【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、シリコン（Ｓｉ）
太陽電池の裏面電極に好適な導電性ペーストに関するも
のである。
【０００２】
【従来の技術】Ｓｉ太陽電池１は、例えば図１（ａ）の
断面構造に示すように、ｐ−Ｓｉ層２ａとｎ−Ｓｉ層２
ｂとからなるＳｉウエハ２と、Ｓｉウエハ２のｎ−Ｓｉ
層２ｂ側に形成された受光面電極３及び反射防止膜４
と、Ｓｉウエハのｐ−Ｓｉ層２ａ側に形成された裏面電
極５とを有する構造となっている。
【０００３】従来より、Ｓｉ太陽電池１の裏面電極５と
しては、特に電極形成に伴う加工性を顧慮した場合、ア
ルミニウム（Ａｌ）粉末とガラスフリットとを有機ビヒ
クル中に分散させたＡｌの導電性ペーストを使用したも
のが知られている。
【０００４】Ａｌの導電性ペーストによる裏面電極５
は、次のように形成される。すなわち、Ｓｉウエハ２の
Ｐ−Ｓｉ層２ａ側の表面上に、図１（ｂ）に示すよう
に、Ａｌ粉末５ａとガラスフリットを有機ビヒクル中に
分散させた導電性ペーストを用いて電極膜を形成し、こ
れを乾燥させ、大気雰囲気中の近赤外線炉にてＡｌ粉末
５ａの融点、すなわち６６０℃以上の温度で焼成し、有
機成分を除去してＡｌ粉末５ａを焼結させて裏面電極５
が得られる。
【０００５】この焼成の際に、裏面電極５付近を拡大し
た図１（ｂ）に示すように、裏面電極５はｐ−Ｓｉ層２
ａと反応して、接合界面のｐ−Ｓｉ層２ａ側の表面にＡ
ｌ−Ｓｉ合金層２ｃが形成され、さらにＡｌ−Ｓｉ合金
層２ｃを介してｐ−Ｓｉ層２ａの内部にＡｌイオンが拡
散し、ｐ+ 電解層２ｄが形成される。
【０００６】Ａｌ−Ｓｉ合金層２ｃおよびｐ+ 電解層２
ｄは、裏面電極５のｐ−Ｓｉ層２ａに対するオーミック
接触性を確保するとともに、長波長光反射効果、電子再
結合防止効果、内部電解向上効果等によって、Ｓｉ太陽
電池１の特性を向上させる働きを備えている。
【０００７】Ｓｉ太陽電池１の裏面電極５に用いられる
導電性ペーストは、Ａｌ粉末とガラスフリットとを有機
ビヒクル中に分散させたものが用いられているが、その
中のガラスフリットとして、Ａｌ粉末の焼成時の焼結性
を調整することによるＳｉ太陽電池１の特性を向上させ
る目的、及び、ガラスフリットの軟化点を調整すること
による電極形成性向上の目的でホウ素を含有するガラス
フリットが用いられている（特開平７−７３７３１号公
報）。
【０００８】さらに、従来のＳｉ太陽電池モジュールと
しては、受光面への太陽光の有効な照射が重要視されて
おり、図２に示すように、Ｓｉ太陽電池の裏面部は不透
明のパネル６ｂで覆われたものが一般的である。従っ
て、Ｓｉ太陽電池の裏面電極としては上述したｐ−Ｓｉ
層に対するオーミック接触性を確保するとともに、長波
長光反射効果、電子再結合防止効果、内部電解向上効果
等のＳｉ太陽電池特性を向上させる特性、及び電極形成
性のみが注目されていた。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】近年、Ｓｉ太陽電池の
有効活用、更なる普及を目的のために、ビルの壁等の建
材向けとしてガラス窓部、ガラスのひさし部等の通常透
明ガラスとなっている部分へのＳｉ太陽電池セルを組み
込んだモジュールが検討されている。
【００１０】このようなガラス窓部に対応したＳｉ太陽
電池モジュールの場合、太陽光を内部に採光する必要が
あるため、図３に示すように、隣り合う各Ｓｉ太陽電池
セル７のそれぞれに間隔を設け、２重の透明ガラス６
ａ、８間に挟み込んだ構造のモジュールとなっている。
【００１１】このような構造の場合、Ｓｉ太陽電池セル
７の裏面が内側から見えるため、これらのＳｉ太陽電池
セル７に使用される裏面電極用途のＡｌペーストには太
陽電池特性を向上させる特性の他に必然的に意匠的要
素、すなわちＳｉ太陽電池セル７の裏面電極における電
極焼成後の色彩が良好なものが必要になっている。
