JP2003140159A

JP2003140159A - 液晶表示素子およびその製造方法

Info

Publication number: JP2003140159A
Application number: JP2001338178A
Authority: JP
Inventors: Masaaki Kabe; 正章加邉; Nobuyuki Shigeno; 信行重野
Original assignee: Sony Corp
Current assignee: Sony Corp
Priority date: 2001-11-02
Filing date: 2001-11-02
Publication date: 2003-05-14

Abstract

(57)【要約】【課題】ゲート線または信号線からの光反射を防止し、
コントラストを向上すると共に、液晶表示素子のセルギ
ャップのバラツキを抑制し、視認性を向上させる。【解決手段】液晶表示素子１００は、ゲート線３と反射
電極４とが配置されている第１の基板としての基板２ａ
と、透明電極７が配置されている第２の基板としての基
板２ｂと、基板２ａと基板２ｂの間に配された液晶層５
と、配向膜６と、第１の位相差板８と、第２の位相差板
９と、偏光板１０と、スペーサー２０とから構成されて
いる。基板２ａのゲート線３の上にスペーサー２０を形
成し、スペーサー２０を挟み込んで基板２ａと基板２ｂ
を張り合わせて形成した液晶表示素子１００に液晶を注
入し、そして両基板２ａ，２ｂの外側から液晶表示素子
１００を加圧し、基板２ｂがスペーサー２０と緊密に接
触した状態で注入口を封止する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、反射型または半
透過型の液晶表示素子およびその製造方法に関する。詳
しくは、第１の基板の少なくともゲート線または信号線
の上にスペーサーを設けることによって、ゲート線また
は信号線からの外光の反射光を防止し、コントラストを
向上すると共に、液晶表示素子のセルギャップのバラツ
キを抑制し、視認性を向上するようにした液晶表示素子
およびその製造方法に係るものである。

【０００２】

【従来の技術】現在、カラーディスプレイのうち、薄
型、軽量等の特徴を有するものとして、液晶表示装置
（ＬＣＤ：Liquid Crystal Display）が多用されてい
る。この液晶表示装置は、透過型液晶表示装置と、反射
型液晶表示装置とに大別することが可能である。

【０００３】そのうち、カラー液晶表示装置として現在
特に広く用いられているものは、背景、即ち、液晶セル
の背面に、いわゆる背景照明（バックライト）と呼ばれ
る光源を用いた透過型液晶表示装置である。該透過型液
晶表示装置は、薄型、軽量等の利点を有し、各種分野に
おいてその用途が拡大しているが、その一方で、背景照
明（バックライト）を発光させるために多量の電力を消
費し、液晶の透過率変調に用いる電力が少ないにも拘ら
ず、比較的大きな電力を要する。

【０００４】この透過型液晶表示装置に対して、他の表
示方式である反射型液晶表示装置（特開平１１−１４２
８３６号参照）は、バックライトを必要としないため光
源用電力が削減可能であり、さらに、バックライトのス
ペースや重量が節約できる等の特徴を有している。即
ち、表示装置全体として、消費電力の低減が実現でき、
小型のバッテリーを用いることが可能になり、軽量薄型
を目的とする機器に適している。

【０００５】上述の外に、反射型液晶表示装置の利点を
生かし、かつ、周囲照明光が弱い環境下での使用を可能
にする液晶表示装置として、外光とバックライト光の両
方を利用できるようにした半透過型液晶表示装置も考案
されている（特開平１１−２４２２２６号参照）。

【０００６】以下、反射型液晶表示装置に用いられてい
る反射型液晶表示素子の構成例および製造方法について
説明する。図１１は、ノーマリホワイトモードの従来の
反射型液晶表示素子１の断面図である。また、図１１は
電圧無印加時の液晶の配向状態も同時に示している。液
晶配向は簡単のために、ホモジニアス配向を図示してい
るが、ツイスト配向でも以下の説明は同様に適用でき
る。

