JP2003137578A - Method and device for splitting brittle material and method of manufacturing electronic component - Google Patents

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method of splitting a work to be split capable of improv ing working efficiency and splitting precision, and to provide a device for the same. SOLUTION: In the method of splitting the work 1 and the device for the same, a crack formed on a starting point 7a on the work 1 is progressed along a predetermined splitting line 12 by heating with a heat source 4, wherein, the shape of a heating spot S is formed on a lower end of a hollow pipe 5 in an elliptical shape, the long axis of which is aligned with the predetermined splitting line 12, the elliptical heating spot S is moved along the predetermined splitting line 12 so as to continuously progress the crack.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【０００１】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、例えばガラスやセ
ラミックスなどの脆性材料に、レーザ、バーナー、光
源、電熱ヒータなどの熱源を局部的に照射して加熱し、
その加熱により発生する熱応力を利用して脆性材料を割
断する割断加工方法およびその装置、並びにそれらを用
いた電子部品の製造方法に関するものである。TECHNICAL FIELD The present invention relates to heating brittle materials such as glass and ceramics by locally irradiating them with a heat source such as a laser, a burner, a light source, and an electric heater.
The present invention relates to a cleaving method and a device for cleaving brittle materials by utilizing thermal stress generated by the heating, and a method for manufacturing electronic parts using them.

【０００２】[0002]

【従来の技術】電子部品である液晶装置や有機エレクト
ロルミネッセンス（以下、「有機ＥＬ」と記す）装置な
どからなるフラットパネルディスプレイの製造、あるい
は、半導体材料等のウェハの製造においては、大面積の
ガラス基板あるいはシリコンなどからなるウェハの上
に、複数個分の要素を形成した後、複数個に割断して所
要寸法のパネルあるいはチップ（製品）を得るという方
法が採用されるため、その製造時にガラス基板またはウ
ェハを所定の割断予定線に沿って割断するという工程が
不可欠である。2. Description of the Related Art In the manufacture of a flat panel display including a liquid crystal device which is an electronic component, an organic electroluminescence (hereinafter referred to as "organic EL") device, or a wafer such as a semiconductor material, a large area is used. A method of forming a plurality of elements on a glass substrate or a wafer made of silicon, etc., and then cutting it into a plurality of pieces to obtain panels or chips (products) of the required size is adopted. A process of cutting a glass substrate or a wafer along a predetermined planned cutting line is indispensable.

【０００３】このような脆性材料からなるガラス基板な
どの被加工物を割断する方法としては、（ａ）ダイヤモ
ンド工具などの超硬工具の尖った先端や鋭い周縁部を被
加工物表面に押しつけて移動させることにより、被加工
物の表面に割断予定線に沿う溝（スクライブ線）を形成
し、その後溝に沿って被加工物に曲げや引っ張りなどの
機械的な衝撃力を加える方法や、（ｂ）レーザビームを
光学系により集光して被加工物の表面に微小スポットで
照射し、被加工物を局部的に溶解もしくは蒸発させ、さ
らにレーザビームの照射位置を割断予定線上に沿って走
査することにより被加工物を割断する方法などがある。As a method of cleaving a workpiece such as a glass substrate made of such a brittle material, (a) a sharp tip or a sharp peripheral edge of a cemented carbide tool such as a diamond tool is pressed against the surface of the workpiece. By moving, a groove (scribe line) is formed on the surface of the work piece along the planned cleavage line, and then a mechanical impact force such as bending or pulling is applied to the work piece along the groove, ( b) A laser beam is focused by an optical system to irradiate the surface of the work piece with a minute spot to locally dissolve or evaporate the work piece, and the irradiation position of the laser beam is scanned along the planned cutting line. There is a method of cleaving the workpiece by doing so.

【０００４】しかしながら、上記（ａ）の方法は、割断
に非常に時間がかかるとともに、長い複雑な曲折の割断
は困難であった。また、上記（ｂ）の方法は、レーザビ
ームの照射により溶解・蒸発した物質が被加工物や被加
工物上の要素に付着して要素の電極部の導電性を劣化さ
せてしまったり、分離の熱影響によってマイクロクラッ
クが発生して被加工物を劣化させてしまうことがあっ
た。さらに、レーザビームを細く絞ってもそのスポット
径を細く絞りきれないため、切りしろをなくすことがで
きず、しかも蒸発等による材料の損失が避けられないな
どの問題があった。However, in the above method (a), it takes a very long time to cleave, and it is difficult to cleave long and complicated bends. Further, in the method (b), the substance dissolved / vaporized by the irradiation of the laser beam adheres to the work piece or the element on the work piece to deteriorate the conductivity of the electrode part of the element, or to separate the element. There was a case where micro cracks were generated due to the heat effect of and the work piece was deteriorated. Further, even if the laser beam is narrowed down, the spot diameter cannot be narrowed down so that the cutting margin cannot be eliminated, and further there is a problem that material loss due to evaporation or the like cannot be avoided.

【０００５】そこで、最近では、被加工物に切り欠きあ
るいは面取り等の加工始点を形成しておき、その近傍に
レーザビームを照射することによって、そのビーム中心
に作用する圧縮応力とその周辺に作用する引っ張り応力
とによる熱応力で、ビーム中心から加工始点まで延びる
亀裂を発生させ、ついでレーザビームを割断すべき方向
に沿って移動させることで、そのレーザビームによる熱
応力で亀裂を連続して進展させていき、被加工物を割断
する方法が提案させている。そして、その一例として特
開平１−１０８００６号公報などに開示された発明があ
げられる。なお、加熱する熱源としては、レーザの他に
バーナー、光源、電熱ヒータなどを用いることができ
る。Therefore, recently, a processing start point such as a notch or chamfer is formed on a workpiece, and a laser beam is irradiated in the vicinity of the processing start point, so that a compressive stress acting on the center of the beam and a peripheral portion thereof are applied. The thermal stress caused by the tensile stress causes a crack to extend from the beam center to the processing start point, and then the laser beam is moved along the direction in which it should be split, so that the thermal stress caused by the laser beam continuously propagates the crack. Then, a method of cutting the workpiece is proposed. An example thereof is the invention disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. 1-108006. As the heat source for heating, a burner, a light source, an electric heater or the like can be used in addition to the laser.

【０００６】[0006]

【発明が解決しようとする課題】上記のようなレーザ等
の熱源を利用した脆性材料の割断加工方法は、熱源の移
動経路に対する亀裂の追随性をよくするために、熱応力
を集中させる、つまり熱源の中心と周囲との温度差を大
きくするとよい。しかしながら、そのような大きな温度
差を得るためには、熱源を細く絞ってパワー密度（単位
面積当たりの熱量）を高くしなければならず、高くする
と被加工物が溶解してしまうなどの問題があった。The method of cutting brittle materials using a heat source such as a laser as described above concentrates thermal stress in order to improve the followability of cracks to the moving path of the heat source. It is advisable to increase the temperature difference between the center of the heat source and the surroundings. However, in order to obtain such a large temperature difference, it is necessary to narrow down the heat source to increase the power density (heat amount per unit area), and if it is increased, there is a problem that the workpiece is melted. there were.

【０００７】また、被加工物に溶解が生じない程度のパ
ワー密度で亀裂の誘導に必要な熱応力が得られるように
するためには、通常、熱源を細く絞らずに比較的大きな
スポット径で被加工物に照射していた。しかしながら、
この細く絞れない熱源によって、被加工物の割断予定線
近傍に設けられた要素がそのスポット径の範囲に含まれ
てしまい、熱源が照射されることによってその要素が熱
的ストレスを受けてしまうという問題があった。Further, in order to obtain the thermal stress necessary for inducing cracks at a power density that does not cause melting in the work piece, usually, a relatively large spot diameter is used without narrowing the heat source. It was irradiating the work piece. However,
Due to this heat source that cannot be narrowed down, the element provided near the planned cutting line of the work piece is included in the range of the spot diameter, and the element is subjected to thermal stress due to irradiation of the heat source. There was a problem.

【０００８】そこで、上記のような問題を回避し、割断
精度を向上させるには、熱源のスポット形状を楕円形
状にすること、および、熱源の中心と周囲のとの温度
差を大きくする、特に熱源により照射された直後の部分
を冷却することなどがあげられる。Therefore, in order to avoid the above problems and improve the cutting accuracy, the spot shape of the heat source is made elliptical, and the temperature difference between the center and the periphery of the heat source is increased. Examples include cooling the portion immediately after being irradiated by the heat source.

【０００９】上記の熱源のスポット形状を楕円形状に
する一例としては、特開平１０−３４３６３号公報およ
び特開平６−３９５７２号公報に開示された発明があ
る。特開平１０−３４３６３号公報に開示された帯状熱
源による脆性材料の割断加工方法は、円柱レンズを用い
た光学系で熱源を割断予定線に沿う方向が長径でその直
交方向が短径となるように帯状に集束し、その状態で脆
性材料からなる被加工物に照射して被加工物の加工始点
に形成した亀裂を割断予定線上に沿って誘導する方法で
ある。これにより、熱源のパワー密度を高くすることな
く被加工物に生じる温度分布の勾配が熱源を帯状とした
方に急峻となり、しかも割断予定線を直交する方向に対
して熱的な影響が及ぶ範囲が狭くなる。As an example of making the spot shape of the heat source into an elliptical shape, there are the inventions disclosed in JP-A-10-34363 and JP-A-6-39572. In the method of cleaving a brittle material with a band-shaped heat source disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 10-34363, an optical system using a cylindrical lens has a major axis in a direction along a planned cleavage line of the heat source and a minor axis in a direction orthogonal thereto. It is a method of converging in a strip shape on the substrate and irradiating a work piece made of a brittle material in that state to induce a crack formed at a processing start point of the work piece along a planned cutting line. As a result, the gradient of the temperature distribution that occurs in the workpiece without increasing the power density of the heat source becomes steeper in the band of the heat source, and the thermal influence is exerted in the direction orthogonal to the planned cleavage line. Becomes narrower.

【００１０】また、特開平６−３９５７２号公報に開示
されたウェハ割断装置は、レーザ光源からのレーザビー
ムを偏向してウェハの割断予定線に沿って走査する回転
ミラー等のビーム走査手段を設け、この走査手段により
ウェハへのビーム照射位置を、その割断予定線上に沿っ
て短時間の周期で何回も繰り返して移動させて、ウェハ
の割断予定線に沿う部分を一様に加熱することで、割断
予定線の全長にわたって亀裂を一挙に発生させてウェハ
を割断する装置である。これにより、ウェハの割断予定
線に沿う部分の一部に熱応力が局部的に作用することが
なく、割断面にマイクロクラックが存在する可能性は少
なくなる。Further, the wafer cutting device disclosed in Japanese Unexamined Patent Publication No. 6-39572 is provided with a beam scanning means such as a rotating mirror for deflecting the laser beam from the laser light source and scanning it along the planned cutting line of the wafer. By scanning the beam irradiation position on the wafer by this scanning means repeatedly along the planned cutting line in a short period of time, the portion along the planned cutting line of the wafer is uniformly heated. An apparatus for cleaving a wafer by generating cracks all over the length of a planned cleaving line. As a result, thermal stress does not locally act on a part of the portion along the planned cleavage line of the wafer, and the possibility that microcracks are present on the fractured surface is reduced.

【００１１】一方、上記の熱源により照射された直後
の部分を冷却する一例としては、特開２０００−５８４
８９号公報に開示された発明がある。この特開２０００
−５８４８９号公報に開示された被加工物の分割方法
は、被加工物の分割すべき領域にレーザ光線を照射して
分割すべき領域を加熱するレーザ光線照射工程と、レー
ザ光線照射工程におけるレーザ光線の照射に追随して、
加熱された領域に加熱直後に冷風を吹き付けて被加工物
を割断する割断工程とを備えた方法である。この方法に
よれば、レーザ光線の照射により被加工物を加熱してか
ら冷風を吹き付けることにより、被加工物にひずみが生
じて割断され、切削する場合に比べて分割効率がよく、
切削水を使用することなく乾式で分割を行うため、被加
工物に破砕粒が付着して汚染されることもない。On the other hand, as an example of cooling the portion immediately after being irradiated with the above heat source, Japanese Patent Laid-Open No. 2000-584 is known.
There is an invention disclosed in Japanese Patent Publication No. 89. This JP 2000
The method of dividing a work piece disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. 58489 discloses a laser beam irradiation step of irradiating a region to be divided of the work piece with a laser beam to heat the area to be divided, and a laser in the laser beam irradiation step. Following the irradiation of light rays,
The method includes a cleaving step of cleaving a workpiece by blowing cold air onto the heated region immediately after heating. According to this method, by heating the work piece by irradiating the laser beam and then blowing cold air on the work piece, the work piece is distorted and cleaved, and the dividing efficiency is higher than in the case of cutting,
Since the division is performed by dry method without using cutting water, crushed particles do not adhere to the work to be contaminated.

【００１２】しかしながら、熱源のスポット形状を楕円
形状にすることは、上記特開平１０−３４３６３号公報
および特開平６−３９５７２号公報に開示された発明の
ように光学系が複雑でその制御も難しく、成形に限界が
あった。また、冷風によって熱源により照射された直後
の部分を冷却することは、その熱を奪う率が低く、また
その冷風が目的の領域に吹き付けられているか確認しに
くいとともに、本当に目的の領域が冷却されているのか
その信頼性が低いという問題があった。さらに、冷風は
気体のため目的領域以外にも吹き付けられる可能性があ
り、熱源が照射されている加熱領域までも冷却させてし
まうというおそれがあった。However, it is difficult to control the spot shape of the heat source into an elliptical shape because the optical system is complicated and the control thereof is difficult as in the inventions disclosed in Japanese Patent Laid-Open Nos. 10-34363 and 6-39572. There was a limit to the molding. In addition, cooling the part immediately after being irradiated by the heat source with cold air has a low rate of depriving the heat, and it is difficult to confirm whether the cold air is being blown to the target area, and the target area is really cooled. There is a problem that its reliability is low. Further, since the cold air is a gas, it may be blown to areas other than the target area, and there is a risk that even the heating area irradiated with the heat source may be cooled.

