JP2003153394A - Diaphragm substrate, manufacturing method thereof manufacturing method of capacitor microphone and electronic device - Google Patents
Diaphragm substrate, manufacturing method thereof manufacturing method of capacitor microphone and electronic deviceInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、ダイヤフラム基板
の製造方法、ダイヤフラム基板、コンデンサマイクロホ
ンの製造方法、コンデンサマイクロホンおよび電子機器
に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for manufacturing a diaphragm substrate, a diaphragm substrate, a method for manufacturing a condenser microphone, a condenser microphone and an electronic device.
【０００２】[0002]
【従来の技術】シリコン基板上に、音響ホールと呼ばれ
る貫通孔が複数形成されたバックプレートと、このバッ
クプレートに対して可動のダイヤフラムとがコンデンサ
を形成するように設けられたコンデンサマイクロホンが
知られている。コンデンサマイクロホンは、小型化、低
消費電力化に有利であり、回路を一体化できることか
ら、ノイズを低減することができる。2. Description of the Related Art A condenser microphone is known in which a back plate having a plurality of through holes called acoustic holes formed on a silicon substrate and a diaphragm movable with respect to the back plate are provided so as to form a capacitor. ing. The condenser microphone is advantageous for miniaturization and low power consumption, and can integrate a circuit to reduce noise.
【０００３】このコンデンサマイクロホンの製造方法と
しては、例えば、「A Silicon Condenser microphone w
ith Structured Back Plate and Silicon Nitride Memb
rane」Sensors and Actuators、1992の第２５１〜第２
５８頁において、Wolfgang Kuhnelらにより、シリコン
基板を用いてダイヤフラムチップおよびバックプレート
チップをそれぞれ製造した後、そのダイヤフラムチップ
とバックプレートチップとを接合する方法が開示されて
いる。As a method of manufacturing this condenser microphone, for example, "A Silicon Condenser microphone w
ith Structured Back Plate and Silicon Nitride Memb
rane "Sensors and Actuators, 1992, 251st-2nd
On page 58, Wolfgang Kuhnel et al. Disclose a method of manufacturing a diaphragm chip and a backplate chip using a silicon substrate, and then joining the diaphragm chip and the backplate chip.
【０００４】前記コンデンサマイクロホンの製造方法で
は、バックプレートチップの製造工程において、バック
プレートにエアダンピングの影響を抑制するために設け
る音響ホールを、アルカリ水溶液をエッチング液とした
ウエットエッチングで形成する。In the method of manufacturing the condenser microphone described above, in the manufacturing process of the back plate chip, the acoustic hole provided in the back plate for suppressing the influence of air damping is formed by wet etching using an alkaline aqueous solution as an etching solution.
【０００５】また、ダイヤフラムチップの製造工程にお
いて、シリコン基板を部分的に除去して、平面視での形
状が四角形のダイヤフラムを形成する。Further, in the manufacturing process of the diaphragm chip, the silicon substrate is partially removed to form a diaphragm having a quadrangular shape in plan view.
【０００６】しかしながら、前記シリコン基板を部分的
に除去してダイヤフラムを形成する場合において、ダイ
ヤフラムの平面視での形状を四角形にすると、ダイヤフ
ラムの角部に応力が集中し、ダイヤフラムが歪んだり、
また、ダイヤフラムが破損することがある。これによ
り、コンデンサマイクロホンの応答性や感度が低下して
しまう。However, in the case where the diaphragm is formed by partially removing the silicon substrate, if the diaphragm has a quadrangular shape in plan view, stress concentrates on the corners of the diaphragm and the diaphragm is distorted.
Also, the diaphragm may be damaged. This reduces the responsiveness and sensitivity of the condenser microphone.
【０００７】[0007]
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、ダイ
ヤフラムにおける応力の集中を防止することができるダ
イヤフラム基板の製造方法、ダイヤフラム基板、コンデ
ンサマイクロホンの製造方法、コンデンサマイクロホン
およびそのコンデンサマイクロホンを有する電子機器を
提供することにある。SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a method of manufacturing a diaphragm substrate, a diaphragm substrate, a method of manufacturing a condenser microphone, a condenser microphone, and an electronic device having the condenser microphone, which can prevent concentration of stress on the diaphragm. To provide equipment.
【０００８】[0008]
【課題を解決するための手段】このような目的は、下記
（１）〜（３０）の本発明により達成される。The above objects are achieved by the present invention described in (1) to (30) below.
【０００９】（１） 半導体基板のダイヤフラムに対応
する部分を部分的に除去するとともに、電極を形成し
て、前記電極を備える可動のダイヤフラムを有するダイ
ヤフラム基板を製造するコンデンサマイクロホン用のダ
イヤフラム基板の製造方法であって、前記ダイヤフラム
の平面視での形状を略円形にすることを特徴とするダイ
ヤフラム基板の製造方法。(1) Manufacture of a diaphragm substrate for a condenser microphone in which a portion of a semiconductor substrate corresponding to a diaphragm is partially removed and electrodes are formed to manufacture a diaphragm substrate having a movable diaphragm including the electrodes. A method of manufacturing a diaphragm substrate, wherein the diaphragm has a substantially circular shape in plan view.
【００１０】（２） 半導体基板にダイヤフラムの少な
くとも一部を構成する膜を形成し、前記半導体基板のダ
イヤフラムに対応する部分を部分的に除去し、その除去
した部分の前記膜に電極を形成して、前記膜および前記
電極を備える可動のダイヤフラムを有するダイヤフラム
基板を製造するコンデンサマイクロホン用のダイヤフラ
ム基板の製造方法であって、前記ダイヤフラムの平面視
での形状を略円形にすることを特徴とするダイヤフラム
基板の製造方法。(2) A film constituting at least a part of a diaphragm is formed on a semiconductor substrate, a portion of the semiconductor substrate corresponding to the diaphragm is partially removed, and an electrode is formed on the removed portion of the film. A method of manufacturing a diaphragm substrate for a condenser microphone for manufacturing a diaphragm substrate having a movable diaphragm including the film and the electrode, wherein the shape of the diaphragm in a plan view is substantially circular. Manufacturing method of diaphragm substrate.
【００１１】（３） 前記ダイヤフラムの少なくとも一
部を窒化物による膜で形成する上記（１）または（２）
に記載のダイヤフラム基板の製造方法。(3) The above (1) or (2), wherein at least a part of the diaphragm is formed of a nitride film.
A method for manufacturing a diaphragm substrate according to.
【００１２】（４） 前記ダイヤフラムを形成するため
の前記半導体基板の除去をエッチングで行う上記（１）
ないし（３）のいずれかに記載のダイヤフラム基板の製
造方法。(4) The removal of the semiconductor substrate for forming the diaphragm is performed by etching (1)
A method for manufacturing a diaphragm substrate according to any one of (3) to (3).
【００１３】（５） 開口形状がｎ角形（ｎは、５以上
の整数）のマスクを用いて前記エッチングを行う上記
（４）に記載のダイヤフラム基板の製造方法。(5) The method for manufacturing a diaphragm substrate as described in (4) above, wherein the etching is performed using a mask having an opening shape of n-gon (n is an integer of 5 or more).
【００１４】（６） 前記半導体基板は、単結晶シリコ
ン基板である上記（１）ないし（５）のいずれかに記載
のダイヤフラム基板の製造方法。(6) The method for manufacturing a diaphragm substrate according to any one of (1) to (5), wherein the semiconductor substrate is a single crystal silicon substrate.
【００１５】（７） 前記半導体基板は、（１００）面
方位または（１１０）面方位である上記（６）に記載の
ダイヤフラム基板の製造方法。(7) The method for manufacturing a diaphragm substrate according to (6), wherein the semiconductor substrate has a (100) plane orientation or a (110) plane orientation.
【００１６】（８） 上記（１）ないし（７）のいずれ
かに記載のダイヤフラム基板の製造方法により製造され
たことを特徴とするダイヤフラム基板。(8) A diaphragm substrate manufactured by the method for manufacturing a diaphragm substrate according to any one of the above (1) to (7).
【００１７】（９） 第１の半導体基板に電極を形成す
るとともに、少なくとも１つの貫通孔を形成して、前記
貫通孔および前記電極が設けられたバックプレートを有
するバックプレート基板を製造する第１の工程と、第２
の半導体基板のダイヤフラムに対応する部分を部分的に
除去するとともに、電極を形成して、前記電極を備え、
かつ平面視での形状が略円形である可動のダイヤフラム
を有するダイヤフラム基板を製造する第２の工程と、前
記バックプレートと前記ダイヤフラムとがコンデンサを
形成するように、前記バックプレート基板と前記ダイヤ
フラム基板とを接合する第３の工程とを有することを特
徴とするコンデンサマイクロホンの製造方法。(9) Forming an electrode on a first semiconductor substrate and forming at least one through hole to manufacture a back plate substrate having a back plate on which the through hole and the electrode are provided. Process and the second
Part of the semiconductor substrate corresponding to the diaphragm is partially removed, an electrode is formed, and the electrode is provided,
And a second step of manufacturing a diaphragm substrate having a movable diaphragm whose shape in plan view is substantially circular; and the back plate substrate and the diaphragm substrate so that the back plate and the diaphragm form a capacitor. And a third step of joining and the method for manufacturing a condenser microphone.
【００１８】（１０） 第１の半導体基板のバックプレ
ートに対応する部分を部分的に除去して薄肉部を形成
し、電極を形成するとともに、前記薄肉部に少なくとも
１つの貫通孔を形成して、前記貫通孔および前記電極が
設けられたバックプレートを有するバックプレート基板
を製造する第１の工程と、第２の半導体基板のダイヤフ
ラムに対応する部分を部分的に除去するとともに、電極
を形成して、前記電極を備え、かつ平面視での形状が略
円形である可動のダイヤフラムを有するダイヤフラム基
板を製造する第２の工程と、前記バックプレートと前記
ダイヤフラムとがコンデンサを形成するように、前記バ
ックプレート基板と前記ダイヤフラム基板とを接合する
第３の工程とを有することを特徴とするコンデンサマイ
クロホンの製造方法。(10) A portion of the first semiconductor substrate corresponding to the back plate is partially removed to form a thin portion, an electrode is formed, and at least one through hole is formed in the thin portion. A first step of manufacturing a back plate substrate having a back plate provided with the through hole and the electrode, and partially removing a portion of the second semiconductor substrate corresponding to the diaphragm and forming an electrode. And a second step of manufacturing a diaphragm substrate including the electrode and having a movable diaphragm having a substantially circular shape in plan view; and the back plate and the diaphragm forming a capacitor, A method of manufacturing a condenser microphone, comprising: a third step of joining a back plate substrate and the diaphragm substrate.
【００１９】（１１） 第１の半導体基板に電極を形成
するとともに、少なくとも１つの貫通孔を形成して、前
記貫通孔および前記電極が設けられたバックプレートを
有するバックプレート基板を製造する第１の工程と、第
２の半導体基板にダイヤフラムの少なくとも一部を構成
する膜を形成し、前記第２の半導体基板のダイヤフラム
に対応する部分を部分的に除去し、その除去した部分の
前記膜に電極を形成して、前記膜および前記電極を備
え、かつ平面視での形状が略円形である可動のダイヤフ
ラムを有するダイヤフラム基板を製造する第２の工程
と、前記バックプレートと前記ダイヤフラムとがコンデ
ンサを形成するように、前記バックプレート基板と前記
ダイヤフラム基板とを接合する第３の工程とを有するこ
とを特徴とするコンデンサマイクロホンの製造方法。(11) Forming an electrode on a first semiconductor substrate and forming at least one through hole to manufacture a back plate substrate having a back plate on which the through hole and the electrode are provided. And the step of forming a film forming at least a part of the diaphragm on the second semiconductor substrate, partially removing a portion of the second semiconductor substrate corresponding to the diaphragm, and removing the removed portion on the film. A second step of forming an electrode to manufacture a diaphragm substrate including the film and the electrode, and having a movable diaphragm having a substantially circular shape in a plan view, and the back plate and the diaphragm being a capacitor. And a third step of joining the back plate substrate and the diaphragm substrate so as to form a condensate. Manufacturing method of samicrophone.
【００２０】（１２） 第１の半導体基板のバックプレ
ートに対応する部分を部分的に除去して薄肉部を形成
し、電極を形成するとともに、前記薄肉部に少なくとも
１つの貫通孔を形成して、前記貫通孔および前記電極が
設けられたバックプレートを有するバックプレート基板
を製造する第１の工程と、第２の半導体基板にダイヤフ
ラムの少なくとも一部を構成する膜を形成し、前記第２
の半導体基板のダイヤフラムに対応する部分を部分的に
除去し、その除去した部分の前記膜に電極を形成して、
前記膜および前記電極を備え、かつ平面視での形状が略
円形である可動のダイヤフラムを有するダイヤフラム基
板を製造する第２の工程と、前記バックプレートと前記
ダイヤフラムとがコンデンサを形成するように、前記バ
ックプレート基板と前記ダイヤフラム基板とを接合する
第３の工程とを有することを特徴とするコンデンサマイ
クロホンの製造方法。(12) A portion of the first semiconductor substrate corresponding to the back plate is partially removed to form a thin portion, an electrode is formed, and at least one through hole is formed in the thin portion. A first step of manufacturing a back plate substrate having a back plate provided with the through hole and the electrode; and forming a film forming at least a part of a diaphragm on a second semiconductor substrate,
Part of the semiconductor substrate corresponding to the diaphragm is partially removed, and an electrode is formed on the removed part of the film,
A second step of manufacturing a diaphragm substrate including the membrane and the electrode, and having a movable diaphragm having a substantially circular shape in a plan view, and the back plate and the diaphragm forming a capacitor, A method of manufacturing a condenser microphone, comprising: a third step of joining the back plate substrate and the diaphragm substrate.
【００２１】（１３） 前記第１の工程において、ドラ
イエッチング法により前記貫通孔の形成を行う上記
（９）ないし（１２）のいずれかに記載のコンデンサマ
イクロホンの製造方法。(13) The method of manufacturing a condenser microphone according to any one of (9) to (12), wherein the through hole is formed by a dry etching method in the first step.
【００２２】（１４） 前記ドライエッチング法は、エ
ッチング用ガスによるエッチングと、デポジッション用
ガスによる保護膜の形成とを、交互に繰り返し行う方法
である上記（１３）に記載のコンデンサマイクロホンの
製造方法。(14) The method of manufacturing a condenser microphone according to (13), wherein the dry etching method is a method of alternately repeating etching with an etching gas and forming a protective film with a deposition gas. .
