JP2003136015A - Method and apparatus for making automatic setting for liquid-treating apparatus - Google Patents
Method and apparatus for making automatic setting for liquid-treating apparatusInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】この発明は、例えば半導体ウエハ
やＬＣＤ用ガラス基板等の被処理体表面にレジスト液や
現像液等の処理液を供給して塗布する液処理装置の設定
を自動で行う自動設定方法及びその装置に関するもので
ある。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention automatically sets a liquid processing apparatus for supplying and applying a processing liquid such as a resist liquid or a developing liquid to the surface of an object to be processed such as a semiconductor wafer or a glass substrate for LCD. The present invention relates to an automatic setting method and its device.
【０００２】[0002]
【従来の技術】一般に、半導体デバイスの製造工程にお
いては、半導体ウエハやＬＣＤ用ガラス基板等（以下に
ウエハ等という）の表面に例えばレジスト液を塗布し、
フォトリソグラフィー技術を用いて回路パターンを縮小
してレジスト膜を露光し、露光後のウエハ表面に現像液
を塗布して現像処理を行う。2. Description of the Related Art Generally, in a semiconductor device manufacturing process, for example, a resist solution is applied to the surface of a semiconductor wafer, a glass substrate for LCD or the like (hereinafter referred to as a wafer),
The circuit pattern is reduced by photolithography to expose the resist film, and a developing solution is applied to the exposed wafer surface to perform a development process.
【０００３】上記レジスト液（又は現像液）の塗布に
は、図１５に示すように、ウエハ等の表面にレジスト液
を供給するレジストノズル１１０と、レジストタンク１
８０に貯留されたレジスト液をレジスト液供給管路１３
０を介してレジストノズル１１０に圧送する供給ポンプ
１６０と、この供給ポンプ１６０が圧送するレジスト液
の圧力（以下に圧送圧力という）を一定に保つレギュレ
ータＲと、パーティクルを捕捉するフィルタ９０と、レ
ジスト液の供給、停止を行う開閉バルブＡＶと、レジス
ト液の供給停止時にレジストノズル１１０の先端部に表
面張力によって残留しているレジスト液が固化又は劣化
しないようにレジスト液をレジストノズル１１０内に引
き戻すサックバックバルブＳＶと、開閉バルブＡＶ、サ
ックバックバルブＳＶ及びレギュレータＲの作動を制御
するＣＰＵ１００とで構成されるレジスト塗布ユニット
（ＣＯＴ）が用いられている。To apply the resist solution (or the developing solution), as shown in FIG. 15, a resist nozzle 110 for supplying the resist solution to the surface of a wafer and a resist tank 1 are provided.
The resist solution stored in 80 is supplied to the resist solution supply line 13
Supply pump 160 that pressure-feeds to the resist nozzle 110 via 0, a regulator R that keeps the pressure of the resist liquid (hereinafter referred to as pressure-feed pressure) pumped by the supply pump 160 constant, a filter 90 that traps particles, and a resist. An on-off valve AV for supplying and stopping the liquid, and a resist liquid is drawn back into the resist nozzle 110 so that the resist liquid remaining at the tip of the resist nozzle 110 does not solidify or deteriorate due to surface tension when the supply of the resist liquid is stopped. A resist coating unit (COT) including a suck back valve SV, a CPU 100 that controls the operation of the opening / closing valve AV, the suck back valve SV, and the regulator R is used.
【０００４】[0004]
【発明が解決しようとする課題】ところで、図２に示す
ように複数積層されることがある、上記のように構成さ
れるレジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）においては、ユニ
ット毎に、配管長や揚程差に相違があり、また、ディス
ペンス関連部品にも個体差があるため、レジスト塗布ユ
ニット（ＣＯＴ）ごとにレジスト液の吐出状態が異な
り、塗布膜が不均一になるという問題があった。これを
較正するためには、各ユニットごとに開閉バルブＡＶや
サックバックバルブＳＶ、レギュレータＲの設定値をレ
ジスト液の吐出量や吐出状態に応じて調整する必要があ
るが、従来はこれらの作業をオペレータが手動で行って
いたため、レジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）の設定に時
間が掛かるという問題や、設定に誤差が生じ易いという
問題があった。By the way, in the resist coating unit (COT) configured as described above, which may be laminated in plural as shown in FIG. 2, the pipe length and the head difference are different for each unit. There is also a problem that the dispensing state of the resist liquid is different for each resist coating unit (COT) and the coating film is non-uniform because there are individual differences in the dispensing-related parts. In order to calibrate this, it is necessary to adjust the set values of the opening / closing valve AV, suck back valve SV, and regulator R for each unit according to the discharge amount and discharge state of the resist liquid. Since the operator manually performed the setting, there was a problem that it took time to set the resist coating unit (COT), and there was a problem that an error was likely to occur in the setting.
【０００５】この発明は上記事情に鑑みなされたもの
で、処理液供給手段が被処理体に均一に処理液を供給し
得るように、供給量調節手段及び処理液吸引手段を自動
で調整する液処理装置の自動設定方法及びその装置を提
供することを目的とするものである。The present invention has been made in view of the above circumstances, and is a liquid for automatically adjusting the supply amount adjusting means and the processing liquid suction means so that the processing liquid supply means can uniformly supply the processing liquid to the object to be processed. An object of the present invention is to provide an automatic setting method for a processing apparatus and the apparatus.
【０００６】[0006]
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、この発明の第１の液処理装置の自動設定方法は、被
処理体の表面に処理液を供給する処理液供給手段と、上
記処理液供給手段が供給する処理液の供給量を調節可能
な供給量調節手段と、上記処理液供給手段の処理液供給
停止時に、処理液供給手段の供給部に残留する処理液を
吸引する処理液吸引手段と、を具備する液処理装置の自
動設定方法であって、処理液供給手段が供給する処理液
の供給量を供給量検出手段により検出し、上記処理液供
給手段の供給部の処理液の状態を液検出手段により検出
し、上記供給量検出手段及び液検出手段の検出信号と、
予め記憶された少なくとも処理液の特性及び配管条件を
含む情報とに基いて、上記処理液供給手段が被処理体に
均一に処理液を供給し得るように、供給量調節手段及び
処理液吸引手段の設定を調整することを特徴とする（請
求項１）。In order to achieve the above object, a first method for automatically setting a liquid processing apparatus according to the present invention is a method for supplying a processing liquid to a surface of an object to be processed, Supply amount adjusting means capable of adjusting the supply amount of the processing liquid supplied by the processing liquid supply means, and processing for sucking the processing liquid remaining in the supply part of the processing liquid supply means when the processing liquid supply of the processing liquid supply means is stopped A method for automatically setting a liquid processing apparatus comprising a liquid suction means, wherein the supply amount of the processing liquid supplied by the processing liquid supply means is detected by a supply amount detection means, and the processing of the supply section of the processing liquid supply means is performed. The state of the liquid is detected by the liquid detecting means, and the detection signals of the supply amount detecting means and the liquid detecting means,
A supply amount adjusting means and a processing liquid suction means so that the processing liquid supply means can uniformly supply the processing liquid to the object to be processed based on the information stored in advance including at least the characteristics of the processing liquid and piping conditions. Is adjusted (claim 1).
【０００７】この場合、光を透過する容器に処理液供給
手段が供給する処理液を貯留すると共に、容器の側方に
照射した光をその対向する側で検知し、検知した光の光
量と、予め記憶された情報とに基いて、処理液供給手段
が供給する処理液の供給量を検出する方が好ましい（請
求項２）。In this case, the processing liquid supplied by the processing liquid supply means is stored in a container that transmits light, and the light radiated to the side of the container is detected on the opposite side, and the detected light amount and It is preferable to detect the supply amount of the processing liquid supplied by the processing liquid supply means based on the information stored in advance (claim 2).
【０００８】また、この発明の自動設定方法において、
上記供給量検出手段及び液検出手段の検出信号と、予め
記憶された少なくとも処理液の特性及び配管条件を含む
情報とに基いて、上記処理液供給手段が被処理体に均一
に処理液を供給し得るように、上記処理液供給手段に処
理液供給源の処理液を圧送する処理液圧送手段の圧力を
調節可能な圧力調節手段の設定を調整する方が好ましい
（請求項３）。Also, in the automatic setting method of the present invention,
Based on the detection signals of the supply amount detecting means and the liquid detecting means and the information including at least the characteristics of the processing liquid and the piping conditions stored in advance, the processing liquid supply means uniformly supplies the processing liquid to the object to be processed. In order to be able to do so, it is preferable to adjust the setting of the pressure adjusting means capable of adjusting the pressure of the processing liquid pumping means for pumping the processing liquid of the processing liquid supply source to the processing liquid supply means (claim 3).
【０００９】また、この発明の第１の液処理装置の自動
設定装置は、請求項１記載の自動設定方法を具現化する
もので、被処理体の表面に処理液を供給する処理液供給
手段と、上記処理液供給手段が供給する処理液の供給量
を調節可能な供給量調節手段と、上記処理液供給手段の
処理液供給停止時に、処理液供給手段の供給部に残留す
る処理液を吸引する処理液吸引手段と、を具備する液処
理装置の自動設定装置であって、上記処理液供給手段が
供給する処理液の供給量を検出する供給量検出手段と、
上記処理液供給手段の供給部の処理液の状態を検出する
液検出手段と、上記供給量検出手段及び液検出手段の検
出信号と、予め記憶された少なくとも処理液の特性及び
配管条件を含む情報とに基いて、上記処理液供給手段が
被処理体に均一に処理液を供給し得るように、上記供給
量調節手段及び処理液吸引手段の設定を調整する制御手
段と、を具備することを特徴とする（請求項４）。Further, an automatic setting device of the first liquid processing apparatus of the present invention embodies the automatic setting method according to claim 1, wherein the processing liquid supplying means supplies the processing liquid to the surface of the object to be processed. A supply amount adjusting means capable of adjusting the supply amount of the processing liquid supplied by the processing liquid supply means, and a processing liquid remaining in the supply part of the processing liquid supply means when the processing liquid supply of the processing liquid supply means is stopped. An automatic setting device of a liquid processing apparatus comprising a processing liquid suction means for sucking, a supply amount detecting means for detecting a supply amount of the processing liquid supplied by the processing liquid supply means,
Liquid detection means for detecting the state of the processing liquid in the supply section of the processing liquid supply means, detection signals of the supply amount detection means and the liquid detection means, and information including at least the characteristics of the processing liquid and piping conditions stored in advance. Based on the above, the control means for adjusting the settings of the supply amount adjusting means and the processing liquid suction means so that the processing liquid supply means can uniformly supply the processing liquid to the object to be processed. It is characterized (claim 4).
【００１０】この場合、上記供給量検出手段は、処理液
供給手段から供給された処理液を貯留する光を透過可能
な容器と、上記容器の側方から光を照射可能な発光手段
と、上記発光手段が照射し容器を透過した光を検知する
光検知手段とを具備する方が好ましい（請求項５）。In this case, the supply amount detecting means includes a container capable of transmitting light for storing the processing liquid supplied from the processing liquid supplying means, a light emitting means capable of irradiating light from the side of the container, and It is preferable that the light emitting means is provided with a light detecting means for detecting the light emitted and transmitted through the container (claim 5).
【００１１】また、この発明の自動設定装置において、
上記制御手段を、供給量検出手段及び液検出手段の検出
信号と、予め記憶された少なくとも処理液の特性及び配
管条件を含む情報とに基いて、上記処理液供給手段が被
処理体に均一に処理液を供給し得るように、上記処理液
供給手段に処理液供給源の処理液を圧送する処理液圧送
手段の圧力を調節可能な圧力調節手段の設定を調整する
ように構成する方が好ましい（請求項６）。In the automatic setting device of the present invention,
Based on the detection signals of the supply amount detection means and the liquid detection means, and the information including at least the characteristics of the processing liquid and the piping conditions stored in advance, the processing liquid supply means makes the processing means uniform on the object to be processed. In order to supply the processing liquid, it is preferable to adjust the setting of the pressure adjusting means capable of adjusting the pressure of the processing liquid pressure feeding means for feeding the processing liquid of the processing liquid supply source to the processing liquid supply means. (Claim 6).
【００１２】請求項１，２，４，５に記載の発明によれ
ば、処理液供給手段が供給する処理液の供給量を供給量
検出手段により検出し、処理液供給手段の供給部の処理
液の状態を液検出手段により検出し、供給量検出手段及
び液検出手段の検出信号と、予め記憶された少なくとも
処理液の特性及び配管条件を含む情報とに基いて、処理
液供給手段が被処理体に均一に処理液を供給し得るよう
に、供給量調節手段及び処理液吸引手段の設定を調整す
るので、液処理装置の設定をオペレータが手動で行う必
要がなく、装置の設定を容易にすることができると共
に、装置ごとの処理液の供給量に誤差が生じるのを防止
することができる。According to the first, second, fourth, and fifth aspects of the invention, the supply amount of the processing liquid supplied by the processing liquid supply means is detected by the supply amount detection means, and the processing of the supply section of the processing liquid supply means is performed. The state of the liquid is detected by the liquid detecting means, and the processing liquid supply means detects the liquid based on the detection signals of the supply amount detecting means and the liquid detecting means and the information stored at least including the characteristics of the processing liquid and the piping conditions. Since the settings of the supply amount adjusting means and the processing liquid suction means are adjusted so that the processing liquid can be uniformly supplied to the processing body, it is not necessary for the operator to manually set the liquid processing device, and the setting of the device is easy. In addition, it is possible to prevent an error in the supply amount of the processing liquid for each device.
【００１３】請求項３，６に記載の発明によれば、供給
量検出手段及び液検出手段の検出信号と、予め記憶され
た少なくとも処理液の特性及び配管条件を含む情報とに
基いて、処理液供給手段が被処理体に均一に処理液を供
給し得るように、処理液供給手段に処理液供給源の処理
液を圧送する処理液圧送手段の圧力を調節可能な圧力調
節手段の設定を調整するので、更に装置ごとの処理液の
供給量に誤差が生じるのを防止することができる。According to the third and sixth aspects of the present invention, the processing is performed based on the detection signals of the supply amount detecting means and the liquid detecting means and the information stored at least including the characteristics of the processing liquid and the piping conditions. In order to allow the liquid supply means to uniformly supply the processing liquid to the object to be processed, the pressure adjusting means for adjusting the pressure of the processing liquid pressure feeding means for feeding the processing liquid from the processing liquid supply source to the processing liquid supply means is set. Since the adjustment is performed, it is possible to further prevent an error from occurring in the supply amount of the processing liquid for each device.
【００１４】[0014]
【発明の実施の形態】以下に、この発明の実施の形態を
図面に基づいて詳細に説明する。この実施形態では、こ
の発明に係る自動設定装置を、半導体ウエハのレジスト
処理を行うレジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）に適用した
場合について説明する。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Embodiments of the present invention will be described in detail below with reference to the drawings. In this embodiment, a case will be described in which the automatic setting device according to the present invention is applied to a resist coating unit (COT) that performs resist processing on a semiconductor wafer.
【００１５】図１はレジスト液塗布・現像処理システム
の一実施形態の概略平面図、図２は図１の正面図、図３
は図２の背面図である。FIG. 1 is a schematic plan view of an embodiment of a resist solution coating / developing system, FIG. 2 is a front view of FIG. 1, and FIG.