【００１３】本発明は、上記のような課題を解決するた
めになされたもので、熱源の加熱による熱応力により亀
裂を発生させて割断する技術において、その割断効率お
よび割断精度を向上させることのできる割断加工方法お
よびその装置、並びに電子部品の製造方法を提供するこ
とを目的としたものである。The present invention has been made in order to solve the above problems, and in a technique for cracking by causing cracks due to thermal stress due to heating of a heat source, it is possible to improve the cutting efficiency and the cutting accuracy. An object of the present invention is to provide a cleaving method and an apparatus therefor that can be performed, and a method for manufacturing an electronic component.

【００１４】[0014]

【課題を解決するための手段】（１）本発明に係る割断
加工方法は、被加工物に設けられた加工始点に形成され
た亀裂を、熱源によって割断予定線上に沿って進展させ
ることにより、被加工物を割断する割断加工方法であっ
て、熱源の加熱スポットの形状を、割断予定線に沿って
楕円形状に成形し、加熱スポットを割断予定線に沿って
移動させることにより、亀裂を連続して進展させる方法
である。本発明においては、熱源の加熱スポットの形状
を楕円形状に成形し、この成形した楕円形状の加熱スポ
ットによる加熱により被加工物を割断加工するようにし
たので、割断効率および割断精度を向上させることがで
きる。(1) A cleaving method according to the present invention is characterized in that a crack formed at a machining starting point provided on a workpiece is propagated along a planned cleaving line by a heat source. A method of cleaving a workpiece, in which the shape of the heating spot of the heat source is formed into an elliptical shape along the planned cutting line, and the heating spot is moved along the planned cutting line to continuously crack. It is a method of making progress. In the present invention, the shape of the heating spot of the heat source is formed into an elliptical shape, and the object to be cut is cut by heating with the formed elliptical heating spot, so that the cutting efficiency and the cutting accuracy are improved. You can

【００１５】（２）本発明に係る割断加工方法は、被加
工物に設けられた加工始点に形成された亀裂を、熱源に
よって割断予定線上に沿って進展させることにより、被
加工物を割断する割断加工方法であって、熱源の加熱ス
ポットの形状を、割断予定線に沿って楕円形状に成形
し、楕円形状の大きさを任意の大きさに可変して、加熱
スポットを割断予定線に沿って移動させることにより、
亀裂を連続して進展させる方法である。本発明において
は、熱源の加熱スポットの形状を楕円形状に成形し、成
形した楕円形状の大きさを任意の大きさに可変した加熱
スポットによる加熱により被加工物を割断加工するよう
にしたので、被加工物の形状や構成材料に対応させて加
熱スポットの大きさを可変し割断加工を行うことがで
き、被加工物に対する割断精度を高めることができる。(2) The cleaving method according to the present invention cleaves a work piece by causing a crack formed at a work starting point provided on the work piece to propagate along a planned cutting line with a heat source. This is a cleaving method, in which the shape of the heating spot of the heat source is formed into an elliptical shape along the planned cutting line, and the size of the elliptical shape is changed to an arbitrary size so that the heating spot follows the planned cutting line. By moving
This is a method of continuously developing cracks. In the present invention, the shape of the heating spot of the heat source is formed into an elliptical shape, so that the workpiece is cleaved by heating with a heating spot in which the size of the formed elliptical shape is changed to an arbitrary size. The size of the heating spot can be varied according to the shape and constituent material of the work piece to perform the cutting work, and the cutting accuracy for the work piece can be improved.

【００１６】（３）本発明に係る割断加工方法は、被加
工物に設けられた加工始点に形成された亀裂を、熱源に
よって割断予定線上に沿って進展させることにより、被
加工物を割断する割断加工方法であって、熱源による加
熱後の領域を、冷却体により冷却する方法である。本発
明においては、熱源による加熱後の領域を冷却体により
冷却するので、加熱中の領域と加熱後の領域との温度差
を大きくすることができ、熱応力がより大きくなって割
断効率および割断精度を向上させることができる。(3) The cleaving method according to the present invention cleaves a work piece by causing a crack formed at a work starting point provided on the work piece to propagate along a planned cutting line with a heat source. A cleaving method, in which a region after being heated by a heat source is cooled by a cooling body. In the present invention, since the region after heating by the heat source is cooled by the cooling body, it is possible to increase the temperature difference between the region during heating and the region after heating, the thermal stress becomes larger, and the cleaving efficiency and cleaving are increased. The accuracy can be improved.

【００１７】（４）本発明に係る割断加工方法は、被加
工物に設けられた加工始点に形成された亀裂を、熱源に
よって割断予定線上に沿って進展させることにより、被
加工物を割断する割断加工方法であって、熱源の加熱ス
ポットの形状を、割断予定線に沿って楕円形状に成形
し、加熱スポットによる加熱後の領域を、冷却体により
冷却する方法である。本発明においては、熱源の加熱ス
ポットの形状を楕円形状に成形し、この成形した楕円形
状の加熱スポットによる加熱により被加工物を割断加工
するとともに、熱源による加熱後の領域を冷却体により
冷却するので、割断予定線に沿って発生する亀裂の前後
方向、特に割断の進行方向に勾配の急峻な温度分布が形
成されるとともに、加熱中の領域と加熱後の領域との温
度差を大きくすることができ、生じる熱応力がより大き
くなって割断効率および割断精度を向上させることがで
きる。(4) The cleaving method according to the present invention cleaves a workpiece by allowing a heat source to propagate a crack formed at a machining starting point along a planned cleavage line with a heat source. A cleaving method is a method in which the shape of a heating spot of a heat source is formed into an elliptical shape along a planned cleavage line, and a region after heating by the heating spot is cooled by a cooling body. In the present invention, the shape of the heating spot of the heat source is formed into an elliptical shape, the workpiece is cleaved by heating with the formed elliptical heating spot, and the area after being heated by the heat source is cooled by the cooling body. Therefore, a steep temperature distribution with a steep gradient is formed in the front-back direction of cracks that occur along the planned cutting line, especially in the progress direction of the cutting, and the temperature difference between the area during heating and the area after heating should be increased. As a result, the generated thermal stress becomes larger and the cleaving efficiency and cleaving accuracy can be improved.

【００１８】（５）本発明に係る割断加工方法は、被加
工物に設けられた加工始点に形成された亀裂を、熱源に
よって割断予定線上に沿って進展させることにより、被
加工物を割断する割断加工方法であって、熱源の加熱ス
ポットの形状を、割断予定線に沿って楕円形状に成形し
て、楕円形状の大きさを任意の大きさに可変し、加熱ス
ポットによる加熱後の領域を、冷却体により冷却する方
法である。本発明においては、熱源の加熱スポットの形
状を楕円形状に成形し、成形した楕円形状の大きさを任
意の大きさに可変した加熱スポットによる加熱により被
加工物を割断加工するとともに、熱源による加熱後の領
域を冷却体により冷却するので、被加工物の形状や構成
材料に対応させて加熱スポットの大きさを可変し割断加
工を行うことができ、被加工物に対する割断精度を高め
ることができるとともに、加熱中の領域と加熱後の領域
との温度差を大きくすることができ、生じる熱応力がよ
り大きくなって割断効率および割断精度を向上させるこ
とができる。(5) The cleaving method according to the present invention cleaves a workpiece by allowing a heat source to propagate a crack formed at a machining starting point along a planned cleavage line. A cleaving method, in which the shape of the heating spot of the heat source is formed into an elliptical shape along the planned cleavage line, and the size of the elliptical shape is changed to an arbitrary size, and the area after heating by the heating spot is It is a method of cooling with a cooling body. In the present invention, the shape of the heating spot of the heat source is formed into an elliptical shape, and the workpiece is cleaved by heating with the heating spot in which the size of the formed elliptical shape is changed to an arbitrary size, and the heating by the heat source is performed. Since the subsequent region is cooled by the cooling body, the size of the heating spot can be varied according to the shape and constituent materials of the work piece to perform the cutting work, and the cutting accuracy for the work piece can be improved. At the same time, the temperature difference between the region during heating and the region after heating can be increased, and the thermal stress generated can be further increased to improve the cutting efficiency and the cutting accuracy.

【００１９】（６）本発明に係る割断加工方法は、上記
（１），（２），（４）または（５）の割断加工方法に
おいて、下端部が断面楕円形状に形成された中空パイプ
により加熱スポットの形状を楕円形状に成形する方法で
ある。このように、中空パイプを用いることにより、割
断精度を向上させるための１つである熱源の加熱スポッ
トの形状を容易にかつ確実に楕円形状に成形することが
できる。(6) The cleaving method according to the present invention is the cleaving method according to the above (1), (2), (4) or (5), wherein a hollow pipe whose lower end is formed into an elliptical cross section is used. This is a method of forming the heating spot into an elliptical shape. As described above, by using the hollow pipe, the shape of the heating spot of the heat source, which is one for improving the cutting accuracy, can be easily and reliably formed into an elliptical shape.

【００２０】（７）本発明に係る割断加工方法は、上記
（１），（２），（４），（５）または（６）の割断加
工方法において、加熱スポットの楕円形状を、割断予定
線に沿う方向が長径でそれと直交する方向が短径とした
方法である。これにより、割断予定線に沿って発生する
亀裂の前後方向、特に割断の進行方向に勾配の急峻な温
度分布が形成され、このため生じる熱応力も大きくな
り、割断効率および割断精度を向上させることができ
る。(7) In the cleaving method according to the present invention, the elliptical shape of the heating spot is to be cleaved in the cleaving method of (1), (2), (4), (5) or (6). In this method, the major axis is along the line and the minor axis is perpendicular to the direction. As a result, a steep temperature distribution with a steep gradient is formed in the front-back direction of the cracks that occur along the planned cutting line, especially in the traveling direction of the cleaving, and the resulting thermal stress also increases, improving the cleaving efficiency and cleaving accuracy. You can

【００２１】（８）本発明に係る割断加工方法は、上記
（１）乃至（７）のいずれかの割断加工方法において、
被加工物と熱源とを相対的に移動させて被加工物を割断
加工する方法である。 （９）本発明に係る割断加工方法は、上記（１）乃至
（８）のいずれかの割断加工方法において、被加工物を
脆性材料とした方法である。 （１０）本発明に係る割断加工方法は、上記（１）乃至
（９）のいずれかの割断加工方法において、熱源をレー
ザとした方法である。(8) The cleaving method according to the present invention is the cleaving method according to any one of (1) to (7) above.
In this method, the workpiece and the heat source are relatively moved to cleave the workpiece. (9) The cleaving method according to the present invention is the cleaving method according to any one of the above (1) to (8), wherein the workpiece is a brittle material. (10) The cleaving method according to the present invention is the cleaving method according to any one of the above (1) to (9), wherein the heat source is a laser.

【００２２】（１１）本発明に係る割断加工方法は、上
記（１）乃至（１０）のいずれかの割断加工方法におい
て、冷却体を被加熱物に接触させて冷却する方法であ
る。このように、冷却体を直接接触させて冷却するの
で、確実に目的領域を冷却することができる。(11) The cleaving method according to the present invention is the cleaving method according to any one of the above (1) to (10), in which the cooling body is brought into contact with the object to be heated and cooled. In this way, since the cooling body is brought into direct contact with the cooling to cool it, the target area can be surely cooled.

【００２３】（１２）本発明に係る割断加工装置は、被
加工物を加熱する熱源と、熱源の加熱スポットを被加工
物の割断予定線上に誘導する誘導機構と、加熱スポット
の形状を割断予定線に沿って楕円形状に成形する成形部
材と、加熱スポットを割断予定線に沿って移動させる移
動機構とを備えたものである。本発明においては、成形
部材により加熱スポットを容易にかつ確実に楕円形状に
成形することができるので、この成形された楕円形状の
加熱スポットによる加熱により、割断効率および割断精
度を向上させることができる。(12) The cleaving apparatus according to the present invention is designed to cleave a heat source for heating a workpiece, an induction mechanism for guiding a heating spot of the heat source to a cleaving line of the workpiece, and a shape of the heating spot. It is provided with a forming member for forming an elliptical shape along the line and a moving mechanism for moving the heating spot along the planned cutting line. In the present invention, since the heating spot can be easily and reliably formed into an elliptical shape by the forming member, the heating by the formed elliptical heating spot can improve the cutting efficiency and the cutting accuracy. .

【００２４】（１３）本発明に係る割断加工装置は、被
加工物を加熱する熱源と、熱源の加熱スポットを被加工
物の割断予定線上に誘導する誘導機構と、加熱スポット
の形状を割断予定線に沿って楕円形状に成形する成形部
材と、加熱スポットを任意の大きさに可変する可変機構
と、加熱スポットを割断予定線に沿って移動させる移動
機構とを備えたものである。本発明においては、成形部
材により加熱スポットを容易にかつ確実に楕円形状に成
形することができるとともに、可変機構により成形した
楕円形状の大きさを任意の大きさに可変することができ
るので、被加工物の形状や構成材料に対応させて加熱ス
ポットの大きさを可変し割断加工を行うことができ、被
加工物に対する割断精度を高めることができる。また、
可変機構により、異なる大きさの楕円形状に成形する成
形部材を用意し、その成形部材を被加工物の形状や構成
材料に対応させて交換したりするなど、割断加工工程の
煩雑化および作用効率の低下等を防ぐことができ、割断
効率および割断精度を向上させることができる。(13) The cleaving apparatus according to the present invention is designed to cleave a heat source for heating a workpiece, an induction mechanism for guiding a heating spot of the heat source to a planned cleavage line of the workpiece, and a shape of the heating spot. It is provided with a forming member that is formed into an elliptical shape along the line, a variable mechanism that changes the heating spot to an arbitrary size, and a moving mechanism that moves the heating spot along the planned cutting line. In the present invention, the heating spot can be easily and surely formed into an elliptical shape by the forming member, and the size of the formed elliptical shape can be changed to an arbitrary size by the variable mechanism. The size of the heating spot can be varied according to the shape of the work piece and the constituent material to perform the cutting work, and the cutting accuracy for the work piece can be improved. Also,
The variable mechanism prepares molding members to be molded into elliptical shapes of different sizes, and the molding members are replaced according to the shape of the workpiece and the constituent material. It is possible to prevent the deterioration of the cutting resistance, and to improve the cutting efficiency and the cutting accuracy.