【００２３】（１５） 前記第１の工程において、前記
第１の半導体基板に、該第１の半導体基板の導電性を向
上するドーパントをドープして電極を形成する上記
（９）ないし（１４）のいずれかに記載のコンデンサマ
イクロホンの製造方法。(15) In the first step, the electrodes are formed by doping the first semiconductor substrate with a dopant that improves the conductivity of the first semiconductor substrate. A method for manufacturing a condenser microphone according to any one of 1.
【００２４】（１６） 前記ドーパントは、ホウ素であ
る上記（１５）に記載のコンデンサマイクロホンの製造
方法。(16) The method for manufacturing a condenser microphone according to the above (15), wherein the dopant is boron.
【００２５】（１７） 前記第２の工程において、前記
ダイヤフラムの少なくとも一部を窒化物による膜で形成
する上記（９）ないし（１６）のいずれかに記載のコン
デンサマイクロホンの製造方法。(17) The method of manufacturing a condenser microphone according to any one of the above (9) to (16), wherein in the second step, at least a part of the diaphragm is formed of a nitride film.
【００２６】（１８） 前記第２の工程において、前記
ダイヤフラムを形成するための前記第２の半導体基板の
除去をエッチングで行う上記（９）ないし（１７）のい
ずれかに記載のコンデンサマイクロホンの製造方法。(18) Manufacturing of the condenser microphone according to any one of (9) to (17), wherein in the second step, the removal of the second semiconductor substrate for forming the diaphragm is performed by etching. Method.
【００２７】（１９） 前記第２の工程において、開口
形状がｎ角形（ｎは、５以上の整数）のマスクを用いて
前記エッチングを行う上記（１８）に記載のコンデンサ
マイクロホンの製造方法。(19) The method of manufacturing a condenser microphone according to (18), wherein in the second step, the etching is performed using a mask having an opening shape of n-gon (n is an integer of 5 or more).
【００２８】（２０） 前記第２の工程において、前記
第２の半導体基板に、前記バックプレート基板の電極に
接続するための孔部を形成する上記（９）ないし（１
７）のいずれかに記載のコンデンサマイクロホンの製造
方法。(20) In the second step, holes (9) to (1) are formed in the second semiconductor substrate for connecting to electrodes of the back plate substrate.
7. The method for manufacturing a condenser microphone according to any one of 7).
【００２９】（２１） 前記第２の工程において、前記
第２の半導体基板の、前記バックプレート基板の電極に
接続されたパッドに対応する位置に、孔部を形成する上
記（９）ないし（１７）のいずれかに記載のコンデンサ
マイクロホンの製造方法。(21) In the second step, a hole is formed in the second semiconductor substrate at a position corresponding to a pad connected to an electrode of the back plate substrate. (9) to (17) The manufacturing method of the condenser microphone according to any one of 1) to 3) above.
【００３０】（２２） 前記第２の工程において、前記
ダイヤフラムを形成するための前記第２の半導体基板の
除去をエッチング法で行い、その際、前記孔部を形成す
る上記（２０）または（２１）に記載のコンデンサマイ
クロホンの製造方法。(22) In the second step, the second semiconductor substrate for forming the diaphragm is removed by an etching method, and the hole is formed at that time (20) or (21). ) The method of manufacturing a condenser microphone described in (1).
【００３１】（２３） 前記第２の工程において、開口
形状がｎ角形（ｎは、５以上の整数）のマスクを用いて
前記エッチングを行う上記（２２）に記載のコンデンサ
マイクロホンの製造方法。(23) The method for manufacturing a condenser microphone according to the above (22), wherein in the second step, the etching is performed using a mask having an opening shape of n-gon (n is an integer of 5 or more).
【００３２】（２４） 前記ダイヤフラムの厚さは、前
記バックプレートの厚さより薄い上記（９）ないし（２
３）のいずれかに記載のコンデンサマイクロホンの製造
方法。(24) The thickness of the diaphragm is thinner than the thickness of the back plate (9) to (2).
The method for manufacturing a condenser microphone according to any one of 3).
【００３３】（２５） 前記第１の半導体基板は、単結
晶シリコン基板である上記（９）ないし（２４）のいず
れかに記載のコンデンサマイクロホンの製造方法。(25) The method for manufacturing a condenser microphone according to any one of (9) to (24), wherein the first semiconductor substrate is a single crystal silicon substrate.
【００３４】（２６） 前記第１の半導体基板は、（１
００）面方位または（１１０）面方位である上記（２
５）に記載のコンデンサマイクロホンの製造方法。(26) The first semiconductor substrate is (1
The above (2) which is a (00) plane orientation or a (110) plane orientation.
The method for manufacturing a condenser microphone according to 5).
【００３５】（２７） 前記第２の半導体基板は、単結
晶シリコン基板である上記（９）ないし（２６）のいず
れかに記載のコンデンサマイクロホンの製造方法。(27) The method for manufacturing a condenser microphone according to any one of (9) to (26), wherein the second semiconductor substrate is a single crystal silicon substrate.
【００３６】（２８） 前記第２の半導体基板は、（１
００）面方位または（１１０）面方位である上記（２
７）に記載のコンデンサマイクロホンの製造方法。(28) The second semiconductor substrate is (1
The above (2) which is a (00) plane orientation or a (110) plane orientation.
The method for manufacturing a condenser microphone according to 7).
【００３７】（２９） 上記（９）ないし（２８）のい
ずれかに記載のコンデンサマイクロホンの製造方法によ
り製造されたことを特徴とするコンデンサマイクロホ
ン。(29) A condenser microphone manufactured by the method for manufacturing a condenser microphone according to any one of the above (9) to (28).
【００３８】（３０） 上記（２９）に記載のコンデン
サマイクロホンを有することを特徴とする電子機器。(30) An electronic device having the condenser microphone described in (29) above.
【００３９】[0039]
【発明の実施の形態】以下、本発明のダイヤフラム基板
の製造方法、ダイヤフラム基板、コンデンサマイクロホ
ンの製造方法、コンデンサマイクロホンおよび電子機器
を、添付図面に示す好適な実施の形態に基づき詳細に説
明する。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Hereinafter, a method for manufacturing a diaphragm substrate, a method for manufacturing a diaphragm substrate, a method for manufacturing a condenser microphone, a condenser microphone and an electronic device according to the present invention will be described in detail based on the preferred embodiments shown in the accompanying drawings.
【００４０】図１は、本発明のコンデンサマイクロホン
の実施形態を示す断面斜視図、図２は、本発明のコンデ
ンサマイクロホンの実施形態を示す縦断面図、図３は、
図１および図２に示すコンデンサマイクロホンの平面図
である。FIG. 1 is a sectional perspective view showing an embodiment of a condenser microphone of the present invention, FIG. 2 is a vertical sectional view showing an embodiment of a condenser microphone of the present invention, and FIG.
FIG. 3 is a plan view of the condenser microphone shown in FIGS. 1 and 2.
【００４１】これらの図に示すコンデンサマイクロホン
（コンデンサ型のマイクロホン）１は、バックプレート
基板（バックプレートチップ）２と、ダイヤフラム基板
（ダイヤフラムチップ）４とを接合した（貼り合わせ
た）ものである。The condenser microphone (condenser type microphone) 1 shown in these figures is one in which a back plate substrate (back plate chip) 2 and a diaphragm substrate (diaphragm chip) 4 are joined (bonded together).
【００４２】バックプレート基板２は、例えば、ウェハ
上に多数（複数）形成され、各バックプレート基板２ご
とに分割（分離）され、また、同様に、ダイヤフラム基
板４は、例えば、ウェハ上に多数（複数）形成され、各
ダイヤフラム基板４ごとに分割（分離）され、その後、
バックプレート基板２と、ダイヤフラム基板４とが接合
され、コンデンサマイクロホン１が完成する。A large number (a plurality) of back plate substrates 2 are formed on a wafer and divided (separated) for each back plate substrate 2. Similarly, a large number of diaphragm substrates 4 are formed on a wafer, for example. (Plurality) are formed, divided (separated) for each diaphragm substrate 4, and thereafter,
The back plate substrate 2 and the diaphragm substrate 4 are joined to complete the condenser microphone 1.
【００４３】バックプレート基板２は、半導体基板であ
る第１の基板２１を有し、その第１の基板２１には、電
極２５１および複数の音響ホール（貫通孔）３１が設け
られている。この電極２５１および音響ホール３１の設
けられている部分がバックプレート２０を構成する。な
お、第１の基板２１のバックプレート２０に対応する部
分には、凹部２３が形成されている。The back plate substrate 2 has a first substrate 21 which is a semiconductor substrate, and an electrode 251 and a plurality of acoustic holes (through holes) 31 are provided on the first substrate 21. The portion where the electrode 251 and the acoustic hole 31 are provided constitutes the back plate 20. A recess 23 is formed in a portion of the first substrate 21 corresponding to the back plate 20.
【００４４】ダイヤフラム基板４は、半導体基板である
第２の基板４１を有している。その第２の基板４１に
は、前記バックプレート２０（バックプレート基板２）
に対して可動の（変位し得る）電極４５１を有するダイ
ヤフラム４０が設けられている。なお、第２の基板４１
のダイヤフラム４０に対応する部分には、孔部４３が形
成されている。The diaphragm substrate 4 has a second substrate 41 which is a semiconductor substrate. The back plate 20 (back plate substrate 2) is provided on the second substrate 41.
A diaphragm 40 having a movable (displaceable) electrode 451 with respect to is provided. The second substrate 41
A hole 43 is formed in a portion corresponding to the diaphragm 40.
【００４５】これらバックプレート基板２とダイヤフラ
ム基板４とは、バックプレート２０とダイヤフラム４０
とがコンデンサを形成するように配置されており、バッ
クプレート２０とダイヤフラム４０との間には、中空部
（空間）６が形成されている。The back plate substrate 2 and the diaphragm substrate 4 are the back plate 20 and the diaphragm 40.
Are arranged so as to form a capacitor, and a hollow portion (space) 6 is formed between the back plate 20 and the diaphragm 40.
【００４６】コンデンサマイクロホン１の寸法は、特に
限定されないが、例えば、２〜５ｍｍ×２〜５ｍｍ程度
で、厚さは、０．２〜１ｍｍ程度とすることができる。Although the size of the condenser microphone 1 is not particularly limited, it may be, for example, about 2 to 5 mm × 2 to 5 mm, and the thickness may be about 0.2 to 1 mm.
【００４７】次に、コンデンサマイクロホン１の製造方
法を説明する。図４〜図２２は、それぞれ、コンデンサ
マイクロホン１の製造方法を説明するための図（縦断面
図）であり、そのうち、図４〜図１６は、バックプレー
ト基板２の製造工程（第１の工程）を示し、図１７〜図
２１は、ダイヤフラム基板４の製造工程（第２の工程）
を示し、図２２は、バックプレート基板２とダイヤフラ
ム基板４とを接合する工程（第３の工程）を示す。Next, a method of manufacturing the condenser microphone 1 will be described. 4 to 22 are views (longitudinal cross-sectional views) for explaining the method of manufacturing the condenser microphone 1, respectively, of which FIGS. 4 to 16 show the manufacturing process of the back plate substrate 2 (first process). 17 to 21, and FIGS. 17 to 21 show a manufacturing process of the diaphragm substrate 4 (second process).
FIG. 22 shows a step (third step) of joining the back plate substrate 2 and the diaphragm substrate 4 together.
【００４８】まず、第１の基板２１および第２の基板４
１として、それぞれ、半導体基板を用意する。First, the first substrate 21 and the second substrate 4
As 1, the semiconductor substrate is prepared.
【００４９】これら第１の基板２１および第２の基板４
１は、それぞれ、半導体基板であれば、特に限定されな
いが、単結晶シリコン基板であるのが好ましく、その単
結晶シリコン基板は、（１００）面方位（結晶面方
位）、または（１１０）面方位（結晶面方位）であるの
がより好ましい。These first substrate 21 and second substrate 4
Each of 1 is not particularly limited as long as it is a semiconductor substrate, but is preferably a single crystal silicon substrate, and the single crystal silicon substrate has a (100) plane orientation (crystal plane orientation) or a (110) plane orientation. (Crystal plane orientation) is more preferable.
【００５０】これにより、ダイヤフラム４０や、バック
プレート２０を精度良く形成することができ、設計通り
のコンデンサマイクロホン１を得ることができる。As a result, the diaphragm 40 and the back plate 20 can be accurately formed, and the condenser microphone 1 as designed can be obtained.
【００５１】また、第１の基板２１および第２の基板４
１の厚さは、それぞれ、特に限定されないが、３００〜
５２５μｍ程度であるのが好ましく、３００〜４００μ
ｍ程度であるのがより好ましい。Further, the first substrate 21 and the second substrate 4
The thickness of 1 is not particularly limited, but is 300 to
It is preferably about 525 μm, and 300 to 400 μm.
It is more preferably about m.
【００５２】＜バックプレート基板２の製造工程（第１
の工程）＞
＜１＞まず、図４に示すように、第１の基板２１の表
面、すなわち、第１の基板２１の図４中上側、下側、右
側および左側にすべて、エッチング用のマスクとなる膜
２２を形成する。<Manufacturing Process of Back Plate Substrate 2 (First
Process)><1> First, as shown in FIG. 4, a mask for etching is formed on the surface of the first substrate 21, that is, on the upper side, the lower side, the right side, and the left side of the first substrate 21 in FIG. A film 22 that becomes is formed.
【００５３】膜２２の構成材料としては、例えば、Ｓｉ
３Ｎ４等が挙げられる。膜２２は、例えば、ＣＶＤ（Ch
emical Vapor Deposition）法（特に、熱ＣＶＤ法）等
により形成する。The constituent material of the film 22 is, for example, Si.
3 N 4 and the like. The film 22 is formed, for example, by CVD (Ch
It is formed by an emical vapor deposition (especially thermal CVD) method or the like.
【００５４】膜２２の厚さは、特に限定されないが、
０．０５〜０．２μｍ程度であるのが好ましく、０．１
〜０．１５μｍ程度であるのがより好ましい。The thickness of the film 22 is not particularly limited,
It is preferably about 0.05 to 0.2 μm, and 0.1
More preferably, it is about 0.15 μm.
