JP2003133288A - Apparatus for manufacturing semiconductor device and method for manufacturing the same - Google Patents
Apparatus for manufacturing semiconductor device and method for manufacturing the sameInfo
- Publication number
- JP2003133288A JP2003133288A JP2001325630A JP2001325630A JP2003133288A JP 2003133288 A JP2003133288 A JP 2003133288A JP 2001325630 A JP2001325630 A JP 2001325630A JP 2001325630 A JP2001325630 A JP 2001325630A JP 2003133288 A JP2003133288 A JP 2003133288A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor device
- inert gas
- work
- radical
- gas supply
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体デバイス製
造装置及び半導体デバイス製造方法に関する。本発明
は、特に、中性ラジカルビームを噴出するラジカルガン
を使用して半導体デバイスを加工する半導体デバイス製
造装置及び半導体デバイス製造方法に関する。TECHNICAL FIELD The present invention relates to a semiconductor device manufacturing apparatus and a semiconductor device manufacturing method. The present invention particularly relates to a semiconductor device manufacturing apparatus and a semiconductor device manufacturing method for processing a semiconductor device by using a radical gun that ejects a neutral radical beam.
【０００２】[0002]
【従来の技術】半導体デバイスの加工に中性ラジカルビ
ームを使用する技術は、被加工物のダメージを低減する
上で有効である。中性ラジカルビームが被加工物に噴射
されると、中性ラジカルと被加工物を構成する材料とが
化学的に反応して、揮発性の反応生成物が生成される。
生成された反応性生物は揮発して被加工物から離脱し、
被加工物は加工される。中性ラジカルビームによる半導
体デバイスの加工は化学的に行われるため、被加工物た
る半導体デバイスへの熱的なダメージは、最小限に抑え
られる。中性ラジカルビームを半導体デバイスの加工に
使用する技術は、例えば、公開特許公報（特開平５−２
３４９４２、特開平８−３２３６９９）に開示されてい
る。2. Description of the Related Art A technique of using a neutral radical beam for processing a semiconductor device is effective in reducing damage to a work piece. When the neutral radical beam is jetted to the workpiece, the neutral radicals chemically react with the material forming the workpiece to generate a volatile reaction product.
The generated reactive organisms volatilize and leave the workpiece,
The work piece is processed. Since the processing of the semiconductor device by the neutral radical beam is performed chemically, the thermal damage to the semiconductor device as the workpiece can be minimized. A technique of using a neutral radical beam for processing a semiconductor device is disclosed in, for example, Japanese Patent Laid-Open Publication No. Hei 5-2.
34942, JP-A-8-323699).
【０００３】しかし、中性ラジカルビームによる半導体
デバイスの加工は、加工速度が遅く、大量生産には不向
きである。従って、例えば、太陽電池セルの分離には、
熱的なダメージが加えられる問題があるものの、ＹＡＧ
レーザによる熱溶融加工が使用されることが多い。However, the processing of a semiconductor device by a neutral radical beam has a slow processing speed and is not suitable for mass production. Therefore, for example, to separate solar cells,
Although there is a problem that thermal damage is added, YAG
Laser fusion processing is often used.
【０００４】また、中性ラジカルビームは拡散によりビ
ーム径が広がり、非加工物に照射・衝突したときに散乱
してしまうため、例えば、太陽電池セルにおける分離溝
のような微細な溝を加工することが困難であり、その結
果、太陽電池セルの無効領域（電池として機能しない領
域）を拡大するため、電離効率を劣化させる要因となっ
ていた。Further, since the beam diameter of the neutral radical beam spreads by diffusion and scatters when it is irradiated or collides with an unprocessed object, for example, a fine groove such as a separation groove in a solar battery cell is processed. As a result, the ineffective region of the solar battery cell (region that does not function as a battery) is expanded, which has been a factor that deteriorates the ionization efficiency.
【０００５】[0005]
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、中性
ラジカルビームを用いた加工法によって、ワークに加え
られる熱的なダメージを小さくしながら、実質的に大き
な加工速度が実現できる半導体デバイス製造装置を提供
することにある。更には、中性ラジカルビームの広がり
を抑制することで、より微細な加工を実現するための半
導体デバイス製造装置を提供することにある。SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a semiconductor device capable of realizing a substantially high processing speed while reducing thermal damage applied to a work by a processing method using a neutral radical beam. To provide a manufacturing apparatus. Further, it is to provide a semiconductor device manufacturing apparatus for realizing finer processing by suppressing the spread of the neutral radical beam.
【０００６】本発明の他の目的は、半導体デバイスを微
細に加工可能な半導体デバイス製造装置を提供すること
にある。Another object of the present invention is to provide a semiconductor device manufacturing apparatus capable of finely processing a semiconductor device.
【０００７】[0007]
【課題を解決するための手段】以下に、[発明の実施の
形態]で使用される番号・符号を用いて、課題を解決す
るための手段を説明する。これらの番号・符号は、[特
許請求の範囲]の記載と[発明の実施の形態]の記載との
対応関係を明らかにするために付加されている。但し、
付加された番号・符号は、[特許請求の範囲]に記載され
ている発明の技術的範囲の解釈に用いてはならない。[Means for Solving the Problems] Means for solving the problems will be described below by using the numbers and symbols used in the embodiments of the present invention. These numbers / codes are added to clarify the correspondence between the description in [Claims] and the description in [Embodiment of the Invention]. However,
The added numbers / codes should not be used to interpret the technical scope of the invention described in [Claims].
【０００８】本発明による半導体デバイス製造装置は、
半導体デバイスが形成されるワーク（３）を保持するワ
ーク保持機構（２）と、ワーク（３）に中性ラジカルビ
ーム（４）を射出する、複数のラジカルガン（１）とを
備えている。中性ラジカルビーム（４）による半導体デ
バイスの加工は、半導体デバイスに熱的なダメージを与
えにくいが、加工速度は基本的には大きくない。しか
し、当該半導体デバイス製造装置は、ラジカルガン
（１）を複数備えていることにより、半導体デバイスの
加工速度を実質的に大きくすることができる。The semiconductor device manufacturing apparatus according to the present invention is
The work holding mechanism (2) holds a work (3) on which a semiconductor device is formed, and a plurality of radical guns (1) that emit a neutral radical beam (4) to the work (3). The processing of the semiconductor device by the neutral radical beam (4) hardly causes thermal damage to the semiconductor device, but the processing speed is basically not high. However, since the semiconductor device manufacturing apparatus includes a plurality of radical guns (1), the processing speed of the semiconductor device can be substantially increased.
【０００９】このとき、当該半導体デバイス製造装置
は、ラジカルガン（１）を同体に保持すると共に、ラジ
カルガン（１）に反応ガス及び不活性ガスを供給するた
めの不活性ガス供給タンク（５）、及び反応ガス供給タ
ンク（６）を更に備え、ワーク保持機構（２）と不活性
ガス供給タンク（５）、及び反応ガス供給タンク（６）
とは、ラジカルガン（１）とワーク（３）とを相対的に
移動することが好ましい。これにより、ワーク（３）に
複数本の溝を同時に形成することができる。ここで、
「ラジカルガン（１）とワーク（３）とを相対的に移動
する」とは、ラジカルガン（１）を静止してワーク
（３）を移動することのみならず、ワーク（３）を静止
してラジカルガン（１）を移動すること、及び、ラジカ
ルガン（１）とワーク（３）との両者を移動することを
含むと解釈されるべきである。At this time, the semiconductor device manufacturing apparatus holds the radical gun (1) in the same body, and the inert gas supply tank (5) for supplying the reaction gas and the inert gas to the radical gun (1). And a reaction gas supply tank (6), and further comprises a work holding mechanism (2), an inert gas supply tank (5), and a reaction gas supply tank (6).
