JP2003145769A - 回路基板の製造方法、および液体吐出ヘッドの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】半導体基板のサイズが露光フィールドサイズを
超える場合でも、容易にステッパ露光できるようにす
る。 【解決手段】サイズが１回の縮小投影露光により露光さ
れる露光フィールドサイズを超えるチップ２１よりな
り、該チップ２１の全体に亘って素子または配線が形成
される回路基板の製造方法であって、上記素子または配
線を形成するための上記縮小投影露光による露光工程を
含み、該露光工程は、チップ２１全面にわたってフォト
レジスト膜を形成する工程と、上記フォトレジスト膜
を、上記露光フィールドサイズを超えない大きさの複数
の分割露光領域７ａ〜７ｃに分割し、該分割露光領域７
ａ〜７ｃを上記縮小投影露光により順次露光する工程と
を含む。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、貫通孔を有する回
路基板の製造方法の製造方法に関し、特に、シリコン
（Ｓｉ）半導体基板などからなり、トランジスタや吐出
エネルギー発生素子などの各種素子や配線などが形成さ
れる回路基板の製造方法に関する。また、本発明は、イ
ンクジェットプリンタなどに用いられる液体吐出ヘッド
の製造方法に関し、特に、サーマルインクジェットヘッ
ド等の、電気エネルギーを熱エネルギーに変換し、その
熱エネルギーを利用して液体を吐出する液体吐出ヘッド
の製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】以下、インクジェットヘッドを例に挙げ
て説明する。

【０００３】インクジェットヘッドは、インクが収容さ
れるインクタンクと、このインクタンクから供給された
インクを所定の方向に並べて配置された複数の吐出口か
ら吐出するヘッド本体部とからなる。ヘッド本体部は、
電気エネルギーを熱エネルギーに変換する電気熱変換体
を吐出口毎に備え、これら電気熱変換体の熱作用面にお
いて、膜沸騰により気泡が発生し、その気泡が膨張する
ことによってインクが吐出口から吐出されるようになっ
ている。最近では、半導体製造プロセスを応用して、電
気熱変換体とこれを駆動するためのトランジスタなどの
能動素子および配線とを同一基板上に一緒に造り込んだ
回路基板を備えるヘッドも実現されている。

【０００４】ところで、インクジェットヘッドには、記
録用紙を所定の方向に搬送しながらヘッドをその搬送方
向と交差する方向（記録用紙の幅方向）に移動して印刷
を行うシリアルスキャンタイプのものと、吐出口の列の
長さが記録用紙の全幅にわたり、記録用紙のみを所定の
方向に搬送することで印刷を行うフルラインタイプのも
とがある。前者のタイプでも一頁あたりの印刷速度を上
げるために、多数の吐出口が配列されたより長い長尺ヘ
ッドが望まれており、又、後者のタイプの場合には、記
録用紙の幅方向と同じ長さの長尺ヘッドが必要となる。

【０００５】図９は、ヘッドの回路基板の一例を示す図
で、（ａ）は一枚のウエハ上に形成された回路基板の上
面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ’断面図である。図９
（ａ）には、隣接する２つの回路基板の境界目部分の構
成が拡大されて模式的に示されている。

【０００６】各ｐ型半導体基板９０１は、ウェーハをダ
イシングにより分割した個々のダイ（チップ）に対応す
る略長方形の同一サイズの部分であり、それぞれのｐ型
半導体基板９０１上には、基板の長手方向に沿って複数
のヒータ９０４が等ピッチで２列に配置され、さらにこ
れらヒータ列毎に、各ヒータ９０４にそれぞれ接続され
た複数のスイッチ素子９０３、これらスイッチ素子９０
３がそれぞれ接続され、スイッチ素子９０３を介したヒ
ータ９０４の駆動制御を行うためのパッド・周辺回路９
０２および周辺回路９０５が形成されている。

【０００７】パッド・周辺回路９０２はｐ型半導体基板
９０１の長辺側の縁に沿って形成され、このパッド・周
辺回路９０２のパッド部において、外部との電気的接続
がなされる。周辺回路９０５はｐ型半導体基板９０１の
短辺側の縁に沿って形成されている。図９（ａ）の例で
は、隣接するｐ型半導体基板９０１の短辺側の縁（回路
基板の境界部分）において、それぞれのｐ型半導体基板
に設けられた周辺回路９０５が隣接するような配置にな
っている。

【０００８】ヒータ列の間には、ｐ型半導体基板９０１
を貫通するインク供給口９０６が設けられている。この
インク供給口９０６は、ヒータ列の長さとほぼ同じ長さ
の長孔で、ヒータ列に沿うようにして設けられている。
このインク供給口９０６を介して、ｐ型半導体基板９０
１の裏面側に設けられたインクタンク（不図示）から印
刷用の液体（所定の成分のインク）が各ヒータ９０４の
熱作用面が面する液路（不図示）に供給される。

【０００９】各ヒータ９０４およびこられに接続される
スイッチ素子９０３はそれぞれ同じ構造のものであり、
例えば、図９（ｂ）のような構造になっている。図９
（ｂ）中、素子分離膜などは説明を簡単化するために省
略している。

【００１０】図９（ｂ）において、９０１は単結晶シリ
コンからなるｐ型半導体基板である。９１２はｐ型ウエ
ル領域、９０８はｎ型ドレイン領域、９１６はｎ型電界
緩和ドレイン領域、９０７はｎ型ソース領域、９１４は
ゲート電極であり、これらでＭＩＳ（Metal Insulator
Semiconductor）型電界トランジスタを用いたスイッチ
素子９０３を形成している。

【００１１】ｐ型半導体基板９０１上には、ｎ型ドレイ
ン領域９０８およびｎ型ソース領域９０７の部分が開口
された所定のパターンの蓄熱層および絶縁層としての酸
化シリコン層９１７が形成され、その酸化シリコン層９
１７上に熱抵抗層としての窒化タンタル膜９１８および
アルミニウム合金よりなる配線９１９が形成されてい
る。さらに、ｐ型半導体基板９０１上には、それらを覆
うように窒化シリコン膜よりなる保護層９２０が形成さ
れている。配線９１９の一端は窒化タンタル膜９１８に
電気的に接続され、他端はｎ型ドレイン領域９０８に電
気的に接続されている。ｐ型半導体基板９０１の、ヒー
タ９０４が形成された部分の近傍に、基板を貫通するよ
うにインク供給口９０６が形成されている。そして、不
図示ではあるが、ヒータ９０４の上方にインク吐出口が
形成された部材が配置される。

