JP2003131591A - Electrooptical device, projection type display device and production method of electrooptical device - Google Patents
Electrooptical device, projection type display device and production method of electrooptical deviceInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、電気光学装置、こ
の電気光学装置をライトバルブとして用いた投射型表示
装置、および電気光学装置の製造方法に関するものであ
る。さらに詳しくは、電気光学装置の対向基板側に形成
される遮光膜の構成に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an electro-optical device, a projection type display device using the electro-optical device as a light valve, and a method for manufacturing the electro-optical device. More specifically, the present invention relates to the configuration of the light shielding film formed on the counter substrate side of the electro-optical device.
【０００２】[0002]
【従来の技術】液晶プロジェクタなどの投射型表示装置
は、光源から出射された光をライトバルブとしての電気
光学装置で光変調した後、前方へ拡大投射するように形
成されている。電気光学装置としては、表示品位を高め
るためにアクティブマトリクス型の液晶装置が多く用い
られている。2. Description of the Related Art A projection-type display device such as a liquid crystal projector is formed so that light emitted from a light source is optically modulated by an electro-optical device as a light valve and then enlarged and projected forward. As the electro-optical device, an active matrix type liquid crystal device is often used in order to improve the display quality.
【０００３】アクティブマトリクス型の液晶装置では、
図１１に示すように、ＴＦＴアレイ基板１０の側に、Ｉ
ＴＯ膜からなる画素電極９ａを備える画素がマトリクス
状に形成されているとともに、各画素毎にＴＦＴ（薄膜
トランジスタ）３０などのアクティブ素子が形成されて
いる。これに対して、対向基板２００の側には、その略
全面に画素電極９ａに対向する対向電極２１がＩＴＯ膜
によって形成されている。In the active matrix type liquid crystal device,
As shown in FIG. 11, on the TFT array substrate 10 side, I
Pixels having pixel electrodes 9a made of a TO film are formed in a matrix, and an active element such as a TFT (thin film transistor) 30 is formed for each pixel. On the other hand, on the counter substrate 200 side, a counter electrode 21 facing the pixel electrode 9a is formed on the substantially entire surface of the counter substrate 200 by an ITO film.
【０００４】ここで、ＴＦＴ３０のチャネル領域やドレ
イン端などに強い光が照射されると、光電流が発生し
て、ＴＦＴ３０の特性が変化する原因となる。そこで、
ＴＦＴアレイ基板１０では、ＴＦＴ３０のチャネル領域
１ａ′やドレイン端などを覆うようにデータ線６ａを形
成することにより、対向基板２００の側から入射した強
い光（Ｌ１で示す）をデータ線６ａで遮ってＴＦＴ３０
のチャネル領域１ａ′やドレイン端に届かないようにし
た構成が採用されている。一方、対向基板２００には、
隣接する画素電極９ａ同士の境界領域に対向する位置に
ブラックマトリクスと称される遮光膜２３をクロム膜に
よって形成し、投射画像のコントラストの向上を図ると
ともに、対向基板２００の側から入射する強い光（Ｌ１
で示す）がＴＦＴ３０のチャネル領域１ａ′やドレイン
端などに届くのを防止している。When the channel region or the drain end of the TFT 30 is irradiated with intense light, a photocurrent is generated, which causes a change in the characteristics of the TFT 30. Therefore,
In the TFT array substrate 10, by forming the data line 6a so as to cover the channel region 1a ′ of the TFT 30 and the drain end, the strong light (indicated by L1) incident from the counter substrate 200 side is blocked by the data line 6a. TFT 30
The channel region 1a 'and the drain end are not reached. On the other hand, in the counter substrate 200,
A light-shielding film 23 called a black matrix is formed of a chrome film at a position opposed to a boundary region between adjacent pixel electrodes 9a to improve the contrast of a projected image and to suppress strong light incident from the counter substrate 200 side. (L1
(Indicated by) is prevented from reaching the channel region 1a ′ of the TFT 30 and the drain end.
【０００５】また、アクティブマトリクス型の液晶装置
は、高いコントラスト比を容易に得ることができる反
面、各画素毎にＴＦＴ３０などを作り込む必要があるた
め、十分な開口率を得ることが難しいという問題点があ
る。そこで、対向基板２００において画素電極９ａと対
向する各領域の各々にマイクロレンズ５００を形成し、
マイクロレンズ５００によって、矢印Ｌ１１で示すよう
に、遮光膜２３やＴＦＴ３０などにより遮光されて損失
していた入射光を各画素の開口部分に集光させることに
より、透過光量を増大させるとともに、ＴＦＴ３０のチ
ャネル領域１ａ′やドレイン端などに強い光が照射され
ることを防止する構成が採用されている。In addition, while an active matrix type liquid crystal device can easily obtain a high contrast ratio, it is difficult to obtain a sufficient aperture ratio because it is necessary to form a TFT 30 for each pixel. There is a point. Therefore, the microlens 500 is formed in each of the regions of the counter substrate 200 facing the pixel electrode 9a.
