JP2003133500A - Lead frame and method for sealing with resin by using the same - Google Patents

Lead frame and method for sealing with resin by using the same

Info

Publication number
JP2003133500A
JP2003133500A JP2001325926A JP2001325926A JP2003133500A JP 2003133500 A JP2003133500 A JP 2003133500A JP 2001325926 A JP2001325926 A JP 2001325926A JP 2001325926 A JP2001325926 A JP 2001325926A JP 2003133500 A JP2003133500 A JP 2003133500A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
lead frame
resin
air vent
frame
lead
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2001325926A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Masahiro Morimura
政弘 森村
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Apic Yamada Corp
Original Assignee
Apic Yamada Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Apic Yamada Corp filed Critical Apic Yamada Corp
Priority to JP2001325926A priority Critical patent/JP2003133500A/en
Publication of JP2003133500A publication Critical patent/JP2003133500A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a lead frame capable of raising the formation quality of a semiconductor package to be sealed with a resin by using an adhesive film. SOLUTION: On a frame plane of a lead frame 1 to which an adhesive film 3 is adhered, an air bent groove 7 interconnectable with a die cavity 9 is formed.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する利用分野】本発明は、一方側の面に半導
体チップがマトリクス状に搭載され、他方側の面に粘着
フィルムが粘着されて前記一方側の面が一括して樹脂封
止される半導体パッケージに用いられるリードフレーム
及び該リードフレームを用いた樹脂封止方法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention is to mount semiconductor chips in a matrix on one surface and to attach an adhesive film to the other surface to collectively seal the one surface with resin. The present invention relates to a lead frame used for a semiconductor package and a resin sealing method using the lead frame.

【0002】[0002]

【従来の技術】半導体パッケージの一例として、CSP
(Chip・Size・Package)を製造する場
合について説明する。リードフレーム上やガラスエポキ
シ基板などの回路基板上に複数の半導体チップがマトリ
クス状に搭載され、該半導体チップ搭載面側を一括して
樹脂封止されてパッケージ部が形成される。このパッケ
ージ部が形成された回路基板をダイシングにより個片に
して半導体パッケージが形成される。
2. Description of the Related Art A CSP is an example of a semiconductor package.
A case of manufacturing (Chip / Size / Package) will be described. A plurality of semiconductor chips are mounted in a matrix on a lead frame or a circuit board such as a glass epoxy substrate, and the semiconductor chip mounting surface side is collectively resin-sealed to form a package portion. The circuit board on which the package portion is formed is diced into individual pieces to form a semiconductor package.

【0003】ダイパッドがマトリクス状に配置され、片
面モールドされて形成されるQFPタイプのリードフレ
ームを用いた場合について、図4(a)(b)を参照し
て説明する。半導体チップ(図示せず)がリードフレー
ム51の一方面側にダイボンディングされた後、リード
フレーム51の他方面側に粘着フィルム52が粘着され
る。粘着フィルム52は、接続端子としてのリード部5
3をパッケージ部54から露出させて樹脂封止するため
に粘着させている。このリードフレーム51をモールド
金型55に搬入して、金型ゲート56より封止樹脂57
を金型キャビティ58へ圧入して一方面側に搭載された
半導体チップが一括して樹脂封止される。尚、粘着フィ
ルム52の替わりに、リリースフィルムをリードフレー
ム51の他方面側に相当する金型面(下型面)に密着さ
せて張設するようにしても良い。
A case of using a QFP type lead frame in which die pads are arranged in a matrix and molded on one side will be described with reference to FIGS. 4 (a) and 4 (b). After the semiconductor chip (not shown) is die-bonded to the one surface side of the lead frame 51, the adhesive film 52 is adhered to the other surface side of the lead frame 51. The adhesive film 52 is used as the lead portion 5 as a connection terminal.
3 is exposed from the package portion 54 and adhered for resin sealing. The lead frame 51 is carried into the molding die 55, and the sealing resin 57 is fed from the die gate 56.
Is pressed into the mold cavity 58, and the semiconductor chips mounted on the one surface side are collectively resin-sealed. Instead of the adhesive film 52, a release film may be tightly attached to the die surface (lower die surface) corresponding to the other surface side of the lead frame 51 and stretched.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】図4(a)に示すよう
に、リードフレーム51の樹脂封止工程においては、金
型ゲート56より金型キャビティ58へ封止樹脂57を
圧入しながら、金型キャビティ58に連通して形成され
たエアーベント溝59よりエアーを金型外へ排出しなが
ら、樹脂封止が行われる。
As shown in FIG. 4 (a), in the step of resin-sealing the lead frame 51, the metal mold gate 56 is used to press-mold the resin seal 57 into the mold cavity 58. Resin is sealed while air is discharged from the mold through an air vent groove 59 formed in communication with the mold cavity 58.