【００１２】しかしながら、従来のＡｌペーストでは太
陽電池特性を向上させる特性、電極形成性に特化したＡ
ｌペースト設計を行なっていたため、裏面電極形成後の
意匠的要素の検討がなされていない。
【００１３】すなわち、上記従来の裏面電極では、形成
後の裏面電極の色彩が茶褐色と、意匠的に良好でなく、
Ｓｉ太陽電池セル７の有効活用、更なる普及を目的とし
た、ビルの壁等の建材向けとしてのガラス窓部、ガラス
のひさし部等の通常ガラスとなっている部分へのＳｉ太
陽電池セル７を組み込んだモジュールが採用されにくい
状況となっている。
【００１４】本発明の目的は、上述の問題点を解消すべ
くなされたもので、Ｓｉ太陽電池セル７の効率を維持し
た上で裏面電極形成後の意匠的要素、すなわち電極形成
後の色彩を、電極に含まれるＡｌ粉末の色合いに近い銀
灰色にすることにある。
【００１５】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明のＳｉ太陽電池の裏面電極に用いられる導電
性ペーストは、Ａｌ粉末、ガラスフリット及び有機ビヒ
クルを含有し、太陽電池の裏面電極形成に用いられる導
電性ペーストであって、ガラスフリットは、ホウ素を除
く元素からなっていることを特徴としている。
【００１６】ところで、導電性ペーストのガラスフリッ
ト成分中のホウ素は焼成過程での５００℃から６００℃
付近にて酸化ホウ素の形で溶融してガラス状態となる。
この際に酸化ホウ素が他の酸化物より多量の酸素を奪う
還元作用を示す。
【００１７】Ａｌを主成分とする導電性ペーストにおい
ては、Ａｌの融点以上の７００℃から８００℃付近にて
焼成されるため、この酸化ホウ素の還元作用より焼成前
のＡｌ粉末表面層に存在する酸化皮膜に対するエッチン
グ作用が起こり、Ａｌ粉末の焼結性を助長する一方で酸
化皮膜のエッチング作用により生成したＡｌ粉末の清浄
な表面が酸化する事を繰り返し、最終的にＡｌ表面の酸
化被膜が厚く成長していく。
【００１８】更に、このＡｌ粉末の逐次表面酸化進行に
よりガラスフリット成分中に含まれる酸化鉛の還元が進
行し、焼成電極内に鉛（Ｐｂ）が析出する。この酸化皮
膜の成長したＡｌ粉末の焼結物と析出したＰｂにより、
Ａｌを主成分とする導電性ペーストによる電極面の色彩
は、Ａ１粉末の単体の色合いに近い銀灰色から顕著に茶
褐色化する。
【００１９】ここで、Ａｌ粉末は単体であってもＡｌの
融点を大きく上回る８００℃を越えるような高温状態で
は顕著な酸化被膜の成長が進行し、ガラスフリット成分
中の酸化鉛も同様に還元し焼成電極内にＰｂが析出し、
電極焼成面色として茶褐色化していくが、７００℃から
８００℃における温度範囲においては上述した酸化ホウ
素の還元作用が支配的であり、茶褐色化が上記ホウ素の
存在によって促進される。さらに、この酸化ホウ素の還
元作用はその存在量が少量であっても顕著である。
【００２０】従って、Ａｌを主成分とする導電性ペース
トからの焼成時の焼成面色の茶褐色化を抑制し、含まれ
るＡ１粉末単体の色合いに近い銀灰色の状態を保つため
にはＡｌを主成分とする導電性ペーストにホウ素を含ま
ない（つまり、ホウ素を除く元素からなる）ガラスフリ
ットを使用することが効果的である。
【００２１】本発明の導電性ペーストのガラスフリット
としては、ＰｂＯ−ＳｉＯ2 系、ＰｂＯ−ＳｉＯ2 −Ｂ
ｉ2 Ｏ3 系が挙げられる。
【００２２】本発明の導電性ペーストのＡｌ粉末として
は、平均粒子径が２μｍ〜１０μｍの範囲内のものが好
適に用いられる。平均粒子径が２μｍ〜１０μｍのＡｌ
粉末を用いることで、太陽電池の例えばＳｉウエハの表
面における凹凸構造に関わらず、より多くのＡｌ−Ｓｉ
接触点が確保できるため、界面方向に均一な合金層を形
成でき、合金層の被覆率を高めることが可能となる。
【００２３】一方、Ａｌ粉末の平均粒子径が２μｍ未満
の場合、Ａｌ粉末中に占める酸化物の体積比率が高くな
