で検出
されたセンサセル130のセンサセル電流Isにステッ
プS703で算出されたセンサセル130の電流補正量
ISHOSEI が加算され、センサセル130の補正後のセン
サセル電流ISBHOSEIが算出され、本ルーチンを終了す
る。
【0076】上述のように算出されたセンサセル130
のセンサセル電流補正量ISHOSEI を用いたセンサセル電
流Is補正について、図19及び図20を参照して説明
する。ここで、図20は図18の処理に対応する排気温
TEMPH〔℃〕及びセンサセル電流Is〔nA〕の遷
移状態を示すタイムチャートである。
【0077】図19に示すマップにより算出された排気
温TEMPHの定常時からの変化量に応じたセンサセル
130のセンサセル電流補正量ISHOSEI に基づき、セン
サセル130のセンサセル電流Isが補正される。即
ち、図20において、センサセル130の補正前(破線
にて示す)におけるセンサセル電流Isが、排気温TE
MPHの変化量に応じたセンサセル電流補正量ISHOSEI
に基づき、矢印にて示すように大きくなるよう補正され
る。これにより、ガス濃度センサ100のセンサセル1
30のセンサセル電流Isが各セルの経時的または一時
的な影響を受けないよう適切に補正され、結果として、
NOx 濃度を正確に検出することができる。
【0078】このように、本変形例の内燃機関のガス濃
度検出装置の制御回路200にて達成される補正手段
は、内燃機関(図示略)の排気温TEMPHに基づき所
定のセルであるセンサセル130のセンサセル電流Is
を補正するものである。このため、ガス濃度センサ10
0の補正後センサセル電流算出の際にも、センサセル1
30によるNOx 濃度の検出が中断されることがなく、
NOx 濃度検出に影響を及ぼすことがない。
【0079】ところで、上記実施例及び変形例では、ヒ
ータ制御にて所定のセルの素子抵抗が所望の目標素子抵
抗に一致するよう制御する際、他のセルの素子抵抗また
は目標素子抵抗の変化量に応じて所定のセルの検出値を
補正するとしたが、本発明を実施する場合には、これに
限定されるものではなく、他のセルの目標素子抵抗が予
め設定された所定範囲外となるとき補正するようにして
もよい。
【0080】また、内燃機関の排気通路に排気温センサ
を配設して排気ガスの排気温を直接検出するとしたが、
本発明を実施する場合には、これに限定されるものでは
なく、排気温センサを用いることなく、推定された排気
温を適用するようにしてもよい。
【図面の簡単な説明】
【図1】 図1は本発明の実施の形態の一実施例にかか
る内燃機関のガス濃度検出装置を示す概略構成図であ
る。
【図2】 図2は図1のガス濃度センサの構成を示す詳
細断面図である。
【図3】 図3は図2のモニタセル及びセンサセルの電
極配置を示す断面図である。
【図4】 図4は本発明の実施の形態の一実施例にかか
る内燃機関のガス濃度検出装置で使用されている制御回
路のCPUにおけるガス濃度センサの各セルに対するヒ
ータ制御の処理手順を示すフローチャートである。
【図5】 図5は図4における素子インピーダンスを検
出する処理手順を示すフローチャートである。
【図6】 図6は図4における素子インピーダンスを検
出する処理手順の変形例を示すフローチャートである。
【図7】 図7は本発明の実施の形態の一実施例にかか
る内燃機関のガス濃度検出装置で用いられているガス濃
度センサのヒータ制御による各セルの素子温度と素子抵
抗との関係を劣化前及び劣化後とで示す特性図である。
【図8】 図8は本発明の実施の形態の一実施例にかか
る内燃機関のガス濃度検出装置で用いられているガス濃
度センサのヒータ制御によるセンサセルの素子温度とセ
ンサセル電流との関係を劣化前と劣化後とで示す特性図
である。
【図9】 図9は本発明の実施の形態の一実施例にかか
る内燃機関のガス濃度検出装置で使用されている制御回
路のCPUにおける補正後センサセル電流演算の処理手
順を示すフローチャートである。
【図10】 図10は図9におけるポンプセル素子抵抗
の定常時からの変移量に応じてセンサセル電流補正量を
算出するマップである。
