JP2003133278A - Substrate processing apparatus - Google Patents

Substrate processing apparatus

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JP2003133278A
JP2003133278A JP2001330087A JP2001330087A JP2003133278A JP 2003133278 A JP2003133278 A JP 2003133278A JP 2001330087 A JP2001330087 A JP 2001330087A JP 2001330087 A JP2001330087 A JP 2001330087A JP 2003133278 A JP2003133278 A JP 2003133278A
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Hiroyuki Kitazawa
裕之 北澤
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Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a processing apparatus that prevents an effect of mist by shielding an upper space of a rotary processing unit within a processing chamber of a substrate. SOLUTION: The substrate processing apparatus 2 holds a substrate W on a rotary support plate and performs rotary processing in a processing space S formed by sandwiching the substrate W between the plate 21 and an upper rotation plate 41. A cylindrical body 301 of a partition means 300 is deposited above and near the surface of an upper rotary plate 41. The cylindrical body 301 shields a first space A2 of the processing chamber 12, which is above the upper rotary plate 41, from a remaining second space A3. The upper end of the cylindrical body 301 is connected to a hoisting and lowering mechanism 80 of the upper rotary plate 41, thus a positional relation with the upper rotary plate 41 being always maintained.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【０００１】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、液晶表示器用のガ
ラス基板や半導体ウェハなどの基板を水平面内で回転さ
せながら洗浄処理や乾燥処理などの所要の処理を施す基
板処理装置に係り、特にサイズの大きな基板を処理する
のに適した基板処理装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a substrate processing apparatus for performing a required process such as a cleaning process and a drying process while rotating a substrate such as a glass substrate for a liquid crystal display or a semiconductor wafer in a horizontal plane, and particularly to a size. The present invention relates to a substrate processing apparatus suitable for processing a large substrate.

【０００２】[0002]

【従来の技術】従来のこの種の基板処理装置として、例
えば特開平９−３３０９０４号公報に開示された装置を
図９を参照して説明する。この基板処理装置は、半導体
ウェハなどの基板Ｗを水平面内で回転させながら、基板
Ｗの表裏面に薬液処理、洗浄処理、乾燥処理をその順に
施す装置である。この基板処理装置は、基板Ｗを水平姿
勢で保持する回転支持板１０１を備えている。回転支持
板１０１は平面視で円形状の平板であって、その上面に
基板Ｗの外周縁に係合して基板Ｗを支持する複数個の駆
動ピン１０２が立設されている。2. Description of the Related Art As a conventional substrate processing apparatus of this type, for example, an apparatus disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. 9-330904 will be described with reference to FIG. This substrate processing apparatus is an apparatus for performing a chemical solution treatment, a cleaning treatment, and a drying treatment on the front and back surfaces of the substrate W in that order while rotating the substrate W such as a semiconductor wafer in a horizontal plane. This substrate processing apparatus includes a rotation support plate 101 that holds the substrate W in a horizontal posture. The rotation support plate 101 is a circular flat plate in a plan view, and a plurality of drive pins 102 that engage with the outer peripheral edge of the substrate W and support the substrate W are provided upright on the upper surface thereof.

【０００３】回転支持板１０１の回転中心部に開口１０
１ａがあり、この開口１０１ａに筒軸１０３が連結固定
されている。この筒軸１０３はベルト機構１０４を介し
てモータ１０５に連結されている。筒軸１０３の中心に
沿って液ノズル１０６が配設されており、この液ノズル
１０６の先端が基板Ｗの下面中心部に臨んでいる。液ノ
ズル１０６は薬液供給源および洗浄液供給源に選択的に
接続されるようになっている。また、筒軸１０３と液ノ
ズル１０６との間隙は窒素ガスなどの不活性ガス供給源
に連通接続されている。An opening 10 is provided at the center of rotation of the rotary support plate 101.
1a, and the cylindrical shaft 103 is connected and fixed to the opening 101a. The cylinder shaft 103 is connected to a motor 105 via a belt mechanism 104. A liquid nozzle 106 is arranged along the center of the cylindrical shaft 103, and the tip of the liquid nozzle 106 faces the central portion of the lower surface of the substrate W. The liquid nozzle 106 is selectively connected to the chemical liquid supply source and the cleaning liquid supply source. The gap between the cylinder shaft 103 and the liquid nozzle 106 is connected to a supply source of an inert gas such as nitrogen gas.

【０００４】基板Ｗを挟んで回転支持板１０１に平行に
対向するように上部回転板１０７が配設されている。こ
の上部回転板１０７も回転支持板１０１と同様に平面視
で円形状の平板である。回転支持板１０１と同様に、上
部回転板１０７の回転中心部に開口１０７ａがあり、こ
の開口１０７ａに筒軸１０８が連結固定されている。こ
の筒軸１０８はモータ１０９の出力軸に連結されてい
る。筒軸１０８の中心に沿って液ノズル１１０が配設さ
れており、この液ノズル１１０の先端が基板Ｗの上面中
心部に臨んでいる。液ノズル１０６の場合と同様に、液
ノズル１１０も薬液供給源および洗浄液供給源に選択的
に接続されており、また、筒軸１０８と液ノズル１１０
との間隙は不活性ガス供給源に連通接続されている。An upper rotary plate 107 is arranged so as to face the rotary support plate 101 in parallel with the substrate W interposed therebetween. Like the rotation support plate 101, the upper rotation plate 107 is also a circular flat plate in a plan view. Similar to the rotation support plate 101, an opening 107a is provided at the center of rotation of the upper rotation plate 107, and a cylinder shaft 108 is fixedly connected to the opening 107a. The cylinder shaft 108 is connected to the output shaft of the motor 109. A liquid nozzle 110 is arranged along the center of the cylindrical shaft 108, and the tip of the liquid nozzle 110 faces the center of the upper surface of the substrate W. Similar to the case of the liquid nozzle 106, the liquid nozzle 110 is also selectively connected to the chemical liquid supply source and the cleaning liquid supply source, and the cylindrical shaft 108 and the liquid nozzle 110 are also connected.
The gap between and is connected to an inert gas supply source.

【０００５】そして、上下に平行に配置された回転支持
板１０１と上部回転板１０７を囲むようにカップ１１１
が配設されており、このカップ１１１の底部に排気管１
１２が連通接続されている。Then, a cup 111 is provided so as to surround the rotation support plate 101 and the upper rotation plate 107 which are arranged in parallel vertically.
Is provided, and the exhaust pipe 1 is provided at the bottom of the cup 111.
12 are connected for communication.

【０００６】以上のように構成された基板処理装置にお
いては、次にように基板処理が行われる。まず、上部回
転板１０７が上方に退避した状態で、回転支持板１０１
に基板Ｗが載置される。この基板Ｗは駆動ピン１０２に
よって支持される。続いて、上部回転板１０７が回転支
持板１０１に対向する位置（図９の状態）にまで下降す
る。この状態でモータ１０５および１０９が始動して、
回転支持板１０１および上部回転板１０７をそれぞれ同
期して回転する。回転支持板１０１の回転に伴って、そ
の回転力が駆動ピン１０２を介して基板Ｗに伝達され、
基板Ｗも回転支持板１０１および上部回転板１０７と同
期して回転する。基板Ｗの回転数が所定値に達すると、
上下の開口１０１ａ、１０７ａから不活性ガスを導入し
ながら、上下の液ノズル１０６、１１０から薬液および
洗浄液をその順に供給して、基板Ｗの表裏面の処理を行
う。基板Ｗの薬液処理および洗浄処理が終わると、基板
Ｗを回転させながら不活性ガスだけを導入して、基板Ｗ
の乾燥処理を行う。In the substrate processing apparatus constructed as described above, the substrate processing is performed as follows. First, with the upper rotary plate 107 retracted upward, the rotary support plate 101
The substrate W is placed on. The substrate W is supported by the drive pins 102. Then, the upper rotary plate 107 descends to a position (state in FIG. 9) facing the rotary support plate 101. In this state, the motors 105 and 109 start,
The rotation support plate 101 and the upper rotation plate 107 are rotated in synchronization with each other. As the rotation support plate 101 rotates, its rotational force is transmitted to the substrate W via the drive pins 102,
The substrate W also rotates in synchronization with the rotation support plate 101 and the upper rotation plate 107. When the rotation speed of the substrate W reaches a predetermined value,
While introducing the inert gas from the upper and lower openings 101a and 107a, the chemical liquid and the cleaning liquid are supplied in that order from the upper and lower liquid nozzles 106 and 110 to process the front and back surfaces of the substrate W. When the chemical treatment and the cleaning treatment of the substrate W are completed, only the inert gas is introduced while rotating the substrate W,
Is dried.

【０００７】このように薬液処理から乾燥処理までの
間、回転支持板１０１と上部回転板１０７とで区画され
た偏平な処理空間Ｓ内で基板Ｗが処理される。基板Ｗに
供給された薬液や洗浄液は不活性ガスとともに、回転支
持板１０１および上部回転板１０７の回転による遠心力
によって外方に追いやられて処理空間Ｓの外周端から排
出され、カップ１１１の底部に連通する排気管１１２か
ら排出される。このとき基板Ｗから振り切られた薬液や
洗浄液がカップ１１１の内面に当たって飛散したとして
も、基板Ｗの上下は回転支持板１０１と上部回転板１０
７に覆われているので、薬液や洗浄液のミストで基板Ｗ
が汚染されることがない。また、処理空間Ｓからは不活
性ガスが絶えず噴出しているので、ミストが処理空間Ｓ
内に侵入して基板Ｗを汚染することもない。As described above, the substrate W is processed in the flat processing space S defined by the rotary support plate 101 and the upper rotary plate 107 from the chemical solution process to the drying process. The chemical liquid and the cleaning liquid supplied to the substrate W, together with the inert gas, are driven outward by the centrifugal force generated by the rotation of the rotation support plate 101 and the upper rotation plate 107, and are discharged from the outer peripheral end of the processing space S to the bottom of the cup 111. Is discharged from the exhaust pipe 112 communicating with the. At this time, even if the chemical liquid or the cleaning liquid shaken off from the substrate W hits the inner surface of the cup 111 and is scattered, the rotation support plate 101 and the upper rotation plate 10 are located above and below the substrate W.
The substrate W is covered with mist of chemicals or cleaning solution because it is covered with 7.
Is never contaminated. In addition, since the inert gas is constantly ejected from the processing space S, the mist is generated in the processing space S.
It does not enter the inside and contaminate the substrate W.

【０００８】即ち、液処理の場合は、処理中の基板Ｗの
端縁から振り切られた液滴がカップ１１１などで跳ね返
っても、上下の板部材で遮断されて基板Ｗに再付着する
のが防止でき、周囲に浮遊している処理液のミストなど
も遮断されて基板Ｗに再付着するのが防止できる。ま
た、乾燥処理の場合は、処理中の基板Ｗと周囲の雰囲気
とが遮蔽され、基板Ｗへの周囲の雰囲気の影響を防止で
きる。このように基板Ｗの表面と裏面にそれぞれ近接配
置させた２つの板部材は基板Ｗを支持すると共に遮蔽部
材として機能する。That is, in the case of liquid processing, even if the droplets shaken off from the edge of the substrate W being processed bounce off by the cup 111 or the like, they are blocked by the upper and lower plate members and reattached to the substrate W. Therefore, it is possible to prevent the mist of the processing liquid floating around from being blocked and reattached to the substrate W. Further, in the case of the drying process, the substrate W being processed and the surrounding atmosphere are shielded, and the influence of the surrounding atmosphere on the substrate W can be prevented. In this way, the two plate members arranged close to the front surface and the back surface of the substrate W respectively support the substrate W and also function as a shielding member.

【０００９】[0009]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな構成を有する従来例の場合には、次のような問題が
ある。飛散する処理液のミストの大部分は基板を取り囲
むように設けられたカップ１１１によって捕らえられ、
装置の周囲には及ばないようになっている。しかしなが
ら、近年の半導体ウェハなどの基板の大径化に伴い、処
理液の供給量も多くなり、例えば洗浄処理後の回転乾燥
処理の初期において、基板上に付着している液滴を多く
することとなった。そのため、カップ１１１から跳ね返
る液滴が多くなり、浮遊するミストの増大を招いてい
た。However, the conventional example having such a structure has the following problems. Most of the scattered mist of the processing liquid is captured by the cup 111 provided so as to surround the substrate,
It does not reach around the device. However, with the recent increase in the diameter of substrates such as semiconductor wafers, the supply amount of the processing liquid also increases. For example, in the initial stage of the rotary drying process after the cleaning process, it is necessary to increase the number of droplets adhering to the substrate. Became. Therefore, a large number of liquid droplets bounce off the cup 111, which causes an increase in floating mist.

【００１０】浮遊する処理液のミストは、上部回転板１
０７の上面に付着してパーティクル発生の原因となって
いた。特に、付着した処理液がレジストのような薬液の
場合は、容易に取り除くことが難しいために、それらに
付着したパーティクルについてはほとんどを除去するこ
とができない。The mist of the floating processing liquid is generated by the upper rotary plate 1.
It adhered to the upper surface of 07 and caused particles. In particular, when the processing liquid attached is a chemical liquid such as resist, it is difficult to remove it easily, and therefore most of the particles attached to them cannot be removed.