るため、電極固有抵抗の上昇に伴い太陽電池の配線抵抗
が増加し、太陽電池特性が劣化するので好ましくない。
他方、Ａｌ粉末の平均粒子径が１０μｍを越える場合、
Ａｌ−Ｓｉ接触点が十分には確保できず、合金層の被覆
率が低下する。
【００２４】本発明の導電性ペーストに含まれる有機ビ
ヒクルは、エチルセルロースやニトロセルロース等の繊
維素系樹脂やアルキッド樹脂、アクリル樹脂を、ターピ
ネオールやカルビトール、セルソルブ等の溶媒に溶解し
たもの等を適宜用いることができるが、特に限定される
ものではない。
【００２５】
【発明の実施の形態】本発明の導電性ペーストに用いら
れるＡｌ粉末形状、有機ビヒクル種についてはＡｌを主
成分とする導電性ペーストとして一般に用いられている
ものであれば特に制限されるものではない。即ち、ガラ
スフリット成分中ににホウ素が含まれていないものであ
れば適宜使用できる。
【００２６】
【実施例】まず、表１に示す平均粒子径が１μｍで組成
成分が異なる各種ガラスフリットを準備し、これらを実
施例、比較例に用いるガラスフリットとした。
【００２７】次に、平均粒径が５μｍのＡｌ粉末７０重
量％と、表１に示した実施例１〜３ならびに比較例１〜
３に記載のガラスフリット３重量％と、エチルセルロー
ス樹脂とアルキッド樹脂をα−テルピネオールに溶解し
てなる有機ビヒクル２７重量％とを調合し、３本ロール
ミルで混練して、実施例１〜３ならびに比較例１〜３の
導電性ペーストを得た。なお、ガラスフリット、Ａｌ粉
末の平均粒子径の測定は、エタノールとイソプロピルア
ルコールの混合溶剤を分散媒体として、レーザー回折散
乱式の粒度分布計を用いて行なった。
【００２８】
【表１】【００２９】次に、所定の寸法にカットしたＳｉウエハ
上に、実施例１〜３ならびに比較例１〜３の導電性ペー
ストを用いてスクリーン印刷法により電極膜を、ｐｎ接
合で構成される４０ｍｍ×２０ｍｍのＳｉウエハの、ｐ
−Ｓｉ側表面上に、裏面電極の厚みが５０μｍとなるよ
う略全面に印刷塗布し、１５０℃で乾燥させた後、近赤
外炉において最高温度７００℃で焼成して裏面電極を形
成し、実施例１〜３ならびに比較例１〜３の試験サンプ
ルをそれぞれ作製した。
【００３０】焼成して作製した試験サンプルの裏面電極
の焼成面色状態を目視にて観察し、また、測色計を用い
て明度（Ｌ値）の比較を行った。これらの結果を表２に
まとめた。
【００３１】
【表２】
【００３２】表２より、実施例１〜３に示すホウ素を含
まないガラスフリットを用いた、Ａｌを含む導電性ペー
ストの電極焼成面色は、含まれるＡｌ粉末の単体の色合
いに近い銀灰色を示すのに対して、比較例１〜３に示す
ホウ素を含んだガラスフリットを用いたＡｌを含む導電
性ペーストの電極焼成面色は、上記各実施例１〜３と比
べて、明度の低い、くすんだ茶褐色に変色する事が確認
された。
【００３３】更に、比較例１〜３の各導電性ペーストで
はガラスフリット成分中のホウ素の含有量がそれぞれ異
なるが、電極焼成面色の茶褐色への変色度合いに顕著な
差が認められない。この事より、ガラスフリット成分中
のホウ素の還元作用による電極焼成面色の茶褐色への変
色作用はホウ素の存在量が少量であっても顕著である事
が確認できた。
【００３４】以上の事より、本発明の導電性ペーストを
用いることによって、Ａｌを含む導電性ペーストを焼成
する時の焼成面色の茶褐色化を抑制でき、含まれるＡｌ
粉末の単体の色合いに近い銀灰色の状態を維持できるこ
とが分かった。
【００３５】
【発明の効果】以上のように本発明の導電性ペースト
は、太陽電池の裏面電極に用いられ、Ａｌ粉末、ガラス
フリット及び有機ビヒクルを含有し、ガラスフリット
は、ホウ素を除く元素からなっている構成である。
【００３６】それゆえ、上記構成は、ガラスフリット
は、ホウ素を除く元素からなっていることから、太陽電
池の効率を維持した上で裏面電極形成後の意匠的要素、
すなわち電極形成後の色彩を含まれるＡｌ粉末の単体の