【００１２】上記のように構成された回路基板では、ス
イッチ素子９０３のオン・オフによってヒータ９０４を
構成する窒化タンタル膜９１８における発熱動作が制御
される。図９（ａ）に示したように、１つのヒータ基板
にはヒータ９０４が複数備えられており、各スイッチ素
子９０３をオン・オフ制御することで、選択的にヒータ
９０４による発熱動作を制御することができる。

【００１３】以上説明した回路基板は、周知のシリコン
ウェーハプロセスを利用して作製することができる。こ
のウェーハプロセスを利用した作製工程では、ヒータ９
０４、そのヒータ９０４に接続されるスイッチ素子９０
３および配線、インク供給口９０６、パッド・周辺回路
９０２および周辺回路９０５は一連の工程で半導体基板
上に造り込まれるが、それぞれの工程においてフォトリ
ソグラフィー工程を含む。

【００１４】一例として、図１０（ａ）にインク供給口
を形成する場合のフォトリソグラフィー工程において用
いられるフォトマスクを示し、図１０（ｂ）にそのフォ
トマスクを用いたウェーハへの焼付け例を示す。ステッ
パと呼ばれる逐次縮小投影露光装置を用いて、フォトマ
スク２００に形成されたインク供給口９０６を形成する
ためのマスクパターン２０１をフォトレジストが全面に
塗布されたウェーハ２１０上に縮小投影しマスクパター
ンを転写する。ウェーハ２１０はダイシングにより複数
のチップ２１１（図９（ａ）に示したｐ型半導体基板９
０１のそれぞれに対応する。）に分割されるようになっ
ており、ウェーハ２１０が固定されているステージを移
動しながらチップ２１１毎にマスクパターン２０１が転
写される。このようにしてチップ２１１毎に形成された
複数のレジストパターン２１２全体を１つのマスクとし
て周知のエッチング加工を行うことで、各チップ２１１
にインク供給口９０６を形成することができる。

【００１５】通常、こうした回路基板は、多数回のフォ
トリソグラフィー工程を経て構成され、インク供給口９
０６も複数枚の膜を貫通して構成される場合には、複数
回のフォトリソグラフィー工程を経て形成される。チッ
プ２１１には、インク供給口９０６の他、ヒータ９０
４、そのヒータ９０４に接続されるスイッチ素子９０３
および配線、パッド・周辺回路９０２および周辺回路９
０５が形成されるが、これらの形成においても上記のよ
うな縮小投影露光によるフォトリソグラフィー工程が行
われるのである。

【００１６】ヘッドは、ダイシングによってウエハから
個々のチップ２１１に分断される。もし、より多くの吐
出口を一列に配列した長尺ヘッドが必要な場合には、２
つのヘッドをその短辺を隣接させて繋ぎ合わせて並べれ
ばよい。

【００１７】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
図９（ａ）に示した回路基板を備える長尺ヘッドでは、
各ｐ型半導体基板９０１の繋ぎ目部分に周辺回路９０５
があるため、回路基板全体におけるヒータ９０４の並び
がこの繋ぎ目部分で不連続になっている。そのため、こ
の長尺ヘッドを用いて印刷を行う場合は、その不連続な
部分における印刷画像への影響を補うように、ヘッドの
移動を制御するとともにヘッドからの液体の吐出を制御
する必要があり、ヘッドの制御が複雑になる。

【００１８】このような理由から、最近では、ダイシン
グにより分割されるチップ自体を長尺のもの（例えば３
ｃｍを超えるもの）とし、これに電気熱変換体であるヒ
ータを所定の方向に等ピッチで配列することで、ヒータ
の並びに不連続な部分が生じないようにした回路基板が
検討されている。

【００１９】一方で、最近のインクジェットプリンター
においては、記録密度（解像度）の向上のために、電気
熱変換体であるヒータ９０４とこれに接続されるスイッ
チ９０３および配線の微細化が進み、フォトリソグラフ
ィー工程で、最小加工寸法のより小さな露光プロセスを
用いる必要が生じてきた。また、同時にヘッドの小型化
も望まれており、そのため、ヒータ９０４とこれに隣接
して配置されるインク供給口６との距離も可能な限り小
さくする必要があり、インク供給口６の加工において
も、その加工時にヒータ９０４のパターンを崩さないよ
うに、最小加工寸法のより小さな露光プロセスを用いる
必要が生じてきた。

【００２０】最小加工寸法が小さく、上記のような微細
化を行うために、最新のステッパ或いはスキャニングス
テッパなどの露光装置を用いればよいが、上述のダイシ
ングにより分割されるチップ自体を長尺のものとした回
路基板では、チップサイズがステッパ露光装置の露光フ
ィールドサイズを超えるため、ステッパ露光装置により
一括露光することができず、そのままでは微細化を行う
ことができない。このようなことから、長尺のチップよ
りなる半導体基板にヒータ、スイッチ、配線、インク供
給口などのパターニングのための露光をいかにして行う
かが重要な課題の１つになっている。

【００２１】上記のチップサイズがステッパ露光装置の
露光フィールドサイズを超えるために、ステッパ露光装
置を用いた微細化を行うことができない、という問題
は、液体吐出ヘッドの回路基板の製造に限らず、ごく一
般の回路基板においても生じる。例えば、マイクロメカ
ニクスなどに利用される回路基板においても微細化が進
んでおり、露光フィールドサイズの関係上、ステッパ露
光装置により１チップサイズの被露光領域を一括露光す
ることができない場合がある。

【００２２】本発明の目的は、上記課題を解決し、微細
加工が可能でサイズの大きな回路基板の製造方法及び液
体吐出ヘッドの回路基板の製造方法を提供することにあ
る。

【００２３】本発明の別の目的は、多数の素子を等ピッ
チで配列し、それら多数の素子に共通の貫通孔を形成で
きる回路基板の製造方法及び液体吐出ヘッドの回路基板
の製造方法を提供することにある。

【００２４】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明の回路基板の製造方法は、複数回のフォトリ
ソグラフィー工程を経て、貫通孔を有する回路基板を製
造する回路基板の製造方法において、前記貫通孔を形成
するための、前記貫通孔のサイズより露光フィールドサ
イズが小さい縮小投影露光装置を用いた、少なくとも一
回のフォトリソグラフィー工程が、前記回路基板の被露
光領域を前記露光フィールドサイズを超えない大きさの
複数の領域に分割し、該分割された領域を前記縮小投影
露光により逐次露光する露光段階、を含むことを特徴と
する。