By the microlens 500, as shown by an arrow L11, the incident light that is blocked by the light-shielding film 23 or the TFT 30 and is lost is focused on the opening portion of each pixel, thereby increasing the amount of transmitted light and at the same time the TFT 30. A structure is adopted to prevent strong light from being applied to the channel region 1a 'and the drain end.
【０００６】さらに、投射型表示装置では、液晶装置か
ら出射された光の戻り光（矢印Ｌ２で示す）が再び、Ｔ
ＦＴアレイ基板１０の側から入射する場合があり、この
ような光もＴＦＴ３０のチャネル領域１ａ′やドレイン
端などに入射すると、光電流が発生して、ＴＦＴ３０の
特性が変化する原因となる。そこで、ＴＦＴアレイ基板
１０を裏面側（光出射側）からみてＴＦＴ３０と重なる
領域には、タングステンシリサイド膜などからなる遮光
膜１１ａが形成されている。Further, in the projection display device, the return light (indicated by the arrow L2) of the light emitted from the liquid crystal device is again T
The light may enter from the FT array substrate 10 side, and if such light also enters the channel region 1a ′ of the TFT 30, the drain end, or the like, a photocurrent is generated, which causes a change in the characteristics of the TFT 30. Therefore, a light shielding film 11a made of a tungsten silicide film or the like is formed in a region overlapping the TFT 30 when the TFT array substrate 10 is viewed from the back surface side (light emission side).
【０００７】[0007]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、投射型
表示装置では、光源からの強い光が対向基板２００の側
に照射されるため、遮光膜２３をクロム膜で形成する
と、矢印Ｌ１０′で示すように、この強い光を遮光膜２
３が吸収するので、発熱が大きいという問題点がある。
このような発熱は、液晶５０を劣化させるなどととも
に、各光学素子を劣化させるので好ましくない。However, in the projection type display device, strong light from the light source irradiates the counter substrate 200 side. Therefore, when the light shielding film 23 is formed of a chrome film, as shown by an arrow L10 '. In addition, this strong light shield film 2
Since 3 absorbs, there is a problem that heat generation is large.
Such heat generation is not preferable because it deteriorates the liquid crystal 50 and also deteriorates each optical element.
【０００８】そこで、遮光膜２３をアルミニウム膜で形
成し、光源からの強い光が遮光膜２３に照射されてもこ
の強い光を反射するように構成することによって、発熱
を抑える構成が考えられる。Therefore, it is conceivable to suppress the heat generation by forming the light shielding film 23 of an aluminum film and reflecting the strong light from the light source even when the light shielding film 23 is irradiated with the strong light.
【０００９】しかしながら、遮光膜２３をアルミニウム
膜で形成した場合には、矢印Ｌ２で示す戻り光などが、
矢印Ｌ２１′で示すように、遮光膜２３で反射して、迷
光となってＴＦＴ３０のチャネル領域１ａ′やドレイン
端などに向かうという問題点がある。However, when the light shielding film 23 is formed of an aluminum film, the return light indicated by the arrow L2 is
As indicated by an arrow L21 ', there is a problem that the light is reflected by the light-shielding film 23 and becomes stray light toward the channel region 1a' of the TFT 30 or the drain end.
【００１０】以上の問題点に鑑みて、本発明の課題は、
強い光が対向基板側から入射した場合でも発熱を抑え、
かつ、迷光の発生も防止することができる電気光学装
置、投射型表示装置、および電気光学装置の製造方法を
提供することにある。In view of the above problems, the object of the present invention is to
Suppresses heat generation even when strong light enters from the counter substrate side,
Moreover, it is an object of the present invention to provide an electro-optical device, a projection display device, and a method for manufacturing an electro-optical device that can prevent the generation of stray light.
【００１１】[0011]
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明では、透明基板の表面に画素電極および画素
スイッチングの薄膜トランジスタが複数、マトリクス状
に形成されたＴＦＴアレイ基板と、透明基板において前
記ＴＦＴアレイ基板と対向する表面側に前記画素電極に
対向する対向電極、および隣接する前記画素電極の境界
領域に対向する遮光膜が形成された対向基板と、該対向
基板と前記ＴＦＴアレイ基板との間に保持された電気光
学物質とを有する電気光学装置において、前記遮光膜
は、光反射率の高い材料から形成された高反射層と、該
高反射層の上層側に当該高反射層よりも光反射率の低い
材料から形成された低反射層とを備えていることを特徴
とする。In order to solve the above problems, the present invention provides a TFT array substrate having a plurality of pixel electrodes and pixel switching thin film transistors formed in a matrix on the surface of a transparent substrate, and A counter electrode having a counter electrode facing the pixel electrode on the surface side facing the TFT array substrate, and a light-shielding film facing the boundary region of the adjacent pixel electrodes; and the counter substrate and the TFT array substrate. In the electro-optical device having an electro-optical substance held between, the light-shielding film is a high-reflecting layer formed of a material having a high light reflectance, and the high-reflecting layer is provided on the upper layer side of the high-reflecting layer. And a low reflection layer formed of a material having a low light reflectance.