【００１１】そこで、処理カップ１１１の上方からダウ
ンフローを供給して、ミストを処理カップ１１１の底部
の排気管１２より排出するようにしている。しかしなが
ら、装置の大型化に伴い処理カップ１１１内の雰囲気制
御を、ダウンフローやカップ内排気で十分に行うには、
相応に大容量の給排気装置を必要としていた。Therefore, the downflow is supplied from above the processing cup 111 so that the mist is discharged from the exhaust pipe 12 at the bottom of the processing cup 111. However, in order to sufficiently control the atmosphere in the processing cup 111 by downflow or exhaust in the cup as the apparatus becomes larger,
A correspondingly large capacity air supply / exhaust device was required.

【００１２】さらに、上述のように上部回転板１０７を
用いている装置においては、上部回転板１０７の上方に
浮遊するミストをダウンフローで処理カップ１１１の底
部に導く上で次のような問題があった。すなわち、上方
から上部回転板１０７の上面に向かう気流に乗って、ミ
ストが上部回転板１０７の上面に付着することを助長し
ていた。これを防止するには、処理カップ１１１の上部
開口を狭めることが考えられるが、処理カップ１１１が
処理空間Ｓに近づくと、処理空間Ｓから排出される処理
液の勢いが減衰されず、処理カップ１１１の内壁面にお
ける跳ね返りが多くなり問題の解決にはならなかった。Further, in the apparatus using the upper rotary plate 107 as described above, the following problems occur in guiding the mist floating above the upper rotary plate 107 to the bottom of the processing cup 111 by downflow. there were. That is, the mist is encouraged to adhere to the upper surface of the upper rotary plate 107 by riding on the air flow from above to the upper surface of the upper rotary plate 107. To prevent this, the upper opening of the processing cup 111 may be narrowed. However, when the processing cup 111 approaches the processing space S, the momentum of the processing liquid discharged from the processing space S is not attenuated, and the processing cup 111 is not damped. The bounce on the inner wall surface of 111 increased and the problem could not be solved.

【００１３】本発明は、このような事情に鑑みてなされ
たものであって、表面に処理液が供給された基板を回転
させて処理を行う基板処理装置において、浮遊するミス
トによる影響のない基板処理装置を提供することを主た
る目的としている。The present invention has been made in view of the above circumstances, and in a substrate processing apparatus for rotating a substrate whose surface is supplied with a processing liquid for processing, the substrate is not affected by floating mist. The main purpose is to provide a processing device.

【００１４】[0014]

【課題を解決するための手段およびその作用・効果】上
記目的を達成するために、本発明は、表面に処理液が供
給された基板を回転させて、その当該基板に所定の処理
を施す基板処理装置であって、基板を略水平に保持した
状態で基板を回転させる回転処理部と、前記回転処理部
に基板を介して対向配置され、基板上面の少なくとも周
縁領域をリング状に覆う上部遮蔽部と、前記回転処理部
の周囲を覆うように配置され、上部の中央付近に開口を
有するとともに、基板の回転に伴って基板表面から振り
切られる処理液を受ける処理室と、前記処理室内の空間
を前記回転処理部の上方の第一空間と、残りの第二空間
とに遮蔽する前記上部遮蔽部の上方に配置された仕切手
段とを具備することを特徴とする基板処理装置である。Means for Solving the Problem and Its Action / Effect To achieve the above object, the present invention provides a substrate for rotating a substrate whose surface is supplied with a treatment liquid and subjecting the substrate to a predetermined treatment. In the processing apparatus, a rotation processing unit that rotates the substrate while holding the substrate substantially horizontally, and an upper shield that is arranged to face the rotation processing unit with the substrate interposed therebetween and covers at least a peripheral region of the upper surface of the substrate in a ring shape. Section, a processing chamber disposed so as to cover the periphery of the rotation processing section, having an opening near the center of the upper part, and receiving a processing liquid shaken off from the substrate surface as the substrate rotates, and a space in the processing chamber. Is provided with a first space above the rotation processing unit and a partitioning unit disposed above the upper shielding unit that shields the remaining space into the second space.

【００１５】本発明の作用は次のとおりである。請求項
１に係る発明の基板処理装置においては、処理室内の空
間が回転処理部の上方の第一空間と、残りの第二空間と
に仕切手段によって遮蔽される。その結果、回転処理部
から発生するミストが第一空間に浮遊することが防止さ
れる。そのため、上部遮蔽部へのミスト付着が無くな
る。また、処理室の雰囲気制御は第二空間のみを対象と
して構成すればよく、処理室全体を対象とする大型機構
を設けなくとも良い。The operation of the present invention is as follows. In the substrate processing apparatus of the invention according to claim 1, the space in the processing chamber is shielded by the partitioning means into the first space above the rotation processing section and the remaining second space. As a result, the mist generated from the rotation processing unit is prevented from floating in the first space. Therefore, the mist does not adhere to the upper shielding part. Further, the atmosphere control of the processing chamber may be performed only for the second space, and a large mechanism for the entire processing chamber may not be provided.

【００１６】請求項２に記載の発明は、請求項１に記載
の基板処理装置において、前記仕切手段により仕切られ
た処理室の前記第一空間の気圧を、前記第二空間の気圧
より高くすることを特徴とする。According to a second aspect of the present invention, in the substrate processing apparatus according to the first aspect, the atmospheric pressure in the first space of the processing chamber partitioned by the partition means is made higher than the atmospheric pressure in the second space. It is characterized by

【００１７】請求項２記載の発明は、第一空間の気圧を
第二空間の気圧より高くする。この発明によれば、仮に
仕切手段を厳密に構成しなくとも、気圧差で第二空間か
ら第一空間への雰囲気の移動を防止することができる。
その結果、ミストの飛散が確実に防止できる。According to the second aspect of the invention, the atmospheric pressure in the first space is made higher than the atmospheric pressure in the second space. According to the present invention, it is possible to prevent the movement of the atmosphere from the second space to the first space due to the difference in atmospheric pressure, even if the partition means is not strictly configured.
As a result, mist scattering can be reliably prevented.

【００１８】請求項３に記載の発明は、請求項１および
請求項２に記載の基板処理装置において、前記仕切手段
により仕切られた処理室の前記第一空間にダウンフロー
を供給する送風手段とを具備することを特徴とする。According to a third aspect of the present invention, in the substrate processing apparatus according to the first and second aspects, a blower means for supplying downflow to the first space of the processing chamber partitioned by the partition means. It is characterized by including.

【００１９】請求項３記載の発明は、第一空間にダウン
フローが供給される。それにより、第一空間は気圧が高
くなり、第二空間からのミストを含んだ雰囲気の流入を
防止できる。即ち、ダウンフローという簡単な構成でミ
ストの飛散が確実に防止できる。According to the third aspect of the invention, the downflow is supplied to the first space. As a result, the pressure in the first space becomes high, and the inflow of the atmosphere containing the mist from the second space can be prevented. That is, mist scattering can be reliably prevented with a simple configuration called downflow.

【００２０】[0020]

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施例を図面を参
照して説明する。 ＜第１実施例＞本発明の実施の形態を、基板の一例とし
て液晶表示器用のガラス基板の処理に用いられる基板処
理装置を例に採って図面を参照して説明する。ただし、
本発明は、ガラス基板の処理に限らず、円形の各種の基
板の処理にも適用することができる。また、本発明が適
用できる基板処理は、薬液処理、洗浄処理、および乾燥
処理を同じ装置内で連続して行うものだけに限らず、単
一の処理を行うものや、薬液処理、洗浄処理、および乾
燥処理を同じ装置内で連続して行うものなどにも適用可
能である。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. <First Example> An embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings by taking a substrate processing apparatus used for processing a glass substrate for a liquid crystal display as an example of a substrate. However,
The present invention can be applied not only to the processing of glass substrates but also to the processing of various circular substrates. Further, the substrate treatment to which the present invention can be applied is not limited to the chemical liquid treatment, the cleaning treatment, and the drying treatment that are continuously performed in the same apparatus, and those that perform a single treatment, the chemical liquid treatment, the cleaning treatment, Also, the present invention can be applied to those in which the drying process is continuously performed in the same device.

【００２１】図１は、本発明の一実施形態としての基板
処理装置が配置された基板処理システムの構成を示す概
略斜視図である。この基板処理システム１では、一方の
端部にＬＣＤ用ガラス基板Ｗ（以下、単に基板Ｗとい
う）を基板処理装置２に搬入出する移載装置３が配置さ
れる。この移載装置３の、一端に基板Ｗを収容する複数
のカセット４が載置可能に構成されたカセットステーシ
ョン５が設けられており、このカセットステーション５
の側方には、カセット４から処理工程前の一枚ずつ基板
Ｗを取出しと共に、処理工程後の基板Ｗをカセット４内
に１枚ずつ収容する搬送アーム６を備えた基板搬送装置
７とが備えられている。FIG. 1 is a schematic perspective view showing the structure of a substrate processing system in which a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention is arranged. In this substrate processing system 1, a transfer device 3 for loading / unloading an LCD glass substrate W (hereinafter, simply referred to as a substrate W) to / from the substrate processing device 2 is arranged at one end. A cassette station 5 is provided at one end of the transfer device 3 so that a plurality of cassettes 4 containing the substrates W can be placed thereon.
A substrate transfer device 7 having a transfer arm 6 for taking out the substrates W one by one before the processing step from the cassette 4 and accommodating the substrates W after the processing step one by one in the cassette 4 is provided on the side of the cassette 4. It is equipped.

【００２２】カセットステーション５の載置部８は、基
板Ｗを２５枚収納したカセット４を複数個載置できる構
成になっている。基板搬送装置７は、水平、昇降（Ｘ、
Ｙ、Ｚ）方向に移動自在でると共に、かつ鉛直軸を中心
に回転（θ方向）できるように構成されている。The mounting portion 8 of the cassette station 5 is constructed so that a plurality of cassettes 4 each containing 25 substrates W can be mounted. The substrate transfer device 7 is horizontally, vertically (X,
It is configured to be movable in the Y, Z) directions and rotatable about the vertical axis (θ direction).

【００２３】次に基板処理装置２の構成について説明す
る。図２は本発明の一実施形態に係る基板処理装置の構
成を示す縦断面図である。この基板処理装置２は、密閉
されたハウジング１０内が上下に区画され、上室１１
と、その下方に位置する処理室１２より構成される。Next, the structure of the substrate processing apparatus 2 will be described. FIG. 2 is a vertical sectional view showing the structure of the substrate processing apparatus according to the embodiment of the present invention. In this substrate processing apparatus 2, the inside of the sealed housing 10 is divided into upper and lower parts, and the upper chamber 11
And a processing chamber 12 located therebelow.

【００２４】処理室１２は、基板Ｗを保持し処理する回
転支持部２０、それらを回転する駆動部３０、回転支持
部２０の上側で処理空間Ｓを形成し遮蔽する上部遮蔽部
４０、基板Ｗから振り切られる液体を回収するカップ部
５０を収納する。上室１１は、基板Ｗの上面を処理する
洗浄機構６０、基板Wに超音波洗浄を洗浄を行う超音波
洗浄機構７０、上部遮蔽部４０を昇降させる昇降機構８
０、ハウジング１０内にダウンフローを供給する送風機
構９０を収納する。The processing chamber 12 includes a rotation support part 20 for holding and processing the substrate W, a driving part 30 for rotating them, an upper shield part 40 for forming and shielding the processing space S above the rotation support part 20, and the substrate W. The cup unit 50 for collecting the liquid shaken off from the housing is housed. The upper chamber 11 includes a cleaning mechanism 60 that processes the upper surface of the substrate W, an ultrasonic cleaning mechanism 70 that cleans the substrate W by ultrasonic cleaning, and a lift mechanism 8 that moves the upper shield 40 up and down.
0, a blower mechanism 90 for supplying downflow is housed in the housing 10.

【００２５】回転支持部２０は、上平面視でドーナツ状
の回転支持板２１に、基板Ｗを下面から支える支持ピン
２２と駆動ピン２３が立設されて構成されている。駆動
ピン２３は、図３に示すように基板Wの４角部に対応し
て２個ずつ配置される。なお、図２では、図面が煩雑に
なることを避けるために、２個の駆動ピン２３のみを示
している。駆動ピン２３は、基板Ｗの外周端縁を下方か
ら支持する支持部２３ａと支持部２３ａに支持された基
板Ｗの外周端面に当接して基板Ｗの移動を規制する案内
立ち上がり面２３ｂとを備えている。基板Ｗは、この回
転支持板２１に水平姿勢で保持される。The rotation support portion 20 comprises a donut-shaped rotation support plate 21 in a top plan view, on which support pins 22 and drive pins 23 for supporting the substrate W from the lower surface are erected. As shown in FIG. 3, two drive pins 23 are arranged corresponding to the four corners of the substrate W. In FIG. 2, only two drive pins 23 are shown in order to avoid making the drawing complicated. The drive pin 23 includes a support portion 23a that supports the outer peripheral edge of the substrate W from below, and a guide rising surface 23b that abuts on the outer peripheral end surface of the substrate W supported by the support portion 23a and restricts the movement of the substrate W. ing. The substrate W is held on the rotation support plate 21 in a horizontal posture.