It is preferable that the radical gun (1) and the work (3) are relatively moved. Thereby, a plurality of grooves can be simultaneously formed in the work (3). here,
"Relative movement of the radical gun (1) and the work (3) relative to each other" means not only to move the work (3) with the radical gun (1) stationary but also to stop the work (3). To move the radical gun (1) and to move both the radical gun (1) and the work (3).
【００１０】さらに、当該半導体デバイス製造装置に
は、ラジカルガン（１）とワーク（３）との間に位置
し、且つ、中性ラジカルビーム（４）が通過する開口
（８ａ）が設けられたマスク（８）を備えることが好ま
しい。開口（８ａ）は、中性ラジカルビーム（４）がワ
ーク（３）に到達する位置を制限し、これにより、ワー
ク（３）を微細に加工することを可能にする。Further, the semiconductor device manufacturing apparatus is provided with an opening (8a) located between the radical gun (1) and the work (3) and through which the neutral radical beam (4) passes. It is preferably provided with a mask (8). The opening (8a) limits the position where the neutral radical beam (4) reaches the work (3), and thereby enables the work (3) to be finely processed.
【００１１】開口（８ａ）には、ラジカルガン（１）の
側よりもワーク（３）の側の方が狭められたテーパが付
されていることが好ましい。開口（８ａ）にテーパが付
されていることにより、中性ラジカルビーム（４）は、
開口（８ａ）を滑らかに通過する。The opening (8a) is preferably tapered so that the side of the work (3) is narrower than the side of the radical gun (1). Since the opening (8a) is tapered, the neutral radical beam (4) is
It smoothly passes through the opening (8a).
【００１２】マスク（８）は、実質的に電導性がない材
料で形成されていることが好ましい。これにより、ラジ
カルガン（１）とマスク（８）との間、及びマスク
（８）とワーク（３）との間での不要な放電を防ぐこと
ができる。The mask (8) is preferably made of a material having substantially no electrical conductivity. This can prevent unnecessary discharge between the radical gun (1) and the mask (8) and between the mask (8) and the work (3).
【００１３】さらに、当該半導体デバイス製造装置で
は、不活性ガスを供給する不活性ガス供給機構（対応番
号なし）を備え、マスク（８）には、更に、不活性ガス
をワーク（３）に向けてそれぞれ射出する第１不活性ガ
ス供給開口（８ｂ）と第２不活性ガス供給開口（８ｂ）
とが設けられ、開口（８ａ）は、第１不活性ガス供給開
口（８ｂ）と第２不活性ガス供給開口（８ｂ）との間に
位置することが好ましい。中性ラジカルビーム（４）の
両側からワーク（３）に向けて射出された不活性ガス
は、中性ラジカルビーム（４）の拡散を防止し、ワーク
（３）を更に微細に加工することを可能にする。Further, the semiconductor device manufacturing apparatus is provided with an inert gas supply mechanism (no corresponding number) for supplying an inert gas, and the mask (8) further directs the inert gas toward the work (3). And a second inert gas supply opening (8b) for respectively injecting
And the opening (8a) is preferably located between the first inert gas supply opening (8b) and the second inert gas supply opening (8b). The inert gas injected from both sides of the neutral radical beam (4) toward the work (3) prevents the neutral radical beam (4) from diffusing and further reduces the size of the work (3). to enable.
【００１４】当該半導体デバイス製造装置は、ラジカル
ガン（１）を同体に保持すると共に、ラジカルガン
（１）に反応ガス及び不活性ガスを供給するための不活
性ガス供給タンク（５）、及び反応ガス供給タンク
（６）を更に備え、開口（８ａ）は、第１方向（７）に
延設されたスリット（８ａ）であり、ワーク保持機構
（２）と不活性ガス供給タンク（５）、及び反応ガス供
給タンク（６）とは、ラジカルガン（１）とワーク
（３）とを、第１方向（７）に相対的に移動することが
好ましい。これにより、ワーク（３）に溝を形成する速
度が増加する。The semiconductor device manufacturing apparatus holds the radical gun (1) in the same body, an inert gas supply tank (5) for supplying a reaction gas and an inert gas to the radical gun (1), and a reaction. A gas supply tank (6) is further provided, and the opening (8a) is a slit (8a) extending in the first direction (7), and the work holding mechanism (2) and the inert gas supply tank (5), The reaction gas supply tank (6) preferably moves the radical gun (1) and the work (3) relatively in the first direction (7). As a result, the speed of forming the groove on the work (3) is increased.
【００１５】本発明による半導体デバイスの製造方法
は、半導体デバイスが形成されるワーク（３）を提供す
ることと、ワーク（３）に、複数のラジカルガン（１）
によって複数の中性ラジカルビーム（４）を同時に射出
することとを備えている。A method of manufacturing a semiconductor device according to the present invention provides a work (3) on which a semiconductor device is formed, and a plurality of radical guns (1) are provided on the work (3).
To simultaneously emit a plurality of neutral radical beams (4).
【００１６】当該半導体デバイスの製造方法は、更に、
ラジカルガン（１）とワーク（３）との間に、中性ラジ
カルビーム（４）が通過する開口（８ａ）が設けられた
マスク（８）を配置することを備えていることが好まし
い。The semiconductor device manufacturing method further includes
It is preferable that a mask (8) provided with an opening (8a) through which the neutral radical beam (4) passes is provided between the radical gun (1) and the work (3).
【００１７】このとき、当該半導体デバイスの製造方法
では、更に、不活性ガスを供給することを備え、マスク
（８）には、第１不活性ガス供給開口（８ｂ）と第２不
活性ガス供給開口（８ｂ）とが設けられ、開口（８ａ）
は、第１不活性ガス供給開口（８ｂ）と第２不活性ガス
供給開口（８ｂ）との間に位置し、不活性ガスは、第１
不活性ガス供給開口（８ｂ）と第２不活性ガス供給開口
（８ｂ）とを通過して、ワーク（３）に向けて射出され
ることが好ましい。At this time, the method of manufacturing the semiconductor device further comprises supplying an inert gas, and the mask (8) is provided with a first inert gas supply opening (8b) and a second inert gas supply. The opening (8b) is provided, and the opening (8a)
Is located between the first inert gas supply opening (8b) and the second inert gas supply opening (8b), and the inert gas is
It is preferable that the gas passes through the inert gas supply opening (8b) and the second inert gas supply opening (8b) and is ejected toward the work (3).
【００１８】[0018]
【発明の実施の形態】以下、添付図面を参照しながら、
本発明による半導体デバイス製造装置の実施の形態を説
明する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION Referring to the accompanying drawings,
An embodiment of a semiconductor device manufacturing apparatus according to the present invention will be described.
【００１９】（実施の第１形態）本発明による半導体デ
バイス製造装置の実施の第１形態は、図１に示されてい
るように、太陽電池パネルを製造する工程において、半
導体、又は、導電体で形成された機能性薄膜を切断して
溝を形成する半導体デバイス製造装置１００である。(First Embodiment) As shown in FIG. 1, the first embodiment of the semiconductor device manufacturing apparatus according to the present invention is, in the step of manufacturing a solar cell panel, a semiconductor or a conductor. The semiconductor device manufacturing apparatus 100 cuts the functional thin film formed in (1) to form a groove.