【００１２】本発明では、対向基板において、画素電極
の境界領域と対向する各領域に遮光膜が形成されている
ので、例えば、投射型表示装置において、光源からの強
い光が対向基板の側に照射されても、この強い光は、遮
光膜の下層側に形成された高反射層で反射されるので、
発熱が小さい。また、戻り光としてＴＦＴアレイ基板の
側から光が入射して遮光膜に届いた場合でも、遮光膜の
上層側には低反射層が形成されているので、液晶装置に
入射した光などが遮光膜で反射して迷光となってＴＦＴ
のチャネル領域やドレイン端などに向かうという事態を
回避することができる。In the present invention, since the light shielding film is formed in each region of the counter substrate which faces the boundary region of the pixel electrode, for example, in a projection display device, strong light from the light source is directed to the counter substrate side. Even when irradiated, this strong light is reflected by the highly reflective layer formed on the lower layer side of the light shielding film,
Fever is small. Further, even when light is incident as return light from the TFT array substrate side and reaches the light-shielding film, the low-reflecting layer is formed on the upper layer side of the light-shielding film, so that light incident on the liquid crystal device is shielded. TFT is reflected by the film and becomes stray light
It is possible to avoid the situation of going to the channel region, the drain end, or the like.
【００１３】本発明では、画素電極および画素スイッチ
ングの薄膜トランジスタが複数、マトリクス状に形成さ
れたＴＦＴアレイ基板と、透明基板において前記ＴＦＴ
アレイ基板と対向する表面側に前記画素電極に対向する
対向電極、および隣接する前記画素電極の境界領域に対
向する遮光膜が形成された対向基板と、該対向基板と前
記ＴＦＴアレイ基板との間に保持された電気光学物質と
を有する電気光学装置の製造方法において、前記対向基
板に前記遮光膜を形成するにあたっては、前記透明基板
の表面側に、光反射率の高い材料から形成された高反射
層と、当該高反射層よりも光反射率の低い材料から形成
された低反射層とをこの順に形成することを特徴とす
る。According to the present invention, a TFT array substrate having a plurality of pixel electrodes and pixel switching thin film transistors formed in a matrix, and the TFT in the transparent substrate.
A counter electrode having a counter electrode facing the pixel electrode on the surface side facing the array substrate, and a light-shielding film facing the boundary region of the adjacent pixel electrodes, and between the counter substrate and the TFT array substrate. In a method of manufacturing an electro-optical device having an electro-optical material held on a substrate, when forming the light-shielding film on the counter substrate, a high-reflectance material formed on the surface side of the transparent substrate is used. It is characterized in that a reflective layer and a low reflective layer made of a material having a light reflectance lower than that of the high reflective layer are formed in this order.
【００１４】本発明において、前記高反射層は、例えば
金属膜から形成され、前記低反射層は、例えば金属窒化
膜または金属酸化膜から形成されている。In the present invention, the high reflection layer is formed of, for example, a metal film, and the low reflection layer is formed of, for example, a metal nitride film or a metal oxide film.
【００１５】本発明において、前記高反射層はアルミニ
ウム膜（アルミニウム合金も含む）から形成され、前記
低反射層は窒化チタン膜から形成されていることが好ま
しい。このように構成すると、前記対向基板に前記遮光
膜を形成する際、前記透明基板の表面側にアルミニウム
膜と窒化チタン膜とをこの順に形成した後、前記アルミ
ニウム膜と前記窒化チタン膜とを一括してパターニング
して前記遮光膜を形成することができる。従って、製造
工程数の増加を最小限に止めることができる。In the present invention, it is preferable that the high reflection layer is formed of an aluminum film (including an aluminum alloy) and the low reflection layer is formed of a titanium nitride film. According to this structure, when the light-shielding film is formed on the counter substrate, an aluminum film and a titanium nitride film are formed in this order on the surface side of the transparent substrate, and then the aluminum film and the titanium nitride film are collectively formed. Then, the light shielding film can be formed by patterning. Therefore, the increase in the number of manufacturing steps can be minimized.
【００１６】本発明において、前記透明基板には、前記
画素電極と対向する領域にマイクロレンズが形成されて
いることが好ましい。このように構成すると、マイクロ
レンズによって、遮光膜やＴＦＴなどにより遮光されて
損失していた入射光を各画素の開口部分に集光させるこ
とにより、透過光量を増大させるとともに、ＴＦＴのチ
ャネル領域やドレイン端などに強い光が照射されるのを
防止することができる。In the present invention, it is preferable that a microlens is formed on the transparent substrate in a region facing the pixel electrode. According to this structure, the microlens collects the incident light, which is blocked by the light-shielding film or the TFT and is lost, at the opening portion of each pixel, thereby increasing the amount of transmitted light and reducing the channel area of the TFT. It is possible to prevent strong light from being applied to the drain end or the like.
【００１７】本発明において、前記電気光学物質は、液
晶である。In the present invention, the electro-optical material is liquid crystal.
【００１８】本発明に係る電気光学装置は、例えば、投
射型表示装置のライトバルブとして用いられる。この場
合、前記対向基板側を光源からの光の入射側とする。The electro-optical device according to the present invention is used, for example, as a light valve of a projection type display device. In this case, the counter substrate side is the incident side of the light from the light source.