【０００７】この反射型液晶表示素子１は、ゲート線３
と反射電極４とが配置されている基板２ａと、透明電極
７が配置されている基板２ｂと、基板２ａと基板２ｂの
間に配された液晶層５と、基板２ａおよび基板２ｂの表
面に塗布された配向膜６と（基板２ａの配向膜６は図示
を省略）、第１の位相差板８と、第２の位相差板９と、
偏光板１０とから構成されている。基板２ａは、図１２
に示すように、表面にフォトエッチングによりパターン
電極（反射電極４とゲート線３と信号線１１とを含む）
が形成される。

【０００８】反射電極４は、反射によって出射する光線
を散乱させるために、表面に凹凸状の散乱型とされる。
また、反射型液晶表示素子１の場合、反射電極４は表示
電極となる。反射電極４は薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：
Thin Film Transistor）駆動方式が用いられる。

【０００９】基板２ｂは、表面に透明電極７が配置さ
れ、その上に配向膜６が塗布されている。液晶層５は、
基板２ａと基板２ｂの間に配されている。この液晶層５
の電圧無印加時の液晶の配向状態は、図１１に示すよう
に、反射電極４上とゲート線３上の共に水平配向になっ
ている。このような状態において、図１３に示すような
偏光状態の変化をたどり、外部からの入射光は、ゲート
線３（図１３（ａ）参照）と反射電極４（図１３（ｂ）
参照）で反射され、出射する。また、信号線１１の場合
はゲート線３と同様である。

【００１０】図１４は、液晶表示素子１の電圧印加時の
液晶配向状態を示している。図１４に示すように、液晶
表示素子１に電圧を印加する時、反射電極４上の液晶は
ほぼ垂直配向になっている。しかし、ゲート線３上の液
晶は応答せず、電圧を印加しないときの配向のままであ
る。このような状態において、図１５に示すように、外
部からの入射光は、反射電極４上では、偏光板１０に吸
収されるため、外部には出射されず、黒状態となる（図
１５（ｂ）参照）。しかし、ゲート線３上では、液晶の
配向が、電圧無印加時と同じため、外部からの入射光
は、ゲート線３で反射され、出射する（図１５（ａ）参
照）。

【００１１】図１６は、従来の液晶表示素子の製造プロ
セスを示している。上述した反射型液晶表示素子の製造
過程は、まず、ステップＳ０１で、フォトエッチングに
より基板２ａの上にパターン電極（反射電極４とゲート
線３と信号線１１とを含む）を形成する。

【００１２】次に、ステップＳ０２で、基板２ａおよび
基板２ｂに液晶分子配列のための配向膜６形成する。配
向膜６が形成後、ラビングを処理を行う。このラビング
処理によって液晶分子の平行配列の方位を一定化する。
次に、ステップＳ０３で、液晶層の厚さを決定するため
に、いずれかの基板上（両方の基板の場合も有る）に透
明で、円筒状もしくは粒状の微少なスペーサーを散布
し、このスペーサーを挟み込んで両基板を貼り合わせ、
液晶表示素子１の組み立てを行い、それから液晶表示素
子１の周辺を封着材で付着する。

【００１３】次に、ステップＳ０４で、液晶の注入口
（図示せず）より液晶を両基板２a、２ｂの間に注入す
る。次に、ステップＳ０５で、液晶を注入した後に注入
口（図示せず）をＵＶ硬化樹脂で封止する。次に、ステ
ップＳ０６で、第１の位相差板８、第２の位相差板９、
偏光板１０、図示しないコネクタ等の付属品を取り付け
る。このようにして図１０に示す液晶表示素子１が形成
される。