【0005】しかしながら、図4(b)に示すように、
金型キャビティ58内に封止樹脂57が充填されて、エ
アーベント溝59に封止樹脂57が進入し始めると、金
型キャビティ58内に残留したエアーを排出することが
できなくなるという不具合が生じている。特に、封止樹
脂57が比較的流れ込み難い、リードフレームの板厚分
に相当するリード部53の狭い隙間には封止樹脂57が
回り込み難い。よって、樹脂封止後、粘着フィルム52
を剥がすと、パッケージ部54より露出したリード部5
3間に空隙(ボイド)60が生じ易いという課題があっ
た。また、リード部53間にエアーが残留すると、粘着
フィルム52の粘着力が弱まって、封止樹脂57がリー
ド部53と粘着フィルム52の隙間に進入し易くなり、
端子面に樹脂バリが生ずるという不具合も生ずる。
However, as shown in FIG. 4 (b),
When the sealing resin 57 is filled in the mold cavity 58 and the sealing resin 57 starts to enter the air vent groove 59, the air remaining in the mold cavity 58 cannot be discharged. ing. In particular, the sealing resin 57 is relatively hard to flow in, and the sealing resin 57 is less likely to flow into the narrow gap of the lead portion 53 corresponding to the plate thickness of the lead frame. Therefore, after resin sealing, the adhesive film 52
The lead portion 5 exposed from the package portion 54 when peeled off
There was a problem that voids (voids) 60 were likely to occur between the three. Further, when air remains between the lead portions 53, the adhesive force of the adhesive film 52 weakens, and the sealing resin 57 easily enters the gap between the lead portion 53 and the adhesive film 52,
There is also a problem that resin burr occurs on the terminal surface.

【0006】本発明の目的は、上記従来技術の課題を解
決し、粘着フィルムを用いて樹脂封止される半導体パッ
ケージの成形品質を向上できるリードフレーム及び樹脂
封止方法を提供することにある。
It is an object of the present invention to provide a lead frame and a resin encapsulation method which can solve the above problems of the prior art and improve the molding quality of a semiconductor package resin-encapsulated using an adhesive film.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明は次の構成を備える。即ち、一方側の面に半
導体チップが搭載され、他方側の面に粘着フィルムが粘
着されて前記一方側の面が樹脂封止されるリードフレー
ムにおいて、粘着フィルムが粘着されるリードフレーム
のフレーム面に、金型キャビティに連通可能なエアーベ
ント溝が形成されていることを特徴とする。また、マト
リクス状に配置された各半導体チップ搭載部の周囲で延
設されたリード部の隙間からセクションバーや周囲のフ
レーム部を通じて外部に連通可能なエアーベント溝が形
成されていることを特徴とする。また、エアーベント溝
は、マトリクス状に配置された各チップに対応する区画
エリア間を縦方向又は横方向に連通して形成されている
ことを特徴とする。或いは、エアーベント溝は、マトリ
クス状に配置された各チップに対応する区画エリア間の
各コーナー部どうしを連通しセクションバーやフレーム
部に沿って形成されていることを特徴とする。
In order to solve the above problems, the present invention has the following constitution. That is, in the lead frame in which the semiconductor chip is mounted on one surface, the adhesive film is adhered to the other surface, and the one surface is resin-sealed, the frame surface of the lead frame to which the adhesive film is adhered In addition, an air vent groove that can communicate with the mold cavity is formed. In addition, an air vent groove is formed which can communicate with the outside through a section bar or a surrounding frame portion from a gap between the lead portions extending around each semiconductor chip mounting portion arranged in a matrix. To do. Further, the air vent groove is characterized in that the partitioned areas corresponding to the chips arranged in a matrix are formed to communicate with each other in the vertical direction or the horizontal direction. Alternatively, the air vent groove is characterized in that it is formed along the section bar or the frame portion so that the corner portions between the partitioned areas corresponding to the chips arranged in a matrix are communicated with each other.

