JP2003162065A - Exposure system, mask for exposure, exposure method, display, and electronic parts - Google Patents

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To diminish defects in a pattern of a photosensitive material due to dust etc. <P>SOLUTION: After first exposure, the overlap position of the mask pattern of a mask 201 for exposure and a substrate 300 to be exposed in plane view is varied by a prescribed extent in such a way that the mask pattern of the mask 201 overlaps part of a region exposed by the first exposure and exposure is carried out again. For example, when a dry film resist 60 is negative, the pattern of the light transmissive region 201a of the mask 201 corresponds to only part of a (designed) prescribed pattern of the dry film resist 60 to be left after exposure and development. <P>COPYRIGHT: (C)2003,JPO

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【０００１】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、露光装置、露光マ
スク、露光方法、表示装置及び電子部品に関し、主に感
光性材料のパターン欠陥を低減するあるいは無くして生
産効率及び歩留まりを向上させるための技術に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an exposure apparatus, an exposure mask, an exposure method, a display device, and an electronic component, which are mainly used for reducing or eliminating pattern defects of a photosensitive material to improve production efficiency and yield. Regarding technology.

【０００２】[0002]

【従来の技術】プラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ；
Plasma display panel）はフラットディスプレイパネル
（ＦＤＰ；Flat display panel）の１つとして注目され
ており、大型かつ薄型の表示装置を実現可能としうる。
ＰＤＰは気体放電を用いた表示装置であり、主としてＤ
Ｃ型とＡＣ型とに大別される。近年では画面サイズが３
０吋級から６０吋級のＡＣ型ＰＤＰの製品化が活発にな
されている。2. Description of the Related Art Plasma display panels (PDPs)
A plasma display panel (FDP) is attracting attention as one of flat display panels (FDP), and can realize a large and thin display device.
A PDP is a display device using gas discharge, and is mainly D
It is roughly divided into C type and AC type. In recent years, the screen size is 3
AC type PDPs ranging from 0-inch to 60-inch are being actively commercialized.

【０００３】図２５に一般的なＡＣ型ＰＤＰ５１を説明
するための斜視図を示す。ＰＤＰ５１は、前面基板５１
Ｆ及び背面基板５１Ｒに大別される。FIG. 25 is a perspective view for explaining a general AC type PDP 51. The PDP 51 is a front substrate 51
It is roughly divided into F and the rear substrate 51R.

【０００４】前面基板５１Ｆは、前面ガラス基板５と、
透明電極１と、母電極（ないしはバス電極）２と、透明
な誘電体層３と、保護膜（ないしはカソード膜）４と、
を備えている。詳細には、前面ガラス基板５上に透明電
極１及び母電極２がこの順序で積層されており、透明電
極１及び母電極２はそれぞれストライプ状に形成されて
いる。透明電極１及び母電極２を覆って前面ガラス基板
５上に誘電体層３及び保護膜４がこの順序で形成されて
いる。The front substrate 51F includes the front glass substrate 5 and
A transparent electrode 1, a mother electrode (or a bus electrode) 2, a transparent dielectric layer 3, a protective film (or a cathode film) 4,
Is equipped with. In detail, the transparent electrode 1 and the mother electrode 2 are laminated in this order on the front glass substrate 5, and the transparent electrode 1 and the mother electrode 2 are formed in stripes. A dielectric layer 3 and a protective film 4 are formed in this order on a front glass substrate 5 so as to cover the transparent electrode 1 and the mother electrode 2.

【０００５】他方、背面基板５１Ｒは、背面ガラス基板
９と、書込電極６と、白色の誘電体層１０と、隔壁（な
いしはバリアリブ）７と、蛍光体層８と、を備えてい
る。詳細には、背面ガラス基板９上にストライプ状のア
ドレス電極６が形成されており、書込電極６を覆って背
面ガラス基板９上に誘電体層１０が形成されている。な
お、背面ガラス基板９、書込電極６及び誘電体層１０か
ら成る構成を「下地基板５１Ｑ」と呼ぶことにする。そ
して、誘電体層１０上にストライプ状の隔壁７が形成さ
れている。なお、背面基板５１Ｒないしは背面ガラス基
板９の主面の平面視において、隔壁７及び書込電極６の
各帯状パターンが交互に並んでいる。隔壁７と誘電体層
１０とが成す複数のＵ字型溝の内面上に蛍光体層８が形
成されている。On the other hand, the rear substrate 51R comprises a rear glass substrate 9, a writing electrode 6, a white dielectric layer 10, partition walls (or barrier ribs) 7, and a phosphor layer 8. More specifically, the stripe-shaped address electrodes 6 are formed on the rear glass substrate 9, and the dielectric layer 10 is formed on the rear glass substrate 9 so as to cover the write electrodes 6. The configuration including the rear glass substrate 9, the write electrode 6 and the dielectric layer 10 will be referred to as a "base substrate 51Q". Then, the stripe-shaped partition walls 7 are formed on the dielectric layer 10. In a plan view of the main surface of the rear substrate 51R or the rear glass substrate 9, the strip patterns of the partition walls 7 and the write electrodes 6 are alternately arranged. A phosphor layer 8 is formed on the inner surfaces of a plurality of U-shaped grooves formed by the partition walls 7 and the dielectric layer 10.

【０００６】前面基板５１Ｆと背面基板５１Ｒとは、透
明電極１（及び母電極２）と書込電極６とが（立体）交
差するように又隔壁７の頂部と保護膜４とが当接するよ
うに重ねられており、周縁において封着されている。そ
して、ＰＤＰ５１内は放電ガスが充填されている。The front substrate 51F and the rear substrate 51R are arranged so that the transparent electrode 1 (and the mother electrode 2) and the write electrode 6 intersect (three-dimensionally) and the top of the partition 7 and the protective film 4 are in contact with each other. And are sealed at the periphery. The PDP 51 is filled with the discharge gas.

【０００７】ＰＤＰ５１において透明電極１、母電極
２、書込電極６、隔壁７等の形成にはフォトリソグラフ
ィー法が広く用いられ、その露光方法として一括露光方
法が広く用いられている。In the PDP 51, the photolithography method is widely used for forming the transparent electrode 1, the mother electrode 2, the write electrode 6, the partition 7 and the like, and the batch exposure method is widely used as the exposure method.

【０００８】ここで、隔壁７の形成を一例に挙げて従来
の一括露光方法を説明する。図２６〜図２９に従来の一
括露光方法を用いた、ＰＤＰ５１の製造方法を説明する
ための断面図を示す。なお、隔壁の形成にはサンドブラ
スト法が広く用いられており、ここではそれによる形成
方法を説明する。Here, the conventional collective exposure method will be described by taking the formation of the partition wall 7 as an example. 26 to 29 are sectional views for explaining a method for manufacturing the PDP 51 using the conventional collective exposure method. A sandblast method is widely used for forming the partition walls, and a method of forming the partition wall will be described here.

【０００９】まず、下地基板５１Ｑ上に全面的に、隔壁
の材料であるガラスペーストの層７Ａ（図２６参照）を
コート法や印刷法等により形成する。そして、ガラスペ
ースト層７Ａ上に感光性材料であるドライフィルムレジ
スト６０（ここではネガ型）（図２６参照）をラミネー
ターによるラミネート法等で形成する。First, a layer 7A of glass paste (see FIG. 26), which is a material for the partition, is formed on the entire surface of the base substrate 51Q by a coating method or a printing method. Then, a dry film resist 60 (here, negative type) (see FIG. 26), which is a photosensitive material, is formed on the glass paste layer 7A by a laminating method using a laminator or the like.

【００１０】次に、図２６に示すように、一括露光装置
によって露光マスク（以下、単に「マスク」とも呼ぶ）
２０１Ｐのパターンを一括してドライフィルムレジスト
６０に露光転写する。このとき、従来の製造方法では１
回の露光で隔壁７の全体のパターンをレジスト６０に露
光転写する。レジスト６０のうちで露光された部分６１
では光重合が起きて該露光部分６１は現像液に対して難
溶性の性状になる一方で、露光されなかった部分６３で
は光重合が起きず該未露光部分６３は現像液に対して可
溶性の性状になる。このため、ドライフィルムレジスト
６０を現像するとレジスト６０のうちで露光されなかっ
た部分６３は現像液に溶解する一方で露光された部分６
１のみが現像液に溶解せずに露光パターンとして形成さ
れる（図２７参照）。Next, as shown in FIG. 26, an exposure mask (hereinafter, also simply referred to as "mask") by a collective exposure apparatus.
The pattern of 201P is collectively exposed and transferred to the dry film resist 60. At this time, in the conventional manufacturing method, 1
The entire pattern of the partition wall 7 is exposed and transferred to the resist 60 by one exposure. Exposed part 61 of resist 60
Then, photopolymerization occurs and the exposed portion 61 becomes slightly soluble in the developing solution, while the unexposed portion 63 does not undergo photopolymerization and the unexposed portion 63 is soluble in the developing solution. It becomes a property. Therefore, when the dry film resist 60 is developed, the unexposed portion 63 of the resist 60 is dissolved in the developing solution while the exposed portion 6 is exposed.
Only 1 is not dissolved in the developing solution and is formed as an exposure pattern (see FIG. 27).

【００１１】次に、ドライフィルムレジスト６０をマス
クとして用いてサンドブラストを実施することにより、
ガラスペースト層７Ａをドライフィルムレジスト６０の
露光パターンに応じたパターンに形成する（図２８参
照）。その後、ドライフィルムレジスト６０を剥離し、
高温で焼成することにより隔壁７が完成する（図２９参
照）。Next, sandblasting is carried out using the dry film resist 60 as a mask,
The glass paste layer 7A is formed in a pattern corresponding to the exposure pattern of the dry film resist 60 (see FIG. 28). After that, the dry film resist 60 is peeled off,
The partition 7 is completed by baking at a high temperature (see FIG. 29).

【００１２】なお、露光工程において図２６に示すよう
にマスク２０１Ｐに塵埃２００が付着していると、塵埃
２００により露光光が遮光されて本来露光されるべき部
分が未露光状態になる。つまり、塵埃２００はレジスト
６０に未露光パターン欠陥６４（図２７参照）を発生さ
せる。このような未露光パターン欠陥の検査および修正
は、ドライフィルムレジスト６０の現像後、あるいは、
ドライフィルムレジスト６０の剥離後、あるいは、焼成
後等に行われる。If dust 200 adheres to the mask 201P in the exposure step as shown in FIG. 26, the exposure light is blocked by the dust 200 and the portion that should be exposed is left unexposed. That is, the dust 200 causes an unexposed pattern defect 64 (see FIG. 27) in the resist 60. Such an unexposed pattern defect is inspected and repaired after the development of the dry film resist 60, or
This is performed after the dry film resist 60 is peeled off or after baking.

【００１３】ここで、図３０に上述の従来の一括露光に
用いる従来の露光マスク２０１Ｐを説明するための平面
図を示し、図３１に従来の露光マスク２０１の設計を説
明するためにドライフィルムレジスト６０の現像後にお
ける背面基板５１Ｒの平面図を示す。なお、図３０では
露光マスク２０１Ｐにおいて、露光光が透過可能な透光
部２０１ａＰを白く、露光光を遮光する遮光部２０１ｂ
Ｐを黒く図示している。従来のマスク２０１Ｐのマスク
パターンは１回の露光でレジスト６０が隔壁７のパター
ンに露光されるように設計されている。FIG. 30 is a plan view for explaining a conventional exposure mask 201P used for the above-mentioned conventional collective exposure, and FIG. 31 is a dry film resist for explaining the design of the conventional exposure mask 201. The top view of the back substrate 51R after the development of 60 is shown. In FIG. 30, in the exposure mask 201P, the light-transmitting portion 201aP that can transmit the exposure light is white, and the light-shielding portion 201b that shields the exposure light is white.
P is shown in black. The mask pattern of the conventional mask 201P is designed so that the resist 60 is exposed to the pattern of the partition wall 7 by one exposure.

【００１４】詳しくは、隔壁７の設計パターンに対応す
るレジスト６０の露光部分６１のパターン（設計上のパ
ターン）について、各帯状パターンの幅及び長さをＷｄ
及びＬｄと表し、帯状パターンのピッチをＰｄと表し、
帯状パターンの数をＮｄと表すと共に、露光マスク２０
１Ｐについて、各帯状パターンの幅及び長さをＷｍ及び
Ｌｍと表し、帯状パターンのピッチをＰｍと表し、帯状
パターンの数をＮｍと表し、さらに材料やプロセスに依
存して生じる露光マスク２０１Ｐとレジスト６０の露光
部分６１との間の寸法差をＷｏと表すと、露光マスク２
０１Ｐのマスクパターンは式（１）〜（４）を満足する
ように設計される。More specifically, regarding the pattern (designed pattern) of the exposed portion 61 of the resist 60 corresponding to the design pattern of the partition wall 7, the width and length of each strip-shaped pattern are Wd.
And Ld, the pitch of the strip pattern is represented by Pd,
The number of strip-shaped patterns is represented by Nd, and the exposure mask 20
For 1P, the width and length of each strip-shaped pattern are represented by Wm and Lm, the pitch of the strip-shaped pattern is represented by Pm, the number of strip-shaped patterns is represented by Nm, and an exposure mask 201P and a resist generated depending on the material or process are used. When the dimensional difference between the exposed portion 61 and the exposed portion 61 is represented by Wo, the exposure mask 2
The mask pattern of 01P is designed so as to satisfy the expressions (1) to (4).

【００１５】 Ｗｍ＝Ｗｄ＋Ｗｏ …（１） Ｌｍ＝Ｌｄ＋Ｗｏ …（２） Ｐｍ＝Ｐｄ …（３） Ｎｍ＝Ｎｄ …（４） 特に一括露光方法での露光は１回のみであるので、当該
１回の露光によってドライフィルムレジスト６０がパタ
ーン幅Ｗｄ、パターン長Ｌｄ、パターンピッチＰｄ及び
パターン配置数Ｎｄを有するパターンに露光されるよう
に露光マスク２０１Ｐが設計されている。Wm = Wd + Wo (1) Lm = Ld + Wo (2) Pm = Pd (3) Nm = Nd (4) Particularly, since the single exposure is performed only once, the single exposure is performed once. The exposure mask 201P is designed such that the dry film resist 60 is exposed by exposure to a pattern having a pattern width Wd, a pattern length Ld, a pattern pitch Pd, and a pattern arrangement number Nd.