【００２５】（１４）本発明に係る割断加工装置は、被
加工物を加熱する熱源と、熱源の加熱スポットを被加工
物の割断予定線上に誘導する誘導機構と、加熱スポット
による加熱後の被加工物における領域を、冷却する冷却
体を有する冷却装置と、加熱スポットおよび冷却装置に
よる冷却領域を、割断予定線に沿って移動させる移動機
構とを備えたものである。本発明においては、冷却装置
により加熱中の領域と加熱後の領域との温度差を大きく
することができるので、熱応力がより大きくなって割断
効率および割断精度を向上させることができる。(14) The cleaving apparatus according to the present invention comprises a heat source for heating a workpiece, an induction mechanism for guiding a heating spot of the heat source to a planned cleavage line of the workpiece, and a workpiece after heating by the heating spot. It is provided with a cooling device having a cooling body for cooling an area in a workpiece, and a moving mechanism for moving a cooling area by a heating spot and a cooling device along a planned cutting line. In the present invention, since the temperature difference between the heated region and the heated region can be increased by the cooling device, the thermal stress can be increased and the cutting efficiency and the cutting accuracy can be improved.

【００２６】（１５）本発明に係る割断加工装置は、被
加工物を加熱する熱源と、熱源の加熱スポットを被加工
物の割断予定線上に誘導する誘導機構と、加熱スポット
の形状を割断予定線に沿って楕円形状に成形する成形部
材と、加熱スポットによる加熱後の被加工物における領
域を、冷却する冷却体を有する冷却装置と、加熱スポッ
トおよび冷却装置による冷却領域を、割断予定線に沿っ
て移動させる移動機構とを備えたものである。本発明に
おいては、成形部材により加熱スポットを容易にかつ確
実に楕円形状に成形することができるとともに、冷却装
置により加熱中の領域と加熱後の領域との温度差を大き
くすることができるので、生じる熱応力がより大きくな
って割断効率および割断精度を向上させることができ
る。(15) The cleaving apparatus according to the present invention is designed to cleave a heat source for heating a workpiece, an induction mechanism for guiding a heating spot of the heat source to a planned cleavage line of the workpiece, and a shape of the heating spot. Forming an elliptical shape along the line, a cooling device that has a cooling body that cools the region in the workpiece after heating by the heating spot, and a cooling region by the heating spot and the cooling device on the planned cutting line. And a moving mechanism for moving along. In the present invention, the heating spot can be easily and reliably formed into an elliptical shape by the forming member, and the cooling device can increase the temperature difference between the region being heated and the region after heating. The generated thermal stress becomes larger, so that the cutting efficiency and the cutting accuracy can be improved.

【００２７】（１６）本発明に係る割断加工装置は、被
加工物を加熱する熱源と、熱源の加熱スポットを被加工
物の割断予定線上に誘導する誘導機構と、加熱スポット
の形状を割断予定線に沿って楕円形状に成形する成形部
材と、加熱スポットを任意の大きさに可変する可変機構
と、加熱スポットによる加熱後の被加工物における領域
を、冷却する冷却体を有する冷却装置と、加熱スポット
および冷却装置による冷却領域を、割断予定線に沿って
移動させる移動機構とを備えたものである。本発明にお
いては、成形部材により加熱スポットを容易にかつ確実
に楕円形状に成形し、可変機構により成形した楕円形状
の大きさを任意の大きさに可変することができるととも
に、冷却装置により加熱中の領域と加熱後の領域との温
度差を大きくすることができるので、被加工物に対する
割断精度を高めることができる。(16) The cleaving apparatus according to the present invention is designed to cleave a heat source for heating a workpiece, an induction mechanism for guiding a heating spot of the heat source to a planned cleavage line of the workpiece, and a shape of the heating spot. A forming member that forms an elliptical shape along the line, a variable mechanism that changes the heating spot to an arbitrary size, a cooling device that has a cooling body that cools a region of the workpiece after heating by the heating spot, A moving mechanism that moves the heating spot and the cooling region by the cooling device along the planned cutting line. In the present invention, the heating spot can be easily and reliably formed into an elliptical shape by the forming member, and the size of the elliptical shape formed by the variable mechanism can be changed to an arbitrary size. It is possible to increase the temperature difference between the region of 1) and the region after heating, so that it is possible to improve the cutting accuracy for the workpiece.

【００２８】（１７）本発明に係る割断加工装置は、上
記（１５）または（１６）の割断加工装置において、冷
却装置を成形部材に近接して設けたものである。これに
より、温度差を与えたい加熱中の領域の近傍を確実に冷
却することができ、割断精度をより向上させることがで
きる。(17) The cleaving apparatus according to the present invention is the cleaving apparatus of the above (15) or (16), wherein a cooling device is provided close to the molding member. As a result, it is possible to reliably cool the vicinity of the region under heating where a temperature difference is desired to be provided, and it is possible to further improve the cutting accuracy.

【００２９】（１８）本発明に係る割断加工装置は、上
記（１４）乃至（１７）のいずれかの割断加工装置にお
いて、冷却領域を加熱スポットに追従させるものであ
る。これにより、冷めにくかった直前まで加熱されてい
た領域を確実に冷却することができ、加熱中の領域と加
熱直後の領域との温度差をより大きくすることができ
る。よって、熱応力がより大きくなり、割断効率および
割断精度を向上させることができる。(18) The cleaving apparatus according to the present invention is the cleaving apparatus of any one of the above (14) to (17), in which the cooling region follows the heating spot. As a result, it is possible to reliably cool the region that was heated just before it was difficult to cool, and it is possible to further increase the temperature difference between the region being heated and the region immediately after heating. Therefore, the thermal stress becomes larger, and the cutting efficiency and the cutting accuracy can be improved.

【００３０】（１９）本発明に係る割断加工装置は、上
記（１２），（１３），（１５），（１６），（１７）
または（１８）の割断加工装置において、成形部材を、
加熱スポットの形状を割断予定線に沿って楕円形状に成
形する出口を有する中空パイプとしたものである。これ
により、割断精度を向上させるための１つである熱源の
加熱スポットの形状を容易にかつ確実に楕円形状に成形
することができる。 （２０）本発明に係る割断加工装置は、上記（１９）の
割断加工装置において、中空パイプの下端部が断面楕円
形状であるものである。これにより、熱源の加熱スポッ
トの形状を確実に楕円形状に成形することができ、割断
精度を向上させることができる。(19) The cleaving apparatus according to the present invention is the above (12), (13), (15), (16), (17).
Alternatively, in the cleaving apparatus of (18),
This is a hollow pipe having an outlet for shaping the heating spot into an elliptical shape along the planned dividing line. Thereby, the shape of the heating spot of the heat source, which is one for improving the cutting accuracy, can be easily and reliably formed into an elliptical shape. (20) The cleaving apparatus according to the present invention is the cleaving apparatus according to the above (19), wherein the lower end of the hollow pipe has an elliptical cross section. As a result, the shape of the heating spot of the heat source can be reliably formed into an elliptical shape, and the cutting accuracy can be improved.

【００３１】（２１）本発明に係る割断加工装置は、上
記（１２），（１３），（１５），（１６），（１
７），（１８），（１９）または（２０）の割断加工装
置において、加熱スポットの楕円形状を、割断予定線に
沿う方向が長径でそれと直交する方向が短径としたもの
である。これにより、割断予定線に沿って発生する亀裂
の前後方向、特に割断の進行方向に勾配の急峻な温度分
布が形成され、生じる熱応力が大きくなって、割断効率
および割断精度を向上させることができる。(21) The cleaving apparatus according to the present invention comprises: (12), (13), (15), (16), (1)
7), (18), (19) or (20), the elliptical shape of the heating spot has a major axis in the direction along the planned cleavage line and a minor axis in the direction orthogonal thereto. As a result, a steep temperature distribution with a steep gradient is formed in the front-back direction of the cracks that occur along the planned cleavage line, particularly in the traveling direction of the cleavage, the thermal stress that occurs is increased, and it is possible to improve the cutting efficiency and the cutting accuracy. it can.

【００３２】（２２）本発明に係る割断加工装置は、上
記（１９）または（２０）の割断加工装置において、中
空パイプの出口を被加工物の近傍に位置したものであ
る。これにより、中空パイプの出口の形状を被加工物に
確実に反映させることができ、割断精度を向上させるこ
とができる。(22) The cleaving apparatus according to the present invention is the cleaving apparatus of the above (19) or (20), in which the outlet of the hollow pipe is located near the workpiece. As a result, the shape of the hollow pipe outlet can be reliably reflected on the workpiece, and the cutting accuracy can be improved.

【００３３】（２３）本発明に係る割断加工装置は、上
記（１９），（２０）または（２２）の割断加工装置に
おいて、中空パイプを金属材料で構成したものである。 （２４）本発明に係る割断加工装置は、上記（１９），
（２０），（２２）または（２３）の割断加工装置にお
いて、中空パイプの内周面に金属膜を施したものであ
る。(23) The cleaving apparatus according to the present invention is the cleaving apparatus of (19), (20) or (22) above, wherein the hollow pipe is made of a metal material. (24) The cleaving processing device according to the present invention is the above (19),
In the cleaving apparatus of (20), (22) or (23), a hollow pipe is provided with a metal film on its inner peripheral surface.

【００３４】（２５）本発明に係る割断加工装置は、上
記（１２）乃至（２４）のいずれかの割断加工装置にお
いて、誘導機構を光学系により構成したものである。 （２６）本発明に係る割断加工装置は、上記（１３），
（１４）乃至（２５）のいずれかの割断加工装置におい
て、可変機構を光学系により構成したものである。 （２７）本発明に係る割断加工装置は、上記（１２）乃
至（２６）のいずれかの割断加工装置において、熱源を
レーザとしたものである。(25) The cleaving apparatus according to the present invention is the cleaving apparatus according to any one of the above (12) to (24), wherein the guiding mechanism is composed of an optical system. (26) The fracturing apparatus according to the present invention is the same as the above (13),
In the cleaving apparatus according to any one of (14) to (25), the variable mechanism is composed of an optical system. (27) The cleaving apparatus according to the present invention is the cleaving apparatus according to any one of the above (12) to (26), wherein the heat source is a laser.

【００３５】（２８）本発明に係る割断加工装置は、上
記（１２）乃至（２７）のいずれかの割断加工装置にお
いて、移動機構を被加工物を載置する載置台に設けたも
のである。 （２９）本発明に係る割断加工装置は、上記（１２）乃
至（２７）のいずれかの割断加工装置において、移動機
構を熱源側に設けたものである。(28) The cleaving machine according to the present invention is the cleaving machine according to any one of the above (12) to (27), wherein the moving mechanism is provided on a mounting table on which a workpiece is mounted. . (29) The cleaving apparatus according to the present invention is the cleaving apparatus according to any one of (12) to (27), wherein the moving mechanism is provided on the heat source side.

【００３６】（３０）本発明に係る割断加工装置は、上
記（１２）乃至（２９）のいずれかの割断加工装置にお
いて、被加工物を脆性材料としたものである。(30) The cleaving apparatus according to the present invention is the cleaving apparatus according to any one of the above (12) to (29), in which the workpiece is a brittle material.

【００３７】（３１）本発明に係る割断加工装置は、上
記（１４）乃至（３０）のいずれかの割断加工装置にお
いて、冷却装置は、冷却体を摺動自在に保持する保持装
置と、保持装置に被加工物側への荷重を与える荷重機構
と、被加工物の端部を検知する検知機構と、検知機構の
検知結果に基づいて荷重機構を駆動または停止させる制
御装置とを備えたものである。(31) The cleaving apparatus according to the present invention is the cleaving apparatus according to any one of (14) to (30), wherein the cooling device is a holding device for slidably holding the cooling body, and a holding device. A device that includes a load mechanism that applies a load to the device on the workpiece side, a detection mechanism that detects the end of the workpiece, and a control device that drives or stops the load mechanism based on the detection result of the detection mechanism Is.

【００３８】（３２）本発明に係る割断加工装置は、上
記（１４）乃至（３１）のいずれかの割断加工装置にお
いて、冷却体は、前記被加熱物に接触するものである。
このように、冷却体は被加工物に直接接触するので、確
実に目的領域を冷却することができ、冷却効率を高める
ことができる。(32) The cleaving apparatus according to the present invention is the cleaving apparatus according to any one of the above (14) to (31), wherein the cooling body is in contact with the object to be heated.
In this way, since the cooling body is in direct contact with the workpiece, the target area can be cooled reliably and the cooling efficiency can be improved.