【００５５】＜２＞次に、図５に示すように、第１の基
板２１の図５中下側の膜２２のうち、バックプレート２
０に対応する部分、すなわち、図６に示す凹部２３に対
応する部分を除去し、バックプレート２０（凹部２３）
に対応する形状の開口２２１を形成する。これにより、
開口２２１から第１の基板２１が露出する。<2> Next, as shown in FIG. 5, among the films 22 on the lower side of the first substrate 21 in FIG. 5, the back plate 2 is used.
The portion corresponding to 0, that is, the portion corresponding to the recess 23 shown in FIG. 6 is removed, and the back plate 20 (recess 23) is removed.
An opening 221 having a shape corresponding to is formed. This allows
The first substrate 21 is exposed through the opening 221.
【００５６】この膜２２の除去は、例えば、ドライエッ
チング法、ウエットエッチング法等により行うことがで
きる。The film 22 can be removed by, for example, a dry etching method or a wet etching method.
【００５７】＜３＞次に、図６に示すように、第１の基
板２１の開口２２１の部分に凹部２３を形成する。すな
わち、第１の基板２１の開口２２１の部分を、所定の厚
さになるまで除去し、薄肉部２１１を形成する。この薄
肉部２１１およびその近傍の部分が、後の工程を経て、
バックプレート２０となる。<3> Next, as shown in FIG. 6, a recess 23 is formed in the opening 221 of the first substrate 21. That is, the portion of the opening 221 of the first substrate 21 is removed to a predetermined thickness to form the thin portion 211. The thin portion 211 and the portion in the vicinity thereof undergo the subsequent steps,
It becomes the back plate 20.
【００５８】前記第１の基板２１の薄肉部２１１の厚
さ、すなわち、バックプレート２０の厚さは、特に限定
されないが、１０〜４０μｍ程度であるのが好ましく、
１０〜１５μｍ程度であるのがより好ましい。The thickness of the thin portion 211 of the first substrate 21, that is, the thickness of the back plate 20 is not particularly limited, but is preferably about 10 to 40 μm,
More preferably, it is about 10 to 15 μm.
【００５９】前記薄肉部２１１（凹部２３）の形成は、
エッチング法により行うのが好ましい。すなわち、開口
２２１から露出している第１の基板２１をエッチングし
て薄肉部２１１を形成するのが好ましい。The thin portion 211 (recess 23) is formed by
It is preferable to carry out by an etching method. That is, it is preferable to etch the first substrate 21 exposed from the opening 221 to form the thin portion 211.
【００６０】この場合のエッチング法としては、例え
ば、ドライエッチング法、ウエットエッチング法等が挙
げられるが、特に、アルカリ異方性エッチング法が好ま
しい。Examples of the etching method in this case include a dry etching method and a wet etching method, and the alkali anisotropic etching method is particularly preferable.
【００６１】本工程をアルカリ異方性エッチング法によ
り行う場合には、所定の厚さのバックプレート２０を精
度良く形成することができ、寸法精度の高いコンデンサ
マイクロホン１を得ることができる。When this step is carried out by the alkali anisotropic etching method, the back plate 20 having a predetermined thickness can be accurately formed, and the condenser microphone 1 having high dimensional accuracy can be obtained.
【００６２】なお、アルカリ異方性エッチング法を用い
る場合のアルカリ性のエッチング液としては、例えば、
ＴＭＡＨ（テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイ
ド）の水溶液等が挙げられる。The alkaline etching solution used in the alkaline anisotropic etching method is, for example,
An aqueous solution of TMAH (tetramethylammonium hydroxide) and the like can be mentioned.
【００６３】＜４＞次に、図７に示すように、第１の基
板２１の図７中上側（凹部２３の反対側）の膜２２の表
面に、ドープ用のマスクとなる膜２４を形成する。<4> Next, as shown in FIG. 7, a film 24 serving as a doping mask is formed on the surface of the film 22 on the upper side (the side opposite to the recess 23) in FIG. 7 of the first substrate 21. To do.
【００６４】膜２４の構成材料としては、例えば、Ｓｉ
Ｏ２等が挙げられる。膜２４は、例えば、ＣＶＤ法（特
に、プラズマＣＶＤ法）等により形成する。The constituent material of the film 24 is, for example, Si.
O 2 and the like can be mentioned. The film 24 is formed by, for example, a CVD method (in particular, a plasma CVD method) or the like.
【００６５】膜２４の厚さは、特に限定されないが、
０．５〜２μｍ程度であるのが好ましく、１〜１．５μ
ｍ程度であるのがより好ましい。Although the thickness of the film 24 is not particularly limited,
It is preferably about 0.5 to 2 μm, and 1 to 1.5 μm
It is more preferably about m.
【００６６】＜５＞次に、図８に示すように、第１の基
板２１の図８中上側の膜２２および２４を、図９に示す
電極２５１、配線（引き出し線）２５２およびパッド２
５３に対応する形状にパターニング（除去）して開口２
６を形成し、その開口２６から第１の基板２１の薄肉部
２１１および薄肉部２１１の図８中右側の部分を露出さ
せる。<5> Next, as shown in FIG. 8, the films 22 and 24 on the upper side of FIG. 8 of the first substrate 21 are connected to the electrodes 251, wirings (lead lines) 252 and pads 2 shown in FIG.
Patterning (removing) into a shape corresponding to 53 and opening 2
6 is formed, and the thin portion 211 of the first substrate 21 and the portion on the right side in FIG. 8 of the thin portion 211 are exposed from the opening 26.
【００６７】なお、電極２５１は、薄肉部２１１の上側
に設けられ、配線２５２およびパッド２５３は、電極２
５１の図８中右側に設けられるので、開口２６は、薄肉
部２１１および薄肉部２１１の図８中右側に形成され
る。The electrode 251 is provided on the upper side of the thin portion 211, and the wiring 252 and the pad 253 are connected to the electrode 2
Since the opening 26 is provided on the right side in FIG. 8 of 51, the opening 26 is formed on the right side in FIG. 8 of the thin portion 211 and the thin portion 211.
【００６８】膜２２および２４の除去は、例えば、ドラ
イエッチング法、ウエットエッチング法等により行うこ
とができる。The films 22 and 24 can be removed by, for example, a dry etching method or a wet etching method.
【００６９】＜６＞次に、図９に示すように、開口２６
内における第１の基板２１の図９中上側の表層部、すな
わち、第１の基板２１の薄肉部２１１および薄肉部２１
１の図９中右側の部分の表層部にホウ素（ドーパント）
をドープ（注入）して電極２５１、配線２５２およびパ
ッド２５３を形成する。<6> Next, as shown in FIG.
9, the surface layer on the upper side of the first substrate 21 in FIG. 9, that is, the thin portion 211 and the thin portion 21 of the first substrate 21.
Boron (dopant) on the surface layer on the right side of FIG.
Are doped (implanted) to form electrodes 251, wirings 252 and pads 253.
【００７０】このようにホウ素をドープして電極２５
１、配線２５２およびパッド２５３を形成することによ
り、後述する工程＜１２＞において、絶縁膜２７をエッ
チングして複数の開口２７２を形成する際、そのエッチ
ング液（例えば、フッ化水素酸溶液）で電極２５１、配
線２５２およびパッド２５３が、変質、劣化、剥離また
は溶解等を生じてしまうのを防止することができる。In this way, the electrode 25 is doped with boron.
1. By forming the wiring 252 and the pad 253, in the step <12> described later, when the insulating film 27 is etched to form the plurality of openings 272, the etching liquid (for example, hydrofluoric acid solution) is used. It is possible to prevent the electrode 251, the wiring 252, and the pad 253 from being altered, deteriorated, peeled off, dissolved, or the like.
【００７１】前記ホウ素のドーピングでは、例えば、図
示しない固体のホウ素拡散源を第１の基板２１の図９中
上側に、その第１の基板２１に対して対向配置し、熱処
理を行う。In the boron doping, for example, a solid boron diffusion source (not shown) is arranged on the upper side of the first substrate 21 in FIG. 9 so as to face the first substrate 21, and heat treatment is performed.
【００７２】熱処理条件は、ドーピングされる第１の基
板２１の深さ（厚さ）やホウ素の濃度等の諸条件に応じ
て適宜設定されるが、１０２５〜１２００℃程度で、
０．５〜１２時間程度とするのが好ましく、１０７５〜
１２００℃程度で、０．５〜５時間程度とするのがより
好ましい。The heat treatment condition is appropriately set according to various conditions such as the depth (thickness) of the first substrate 21 to be doped and the concentration of boron, but is about 1025 to 1200 ° C.
It is preferably about 0.5 to 12 hours, and 1075 to
It is more preferable that the temperature is about 1200 ° C. and the time is about 0.5 to 5 hours.
【００７３】この処理により、開口２６内における第１
の基板２１の表層部、すなわち、第１の基板２１の表面
から所定の深さ（厚さ）の領域まで、所定の濃度（高濃
度）にホウ素がドープされ、拡散して、導電率（導電
性）が向上する。第１の基板２１のうち、前記ホウ素の
ドープされた部分（ドーピング部）により、電極２５
１、配線２５２およびパッド２５３が構成される。な
お、電極２５１とパッド２５３とは、配線２５２を介し
て電気的に接続されている。By this processing, the first inside the opening 26
Of the substrate 21 from the surface of the first substrate 21, that is, from the surface of the first substrate 21 to a region of a predetermined depth (thickness), is doped with boron at a predetermined concentration (high concentration), diffuses, and conducts Sex) is improved. The electrode 25 is formed by the portion (doped portion) of the first substrate 21 that is doped with boron.
1, wiring 252 and pad 253 are configured. The electrode 251 and the pad 253 are electrically connected to each other via the wiring 252.
【００７４】ホウ素をドープする深さ（ドーピング部の
厚さ）、すなわち、電極２５１の厚さは、特に限定され
ないが、０．４〜１．２μｍ程度とするのが好ましく、
０．５〜１μｍ程度とするのがより好ましい。The depth of doping boron (thickness of the doped portion), that is, the thickness of the electrode 251 is not particularly limited, but is preferably about 0.4 to 1.2 μm,
More preferably, it is about 0.5 to 1 μm.
【００７５】また、ドープ後のホウ素の濃度は、特に限
定されないが、５×１０１９個／ｃｍ３以上とするのが
好ましく、１×１０２０〜５×１０２０個／ｃｍ３程度
とするのがより好ましい。The concentration of boron after doping is not particularly limited, but is preferably 5 × 10 19 pieces / cm 3 or more, and is about 1 × 10 20 to 5 × 10 20 pieces / cm 3 . Is more preferable.
【００７６】なお、ホウ素をドープする方法は、前記の
方法に限らず、例えば、イオン打ち込み法や液体拡散源
を用いる方法（３臭化ホウ素等を用いる方法）等で行っ
てもよい。The method of doping with boron is not limited to the above method, and may be, for example, an ion implantation method or a method using a liquid diffusion source (a method using boron tribromide).
【００７７】また、ドーパントとしては、それをドープ
することにより第１の基板２１の導電率（導電性）を向
上させることができるものであれば、ホウ素に限定され
ず、ホウ素の他、例えば、Ｐ、Ａｓ、Ａｌ等が挙げら
れ、また、任意の２種以上を用いてもよい。The dopant is not limited to boron as long as the conductivity (conductivity) of the first substrate 21 can be improved by doping the dopant, and other than boron, for example, P, As, Al and the like are mentioned, and any two or more kinds may be used.
【００７８】また、本発明では、バックプレート基板２
の電極２５１、配線２５２およびパッド２５３は、それ
ぞれ、導電性を有していればよく、それぞれを、例え
ば、各種の金属、ポリシリコン（多結晶シリコン）等で
形成してもよい。Further, in the present invention, the back plate substrate 2
The electrode 251, the wiring 252, and the pad 253 need only be conductive, and may be formed of, for example, various metals, polysilicon (polycrystalline silicon), or the like.
【００７９】＜７＞次に、図１０に示すように、膜２２
および２４を除去する。この膜２２および２４の除去に
は、例えば、フッ化水素（ＨＦ）等を用いる。<7> Next, as shown in FIG.
And 24 are removed. For removing the films 22 and 24, for example, hydrogen fluoride (HF) or the like is used.
【００８０】＜８＞次に、図１１に示すように、第１の
基板２１の図１１中上側に、電極２５１と後述するダイ
ヤフラム基板４のダイヤフラム４０との間に間隙（ギャ
ップ）、すなわち、中空部（空間）６を形成するための
絶縁膜２７を形成する。この絶縁膜２７の厚さが、この
バックプレート基板２の電極２５１と後述するダイヤフ
ラム基板４のダイヤフラム４０との間の距離（ギャップ
長）となる。<8> Next, as shown in FIG. 11, on the upper side of the first substrate 21 in FIG. 11, a gap (gap) between the electrode 251 and the diaphragm 40 of the diaphragm substrate 4, which will be described later, that is, An insulating film 27 for forming the hollow portion (space) 6 is formed. The thickness of the insulating film 27 becomes the distance (gap length) between the electrode 251 of the back plate substrate 2 and the diaphragm 40 of the diaphragm substrate 4 described later.
【００８１】絶縁膜２７の厚さ、すなわち、このバック
プレート基板２の電極２５１と後述するダイヤフラム基
板４のダイヤフラム４０との間の距離（ギャップ長）
は、特に限定されないが、１〜５μｍ程度であるのが好
ましく、１〜３μｍ程度であるのがより好ましい。The thickness of the insulating film 27, that is, the distance (gap length) between the electrode 251 of the back plate substrate 2 and the diaphragm 40 of the diaphragm substrate 4 described later.
Is not particularly limited, but is preferably about 1 to 5 μm, and more preferably about 1 to 3 μm.
【００８２】絶縁膜２７の構成材料としては、絶縁性を
有していれば特に限定されないが、酸化物（酸化膜）が
好ましく、その酸化物としては、例えば、ＳｉＯ２等が
挙げられる。The constituent material of the insulating film 27 is not particularly limited as long as it has an insulating property, but an oxide (oxide film) is preferable, and examples of the oxide include SiO 2 and the like.
【００８３】絶縁膜２７をＳｉＯ２膜のような酸化膜と
することにより、後述する音響ホール３１をドライエッ
チングで形成する場合に、そのドライエッチングにより
影響を受けるのを阻止（防止）することができる。When the insulating film 27 is an oxide film such as a SiO 2 film, when the acoustic hole 31 described later is formed by dry etching, it is possible to prevent (prevent) the influence of the dry etching. it can.
【００８４】絶縁膜２７は、例えば、ＣＶＤ法（特に、
プラズマＣＶＤ法）等により形成する。The insulating film 27 is formed, for example, by the CVD method (in particular, by
It is formed by a plasma CVD method or the like.