【００１６】次に、図３２及び図３３のフローチャート
（結合子Ｃ，Ｄを介して繋がっている）を参照しつつ、
上述の一括露光方法を行う従来の露光装置の動作を説明
する。Next, referring to the flow charts of FIG. 32 and FIG. 33 (connected via connectors C and D),
The operation of the conventional exposure apparatus that performs the above-described collective exposure method will be described.

【００１７】従来の露光装置では、まず、マスク２０１
Ｐをマスクステージの位置に搬入して位置決め（アライ
メント）をし、その後、マスクステージに吸着固定する
（ステップＳＴ１Ｐ〜ＳＴ３Ｐ）。次に、露光対象基板
（ガラスペースト７Ａ及びドライフィルムレジスト６０
が形成された下地基板５１Ｑ）を基板ステージ上に搬入
しピン等により粗な位置決めをした後に、基板ステージ
に吸着固定する（ステップＳＴ４Ｐ〜ＳＴ６Ｐ）。次
に、光学式のプロキシミティギャップセンサにより露光
対象基板とマスク２０１Ｐとの間隔（以下「プロキシミ
ティギャップ」とも呼ぶ）を計測しながら基板ステージ
又は／及びマスクステージのＺ方向駆動により予め設定
された所定のプロキシミティギャップに設定する（ステ
ップＳＴ７Ｐ〜ＳＴ９Ｐ）。In the conventional exposure apparatus, first, the mask 201
P is carried in to the position of the mask stage, positioned (alignment), and then fixed to the mask stage by suction (steps ST1P to ST3P). Next, the substrate to be exposed (glass paste 7A and dry film resist 60)
The base substrate 51Q) on which is formed is carried in on the substrate stage and roughly positioned by pins or the like, and then fixed by suction to the substrate stage (steps ST4P to ST6P). Next, the distance between the substrate to be exposed and the mask 201P (hereinafter also referred to as "proximity gap") is measured by an optical proximity gap sensor and preset by the Z direction drive of the substrate stage or / and the mask stage. A predetermined proximity gap is set (steps ST7P to ST9P).

【００１８】その後、アライメント露光の場合にはＣＣ
Ｄカメラによって基板とマスク２０１Ｐとの位置合わせ
ずれを撮像しながら当該位置合わせずれが予め設定され
た所定の許容値内に入るように基板ステージ又は／及び
マスクステージをＸＹ方向駆動して基板とマスク２０１
Ｐとを位置合わせする（ステップＳＴ１０Ｐ〜ＳＴ１２
Ｐ）。そして、予め設定された露光量で露光を行う（ス
テップＳＴ１３Ｐ）。なお、ノンアライメント露光の場
合は基板とマスク２０１ＰとのＸＹアライメント（ステ
ップＳＴ１０Ｐ〜ＳＴ１２Ｐ）を実行することなく、予
め設定された露光量で露光を行う（ステップＳＴ１３
Ｐ）。Then, in the case of alignment exposure, CC
While imaging the misalignment between the substrate and the mask 201P by the D camera, the substrate stage and / or the mask stage are driven in the XY directions so that the misalignment falls within a preset allowable value and the substrate and the mask. 201
Align with P (steps ST10P to ST12)
P). Then, the exposure is performed with a preset exposure amount (step ST13P). In the case of non-alignment exposure, XY alignment between the substrate and the mask 201P (steps ST10P to ST12P) is not performed, and exposure is performed with a preset exposure amount (step ST13).
P).

【００１９】露光後、基板ステージ又は／及びマスクス
テージを初期位置に復帰し、基板の吸着固定を解除した
後に基板を搬出する（ステップＳＴ１４Ｐ〜ＳＴ１６
Ｐ）。なお、続いて露光する基板があれば（ステップＳ
Ｔ１７Ｐ）、上述の基板搬入ステップＳＴ４Ｐから基板
搬出ステップＳＴ１６Ｐまでを繰り返し行う。After the exposure, the substrate stage and / or the mask stage is returned to the initial position, and the suction fixation of the substrate is released, and then the substrate is carried out (steps ST14P to ST16).
P). If there is a substrate to be exposed subsequently (step S
T17P), and the above-described substrate loading step ST4P to substrate unloading step ST16P are repeated.

【００２０】[0020]

【発明が解決しようとする課題】さて、近年、例えばＰ
ＤＰ等に代表される表示装置の製造工程では、露光パタ
ーンの無欠陥化や低欠陥化を実現しうる露光技術が強く
要求されている。かかる要求は近年、表示装置の表示画
面の大型化や高精細化が進むに従って、より強くなって
きている。Recently, for example, P
In a manufacturing process of a display device typified by a DP or the like, there is a strong demand for an exposure technique capable of realizing a defect-free exposure pattern and a defect-free exposure pattern. In recent years, such demands have become stronger as the display screen of the display device has become larger and finer.

【００２１】表示装置の表示画面が大型化すると露光マ
スク２０１Ｐも大型化し、マスク２０１Ｐの大型化に伴
ってマスク２０１Ｐへ塵埃２００が付着する確率は高く
なる。また、表示装置の表示画面が高精細化するとマス
ク２０１Ｐのパターンが微細化する。マスク２０１Ｐの
パターンの微細化に伴って未露光パターン欠陥６４（図
２７参照）の原因となる塵埃２００の大きさもより小さ
くなるので、該微細化によっても未露光パターン欠陥６
４の原因となる塵埃の付着率は高くなる。塵埃２００は
露光光を遮るので、本来露光されるべき部分が未露光状
態となり、未露光パターン欠陥６４が生じる。その結
果、製造歩留まりが低下したり、あるいは、未露光パタ
ーン欠陥６４の検査や修正等によって生産効率が低下す
る。As the display screen of the display device becomes larger, the exposure mask 201P also becomes larger, and as the mask 201P becomes larger, the probability that the dust 200 will adhere to the mask 201P increases. Further, as the display screen of the display device becomes finer, the pattern of the mask 201P becomes finer. As the pattern of the mask 201P becomes finer, the size of the dust 200 that causes the unexposed pattern defect 64 (see FIG. 27) also becomes smaller.
The adhesion rate of dust, which is the cause of No. 4, increases. Since the dust 200 blocks the exposure light, the portion that should originally be exposed is in an unexposed state, resulting in an unexposed pattern defect 64. As a result, the manufacturing yield is lowered, or the production efficiency is lowered due to the inspection and repair of the unexposed pattern defects 64.

【００２２】露光マスク２０１Ｐへの塵埃２００の付着
による未露光パターン欠陥６４を低減する方法として
は、いくつかの方法がある。There are several methods for reducing the unexposed pattern defect 64 due to the adhesion of the dust 200 to the exposure mask 201P.

【００２３】一般的な方法として露光マスク２０１Ｐの
清浄度管理が挙げられる。しかし、上述のようにマスク
２０１Ｐの大型化や高精細化等に伴ってマスク２０１へ
の塵埃付着の確率はより高くなるので、マスク２０１Ｐ
を無欠陥あるいは低欠陥の状態で維持管理していくため
には高度な清浄管理技術が要求され、マスク２０１Ｐの
清浄度管理による塵埃２００の付着防止は実際には実現
困難な状況にある。As a general method, cleanliness control of the exposure mask 201P can be mentioned. However, as described above, the probability of dust adhesion to the mask 201 becomes higher as the size of the mask 201P becomes higher and the definition becomes higher.
In order to maintain and maintain the defect-free or low-defect condition, the advanced cleaning control technique is required, and it is actually difficult to prevent the dust 200 from adhering by controlling the cleanness of the mask 201P.

【００２４】なお、塵埃２００が洗浄等によっても除去
できないような場合には露光マスクは例えば廃棄され、
塵埃２００によって露光マスクの寿命が縮められてしま
う。If the dust 200 cannot be removed by washing or the like, the exposure mask is discarded, for example,
The dust 200 shortens the life of the exposure mask.

【００２５】また、特殊な方法として、マスク２０１Ｐ
と露光対象基板とを位置合わせした後に露光を行うよう
なアライメント露光では、同一パターンを有する複数の
マスク２０１Ｐを用いて複数回数の露光を行うという方
法がある。複数枚数のマスク２０１Ｐにおいて同一箇所
（同一座標）に塵埃２００が存在する確率は極めて低い
ので、複数枚数のマスク２０１Ｐを用いて各マスク２０
１Ｐ毎に露光を行うことにより塵埃２００による未露光
部分６３（図２６参照）が解消される。しかし、複数枚
数のマスク２０１Ｐのそれぞれに対して、基板投入、ア
ライメント露光および基板搬出という一連の工程を実施
する必要があるので、生産効率が低減してしまうという
問題点がある。さらに、この方法は基板とマスク２０１
Ｐとの位置あわせを行うアライメント露光に対しては実
施可能であるが、アライメントを実施しないノンアライ
メント露光（例えばアライメントマークが基板上に形成
されていない初回の露光工程等）では実施できないとい
う問題点がある。このため、複数枚数のマスク２０１Ｐ
を用いて複数回数の露光を行うこの方法も一般的には実
施されていないかあるいは実施できない状況にある。As a special method, the mask 201P is used.
In alignment exposure in which exposure is performed after aligning the substrate with the exposure target substrate, there is a method of performing exposure a plurality of times using a plurality of masks 201P having the same pattern. Since the probability that the dust 200 is present at the same location (same coordinate) in the plurality of masks 201P is extremely low, the masks 20P are used in the plurality of masks
By performing the exposure for each 1P, the unexposed portion 63 (see FIG. 26) due to the dust 200 is eliminated. However, since it is necessary to perform a series of steps of substrate loading, alignment exposure, and substrate unloading for each of the plurality of masks 201P, there is a problem that production efficiency is reduced. In addition, this method uses the substrate and mask 201.
Although it can be performed for alignment exposure that aligns with P, it cannot be performed for non-alignment exposure that does not perform alignment (for example, the first exposure step in which alignment marks are not formed on the substrate). There is. Therefore, a plurality of masks 201P
This method of performing exposure a plurality of times by using is not generally practiced or is in a situation where it is not feasible.

【００２６】本発明はかかる点に鑑みてなされたもので
あり、露光マスクの清浄度管理を緩和可能であり、複数
の露光マスクを用いて複数回の露光を行う場合よりも高
いスループットを実現可能であり、アライメント露光及
びノンアライメント露光のいずれにも対応可能な露光装
置及び露光方法を提供することを第１の目的とする。The present invention has been made in view of the above point, and it is possible to relax the cleanliness control of the exposure mask and realize a higher throughput than the case where a plurality of exposure masks are used to perform a plurality of exposures. It is a first object of the present invention to provide an exposure apparatus and an exposure method that are compatible with both alignment exposure and non-alignment exposure.

【００２７】さらに、本発明は、清浄度管理を緩和可能
であり、露光マスクを長寿命化可能な露光マスクを提供
することを第２の目的とする。A second object of the present invention is to provide an exposure mask which can relax the cleanliness control and can extend the life of the exposure mask.

【００２８】また、上記第１及び第２の目的の実現によ
り表示装置や電子部品を安価に提供することを第３の目
的とする。A third object of the present invention is to provide a display device and electronic parts at low cost by realizing the above first and second objects.

【００２９】[0029]

【課題を解決するための手段】請求項１に記載の露光装
置は、感光性材料を有する露光対象基板を支持する基板
ステージと、露光マスクを支持するマスクステージと、
露光光源と、前記露光光源からの露光光の出射を制御す
ると共に、前記マスクステージ又は／及び前記基板ステ
ージの位置を制御して前記露光マスクと前記露光対象基
板との相対位置を制御する制御部と、を備え、前記制御
部は、前記露光光源によって前記露光マスクのマスクパ
ターンを前記感光性材料に一括露光転写する露光制御
と、前記露光マスクと前記露光対象基板との相対位置を
調整するステージ位置制御と、を順次に実施し、且つ、
前記露光制御を少なくとも２回実施し、前記ステージ位
置制御は、先の前記露光制御で露光済みの部分の一部に
前記露光マスクの前記マスクパターンが重なるように前
記露光マスクの前記マスクパターンと前記露光対象基板
との平面視における重なり位置を所定量、変化させる重
なり制御を含む。An exposure apparatus according to claim 1 is a substrate stage for supporting a substrate to be exposed having a photosensitive material, a mask stage for supporting an exposure mask,
A control unit that controls an exposure light source and the emission of exposure light from the exposure light source, and controls the position of the mask stage and / or the substrate stage to control the relative position of the exposure mask and the substrate to be exposed. And a stage for adjusting the relative position between the exposure mask and the substrate to be exposed, the exposure control for collectively exposing and transferring the mask pattern of the exposure mask onto the photosensitive material by the exposure light source. Position control is sequentially performed, and
The exposure control is performed at least twice, and the stage position control is performed by using the mask pattern of the exposure mask and the mask pattern of the exposure mask such that the mask pattern of the exposure mask overlaps a part of the portion exposed by the previous exposure control. Overlapping control for changing the overlapping position in plan view with the exposure target substrate by a predetermined amount is included.

【００３０】請求項２に記載の露光装置は、請求項１に
記載の露光装置であって、前記ステージ位置制御は、前
記重なり制御の前に前記露光マスクと前記露光対象基板
とを遠ざけるプロキシミティギャップ拡大制御と、前記
重なり制御の後に前記露光マスクと前記露光対象基板と
を近づけるプロキシミティギャップ縮小制御と、をさら
に含む。An exposure apparatus according to a second aspect is the exposure apparatus according to the first aspect, wherein the stage position control moves the exposure mask away from the exposure target substrate before the overlap control. Gap expansion control and proximity gap reduction control that brings the exposure mask and the exposure target substrate closer to each other after the overlap control are further included.

【００３１】請求項３に記載の露光装置は、請求項１又
は請求項２に記載の露光装置であって、前記ステージ位
置制御は、前記重なり制御の後に前記露光マスクと前記
露光対象基板とを位置合わせする位置合わせ制御をさら
に含む。An exposure apparatus according to a third aspect is the exposure apparatus according to the first or second aspect, wherein the stage position control is performed after the overlay control is performed on the exposure mask and the exposure target substrate. Further included is a registration control for registration.

【００３２】請求項４に記載の露光マスクは、露光対象
基板が有する感光性材料を所定パターンに露光するため
の露光マスクであって、前記所定パターンの一部のみに
対応するマスクパターンを有しており、前記マスクパタ
ーンは当該マスクパターンと前記露光対象基板との平面
視における重なり位置を変化させて露光を複数回実施す
ることにより前記感光性材料を前記所定パターンに露光
可能なパターンである。An exposure mask according to a fourth aspect is an exposure mask for exposing a photosensitive material of a substrate to be exposed to a predetermined pattern, and has a mask pattern corresponding to only a part of the predetermined pattern. The mask pattern is a pattern in which the photosensitive material can be exposed to the predetermined pattern by changing the overlapping position of the mask pattern and the exposure target substrate in plan view and performing the exposure a plurality of times.