【0008】また、一方側の面に半導体チップが搭載さ
れ、他方側の面に粘着フィルムが粘着されて一方側の面
が樹脂封止されるリードフレームを用いた樹脂封止方法
において、金型キャビティへ金型ゲートから封止樹脂を
圧入しつつ、粘着フィルムが粘着されたリードフレーム
のフレーム面に形成された金型キャビティに連通可能な
エアーベント溝よりエアーを外部に排出しながら樹脂封
止を行うことを特徴とする。また、リードフレームのマ
トリクス状に配置された各半導体チップ搭載部の周囲で
延設されたリード部の隙間からセクションバーや周囲の
フレーム部を通じて外部に連通可能なエアーベント溝よ
りエアーを外部に排出しながら樹脂封止を行うことを特
徴とする。
Further, in a resin sealing method using a lead frame in which a semiconductor chip is mounted on one surface, an adhesive film is adhered on the other surface, and one surface is resin-sealed, a mold is used. While sealing resin is being pressed into the cavity from the mold gate, the resin is sealed while discharging air from the air vent groove that can communicate with the mold cavity formed on the frame surface of the lead frame to which the adhesive film is adhered. It is characterized by performing. In addition, air is exhausted to the outside from the air vent groove that can communicate with the outside through the section bar and the surrounding frame part from the gap of the lead part that extends around each semiconductor chip mounting part arranged in a matrix of the lead frame. However, it is characterized in that resin sealing is performed.

【0009】[0009]

【発明の実施の形態】以下、本発明に係るリードフレー
ム及び樹脂封止方法の好適な実施の形態について添付図
面と共に詳述する。本実施の形態では、片面モールドさ
れて形成されるSOP(Small・Outline・
Package)タイプ及びQFP(Quad・Fla
t・Package)タイプの半導体パッケージに用い
られるリードフレーム及び該リードフレームを用いた樹
脂封止方法について説明する。図1(a)(b)(c)
は樹脂封止された半導体パッケージ、その矢印A−A断
面図及び半導体チップに対応する区画エリアが1列配置
されたリードフレームの部分説明図、図2(a)(b)
(c)(d)は、半導体チップに対応する区画エリアが
マトリクス状に配置されたリードフレームの平面図、正
面図、左側面図及び部分拡大平面図、図3(a)(b)
(c)は図2の他例に係るリードフレームの平面図、正
面図及び左側面図である。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Preferred embodiments of a lead frame and a resin sealing method according to the present invention will be described in detail below with reference to the accompanying drawings. In the present embodiment, SOP (Small / Outline /
Package) type and QFP (Quad / Fla)
A lead frame used for a t. package) type semiconductor package and a resin sealing method using the lead frame will be described. 1 (a) (b) (c)
2A and 2B are a resin-sealed semiconductor package, a cross-sectional view taken along the arrow AA of the semiconductor package, and a partial explanatory view of a lead frame in which one section area corresponding to a semiconductor chip is arranged
3C and 3D are a plan view, a front view, a left side view, and a partially enlarged plan view of a lead frame in which divided areas corresponding to semiconductor chips are arranged in a matrix.
2C is a plan view, a front view, and a left side view of a lead frame according to another example of FIG.