FIG. 3 is a rear view of FIG.
【００１６】上記処理システムは、被処理体である半導
体ウエハＷ（以下にウエハＷという）をウエハカセット
１で複数枚例えば２５枚単位で外部からシステムに搬入
又はシステムから搬出したり、ウエハカセット１に対し
てウエハＷを搬出・搬入したりするためのカセットステ
ーション１０（搬送部）と、塗布現像工程の中で１枚ず
つウエハＷに所定の処理を施す枚葉式の各種処理ユニッ
トを所定位置に多段配置してなる処理ステーション２０
と、この処理ステーション２０と隣接して設けられる露
光装置（図示せず）との間でウエハＷを受け渡すための
インター・フェース部３０とで主要部が構成されてい
る。In the above processing system, a plurality of semiconductor wafers W (hereinafter referred to as "wafers W"), which are the objects to be processed, are loaded into or unloaded from the system by a plurality of wafer cassettes, for example, in units of 25, and the wafer cassette 1 A cassette station 10 (conveying unit) for unloading and loading the wafer W, and various single-wafer processing units for performing a predetermined process on the wafer W one by one in a coating and developing process at predetermined positions. Processing stations 20 arranged in multiple stages
And an interface unit 30 for transferring the wafer W between the processing station 20 and an exposure device (not shown) provided adjacent to the processing station 20.
【００１７】上記カセットステーション１０は、図１に
示すように、カセット載置台２上の突起３の位置に複数
個例えば４個までのウエハカセット１がそれぞれのウエ
ハ出入口を処理ステーション２０側に向けて水平のＸ方
向に沿って一列に載置され、カセット配列方向（Ｘ方
向）及びウエハカセット１内に垂直方向に沿って収容さ
れたウエハＷのウエハ配列方向（Ｚ方向）に移動可能な
ウエハ搬送用ピンセット４が各ウエハカセット１に選択
的に搬送するように構成されている。また、ウエハ搬送
用ピンセット４は、θ方向に回転可能に構成されてお
り、後述する処理ステーション２０側の第３の組Ｇ３の
多段ユニット部に属するアライメントユニット（ＡＬＩ
Ｍ）及びエクステンションユニット（ＥＸＴ）にも搬送
できるようになっている。In the cassette station 10, as shown in FIG. 1, a plurality of wafer cassettes 1, for example, up to four wafer cassettes 1 are provided at the positions of the projections 3 on the cassette mounting table 2, with their respective wafer entrances and exits facing the processing station 20 side. Wafer transfer which is placed in a row along the horizontal X direction and is movable in the wafer arrangement direction (Z direction) of the wafers W accommodated in the cassette arrangement direction (X direction) and in the wafer cassette 1 along the vertical direction. The tweezers 4 are configured to be selectively transported to each wafer cassette 1. The wafer transfer tweezers 4 is configured to be rotatable in the θ direction, and is included in the alignment unit (ALI) belonging to the multi-stage unit section of the third set G3 on the processing station 20 side described later.
M) and the extension unit (EXT).
【００１８】上記処理ステーション２０は、図１に示す
ように、中心部に垂直搬送型の主ウエハ搬送機構２１が
設けられ、この主ウエハ搬送機構２１を収容する室２２
の周りに全ての処理ユニットが１組又は複数の組に渡っ
て多段に配置されている。この例では、５組Ｇ１，Ｇ
２，Ｇ３，Ｇ４及びＧ５の多段配置構成であり、第１及
び第２の組Ｇ１，Ｇ２の多段ユニットはシステム正面
（図１において手前）側に並列され、第３の組Ｇ３の多
段ユニットはカセットステーション１０に隣接して配置
され、第４の組Ｇ４の多段ユニットはインター・フェー
ス部３０に隣接して配置され、第５の組Ｇ５の多段ユニ
ットは背部側に配置されている。As shown in FIG. 1, the processing station 20 is provided with a vertical transfer type main wafer transfer mechanism 21 at its center, and a chamber 22 for accommodating the main wafer transfer mechanism 21.
All the processing units are arranged in a multi-stage around one set or a plurality of sets. In this example, 5 sets G1, G
2, G3, G4 and G5 are arranged in multiple stages, the first and second sets G1 and G2 of the multistage units are arranged in parallel on the front side of the system (front side in FIG. 1), and the third set of G3 multistage units are The multistage unit of the fourth group G4 is arranged adjacent to the cassette station 10, the multistage unit of the fourth group G4 is arranged adjacent to the interface portion 30, and the multistage unit of the fifth group G5 is arranged on the back side.
【００１９】この場合、図２に示すように、第１の組Ｇ
１では、カップ２３内でウエハＷをスピンチャック１０
１（図４）に載置して所定の処理を行う２台のスピナ型
処理ユニット例えばレジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）が
垂直方向の２段に重ねられている。第２の組Ｇ２は、２
台のスピナ型処理ユニットとして例えばレジストパター
ンを現像する現像ユニット（ＤＥＶ）が垂直方向の２段
に重ねられている。なお、必要に応じて第１の組Ｇ１、
第２の組Ｇ２の上段に現像ユニット（ＤＥＶ）を、下段
にレジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）を配置したり、又は
その逆に、上段にレジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）を、
下段に現像ユニット（ＤＥＶ）を配置することも可能で
ある。In this case, as shown in FIG. 2, the first set G
1, the wafer W is spin-chucked in the cup 23.
Two spinner type processing units, for example, a resist coating unit (COT), which are mounted on 1 (FIG. 4) and perform a predetermined process, are vertically stacked in two stages. The second set G2 is 2
As a spinner type processing unit of a table, for example, developing units (DEV) for developing a resist pattern are stacked in two stages in the vertical direction. If necessary, the first group G1,
The developing unit (DEV) is arranged on the upper stage of the second group G2 and the resist coating unit (COT) is arranged on the lower stage, or vice versa, the resist coating unit (COT) is arranged on the upper stage.
It is also possible to arrange the developing unit (DEV) in the lower stage.
【００２０】また、図３に示すように、第３の組Ｇ３で
は、ウエハＷをウエハ載置台２４（図１）に載置して所
定の処理を行うオーブン型の処理ユニット例えばウエハ
Ｗを冷却するクーリングユニット（ＣＯＬ）、ウエハＷ
に疎水化処理を行うアドヒージョンユニット（ＡＤ）、
ウエハＷの位置合わせを行うアライメントユニット（Ａ
ＬＩＭ）、ウエハＷの搬入出を行うエクステンションユ
ニット（ＥＸＴ）、ウエハＷをベークする４つのホット
プレートユニット（ＨＰ）が垂直方向の下から順に例え
ば８段に重ねられている。第４の組Ｇ４も同様に、オー
ブン型処理ユニット例えばクーリングユニット（ＣＯ
Ｌ）、エクステンション・クーリングユニット（ＥＸＴ
ＣＯＬ）、エクステンションユニット（ＥＸＴ）、クー
リングユニット（ＣＯＬ）、急冷機能を有する２つのチ
リングホットプレートユニット（ＣＨＰ）及び２つのホ
ットプレートユニット（ＨＰ）が垂直方向の下から順に
例えば８段に重ねられている。As shown in FIG. 3, in the third group G3, the wafer W is placed on the wafer stage 24 (FIG. 1) and an oven type processing unit for performing a predetermined process, for example, the wafer W is cooled. Cooling unit (COL), wafer W
An adhesion unit (AD) that performs hydrophobic treatment on the
An alignment unit (A for aligning the wafer W)
LIM), an extension unit (EXT) for loading and unloading the wafer W, and four hot plate units (HP) for baking the wafer W are stacked in, for example, eight stages from the bottom in the vertical direction. Similarly, the fourth group G4 is an oven-type processing unit such as a cooling unit (CO
L), extension cooling unit (EXT
COL), extension unit (EXT), cooling unit (COL), two chilling hot plate units (CHP) having a quenching function, and two hot plate units (HP) are stacked in order from the bottom in the vertical direction, for example, in eight stages. ing.
【００２１】上記のように処理温度の低いクーリングユ
ニット（ＣＯＬ）、エクステンション・クーリングユニ
ット（ＥＸＴＣＯＬ）を下段に配置し、処理温度の高い
ホットプレートユニット（ＨＰ）、チリングホットプレ
ートユニット（ＣＨＰ）及びアドヒージョンユニット
（ＡＤ）を上段に配置することで、ユニット間の熱的な
相互干渉を少なくすることができる。勿論、ランダムな
多段配置とすることも可能である。As described above, the cooling unit (COL) having a low processing temperature and the extension cooling unit (EXTCOL) are arranged in the lower stage, and the hot plate unit (HP), the chilling hot plate unit (CHP) and the add having a high processing temperature are arranged. By arranging the fusion unit (AD) in the upper stage, it is possible to reduce thermal mutual interference between the units. Of course, it is also possible to make a random multi-stage arrangement.
【００２２】なお、図１に示すように、処理ステーショ
ン２０において、第１及び第２の組Ｇ１，Ｇ２の多段ユ
ニット（スピナ型処理ユニット）に隣接する第３及び第
４の組Ｇ３，Ｇ４の多段ユニット（オーブン型処理ユニ
ット）の側壁の中には、それぞれダクト６５，６６が垂
直方向に縦断して設けられている。これらのダクト６
５，６６には、ダウンフローの清浄空気又は特別に温度
調整された空気が流されるようになっている。このダク
ト構造によって、第３及び第４の組Ｇ３，Ｇ４のオーブ
ン型処理ユニットで発生した熱は遮断され、第１及び第
２の組Ｇ１，Ｇ２のスピナ型処理ユニットへは及ばない
ようになっている。As shown in FIG. 1, in the processing station 20, the third and fourth groups G3 and G4 adjacent to the multistage unit (spinner type processing unit) of the first and second groups G1 and G2 are arranged. Ducts 65 and 66 are vertically provided in the side wall of the multi-stage unit (oven type processing unit). These ducts 6
Downflow clean air or specially temperature-controlled air is made to flow through the valves 5, 66. With this duct structure, the heat generated in the oven type processing units of the third and fourth groups G3 and G4 is blocked and does not reach the spinner type processing units of the first and second groups G1 and G2. ing.
【００２３】また、この処理システムでは、主ウエハ搬
送機構２１の背部側にも図１に点線で示すように第５の
組Ｇ５の多段ユニットが配置できるようになっている。
この第５の組Ｇ５の多段ユニットは、案内レール６７に
沿って主ウエハ搬送機構２１から見て側方へ移動できる
ようになっている。したがって、第５の組Ｇ５の多段ユ
ニットを設けた場合でも、ユニットをスライドすること
により空間部が確保されるので、主ウエハ搬送機構２１
に対して背後からメンテナンス作業を容易に行うことが
できる。Further, in this processing system, the multistage unit of the fifth set G5 can be arranged on the back side of the main wafer transfer mechanism 21 as shown by the dotted line in FIG.
The multi-stage unit of the fifth group G5 can move laterally along the guide rail 67 as viewed from the main wafer transfer mechanism 21. Therefore, even when the multistage unit of the fifth group G5 is provided, the space is secured by sliding the unit, so that the main wafer transfer mechanism 21
The maintenance work can be easily performed from behind.
【００２４】上記インター・フェース部３０は、奥行き
方向では処理ステーション２０と同じ寸法を有するが、
幅方向では小さなサイズに作られている。このインター
・フェース部３０の正面部には可搬性のピックアップカ
セット３１と定置型のバッファカセット３２が２段に配
置され、背面部には周辺露光装置３３が配設され、中央
部には、ウエハ搬送アーム３４が配設されている。この
ウエハ搬送アーム３４は、Ｘ，Ｚ方向に移動して両カセ
ット３１，３２及び周辺露光装置３３に搬送するように
構成されている。また、ウエハ搬送アーム３４は、θ方
向に回転可能に構成され、処理ステーション２０側の第
４の組Ｇ４の多段ユニットに属するエクステンションユ
ニット（ＥＸＴ）及び隣接する露光装置側のウエハ受渡
し台（図示せず）にも搬送できるように構成されてい
る。The interface section 30 has the same dimensions as the processing station 20 in the depth direction,
It is made small in the width direction. A portable pickup cassette 31 and a stationary buffer cassette 32 are arranged in two stages on the front surface of the interface portion 30, a peripheral exposure device 33 is arranged on the rear surface, and a wafer is formed in the central portion. A transfer arm 34 is provided. The wafer transfer arm 34 is configured to move in the X and Z directions and transfer it to both the cassettes 31, 32 and the peripheral exposure device 33. Further, the wafer transfer arm 34 is configured to be rotatable in the θ direction, and an extension unit (EXT) belonging to the multi-stage unit of the fourth group G4 on the processing station 20 side and a wafer transfer table (not shown) on the adjacent exposure apparatus side. It is configured so that it can also be transported.
【００２５】上記のように構成される処理システムは、
クリーンルーム４０内に設置されるが、更にシステム内
でも効率的な垂直層流方式によって各部の清浄度を高め
ている。The processing system configured as described above is
Although it is installed in the clean room 40, the cleanliness of each part is enhanced by an efficient vertical laminar flow system in the system.
【００２６】次に、上記処理システムの動作について説
明する。まず、カセットステーション１０において、ウ
エハ搬送用ピンセット４がカセット載置台２上の未処理
のウエハＷを収容しているカセット１にアクセスして、
そのカセット１から１枚のウエハＷを取り出す。ウエハ
搬送用ピンセット４は、カセット１よりウエハＷを取り
出すと、処理ステーション２０側の第３の組Ｇ３の多段
ユニット内に配置されているアライメントユニット（Ａ
ＬＩＭ）まで移動し、ユニット（ＡＬＩＭ）内のウエハ
載置台２４上にウエハＷを載せる。ウエハＷは、ウエハ
載置台２４上でオリフラ合せ及びセンタリングを受け
る。その後、主ウエハ搬送機構２１がアライメントユニ
ット（ＡＬＩＭ）に反対側からアクセスし、ウエハ載置
台２４からウエハＷを受け取る。Next, the operation of the above processing system will be described. First, in the cassette station 10, the wafer transfer tweezers 4 access the cassette 1 containing the unprocessed wafer W on the cassette mounting table 2,
One wafer W is taken out from the cassette 1. When the wafer W is taken out of the cassette 1, the wafer transfer tweezers 4 is arranged in the alignment unit (A) arranged in the multistage unit of the third set G3 on the processing station 20 side.
The wafer W is placed on the wafer mounting table 24 in the unit (ALIM). The wafer W undergoes orientation flat alignment and centering on the wafer mounting table 24. Then, the main wafer transfer mechanism 21 accesses the alignment unit (ALIM) from the opposite side and receives the wafer W from the wafer mounting table 24.