【００１９】[0019]
【発明の実施の形態】添付図面を参照して本発明に係る
実施形態について説明する。以下の説明では、投射型表
示装置のライトバルブとして用いた液晶装置に本発明を
適用した例を説明する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION Embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings. In the following description, an example in which the present invention is applied to a liquid crystal device used as a light valve of a projection type display device will be described.
【００２０】（液晶装置の全体構成）先ず、本発明を適
用した液晶装置（電気光学装置）の全体構成について、
図１および図２を参照して説明する。ここでは、駆動回
路内蔵型のＴＦＴアクティブマトリクス駆動方式の液晶
装置を例にとる。(Overall Configuration of Liquid Crystal Device) First, regarding the overall configuration of a liquid crystal device (electro-optical device) to which the present invention is applied,
This will be described with reference to FIGS. 1 and 2. Here, a liquid crystal device of a TFT active matrix drive type with a built-in drive circuit is taken as an example.
【００２１】図１は、本発明を適用した液晶装置をＴＦ
Ｔアレイ基板上に形成された各構成要素と共に、対向基
板の側から見た平面図である。図２は、図１のＨ−Ｈ´
の断面のうち、シール材で囲まれた領域内を抜き出して
模式的に示した説明図である。なお、図２などにおいて
は、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさと
するため、各層や各部材毎に縮尺を異ならしめてある。
また、図２においては、集光の様子を理解し易く描くた
めに、マイクロレンズおよびＴＦＴの位置関係を実際の
配置関係とは異ならしめてある。FIG. 1 shows a liquid crystal device to which the present invention is applied as a TF.
It is the top view seen from the counter substrate side with each component formed on the T array substrate. FIG. 2 shows H-H 'of FIG.
FIG. 4 is an explanatory diagram schematically showing a region surrounded by a sealing material extracted from the cross section of FIG. Note that, in FIG. 2 and the like, the scales are different for each layer and each member in order to make each layer and each member recognizable in the drawing.
In addition, in FIG. 2, the positional relationship between the microlenses and the TFTs is different from the actual positional relationship in order to facilitate understanding of the state of light collection.
【００２２】図１および図２において、本形態の液晶装
置１は、対向基板２００と、ＴＦＴアレイ基板１０（第
３の透明基板）とが対向配置されて、シール材５２によ
って貼り合わされている。また、シール材５２で区画さ
れた領域内には、電気光学物質としての液晶５０が保持
されている。In FIG. 1 and FIG. 2, in the liquid crystal device 1 of the present embodiment, a counter substrate 200 and a TFT array substrate 10 (third transparent substrate) are arranged so as to face each other, and are bonded by a sealing material 52. Further, the liquid crystal 50 serving as an electro-optical material is held in the area defined by the sealing material 52.
【００２３】シール材５２は、ＴＦＴアレイ基板１０
と、対向基板２００とを貼り合わせてパネルとするため
の紫外線硬化樹脂や、熱硬化樹脂等からなり、ＴＦＴア
レイ基板１０上に塗布された後、ＴＦＴアレイ基板１０
と対向基板２００とを重ねた状態で、紫外線照射や、加
熱等により硬化させたものである。液晶装置１が投射型
表示装置用のように小型で、拡大表示を行うものであれ
ば、シール材５２中には、両基板内の距離（基板間ギャ
ップ）を所定値とするためのグラスファイバ或いはガラ
スビーズ等のギャップ材（スペーサ）が配合される。ま
た、液晶装置１が液晶ディスプレイや液晶テレビのよう
に大型で等倍表示を行うものであれば、このようなギャ
ップ材は、液晶５０の中に点在させる場合もある。The sealing material 52 is the TFT array substrate 10
And a counter substrate 200 are bonded to each other to form a panel, which is made of an ultraviolet curable resin, a thermosetting resin, or the like, and is applied onto the TFT array substrate 10 and then the TFT array substrate 10
And the counter substrate 200 are overlapped with each other and cured by irradiation with ultraviolet rays, heating, or the like. If the liquid crystal device 1 is of a small size such as for a projection type display device and performs enlarged display, a glass fiber for adjusting the distance between both substrates (inter-substrate gap) to a predetermined value in the sealing material 52. Alternatively, a gap material (spacer) such as glass beads is mixed. In addition, if the liquid crystal device 1 is a large-sized one, such as a liquid crystal display or a liquid crystal television, that displays at the same size, such gap material may be scattered in the liquid crystal 50.
【００２４】本形態の液晶装置１では、シール材５２の
形成領域の内側には、この領域に沿って画像表示領域１
０ａを規定する見切り用の遮光膜５３が対向基板２００
の側に形成されている。シール材５２には、その途切れ
部分によって液晶注入口１０８が形成され、この液晶注
入口１０８は液晶の注入を終えた後、シール材５２と同
一あるいは異なる材料からなる封止材１０９で塞がれて
いる。In the liquid crystal device 1 of the present embodiment, the image display area 1 is formed inside the area where the sealing material 52 is formed and along this area.
The light-shielding film 53 for partitioning that defines 0a is the counter substrate 200.
Is formed on the side of. A liquid crystal injection port 108 is formed by the discontinuity in the sealing material 52, and the liquid crystal injection port 108 is closed with a sealing material 109 made of the same or different material as the sealing material 52 after the liquid crystal injection is completed. ing.