【００２６】駆動部３０は、回転支持板２１の回転中心
の開口２４に連結して設けられている。そして、この開
口２４に連通するように、回転支持板２１の下面に接続
される筒軸３１と、この筒軸３１をベルト機構３２を介
して回転するモータ３３とから構成されている。モータ
３３を駆動することによって、筒軸３１、回転支持板２
１とともに、保持された基板Ｗを鉛直方向の軸芯周りで
回転させる。この回転支持部２０と駆動部３０が、本発
明の回転処理部に相当する。The drive unit 30 is connected to the opening 24 of the rotation support plate 21 at the center of rotation. The cylinder shaft 31 is connected to the lower surface of the rotation support plate 21 so as to communicate with the opening 24, and a motor 33 that rotates the cylinder shaft 31 via a belt mechanism 32. By driving the motor 33, the cylinder shaft 31, the rotation support plate 2
Along with 1, the held substrate W is rotated around the vertical axis. The rotation support section 20 and the drive section 30 correspond to the rotation processing section of the present invention.

【００２７】また、筒軸３１は中空を有する筒状の部材
で構成され、中心に沿って液ノズル３４が配設されてお
り、この液ノズル３４の内部中心に液体供給路３５が、
その液体供給路３５と平行して側部に気体供給路３６が
形成される。液ノズル３４の先端部は断面Ｔ字状に形成
され、平坦な上面の中央部に処理液のノズル孔３５ａ
と、気体の吐出口３６ａが開口される。この液ノズル３
４の先端が基板Ｗの下面中心部に臨んでいる。そしてノ
ズル孔３５ａから基板Ｗの下面の回転中心付近に処理液
を供給できるように構成されている。The cylindrical shaft 31 is composed of a hollow cylindrical member, and a liquid nozzle 34 is arranged along the center thereof. A liquid supply passage 35 is formed at the inner center of the liquid nozzle 34.
A gas supply passage 36 is formed in a side portion in parallel with the liquid supply passage 35. The tip of the liquid nozzle 34 is formed in a T-shape in cross section, and the processing liquid nozzle hole 35a is formed in the central portion of the flat upper surface.
Then, the gas discharge port 36a is opened. This liquid nozzle 3
The tip of 4 faces the center of the lower surface of the substrate W. The processing liquid can be supplied from the nozzle hole 35a to the vicinity of the center of rotation of the lower surface of the substrate W.

【００２８】液ノズル３４は、気液供給機構２００に連
通接続されている。液体供給路３５には配管２０１が連
通接続される。この配管２０１の基端部は分岐されてい
て、一方の分岐配管２０２には薬液供給源２２２が連通
接続され、他方の分岐配管２０３には純水供給源２２３
が連通接続されている。各分岐配管２０２、２０３には
開閉弁２１２、２１３が設けられていて、これら開閉弁
２１２、２１３の開閉を切り換えることで、ノズル孔３
５ａから薬液と純水とを選択的に切り換えて供給できる
ようになっている。The liquid nozzle 34 is communicatively connected to the gas-liquid supply mechanism 200. A pipe 201 is communicatively connected to the liquid supply path 35. The base end of the pipe 201 is branched, a chemical liquid supply source 222 is connected to one branch pipe 202, and a pure water supply source 223 is connected to the other branch pipe 203.
Are connected in communication. Each branch pipe 202, 203 is provided with an on-off valve 212, 213, and by switching the on-off valve 212, 213 between opening and closing, the nozzle hole 3
The chemical solution and pure water can be selectively switched and supplied from 5a.

【００２９】また、気体供給路３６は、開閉弁２１４が
設けられた配管２０４を介して気体供給源２２４に連通
接続されていて、気体供給路３６の上端部の吐出口３６
ａから回転支持板２１と基板Ｗの下面との間の空間に、
清浄な空気や清浄な不活性ガス（窒素ガスなど）などの
清浄な気体を供給できるように構成されている。The gas supply passage 36 is connected to a gas supply source 224 through a pipe 204 provided with an opening / closing valve 214, and the discharge port 36 at the upper end of the gas supply passage 36.
From a to the space between the rotation support plate 21 and the lower surface of the substrate W,
It is configured to be able to supply clean gas such as clean air or clean inert gas (such as nitrogen gas).

【００３０】筒軸３１は回転支持板２１の開口２４に臨
んで延在し、回転支持板２１より上側に位置し排出口３
７が開口される。そして、排出口３７において、この液
ノズル３４の側面と筒軸３１内周面との間隙から大気圧
雰囲気からのエアーが吐出される。すなわち、筒軸３１
と液ノズル３４との間隙は流量調整弁２５１を介して配
管２５０が大気圧雰囲気に開放されるよう構成されてい
る。The cylindrical shaft 31 extends so as to face the opening 24 of the rotation support plate 21, is positioned above the rotation support plate 21, and is located at the discharge port 3
7 is opened. Then, at the discharge port 37, air from the atmospheric pressure atmosphere is discharged from the gap between the side surface of the liquid nozzle 34 and the inner peripheral surface of the cylinder shaft 31. That is, the cylinder shaft 31
The gap between the liquid nozzle 34 and the liquid nozzle 34 is configured such that the pipe 250 is opened to the atmospheric pressure atmosphere via the flow rate adjusting valve 251.

【００３１】この構成により、回転支持板２１が回転す
るとその遠心力で処理空間Ｓ内のエアーは排出され、回
転中心に近いほど低圧状態となる。そのため、大気圧雰
囲気に開放されている筒軸３１内部はポンプ効果により
エアーを吸入する。その際、流量調整弁２５１により吸
引されるエアー量は処理空間Ｓ内の気圧状態を所望の状
態に設定するように調整される。With this structure, when the rotary support plate 21 rotates, the air in the processing space S is exhausted by the centrifugal force, and the pressure becomes lower nearer the center of rotation. Therefore, air is sucked into the inside of the cylinder shaft 31 which is open to the atmospheric pressure due to the pump effect. At that time, the amount of air sucked by the flow rate adjusting valve 251 is adjusted so as to set the atmospheric pressure state in the processing space S to a desired state.

【００３２】モータ３３やベルト機構３２などは、この
基板処理装置２の底板としてのベース部材１３上に設け
られた円筒状のケーシング３８内に収容されている。こ
のケーシング３８が、筒軸３１の外周面に軸受け３９１
を介して接続され、筒軸３１を収納する状態となる。す
なわち、モータ３３から回転支持板２１に接続する直前
までの筒軸３１の周囲をケーシング３８で覆い、これに
伴い筒軸３１に下方に取り付けられたモータ３３もカバ
ーで覆った状態とする。さらに、駆動部３０の気密性を
高めるため、ケーシング３８上面と回転支持板２１の下
面の間を周方向に沿って設けられた略円形状のシール部
３９２で密封する。The motor 33, the belt mechanism 32, etc. are housed in a cylindrical casing 38 provided on the base member 13 as the bottom plate of the substrate processing apparatus 2. The casing 38 has a bearing 391 on the outer peripheral surface of the cylindrical shaft 31.
And the cylindrical shaft 31 is housed. That is, the casing 38 covers the circumference of the cylinder shaft 31 immediately before the motor 33 is connected to the rotation support plate 21, and the motor 33 attached below the cylinder shaft 31 is also covered with the casing 38. Further, in order to enhance the airtightness of the drive unit 30, the space between the upper surface of the casing 38 and the lower surface of the rotation support plate 21 is sealed by a substantially circular seal portion 392 provided along the circumferential direction.

【００３３】上部遮蔽部４０は、基板Ｗを挟んで回転支
持板２１に対向するように上部回転板４１と、上部回転
板４１の開口４１ａに配置される補助遮蔽板４５より構
成される。そして、上部回転板４１の上部には後述する
仕切手段３００が配置され、補助遮蔽板４５には後述す
る洗浄機構６０が併設される。The upper shield part 40 is composed of an upper rotary plate 41 so as to face the rotary support plate 21 with the substrate W interposed therebetween, and an auxiliary shield plate 45 arranged in an opening 41a of the upper rotary plate 41. The partitioning means 300 described later is arranged on the upper rotary plate 41, and the auxiliary shield plate 45 is provided with a cleaning mechanism 60 described later.

【００３４】上部回転板４１は基板Ｗの周縁領域を覆う
リング状を呈しており、中央部に大きな開口４１ａが開
けられている。そして開口４１ａの周囲は立壁４１ｂが
円筒状に立設されており、この立壁４１ｂ内に、開口４
１ａを塞ぐように補助遮蔽板４５が上下移動自在に配置
される。そして、上部回転板４１は押えピン４２を介し
て駆動ピン２３により支持され、回転支持板２１とで挟
まれた処理空間Ｓを構成している。そして、押えピン４
２は、逆凸形状を呈し、上部回転板４１下面に固定して
取り付けられる。The upper rotary plate 41 has a ring shape covering the peripheral area of the substrate W, and has a large opening 41a formed in the center thereof. Around the opening 41a, a standing wall 41b is erected in a cylindrical shape, and the opening 4b is placed in the standing wall 41b.
An auxiliary shield plate 45 is arranged so as to be vertically movable so as to block 1a. Then, the upper rotary plate 41 is supported by the drive pin 23 via the pressing pin 42, and constitutes a processing space S sandwiched by the rotary support plate 21. And presser pin 4
2 has an inverted convex shape and is fixedly attached to the lower surface of the upper rotary plate 41.

【００３５】上記の構成により、駆動ピン２３は押えピ
ン４２とで上下に分離可能に構成されている。上部回転
板４１が処理位置まで下降移動されたときに、押えピン
４４が駆動ピン２３に嵌合することにより、上部回転板
４１が回転支持板２１と一体回転可能に支持されるよう
になっている。つまり、駆動ピン２３は、上部回転板４
１を回転支持板２１に着脱自在に支持する支持機構を兼
ねている。また、この押えピン４２が基板Ｗの浮き上が
りを防止する。With the above structure, the drive pin 23 and the pressing pin 42 are vertically separable. When the upper rotary plate 41 is moved down to the processing position, the pressing pin 44 fits into the drive pin 23, so that the upper rotary plate 41 and the rotation support plate 21 are supported so as to rotate together. There is. That is, the drive pin 23 is connected to the upper rotary plate 4
It also serves as a support mechanism for detachably supporting 1 on the rotary support plate 21. Further, the pressing pins 42 prevent the substrate W from rising.

【００３６】補助遮蔽板４５は、円板の中心の開口４６
に洗浄機構６０が非接触に挿入配置されている。開口４
６の上端にはプレート４７が延設され、その端部に昇降
駆動手段４８が連設される。昇降駆動手段４８は公知の
シリンダー等により構成され、後述する洗浄機構６０の
支持アームに装着される。The auxiliary shielding plate 45 has an opening 46 at the center of the disc.
The cleaning mechanism 60 is inserted and arranged in a non-contact manner. Opening 4
A plate 47 extends from the upper end of 6, and elevating drive means 48 is connected to the end of the plate 47. The elevating and lowering drive means 48 is composed of a known cylinder or the like, and is attached to a support arm of a cleaning mechanism 60 described later.

【００３７】この構成により、回転支持部２０が回転す
るとその遠心力で処理空間Ｓ内のエアーは排出され、回
転中心に近いほど低圧状態となる。そのため、処理空間
Ｓは補助遮蔽板４５と洗浄機構６０との間隙よりエアー
を吸入する。その際、間隙は吸引されるエアー（気流）
の流れに抵抗を与えて、処理空間Ｓ内に供給されるエア
ーの流量を制限する役目を担っている。そして、エアー
量は処理空間Ｓ内の気圧状態を所望の状態に設定するよ
うに予め調整される。処理空間Ｓは、基板Ｗを挟んで下
部と上部に区画され、上部に流入するエアー流量を規定
することで上部の気圧を設定し、下部に流入するエアー
流量を規定することで下部の気圧を設定する。この基板
Ｗの上部と下部の気圧の設定で基板Ｗの回転処理中の浮
き上がりや波打ちが抑制される。With this configuration, when the rotation support portion 20 rotates, the air in the processing space S is discharged by the centrifugal force, and the pressure becomes lower nearer the center of rotation. Therefore, the processing space S draws in air through the gap between the auxiliary shielding plate 45 and the cleaning mechanism 60. At that time, the gap is sucked air (air flow)
To provide a resistance to the flow and to limit the flow rate of the air supplied into the processing space S. Then, the air amount is adjusted in advance so as to set the atmospheric pressure state in the processing space S to a desired state. The processing space S is divided into a lower portion and an upper portion with the substrate W sandwiched therebetween. The air pressure in the upper portion is set by defining the air flow rate flowing into the upper portion, and the lower atmosphere pressure is set by defining the air flow rate flowing into the lower portion. Set. By setting the atmospheric pressures above and below the substrate W, floating and waviness during the rotation processing of the substrate W are suppressed.

【００３８】カップ部５０は、処理室１２側壁とケーシ
ング３８との間に配置される。そして、回転支持板２１
と上部回転板４１との外周端に臨んで開口したリング状
の排気カップ５１で構成され、以下の排液・排気構造を
含む。排気カップ５１の底面５１ａに円筒状の仕切り壁
５２が立設されていて、この仕切り壁５２によって各々
平面視で略ドーナツ形状の第１の排液槽５３ａ、第２の
排液槽５３ｂが形成され、その内部空間が排液と排気を
兼ねる。The cup portion 50 is arranged between the side wall of the processing chamber 12 and the casing 38. Then, the rotation support plate 21
And a ring-shaped exhaust cup 51 that is open to the outer peripheral edge of the upper rotary plate 41 and includes the following drainage / exhaust structure. A cylindrical partition wall 52 is erected on the bottom surface 51a of the exhaust cup 51, and the partition wall 52 forms a first drainage tank 53a and a second drainage tank 53b that are substantially donut-shaped in a plan view. The internal space serves as both drainage and exhaust.