【００３３】請求項５に記載の露光マスクは、請求項４
に記載の露光マスクであって、前記所定パターンの前記
一部と残りの他部との間で露光形状が連続するように前
記所定パターンの前記一部が選定されている。The exposure mask according to claim 5 is the exposure mask according to claim 4.
The exposure mask according to the item (1), wherein the part of the predetermined pattern is selected so that the exposure shape is continuous between the part of the predetermined pattern and the remaining part.

【００３４】請求項６に記載の露光マスクは、請求項４
又は請求項５に記載の露光マスクであって、前記所定パ
ターンは繰り返し配置された所定数の単位パターンを含
み、前記所定パターンの前記一部は前記複数の単位パタ
ーンのうちで２つ以上且つ前記所定数未満の単位パター
ンを含む。An exposure mask according to claim 6 is the exposure mask according to claim 4.
The exposure mask according to claim 5, wherein the predetermined pattern includes a predetermined number of unit patterns that are repeatedly arranged, and the part of the predetermined pattern is two or more of the plurality of unit patterns and the unit pattern. Includes less than a predetermined number of unit patterns.

【００３５】請求項７に記載の露光方法は、露光対象基
板が有する感光性材料を露光マスクを用いて所定パター
ンに露光する露光方法であって、(a)前記露光マスクの
マスクパターンを前記感光性材料に一括露光転写するス
テップと、(b)前記露光マスクと前記露光対象基板との
相対位置を調整するステップと、を備え、前記ステップ
(a)と前記ステップ(b)とを順次に実施し、且つ、前記ス
テップ(a)を少なくとも２回実施し、前記ステップ(b)
は、(b)-1)先の前記ステップ(a)で露光済みの部分の一
部に前記露光マスクの前記マスクパターンが重なるよう
に前記露光マスクの前記マスクパターンと前記露光対象
基板との平面視における重なり位置を所定量、変化させ
るステップを含む。The exposure method according to claim 7 is an exposure method in which a photosensitive material of a substrate to be exposed is exposed in a predetermined pattern using an exposure mask, and (a) the mask pattern of the exposure mask is exposed to the light. Step of collectively exposing and transferring to a photosensitive material, and (b) adjusting the relative position of the exposure mask and the substrate to be exposed,
(a) and the step (b) are sequentially performed, and the step (a) is performed at least twice, and the step (b) is performed.
Is (b) -1) a plane of the mask pattern of the exposure mask and the exposure target substrate so that the mask pattern of the exposure mask overlaps a part of the exposed portion in the step (a). The method includes the step of changing the overlapping position in visual observation by a predetermined amount.

【００３６】請求項８に記載の露光方法は、請求項７に
記載の露光方法であって、前記ステップ(b)は、(b)-2)
前記ステップ(b)-1)の前に前記露光マスクと前記露光対
象基板とを遠ざけるステップと、(b)-3)前記ステップ
(b)-1)の後に前記露光マスクと前記露光対象基板とを近
づけるステップと、をさらに含む。An exposure method according to claim 8 is the exposure method according to claim 7, wherein the step (b) includes (b) -2).
Before the step (b) -1), the step of separating the exposure mask and the substrate to be exposed, (b) -3) the step
After (b) -1), the step of bringing the exposure mask and the exposure target substrate closer to each other is further included.

【００３７】請求項９に記載の露光方法は、請求項７又
は請求項８に記載の露光方法であって、前記ステップ
(b)は、(b)-4)前記ステップ(b)-1)の後に前記露光マス
クと前記露光対象基板とを位置合わせするステップをさ
らに含む。An exposure method according to claim 9 is the exposure method according to claim 7 or claim 8,
(b) further includes (b) -4) the step of aligning the exposure mask with the exposure target substrate after the step (b) -1).

【００３８】請求項１０に記載の露光方法は、請求項７
乃至請求項９のいずれかに記載の露光方法であって、前
記露光マスクとして請求項４乃至請求項６のいずれかに
記載の露光マスクを用いる。The exposure method according to claim 10 is the method according to claim 7.
The exposure method according to claim 9, wherein the exposure mask according to any one of claims 4 to 6 is used as the exposure mask.

【００３９】請求項１１に記載の表示装置は、請求項１
乃至請求項３のいずれかに記載の露光装置、又は、請求
項４乃至請求項６のいずれかに記載の露光マスク、又
は、請求項７乃至請求項１０のいずれかに記載の露光方
法を用いて製造される。The display device according to claim 11 is the display device according to claim 1.
To the exposure apparatus according to any one of claims 3 to 6, the exposure mask according to any one of claims 4 to 6, or the exposure method according to any one of claims 7 to 10. Manufactured.

【００４０】請求項１２に記載の電子部品は、請求項１
乃至請求項３のいずれかに記載の露光装置、又は、請求
項４乃至請求項６のいずれかに記載の露光マスク、又
は、請求項７乃至請求項１０のいずれかに記載の露光方
法を用いて製造される。The electronic component according to claim 12 is the electronic component according to claim 1.
To the exposure apparatus according to any one of claims 3 to 6, the exposure mask according to any one of claims 4 to 6, or the exposure method according to any one of claims 7 to 10. Manufactured.

【００４１】[0041]

【発明の実施の形態】＜実施の形態１＞図１に実施の形
態１に係る露光マスク（以下、単に「マスク」とも呼
ぶ）２０１を説明するための平面図を示し、図２に当該
露光マスク２０１の設計及び実施の形態１に係る露光方
法を説明するための平面図を示す。なお、説明のため図
１中には塵埃２００を図示している。ここでは一例とし
て、ストライプ状（複数の帯状パターンが定方向に並ん
だパターン）の隔壁７を形成する場合、及び、露光対象
の感光性材料（例えばドライフィルムレジスト（以下、
単に「レジスト」とも呼ぶ）６０）がネガ型の場合を説
明するものとし、図２には隔壁７を形成する工程におい
てドライフィルムレジスト６０を現像した後における背
面基板５１Ｒの平面図を示している。このとき、現像後
のレジスト６０は隔壁７のパターンに対応してストライ
プ状に形成されている。なお、下地基板５１Ｑ、ガラス
ペースト層７Ａ及びレジスト６０から成る構成を「露光
対象基板３００」と呼ぶことにする（後述の図４参
照）。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION <First Embodiment> FIG. 1 is a plan view for explaining an exposure mask (hereinafter also simply referred to as “mask”) 201 according to the first embodiment, and FIG. 3 is a plan view for explaining the design of the mask 201 and the exposure method according to the first embodiment. FIG. For the sake of explanation, dust 200 is shown in FIG. Here, as an example, in the case of forming the stripe-shaped (pattern in which a plurality of strip-shaped patterns are arranged in a fixed direction) partition walls 7, and a photosensitive material to be exposed (for example, a dry film resist (hereinafter,
The case where 60) is a negative type will be described. FIG. 2 shows a plan view of the rear substrate 51R after the dry film resist 60 is developed in the step of forming the partition wall 7. . At this time, the resist 60 after development is formed in a stripe shape corresponding to the pattern of the partition wall 7. The configuration including the base substrate 51Q, the glass paste layer 7A and the resist 60 will be referred to as an “exposure target substrate 300” (see FIG. 4 described later).

【００４２】図１に示すように、露光マスク２０１のマ
スクパターンは露光光が透過可能な透光部（白く図示し
ている部分）２０１ａと、露光光を遮光する遮光部（黒
く図示している部分）２０１ｂと、を含んでいる。な
お、一般的に露光マスクは例えばアライメントマークや
プロキシミティギャップマーク（図示せず）を形成する
ためのパターンを有する場合があるが、説明を簡単にす
るためにここではそれらは「マスクパターン」に含めな
いことにする。透光部２０１ａはストライプ状をしてい
る（複数の帯状パターンが定方向に並んでいる）。特
に、当該マスク２０１のマスクパターンは露光現像後に
残存させるべき（設計上の）ドライフィルムレジスト６
０の所定パターン（ここではストライプ状）の一部６０
Ａのみに対応する。具体的には、上述のようにここでは
ドライフィルムレジスト６０がネガ型なので、マスク２
０１の透光部２０１ａのパターンが上記一部６０Ａのみ
に対応する。しかも、露光マスク２０１は当該露光マス
ク２０１のマスクパターンと露光対象基板３００との平
面視における重なり位置を変化させて露光を複数回実施
することによりレジスト６０を上記所定パターンに露光
可能なマスクパターンを有している。このとき、露光マ
スク２０１ではレジスト６０の所定パターンの上記一部
６０Ａ（換言すればマスク２０１の透光部２０１ａ）と
残りの他部６０Ｂとの間で露光形状が連続するように、
所定パターンの一部６０Ａが選定されている。As shown in FIG. 1, the mask pattern of the exposure mask 201 has a light-transmitting portion (portion shown in white) 201a through which exposure light can pass and a light-shielding portion (shown in black) that blocks exposure light. Portion) 201b. In general, the exposure mask may have a pattern for forming alignment marks or proximity gap marks (not shown), but for simplicity of explanation, they are referred to as “mask patterns” here. I will not include it. The transparent portion 201a has a stripe shape (a plurality of band-shaped patterns are arranged in a fixed direction). In particular, the mask pattern of the mask 201 should be left after the exposure and development (by design) of the dry film resist 6
Part 60 of a predetermined pattern of 0 (here, stripe-shaped)
It corresponds to A only. Specifically, as described above, since the dry film resist 60 is a negative type here, the mask 2
The pattern of the transparent portion 201a of No. 01 corresponds to only the part 60A. Moreover, the exposure mask 201 changes the overlapping position of the mask pattern of the exposure mask 201 and the exposure target substrate 300 in a plan view and performs exposure a plurality of times to form a mask pattern capable of exposing the resist 60 to the predetermined pattern. Have At this time, in the exposure mask 201, the exposure shape is continuous between the part 60A of the predetermined pattern of the resist 60 (in other words, the light transmitting part 201a of the mask 201) and the remaining other part 60B.
A part 60A of the predetermined pattern is selected.

【００４３】詳しくは、隔壁７の設計パターンに対応す
るレジスト６０の露光部分のパターン（設計上のパター
ン）について、各帯状パターンの幅及び長さをＷｄ及び
Ｌｄと表し、帯状パターンのピッチをＰｄと表し、帯状
パターンの数をＮｄと表すと共に、露光マスク２０１の
透光部２０１ａのパターンについて、各帯状パターンの
幅及び長さをＷｍ１及びＬｍ１と表し、帯状パターンの
ピッチをＰｍ１と表し、帯状パターンの数をＮｍ１と表
し、さらに材料やプロセスに依存して生じる露光マスク
２０１とレジスト６０の露光部分との間の寸法差をＷｏ
と表すと、露光マスク２０１のマスクパターンは式
（５）〜（８）を満足するように設計されている。More specifically, regarding the pattern (designed pattern) of the exposed portion of the resist 60 corresponding to the design pattern of the partition wall 7, the width and length of each strip-shaped pattern are represented by Wd and Ld, and the pitch of the strip-shaped pattern is Pd. The width and length of each strip-shaped pattern is represented by Wm1 and Lm1, the pitch of the strip-shaped pattern is represented by Pm1, and the number of strip-shaped patterns is represented by Pm1. The number of patterns is represented by Nm1, and the dimensional difference between the exposure mask 201 and the exposed portion of the resist 60 depending on the material and process is Wo.
That is, the mask pattern of the exposure mask 201 is designed to satisfy the equations (5) to (8).

【００４４】 Ｗｍ１＝Ｗｄ＋Ｗｏ …（５） Ｌｍ１＝Ｌｄ＋Ｗｏ−Ｌｓ１ …（６） Ｐｍ１＝Ｐｄ …（７） Ｎｍ１＝Ｎｄ …（８） つまり、マスク２０１の透光部２０１ａの各帯状パター
ンの長さＬｍ１は露光現像後のレジスト６０の各帯状パ
ターンの長さＬｄよりも大略寸法Ｌｓ１（＜Ｌｍ１）だ
け短い（寸法Ｗｏは寸法Ｌｓ１よりも十分に小さいとす
る）。このため、露光マスク２０１と露光対象基板３０
０とを透光部２０１ａの帯状パターンの延在方向（ない
しは伸長方向）に相対的にずらして（ずらす合計は寸法
Ｌｓ１）複数回の露光を実施することによりレジスト６
０を所定のストライプ状に露光可能である。かかる露光
方法によれば、レジスト６０の所定パターンの上記一部
６０Ａと残りの他部６０Ｂとの間で露光形状が連続する
ようにレジスト６０を露光することができる。Wm1 = Wd + Wo (5) Lm1 = Ld + Wo-Ls1 (6) Pm1 = Pd (7) Nm1 = Nd (8) That is, the length Lm1 of each strip-shaped pattern of the transparent portion 201a of the mask 201. Is shorter than the length Ld of each strip-shaped pattern of the resist 60 after exposure and development by approximately the dimension Ls1 (<Lm1) (the dimension Wo is assumed to be sufficiently smaller than the dimension Ls1). Therefore, the exposure mask 201 and the exposure target substrate 30
0 is relatively shifted in the extending direction (or the extending direction) of the strip-shaped pattern of the transparent portion 201a (the total shift is the dimension Ls1), and the resist 6 is obtained by performing a plurality of exposures.
0 can be exposed in a predetermined stripe shape. According to this exposure method, the resist 60 can be exposed such that the exposed shape is continuous between the part 60A of the predetermined pattern of the resist 60 and the remaining part 60B.

【００４５】次に、図３〜図６及び図８及び図１０〜図
１２の断面図（側面図）及び図７及び図９の平面図を参
照しつつ、隔壁７の形成を一例に挙げて露光マスク２０
１を用いた露光方法を説明する。なお、図３〜図６及び
図８及び図１０〜図１２は図２中のＩ−Ｉ線における断
面図（側面図）に相当する。また、図６〜図９では説明
のために露光マスク２０１と下地基板５１Ｑとを同じ大
きさで図示しているが、マスク２０１の遮光部２０１ｂ
は周縁に十分に広がっている。Next, with reference to the cross-sectional views (side views) of FIGS. 3 to 6 and 8 and FIGS. 10 to 12 and the plan views of FIGS. 7 and 9, the formation of the partition wall 7 will be described as an example. Exposure mask 20
An exposure method using No. 1 will be described. 3 to 6, FIG. 8 and FIGS. 10 to 12 correspond to cross-sectional views (side views) taken along the line I-I in FIG. 2. 6 to 9, the exposure mask 201 and the base substrate 51Q are shown to have the same size for the sake of explanation, but the light shielding portion 201b of the mask 201 is shown.
Extends well around the perimeter.