【００２０】半導体デバイス製造装置１００には、複数
のラジカルガン１が、ワーク３を保持するワーク保持機
構２とともに設けられている。ラジカルガン１は、中性
ラジカルビーム４をワーク３の表面に噴出する。中性ラ
ジカルビーム４は、ワーク３に形成された機能性薄膜を
構成する材料と化学的に反応し、ワーク３の上に形成さ
れた薄膜のうちの中性ラジカルビーム４が照射された部
分は、ワーク３から揮発性の高い反応生成物となって除
去される。ワーク保持機構２は、ワーク３を方向７に向
かって移動する。中性ラジカルビーム４がワーク３に照
射された状態でワーク３が方向７に移動されると、ワー
ク３に形成された薄膜が切断され、方向７に延伸する溝
が形成される。The semiconductor device manufacturing apparatus 100 is provided with a plurality of radical guns 1 together with a work holding mechanism 2 for holding a work 3. The radical gun 1 ejects a neutral radical beam 4 onto the surface of the work 3. The neutral radical beam 4 chemically reacts with the material forming the functional thin film formed on the work 3, and the portion of the thin film formed on the work 3 irradiated with the neutral radical beam 4 is , And is removed from the work 3 as a highly volatile reaction product. The work holding mechanism 2 moves the work 3 in the direction 7. When the work 3 is moved in the direction 7 while the neutral radical beam 4 is applied to the work 3, the thin film formed on the work 3 is cut and a groove extending in the direction 7 is formed.
【００２１】ラジカルガン１は、不活性ガスバッファタ
ンク５と、反応性ガスバッファタンク６とに接続されて
いる。不活性ガスバッファタンク５は、ラジカルガン１
のそれぞれに、ヘリウムガス（Ｈｅ）、窒素ガス
（Ｎ２）のような不活性ガスを供給し、反応性ガスバッ
ファタンク６は、ラジカルガン１のそれぞれに、四塩化
炭素（ＣＦ４）、六フッ化硫黄（ＳＦ６）、塩素ガス
（Ｃｌ２）のような反応性ガスを供給する。反応性ガス
は、加工する機能性薄膜の構成原子の種類に応じて選択
される。後述されるように、ラジカルガン１に供給され
た不活性ガスと反応性ガスとは、ラジカルガン１の内部
で混合され、更に、不活性ガスと反応性ガスとが混合さ
れた雰囲気中でプラズマが発生されて、中性ラジカルビ
ーム４が生成される。不活性ガスバッファタンク５と反
応性ガスバッファタンク６とは、それぞれ不活性ガス、
及び反応性ガスをラジカルガン１のそれぞれに供給する
とともに、複数のラジカルガン１を同体に保持する機能
も有する。The radical gun 1 is connected to an inert gas buffer tank 5 and a reactive gas buffer tank 6. The inert gas buffer tank 5 is a radical gun 1
An inert gas such as helium gas (He) or nitrogen gas (N 2 ) is supplied to each of the radical guns 1, and the reactive gas buffer tank 6 supplies carbon tetrachloride (CF 4 ) A reactive gas such as sulfur fluoride (SF 6 ) or chlorine gas (Cl 2 ) is supplied. The reactive gas is selected according to the types of constituent atoms of the functional thin film to be processed. As will be described later, the inert gas and the reactive gas supplied to the radical gun 1 are mixed inside the radical gun 1, and further plasma is generated in an atmosphere in which the inert gas and the reactive gas are mixed. Are generated, and the neutral radical beam 4 is generated. The inert gas buffer tank 5 and the reactive gas buffer tank 6 are each an inert gas,
It also has a function of supplying the reactive gas to each of the radical guns 1 and holding a plurality of radical guns 1 in the same body.
【００２２】図２は、ラジカルガン１を示す。ラジカル
ガン１には、不活性ガス内部タンク１１が不活性ガス供
給ポート１２とともに設けられている。不活性ガス内部
タンク１１の内部には、円筒形の内部流路１１ａが形成
されている。不活性ガス供給ポート１２は不活性ガスバ
ッファタンク５に接続され、不活性ガスバッファタンク
５から供給される不活性ガスを内部流路１１ａに供給す
る。不活性ガス内部タンク１１は、気密を保つＯリング
１４を介して、絶縁管１３に接続されている。FIG. 2 shows a radical gun 1. The radical gun 1 is provided with an inert gas internal tank 11 together with an inert gas supply port 12. Inside the inert gas internal tank 11, a cylindrical internal flow path 11 a is formed. The inert gas supply port 12 is connected to the inert gas buffer tank 5 and supplies the inert gas supplied from the inert gas buffer tank 5 to the internal flow path 11a. The inert gas internal tank 11 is connected to the insulating pipe 13 via an O-ring 14 that maintains airtightness.
【００２３】絶縁管１３は、アルミナや窒化アルミニウ
ムのような絶縁性のセラミックスで形成されている。絶
縁管１３の内部には、円筒形の内部流路１３ａが内部流
路１１ａに同軸に接続するように形成されている。内部
流路１３ａには内部流路１１ａから不活性ガスが流れ込
む。絶縁管１３は、気密を保つＯリング１６を介して高
周波電力供給部１５に接続されている。The insulating tube 13 is made of an insulating ceramic such as alumina or aluminum nitride. Inside the insulating pipe 13, a cylindrical internal flow path 13a is formed so as to be coaxially connected to the internal flow path 11a. The inert gas flows into the internal flow path 13a from the internal flow path 11a. The insulating tube 13 is connected to the high frequency power supply unit 15 via an O-ring 16 that maintains airtightness.
【００２４】高周波電力供給部１５は、ステンレス鋼の
ような導電材料で形成されている。高周波電力供給部１
５は、マッチングボックス１７を介して高周波電源１８
に接続されている。高周波電力供給部１５には、反応ガ
ス供給路１５ａと反応性ガス供給ポート１５ｃとが設け
られている。反応ガス供給ポート１５ｃは、反応性ガス
バッファタンク６に接続され、反応性ガスバッファタン
ク６から供給される反応性ガスを反応ガス供給路１５ａ
に導入する。The high frequency power supply section 15 is made of a conductive material such as stainless steel. High frequency power supply unit 1
5 is a high frequency power supply 18 via a matching box 17.
It is connected to the. The high frequency power supply unit 15 is provided with a reactive gas supply path 15a and a reactive gas supply port 15c. The reactive gas supply port 15c is connected to the reactive gas buffer tank 6, and the reactive gas supplied from the reactive gas buffer tank 6 is supplied to the reactive gas supply passage 15a.
To introduce.
【００２５】高周波電力供給部１５は、円筒形の導体管
１９により貫通されている。導体管１９は、セットビス
のような固定部材（図示されない）によって動かないよ
うに高周波電力供給部１５に固定されている。このと
き、高周波電力供給部１５と導体管１９とは、高周波電
力供給部１５と導体管１９との間の電気的な導通を保ち
ながら固定されている。導体管１９の一端は、内部流路
１３ａに同軸に接続され、導体管１９で形成される不活
性ガス供給路１９ａには内部流路１３ａから不活性ガス
が流れ込む。The high frequency power supply section 15 is penetrated by a cylindrical conductor tube 19. The conductor tube 19 is fixed to the high frequency power supply unit 15 by a fixing member (not shown) such as a set screw so as not to move. At this time, the high frequency power supply unit 15 and the conductor tube 19 are fixed while maintaining electrical continuity between the high frequency power supply unit 15 and the conductor tube 19. One end of the conductor pipe 19 is coaxially connected to the internal flow passage 13a, and an inert gas flows into the inert gas supply passage 19a formed by the conductor pipe 19 from the internal flow passage 13a.
【００２６】高周波電力供給部１５は、ノズル２０に接
続されている。高周波電力供給部１５には絶縁管１３と
反対側に雌ねじ１５ｂが形成され、ノズル２０には雄ね
じ２０ｂが形成され、高周波電力供給部１５とノズル２
０とは、雌ねじ１５ｂと雄ねじ２０ｂとの螺合により結
合されている。高周波電力供給部１５とノズル２０とが
接続する部分には、気密を保つためにＯリング２１が設
けられている。The high frequency power supply unit 15 is connected to the nozzle 20. The high frequency power supply unit 15 is formed with a female screw 15b on the side opposite to the insulating tube 13, and the nozzle 20 is formed with a male screw 20b.