【００１４】

【発明が解決しようとする課題】上述したように、従来
の反射型液晶表示素子１では、反射電極４上ではもちろ
んのこと、ゲート線３上にも液晶層５が存在するため、
電圧無印加時には、外部からの入射光は、反射電極４
上、およびゲート線３上のそれぞれで、偏光板１０、位
相差板８，９、液晶層５を通過するたびに図１３のよう
な偏光状態の変化をたどり、反射電極４上はもちろんの
こと、ゲート線３上でも入射光は出射する。また信号線
１１（図示せず）では、ゲート線３と同様である。

【００１５】また、電圧印加時には、反射電極４上の液
晶は、図１４に示すようにほぼ垂直配向になるが、ゲー
ト線３上の液晶は、応答せず、電圧無印加時の配向のま
まである。このような状態において、図１５に示すよう
に、外部からの入射光は、反射電極４上では、偏光板１
０に吸収されるため、外部には出射されない。このため
黒状態となる。しかし、ゲート線３上では、前述のとお
り、液晶の配向が、電圧無印加時と同じため、外部から
の入射光は、ゲート線３で反射され、出射する。このた
め、液晶表示素子１は十分な黒状態が達成されず、コン
トラストの低下を招いていた。また、半透過型液晶表示
素子においても反射型液晶表示素子１と同様な問題があ
る。

【００１６】そこで、この発明は、ゲート線または信号
線からの光反射を防止し、コントラストを向上する液晶
表示素子を提供することを目的とする。また、その液晶
表示素子のセルギャップのバラツキを抑制でき、視認性
を向上し得る製造方法を提供することを目的とする。

【００１７】

【課題を解決するための手段】この発明に係る液晶表示
素子は、反射機能を持つ表示電極とゲート線および信号
線を有する第１の基板と、透明電極を有する第２の基板
と、第１及び第２の基板間に配された液晶層とを備える
液晶表示素子において、第１の基板の少なくともゲート
線上または信号線上にスペーサーを設けるものである。

【００１８】また、この発明に係る液晶表示素子の製造
方法は、反射機能を持つ表示電極とゲート線および信号
線を有する第１の基板と、透明電極を有する第２の基板
と、第１及び第２の基板間に配された液晶層とを備える
液晶表示素子の製造方法において、第１の基板の少なく
ともゲート線または信号線上にスペーサーを形成する形
成工程と、スペーサーを挟み込んで第１と第２の基板を
張り合わせて形成した空間に、液晶を注入口より注入す
る注入工程と、第１と第２の基板の外側から液晶表示素
子に圧力を加え、第２の基板とスペーサーを緊密に接触
させた状態で、注入口を封止する封止工程とを有するも
のである。

【００１９】この発明に係る液晶表示素子においては、
第１の基板の少なくともゲート線または信号線の上にス
ペーサー、例えば、ストライプ状または格子状のスペー
サー、あるいはスペーサー柱が形成される。これによ
り、ゲート線または信号線からの光反射を防止し、コン
トラストを向上することが可能となる。

【００２０】また、この発明に係る液晶表示素子の製造
方法においては、液晶の注入口を封止する前に、例え
は、液晶注入前または注入後に、第１と第２の基板の外
側から液晶表示素子に圧力を加え、第２の基板がスペー
サーと緊密に接触した状態で注入口を封止することによ
って、液晶表示素子のセルギャップのバラツキを抑制で
き、視認性を向上することが可能となる。

【００２１】

【発明の実施の形態】以下、図面を参照しながら、この
発明の実施の形態について説明する。図１は、実施の形
態としての液晶表示素子１００の構成を示している。こ
の液晶表示素子１００は、反射型液晶表示素子である。
また、この図１において、図１０と対応する部分には同
一符号を付して示している。

【００２２】図１に示す液晶表示素子１００は、ゲート
線３と反射電極４とが配置されている第１の基板として
の基板２ａと、透明電極７が配置されている第２の基板
としての基板２ｂと、基板２ａと基板２ｂの間に配され
た液晶層５と、基板２ａおよび２ｂの表面に塗布された
配向膜６と（基板２ａの配向膜６は図示を省略）、第１
の位相差板８と、第２の位相差板９と、偏光板１０と、
スペーサー２０とから構成されている。