【００２７】処理ステーション２０において、主ウエハ
搬送機構２１はウエハＷを最初に第３の組Ｇ３の多段ユ
ニットに属するアドヒージョンユニット（ＡＤ）に搬入
する。このアドヒージョンユニット（ＡＤ）内でウエハ
Ｗは疎水化処理を受ける。疎水化処理が終了すると、主
ウエハ搬送機構２１は、ウエハＷをアドヒージョンユニ
ット（ＡＤ）から搬出して、次に第３の組Ｇ３又は第４
の組Ｇ４の多段ユニットに属するクーリングユニット
（ＣＯＬ）へ搬入する。このクーリングユニット（ＣＯ
Ｌ）内でウエハＷはレジスト塗布処理前の設定温度例え
ば２３℃まで冷却される。冷却処理が終了すると、主ウ
エハ搬送機構２１は、ウエハＷをクーリングユニット
（ＣＯＬ）から搬出し、次に第１の組Ｇ1の多段ユニッ
トに属するレジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）へ搬入す
る。このレジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）内でウエハＷ
はスピンコート法によりウエハ表面に一様な膜厚でレジ
ストを塗布する。At the processing station 20, the main wafer transfer mechanism 21 first carries the wafer W into the adhesion unit (AD) belonging to the multistage unit of the third set G3. The wafer W is subjected to a hydrophobizing process in this adhesion unit (AD). When the hydrophobic treatment is completed, the main wafer transfer mechanism 21 carries the wafer W out of the adhesion unit (AD), and then the third group G3 or the fourth group G3.
It is carried into the cooling unit (COL) belonging to the multi-stage unit of the group G4. This cooling unit (CO
In L), the wafer W is cooled to a set temperature before the resist coating process, for example, 23 ° C. When the cooling process is completed, the main wafer transfer mechanism 21 carries the wafer W out of the cooling unit (COL) and then into the resist coating unit (COT) belonging to the multistage unit of the first set G1. In this resist coating unit (COT), the wafer W
Is coated with a resist having a uniform film thickness on the wafer surface by spin coating.
【００２８】レジスト塗布処理が終了すると、主ウエハ
搬送機構２１は、ウエハＷをレジスト塗布ユニット（Ｃ
ＯＴ）から搬出し、次にホットプレートユニット（Ｈ
Ｐ）内へ搬入する。ホットプレートユニット（ＨＰ）内
でウエハＷは載置台上に載置され、所定温度例えば１０
０℃で所定時間プリベーク処理される。これによって、
ウエハＷ上の塗布膜から残存溶剤を蒸発除去することが
できる。プリベークが終了すると、主ウエハ搬送機構２
１は、ウエハＷをホットプレートユニット（ＨＰ）から
搬出し、次に第４の組Ｇ４の多段ユニットに属するエク
ステンション・クーリングユニット（ＥＸＴＣＯＬ）へ
搬送する。このユニット（ＣＯＬ）内でウエハＷは次工
程すなわち周辺露光装置３３における周辺露光処理に適
した温度例えば２４℃まで冷却される。この冷却後、主
ウエハ搬送機構２１は、ウエハＷを直ぐ上のエクステン
ションユニット（ＥＸＴ）へ搬送し、このユニット（Ｅ
ＸＴ）内の載置台（図示せず）の上にウエハＷを載置す
る。このエクステンションユニット（ＥＸＴ）の載置台
上にウエハＷが載置されると、インター・フェース部３
０のウエハ搬送アーム３４が反対側からアクセスして、
ウエハＷを受け取る。そして、ウエハ搬送アーム３４は
ウエハＷをインター・フェース部３０内の周辺露光装置
３３へ搬入する。ここで、ウエハＷはエッジ部に露光を
受ける。When the resist coating process is completed, the main wafer transfer mechanism 21 applies the wafer W to the resist coating unit (C
OT), then the hot plate unit (H
P). The wafer W is mounted on the mounting table in the hot plate unit (HP) and kept at a predetermined temperature, for example, 10
Prebaking is performed at 0 ° C. for a predetermined time. by this,
The residual solvent can be removed by evaporation from the coating film on the wafer W. When the pre-baking is completed, the main wafer transfer mechanism 2
1, the wafer W is unloaded from the hot plate unit (HP) and then transferred to the extension cooling unit (EXTCOL) belonging to the multi-stage unit of the fourth group G4. In this unit (COL), the wafer W is cooled to a temperature suitable for the next step, that is, the peripheral exposure processing in the peripheral exposure apparatus 33, for example, 24 ° C. After this cooling, the main wafer transfer mechanism 21 transfers the wafer W to the extension unit (EXT) immediately above, and this unit (E
The wafer W is mounted on a mounting table (not shown) in the XT). When the wafer W is mounted on the mounting table of the extension unit (EXT), the interface unit 3
0 wafer transfer arm 34 accesses from the opposite side,
The wafer W is received. Then, the wafer transfer arm 34 carries the wafer W into the peripheral exposure apparatus 33 in the interface section 30. Here, the wafer W is exposed to the edge portion.
【００２９】周辺露光が終了すると、ウエハ搬送アーム
３４は、ウエハＷを周辺露光装置３３から搬出し、隣接
する露光装置側のウエハ受取り台（図示せず）へ移送す
る。この場合、ウエハＷは、露光装置へ渡される前に、
バッファカセット３２に一時的に収納されることもあ
る。When the peripheral exposure is completed, the wafer transfer arm 34 carries the wafer W out of the peripheral exposure apparatus 33 and transfers it to a wafer receiving table (not shown) on the adjacent exposure apparatus side. In this case, before the wafer W is transferred to the exposure apparatus,
It may be temporarily stored in the buffer cassette 32.
【００３０】露光装置で全面露光が済んで、ウエハＷが
露光装置側のウエハ受取り台に戻されると、インター・
フェース部３０のウエハ搬送アーム３４はそのウエハ受
取り台へアクセスしてウエハＷを受け取り、受け取った
ウエハＷを処理ステーション２０側の第４の組Ｇ４の多
段ユニットに属するエクステンションユニット（ＥＸ
Ｔ）へ搬入し、ウエハ受取り台上に載置する。この場合
にも、ウエハＷは、処理ステーション２０側へ渡される
前にインター・フェース部３０内のバッファカセット３
２に一時的に収納されることもある。After the entire surface is exposed by the exposure apparatus and the wafer W is returned to the wafer receiving table on the exposure apparatus side,
The wafer transfer arm 34 of the face unit 30 accesses the wafer receiving table to receive the wafer W, and the received wafer W is an extension unit (EX) belonging to the multistage unit of the fourth group G4 on the processing station 20 side.
T) and place it on the wafer receiving table. Also in this case, the wafer W is transferred to the buffer cassette 3 in the interface unit 30 before being transferred to the processing station 20 side.
It may be temporarily stored in 2.
【００３１】ウエハ受取り台上に載置されたウエハＷ
は、主ウエハ搬送機構２１により、チリングホットプレ
ートユニット（ＣＨＰ）に搬送され、フリンジの発生を
防止するため、あるいは化学増幅型レジスト（ＣＡＲ）
における酸触媒反応を誘起するためポストエクスポージ
ャーベーク処理が施される。Wafer W placed on the wafer receiving table
Is transferred to the chilling hot plate unit (CHP) by the main wafer transfer mechanism 21 to prevent the generation of fringes, or is chemically amplified resist (CAR).
A post-exposure bake treatment is performed to induce the acid-catalyzed reaction in.
【００３２】その後、ウエハＷは、第２の組Ｇ２の多段
ユニットに属する現像ユニット（ＤＥＶ）に搬入され
る。この現像ユニット（ＤＥＶ）内では、ウエハＷはス
ピンチャック１０１の上に載せられ、ウエハＷ表面のレ
ジストに現像液が満遍なく供給（吐出）される。現像が
終了すると、ウエハＷ表面に洗浄液がかけられて現像液
が洗い落とされる。After that, the wafer W is carried into the developing unit (DEV) belonging to the multi-stage unit of the second set G2. In the developing unit (DEV), the wafer W is placed on the spin chuck 101, and the developing solution is uniformly supplied (discharged) to the resist on the surface of the wafer W. When the development is completed, the cleaning liquid is applied to the surface of the wafer W to wash off the developing liquid.
【００３３】現像工程が終了すると、主ウエハ搬送機構
２１は、ウエハＷを現像ユニット（ＤＥＶ）から搬出し
て、次に第３の組Ｇ３又は第４の組Ｇ４の多段ユニット
に属するホットプレートユニット（ＨＰ）へ搬入する。
このユニット（ＨＰ）内でウエハＷは例えば１００℃で
所定時間ポストベーク処理される。これによって、現像
で膨潤したレジストが硬化し、耐薬品性が向上する。When the developing process is completed, the main wafer transfer mechanism 21 carries the wafer W out of the developing unit (DEV) and then the hot plate unit belonging to the multistage unit of the third set G3 or the fourth set G4. Carry in to (HP).
In this unit (HP), the wafer W is post-baked at 100 ° C. for a predetermined time. As a result, the resist swollen by development is cured and chemical resistance is improved.
【００３４】ポストベークが終了すると、主ウエハ搬送
機構２１は、ウエハＷをホットプレートユニット（Ｈ
Ｐ）から搬出し、次にいずれかのクーリングユニット
（ＣＯＬ）へ搬入する。ここでウエハＷが常温に戻った
後、主ウエハ搬送機構２１は、次にウエハＷを第３の組
Ｇ３に属するエクステンションユニット（ＥＸＴ）へ移
送する。このエクステンションユニット（ＥＸＴ）の載
置台（図示せず）上にウエハＷが載置されると、カセッ
トステーション１０側のウエハ搬送用ピンセット４が反
対側からアクセスして、ウエハＷを受け取る。そして、
ウエハ搬送用ピンセット４は、受け取ったウエハＷをカ
セット載置台上の処理済みウエハ収容用のカセット１の
所定のウエハ収容溝に入れて処理が完了する。After the post-baking is completed, the main wafer transfer mechanism 21 transfers the wafer W to the hot plate unit (H
P) and then to any cooling unit (COL). Here, after the wafer W has returned to room temperature, the main wafer transfer mechanism 21 then transfers the wafer W to the extension unit (EXT) belonging to the third set G3. When the wafer W is mounted on the mounting table (not shown) of the extension unit (EXT), the wafer transfer tweezers 4 on the cassette station 10 side is accessed from the opposite side to receive the wafer W. And
The wafer transfer tweezers 4 inserts the received wafer W into a predetermined wafer accommodation groove of the cassette 1 for accommodating the processed wafer on the cassette mounting table, and the processing is completed.
【００３５】次に、本発明に係る液処理装置の一実施形
態であるレジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）について説明
する。Next, a resist coating unit (COT) which is an embodiment of the liquid processing apparatus according to the present invention will be described.
【００３６】レジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）は、図４
に示すようにウエハＷを図示しない真空装置によって吸
着保持すると共に、水平方向に回転するスピンチャック
１０１と、スピンチャック１０１を包囲する有底筒状に
形成され、底部に排気口とドレン口が設けられたカップ
２３と、スピンチャック１０１の上方に配設されるレジ
ストノズル１１０（処理液供給手段）と、このレジスト
ノズル１１０をウエハＷに対し相対的に移動可能な移動
手段例えばレジストノズルスキャンアーム１０２とで主
に構成されている。The resist coating unit (COT) is shown in FIG.
As shown in FIG. 3, the wafer W is suction-held by a vacuum device (not shown), and is formed into a spin chuck 101 that rotates in the horizontal direction and a bottomed cylindrical shape that surrounds the spin chuck 101, and an exhaust port and a drain port are provided at the bottom. Cup 23, resist nozzle 110 (processing liquid supply means) arranged above spin chuck 101, and moving means capable of moving resist nozzle 110 relative to wafer W, for example resist nozzle scan arm 102. It is mainly composed of and.
【００３７】レジストノズル１１０は、図５に示すよう
に、後述するノズル保持部１１１の下部に着脱可能に形
成されるノズル本体１１２と、レジスト液をウエハＷに
吐出（供給）する吐出孔１１４を有すると共に、内部の
レジスト液の液面を観測し得る透明又は半透明である例
えば樹脂やガラス等によって形成される供給部１１３と
で構成される。As shown in FIG. 5, the resist nozzle 110 has a nozzle body 112 detachably formed below a nozzle holding portion 111, which will be described later, and an ejection hole 114 for ejecting (supplying) the resist liquid onto the wafer W. The supply unit 113 is made of, for example, resin or glass, which is transparent or semitransparent and has the liquid level of the resist solution inside.
【００３８】また、レジストノズル１１０は、レジスト
ノズルスキャンアーム１０２によりカップ２３の外側の
Ｘ方向に延びるように設けられたガイドレール１０３に
沿って、カップ２３の外側の待機部１０６（ガイドレー
ル１０３の一側端の位置）からウエハＷの上方側を通っ
て上記待機部１０６とウエハＷを挟んで対向する位置ま
で移動することができる。Further, the resist nozzle 110 is provided with a standby portion 106 (of the guide rail 103) outside the cup 23 along a guide rail 103 provided so as to extend in the X direction outside the cup 23 by the resist nozzle scan arm 102. It is possible to move from the position (one side end) to a position where it passes through the upper side of the wafer W and faces the standby portion 106 with the wafer W interposed therebetween.
【００３９】待機部１０６では、レジストノズル１１０
の供給部１１３が溶媒雰囲気室の口１０６ａに挿入さ
れ、中で溶媒の雰囲気に晒されることで、吐出孔１１４
のレジスト液が固化又は劣化しないようになっている。
また、複数本のレジストノズル１１０が並列に載置され
ており、レジスト液の種類に応じて使い分けられるよう
になっている。In the standby section 106, the resist nozzle 110
The supply portion 113 is inserted into the opening 106a of the solvent atmosphere chamber and exposed to the atmosphere of the solvent therein, so that the discharge hole 114
The resist solution is not solidified or deteriorated.
Further, a plurality of resist nozzles 110 are mounted in parallel, and can be used properly according to the type of resist liquid.
【００４０】レジストノズルスキャンアーム１０２は、
上記待機部１０６に載置されるレジストノズル１１０の
上部を着脱可能に保持するノズル保持部１１１と、例え
ば図示しないモータやエアシリンダ等の駆動手段により
ガイドレール１０３上をＸ方向に移動可能に形成される
ベース部１０５と、Ｙ方向に延びる棒状に形成されノズ
ル保持部１１１を支持すると共にベース部１０５によっ
て支持されるアーム部１０４とで構成されている。な
お、ベース部１０５は例えばボールネジ機構などにより
構成される図示しない昇降機構を有しており、例えばモ
ータなどの図示しない動力源からの駆動力によりアーム
部１０４を上下方向に移動させることができるように構
成されている。The resist nozzle scan arm 102
A nozzle holding portion 111 that detachably holds the upper portion of the resist nozzle 110 placed on the standby portion 106 and a driving means such as a motor or an air cylinder (not shown) are formed so as to be movable in the X direction on the guide rail 103. The base portion 105 and the arm portion 104 which is formed in a rod shape extending in the Y direction and which supports the nozzle holding portion 111 and is also supported by the base portion 105. The base unit 105 has an elevating mechanism (not shown) configured by, for example, a ball screw mechanism, and the arm unit 104 can be moved in the vertical direction by a driving force from a power source (not shown) such as a motor. Is configured.
【００４１】また、レジストノズルスキャンアーム１０
２は、待機部１０６でレジストノズル１１０を選択的に
取り付けるために図示しない駆動機構によってＸ方向と
直角なＹ方向にも移動可能に構成されている。Further, the resist nozzle scan arm 10
2 is configured to be movable also in the Y direction perpendicular to the X direction by a drive mechanism (not shown) so as to selectively attach the resist nozzle 110 in the standby unit 106.