【００３９】次に図４と図５を参照して更に詳細に説明
する。図４は排気カップ５１の平面図、図５は排気カッ
プ５１の一部断面側面図である。第１の排液槽５３ａの
底面５１ａには廃棄ドレインにより排液・排気手段５０
０に連通接続された第１の排液口５４ａが設けらてい
る。この第１の排液口５４ａの基板Ｗ回転方向Ｆの下流
側には第１の排気口５５ａが設けられおり排液・排気手
段５００に連通接続される。この第１の排気口５５ａの
上方を覆うように第１のスカート部５６ａが配設され
る。Next, a more detailed description will be given with reference to FIGS. 4 and 5. FIG. 4 is a plan view of the exhaust cup 51, and FIG. 5 is a partial cross-sectional side view of the exhaust cup 51. A drainage drain 50 is provided on the bottom surface 51a of the first drainage tank 53a by a waste drain.
A first drainage port 54a connected to 0 is provided. A first exhaust port 55a is provided on the downstream side of the first drain port 54a in the rotation direction F of the substrate W, and is connected to the drain / exhaust means 500 for communication. A first skirt portion 56a is arranged so as to cover the upper side of the first exhaust port 55a.

【００４０】第１のスカート部５６ａは、排気カップ５
１の内周壁５１ｂと仕切り壁５２との間に渡って配設さ
れ、第１の排気口５５ａの上方から基板回転方向Ｆの下
流側に向かって下方へ傾斜し、その下端が次の第１の排
液口５４１ａが開口される底面５１ａの上流側に連接し
て配設される。すなわち、第１のスカート部５６ａは第
１の排液槽５３ａの形状に沿って円弧を描くように湾曲
され、基板回転方向Ｆに沿って上流側から下流側へ向か
って下方へ傾斜している。The first skirt portion 56a is provided with the exhaust cup 5
1 is disposed between the inner peripheral wall 51b and the partition wall 52, is inclined downward from above the first exhaust port 55a toward the downstream side in the substrate rotation direction F, and its lower end is the next first The drainage port 541a is connected to the upstream side of the bottom surface 51a where it is opened. That is, the first skirt portion 56a is curved so as to draw an arc along the shape of the first drainage tank 53a, and is inclined downward from the upstream side to the downstream side along the substrate rotation direction F. .

【００４１】このような第１のスカート部５６ａは、第
１の排液槽５３ａの全周において、円周方向に４個（５
６ａ、５６１ａ、５６２ａ、５６３ａ）配置され、それ
に応じて第１の排液口５４ａと、第１の排気口５５ａが
同じ位置配置で構成される。以上の構成により、基板Ｗ
の処理に伴って発生するミスト等の渦流は、回転支持板
２１が基板回転方向Ｆに旋回して、各第１のスカート部
５６ａに案内されて旋回流として第１の排液槽５３ａの
内部を下方へ流れる。そして、排気カップ５１に底面５
１ａでまず第１の排液口５４ａ にて気液混合流体の液
体成分が回収され、気体成分は下流側へと進み、下流側
に配設された第１の排気口５５ａ から排気される。こ
の時、第１の排気口５５ａの上方は第１のスカート部５
６ａで覆われているので、落下してくる液体成分が直
接、進入することはなく、気液混合流体は旋回されて、
底部で良好に気液分離される。Four such first skirts 56a are arranged in the circumferential direction (5 in the entire circumference of the first drainage tank 53a).
6a, 561a, 562a, 563a), and accordingly, the first drain port 54a and the first exhaust port 55a are arranged in the same position. With the above configuration, the substrate W
The vortex flow such as mist generated in accordance with the process 1) is swung in the substrate rotation direction F by the rotation support plate 21 and guided by each first skirt portion 56a to generate a swirl flow inside the first drainage tank 53a. Flow downwards. Then, the bottom surface 5 is attached to the exhaust cup 51.
In 1a, first, the liquid component of the gas-liquid mixed fluid is recovered at the first drain port 54a, the gas component proceeds to the downstream side, and is exhausted from the first exhaust port 55a provided at the downstream side. At this time, the first skirt portion 5 is located above the first exhaust port 55a.
Since it is covered with 6a, the falling liquid component does not directly enter, and the gas-liquid mixed fluid is swirled,
Good gas-liquid separation at the bottom.

【００４２】第２の排液槽５３ｂは、第１の排液槽５３
ａと同様の構成で、その全周において第２のスカート部
５６ｂが円周方向に４個（５６ｂ、５６１ｂ、５６２
ｂ、５６３ｂ）配置され、それに応じて第２の排液口５
４ｂと、第２の排気口５５ｂが同じ位置配置で構成され
る。一方、第２の排液槽５３ｂは、第１の排液槽５３ａ
の外周に位置するので、その底面の形状が半径方向に大
きくなる。そのため、第２の排気口５５ｂの上流側に第
２の排液口５４ｂ、５４ｃと２個配置することで、より
液体成分の分離回収を確実な構成としている。以上の構
成により、基板Ｗの処理に伴って発生するミスト等の渦
流は、各第２のスカート部５６ｂに案内されて旋回流と
して、排気カップ５１に底面でまず第２の排液口５４
ｂ、５４ｃにて気液混合流体の液体成分が回収され、気
体成分は下流側の第２の排気口５５ｂ から排気され
る。The second drainage tank 53b is the first drainage tank 53.
With the same configuration as that of a, four second skirts 56b (56b, 561b, 562) are provided in the circumferential direction on the entire circumference.
b, 563b) arranged accordingly and the second drain 5
4b and the second exhaust port 55b are arranged in the same position. On the other hand, the second drainage tank 53b is the first drainage tank 53a.
Since it is located on the outer periphery of the, the shape of its bottom surface becomes large in the radial direction. Therefore, by arranging two second drain ports 54b and 54c on the upstream side of the second exhaust port 55b, the liquid component can be separated and collected more reliably. With the above configuration, the vortex flow such as mist generated during the processing of the substrate W is guided by each of the second skirt portions 56b and becomes a swirl flow, and the exhaust cup 51 first has the second drain port 54 at the bottom surface.
The liquid components of the gas-liquid mixed fluid are collected at b and 54c, and the gas components are exhausted from the second exhaust port 55b on the downstream side.

【００４３】図２に戻って、第１、第２の排液槽５３
ａ、５３ｂの上方には、回転支持板２１及びそれによっ
て保持された基板Ｗの周縁の周囲を包囲するように、軸
芯Ｊに対して略回転対称な形状を有する筒状の周囲案内
部材５７（スプラッシュガード）が昇降自在に設けられ
ている。周囲案内部材５７は、その外壁面で支持部材５
８を介して昇降機構５９に支持されている。この昇降機
構５９は、図示しないモーターを駆動することにより昇
降され、これに伴って周囲案内部材５７が回転支持板２
１に対して昇降されるようになっている。そして、図７
に示すように、この昇降制御は、制御部４００によって
行われるように構成されている。Returning to FIG. 2, the first and second drainage tanks 53
Above the a and 53b, a cylindrical peripheral guide member 57 having a shape substantially rotationally symmetrical with respect to the axis J so as to surround the periphery of the rotation support plate 21 and the substrate W held thereby. (Splash guard) is provided so that it can be raised and lowered. The peripheral guide member 57 has a support member 5 on its outer wall surface.
It is supported by the elevating mechanism 59 via 8. The elevating mechanism 59 is moved up and down by driving a motor (not shown), and along with this, the surrounding guide member 57 causes the rotation support plate 2 to move.
It can be moved up and down with respect to 1. And FIG.
As shown in FIG. 5, the raising / lowering control is configured to be performed by the control unit 400.

【００４４】周囲案内部材５７は、軸芯Ｊに対して回転
対称な形状を有する内壁面を有している。この内壁面に
は、傾斜面が形成され下端部には垂下して形成される。
周囲案内部材５７の下端には円周方向に、円環状の溝５
７ａが形成されていている。この溝５７ａが仕切り壁５
２に嵌入している。この周囲案内部材５７は、回転支持
板２１に保持された基板Ｗの高さに位置しているとき、
すなわち、昇降機構５９で上昇されたとき、回転される
基板Ｗから振り切られる洗浄液が傾斜面で受け止めら
れ、第１の排液槽５３ａに導かれる。The peripheral guide member 57 has an inner wall surface that is rotationally symmetric with respect to the axis J. An inclined surface is formed on the inner wall surface, and a lower surface is formed so as to hang down.
At the lower end of the peripheral guide member 57, the circular groove 5 is formed in the circumferential direction.
7a is formed. This groove 57a is the partition wall 5
It fits in 2. When the peripheral guide member 57 is located at the height of the substrate W held by the rotation support plate 21,
That is, when the lifting mechanism 59 raises the cleaning liquid, the cleaning liquid shaken off from the rotated substrate W is received by the inclined surface and guided to the first drainage tank 53a.

【００４５】一方、周囲案内部材５７の上端は、上方に
向かうほど径が小さくなるように形成されている。そし
て、基板Ｗの周縁が周囲案内部材５７の上方に位置する
とき、すなわち、昇降機構５９で下降されたとき、回転
される基板Ｗから降り注ぐ洗浄液が周囲案内部材５７の
外壁面で受け止められ、第２の排液槽５３ｂに導かれる
ことになる。On the other hand, the upper end of the peripheral guide member 57 is formed so that its diameter becomes smaller as it goes upward. Then, when the peripheral edge of the substrate W is located above the peripheral guide member 57, that is, when the substrate W is lowered by the elevating mechanism 59, the cleaning liquid pouring from the rotated substrate W is received by the outer wall surface of the peripheral guide member 57, and It will be guided to the second drainage tank 53b.

【００４６】昇降機構５９は、ボールネジなどの周知の
１軸方向駆動機構（図示せず）を備えていて、この１軸
方向駆動機構で支持部材５８を昇降させることで、周囲
案内部材５７を昇降させるように構成している。また、
周囲案内部材５７の各々の高さ位置に対応する昇降機構
５９の高さ位置には、反射型の光センサ（いずれも図示
せず）などで構成される昇降検出用のセンサが配設さ
れ、これらセンサからの検出信号に基づき、モーターが
駆動制御され周囲案内部材５７が各高さ位置に位置させ
るように構成されている。The elevating mechanism 59 includes a well-known uniaxial driving mechanism (not shown) such as a ball screw, and the uniaxial driving mechanism elevates and lowers the support member 58 to elevate the peripheral guide member 57. It is configured to let. Also,
At the height position of the elevating mechanism 59 corresponding to the height position of each of the surrounding guide members 57, a sensor for elevation detection including a reflection type optical sensor (neither is shown) or the like is provided. The motor is drive-controlled based on the detection signals from these sensors, and the surrounding guide member 57 is positioned at each height position.

【００４７】このカップ部５０から飛散するミストを含
んだ雰囲気が、処理室１２内で特に上部遮蔽部４０の上
方へ浮遊しないように仕切手段３００が配置される。仕
切手段３００は、図３にその全体を示すように円筒体３
０１より構成される。円筒体３０１の大きさは、図２に
示すようにその下端が、上部回転板４１が回転支持板２
１上に載置された状態で、上部回転板４１の外周縁の上
面に近接する。そして、円筒体３０１の上端は、処理室
１２の上部開口位置である上壁１４よりも突出する長さ
を有する。そして、その上端が後述する昇降機構８０に
連設し支持される。The partition means 300 is arranged so that the atmosphere containing the mist scattered from the cup portion 50 does not float above the upper shielding portion 40 in the processing chamber 12. The partition means 300 has a cylindrical body 3 as shown in FIG.
It is composed of 01. As for the size of the cylindrical body 301, as shown in FIG.
The upper rotary plate 41 is placed on the upper surface of the upper rotary plate 41 and approaches the upper surface of the outer peripheral edge of the upper rotary plate 41. The upper end of the cylindrical body 301 has a length that protrudes beyond the upper wall 14 that is the upper opening position of the processing chamber 12. Then, the upper end thereof is continuously provided and supported by an elevating mechanism 80 described later.