【００８５】＜９＞次に、図１２に示すように、絶縁膜
２７のうち、電極２５１、配線２５２およびパッド２５
３に対応する部分を除去して開口２７１を形成し、その
開口２７１から電極２５１、配線２５２およびパッド２
５３を露出させる。<9> Next, as shown in FIG. 12, in the insulating film 27, the electrode 251, the wiring 252, and the pad 25 are formed.
3 is removed to form an opening 271, and the electrode 251, the wiring 252, and the pad 2 are formed through the opening 271.
Expose 53.
【００８６】絶縁膜２７の除去は、例えば、ドライエッ
チング法、ウエットエッチング法等により行うことがで
きる。The insulating film 27 can be removed by, for example, a dry etching method, a wet etching method or the like.
【００８７】＜１０＞次に、図１３に示すように、第１
の基板２１のうち、ドーピングされた部分の図１３中上
側、すなわち、第１の基板２１の電極２５１、配線２５
２およびパッド２５３の図１３中上側と、絶縁膜２７の
図１３中上側とに、それぞれ、所定パターンのマスク２
８を形成する。<10> Next, as shown in FIG.
13 of the substrate 21 of FIG. 13 above, that is, the electrode 251 and the wiring 25 of the first substrate 21.
2 and the pad 253 on the upper side in FIG. 13 and the insulating film 27 on the upper side in FIG.
8 is formed.
【００８８】このマスク２８は、バックプレート２０へ
図１４に示す複数の音響ホール（貫通孔）３１を形成
し、絶縁膜２７へ図１５に示す複数の開口２７２を形成
するときのエッチング用のマスクであり、各音響ホール
３１に対応する部分（位置）にそれぞれ開口２８１が形
成され、かつ、各開口２７２に対応する部分（位置）に
それぞれ開口２８２が形成されるように、例えば、フォ
トリソグラフィー法でパターニングされる。This mask 28 is a mask for etching when a plurality of acoustic holes (through holes) 31 shown in FIG. 14 are formed in the back plate 20 and a plurality of openings 272 shown in FIG. 15 are formed in the insulating film 27. For example, the photolithography method is used so that the openings 281 are formed in the portions (positions) corresponding to the acoustic holes 31 and the openings 282 are formed in the portions (positions) corresponding to the openings 272, respectively. Is patterned.
【００８９】マスク２８の構成材料としては、例えば、
各種のレジスト材料等が挙げられる。The constituent material of the mask 28 is, for example,
Various resist materials can be used.
【００９０】また、マスク２８の厚さは、特に限定され
ないが、０．５〜２μｍ程度であるのが好ましく、１〜
１．５μｍ程度であるのがより好ましい。The thickness of the mask 28 is not particularly limited, but is preferably about 0.5 to 2 μm, and 1 to
More preferably, it is about 1.5 μm.
【００９１】また、マスク２８の開口２８１の平面視で
の形状（図１３中上側から見たときの形状）、すなわ
ち、音響ホール３１の平面視での形状は、特に限定され
ず、例えば、円形、楕円形、四角形等の多角形等とする
ことができる。The shape of the opening 281 of the mask 28 in plan view (the shape when viewed from the upper side in FIG. 13), that is, the shape of the acoustic hole 31 in plan view is not particularly limited, and is, for example, circular. , Oval, polygon such as quadrangle, and the like.
【００９２】マスク２８の開口２８１の寸法、すなわ
ち、音響ホール３１の寸法は、特に限定されないが、例
えば、平面視での形状を円形とした場合には、その直径
が、２０〜７０μｍ程度であるのが好ましく、３０〜６
０μｍ程度であるのがより好ましい。The size of the opening 281 of the mask 28, that is, the size of the acoustic hole 31 is not particularly limited. For example, when the shape in plan view is circular, the diameter is about 20 to 70 μm. Is preferred, and 30 to 6
More preferably, it is about 0 μm.
【００９３】また、マスク２８の開口２８１の個数、す
なわち、音響ホール３１の個数は、その寸法や形状等の
諸条件に応じて適宜設定されるが、複数であるのが好ま
しく、５０〜１０００個／ｍｍ２程度であるのがより好
ましく、１００〜５００個／ｍｍ２程度であるのが特に
好ましい。これにより、エアダンピングの影響をより確
実に低減または防止することができる。The number of the openings 281 of the mask 28, that is, the number of the acoustic holes 31 is appropriately set according to various conditions such as the size and shape thereof, but it is preferable that the number is 50 to 1000. / Mm 2 is more preferable, and about 100 to 500 pieces / mm 2 is particularly preferable. This makes it possible to more reliably reduce or prevent the influence of air damping.
【００９４】なお、音響ホール３１の個数は、１個であ
ってもよいことは言うまでもない。また、図１３に示す
ように、第１の基板２１の図１３中上側以外の表面（各
側面および裏面）に、保護膜２９を形成する。Needless to say, the number of acoustic holes 31 may be one. Further, as shown in FIG. 13, a protective film 29 is formed on the surface (each side surface and back surface) of the first substrate 21 other than the upper side in FIG.
【００９５】この保護膜２９は、第１の基板２１をエッ
チングして音響ホール３１を形成する（貫通させる）と
きのストッパーとしても機能する。The protective film 29 also functions as a stopper when the acoustic hole 31 is formed (penetrated) by etching the first substrate 21.
【００９６】保護膜２９の構成材料としては、例えば、
各種のレジスト材料等が挙げられる。As the constituent material of the protective film 29, for example,
Various resist materials can be used.
【００９７】また、保護膜２９の厚さは、特に限定され
ないが、１〜５μｍ程度であるのが好ましく、２〜３μ
ｍ程度であるのがより好ましい。The thickness of the protective film 29 is not particularly limited, but is preferably about 1 to 5 μm, and 2 to 3 μm.
It is more preferably about m.
【００９８】＜１１＞次に、図１４に示すように、ドラ
イエッチング法、特にDeep RIE（ICP）にて、マスク２
８の各開口２８１から露出している第１の基板２１の薄
肉部２１１をエッチングし、複数の音響ホール（貫通
孔）３１を形成する。<11> Next, as shown in FIG. 14, a mask 2 is formed by a dry etching method, especially by Deep RIE (ICP).
The thin portion 211 of the first substrate 21 exposed through each opening 281 of No. 8 is etched to form a plurality of acoustic holes (through holes) 31.
【００９９】前記Deep RIE（ICP）は、半導体（例え
ば、シリコン）を深堀する方法（技術）であり、本工程
では、Deep RIE（ICP）として、例えば、米国特許第５
５０１８９３号に記載されている方法（ボッシュプロセ
ス）等を用いることができる。The Deep RIE (ICP) is a method (technology) for deeply digging a semiconductor (for example, silicon), and in this step, as the Deep RIE (ICP), for example, US Pat.
The method (Bosch process) described in 501893 can be used.
【０１００】すなわち、本工程では、例えば、エッチン
グ用ガスによるエッチングと、デポジッション用ガスに
よる保護膜の形成とを、交互に繰り返し行って、複数の
音響ホール３１を形成する。That is, in this step, for example, etching with an etching gas and formation of a protective film with a deposition gas are alternately repeated to form a plurality of acoustic holes 31.
【０１０１】前記エッチング用ガスとしては、例えば、
ＳＦ６等が挙げられ、また、前記デポジッション用ガス
としては、例えば、Ｃ４Ｆ８等が挙げられる。As the etching gas, for example,
SF 6 and the like can be mentioned, and as the deposition gas, for example, C 4 F 8 and the like can be mentioned.
【０１０２】Deep RIE（ICP）を用いる本工程では、酸
化膜に対して高い選択比がとれるため、例えば、絶縁膜
２７をＳｉＯ２で形成した場合には、マスク２８の開口
２８２等から露出している絶縁膜２７はエッチングされ
ず、マスク２８の開口２８１から薄肉部２１１のみがエ
ッチングされ、また、ドライエッチングなので、第１の
基板２１の面方位の影響を受けることなく、精度良くエ
ッチングすることができる。すなわち、他の部位に影響
を与えることなく、音響ホール３１のみを精度良く、確
実に形成することができる。In this process using Deep RIE (ICP), a high selection ratio can be obtained with respect to the oxide film. Therefore, for example, when the insulating film 27 is formed of SiO 2 , it is exposed from the opening 282 of the mask 28 and the like. The insulating film 27 is not etched, only the thin portion 211 is etched from the opening 281 of the mask 28, and since it is dry etching, it is possible to perform accurate etching without being affected by the plane orientation of the first substrate 21. You can That is, only the acoustic hole 31 can be accurately and reliably formed without affecting other parts.
【０１０３】このように、音響ホール３１の形成におい
ては、ドライエッチング法、特にDeep RIE（ICP）を用
いるので、多数の音響ホール３１を、容易、確実かつ精
度良く形成することができる。これにより、エアダンピ
ングの影響を低減または防止することができる。As described above, in forming the acoustic holes 31, since the dry etching method, particularly Deep RIE (ICP) is used, a large number of acoustic holes 31 can be formed easily, reliably and accurately. Thereby, the influence of air damping can be reduced or prevented.
【０１０４】なお、本発明では、本工程において、前記
と異なるドライエッチング法を用いて音響ホール３１を
形成してもよく、また、ドライエッチング法以外の方法
を用いて音響ホール３１を形成してもよい。In the present invention, in this step, the acoustic hole 31 may be formed by using a dry etching method different from the above, or the acoustic hole 31 may be formed by a method other than the dry etching method. Good.
【０１０５】＜１２＞次に、図１５に示すように、ドラ
イエッチング法やウエットエッチング法等のエッチン
グ、特にウエットエッチング法にて、マスク２８の各開
口２８２から露出している絶縁膜２７をエッチングし、
その絶縁膜２７に複数の開口２７２を形成する。<12> Next, as shown in FIG. 15, the insulating film 27 exposed from each opening 282 of the mask 28 is etched by dry etching, wet etching or the like, particularly by wet etching. Then
A plurality of openings 272 are formed in the insulating film 27.
【０１０６】前記エッチングでは、例えば、第１の基板
２１をＳｉで形成し、エッチング液としてＳｉと選択比
のとれるフッ化水素酸溶液を用いることにより、第１の
基板２１はエッチングされず、絶縁膜２７のみがエッチ
ングされる。すなわち、他の部位に影響を与えることな
く、開口２７２のみを精度良く、確実に形成することが
できる。In the etching, for example, by forming the first substrate 21 of Si and using a hydrofluoric acid solution having a selective ratio with Si as the etching solution, the first substrate 21 is not etched and is insulated. Only the film 27 is etched. That is, only the opening 272 can be formed accurately and reliably without affecting other parts.
【０１０７】各開口２７２内には、後述するダイヤフラ
ム基板４とバックプレート基板２との接合の際、その接
合のための樹脂（接着剤）５が充填される。Each opening 272 is filled with a resin (adhesive) 5 for bonding the diaphragm substrate 4 and the back plate substrate 2, which will be described later, to each other.
【０１０８】なお、前記開口２７２の位置は、特に限定
されないが、本実施形態では、開口２７２は、バックプ
レート基板２の端部に位置している。The position of the opening 272 is not particularly limited, but in the present embodiment, the opening 272 is located at the end of the back plate substrate 2.
【０１０９】＜１３＞バックプレート基板２は、ウェハ
上に多数（複数）形成され、そのウェハを、例えば、ダ
イシング等の所定の手段で、各バックプレート基板２ご
とに分割（分離）する。<13> A large number (a plurality) of back plate substrates 2 are formed on a wafer, and the wafer is divided (separated) into each back plate substrate 2 by a predetermined means such as dicing.
【０１１０】そして、図１６に示すように、前記分割さ
れたバックプレート基板２から残っているマスク２８お
よび保護膜２９を除去し、バックプレート基板２を洗浄
する。Then, as shown in FIG. 16, the remaining mask 28 and protective film 29 are removed from the divided back plate substrate 2, and the back plate substrate 2 is washed.
【０１１１】マスク２８および保護膜２９の除去は、例
えば、ドライエッチング法、ウエットエッチング法等に
より行うことができる。The mask 28 and the protective film 29 can be removed by, for example, a dry etching method or a wet etching method.
【０１１２】このようにして、バックプレート基板２が
得られる。なお、本発明では、例えば、所定の工程にお
いて、前記ウェハに格子状に溝を形成し、その溝におい
て各バックプレート基板２ごとに分割できるようにして
もよい。これにより、ダイシングすることなく、各バッ
クプレート基板２ごとに容易かつ確実に分割することが
でき、その分割時のバックプレート基板２の破損をより
確実に防止することができる。In this way, the back plate substrate 2 is obtained. In the present invention, for example, grooves may be formed in a lattice pattern on the wafer in a predetermined process, and the back plate substrates 2 may be divided in the grooves. Thereby, it is possible to easily and surely divide each back plate substrate 2 without dicing, and it is possible to more reliably prevent the back plate substrate 2 from being damaged during the division.
【０１１３】また、本発明では、バックプレート基板２
の電極２５１、配線２５２およびパッド２５３は、それ
ぞれ、導電性を有していればよく、それぞれを、例え
ば、各種の金属、ポリシリコン（多結晶シリコン）等で
形成してもよい。Further, in the present invention, the back plate substrate 2
The electrode 251, the wiring 252, and the pad 253 need only be conductive, and may be formed of, for example, various metals, polysilicon (polycrystalline silicon), or the like.
【０１１４】＜ダイヤフラム基板４の製造工程（第２の
工程）＞
＜１＞まず、図１７に示すように、第２の基板４１の表
面、すなわち、第２の基板４１の図１７中上側、下側、
右側および左側にすべて膜４２を形成する。この膜４２
は、第２の基板４１のエッチング用のマスクとなるとと
もに、ダイヤフラム４０の一部を構成する。<Manufacturing Process of Diaphragm Substrate 4 (Second Process)><1> First, as shown in FIG. 17, the surface of the second substrate 41, that is, the upper side of the second substrate 41 in FIG. Lower,
A film 42 is formed on both the right side and the left side. This membrane 42
Serves as a mask for etching the second substrate 41 and constitutes a part of the diaphragm 40.
【０１１５】膜４２の構成材料は、窒化物が好ましく、
例えば、Ｓｉ３Ｎ４等が挙げられる。The constituent material of the film 42 is preferably a nitride,
For example, Si 3 N 4 and the like can be mentioned.