【００２５】一方、本発明の液体吐出ヘッドの製造方法
は、液体の吐出口と、吐出エネルギー発生素子と液体供
給用の貫通孔とを有する回路基板と、を備え、前記回路
基板が複数回のフォトリソグラフィー工程を経て作製さ
れる、液体吐出ヘッドの製造方法において、前記貫通孔
を形成するための、前記貫通孔のサイズより露光フィー
ルドサイズが小さい縮小投影露光装置を用いた、少なく
とも一回のフォトリソグラフィー工程が、前記回路基板
の被露光領域を前記露光フィールドサイズを超えない大
きさの複数の領域に分割し、該分割された領域を前記縮
小投影露光により逐次露光する露光段階、を含むことを
特徴とする。

【００２６】以上の回路基板又はヘッドの製造方法にお
いては、前記貫通孔は複数回のフォトリソグラフィー工
程を経て形成され、このうち少なくとも１回のフォトリ
ソグラフィー工程が前記露光段階を含むとよい。

【００２７】また、回路を構成する素子又は配線部の少
なくともいずれか一方を形成するための、前記回路基板
のサイズより露光フィールドサイズが小さい縮小投影露
光装置を用いた、少なくとも一回のフォトリソグラフィ
ー工程が、前記回路基板の被露光領域を前記露光フィー
ルドサイズを超えない大きさの複数の領域に分割し、該
分割された領域を前記縮小投影露光により逐次露光する
露光段階、を含むとよい。

【００２８】更に、前記貫通孔は、複数の素子の配列方
向に沿った方向に長い平面形状を有するとよい。

【００２９】そして、前記貫通孔は、複数の素子の配列
方向に沿った方向に長い平面形状を有し、分割ラインが
前記配列方向において隣接する２つの素子の間にあると
よい。

【００３０】上記のとおりの本発明においては、微細加
工が必要な少なくとも１回の露光工程において、被露光
領域を露光フィールドサイズを超えない大きさの複数の
領域に分割して縮小投影露光がなされるので、半導体基
板のサイズが露光フィールドサイズを超える長尺の回路
基板であっても、回路の微細化と微細な貫通孔の形成を
良好に行うことができる。又、多数の微細加工された素
子を等ピッチで配列し、それら多数の素子に共通の微細
な貫通孔を形成できる。

【００３１】本発明の別の回路基板の製造方法は、複数
回のフォトリソグラフィー工程を経て、貫通孔を有する
回路基板を製造する回路基板の製造方法において、回路
を構成する素子又は配線部の少なくともいずれか一方を
形成するための、前記回路基板のサイズより露光フィー
ルドサイズが小さい縮小投影露光装置を用いた、少なく
とも一回のフォトリソグラフィー工程が、前記回路基板
の被露光領域を前記露光フィールドサイズを超えない大
きさの複数の領域に分割し、該分割された領域を前記縮
小投影露光により逐次露光する逐次露光段階、を含み、
前記貫通孔を形成するための、少なくとも一回のフォト
リソグラフィー工程が、前記貫通孔のサイズより露光フ
ィールドサイズが大きい露光装置を用いて、露光する露
光段階、を含むことを特徴とする。

【００３２】一方、本発明の液体吐出ヘッドの製造方法
は、液体の吐出口と、吐出エネルギー発生素子と液体供
給用の貫通孔とを有する回路基板と、を備え、前記回路
基板が複数回のフォトリソグラフィー工程を経て作製さ
れる、液体吐出ヘッドの製造方法において、前記吐出エ
ネルギー発生素子又は配線部の少なくともいずれか一方
を形成するための、前記回路基板のサイズより露光フィ
ールドサイズが小さい縮小投影露光装置を用いた、少な
くとも一回のフォトリソグラフィー工程が、前記回路基
板の被露光領域を前記露光フィールドサイズを超えない
大きさの複数の領域に分割し、該分割された領域を前記
縮小投影露光により逐次露光する逐次露光段階、を含
み、前記貫通孔を形成するための、少なくとも一回のフ
ォトリソグラフィー工程が、前記貫通孔のサイズより露
光フィールドサイズが大きい露光装置を用いて、露光す
る露光段階、を含むことを特徴とする。

【００３３】以上の回路基板又はヘッドの製造方法にお
いては、前記貫通孔は複数回のフォトリソグラフィー工
程を経て形成され、このうち複数回のフォトリソグラフ
ィー工程が前記露光段階を含むとよい。

【００３４】また、前記貫通孔は複数回のフォトリソグ
ラフィー工程を経て形成され、このうち少なくとも１回
のフォトリソグラフィー工程が、前記回路基板の被露光
領域を前記露光フィールドサイズを超えない大きさの複
数の領域に分割し、該分割された領域を前記縮小投影露
光により逐次露光する逐次露光段階を含む前記露光段階
を含むとよい。

【００３５】更に、前記貫通孔は、複数の素子の配列方
向に沿った方向に長い平面形状を有するとよい。

【００３６】そして、前記貫通孔は、複数の素子の配列
方向に沿った方向に長い平面形状を有し、分割ラインが
前記配列方向において隣接する２つの素子の間にあると
よい。

【００３７】上記のとおりの本発明においては、ミック
スアンドマッチにより、微細加工が必要な少なくとも１
回の露光工程においては、被露光領域を露光フィールド
サイズを超えない大きさの複数の領域に分割して縮小投
影露光がなされるので、半導体基板のサイズが露光フィ
ールドサイズを超える長尺の回路基板であっても、回路
の微細化を良好に行うことができる。一方で、微細加工
が要求されない露光工程においては、被露光領域を一括
して露光できるので、ショット数を減らすことができ
る。ここでいう一括露光とは１ショットで露光できるフ
ィールド全域を同時に露光するという狭い意味ではな
く、ミラープロジェクションアライナーにおける走査露
光のように１フィールドをスリットを通した光により走
査しながら露光する場合も含む広義の意味である。

【００３８】又、本発明においては、多数の微細加工さ
れた素子を等ピッチで配列し、それら多数の素子に共通
の貫通孔をより低コストで形成できる。

【００３９】

【発明の実施の形態】次に、本発明の実施形態について
図面を参照して説明する。

【００４０】図１は、本発明の一実施形態の回路基板の
製造方法において行われるフォトリソグラフィー工程の
ステッパ露光を説明するための図で、（ａ）は例えばイ
ンク供給口を形成するためのフォトマスク（レチクル）
の一例を示す模式図、（ｂ）はそのフォトマスク（レチ
クル）を用いたウェーハへの焼付け例を示す模式図であ
る。