【００２３】図２は、基板２ａを基板２ｂから見た図で
ある。基板２ａは、表面にフォトエッチングによりパタ
ーン電極（反射電極４とゲート線３と信号線１１とを含
む）が形成される。ゲート線３の上にスペーサー２０が
設けられている。このスペーサー２０は、感光性材料、
例えば、ＮＮ７１０（ＪＳＲ株式会社製）で形成され
る。このスペーサー２０は、例えば、幅３μｍのストラ
イプ状、高さ約２μｍとされる。

【００２４】反射電極４は、反射によって出射する光線
を散乱させるために、表面に凹凸状の散乱型とされる。
また、反射型液晶表示素子１の場合、反射電極４は表示
電極となる。反射電極４は薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：
Thin Film Transistor）駆動方式が用いられる。基板２
ｂは、表面に透明電極７が配置され、その上に配向膜６
が塗布されている。液晶層５は、基板２ａと基板２ｂの
間に配されている。

【００２５】このような液晶表示素子１００の外光反射
の様子を、図３および図４に示している。図３は、液晶
表示素子１００に電圧無印加時における外光反射の様子
を示している。図３（ａ）は、ゲート線３上の外光反射
の様子、図３（ｂ）は、反射電極４上の外光反射の様子
である。

【００２６】図３（ａ）に示すように、ゲート線３の上
には、スペーサー２０が設けられ、液晶層５が存在しな
い。この場合、ゲート線３で反射した光は、偏光板１０
の吸収軸と平行方向の電気ベクトルを持つ直線偏光にな
るため、偏光板１０で吸収され、外部に出射しない。ま
た、図３（ｂ）に示すように、反射電極４の上には液晶
層５が存在するため、入射した外光は反射して、外部に
出射する。

【００２７】図４は、液晶表示素子１００に電圧印加時
における外光反射の様子を示している。図４（ａ）はゲ
ート線３上の外光反射の様子、図４（ｂ）は、反射電極
４上の外光反射の様子である。図４（ａ）に示すよう
に、ゲート線３の上には液晶層５が存在しないため、図
３（ａ）と同様に、入射した外光は反射して偏光板１０
で吸収され、外部に出射しない。また、図４（ｂ）に示
すように、反射電極４の上には液晶層５が存在するた
め、電圧を印加すると、液晶の配向が水平から垂直に
（図１４参照）変化し、反射電極４で反射した光は、入
射時と同方向に偏光され、偏光板１０で吸収され、外部
に出射しない。また、この場合、信号線１１上にはスペ
ーサー２０を設けていないため、信号線１１から反射し
て外部に出射する外光が存在する。

【００２８】次に、液晶表示素子１００の製造方法につ
いて説明する。液晶表示素子１００の製造方法は、パタ
ーン電極（反射電極４とゲート線３と信号線１１とを含
む）が形成された基板２ａのゲート線３の上にスペーサ
ー２０を形成し、スペーサー２０を挟み込んで基板２ａ
と基板２ｂを張り合わせて形成した液晶表示素子１００
に液晶を注入し、そして基板２ａと基板２ｂの外側から
液晶表示素子１００に圧力を加え、基板２ｂとスペーサ
ー２０とが緊密に接触した状態で注入口を封止する。

【００２９】図５は、液晶表示素子１００の製造プロセ
スを示している。図５に示すように、液晶表示素子１０
０の製造は、まず、ステップＳ１で、フォトエッチング
により基板２ａの上にパターン電極を形成する。