【0010】先ず、片面モールドにより形成されるSO
Pタイプの半導体パッケージの全体構成について、図1
(a)(b)(c)を参照して説明する。図1(c)に
おいて、1はリードフレームであり、樹脂封止される半
導体チップ1aに対応する区画エリア11が1列配置さ
れている。各区画エリア11内には、半導体チップ搭載
部であるダイパッド1bに半導体チップ1aがダイボン
ディングされている。ダイパッド1bの周囲にはリード
部2が2方向(リードフレーム1の長手方向)に延設さ
れており、該リード部2は半導体チップ1aとワイヤボ
ンディングにより電気的に接続されている。尚、Lは金
型キャビティ9の幅(樹脂封止エリア)を示す。
First, the SO formed by a single-sided mold.
Figure 1 shows the overall structure of a P-type semiconductor package.
This will be described with reference to (a), (b) and (c). In FIG. 1C, reference numeral 1 is a lead frame, and one section area 11 corresponding to the resin-sealed semiconductor chip 1a is arranged in one row. In each of the partitioned areas 11, the semiconductor chip 1a is die-bonded to the die pad 1b which is a semiconductor chip mounting portion. A lead portion 2 extends in two directions (longitudinal direction of the lead frame 1) around the die pad 1b, and the lead portion 2 is electrically connected to the semiconductor chip 1a by wire bonding. In addition, L represents the width of the mold cavity 9 (resin sealing area).

【0011】図1(a)において、リードフレーム1の
半導体チップ1aが搭載された一方側のフレーム面は一
括して樹脂封止されてパッケージ部4が形成されてい
る。リードフレーム1の他方側のフレーム面には粘着フ
ィルム3が粘着されており、該粘着フィルム3はリード
部2の実装面となる下面側に封止樹脂が進入しないよう
に覆っている。リードフレーム1は、一方の面に半導体
チップ1aがダイパッド1bに搭載されワイヤボンディ
ングされており、反対側の面に粘着フィルム3が粘着さ
れた状態でモールド金型10へ搬入され、モールド金型
でクランプされて樹脂封止される。樹脂封止後に粘着フ
ィルム3は剥離され、パッケージ部4が各区画エリア1
1の内側の切断ライン12よりダイシングされて個片に
分離される。
In FIG. 1A, the frame surface on one side of the lead frame 1 on which the semiconductor chip 1a is mounted is collectively resin-sealed to form a package portion 4. An adhesive film 3 is adhered to the other frame surface of the lead frame 1, and the adhesive film 3 covers the lower surface side, which is the mounting surface of the lead portion 2, so that the sealing resin does not enter. In the lead frame 1, the semiconductor chip 1a is mounted on the die pad 1b and wire-bonded on one surface, and the lead frame 1 is carried into the molding die 10 with the adhesive film 3 adhered on the opposite surface. It is clamped and sealed with resin. After the resin sealing, the adhesive film 3 is peeled off, and the package part 4 is divided into the divided areas 1
The cutting line 12 inside 1 is diced into individual pieces.

【0012】図1(a)(b)に示すように、粘着フィ
ルム3が粘着されるリードフレーム1の他方側のフレー
ム面には、金型キャビティ9に連通可能なエアーベント
溝7が形成されている。具体的には、図1(c)におい
て、リードフレーム1のフレーム部(サイドレール部)
6には、金型キャビティ9に連通する複数のエアーベン
ト溝7が形成されている。
As shown in FIGS. 1 (a) and 1 (b), an air vent groove 7 which can communicate with a mold cavity 9 is formed on the other frame surface of the lead frame 1 to which the adhesive film 3 is adhered. ing. Specifically, in FIG. 1C, the frame portion (side rail portion) of the lead frame 1
A plurality of air vent grooves 7 communicating with the mold cavity 9 are formed in the plate 6.

【0013】次に、QFPタイプの半導体パッケージに
用いられるリードフレームについて説明する。図2
(a)〜(d)において、リードフレーム1に搭載され
る半導体チップ1aに対応する区画エリア11がマトリ
クス状に4列配置されている。このリードフレーム1に
は、半導体チップ1aがダイボンディングされているダ
イパッド1bの周囲にリード部2が4方向に延設されて
いる。このリード部2は半導体チップ1aとワイヤボン
ディングにより電気的に接続されている。
Next, a lead frame used in a QFP type semiconductor package will be described. Figure 2
In (a) to (d), four partitioned areas 11 corresponding to the semiconductor chips 1a mounted on the lead frame 1 are arranged in a matrix. The lead frame 1 has lead portions 2 extending in four directions around a die pad 1b to which a semiconductor chip 1a is die-bonded. The lead portion 2 is electrically connected to the semiconductor chip 1a by wire bonding.