色合いに近い銀灰色にすることを達成できる。
【００３７】それによって、上記構成においては、裏面
電極を外観に優れ、意匠性も改善されるので、太陽電池
の有効活用、更なる普及としてのビルの壁等の建材向け
としてガラス窓部、ガラスのひさし部等の通常透明ガラ
スとなっている部分への太陽電池モジュールに適応した
太陽電池セルを提供する事ができるという効果を奏す
る。Description: BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to silicon (Si)
The present invention relates to a conductive paste suitable for a back electrode of a solar cell. 2. Description of the Related Art A Si solar cell 1 has, for example, a p-Si layer 2a and an n-Si layer 2 as shown in the sectional structure of FIG.
b, and n-Si of the Si wafer 2
Light receiving surface electrode 3 and antireflection film 4 formed on layer 2b side
And a back electrode 5 formed on the p-Si layer 2a side of the Si wafer. [0003] Conventionally, as the back electrode 5 of the Si solar cell 1, especially when workability accompanying electrode formation is taken into consideration, aluminum (Al) powder and glass frit are dispersed in an organic vehicle so that the conductivity of Al is reduced. One using a paste is known. Back electrode 5 made of Al conductive paste
Is formed as follows. That is, as shown in FIG. 1B, an electrode film is formed on the surface of the Si wafer 2 on the P-Si layer 2a side using a conductive paste in which Al powder 5a and glass frit are dispersed in an organic vehicle. The aluminum powder 5a is formed, dried and baked in a near-infrared furnace in an air atmosphere at a temperature equal to or higher than the melting point of the Al powder 5a, that is, at a temperature of 660 ° C. or higher.
Is obtained. In this firing, as shown in FIG. 1B in which the vicinity of the back electrode 5 is enlarged, the back electrode 5 is
reacts with the surface of the p-Si layer 2a at the junction interface.