【００４６】まず、一般的な製造方法により下地基板５
１Ｑを準備し（図３及び図２５参照）、図４に示すよう
に下地基板５１Ｑ上に全面的に、隔壁の材料であるガラ
スペーストの層７Ａをコート法や印刷法等により形成す
る。そして、図５に示すように、ガラスペースト層７Ａ
上に感光性材料であるドライフィルムレジスト６０（こ
こではネガ型）をラミネーターによるラミネート法等で
形成する。First, the base substrate 5 is formed by a general manufacturing method.
1Q is prepared (see FIGS. 3 and 25), and as shown in FIG. 4, a glass paste layer 7A which is a material of the partition wall is formed on the entire surface of the base substrate 51Q by a coating method or a printing method. Then, as shown in FIG. 5, the glass paste layer 7A
A dry film resist 60 (here, a negative type), which is a photosensitive material, is formed thereon by a laminating method using a laminator or the like.

【００４７】なお、露光対象基板３００の主面（例えば
背面ガラス基板９の主面）の周縁部にはアライメントマ
ーク及びプロキシミティギャップマーク（図示せず）が
設けられている。An alignment mark and a proximity gap mark (not shown) are provided on the peripheral portion of the main surface of the exposure target substrate 300 (for example, the main surface of the back glass substrate 9).

【００４８】次に、図６及び図７に示すように、露光マ
スク２０１と露光対象基板３００とを対面させて相対位
置を調整し（アライメントし）、その後、マスク２０１
を介してレジスト６０を露光することによりマスク２０
１のパターンを一括してドライフィルムレジスト６０に
露光転写する。次に、図８及び図９に示すように、露光
マスク２０１と露光対象基板３００との相対位置を再び
調整し、２回目の露光を行う。特に、２回目の相対位置
を調整する際に、先の露光で露光済みの部分の一部に露
光マスク２０１のマスクパターンが重なるように、露光
マスク２０１のマスクパターンと露光対象基板３００と
の平面視（図９参照）における重なり位置を所定量（ス
テップ的に）変化させる。具体的には、露光マスク２０
１と露光対象基板３００とが１回目の露光時における相
対位置に対してマスク２０１の透光部２０１ａの帯状パ
ターンの延在方向に寸法Ｌｓ１だけずれた位置関係にな
るように露光マスク２０１又は／及び露光対象基板３０
０を移動させることによって、上述の重なり位置を変化
させる。Next, as shown in FIGS. 6 and 7, the exposure mask 201 and the exposure target substrate 300 are opposed to each other to adjust the relative position (alignment), and then, the mask 201.
The resist 20 is exposed through the mask 20.
The pattern 1 is collectively exposed and transferred to the dry film resist 60. Next, as shown in FIGS. 8 and 9, the relative position between the exposure mask 201 and the exposure target substrate 300 is adjusted again, and the second exposure is performed. In particular, when adjusting the relative position for the second time, the plane of the mask pattern of the exposure mask 201 and the exposure target substrate 300 is set so that the mask pattern of the exposure mask 201 overlaps a part of the portion exposed by the previous exposure. The overlapping position in visual observation (see FIG. 9) is changed by a predetermined amount (stepwise). Specifically, the exposure mask 20
1 and / or the exposure target substrate 300 such that the relative position at the time of the first exposure is shifted by the dimension Ls1 in the extending direction of the strip-shaped pattern of the transparent portion 201a of the mask 201. And exposure target substrate 30
By moving 0, the above-mentioned overlapping position is changed.

【００４９】このように、本露光方法では、単一の露光
マスク２０１を用いて露光を２回実施することにより、
レジスト６０を所定パターン（図２参照）に露光する。
かかる２回の露光が全て終了した後のレジスト６０は、
露光光が１回照射された部分６１と、露光光が２回照射
された部分６２と、露光されなかった部分６３とに分け
られ、本露光方法によれば当該レジスト６０には露光光
が１回照射された部分６１と複数回（２回）照射された
部分６２とが混在する。As described above, in the present exposure method, the exposure is performed twice using the single exposure mask 201,
The resist 60 is exposed in a predetermined pattern (see FIG. 2).
The resist 60 after completion of all the two exposures is
According to the present exposure method, the resist 60 is exposed to the exposure light 1 after the exposure light is irradiated once, the exposure light is irradiated twice, and the unexposed portion 63. The part 61 irradiated twice and the part 62 irradiated plural times (twice) coexist.

【００５０】なお、上述の説明ではマスク２０１のマス
クパターンと露光対象基板３００との重なり量を１回で
寸法Ｌｓ１分、変化させる場合を述べたが、当該重なり
量を複数回に分けてステップ的に変化させて（しかも各
回における重なりの変化量は異なっていても構わない）
各重なり状態毎に露光を行っても良い。このとき、少な
くとも１回の露光光照射によってレジスト６０に十分な
光重合が生じるように露光光量を設定する。例えば第１
回目及び最終回の露光時の露光光量を十分に光重合可能
な量に設定すると共にそれ以外の回の露光光量をそれ以
下に設定しても良い。あるいは、複数回露光される部分
に対しては複数回露光された結果として十分な光重合が
生じるように各露光時の露光光量を設定しても良い。あ
るいは、例えば十分な光重合反応が生じうる範囲内にお
いて第１回目から最終回までの各露光時の露光光量をそ
れぞれ任意に設定しても良い。In the above description, the amount of overlap between the mask pattern of the mask 201 and the substrate 300 to be exposed is changed by the amount of the dimension Ls1 at one time. However, the amount of overlap is divided into a plurality of times and stepwise. Change (and the amount of change in overlap at each time may be different)
The exposure may be performed for each overlapping state. At this time, the exposure light amount is set so that the resist 60 is sufficiently photopolymerized by at least one exposure light irradiation. For example, the first
The exposure light amount at the time of the second and final exposure may be set to a sufficient photopolymerizable amount, and the exposure light amount at the other times may be set to be less than that. Alternatively, the exposure light amount at each exposure may be set so that sufficient photopolymerization occurs as a result of multiple exposures for a portion exposed multiple times. Alternatively, for example, the exposure light amount at each exposure from the first time to the final time may be arbitrarily set within a range in which a sufficient photopolymerization reaction can occur.

【００５１】次に、レジスト６０を現像するとレジスト
６０のうちで露光されなかった部分６３は現像液に溶解
する一方で露光された部分６１，６２は現像液に溶解せ
ずに露光パターンとして形成される（図１０参照）。そ
の後、現像後に残存するドライフィルムレジスト６０を
マスクとして用いてサンドブラストを実施することによ
り、ガラスペースト層７Ａをドライフィルムレジスト６
０の露光パターンに応じたパターンに形成する（図１１
及び図２参照）。その後、ドライフィルムレジスト６０
を剥離し、高温で焼成することにより隔壁７が完成する
（図１２参照）。Next, when the resist 60 is developed, the unexposed portion 63 of the resist 60 is dissolved in the developing solution, while the exposed portions 61 and 62 are formed as an exposure pattern without being dissolved in the developing solution. (See FIG. 10). After that, the glass paste layer 7A is removed from the dry film resist 6 by sandblasting using the dry film resist 60 remaining after the development as a mask.
The pattern is formed according to the exposure pattern of 0 (FIG. 11).
And FIG. 2). After that, dry film resist 60
Are removed and baked at a high temperature to complete the partition wall 7 (see FIG. 12).

【００５２】なお、露光マスク２０１と露光対象基板３
００との相対位置を調整する際に、マスク２０１のマス
クパターンと露光対象基板３００との重なり位置を変化
させる前にマスク２０１と露光対象基板３００とを遠ざ
ける（マスク２０１と露光対象基板３００との間隔（プ
ロキシミティギャップ）を拡大する）と共に、上記重な
り位置を変化させた後にマスク２０１と露光対象基板３
００とを近づけて（プロキシミティギャップを縮小し
て）所定のプロキシミティギャップに設定・調整しても
良い。これによれば、マスク２０１のマスクパターンと
露光対象基板３００との重なり位置を変化させる際にマ
スク２０１と露光対象基板３００とが接触するのを確実
に回避することができる。The exposure mask 201 and the exposure target substrate 3
00, the mask 201 and the exposure target substrate 300 are moved away from each other before the overlapping position of the mask pattern of the mask 201 and the exposure target substrate 300 is changed (the mask 201 and the exposure target substrate 300 are separated from each other). The mask 201 and the exposure target substrate 3 are changed after changing the overlapping position together with increasing the interval (proximity gap).
00 may be brought closer to each other (the proximity gap may be reduced) and set / adjusted to a predetermined proximity gap. According to this, it is possible to reliably avoid contact between the mask 201 and the exposure target substrate 300 when changing the overlapping position of the mask pattern of the mask 201 and the exposure target substrate 300.

【００５３】本露光方法では、マスク２０１のマスクパ
ターンと露光対象基板３００との重なりの変化量を予め
設定しておくので、アライメント露光及びノンアライメ
ント露光のいずれにも適用可能である。このとき、露光
マスク２０１及び露光対象基板３００がアライメントマ
ークを有する場合には（すなわちアライメント露光が可
能な場合には）、露光マスク２０１と露光対象基板３０
０との相対位置を調整するステップに、マスク２０１の
マスクパターンと露光対象基板３００との重なり位置を
変化させた後にマスク２０１と露光対象基板３００とを
上記アライメントマークを利用して位置合わせするステ
ップを含ませることが可能である。これによれば、アラ
イメントマークを利用した位置合わせによって、重なり
位置を変化させた後においてもより正確な位置精度で２
回目の（２回目以降の）露光を行うことができる。In this exposure method, since the amount of change in the overlap between the mask pattern of the mask 201 and the exposure target substrate 300 is set in advance, it can be applied to both alignment exposure and non-alignment exposure. At this time, when the exposure mask 201 and the exposure target substrate 300 have alignment marks (that is, when alignment exposure is possible), the exposure mask 201 and the exposure target substrate 30.
In the step of adjusting the relative position with respect to 0, the step of aligning the mask 201 and the exposure target substrate 300 using the alignment mark after changing the overlapping position of the mask pattern of the mask 201 and the exposure target substrate 300. Can be included. According to this, even if the overlapping position is changed by the alignment using the alignment mark, the 2
The second (second and subsequent) exposure can be performed.

【００５４】次に、図１３に上述の露光方法を実現する
ための露光装置１００のブロック図を示す。なお、説明
のため図１３中には露光マスク２０１及び露光対象基板
３００を併せて図示している。Next, FIG. 13 shows a block diagram of an exposure apparatus 100 for realizing the above-mentioned exposure method. For the sake of explanation, the exposure mask 201 and the exposure target substrate 300 are also shown in FIG.

【００５５】露光装置１００は、基板ステージ１１０
と、マスクステージ１０９と、露光光源１０８と、制御
部１０１とを備えている。詳細には、基板ステージ１１
０はドライフィルムレジスト６０を有した露光対象基板
３００を例えば吸着固定により支持し、マスクステージ
１０９は例えば吸着固定により露光マスク２０１を支持
する。露光光源１０８は露光光を出射し、当該光源１０
８からの露光光の出射は制御部１０１によって（より具
体的には後述の制御回路１０２によって）制御される。
なお、図１３中には露光光源１０８とマスク２０１との
間の詳細な光学系の図示化は省略している。The exposure apparatus 100 includes a substrate stage 110.
A mask stage 109, an exposure light source 108, and a control unit 101. Specifically, the substrate stage 11
0 supports the exposure target substrate 300 having the dry film resist 60, for example, by suction fixing, and the mask stage 109 supports the exposure mask 201 by suction, for example. The exposure light source 108 emits exposure light, and the light source 10
The emission of the exposure light from 8 is controlled by the control unit 101 (more specifically, by the control circuit 102 described later).
In FIG. 13, detailed illustration of the optical system between the exposure light source 108 and the mask 201 is omitted.

【００５６】制御部１０１は、制御回路１０２と、ステ
ージコントローラ１０３と、プロキシミティギャップセ
ンサ１０４と、顕微鏡１０５と、撮像カメラ（ここでは
ＣＣＤカメラ）１０６と、画像処理装置１０７とを備え
ている。The control unit 101 includes a control circuit 102, a stage controller 103, a proximity gap sensor 104, a microscope 105, an image pickup camera (here, a CCD camera) 106, and an image processing device 107.

【００５７】制御回路１０２は例えば露光装置１００全
体のシーケンス制御（後述する）やステージコントロー
ラ１０３の駆動等の各種の制御を行う。ステージコント
ローラ１０３は、制御回路１０２の制御の下、基板ステ
ージ１１０又は／及びマスクステージ１０９をＸ、Ｙ、
Ｚ軸方向に駆動する。なお、ここではＸ軸及びＹ軸を水
平面内に取り、Ｘ軸及びＹ軸に垂直にＺ軸を取る。The control circuit 102 performs various controls such as sequence control of the entire exposure apparatus 100 (described later) and driving of the stage controller 103. Under the control of the control circuit 102, the stage controller 103 sets the substrate stage 110 and / or the mask stage 109 to X, Y,
Drive in the Z-axis direction. Note that, here, the X axis and the Y axis are taken in the horizontal plane, and the Z axis is taken perpendicular to the X axis and the Y axis.

【００５８】プロキシミティギャップセンサ１０４はマ
スク２０１と露光対象基板３００との間隔（プロキシミ
ティギャップ）をマスク２０１及び露光対象基板３００
に設けられたプロキシミティギャップマークを利用して
例えば光学的に計測し、計測結果を制御回路１０２へ出
力する。ＣＣＤカメラ１０６は顕微鏡１０５を介してマ
スク２０１及び露光対象基板３００に設けられたアライ
メントマークを光学像として取り込み、取り込んだ像を
制御回路１０２へ出力する。また、制御回路１０２は顕
微鏡１０５及びＣＣＤカメラ１０６の例えばピントを制
御する。The proximity gap sensor 104 determines the distance (proximity gap) between the mask 201 and the exposure target substrate 300 as the mask 201 and the exposure target substrate 300.
For example, the proximity gap mark provided on the optical axis is used for optical measurement, and the measurement result is output to the control circuit 102. The CCD camera 106 captures the alignment marks provided on the mask 201 and the exposure target substrate 300 as an optical image via the microscope 105, and outputs the captured image to the control circuit 102. Further, the control circuit 102 controls, for example, the focus of the microscope 105 and the CCD camera 106.