【００４８】この仕切手段３００によって、上部遮蔽部
４０の上方空間は、処理室１２内の残りの空間であるカ
ップ部５０とカップ部５０の上方の空間と遮蔽されるこ
ととなる。よって、処理空間Ｓから排出された洗浄液が
カップ部５０からミストとして浮遊しても、円筒体３０
１により遮蔽され上部回転板４１に付着することや、上
部回転板４１の開口４１ａと、補助遮蔽板４５の開口４
６とから処理空間Ｓ内に吸引されて基板Ｗを汚染するこ
とが防止される。すなわち、仕切手段３００が処理室１
２内に空間を、上部遮蔽部４０の上方を第一空間Ａ２と
して、残りの空間を第二空間Ａ３として遮蔽する機能を
有する。また、カップ部５０の下部でベース部材１３と
の間は、排液・排気手段５００が連接する第三空間Ａ４
が形成される。The partition means 300 shields the upper space of the upper shield 40 from the cup 50 and the space above the cup 50, which is the remaining space in the processing chamber 12. Therefore, even if the cleaning liquid discharged from the processing space S floats from the cup portion 50 as mist, the cylindrical body 30
1 is shielded by 1 and adheres to the upper rotary plate 41, the opening 41a of the upper rotary plate 41 and the opening 4 of the auxiliary shield plate 45.
6 is prevented from being sucked into the processing space S and contaminating the substrate W. That is, the partition means 300 is the processing chamber 1.
2 has a function of shielding the space as the first space A2 above the upper shielding portion 40 and the remaining space as the second space A3. A third space A4 in which the drainage / exhaust means 500 is connected is provided between the lower portion of the cup portion 50 and the base member 13.
Is formed.

【００４９】また、処理室１２の壁面には、符号１５で
示す基板搬入出口が形成される。基板搬入出口１５は、
上部回転板４１が上昇し周囲案内部材５７が下降する
と、回転支持板２１が基板搬入出口１５に臨むことによ
り基板Ｗを外部から搬入可能となる。On the wall surface of the processing chamber 12, a substrate loading / unloading port indicated by reference numeral 15 is formed. The substrate loading / unloading port 15
When the upper rotary plate 41 rises and the peripheral guide member 57 descends, the rotation support plate 21 faces the substrate loading / unloading port 15 so that the substrate W can be loaded from the outside.

【００５０】次に、上室１１内を説明する。上室１１
は、処理室１２の上壁１４により区画され、この上壁１
４の上面を利用して以下の機構が設置される。まず、補
助遮蔽板４５の開口４６に臨む洗浄機構６０と、図６に
示すように上部遮蔽部４０を挟んで対角線上に超音波洗
浄機構７０が配置される。洗浄機構６０は、液ノズル６
１が支持アーム６２に支持され、支持アーム６２は接離
機構６３によって旋回及び昇降される。この支持アーム
６２の昇降によって、基板Ｗに対して液ノズル６１が接
離され、旋回によって上部遮蔽部４０の中心位置（図２
の状態）と側部の待機位置（図６の状態）との間で旋回
するように構成されている。このような接離動を実現す
る接離機構６３は、螺軸などを用いた機構や、あるい
は、エアシリンダなどで構成されている。この時、補助
遮蔽板４５も同時に昇降および旋回を行うが、補助遮蔽
板４５は昇降駆動機構４８により独立して液ノズル６１
に沿って昇降可能とされる。Next, the inside of the upper chamber 11 will be described. Upper chamber 11
Is partitioned by the upper wall 14 of the processing chamber 12, and the upper wall 1
The following mechanism is installed using the upper surface of No. 4. First, the cleaning mechanism 60 facing the opening 46 of the auxiliary shielding plate 45 and the ultrasonic cleaning mechanism 70 are arranged diagonally across the upper shielding portion 40 as shown in FIG. The cleaning mechanism 60 includes the liquid nozzle 6
1 is supported by the support arm 62, and the support arm 62 is swung and raised / lowered by the contact / separation mechanism 63. As the support arm 62 is moved up and down, the liquid nozzle 61 is brought into contact with and separated from the substrate W, and the center position of the upper shielding part 40 (see FIG.
6) and a side standby position (state of FIG. 6). The contact / separation mechanism 63 that realizes such contact / separation movement is configured by a mechanism using a screw shaft or the like, or an air cylinder or the like. At this time, the auxiliary shield plate 45 also moves up and down and turns at the same time, but the auxiliary shield plate 45 is independently moved by the lift drive mechanism 48.
It is possible to go up and down along.

【００５１】液ノズル６１の中空部には、液供給管６４
が貫通され、その下端部から回転支持板２１に保持され
た基板Ｗの上面の回転中心付近に処理液を供給できるよ
うに構成されている。液供給管６４は配管２０５に連通
接続されている。この配管２０５の基端部は分岐されて
いて、一方の分岐配管２４２には薬液供給源２２２が連
通接続され、他方の分岐配管２４３には純水供給源２２
３が連通接続されている。各分岐配管２４２、２４３に
は開閉弁２３２、２３３が設けられていて、これら開閉
弁２３２、２３３の開閉を切り換えることで、液ノズル
６１から薬液と純水とを選択的に切り換えて供給でき
る。A liquid supply pipe 64 is provided in the hollow portion of the liquid nozzle 61.
Is penetrated through, and the processing liquid can be supplied from the lower end thereof to the vicinity of the rotation center of the upper surface of the substrate W held by the rotation support plate 21. The liquid supply pipe 64 is connected in communication with the pipe 205. The base end of the pipe 205 is branched, the chemical liquid supply source 222 is connected to one branch pipe 242, and the pure water supply source 22 is connected to the other branch pipe 243.
3 are connected for communication. Open / close valves 232, 233 are provided in each of the branch pipes 242, 243. By switching the open / close of these open / close valves 232, 233, it is possible to selectively switch the chemical liquid and the pure water from the liquid nozzle 61 to supply.

【００５２】また、液ノズル６１の内周面と液供給管６
４の外周面との間の隙間は、気体供給路６５となってい
る。この気体供給路６５は、開閉弁２３４が設けられた
配管２０６を介して気体供給源２２４に連通接続されて
いて、気体供給路６５の下端部から上部回転板４１と基
板Ｗの上面との処理空間Ｓに清浄な気体を供給できるよ
うに構成されている。Further, the inner peripheral surface of the liquid nozzle 61 and the liquid supply pipe 6
The gap between the outer peripheral surface of No. 4 and the outer peripheral surface of No. 4 is a gas supply passage 65. The gas supply path 65 is connected to a gas supply source 224 through a pipe 206 provided with an opening / closing valve 234, and the upper rotary plate 41 and the upper surface of the substrate W are processed from the lower end of the gas supply path 65. It is configured so that a clean gas can be supplied to the space S.

【００５３】超音波洗浄機構７０は、図６に示すよう
に、接離機構７１と、接離機構７１の側部から延設され
る支持アーム７２と、支持アーム７２の先端に２個の超
音波ノズル７３が支持される。この構成により支持アー
ム７２は接離機構７１によって接離機構７１の回動中心
７４を中心に旋回及び昇降される。この支持アーム７２
の昇降によって、基板Ｗに対して超音波ノズル７３が接
離され、旋回によって上部回転板４１の中心位置（図６
の状態）と側部の待機位置（図２の状態）との間で旋回
するように構成されている。As shown in FIG. 6, the ultrasonic cleaning mechanism 70 includes a contacting / separating mechanism 71, a support arm 72 extending from the side of the contacting / separating mechanism 71, and two supporting arms 72 at the tip thereof. The sonic nozzle 73 is supported. With this configuration, the support arm 72 is swung and raised / lowered by the contact / separation mechanism 71 about the rotation center 74 of the contact / separation mechanism 71. This support arm 72
The ultrasonic nozzle 73 is brought into and out of contact with the substrate W by moving up and down, and by turning, the center position of the upper rotary plate 41 (see FIG. 6).
2) and the side standby position (state of FIG. 2).

【００５４】さらに、支持アーム７２の先端の超音波ノ
ズル７３を保持する保持片７５はその大きさが上部回転
板４１の開口４１ａの直径より少し短尺に形成され、開
口４１ａより進入した状態で支持アーム７２が開口４１
ａの直径分の長さ旋回することで、保持片７５が基板Ｗ
の表面に対向した状態で超音波ノズル７３を走査する。Further, the holding piece 75 for holding the ultrasonic nozzle 73 at the tip of the support arm 72 is formed so that its size is slightly shorter than the diameter of the opening 41a of the upper rotary plate 41, and is supported in a state of entering from the opening 41a. Arm 72 has opening 41
When the holding piece 75 is rotated by a length corresponding to the diameter of a, the holding piece 75
The ultrasonic nozzle 73 is scanned while facing the surface of the.

【００５５】また、保持片７５が基板Ｗと上部回転板４
１との間に進入するには、支持アーム７２が開口４１ａ
の立壁４１ｂに近接して旋回を停止することで、開口４
１ａを保持片７５が通過可能とする。そして、保持片７
５が支持アーム７２の旋回方向に直角に形成され、支持
アーム７２が基板Ｗの回転中心Ｐから立壁４１ｂまで旋
回することで、保持片７５の先端は基板Ｗの回転軌跡Ｗ
１まで移動することができる。その結果、超音波ノズル
７３が基板Ｗの半径方向を走査して、基板Ｗが回転する
ことで、基板Ｗ全面を洗浄する。Further, the holding piece 75 is composed of the substrate W and the upper rotary plate 4.
In order to enter between the support arm 72 and the opening 41a,
By stopping the turning in the vicinity of the standing wall 41b of the
The holding piece 75 can pass through 1a. And the holding piece 7
5 is formed at right angles to the rotation direction of the support arm 72, and the support arm 72 rotates from the rotation center P of the substrate W to the standing wall 41b, whereby the tip of the holding piece 75 is rotated along the trajectory W of the substrate W.
You can move up to 1. As a result, the ultrasonic nozzle 73 scans the substrate W in the radial direction, and the substrate W rotates to clean the entire surface of the substrate W.

【００５６】次に、上部回遮蔽部４０の昇降機構８０に
ついて説明する。昇降機構８０は、上部回転板４１の上
面に上方に張り出し設置されたＴ字状の係合部８１と、
この係合部８１の上部鍔部８１ａに連結された昇降駆動
手段８２とから構成されている。この昇降駆動手段８２
はシリンダー８３によりバー８４が上下動することでア
ーム８５が昇降する。アーム８５の先端は、係合部８１
の上部鍔部８１ａが係合される。この構成でアーム８５
が上部鍔部８１ａに当接して上下動することにより、回
転支持板２１に支持される処理位置と、基板Ｗの搬入・
搬出を許容する上方の退避位置とにわたって上部回転板
４１が移動するようになっている。Next, the elevating mechanism 80 of the upper turn shielding portion 40 will be described. The elevating mechanism 80 includes a T-shaped engaging portion 81 that is installed on the upper surface of the upper rotary plate 41 so as to project upward.
The engaging portion 81 is composed of an up-and-down driving means 82 connected to the upper brim portion 81a. This lifting drive means 82
The bar 85 moves up and down by the cylinder 83, so that the arm 85 moves up and down. The tip of the arm 85 has an engaging portion 81.
The upper brim portion 81a of is engaged. Arm 85 with this configuration
Comes into contact with the upper flange 81a and moves up and down, so that the processing position supported by the rotation support plate 21 and the loading / unloading of the substrate W are performed.
The upper rotary plate 41 is adapted to move to an upper retracted position that allows the carry-out.

【００５７】尚、図２では、２つの昇降駆動手段８２が
開示されているが、図３に示すように上部回転板２１の
上面で等間隔に４つの係合部８１が配置され、それに対
応して４つの昇降駆動手段８２が配置される。そして上
部回転板４１の回転停止位置の制御により、係合部８１
とアーム８５が係合される。また、バー８４には、仕切
手段３００の円筒体３０１の上端が接続される。よっ
て、上部回転板４１の昇降とともに円筒体３０１も上部
回転板４１との位置関係を保ちながら昇降する。Note that, although FIG. 2 discloses two elevating and lowering drive means 82, as shown in FIG. 3, four engaging portions 81 are arranged at equal intervals on the upper surface of the upper rotary plate 21 and correspond thereto. Then, the four lifting drive means 82 are arranged. Then, the engagement portion 81 is controlled by controlling the rotation stop position of the upper rotary plate 41.
And the arm 85 is engaged. The upper end of the cylindrical body 301 of the partition means 300 is connected to the bar 84. Therefore, as the upper rotary plate 41 moves up and down, the cylindrical body 301 also moves up and down while maintaining the positional relationship with the upper rotary plate 41.

【００５８】さらに、上室１１の天井には本発明の送風
手段としての送風機構９０が配置される。この送風機構
９０は、上部回転板４１に対向してファンフィルタユニ
ット９１と、例えばステンレス鋼板に多数の小孔を開け
た、いわゆるパンチングプレートであって、中心側に開
口９２ａが形成された流路抵抗部材９２とで構成され
る。この流路抵抗部材９２は、その外周縁は上室１１の
内壁面に接続され、この流路抵抗部材９２が上室１１内
を略２分することで、排液・排気手段５００による排気
に伴う負圧に応じて、引き込まれるエアー（気流）を制
限するとともに流れを与えて、ファンフィルタユニット
９１によるダウンフローを処理室１２へ積極的に送風す
る役目を担っている。この流路抵抗部材５７の開口９２
ａは、その開口９２ａより超音波洗浄機構７０や洗浄機
構６０が処理室１２側へ進入する。よって、この流路抵
抗部材５７より上部には、第２空間Ａ２とは遮蔽された
空間Ａ１が形成される。Further, an air blowing mechanism 90 as the air blowing means of the present invention is arranged on the ceiling of the upper chamber 11. The blower mechanism 90 is a fan filter unit 91 facing the upper rotary plate 41 and a so-called punching plate in which a large number of small holes are formed in, for example, a stainless steel plate, and a flow path having an opening 92a formed in the center side. And a resistance member 92. The outer peripheral edge of the flow path resistance member 92 is connected to the inner wall surface of the upper chamber 11, and the flow path resistance member 92 divides the interior of the upper chamber 11 into approximately two parts so that the drainage / exhaust means 500 can perform exhaust. In accordance with the accompanying negative pressure, it restricts the air (air flow) to be drawn in and gives a flow to positively blow the downflow by the fan filter unit 91 to the processing chamber 12. The opening 92 of the flow path resistance member 57
In a, the ultrasonic cleaning mechanism 70 and the cleaning mechanism 60 enter the processing chamber 12 side through the opening 92a. Therefore, the space A1 shielded from the second space A2 is formed above the flow path resistance member 57.