【００４２】更に、ガイドレール１０３上には、レジス
トノズル１１０を支持するレジストノズルスキャンアー
ム１０２だけでなくリンスノズル１０７を支持するリン
スノズルスキャンアーム１０８もＸ方向に移動可能に設
けられている。Further, not only the resist nozzle scan arm 102 that supports the resist nozzle 110 but also the rinse nozzle scan arm 108 that supports the rinse nozzle 107 are provided on the guide rail 103 so as to be movable in the X direction.
【００４３】リンスノズル１０７は、リンスノズルスキ
ャンアーム１０８によってカップ２３の側方に設定され
たリンスノズル待機位置（実線の位置）とスピンチャッ
ク１０１に設置されているウエハＷの周辺部の真上に設
定されたリンス液吐出位置（点線の位置）との間で並進
及び直線移動するようになっている。The rinse nozzle 107 is located immediately above the rinse nozzle standby position (indicated by the solid line) set on the side of the cup 23 by the rinse nozzle scan arm 108 and the peripheral portion of the wafer W installed on the spin chuck 101. Translation and linear movement are performed with respect to the set rinse liquid discharge position (position indicated by the dotted line).
【００４４】また、レジストノズル１１０は、図５に示
すように、ウエハＷの表面に供給するレジスト液の供給
量を調節可能な供給量調節手段例えば開閉バルブＡＶ
と、この開閉バルブＡＶの下流側に設けられ、レジスト
ノズル１１０がレジスト液の供給を停止した時にレジス
トノズル１１０の供給部１１３に残留するレジスト液を
吸引し、吐出孔１１４からの液だれを抑制する処理液吸
引手段例えばサックバックバルブＳＶとが介設されるレ
ジスト液供給管路１３０に接続されている。Further, as shown in FIG. 5, the resist nozzle 110 is provided with a supply amount adjusting means such as an opening / closing valve AV capable of adjusting the supply amount of the resist liquid supplied to the surface of the wafer W.
And is provided on the downstream side of the opening / closing valve AV, sucks the resist liquid remaining in the supply portion 113 of the resist nozzle 110 when the resist nozzle 110 stops the supply of the resist liquid, and suppresses the dripping from the discharge hole 114. The processing liquid suction means, for example, a suck back valve SV is connected to the resist liquid supply pipeline 130.
【００４５】開閉バルブＡＶは、例えば図８に示すよう
に、バルブケーシング１３８に設けられた吸込側流路１
４１と吐出側流路１４２との間に設けられたゲート部１
４９を開閉可能な後述する弁体１４５ｂを圧縮空気によ
り駆動して開閉動作を行うエアオペレーション型のもの
が用いられている。The open / close valve AV is, for example, as shown in FIG. 8, a suction side flow passage 1 provided in a valve casing 138.
41 provided between the nozzle 41 and the discharge-side channel 142
An air operation type in which a valve element 145b, which will be described later, capable of opening and closing 49 is driven by compressed air to open and close is used.
【００４６】この場合、吸込側流路１４１と吐出側流路
１４２とは、上方に向かって縮径テーパ状の先端を有す
る管状のゲート部１４９を介して隣接配置されている。
また、ゲート部１４９の上方にはシリンダ１４３を介し
て空気室１４８が対峙して設けられている。このシリン
ダ１４３内には、ロッド１４４が摺動可能に配設されて
おり、シリンダ１４３の下方に露出するロッド１４４の
下端に、弁体１４５ｂを一体に形成するダイヤフラム１
４５が固着されている。また、空気室１４８内に露出す
るロッド１４４の上端には、空気室１４８を上部室１４
８ａと区画するダイヤフラム１４６が固着されている。
なお、この場合、ダイヤフラム１４５，１４６は、可撓
性材料例えばシリコンゴム製部材にて形成されている。
これらダイヤフラム１４５，１４６は、それぞれその外
周縁部１４５ａ，１４６ａがバルブケーシング１３８に
設けられた周溝１４３ａ又は１４３ｂ内に嵌合固定され
ている。In this case, the suction-side flow passage 141 and the discharge-side flow passage 142 are arranged adjacent to each other through a tubular gate portion 149 having a tapered tip with a reduced diameter.
Further, an air chamber 148 is provided above the gate portion 149 so as to face each other via a cylinder 143. A rod 144 is slidably arranged in the cylinder 143, and a diaphragm 1 integrally forming a valve body 145b at a lower end of the rod 144 exposed below the cylinder 143.
45 is fixed. Further, the air chamber 148 is provided on the upper end of the rod 144 exposed in the air chamber 148.
A diaphragm 146 that partitions from 8a is fixed.
In this case, the diaphragms 145 and 146 are made of a flexible material such as a silicon rubber member.
The outer peripheral edge portions 145a and 146a of the diaphragms 145 and 146 are fitted and fixed in the circumferential groove 143a or 143b provided in the valve casing 138, respectively.
【００４７】また、上部室１４８ａ内には、ダイヤフラ
ム１４６の上端に係合するスプリング１４７が縮設され
ており、このスプリング１４７の弾性力の付勢によって
常時弁体１４５ｂがゲート部１４９に就座して、吸込側
流路１４１と吐出側流路１４２とを閉じるように構成さ
れている。A spring 147 engaging with the upper end of the diaphragm 146 is contracted in the upper chamber 148a, and the valve body 145b is always seated on the gate portion 149 by the elastic force of the spring 147. Then, the suction side flow channel 141 and the discharge side flow channel 142 are configured to be closed.
【００４８】一方、空気室１４８は操作ポート１４８ｂ
を介して後述する電空レギュレータＥＲ１に接続されて
いる。また、電空レギュレータＥＲ１はエアコンプレッ
サＣに接続されており（図９参照）、電空レギュレータ
ＥＲ１を作動させず、エアコンプレッサＣからの圧縮空
気を空気室１４８に送らない状態では、スプリング１４
７の弾性力によりロッド１４４の下端に固着された弁体
１４５ｂがゲート部１４９に就座して閉じ、電空レギュ
レータＥＲ１の作動により、空気室１４８内に供給され
る圧縮空気がスプリング１４７の弾性力に抗して弁体１
４５ｂをゲート部１４９から離してゲート部１４９を開
閉できるようになっている。On the other hand, the air chamber 148 has an operation port 148b.
Is connected to an electropneumatic regulator ER1 described later via. Further, the electropneumatic regulator ER1 is connected to the air compressor C (see FIG. 9), and the spring 14 is not operated when the electropneumatic regulator ER1 is not operated and the compressed air from the air compressor C is not sent to the air chamber 148.
The valve body 145b fixed to the lower end of the rod 144 is seated on the gate portion 149 and closed by the elastic force of the rod 144, and the compressed air supplied into the air chamber 148 is elasticized by the spring 147 by the operation of the electropneumatic regulator ER1. Valve body 1 against the force
The gate portion 149 can be opened and closed by separating 45b from the gate portion 149.
【００４９】上記電空レギュレータＥＲ１は、図９に示
すように、空気を通すための吸気側流路１７０と排気側
流路１７１との結合部分に出力側流路１７２が接続され
ており、吸気側流路１７０及び排気側流路１７１のそれ
ぞれにはＣＰＵ１００からの電気信号を受けて流路を開
閉する電磁弁１７３，１７４が介設されている。吸気側
流路１７０はエアコンプレッサＣなどの圧縮空気供給源
に接続されており、排気側流路１７１には排気ポンプな
どの排気手段１７６に接続されている。また、出力側流
路１７２は圧縮空気で駆動される開閉バルブＡＶに接続
されている。一方、出力側流路１７２には、出力側流路
１７２内の空気圧を検出する圧力センサ１７５が配設さ
れており、この圧力センサ１７５によって検出された検
知信号がＣＰＵ１００に伝達されるようになっている。In the electropneumatic regulator ER1, as shown in FIG. 9, an output side flow passage 172 is connected to a connecting portion of an intake side flow passage 170 for passing air and an exhaust side flow passage 171. Electromagnetic valves 173 and 174 are provided in each of the side flow passage 170 and the exhaust side flow passage 171 to open and close the flow passage by receiving an electric signal from the CPU 100. The intake side flow passage 170 is connected to a compressed air supply source such as an air compressor C, and the exhaust side flow passage 171 is connected to an exhaust means 176 such as an exhaust pump. Further, the output side flow path 172 is connected to an opening / closing valve AV driven by compressed air. On the other hand, the output side flow passage 172 is provided with a pressure sensor 175 for detecting the air pressure in the output side flow passage 172, and the detection signal detected by the pressure sensor 175 is transmitted to the CPU 100. ing.
【００５０】上記のように構成される電空レギュレータ
ＥＲ１を作動させると、電磁弁１７３及び１７４は圧力
センサ１７５で検知された出力側流路１７２の圧力に基
いて、ＣＰＵ１００によりその作動が制御され、出力側
流路１７２内の圧力が調節される。When the electropneumatic regulator ER1 configured as described above is operated, the solenoid valves 173 and 174 are controlled in operation by the CPU 100 based on the pressure of the output side flow passage 172 detected by the pressure sensor 175. The pressure in the output side flow path 172 is adjusted.
【００５１】例えば、出力側流路１７２内の圧力を３０
０ｋＰａに設定し、エアコンプレッサから５００ｋＰａ
の圧縮空気を吸気側流路１７０に供給する場合、通常は
電磁弁１７４は閉じており、電磁弁１７３を開けて５０
０ｋＰａの圧縮空気を出力側流路１７２に送る。空気圧
センサ１７５により出力側流路１７２内の圧力が設定値
３００ｋＰａを越えていることが検出されると、ＣＰＵ
１１０は直ちに吸気側の電磁弁１７３を閉鎖させて、出
力側流路１７２内の圧力が設定値３００ｋＰａを大きく
上回るのを防止する。それと同時に排気側の電磁弁１７
４を開け、出力側流路１７２内の圧力を低下させて設定
値３００ｋＰａになった時点で排気側の電磁弁１７４を
閉鎖する。For example, the pressure in the output side flow passage 172 is set to 30
Set to 0 kPa and 500 kPa from the air compressor
When the compressed air of 50 is supplied to the intake side flow passage 170, the solenoid valve 174 is normally closed and the solenoid valve 173 is opened to
The compressed air of 0 kPa is sent to the output side flow path 172. When the air pressure sensor 175 detects that the pressure in the output side flow passage 172 exceeds the set value 300 kPa, the CPU
110 immediately closes the solenoid valve 173 on the intake side to prevent the pressure in the output side flow passage 172 from greatly exceeding the set value 300 kPa. At the same time, the solenoid valve 17 on the exhaust side
4 is opened, the pressure in the output side flow passage 172 is reduced, and when the set value reaches 300 kPa, the electromagnetic valve 174 on the exhaust side is closed.
【００５２】一方、出力側流路１７２内の圧力が設定値
より低い場合には、電磁弁１７４を閉じ、電磁弁１７３
を開けて高圧の圧縮空気を導入し、空気圧センサ１７５
で検出した圧力が設定値になった時点で電磁弁１７３を
閉じる。On the other hand, when the pressure in the output side flow passage 172 is lower than the set value, the solenoid valve 174 is closed and the solenoid valve 173 is closed.
Open and introduce high pressure compressed air to the air pressure sensor 175
The solenoid valve 173 is closed when the pressure detected in step 1 reaches the set value.
【００５３】したがって、開閉バルブＡＶの開閉は、電
空レギュレータＥＲ１の電磁弁１７３，１７４の切り換
えを高速で行うことで瞬時に行うことができる。すなわ
ち、開閉バルブＡＶの開閉速度（開口時間又は閉鎖時
間）は、電空レギュレータＥＲ１の電磁弁１７３，１７
４の切り換え速度を制御することによって調整すること
ができる。Therefore, the opening / closing valve AV can be opened / closed instantly by switching the electromagnetic valves 173, 174 of the electropneumatic regulator ER1 at high speed. That is, the opening / closing speed (opening time or closing time) of the opening / closing valve AV is determined by the electromagnetic valves 173, 17 of the electropneumatic regulator ER1.
4 can be adjusted by controlling the switching speed.
【００５４】また、レジストノズル１１０から供給され
るレジスト液は、電空レギュレータＥＲ１によって空気
室１６２に導入される圧縮空気の圧力によって調節され
る。すなわち、電空レギュレータＥＲ１を作動させてエ
アコンプレッサＣから空気室１４８に供給する圧縮空気
の圧力を上げると、ダイヤフラム１４６が圧縮空気の圧
力でスプリング１４７の弾性力に抗してロッド１４４を
押し上げ、弁体１４５ｂとゲート部１４９との間の隙間
を広げるので、吸込側流路１４１から吐出側流路１４２
に流れるレジスト液の供給量が増加し、逆に空気室１６
２に供給する圧縮空気の圧力を下げると、ロッド１４４
がスプリング１４７の弾性力によって押し下げられ、弁
体１４５ｂとゲート部１４９との間の隙間を狭めるの
で、吸込側流路１４１から吐出側流路１４２に流れるレ
ジスト液の供給量が減少することになる。The resist solution supplied from the resist nozzle 110 is adjusted by the pressure of the compressed air introduced into the air chamber 162 by the electropneumatic regulator ER1. That is, when the electropneumatic regulator ER1 is operated to increase the pressure of the compressed air supplied from the air compressor C to the air chamber 148, the diaphragm 146 pushes up the rod 144 against the elastic force of the spring 147 by the pressure of the compressed air. Since the gap between the valve body 145b and the gate portion 149 is widened, the suction side passage 141 to the discharge side passage 142
The supply amount of the resist solution flowing to the air chamber increases, and conversely the air chamber 16
When the pressure of the compressed air supplied to No. 2 is reduced, the rod 144
Is pushed down by the elastic force of the spring 147 and the gap between the valve body 145b and the gate portion 149 is narrowed, so that the supply amount of the resist liquid flowing from the suction side flow path 141 to the discharge side flow path 142 is reduced. .
【００５５】サックバックバルブＳＶは、例えば図８に
示すように、開閉バルブＡＶ側から延設される吐出側流
路１４２上部に設けられたバルブケーシング１３９に設
けられており、後述するロッド１５１を圧縮空気により
駆動して上下動を行うエアオペレーション型のものが用
いられている。The suck back valve SV is provided, for example, as shown in FIG. 8, in a valve casing 139 provided above the discharge side flow path 142 extending from the opening / closing valve AV side, and has a rod 151 described later. An air operation type that is driven by compressed air to move up and down is used.
【００５６】この場合、バルブケーシング１３９にはシ
リンダ１５０が設けられている。シリンダ１５０内には
ロッド１５１が図中上下方向に摺動可能に収容されてお
り、ロッド１５１の下方の一部がシリンダ１５０から吐
出側流路１４２の上部に突出している。In this case, the valve casing 139 is provided with a cylinder 150. A rod 151 is accommodated in the cylinder 150 so as to be slidable in the vertical direction in the figure, and a part of the lower portion of the rod 151 projects from the cylinder 150 to an upper portion of the discharge side flow path 142.