【０１１６】膜４２は、例えば、ＣＶＤ（Chemical Vap
or Deposition）法（特に、熱ＣＶＤ法）等により形成
する。The film 42 is formed, for example, by CVD (Chemical Vap).
or Deposition) method (in particular, thermal CVD method) or the like.
【０１１７】膜４２の厚さは、特に限定されないが、
０．０５〜０．２μｍ程度であるのが好ましく、０．１
〜０．１５μｍ程度であるのがより好ましい。The thickness of the film 42 is not particularly limited,
It is preferably about 0.05 to 0.2 μm, and 0.1
More preferably, it is about 0.15 μm.
【０１１８】＜２＞次に、図１８に示すように、第２の
基板４１の図１８中上側の膜４２のうち、ダイヤフラム
４０に対応する部分、すなわち、図１９に示す孔部４３
に対応する部分と、孔部４４に対応する部分とを除去
し、開口４２１と、開口４２２とを形成する。これによ
り、開口４２１および４２２からそれぞれ第２の基板４
１が露出する。なお、孔部４４は、前記バックプレート
基板２のパッド２５３に対応する位置に形成される。<2> Next, as shown in FIG. 18, of the film 42 on the upper side of FIG. 18 of the second substrate 41, the portion corresponding to the diaphragm 40, that is, the hole 43 shown in FIG.
And a portion corresponding to the hole 44 are removed to form an opening 421 and an opening 422. As a result, the second substrate 4 is opened through the openings 421 and 422, respectively.
1 is exposed. The holes 44 are formed at positions corresponding to the pads 253 of the back plate substrate 2.
【０１１９】本工程では、開口４２１の形状を、後述す
るエッチングにより、孔部４３の図１９中下側の平面視
での形状（図２および図１９中上側から見たときの形
状）が略円形となるような形状にする。この孔部４３の
図１９中下側の平面視での形状は、ダイヤフラム４０の
平面視での形状と略一致する。In this step, the shape of the opening 421 is made substantially the same as the shape of the hole 43 in plan view on the lower side in FIG. 19 (the shape when viewed from the upper side in FIGS. 2 and 19) by etching described later. Make it a circular shape. The shape of the hole portion 43 in plan view on the lower side in FIG. 19 is substantially the same as the shape of the diaphragm 40 in plan view.
【０１２０】前記開口４２１の形状は、ｎ角形（ｎは、
５以上の整数）とされるのが好ましい。そして、エッチ
ングレートは、第２の基板４１の面方位によって異なる
ので、後述するエッチングの際の前記面方位の影響を考
慮し、孔部４３の図１９中下側の平面視での形状（ダイ
ヤフラム４０の平面視での形状）が略円形になるよう
に、前記ｎ角形の各辺の長さや、各頂角等の諸条件を設
定する。The shape of the opening 421 is an n-sided polygon (n is
It is preferably an integer of 5 or more). Since the etching rate varies depending on the plane orientation of the second substrate 41, the shape of the hole 43 in the plan view of the lower side in FIG. 19 (diaphragm) is taken into consideration in consideration of the influence of the plane orientation at the time of etching described later. Various conditions such as the length of each side of the n-sided polygon and each apex angle are set so that the shape of 40 in a plan view) becomes substantially circular.
【０１２１】また、前記ｎは、５以上が好ましく、８以
上がより好ましく、１２〜３６程度が特に好ましい。The above n is preferably 5 or more, more preferably 8 or more, and particularly preferably about 12 to 36.
【０１２２】これにより、孔部４３の図１９中下側の平
面視での形状（ダイヤフラム４０の平面視での形状）
を、より円形に近づけることができるか、または、円形
にすることができる。As a result, the shape of the hole portion 43 in plan view on the lower side in FIG. 19 (the shape of the diaphragm 40 in plan view).
Can be more circular or circular.
【０１２３】前記膜４２の除去は、例えば、ドライエッ
チング法、ウエットエッチング法等により行うことがで
きる。The film 42 can be removed by, for example, a dry etching method, a wet etching method or the like.
【０１２４】＜３＞次に、図１９に示すように、第２の
基板４１の開口４２１の部分および開口４２２の部分
を、膜４２が露出するまで（膜４２に到達するまで）除
去し、孔部４３および４４を形成する。<3> Next, as shown in FIG. 19, the opening 421 and the opening 422 of the second substrate 41 are removed until the film 42 is exposed (until the film 42 is reached), The holes 43 and 44 are formed.
【０１２５】前記孔部４３および４４の形成は、それぞ
れエッチング法により行うのが好ましい。The holes 43 and 44 are preferably formed by an etching method.
【０１２６】また、孔部４３の形成と孔部４４の形成と
を同時に（同一工程で）行うのが好ましい。It is preferable that the formation of the hole 43 and the formation of the hole 44 are performed simultaneously (in the same step).
【０１２７】本実施形態では、開口４２１および４２２
から露出している第２の基板４１を膜４２をストッパー
としてエッチングし、孔部４３および４４を同時に（同
一工程で）形成する。In this embodiment, the openings 421 and 422 are formed.
The second substrate 41 exposed from is etched using the film 42 as a stopper to form holes 43 and 44 at the same time (in the same step).
【０１２８】孔部４３の形成と孔部４４の形成とを同時
に（同一工程で）行うことにより、工程数を減少させる
ことができ、このため、生産性が高く、量産に有利であ
る。By simultaneously forming the holes 43 and the holes 44 (in the same step), the number of steps can be reduced, and thus the productivity is high and the mass production is advantageous.
【０１２９】また、前記エッチング法としては、例え
ば、ドライエッチング法、ウエットエッチング法等が挙
げられるが、特に、アルカリ異方性エッチング法が好ま
しい。Examples of the etching method include a dry etching method and a wet etching method, and an alkali anisotropic etching method is particularly preferable.
【０１３０】本工程をアルカリ異方性エッチング法によ
り行う場合には、所定の寸法のダイヤフラム４０（孔部
４３）および孔部４４を精度良く形成することができ、
寸法精度の高いコンデンサマイクロホン１を得ることが
できる。When this step is performed by the alkali anisotropic etching method, the diaphragm 40 (hole portion 43) and the hole portion 44 having predetermined dimensions can be formed accurately.
It is possible to obtain the condenser microphone 1 having high dimensional accuracy.
【０１３１】なお、アルカリ異方性エッチング法を用い
る場合のアルカリ性のエッチング液としては、例えば、
ＴＭＡＨ（テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイ
ド）の水溶液等が挙げられる。The alkaline etching solution used in the alkaline anisotropic etching method is, for example,
An aqueous solution of TMAH (tetramethylammonium hydroxide) and the like can be mentioned.
【０１３２】このようにして、第２の基板４１に、平面
視で（図２および図１９中上側から見たとき）、図１９
中下側が略円形をなす孔部４３と、孔部４４とが形成さ
れる（図１および図３参照）。In this way, the second substrate 41 is shown in plan view (when viewed from the upper side in FIGS. 2 and 19).
A hole 43 and a hole 44 having a substantially circular middle and lower side are formed (see FIGS. 1 and 3).
【０１３３】なお、孔部４４の形状は、特に限定されな
いが、本実施形態では、平面視で（図２および図１９中
上側から見たとき）、四角形をなしている。The shape of the hole 44 is not particularly limited, but in this embodiment, it has a quadrangular shape in plan view (when viewed from the upper side in FIGS. 2 and 19).
【０１３４】＜４＞次に、図２０に示すように、孔部４
４の下側の膜４２を除去して開口４２３を形成し、孔部
４４を図２０中下側に開放する（貫通させる）。<4> Next, as shown in FIG.
The film 42 on the lower side of No. 4 is removed to form an opening 423, and the hole 44 is opened (penetrated) to the lower side in FIG.
【０１３５】この孔部４４、開口４２２および４２３
は、ダイヤフラム基板４と前記バックプレート基板２と
を接合したとき、バックプレート基板２のパッド２５３
に対面する。従って、ダイヤフラム基板４に、この孔部
４４、開口４２２および４２３を介して、バックプレー
ト基板２のパッド２５３へ電気的に接続する配線を設け
ることができる。The hole 44, the openings 422 and 423.
Is a pad 253 of the back plate substrate 2 when the diaphragm substrate 4 and the back plate substrate 2 are joined together.
Face to face. Therefore, the diaphragm substrate 4 can be provided with wiring that is electrically connected to the pad 253 of the back plate substrate 2 through the holes 44 and the openings 422 and 423.
【０１３６】このように、ダイヤフラム基板４に、バッ
クプレート基板２の電極２５１（パッド２５３）に接続
するための、孔部４４、開口４２２および４２３で構成
される孔部（貫通孔）を形成することにより、コンデン
サマイクロホン１の小型化に有利である。Thus, the diaphragm substrate 4 is formed with holes (through holes) for connecting to the electrodes 251 (pads 253) of the back plate substrate 2 and formed of the holes 44 and the openings 422 and 423. This is advantageous for downsizing the condenser microphone 1.
【０１３７】前記膜４２の除去は、例えば、ドライエッ
チング法、ウエットエッチング法等により行うことがで
きる。The film 42 can be removed by, for example, a dry etching method, a wet etching method or the like.
【０１３８】＜５＞次に、図２０に示すように、第２の
基板４１の図２０中上側に、導電性を有する所定パター
ンの導電膜（導体膜）４５を形成する。<5> Next, as shown in FIG. 20, a conductive film (conductor film) 45 having a predetermined conductive pattern is formed on the upper side of the second substrate 41 in FIG.
【０１３９】この導電膜４５は、前記孔部４３内の膜４
２の図２０中上側と、孔部４３の側面（図２０中左側
面）と、孔部４３の近傍の膜４２の図２０中上側とに連
続的に形成され、電極４５１、配線４５２およびパッド
４５３を構成する。この場合、電極４５１は、孔部４３
内の膜４２の図２０中上側に位置し、パッド４５３は、
孔部４３の近傍の膜４２の図２０中上側に位置し、これ
ら電極４５１とパッド４５３とは、配線４５２を介して
電気的に接続されている。なお、電極４５１は、ダイヤ
フラム４０の一部を構成する。The conductive film 45 is the same as the film 4 in the hole 43.
2 of FIG. 20, the side surface of the hole 43 (the left side in FIG. 20), and the upper side of the film 42 in the vicinity of the hole 43 in FIG. 453 is formed. In this case, the electrode 451 has a hole 43.
20, which is located on the upper side of the inner membrane 42 in FIG.
The electrode 451 and the pad 453 are located above the film 42 in the vicinity of the hole 43 in FIG. 20, and are electrically connected to each other via the wiring 452. The electrode 451 constitutes a part of the diaphragm 40.
【０１４０】このようにして、第２の基板４１の孔部４
３の図２０中下側に、膜４２および電極４５１で構成さ
れ、平面視での形状（図２および図２０中上側から見た
ときの形状）が略円形のダイヤフラム４０が形成される
（図１および図３参照）。In this way, the hole 4 of the second substrate 41 is formed.
3, a diaphragm 40 having a film 42 and an electrode 451 and having a substantially circular shape in plan view (the shape when viewed from the upper side in FIGS. 2 and 20) is formed (FIG. 20). 1 and FIG. 3).
【０１４１】ダイヤフラム４０の平面視での形状を略円
形とすることにより、ダイヤフラム４０における応力の
集中を防止（阻止）することができ、ダイヤフラム４０
の歪みや破損を防止することができる。By making the shape of the diaphragm 40 in a plan view substantially circular, it is possible to prevent (prevent) concentration of stress on the diaphragm 40, and the diaphragm 40 can be prevented.
It is possible to prevent distortion and damage of the.
【０１４２】また、ダイヤフラム４０における応力が均
一になるので、コンデンサマイクロホン１へ入射する音
波（音圧）の変化をダイヤフラム４０全体で検出するこ
とができ、応答性や感度が向上する。Further, since the stress in the diaphragm 40 becomes uniform, the change in the sound wave (sound pressure) incident on the condenser microphone 1 can be detected by the diaphragm 40 as a whole, and the response and sensitivity are improved.
【０１４３】前記導電膜４５の形成方法は、特に限定さ
れず、例えば、電解メッキ（電気メッキ）、無電解メッ
キ等の湿式メッキ法や、スパッタリング、イオンプレー
ティング、真空蒸着、ＣＶＤ等の気相成膜法等が挙げら
れる。The method of forming the conductive film 45 is not particularly limited, and examples thereof include wet plating methods such as electrolytic plating (electroplating) and electroless plating, and vapor phase methods such as sputtering, ion plating, vacuum deposition and CVD. A film forming method and the like can be mentioned.
【０１４４】導電膜４５は、導電性を有しており、その
構成材料としては、例えば、各種の金属、ポリシリコン
（多結晶シリコン）等が挙げられるが、これらのうちで
は、金属が好ましい。The conductive film 45 has conductivity, and examples of its constituent material include various metals, polysilicon (polycrystalline silicon), and the like. Among these, the metal is preferable.
【０１４５】導電膜４５を金属膜で構成する場合、その
金属としては、特に限定されず、例えば、Ｃｕ、Ｃｕ系
合金、Ａｌ、Ａｌ系合金、Ａｕ、Ｐｔ、Ｗ、Ｗ系合金等
が挙げられる。When the conductive film 45 is composed of a metal film, the metal is not particularly limited, and examples thereof include Cu, Cu-based alloys, Al, Al-based alloys, Au, Pt, W and W-based alloys. To be
【０１４６】導電膜４５をポリシリコン膜で構成する場
合には、そのポリシリコン膜に所定のドーパントを高濃
度にドープ（注入）し、導電膜４５の導電率を向上させ
るのが好ましい。When the conductive film 45 is formed of a polysilicon film, it is preferable to dope (inject) a predetermined dopant into the polysilicon film at a high concentration to improve the conductivity of the conductive film 45.
【０１４７】ドーパントとしては、例えば、Ｂ、Ｐ、Ａ
ｓ、Ａｌ等が挙げられる。また、ドーパントをドープす
る方法としては、例えば、イオンインプランテーション
等が挙げられる。As the dopant, for example, B, P, A
Examples include s and Al. In addition, examples of the method of doping the dopant include ion implantation.
【０１４８】導電膜４５（電極４５１）の厚さは、特に
限定されないが、電極４５１の厚さは、０．０５〜１μ
ｍ程度であるのが好ましく、０．１〜０．５μｍ程度で
あるのがより好ましい。The thickness of the conductive film 45 (electrode 451) is not particularly limited, but the thickness of the electrode 451 is 0.05 to 1 μm.
The thickness is preferably about m, more preferably about 0.1 to 0.5 μm.