An l-Si alloy layer 2c is formed, and Al ions diffuse into the p-Si layer 2a via the Al-Si alloy layer 2c, thereby forming a p + electrolytic layer 2d. Al-Si alloy layer 2c and p + electrolytic layer 2
d serves to secure the ohmic contact of the back electrode 5 with the p-Si layer 2a and to improve the characteristics of the Si solar cell 1 by a long-wavelength light reflection effect, an electron recombination prevention effect, an internal electrolysis improvement effect, and the like. It has. As the conductive paste used for the back electrode 5 of the Si solar cell 1, an Al powder and a glass frit dispersed in an organic vehicle are used. The glass frit containing boron is used for the purpose of improving the characteristics of the Si solar cell 1 by adjusting the sinterability at the time of firing, and for the purpose of improving the electrode formability by adjusting the softening point of the glass frit. (JP-A-7-73731). Further, in the conventional Si solar cell module, effective irradiation of sunlight to the light receiving surface is regarded as important. As shown in FIG. 2, the back surface of the Si solar cell is an opaque panel 6b. Covered ones are common. Therefore, the above-described p-Si
Attention has been paid only to the characteristics for improving the characteristics of the Si solar cell such as the long-wavelength light reflection effect, the effect of preventing electron recombination, the effect of improving internal electrolysis, and the electrode formability, while ensuring the ohmic contact with the layer. [0009] In recent years, for the purpose of effective utilization and further spread of Si solar cells, glass transparent portions such as glass windows and eaves of glass have been used for building materials such as walls of buildings. A module in which a Si solar cell is incorporated into a glass part is being studied. In the case of the Si solar cell module corresponding to such a glass window, since it is necessary to collect sunlight therein, as shown in FIG. 3, a space is provided between each adjacent Si solar cell 7. And a double transparent glass 6
The module has a structure sandwiched between a and 8. In the case of such a structure, since the back surface of the Si solar cell 7 can be seen from the inside, the Al paste used for the back electrode used for these Si solar cells 7 has a property of improving the solar cell characteristics. In addition, it is necessary to provide a design element, that is, a back electrode of the Si solar cell 7 having a good color after firing the electrode. However, in the conventional Al paste, the characteristics of improving the solar cell characteristics and the characteristics of A, which are specialized in the electrode forming property, are used.
Since the l-paste design was performed, no design element has been studied after the formation of the back electrode. In other words, in the above-mentioned conventional back electrode, the color of the back electrode after formation is brownish, which is not good in design.
For the purpose of effective use and further popularization of the Si solar cell 7, the Si solar cell 7 is used for a portion of a glass that is normally made of glass such as a building window such as a wall of a building or an eaves portion of a glass. It is difficult to adopt a module that incorporates. An object of the present invention is to solve the above-mentioned problems, and to maintain the efficiency of the Si solar cell 7 and to change the design element after the back electrode is formed, that is, the color after the electrode is formed. Another object of the present invention is to make silver gray close to the color of the Al powder contained in the electrode. [0015] In order to achieve the above object, a conductive paste used for a back electrode of a Si solar cell according to the present invention contains Al powder, glass frit and an organic vehicle. A conductive paste used for forming a back electrode of a battery, wherein the glass frit is made of an element other than boron. Incidentally, boron in the glass frit component of the conductive paste is changed from 500 ° C. to 600 ° C. during the firing process.
In the vicinity, it melts in the form of boron oxide and becomes a glassy state.