【００３９】（３３）本発明に係る割断加工装置は、上
記（１４）乃至（３２）のいずれかの割断加工装置にお
いて、冷却体を固形物としたものである。これにより、
冷風などの気体のものと比較して被加工物を確実に冷却
することができるとともに、冷却効率を高めることがで
きる。 （３４）本発明に係る割断加工装置は、上記（１４）乃
至（３３）のいずれかの割断加工装置において、冷却体
を氷またはドライアイスとしたものである。(33) The cleaving apparatus according to the present invention is the cleaving apparatus according to any one of the above (14) to (32), wherein the cooling body is a solid. This allows
It is possible to surely cool the work piece as compared with a gas such as cold air, and it is possible to improve the cooling efficiency. (34) The cleaving apparatus according to the present invention is the cleaving apparatus according to any one of the above (14) to (33), wherein the cooling body is ice or dry ice.

【００４０】（３５）本発明に係る割断加工装置は、上
記（３１）の割断加工装置において、保持装置は、底部
の中心部に冷却体が摺動自在に連通する連通孔を有する
有底円筒状のシリンダと、シリンダの内周壁に沿って摺
動可能なピストンと、ピストンの下部に複数設けられ、
下端部にストッパーを有するガイドピンと、冷却体を支
持する部材が設けられた可動板と、可動板とピストンの
間に設けられ、冷却体の被加工物への荷重を一定に保持
させる荷重センサとを備えたものである。(35) The cleaving apparatus according to the present invention is the cleaving apparatus according to the above (31), in which the holding device has a bottomed cylinder having a communication hole at the center of the bottom for allowing the cooling body to slidably communicate therewith. Shaped cylinder, a piston slidable along the inner peripheral wall of the cylinder, and a plurality of pistons are provided at the bottom of the piston,
A guide pin having a stopper at the lower end, a movable plate provided with a member for supporting the cooling body, and a load sensor provided between the movable plate and the piston for holding a constant load on the workpiece of the cooling body. It is equipped with.

【００４１】（３６）本発明に係る電子部品の製造方法
は、上記（１）乃至（１１）のいずれかの割断加工方法
を用いて電子部品を製造する方法である。 （３７）本発明に係る電子部品の製造方法は、上記（１
２）乃至（３５）のいずれかの割断加工装置を用いて電
子部品を製造する方法である。(36) The method of manufacturing an electronic component according to the present invention is a method of manufacturing an electronic component by using the cleaving method of any one of (1) to (11) above. (37) The method for manufacturing an electronic component according to the present invention is the same as in (1) above.
It is a method of manufacturing an electronic component by using the cleaving processing apparatus according to any one of 2) to (35).

【００４２】[0042]

【発明の実施の形態】実施の形態１．図１は本発明の実
施の形態１に係る割断加工装置の構成説明図およびレー
ザビームのスポット形状の拡大図、図２は本発明の実施
の形態１に係る被加工物の平面図およびその断面図であ
る。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Embodiment 1. 1 is a configuration explanatory view of a cleaving apparatus according to Embodiment 1 of the present invention and an enlarged view of a spot shape of a laser beam, and FIG. 2 is a plan view of a workpiece according to Embodiment 1 of the present invention and a cross section thereof. It is a figure.

【００４３】図において、１は例えば液晶装置の液晶パ
ネルとなる要素１１が複数形成されている一対のガラス
基板２１，３１を備えた被加工物で、表面に割断予定線
１２が設けられており、割断予定線１２に沿って２枚の
ガラス基板をそれぞれ割断加工することにより、複数の
液晶パネル１００が形成される。In the figure, reference numeral 1 denotes a work piece having a pair of glass substrates 21 and 31 on which a plurality of elements 11 which are, for example, liquid crystal panels of a liquid crystal device are formed, and a planned cutting line 12 is provided on the surface. A plurality of liquid crystal panels 100 are formed by cutting the two glass substrates along the planned cutting line 12.

【００４４】ここで、液晶パネル１００の構成につい
て、図３の液晶パネルの基本構造を示す断面図を用いて
説明する。液晶パネル１００は、上下一対のガラス基板
２１，３１に透明なＩＴＯ電極２９，３９を配置し、こ
れらのガラス基板２１，３１の間に液晶３８をシール材
２４で封止した構造となっている。このような液晶パネ
ル１００の駆動方法には、パッシブマトリックス駆動や
アクティブマトリックス駆動が広く知られている。Here, the structure of the liquid crystal panel 100 will be described with reference to the sectional view showing the basic structure of the liquid crystal panel of FIG. The liquid crystal panel 100 has a structure in which transparent ITO electrodes 29 and 39 are arranged on a pair of upper and lower glass substrates 21 and 31, and liquid crystal 38 is sealed between these glass substrates 21 and 31 with a sealing material 24. . Passive matrix driving and active matrix driving are widely known as driving methods of the liquid crystal panel 100.

【００４５】パッシブマトリックス駆動は、図４に示す
ように、上下のガラス基板２１，３１にストライプ状の
ＩＴＯ電極２９，３９とを互いにクロスさせて設け、そ
れぞれのＩＴＯ電極２９，３９を選択して、各電極２
９，３９の交点の画素部に電圧を印加させるものであ
る。これに対して、アクティブマトリックス駆動は、図
５に示すように、上のガラス基板２１に共通電極２２を
配置し、下のガラス基板３９に各画素電極３７を配置
し、各画素電極３７の一つ一つに薄膜トランジスタ３２
や薄膜ダイオード等のスイッチング素子を配置して、そ
のスイッチング素子を利用して各画素に電圧を印加させ
るものである。なお、図中３６ａはゲート線、３６ｂは
ソース線である。In the passive matrix driving, as shown in FIG. 4, upper and lower glass substrates 21 and 31 are provided with striped ITO electrodes 29 and 39 crossing each other, and the respective ITO electrodes 29 and 39 are selected. , Each electrode 2
A voltage is applied to the pixel portion at the intersection of 9,39. On the other hand, in the active matrix drive, as shown in FIG. 5, the common electrode 22 is arranged on the upper glass substrate 21, each pixel electrode 37 is arranged on the lower glass substrate 39, and one of the pixel electrodes 37 is arranged. Thin film transistor 32 one by one
A switching element such as a thin film diode or a thin film diode is arranged and a voltage is applied to each pixel using the switching element. In the figure, 36a is a gate line and 36b is a source line.

【００４６】また、液晶パネル１００には、上下の電極
にＩＴＯ電極等の透明電極を用い、その液晶パネル１０
０に光を透過させて光変調を行う透過型のもの、上下の
電極の一方にアルミニウム等の光反射電極を用い、光を
反射させて光変調を行う反射型のものとがある。さら
に、反射型液晶パネル１００の反射電極にバックライト
からの光を通す開口部を設けて、反射型と透過型の両方
の性質を有するようにした半透過反射型の液晶パネル１
００もある。本発明は、上述したいずれの駆動方法の液
晶パネル１００の製造に際しても、透過型、反射型、半
透過反射型のいずれの液晶パネル１００の製造に際して
も、必要なサイズの液晶パネル１００を得るためのパネ
ルの割断加工が可能である。In the liquid crystal panel 100, transparent electrodes such as ITO electrodes are used for the upper and lower electrodes.
There are a transmission type in which light is transmitted to 0 to perform light modulation, and a reflection type in which a light reflecting electrode such as aluminum is used as one of upper and lower electrodes to reflect light to perform light modulation. Further, a transflective liquid crystal panel 1 having both reflective and transmissive properties by providing an opening for allowing light from a backlight to pass through the reflective electrode of the reflective liquid crystal panel 100.
There is also 00. In order to obtain the liquid crystal panel 100 of a required size in manufacturing the liquid crystal panel 100 by any of the driving methods described above, and in manufacturing any of the transmissive type, the reflective type, and the semi-transmissive reflective type liquid crystal panel 100. The panel can be cleaved.

【００４７】次に、図６の液晶パネルの製造工程を示す
フローチャートおよび図７の図６に対応した基板の製造
状態を示した説明図を用いて、液晶パネル１００の製造
工程を説明する。 （Ａ）まず、素子形成工程において、上下一対となるガ
ラス基板２１，３１に、例えばアクティブマトリックス
駆動の液晶パネル１００を構成する共通電極２２と薄膜
トランジスタ３２をそれぞれ形成する。なお、この素子
形成工程において形成される素子は、液晶パネル１００
の種類に応じて異なるものである。 （Ｂ）次に、共通電極２２が形成されたガラス基板２１
に配向膜２３を形成してラビングを施す。また、薄膜ト
ランジスタ３２が形成されたガラス基板３１についても
同様に配向膜３３を形成してラビングを施す。Next, the manufacturing process of the liquid crystal panel 100 will be described with reference to the flowchart showing the manufacturing process of the liquid crystal panel of FIG. 6 and the explanatory view showing the manufacturing state of the substrate corresponding to FIG. 6 of FIG. (A) First, in an element forming step, a common electrode 22 and a thin film transistor 32, which form, for example, an active matrix driven liquid crystal panel 100, are formed on a pair of upper and lower glass substrates 21 and 31, respectively. The element formed in this element forming step is the liquid crystal panel 100.
It depends on the type. (B) Next, the glass substrate 21 on which the common electrode 22 is formed
An alignment film 23 is formed on the surface and rubbing is performed. Further, also on the glass substrate 31 on which the thin film transistor 32 is formed, the alignment film 33 is similarly formed and rubbing is performed.

【００４８】（Ｃ）ついで、一方の基板、例えばガラス
基板２１に液晶をシールするためのシール材２４を塗布
し、他方の基板、例えばガラス基板３１の配向膜３３の
上にギャップ材３４を散布する。なお、シール材２４の
塗布およびギャップ材３４の散布は、これに限られるも
のではなく、一方の基板にシール材２４を塗布し、さら
にギャップ材３４を散布してもよい。 （Ｄ）そして、上記（Ａ）〜（Ｃ）の工程で作られた２
枚の基板２５，３５を貼り合わせ、１枚の大きなパネル
２６（図２（ａ）の被加工物１）を作成する。(C) Then, one substrate, for example, the glass substrate 21 is coated with the sealing material 24 for sealing the liquid crystal, and the gap material 34 is sprinkled on the alignment film 33 of the other substrate, for example, the glass substrate 31. To do. The application of the sealing material 24 and the spraying of the gap material 34 are not limited to this, and the seal material 24 may be applied to one substrate and the gap material 34 may be further sprayed. (D) and 2 made in the above steps (A) to (C)
The substrates 25 and 35 are bonded together to form one large panel 26 (workpiece 1 in FIG. 2A).

【００４９】（Ｅ）次に、１次ブレイク工程として、後
述する例えばレーザを用いた割断加工方法およびその装
置により、パネル２６（ガラス基板２１，３１）をその
表面に設けられた割断予定線１２に沿って割断し、短冊
状のパネル２７を作成する。なお、パネル２６は上下に
ガラス基板２１，３１を有するため、上側のガラス基板
２１を先に割断し、パネル２６を裏返して下側のガラス
基板３１を割断してもよく、両ガラス基板２１，３１を
同時に割断してもよい。また、割断加工は、複数の割断
予定線１２において同時に割断することも可能である。 （Ｆ）ついで、短冊状のパネル２７の液晶注入口１３
（図２（ａ）参照）を介してシール材２４によって囲ま
れた空間部１４に液晶３８を注入し（図２（ｂ）参
照）、封止材（図示せず）により液晶注入口１３を閉塞
して液晶３８を封止する。(E) Next, as a primary break step, a planned cutting line 12 provided on the surface of the panel 26 (glass substrates 21 and 31) by a cutting method and an apparatus therefor which will be described later, for example, using a laser. A strip-shaped panel 27 is created by cutting along the line. Since the panel 26 has the glass substrates 21 and 31 on the upper and lower sides, the upper glass substrate 21 may be cleaved first, the panel 26 may be turned over, and the lower glass substrate 31 may be cleaved. 31 may be cleaved at the same time. Further, the cleaving process can be performed by simultaneously cutting a plurality of planned cutting lines 12. (F) Next, the liquid crystal injection port 13 of the strip-shaped panel 27
The liquid crystal 38 is injected into the space 14 surrounded by the sealing material 24 (see FIG. 2A) (see FIG. 2B), and the liquid crystal injection port 13 is filled with the sealing material (not shown). It is closed to seal the liquid crystal 38.

【００５０】（Ｇ）次に、２次ブレイク工程として、上
記（Ｅ）の工程の割断加工方法およびその装置により、
液晶３８が封止された短冊状のパネル２７をその表面に
設けられた割断予定線１２に沿って割断し、１パネル分
（製品）の大きさに相当する液晶パネル１００を形成す
る。 （Ｈ）そして、形成された液晶パネル１００は、その電
極を駆動するために接続された端子が形成された実装部
等とともに液晶装置を構成し、図８に示すように、ＰＤ
Ａ（Ｐｅｒｓｏｎａｌ Ｄｉｇｉｔａｌ Ａｓｓｉｓｔ
ａｎｃｅｓ）４０の液晶表示部４１、携帯電話４２の液
晶表示部４３およびデジタルカメラ４４の液晶表示部４
５としてなど、表示部に液晶装置を配した液晶装置付き
の各種モバイル機器等に実装される。(G) Next, as a secondary break step, by the cleaving method and apparatus of the above step (E),
The strip-shaped panel 27 in which the liquid crystal 38 is sealed is cut along the planned cutting line 12 provided on the surface thereof to form the liquid crystal panel 100 corresponding to the size of one panel (product). (H) Then, the formed liquid crystal panel 100 constitutes a liquid crystal device together with a mounting portion and the like in which terminals connected to drive the electrodes are formed, and as shown in FIG.
A (Personal Digital Assist)
40) liquid crystal display unit 41, mobile phone 42 liquid crystal display unit 43, and digital camera 44 liquid crystal display unit 4
5, etc., is mounted on various mobile devices with a liquid crystal device in which a liquid crystal device is arranged on the display unit.