【００５７】また、シリンダ１５０の上部には空気室１
５５が設けられており、ロッド１５１の上端に配設され
たフランジ状のダイヤフラム１５２によって上部室１５
５ａと区画されている。このダイヤフラム１５２は、外
周縁部１５２ａがバルブケーシング１３９に設けられた
周溝１５３に嵌合固定されている。なお、ダイヤフラム
１５２は可撓性材料、例えばシリコンゴム製部材にて形
成されている。Further, the air chamber 1 is provided above the cylinder 150.
55 is provided, and the upper chamber 15 is provided by a flange-shaped diaphragm 152 provided at the upper end of the rod 151.
It is divided into 5a. The outer peripheral edge portion 152 a of the diaphragm 152 is fitted and fixed to the peripheral groove 153 provided in the valve casing 139. The diaphragm 152 is formed of a flexible material such as a silicon rubber member.
【００５８】また、上部室１５５ａ内には、ダイヤフラ
ム１５２の上端に係合するスプリング１５４が縮設され
ており、このスプリング１５４の弾性力の付勢によって
常時ロッド１５１が吐出側流路１４２の上部に突出する
ように構成されている。A spring 154 that engages with the upper end of the diaphragm 152 is contracted in the upper chamber 155a. The elastic force of the spring 154 urges the rod 151 to the upper portion of the discharge side flow path 142 at all times. It is configured to project to.
【００５９】一方、空気室１５５は操作ポート１５５ｂ
を介して上述した電空レギュレータＥＲ１と同様に構成
される電空レギュレータＥＲ２に接続されている。ま
た、電空レギュレータＥＲ２はエアコンプレッサＣに接
続されており、電空レギュレータＥＲ２を作動させず、
エアコンプレッサＣからの圧縮空気を空気室１５５に送
らない状態では、スプリング１５４の弾性力によりロッ
ド１５１の下部は下流側流路１４２内に突出しており、
電空レギュレータＥＲ２を作動させてエアコンプレッサ
Ｃからの圧縮空気を空気室１５５内に供給すると、圧縮
空気がスプリング１５４の弾性力に抗してロッド１５１
を吐出側流路からシリンダ１５０内に引き込むようにな
っている。On the other hand, the air chamber 155 has an operation port 155b.
Is connected to the electropneumatic regulator ER2 configured similarly to the electropneumatic regulator ER1 described above. Further, the electropneumatic regulator ER2 is connected to the air compressor C, and the electropneumatic regulator ER2 is not operated,
In a state where the compressed air from the air compressor C is not sent to the air chamber 155, the lower part of the rod 151 is projected into the downstream flow passage 142 by the elastic force of the spring 154.
When the compressed air from the air compressor C is supplied into the air chamber 155 by operating the electropneumatic regulator ER2, the compressed air resists the elastic force of the spring 154 and the rod 151.
Is drawn into the cylinder 150 from the discharge side flow path.
【００６０】なお、ロッド１５１の引き込み時には開閉
バルブＡＶは閉じているので、ロッド１５１の引き込み
により下流側流路１４２内のレジスト液に作用する負圧
は、開閉バルブＡＶの更に下流側のレジスト液に作用
し、供給部１１３先端のレジスト液面をレジストノズル
１１０の内部に引き込むことができる。Since the open / close valve AV is closed when the rod 151 is retracted, the negative pressure acting on the resist solution in the downstream flow path 142 due to the retracting of the rod 151 is the resist solution further downstream of the open / close valve AV. Therefore, the resist liquid surface at the tip of the supply unit 113 can be drawn into the resist nozzle 110.
【００６１】この場合、レジスト液を引き込む量（以下
にサックバック量という）は、ロッド１５１の引き込み
量すなわち電空レギュレータＥＲ２が空気室１５５へ供
給する圧縮空気の圧力によって調整することができる。
すなわち、圧縮空気の圧力を高くすると、ダイヤフラム
１５２がスプリング１５４の弾性力に抗してロッド１５
１を引き上げる量が大きくなるためサックバック量を増
加させることができ、逆に圧縮空気の圧力を下げると、
ダイヤフラム１５２がスプリング１５４の弾性力に抗し
てロッド１５１を引き上げる量が小さくなるためサック
バック量を減少させることができる。In this case, the amount of resist liquid drawn (hereinafter referred to as suck back amount) can be adjusted by the amount of rod 151 drawn, that is, the pressure of the compressed air supplied to the air chamber 155 by the electropneumatic regulator ER2.
That is, when the pressure of the compressed air is increased, the diaphragm 152 resists the elastic force of the spring 154 and
Since the amount of pulling up 1 becomes large, the suck back amount can be increased, and conversely, if the pressure of compressed air is lowered,
Since the amount by which the diaphragm 152 pulls up the rod 151 against the elastic force of the spring 154 becomes small, the suck back amount can be reduced.
【００６２】また、レジスト液の供給停止からサックバ
ック終了までの時間（以下にサックバック時間という）
は、電空レギュレータＥＲ１による空気室１４８への圧
縮空気の供給停止から、電空レギュレータＥＲ２による
空気室１５５への圧縮空気の供給開始までの時間によっ
て変化するので、電空レギュレータＥＲ１と電空レギュ
レータＥＲ２を制御することにより調整することができ
る。The time from the stop of the supply of the resist solution to the end of suck back (hereinafter referred to as suck back time)
Changes depending on the time from the stop of the supply of compressed air to the air chamber 148 by the electropneumatic regulator ER1 to the start of the supply of compressed air to the air chamber 155 by the electropneumatic regulator ER2, so the electropneumatic regulator ER1 and the electropneumatic regulator It can be adjusted by controlling ER2.
【００６３】このように構成されるレジスト塗布ユニッ
ト（ＣＯＴ）は、上述したレジスト液供給管路１３０が
処理ステーション２０の下方室２９内に配設されるレジ
ストタンク１８０と接続されており、レジスト液供給管
路１３０に介設される処理液圧送手段例えば供給ポンプ
１６０によって、レジストタンク１８０に貯留されるレ
ジスト液を圧送されている。In the resist coating unit (COT) thus constructed, the above-mentioned resist liquid supply pipeline 130 is connected to the resist tank 180 arranged in the lower chamber 29 of the processing station 20, and the resist liquid is supplied. The resist liquid stored in the resist tank 180 is pressure-fed by a processing liquid pressure-feeding means such as a supply pump 160 provided in the supply conduit 130.
【００６４】この場合、供給ポンプ１６０は、図１０に
示すように、中空状の本体１６０ａの中にレジスト液を
収容するためのポンプ室１６１と、圧縮空気を収容する
ための空気室１６２とが設けられており、これらポンプ
室１６１と空気室１６２とは、例えばシリコンゴムなど
の可撓性を有する弾性材料にて形成されるダイヤフラム
１６３で区画されている。なお、ダイヤフラム１６３
は、空気室１６２内に向かって膨隆する椀形に形成され
ている。In this case, as shown in FIG. 10, the supply pump 160 has a hollow chamber 160a having a pump chamber 161 for accommodating the resist solution and an air chamber 162 for accommodating the compressed air. The pump chamber 161 and the air chamber 162 are provided, and are partitioned by a diaphragm 163 formed of a flexible elastic material such as silicon rubber. Note that the diaphragm 163
Is formed in a bowl shape that bulges toward the inside of the air chamber 162.
【００６５】また、本体１６０ａには、レジストタンク
１８０側（図中左側）の供給管路１３０とポンプ室１６
１とを連通する吸込側流路１６４及びレジストノズル１
１０側（図中右側）のレジスト液供給管路１３０とポン
プ室１６１とを連通する吐出側流路１６５が配設されて
いる。また、空気室１６２の図中上部には空気導入孔１
６６が設けられており、上述した電空レギュレータＥＲ
１と同様に構成される電空レギュレータＥＲ３を介して
圧縮空気供給源例えばエアコンプレッサＣからの圧縮空
気を空気導入孔１６６から空気室１６２の中に吸排気可
能に形成されている。In the main body 160a, the supply tank 130 on the resist tank 180 side (left side in the figure) and the pump chamber 16 are provided.
1 and the suction side flow path 164 and the resist nozzle 1
A discharge-side flow passage 165 that connects the resist liquid supply pipeline 130 and the pump chamber 161 on the 10 side (right side in the drawing) is provided. Further, the air introduction hole 1 is provided in the upper part of the air chamber 162 in the figure.
66 is provided, and the electropneumatic regulator ER described above is provided.
The compressed air from the compressed air supply source, for example, the air compressor C can be sucked and discharged from the air introduction hole 166 into the air chamber 162 via the electropneumatic regulator ER3 having the same structure as that of No. 1.
【００６６】レジスト液供給管路１３０における吸込側
流路１６４側及び吐出側流路１６５側には、それぞれに
逆止弁であるチェッキバルブ１６８，１６９が介設され
ており、これらチェッキバルブ１６８，１６９により、
レジスト液は図中矢印で示した方向に流れるようになっ
ている。Check valves 168 and 169, which are check valves, are provided on the suction side flow passage 164 side and the discharge side flow passage 165 side of the resist liquid supply pipeline 130, respectively. By 169,
The resist solution flows in the direction indicated by the arrow in the figure.
【００６７】なお、吸込側のチェッキバルブ１６８は、
バルブ閉鎖時でもレジスト液供給管路１３０と吸込側流
路１６４との間に微量の流体の流出を許容するスローリ
ーク構造を備えており、ポンプの圧力変動を小さくする
ことができるようになっている。The check valve 168 on the suction side is
A slow leak structure that allows a small amount of fluid to flow out is provided between the resist liquid supply pipeline 130 and the suction side flow channel 164 even when the valve is closed, so that the pressure fluctuation of the pump can be reduced. There is.
【００６８】この供給ポンプ１６０の駆動は、空気導入
孔１６６から空気室１６２に圧縮空気を出し入れするこ
とにより行う。The supply pump 160 is driven by moving compressed air into and out of the air chamber 162 through the air introduction hole 166.
【００６９】空気室１６２から圧縮空気を排気した状態
では、ダイヤフラム１６３は図中上方向に引っ張られ、
図１０に示すように椀形に膨らんだ状態となる。このと
き、吸込側のチェッキバルブ１６８が開いてレジスト液
がレジスト液供給管路１３０から吸込側流路１６４へ流
入するため、ポンプ室１６１の中はレジスト液で満たさ
れる。When the compressed air is exhausted from the air chamber 162, the diaphragm 163 is pulled upward in the figure,
As shown in FIG. 10, it is in a bowl-shaped inflated state. At this time, the check valve 168 on the suction side is opened and the resist solution flows from the resist solution supply pipeline 130 into the suction side channel 164, so that the pump chamber 161 is filled with the resist solution.
【００７０】次に、空気導入孔１６６から圧縮空気を空
気室１６２に導入すると、空気室１６２内の気圧は高ま
り、この気圧によりダイヤフラム１６３はポンプ室１６
１側へ押され、ポンプ室１６１の容積を小さくしようと
する。このときポンプ室１６１内に収容されたレジスト
液に圧力が作用し、この圧力によって吸込側のチェッキ
バルブ１６８が閉じると共に、吐出側のチェッキバルブ
１６９が開いて、レジスト液は吐出側流路１６５からレ
ジスト液供給管路１３０に順次圧送される。Next, when compressed air is introduced into the air chamber 162 from the air introduction hole 166, the air pressure inside the air chamber 162 rises, and this air pressure causes the diaphragm 163 to move into the pump chamber 16.
The volume of the pump chamber 161 is pushed toward one side to reduce the volume of the pump chamber 161. At this time, pressure acts on the resist solution contained in the pump chamber 161, and this pressure closes the check valve 168 on the suction side and opens the check valve 169 on the discharge side, so that the resist solution flows from the flow path 165 on the discharge side. The resist solution is supplied to the resist solution supply line 130 by pressure.
【００７１】したがって、供給ポンプ１６０の圧送圧力
は、電空レギュレータＥＲ３の設定を調整し、空気室１
６２に導入される圧縮空気の圧力及び単位時間に圧縮空
気を出し入れする回数を変えることによって調整され
る。Therefore, the pumping pressure of the supply pump 160 is adjusted by adjusting the setting of the electropneumatic regulator ER3, and the air chamber 1
It is adjusted by changing the pressure of the compressed air introduced into 62 and the number of times compressed air is taken in and out per unit time.
【００７２】なお、上記供給ポンプは、電空レギュレー
タＥＲ３によって別の二次流体、例えば油（シリコンオ
イル、テフロン（Ｒ）系のオイル）、水、水銀、アルコ
ール、シンナーやこれらの混合液等の液体に圧力を掛
け、この二次流体を空気室１６２に相当する室に導入し
てダイヤフラム１６３を作動させるように構成すること
も可能である。It should be noted that the above-mentioned supply pump supplies another secondary fluid such as oil (silicon oil, Teflon (R) -based oil), water, mercury, alcohol, thinner or a mixed liquid thereof by the electropneumatic regulator ER3. It is also possible to apply a pressure to the liquid and introduce the secondary fluid into a chamber corresponding to the air chamber 162 to operate the diaphragm 163.
【００７３】また、供給ポンプ１６０は、所定の圧力で
レジストタンク１８０のレジスト液を圧送するものであ
れば、ダイヤフラム式ポンプ以外のものでもよく、例え
ばベローズ式ポンプ等を用いることも勿論可能である。Further, the supply pump 160 may be a pump other than the diaphragm type pump as long as it pumps the resist liquid in the resist tank 180 at a predetermined pressure. For example, a bellows type pump or the like can be used. .
【００７４】また、上記開閉バルブＡＶ、サックバック
バルブＳＶ及び電空レギュレータＥＲ１，ＥＲ２，ＥＲ
３は、図５に示すように、それぞれＣＰＵ１００（制御
手段）に接続されている。Further, the open / close valve AV, suck back valve SV, and electropneumatic regulators ER1, ER2, ER
As shown in FIG. 5, 3 are respectively connected to the CPU 100 (control means).
【００７５】ＣＰＵ１００には、例えばレジスト塗布ユ
ニット（ＣＯＴ）に搬入されるウエハＷの順番や時間、
ウエハＷの表面に供給するレジスト液の量などの情報を
記憶させることができ、この情報に基いてレジスト塗布
ユニット（ＣＯＴ）内に搬入されたウエハＷに所定量の
レジスト液を供給し得るよう開閉バルブＡＶ、電空レギ
ュレータＥＲ１，ＥＲ２，ＥＲ３を制御することがで
き、また、レジスト液の供給停止時にレジストノズル１
１０の先端部に表面張力によって残留しているレジスト
液が固化又は劣化しないようにレジスト液をレジストノ
ズル１１０内に引き戻すサックバックバルブＳＶを制御
することができる。In the CPU 100, for example, the order and time of the wafer W loaded into the resist coating unit (COT),
Information such as the amount of resist liquid supplied to the surface of the wafer W can be stored, and a predetermined amount of resist liquid can be supplied to the wafer W loaded into the resist coating unit (COT) based on this information. The on-off valve AV and the electropneumatic regulators ER1, ER2, ER3 can be controlled, and the resist nozzle 1 can be used when the supply of the resist solution is stopped.