【0014】金型キャビティ9内に配置されるリード部
2間の隙間からセクションバー5や周囲のフレーム部6
(図2(a)参照)を通じて外部に連通したエアーベン
ト溝7が形成されている。このエアーベント溝7は、図
2(a)及び図2(d)に示すように、リードフレーム
1のマトリクス状に配置された半導体チップ1aに対応
する区画エリア11間を縦方向及び横方向に連通して形
成されている。エアーベント溝7は、エアーを効率的か
つ確実に排出するために、金型キャビティ9の四方向に
形成されていることが望ましく、リード部2間の板厚分
の隙間に連通して形成されているのが好ましい。
From the gap between the lead portions 2 arranged in the mold cavity 9 to the section bar 5 and the surrounding frame portion 6.
An air vent groove 7 that communicates with the outside through (see FIG. 2A) is formed. As shown in FIGS. 2A and 2D, the air vent groove 7 extends vertically and horizontally between the partitioned areas 11 corresponding to the semiconductor chips 1a arranged in a matrix of the lead frame 1. It is formed in communication. The air vent groove 7 is preferably formed in four directions of the mold cavity 9 in order to discharge the air efficiently and reliably, and is formed so as to communicate with a gap corresponding to the plate thickness between the lead portions 2. Is preferred.

【0015】次に、QFPタイプの半導体パッケージに
用いられるリードフレームの他例について、図3(a)
〜(c)を参照して説明する。リードフレーム1には半
導体チップ1aに対応する区画エリア11がマトリクス
配置されている。エアーベント溝7は、マトリクス状に
配置された半導体チップ1aに対応する区画エリア11
間の各コーナー部どうしを連通してセクションバー5に
沿って形成されていている。このエアーベント溝7の形
成パターンは一例であり、何れにせよ、金型ゲート部8
より離間した金型キャビティ9内へ封止樹脂を効率良く
充填しつつ、リード部2間のエアーを金型キャビティ9
の外部へ排出できるようにリードフレーム1に予めエア
ーベント溝7が形成されていれば良い。
Next, another example of the lead frame used for the QFP type semiconductor package is shown in FIG.
This will be described with reference to (c). In the lead frame 1, partitioned areas 11 corresponding to the semiconductor chips 1a are arranged in a matrix. The air vent groove 7 has a partition area 11 corresponding to the semiconductor chips 1a arranged in a matrix.
It is formed along the section bar 5 so as to communicate the respective corner portions between them. The formation pattern of the air vent groove 7 is an example, and in any case, the mold gate portion 8 is formed.
While efficiently filling the sealing resin into the mold cavity 9 that is more distant from the mold cavity 9,
The air vent groove 7 may be previously formed in the lead frame 1 so that the air can be discharged to the outside.

【0016】また、エアーベント溝7は、エッチングや
研磨などにより任意の箇所に任意の形状で設けることが
できる。エアーベント溝7の深さは例えば0.005m
m〜0.03mm程度で、幅は粘着フィルム3の厚さ方
向の逃げが溝内へ進入し難いように狭く形成することが
望ましい。
Further, the air vent groove 7 can be provided in any shape in any shape by etching or polishing. The depth of the air vent groove 7 is 0.005 m, for example.
It is desirable that the width is about m to 0.03 mm and the width is made narrow so that the escape in the thickness direction of the adhesive film 3 does not easily enter the groove.

【0017】上記構成によれば、粘着フィルム3が粘着
されるリードフレーム1のフレーム面に、金型キャビテ
ィ9に連通可能なエアーベント溝7が形成されているの
で、リードフレーム1の板厚分に相当するエアーを金型
キャビティ9より排出しながら樹脂封止が行える。よっ
て、パッケージ部4より露出したリード部2どうしの間
にボイドが生ずることがなく成形品質を向上させること
ができる。また、リード部2間のエアーが確実に排出で
きることから、リード部2と粘着フィルム3との粘着力
を維持して樹脂封止できるので、リード部2の露出面に
封止樹脂が進入するのを防止できる。
According to the above construction, since the air vent groove 7 which can communicate with the mold cavity 9 is formed on the frame surface of the lead frame 1 to which the adhesive film 3 is adhered, the thickness of the lead frame 1 is reduced. Resin sealing can be performed while discharging the air corresponding to the above from the mold cavity 9. Therefore, voids do not occur between the lead portions 2 exposed from the package portion 4, and the molding quality can be improved. Further, since the air between the lead portions 2 can be surely discharged, the adhesive force between the lead portions 2 and the adhesive film 3 can be maintained and resin sealing can be performed, so that the sealing resin enters the exposed surface of the lead portions 2. Can be prevented.