【００５９】ＣＣＤカメラ１０６により取り込まれた像
やプロキシミティギャップセンサ１０４からの出力は画
像処理装置（例えばパーソナルコンピュータが適用可能
である）１０７によって画像処理等され、処理結果は制
御回路１０２へ出力される。画像処理装置１０７による
処理結果に基づいて制御回路１０２はステージコントロ
ーラ１０３を介して基板ステージ１１０又は／及びマス
クステージ１０９の位置を制御して露光対象基板１１０
とマスク２０１との相対位置を制御する。The image captured by the CCD camera 106 and the output from the proximity gap sensor 104 are subjected to image processing by an image processing device (for example, a personal computer is applicable) 107, and the processing result is output to the control circuit 102. It The control circuit 102 controls the position of the substrate stage 110 and / or the mask stage 109 via the stage controller 103 based on the processing result by the image processing device 107 to expose the substrate 110 to be exposed.
And the relative position of the mask 201 are controlled.

【００６０】なお、制御回路１０２と画像処理装置１０
７とを兼用するような構成にしても構わない。The control circuit 102 and the image processing apparatus 10
It may be configured so as to be used also as 7.

【００６１】次に、図１４及び図１５のフローチャート
（図１４及び図１５は結合子Ａ，Ｂを介して繋がってい
る）を参照しつつ、露光装置１００の動作ないしは制御
部１０１（の制御回路１０２）によるシーケンス制御を
説明する。Next, with reference to the flowcharts of FIGS. 14 and 15 (which are connected via connectors A and B in FIGS. 14 and 15), the operation of the exposure apparatus 100 or the control circuit of the control unit 101 The sequence control by 102) will be described.

【００６２】まず、露光マスク２０１をマスクステージ
１０９の位置に搬入し（ステップＳＴ１）、マスク２０
１を位置決めし（アライメントし）（ステップＳＴ
２）、その後、マスク２０１をマスクステージ１０９に
吸着固定する（ステップＳＴ３）。次に、露光対象基板
（ガラスペースト７Ａ及びドライフィルムレジスト６０
が形成された下地基板５１Ｑ）３００を基板ステージ１
１０上に搬入し（ステップＳＴ４）、露光対象基板３０
０をピン等により粗な位置決めをし（ステップＳＴ
５）、露光対象基板３００を基板ステージ１１０に吸着
固定する（ステップＳＴ６）。次に、プロキシミティギ
ャップセンサ１０４により露光対象基板３００とマスク
２０１との間隔（プロキシミティギャップ）を計測しな
がら基板ステージ１１０又は／及びマスクステージ１０
９のＺ方向駆動により予め設定された所定のプロキシミ
ティギャップに設定する（ステップＳＴ７〜ＳＴ９）。First, the exposure mask 201 is carried into the position of the mask stage 109 (step ST1), and the mask 20 is removed.
Position 1 (Align) (Step ST
2) After that, the mask 201 is fixed to the mask stage 109 by suction (step ST3). Next, the substrate to be exposed (glass paste 7A and dry film resist 60)
The base substrate 51Q) 300 on which the
The substrate 30 to be exposed is loaded onto the substrate 10 (step ST4).
0 is roughly positioned with a pin or the like (step ST
5) Then, the exposure target substrate 300 is suction-fixed to the substrate stage 110 (step ST6). Next, while measuring the distance (proximity gap) between the exposure target substrate 300 and the mask 201 by the proximity gap sensor 104, the substrate stage 110 and / or the mask stage 10
A predetermined proximity gap is set in advance by driving in the Z direction of 9 (steps ST7 to ST9).

【００６３】次に、アライメント露光を実施する場合に
は（ステップＳＴ１０）、露光マスク２０１と露光対象
基板３００とのＸ、Ｙ軸方向における相対位置を調整す
る（アライメントする）（ステップＳＴ１１〜ＳＴ１
３）。具体的には、ＣＣＤカメラ１０６によって露光対
象基板３００及びマスク２０１のアライメントマークを
撮像して位置合わせずれ量が予め設定された許容値内に
入るように基板ステージ１１０又は／及びマスクステー
ジ１０９のＸＹ方向駆動により露光対象基板３００とマ
スク２０１との位置合わせ制御を実施する（ステップＳ
Ｔ１１〜ＳＴ１３）。そして、露光装置１００の動作は
次の露光ステップＳＴ１４へ移行する。他方、ノンアラ
イメント露光を実施する場合には、露光装置１００の動
作は上述の位置合わせステップＳＴ１１〜ＳＴ１３を実
施せずに露光ステップＳＴ１４へ移行する（ステップＳ
Ｔ１０）。Next, when performing alignment exposure (step ST10), the relative position between the exposure mask 201 and the exposure target substrate 300 in the X and Y axis directions is adjusted (aligned) (steps ST11 to ST1).
3). Specifically, the alignment mark of the exposure target substrate 300 and the mask 201 is imaged by the CCD camera 106, and the XY of the substrate stage 110 and / or the mask stage 109 is adjusted so that the amount of misalignment falls within a preset allowable value. Positional control of the exposure target substrate 300 and the mask 201 is performed by directional driving (step S).
T11-ST13). Then, the operation of the exposure apparatus 100 shifts to the next exposure step ST14. On the other hand, when performing non-alignment exposure, the operation of the exposure apparatus 100 shifts to the exposure step ST14 without performing the above-mentioned alignment steps ST11 to ST13 (step S).
T10).

【００６４】そして、予め設定された露光量でマスク２
０１を介してレジスト６０を露光することによりマスク
２０１のパターンを一括してドライフィルムレジスト６
０に露光転写する（１回目の露光ステップＳＴ１４）。
１回目の露光後、基板ステージ１１０又は／及びマスク
ステージ１０９のステージ位置を制御して露光マスク２
０１と露光対象基板３００との相対位置を再び調整する
（ステップＳＴ１５）。このとき、露光後の相対位置調
整ステップＳＴ１５では、図１６のフローチャートに示
すように基板ステージ１１０又は／及びマスクステージ
１０９のＸＹ駆動（ステップ移動）によって、上述のよ
うに先の露光で露光済みの部分の一部に露光マスク２０
１のマスクパターンが重なるように露光対象基板３００
とマスク２０１のマスクパターンとの平面視（図９参
照）における重なり位置を所定量（ステップ的に）変化
させる（ステップＳＴ１５２）。その後、アライメント
露光の場合には上述のステップＳＴ１１〜ＳＴ１３と同
様にして露光対象基板３００とマスク２０１との位置合
わせ制御を実施する（ステップＳＴ１５４）。なお、マ
スク２０１又は／及び露光対象基板３００の移動後にお
いても顕微鏡１０５及びＣＣＤカメラ１０６の撮像範囲
内にアライメントマークが存在するように、マスク２０
１及び露光対象基板３００にはマスク２０１又は／及び
露光対象基板３００の移動方向及び移動量に基づいて複
数のアライメントマークが設けられている。他方、ノン
アライメント露光では当該位置合わせ制御を実施しな
い。Then, the mask 2 is exposed with a preset exposure amount.
By exposing the resist 60 through 01, the pattern of the mask 201 is collectively exposed to the dry film resist 6
0 is transferred by exposure (first exposure step ST14).
After the first exposure, the exposure mask 2 is controlled by controlling the stage position of the substrate stage 110 or / and the mask stage 109.
01 and the relative position of the exposure target substrate 300 are readjusted (step ST15). At this time, in the post-exposure relative position adjustment step ST15, as described above, by the XY drive (step movement) of the substrate stage 110 or / and the mask stage 109 as shown in the flowchart of FIG. Exposure mask 20 on a part of the portion
Exposure target substrate 300 so that the mask patterns of No. 1 overlap
And the mask pattern of the mask 201 in plan view (see FIG. 9) are changed by a predetermined amount (stepwise) (step ST152). After that, in the case of alignment exposure, alignment control between the exposure target substrate 300 and the mask 201 is performed in the same manner as in steps ST11 to ST13 described above (step ST154). Note that the mask 20 is adjusted so that the alignment mark exists within the imaging range of the microscope 105 and the CCD camera 106 even after the mask 201 or / and the exposure target substrate 300 is moved.
1 and the exposure target substrate 300 are provided with a plurality of alignment marks based on the moving direction and the moving amount of the mask 201 or / and the exposure target substrate 300. On the other hand, in non-alignment exposure, the alignment control is not executed.

【００６５】なお、図１７のフローチャートに示すよう
に、露光後の相対位置調整ステップ（ないしはステージ
位置制御ステップ）ＳＴ１５において、マスク２０１の
マスクパターンと露光対象基板３００との重なり位置を
変化させるステップＳＴ１５２の前にマスク２０１と露
光対象基板３００とを遠ざけるプロキシミティギャップ
拡大制御（ステップＳＴ１５１）を実施すると共に、上
記重なり位置を変化させるステップＳＴ１５２の後にマ
スク２０１と露光対象基板３００とを近づけるプロキシ
ミティギャップ縮小制御及び所定値への設定制御（ステ
ップＳＴ１５３）を実施しても良い。なお、アライメン
ト露光の場合、位置合わせ制御（ステップＳＴ１５４）
はプロキシミティギャップ縮小・設定した後に実施す
る。なお、マスク２０１又は／及び露光対象基板３００
の移動後においてもプロキシミティギャップセンサ１０
４の計測範囲内にプロキシミティギャップマークが存在
するように、マスク２０１及び露光対象基板３００には
マスク２０１又は／及び露光対象基板３００の移動方向
及び移動量に基づいて複数のプロキシミティギャップマ
ークが設けられている。As shown in the flowchart of FIG. 17, in the relative position adjusting step (or stage position controlling step) after exposure ST15, step ST152 of changing the overlapping position of the mask pattern of the mask 201 and the exposure target substrate 300. The proximity gap enlargement control (step ST151) for moving the mask 201 away from the exposure target substrate 300 is performed, and the proximity gap for bringing the mask 201 and the exposure target substrate 300 closer to each other after step ST152 of changing the overlapping position. Reduction control and setting control to a predetermined value (step ST153) may be performed. In the case of alignment exposure, alignment control (step ST154)
Will be performed after the proximity gap is reduced and set. The mask 201 and / or the exposure target substrate 300
The proximity gap sensor 10 even after moving
A plurality of proximity gap marks are provided on the mask 201 and the exposure target substrate 300 based on the moving direction and the moving amount of the mask 201 or / and the exposure target substrate 300 so that the proximity gap mark exists within the measurement range of 4. It is provided.

【００６６】そして、ステップＳＴ１５の後に、１回目
と同様にして２回目の露光を実施する（ステップＳＴ１
６）。なお、その後、露光を３回以上行う場合には、上
記ステップＳＴ１５と同様に露光マスク２０１と露光対
象基板３００との相対位置を調整するステップ（ないし
はステージ位置の制御ステップ）と、１回目と同様の露
光ステップと、を交互に所定回数繰り返す（ステップＳ
Ｔ１７〜ＳＴ１９）。Then, after step ST15, the second exposure is carried out in the same manner as the first exposure (step ST1).
6). When the exposure is performed three times or more thereafter, the step of adjusting the relative position between the exposure mask 201 and the exposure target substrate 300 (or the step of controlling the stage position) as in step ST15 and the same as the first time And the exposure step of are alternately repeated a predetermined number of times (step S
T17-ST19).

【００６７】最終回目の露光後、基板ステージ１１０又
は／及びマスクステージ１０９を初期位置に復帰し（ス
テップＳＴ２０）、露光対象基板３００の吸着固定を解
除し（ステップＳＴ２１）、露光対象基板３００を搬出
する（ステップＳＴ２２）。なお、続いて露光する基板
があれば（ステップＳＴ２３）、上述の基板搬入ステッ
プＳＴ４から基板搬出ステップＳＴ２２までを繰り返し
行う。After the final exposure, the substrate stage 110 and / or the mask stage 109 is returned to the initial position (step ST20), the suction fixation of the exposure target substrate 300 is released (step ST21), and the exposure target substrate 300 is unloaded. Yes (step ST22). If there is a substrate to be exposed subsequently (step ST23), the substrate loading step ST4 to the substrate unloading step ST22 are repeated.

【００６８】このように、露光装置１００では制御部１
０１（の制御回路１０２）の制御によって、露光光源１
０８によって露光マスク２０１のマスクパターンをレジ
スト６０に一括露光転写する露光制御（ステップＳＴ１
４，ＳＴ１６，ＳＴ１８，ＳＴ１９）と、露光制御後に
おけるマスクステージ１０９又は／及び基板ステージ１
１０のステージ位置制御（ステップＳＴ１５，ＳＴ１
７）と、を順次に実施し、露光制御を少なくとも２回実
施する。なお、上述のようにステージ位置制御は、先の
露光で露光済みの部分の一部に露光マスク２０１のマス
クパターンが重なるように露光マスク２０１のマスクパ
ターンと露光対象基板３００との平面視における重なり
位置を所定量、変化させる重なり制御（ステップＳＴ１
５２）を含んでいる。As described above, in the exposure apparatus 100, the control unit 1
01 (control circuit 102) controls the exposure light source 1
Exposure control for collectively exposing and transferring the mask pattern of the exposure mask 201 onto the resist 60 (step ST1).
4, ST16, ST18, ST19) and the mask stage 109 or / and the substrate stage 1 after exposure control.
10 stage position control (steps ST15, ST1
7) and are sequentially performed, and exposure control is performed at least twice. As described above, the stage position control is performed such that the mask pattern of the exposure mask 201 and the exposure target substrate 300 overlap each other in a plan view so that the mask pattern of the exposure mask 201 overlaps a part of the exposed portion in the previous exposure. Overlap control for changing the position by a predetermined amount (step ST1
52) is included.