【００５１】図１，図２において、２は例えばＣＯ₂ レ
ーザまたはＹＡＧレーザなどが発振されるレーザ発振
器、３はレーザ発振器２からのレーザビーム４の進行路
上に配置され、レーザビーム４を被加工物１（パネル２
６，２７）に向けて反射させる全反射ミラー、５は全反
射ミラー３と被加工物１との間に配置され、全反射ミラ
ー３により反射されて入射したレーザビーム４を内周面
５ｃで反射させて出口５ｂまで伝送させ、出口５ｂから
照射されるレーザビーム４のスポット形状Ｓを、図１に
示すように、割断予定線１２に沿う方向が長径でそれと
直交する方向が短径となる楕円形状に成形する中空パイ
プである。In FIGS. 1 and 2, reference numeral 2 is a laser oscillator for oscillating a CO ₂ laser or YAG laser, for example, and 3 is arranged on the traveling path of the laser beam 4 from the laser oscillator 2 and the laser beam 4 is processed. Object 1 (panel 2
6, 27) are arranged between the total reflection mirror 3 and the workpiece 1, and total reflection mirrors 5 for reflecting the laser beam 4 reflected by the total reflection mirror 3 and incident on the inner peripheral surface 5c. As shown in FIG. 1, the spot shape S of the laser beam 4 which is reflected and transmitted to the exit 5b and is irradiated from the exit 5b has a major axis in the direction along the planned cutting line 12 and a minor axis in the direction orthogonal thereto. It is a hollow pipe that is formed into an elliptical shape.

【００５２】中空パイプ５は、レーザビーム４の吸収率
の低い例えばアルミニウムなどの金属材料によって構成
されており、全反射ミラー３側のレーザビーム４が入射
される上端部の入口５ａは、全反射ミラー３に反射され
たレーザビーム４の反射幅Ｗより大きい内径Ｒを有する
円形状に形成され、高さ方向のほぼ中間部から下方（被
加工物１側）に向かうにしたがって縮径されて、被加工
物１側のレーザビーム４が照射される下端部の出口５ｂ
は、その内周側が例えば長径が４ｍｍで短径が１ｍｍの
楕円形状に形成されている。そして、中空パイプ５の出
口５ｂと被加工物１との距離Ｄは、出口５ｂの形状（楕
円形状）が反映されるように例えば１ｍｍと両者５ｂ，
１が接近した距離とする。なお、中空パイプ５を構成す
る金属材料は、アルミニウムに限定されるものではな
く、他の金属材料でもよい。また、中空パイプ５の内周
面にアルミニウムや金などの金属膜をメッキ加工しても
よい。このとき、金属材料は特に限定されないが、アル
ミニウムや金などがメッキ加工しやすいものが好まし
い。さらに、使用するレーザの種類によって金属材料ま
たは金属膜を適宜変更することができる。The hollow pipe 5 is made of a metal material having a low absorptance of the laser beam 4, such as aluminum, and the entrance 5a at the upper end of the total reflection mirror 3 where the laser beam 4 is incident is totally reflected. It is formed in a circular shape having an inner diameter R larger than the reflection width W of the laser beam 4 reflected by the mirror 3, and is reduced in diameter from a substantially middle portion in the height direction toward the lower side (workpiece 1 side), Outlet 5b at the lower end where the laser beam 4 on the side of the workpiece 1 is irradiated
Is formed in an elliptical shape having a major axis of 4 mm and a minor axis of 1 mm on the inner peripheral side thereof. The distance D between the outlet 5b of the hollow pipe 5 and the workpiece 1 is, for example, 1 mm so that the shape of the outlet 5b (elliptical shape) is reflected, and both 5b,
1 is the distance approached. The metal material forming the hollow pipe 5 is not limited to aluminum, and other metal materials may be used. Further, a metal film such as aluminum or gold may be plated on the inner peripheral surface of the hollow pipe 5. At this time, the metal material is not particularly limited, but a material such as aluminum or gold that is easily plated is preferable. Furthermore, the metal material or the metal film can be appropriately changed depending on the type of laser used.

【００５３】６は被加工物１を載置する載置台で、制御
手段（図示せず）により載置台６をＸ軸またはＹ軸方向
に移動可能に構成されており、この載置台６の移動によ
り中空パイプ５からのレーザビーム４の被加工物１への
照射位置を、被加工物１に設けられた割断予定線１２に
沿って移動させることができる。なお、被加工物１に設
けられた割断予定線１２は割断位置がわかる程度のもの
であればよく、載置台６の移動制御の精度が高ければ割
断予定線１２を省略してもよい。また、載置台６を移動
させず、レーザ発振器２、全反射ミラー３および中空パ
イプ５をＸ軸またはＹ軸方向に移動可能に構成してもよ
い。Reference numeral 6 denotes a mounting table on which the workpiece 1 is mounted. The mounting table 6 is configured to be movable in the X-axis or Y-axis direction by control means (not shown). Thus, the irradiation position of the laser beam 4 from the hollow pipe 5 onto the workpiece 1 can be moved along the planned cutting line 12 provided on the workpiece 1. The planned cutting line 12 provided on the workpiece 1 may be one that allows the cutting position to be known, and the planned cutting line 12 may be omitted if the movement control of the mounting table 6 is highly accurate. Further, the laser oscillator 2, the total reflection mirror 3, and the hollow pipe 5 may be configured to be movable in the X-axis or Y-axis direction without moving the mounting table 6.

【００５４】次に、この実施の形態１の作用について、
図１および図２と図９の作用説明図とを参照して説明す
る。まず、被加工物１（例えばパネル２６の上側のガラ
ス基板２１）の割断予定線１２に対応する加工始点７ａ
に切り欠きあるいは面取り等の初期亀裂を形成する。こ
の初期亀裂の作成は、硬質工具を使用して被加工物１の
端部に切り欠きを形成する方法、あるいは被加工物１の
表面に高出力のレーザビームを集光して孔を加工しその
孔から亀裂を作成する方法など、公知の手法を採用す
る。Next, regarding the operation of the first embodiment,
This will be described with reference to FIGS. 1 and 2 and the operation explanatory view of FIG. 9. First, the processing start point 7a corresponding to the planned cutting line 12 of the workpiece 1 (for example, the glass substrate 21 on the upper side of the panel 26).
Form initial cracks such as notches or chamfers. This initial crack is created by using a hard tool to form a notch at the end of the workpiece 1, or by focusing a high-power laser beam on the surface of the workpiece 1 to form a hole. A known method such as a method of creating a crack from the hole is adopted.

【００５５】ついで、加工始点７ａの先端（割断の進行
方向側）近傍に、レーザ発振器２から照射されて全反射
ミラー３で反射し、さらに中空パイプ５の内周面５ｃで
反射して出口５ｂまで伝送され、スポット形状Ｓが楕円
形状に成形されたレーザビーム４を照射する。このと
き、レーザビーム４が照射された被加工物１は、図９に
示すように、そのビーム中心４ａに作用する圧縮応力８
およびその周辺に作用する引っ張り応力９による熱応力
によって、ビーム中心４ａから加工始点７ａまで延びる
亀裂１０が発生する。そして、ビーム照射位置を載置台
６の移動により割断予定線１２に沿って移動し、亀裂１
０をレーザビーム４による熱応力によって加工始点７ａ
から加工終点７ｂに向けて進展させていき、被加工物１
を割断する。このとき、レーザビーム４のスポット形状
Ｓを割断予定線１２に沿う方向が長径でそれと直交する
方向が短径の楕円形状にしたので、亀裂１０の前後方
向、特に割断の進行方向に勾配の急峻な温度分布が形成
され、生じる熱応力も大きくなって、割断予定線１２に
対して曲がる確率が少なくなる。Then, the laser beam is emitted from the laser oscillator 2 near the tip of the machining starting point 7a (on the traveling direction of the cutting), reflected by the total reflection mirror 3, and further reflected by the inner peripheral surface 5c of the hollow pipe 5 to exit 5b. The laser beam 4 having a spot shape S formed into an elliptical shape is emitted. At this time, the workpiece 1 irradiated with the laser beam 4 has a compressive stress 8 acting on its beam center 4a, as shown in FIG.
A crack 10 extending from the beam center 4a to the processing start point 7a is generated by the thermal stress caused by the tensile stress 9 acting on the periphery of the beam center 4a. Then, the beam irradiation position is moved along the planned cutting line 12 by the movement of the mounting table 6, and the crack 1
0 is processed by the thermal stress of the laser beam 4 and the processing start point 7a
To the processing end point 7b, the workpiece 1
Cleave. At this time, since the spot shape S of the laser beam 4 has an elliptical shape having a major axis in the direction along the planned cutting line 12 and a minor axis in the direction orthogonal thereto, the steep gradient in the front-rear direction of the crack 10, particularly in the progress direction of the cleaving. The temperature distribution is formed, the generated thermal stress is increased, and the probability of bending with respect to the planned cleavage line 12 is reduced.

【００５６】被加工物１に設けられた割断予定線１２の
うちの１つに対応する割断加工が終了すると、他の割断
予定線１２に沿って割断加工を行い、被加工物１に設け
られた割断予定線１２の割断がすべて終了するまで同様
の割断加工を行う。また、被加工物１の裏側（例えばパ
ネル２６の下側のガラス基板３１）などに割断予定線１
２が設けられている場合は、被加工物１を裏返して設け
られた割断予定線１２の割断がすべて終了するまで同様
の割断加工を行う。When the cutting process corresponding to one of the planned cutting lines 12 provided on the workpiece 1 is completed, the cutting process is performed along the other planned cutting lines 12 to be provided on the workpiece 1. The same cutting process is performed until all the cutting of the planned cutting line 12 is completed. In addition, the planned cutting line 1 is provided on the back side of the workpiece 1 (for example, the glass substrate 31 below the panel 26).
When No. 2 is provided, the same cutting process is performed until all the cutting of the planned cutting line 12 provided by turning over the workpiece 1 is completed.

【００５７】このように、レーザビーム４のスポット形
状Ｓを割断予定線１２に沿う方向が長径でそれと直交す
る方向が短径の楕円形状に成形する出口５ｂが楕円形状
に形成された中空パイプ５を設けたので、割断精度を向
上させるための１つである熱源（レーザビーム４）のス
ポット形状Ｓを楕円形状にすることを容易にかつ確実に
行うことができる。また、この中空パイプ５から照射さ
れたレーザビーム４による熱応力によって被加工物１を
割断加工するようにしたので、割断予定線１２に沿って
発生する亀裂１０の前後方向、特に割断の進行方向に勾
配の急峻な温度分布が形成され、このため生じる熱応力
も大きくなり、割断予定線１２に対して曲がる確率を低
くすることができる。これにより、割断効率および割断
精度を向上させることができる割断加工方法およびその
装置を得ることができる。In this way, the spot shape S of the laser beam 4 is formed into an elliptical shape having a major axis in the direction along the planned cutting line 12 and a minor axis in the direction orthogonal thereto, and the hollow pipe 5 having the elliptical shape in the outlet 5b. Since the above is provided, the spot shape S of the heat source (laser beam 4), which is one for improving the cutting accuracy, can be easily and surely made elliptical. Further, since the workpiece 1 is cleaved by the thermal stress of the laser beam 4 emitted from the hollow pipe 5, the front and rear direction of the crack 10 generated along the planned cleaving line 12, particularly the proceeding direction of the cleaving. A steep temperature distribution having a steep gradient is formed on the surface, and the resulting thermal stress also increases, so that the probability of bending with respect to the planned cutting line 12 can be reduced. As a result, it is possible to obtain a cleaving method and a device thereof that can improve the cleaving efficiency and the cleaving accuracy.

【００５８】なお、上述の実施の形態では、被加工物１
として液晶装置用のものとした場合を示したが、これに
限定されるものではなく、例えば被加工物１として有機
ＥＬ装置用のものや他の電子部品のものとしてもよい。
有機ＥＬ装置用のものの場合、１枚のガラス基板上に有
機ＥＬとなる複数の要素が形成されているため、この１
枚のガラス基板に対して割断加工を行う。また、被加工
物１はガラス基板を有するものに限定されず、脆性材料
で構成されたものであれば、本発明に係る割断加工方法
およびその装置を用いて割断加工を行うことができる。In the above embodiment, the work piece 1
Although the case of being used for a liquid crystal device has been shown as above, the present invention is not limited to this, and the work piece 1 may be, for example, one for an organic EL device or another electronic component.
In the case of an organic EL device, a plurality of organic EL elements are formed on one glass substrate.
Cleaving is performed on one glass substrate. Further, the work piece 1 is not limited to one having a glass substrate, and if the work piece 1 is made of a brittle material, the cleaving method and the apparatus thereof according to the present invention can be used for the cleaving processing.

【００５９】実施の形態２．本発明に係る実施の形態２
は、図１に示す実施の形態１に係る割断加工装置におい
て、中空パイプ５の出口５ｂと被加工物１の間に、中空
パイプ５の出口５ｂから照射されるレーザビーム４のス
ポット形状Ｓの楕円形の大きさを任意の大きさに可変す
る集光レンズ１６を設けたものである。Embodiment 2. Embodiment 2 according to the present invention
Is the spot shape S of the laser beam 4 irradiated from the outlet 5b of the hollow pipe 5 between the outlet 5b of the hollow pipe 5 and the workpiece 1 in the cleaving apparatus according to the first embodiment shown in FIG. A condensing lens 16 that changes the size of the ellipse to any size is provided.