【００５９】なお、流路抵抗部材９２は本実施例のよう
なパンチングプレートに限らず、例えば複数枚の板材を
鉛直方向に傾斜させて近接配置したものであってもよ
く、好ましくは、このような板材の傾斜角度を変えるこ
とにより、流路抵抗を可変するようにしてもよい。そし
て、The flow path resistance member 92 is not limited to the punching plate as in this embodiment, but may be, for example, a plurality of plate members inclined in the vertical direction and arranged in proximity to each other. The flow path resistance may be changed by changing the inclination angle of the plate material. And

【００６０】図７は、本装置の制御系の構成を示すブロ
ック図であり、回転支持板２１を回転制御するためのモ
ータ３３と、薬液供給源２２２と純水供給源２２３と気
体供給源２２４からの薬液、純水、気体の供給制御をす
るための開閉弁２１２、２１３、２１４、２３２、２３
３、２３４と、上部回転板４１と仕切手段３００の昇降
制御をするための昇降機構８０と、洗浄機構６０と補助
遮蔽板４５の旋回及び接離制御をするための接離機構６
３と、超音波ノズル７３を旋回及び接離制御をするため
の接離機構７１と、周囲案内部材５７を昇降制御するた
めの昇降機構５９と、ファンフィルタユニット９１と排
液・排気手段５００を駆動することでハウジング１０内
の気流と、を制御部４００によって制御するための構成
が示されている。FIG. 7 is a block diagram showing the configuration of the control system of this apparatus, which is a motor 33 for controlling the rotation of the rotation support plate 21, a chemical liquid supply source 222, a pure water supply source 223, and a gas supply source 224. Open / close valves 212, 213, 214, 232, 23 for controlling the supply of chemicals, pure water and gas from
3, 234, an elevating mechanism 80 for controlling elevation of the upper rotary plate 41 and the partition means 300, and a contacting / separating mechanism 6 for controlling rotation and contact / separation of the cleaning mechanism 60 and the auxiliary shielding plate 45.
3, a contact / separation mechanism 71 for controlling the rotation and contact / separation of the ultrasonic nozzle 73, an elevating mechanism 59 for elevating and lowering the surrounding guide member 57, a fan filter unit 91 and a drainage / exhaust means 500. The structure for controlling the air flow in the housing 10 by driving is shown by the control unit 400.

【００６１】制御部４００には、周囲案内部材５７が各
高さに位置したことを検出するセンサからの出力信号が
与えられており、これらのセンサの出力に基づいて、制
御部４００は昇降機構５９を制御して、周囲案内部材５
７を所望の高さに位置させるように制御している。そし
て、制御部４００には、基板Ｗに応じた洗浄条件が、洗
浄プログラム（レシピーとも呼ばれる）として予め制御
部４００に格納されており、各基板Ｗごとの洗浄プログ
ラムに準じて前記各部が制御されている。なお、制御部
４００には、さらに洗浄プログラムの作成・変更や、複
数の洗浄プログラムの中から所望のものを選択するため
に用いる指示部４０１が接続されている。The control section 400 is provided with output signals from sensors for detecting that the surrounding guide member 57 is positioned at each height. Based on the outputs of these sensors, the control section 400 moves up and down. 59 to control the surrounding guide member 5
7 is controlled to be positioned at a desired height. Then, in the control unit 400, the cleaning conditions according to the substrate W are stored in advance in the control unit 400 as a cleaning program (also called a recipe), and the respective units are controlled according to the cleaning program for each substrate W. ing. The control unit 400 is further connected to an instruction unit 401 used for creating / changing a cleaning program and selecting a desired one from a plurality of cleaning programs.

【００６２】次に、以上のような構成を有する装置の動
作を図８（ａ）ないし図８（ｄ）を参照して説明する。
図８（ａ）は基板Ｗの薬液処理状態を示し、図８（ｂ）
はリンス処理の状態、図８（ｃ）は超音波洗浄の状態、
図８（ｄ）は乾燥処理の状態を示している。なお、一例
として、基板Ｗは表裏面をエッチングして洗浄する処理
を施すことを目的としているものとして説明する。Next, the operation of the apparatus having the above structure will be described with reference to FIGS. 8 (a) to 8 (d).
FIG. 8A shows a chemical treatment state of the substrate W, and FIG.
Shows the state of rinse treatment, FIG. 8 (c) shows the state of ultrasonic cleaning,
FIG. 8D shows the state of the drying process. Note that, as an example, the description will be given assuming that the substrate W is intended to be subjected to a process of etching and cleaning the front and back surfaces.

【００６３】処理工程の全体の流れについて以下に概説
する。まず、所定の基板Ｗに応じた洗浄プログラムを指
示部４０１から選択して実行する。そうすると、制御部
４００は基板Ｗが本実施例装置２に搬入されるとき、上
部回転板４１と液ノズル６１は上方の退避位置とされ
る。そして、昇降機構５９を制御して、周囲案内部材５
７を下降させて、回転支持板２１を周囲案内部材５７の
上方に位置させる。こうして、上部回転板４１と回転支
持板２１との間に、基板Ｗの搬入経路が確保される。基
板搬入出口１５を介して基板搬送装置７で搬送されてき
た基板Ｗは、駆動ピン２３によって受け持ち支持され
る。基板搬送装置７の搬送アーム６が処理装置２内に入
り込み、駆動ピン２３の上に未処理の基板Ｗを置き、そ
の後、処理装置２外に退避する。The overall flow of the processing steps will be outlined below. First, a cleaning program corresponding to a predetermined substrate W is selected from the instruction unit 401 and executed. Then, when the substrate W is loaded into the apparatus 2 of the present embodiment, the control unit 400 sets the upper rotary plate 41 and the liquid nozzle 61 to the upper retracted position. Then, by controlling the lifting mechanism 59, the surrounding guide member 5
7 is lowered to position the rotation support plate 21 above the peripheral guide member 57. In this way, a loading path for the substrate W is secured between the upper rotary plate 41 and the rotary support plate 21. The substrate W transported by the substrate transport device 7 through the substrate loading / unloading port 15 is supported and supported by the drive pin 23. The transfer arm 6 of the substrate transfer apparatus 7 enters into the processing apparatus 2, the unprocessed substrate W is placed on the drive pins 23, and then the processing apparatus 2 is evacuated.

【００６４】続いて、基板Ｗの受け取りが終わると、図
８（ａ）に示すように、制御部４００は、上部回転板４
１を離間位置のままで、周囲案内部材５７を上昇させ
て、回転支持板２１に保持された基板Ｗの周縁に対向す
る高さに周囲案内部材５７を位置させる。この時、仕切
手段３００の円筒体３０１は、上部回転板４１の上昇と
連動して上昇される。よって、第二空間Ａ２は狭くなる
が、第三空間Ａ３は円筒体３０１によって遮蔽される状
態が維持される。Subsequently, when the substrate W is completely received, the control section 400 controls the upper rotary plate 4 as shown in FIG.
The peripheral guide member 57 is lifted while keeping 1 in the separated position to position the peripheral guide member 57 at a height facing the peripheral edge of the substrate W held by the rotation support plate 21. At this time, the cylindrical body 301 of the partition means 300 is raised in association with the rise of the upper rotary plate 41. Therefore, the second space A2 is narrowed, but the third space A3 is maintained in a state of being shielded by the cylindrical body 301.

【００６５】次いで、この状態で、接離機構６３を制御
し、液ノズル６１を旋回し、開口部４１ａの上方から下
降させ基板Ｗ表面上に配置する。液ノズル３４、６１か
ら薬液を基板Ｗの上下面に供給して薬液処理を開始す
る。すなわち、開閉弁２１２、２３２を開成することに
より、液ノズル３４、６１から洗浄用薬液としてのエッ
チング液を吐出させる。なお、補助遮蔽板４５は昇降駆
動機構４８を伸縮して上方に位置させる。Next, in this state, the contact / separation mechanism 63 is controlled to swirl the liquid nozzle 61 and lower the liquid nozzle 61 from above the opening 41a to place it on the surface of the substrate W. The chemical liquid is supplied to the upper and lower surfaces of the substrate W from the liquid nozzles 34 and 61 to start the chemical liquid treatment. That is, by opening the on-off valves 212 and 232, the etching liquid as the cleaning chemical liquid is discharged from the liquid nozzles 34 and 61. The auxiliary shield plate 45 expands and contracts the elevation drive mechanism 48 to position it above.

【００６６】さらに、制御部４００は、駆動制御信号を
与え、モータ３３を回転させる。これにより、筒軸３１
が回転され、回転支持板２１が一体的に回転することに
なる。したがって、回転支持板２１に保持されている基
板Ｗは、水平に保持された状態で回転されることにな
る。これにより、基板Ｗの表裏面の中央に向けてエッチ
ング液が至近距離から供給される。供給されたエッチン
グ液は、基板Ｗの回転に伴う遠心力によって回転半径方
向外方側へと導かれるので、結果として、基板Ｗの表裏
面の全域に対して隈無く薬液洗浄を行うことができる。Further, the control section 400 gives a drive control signal to rotate the motor 33. Thereby, the cylinder shaft 31
Is rotated, and the rotation support plate 21 rotates integrally. Therefore, the substrate W held by the rotation support plate 21 is rotated while being held horizontally. As a result, the etching liquid is supplied from the closest distance toward the center of the front and back surfaces of the substrate W. The supplied etching liquid is guided to the outer side in the radial direction of rotation by the centrifugal force that accompanies the rotation of the substrate W, and as a result, the entire area of the front and back surfaces of the substrate W can be thoroughly cleaned with the chemical liquid. .

【００６７】この薬液処理の際に、回転される基板Ｗの
周縁から振り切られて周囲に飛散する薬液は、周囲案内
部材５７に案内されて排気カップ５１の第１の排液槽５
３ａで受け止められることになる。この、薬液処理の開
始と同時に、ハウジング１０上部のファンフィルタユニ
ット９１と、カップ部５０下部の排液・排気手段５００
が作動して気流制御を行われる。ファンフィルタユニッ
ト９１からダウンフローが発生し、空間Ａ１から主に開
口９２ａからと流路抵抗部材９２を介して第一空間Ａ２
へ流入する。この流入したダウンフローは上部遮蔽部４
０の開口４１ａから処理空間Ｓに流入し、回転支持部２
０の回転により回転支持板２１と上部回転板４１との外
周開口から第二空間Ａ３へ薬液とともに排出される。こ
の気流はカップ部５０に向かうこととなる。そして、こ
の時、基板Ｗから飛散され排気カップ５１に当たった薬
液の一部はミストとなって浮遊することになるが、第二
空間Ａ３でミストが浮遊しても仕切手段３００が遮蔽す
ることで上部回転板４１の上面にミストが付着すること
や処理空間Ｓに流入することが防止される。During this chemical solution treatment, the chemical solution which is shaken off from the periphery of the rotated substrate W and scattered around is guided by the peripheral guide member 57 and the first drainage tank 5 of the exhaust cup 51.
It will be accepted by 3a. Simultaneously with the start of the chemical liquid treatment, the fan filter unit 91 in the upper part of the housing 10 and the drainage / exhaust means 500 in the lower part of the cup part 50.
Is activated to control the air flow. Downflow is generated from the fan filter unit 91, and mainly from the space A1 through the opening 92a and through the flow path resistance member 92 to the first space A2.
Flow into. This inflowing downflow is the upper shielding part 4
0 through the opening 41a into the processing space S, and the rotation support 2
With the rotation of 0, the chemical solution is discharged from the outer peripheral openings of the rotary support plate 21 and the upper rotary plate 41 into the second space A3. This air flow is directed to the cup section 50. At this time, a part of the chemical liquid scattered from the substrate W and hitting the exhaust cup 51 becomes mist and floats, but the partition means 300 shields even if the mist floats in the second space A3. This prevents mist from adhering to the upper surface of the upper rotary plate 41 and from flowing into the processing space S.