【００４１】符号１０はフォトマスク、１０ａ〜１０ｃ
はマスクパターン、７ａ〜７ｃは分割露光領域、２０は
ウエーハ、２１は一つのチップを示している。

【００４２】図２は、本発明の回路基板の製造方法が適
用された回路基板の分割露光の際の境界部を示す模式図
である。

【００４３】図２において、半導体基板１はウェーハを
ダイシングにより分割した長尺チップ（ダイ）よりなる
略長方形の基板である。この半導体基板１上には、基板
の長手方向に沿って複数のヒータ４が等ピッチで２列に
配置され、さらにこれらヒータ列毎に、各ヒータ４にそ
れぞれ接続された複数のスイッチ素子３、これらスイッ
チ素子３がそれぞれ接続され、スイッチ素子３を介した
ヒータ９０４の駆動制御を行うためのパッド・周辺回路
２および周辺回路５が形成されている。

【００４４】パッド・周辺回路２は半導体基板１の長辺
側の縁に沿って形成され、このパッド・周辺回路２のパ
ッド部において、ＴＡＢフィルムとして知られているよ
うな、導電体からなる配線層を絶縁体フィルムにて挟ん
だ構成の共通のフレキシブル回路基板からなる配線部材
の端子等の外部端子との電気的接続がなされる。周辺回
路５は半導体基板１の短辺側の縁に沿って形成されてい
る。

【００４５】ヒータ列の間には、半導体基板１を貫通す
るインク供給口６が設けられている。このインク供給口
６は、ヒータ列の長さとほぼ同じ長さの長孔で、ヒータ
列に沿うようにして設けられている。このインク供給口
６を介して、半導体基板１の裏面側に設けられたインク
タンク（不図示）から印刷用の液体（所定の成分のイン
ク）が各ヒータ４の熱作用面が面する液路（不図示）に
供給される。各ヒータ４およびこられに接続されるスイ
ッチ素子３はそれぞれ同じ構造のものであり、例えば、
前述した図９（ｂ）のような構造になっている。

【００４６】本発明の回路基板の製造方法では、上記の
ような構成の回路基板を作製するために、フォトリソグ
ラフィー工程におけるステッパ露光時に、回路基板（長
尺チップ）の被露光領域をその長手方向において３つの
分割露光領域７ａ〜７ｃに分け、それぞれの分割露光領
域において、スイッチ素子３、ヒータ４、インク供給口
６、配線、パッド・周辺回路２および周辺回路５のうち
必要な部分のレジストパターン（エッチング用マスク）
が形成される。ステッパ露光には、ステッパ或いはスキ
ャニングステッパと呼ばれる周知の縮小投影露光装置を
使用することができ、各分割露光領域７ａ〜７ｃは、そ
れぞれステッパ露光装置の露光フィールドサイズを超え
ない大きさになっている。

【００４７】図１に示したように、フォトマスク１０に
は、図２に示した分割露光領域７ａ、７ｂ、７ｃにそれ
ぞれ対応して、インク供給口６を形成するための３種類
のマスクパターン１０ａ、１０ｂ、１０ｃが形成されて
いる。

【００４８】ステッパ露光の対象となるウェーハ２０
は、必要な多数回のフォトリソグラフィー工程を経た後
に、ダイシングにより複数のチップ２１（１つのチップ
２１は図２に示した半導体基板１に対応する。）に分断
されるようになっている。

【００４９】各フォトリソグラフィー工程の露光時にお
いては、フォトレジストをウェーハ全面に塗布し、ベー
キングした後、露光装置に装填される。

【００５０】各チップ２１毎にフォトマスク１０の各マ
スクパターン１０ａ〜１０ｃを用いたステッパ露光が行
われ、ステッパ露光時の位置合わせは、基本的にはウェ
ーハ２０が固定されているステージを移動させることで
行う。

【００５１】まず、チップ２１の分割露光領域７ａが投
影レンズ下方の露光位置に来るように、ウェーハ２０が
固定されているステージを移動し、マスクパターン１０
ａを分割露光領域７ａ上に縮小投影する。続いて、チッ
プ２１の分割露光領域７ｂが露光位置に来るようにステ
ージを移動し、マスクパターン１０ｂを分割露光領域７
ｂ上に縮小投影する。続いて、チップ２１の分割露光領
域７ｃが露光位置に来るようにステージを移動し、マス
クパターン１０ｃを分割露光領域７ｃ上に縮小投影す
る。

【００５２】貫通孔、又は貫通孔以外の隣接する分割露
光領域の境界を跨ぐようなパターン（例えば、チップの
長辺方向に延びる配線のパターンなど）を形成する場合
には隣接する露光領域同士を若干重ね合わせて繋ぎ露光
することも好ましいものである。

【００５３】この一連の露光処理をウェーハ２０の各チ
ップ２１において行った後、周知の現像処理を施すこと
で、図１（ｂ）に示すような、各チップ２１毎にマスク
パターン１０ａ〜１０ｃが焼付けられたレジストパター
ンを得る。このようにして得られたレジストパターン全
体をエッチング用のマスクとして用いて周知のエッチン
グ処理を行うことで、各チップ２１にインク供給口６と
なる開口を形成することができる。

【００５４】回路基板には複数の膜が積層されるため
に、通常、インク供給口６となる貫通孔を形成する場
合、複数回のフォトリソグラフィー工程を経ることが覆
い。また、そのうちのあるフォトリソグラフィー工程で
は同時にコンタクトホールなどを形成するための露光が
同時に行われるために微細加工が要求される。

【００５５】従って、本発明においては、貫通孔の形成
に必要な全てのフォトリソグラフィー工程の露光を分割
露光することに限定されるものではない。中には、微細
加工が要求されないフォトリソグラフィー工程もあり、
その工程では、分割露光を行うのではなく、むしろ露光
フィールドサイズの大きな露光装置、場合によってはミ
ラープロジェクションアライナーなどの等倍露光を行う
露光装置などを用いて貫通孔のパターンを一括露光した
方が、ショット数が少なくなり、スループットが向上す
るので、好ましい場合がある。

【００５６】（実施形態）以下に、このようなミックス
アンドマッチを利用した、回路基板の製造方法におけ
る、インク供給口６を形成する際の具体的な手順につい
て図３〜図６を参照して説明する。図３、４はインク供
給口６となる貫通孔の断面を、図５は回路を構成する素
子としてのＭＯＳトランジスタの断面を示している。図
６は配線パターンを示す模式図である。なお、実際は、
インク供給口６とＭＯＳトランジスタのような素子を形
成する工程の途中でヒータなどを作製する工程が介在す
るが、ここでは、説明を簡略化するために、ヒータ部分
の製造工程は図示していない。