【００２５】また、シール材５２が形成された領域の外
側の周辺領域には、データ線駆動回路１０１および外部
回路接続端子１０２がＴＦＴアレイ基板１０の一辺に沿
って形成され、走査線駆動回路１０４は、この一辺に隣
接する２辺に沿って設けられている。さらに、ＴＦＴア
レイ基板１０の残る一辺には、画像表示領域１０ａの両
側に設けられた走査線駆動回路１０４間をつなぐための
複数の配線１０５が形成されている。さらにまた、対向
基板２００のコーナー部の少なくとも一箇所には、ＴＦ
Ｔアレイ基板１０と対向基板２００との間で電気的導通
をとるための上下導通材１０６が設けられている。A data line driving circuit 101 and an external circuit connecting terminal 102 are formed along one side of the TFT array substrate 10 in a peripheral region outside the region where the sealing material 52 is formed, and a scanning line driving circuit 104. Are provided along two sides adjacent to this one side. Further, a plurality of wirings 105 for connecting the scanning line driving circuits 104 provided on both sides of the image display area 10a are formed on the remaining one side of the TFT array substrate 10. Furthermore, at least one of the corners of the counter substrate 200 is provided with TF.
A vertical conductive material 106 is provided to electrically connect the T array substrate 10 and the counter substrate 200.
【００２６】（画像表示領域の構成）図３は、液晶装置
１の画像表示領域１０ａを構成するマトリクス状に形成
された複数の画素における各種素子、配線等の等価回路
である。図３は、液晶装置において画像表示領域を構成
するためにマトリクス状に形成された複数の画素におけ
る各種素子、および配線などの等価回路図である。図４
は、データ線、走査線、画素電極などが形成されたＴＦ
Ｔアレイ基板において相隣接する画素の平面図である。
図５は、図４のＡ−Ａ′線に相当する位置での液晶装置
の断面図である。(Structure of Image Display Area) FIG. 3 is an equivalent circuit of various elements, wirings, etc. in a plurality of pixels formed in a matrix forming the image display area 10a of the liquid crystal device 1. FIG. 3 is an equivalent circuit diagram of various elements and wirings in a plurality of pixels formed in a matrix for forming an image display area in the liquid crystal device. Figure 4
Is a TF formed with data lines, scanning lines, pixel electrodes, etc.
It is a top view of the pixel which adjoins in a T array substrate.
FIG. 5 is a cross-sectional view of the liquid crystal device at a position corresponding to the line AA ′ in FIG.
【００２７】図３に示すように、本形態の液晶装置１に
おいて、画像表示領域１０ａを構成するマトリクス状に
形成された複数の画素は、画素電極９ａを制御するため
のＴＦＴ３０がマトリクス状に複数形成されており、画
素信号が供給されるデータ線６ａがＴＦＴ３０のソース
に電気的に接続されている。データ線６ａに書き込む画
像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、この順に線準次に供給
しても構わないし、相隣接する複数のデータ線６ａ同士
に対して、グループ毎に供給するようにしても良い。ま
た、ＴＦＴ３０のゲートに走査線３ａが電気的に接続さ
れており、所定のタイミングで、走査線３ａにパルス的
に走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍを、この順に線順次で
印加するように構成されている。画素電極９ａは、ＴＦ
Ｔ３０のドレインに電気的に接続されており、スイッチ
ング素子であるＴＦＴ３０を一定期間だけそのスイッチ
を閉じることにより、データ線６ａから供給される画像
信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎを所定のタイミングで書き込
む。画素信号９ａを介して液晶に書き込まれた所定レベ
ルの画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、対向基板に形成
された対向電極との間で一定期間保持される。液晶は、
印加される電圧レベルにより分子集合の配向や秩序が変
化することにより、光を変調し、階調表示を可能にす
る。ノーマリーホワイトモードであれば、印加された電
圧に応じて液晶部分を透過する入射光の透過光量が減少
し、ノーマリーブラックモードであれば、印加された電
圧に応じて液晶部分を透過する入射光の透過光量が増加
し、全体として液晶装置１からは画像信号に応じたコン
トラストを持つ光が出射する。As shown in FIG. 3, in the liquid crystal device 1 of the present embodiment, a plurality of pixels formed in a matrix form the image display area 10a have a plurality of TFTs 30 for controlling the pixel electrodes 9a arranged in a matrix. The data line 6a, which is formed and is supplied with the pixel signal, is electrically connected to the source of the TFT 30. The image signals S1, S2, ..., Sn to be written to the data line 6a may be supplied in a quasi-second order in this order, or may be supplied for each group to a plurality of adjacent data lines 6a. Is also good. Further, the scanning line 3a is electrically connected to the gate of the TFT 30, and the scanning signals G1, G2, ..., Gm are applied to the scanning line 3a in a pulse-wise manner in this order at a predetermined timing. It is configured. The pixel electrode 9a is TF
The image signal S1, S2, ..., Sn supplied from the data line 6a is written at a predetermined timing by being electrically connected to the drain of T30 and closing the switch of the TFT 30 which is a switching element for a certain period. . The image signals S1, S2, ..., Sn having a predetermined level written in the liquid crystal via the pixel signal 9a are held for a certain period between the counter electrodes formed on the counter substrate. The liquid crystal is
The orientation and order of the molecular assembly change depending on the applied voltage level, which modulates light and enables gradation display. In the normally white mode, the amount of incident light that passes through the liquid crystal part decreases depending on the applied voltage, and in the normally black mode, the incident light that passes through the liquid crystal part depends on the applied voltage. The amount of transmitted light increases, and light having a contrast corresponding to the image signal is emitted from the liquid crystal device 1 as a whole.