0 is coupled by screwing a female screw 15b and a male screw 20b. An O-ring 21 is provided at a portion where the high-frequency power supply unit 15 and the nozzle 20 are connected to each other so as to keep airtightness.
【００２７】ノズル２０は、アルミナや窒化アルミニウ
ムのような絶縁性のセラミックスで形成されている。ノ
ズル２０は中空構造を有し、中空部に導体管１９が挿入
されている。ノズル２０の内壁と導体管１９の側面との
間には、反応ガス供給路１３ａに接続する反応ガス供給
路２０ａが形成されている。反応ガス供給路２０ａには
反応ガス供給路１５ａから反応性ガスが流れ込む。The nozzle 20 is made of insulating ceramics such as alumina or aluminum nitride. The nozzle 20 has a hollow structure, and the conductor tube 19 is inserted in the hollow portion. A reaction gas supply passage 20a connected to the reaction gas supply passage 13a is formed between the inner wall of the nozzle 20 and the side surface of the conductor tube 19. The reactive gas flows into the reaction gas supply passage 20a from the reaction gas supply passage 15a.
【００２８】ノズル２０は、高周波電力供給部１５と反
対側の先端部が細くされた先細り形状を有している。ノ
ズル２０の先端部と導体管１９の開口１９ｂとの間に
は、プラズマ発生領域２３が形成されている。プラズマ
発生領域２３には、不活性ガス供給路１９ａから不活性
ガスが供給され、反応ガス供給路２０ａから反応性ガス
が供給される。反応ガス供給路２０ａとプラズマ発生領
域２３との間には、反応性ガスの流れを制御するスワー
ル２４が設けられている。スワール２４を通過した反応
性ガスは、導体管１９の端とノズル２０の先端部の内壁
との間に設けられた微小ギャップ２５を介してプラズマ
発生領域２３に流れ込む。微小ギャップ２５は、反応性
ガスの流れを絞り込み、反応性ガスの供給量を制限す
る。また、プラズマは、導体管１９と後述するアース電
極２６間のギャップが最も小さくなり、電場強度が最大
になるところで発生するため、通常、微小ギャップ２５
の近傍で発生する。微小ギャップ２５からプラズマ発生
領域２３に供給される反応性ガスは、プラズマ発生領域
２３において、不活性ガス供給路１９ａから供給される
不活性ガスと混合される。不活性ガスと反応性ガスとが
混合された状態で、プラズマ発生領域２３にプラズマが
発生されると、中性ラジカルが生成される。生成された
中性ラジカルは、ノズル２０の先端部に設けられたノズ
ル開口２２から、中性ラジカルビーム４として噴出され
る。The nozzle 20 has a tapered shape in which the tip portion on the side opposite to the high frequency power supply section 15 is narrowed. A plasma generation region 23 is formed between the tip of the nozzle 20 and the opening 19b of the conductor tube 19. The plasma generation region 23 is supplied with an inert gas from the inert gas supply passage 19a and a reactive gas from the reaction gas supply passage 20a. A swirl 24 that controls the flow of the reactive gas is provided between the reactive gas supply path 20a and the plasma generation region 23. The reactive gas that has passed through the swirl 24 flows into the plasma generation region 23 through the minute gap 25 provided between the end of the conductor tube 19 and the inner wall of the tip of the nozzle 20. The minute gap 25 narrows down the flow of the reactive gas and limits the supply amount of the reactive gas. Further, the plasma is generated where the gap between the conductor tube 19 and the earth electrode 26 described later is the smallest and the electric field strength is maximized.
Occurs in the vicinity of. The reactive gas supplied from the minute gap 25 to the plasma generation region 23 is mixed with the inert gas supplied from the inert gas supply passage 19 a in the plasma generation region 23. When plasma is generated in the plasma generation region 23 in a state where the inert gas and the reactive gas are mixed, neutral radicals are generated. The generated neutral radicals are ejected as the neutral radical beam 4 from the nozzle opening 22 provided at the tip of the nozzle 20.
【００２９】ノズル２０の先端部には、接地されたアー
ス電極２６が取りつけられている。アース電極２６は、
導体管１９に対向し、プラズマ発生領域２３にプラズマ
を発生するために使用される。また、アース電極２６に
は、冷却水が供給される冷媒通路２６ａが設けられ、プ
ラズマの発生によって加熱されたノズル２０の先端部を
冷却する。A ground electrode 26, which is grounded, is attached to the tip of the nozzle 20. The ground electrode 26 is
It is used to generate plasma in the plasma generation region 23, which faces the conductor tube 19. Further, the ground electrode 26 is provided with a coolant passage 26a to which cooling water is supplied, and cools the tip end portion of the nozzle 20 heated by the generation of plasma.
【００３０】このような構造を有するラジカルガン１
は、不活性ガスと反応性ガスとが混合された雰囲気中で
プラズマを発生して中性ラジカルビーム４を生成し、ワ
ーク３に中性ラジカルビーム４を噴出する。不活性ガス
バッファタンク５からラジカルガン１に供給される不活
性ガスは、内部流路１１ａ、内部流路１３ａ、及び不活
性ガス供給路１９ａを通過してプラズマ発生領域２３に
導入される。更に、反応性ガスバッファタンク６からラ
ジカルガン１に供給される反応性ガスは、反応ガス供給
路１５ａ、反応ガス供給路２０ａ、スワール２４、及び
微小ギャップ２５を通過してプラズマ発生領域２３に導
入される。プラズマ発生領域２３に面する導体管１９
は、高周波電力供給部１５、マッチングボックス１７を
介して高周波電源１８に電気的に接続される。一方、プ
ラズマ発生領域２３に対向するアース電極２６は接地さ
れる。導体管１９に高周波電源１８によって高周波電力
が印加されると、不活性ガスと反応性ガスとが導入され
たプラズマ発生領域２３にプラズマが発生する。プラズ
マ発生領域２３では、ヘリウムガスや窒素ガスのような
不活性ガスの存在により、プラズマの発生が容易になっ
ている。四塩化炭素、六フッ化硫黄、及び塩素ガスのよ
うな反応性ガスのみがプラズマ発生領域２３に導入され
ても、プラズマ発生領域２３では、プラズマが発生しに
くい。プラズマの発生を容易化するために、プラズマ発
生領域２３には、不活性ガスが導入される。プラズマ発
生領域２３でプラズマが発生すると、反応性ガスが解離
され、中性ラジカルビーム４が生成される。中性ラジカ
ルビーム４は、ノズル開口２２を介して噴出される。Radical gun 1 having such a structure
Generates a neutral radical beam 4 by generating plasma in an atmosphere in which an inert gas and a reactive gas are mixed, and ejects the neutral radical beam 4 to the work 3. The inert gas supplied from the inert gas buffer tank 5 to the radical gun 1 is introduced into the plasma generation region 23 through the internal flow passage 11a, the internal flow passage 13a, and the inert gas supply passage 19a. Further, the reactive gas supplied from the reactive gas buffer tank 6 to the radical gun 1 passes through the reactive gas supply passage 15a, the reactive gas supply passage 20a, the swirl 24, and the minute gap 25 and is introduced into the plasma generation region 23. To be done. Conductor tube 19 facing the plasma generation region 23
Is electrically connected to a high frequency power supply 18 via a high frequency power supply unit 15 and a matching box 17. On the other hand, the ground electrode 26 facing the plasma generation region 23 is grounded. When high frequency power is applied to the conductor tube 19 by the high frequency power supply 18, plasma is generated in the plasma generation region 23 in which the inert gas and the reactive gas are introduced. In the plasma generation region 23, plasma is easily generated due to the presence of an inert gas such as helium gas or nitrogen gas. Even if only reactive gases such as carbon tetrachloride, sulfur hexafluoride, and chlorine gas are introduced into the plasma generation region 23, plasma is unlikely to be generated in the plasma generation region 23. In order to facilitate the generation of plasma, an inert gas is introduced into the plasma generation region 23. When plasma is generated in the plasma generation region 23, the reactive gas is dissociated and the neutral radical beam 4 is generated. The neutral radical beam 4 is ejected through the nozzle opening 22.