【図11】 図11は図9の処理に対応する各セルの素
子抵抗及びセンサセル電流等の遷移状態を示すタイムチ
ャートである。
【図12】 図12は本発明の実施の形態の一実施例に
かかる内燃機関のガス濃度検出装置で使用されている制
御回路のCPUにおける補正後センサセル電流演算の処
理手順の第1の変形例を示すフローチャートである。
【図13】 図13は図12におけるモニタセル素子抵
抗の定常時からの変移量に応じてセンサセル電流補正量
を算出するマップである。
【図14】 図14は図12の処理に対応するモニタセ
ル素子抵抗及びセンサセル電流の遷移状態を示すタイム
チャートである。
【図15】 図15は本発明の実施の形態の一実施例に
かかる内燃機関のガス濃度検出装置で使用されている制
御回路のCPUにおける補正後センサセル電流演算の処
理手順の第2の変形例を示すフローチャートである。
【図16】 図16は図15におけるモニタセル目標素
子抵抗の劣化前からの変移量に応じてセンサセル電流補
正量を算出するマップである。
【図17】 図17は図15の処理に対応するモニタセ
ル素子抵抗及びセンサセル電流の遷移状態を示すタイム
チャートである。
【図18】 図18は本発明の実施の形態の一実施例に
かかる内燃機関のガス濃度検出装置で使用されている制
御回路のCPUにおける補正後センサセル電流演算の処
理手順の第3の変形例を示すフローチャートである。
【図19】 図19は図18における排気温の定常時か
らの変移量に応じてセンサセル電流補正量を算出するマ
ップである。
【図20】 図20は図18の処理に対応する排気温及
びセンサセル電流の遷移状態を示すタイムチャートであ
る。
【符号の説明】
100 ガス濃度センサ 110 ポンプセル 120 モニタセル 130 センサセル 144 第1チャンバ 146 第2チャンバ 151 ヒータ 200 制御回路
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) G01N 27/46 327G 331

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 チャンバに導入した被検出ガス中の酸素
    を排出または汲み込むポンプセルと、前記ポンプセルを
    通過したのちのガスから特定ガス成分の濃度を検出する
    センサセルと、前記チャンバ内の残留酸素濃度を検出す
    るモニタセルとを少なくとも有し、各セルを形成する固
    体電解質の素子抵抗に基づき各セルを活性状態に保持す
    る複合型のガス濃度センサと、 前記ガス濃度センサの少なくとも2つのセルに対して印
    加する電圧または電流を所定周期で一時的に切換え、そ
    のときの電圧変化及び電流変化から各セルの素子抵抗を
    検出する素子抵抗検出手段と、 前記素子抵抗検出手段で検出された各セルの素子抵抗が
    所望の目標素子抵抗に一致するよう各セルに対応して設
    けられたヒータへの通電を制御するヒータ制御手段と、 前記センサセルに流れる電流を検出し、その検出値から
    特定ガス成分の濃度を逐次検出するガス濃度検出手段
    と、 前記ヒータ制御手段により所定のセルの素子抵抗が所望
    の目標素子抵抗に一致するよう制御する際、他のセルの
    素子抵抗または目標素子抵抗の変化量に応じて、または
    前記目標素子抵抗が所定範囲外となるとき、前記所定の
    セルの検出値を補正する補正手段とを具備することを特
    徴とする内燃機関のガス濃度検出装置。
  2. 【請求項2】 前記素子抵抗検出手段は、前記センサセ
    ル以外のセルを対象に素子抵抗を検出することを特徴と
    する請求項1に記載の内燃機関のガス濃度検出装置。
  3. 【請求項3】 前記補正手段は、内燃機関の運転条件ま
    たは排気温に基づき前記所定のセルの検出値を補正する
    ことを特徴とする請求項1に記載の内燃機関のガス濃度
    検出装置。
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