【００３０】次に、ステップＳ２で、基板２ａのゲート
線３部分にスペーサー２０を形成する。図６は、スペー
サー２０の形成工程を示している。この工程では、ま
ず、図６（ａ）に示すように、ゲート線３および反射電
極４が配置された基板２ａの表面に感光性材料、例え
ば、ＮＮ７１０（ＪＳＲ株式会社製）を塗布する。次
に、図６（ｂ）に示すように、感光性材料塗層の上にス
トライプ状パターンを有するフォトマスク１２を設置し
て、紫外線（ＵＶ）を照射する。次に、ＵＶ照射後の基
板２ａを処理し、感光性材料塗層の不要部分（未露光
部）を除去すると、スペーサー２０が形成される（図６
（ｃ）参照）。

【００３１】また、ステップＳ３で、基板２ａ、および
対向基板２ｂに配向膜６を形成する。配向膜形成後、ラ
ビング処理を行う。ラビングはアンチパラレルラビング
になるように行う。このラビング処理によって液晶分子
の平行配列の方位を一定化にする。

【００３２】ステップＳ４で、スペーサー２０を挟み込
んで基板２ａと基板２ｂを貼り合わせ、液晶表示素子１
００の組み立てを行い、そして液晶表示素子１００の周
辺を付着する。この場合、セルギャップをスペーサー２
０で保っているため、スペーサービーズを散布する必要
がない。

【００３３】ステップＳ５で、液晶の注入口（図示せ
ず）より液晶を基板２ａと基板２ｂの間に注入する。ス
テップＳ６で、液晶注入後、両基板２ａ，２ｂの外側か
ら加圧し、例えば、液晶表示素子１００の全体に対して
０．２ＭＰａの圧力を加える。これによって、スペーサ
ー２０上に存在する液晶が排除され、基板２ｂとスペー
サー２０を緊密に接触させることが可能となる。

【００３４】ステップＳ７で、液晶表示素子１００が加
圧されている状態で、注入口（図示せず）にＵＶ硬化樹
脂の封止剤を塗布し、加圧を解除したのち、封止剤にＵ
Ｖ光を照射し硬化させ、注入口を封止する。次に、ステ
ップＳ８で、第１の位相差板８、第２の位相差板９、偏
光板１０、図示しないコネクタ等の付属品を取り付け
る。このようにして図１に示す液晶表示素子１００が形
成される。

【００３５】上述の方法で製造された反射型液晶表示素
子１００の光反射を顕微鏡で観察した結果、スペーサー
２０が形成されている部分は反射がなく、黒い状態であ
ることを確認した。また、この液晶表示素子１００のコ
ントラストを測定した。図７は、コントラストの測定状
態を示す図である。

【００３６】図７に示すように、基板法線方向より３０
度傾いた方向から平行光を入射し、基板法線にて、液晶
表示素子１００からの反射光を受光するものである。こ
のように測定したコントラストは５０であった。ここ
で、比較例１として、スペーサー２０を形成せず、スペ
ーサービーズを散布した反射型液晶表示素子を作製し
た。

【００３７】上述した液晶表示素子１００と同様に、比
較例１の光反射を顕微鏡で観察した結果、ゲート線３の
部分から反射して出射する外光があることを確認した。
また、上述した液晶表示素子１００と同様に、比較例１
のコントラストを測定した結果、コントラストは４０で
あった。これにより、ゲート線３上にスペーサー２０を
形成すると、暗状態時の反射率が低下するため、コント
ラストを向上させることができる。

【００３８】また、比較例２として、上述した方法で、
液晶注入後、液晶表示素子を加圧せずに封止した液晶表
示素子を作製した。この比較例２の場合、封止する際
に、加圧していないため、基板２ｂとスペーサー２０と
が緊密に接触していない。上述した液晶表示素子１００
と比べ、セルギャップバラツキ起因による液晶表示素子
の輝度バラツキが目立ち、視認性を悪化させていること
を確認した。

【００３９】このように本実施の形態においては、液晶
２ａのゲート線３の上にスペーサー２０を形成すること
によって、ゲート線３からの光反射を防止でき、コント
ラストを向上させることができる。