【００５７】まず、回路基板となるシリコンウエーハ
（基板１００）を用意する。そして、図３（ａ）に示す
ように、シリコン基板１００の一方の主面に選択的に例
えば厚さ７００ｎｍ程度のフィールド酸化膜１０１を形
成する。フィールド酸化膜１０１が形成されていない部
分には、薄い酸化膜１０８が形成されている。フィール
ド酸化膜１０１の形成用のフォトリソグラフィー工程で
は、それほど微細加工が要求されないので、１チップの
被露光領域全域を分割露光しても、一括露光してもいず
れでも構わない。

【００５８】次に、図３（ｂ）に示すように、インク供
給口６の形成位置に合わせて酸化膜１０８を除去してシ
リコン表面を露出させる。このフォトリソグラフィー工
程では、１チップの被露光領域全域を分割露光しても、
一括露光してもいずれでも構わない。

【００５９】さらに、図３（ｃ）に示すように、シリコ
ン表面のこの露出位置に選択的に、犠牲層となるポリシ
リコン層１２１を例えば厚さ２００〜５００ｎｍで形成
する。このとき、酸化膜１０８が形成されていないシリ
コン表面がポリシリコン層１２１を完全に取り囲むよう
にする。この時、図５（ａ）示すように、同時に駆動回
路や周辺回路などを構成するＭＯＳトランジスタの如き
素子のポリシリコンからなるゲート電極１１１を形成す
る。

【００６０】ここでのフォトリソグラフィー工程では、
１チップの被露光領域全域を分割露光しても、一括露光
してもいずれでも構わないが、ゲート電極の加工は微細
加工が要求されることが多いので、ここでは、微細加工
が可能な露光フィールドの小さい露光装置を用いて、図
１に示したものと同様に分割露光を行うとよい。

【００６１】その後、ソース・ドレインＳ、Ｄを形成す
る。このフォトリソグラフィー工程では、１チップの被
露光領域全域を分割露光しても、一括露光してもいずれ
でも構わない。

【００６２】続いて、図３（ｄ）に示すように、供給口
１２０の形成位置及びその周辺に選択的に減圧ＣＶＤ法
によるシリコン窒化膜１０７を形成する。シリコン窒化
膜１０７の厚さは例えば２００〜３００ｎｍ程度であ
る。このフォトリソグラフィー工程では、１チップの被
露光領域全域を分割露光しても、一括露光してもいずれ
でも構わない。

【００６３】その後、図４（ａ）に示すように、シリコ
ン窒化膜１０７及びフィールド酸化膜１０１の上の全面
に常圧ＣＶＤ法によって、例えば厚さ７００ｎｍのＢＰ
ＳＧ層１０２を形成する。

【００６４】図５（ｂ）に示すように、回路部分ではＢ
ＰＳＧ層１０２にコンタクトホール１１２を開けるフォ
トリソグラフィーを行う。このフォトリソグラフィー工
程は、微細加工が要求され、しかも境界部分を跨ぐよう
な開口パターンを形成する必要がないので、１チップの
被露光領域全域を上述したように分割露光する。

【００６５】そして、図５（ｃ）に示すように、コンタ
クトホール１１２を埋める配線１１３、１１４を形成す
る。ここでのフォトリソグラフィー工程では、１チップ
の被露光領域全域を分割露光しても、一括露光してもい
ずれでも構わないが、この工程では、境界部分を跨ぐよ
うな配線を形成しない、つまり、分割された分割露光領
域内のローカル配線を形成するようにして、繋ぎ目の問
題が生じないようにするとよい。図６の符号１３１は、
ヒータ４とスイッチ素子３とをつなぐローカル配線の一
部を示している。符号１３０は隣接する分割露光領域の
境界部分を示している。さらに、その上の全面に、プラ
ズマＣＶＤ法によって例えば厚さが１．４μｍのシリコ
ン酸化膜１０３を形成する。シリコン酸化膜１０３の表
面はほぼ平坦である。このシリコン酸化膜１０３は回路
部分では層間絶縁膜となる。

【００６６】次に、図５（ｄ）に示すように、このシリ
コン酸化膜１０３にスルーホールパターン１１５を形成
する。このフォトリソグラフィー工程は、微細加工が要
求され、しかも境界部分を跨ぐような開口パターンを形
成する必要がないので、１チップの被露光領域全域を分
割露光する。

【００６７】そして、図５（ｅ）に示すように、スルー
ホール１１５を埋める配線１１６を形成する。このフォ
トリソグラフィー工程では、１チップの被露光領域全域
を分割露光しても、一括露光してもいずれでも構わない
が、この工程では、境界部分を跨ぐような配線を形成す
る。つまり、図６の符号１３２に示すように複数の分割
露光領域に亘るグローバル配線（例えば、電源ライン、
接地ライン、クロックラインなど全ての素子に共通に用
いられる配線）を形成する。従って、一括露光する場合
には問題ないが、微細加工のために分割露光する場合に
は、繋ぎ目１３０で断線などの問題が生じないように、
繋ぎ部分を、所定の重ね合わせ許容度に基づいて、長辺
に沿った方向に重ね合わせて露光するとよい。また、短
辺に沿った方向の断線を防止するために重ね合わせ露光
する部分の配線パターンの幅（短辺に沿った長さ）を配
線の繋ぎ接続部分１３３において、局所的に幅広にする
と良い。又、この工程で同時に、多数の電気熱変換体の
ような吐出エネルギー発生素子を形成する場合には、繋
ぎ部分１３０には電気熱変換体が配置されないようにし
て、複数の分割露光領域に亘って等ピッチで電気熱変換
体を形成するとよい。

【００６８】次に、図４（ｂ）に示すように、インク供
給口６が設けられる位置に合わせ、インク供給口６より
もやや大きく、シリコン酸化膜１０３とＢＰＳＧ層１０
２とを一括して除去する。このとき、除去される部分の
端部は、シリコン窒化膜１０７上には位置するが、その
下にフィールド酸化膜１０１も存在するような位置にあ
るようにする。このフォトリソグラフィー工程では、１
チップの被露光領域全域を分割露光しても、一括露光し
てもいずれでも構わない。

【００６９】続いて、図４（ｃ）に示すように、パッシ
ベーション層となるシリコン窒化膜１０４を例えば厚さ
３００ｎｍ〜８００ｎｍで全面に形成し、耐キャビテー
ション層であるタンタル膜を選択的に形成してから、シ
リコン基板１００の裏面側（図示下側）から、供給口形
成位置のシリコン基板１００と犠牲層であるポリシリコ
ン層１２１を異方性エッチングによって除去し、インク
供給口６を形成する。このフォトリソグラフィー工程で
は、微細加工が要求されないので可能であれば、一括露
光したほうがよい。