At this time, boron oxide exhibits a reducing action of removing more oxygen than other oxides. Since the conductive paste containing Al as a main component is baked at about 700 ° C. to 800 ° C., which is higher than the melting point of Al, it is present in the surface layer of the Al powder before firing due to the reducing action of the boron oxide. The etching action on the oxide film occurs, promoting the sinterability of the Al powder, while the clean surface of the Al powder generated by the etching action of the oxide film repeatedly oxidizes, and finally the oxide film on the Al surface becomes thicker. Growing up. Furthermore, the reduction of lead oxide contained in the glass frit component progresses due to the successive surface oxidation of the Al powder, and lead (Pb) precipitates in the fired electrode. Due to the sintered product of Al powder with the oxide film grown and Pb precipitated,
The color of the electrode surface due to the conductive paste containing Al as a main component is remarkably browned from silver gray, which is close to the color of the simple substance of the A1 powder. Here, even if the Al powder is a simple substance, a remarkable oxide film grows in a high temperature state exceeding 800 ° C., which is much higher than the melting point of Al, and lead oxide in the glass frit component is similarly reduced. Pb precipitates in the fired electrode,
The electrode firing surface color becomes brownish, but in the temperature range of 700 ° C. to 800 ° C., the above-described reduction action of boron oxide is dominant, and browning is promoted by the presence of the boron. Furthermore, this reducing action of boron oxide is remarkable even if its abundance is small. Therefore, in order to suppress the browning of the sintering surface color during sintering from a conductive paste containing Al as a main component, and to maintain a silver-gray state close to the tint of the contained A1 powder alone, Al is used as a main component. It is effective to use a glass frit that does not contain boron (that is, is made of an element other than boron) in the conductive paste to be formed. As the glass frit of the conductive paste of the present invention, a PbO—SiO 2 system, PbO—SiO 2 —B
i 2 O 3 type. As the Al powder of the conductive paste of the present invention, those having an average particle diameter in the range of 2 μm to 10 μm are preferably used. Al having an average particle size of 2 μm to 10 μm
By using the powder, more Al-Si can be obtained regardless of the uneven structure on the surface of the solar cell, for example, the Si wafer.
Since a contact point can be secured, a uniform alloy layer can be formed in the interface direction, and the coverage of the alloy layer can be increased. On the other hand, when the average particle diameter of the Al powder is less than 2 μm, the volume ratio of the oxide in the Al powder increases, so that the wiring resistance of the solar cell increases with an increase in the specific resistance of the electrode. It is not preferable because the characteristics are deteriorated.
On the other hand, when the average particle diameter of the Al powder exceeds 10 μm,
Al-Si contact points cannot be sufficiently secured, and the coverage of the alloy layer decreases. As the organic vehicle contained in the conductive paste of the present invention, a material obtained by dissolving a fibrous resin such as ethyl cellulose or nitrocellulose, an alkyd resin, or an acrylic resin in a solvent such as terpineol, carbitol, or cellosolve is appropriately used. Although it can be used, it is not particularly limited. DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The form of Al powder and the type of organic vehicle used for the conductive paste of the present invention are not particularly limited as long as they are generally used as a conductive paste containing Al as a main component. Not something. That is, as long as the glass frit component does not contain boron, it can be appropriately used. EXAMPLES First, various kinds of glass frits having an average particle diameter of 1 μm and different composition components shown in Table 1 were prepared, and these were used as glass frit used in Examples and Comparative Examples. Next, 70% by weight of Al powder having an average particle size of 5 μm was added to Examples 1 to 3 and Comparative Examples 1 to 3 shown in Table 1.