【００２８】ここで、保持された画像信号がリークする
のを防ぐために、画素電極９ａと対向電極との間に形成
される液晶容量と並列に蓄積容量３５を付加する。この
蓄積容量３５によって、画素電極９ａの電圧は、例え
ば、ソース電圧が印加された時間よりも３桁も長い時間
だけ保持される。これにより、電荷の保持特性は改善さ
れ、コントラスト比の高い表示を行うことのできる液晶
装置が実現できる。なお、蓄積容量３５を形成する方法
としては、容量を形成するための配線である容量線３ｂ
との間に形成する場合、あるいは前段の走査線３ａとの
間に形成する場合もいずれであってもよい。Here, in order to prevent the held image signal from leaking, a storage capacitor 35 is added in parallel with the liquid crystal capacitor formed between the pixel electrode 9a and the counter electrode. The storage capacitor 35 holds the voltage of the pixel electrode 9a for, for example, a time that is three orders of magnitude longer than the time when the source voltage is applied. As a result, the charge retention characteristic is improved, and a liquid crystal device capable of performing display with a high contrast ratio can be realized. As a method of forming the storage capacitor 35, the capacitance line 3b which is a wiring for forming the capacitance is used.
It may be formed between the scanning line 3a and the scanning line 3a or between the scanning line 3a and the scanning line 3a in the preceding stage.
【００２９】図４において、液晶装置１のＴＦＴアレイ
基板１０上には、マトリクス状に複数の透明な画素電極
９ａ（点線で囲まれた領域）が各画素毎に形成され、画
素電極９ａの縦横の境界領域に沿ってデータ線６ａ（一
点鎖線で示す）、走査線３ａ（実線で示す）、および容
量線３ｂ（実線で示す）が形成されている。In FIG. 4, on the TFT array substrate 10 of the liquid crystal device 1, a plurality of transparent pixel electrodes 9a (regions surrounded by dotted lines) are formed in a matrix for each pixel, and the pixel electrodes 9a are arranged vertically and horizontally. A data line 6a (shown by a one-dot chain line), a scanning line 3a (shown by a solid line), and a capacitance line 3b (shown by a solid line) are formed along the boundary region of the.
【００３０】図２および図５において、ＴＦＴアレイ基
板１０の基体は、石英基板や耐熱性ガラス板などの透明
基板１０ｂからなる。ＴＦＴアレイ基板１０には画素電
極９ａが形成されており、画素電極９ａは、たとえばＩ
ＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ ＴｉｎＯｘｉｄｅ）膜等の透明な
導電性膜からなる。ＴＦＴアレイ基板１０において、各
画素電極９ａに隣接する位置には、各画素電極９ａをス
イッチング制御する画素スイッチング用のＴＦＴ３０が
形成されている。また、ＴＦＴアレイ基板１０では、Ｔ
ＦＴ３０と平面的に重なる領域に、タングステンシリサ
イド（タングステン珪素化物）膜などからなる遮光膜１
１ａが形成されている。この遮光膜１１ａの表面側には
層間絶縁膜１２が形成され、この層間絶縁膜１２の表面
側にＴＦＴ３０が形成されている。2 and 5, the base of the TFT array substrate 10 is a transparent substrate 10b such as a quartz substrate or a heat resistant glass plate. A pixel electrode 9a is formed on the TFT array substrate 10, and the pixel electrode 9a is, for example, I
It is made of a transparent conductive film such as a TO (Indium Tin Oxide) film. In the TFT array substrate 10, a pixel switching TFT 30 that controls switching of each pixel electrode 9a is formed at a position adjacent to each pixel electrode 9a. Further, in the TFT array substrate 10, T
A light-shielding film 1 made of a tungsten silicide (tungsten silicide) film or the like in a region overlapping the FT 30 in a plane.
1a is formed. An interlayer insulating film 12 is formed on the surface side of the light shielding film 11a, and a TFT 30 is formed on the surface side of the interlayer insulating film 12.
【００３１】ＴＦＴ３０は、ＬＤＤ（Ｌｉｇｈｔｌｙ
Ｄｏｐｅｄ Ｄｒａｉｎ）構造を有しており、半導体層
１ａには、シリサイド膜などからなる走査線３ａからの
電界によりチャネルが形成されるチャネル領域１ａ′、
低濃度ソース領域１ｂ、低濃度ドレイン領域１ｃ、高濃
度ソース領域１ｄ、並びに高濃度ドレイン領域１ｅが形
成されている。また、半導体層１ａの上層側には、この
半導体層１ａと走査線３ａとを絶縁するゲート絶縁膜２
が形成されている。The TFT 30 has an LDD (Lightly
In the semiconductor layer 1a, a channel region 1a 'in which a channel is formed by an electric field from a scanning line 3a made of a silicide film,
A low concentration source region 1b, a low concentration drain region 1c, a high concentration source region 1d, and a high concentration drain region 1e are formed. Further, on the upper side of the semiconductor layer 1a, the gate insulating film 2 for insulating the semiconductor layer 1a and the scanning line 3a from each other
Are formed.