【０１４９】＜６＞ダイヤフラム基板４は、ウェハ上に
多数（複数）形成され、そのウェハを、例えば、ダイシ
ング等の所定の手段で、各ダイヤフラム基板４ごとに分
割（分離）する。<6> A large number (plurality) of diaphragm substrates 4 are formed on a wafer, and the wafer is divided (separated) into each diaphragm substrate 4 by a predetermined means such as dicing.
【０１５０】そして、図２１に示すように、前記分割さ
れたダイヤフラム基板４から残っている図２０中右側お
よび左側の膜４２を除去し、ダイヤフラム基板４を洗浄
する。Then, as shown in FIG. 21, the left and right films 42 in FIG. 20 remaining from the divided diaphragm substrate 4 are removed, and the diaphragm substrate 4 is washed.
【０１５１】膜４２の除去は、例えば、ドライエッチン
グ法、ウエットエッチング法等により行うことができ
る。The film 42 can be removed by, for example, a dry etching method, a wet etching method or the like.
【０１５２】このようにして、ダイヤフラム基板４が得
られる。なお、本発明では、必要に応じて、ダイヤフラ
ム基板４に、例えば、増幅回路、昇圧回路等の図示しな
い所定の回路（集積回路）を形成してもよい。In this way, the diaphragm substrate 4 is obtained. In the present invention, if necessary, a predetermined circuit (integrated circuit) such as an amplifier circuit and a booster circuit (not shown) may be formed on the diaphragm substrate 4.
【０１５３】また、本発明では、例えば、所定の工程に
おいて、前記ウェハに格子状に溝を形成し、その溝にお
いて各ダイヤフラム基板４ごとに分割できるようにして
もよい。これにより、ダイシングすることなく、各ダイ
ヤフラム基板４ごとに容易かつ確実に分割することがで
き、その分割時のダイヤフラム基板４の破損をより確実
に防止することができる。Further, in the present invention, for example, grooves may be formed in a lattice pattern on the wafer in a predetermined process, and the diaphragm substrates 4 may be divided in the grooves. Thereby, it is possible to easily and surely divide each diaphragm substrate 4 without dicing, and it is possible to more surely prevent the diaphragm substrate 4 from being damaged during the division.
【０１５４】前記分割用の溝を形成するには、例えば、
前記膜４２に開口４２１および４２２を形成する際に、
膜４２に、その溝に対応する格子状の開口を形成する。
そして、前記第２の基板４１をエッチングして孔部４３
および４４を形成するときに、第２の基板４１の前記格
子状の開口の部分をハーフエッチングする。To form the dividing groove, for example,
When forming the openings 421 and 422 in the film 42,
A lattice-shaped opening corresponding to the groove is formed in the film 42.
Then, the second substrate 41 is etched to form the holes 43.
When forming and 44, the portion of the lattice-shaped opening of the second substrate 41 is half-etched.
【０１５５】なお、前記第１の工程と前記第２の工程の
いずれを先に行ってもよく、また、第１の工程と第２の
工程とを並行して（同時に）行ってもよい。Either the first step or the second step may be performed first, or the first step and the second step may be performed in parallel (at the same time).
【０１５６】＜接合工程（第３の工程）＞
＜１＞まず、図２２に示すように、バックプレート基板
２と、ダイヤフラム基板４との位置合わせを行う。<Joining Step (Third Step)><1> First, as shown in FIG. 22, the back plate substrate 2 and the diaphragm substrate 4 are aligned with each other.
【０１５７】この位置合わせでは、図２２に示すよう
に、図２２中上下方向（縦方向）において、バックプレ
ート２０とダイヤフラム４０とが対面（一致）し、か
つ、バックプレート基板２側のパッド２５３とダイヤフ
ラム基板４側の孔部４４（開口４２３）とが対面（一
致）するように、バックプレート基板２に対するダイヤ
フラム基板４の相対的な位置や姿勢を調整する。この場
合、バックプレート基板２とダイヤフラム基板４のいず
れか一方を移動（変位）させてもよく、また、両方を移
動（変位）させてもよい。In this alignment, as shown in FIG. 22, the back plate 20 and the diaphragm 40 face each other (match) in the vertical direction (vertical direction) in FIG. 22, and the pad 253 on the back plate substrate 2 side is arranged. The relative position and posture of the diaphragm substrate 4 with respect to the back plate substrate 2 are adjusted so that the holes 44 (openings 423) on the diaphragm substrate 4 side face (coincide with). In this case, either the back plate substrate 2 or the diaphragm substrate 4 may be moved (displaced), or both may be moved (displaced).
【０１５８】＜２＞次に、図示しない未硬化または未乾
燥の樹脂（接着剤）を、所定の部位、例えば、バックプ
レート基板２の図２２中上側の端部、すなわち、バック
プレート基板２の絶縁膜２７の開口２７２が形成された
面上に供給する。<2> Next, an uncured or undried resin (adhesive) not shown is applied to a predetermined portion, for example, the upper end of the back plate substrate 2 in FIG. 22, that is, the back plate substrate 2. It is supplied onto the surface of the insulating film 27 on which the opening 272 is formed.
【０１５９】この樹脂の供給は、例えば、未硬化または
未乾燥の樹脂を塗布することにより行うことができる。The resin can be supplied, for example, by applying an uncured or undried resin.
【０１６０】なお、本発明では、樹脂を、ダイヤフラム
基板４側に供給してもよく、また、バックプレート基板
２とダイヤフラム基板４とのそれぞれに供給してもよ
い。In the present invention, the resin may be supplied to the diaphragm substrate 4 side, or may be supplied to each of the back plate substrate 2 and the diaphragm substrate 4.
【０１６１】＜３＞次に、バックプレート基板２上に、
樹脂を介してダイヤフラム基板４を設置し、それらを貼
り合わせる。この際、各開口２７２内にそれぞれ樹脂が
充填される。<3> Next, on the back plate substrate 2,
The diaphragm substrate 4 is installed via resin, and they are bonded together. At this time, each opening 272 is filled with resin.
【０１６２】次に、樹脂を硬化または乾燥させる。この
ようにして、図１および図２に示すように、前記硬化ま
たは乾燥した樹脂５により、バックプレート基板２とダ
イヤフラム基板４とが接合（接着）され、バックプレー
ト２０とダイヤフラム４０との間には、各音響ホール３
１および孔部４４に連通する中空部（空間）６が形成さ
れる。Next, the resin is cured or dried. In this way, as shown in FIGS. 1 and 2, the back plate substrate 2 and the diaphragm substrate 4 are bonded (adhered) by the cured or dried resin 5, and the back plate 20 and the diaphragm 40 are bonded to each other. Is each acoustic hall 3
A hollow portion (space) 6 communicating with 1 and the hole portion 44 is formed.
【０１６３】また、前述したように、図１および図２中
上下方向（縦方向）において、バックプレート２０とダ
イヤフラム４０とが対面（一致）し、かつ、バックプレ
ート基板２側のパッド２５３とダイヤフラム基板４側の
孔部４４（開口４２３）とが対面（一致）する。Further, as described above, the back plate 20 and the diaphragm 40 face each other (match) in the vertical direction (vertical direction) in FIGS. 1 and 2, and the pad 253 and the diaphragm on the back plate substrate 2 side face each other. The hole portion 44 (opening 423) on the substrate 4 side faces (matches).
【０１６４】このように、バックプレート基板２とダイ
ヤフラム基板４とを接合してコンデンサマイクロホン１
を製造するので、中空部６を、容易、確実かつ精度良く
形成することができる。In this way, the back plate substrate 2 and the diaphragm substrate 4 are bonded to each other to connect the condenser microphone 1 to each other.
Since the hollow part 6 is manufactured, the hollow part 6 can be formed easily, reliably and accurately.
【０１６５】なお、本発明では、未硬化または未乾燥の
樹脂を供給した後に、バックプレート基板２とダイヤフ
ラム基板４との位置合わせを行ってもよい。In the present invention, the back plate substrate 2 and the diaphragm substrate 4 may be aligned with each other after the uncured or undried resin is supplied.
【０１６６】また、本発明では、バックプレート基板２
とダイヤフラム基板４との接合は、前記樹脂５で接合す
る方法以外の方法で行ってもよい。Further, in the present invention, the back plate substrate 2
The diaphragm substrate 4 and the diaphragm substrate 4 may be joined by a method other than the method of joining with the resin 5.
【０１６７】次に、バックプレート基板２側のパッド２
５３およびダイヤフラム基板４側のパッド４５３をそれ
ぞれ、図示しない所定の回路に、例えば、図示しないリ
ード線等で電気的に接続する。この際、パッド２５３へ
の接続は、孔部４４を介して行う。Next, the pad 2 on the back plate substrate 2 side
53 and the pad 453 on the diaphragm substrate 4 side are electrically connected to a predetermined circuit (not shown), for example, by a lead wire (not shown). At this time, the connection to the pad 253 is made through the hole 44.
【０１６８】以上のようにして、図１および図２に示す
コンデンサマイクロホン１が得られる。As described above, the condenser microphone 1 shown in FIGS. 1 and 2 is obtained.
【０１６９】次に、コンデンサマイクロホン１の作用を
説明する。コンデンサマイクロホン１が動作状態にある
ときに、そのコンデンサマイクロホン１に音声、すなわ
ち音波が入射すると、その音波（音圧）によりダイヤフ
ラム４０が振動する。Next, the operation of the condenser microphone 1 will be described. When a sound, that is, a sound wave is incident on the condenser microphone 1 while the condenser microphone 1 is in an operating state, the diaphragm 40 vibrates by the sound wave (sound pressure).
【０１７０】ダイヤフラム４０が振動すると、その振幅
の大小（大きさ）に応じてダイヤフラム４０（電極４５
１）とバックプレート２０（電極２５１）との間の距離
が変化し、ダイヤフラム４０とバックプレート２０とで
構成されるコンデンサの静電容量が変化する。When the diaphragm 40 vibrates, the diaphragm 40 (the electrode 45
The distance between 1) and the back plate 20 (electrode 251) changes, and the capacitance of the capacitor configured by the diaphragm 40 and the back plate 20 changes.
【０１７１】この静電容量の変化は、電気信号として、
コンデンサマイクロホン１から出力される。すなわち、
コンデンサマイクロホン１により、音響信号が電気信号
に変換され、出力される。This change in capacitance is expressed as an electric signal.
Output from the condenser microphone 1. That is,
The condenser microphone 1 converts the acoustic signal into an electric signal and outputs the electric signal.
【０１７２】以上説明したように、前記コンデンサマイ
クロホン１およびその製造方法によれば、バックプレー
ト基板２とダイヤフラム基板４とを接合してコンデンサ
マイクロホン１を製造するので、バックプレート２０と
ダイヤフラム４０との間の中空部６を、容易、確実かつ
精度良く形成することができる。As described above, according to the condenser microphone 1 and the method for manufacturing the same, the back plate substrate 2 and the diaphragm substrate 4 are joined to manufacture the condenser microphone 1. Therefore, the back plate 20 and the diaphragm 40 are combined. The hollow portion 6 between them can be easily, reliably and accurately formed.
【０１７３】また、ダイヤフラム４０の平面視での形状
を略円形とすることにより、ダイヤフラム４０における
応力の集中を防止（阻止）することができ、ダイヤフラ
ム４０の歪みや破損を防止することができる。Further, by making the shape of the diaphragm 40 in a plan view substantially circular, it is possible to prevent (prevent) concentration of stress on the diaphragm 40, and to prevent distortion and damage of the diaphragm 40.
【０１７４】また、ダイヤフラム４０における応力が均
一になるので、コンデンサマイクロホン１へ入射する音
波（音圧）の変化をダイヤフラム４０全体で検出するこ
とができ、応答性や感度が向上する。Further, since the stress in the diaphragm 40 becomes uniform, the change of the sound wave (sound pressure) incident on the condenser microphone 1 can be detected by the diaphragm 40 as a whole, and the responsiveness and sensitivity are improved.
【０１７５】さらに、バックプレート２０の音響ホール
３１の形成において、ドライエッチング法、特にDeep R
IE（ICP）を用いることにより、多数の音響ホール３１
を、容易、確実かつ精度良く形成することができる。こ
れにより、エアダンピングの影響を低減または防止する
ことができる。Further, in forming the acoustic hole 31 of the back plate 20, a dry etching method, particularly Deep R
By using IE (ICP), many acoustic holes 31
Can be formed easily, reliably and accurately. Thereby, the influence of air damping can be reduced or prevented.
【０１７６】このため、コンデンサマイクロホン１は、
優れた特性（機械的特性や音響的特性）を有する。Therefore, the condenser microphone 1 is
It has excellent characteristics (mechanical characteristics and acoustic characteristics).
【０１７７】また、ダイヤフラム基板４やコンデンサマ
イクロホン１を半導体の製造プロセス（特に、マイクロ
マシニング）で形成することができる。このため、容易
に、精密に（精度良く）加工することができ、生産性が
高く、量産に有利であり、また、小型化にも有利であ
る。Further, the diaphragm substrate 4 and the condenser microphone 1 can be formed by a semiconductor manufacturing process (in particular, micromachining). Therefore, it is possible to easily, precisely (accurately) process, has high productivity, is advantageous for mass production, and is also advantageous for downsizing.
【０１７８】また、バックプレート基板２またはダイヤ
フラム基板４と、コンデンサマイクロホン１の周辺回路
とを同一基板上に形成（一体化）することができる。Also, the back plate substrate 2 or diaphragm substrate 4 and the peripheral circuit of the condenser microphone 1 can be formed (integrated) on the same substrate.
【０１７９】前述したコンデンサマイクロホン１は、各
種の電子機器（電子装置）に組込んで用いることができ
る。The condenser microphone 1 described above can be used by being incorporated in various electronic devices (electronic devices).
【０１８０】次に、本発明の電子機器を補聴器に適用し
た場合の実施形態について説明する。Next, an embodiment in which the electronic device of the present invention is applied to a hearing aid will be described.
【０１８１】図２３は、本発明の電子機器を補聴器に適
用した場合の実施形態、すなわち、図１および図２に示
すコンデンサマイクロホン１を備えた補聴器の実施形態
を示す斜視図である。FIG. 23 is a perspective view showing an embodiment in which the electronic apparatus of the present invention is applied to a hearing aid, that is, an embodiment of a hearing aid equipped with the condenser microphone 1 shown in FIGS.
【０１８２】同図に示すように、補聴器（電子機器）１
００は、開口１２０が形成されたケーシング（外装部
材）１１０を有している。As shown in the figure, a hearing aid (electronic device) 1
00 has a casing (exterior member) 110 in which an opening 120 is formed.