【００６０】このように構成したことにより、実施の形
態１とほぼ同じ作用および効果が得られるとともに、集
光レンズ１６を設けたことにより、被加工物１の形状や
構成材料に対応させて、所定の大きさに形成された出口
５ｂを有する中空パイプ５のレーザビーム４のスポット
形状Ｓの楕円形の大きさを任意の大きさに容易に可変す
ることができ、被加工物１に対する割断精度を高めるこ
とができる。また、集光レンズ１６によるレーザビーム
４のスポット形状Ｓの楕円形の大きさの可変により、出
口５ｂの大きさ（レーザビーム４のスポット形状Ｓの楕
円形の大きさ）が異なる複数の中空パイプ５を用意し、
各中空パイプ５を被加工物１の形状や構成材料に対応さ
せて交換したりするなど、割断加工工程の煩雑化および
作業効率の低下等を防ぐことができる。これにより、割
断効率および割断精度を向上させることができる割断加
工方法およびその装置を得ることができる。With this configuration, substantially the same operation and effect as those of the first embodiment can be obtained, and by providing the condenser lens 16, it is possible to correspond to the shape and the constituent material of the workpiece 1. The elliptical size of the spot shape S of the laser beam 4 of the hollow pipe 5 having the outlet 5b formed in a predetermined size can be easily changed to any size, and the cutting accuracy for the workpiece 1 can be improved. Can be increased. Further, a plurality of hollow pipes having different sizes of the exit 5b (the elliptical size of the spot shape S of the laser beam 4) are obtained by changing the size of the elliptical shape of the spot shape S of the laser beam 4 by the condenser lens 16. Prepare 5,
It is possible to prevent the cleaving process from being complicated and the work efficiency from being lowered by replacing each hollow pipe 5 in accordance with the shape and the constituent material of the workpiece 1. As a result, it is possible to obtain a cleaving method and a device thereof that can improve the cleaving efficiency and the cleaving accuracy.

【００６１】実施の形態３．図１０は本発明の実施の形
態３に係る割断加工装置の構成説明図、図１１はその冷
却装置の構成説明図、図１２は図１１の冷却装置の構成
を示すブロック図である。Embodiment 3. 10 is a configuration explanatory view of a cleaving processing apparatus according to Embodiment 3 of the present invention, FIG. 11 is a configuration explanatory view of a cooling apparatus thereof, and FIG. 12 is a block diagram showing a configuration of the cooling apparatus of FIG.

【００６２】図において、５０は実施の形態１に係る割
断装置の中空パイプ５に近接して設けられ、中空パイプ
５から照射されたレーザビーム４によって加熱された直
後の被加工物１の領域７１を、例えば氷またはドライア
イスの如き固形状で円柱状の冷却体５１によって冷却す
る冷却装置、５２は冷却体５１を上下方向に摺動自在に
保持する保持装置である。In the figure, reference numeral 50 designates a region 71 of the workpiece 1 immediately after being heated by the laser beam 4 emitted from the hollow pipe 5 provided near the hollow pipe 5 of the cleaving apparatus according to the first embodiment. Is a cooling device for cooling with a solid and columnar cooling body 51 such as ice or dry ice, and 52 is a holding device for holding the cooling body 51 slidably in the vertical direction.

【００６３】保持装置５２は、底部の中心部に冷却体５
１が上下方向に摺動自在に連通し、冷却体５１のガイド
部となる連通孔５３ａを有する有底円筒状のシリンダ５
３と、シリンダ５３内に配設され、シリンダ５３の内周
壁に沿って上下方向に摺動可能なピストン５４と、ピス
トン５４の下部に複数設けられ、下端部にストッパー５
５ａを有するガイドピン５５と、ガイドピン５５が上下
方向に摺動自在な複数の摺動孔５６ａを有し、下面側の
中心部に冷却体５１を着脱可能に支持する支持部材５７
が一体に設けられた可動板５６と、可動板５６の上面側
の中心部に設けられ、冷却体５１の被加工物１への荷重
を一定に保持させる例えばロードセルの如き荷重センサ
５８とを備えている。そして、ピストン５４は、例えば
油圧やバネの如き機械的手段または例えばソレノイドの
如き電気的手段からなる荷重機構５９によって、荷重が
与えられるようになっている。The holding device 52 has a cooling body 5 at the center of the bottom.
1 has a bottomed cylindrical cylinder 5 having a communication hole 53a which serves as a guide portion of the cooling body 51 and which is slidably connected in the vertical direction.
3, a piston 54 disposed inside the cylinder 53 and slidable in the vertical direction along the inner peripheral wall of the cylinder 53, and a plurality of pistons 54 provided at the lower portion of the piston 54 and having a stopper 5 at the lower end portion.
5a and a plurality of sliding holes 56a through which the guide pin 55 is slidable in the vertical direction, and a support member 57 that detachably supports the cooling body 51 at the center of the lower surface.
Is provided integrally with the movable plate 56, and a load sensor 58, such as a load cell, which is provided at the center of the upper surface of the movable plate 56 and maintains a constant load on the workpiece 1 of the cooling body 51. ing. The piston 54 is applied with a load by a load mechanism 59 including a mechanical means such as hydraulic pressure or a spring or an electric means such as a solenoid.

【００６４】６０，６１は保持装置５２の前後（割断方
向の前後）に配設されたＣＣＤカメラで、それぞれ冷却
体５１の前後の被加工物１側を写している。６２はＣＣ
Ｄカメラ６０，６１からの画像情報に基づいて被加工物
１の端部１ａを検知する画像処理部、６３は制御装置
で、画像処理部６２の検知結果および荷重センサ５８の
感知結果に基づいて、荷重機構５９を駆動して冷却体５
１に一定の荷重をかけて被加工物１に接触させ、また
は、荷重機構５９の駆動を停止して冷却体５１への一定
の荷重を解除させて、冷却体５１の上下方向への摺動を
自由にする。なお、荷重機構５９の駆動を停止した場
合、冷却体５１への一定の荷重を解除した後、ピストン
５４をさらに上方に摺動してガイドピン５５のストッパ
ー５５ａにより係止した可動板５６を上方に摺動させ、
これに伴って冷却体５１を被加工物１から確実に離間さ
せるようにしてもよい。Reference numerals 60 and 61 denote CCD cameras arranged in front of and behind the holding device 52 (front and rear in the cutting direction), respectively showing the workpiece 1 side before and after the cooling body 51. 62 is CC
An image processing unit 63 that detects the end 1a of the workpiece 1 based on the image information from the D cameras 60 and 61 is a control device, and based on the detection result of the image processing unit 62 and the detection result of the load sensor 58. , The load mechanism 59 is driven to drive the cooling body 5.
1 is contacted with the work 1 by applying a constant load, or the driving of the load mechanism 59 is stopped to release the constant load on the cooling body 51, and the cooling body 51 is slid in the vertical direction. Free. When the driving of the load mechanism 59 is stopped, after the constant load on the cooling body 51 is released, the piston 54 is slid further upward and the movable plate 56 locked by the stopper 55a of the guide pin 55 is moved upward. Slide it to
Along with this, the cooling body 51 may be reliably separated from the workpiece 1.

【００６５】このように構成した実施の形態３において
も、実施の形態１で説明した場合と同様に、まず、被加
工物１（例えばパネル２６の上側のガラス基板２１）の
割断予定線１２に対応する加工始点７ａに切り欠きある
いは面取り等の初期亀裂を形成する。ついで、加工始点
７ａの先端（割断の進行方向側）近傍に、レーザ発振器
２から照射されて全反射ミラー３で反射し、さらに中空
パイプ５の内周面５ｃで反射して出口５ｂまで伝送さ
れ、スポット形状Ｓが楕円形状に成形されたレーザビー
ム４を照射し、その熱応力によってビーム中心４ａから
加工始点７ａまで延びる亀裂１０を発生させる。Also in the third embodiment having the above-described structure, as in the case described in the first embodiment, first, the planned cutting line 12 of the workpiece 1 (for example, the glass substrate 21 on the upper side of the panel 26) is cut. An initial crack such as a notch or chamfer is formed at the corresponding processing start point 7a. Next, the laser beam is emitted from the laser oscillator 2 near the tip of the processing start point 7a (on the traveling direction of the cutting), reflected by the total reflection mirror 3, and further reflected by the inner peripheral surface 5c of the hollow pipe 5 and transmitted to the outlet 5b. The laser beam 4 having the spot shape S formed in an elliptical shape is irradiated, and a crack 10 extending from the beam center 4a to the processing start point 7a is generated by the thermal stress.

【００６６】次に、ビーム照射位置を載置台６の移動に
より割断予定線１２に沿って次の加熱領域（図１０の７
０）に移動し、その加熱領域に中空パイプ５によりスポ
ット形状Ｓが楕円形状に成形されたレーザビーム４を照
射して、その熱応力によってビーム中心４ａから前のビ
ーム中心部４ａ付近まで形成している亀裂１０を進展さ
せる。このとき、冷却装置５０の冷却体５１は、前回の
加熱領域（図１０の７１）に接触しており、加熱直後の
加熱領域（図１０の７１）を急速に冷却する。これによ
り、被加工物１の現在レーザビーム４が照射されて加熱
されている領域（図１０の７０）と直前まで加熱されて
いた領域（図１０の７１）との温度差が大きくなり、熱
応力がより大きくなって割断精度が向上する。Next, the beam irradiation position is moved to the next heating region (7 in FIG. 10) along the planned cutting line 12 by moving the mounting table 6.
0) and irradiate the laser beam 4 having the spot shape S formed into an elliptical shape by the hollow pipe 5 to the heating region, and form from the beam center 4a to the vicinity of the front beam center 4a by the thermal stress. The crack 10 that is being developed is propagated. At this time, the cooling body 51 of the cooling device 50 is in contact with the previous heating region (71 in FIG. 10) and rapidly cools the heating region immediately after heating (71 in FIG. 10). As a result, the temperature difference between the region (70 in FIG. 10) of the workpiece 1 that is currently heated by irradiation with the laser beam 4 and the region (71 of FIG. 10) that has been heated immediately before is increased, and The stress is increased and the cutting accuracy is improved.

【００６７】そして、ビーム照射位置を載置台６の移動
により割断予定線１２に沿って移動し、亀裂１０をレー
ザビーム４による熱応力によって加工始点７ａから加工
終点７ｂに向けて進展させていき、被加工物１を割断す
る。このとき、冷却装置５０は、その画像処理部６２に
よってＣＣＤカメラ６０，６１により写した画像情報に
基づいて被加工物１の端部１ａを検知している。例えば
冷却装置５０が被加工物１の端部１ａに設けられた割断
予定線１２の加工終点７ｂに接近して、ＣＣＤカメラ６
０（６１）および画像処理部６２によりその端部１ａ
（加工終点７ｂ）が検知されると、制御装置６３は画像
処理部６２からの検知結果に基づいて冷却体５１に一定
の荷重をかけて被加工物１に接触させていた荷重機構５
９の駆動を停止させ、冷却体５１への一定の荷重を解除
する。なお、冷却体５１を被加工物１から確実に離間さ
せてもよい。Then, the beam irradiation position is moved along the planned cutting line 12 by the movement of the mounting table 6, and the crack 10 is propagated from the processing start point 7a to the processing end point 7b by the thermal stress of the laser beam 4, The workpiece 1 is cut. At this time, the cooling device 50 detects the end 1a of the workpiece 1 based on the image information captured by the CCD cameras 60 and 61 by the image processing unit 62. For example, the cooling device 50 approaches the processing end point 7b of the planned cutting line 12 provided at the end 1a of the workpiece 1, and the CCD camera 6
0 (61) and the end portion 1a by the image processing unit 62.
When the (processing end point 7b) is detected, the control device 63 applies a constant load to the cooling body 51 based on the detection result from the image processing unit 62 to bring it into contact with the workpiece 1.
The driving of 9 is stopped, and the constant load on the cooling body 51 is released. The cooling body 51 may be reliably separated from the work piece 1.

【００６８】また、割断開始時においては、ＣＣＤカメ
ラ６０（６１）および画像処理部６２によりその端部１
ａ（加工始点７ａ）が検知されると、制御装置６３は画
像処理部６２からの検知結果に基づいて荷重機構５９の
駆動を停止させて冷却体５１への一定の荷重を解除し、
冷却体５１が上下方向に自由に摺動できるようにする。
そして、図１３に示すように、冷却体５１の先端部５１
ａが被加工物１の端部１ａ（加工始点７ａ）に当たる
と、上下方向に自由に摺動できる状態にある冷却体５１
が被加工物１の端部１ａ（加工始点７ａ）から表面１ｂ
に乗り上がり、上方に摺動する。これに伴って可動板５
６も上方に摺動し、荷重センサ５８も上方に摺動してピ
ストン５４に接触し、荷重を感知する。そして、制御装
置６３は、この荷重センサ５８の感知結果に基づいて荷
重機構５９を駆動させ、冷却体５１に一定の荷重をかけ
被加工物１に接触させる。At the start of cleaving, the end portion 1 of the CCD camera 60 (61) and the image processing unit 62 are cut off.
When a (processing start point 7a) is detected, the control device 63 stops driving the load mechanism 59 based on the detection result from the image processing unit 62 to release the constant load on the cooling body 51,
The cooling body 51 is allowed to freely slide in the vertical direction.
Then, as shown in FIG.
When a hits the end 1a (working start point 7a) of the workpiece 1, the cooling body 51 is in a state where it can freely slide in the vertical direction.
Is the surface 1b from the end 1a (processing start point 7a) of the workpiece 1
Ride on and slide upward. Along with this, the movable plate 5
6 also slides upward, and the load sensor 58 also slides upward and comes into contact with the piston 54 to sense the load. Then, the control device 63 drives the load mechanism 59 based on the detection result of the load sensor 58 to apply a constant load to the cooling body 51 to bring it into contact with the workpiece 1.