【００７０】このとき、インク供給口６の底部には、シ
リコン窒化膜１０４で裏打ちされたシリコン窒化膜１０
７がいわゆるメンブレンとして露出することになる。エ
ッチングの終期には、エッチング液のシリコン基板１０
０表面側（図示上側）への侵入（この時点では、ヒータ
やスイッチなどがすでに形成されている。）はこのメン
ブレンだけによって阻止されることになる。

【００７１】最後に、フッ素系、酸素系のガスを用いた
ドライエッチングにより、インク供給口６の底面に位置
するシリコン窒化膜１０７及びシリコン窒化膜１０４を
除去する。これにより、インク等を供給するためのイン
ク供給口６が貫通孔として設けられた、記録ヘッド用の
基板が完成することになる。

【００７２】以上の工程のうち、インク供給口６を形成
するために必要なフォトリソグラフィー工程は、図３
（ｂ）に示すように酸化膜１０８の一部を除去する工
程、図３（ｃ）に示すように選択的にポリシリコン層１
２１を設ける工程、図３（ｄ）に示すように選択的にシ
リコン窒化膜１０７を設ける工程、図４（ｂ）に示すよ
うに供給口１２０の位置に対応してＢＰＳＧ層１０２及
びシリコン酸化膜１０３をエッチング除去する工程、及
び図４（ｃ）に示すようにシリコン基板１００をエッチ
ングして供給口１２０を形成する工程である。

【００７３】以上説明した工程を変更して、図３（ｄ）
に示したシリコン窒化１０７の形成工程、及び図４
（ｂ）に示したＢＰＳＧ層１０２及びシリコン酸化膜１
０３のエッチング除去工程を省くこともできる。この場
合、貫通孔を形成するためのＢＰＳＧ層１０２のエッチ
ングとシリコン酸化膜１０３のエッチングは、コンタク
トホールの形成工程とスルーホールの形成工程において
同時に行う。したがって、微細加工が要求されるので、
この場合には、上述したとおり分割露光を行う。

【００７４】この回路基板を液体吐出ヘッドに利用する
場合には、基板の上面にオリフィスプレートなどの吐出
口形成部材を設ければよい。

【００７５】以上のように多数のフォトリソグラフィー
工程をミックスアンドマッチによって行うことで、長尺
且つ微細な回路基板や液体吐出ヘッドを形成することが
できる。

【００７６】以上説明した回路基板の製造方法におい
て、ウェーハ（図１の２０）には、シリコンインゴット
と呼ばれるシリコン融液から成長した単結晶をその長手
方向と直交する方向に切り出した板状の基板を用いてい
るが、より長尺なものを作製する場合は、シリコンイン
ゴットをその長手方向に切り出した板状の基板（縦割
り）を用いてもよい。

【００７７】次に、上述した本実施形態の回路基板の製
造方法により作製された回路基板を備える液体吐出ヘッ
ド（インクジェットヘッド）、およびその液体吐出ヘッ
ドを備える記録装置の構成について簡単に説明する。

【００７８】図７は、図２に示した回路基板を備えるイ
ンクジェットヘッドの一部を切り取って示した斜視図で
ある。このヘッドは、複数の吐出口９が所定の方向に２
列に配列された、断面形状が略コの字状のノズル形成部
材８が半導体基板１上に固定された構造になっている。
各吐出口９は半導体基板１側に形成された各ヒータ４と
一対一で対応するようになっており、対応する吐出口９
とヒータ４は対向配置されている。ノズル形成部材８の
内側の空間が液路１１であり、この液路１１には各ヒー
タの熱作用面が面する。

【００７９】図７には示していないが、半導体基板１
の、吐出口形成部材としてのノズル形成部材８の外側の
部分には、パッド・周辺回路２のパッド部が形成されて
おり、このパッド部において、フレキシブル回路基板な
どからなる配線部材の端子との電気的接続がなされる。
また、半導体基板１の裏面（図示下側）には印刷用の液
体（所定の成分のインク）が収容されたインクタンクが
設けられるようになっており、このインクタンクからイ
ンク供給口６を介してインクが液路１１に供給される。

【００８０】上記のように構成されたヘッドでは、外部
に設けられた制御部から配線部材を介して供給される駆
動信号に基づいて各ヒータ４の駆動が制御される。ヒー
タ４がオンされると、その熱作用面において、膜沸騰に
より気泡が発生し、その気泡が膨張することによってイ
ンクが対応する吐出口９から吐出される。インク吐出
後、気泡が消滅すると、これに伴ってインクがインクタ
ンクからインク供給口６を介して液路１１内に充填（リ
フィル）される。通常、各吐出口９の間には隔壁が設け
られ、この隔壁により仕切られた空間に対してインクの
リフィルが行われるが、インク供給口６は、図２に示し
たように、その長さがヒータ４の列の長さとほぼ等しく
なっているので、均一なインクのリフィルを行うことが
できる。

【００８１】以上説明したインクジェットヘッドの構成
は、電気熱変換体であるヒータ（発熱部）と吐出口が対
向して配置されるサイドシュータ型と呼ばれるものであ
ったが、本発明の回路基板の製造方法は、吐出口が、ヒ
ータの熱作用面が面するインク供給路の端部（端面）に
形成されるエッジシュータ型と呼ばれるのヘッドの基板
にも適用することができる。

【００８２】図８は、本発明の回路基板の製造方法によ
り作製された記録ヘッド用回路基板を備える、サイドシ
ュータ型のインクジェットヘッドを有する記録装置の基
本構成を示す模式図である。

【００８３】この記録装置は、フルラインタイプのもの
であって、上述の図４に示したヘッド構造が適用された
インクジェットヘッド３０と、このインクジェットヘッ
ド３０のヘッド面と対向して配置されたプラテン（不図
示）と、このプラテン上に記録媒体（例えば紙）を送り
込むための、ピンチローラ３３および搬送ローラ３２か
らなる給紙部と、プラテン上に送り込まれた記録媒体３
１を排紙するための、拍車３５および排紙ローラ３６か
らなる排紙部と、インクジェットヘッド３０、給紙部、
排紙部の動作を制御する制御部（不図示）とを備える。
制御部は、外部の装置（例えばパーソナルパソコン）か
ら入力されたデータ（例えば画像データ）に基づいて、
インクジェットヘッド３０におけるインク吐出制御を行
う。

【００８４】インクジェットヘッド３０の吐出口は、記
録媒体３１の幅方向に、所定のピッチで一列に配列さ
れ、もしくは、千鳥状に配列されている。吐出口の列の
長さは、ほぼ記録媒体３１の幅に一致する。例えば、記
録媒体がＡ４サイズの記録用紙であれば、吐出口は、そ
のＡ４サイズの幅一杯にわたって形成される（長尺ヘッ
ド）。