【００３２】ＴＦＴ３０の表面側には、シリコン酸化膜
からなる層間絶縁膜４、７が形成されている。層間絶縁
膜４の表面には、アルミニウム膜などからなるデータ線
６ａが形成され、このデータ線６ａは、層間絶縁膜４に
形成されたコンタクトホール５を介して高濃度ソース領
域１ｄに電気的に接続している。層間絶縁膜７の表面に
は画素電極９ａが形成され、この画素電極９ａは、層間
絶縁膜４、７およびゲート絶縁膜２に形成されたコンタ
クトホール８を介して高濃度ドレイン領域１ｅに電気的
に接続している。この画素電極９ａの表面側にはポリイ
ミド膜からなる配向膜１６が形成されている。配向膜１
６は、たとえばポリイミド膜などの有機膜に対してラビ
ング処理を行うことにより形成される。Interlayer insulating films 4 and 7 made of a silicon oxide film are formed on the front surface side of the TFT 30. A data line 6a made of an aluminum film or the like is formed on the surface of the interlayer insulating film 4, and the data line 6a is electrically connected to the high concentration source region 1d through a contact hole 5 formed in the interlayer insulating film 4. Connected. A pixel electrode 9a is formed on the surface of the interlayer insulating film 7, and the pixel electrode 9a is electrically connected to the high concentration drain region 1e through the contact holes 8 formed in the interlayer insulating films 4 and 7 and the gate insulating film 2. Connected to. An alignment film 16 made of a polyimide film is formed on the surface side of the pixel electrode 9a. Alignment film 1
6 is formed by rubbing an organic film such as a polyimide film.
【００３３】また、高濃度ドレイン領域１ｅからの延設
部分１ｆ（下電極）に対しては、ゲート絶縁膜２ａと同
時形成された絶縁膜（誘電体膜）を介して、走査線３ａ
と同層の容量線３ｂが上電極として対向することによ
り、蓄積容量３５が構成されている。ここで、容量線３
ｂと遮光膜１１ａは、層間絶縁膜１２に形成されたコン
タクトホール１３を介して電気的に接続している。Further, with respect to the extended portion 1f (lower electrode) extending from the high-concentration drain region 1e, the scanning line 3a is formed via the insulating film (dielectric film) formed simultaneously with the gate insulating film 2a.
The storage capacitor 35 is formed by the capacitance lines 3b in the same layer facing each other as upper electrodes. Here, the capacitance line 3
b and the light shielding film 11a are electrically connected to each other through a contact hole 13 formed in the interlayer insulating film 12.
【００３４】ＴＦＴ３０は、好ましくは上述のようにＬ
ＤＤ構造をもつが、低濃度ソース領域１ｂ、および低濃
度ドレイン領域１ｃに相当する領域に不純物イオンの打
ち込みを行わないオフセット構造を有していてもよい。
また、ＴＦＴ３０は、ゲート電極（走査線３ａの一部）
をマスクとして高濃度で不純物イオンを打ち込み、自己
整合的に高濃度のソースおよびドレイン領域を形成した
セルフアライン型のＴＦＴであってもよい。また、本形
態では、ＴＦＴ３０のゲート電極（走査線３ａ）をソー
ス−ドレイン領域の間に１個のみ配置したシングルゲー
ト構造としたが、これらの間に２個以上のゲート電極を
配置してもよい。この際、各々のゲート電極には同一の
信号が印加されるようにする。このようにデュアルゲー
ト（ダブルゲート）、あるいはトリプルゲート以上でＴ
ＦＴ３０を構成すれば、チャネルとソース−ドレイン領
域の接合部でのリーク電流を防止でき、オフ時の電流を
低減することが出来る。これらのゲート電極の少なくと
も１個をＬＤＤ構造或いはオフセット構造にすれば、さ
らにオフ電流を低減でき、安定したスイッチング素子を
得ることができる。The TFT 30 is preferably L as described above.
Although it has a DD structure, it may have an offset structure in which the impurity ions are not implanted into the regions corresponding to the low-concentration source region 1b and the low-concentration drain region 1c.
Further, the TFT 30 has a gate electrode (a part of the scanning line 3a).
A self-aligned TFT in which high-concentration source and drain regions are formed in a self-aligned manner by implanting high-concentration impurity ions using the as a mask. Further, in the present embodiment, only one gate electrode (scanning line 3a) of the TFT 30 is arranged between the source and drain regions, but a two or more gate electrode may be arranged between them. Good. At this time, the same signal is applied to each gate electrode. In this way dual gate (double gate) or triple gate or more T
The FT 30 can prevent a leak current at the junction between the channel and the source / drain region, and reduce the off-time current. If at least one of these gate electrodes has an LDD structure or an offset structure, the off current can be further reduced, and a stable switching element can be obtained.