【００６８】この基板Ｗの処理に伴って発生するミスト
等の渦流は、カップ部５９内で第１の排液槽５３ａの全
周において、第１のスカート部５６ａ （５６１ａ、５
６２ａ、５６３ａ）に案内されて旋回流として第１の排
液槽５３ａの内部を下方へ流れる。そして、排気カップ
５１の底面５１ａでまず第１の排液口５４ａ にて気液
混合流体の液体成分が回収され、気体成分は下流側へと
進み、下流側に配設された第１の排気口５５ａ から排
気され良好に気液分離される。また、この時、上部回転
板４１と補助遮蔽板４５が基板Ｗより離間しているの
で、薬液が飛散して上部回転板４１と補助遮蔽板４５に
付着することを防止する。また、この装置では、回転支
持板２１近傍に浮遊するミストがケーシング３８との間
を筒軸３１へ移動したとしても、シール部３９２により
駆動部３０に侵入することが防止される。The eddy current such as mist generated by the processing of the substrate W is formed in the cup portion 59 over the entire circumference of the first drainage tank 53a.
62a, 563a) and flows downward as a swirling flow inside the first drainage tank 53a. Then, on the bottom surface 51a of the exhaust cup 51, first, the liquid component of the gas-liquid mixed fluid is recovered at the first drain port 54a, the gas component advances to the downstream side, and the first exhaust gas disposed on the downstream side. The gas is evacuated from the port 55a, and the gas-liquid separation is performed well. Further, at this time, since the upper rotary plate 41 and the auxiliary shield plate 45 are separated from the substrate W, the chemical solution is prevented from splashing and adhering to the upper rotary plate 41 and the auxiliary shield plate 45. Further, in this apparatus, even if the mist floating near the rotation support plate 21 moves to the cylinder shaft 31 between the mist and the casing 38, the seal portion 392 prevents the mist from entering the drive portion 30.

【００６９】以上の気流制御において重要なことは、空
間Ａ１、第一空間Ａ２、第二空間Ａ３、第三空間Ａ４の
気圧の関係である。すなわち、各空間の気圧がＰ１（Ａ
１）＞Ｐ２（Ａ２）＞Ｐ３（Ａ３）＞Ｐ４（Ａ４）の条
件を満たすようにファンフィルタユニット９１によるダ
ウンフロー流量と、排液・排気手段５００による排気流
量が調整される。この気圧関係により空間Ａ１から第三
空間Ａ４へ向かう気流を生じており、ミストが排気カッ
プ５１へ導かれるように制御されている。こうすること
で、排液・排気手段５００の排気能力を軽減することが
でき、小型な排液・排気手段５００を使用することがで
きる。What is important in the above air flow control is the relationship between the atmospheric pressures of the space A1, the first space A2, the second space A3, and the third space A4. That is, the atmospheric pressure of each space is P1 (A
The downflow flow rate by the fan filter unit 91 and the exhaust flow rate by the drainage / exhaust means 500 are adjusted so that the condition 1)> P2 (A2)> P3 (A3)> P4 (A4) is satisfied. Due to this atmospheric pressure relationship, an air flow is generated from the space A1 toward the third space A4, and the mist is controlled so as to be guided to the exhaust cup 51. By doing so, the exhaust capacity of the drainage / exhaust means 500 can be reduced, and a small drainage / exhaust means 500 can be used.

【００７０】なお、薬液供給源２２２から基板Ｗに供給
されるエッチング液としては、たとえば、ＨＦ、ＢＨＦ
（希フッ酸）、Ｈ３ＰＯ４、ＨＮＯ３、ＨＦ＋Ｈ２Ｏ２
（フッ酸過水）、Ｈ３ＰＯ４＋Ｈ２Ｏ２（リン酸過
水）、Ｈ２ＳＯ４＋ Ｈ２Ｏ２（硫酸過水）、ＨＣｌ＋
Ｈ２Ｏ２（アンモニア過水）、Ｈ３ＰＯ４＋ＣＨ３ＣＯ
ＯＨ＋ＨＮＯ３、ヨウ素＋ヨウ化アンモニウム、しゅう
酸系やクエン酸系の有機酸、ＴＭＡＨ（テトラ・メチル
・アンモニウム・ハイドロオキサイド）やコリンなどの
有機アルカリを例示することができる。The etching liquid supplied from the chemical liquid supply source 222 to the substrate W is, for example, HF or BHF.
(Dilute hydrofluoric acid), H 3 PO 4 , HNO 3 , HF + H 2 O 2
(Hydrofluoric acid / hydrogen peroxide), H 3 PO 4 + H 2 O 2 (phosphoric acid / hydrogen peroxide), H 2 SO 4 + H 2 O 2 (sulfuric acid / hydrogen peroxide), HCl +
H 2 O 2 (ammonia hydrogen peroxide), H 3 PO 4 + CH 3 CO
Examples thereof include OH + HNO 3 , iodine + ammonium iodide, oxalic acid-based or citric acid-based organic acids, and organic alkalis such as TMAH (tetra-methyl-ammonium-hydroxide) and choline.

【００７１】所定の薬液洗浄処理時間が経過すると、液
ノズル３４、６１からのエッチング液の供給を停止す
る。続いて、制御部４００は昇降機構８０を制御して、
図８（ｂ）に示すように上部回転板４１を下降させる。
これにより、退避位置にあった上部回転板４１が処理位
置にまで下降移動し、上部回転板４１の押えピン４２が
回転支持板２１の駆動ピン２３に嵌合連結される。この
状態で開閉弁２１２、２３２を閉成して薬液処理過程を
終了するとともに、開閉弁２１３、２３３を開成する。When the predetermined chemical cleaning time has elapsed, the supply of the etching liquid from the liquid nozzles 34 and 61 is stopped. Subsequently, the control unit 400 controls the lifting mechanism 80,
As shown in FIG. 8B, the upper rotary plate 41 is lowered.
As a result, the upper rotary plate 41 in the retracted position is moved down to the processing position, and the holding pin 42 of the upper rotary plate 41 is fitted and connected to the drive pin 23 of the rotary support plate 21. In this state, the on-off valves 212 and 232 are closed to end the chemical liquid treatment process, and the on-off valves 213 and 233 are opened.

【００７２】これにより、液ノズル３４、６１からは、
リンス液として純水が、基板Ｗの上下面の中央に向けて
供給されることになる。よって、純水を基板Ｗの上下両
面に供給して基板Ｗに付着している薬液を純水で洗い落
とすリンス処理を行う。こうして、薬液処理工程後の基
板Ｗの上下面に存在するエッチング液を洗い流す。な
お、リンス液としては、他に、オゾン水、電解イオン水
などであってもよい。As a result, from the liquid nozzles 34 and 61,
Pure water as the rinse liquid is supplied toward the center of the upper and lower surfaces of the substrate W. Therefore, a rinse process is performed in which pure water is supplied to the upper and lower surfaces of the substrate W to wash away the chemical liquid adhering to the substrate W with pure water. In this way, the etching liquid existing on the upper and lower surfaces of the substrate W after the chemical treatment process is washed away. The rinse liquid may be ozone water, electrolytic ion water, or the like.

【００７３】さらに、駆動制御信号を与え、モータ３３
を回転させる。これにより、筒軸３１が回転され、筒軸
３１に固定されている回転支持板２１が軸芯Ｊまわりに
回転することになる。回転支持板２１の回転力は駆動ピ
ン２３を介して基板Ｗに伝達されて、基板Ｗが回転支持
板２１とともに回転する。さらに、回転支持板２１の回
転力は押えピン４２を介して上部回転板４１に伝達さ
れ、上部回転板４１も回転支持板２１とともに回転す
る。Further, a drive control signal is given to the motor 33.
To rotate. As a result, the cylinder shaft 31 rotates, and the rotation support plate 21 fixed to the cylinder shaft 31 rotates around the axis J. The rotational force of the rotation support plate 21 is transmitted to the substrate W via the drive pin 23, and the substrate W rotates together with the rotation support plate 21. Further, the rotational force of the rotary support plate 21 is transmitted to the upper rotary plate 41 via the pressing pin 42, and the upper rotary plate 41 also rotates together with the rotary support plate 21.

【００７４】さらに、制御部４００は、昇降機構５９を
制御して、周囲案内部材５７を下降し位置させて、回転
支持板２１に保持された基板Ｗを周囲案内部材５７より
上方に位置させる。このとき、基板Ｗ上面に供給される
純水は、基板Ｗの回転により振り切られ、基板Ｗ周縁よ
り流出し、周囲案内部材５７の上面に降り注ぐ。この降
り注ぐ純水は、上面に沿って流下し第２の排液槽５３ｂ
に導かれ、第２の排液口５４ｂから排液され、廃棄ドレ
インを経て廃棄されることになる。Further, the control section 400 controls the elevating mechanism 59 to lower and position the peripheral guide member 57 so that the substrate W held by the rotation support plate 21 is positioned above the peripheral guide member 57. At this time, the pure water supplied to the upper surface of the substrate W is shaken off by the rotation of the substrate W, flows out from the peripheral edge of the substrate W, and falls on the upper surface of the peripheral guide member 57. The pure water pouring down flows down along the upper surface and is discharged into the second drainage tank 53b.
The liquid is drained from the second drain port 54b, and is discarded through the waste drain.

【００７５】この、洗浄処理の開始と同時に、第２の排
液口５４ｂに連通する排液・排気手段５００が作動して
排気カップ部５１が排気される。基板Ｗの処理に伴って
発生するミスト等の渦流は、この第２の排液槽５３ｂの
全周において、第２のスカート部５４ｂに案内されて旋
回流として第２の排液槽５３ｂの内部を下方へ流れる。
そして、排気カップ５１の底面５１ａでまず第２の排液
口５４ｂ、５４ｃ にて気液混合流体の液体成分が回収
され、気体成分は下流側へと進み、第２の排気口５４ｂ
から排気され良好に気液分離される。Simultaneously with the start of the cleaning process, the drainage / exhaust means 500 communicating with the second drainage port 54b is activated to exhaust the exhaust cup portion 51. A vortex flow such as mist generated along with the processing of the substrate W is guided by the second skirt portion 54b along the entire circumference of the second drainage tank 53b to be a swirl flow inside the second drainage tank 53b. Flow downwards.
Then, on the bottom surface 51a of the exhaust cup 51, first, the liquid components of the gas-liquid mixed fluid are recovered at the second drain ports 54b and 54c, the gas components proceed to the downstream side, and the second exhaust port 54b.
The gas is evacuated from the chamber and separated into gas and liquid.

【００７６】さらに、このリンス処理の際に、回転され
る基板Ｗの周縁から振り切られて周囲に飛散する廃液
（薬液が混ざった純水）の一部はミストとなって浮遊す
るが、仕切手段３００の円筒体３０１は上部回転板４１
とともに下降し、第一空間Ａ２が塞がれているので薬液
処理と同様に処理への影響を防止できる。Further, during the rinsing process, a part of the waste liquid (pure water mixed with the chemical liquid) which is shaken off from the peripheral edge of the rotated substrate W and scattered around is floated as a mist, but the partition means The cylindrical body 301 of 300 is the upper rotary plate 41.
Since the first space A2 is lowered along with the above, the first space A2 is closed, so that it is possible to prevent the influence on the processing as in the chemical solution processing.

【００７７】リンス処理の時間が経過すると回転支持板
２１の回転を停止し、図８（ｃ）に示すように、制御部
４００は、接離機構６３を制御して、液ノズル６１と補
助遮蔽板４５を待機位置に位置させる。そして、超音波
洗浄機構７０の接離機構７１を制御して保持片７５を開
口４１ａの範囲に位置するように支持アーム７２を旋回
する。次に、支持アーム７２を下降して、保持片７５を
処理空間Ｓ内に進入させる。保持片７５が上部回転板４
１と基板Ｗとの間隙に位置すると、支持アーム７２の下
降を停止する。After the rinsing time has elapsed, the rotation support plate 21 stops rotating, and as shown in FIG. 8C, the controller 400 controls the contact / separation mechanism 63 to cause the liquid nozzle 61 and the auxiliary shield. The plate 45 is placed in the standby position. Then, the contact / separation mechanism 71 of the ultrasonic cleaning mechanism 70 is controlled to rotate the support arm 72 so that the holding piece 75 is positioned within the range of the opening 41a. Next, the support arm 72 is lowered and the holding piece 75 is advanced into the processing space S. The holding piece 75 is the upper rotary plate 4.
When it is located in the gap between 1 and the substrate W, the lowering of the support arm 72 is stopped.

【００７８】次に、制御部４００は、２個の超音波ノズ
ル７３、７３から洗浄液を吐出しながら支持アーム７２
を基板Ｗの半径間を往復移動する。所定回数、往復移動
を行った後、超音波ノズル７３、７３からの洗浄液の吐
出を停止して、支持アーム７２が保持片７５を開口４１
ａの中央付近まで移動させる。そして、接離機構７１に
より支持アーム７２を上昇させ、上部回転板４１より上
部に位置してから、待機位置へ旋回させる。Next, the controller 400 discharges the cleaning liquid from the two ultrasonic nozzles 73, 73 while the supporting arm 72 is being ejected.
Is moved back and forth between the radii of the substrate W. After reciprocating a predetermined number of times, the discharge of the cleaning liquid from the ultrasonic nozzles 73, 73 is stopped, and the support arm 72 opens the holding piece 75.
Move to near the center of a. Then, the support arm 72 is lifted by the contacting / separating mechanism 71, positioned above the upper rotary plate 41, and then swung to the standby position.