【００６９】このようにして、被加工物１に設けられた
割断予定線１２のうちの１つに対応する割断加工が終了
すると、他の割断予定線１２に沿って同様の割断加工を
行い、被加工物１に設けられた割断予定線１２の割断が
すべて終了するまで同様の割断加工を行う。また、被加
工物１の裏側（例えばパネル２６の下側のガラス基板３
１）などに割断予定線１２が設けられている場合は、被
加工物１を裏返して設けられた割断予定線１２の割断が
すべて終了するまで同様の割断加工を行う。In this way, when the cutting process corresponding to one of the planned cutting lines 12 provided on the workpiece 1 is completed, the same cutting process is performed along the other planned cutting lines 12, The same cleaving process is performed until all the cleaving of the planned cleaving line 12 provided on the workpiece 1 is completed. In addition, the back side of the workpiece 1 (for example, the glass substrate 3 below the panel 26).
When the planned cutting line 12 is provided in 1) or the like, the same cutting process is performed until the cutting of the planned cutting line 12 provided by turning over the workpiece 1 is completed.

【００７０】このように、レーザビーム４のスポット形
状Ｓを割断予定線１２に沿う方向が長径でそれと直交す
る方向が短径の楕円形状に成形する出口５ｂが楕円形状
に形成された中空パイプ５の近傍に、加熱直後の領域７
１を冷却する冷却体５１を備えた冷却装置５０を設けた
ので、割断精度を向上させるための１つである熱源（レ
ーザビーム４）のスポット形状Ｓを楕円形状にすること
を容易にかつ確実に行うことができるとともに、冷却装
置５０により、被加工物１の冷めにくかった直前まで加
熱されていた領域７１を冷却することができ、被加工物
１の現在レーザビーム４が照射されて加熱されている領
域７０と直前まで加熱されていた領域７１との温度差を
大きくすることができる。これにより、熱応力がより大
きくなって割断効率および割断精度を向上させることが
できる割断加工方法およびその装置を得ることができ
る。また、冷却体５１は例えば氷などの固形物であるた
め、冷風などの気体のものと比較して被加工物１に直接
接触させることができ、被加工物１における冷却領域の
冷却効率が高くなり、確実に目的領域を冷却することが
できる。さらに、現在加熱されている領域を誤って冷却
してしまうおそれがなく、温度差を与えたい現在加熱さ
れている領域の極めて近傍を確実に冷却することがで
き、割断精度をより向上させることができる割断加工方
法およびその装置を得ることができる。Thus, the hollow pipe 5 having the elliptical outlet 5b for shaping the spot shape S of the laser beam 4 into an elliptical shape having a major axis in the direction along the planned dividing line 12 and a minor axis in the direction perpendicular to the line. In the vicinity of the area 7 immediately after heating
Since the cooling device 50 provided with the cooling body 51 for cooling 1 is provided, it is easy and reliable to make the spot shape S of the heat source (laser beam 4), which is one for improving the cutting accuracy, elliptical. In addition to the above, the cooling device 50 can cool the region 71 of the workpiece 1 that has been heated until immediately before it was difficult to cool, and the workpiece 1 is currently irradiated with the laser beam 4 and heated. It is possible to increase the temperature difference between the heated region 70 and the region 71 that has been heated up to immediately before. As a result, it is possible to obtain a cleaving method and apparatus capable of increasing the thermal stress and improving the cleaving efficiency and cleaving accuracy. Further, since the cooling body 51 is a solid substance such as ice, it can be brought into direct contact with the workpiece 1 as compared with a gas such as cold air, and the cooling efficiency of the cooling region of the workpiece 1 is high. Therefore, the target area can be surely cooled. Further, there is no risk of erroneously cooling the currently heated region, and it is possible to reliably cool the region very close to the currently heated region where a temperature difference is desired to be provided, which further improves the cutting accuracy. It is possible to obtain a fracturing method and a device therefor.

【００７１】なお、上述の実施の形態３では、実施の形
態１にこの発明を実施した場合を示したが、実施の形態
２にこの発明を実施してもよく、中空パイプ５を有せず
レーザビーム４のスポット形状Ｓが楕円形状でない従来
の割断加工装置にもこの発明を実施することができる。
これらの場合も同様の効果を奏する。In the third embodiment described above, the case where the present invention is applied to the first embodiment has been shown, but the present invention may be applied to the second embodiment and the hollow pipe 5 is not provided. The present invention can be applied to a conventional cleaving processing apparatus in which the spot shape S of the laser beam 4 is not elliptical.
Similar effects are obtained in these cases.

【００７２】また、上述の実施の形態３では、冷却装置
５０を中空パイプ５に近接して設け、ビーム照射位置と
冷却位置が割断予定線１２に沿って移動するように、被
加工物１が載置される載置台６を移動させて割断加工す
る場合を示したが、載置台６を固定し、レーザ発振器
２、全反射ミラー３、中空パイプ５および冷却装置５０
を割断予定線１２に沿って移動させ割断加工するように
してもよい。この場合、冷却装置５０は中空パイプ５等
の移動に追従させることにより、同様の効果が得られ
る。さらに、冷却体５１の形状を円柱状とした場合を示
したが、これに限定するものではなく、断面逆台形状と
し、冷却体５１が支持部材５７から外れてしまった場合
でも、シリンダ５３の連通孔５３ａから抜けたり移動し
てしまうのを防ぐようにしてもよい。In the third embodiment, the cooling device 50 is provided close to the hollow pipe 5, and the workpiece 1 is moved so that the beam irradiation position and the cooling position move along the planned cutting line 12. Although the case where the mounting table 6 to be mounted is moved and cleaved is shown, the mounting table 6 is fixed, and the laser oscillator 2, the total reflection mirror 3, the hollow pipe 5, and the cooling device 50 are provided.
May be moved along the planned cutting line 12 to perform the cutting process. In this case, the cooling device 50 can follow the movement of the hollow pipe 5 and the like to obtain the same effect. Further, although the case where the shape of the cooling body 51 is cylindrical is shown, the shape is not limited to this, and the cross-section has an inverted trapezoidal shape, and even when the cooling body 51 is detached from the support member 57, the cylinder 53 You may prevent it from slipping out or moving from the communication hole 53a.

【００７３】また、上述の実施の形態１乃至３では、熱
源としてレーザを用いた場合を例示して説明したが、レ
ーザの他に、バーナー、光源、電熱ヒータなどを用いて
もよい。これらの場合も同様の効果を奏する。Further, in the above-described first to third embodiments, the case where the laser is used as the heat source has been described as an example, but a burner, a light source, an electric heater or the like may be used instead of the laser. Similar effects are obtained in these cases.

【００７４】[0074]

【発明の効果】以上のように本発明に係る割断加工方法
およびその装置によれば、被加工物への加熱スポットの
形状を割断予定線に沿って楕円形状に確実に成形するこ
とができるとともに、熱源により加熱された直後の領域
を冷却体により確実に冷却することができ、被加工物に
対する割断効率および割断精度を向上せることができ
る。As described above, according to the cleaving method and the apparatus therefor of the present invention, the shape of the heating spot on the workpiece can be surely formed into an elliptical shape along the planned cutting line. The region immediately after being heated by the heat source can be reliably cooled by the cooling body, and the cutting efficiency and the cutting accuracy for the workpiece can be improved.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図１】本発明の実施の形態１に係る割断加工装置の構
成説明図およびレーザビームのスポット形状の拡大図で
ある。FIG. 1 is an explanatory diagram of a configuration of a cleaving apparatus according to a first embodiment of the present invention and an enlarged view of a spot shape of a laser beam.

【図２】本発明の実施の形態１に係る被加工物の平面図
およびその断面図である。2A and 2B are a plan view and a sectional view of a work piece according to the first embodiment of the present invention.

【図３】液晶パネルの基本構造を示す断面図である。FIG. 3 is a cross-sectional view showing the basic structure of a liquid crystal panel.

【図４】パッシブマトリックス駆動による液晶パネルの
基本構造を示す分解斜視図である。FIG. 4 is an exploded perspective view showing a basic structure of a liquid crystal panel driven by a passive matrix.

【図５】アクティブマトリックス駆動による液晶パネル
の基本構造を示す分解斜視図である。FIG. 5 is an exploded perspective view showing a basic structure of a liquid crystal panel driven by active matrix.

【図６】本発明の実施の形態１に係る割断加工方法が適
用される液晶パネルの製造工程を示すフローチャートで
ある。FIG. 6 is a flowchart showing a manufacturing process of a liquid crystal panel to which the cleaving method according to the first embodiment of the present invention is applied.

【図７】図６の処理に対応した基板の状態を示した説明
図である。FIG. 7 is an explanatory diagram showing a state of the substrate corresponding to the processing of FIG.

【図８】本発明の実施の形態１に係る割断加工方法およ
びその装置により形成した液晶パネルを用いた液晶装置
の例示図である。FIG. 8 is an exemplary diagram of a liquid crystal device using a liquid crystal panel formed by the cleaving method and device according to the first embodiment of the present invention.

【図９】本発明の実施の形態の作用説明図である。FIG. 9 is an explanatory view of the operation of the embodiment of the present invention.

【図１０】本発明の実施の形態３に係る割断加工装置の
構成説明図である。FIG. 10 is a configuration explanatory diagram of a cleaving processing device according to a third embodiment of the present invention.

【図１１】本発明の実施の形態３に係る冷却装置の構成
説明図である。FIG. 11 is a structural explanatory diagram of a cooling device according to a third embodiment of the present invention.

【図１２】図１１の冷却装置の構成を示すブロック図で
ある。12 is a block diagram showing the configuration of the cooling device of FIG.

【図１３】本発明の実施の形態３の要部の作用説明図で
ある。FIG. 13 is an operation explanatory view of the main part of the third embodiment of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

１ 被加工物 １ａ 端部 ２ レーザ発振器 ３ 全反射ミラー ４ レーザビーム ５ 中空パイプ ５ｂ 出口 ６ 載置台 ７ａ 加工始点 ８ 圧縮応力 ９ 引っ張り応力 １０ 亀裂 １２ 割断予定線 １６ 集光レンズ ５０ 冷却装置 ５１ 冷却体 ５２ 保持装置 ５３ シリンダ ５３ａ 連通孔 ５４ ピストン ５５ ガイドピン ５５ａ ストッパー ５６ 可動板 ５７ 支持部材 ５８ 荷重センサ ５９ 荷重機構 ６０，６１ ＣＣＤカメラ ６２ 画像処理部 ６３ 制御装置 ７０ 加熱領域 ７１ 前回の加熱領域 １００ 液晶パネル Ｓ スポット形状 1 Workpiece 1a end 2 Laser oscillator 3 total reflection mirror 4 laser beam 5 hollow pipes 5b exit 6 Mounting table 7a Processing start point 8 Compressive stress 9 Tensile stress 10 cracks 12 dividing line 16 Condensing lens 50 cooling system 51 Cooling body 52 holding device 53 cylinders 53a communication hole 54 piston 55 guide pin 55a stopper 56 movable plate 57 Support member 58 load sensor 59 load mechanism 60,61 CCD camera 62 Image processing unit 63 Control device 70 heating area 71 Previous heating area 100 LCD panel S spot shape

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 4E068 AE00 AJ04 CB06 CD05 DA09 DA10 4G015 FA06 FB01 FC10    ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continued front page    F term (reference) 4E068 AE00 AJ04 CB06 CD05 DA09                       DA10                 4G015 FA06 FB01 FC10