【００４０】また、液晶注入後に、両基板２ａ，２ｂの
外側から液晶表示素子１００を加圧し、基板２ｂとスペ
ーサー２０とを緊密に接触させた状態で注入口を封止す
ることによって、液晶表示素子１００のセルギャップの
バラツキを抑制でき、視認性を向上することができる。

【００４１】また、この液晶表示素子１００は、セルギ
ャップをスペーサー２０で保っているため、スペーサー
ビーズを散布する必要がない。液晶表示素子１００の耐
衝撃性も、従来のスペーサービーズを用いた液晶表示素
子１に比べ、大幅に向上し、その強度は通常のペン入力
に十分耐えられるものとなる。

【００４２】なお、上述実施の形態においては、スペー
サー２０はゲート線３に沿ってストライプ状に形成され
たものであるが、これに限定されるものではない。例え
ば、信号線１１に沿ってストライプ状のスペーサー２０
を形成してもよい。

【００４３】また、上述実施の形態においては、スペー
サー２０はストライプ状に形成されたものであるが、こ
れに限定されるものではない。例えば、格子状または柱
状にしてもよい。

【００４４】図８は、スペーサーの他の例を示してい
る。図８は液晶表示素子１００の基板２ａを基板２ｂ側
から見た図である。図に示すように、スペーサー２１は
ゲート線３および信号線１１上に格子状に形成されてい
る。この場合、全てのゲート線３および信号線１１の部
分がスペーサー２１によって覆われ、ゲート線３および
信号線１１からの反射光の出射を完全に抑制でき、より
一層のコントラストの向上が可能となる。

【００４５】図９は、スペーサーの他の例を示してい
る。図９は液晶表示素子１００の基板２ａを基板２ｂ側
から見た図である。図に示すように、スペーサー２２は
ゲート線３上にストライプ状スペーサー２２ａと、信号
線１１上に長さがストライプ状スペーサー２２ａの間隔
より短いストライプ状スペーサー２２ｂを有する形状に
形成されている。この場合、ゲート線３および信号線１
１のほとんどの部分がスペーサー２２によって覆われ、
入射光の反射を有効に抑制するとともに、スペーサー２
２ｂの両端とスペーサー２２ａの間に隙間を設けたため
液晶の注入が容易である。

【００４６】図１０は、スペーサーの他の例を示してい
る。図１０は液晶表示素子１００の基板２ａを基板２ｂ
側から見た図である。図に示すように、スペーサー２３
は柱状に形成されている。この場合、ゲート線３および
信号線１１をスペーサー２３によって覆う面積が格子状
のスペーサー２１より少ないが、スペーサー２３の間に
所定の間隔があるため液晶の注入が容易である。

【００４７】また、上述実施の形態においては、反射型
の液晶表示素子１００の例を説明したが、これに限定さ
れるものではない。半透過型の液晶表示素子にもこの発
明を同様に適用できる。また、上述実施の形態において
は、液晶の配向はホモジニアス配向の例を説明したが、
これに限定されるものではない。例えば、ツイスト配向
の場合にもこの発明を同様に適用できる。

【００４８】

【発明の効果】この発明に係る液晶表示素子によれば、
第１の基板の少なくともゲート線または信号線の上にス
ペーサーを設けることにより、ゲート線または信号線か
らの光反射を防止し、コントラストを向上できる。

【００４９】また、この発明に係る液晶表示素子の製造
方法によれば、液晶の注入口を封止する前に第１と第２
の基板の外側から液晶表示素子に圧力を加え、第２の基
板がスペーサーと緊密に接触した状態で注入口を封止す
ることによって、液晶表示素子のセルギャップのバラツ
キを抑制でき、視認性を向上できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】実施の形態の液晶表示素子の構成を示す図であ
る。