【００３１】中性ラジカルビーム４の生成の間、微小ギ
ャップ２５は、反応性ガスの流量を適切に調整して絞り
込み、プラズマ発生領域２３で発生されるプラズマを安
定化する。一般に、不活性ガスと反応性ガスとは、分子
量、粘性等、その特性が異なり、プラズマ発生領域２３
に導入される不活性ガスと反応性ガスとの流量は、その
特性に合わせて調整される必要がある。例えば、不活性
ガスがヘリウムガスであり、反応性ガスが六フッ化硫黄
である場合を考えると、ヘリウムの分子量は４であり、
六フッ化硫黄の分子量１９６に比べて、極めて小さい。
更に、ヘリウムガスの粘性は、六フッ化硫黄の粘性より
も極めて小さい。このような特性を有するヘリウムガス
と六フッ化硫黄ガスとがプラズマ発生領域２３に導入さ
れると、分子量及び粘性が小さいヘリウムは、六フッ化
硫黄よりも、ノズル開口２２を通過しやすい。従って、
プラズマ発生領域２３に導入された六フッ化硫黄のう
ち、プラズマによって解離されなかったものは、プラズ
マ発生領域２３の内部に蓄積し、プラズマ発生領域２３
における反応性ガス濃度の上昇を引き起こし、プラズマ
発生領域２３の圧力上昇を招く要因になる。その結果、
プラズマ発生領域２３で発生されるプラズマは不安定に
なる。微小ギャップ２５は、反応性ガスの流量を絞り込
み、反応性ガスの濃度の上昇とプラズマ発生領域２３の
圧力上昇とを防止するため、プラズマ発生領域２３で発
生されるプラズマを安定化する。During the generation of the neutral radical beam 4, the minute gap 25 stabilizes the plasma generated in the plasma generation region 23 by appropriately adjusting and narrowing down the flow rate of the reactive gas. Generally, the inert gas and the reactive gas have different characteristics such as molecular weight and viscosity, and the plasma generation region 23
The flow rates of the inert gas and the reactive gas introduced into the chamber must be adjusted according to their characteristics. For example, considering the case where the inert gas is helium gas and the reactive gas is sulfur hexafluoride, the molecular weight of helium is 4,
It is extremely smaller than the molecular weight of sulfur hexafluoride of 196.
Furthermore, the viscosity of helium gas is much smaller than that of sulfur hexafluoride. When the helium gas and the sulfur hexafluoride gas having such characteristics are introduced into the plasma generation region 23, the helium having a small molecular weight and a low viscosity is more likely to pass through the nozzle opening 22 than the sulfur hexafluoride. Therefore,
Of the sulfur hexafluoride introduced into the plasma generation region 23, the one not dissociated by the plasma accumulates inside the plasma generation region 23,
In the plasma generation region 23, which causes an increase in the reactive gas concentration in the plasma generation region 23. as a result,
The plasma generated in the plasma generation region 23 becomes unstable. The minute gap 25 narrows the flow rate of the reactive gas to prevent the concentration of the reactive gas and the pressure in the plasma generation region 23 from rising, and thus stabilizes the plasma generated in the plasma generation region 23.
【００３２】導体管１９とノズル２０との間に形成され
ている微小ギャップ２５の幅は、ノズル２０を回転する
ことにより調節可能である。既述のように、導体管１９
は、動かないように高周波電力供給部１５に固定されて
いる一方、ノズル２０は、高周波電力供給部１５に、雄
ねじ２０ｂにより螺合されている。螺合されているノズ
ル２０を回転すると、ノズル２０は図３のｚ方向に変位
し、微小ギャップ２５の幅は、任意に調節可能である。
このような構造は、反応性ガスの流量の調節を簡便な機
構により実現する。The width of the minute gap 25 formed between the conductor tube 19 and the nozzle 20 can be adjusted by rotating the nozzle 20. As described above, the conductor tube 19
Is fixed to the high-frequency power supply unit 15 so as not to move, while the nozzle 20 is screwed to the high-frequency power supply unit 15 with a male screw 20b. When the nozzle 20 screwed together is rotated, the nozzle 20 is displaced in the z direction of FIG. 3, and the width of the minute gap 25 can be arbitrarily adjusted.
Such a structure realizes the adjustment of the flow rate of the reactive gas by a simple mechanism.
【００３３】図１を参照して、半導体デバイス製造装置
１００を使用したワーク３を加工するためには、まず、
ワーク３がワーク保持機構２に載置される。ワーク３に
は、複数のラジカルガン１によって中性ラジカルビーム
４が照射される。中性ラジカルビーム４が照射されてい
る間に、ワーク３はワーク保持機構２により方向７に移
動される。これにより、ワーク３に形成された機能性薄
膜は切断されて、方向７に延伸する溝が形成される。Referring to FIG. 1, in order to process the work 3 using the semiconductor device manufacturing apparatus 100, first,
The work 3 is placed on the work holding mechanism 2. The work 3 is irradiated with a neutral radical beam 4 by a plurality of radical guns 1. The work 3 is moved in the direction 7 by the work holding mechanism 2 while being irradiated with the neutral radical beam 4. As a result, the functional thin film formed on the work 3 is cut and a groove extending in the direction 7 is formed.
【００３４】このとき、複数のラジカルガン１が設けら
れていることにより、複数本の溝が同時に形成され、こ
れにより、溝の加工速度が実質的に向上されている。既
述のように、中性ラジカルビームによる機能性薄膜の加
工は、一般に、加工速度が充分でないという問題があ
る。しかし、半導体デバイス製造装置１００は、複数本
の溝を同時に加工可能であり、実質的な加工速度の増大
を実現する。At this time, since a plurality of radical guns 1 are provided, a plurality of grooves are formed at the same time, whereby the processing speed of the grooves is substantially improved. As described above, the processing of the functional thin film by the neutral radical beam generally has a problem that the processing speed is not sufficient. However, the semiconductor device manufacturing apparatus 100 can process a plurality of grooves at the same time, and realizes a substantial increase in processing speed.
【００３５】より具体的には、半導体デバイス製造装置
１００を使用して太陽電池パネルを製造する場合には、
下記の工程が行われる。More specifically, when a solar cell panel is manufactured using the semiconductor device manufacturing apparatus 100,
The following steps are performed.
【００３６】まず、図８（ａ）に示されているように、
ガラス基板３１の上に、ＩＴＯ膜３２が形成され、構造
体４１が形成される。続いて、構造体４１をワーク３と
して、半導体デバイス製造装置１００によってＩＴＯ膜
３２が切断され、図８（ｂ）に示されているように、溝
３３が形成される。溝３３は、複数本が同時に形成され
る。First, as shown in FIG. 8 (a),
The ITO film 32 is formed on the glass substrate 31, and the structure 41 is formed. Then, the ITO film 32 is cut by the semiconductor device manufacturing apparatus 100 using the structure 41 as the work 3, and the groove 33 is formed as shown in FIG. 8B. A plurality of grooves 33 are formed at the same time.
【００３７】続いて、図８（ｃ）に示されているよう
に、ガラス基板３１の上面側の全体がアモルファスシリ
コン膜３４によって被覆され、構造体４２が形成され
る。続いて、構造体４２をワーク３として、半導体デバ
イス製造装置１００によってアモルファスシリコン膜３
４が切断され、図８（ｄ）に示されているように、溝３
５が形成される。溝３５は、複数本が同時に形成され
る。Subsequently, as shown in FIG. 8C, the entire upper surface of the glass substrate 31 is covered with the amorphous silicon film 34 to form a structure 42. Then, using the structure 42 as the work 3, the amorphous silicon film 3 is processed by the semiconductor device manufacturing apparatus 100.