【００６９】上述の露光方法及び露光装置１００及びこ
れらに適用可能な露光マスク２０１によれば、露光マス
ク２０１のマスクパターンと露光対象基板３００との平
面視における重なり位置を変化させた後に再度、露光を
行う。このため、本来露光すべきではあるが露光マスク
に付着した塵埃２００等によって未露光となってしまっ
た部分（図６におけるレジスト６０の中央付近の未露光
部分６３を参照）を再度の露光制御で露光することが可
能である（図８参照）。従って、レジスト６０のパター
ン欠陥を低減することができるあるいは無くすることが
できる。その結果、上述の従来の一括露光方法と比較し
て、生産効率及び歩留まりを向上させることができる。
さらに、露光マスクの清浄度管理を緩和することができ
る。さらに、塵埃２００の付着が原因で廃棄する必要性
が無くなるので露光マスクの寿命を長くすることができ
る。According to the above-described exposure method and exposure apparatus 100 and the exposure mask 201 applicable to them, after changing the overlapping position in plan view of the mask pattern of the exposure mask 201 and the exposure target substrate 300, the exposure is performed again. I do. Therefore, the portion which should be exposed originally but is not exposed by the dust 200 or the like adhering to the exposure mask (see the unexposed portion 63 near the center of the resist 60 in FIG. 6) can be exposed again. It is possible to expose (see FIG. 8). Therefore, the pattern defect of the resist 60 can be reduced or eliminated. As a result, the production efficiency and the yield can be improved as compared with the conventional collective exposure method described above.
Furthermore, the cleanliness control of the exposure mask can be eased. Further, since it is not necessary to dispose of the dust 200 due to the adhesion of the dust 200, the life of the exposure mask can be extended.

【００７０】また、上述の露光方法及び露光装置１００
によれば、単一の露光マスク２０１を用いて複数回の露
光を行うので、既述の複数の露光マスクを用いて複数回
の露光を行う場合よりも高いスループットを実現するこ
とができる。また、露光マスク２０１のマスクパターン
と露光対象基板３００との平面視における重なり位置を
予め設定した所定量、変化させるので、当該露光装置は
アライメント露光及びノンアライメント露光のいずれに
も対応可能であり汎用性が高い。Further, the above-mentioned exposure method and exposure apparatus 100.
According to this, since a single exposure mask 201 is used to perform a plurality of exposures, higher throughput can be realized than in the case where a plurality of exposure masks are used to perform a plurality of exposures. Moreover, since the overlapping position of the mask pattern of the exposure mask 201 and the substrate 300 to be exposed in plan view is changed by a preset predetermined amount, the exposure apparatus is compatible with both alignment exposure and non-alignment exposure. It is highly likely.

【００７１】これらの結果、上述の露光方法及び露光装
置１００及びこれらに適用可能な露光マスク２０１によ
れば、歩留まりの向上や製造コストの削減等によって安
価に表示装置を提供することができる。As a result, according to the above-described exposure method and exposure apparatus 100 and the exposure mask 201 applicable to them, it is possible to provide a display device at a low cost by improving the yield and reducing the manufacturing cost.

【００７２】＜実施の形態２＞図１８に実施の形態２に
係る露光マスク２０２を説明するための平面図を示し、
図１９に当該露光マスク２０２の設計を説明するための
平面図を示す。なお、説明のため図１８中に塵埃２００
を図示している。なお、実施の形態２においても隔壁７
及びネガ型のドライフィルムレジスト６０を一例に挙げ
て説明する。このため、図２と同様に、図１９には隔壁
７を形成する工程においてドライフィルムレジスト６０
を現像した後の背面基板５１Ｒを図示している。<Second Embodiment> FIG. 18 shows a plan view for explaining an exposure mask 202 according to the second embodiment.
FIG. 19 shows a plan view for explaining the design of the exposure mask 202. Note that, for the sake of explanation, the dust 200 is shown in FIG.
Is illustrated. In addition, also in the second embodiment, the partition wall 7
The negative dry film resist 60 will be described as an example. Therefore, as in FIG. 2, the dry film resist 60 is used in the step of forming the partition wall 7 in FIG.
The rear substrate 51R after being developed is illustrated.

【００７３】図１の露光マスク２０１と同様に、露光マ
スク２０２のマスクパターンは、ストライプ状の透光部
２０１ａと、遮光部２０１ｂと、を含んでいる。そし
て、当該マスク２０２のマスクパターン（ここでは透光
部２０１ａのパターン）は露光現像後に残存させるべき
（設計上の）ドライフィルムレジスト６０の所定パター
ン（ここではストライプ状）の一部６０Ｃに対応する。
特に露光マスク２０２に関しては、当該所定パターンの
上記一部６０Ｃは、現像後の（設計上の）ストライプ状
のレジスト６０を成す複数の帯状パターン（ここでは各
帯状パターンが単位パターンにあたる）のうちで２本以
上且つ露光後のレジスト６０よりも少ない（換言すれば
隔壁７よりも少ない）本数の帯状パターンを含んで選定
されている。これに対応して、レジスト６０の所定パタ
ーンの残りの他部６０Ｄは現像後の（設計上の）レジス
ト６０中の少なくとも１本の帯状パターンを含むように
選定されている（図１９では他部６０Ｄが１本の帯状パ
ターンを含む場合を図示している）。Similar to the exposure mask 201 of FIG. 1, the mask pattern of the exposure mask 202 includes a stripe-shaped light transmitting portion 201a and a light shielding portion 201b. The mask pattern of the mask 202 (here, the pattern of the light transmitting portion 201a) corresponds to a part 60C of a predetermined pattern (here, stripe shape) of the (designed) dry film resist 60 to be left after exposure and development. .
Particularly with respect to the exposure mask 202, the part 60C of the predetermined pattern is one of a plurality of strip-shaped patterns (here, each strip-shaped pattern corresponds to a unit pattern) forming the (designed) striped resist 60 after development. The number of strip-shaped patterns is selected to be two or more and less than the exposed resist 60 (in other words, less than the partition wall 7). Correspondingly, the remaining portion 60D of the predetermined pattern of the resist 60 is selected so as to include at least one strip-shaped pattern in the developed (designed) resist 60 (in FIG. 19, the other portion). The case where 60D includes one strip-shaped pattern is illustrated).

【００７４】詳しくは、露光マスク２０２の透光部２０
１ａのパターンについて、各帯状パターンの幅及び長さ
をＷｍ２及びＬｍ２と表し、帯状パターンのピッチをＰ
ｍ２と表し、帯状パターンの数をＮｍ２と表すと、露光
マスク２０２のマスクパターンは式（９）〜（１２）を
満足するように設計されている。Specifically, the light transmitting portion 20 of the exposure mask 202
Regarding the pattern 1a, the width and length of each strip pattern are represented by Wm2 and Lm2, and the pitch of the strip pattern is P
If it is represented by m2 and the number of strip patterns is represented by Nm2, the mask pattern of the exposure mask 202 is designed so as to satisfy the expressions (9) to (12).

【００７５】 Ｗｍ２＝Ｗｄ＋Ｗｏ …（９） Ｌｍ２＝Ｌｄ＋Ｗｏ …（１０） Ｐｍ２＝Ｐｄ …（１１） Ｎｍ２＝Ｎｄ−Ｌｓ２÷Ｐｄ …（１２） マスク２０２の透光部２０１ａの帯状パターンの数Ｎｍ
２は露光現像後のレジスト６０の（換言すれば隔壁７
の）帯状パターンの数Ｎｄよりも少ないので、図２０及
び図２１の平面図に示すように、露光マスク２０２と露
光対象基板３００とを透光部２０１ａの帯状パターンの
配列方向に相対的に寸法Ｐｍ２単位でずらして（ずらす
合計は寸法Ｌｓ２）（これにより露光マスク２０２のマ
スクパターンと露光対象基板３００との重なり位置を変
化させて）複数回の露光を実施することによりレジスト
６０を所定のストライプ状に露光可能である。ここで、
寸法Ｌｓ２は帯状パターンのピッチＰｄ，Ｐｍ２の倍数
にあたる。Wm2 = Wd + Wo (9) Lm2 = Ld + Wo (10) Pm2 = Pd (11) Nm2 = Nd-Ls2 / Pd (12) Number Nm of strip-shaped patterns of the light transmitting portion 201a of the mask 202
2 is the resist 60 after exposure and development (in other words, the partition 7
Since the number is smaller than the number Nd of strip-shaped patterns, as shown in the plan views of FIGS. 20 and 21, the exposure mask 202 and the exposure target substrate 300 are relatively sized in the arrangement direction of the strip-shaped patterns of the light transmitting portion 201a. The resist 60 is shifted in units of Pm2 (the total shift is the dimension Ls2) (by changing the overlapping position of the mask pattern of the exposure mask 202 and the substrate 300 to be exposed) a plurality of times to expose the resist 60 to a predetermined stripe. Can be exposed in the shape of a circle. here,
The dimension Ls2 corresponds to a multiple of the pitches Pd and Pm2 of the strip pattern.

【００７６】なお、露光マスク２０２によれば図２２に
示すように塵埃２００が付着している透光部２０１ａが
レジスト６０に対面しないようにマスク２０２と露光対
象基板３００とを平面視上、重ねることも可能である。According to the exposure mask 202, as shown in FIG. 22, the mask 202 and the exposure target substrate 300 are overlapped with each other in plan view so that the transparent portion 201a to which the dust 200 is attached does not face the resist 60. It is also possible.

【００７７】露光マスク２０２は既述の露光マスク２０
１と同様に利用することができ、露光マスク２０１と同
様の効果を奏する。The exposure mask 202 is the above-mentioned exposure mask 20.
The same effect as that of the exposure mask 201 can be obtained.

【００７８】なお、露光マスク２０１，２０２を組み合
わせても構わない。具体的には、露光マスク２０１にお
いて帯状パターンの数を露光マスク２０２と同様に設定
しても構わない。このような露光マスクによっても同様
の効果が得られる。The exposure masks 201 and 202 may be combined. Specifically, the number of strip-shaped patterns in the exposure mask 201 may be set similarly to that in the exposure mask 202. The same effect can be obtained with such an exposure mask.

【００７９】ところで、ストライプ状を成す複数の帯状
パターンのうちの一部（例えば２本）を１つの単位パタ
ーンと捉えることも可能であり、次にかかる場合を書込
電極６の形成を一例に挙げて説明する。By the way, it is possible to regard a part (for example, two) of a plurality of strip-shaped patterns forming a stripe as one unit pattern. In the next case, the formation of the write electrode 6 will be taken as an example. I will give you an explanation.

【００８０】図２３に実施の形態２に係る他の露光マス
ク２０３を説明するための平面図を示し、図２４に当該
露光マスク２０３の設計を説明するための平面図を示
す。なお、説明のため図２３中に塵埃２００を図示して
いる。FIG. 23 shows a plan view for explaining another exposure mask 203 according to the second embodiment, and FIG. 24 shows a plan view for explaining the design of the exposure mask 203. Note that the dust 200 is shown in FIG. 23 for the sake of explanation.

【００８１】書込電極６の形成においては、背面ガラス
基板９及び当該基板９上にこの順序で積層された書込電
極６の材料である導電性ペースト６Ａ及びドライフィル
ムレジスト６０から成る構成が「露光対象基板」にあた
る。ここでもドライフィルムレジスト６０がネガ型の場
合を一例に挙げ、図２と同様に図２４には書込電極６を
形成する工程においてドライフィルムレジスト６０を現
像した後の背面基板５１Ｒを図示している。In the formation of the write electrode 6, the rear glass substrate 9, the conductive paste 6 A as the material of the write electrode 6 and the dry film resist 60 laminated on the substrate 9 in this order are used. The substrate to be exposed ". Also here, the case where the dry film resist 60 is a negative type is taken as an example, and FIG. 24 illustrates the rear substrate 51R after the dry film resist 60 is developed in the step of forming the write electrode 6 as in FIG. There is.

【００８２】図２４に示すように、書込電極６用のレジ
ストパターン（換言すれば書込電極パターン）は、複数
本（ここでは５本）の帯状パターンから成る単位パター
ンが繰り返し複数（ここでは５個）並んで成る。As shown in FIG. 24, the resist pattern for the write electrode 6 (in other words, the write electrode pattern) is a plurality of unit patterns composed of a plurality of (here, five) strip-shaped patterns (here, a plurality of unit patterns). 5) Lined up.

【００８３】このとき、書込電極６を形成するための露
光マスク２０３のマスクパターン（ここでは透光部２０
１ａのパターン）は露光現像後に残存させるべき（設計
上の）ドライフィルムレジスト６０の所定パターンの一
部６０Ｅに対応する。特に露光マスク２０３では、所定
パターンの上記一部６０Ｅは、現像後の（設計上の）レ
ジスト６０を成す複数の単位パターンのうちで２つ以上
且つ露光後のレジスト６０よりも少ない数の単位パター
ンを含んで選定されている。これに対応して、レジスト
６０の所定パターンの残りの他部６０Ｆは現像後の（設
計上の）レジスト６０中の少なくとも１つの単位パター
ンを含むように選定されている（図２４では他部６０Ｆ
が１つの単位パターンを含む場合を図示している）。At this time, the mask pattern of the exposure mask 203 for forming the write electrode 6 (here, the transparent portion 20) is formed.
The pattern 1a) corresponds to a part 60E of the predetermined pattern of the (designed) dry film resist 60 to be left after exposure and development. Particularly, in the exposure mask 203, the part 60E of the predetermined pattern is two or more unit patterns of a plurality of unit patterns forming the (designed) resist 60 after development and a smaller number of unit patterns than the resist 60 after exposure. Has been selected. Correspondingly, the remaining portion 60F of the predetermined pattern of the resist 60 is selected so as to include at least one unit pattern in the developed (designed) resist 60 (in FIG. 24, the other portion 60F).
Shows the case where contains one unit pattern).

【００８４】詳しくは、書込電極６の設計パターンに対
応するレジスト６０の露光部分のパターン（設計上のパ
ターン）について、各帯状パターンの幅及び長さをＷｄ
３及びＬｄ３と表し、帯状パターンのピッチをＰｄ３と
表し、帯状パターンの数をＮｄ３と表し、単位パターン
のピッチ及び配置数をＰｄ３Ｕ及びＮｄ３Ｕと表すと共
に、露光マスク２０３の透光部２０１ａのパターンにつ
いて、各帯状パターンの幅及び長さをＷｍ３及びＬｍ３
と表し、帯状パターンのピッチをＰｍ３と表し、帯状パ
ターンの数をＮｍ３と表し、単位パターンのピッチ及び
配置数をＰｍ３Ｕ及びＮｍ３Ｕと表すと、露光マスク２
０３のマスクパターンは式（１３）〜（１８）を満足す
るように設計されている。More specifically, regarding the pattern (designed pattern) of the exposed portion of the resist 60 corresponding to the design pattern of the write electrode 6, the width and length of each strip-shaped pattern are Wd.
3 and Ld3, the pitch of the strip pattern is represented by Pd3, the number of strip patterns is represented by Nd3, the pitch of the unit patterns and the number of arrangements are represented by Pd3U and Nd3U, and the pattern of the light transmitting portion 201a of the exposure mask 203 is represented. , The width and length of each strip pattern are Wm3 and Lm3
, Pm3 represents the pitch of the band-shaped pattern, Nm3 represents the number of the band-shaped patterns, and Pm3U and Nm3U represent the pitch and the arrangement number of the unit patterns.
The mask pattern No. 03 is designed so as to satisfy the expressions (13) to (18).