【０１８３】このケーシング１１０内には、前述したコ
ンデンサマイクロホン１と、図示しないスピーカと、こ
れらコンデンサマイクロホン１およびスピーカに電気的
に接続された図示しない所定の電気回路とが、それぞれ
設置されている。Inside the casing 110, the above-mentioned condenser microphone 1, a speaker (not shown), and a predetermined electric circuit (not shown) electrically connected to the condenser microphone 1 and the speaker are installed.
【０１８４】コンデンサマイクロホン１は、第２の基板
４１が音源方向に向き、かつ、その第２の基板４１の孔
部４３、すなわちダイヤフラム４０が開口１２０の位置
に位置するように配置されている。The condenser microphone 1 is arranged such that the second substrate 41 faces the direction of the sound source, and the hole portion 43 of the second substrate 41, that is, the diaphragm 40 is located at the position of the opening 120.
【０１８５】次に、補聴器１００の作用を説明する。前
述したように、音源からの音声（音圧）は、コンデンサ
マイクロホン１により、電気信号に変換される。Next, the operation of the hearing aid 100 will be described. As described above, the sound (sound pressure) from the sound source is converted into an electric signal by the condenser microphone 1.
【０１８６】この電気信号は、電気回路で信号処理さ
れ、スピーカに入力され、スピーカで再び音声に変換さ
れて、出力される。This electric signal is processed by the electric circuit, input to the speaker, converted again into sound by the speaker, and output.
【０１８７】これにより、補聴器１００の使用者は、音
源からの音声を容易かつ確実に聞き取ることができる。As a result, the user of the hearing aid 100 can easily and surely hear the sound from the sound source.
【０１８８】以上説明したように、この補聴器１００
は、前述したコンデンサマイクロホン１を内蔵している
ので、非常に良好な性能を有する。As described above, this hearing aid 100
Has a very good performance because it incorporates the condenser microphone 1 described above.
【０１８９】本発明は、前述した補聴器に限らず、この
他、例えば、携帯電話（ＰＨＳを含む）、テレビ電話、
電話や、これら携帯電話、テレビ電話および電話等の音
声入力装置等、マイクロホンを有するあらゆる電子機器
に適用することができる。The present invention is not limited to the above-mentioned hearing aids, but other than this, for example, a mobile phone (including PHS), a videophone,
The present invention can be applied to telephones, mobile phones, videophones, voice input devices such as telephones, and any electronic device having a microphone.
【０１９０】以上、本発明のダイヤフラム基板の製造方
法、ダイヤフラム基板、コンデンサマイクロホンの製造
方法、コンデンサマイクロホンおよび電子機器を、図示
の実施形態に基づいて説明したが、本発明はこれに限定
されるものではなく、各部の構成は、同様の機能を有す
る任意の構成のものに置換することができる。The diaphragm substrate manufacturing method, the diaphragm substrate, the capacitor microphone manufacturing method, the capacitor microphone, and the electronic apparatus according to the present invention have been described above based on the illustrated embodiments, but the present invention is not limited thereto. Instead, the configuration of each unit can be replaced with any configuration having the same function.
【０１９１】なお、前記実施形態では、バックプレート
基板（バックプレートチップ）と、ダイヤフラム基板
（ダイヤフラムチップ）とを接合してコンデンサマイク
ロホンを製造するが、本発明は、これに限らず、例え
ば、ダイヤフラム基板上にバックプレートを設けてコン
デンサマイクロホンを製造してもよい。この場合、コン
デンサマイクロホンは、例えば、ウェハ上に多数（複
数）形成され、例えば、ダイシング等の所定の手段で、
各コンデンサマイクロホンごとに分割（分離）され、完
成する。In the above embodiment, the back plate substrate (back plate chip) and the diaphragm substrate (diaphragm chip) are joined to manufacture the condenser microphone. However, the present invention is not limited to this, and, for example, a diaphragm. A condenser microphone may be manufactured by providing a back plate on the substrate. In this case, for example, a large number (a plurality) of condenser microphones are formed on a wafer, and for example, by a predetermined means such as dicing
Each condenser microphone is divided (separated) and completed.
【０１９２】[0192]
【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、バ
ックプレート基板とダイヤフラム基板とを接合してコン
デンサマイクロホンを製造するので、電極間の中空部
（空間）を、容易、確実かつ精度良く形成することがで
きる。As described above, according to the present invention, since the condenser microphone is manufactured by joining the back plate substrate and the diaphragm substrate, the hollow portion (space) between the electrodes can be easily, reliably and accurately formed. It can be formed well.
【０１９３】また、ダイヤフラムの平面視での形状を略
円形とすることにより、ダイヤフラムにおける応力の集
中を防止（阻止）することができ、ダイヤフラムの歪み
や破損を防止することができる。Further, by making the shape of the diaphragm in a plan view substantially circular, it is possible to prevent (prevent) concentration of stress on the diaphragm and prevent distortion and damage of the diaphragm.
【０１９４】また、ダイヤフラムにおける応力が均一に
なるので、コンデンサマイクロホンへ入射する音波（音
圧）の変化をダイヤフラム全体で検出することができ、
応答性や感度が向上する。Further, since the stress in the diaphragm becomes uniform, the change in the sound wave (sound pressure) incident on the condenser microphone can be detected in the entire diaphragm,
The responsiveness and sensitivity are improved.
【０１９５】このように、本発明では、高性能、すなわ
ち、優れた機械的特性や音響的特性を有するコンデンサ
マイクロホンが得られる。As described above, according to the present invention, a condenser microphone having high performance, that is, having excellent mechanical characteristics and acoustic characteristics can be obtained.
【０１９６】また、本発明では、ダイヤフラム基板やコ
ンデンサマイクロホンを容易に製造することができ、生
産性が高く、量産に有利であり、また、小型化にも有利
である。Further, according to the present invention, the diaphragm substrate and the condenser microphone can be easily manufactured, the productivity is high, the mass production is advantageous, and the miniaturization is also advantageous.
【図１】 本発明のコンデンサマイクロホンの実施形態
を示す断面斜視図である。FIG. 1 is a sectional perspective view showing an embodiment of a condenser microphone of the present invention.
【図２】 本発明のコンデンサマイクロホンの実施形態
を示す縦断面図である。FIG. 2 is a vertical cross-sectional view showing an embodiment of the condenser microphone of the present invention.
【図３】 図１および図２に示すコンデンサマイクロホ
ンの平面図である。3 is a plan view of the condenser microphone shown in FIGS. 1 and 2. FIG.
【図４】 図１および図２に示すコンデンサマイクロホ
ンの製造方法を説明するための図（縦断面図）である。FIG. 4 is a diagram (longitudinal sectional view) for explaining a method for manufacturing the condenser microphone shown in FIGS. 1 and 2.
【図５】 図１および図２に示すコンデンサマイクロホ
ンの製造方法を説明するための図（縦断面図）である。5 is a diagram (longitudinal sectional view) for explaining a method for manufacturing the condenser microphone shown in FIGS. 1 and 2. FIG.
【図６】 図１および図２に示すコンデンサマイクロホ
ンの製造方法を説明するための図（縦断面図）である。FIG. 6 is a diagram (longitudinal sectional view) for explaining a method for manufacturing the condenser microphone shown in FIGS. 1 and 2.
【図７】 図１および図２に示すコンデンサマイクロホ
ンの製造方法を説明するための図（縦断面図）である。FIG. 7 is a diagram (longitudinal sectional view) for explaining a method of manufacturing the condenser microphone shown in FIGS. 1 and 2.
【図８】 図１および図２に示すコンデンサマイクロホ
ンの製造方法を説明するための図（縦断面図）である。FIG. 8 is a diagram (longitudinal sectional view) for explaining a method for manufacturing the condenser microphone shown in FIGS. 1 and 2.
【図９】 図１および図２に示すコンデンサマイクロホ
ンの製造方法を説明するための図（縦断面図）である。9 is a diagram (longitudinal sectional view) for explaining a method for manufacturing the condenser microphone shown in FIGS. 1 and 2. FIG.
【図１０】 図１および図２に示すコンデンサマイクロ
ホンの製造方法を説明するための図（縦断面図）であ
る。10 is a diagram (longitudinal sectional view) for explaining a method for manufacturing the condenser microphone shown in FIGS. 1 and 2. FIG.
【図１１】 図１および図２に示すコンデンサマイクロ
ホンの製造方法を説明するための図（縦断面図）であ
る。FIG. 11 is a diagram (longitudinal sectional view) for explaining a method for manufacturing the condenser microphone shown in FIGS. 1 and 2.
【図１２】 図１および図２に示すコンデンサマイクロ
ホンの製造方法を説明するための図（縦断面図）であ
る。FIG. 12 is a diagram (longitudinal sectional view) for explaining a method of manufacturing the condenser microphone shown in FIGS. 1 and 2.
【図１３】 図１および図２に示すコンデンサマイクロ
ホンの製造方法を説明するための図（縦断面図）であ
る。FIG. 13 is a diagram (longitudinal sectional view) for explaining a method for manufacturing the condenser microphone shown in FIGS. 1 and 2.
【図１４】 図１および図２に示すコンデンサマイクロ
ホンの製造方法を説明するための図（縦断面図）であ
る。FIG. 14 is a diagram (longitudinal sectional view) for explaining a method for manufacturing the condenser microphone shown in FIGS. 1 and 2.
【図１５】 図１および図２に示すコンデンサマイクロ
ホンの製造方法を説明するための図（縦断面図）であ
る。FIG. 15 is a diagram (longitudinal sectional view) for explaining a method for manufacturing the condenser microphone shown in FIGS. 1 and 2.
【図１６】 図１および図２に示すコンデンサマイクロ
ホンの製造方法を説明するための図（縦断面図）であ
る。16 is a diagram (longitudinal sectional view) for explaining a method for manufacturing the condenser microphone shown in FIGS. 1 and 2. FIG.
【図１７】 図１および図２に示すコンデンサマイクロ
ホンの製造方法を説明するための図（縦断面図）であ
る。FIG. 17 is a diagram (longitudinal sectional view) for explaining a method for manufacturing the condenser microphone shown in FIGS. 1 and 2.
【図１８】 図１および図２に示すコンデンサマイクロ
ホンの製造方法を説明するための図（縦断面図）であ
る。FIG. 18 is a diagram (longitudinal sectional view) for explaining a method for manufacturing the condenser microphone shown in FIGS. 1 and 2.
【図１９】 図１および図２に示すコンデンサマイクロ
ホンの製造方法を説明するための図（縦断面図）であ
る。FIG. 19 is a diagram (longitudinal sectional view) for explaining a method for manufacturing the condenser microphone shown in FIGS. 1 and 2.
【図２０】 図１および図２に示すコンデンサマイクロ
ホンの製造方法を説明するための図（縦断面図）であ
る。20 is a diagram (longitudinal sectional view) for explaining a method for manufacturing the condenser microphone shown in FIGS. 1 and 2. FIG.
【図２１】 図１および図２に示すコンデンサマイクロ
ホンの製造方法を説明するための図（縦断面図）であ
る。FIG. 21 is a diagram (longitudinal sectional view) for explaining the method of manufacturing the condenser microphone shown in FIGS. 1 and 2.
【図２２】 図１および図２に示すコンデンサマイクロ
ホンの製造方法を説明するための図（縦断面図）であ
る。22 is a diagram (longitudinal sectional view) for explaining a method for manufacturing the condenser microphone shown in FIGS. 1 and 2. FIG.
【図２３】 本発明の電子機器を補聴器に適用した場合
の実施形態を示す斜視図である。FIG. 23 is a perspective view showing an embodiment when the electronic device of the invention is applied to a hearing aid.
１・・・コンデンサマイクロホン、２・・・バックプレ
ート基板、２０・・・バックプレート、２１・・・第１
の基板、２１１・・・薄肉部、２２・・・膜、２２１・
・・開口、２３・・・凹部、２４・・・膜、２５１・・
・電極、２５２・・・配線、２５３・・・パッド、２６
・・・開口、２７・・・絶縁膜、２７１、２７２・・・
開口、２８・・・マスク、２８１、２８２・・・開口、
２９・・・保護膜、３１・・・音響ホール、４・・・ダ
イヤフラム基板、４０・・・ダイヤフラム、４１・・・
第２の基板、４２・・・膜、４２１〜４２３・・・開
口、４３、４４・・・孔部、４５・・・導電膜、４５１
・・・電極、４５２・・・配線、４５３・・・パッド、
５・・・樹脂、６・・・中空部、１００・・・補聴器、
１１０・・・ケーシング、１２０・・・開口DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Condenser microphone, 2 ... Back plate substrate, 20 ... Back plate, 21 ... 1st
Substrate, 211 ... Thin portion, 22 ... Membrane, 221 ...
..Apertures, 23 ... Recesses, 24 ... Membranes, 251 ...
・ Electrodes, 252 ... Wiring, 253 ... Pads, 26
... Opening, 27 ... Insulating film, 271, 272 ...
Opening, 28 ... Mask, 281, 282 ... Opening,
29 ... Protective film, 31 ... Acoustic hole, 4 ... Diaphragm substrate, 40 ... Diaphragm, 41 ...
Second substrate, 42 ... Film, 421 to 423 ... Opening, 43, 44 ... Hole portion, 45 ... Conductive film, 451
... Electrodes, 452 ... Wiring, 453 ... Pads,
5 ... Resin, 6 ... Hollow part, 100 ... Hearing aid,
110 ... Casing, 120 ... Opening
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 4M112 AA06 BA07 CA04 CA05 CA11 CA15 DA03 DA04 DA06 DA10 DA12 DA13 DA16 DA18 DA20 EA03 EA04 EA06 EA07 EA10 EA11 FA01 FA07 FA09 FA20 5D021 BB01 DD01 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continued front page F-term (reference) 4M112 AA06 BA07 CA04 CA05 CA11 CA15 DA03 DA04 DA06 DA10 DA12 DA13 DA16 DA18 DA20 EA03 EA04 EA06 EA07 EA10 EA11 FA01 FA07 FA09 FA20 5D021 BB01 DD01
Claims (30)
分を部分的に除去するとともに、電極を形成して、前記
電極を備える可動のダイヤフラムを有するダイヤフラム
基板を製造するコンデンサマイクロホン用のダイヤフラ
ム基板の製造方法であって、 前記ダイヤフラムの平面視での形状を略円形にすること
を特徴とするダイヤフラム基板の製造方法。1. A method of manufacturing a diaphragm substrate for a condenser microphone, wherein a portion of a semiconductor substrate corresponding to a diaphragm is partially removed and electrodes are formed to manufacture a diaphragm substrate having a movable diaphragm provided with the electrodes. A method of manufacturing a diaphragm substrate, wherein the diaphragm has a substantially circular shape in plan view.