【００８５】本記録装置では、まず、記録媒体３１がピ
ンチローラ３３と搬送ローラ３２に挟持されて一定の搬
送速度で図中の矢印ａの方向に搬送されてプラテン上に
送り込まれる。記録媒体３１の先端がインクジェットヘ
ッド３０の記録位置を通過して所定の位置まで搬送され
ると、インクジェットヘッド３０による記録（印刷）が
開始される。このインクジェットヘッド３０による印刷
動作は、外部の装置から入力されるデータに基づいて不
図示の制御部によって制御される。その結果、記録媒体
３１の記録面に入力画像データに応じた画像が印刷され
る。印刷終了後は、記録媒体３１は拍車３５と排紙ロー
ラ３６に挟持され、記録装置外部へ排紙される。

【００８６】ここでは、一例としてフルラインタイプの
記録装置について説明したが、本発明の回路基板の製造
方法により作製された回路基板は、他のタイプの記録装
置、例えば、シリアルスキャンタイプの記録装置にも適
用することができる。

【００８７】以上説明した本発明の回路基板の製造方法
の手順は、サーマルインクジェットプリンタのヘッドの
回路基板に関するものであったが、本発明はこれに限定
されるものではなく、半導体基板上に露光フィールドサ
イズを超える回路パターンが形成されるものであれば、
どのような回路基板にも適用することが可能である。

【００８８】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
半導体基板のサイズが露光フィールドサイズを超える長
尺の回路基板であっても、ステッパ露光装置を用いたス
テッパ露光により微細化を行うことができる。よって、
小型、かつ、印刷画像の品位の高い長尺ヘッドを提供す
ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施形態の回路基板の製造方法にお
いて行われるフォトリソグラフィー工程のステッパ露光
を説明するための図で、（ａ）はインク供給口を形成す
るためのフォトマスク（レチクル）の一例を示す模式
図、（ｂ）はそのフォトマスク（レチクル）を用いたウ
ェーハへの焼付け例を示す模式図である。

【図２】本発明の回路基板の製造方法が適用された回路
基板の分割露光の際の境界部を示す模式図である。

【図３】（ａ）〜（ｄ）は、図２に示すインク供給口を
形成する手順を説明するための工程図である。

【図４】（ａ）〜（ｃ）は、図２に示す回路基板のイン
ク供給口を形成する手順を説明するための工程図であ
る。

【図５】（ａ）〜（ｅ）は、図２に示す回路基板の素子
を形成する手順を説明するための工程図である。

【図６】図２に示す回路基板の配線パターンの一部を示
す図である。

【図７】図２に示す回路基板を備えるインクジェットヘ
ッドの一部を切り取って示した斜視図である。

【図８】本発明の回路基板の製造方法により作製された
記録ヘッド用回路基板を備えるインクジェットヘッドが
適用される記録装置の基本構成を示す模式図である。

【図９】従来の手法により作製された長尺ヘッドの回路
基板の一例を示す図で、（ａ）は回路基板の上面図、
（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ’断面図である。

【図１０】従来の回路基板の製造方法において行われる
フォトリソグラフィー工程を説明するための図で、
（ａ）はインク供給口を形成するためのフォトマスクの
一例を示す模式図、（ｂ）はそのフォトマスクを用いた
ウェーハへの焼付け例を示す模式図である。

【符号の説明】

１ 半導体基板 ２、９０２ パッド・周辺回路 ３、９０３ スイッチ素子 ４、９０４ ヒータ ５、９０５ 周辺回路 ６ インク供給口 ７ａ〜７ｃ 分割露光領域 ８ ノズル形成部材 ９ 吐出口 １０ フォトマスク １０ａ〜１０ｃ マスクパターン １１ 液路 ２０ ウェーハ ２１ チップ ３０ インクジェットヘッド ３１ 記録媒体 ３２ 搬送ローラ ３３ ピンチローラ ３５ 拍車 ３６ 排出ローラ １００ シリコン基板 １０１ フィールド酸化膜 １０２ ＢＰＳＧ層 １０３ シリコン酸化膜 １０４、１０７ シリコン窒化膜 １０８ 酸化膜 １２１ ポリシリコン層 ２００ フォトマスク ２０１ マスクパターン ２１０ ウェーハ ２１１ チップ ２１２ レジストパターン

フロントページの続き (72)発明者 門間 玄三 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ ノン株式会社内 Ｆターム(参考） 2C057 AF93 AG46 AG83 AP02 AP14 AP22 AP31 AP53 AQ02 BA13 2H097 GB01 LA09 LA20 5F046 AA13 AA20 AA25 BA04 CB17