4 has been cut and, as shown in FIG. 8 (d), groove 3
5 is formed. A plurality of grooves 35 are formed at the same time.
【００３８】続いて、図８（ｅ）に示されているよう
に、ガラス基板３１の上面側の全体がアルミニウム膜３
６によって被覆され、構造体４３が形成される。続い
て、構造体４３をワーク３として、半導体デバイス製造
装置１００によってアルミニウム膜３６が切断され、図
８（ｆ）に示されているように、溝３７が形成される。
溝３７により区分されたＩＴＯ膜３２、アモルファスシ
リコン膜３４、アルミニウム膜３６は、太陽電池セル３
８を構成する。Subsequently, as shown in FIG. 8E, the entire upper surface of the glass substrate 31 is covered with the aluminum film 3.
6 to form the structure 43. Subsequently, the aluminum film 36 is cut by the semiconductor device manufacturing apparatus 100 using the structure 43 as the work 3, and the groove 37 is formed as shown in FIG.
The ITO film 32, the amorphous silicon film 34, and the aluminum film 36, which are divided by the groove 37, are used as the solar cell 3
Make up 8.
【００３９】以上の工程により、図９に示されているよ
うに、溝３７により互いに分離された太陽電池セル３８
の形成が完了する。このとき、半導体デバイス製造装置
１００は、溝３３、３５、３７の形成の際、その複数本
を同時に形成することが可能であり、太陽電池セル３８
の形成に要する時間を短縮することができる。Through the above steps, as shown in FIG. 9, the solar cells 38 separated from each other by the grooves 37.
Formation is complete. At this time, the semiconductor device manufacturing apparatus 100 can simultaneously form a plurality of grooves 33, 35, and 37 when forming the grooves 33, 35, and 37.
It is possible to shorten the time required to form the.
【００４０】本実施の形態において、図３に示されてい
るように、ワーク３の中性ラジカルビーム４が噴射され
る位置に、レーザビームを照射する機構が設けられるこ
とは、半導体デバイス製造装置１００が行う加工の速度
の増大に有効である。この場合、ラジカルガン１に、Ｙ
ＡＧレーザ発振器のようなレーザビーム発生源２７と、
集光レンズ２８とが追加され、更に、不活性ガス内部タ
ンク１１に透明な窓２９が設けられる。レーザビーム発
生源２７が発生するレーザビーム３０は、集光レンズ２
８によって絞り込まれながら、窓２９に入射される。レ
ーザービーム３０は、円筒形である内部流路１１ａ、１
３ａ、及び不活性ガス供給路１９ａの中心軸に沿ってラ
ジカルガン１の内部を通過し、その中心軸の延長線上に
位置するノズル開口２２からラジカルガン１の外部に出
射される。出射されたレーザビーム３０は、中性ラジカ
ルビーム４が照射される位置に照射される。ワーク３の
うちのレーザビーム３０が照射された位置は、局所的に
加熱され、ワーク３の上に形成された薄膜と、中性ラジ
カルビーム４の中性ラジカルとが反応して生成される反
応生成物は、ワーク３から離脱しやすくなる。これによ
り、半導体デバイス製造装置１００が行う加工の速度が
増大される。In the present embodiment, as shown in FIG. 3, a mechanism for irradiating a laser beam is provided at the position where the neutral radical beam 4 of the work 3 is jetted. This is effective in increasing the speed of processing performed by 100. In this case, Y
A laser beam generation source 27 such as an AG laser oscillator,
A condenser lens 28 is added, and a transparent window 29 is further provided in the inert gas internal tank 11. The laser beam 30 generated by the laser beam generation source 27 is generated by the condenser lens 2
It is incident on the window 29 while being narrowed down by 8. The laser beam 30 has a cylindrical internal flow path 11a, 1
3a and the inside of the radical gun 1 along the central axis of the inert gas supply path 19a, and is emitted to the outside of the radical gun 1 from the nozzle opening 22 located on the extension line of the central axis. The emitted laser beam 30 is applied to the position where the neutral radical beam 4 is applied. The position of the work 3 irradiated with the laser beam 30 is locally heated, and the thin film formed on the work 3 reacts with the neutral radicals of the neutral radical beam 4 to generate a reaction. The product easily separates from the work 3. As a result, the speed of processing performed by the semiconductor device manufacturing apparatus 100 is increased.
【００４１】（実施の第２形態）実施の第２形態では、
図４に示されているように、ラジカルガン１とワーク３
との間に、マスク８が挿入される。マスク８が挿入され
る点以外、実施の第２形態における半導体デバイス製造
装置の他の構造は、実施の第１形態と同一である。マス
ク８は、図示されない保持機構により、ラジカルガン１
と同体に保持される。(Second Embodiment) In the second embodiment,
As shown in FIG. 4, the radical gun 1 and the work 3
The mask 8 is inserted between and. Other than the point that the mask 8 is inserted, the other structure of the semiconductor device manufacturing apparatus in the second embodiment is the same as that in the first embodiment. The mask 8 is attached to the radical gun 1 by a holding mechanism (not shown).
Is held together with.
【００４２】図５に示されているように、マスク８に
は、スリット８ａが設けられる。図６に示されているよ
うに、スリット８ａは、ラジカルガン１から中性ラジカ
ルビーム４が噴出される位置に配置され、中性ラジカル
ビーム４は、スリット８ａを通してワーク３に照射され
る。スリット８ａは、中性ラジカルビーム４がワーク３
に到達する位置を局在化し、ワーク３に微細な溝を形成
することを可能にする。As shown in FIG. 5, the mask 8 is provided with a slit 8a. As shown in FIG. 6, the slit 8a is arranged at a position where the neutral radical beam 4 is ejected from the radical gun 1, and the neutral radical beam 4 is irradiated onto the work 3 through the slit 8a. In the slit 8a, the neutral radical beam 4 works 3
It is possible to form a fine groove in the work 3 by localizing the position reaching to.
【００４３】スリット８ａには、ワーク３に近い側がラ
ジカルガン１に近い側よりも狭くなるように、テーパが
付されている。このテーパは、中性ラジカルビーム４の
流れを滑らかにし、中性ラジカルビーム４がマスク８を
通過しやすくする。これにより、ワーク３に溝を形成す
る速度の増加が図られている。The slit 8a is tapered so that the side close to the work 3 is narrower than the side close to the radical gun 1. This taper smoothes the flow of the neutral radical beam 4 and makes it easier for the neutral radical beam 4 to pass through the mask 8. Thereby, the speed of forming the groove on the work 3 is increased.
【００４４】更に、スリット８ａは、ワーク３が移動す
る方向７と実質的に一致する方向に延設されている。こ
のような構造は、より長い溝を一時に形成することを可
能にし、ワーク３に溝を形成する速度を更に増加するこ
とを可能にする。Further, the slit 8a is provided so as to extend substantially in the same direction as the moving direction 7 of the work 3. Such a structure makes it possible to form a longer groove at one time and further increase the rate of forming the groove in the work 3.
【００４５】スリット８ａが形成されたマスク８は、実
質的に導電性がない材料で形成されることが好ましい。
これにより、ラジカルガン１とマスク８との間、及びマ
スク８とワーク３との間の不要放電が防がれる。マスク
８として使用される材料としては、不純物がドープされ
ていないシリコン、アルミナ、窒化アルミニウムが例示
される。The mask 8 in which the slit 8a is formed is preferably made of a material having substantially no conductivity.