Claims (37)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項１】 被加工物に設けられた加工始点に形成さ
れた亀裂を、熱源によって割断予定線上に沿って進展さ
せることにより、前記被加工物を割断する割断加工方法
であって、 前記熱源の加熱スポットの形状を、前記割断予定線に沿
って楕円形状に成形し、前記加熱スポットを前記割断予
定線に沿って移動させることにより、前記亀裂を連続し
て進展させることを特徴とする割断加工方法。1. A cleaving method for cleaving the workpiece by causing a crack formed at a machining starting point provided in the workpiece along a planned cleavage line by a heat source to be cleaved. The shape of the heating spot of, is formed into an elliptical shape along the planned cutting line, by moving the heating spot along the planned cutting line, the cracking characterized by continuously developing the crack. Processing method. 【請求項２】 被加工物に設けられた加工始点に形成さ
れた亀裂を、熱源によって割断予定線上に沿って進展さ
せることにより、前記被加工物を割断する割断加工方法
であって、 前記熱源の加熱スポットの形状を、前記割断予定線に沿
って楕円形状に成形し、前記楕円形状の大きさを任意の
大きさに可変して、前記加熱スポットを前記割断予定線
に沿って移動させることにより、前記亀裂を連続して進
展させることを特徴とする割断加工方法。2. A cleaving method for cleaving the workpiece by causing a crack formed at a machining starting point provided in the workpiece along a planned cleavage line by a heat source to be provided. The shape of the heating spot is shaped into an elliptical shape along the planned cutting line, the size of the elliptical shape is changed to an arbitrary size, and the heating spot is moved along the planned cutting line. The cracking method is characterized by continuously developing the crack. 【請求項３】 被加工物に設けられた加工始点に形成さ
れた亀裂を、熱源によって割断予定線上に沿って進展さ
せることにより、前記被加工物を割断する割断加工方法
であって、 前記熱源による加熱後の領域を、冷却体により冷却する
ことを特徴とする割断加工方法。3. A cleaving method for cleaving the workpiece by causing a crack formed at a machining starting point provided in the workpiece along a planned cleavage line by a heat source to be provided. A method for cleaving, characterized in that the area after being heated by means of is cooled by a cooling body. 【請求項４】 被加工物に設けられた加工始点に形成さ
れた亀裂を、熱源によって割断予定線上に沿って進展さ
せることにより、前記被加工物を割断する割断加工方法
であって、 前記熱源の加熱スポットの形状を、前記割断予定線に沿
って楕円形状に成形し、前記加熱スポットによる加熱後
の領域を、冷却体により冷却することを特徴とする割断
加工方法。4. A cleaving method for cleaving the workpiece by causing a crack formed at a machining starting point provided in the workpiece along a planned cleaving line by a heat source to provide a cleaving method. The shape of the heating spot is formed into an elliptical shape along the planned cleavage line, and the region after heating by the heating spot is cooled by a cooling body. 【請求項５】 被加工物に設けられた加工始点に形成さ
れた亀裂を、熱源によって割断予定線上に沿って進展さ
せることにより、前記被加工物を割断する割断加工方法
であって、 前記熱源の加熱スポットの形状を、前記割断予定線に沿
って楕円形状に成形して、前記楕円形状の大きさを任意
の大きさに可変し、前記加熱スポットによる加熱後の領
域を、冷却体により冷却することを特徴とする割断加工
方法。5. A cleaving method for cleaving the workpiece by causing a crack formed at a machining starting point provided in the workpiece along a planned cleavage line by a heat source to be cleaved. The shape of the heating spot is shaped into an elliptical shape along the planned dividing line, the size of the elliptical shape is changed to an arbitrary size, and the area after heating by the heating spot is cooled by a cooling body. A cleaving method characterized by: 【請求項６】 下端部が断面楕円形状に形成された中空
パイプにより前記加熱スポットの形状を楕円形状に成形
することを特徴とする請求項１，２，４または５記載の
割断加工方法。6. The cleaving method according to claim 1, 2, 4 or 5, wherein the heating spot is formed into an elliptical shape by a hollow pipe whose lower end portion is formed into an elliptical cross section. 【請求項７】 前記加熱スポットの楕円形状を、前記割
断予定線に沿う方向が長径でそれと直交する方向が短径
としたことを特徴とする請求項１，２，４，５または６
記載の割断加工方法。7. The elliptical shape of the heating spot has a major axis in a direction along the planned cutting line and a minor axis in a direction orthogonal to the line.
Described cutting method. 【請求項８】 前記被加工物と熱源とを相対的に移動さ
せて前記被加工物を割断加工することを特徴とする請求
項１乃至７のいずれか記載の割断加工方法。8. The cleaving method according to claim 1, wherein the workpiece is cleaved by relatively moving the workpiece and a heat source. 【請求項９】 前記被加工物を脆性材料としたことを特
徴とする請求項１乃至８のいずれか記載の割断加工方
法。9. The cleaving method according to claim 1, wherein the workpiece is a brittle material. 【請求項１０】 前記熱源をレーザとしたことを特徴と
する請求項１乃至９のいずれか記載の割断加工方法。10. The cleaving method according to claim 1, wherein the heat source is a laser. 【請求項１１】 前記冷却体を前記被加熱物に接触させ
て冷却することを特徴とする請求項３乃至１０のいずれ
か記載の割断加工方法。11. The fracturing method according to claim 3, wherein the cooling body is brought into contact with the object to be heated for cooling. 【請求項１２】 被加工物を加熱する熱源と、 前記熱源の加熱スポットを前記被加工物の割断予定線上
に誘導する誘導機構と、 前記加熱スポットの形状を前記割断予定線に沿って楕円
形状に成形する成形部材と、 前記加熱スポットを前記割断予定線に沿って移動させる
移動機構とを備えたことを特徴とする割断加工装置。12. A heat source for heating a workpiece, an induction mechanism for guiding a heating spot of the heat source to a planned cutting line of the workpiece, and a shape of the heating spot having an elliptical shape along the planned cutting line. A cleaving apparatus comprising: a molding member that is molded into a shape; and a moving mechanism that moves the heating spot along the planned cleavage line. 【請求項１３】 被加工物を加熱する熱源と、 前記熱源の加熱スポットを前記被加工物の割断予定線上
に誘導する誘導機構と、 前記加熱スポットの形状を前記割断予定線に沿って楕円
形状に成形する成形部材と、 前記加熱スポットを任意の大きさに可変する可変機構
と、 前記加熱スポットを前記割断予定線に沿って移動させる
移動機構とを備えたことを特徴とする割断加工装置。13. A heat source for heating a workpiece, an induction mechanism for guiding a heating spot of the heat source onto a planned cutting line of the workpiece, and an elliptical shape of the heating spot along the planned cutting line. 1. A cleaving apparatus, comprising: a molding member that is molded into a shape, a variable mechanism that varies the heating spot to an arbitrary size, and a moving mechanism that moves the heating spot along the planned cleavage line. 【請求項１４】 被加工物を加熱する熱源と、 前記熱源の加熱スポットを前記被加工物の割断予定線上
に誘導する誘導機構と、 前記加熱スポットによる加熱後の前記被加工物における
領域を、冷却する冷却体を有する冷却装置と、 前記加熱スポットおよび前記冷却装置による冷却領域
を、前記割断予定線に沿って移動させる移動機構とを備
えたことを特徴とする割断加工装置。14. A heat source for heating a workpiece, an induction mechanism for guiding a heating spot of the heat source to a planned cutting line of the workpiece, and a region of the workpiece after heating by the heating spot, A fracturing apparatus comprising: a cooling device having a cooling body for cooling; and a moving mechanism for moving the heating spot and the cooling region by the cooling device along the planned cutting line. 【請求項１５】 被加工物を加熱する熱源と、 前記熱源の加熱スポットを前記被加工物の割断予定線上
に誘導する誘導機構と、 前記加熱スポットの形状を前記割断予定線に沿って楕円
形状に成形する成形部材と、 前記加熱スポットによる加熱後の前記被加工物における
領域を、冷却する冷却体を有する冷却装置と、 前記加熱スポットおよび前記冷却装置による冷却領域
を、前記割断予定線に沿って移動させる移動機構とを備
えたことを特徴とする割断加工装置。15. A heat source for heating a workpiece, an induction mechanism for guiding a heating spot of the heat source onto a planned cutting line of the workpiece, and an elliptical shape of the heating spot along the planned cutting line. A molding member to be molded into, a region in the workpiece after heating by the heating spot, a cooling device having a cooling body for cooling, a cooling region by the heating spot and the cooling device, along the planned cutting line And a moving mechanism for moving the cutting device. 【請求項１６】 被加工物を加熱する熱源と、 前記熱源の加熱スポットを前記被加工物の割断予定線上
に誘導する誘導機構と、 前記加熱スポットの形状を前記割断予定線に沿って楕円
形状に成形する成形部材と、 前記加熱スポットを任意の大きさに可変する可変機構
と、 前記加熱スポットによる加熱後の前記被加工物における
領域を、冷却する冷却体を有する冷却装置と、 前記加熱スポットおよび前記冷却装置による冷却領域
を、前記割断予定線に沿って移動させる移動機構とを備
えたことを特徴とする割断加工装置。16. A heat source for heating a workpiece, an induction mechanism for guiding a heating spot of the heat source onto a planned cutting line of the workpiece, and an elliptical shape of the heating spot along the planned cutting line. A molding member to be molded into, a variable mechanism for varying the heating spot to an arbitrary size, a cooling device having a cooling body for cooling a region in the workpiece after heating by the heating spot, the heating spot And a moving mechanism that moves the cooling region by the cooling device along the planned cutting line. 【請求項１７】 前記冷却装置を前記成形部材に近接し
て設けたことを特徴とする請求項１５または１６記載の
割断加工装置。17. The fracturing apparatus according to claim 15, wherein the cooling device is provided close to the molding member. 【請求項１８】 前記冷却領域を前記加熱スポットに追
従させることを特徴とする請求項１４乃至１７のいずれ
か記載の割断加工装置。18. The fracturing apparatus according to claim 14, wherein the cooling region is made to follow the heating spot. 【請求項１９】 前記成形部材を、前記加熱スポットの
形状を前記割断予定線に沿って楕円形状に成形する出口
を有する中空パイプとしたことを特徴とする請求項１
２，１３，１５，１６，１７または１８記載の割断加工
装置。19. A hollow pipe having an outlet for shaping the shape of the heating spot into an elliptical shape along the planned cutting line.
The cleaving apparatus according to 2, 13, 15, 16, 17 or 18. 【請求項２０】 前記中空パイプの下端部が断面楕円形
状であることを特徴とする請求項１９記載の割断加工装
置。20. The fracturing apparatus according to claim 19, wherein a lower end portion of the hollow pipe has an elliptical cross section. 【請求項２１】 前記加熱スポットの楕円形状を、前記
割断予定線に沿う方向が長径でそれと直交する方向が短
径としたことを特徴とする請求項１２，１３，１５，１
６，１７，１８，１９または２０記載の割断加工装置。21. The elliptical shape of the heating spot has a major axis in a direction along the planned cutting line and a minor axis in a direction perpendicular to the major line.
The cleaving device according to 6, 17, 18, 19 or 20. 【請求項２２】 前記中空パイプの出口を前記被加工物
の近傍に位置したことを特徴とする請求項１９または２
０記載の割断加工装置。22. The outlet of the hollow pipe is located near the workpiece.
Cleaving processing device described in 0. 【請求項２３】 前記中空パイプを金属材料で構成した
ことを特徴とする請求項１９，２０または２２記載の割
断加工装置。23. The fracturing apparatus according to claim 19, 20 or 22, wherein the hollow pipe is made of a metal material. 【請求項２４】 前記中空パイプの内周面に金属膜を施
したことを特徴とする請求項１９，２０，２２または２
３記載の割断加工装置。24. A metal film is applied to an inner peripheral surface of the hollow pipe, wherein the hollow pipe has a metal film.
The cleaving processing device described in 3. 【請求項２５】 前記誘導機構を光学系により構成した
ことを特徴とする請求項１２乃至２４のいずれか記載の
割断加工装置。25. The fracturing apparatus according to claim 12, wherein the guiding mechanism is an optical system. 【請求項２６】 前記可変機構を光学系により構成した
ことを特徴とする請求項１３，１６乃至２５のいずれか
記載の割断加工装置。26. The fracturing apparatus according to claim 13, 16 or 25, wherein said variable mechanism is constituted by an optical system. 【請求項２７】 前記熱源をレーザとしたことを特徴と
する請求項１２乃至２６のいずれか記載の割断加工装
置。27. The fracturing apparatus according to claim 12, wherein the heat source is a laser. 【請求項２８】 前記移動機構を前記被加工物を載置す
る載置台に設けたことを特徴とする請求項１２乃至２７
のいずれか記載の割断加工装置。28. The moving mechanism is provided on a mounting table on which the workpiece is mounted.
The cleaving processing device according to any one of 1. 【請求項２９】 前記移動機構を前記熱源側に設けたこ
とを特徴とする請求項１２乃至２７のいずれか記載の割
断加工装置。29. The cleaving apparatus according to claim 12, wherein the moving mechanism is provided on the heat source side. 【請求項３０】 前記被加工物を脆性材料としたことを
特徴とする請求項１２乃至２９のいずれか記載の割断加
工装置。30. The fracturing apparatus according to claim 12, wherein the workpiece is a brittle material. 【請求項３１】 前記冷却装置は、前記冷却体を摺動自
在に保持する保持装置と、前記保持装置に前記被加工物
側への荷重を与える荷重機構と、前記被加工物の端部を
検知する検知機構と、前記検知機構の検知結果に基づい
て前記荷重機構を駆動または停止させる制御装置とを備
えたことを特徴とする請求項１４乃至３０のいずれか記
載の割断加工装置。31. The cooling device includes a holding device that slidably holds the cooling body, a load mechanism that applies a load to the workpiece to the holding device, and an end portion of the workpiece. 31. The fracturing apparatus according to claim 14, further comprising a detection mechanism for detecting, and a control device for driving or stopping the load mechanism based on a detection result of the detection mechanism. 【請求項３２】 前記冷却体は、前記被加熱物に接触す
ることを特徴とする請求項１４乃至３１のいずれか記載
の割断加工装置。32. The fracturing apparatus according to claim 14, wherein the cooling body comes into contact with the object to be heated. 【請求項３３】 前記冷却体を固形物としたことを特徴
とする請求項１４乃至３２のいずれか記載の割断加工装
置。33. The fracturing apparatus according to claim 14, wherein the cooling body is a solid material. 【請求項３４】 前記冷却体を氷またはドライアイスと
したことを特徴とする請求項１４乃至３３のいずれか記
載の割断加工装置。34. The fracturing apparatus according to claim 14, wherein the cooling body is ice or dry ice. 【請求項３５】 前記保持装置は、底部の中心部に前記
冷却体が摺動自在に連通する連通孔を有する有底円筒状
のシリンダと、前記シリンダの内周壁に沿って摺動可能
なピストンと、前記ピストンの下部に複数設けられ、下
端部にストッパーを有するガイドピンと、前記冷却体を
支持する部材が設けられた可動板と、前記可動板と前記
ピストンの間に設けられ、前記冷却体の前記被加工物へ
の荷重を一定に保持させる荷重センサとを備えたことを
特徴とする請求項３１記載の割断加工装置。35. The holding device comprises a cylindrical cylinder having a bottom having a communication hole at the center of the bottom portion for allowing the cooling body to slidably communicate, and a piston slidable along an inner peripheral wall of the cylinder. A plurality of guide pins provided at the lower part of the piston and having a stopper at the lower end, a movable plate provided with a member supporting the cooling body, and a cooling plate provided between the movable plate and the piston. 32. The cleaving processing apparatus according to claim 31, further comprising a load sensor for holding a constant load on the workpiece. 【請求項３６】 請求項１乃至１１のいずれか記載の割
断加工方法を用いて電子部品を製造することを特徴とす
る電子部品の製造方法。36. A method of manufacturing an electronic component, comprising manufacturing the electronic component by using the cleaving method according to claim 1. Description: 【請求項３７】 請求項１２乃至３５のいずれか記載の
割断加工装置を用いて電子部品を製造することを特徴と
する電子部品の製造方法。37. A method of manufacturing an electronic component, which comprises manufacturing the electronic component by using the cleaving apparatus according to any one of claims 12 to 35.