It is possible to control the suck back valve SV that returns the resist solution into the resist nozzle 110 so that the resist solution remaining at the tip of the surface 10 does not solidify or deteriorate due to surface tension.
【００７６】以下に、上記のように構成されたレジスト
塗布ユニット（ＣＯＴ）の動作を説明する。The operation of the resist coating unit (COT) having the above structure will be described below.
【００７７】主ウエハ搬送機構２１により搬送されたウ
エハＷが、レジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）内のスピン
チャック１０１に吸着保持されると、スピンチャック１
０１が回転すると共に、図示しないシンナー吐出機構が
作動してウエハＷのほぼ中心真上の位置からシンナーを
ウエハＷに供給（滴下）する。滴下されたシンナーは遠
心力によりウエハＷ表面全体に広がり、余分のシンナー
は遠心力で振り切られ除去される。When the wafer W transferred by the main wafer transfer mechanism 21 is adsorbed and held by the spin chuck 101 in the resist coating unit (COT), the spin chuck 1
When 01 rotates, a thinner discharge mechanism (not shown) operates to supply (drop) thinner to the wafer W from a position just above the center of the wafer W. The dropped thinner spreads over the entire surface of the wafer W by the centrifugal force, and the excess thinner is shaken off by the centrifugal force and removed.
【００７８】次いで、レジストノズルスキャンアーム１
０２が移動してレジストノズル１１０をウエハＷのほぼ
中心の真上の位置まで移動させる。Next, the resist nozzle scan arm 1
02 moves to move the resist nozzle 110 to a position just above the center of the wafer W.
【００７９】次に、ウエハＷを保持したスピンチャック
１０１を高速で回転させると共に、供給ポンプ１６０及
び開閉バルブＡＶを所定のタイミングで作動させて、ウ
エハＷの表面にレジストノズル１１０から所定量のレジ
スト液を供給（滴下）する。滴下されたレジスト液は上
記シンナーと同様に遠心力によりウエハＷ表面全体に広
がり、余分のレジスト液は遠心力で振り切られ除去され
る。Next, the spin chuck 101 holding the wafer W is rotated at a high speed, and the supply pump 160 and the opening / closing valve AV are operated at a predetermined timing so that a predetermined amount of resist is transferred from the resist nozzle 110 to the surface of the wafer W. The liquid is supplied (dropped). The dropped resist solution spreads over the entire surface of the wafer W by the centrifugal force as in the thinner, and the excess resist solution is shaken off and removed by the centrifugal force.
【００８０】振り切り除去が終了するとスピンチャック
の回転は停止し、ウエハＷは主ウエハ搬送機構２１によ
り取り出されて処理を終了する。When the removal by shaking off is completed, the rotation of the spin chuck is stopped, the wafer W is taken out by the main wafer transfer mechanism 21, and the processing is completed.
【００８１】次に、上記レジスト塗布ユニットの自動設
定を行う、この発明の自動設定装置の構成について説明
する。Next, the structure of the automatic setting device of the present invention for automatically setting the resist coating unit will be described.
【００８２】この発明の自動設定装置は、図５に示すよ
うに、レジストノズル１１０が供給するレジスト液の供
給量を検出する供給量検出手段、例えば電子天秤２００
と、レジストノズル１１０の供給部１１３のレジスト液
の状態、具体的には、レジスト液の先端液面の状態を検
出する液検出手段、例えばＣＣＤカメラ３００と、少な
くともレジスト液の特性及び配管条件等の情報を予め記
憶可能な制御手段、例えばＣＰＵ１００とで構成され
る。The automatic setting device of the present invention, as shown in FIG. 5, is a supply amount detecting means for detecting the supply amount of the resist liquid supplied from the resist nozzle 110, for example, an electronic balance 200.
And a liquid detection means for detecting the state of the resist liquid in the supply unit 113 of the resist nozzle 110, specifically, the state of the liquid surface at the tip of the resist liquid, for example, the CCD camera 300, and at least the resist liquid characteristics and piping conditions. The information is stored in advance in a control unit such as the CPU 100.
【００８３】電子天秤２００は、レジストノズルスキャ
ンアーム１０２の可動範囲内に設けられるもので、レジ
ストノズル１１０から供給されたレジスト液を受け止め
る容器２０１と、容器２０１内のレジスト液の重量を計
測し、そのデータをＣＰＵ１００に出力可能な重量計測
部２０２とで形成されている。The electronic balance 200 is provided within the movable range of the resist nozzle scan arm 102, and measures the container 201 that receives the resist solution supplied from the resist nozzle 110 and the weight of the resist solution in the container 201. It is formed by a weight measuring unit 202 capable of outputting the data to the CPU 100.
【００８４】この場合、電子天秤２００を、ダミーディ
スペンスを行う図示しないダミーディスペンス部に設け
るようにすれば装置の小型化を図れる点で好ましい。In this case, it is preferable that the electronic balance 200 is provided in a dummy dispense section (not shown) for performing the dummy dispense, because the apparatus can be downsized.
【００８５】なお、上記供給量検出手段としては、電子
天秤２００を用いる代わりに、レジストノズル１１０か
ら供給（吐出）されたレジスト液を貯留可能であると共
に、光を透過できる測定用の容器例えばガラス製のメス
シリンダ２１０と、このメスシリンダ２１０の側方から
光２１２を照射可能な発光手段例えば発光ダイオード２
１１と、この発光ダイオード２１１の対向する側に設け
られ、メスシリンダ内に透過された発光ダイオードの光
２１２を受光して光量（画素数）を検知し、その検知信
号をＣＰＵ１００に送る光検知手段例えばＣＣＤセンサ
２１３とを用いることもできる（図６参照）。As the supply amount detecting means, instead of using the electronic balance 200, a resist container supplied (discharged) from the resist nozzle 110 can be stored and a measuring container, such as glass, which can transmit light. Made graduated cylinder 210 and a light emitting means capable of emitting light 212 from the side of the graduated cylinder 210, for example, the light emitting diode 2
11 and a light detecting means which is provided on the opposite side of the light emitting diode 211, receives the light 212 of the light emitting diode transmitted through the measuring cylinder, detects the light amount (the number of pixels), and sends the detection signal to the CPU 100. For example, the CCD sensor 213 may be used (see FIG. 6).
【００８６】この場合、ＣＣＤセンサ２１３は、図７に
示すように、複数の画素２１４が垂直方向に等間隔に設
けられており、受光された光量（画素数）とＣＰＵ１０
０に予め記憶された情報とに基いて、メスシリンダ２１
０内に供給されたレジスト液の供給量を計測することが
できるように構成されている。すなわち、メスシリンダ
２１０内にレジスト液が貯留されると、発光ダイオード
２１１からメスシリンダ２１０内に照射された光２１２
のうち、レジスト液の水面より下方のＣＣＤセンサ２１
３の画素２１４は、レジスト液により光２１２が遮断さ
れ、あるいは弱められるためＣＣＤセンサ２１３が光２
１２を検知せず、レジスト液水面より上方のＣＣＤセン
サの画素２１４は透過された光２１２を受光して検知す
るので、予めレジスト液の量とＣＣＤセンサ２１３が検
知した光量（画素数）との相関データをＣＰＵ１００に
記憶させておくことによりレジストノズル１１０から供
給（吐出）されたレジスト液の供給量を検出することが
できる。In this case, in the CCD sensor 213, as shown in FIG. 7, a plurality of pixels 214 are provided at equal intervals in the vertical direction, and the amount of received light (the number of pixels) and the CPU 10 are set.
0 based on the information stored in advance, the graduated cylinder 21
It is configured to be able to measure the supply amount of the resist solution supplied to the inside of 0. That is, when the resist solution is stored in the measuring cylinder 210, the light 212 emitted from the light emitting diode 211 into the measuring cylinder 210 is emitted.
Of the CCD sensor 21 below the surface of the resist solution
In the pixel 214 of No. 3, since the light 212 is blocked or weakened by the resist solution, the CCD sensor 213 causes the light 2 to pass.
Since the pixel 214 of the CCD sensor above the water surface of the resist liquid receives and detects the light 212 that has been transmitted, the amount of the resist liquid and the light amount (the number of pixels) detected by the CCD sensor 213 are not detected in advance. By storing the correlation data in the CPU 100, the supply amount of the resist liquid supplied (discharged) from the resist nozzle 110 can be detected.
【００８７】ＣＣＤカメラ３００は、レジストノズル１
１０の供給部１１３と水平位置に設置されており、供給
部１１３のレジスト液の液面位置等を画像として検知
し、その画像データをＣＰＵ１００に出力可能に形成さ
れている。The CCD camera 300 includes the registration nozzle 1
10 are installed in a horizontal position with respect to the supply unit 113, and the liquid level position of the resist solution in the supply unit 113 is detected as an image, and the image data can be output to the CPU 100.
【００８８】ＣＰＵ１００は、図示しない入力装置から
予めレジスト液の特性（例えば密度や動粘性係数）や配
管条件（例えばレジスト液供給管路１３０の配管長や揚
程差）等の情報を記憶させておくことができ、上記電子
天秤２００によって検出されたレジスト液の供給量及び
ＣＣＤカメラ３００で検出された供給部１１３における
レジスト液の液面の位置と、予めＣＰＵ１００に記憶さ
れたレジスト液の特性及び配管条件等の情報に基いて、
レジストノズル１１０がウエハＷに均一に処理液を供給
し得るように、開閉バルブＡＶ、サックバックバルブＳ
Ｖの設定を調整し得るように構成されている。The CPU 100 stores in advance information such as characteristics of the resist solution (for example, density and kinematic viscosity) and piping conditions (for example, pipe length and head difference of the resist solution supply pipeline 130) from an input device (not shown). The amount of resist liquid supplied by the electronic balance 200 and the position of the liquid surface of the resist liquid in the supply unit 113 detected by the CCD camera 300, and the characteristics and piping of the resist liquid stored in the CPU 100 in advance. Based on information such as conditions,
The opening / closing valve AV and the suck back valve S are provided so that the resist nozzle 110 can uniformly supply the processing liquid to the wafer W.
It is configured so that the setting of V can be adjusted.
【００８９】次に上記のように構成される自動設定装置
を用いて、上述したレジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）の
調整を行う場合について、図１１ないし図１３及び図１
４のフローチャートを用いて説明する。Next, FIG. 11 to FIG. 13 and FIG. 1 in the case where the above-mentioned resist coating unit (COT) is adjusted using the automatic setting device configured as described above.
This will be described using the flowchart of FIG.
【００９０】まず、レジストノズル１１０をレジストノ
ズルスキャンアーム１０２によって待機部１０６に設け
られた電子天秤２００上に移動する。そして、ＣＣＤカ
メラ３００によりレジストノズル１１０の供給部１１３
内のレジスト液の状態、すなわちレジスト液の液面の位
置を検知しながら、開閉バルブＡＶを開き供給ノズル１
１０からレジスト液を電子天秤２００上に所定時間、所
定回数供給した後に停止する（ステップＳ１）。First, the resist nozzle 110 is moved by the resist nozzle scan arm 102 onto the electronic balance 200 provided in the standby section 106. Then, the CCD camera 300 is used to supply the resist nozzle 110 to the supply unit 113.
The opening / closing valve AV is opened and the supply nozzle 1 is detected while detecting the state of the resist liquid inside, that is, the position of the liquid surface of the resist liquid.
After supplying the resist solution from 10 onto the electronic balance 200 for a predetermined time and a predetermined number of times, the process is stopped (step S1).
【００９１】次に、ＣＣＤカメラ３００で取得した吐出
開始時の供給部１１３の画像データをＣＰＵ１００で処
理し、吐出開始時に供給部１１３内のレジスト液がレジ
スト液供給管路１３０の供給ポンプ１６０側に吸い込ま
れる引き上がり現象が生じているか否かを、検出された
供給部１１３内の液面の位置から判定する（ステップＳ
２）。具体的には、レジスト液の吐出開始前の液面の位
置｛図１１（ａ）の位置｝が、吐出開始時に上方位置
｛図１１（ｂ）の位置｝に移動した後に吐出が開始｛図
１１（ｃ）｝した場合には引き上がり現象が生じている
と判定する。Next, the CPU 100 processes the image data of the supply unit 113 at the start of discharge obtained by the CCD camera 300, and the resist liquid in the supply unit 113 at the start of discharge is supplied to the supply pump 160 side of the resist liquid supply pipeline 130. It is determined from the detected position of the liquid surface in the supply unit 113 whether or not a pull-up phenomenon that occurs when the liquid is sucked into is generated (step S
2). Specifically, the discharge is started after the liquid level position (the position in FIG. 11A) before the discharge of the resist liquid is moved to the upper position {the position in FIG. 11B} when the discharge is started. 11 (c)}, it is determined that the pull-up phenomenon has occurred.
【００９２】供給部１１３内の液面に引き上がり現象が
生じていないと判定した場合には次のステップＳ４に進
む。また、引き上がり現象が生じていると判定した場合
にはステップＳ３に進み、引き上がりの大きさに応じて
ＣＰＵ１００が開閉バルブＡＶの開口時間を増加するよ
うに設定を調整した後ステップＳ４に進む。If it is determined that the liquid level in the supply unit 113 has not risen, the process proceeds to the next step S4. If it is determined that the pull-up phenomenon has occurred, the process proceeds to step S3, and the CPU 100 adjusts the setting so as to increase the opening time of the opening / closing valve AV according to the magnitude of the pull-up, and then proceeds to step S4. .
【００９３】ステップＳ４では、ＣＣＤカメラ３００で
取得した吐出終了時の供給部１１３の画像データをＣＰ
Ｕ１００で処理し、液面の位置から液切れは適当か否か
を判定する。具体的には、供給部１１３の液面の位置
が、図１２（ｂ）に示すように、所定の範囲内例えば供
給部先端から上方に０．５〜１ｍｍの範囲内にある場合
には、ＣＰＵ１００は液切れが適当であると判定し、供
給部１１３の液面の位置が、図１２（ａ）に示すよう
に、所定の位置より高い場合には液切れが早いと判定
し、逆に、供給部１１３内の液面の位置が、図１２
（ｃ）に示すように、所定の位置より低い場合には液切
れが遅いと判定する。In step S4, the image data of the supply unit 113 at the end of ejection acquired by the CCD camera 300 is CP-processed.
Processing is performed in U100, and it is determined from the position of the liquid level whether or not the liquid is appropriate. Specifically, when the position of the liquid surface of the supply unit 113 is within a predetermined range, for example, within a range of 0.5 to 1 mm above the tip of the supply unit, as shown in FIG. The CPU 100 determines that the liquid drainage is appropriate, and when the position of the liquid surface of the supply unit 113 is higher than a predetermined position, it is determined that the liquid drainage is early, and conversely. The position of the liquid level in the supply unit 113 is as shown in FIG.
As shown in (c), when the position is lower than the predetermined position, it is determined that the liquid runs out slowly.