3% by weight of the glass frit described in 3, and 27% by weight of an organic vehicle obtained by dissolving an ethylcellulose resin and an alkyd resin in α-terpineol, and kneading with a three-roll mill, and mixing with Examples 1 to 3. The conductive pastes of Examples 1 to 3 were obtained. The measurement of the average particle diameter of the glass frit and the Al powder was carried out using a mixed solvent of ethanol and isopropyl alcohol as a dispersion medium and using a laser diffraction scattering type particle size distribution meter. [Table 1] Next, an electrode film was formed on a Si wafer cut to a predetermined size by screen printing using the conductive pastes of Examples 1 to 3 and Comparative Examples 1 to 3 to form a 40 mm pn junction. P of a × 20 mm Si wafer
-On the Si-side surface, the back electrode is printed and coated on substantially the entire surface so as to have a thickness of 50 μm, dried at 150 ° C., and then fired at a maximum temperature of 700 ° C. in a near-infrared furnace to form a back electrode. Test samples of Examples 1 to 3 and Comparative Examples 1 to 3 were produced, respectively. The fired surface color state of the back electrode of the test sample produced by firing was visually observed, and the brightness (L value) was compared using a colorimeter. These results are summarized in Table 2. [Table 2] As shown in Table 2, the electrode firing surface color of the conductive paste containing Al using the glass frit containing no boron shown in Examples 1 to 3 is silver-gray, which is close to the color tone of the contained Al powder alone. On the other hand, the electrode firing surface color of the conductive paste containing Al using the glass frit containing boron shown in Comparative Examples 1 to 3 is lower in brightness than the above Examples 1 to 3, and has a dark brown color. It was confirmed that the color changed to. Further, in each of the conductive pastes of Comparative Examples 1 to 3, although the boron content in the glass frit component is different, no remarkable difference is observed in the degree of discoloration of the electrode firing surface color to brown. From this fact, it was confirmed that the reduction effect of boron in the glass frit component to the discoloration of the electrode firing surface color to brown was remarkable even when the amount of boron was small. As described above, by using the conductive paste of the present invention, it is possible to suppress the browning of the baked surface when the conductive paste containing Al is baked, and to suppress the contained Al
It was found that a silver-gray state close to the color of the powder alone could be maintained. As described above, the conductive paste of the present invention is used for the back electrode of a solar cell and contains Al powder, glass frit, and an organic vehicle. This is the configuration. Therefore, in the above structure, since the glass frit is made of an element other than boron, the design element after the back electrode is formed while maintaining the efficiency of the solar cell,
That is, it is possible to achieve a silver-gray color close to the color of the simple substance of the Al powder including the color after the electrode is formed. Thus, in the above configuration, the back electrode is excellent in appearance and the design is improved. Therefore, the glass window portion and the glass are used for building materials such as building walls and the like for effective use of solar cells and further spread. It is possible to provide a solar cell suitable for a solar cell module to a portion which is usually made of transparent glass such as an eaves portion.
【図面の簡単な説明】
【図１】従来の導電性ペーストを用いて裏面電極を形成
したＳｉ太陽電池の断面図であり、（ａ）はＳｉ太陽電
池の全体的な説明図であり、（ｂ）はｐ−Ｓｉ層と裏面
電極の界面を拡大した説明図である。
【図２】従来のＳｉ太陽電池モジュールの断面概要図の
一部分である。
【図３】本発明の導電性ペーストを用いたビルの壁等の
建材向けとしてのガラス窓部、ガラスのひさし部等の通
常ガラスとなっている部分へのＳｉ太陽電池セルを組み
込んだモジュールの断面概要図の一部分である。
【符号の説明】
１ Ｓｉ太陽電池
２ Ｓｉウエハ
２ａ ｎ−Ｓｉ層
２ｂ ｐ−Ｓｉ層
３ 受光面電極
４ 反射防止膜
６ 裏面電極
６ａ Ｓｉ太陽電池モジュール表面透明ガラス
６ｂ Ｓｉ太陽電池モジュール裏面不透明パネル
７ Ｓｉ太陽電池セル
８ Ｓｉ太陽電池モジュール裏面透明ガラスBRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS FIG. 1 is a cross-sectional view of a Si solar cell in which a back electrode is formed using a conventional conductive paste, (a) is an overall explanatory view of the Si solar cell, (b) is an explanatory diagram in which the interface between the p-Si layer and the back electrode is enlarged. FIG. 2 is a part of a schematic cross-sectional view of a conventional Si solar cell module. FIG. 3 shows a module in which Si solar cells are incorporated into a portion that is normally made of glass, such as a glass window or a glass eave, for building materials such as a building wall using the conductive paste of the present invention. It is a part of sectional schematic diagram. DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Si solar cell 2 Si wafer 2a n-Si layer 2b p-Si layer 3 Light receiving surface electrode 4 Antireflection film 6 Back electrode 6a Si solar cell module surface transparent glass 6b Si solar cell module back opaque panel 7 Si solar cell 8 Transparent glass on back of Si solar cell module
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