【図２】基板２ａを基板２ｂ側から見た図である。

【図３】電圧印加なしの場合の外光反射の様子を示す図
である。

【図４】電圧印加ありの場合の外光反射の様子を示す図
である。

【図５】液晶表示素子の製造プロセスを示す図である。

【図６】スペーサー形成工程を示す図である。

【図７】コントラストの測定状態を示す図である。

【図８】スペーサーの他の例を示す図である。

【図９】スペーサーの他の例を示す図である。

【図１０】スペーサーの他の例を示す図である。

【図１１】従来の液晶表示素子の構成を示す図である。

【図１２】基板２ａを基板２ｂ側から見た図である。

【図１３】電圧印加しない場合の外光反射の様子を示す
図である。

【図１４】液晶表示素子の電圧印加時の液晶配向状態を
示す図である。

【図１５】電圧印加する場合の外光反射の様子を示す図
である。

【図１６】従来の液晶表示素子の製造プロセスを示す図
である。

【符号の説明】

１，１００・・・液晶表示素子、２ａ・・・第１の基
板、２ｂ・・・第２の基板、３・・・ゲート線、４・・
・反射電極、５・・・液晶層、６・・・配向膜、７・・
・透明電極、８・・・第１の位相差板、９・・・第２の
位相差板、１０・・・偏光板、１１・・・信号線、１２
・・・フォトマスク、１３・・・光源、１４・・・受光
器、２０，２１，２２，２３・・・スペーサー

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続きＦターム(参考） 2H089 LA09 LA12 LA18 MA03X NA05 NA14 QA14 TA09 TA15 TA17 2H092 JA24 JB07 JB22 JB31 NA01 PA02 PA03 PA11 5C094 AA02 AA06 BA03 BA43 CA19 DA07 DB01 EA04 EA07 EB02 EC02 EC03 ED14

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】反射機能を持つ表示電極とゲート線およ
び信号線を有する第１の基板と、透明電極を有する第２
の基板と、上記第１及び第２の基板間に配された液晶層
とを備える液晶表示素子において、上記第１の基板の少なくとも上記ゲート線上または上記
信号線上にスペーサーを設けることを特徴とする液晶表
示素子。
【請求項２】上記スペーサーは、壁状に形成されるこ
とを特徴とする請求項１に記載の液晶表示素子。
【請求項３】上記壁状のスペーサーは、ゲート線また
は信号線上にストライプ状に形成されることを特徴とす
る請求項２に記載の液晶表示素子。
【請求項４】上記壁状のスペーサーは、ゲート線およ
び信号線上に格子状に形成されることを特徴とする請求
項２に記載の液晶表示素子。
【請求項５】上記壁状のスペーサーは、上記ゲート線
または上記信号線上のストライプ状スペーサーと、上記
信号線または上記ゲート線上の上記ストライプ状スペー
サーの間隔より長さが短いストライプ状スペーサーとか
らなることを特徴とする請求項２に記載の液晶表示素
子。
【請求項６】上記スペーサーは、柱状に形成されるこ
とを特徴とする請求項１に記載の液晶表示素子。
【請求項７】反射機能を持つ表示電極とゲート線およ
び信号線を有する第１の基板と、透明電極を有する第２
の基板と、上記第１及び第２の基板間に配された液晶層
とを備える液晶表示素子の製造方法において、上記第１の基板の少なくとも上記ゲート線または上記信
号線上にスペーサーを形成する形成工程と、上記スペーサーを挟み込んで上記第１と第２の基板を張
り合わせて形成した空間に、液晶を注入口より注入する
注入工程と、上記第１と第２の基板の外側から液晶表示素子に圧力を
加え、上記第２の基板と上記スペーサーを緊密に接触さ
せた状態で、上記注入口を封止する封止工程とを有する
ことを特徴とする液晶表示素子の製造方法。
【請求項８】上記形成工程は、感光材料層を塗布するステップと、上記感光材料層にパターン露光して硬化させるステップ
と、上記感光材料層の未露光部を除去するステップとを有す
ることを特徴とする請求項７に記載の液晶表示素子の製
造方法。