【００９４】液切れが適当であると判定した場合には次
のステップＳ７に進む。また、液切れが早いと判定した
場合にはステップＳ５に進み、ＣＰＵ１００が開閉バル
ブＡＶの閉鎖時間を増加するように設定を調整した後に
ステップＳ７に進む。逆に、液切れが遅いと判定した場
合にはステップＳ６に進み、ＣＰＵ１００が開閉バルブ
ＡＶの閉鎖時間が減少するように設定を調整した後、ス
テップＳ７に進む。If it is determined that the liquid is properly drained, the process proceeds to the next step S7. If it is determined that the liquid runs out quickly, the process proceeds to step S5, and the CPU 100 adjusts the setting so as to increase the closing time of the opening / closing valve AV, and then proceeds to step S7. On the contrary, if it is determined that the liquid is running out slowly, the process proceeds to step S6, and the CPU 100 adjusts the setting so that the closing time of the opening / closing valve AV is reduced, and then the process proceeds to step S7.
【００９５】ステップＳ７では、ＣＣＤカメラ３００で
取得したサックバック時の供給部１１３の画像データを
ＣＰＵ１００で処理し、サックバック後の液面の位置か
らサックバック量は適当か否かを判定する。具体的に
は、供給部１１３の液面の位置が、図１３（ｂ）に示す
ように、所定位置例えば供給部先端から上方に２〜３ｍ
ｍの範囲内にある場合には、ＣＰＵ１００はサックバッ
ク量が適当であると判定する。また、供給部１１３の液
面の位置が、図１３（ａ）に示すように、所定位置より
高い場合にはサックバック量が多いと判定し、逆に、供
給部１１３の液面の位置が、図１３（ｃ）に示すよう
に、所定位置より低い場合にはサックバック量が少ない
と判定する。In step S7, the CPU 100 processes the image data of the supply unit 113 during suck back acquired by the CCD camera 300, and determines whether the suck back amount is appropriate from the position of the liquid surface after suck back. Specifically, the position of the liquid surface of the supply unit 113 is set to a predetermined position, for example, 2 to 3 m above the tip of the supply unit, as shown in FIG.
If it is within the range of m, the CPU 100 determines that the suck back amount is appropriate. Further, as shown in FIG. 13A, when the liquid level position of the supply unit 113 is higher than a predetermined position, it is determined that the suck back amount is large, and conversely, the liquid level position of the supply unit 113 is changed. As shown in FIG. 13C, when it is lower than the predetermined position, it is determined that the suck back amount is small.
【００９６】サックバック量が適当であると判定した場
合には次のステップＳ１０に進む。また、サックバック
量が多いと判定した場合にはステップＳ８に進み、ＣＰ
Ｕ１００が電空レギュレータＥＲ３の設定を調整し、空
気室１５５内への圧縮空気の供給量を減少させてロッド
の引き込み量を減らすようにサックバックバルブＳＶの
設定を調整した後、ステップＳ１０に進む。逆に、サッ
クバック量が少ないと判定した場合にはステップＳ９に
進み、ＣＰＵ１００が電空レギュレータＥＲ３の設定を
調整し、空気室１５５への圧縮空気の供給量を増加させ
てロッドの引き込み量を増やすようにサックバックバル
ブＳＶの設定を調整した後、ステップＳ１０に進む。When it is determined that the suck back amount is appropriate, the process proceeds to the next step S10. If it is determined that the suck back amount is large, the process proceeds to step S8 and the CP
U100 adjusts the setting of the electropneumatic regulator ER3, adjusts the setting of the suck back valve SV so as to reduce the supply amount of the compressed air into the air chamber 155 and reduce the drawing amount of the rod, and then proceeds to step S10. . On the contrary, if it is determined that the suck back amount is small, the process proceeds to step S9, where the CPU 100 adjusts the setting of the electropneumatic regulator ER3 to increase the supply amount of the compressed air to the air chamber 155 to increase the pulling amount of the rod. After adjusting the setting of the suck back valve SV so as to increase, the process proceeds to step S10.
【００９７】ステップＳ１０では、ＣＣＤカメラ３００
で取得したサックバック時の供給部１１３の画像データ
をＣＰＵ１００で処理し、開閉バルブＡＶの閉鎖時間と
サックバック終了時間からサックバック時間は適当か否
かを判定する。In step S10, the CCD camera 300
The CPU 100 processes the image data of the supply unit 113 at the suck back time obtained in step S1 and determines whether the suck back time is appropriate based on the closing time of the opening / closing valve AV and the suck back end time.
【００９８】サックバック時間が所定範囲内例えば２〜
３秒以内の場合には、ＣＰＵ１００はサックバック時間
が適当であると判定し、サックバック時間が所定範囲外
である場合には、サックバック時間は適当でないと判定
する。The suck back time is within a predetermined range, for example, 2
When the suck back time is within 3 seconds, the CPU 100 determines that the suck back time is appropriate, and when the suck back time is outside the predetermined range, the CPU 100 determines that the suck back time is not appropriate.
【００９９】サックバック時間が適当であると判定した
場合には次のステップＳ１２に進む。また、サックバッ
ク時間が適当でないと判定した場合にはステップＳ１１
に進み、ＣＰＵ１００が電空レギュレータＥＲ１，ＥＲ
２の設定を調整することにより、開閉弁ＡＶとサックバ
ックバルブＳＶの作動間隔を調整した後、ステップＳ１
２に進む。When it is determined that the suck back time is appropriate, the process proceeds to the next step S12. If it is determined that the suck back time is not appropriate, step S11
CPU100, electro-pneumatic regulator ER1, ER
After adjusting the operation interval of the on-off valve AV and the suck back valve SV by adjusting the setting of step 2, step S1
Go to 2.
【０１００】ステップＳ１２では、レジストノズル１１
０から電子天秤２００の容器２０１上に供給（吐出）さ
れたレジスト液の重量を検出し、ＣＰＵ１００に予め記
憶しておいた密度からレジストノズル１１０が供給（吐
出）したレジスト液の供給量（実測値）を計算する。そ
して、計算されたレジスト液の供給量（実測値）とＣＰ
Ｕ１００に予め記憶された供給量（吐出量）の設定値と
を比較演算し、供給量の実測値と設定値との誤差が許容
範囲内か否かを判定する。In step S12, the resist nozzle 11
From 0, the weight of the resist liquid supplied (discharged) onto the container 201 of the electronic balance 200 is detected, and the supply amount (measured) of the resist liquid supplied (discharged) by the resist nozzle 110 is measured from the density stored in the CPU 100 in advance. Value) is calculated. Then, the calculated resist liquid supply amount (measured value) and CP
The set value of the supply amount (discharge amount) stored in U100 in advance is compared and calculated, and it is determined whether or not the error between the measured value of the supply amount and the set value is within the allowable range.
【０１０１】この場合、ＣＣＤカメラ３００で取得した
吐出（供給）開始時の供給部１１３の画像データをＣＰ
Ｕ１００で処理し、レジスト液の供給時間を、液面が供
給部１１３の先端に位置した時から計測するようにすれ
ば、レジスト液の吐出開始時に引き上がり現象が生じた
場合にも誤差を生じることなく供給量（実測値）を正確
に計算することができる。また、供給量（実測値）の計
算は、レジスト液の供給（吐出）を複数回行い、その平
均値から計算するようにすれば更に正確に求めることが
できる。レジスト液の供給を複数回行って供給量（実測
値）を求める場合は、一回毎のデータを基にして計算し
てもよいし、複数回を連続して行い、その積算値を基に
して計算してもよい。In this case, the image data of the supply unit 113 at the start of ejection (supply) acquired by the CCD camera 300 is displayed as CP.
If the processing is performed by U100 and the supply time of the resist solution is measured from the time when the liquid surface is located at the tip of the supply unit 113, an error occurs even when the pull-up phenomenon occurs at the start of discharge of the resist solution. It is possible to accurately calculate the supply amount (actual measurement value). Further, the supply amount (actual measurement value) can be calculated more accurately by supplying (discharging) the resist solution a plurality of times and calculating the average value. When the supply amount (actual measurement value) of the resist solution is supplied multiple times, it may be calculated based on the data for each time, or it may be calculated multiple times continuously and the integrated value is used as the basis. You may calculate it.
【０１０２】上記実測値と設定値との誤差が許容範囲内
にあると判定した場合にはレジスト塗布ユニット（ＣＯ
Ｔ）の設定調整を終了する（ステップＳ１４）。また、
実測値と設定値との誤差が許容範囲外である場合にはス
テップＳ１３に進み、ＣＰＵ１００は、予め記憶された
レジスト液の粘度、供給ポンプ１６０からレジストノズ
ル１１０までの配管長や揚程差等の情報に基いて、開閉
バルブＡＶの開口度の設定を調整した後、液処理装置の
設定調整を終了する（ステップＳ１４）。When it is determined that the error between the actual measurement value and the set value is within the allowable range, the resist coating unit (CO
The setting adjustment of T) is completed (step S14). Also,
If the error between the actual measurement value and the set value is outside the allowable range, the process proceeds to step S13, and the CPU 100 determines the viscosity of the resist solution stored in advance, the pipe length from the supply pump 160 to the resist nozzle 110, the difference in the lift, and the like. After adjusting the setting of the opening degree of the opening / closing valve AV based on the information, the setting adjustment of the liquid processing apparatus is ended (step S14).
【０１０３】なお、上記ステップＳ１３では、実測値と
設定値の誤差を開閉バルブＡＶの開口度を調整して補正
する場合について説明したが、実測値と設定値の誤差の
補正方法はこれに限らず、例えば電空レギュレータＥＲ
３の設定を、ＣＰＵ１００に予め記憶されたレジスト液
の粘度、供給ポンプ１６０からレジストノズル１１０ま
での配管長や揚程差等の情報に基いて調整し、供給ポン
プ１６０の圧送圧力を補正するようにしてもよい。In step S13, the error between the measured value and the set value is corrected by adjusting the opening degree of the opening / closing valve AV, but the method for correcting the error between the measured value and the set value is not limited to this. No, for example, electropneumatic regulator ER
3 is adjusted based on information such as the viscosity of the resist solution stored in the CPU 100 in advance, the pipe length from the supply pump 160 to the resist nozzle 110, the difference in the lift, etc., so that the pressure-feeding pressure of the supply pump 160 is corrected. May be.
【０１０４】また、開閉バルブＡＶの開口度と供給ポン
プ１６０の圧送圧力の両方を補正するようにすれば、更
に正確にウエハＷへレジスト液を供給することができ
る。By correcting both the opening degree of the opening / closing valve AV and the pumping pressure of the supply pump 160, the resist solution can be more accurately supplied to the wafer W.
【０１０５】また、上記説明では、ステップＳ３，Ｓ
５，Ｓ６，Ｓ８，Ｓ９，Ｓ１１，Ｓ１３の設定調整後、
次のステップＳ４，Ｓ７，Ｓ１０，Ｓ１２に進む場合に
ついて説明したが、図１４に破線で示すように、ステッ
プＳ３からステップＳ２へ、ステップＳ５，Ｓ６からス
テップＳ４へ、ステップＳ８，Ｓ９からステップＳ７
へ、ステップＳ１１からステップＳ１０へ、ステップＳ
１３からステップＳ１２へ戻るようにし、設定が正しく
調整されたか否かを再確認するようにすれば、更に正確
にレジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）の設定調整を行うこ
とができる。Further, in the above description, steps S3 and S
After setting adjustment of 5, S6, S8, S9, S11, S13,
The case of proceeding to the next steps S4, S7, S10, S12 has been described, but as shown by the broken line in FIG. 14, steps S3 to S2, steps S5, S6 to step S4, steps S8, S9 to step S7.
From step S11 to step S10, step S
If the process returns from step S13 to step S12 and it is reconfirmed whether or not the settings have been properly adjusted, the settings of the resist coating unit (COT) can be adjusted more accurately.
【０１０６】なお、上記説明では、この発明の自動設定
方法及びその装置をレジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）に
用いる場合について説明したが、処理液を用いて被処理
体を処理するものであれば他の装置、例えば現像ユニッ
ト（ＤＥＶ）等に用いることも勿論可能である。In the above description, the automatic setting method and apparatus of the present invention is used in the resist coating unit (COT), but other methods can be used as long as they can process the object with the processing liquid. It is of course possible to use it in an apparatus such as a developing unit (DEV).
【０１０７】[0107]
【発明の効果】以上に説明したように、この発明によれ
ば、上記のように構成されているので、以下のような効
果が得られる。As described above, according to the present invention, since it is configured as described above, the following effects can be obtained.
【０１０８】１）請求項１，２，４，５に記載の発明に
よれば、処理液供給手段が供給する処理液の供給量を供
給量検出手段により検出し、処理液供給手段の供給部の
処理液の状態を液検出手段により検出し、供給量検出手
段及び液検出手段の検出信号と、予め記憶された少なく
とも処理液の特性及び配管条件を含む情報とに基いて、
処理液供給手段が被処理体に均一に処理液を供給し得る
ように、供給量調節手段及び処理液吸引手段の設定を調
整するので、液処理装置の設定をオペレータが手動で行
う必要がなく、装置の設定を容易にすることができると
共に、装置ごとの処理液の供給量に誤差が生じるのを防
止することができる。1) According to the invention described in claims 1, 2, 4, and 5, the supply amount of the processing liquid supplied by the processing liquid supply means is detected by the supply amount detection means, and the supply portion of the processing liquid supply means is detected. The state of the treatment liquid is detected by the liquid detection means, based on the detection signals of the supply amount detection means and the liquid detection means, and information including at least the characteristics of the treatment liquid and piping conditions stored in advance,
Since the setting of the supply amount adjusting means and the processing liquid suction means is adjusted so that the processing liquid supply means can uniformly supply the processing liquid to the object to be processed, it is not necessary for the operator to manually set the liquid processing device. It is possible to easily set the apparatus and prevent an error in the supply amount of the processing liquid for each apparatus.
【０１０９】２）請求項３，６に記載の発明によれば、
供給量検出手段及び液検出手段の検出信号と、予め記憶
された少なくとも処理液の特性及び配管条件を含む情報
とに基いて、処理液供給手段が被処理体に均一に処理液
を供給し得るように、処理液供給手段に処理液供給源の
処理液を圧送する処理液圧送手段の圧力を調節可能な圧
力調節手段の設定を調整するので、更に装置ごとの処理
液の供給量に誤差が生じるのを防止することができる。2) According to the invention described in claims 3 and 6,
Based on the detection signals of the supply amount detecting means and the liquid detecting means and the information including at least the characteristics of the processing liquid and the piping conditions stored in advance, the processing liquid supply means can uniformly supply the processing liquid to the target object. As described above, since the setting of the pressure adjusting means capable of adjusting the pressure of the processing liquid pressure feeding means for feeding the processing liquid of the processing liquid supply source to the processing liquid supply means is adjusted, an error may occur in the amount of the processing liquid supplied for each device. It can be prevented from occurring.
【図１】この発明に係る塗布処理装置を適用したレジス
ト液塗布・現像処理システムの一例を示す概略平面図で
ある。FIG. 1 is a schematic plan view showing an example of a resist solution coating / developing processing system to which a coating processing apparatus according to the present invention is applied.
【図２】上記レジスト液塗布・現像処理システムの概略
正面図である。FIG. 2 is a schematic front view of the resist solution coating / developing system.
【図３】上記レジスト液塗布・現像処理システムの概略
背面図である。FIG. 3 is a schematic rear view of the resist solution coating / developing system.
【図４】この発明における液処理装置を示す概略平面図
である。FIG. 4 is a schematic plan view showing a liquid processing apparatus according to the present invention.