【００７９】超音波洗浄が停止された後は、回転支持板
２１が高速回転駆動されることにより、基板Ｗに付着し
た洗浄液が振り切られる。この乾燥工程の際、図８
（ｄ）に示すように、制御部４００は接離機構６３を制
御して液ノズル６１と補助遮蔽板４５を上部回転板４１
の開口４１ａに対向する位置まで旋回させる。そして、
昇降駆動機構４８を伸長させて、補助遮蔽板４５を基板
Ｗに近接するまで下降する。After the ultrasonic cleaning is stopped, the rotation supporting plate 21 is driven to rotate at high speed, so that the cleaning liquid attached to the substrate W is shaken off. During this drying process, FIG.
As shown in (d), the control unit 400 controls the contact / separation mechanism 63 so that the liquid nozzle 61 and the auxiliary shield plate 45 are connected to the upper rotary plate 41.
Is swung to a position facing the opening 41a. And
The elevating drive mechanism 48 is extended to lower the auxiliary shield plate 45 until it comes close to the substrate W.

【００８０】続いて、開閉弁２１４、２３４を開成し、
気体供給路３６、６５から基板Ｗの上下面に窒素ガスを
供給させる。これにより、処理空間Ｓの空気はすみやか
に窒素ガスに置換されるので、洗浄処理後の基板Ｗの上
下面に不所望な酸化膜が成長することはない。この時、
基板Ｗから振り切られた洗浄液のミストは気流に乗って
処理空間Ｓ内を半径方向外側に流動し、回転支持板２１
と上部回転板４１の間隙から排出される。そして、排出
された洗浄液のミストを含むエアーは排気カップ部５１
第二の排液槽５３ｂから排出されるSubsequently, the on-off valves 214 and 234 are opened,
Nitrogen gas is supplied from the gas supply paths 36 and 65 to the upper and lower surfaces of the substrate W. As a result, the air in the processing space S is quickly replaced with nitrogen gas, so that no undesired oxide film grows on the upper and lower surfaces of the substrate W after the cleaning process. At this time,
The mist of the cleaning liquid shaken off from the substrate W rides on the airflow and flows outward in the processing space S in the radial direction, and the rotation support plate 21.
And is discharged from the gap between the upper rotary plate 41. Then, the air containing the discharged mist of the cleaning liquid is discharged into the exhaust cup portion 51.
Discharged from the second drainage tank 53b

【００８１】また、回転支持板２１と上部回転板４１と
の間隙（処理空間Ｓ）は外周端側で絞られて、その上下
の間隔が回転中心側のそれよりも狭くなっているので、
外周からのエアーの排出量が規制される。これに合わせ
て、回転支持板２１側から基板Ｗとの処理空間Ｓである
下側空間内へポンプ効果により吸入されるエアーの量も
流量調整弁２５１によって調整され、また、上部回転板
４１側から基板Ｗとの処理空間Ｓである上側空間内へ吸
入されるエアーの量は開口４１ａ、４６の大きさによっ
て規制される。さらに、超音波洗浄工程と乾燥工程の間
もハウジング１０内の気流制御は行われ、薬液洗浄やリ
ンス洗浄工程と同様の効果を発揮している。Further, the gap (processing space S) between the rotary support plate 21 and the upper rotary plate 41 is narrowed on the outer peripheral end side, and the vertical interval is narrower than that on the rotation center side.
The amount of air discharged from the outer periphery is regulated. In accordance with this, the amount of air sucked into the lower space, which is the processing space S with the substrate W, from the rotation support plate 21 side by the pump effect is also adjusted by the flow rate adjusting valve 251, and the upper rotation plate 41 side is also adjusted. The amount of air sucked into the upper space, which is the processing space S with the substrate W, is regulated by the sizes of the openings 41a and 46. Further, air flow control in the housing 10 is performed between the ultrasonic cleaning process and the drying process, and the same effect as the chemical cleaning process and the rinse cleaning process is exhibited.

【００８２】乾燥工程の終了後には、モータ３３の回転
を停止させ、さらに、上部回転板４１および液ノズル６
１と補助遮蔽板４５が退避位置に戻されて、基板搬送装
置７によって処理済の基板Ｗが装置外へ搬出される。以
下、上述したと同様に未処理の基板Ｗが搬入されて処理
が繰り返し行われる。After the completion of the drying process, the rotation of the motor 33 is stopped, and the upper rotary plate 41 and the liquid nozzle 6 are further stopped.
1 and the auxiliary shield plate 45 are returned to the retracted position, and the processed substrate W is carried out of the apparatus by the substrate transfer apparatus 7. Thereafter, similarly to the above, the unprocessed substrate W is loaded and the processing is repeated.

【００８３】以上、上記実施例によれば、この基板処理
装置２は、処理室１２内の空間が上部遮蔽部４０の上方
の第一空間Ａ２と、残りの第二空間Ａ３とに仕切手段３
００によって遮蔽される。その結果、基板Ｗ処理に伴い
発生するミストが第一空間Ａ２に浮遊することが防止さ
れる。そのため、上部遮蔽部４０へのミスト付着が無く
なる。また、処理空間Ｓ内に侵入することも防止され最
適な処理が実施される。As described above, according to the above-described embodiment, in the substrate processing apparatus 2, the space in the processing chamber 12 is divided into the first space A2 above the upper shielding part 40 and the remaining second space A3.
Shielded by 00. As a result, the mist generated by the processing of the substrate W is prevented from floating in the first space A2. Therefore, the mist does not adhere to the upper shield 40. Further, the invasion into the processing space S is prevented, and the optimum processing is performed.

【００８４】本発明は上述した実施例に限らず次のよう
に変形実施することができる。 （１）処理ノズルは超音波ノズルに限らず、ジェットノ
ズルやミストノズルや他のノズル形態のものを適用して
もよい。The present invention is not limited to the above-described embodiment, but can be modified as follows. (1) The processing nozzle is not limited to the ultrasonic nozzle, and a jet nozzle, a mist nozzle, or another nozzle type may be applied.

【００８５】（２）さらに、上記実施例では、エッチン
グ液による薬液処理を例に説明したが、剥離液を用いた
処理に適用してもよい。(2) Further, in the above-mentioned embodiment, the chemical solution treatment with the etching solution has been described as an example, but it may be applied to the treatment with the stripping solution.

【００８６】[0086]

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
この基板処理装置は、処理液を用いた処理に伴いミスト
が発生しても、ミストの浮遊を処理室内の遮蔽された空
間に限ることで最適な処理を行うことができる。As described above, according to the present invention,
This substrate processing apparatus can perform optimum processing by limiting the floating of the mist to the shielded space in the processing chamber even if the mist is generated due to the processing using the processing liquid.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図１】本発明に係る基板処理システムの一実施例の概
略構成を示した斜視図である。FIG. 1 is a perspective view showing a schematic configuration of an embodiment of a substrate processing system according to the present invention.

【図２】本発明に係る基板処理装置の一実施例の概略構
成を示した縦断面図である。FIG. 2 is a vertical sectional view showing a schematic configuration of an embodiment of a substrate processing apparatus according to the present invention.

【図３】回転支持板上部の構成を説明する分解斜視図で
ある。FIG. 3 is an exploded perspective view illustrating a configuration of an upper portion of a rotation support plate.

【図４】排気カップの構成を示す平面図である。FIG. 4 is a plan view showing the structure of an exhaust cup.

【図５】排気カップの構成を示す一部断面側面図であ
る。FIG. 5 is a partial cross-sectional side view showing the structure of an exhaust cup.

【図６】上部遮蔽機構とその周辺の構成を示す概略平面
図である。FIG. 6 is a schematic plan view showing a configuration of an upper shielding mechanism and its surroundings.

【図７】本装置の制御系の構成を示すブロック図であ
る。FIG. 7 is a block diagram showing a configuration of a control system of this device.

【図８】図８は基板Ｗの処理状態を説明する図で、
（ａ）は基板Ｗの薬液処理状態を示し、（ｂ）はリンス
処理の状態、（ｃ）は超音波洗浄の状態、（ｄ）は乾燥
処理の状態を示している説明図である。FIG. 8 is a diagram illustrating a processing state of a substrate W,
(A) shows the chemical | medical solution process state of the board | substrate W, (b) is a rinse process state, (c) is an ultrasonic cleaning state, (d) is explanatory drawing which shows the state of a dry process.

【図９】従来の基板処理装置を示す概略断面図である。FIG. 9 is a schematic sectional view showing a conventional substrate processing apparatus.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

Ｗ 基板 Ｓ 処理空間 Ａ１ 空間 Ａ２ 第一空間 Ａ３ 第二空間 Ａ４ 第三空間 ２ 基板処理装置 １０ ハウジング １１ 上室 １２ 処理室 ２０ 回転支持部 ２１、１０１ 回転支持板 ３０ 駆動部 ３１ 筒軸 ３３ モータ ３４ 液ノズル ４０ 上部遮蔽部 ４１、１０７ 上部回転板 ４５ 補助遮蔽板 ５０ カップ部 ５１ 排気カップ １１１ カップ ６０ 洗浄機構 ６１ 液ノズル ８０ 昇降機構 ８２ 昇降駆動手段 ９０ 送風手段 ９１ ファンフィルタユニット ２００ 気液供給機構 ３００ 仕切手段 ３０１ 円筒体 ４００ 制御部 ５００ 排液・排気手段 W board S processing space A1 space A2 first space A3 second space A4 third space 2 Substrate processing equipment 10 housing 11 upper chamber 12 Processing room 20 Rotation support 21, 101 Rotating support plate 30 Drive 31 cylinder axis 33 motor 34 liquid nozzle 40 Upper shield 41, 107 Upper rotating plate 45 Auxiliary shield plate 50 cups 51 exhaust cup 111 cups 60 cleaning mechanism 61 liquid nozzle 80 Lifting mechanism 82 lifting drive means 90 Blower means 91 Fan filter unit 200 Gas-liquid supply mechanism 300 partition means 301 cylindrical body 400 control unit 500 drainage / exhaust means

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項１】 表面に処理液が供給された基板を回転さ
せて、その当該基板に所定の処理を施す基板処理装置で
あって、 基板を略水平に保持した状態で基板を回転させる回転処
理部と、 前記回転処理部に基板を介して対向配置され、基板上面
の少なくとも周縁領域をリング状に覆う上部遮蔽部と、 前記回転処理部の周囲を覆うように配置され、上部の中
央付近に開口を有するとともに、基板の回転に伴って基
板表面から振り切られる処理液を受ける処理室と、 前記処理室内の空間を前記回転処理部の上方の第一空間
と、残りの第二空間とに遮蔽する前記上部遮蔽部の上方
に配置された仕切手段と、 を具備することを特徴とする基板処理装置。1. A substrate processing apparatus for rotating a substrate whose surface is supplied with a processing liquid to perform a predetermined process on the substrate, the rotating process rotating the substrate while holding the substrate substantially horizontal. And an upper shielding unit that is arranged to face the rotation processing unit via the substrate and covers at least a peripheral region of the upper surface of the substrate in a ring shape, and is disposed so as to cover the periphery of the rotation processing unit and near the center of the upper portion. A processing chamber having an opening and receiving a processing liquid shaken off from the substrate surface as the substrate rotates, and a space inside the processing chamber is shielded by a first space above the rotation processing unit and a remaining second space. And a partitioning unit disposed above the upper shielding unit, the substrate processing apparatus. 【請求項２】 請求項１に記載の基板処理装置におい
て、 前記仕切手段により仕切られた処理室の前記第一空間の
気圧を、前記第二空間の気圧より高くすることを特徴と
する基板処理装置。2. The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the atmospheric pressure in the first space of the processing chamber partitioned by the partition means is set higher than the atmospheric pressure in the second space. apparatus. 【請求項３】 請求項１および請求項２に記載の基板処
理装置において、 前記仕切手段により仕切られた処理室の前記第一空間に
ダウンフローを供給する送風手段と、を具備することを
特徴とする基板処理装置。3. The substrate processing apparatus according to claim 1 or 2, further comprising: an air blowing unit that supplies downflow to the first space of the processing chamber partitioned by the partitioning unit. Substrate processing equipment.
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100831989B1 (en) * 2006-08-30 2008-05-23 세메스 주식회사 Apparatus for treating substrates
JP2008521227A (en) * 2004-11-23 2008-06-19 エスイーゼツト・アクチエンゲゼルシヤフト Apparatus and method for wet processing of wafers
JP2009218563A (en) * 2008-02-15 2009-09-24 Tokyo Electron Ltd Substrate processing apparatus, substrate processing method, and storage medium
JP2010010433A (en) * 2008-06-27 2010-01-14 Dainippon Screen Mfg Co Ltd Substrate processing apparatus, and substrate processing method

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008521227A (en) * 2004-11-23 2008-06-19 エスイーゼツト・アクチエンゲゼルシヤフト Apparatus and method for wet processing of wafers
KR101120617B1 (en) 2004-11-23 2012-03-16 램 리서치 아게 Apparatus method for wet treatment of wafers
KR100831989B1 (en) * 2006-08-30 2008-05-23 세메스 주식회사 Apparatus for treating substrates
JP2009218563A (en) * 2008-02-15 2009-09-24 Tokyo Electron Ltd Substrate processing apparatus, substrate processing method, and storage medium
KR101275973B1 (en) * 2008-02-15 2013-06-14 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 Substrate processing apparatus, substrate processing method and storage medium
US8651121B2 (en) 2008-02-15 2014-02-18 Tokyo Electron Limited Substrate processing apparatus, substrate processing method, and storage medium
JP2010010433A (en) * 2008-06-27 2010-01-14 Dainippon Screen Mfg Co Ltd Substrate processing apparatus, and substrate processing method

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