【0018】以上、本発明の好適な実施例について種々
述べてきたが、本発明は上述の実施例に限定されるので
はなく、例えば、エアーベント溝7は金型キャビティ9
に対して直線的に設ける場合に限らず、エッチングなど
によりフレーム面に任意の経路で形成することが可能で
ある等、発明の精神を逸脱しない範囲で多くの改変を施
し得るのはもちろんである。
Although various preferred embodiments of the present invention have been described above, the present invention is not limited to the above-described embodiments. For example, the air vent groove 7 may be the mold cavity 9
It is needless to say that many modifications can be made without departing from the spirit of the invention, such as not only the case of being linearly provided but also the fact that the frame surface can be formed by an arbitrary path by etching or the like. .

【0019】[0019]

【発明の効果】本発明に係るリードフレーム及び該リー
ドフレームを用いた樹脂封止方法によれば、粘着フィル
ムが粘着されるリードフレームのフレーム面に、金型キ
ャビティに連通可能なエアーベント溝が形成されている
ので、リード部のリードフレームの板厚分に相当するエ
アーを金型キャビティより確実に排出しながら樹脂封止
が行える。よって、パッケージ部から露出したリード部
間にボイドが生ずることがなく成形品質を向上させるこ
とができる。また、リード部間のエアーが確実に排出で
きることから、リード部と粘着フィルムとの粘着力を維
持して樹脂封止できるので、リード部の露出面に封止樹
脂が進入するのを防止できる。
According to the lead frame and the resin sealing method using the lead frame according to the present invention, an air vent groove capable of communicating with the mold cavity is formed on the frame surface of the lead frame to which the adhesive film is adhered. Since it is formed, the resin sealing can be performed while surely discharging the air corresponding to the plate thickness of the lead frame of the lead portion from the mold cavity. Therefore, voids are not generated between the lead portions exposed from the package portion, and the molding quality can be improved. Further, since the air between the lead portions can be reliably discharged, the adhesive force between the lead portions and the adhesive film can be maintained and the resin can be sealed, so that the sealing resin can be prevented from entering the exposed surface of the lead portion.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】樹脂封止された半導体パッケージ、その矢印A
−A断面図及び半導体チップに対応する区画エリアが1
列配置されたリードフレームの部分説明図である。
FIG. 1 is a resin-sealed semiconductor package and its arrow A.
-The sectional area corresponding to the A sectional view and the semiconductor chip is 1
It is a partial explanatory view of the lead frames arranged in rows.

【図2】半導体チップに対応する区画エリアがマトリク
ス状に配置されたリードフレームの平面図、正面図、左
側面図及び部分拡大平面図である。
FIG. 2 is a plan view, a front view, a left side view and a partially enlarged plan view of a lead frame in which divided areas corresponding to semiconductor chips are arranged in a matrix.

【図3】図2の他例に係るリードフレームの平面図、正
面図及び左側面図である。
3A and 3B are a plan view, a front view, and a left side view of a lead frame according to another example of FIG.

【図4】従来のリードフレームを用いた樹脂封止工程を
示す説明図である。
FIG. 4 is an explanatory view showing a resin sealing process using a conventional lead frame.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 リードフレーム 1a 半導体チップ 1b ダイパッド 2 リード部 3 粘着フィルム 4 パッケージ部 5 セクションバー 6 フレーム部 7 エアーベント溝 8 金型ゲート部 9 金型キャビティ 10 モールド金型 11 区画エリア 12 切断ライン 1 lead frame 1a Semiconductor chip 1b die pad 2 lead part 3 Adhesive film 4 package 5 section bar 6 frame part 7 Air vent groove 8 Mold gate part 9 Mold cavity 10 Mold dies 11 division area 12 cutting lines