Thereby, unnecessary discharge between the radical gun 1 and the mask 8 and between the mask 8 and the work 3 is prevented. Examples of the material used for the mask 8 include silicon, alumina, and aluminum nitride that are not doped with impurities.
【００４６】（実施の第３形態）実施の第３形態では、
スリット８ａが設けられたマスク８に、更に、２本の不
活性ガス噴出スリット８ｂが設けられる。不活性ガス噴
出スリット８ｂが設けられる点以外、実施の第３形態に
おける半導体デバイス製造装置の他の構造は、実施の第
２形態と同一である。(Third Embodiment) In the third embodiment,
The mask 8 provided with the slit 8a is further provided with two inert gas ejection slits 8b. The other structure of the semiconductor device manufacturing apparatus in the third embodiment is the same as that in the second embodiment except that the inert gas ejection slit 8b is provided.
【００４７】不活性ガス噴出スリット８ｂは、スリット
８ａの両側に設けられ、スリット８ａは不活性ガス噴出
スリット８ｂの間に位置する。不活性ガス噴出スリット
８ｂは、スリット８ａが延設される方向と、実質的に同
一な方向に延設される。不活性ガス噴出スリット８ｂに
は、図示されない不活性ガス供給機構から不活性ガスが
供給され、不活性ガス噴出スリット８ｂは、スリット８
ａの両側に不活性ガスを噴出する。これにより、中性ラ
ジカルビーム４がワーク３に到達する位置が更に局在化
され、実施の第２形態よりも更に微細な溝の形成が可能
である。The inert gas jetting slits 8b are provided on both sides of the slit 8a, and the slits 8a are located between the inert gas jetting slits 8b. The inert gas jetting slit 8b extends substantially in the same direction as the slit 8a extends. The inert gas ejection slit 8b is supplied with an inert gas from an inert gas supply mechanism (not shown), and the inert gas ejection slit 8b is formed by the slit 8b.
Inert gas is ejected to both sides of a. As a result, the position where the neutral radical beam 4 reaches the work 3 is further localized, and it is possible to form a finer groove than in the second embodiment.
【００４８】[0048]
【発明の効果】本発明により、ワークに加えられる熱的
なダメージを小さくしながら、実質的な加工速度が大き
い半導体デバイス製造装置が提供される。According to the present invention, there is provided a semiconductor device manufacturing apparatus in which the thermal damage applied to a work is reduced and a substantial processing speed is high.
【００４９】また、本発明により、半導体デバイスを微
細に加工可能な半導体デバイス製造装置が提供される。The present invention also provides a semiconductor device manufacturing apparatus capable of finely processing a semiconductor device.
【図１】図１は、本発明による実施の第１形態の半導体
デバイス製造装置を示す。FIG. 1 shows a semiconductor device manufacturing apparatus according to a first embodiment of the present invention.
【図２】図２は、ラジカルガン１を示す。FIG. 2 shows a radical gun 1.
【図３】図３は、ラジカルガン１の変形例を示す。FIG. 3 shows a modification of the radical gun 1.
【図４】図４は、本発明による実施の第２形態の半導体
デバイス製造装置を示す。FIG. 4 shows a semiconductor device manufacturing apparatus according to a second embodiment of the present invention.
【図５】図５は、マスク８の上面図である。FIG. 5 is a top view of the mask 8.
【図６】図６は、マスク８の断面図である。FIG. 6 is a cross-sectional view of the mask 8.
【図７】図７は、本発明による実施の第３形態の半導体
デバイス製造装置を示す。FIG. 7 shows a semiconductor device manufacturing apparatus according to a third embodiment of the present invention.
【図８】図８は、太陽電池パネルの製造方法を示す。FIG. 8 shows a method for manufacturing a solar cell panel.
【図９】図９は、製造された太陽電池パネルを示す。FIG. 9 shows a manufactured solar cell panel.
１：ラジカルガン ２：ワーク保持機構 ３：ワーク ４：中性ラジカル ５：不活性ガスバッファタンク ６：反応性ガスバッファタンク ７：矢印（移動方向） ８：マスク ８ａ：スリット ８ｂ：不活性ガス噴出スリット １１：不活性ガス内部タンク １１ａ：内部流路 １２：不活性ガス供給ポート １３：絶縁管 １３ａ：内部流路 １４：Ｏリング １５：高周波電力供給部 １５ａ：反応ガス供給路 １５ｂ：雌ねじ １５ｃ：反応ガス供給ポート １６：Ｏリング １７：マッチングボックス １８：高周波電源 １９：導体管 １９ａ：不活性ガス供給路 １９ｂ：開口 ２０：ノズル ２０ａ：反応ガス供給路 ２０ｂ：雄ねじ ２１：Ｏリング ２２：ノズル開口 ２３：プラズマ発生領域 ２４：スワール ２５：微小ギャップ ２６：アース電極 1: Radical cancer 2: Work holding mechanism 3: Work 4: Neutral radical 5: Inert gas buffer tank 6: Reactive gas buffer tank 7: Arrow (moving direction) 8: Mask 8a: slit 8b: Inert gas ejection slit 11: Inert gas internal tank 11a: internal flow path 12: Inert gas supply port 13: Insulation tube 13a: internal flow path 14: O-ring 15: High frequency power supply unit 15a: reaction gas supply path 15b: female screw 15c: Reaction gas supply port 16: O-ring 17: Matching box 18: High frequency power supply 19: Conductor tube 19a: Inert gas supply path 19b: opening 20: Nozzle 20a: reaction gas supply path 20b: Male screw 21: O-ring 22: Nozzle opening 23: Plasma generation region 24: Swirl 25: Small gap 26: Ground electrode
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 田原 諭 神奈川県横浜市金沢区幸浦一丁目８番地１ 三菱重工業株式会社基盤技術研究所内 (72)発明者 舩山 正宏 神奈川県横浜市金沢区幸浦一丁目８番地１ 三菱重工業株式会社基盤技術研究所内 (72)発明者 後藤 崇之 神奈川県横浜市金沢区幸浦一丁目８番地１ 三菱重工業株式会社基盤技術研究所内 Ｆターム(参考） 5F004 AA06 BA03 BA20 BB03 BB11 CA05 DA01 DA04 DA18 DA22 DA25 DB01 DB09 DB30 EA03 EA08 5F051 AA05 BA14 CA20 FA04 GA03 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continued front page (72) Inventor Satoshi Tahara 1-8 Koura, Kanazawa-ku, Yokohama-shi, Kanagawa Mitsubishi Heavy Industries, Ltd. Basic Technology Research Center (72) Inventor Masahiro Funayama 1-8 Koura, Kanazawa-ku, Yokohama-shi, Kanagawa Mitsubishi Heavy Industries, Ltd. Basic Technology Research Center (72) Inventor Takayuki Goto 1-8 Koura, Kanazawa-ku, Yokohama-shi, Kanagawa Mitsubishi Heavy Industries, Ltd. Basic Technology Research Center F-term (reference) 5F004 AA06 BA03 BA20 BB03 BB11 CA05 DA01 DA04 DA18 DA22 DA25 DB01 DB09 DB30 EA03 EA08 5F051 AA05 BA14 CA20 FA04 GA03
Claims (10)
持するワーク保持機構と、 前記ワークに中性ラジカルビームを射出する複数のラジ
カルガンとを備えた半導体デバイス製造装置。1. A semiconductor device manufacturing apparatus comprising: a work holding mechanism for holding a work on which a semiconductor device is formed; and a plurality of radical guns for emitting a neutral radical beam to the work.
置において、 更に、前記ラジカルガンを同体に保持するラジカルガン
保持機構を備え、 前記ワーク保持機構と前記ラジカルガン保持機構とは、
前記ラジカルガンと前記ワークとを、相対的に移動する
半導体デバイス製造装置。2. The semiconductor device manufacturing apparatus according to claim 1, further comprising a radical gun holding mechanism for holding the radical gun in the same body, wherein the work holding mechanism and the radical gun holding mechanism are:
A semiconductor device manufacturing apparatus that relatively moves the radical gun and the workpiece.