【図５】この発明における液処理装置の自動設定装置を
示す概略構成図である。FIG. 5 is a schematic configuration diagram showing an automatic setting device of a liquid processing apparatus according to the present invention.
【図６】この発明における液処理装置の他の自動設定装
置を示す概略構成図である。FIG. 6 is a schematic configuration diagram showing another automatic setting device of the liquid processing apparatus according to the present invention.
【図７】この発明における供給量検出手段の一例である
光センサの概略正面図である。FIG. 7 is a schematic front view of an optical sensor which is an example of a supply amount detecting means in the present invention.
【図８】この発明における液処理装置の供給量調節手段
及び処理液吸引手段を示す概略断面図である。FIG. 8 is a schematic sectional view showing a supply amount adjusting means and a processing liquid suction means of the liquid processing apparatus according to the present invention.
【図９】この発明における圧力調節手段の構成を示す模
式図である。FIG. 9 is a schematic view showing a configuration of pressure adjusting means in the present invention.
【図１０】この発明における処理液圧送手段の概略断面
図である。FIG. 10 is a schematic cross-sectional view of a processing liquid pressure feeding means in the present invention.
【図１１】供給部の処理液の引き上がり現象を説明する
概略断面図である。FIG. 11 is a schematic cross-sectional view illustrating a phenomenon in which the processing liquid in the supply unit is pulled up.
【図１２】処理液の供給終了時における供給部の状態を
示す概略断面図である。FIG. 12 is a schematic cross-sectional view showing the state of the supply unit at the end of the supply of the processing liquid.
【図１３】処理液のサックバック終了時における供給部
の状態を示す概略断面図である。FIG. 13 is a schematic cross-sectional view showing the state of the supply unit at the end of sucking back the processing liquid.
【図１４】液処理装置の自動設定方法を説明するフロー
チャートである。FIG. 14 is a flowchart illustrating an automatic setting method for a liquid processing apparatus.
【図１５】従来の液処理装置を示す概略構成図である。FIG. 15 is a schematic configuration diagram showing a conventional liquid processing apparatus.
Ｗ 半導体ウエハ（被処理体） ＡＶ 電子制御バルブ（供給量調節手段） ＳＶ サックバックバルブ（処理液吸引手段） ＥＲ 電空レギュレータ（圧力調節手段） ＥＲ１〜ＥＲ３ 電空レギュレータ １００ ＣＰＵ（制御手段） １１０ レジストノズル（処理液供給手段） １１３ 供給部 １６０ 供給ポンプ（処理液圧送手段） １８０ レジストタンク（処理液供給源） ２００ 電子天秤（供給量検出手段） ２１０ メスシリンダ（容器、供給量検出手段） ２１１ 発光ダイオード（発光手段、供給量検出手段） ２１３ ＣＣＤセンサ（光検知手段、供給量検出手段） ３００ ＣＣＤカメラ（液検出手段） W Semiconductor wafer (Processing object) AV electronic control valve (supply amount adjusting means) SV suck back valve (processing liquid suction means) ER Electro-pneumatic regulator (pressure control means) ER1 to ER3 Electropneumatic regulator 100 CPU (control means) 110 resist nozzle (processing liquid supply means) 113 supply section 160 supply pump (processing liquid pressure feeding means) 180 Resist tank (processing liquid supply source) 200 Electronic balance (supply amount detection means) 210 Measuring cylinder (container, supply amount detecting means) 211 Light emitting diode (light emitting means, supply amount detecting means) 213 CCD sensor (light detection means, supply amount detection means) 300 CCD camera (liquid detection means)
フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｇ０１Ｆ 23/28 Ｌ (72)発明者 末藤 弘一 東京都港区赤坂五丁目３番６号ＴＢＳ放送 センター東京エレクトロン株式会社内 Ｆターム(参考） 2F014 FA04 2H025 AB14 AB16 AB17 EA04 4D075 BB91Z CA47 DA06 DB13 DB14 DC22 DC24 EA05 EA45 4F042 AA07 BA02 BA06 BA22 CA01 CB02 CB03 CB08 CB10 CB11 CB19 DH09 5F046 JA01 JA21 LA03 Continuation of front page (51) Int.Cl. 7 Identification code FI theme code (reference) G01F 23/28 L (72) Inventor Koichi Suto 5-3-6 Akasaka, Minato-ku, Tokyo TBS Broadcast Center Tokyo Electron Limited Inner F-term (reference) 2F014 FA04 2H025 AB14 AB16 AB17 EA04 4D075 BB91Z CA47 DA06 DB13 DB14 DC22 DC24 EA05 EA45 4F042 AA07 BA02 BA06 BA22 CA01 CB02 CB03 CB08 CB10 CB11 CB19 DH09 5F046 JA01 JA21 LA21
Claims (6)
液供給手段と、上記処理液供給手段が供給する処理液の
供給量を調節可能な供給量調節手段と、上記処理液供給
手段の処理液供給停止時に、処理液供給手段の供給部に
残留する処理液を吸引する処理液吸引手段と、を具備す
る液処理装置の自動設定方法であって、 処理液供給手段が供給する処理液の供給量を供給量検出
手段により検出し、 上記処理液供給手段の供給部の処理液の状態を液検出手
段により検出し、 上記供給量検出手段及び液検出手段の検出信号と、予め
記憶された少なくとも処理液の特性及び配管条件を含む
情報とに基いて、上記処理液供給手段が被処理体に均一
に処理液を供給し得るように、供給量調節手段及び処理
液吸引手段の設定を調整することを特徴とする液処理装
置の自動設定方法。1. A processing liquid supply means for supplying a processing liquid to the surface of an object to be processed, a supply amount adjusting means for adjusting the supply amount of the processing liquid supplied by the processing liquid supply means, and the processing liquid supply means. A method for automatically setting a liquid processing apparatus, comprising: a processing liquid suction means for sucking the processing liquid remaining in the supply part of the processing liquid supply means when the processing liquid supply means stops supplying the processing liquid. The supply amount of the liquid is detected by the supply amount detecting unit, the state of the processing liquid in the supply unit of the processing liquid supplying unit is detected by the liquid detecting unit, and the detection signals of the supply amount detecting unit and the liquid detecting unit are stored in advance. Based on the information including at least the characteristics of the processing liquid and the piping conditions, the supply amount adjusting means and the processing liquid suction means are set so that the processing liquid supply means can uniformly supply the processing liquid to the object to be processed. Liquid treatment characterized by adjusting How to automatically set the processing device.
法において、 光を透過する容器に処理液供給手段が供給する処理液を
貯留すると共に、容器の側方に照射した光をその対向す
る側で検知し、検知した光の光量と、予め記憶された情
報とに基いて、処理液供給手段が供給する処理液の供給
量を検出することを特徴とする液処理装置の自動設定方
法。2. The automatic setting method for a liquid processing apparatus according to claim 1, wherein the processing liquid supplied by the processing liquid supply means is stored in a container that transmits light, and the light radiated to the side of the container is opposed thereto. The automatic setting method of the liquid processing apparatus, characterized in that the supply amount of the processing liquid supplied by the processing liquid supply means is detected based on the detected light amount and the prestored information. .
設定方法において、 上記供給量検出手段及び液検出手段の検出信号と、予め
記憶された少なくとも処理液の特性及び配管条件を含む
情報とに基いて、上記処理液供給手段が被処理体に均一
に処理液を供給し得るように、上記処理液供給手段に処
理液供給源の処理液を圧送する処理液圧送手段の圧力を
調節可能な圧力調節手段の設定を調整することを特徴と
する液処理装置の自動設定方法。3. The automatic setting method for a liquid processing apparatus according to claim 1, wherein the detection signals of the supply amount detecting means and the liquid detecting means, and information including at least the characteristics of the processing liquid and piping conditions stored in advance. Based on the above, the pressure of the processing liquid pressure feeding means for feeding the processing liquid of the processing liquid supply source to the processing liquid supply means is adjusted so that the processing liquid supply means can uniformly supply the processing liquid to the object to be processed. A method for automatically setting a liquid processing apparatus, which comprises adjusting the setting of possible pressure adjusting means.
液供給手段と、上記処理液供給手段が供給する処理液の
供給量を調節可能な供給量調節手段と、上記処理液供給
手段の処理液供給停止時に、処理液供給手段の供給部に
残留する処理液を吸引する処理液吸引手段と、を具備す
る液処理装置の自動設定装置であって、 上記処理液供給手段が供給する処理液の供給量を検出す
る供給量検出手段と、 上記処理液供給手段の供給部の処理液の状態を検出する
液検出手段と、 上記供給量検出手段及び液検出手段の検出信号と、予め
記憶された少なくとも処理液の特性及び配管条件を含む
情報とに基いて、上記処理液供給手段が被処理体に均一
に処理液を供給し得るように、上記供給量調節手段及び
処理液吸引手段の設定を調整する制御手段と、を具備す
ることを特徴とする液処理装置の自動設定装置。4. A processing liquid supply means for supplying a processing liquid to the surface of an object to be processed, a supply amount adjusting means for adjusting the supply amount of the processing liquid supplied by the processing liquid supply means, and the processing liquid supply means. An automatic setting device of a liquid processing apparatus, comprising: a processing liquid suction means for sucking the processing liquid remaining in the supply part of the processing liquid supply means when the processing liquid supply means is stopped. A supply amount detecting means for detecting the supply amount of the processing liquid, a liquid detecting means for detecting the state of the processing liquid in the supply section of the processing liquid supplying means, a detection signal of the supply amount detecting means and the liquid detecting means, and Based on the stored information including at least the characteristics of the processing liquid and the piping conditions, the supply amount adjusting means and the processing liquid suction means so that the processing liquid supply means can uniformly supply the processing liquid to the object to be processed. Control means for adjusting the setting of An automatic setting device for a liquid treatment device, which is characterized by being provided.
置において、 上記供給量検出手段は、処理液供給手段から供給された
処理液を貯留する光を透過可能な容器と、上記容器の側
方から光を照射可能な発光手段と、上記発光手段が照射
し容器を透過した光を検知する光検知手段とを具備する
ことを特徴とする液処理装置の自動設定装置。5. The automatic setting device for a liquid processing apparatus according to claim 4, wherein the supply amount detecting means includes a container capable of transmitting light that stores the processing liquid supplied from the processing liquid supply means, and the container. An automatic setting apparatus for a liquid processing apparatus, comprising: a light emitting means capable of irradiating light from a side and a light detecting means for detecting light emitted by the light emitting means and transmitted through a container.
設定装置において、 上記制御手段を、供給量検出手段及び液検出手段の検出
信号と、予め記憶された少なくとも処理液の特性及び配
管条件を含む情報とに基いて、上記処理液供給手段が被
処理体に均一に処理液を供給し得るように、上記処理液
供給手段に処理液供給源の処理液を圧送する処理液圧送
手段の圧力を調節可能な圧力調節手段の設定を調整する
ように構成することを特徴とする液処理装置の自動設定
装置。6. The automatic setting device for a liquid processing apparatus according to claim 4, wherein the control means is provided with detection signals of the supply amount detecting means and the liquid detecting means, and at least the characteristics of the processing liquid and the piping stored in advance. Based on the information including the conditions, the processing liquid supply means for supplying the processing liquid of the processing liquid supply source to the processing liquid supply means by pressure so that the processing liquid supply means can uniformly supply the processing liquid to the object to be processed. An automatic setting device for a liquid treatment device, which is configured to adjust the setting of a pressure adjusting means capable of adjusting the pressure of the liquid.
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Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008135679A (en) * | 2006-10-25 | 2008-06-12 | Tokyo Electron Ltd | Liquid treatment apparatus and method, and storage medium |
| JP2010103131A (en) * | 2008-10-21 | 2010-05-06 | Tokyo Electron Ltd | Apparatus and method for treating liquid |
| WO2010055552A1 (en) * | 2008-11-11 | 2010-05-20 | 東京エレクトロン株式会社 | Suck bag height test method, suck bag height test device and computer readable recording medium |
| JP2011233907A (en) * | 2011-06-21 | 2011-11-17 | Tokyo Electron Ltd | Liquid processing apparatus |
| US20150013722A1 (en) * | 2013-07-09 | 2015-01-15 | Tokyo Electron Limited | Substrate processing system, method for controlling substrate processing system, and storage medium |
| WO2016047182A1 (en) * | 2014-09-22 | 2016-03-31 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | Coating device |
| JP2016072337A (en) * | 2014-09-29 | 2016-05-09 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
-
2001
- 2001-11-06 JP JP2001340424A patent/JP4024036B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (20)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7752999B2 (en) | 2006-10-25 | 2010-07-13 | Tokyo Electron Limited | Wet processing system, wet processing method and storage medium |
| US8236378B2 (en) | 2006-10-25 | 2012-08-07 | Tokyo Electron Limited | Wet processing system, wet processing method and storage medium |
| JP2008135679A (en) * | 2006-10-25 | 2008-06-12 | Tokyo Electron Ltd | Liquid treatment apparatus and method, and storage medium |
| KR101608509B1 (en) * | 2008-10-21 | 2016-04-01 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | Liquid processing apparatus and liquid processing method |
| JP2010103131A (en) * | 2008-10-21 | 2010-05-06 | Tokyo Electron Ltd | Apparatus and method for treating liquid |
| US8316795B2 (en) | 2008-10-21 | 2012-11-27 | Tokyo Electron Limited | Liquid processing apparatus and liquid processing method |
| US8846145B2 (en) | 2008-10-21 | 2014-09-30 | Tokyo Electron Limited | Liquid processing method |
| WO2010055552A1 (en) * | 2008-11-11 | 2010-05-20 | 東京エレクトロン株式会社 | Suck bag height test method, suck bag height test device and computer readable recording medium |
| JP2011233907A (en) * | 2011-06-21 | 2011-11-17 | Tokyo Electron Ltd | Liquid processing apparatus |
| US9782807B2 (en) | 2013-07-09 | 2017-10-10 | Tokyo Electron Limited | Substrate processing system, method for controlling substrate processing system, and storage medium |
| KR20150006781A (en) | 2013-07-09 | 2015-01-19 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | Substrate processing system, method for controlling substrate processing system, and storage medium |
| US20150013722A1 (en) * | 2013-07-09 | 2015-01-15 | Tokyo Electron Limited | Substrate processing system, method for controlling substrate processing system, and storage medium |
| KR102227409B1 (en) | 2013-07-09 | 2021-03-11 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | Substrate processing system, method for controlling substrate processing system, and storage medium |
| WO2016047182A1 (en) * | 2014-09-22 | 2016-03-31 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | Coating device |
| JP2016063205A (en) * | 2014-09-22 | 2016-04-25 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | Coating applicator |
| KR20170018927A (en) * | 2014-09-22 | 2017-02-20 | 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 | Coating device |
| TWI649783B (en) * | 2014-09-22 | 2019-02-01 | 日商斯克林集團公司 | Coating device |
| KR101972675B1 (en) * | 2014-09-22 | 2019-04-25 | 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 | Coating device |
| US10600647B2 (en) | 2014-09-22 | 2020-03-24 | SCREEN Holdings Co., Ltd. | Coating apparatus |
| JP2016072337A (en) * | 2014-09-29 | 2016-05-09 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
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