フロントページの続き Fターム(参考) 4F202 AD08 AD18 AD35 AH37 CA11 CB12 CB17 CP01 CP04 CP06 4F206 AD08 AD18 AD35 AH37 JA07 JB12 JB17 JL02 JM04 JN26 JQ03 JQ81 5F061 AA01 BA01 CA21 DA08 DD12 5F067 AA01 AB03 AB04 AB07 BA02 CC08 DE03 Continued front page    F term (reference) 4F202 AD08 AD18 AD35 AH37 CA11                       CB12 CB17 CP01 CP04 CP06                 4F206 AD08 AD18 AD35 AH37 JA07                       JB12 JB17 JL02 JM04 JN26                       JQ03 JQ81                 5F061 AA01 BA01 CA21 DA08 DD12                 5F067 AA01 AB03 AB04 AB07 BA02                       CC08 DE03

Claims (6)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 一方側の面に半導体チップが搭載され、
他方側の面に粘着フィルムが粘着されて前記一方側の面
が樹脂封止されるリードフレームにおいて、 前記粘着フィルムが粘着されるリードフレームのフレー
ム面に、金型キャビティに連通可能なエアーベント溝が
形成されていることを特徴とするリードフレーム。
1. A semiconductor chip is mounted on one surface,
In a lead frame in which an adhesive film is adhered to the other surface and the one surface is resin-sealed, an air vent groove that can communicate with a mold cavity is formed on the frame surface of the lead frame to which the adhesive film is adhered. A lead frame characterized by being formed.
【請求項2】 マトリクス状に配置された各半導体チッ
プ搭載部の周囲で延設されたリード部の隙間からセクシ
ョンバーや周囲のフレーム部を通じて外部に連通可能な
エアーベント溝が形成されていることを特徴とする請求
項1記載のリードフレーム。
2. An air vent groove is formed which can communicate with the outside through a gap between the lead portions extending around the semiconductor chip mounting portions arranged in a matrix and through the section bar and the surrounding frame portion. The lead frame according to claim 1, wherein:
【請求項3】 前記エアーベント溝は、マトリクス状に
配置された各半導体チップに対応する区画エリア間を縦
方向又は横方向に連通して形成されていることを特徴と
する請求項2記載のリードフレーム。
3. The air vent groove is formed by vertically or horizontally communicating between partitioned areas corresponding to respective semiconductor chips arranged in a matrix. Lead frame.
【請求項4】 前記エアーベント溝は、マトリクス状に
配置された各半導体チップに対応する区画エリア間の各
コーナー部どうしを連通しセクションバーやフレーム部
に沿って形成されていることを特徴とする請求項2記載
のリードフレーム。
4. The air vent groove is formed along a section bar or a frame part, which connects the corner parts between the partitioned areas corresponding to the semiconductor chips arranged in a matrix. The lead frame according to claim 2.
【請求項5】 一方側の面に半導体チップが搭載され、
他方側の面に粘着フィルムが粘着されて前記一方側の面
が樹脂封止されるリードフレームを用いた樹脂封止方法
において、 金型キャビティへ金型ゲートから封止樹脂を圧入しつ
つ、前記粘着フィルムが粘着されたリードフレームのフ
レーム面に形成された金型キャビティに連通可能なエア
ーベント溝よりエアーを外部に排出しながら樹脂封止を
行うことを特徴とする樹脂封止方法。
5. A semiconductor chip is mounted on one surface,
In a resin sealing method using a lead frame in which an adhesive film is adhered to the other side surface and the one side surface is resin-sealed, while press-fitting a sealing resin from a mold gate into a mold cavity, A resin encapsulation method, wherein resin encapsulation is performed while air is discharged to the outside from an air vent groove that can communicate with a mold cavity formed on a frame surface of a lead frame to which an adhesive film is adhered.
【請求項6】 リードフレームのマトリクス状に配置さ
れた各半導体チップ搭載部の周囲で延設されたリード部
の隙間からセクションバーや周囲のフレーム部を通じて
外部に連通可能なエアーベント溝よりエアーを外部に排
出しながら樹脂封止を行うことを特徴とする請求項5記
載の樹脂封止方法。
6. Air is supplied from an air vent groove that can communicate with the outside through a section bar or a surrounding frame portion from a gap between the lead portions extending around each semiconductor chip mounting portion arranged in a matrix of the lead frame. The resin sealing method according to claim 5, wherein the resin sealing is performed while being discharged to the outside.
JP2001325926A 2001-10-24 2001-10-24 Lead frame and method for sealing with resin by using the same Pending JP2003133500A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001325926A JP2003133500A (en) 2001-10-24 2001-10-24 Lead frame and method for sealing with resin by using the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001325926A JP2003133500A (en) 2001-10-24 2001-10-24 Lead frame and method for sealing with resin by using the same