一部を構成する膜を形成し、前記半導体基板のダイヤフ
ラムに対応する部分を部分的に除去し、その除去した部
分の前記膜に電極を形成して、前記膜および前記電極を
備える可動のダイヤフラムを有するダイヤフラム基板を
製造するコンデンサマイクロホン用のダイヤフラム基板
の製造方法であって、 前記ダイヤフラムの平面視での形状を略円形にすること
を特徴とするダイヤフラム基板の製造方法。2. A film forming at least a part of a diaphragm is formed on a semiconductor substrate, a portion of the semiconductor substrate corresponding to the diaphragm is partially removed, and an electrode is formed on the removed portion of the film. A method for manufacturing a diaphragm substrate for a condenser microphone for manufacturing a diaphragm substrate having a movable diaphragm including the film and the electrode, wherein the diaphragm has a substantially circular shape in plan view. Substrate manufacturing method.
化物による膜で形成する請求項１または２に記載のダイ
ヤフラム基板の製造方法。3. The method of manufacturing a diaphragm substrate according to claim 1, wherein at least a part of the diaphragm is formed of a film made of a nitride.
半導体基板の除去をエッチングで行う請求項１ないし３
のいずれかに記載のダイヤフラム基板の製造方法。4. The removal of the semiconductor substrate for forming the diaphragm is performed by etching.
A method of manufacturing a diaphragm substrate according to any one of 1.
数）のマスクを用いて前記エッチングを行う請求項４に
記載のダイヤフラム基板の製造方法。5. The method of manufacturing a diaphragm substrate according to claim 4, wherein the etching is performed using a mask having an opening shape of n-gon (n is an integer of 5 or more).
である請求項１ないし５のいずれかに記載のダイヤフラ
ム基板の製造方法。6. The method for manufacturing a diaphragm substrate according to claim 1, wherein the semiconductor substrate is a single crystal silicon substrate.
たは（１１０）面方位である請求項６に記載のダイヤフ
ラム基板の製造方法。7. The method of manufacturing a diaphragm substrate according to claim 6, wherein the semiconductor substrate has a (100) plane orientation or a (110) plane orientation.
イヤフラム基板の製造方法により製造されたことを特徴
とするダイヤフラム基板。8. A diaphragm substrate manufactured by the method for manufacturing a diaphragm substrate according to claim 1.
もに、少なくとも１つの貫通孔を形成して、前記貫通孔
および前記電極が設けられたバックプレートを有するバ
ックプレート基板を製造する第１の工程と、 第２の半導体基板のダイヤフラムに対応する部分を部分
的に除去するとともに、電極を形成して、前記電極を備
え、かつ平面視での形状が略円形である可動のダイヤフ
ラムを有するダイヤフラム基板を製造する第２の工程
と、 前記バックプレートと前記ダイヤフラムとがコンデンサ
を形成するように、前記バックプレート基板と前記ダイ
ヤフラム基板とを接合する第３の工程とを有することを
特徴とするコンデンサマイクロホンの製造方法。9. A first plate for manufacturing a back plate substrate having an electrode formed on a first semiconductor substrate and at least one through hole formed therein, the back plate substrate having a back plate provided with the through hole and the electrode. Step, and part of the second semiconductor substrate corresponding to the diaphragm is partially removed, an electrode is formed, the diaphragm is provided with the electrode, and has a movable diaphragm having a substantially circular shape in plan view. A capacitor comprising a second step of manufacturing a substrate and a third step of bonding the back plate substrate and the diaphragm substrate so that the back plate and the diaphragm form a capacitor. Microphone manufacturing method.
対応する部分を部分的に除去して薄肉部を形成し、電極
を形成するとともに、前記薄肉部に少なくとも１つの貫
通孔を形成して、前記貫通孔および前記電極が設けられ
たバックプレートを有するバックプレート基板を製造す
る第１の工程と、 第２の半導体基板のダイヤフラムに対応する部分を部分
的に除去するとともに、電極を形成して、前記電極を備
え、かつ平面視での形状が略円形である可動のダイヤフ
ラムを有するダイヤフラム基板を製造する第２の工程
と、 前記バックプレートと前記ダイヤフラムとがコンデンサ
を形成するように、前記バックプレート基板と前記ダイ
ヤフラム基板とを接合する第３の工程とを有することを
特徴とするコンデンサマイクロホンの製造方法。10. A portion of the first semiconductor substrate corresponding to the back plate is partially removed to form a thin portion, an electrode is formed, and at least one through hole is formed in the thin portion, A first step of manufacturing a back plate substrate having a back plate provided with the through holes and the electrodes, and partially removing a portion of the second semiconductor substrate corresponding to the diaphragm and forming electrodes. A second step of manufacturing a diaphragm substrate including the electrode and having a movable diaphragm having a substantially circular shape in a plan view; and the back plate and the diaphragm so as to form a capacitor. A method of manufacturing a condenser microphone, comprising: a third step of joining a plate substrate and the diaphragm substrate.
ともに、少なくとも１つの貫通孔を形成して、前記貫通
孔および前記電極が設けられたバックプレートを有する
バックプレート基板を製造する第１の工程と、 第２の半導体基板にダイヤフラムの少なくとも一部を構
成する膜を形成し、前記第２の半導体基板のダイヤフラ
ムに対応する部分を部分的に除去し、その除去した部分
の前記膜に電極を形成して、前記膜および前記電極を備
え、かつ平面視での形状が略円形である可動のダイヤフ
ラムを有するダイヤフラム基板を製造する第２の工程
と、 前記バックプレートと前記ダイヤフラムとがコンデンサ
を形成するように、前記バックプレート基板と前記ダイ
ヤフラム基板とを接合する第３の工程とを有することを
特徴とするコンデンサマイクロホンの製造方法。11. A first plate for manufacturing a back plate substrate having an electrode formed on a first semiconductor substrate and at least one through hole to form a back plate having the through hole and the electrode. And a step of forming a film forming at least a part of the diaphragm on the second semiconductor substrate, partially removing a portion of the second semiconductor substrate corresponding to the diaphragm, and forming an electrode on the removed portion of the film. And a second step of manufacturing a diaphragm substrate including the film and the electrode, and having a movable diaphragm having a substantially circular shape in plan view; and the back plate and the diaphragm forming a capacitor. A third step of joining the back plate substrate and the diaphragm substrate so that they are formed. Method of manufacturing a Kurohon.
対応する部分を部分的に除去して薄肉部を形成し、電極
を形成するとともに、前記薄肉部に少なくとも１つの貫
通孔を形成して、前記貫通孔および前記電極が設けられ
たバックプレートを有するバックプレート基板を製造す
る第１の工程と、 第２の半導体基板にダイヤフラムの少なくとも一部を構
成する膜を形成し、前記第２の半導体基板のダイヤフラ
ムに対応する部分を部分的に除去し、その除去した部分
の前記膜に電極を形成して、前記膜および前記電極を備
え、かつ平面視での形状が略円形である可動のダイヤフ
ラムを有するダイヤフラム基板を製造する第２の工程
と、 前記バックプレートと前記ダイヤフラムとがコンデンサ
を形成するように、前記バックプレート基板と前記ダイ
ヤフラム基板とを接合する第３の工程とを有することを
特徴とするコンデンサマイクロホンの製造方法。12. A portion of the first semiconductor substrate corresponding to the back plate is partially removed to form a thin portion, an electrode is formed, and at least one through hole is formed in the thin portion. A first step of manufacturing a back plate substrate having a back plate provided with the through hole and the electrode; and forming a film forming at least a part of the diaphragm on the second semiconductor substrate, the second semiconductor A movable diaphragm in which a portion of the substrate corresponding to the diaphragm is partially removed, an electrode is formed on the removed portion of the film, the film and the electrode are provided, and the shape in plan view is substantially circular. A second step of manufacturing a diaphragm substrate having: a back plate substrate and a durometer so that the back plate and the diaphragm form a capacitor. The third step of the manufacturing method of the condenser microphone and having a joining the Yafuramu substrate.
チング法により前記貫通孔の形成を行う請求項９ないし
１２のいずれかに記載のコンデンサマイクロホンの製造
方法。13. The method of manufacturing a condenser microphone according to claim 9, wherein the through hole is formed by a dry etching method in the first step.
グ用ガスによるエッチングと、デポジッション用ガスに
よる保護膜の形成とを、交互に繰り返し行う方法である
請求項１３に記載のコンデンサマイクロホンの製造方
法。14. The method of manufacturing a condenser microphone according to claim 13, wherein the dry etching method is a method of alternately repeating etching with an etching gas and forming a protective film with a deposition gas.
半導体基板に、該第１の半導体基板の導電性を向上する
ドーパントをドープして電極を形成する請求項９ないし
１４のいずれかに記載のコンデンサマイクロホンの製造
方法。15. The electrode according to claim 9, wherein in the first step, the first semiconductor substrate is doped with a dopant that improves the conductivity of the first semiconductor substrate to form an electrode. A method for manufacturing the described condenser microphone.
項１５に記載のコンデンサマイクロホンの製造方法。16. The method of manufacturing a condenser microphone according to claim 15, wherein the dopant is boron.
フラムの少なくとも一部を窒化物による膜で形成する請
求項９ないし１６のいずれかに記載のコンデンサマイク
ロホンの製造方法。17. The method of manufacturing a condenser microphone according to claim 9, wherein at least a part of the diaphragm is formed of a nitride film in the second step.
フラムを形成するための前記第２の半導体基板の除去を
エッチングで行う請求項９ないし１７のいずれかに記載
のコンデンサマイクロホンの製造方法。18. The method of manufacturing a condenser microphone according to claim 9, wherein in the second step, the removal of the second semiconductor substrate for forming the diaphragm is performed by etching.
ｎ角形（ｎは、５以上の整数）のマスクを用いて前記エ
ッチングを行う請求項１８に記載のコンデンサマイクロ
ホンの製造方法。19. The method of manufacturing a condenser microphone according to claim 18, wherein in the second step, the etching is performed using a mask having an opening shape of n-gon (n is an integer of 5 or more).
半導体基板に、前記バックプレート基板の電極に接続す
るための孔部を形成する請求項９ないし１７のいずれか
に記載のコンデンサマイクロホンの製造方法。20. The condenser microphone according to claim 9, wherein in the second step, a hole for connecting to an electrode of the back plate substrate is formed in the second semiconductor substrate. Production method.
半導体基板の、前記バックプレート基板の電極に接続さ
れたパッドに対応する位置に、孔部を形成する請求項９
ないし１７のいずれかに記載のコンデンサマイクロホン
の製造方法。21. In the second step, a hole is formed in the second semiconductor substrate at a position corresponding to a pad connected to an electrode of the back plate substrate.
18. The method for manufacturing a condenser microphone according to any one of 1 to 17.
フラムを形成するための前記第２の半導体基板の除去を
エッチング法で行い、その際、前記孔部を形成する請求
項２０または２１に記載のコンデンサマイクロホンの製
造方法。22. The method according to claim 20, wherein in the second step, the second semiconductor substrate for forming the diaphragm is removed by an etching method, and the hole is formed at that time. Manufacturing method of condenser microphone.
ｎ角形（ｎは、５以上の整数）のマスクを用いて前記エ
ッチングを行う請求項２２に記載のコンデンサマイクロ
ホンの製造方法。23. The method of manufacturing a condenser microphone according to claim 22, wherein in the second step, the etching is performed using a mask having an opening shape of n-gon (n is an integer of 5 or more).
クプレートの厚さより薄い請求項９ないし２３のいずれ
かに記載のコンデンサマイクロホンの製造方法。24. The method of manufacturing a condenser microphone according to claim 9, wherein a thickness of the diaphragm is thinner than a thickness of the back plate.
コン基板である請求項９ないし２４のいずれかに記載の
コンデンサマイクロホンの製造方法。25. The method of manufacturing a condenser microphone according to claim 9, wherein the first semiconductor substrate is a single crystal silicon substrate.
面方位または（１１０）面方位である請求項２５に記載
のコンデンサマイクロホンの製造方法。26. The first semiconductor substrate is (100).
26. The method for manufacturing a condenser microphone according to claim 25, which has a plane orientation or a (110) plane orientation.
コン基板である請求項９ないし２６のいずれかに記載の
コンデンサマイクロホンの製造方法。27. The method of manufacturing a condenser microphone according to claim 9, wherein the second semiconductor substrate is a single crystal silicon substrate.
面方位または（１１０）面方位である請求項２７に記載
のコンデンサマイクロホンの製造方法。28. The second semiconductor substrate is (100)
28. The method for manufacturing a condenser microphone according to claim 27, which has a plane orientation or a (110) plane orientation.
のコンデンサマイクロホンの製造方法により製造された
ことを特徴とするコンデンサマイクロホン。29. A condenser microphone manufactured by the method for manufacturing a condenser microphone according to any one of claims 9 to 28.
ロホンを有することを特徴とする電子機器。30. An electronic device comprising the condenser microphone according to claim 29.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001351665A JP2003153394A (en) | 2001-11-16 | 2001-11-16 | Diaphragm substrate, manufacturing method thereof manufacturing method of capacitor microphone and electronic device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001351665A JP2003153394A (en) | 2001-11-16 | 2001-11-16 | Diaphragm substrate, manufacturing method thereof manufacturing method of capacitor microphone and electronic device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003153394A true JP2003153394A (en) | 2003-05-23 |
Family
ID=19163947
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001351665A Pending JP2003153394A (en) | 2001-11-16 | 2001-11-16 | Diaphragm substrate, manufacturing method thereof manufacturing method of capacitor microphone and electronic device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003153394A (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006025211A1 (en) * | 2004-09-01 | 2006-03-09 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Electret capacitor microphone |
| JP2007104467A (en) * | 2005-10-06 | 2007-04-19 | Micro Precision Kk | Acoustic sensor and method of manufacturing same |
-
2001
- 2001-11-16 JP JP2001351665A patent/JP2003153394A/en active Pending
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006025211A1 (en) * | 2004-09-01 | 2006-03-09 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Electret capacitor microphone |
| JP2007104467A (en) * | 2005-10-06 | 2007-04-19 | Micro Precision Kk | Acoustic sensor and method of manufacturing same |
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