【００８５】 Ｗｍ３＝Ｗｄ３＋Ｗｏ …（１３） Ｌｍ３＝Ｌｄ３＋Ｗｏ …（１４） Ｐｍ３＝Ｐｄ３ …（１５） Ｎｍ３＝Ｎｄ３−Ｌｓ３÷Ｐｄ３ …（１６） Ｐｍ３Ｕ＝Ｐｄ３Ｕ …（１７） Ｎｍ３Ｕ＝Ｎｄ３Ｕ−Ｌｓ３÷Ｐｄ３Ｕ …（１８） マスク２０３の透光部２０１ａの単位パターンの数Ｎｍ
３Ｕは露光現像後のレジスト６０の（換言すれば書込電
極６の）単位パターンの数Ｎｄ３Ｕよりも少ないので、
図２４に示すように、露光マスク２０３と露光対象基板
３００とを透光部２０１ａの単位パターンの配列方向に
相対的に寸法Ｐｍ３単位でずらして（ずらす合計はＬｓ
３）（これにより露光マスク２０３のマスクパターンと
露光対象基板３００との重なり位置を変化させて）複数
回の露光を実施することによりレジスト６０を所定のパ
ターンに露光可能である。ここで、寸法Ｌｓ３は単位パ
ターンのピッチＰｄ３Ｕ，Ｐｍ３Ｕの倍数にあたる。Wm3 = Wd3 + Wo (13) Lm3 = Ld3 + Wo (14) Pm3 = Pd3 (15) Nm3 = Nd3-Ls3 ÷ Pd3 (16) Pm3U = Pd3U (17) Nm3U = Nd3U-Ls3 ÷ Pd3 (18) The number Nm of unit patterns of the transparent portion 201a of the mask 203
Since 3U is smaller than the number Nd3U of unit patterns of the resist 60 (in other words, the writing electrode 6) after exposure and development,
As shown in FIG. 24, the exposure mask 203 and the exposure target substrate 300 are relatively displaced in the unit Pm3 unit direction in the arrangement direction of the unit pattern of the light transmitting portion 201a (the total displacement is Ls.
3) The resist 60 can be exposed to a predetermined pattern by performing a plurality of exposures (by changing the overlapping position of the mask pattern of the exposure mask 203 and the exposure target substrate 300). Here, the dimension Ls3 corresponds to a multiple of the pitch Pd3U, Pm3U of the unit pattern.

【００８６】露光マスク２０３は既述の露光マスク２０
１，２０２と同様に利用することができ、露光マスク２
０１，２０２と同様の効果を奏する。The exposure mask 203 is the above-mentioned exposure mask 20.
The exposure mask 2 can be used in the same manner as 1,202.
The same effect as 01 and 202 is obtained.

【００８７】なお、レジスト６０の現像後の（設計上
の）所定パターンと同様のマスクパターンを有する露光
マスク、例えば従来の露光マスク２０１Ｐを露光マスク
２０２，２０３と同様に利用することも可能である。す
なわち、例えば従来の露光マスク２０１Ｐと露光対象基
板とを単位パターンの配列方向に相対的にずらして露光
することも可能である。It is also possible to use an exposure mask having a mask pattern similar to the predetermined (designed) pattern after the development of the resist 60, for example, the conventional exposure mask 201P in the same manner as the exposure masks 202 and 203. . That is, for example, it is possible to perform the exposure while the conventional exposure mask 201P and the exposure target substrate are relatively displaced in the arrangement direction of the unit patterns.

【００８８】＜実施の形態１，２の変形例＞上述の説明
ではドライフィルムレジスト６０を用いる場合を述べた
が、例えばペースト状のレジスト（感光性材料）を塗布
しても良い。また、隔壁７用のガラスペースト７Ａ及び
書込電極６用の導電性ペースト６Ａに感光性を与えれば
ドライフィルムレジスト６０等のレジストを不要にする
ことができる。かかる場合、感光性を有したガラスペー
スト７Ａ及び導電性ペースト６Ａが「感光性材料」にあ
たり、感光性を有したガラスペースト７Ａ及び下地基板
５１Ｑから成る構成並びに感光性を有した導電性ペース
ト６Ａ及び背面ガラス基板９から成る構成がそれぞれ
「露光対象基板」にあたる。また、感光性材料がネガ型
に限られないのは言うまでもない。<Modifications of Embodiments 1 and 2> In the above description, the case where the dry film resist 60 is used is described, but a paste resist (photosensitive material) may be applied, for example. Further, if the glass paste 7A for the partition walls 7 and the conductive paste 6A for the write electrodes 6 are made photosensitive, the resist such as the dry film resist 60 can be made unnecessary. In such a case, the photosensitive glass paste 7A and the conductive paste 6A correspond to the “photosensitive material”, and the configuration including the photosensitive glass paste 7A and the base substrate 51Q and the photosensitive conductive paste 6A and The structure including the rear glass substrate 9 corresponds to each “exposure target substrate”. Needless to say, the photosensitive material is not limited to the negative type.

【００８９】また、サンドブラスト以外の方法でガラス
ペースト７Ａ及び導電性ペースト６Ａをパターニング
（エッチング）しても構わない。また、隔壁７の平面パ
ターンが例えば格子状の場合にも上述の説明は当てはま
り、書込電極６についても帯状に限られない。The glass paste 7A and the conductive paste 6A may be patterned (etched) by a method other than sandblasting. Further, the above description is applicable to the case where the plane pattern of the partition walls 7 is, for example, a grid shape, and the write electrode 6 is not limited to the band shape.

【００９０】さらに、塵埃２００以外にも例えば露光マ
スク自体のパターン欠陥がレジスト６０の未露光パター
ン欠陥の原因である場合にも上述の説明は妥当である。Further, in addition to the dust 200, if the pattern defect of the exposure mask itself is the cause of the unexposed pattern defect of the resist 60, the above description is valid.

【００９１】加えて、実施の形態１，２に係る露光方
法、露光装置１００及び露光マスク２０１〜２０３は、
ＰＤＰ以外の表示装置（例えば液晶）や半導体装置等の
電子部品などの露光プロセスに応用可能である。In addition, the exposure method, the exposure apparatus 100 and the exposure masks 201 to 203 according to the first and second embodiments are
The present invention can be applied to an exposure process for display devices (for example, liquid crystal) other than PDPs, electronic components such as semiconductor devices, and the like.

【００９２】[0092]

【発明の効果】請求項１に係る発明によれば、露光装置
は露光制御→ステージ位置制御→露光制御という順序の
動作を行う、すなわち露光マスクのマスクパターンと露
光対象基板との平面視における重なり位置を変化させた
後に再度、露光制御を行う。このため、本来露光すべき
ではあるが露光マスクに付着した塵埃等によって未露光
となってしまった部分を再度の露光制御で露光すること
が可能である。従って、感光性材料のパターン欠陥を低
減することができるあるいは無くすることができる。そ
の結果、生産効率及び歩留まりを向上させることができ
るし、さらに、露光マスクの清浄度管理を緩和すること
ができるし、露光マスクの寿命を長くすることができ
る。また、単一の露光マスクを用いて複数回の露光を行
うので、複数の露光マスクを用いて複数回の露光を行う
場合よりも高いスループットを実現することができる。
また、露光マスクのマスクパターンと露光対象基板との
平面視における重なり位置を所定量、変化させるので、
当該露光装置はアライメント露光及びノンアライメント
露光のいずれにも対応可能である。According to the first aspect of the invention, the exposure apparatus performs the operations in the order of exposure control-> stage position control-> exposure control, that is, the mask pattern of the exposure mask and the substrate to be exposed overlap in plan view. After changing the position, the exposure control is performed again. For this reason, it is possible to re-expose a portion that should be exposed originally but has not been exposed due to dust or the like adhering to the exposure mask by re-exposure control. Therefore, the pattern defects of the photosensitive material can be reduced or eliminated. As a result, the production efficiency and the yield can be improved, the cleanliness control of the exposure mask can be eased, and the life of the exposure mask can be extended. Further, since a single exposure mask is used to perform multiple exposures, a higher throughput can be achieved than when multiple exposure masks are used to perform multiple exposures.
Further, since the overlapping position of the mask pattern of the exposure mask and the substrate to be exposed in plan view is changed by a predetermined amount,
The exposure apparatus is compatible with both alignment exposure and non-alignment exposure.

【００９３】請求項２に係る発明によれば、重なり制御
の際に露光マスクと露光対象基板とが接触するのを回避
することができる。According to the second aspect of the present invention, it is possible to avoid contact between the exposure mask and the exposure target substrate during the overlap control.

【００９４】請求項３に係る発明によれば、重なり制御
の後においてもより正確な位置精度で露光を行うことが
できる。According to the third aspect of the invention, it is possible to perform exposure with more accurate position accuracy even after the overlap control.

【００９５】請求項４に係る発明によれば、露光マスク
のマスクパターンと露光対象基板との平面視における重
なり位置を変化させて露光を複数回実施することにより
感光性材料を所定パターンに露光することができる。こ
のため、本来露光すべきではあるが露光マスクに付着し
た塵埃等によって未露光となってしまった部分を再度の
露光によって露光することが可能である。従って、感光
性材料のパターン欠陥を低減することができるあるいは
無くすることができる。その結果、生産効率及び歩留ま
りを向上させることができるし、さらに、露光マスクの
清浄度管理を緩和することができるし、露光マスクの寿
命を長くすることができる。According to the fourth aspect of the invention, the photosensitive material is exposed to a predetermined pattern by changing the overlapping position of the mask pattern of the exposure mask and the substrate to be exposed in plan view and performing the exposure a plurality of times. be able to. For this reason, it is possible to re-expose a portion that should be exposed originally but has not been exposed due to dust or the like adhering to the exposure mask. Therefore, the pattern defects of the photosensitive material can be reduced or eliminated. As a result, the production efficiency and the yield can be improved, the cleanliness control of the exposure mask can be eased, and the life of the exposure mask can be extended.

【００９６】請求項５に係る発明によれば、平面視にお
ける露光マスクのマスクパターンと露光対象基板との重
なり位置を変化させて露光を複数回実施することにより
感光性材料を所定パターンに露光しうる露光マスクの一
例を提供することができる。According to the invention of claim 5, the photosensitive material is exposed to a predetermined pattern by changing the overlapping position of the mask pattern of the exposure mask and the substrate to be exposed in plan view and performing the exposure a plurality of times. It is possible to provide an example of a light exposure mask.

【００９７】請求項６に係る発明によれば、平面視にお
ける露光マスクのマスクパターンと露光対象基板との重
なり位置を変化させて露光を複数回実施することにより
感光性材料を所定パターンに露光しうる露光マスクの他
の一例を提供することができる。According to the sixth aspect of the invention, the photosensitive material is exposed to a predetermined pattern by changing the overlapping position of the mask pattern of the exposure mask and the substrate to be exposed in plan view and performing the exposure a plurality of times. Another example of a possible exposure mask can be provided.

【００９８】請求項７に係る発明によれば、露光ステッ
プ(a)→相対位置調整ステップ(b)→露光ステップ(a)と
いう順序の動作を行う、すなわち露光マスクのマスクパ
ターンと露光対象基板との平面視における重なり位置を
変化させた後に再度、露光を行う。このため、本来露光
すべきではあるが露光マスクに付着した塵埃等によって
未露光となってしまった部分を再度の露光時に露光する
ことが可能である。従って、感光性材料のパターン欠陥
を低減することができるあるいは無くすることができ
る。その結果、生産効率及び歩留まりを向上させること
ができるし、さらに、露光マスクの清浄度管理を緩和す
ることができるし、露光マスクの寿命を長くすることが
できる。また、単一の露光マスクを用いて複数回の露光
を行うので、複数の露光マスクを用いて複数回の露光を
行う場合よりも高いスループットを実現することができ
る。また、露光マスクのマスクパターンと露光対象基板
との平面視における重なり位置を所定量、変化させるの
で、当該露光方法はアライメント露光及びノンアライメ
ント露光のいずれにも対応可能である。According to the seventh aspect of the present invention, the operations are performed in the order of exposure step (a) → relative position adjustment step (b) → exposure step (a), ie, the mask pattern of the exposure mask and the exposure target substrate. After changing the overlapping position in the plan view, the exposure is performed again. Therefore, it is possible to expose a portion that should be exposed originally but has not been exposed due to dust or the like adhering to the exposure mask at the time of another exposure. Therefore, the pattern defects of the photosensitive material can be reduced or eliminated. As a result, the production efficiency and the yield can be improved, the cleanliness control of the exposure mask can be eased, and the life of the exposure mask can be extended. Further, since a single exposure mask is used to perform multiple exposures, a higher throughput can be achieved than when multiple exposure masks are used to perform multiple exposures. Moreover, since the overlapping position of the mask pattern of the exposure mask and the substrate to be exposed in plan view is changed by a predetermined amount, the exposure method can be applied to both alignment exposure and non-alignment exposure.

【００９９】請求項８に係る発明によれば、重なり位置
を変化させる際に露光マスクと露光対象基板とが接触す
るのを回避することができる。According to the invention of claim 8, it is possible to avoid contact between the exposure mask and the substrate to be exposed when changing the overlapping position.

【０１００】請求項９に係る発明によれば、重なり位置
を変化させた後においてもより正確な位置精度で露光を
行うことができる。According to the invention of claim 9, it is possible to perform exposure with more accurate positional accuracy even after changing the overlapping position.

【０１０１】請求項１０に係る発明によれば、当該露光
方法に適用可能な露光マスクの一例を提供することがで
きる。According to the tenth aspect of the invention, it is possible to provide an example of an exposure mask applicable to the exposure method.

【０１０２】請求項１１に係る発明によれば、歩留まり
の向上や製造コストの削減等によって安価な表示装置を
提供することができる。According to the eleventh aspect of the invention, it is possible to provide an inexpensive display device by improving the yield and reducing the manufacturing cost.

【０１０３】請求項１２に係る発明によれば、歩留まり
の向上や製造コストの削減等によって安価な電子部品を
提供することができる。According to the twelfth aspect of the invention, it is possible to provide an inexpensive electronic component by improving the yield and reducing the manufacturing cost.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図１】 実施の形態１に係る露光マスクを説明するた
めの平面図である。FIG. 1 is a plan view for explaining an exposure mask according to a first embodiment.