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2003133500A true JP2003133500A (en) 2003-05-09

Family

ID=19142393

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2001325926A Pending JP2003133500A (en) 2001-10-24 2001-10-24 Lead frame and method for sealing with resin by using the same

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2003133500A (en)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009289934A (en) * 2008-05-29 2009-12-10 Apic Yamada Corp Semiconductor mounting substrate, and method of manufacturing the same
US8252408B2 (en) 2008-06-12 2012-08-28 Renesas Electronics Corporation Electronic device and method of manufacturing the electronic device
JP2015201607A (en) * 2014-04-10 2015-11-12 大日本印刷株式会社 Lead frame, lead frame with resin and manufacturing method of lead frame with resin, and led package and manufacturing method of led package
JP2016139728A (en) * 2015-01-28 2016-08-04 三菱電機株式会社 Method for manufacturing resin-sealed package
JP2017024393A (en) * 2015-07-22 2017-02-02 三光合成株式会社 Gas discharging structure and injection mold

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009289934A (en) * 2008-05-29 2009-12-10 Apic Yamada Corp Semiconductor mounting substrate, and method of manufacturing the same
US8252408B2 (en) 2008-06-12 2012-08-28 Renesas Electronics Corporation Electronic device and method of manufacturing the electronic device
JP2015201607A (en) * 2014-04-10 2015-11-12 大日本印刷株式会社 Lead frame, lead frame with resin and manufacturing method of lead frame with resin, and led package and manufacturing method of led package
JP2016139728A (en) * 2015-01-28 2016-08-04 三菱電機株式会社 Method for manufacturing resin-sealed package
JP2017024393A (en) * 2015-07-22 2017-02-02 三光合成株式会社 Gas discharging structure and injection mold

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6770163B1 (en) Mold and method for encapsulation of electronic device
KR100526844B1 (en) semiconductor package and its manufacturing method
US7102209B1 (en) Substrate for use in semiconductor manufacturing and method of making same
US7439097B2 (en) Taped lead frames and methods of making and using the same in semiconductor packaging
JP3436254B2 (en) Lead frame and manufacturing method thereof
US20070085199A1 (en) Integrated circuit package system using etched leadframe
US20050218499A1 (en) Method for manufacturing leadless semiconductor packages
KR20050118665A (en) Semiconductor packaging with a partially prepatterned lead frame and method of manufacturing the same
JP2002064114A (en) Semiconductor device and its manufacturing method
JP2002083918A (en) Lead frame and semiconductor device
JP2003209216A (en) Lead frame, resin sealed die and method for manufacturing semiconductor device using them
US6882048B2 (en) Lead frame and semiconductor package having a groove formed in the respective terminals for limiting a plating area
JP2001077287A (en) Lead frame for semiconductor device
JP2007281207A (en) Method for manufacturing semiconductor device
JP2003133500A (en) Lead frame and method for sealing with resin by using the same
US20080057622A1 (en) Map type semiconductor package
US20010045630A1 (en) Frame for semiconductor package
JP2014160855A (en) Resin encapsulated semiconductor device and manufacturing method of the same
US20020048851A1 (en) Process for making a semiconductor package
US20050073031A1 (en) Lead frame, semiconductor device, and method for manufacturing semiconductor device
JP4416067B2 (en) Manufacturing method of resin-encapsulated semiconductor device
US7732259B2 (en) Non-leaded semiconductor package and a method to assemble the same
JP4475785B2 (en) Manufacturing method of resin-encapsulated semiconductor device
JPH05144865A (en) Manufacturing method and device of semiconductor device
US20090252931A1 (en) Reinforced assembly carrier and method for manufacturing the same as well as method for manufacturing semiconductor packages

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20040915

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20050512

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20050607

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20060110