置において、 更に、前記ラジカルガンと前記ワークとの間に位置する
マスクを備え、 前記マスクには、前記中性ラジカルビームが通過する開
口が設けられた半導体デバイス製造装置。3. The semiconductor device manufacturing apparatus according to claim 1, further comprising a mask located between the radical gun and the work, wherein the mask has an opening through which the neutral radical beam passes. Provided semiconductor device manufacturing apparatus.
置において、 前記開口には、前記ラジカルガンの側よりも前記ワーク
の側の方が狭められたテーパが付されている半導体デバ
イス製造装置。4. The semiconductor device manufacturing apparatus according to claim 3, wherein the opening is tapered so that the side of the work is narrower than the side of the radical gun.
置において、 前記マスクは、実質的に電導性がない材料で形成された
半導体デバイス製造装置。5. The semiconductor device manufacturing apparatus according to claim 3, wherein the mask is made of a material having substantially no electrical conductivity.
置において、 更に、不活性ガスを供給する不活性ガス供給機構を備
え、 前記マスクには、更に、前記不活性ガスを前記ワークに
向けてそれぞれ射出する第１不活性ガス供給開口と第２
不活性ガス供給開口とが設けられ、 前記開口は、前記第１不活性ガス供給開口と前記第２不
活性ガス供給開口との間に位置する半導体デバイス製造
装置。6. The semiconductor device manufacturing apparatus according to claim 3, further comprising an inert gas supply mechanism for supplying an inert gas, wherein the mask further directs the inert gas toward the work. First inert gas supply opening and second injection respectively
An inert gas supply opening is provided, and the opening is located between the first inert gas supply opening and the second inert gas supply opening.
置において、 更に、前記ラジカルガンを同体に保持するラジカルガン
保持機構を備え、 前記開口は、第１方向に延設されたスリットであり、 前記ワーク保持機構と前記ラジカルガン保持機構とは、
前記ラジカルガンと前記ワークとを、前記第１方向に相
対的に移動する半導体デバイス製造装置。7. The semiconductor device manufacturing apparatus according to claim 3, further comprising a radical gun holding mechanism for holding the radical gun in the same body, wherein the opening is a slit extending in the first direction, The work holding mechanism and the radical gun holding mechanism,
A semiconductor device manufacturing apparatus that relatively moves the radical gun and the workpiece in the first direction.
供することと、 前記ワークに、複数のラジカルガンによって複数の中性
ラジカルビームを同時に射出することとを備えた半導体
デバイスの製造方法。8. A method of manufacturing a semiconductor device, comprising: providing a work on which a semiconductor device is formed; and simultaneously emitting a plurality of neutral radical beams to the work by a plurality of radical guns.
方法において、 更に、前記ラジカルガンと前記ワークとの間に、前記中
性ラジカルビームが通過する開口が設けられたマスクを
配置することを備えた半導体デバイスの製造方法。9. The method of manufacturing a semiconductor device according to claim 8, further comprising disposing a mask having an opening through which the neutral radical beam passes between the radical gun and the work. A method of manufacturing a provided semiconductor device.
造方法において、 更に、不活性ガスを供給することを備え、 前記マスクには、第１不活性ガス供給開口と第２不活性
ガス供給開口とが設けられ、 前記開口は、前記第１不活性ガス供給開口と前記第２不
活性ガス供給開口との間に位置し、 前記不活性ガスは、前記第１不活性ガス供給開口と前記
第２不活性ガス供給開口とを通過して、前記ワークに向
けて射出される半導体デバイスの製造方法。10. The method of manufacturing a semiconductor device according to claim 9, further comprising supplying an inert gas, wherein the mask has a first inert gas supply opening and a second inert gas supply opening. And the opening is located between the first inert gas supply opening and the second inert gas supply opening, and the inert gas is the first inert gas supply opening and the first inert gas supply opening. 2. A method of manufacturing a semiconductor device which passes through an inert gas supply opening and is ejected toward the work.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001325630A JP2003133288A (en) | 2001-10-23 | 2001-10-23 | Apparatus for manufacturing semiconductor device and method for manufacturing the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001325630A JP2003133288A (en) | 2001-10-23 | 2001-10-23 | Apparatus for manufacturing semiconductor device and method for manufacturing the same |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003133288A true JP2003133288A (en) | 2003-05-09 |
Family
ID=19142153
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001325630A Withdrawn JP2003133288A (en) | 2001-10-23 | 2001-10-23 | Apparatus for manufacturing semiconductor device and method for manufacturing the same |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003133288A (en) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009238837A (en) * | 2008-03-26 | 2009-10-15 | Tokyo Electron Ltd | Plasma processing apparatus and method |
| JP2010228066A (en) * | 2009-03-27 | 2010-10-14 | Kyushu Univ | Production method of nano-dot |
| JP2023025029A (en) * | 2017-05-17 | 2023-02-21 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | Semiconductor processing chamber improving flow of precursor |
-
2001
- 2001-10-23 JP JP2001325630A patent/JP2003133288A/en not_active Withdrawn
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009238837A (en) * | 2008-03-26 | 2009-10-15 | Tokyo Electron Ltd | Plasma processing apparatus and method |
| JP2010228066A (en) * | 2009-03-27 | 2010-10-14 | Kyushu Univ | Production method of nano-dot |
| JP2023025029A (en) * | 2017-05-17 | 2023-02-21 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | Semiconductor processing chamber improving flow of precursor |
| JP7393501B2 (en) | 2017-05-17 | 2023-12-06 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | Semiconductor processing chamber to improve precursor flow |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6670766B2 (en) | Plasma treatment apparatus and plasma treatment method | |
| TWI415186B (en) | Apparatus for the removal of a fluorinated polymer from a substrate and methods therefor | |
| KR101239521B1 (en) | Apparatus for the removal of a metal oxide from a substrate and methods therefor | |
| TWI392000B (en) | Apparatus for the removal of an edge polymer from a substrate and methods therefor | |
| Ichiki et al. | Localized and ultrahigh-rate etching of silicon wafers using atmospheric-pressure microplasma jets | |
| US4529475A (en) | Dry etching apparatus and method using reactive gases | |
| JP5510437B2 (en) | Plasma processing apparatus and plasma processing method | |
| JP5429268B2 (en) | Plasma processing apparatus and plasma processing method | |
| KR20080060255A (en) | Plasma reactor | |
| US10115565B2 (en) | Plasma processing apparatus and plasma processing method | |
| JP2013120633A (en) | Plasma processing device and plasma processing method | |
| US9673062B1 (en) | Plasma processing method | |
| US20130105460A1 (en) | Plasma processing apparatus and plasma processing method | |
| JP6473889B2 (en) | Plasma processing apparatus and method, and electronic device manufacturing method | |
| US20140291290A1 (en) | Plasma processing apparatus and method thereof | |
| JP2003133288A (en) | Apparatus for manufacturing semiconductor device and method for manufacturing the same | |
| JP2003249490A (en) | Radical gun | |
| JP2008218254A (en) | Plasma processing device | |
| JP5821984B2 (en) | Manufacturing method of electronic device | |
| US9691593B2 (en) | Plasma processing device and plasma processing method | |
| JP2012126584A (en) | End treating method and apparatus for glass plate | |
| JP5187367B2 (en) | Plasma processing apparatus and method | |
| JP2015088260A (en) | Plasma processing apparatus and method | |
| US20170287712A1 (en) | Plasma processing device, plasma processing method and manufacturing method of electronic device | |
| JP2004339557A (en) | Plasma treatment method, device therefor |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20050104 |