【図２】 実施の形態１に係る露光マスクの設計及び露
光方法を説明するための平面図である。FIG. 2 is a plan view for explaining the design of the exposure mask and the exposure method according to the first embodiment.

【図３】 実施の形態１に係る露光方法を説明するため
の断面図である。FIG. 3 is a cross-sectional view for explaining the exposure method according to the first embodiment.

【図４】 実施の形態１に係る露光方法を説明するため
の断面図である。FIG. 4 is a cross-sectional view for explaining the exposure method according to the first embodiment.

【図５】 実施の形態１に係る露光方法を説明するため
の断面図である。FIG. 5 is a sectional view for explaining the exposure method according to the first embodiment.

【図６】 実施の形態１に係る露光方法を説明するため
の断面図である。FIG. 6 is a cross-sectional view for explaining the exposure method according to the first embodiment.

【図７】 実施の形態１に係る露光方法を説明するため
の平面図である。FIG. 7 is a plan view for explaining the exposure method according to the first embodiment.

【図８】 実施の形態１に係る露光方法を説明するため
の断面図である。FIG. 8 is a cross-sectional view for explaining the exposure method according to the first embodiment.

【図９】 実施の形態１に係る露光方法を説明するため
の平面図である。FIG. 9 is a plan view for explaining the exposure method according to the first embodiment.

【図１０】 実施の形態１に係る露光方法を説明するた
めの断面図である。FIG. 10 is a cross-sectional view for explaining the exposure method according to the first embodiment.

【図１１】 実施の形態１に係る露光方法を説明するた
めの断面図である。FIG. 11 is a sectional view for explaining the exposure method according to the first embodiment.

【図１２】 実施の形態１に係る露光方法を説明するた
めの断面図である。FIG. 12 is a cross-sectional view for explaining the exposure method according to the first embodiment.

【図１３】 実施の形態１に係る露光装置を説明するた
めのブロック図である。FIG. 13 is a block diagram for explaining the exposure apparatus according to the first embodiment.

【図１４】 実施の形態１に係る露光装置の動作を説明
するためのフローチャートである。FIG. 14 is a flowchart for explaining the operation of the exposure apparatus according to the first embodiment.

【図１５】 実施の形態１に係る露光装置の動作を説明
するためのフローチャートである。FIG. 15 is a flowchart for explaining the operation of the exposure apparatus according to the first embodiment.

【図１６】 実施の形態１に係る露光装置の動作を説明
するためのフローチャートである。FIG. 16 is a flowchart for explaining the operation of the exposure apparatus according to the first embodiment.

【図１７】 実施の形態１に係る露光装置の動作を説明
するためのフローチャートである。FIG. 17 is a flowchart for explaining the operation of the exposure apparatus according to the first embodiment.

【図１８】 実施の形態２に係る露光マスクを説明する
ための平面図である。FIG. 18 is a plan view for explaining an exposure mask according to the second embodiment.

【図１９】 実施の形態２に係る露光マスクの設計を説
明するための平面図である。FIG. 19 is a plan view for explaining the design of the exposure mask according to the second embodiment.

【図２０】 実施の形態２に係る露光方法を説明するた
めの平面図である。FIG. 20 is a plan view for explaining the exposure method according to the second embodiment.

【図２１】 実施の形態２に係る露光方法を説明するた
めの平面図である。FIG. 21 is a plan view for explaining the exposure method according to the second embodiment.

【図２２】 実施の形態２に係る露光方法を説明するた
めの平面図である。FIG. 22 is a plan view for explaining the exposure method according to the second embodiment.

【図２３】 実施の形態２に係る他の露光マスクを説明
するための平面図である。FIG. 23 is a plan view for explaining another exposure mask according to the second embodiment.

【図２４】 実施の形態２に係る他の露光マスクの設計
を説明するための平面図である。FIG. 24 is a plan view for explaining the design of another exposure mask according to the second embodiment.

【図２５】 一般的なＰＤＰを説明するための斜視図で
ある。FIG. 25 is a perspective view for explaining a general PDP.

【図２６】 従来の一括露光方法を用いたＰＤＰの製造
方法を説明するための断面図である。FIG. 26 is a cross-sectional view illustrating the method of manufacturing the PDP using the conventional collective exposure method.

【図２７】 従来の一括露光方法を用いたＰＤＰの製造
方法を説明するための断面図である。FIG. 27 is a cross-sectional view illustrating the method of manufacturing the PDP using the conventional collective exposure method.

【図２８】 従来の一括露光方法を用いたＰＤＰの製造
方法を説明するための断面図である。FIG. 28 is a cross-sectional view illustrating the method of manufacturing the PDP using the conventional collective exposure method.

【図２９】 従来の一括露光方法を用いたＰＤＰの製造
方法を説明するための断面図である。FIG. 29 is a cross-sectional view illustrating the method of manufacturing the PDP using the conventional collective exposure method.

【図３０】 従来の一括露光用マスクを説明するための
平面図である。FIG. 30 is a plan view for explaining a conventional collective exposure mask.

【図３１】 従来の一括露光用マスクの設計を説明する
ための平面図である。FIG. 31 is a plan view for explaining the design of a conventional collective exposure mask.

【図３２】 従来の露光装置の動作を説明するためのフ
ローチャートである。FIG. 32 is a flow chart for explaining the operation of the conventional exposure apparatus.

【図３３】 従来の露光装置の動作を説明するためのフ
ローチャートである。FIG. 33 is a flowchart for explaining the operation of the conventional exposure apparatus.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

５１ ＰＤＰ（表示装置）、６０ レジスト（感光性材
料）、６０Ａ，６０Ｃ，６０Ｅ 所定パターンの一部、
６０Ｂ，６０Ｄ，６０Ｆ 所定パターンの他部、１００
露光装置、１０１ 制御部、１０８ 露光光源、１０
９ マスクステージ、１１０ 基板ステージ、２０１〜
２０３，２０１Ｐ 露光マスク、３００露光対象基板、
ＳＴ１〜ＳＴ２３，ＳＴ１５１〜ＳＴ１５４ ステッ
プ。51 PDP (display device), 60 resist (photosensitive material), 60A, 60C, 60E part of predetermined pattern,
60B, 60D, 60F Other parts of a predetermined pattern, 100
Exposure apparatus, 101 control unit, 108 exposure light source, 10
9 mask stage, 110 substrate stage, 201-
203, 201P exposure mask, 300 exposure target substrate,
Steps ST1 to ST23, ST151 to ST154.

Claims (12)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項１】 感光性材料を有する露光対象基板を支持
する基板ステージと、 露光マスクを支持するマスクステージと、 露光光源と、 前記露光光源からの露光光の出射を制御すると共に、前
記マスクステージ又は／及び前記基板ステージの位置を
制御して前記露光マスクと前記露光対象基板との相対位
置を制御する制御部と、を備え、 前記制御部は、前記露光光源によって前記露光マスクの
マスクパターンを前記感光性材料に一括露光転写する露
光制御と、前記露光マスクと前記露光対象基板との相対
位置を調整するステージ位置制御と、を順次に実施し、
且つ、前記露光制御を少なくとも２回実施し、 前記ステージ位置制御は、先の前記露光制御で露光済み
の部分の一部に前記露光マスクの前記マスクパターンが
重なるように前記露光マスクの前記マスクパターンと前
記露光対象基板との平面視における重なり位置を所定
量、変化させる重なり制御を含む、露光装置。1. A substrate stage supporting an exposure target substrate having a photosensitive material, a mask stage supporting an exposure mask, an exposure light source, and controlling the emission of the exposure light from the exposure light source and the mask stage. Or / and a control unit that controls the position of the substrate stage to control the relative position of the exposure mask and the substrate to be exposed, wherein the control unit controls the mask pattern of the exposure mask by the exposure light source. Exposure control for performing batch exposure transfer to the photosensitive material, and stage position control for adjusting the relative position of the exposure mask and the substrate to be exposed are sequentially performed,
And, the exposure control is performed at least twice, and the stage position control is performed by the mask pattern of the exposure mask such that the mask pattern of the exposure mask overlaps a part of the portion exposed by the previous exposure control. And an exposure apparatus including an overlap control for changing an overlapping position of the exposure target substrate in a plan view by a predetermined amount. 【請求項２】 請求項１に記載の露光装置であって、 前記ステージ位置制御は、 前記重なり制御の前に前記露光マスクと前記露光対象基
板とを遠ざけるプロキシミティギャップ拡大制御と、 前記重なり制御の後に前記露光マスクと前記露光対象基
板とを近づけるプロキシミティギャップ縮小制御と、を
さらに含む、露光装置。2. The exposure apparatus according to claim 1, wherein the stage position control includes proximity gap expansion control for moving the exposure mask and the exposure target substrate away from each other before the overlap control, and the overlap control. The exposure apparatus further comprising a proximity gap reduction control that brings the exposure mask and the exposure target substrate closer to each other. 【請求項３】 請求項１又は請求項２に記載の露光装置
であって、 前記ステージ位置制御は、 前記重なり制御の後に前記露光マスクと前記露光対象基
板とを位置合わせする位置合わせ制御をさらに含む、露
光装置。3. The exposure apparatus according to claim 1 or 2, wherein the stage position control further includes a position alignment control for aligning the exposure mask and the exposure target substrate after the overlap control. An exposure apparatus including. 【請求項４】 露光対象基板が有する感光性材料を所定
パターンに露光するための露光マスクであって、 前記所定パターンの一部のみに対応するマスクパターン
を有しており、前記マスクパターンは当該マスクパター
ンと前記露光対象基板との平面視における重なり位置を
変化させて露光を複数回実施することにより前記感光性
材料を前記所定パターンに露光可能なパターンである、
露光マスク。4. An exposure mask for exposing a photosensitive material of a substrate to be exposed to a predetermined pattern, the mask having a mask pattern corresponding to only a part of the predetermined pattern, wherein the mask pattern is A pattern capable of exposing the photosensitive material to the predetermined pattern by changing the overlapping position of the mask pattern and the substrate to be exposed in a plan view and performing exposure a plurality of times,
Exposure mask. 【請求項５】 請求項４に記載の露光マスクであって、 前記所定パターンの前記一部と残りの他部との間で露光
形状が連続するように前記所定パターンの前記一部が選
定されている、露光マスク。5. The exposure mask according to claim 4, wherein the part of the predetermined pattern is selected so that an exposure shape is continuous between the part of the predetermined pattern and the remaining part. Exposure mask. 【請求項６】 請求項４又は請求項５に記載の露光マス
クであって、 前記所定パターンは繰り返し配置された所定数の単位パ
ターンを含み、 前記所定パターンの前記一部は前記複数の単位パターン
のうちで２つ以上且つ前記所定数未満の単位パターンを
含む、露光マスク。6. The exposure mask according to claim 4 or 5, wherein the predetermined pattern includes a predetermined number of unit patterns that are repeatedly arranged, and the part of the predetermined pattern is the plurality of unit patterns. An exposure mask including two or more of the unit patterns and less than the predetermined number of unit patterns. 【請求項７】 露光対象基板が有する感光性材料を露光
マスクを用いて所定パターンに露光する露光方法であっ
て、 (a)前記露光マスクのマスクパターンを前記感光性材料
に一括露光転写するステップと、 (b)前記露光マスクと前記露光対象基板との相対位置を
調整するステップと、を備え、 前記ステップ(a)と前記ステップ(b)とを順次に実施し、
且つ、前記ステップ(a)を少なくとも２回実施し、 前記ステップ(b)は、(b)-1)先の前記ステップ(a)で露光
済みの部分の一部に前記露光マスクの前記マスクパター
ンが重なるように前記露光マスクの前記マスクパターン
と前記露光対象基板との平面視における重なり位置を所
定量、変化させるステップを含む、露光方法。7. An exposure method for exposing a photosensitive material of a substrate to be exposed into a predetermined pattern by using an exposure mask, comprising: (a) transferring the mask pattern of the exposure mask onto the photosensitive material by batch exposure. And (b) adjusting the relative position of the exposure mask and the substrate to be exposed, and performing the step (a) and the step (b) sequentially,
In addition, the step (a) is performed at least twice, and the step (b) includes (b) -1) the mask pattern of the exposure mask on a part of the exposed portion in the step (a). And a step of changing an overlapping position in a plan view of the mask pattern of the exposure mask and the exposure target substrate so that they overlap each other by a predetermined amount. 【請求項８】 請求項７に記載の露光方法であって、 前記ステップ(b)は、 (b)-2)前記ステップ(b)-1)の前に前記露光マスクと前記
露光対象基板とを遠ざけるステップと、 (b)-3)前記ステップ(b)-1)の後に前記露光マスクと前記
露光対象基板とを近づけるステップと、をさらに含む、
露光方法。8. The exposure method according to claim 7, wherein the step (b) includes (b) -2) the exposure mask and the exposure target substrate before the step (b) -1). Further away from the step, (b) -3) further comprising the step of bringing the exposure mask and the exposure target substrate closer after the step (b) -1),
Exposure method. 【請求項９】 請求項７又は請求項８に記載の露光方法
であって、 前記ステップ(b)は、 (b)-4)前記ステップ(b)-1)の後に前記露光マスクと前記
露光対象基板とを位置合わせするステップをさらに含
む、露光方法。9. The exposure method according to claim 7, wherein the step (b) includes: (b) -4) the exposure mask and the exposure after the step (b) -1). An exposure method further comprising the step of aligning with a target substrate. 【請求項１０】 請求項７乃至請求項９のいずれかに記
載の露光方法であって、 前記露光マスクとして請求項４乃至請求項６のいずれか
に記載の露光マスクを用いる、露光方法。10. The exposure method according to any one of claims 7 to 9, wherein the exposure mask according to any one of claims 4 to 6 is used as the exposure mask. 【請求項１１】 請求項１乃至請求項３のいずれかに記
載の露光装置、又は、請求項４乃至請求項６のいずれか
に記載の露光マスク、又は、請求項７乃至請求項１０の
いずれかに記載の露光方法を用いて製造された、表示装
置。11. An exposure apparatus according to any one of claims 1 to 3, an exposure mask according to any one of claims 4 to 6, or any one of claims 7 to 10. A display device manufactured using the exposure method described in 1. 【請求項１２】 請求項１乃至請求項３のいずれかに記
載の露光装置、又は、請求項４乃至請求項６のいずれか
に記載の露光マスク、又は、請求項７乃至請求項１０の
いずれかに記載の露光方法を用いて製造された、電子部
品。12. The exposure apparatus according to any one of claims 1 to 3, the exposure mask according to any one of claims 4 to 6, or any one of claims 7 to 10. An electronic component manufactured using the exposure method described in 1.