Claims (20)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 複数回のフォトリソグラフィー工程を経
   て、貫通孔を有する回路基板を製造する回路基板の製造
   方法において、 前記貫通孔を形成するための、前記貫通孔のサイズより
   露光フィールドサイズが小さい縮小投影露光装置を用い
   た、少なくとも一回のフォトリソグラフィー工程が、 前記回路基板の被露光領域を前記露光フィールドサイズ
   を超えない大きさの複数の領域に分割し、該分割された
   領域を前記縮小投影露光により逐次露光する露光段階、
   を含むことを特徴とする回路基板の製造方法。
2. 【請求項２】 前記貫通孔は複数回のフォトリソグラフ
   ィー工程を経て形成され、このうち少なくとも１回のフ
   ォトリソグラフィー工程が前記露光段階を含むことを特
   徴とする、請求項１に記載の回路基板の製造方法。
3. 【請求項３】 回路を構成する素子又は配線部の少なく
   ともいずれか一方を形成するための、前記回路基板のサ
   イズより露光フィールドサイズが小さい縮小投影露光装
   置を用いた、少なくとも一回のフォトリソグラフィー工
   程が、 前記回路基板の被露光領域を前記露光フィールドサイズ
   を超えない大きさの複数の領域に分割し、該分割された
   領域を前記縮小投影露光により逐次露光する露光段階、
   を含むことを特徴とする、請求項１に記載の回路基板の
   製造方法。
4. 【請求項４】 前記貫通孔は、複数の素子の配列方向に
   沿った方向に長い平面形状を有することを特徴とする、
   請求項１に記載の回路基板の製造方法。
5. 【請求項５】 前記貫通孔は、複数の素子の配列方向に
   沿った方向に長い平面形状を有し、分割ラインが前記配
   列方向において隣接する２つの素子の間にあることを特
   徴とする、請求項１〜４のいずれか１項に記載の回路基
   板の製造方法。
6. 【請求項６】 複数回のフォトリソグラフィー工程を経
   て、貫通孔を有する回路基板を製造する回路基板の製造
   方法において、 回路を構成する素子又は配線部の少なくともいずれか一
   方を形成するための、前記回路基板のサイズより露光フ
   ィールドサイズが小さい縮小投影露光装置を用いた、少
   なくとも一回のフォトリソグラフィー工程が、 前記回路基板の被露光領域を前記露光フィールドサイズ
   を超えない大きさの複数の領域に分割し、該分割された
   領域を前記縮小投影露光により逐次露光する逐次露光段
   階、を含み、 前記貫通孔を形成するための、少なくとも一回のフォト
   リソグラフィー工程が、 前記貫通孔のサイズより露光フィールドサイズが大きい
   露光装置を用いて、露光する露光段階、を含むことを特
   徴とする回路基板の製造方法。
7. 【請求項７】 前記貫通孔は複数回のフォトリソグラフ
   ィー工程を経て形成され、このうち複数回のフォトリソ
   グラフィー工程が前記露光段階を含むことを特徴とす
   る、請求項６に記載の回路基板の製造方法。
8. 【請求項８】 前記貫通孔は複数回のフォトリソグラフ
   ィー工程を経て形成され、このうち少なくとも１回のフ
   ォトリソグラフィー工程が、 前記回路基板の被露光領域を前記露光フィールドサイズ
   を超えない大きさの複数の領域に分割し、該分割された
   領域を前記縮小投影露光により逐次露光する逐次露光段
   階を含む前記露光段階を含むことを特徴とする、請求項
   ６に記載の回路基板の製造方法。
9. 【請求項９】 前記貫通孔は、複数の素子の配列方向に
   沿った方向に長い平面形状を有することを特徴とする、
   請求項６に記載の回路基板の製造方法。
10. 【請求項１０】 前記貫通孔は、複数の素子の配列方向
    に沿った方向に長い平面形状を有し、分割ラインが前記
    配列方向において隣接する２つの素子の間にあることを
    特徴とする、請求項６〜９のいずれか１項に記載の回路
    基板の製造方法。
11. 【請求項１１】 液体の吐出口と、吐出エネルギー発生
    素子と液体供給用の貫通孔とを有する回路基板と、を備
    え、前記回路基板が複数回のフォトリソグラフィー工程
    を経て作製される、液体吐出ヘッドの製造方法におい
    て、 前記貫通孔を形成するための、前記貫通孔のサイズより
    露光フィールドサイズが小さい縮小投影露光装置を用い
    た、少なくとも一回のフォトリソグラフィー工程が、 前記回路基板の被露光領域を前記露光フィールドサイズ
    を超えない大きさの複数の領域に分割し、該分割された
    領域を前記縮小投影露光により逐次露光する露光段階、
    を含むことを特徴とする液体吐出ヘッドの製造方法。
12. 【請求項１２】 前記貫通孔は複数回のフォトリソグラ
    フィー工程を経て形成され、このうち少なくとも１回の
    フォトリソグラフィー工程が前記露光段階を含むことを
    特徴とする、請求項１１に記載の液体吐出ヘッドの製造
    方法。
13. 【請求項１３】 前記吐出エネルギー発生素子又は配線
    部の少なくともいずれか一方を形成するための、前記回
    路基板のサイズより露光フィールドサイズが小さい縮小
    投影露光装置を用いた、少なくとも一回のフォトリソグ
    ラフィー工程が、 前記回路基板の被露光領域を前記露光フィールドサイズ
    を超えない大きさの複数の領域に分割し、該分割された
    領域を前記縮小投影露光により逐次露光する露光段階、
    を含むことを特徴とする、請求項１１に記載の液体吐出
    ヘッドの製造方法。
14. 【請求項１４】 前記貫通孔は、複数の前記吐出エネル
    ギー発生素子の配列方向に沿った方向に長い平面形状を
    有することを特徴とする、請求項１１に記載の液体吐出
    ヘッドの製造方法。
15. 【請求項１５】 前記貫通孔は、複数の前記吐出エネル
    ギー発生素子の配列方向に沿った方向に長い平面形状を
    有し、分割ラインが前記配列方向において隣接する２つ
    の素子の間にあることを特徴とする、請求項１１〜１４
    のいずれか１項に記載の液体吐出ヘッドの製造方法。
16. 【請求項１６】 液体の吐出口と、吐出エネルギー発生
    素子と液体供給用の貫通孔とを有する回路基板と、を備
    え、前記回路基板が複数回のフォトリソグラフィー工程
    を経て作製される、液体吐出ヘッドの製造方法におい
    て、 前記吐出エネルギー発生素子又は配線部の少なくともい
    ずれか一方を形成するための、前記回路基板のサイズよ
    り露光フィールドサイズが小さい縮小投影露光装置を用
    いた、少なくとも一回のフォトリソグラフィー工程が、 前記回路基板の被露光領域を前記露光フィールドサイズ
    を超えない大きさの複数の領域に分割し、該分割された
    領域を前記縮小投影露光により逐次露光する逐次露光段
    階、を含み、 前記貫通孔を形成するための、少なくとも一回のフォト
    リソグラフィー工程が、 前記貫通孔のサイズより露光フィールドサイズが大きい
    露光装置を用いて、露光する露光段階、を含むことを特
    徴とする液体吐出ヘッドの製造方法。
17. 【請求項１７】 前記貫通孔は複数回のフォトリソグラ
    フィー工程を経て形成され、このうち複数回のフォトリ
    ソグラフィー工程が前記露光段階を含むことを特徴とす
    る、請求項１６に記載の液体吐出ヘッドの製造方法。
18. 【請求項１８】 前記貫通孔は複数回のフォトリソグラ
    フィー工程を経て形成され、このうち少なくとも１回の
    フォトリソグラフィー工程が、 前記回路基板の被露光領域を前記露光フィールドサイズ
    を超えない大きさの複数の領域に分割し、該分割された
    領域を前記縮小投影露光により逐次露光する逐次露光段
    階を含む前記露光段階を含むことを特徴とする、請求項
    １６に記載の液体吐出ヘッドの製造方法。
19. 【請求項１９】 前記貫通孔は、複数の素子の配列方向
    に沿った方向に長い平面形状を有することを特徴とす
    る、請求項１６に記載の液体吐出ヘッドの製造方法。
20. 【請求項２０】 前記貫通孔は、複数の素子の配列方向
    に沿った方向に長い平面形状を有し、分割ラインが前記
    配列方向において隣接する２つの素子の間にあることを
    特徴とする、請求項１６〜１９のいずれか１項に記載の
    液体吐出ヘッドの製造方法。