【００３５】一方、対向基板２００には、ＴＦＴアレイ
基板１０の画素電極９ａと対向する各領域の各々にマイ
クロレンズ５００が形成されており、対向基板２００は
マイクロレンズアレイとして構成されている。ここで、
マイクロレンズ５００が形成された対向基板２００は、
第１の透明基板２０と第２の透明基板２５０とが透明材
料２１０で貼り合わされた貼り合わせ基板として構成さ
れている。透明材料２１０は、マイクロレンズ５００と
異なる屈折率を有する光硬化性の接着剤からなり、対向
基板２００に形成された凹曲面部２６に充填されている
ことにより、マイクロレンズ５００は、集光レンズとし
ての機能を果たす。マイクロレンズ５００はそれぞれ、
入射した光をＴＦＴアレイ基板１０に形成されている画
素電極９ａのそれぞれに集光するようにマトリクス状に
形成されている。On the other hand, on the counter substrate 200, the microlenses 500 are formed in each of the regions facing the pixel electrodes 9a of the TFT array substrate 10, and the counter substrate 200 is configured as a microlens array. here,
The counter substrate 200 on which the microlens 500 is formed is
The first transparent substrate 20 and the second transparent substrate 250 are configured as a bonded substrate in which a transparent material 210 is bonded. The transparent material 210 is made of a photo-curable adhesive having a refractive index different from that of the microlens 500, and is filled in the concave curved surface portion 26 formed on the counter substrate 200. Function as. Each micro lens 500
It is formed in a matrix so as to collect the incident light on each of the pixel electrodes 9a formed on the TFT array substrate 10.
【００３６】対向基板２００の側において、第２の透明
基板２５０上には、マイクロレンズ５００同士の境界領
域（画素電極９ａ同士の境界領域に対向する領域）の各
々に、ブラックマトリクスと称せられる遮光膜２３が形
成され、この遮光膜２３の詳細な構成は、後述する。On the side of the counter substrate 200, on the second transparent substrate 250, each of the boundary regions between the microlenses 500 (regions facing the boundary regions between the pixel electrodes 9a) is shielded from light called a black matrix. The film 23 is formed, and the detailed configuration of the light shielding film 23 will be described later.
【００３７】また、対向基板２００では、遮光膜２３の
上層側に、第２の透明基板２５０の全面にわたってＩＴ
Ｏ膜からなる対向電極２１が形成され、その表面には、
スピンコート法により成膜されたポリイミド系材料から
なる配向膜２２が形成されている。この配向膜２２も、
たとえばポリイミド膜などの有機膜に対してラビング処
理を行うことにより形成される。In the counter substrate 200, IT is formed on the entire surface of the second transparent substrate 250 on the upper layer side of the light shielding film 23.
A counter electrode 21 made of an O film is formed, and the surface thereof is
An alignment film 22 made of a polyimide-based material is formed by spin coating. This alignment film 22 is also
For example, it is formed by rubbing an organic film such as a polyimide film.
【００３８】このように構成したＴＦＴアレイ基板１０
と対向基板２００とは、画素電極９ａと対向電極２１と
が対面するように配置され、かつ、これらの基板間に
は、前記のシール材５２（図１および図２を参照）によ
り囲まれた空間内に電気光学物質としての液晶５０が封
入され、挟持されている。液晶５０は、画素電極９ａか
らの電界が印加されていない状態で配向膜により所定の
配向状態をとる。液晶５０は、例えば一種または数種の
ネマティック液晶を混合したものなどからなる。The TFT array substrate 10 thus configured
And the counter substrate 200 are arranged so that the pixel electrode 9a and the counter electrode 21 face each other, and the space between these substrates is surrounded by the seal material 52 (see FIGS. 1 and 2). A liquid crystal 50 as an electro-optical substance is enclosed and sandwiched in the space. The liquid crystal 50 has a predetermined alignment state by the alignment film in a state where the electric field from the pixel electrode 9a is not applied. The liquid crystal 50 is made of, for example, one kind or a mixture of several kinds of nematic liquid crystals.
【００３９】なお、対向基板２００およびＴＦＴアレイ
基板１０の光入射側の面あるいは光出射側には、使用す
る液晶５０の種類、すなわち、ＴＮ（ツイステッドネマ
ティック）モード、ＳＴＮ（スーパーＴＮ）モード等々
の動作モードや、ノーマリホワイトモード／ノーマリブ
ラックモードの別に応じて、偏光フィルム、位相差フィ
ルム、偏光板などが所定の向きに配置される。On the surface of the counter substrate 200 and the surface of the TFT array substrate 10 on the light incident side or the light emitting side, the type of liquid crystal 50 used, that is, TN (twisted nematic) mode, STN (super TN) mode, etc. A polarizing film, a retardation film, a polarizing plate, etc. are arranged in a predetermined direction depending on the operation mode and normally white mode / normally black mode.
【００４０】なお、ここに示す液晶装置１は、たとえ
ば、後述する投射型表示装置（液晶プロジェクタ）にお
いて使用される。この場合、３枚の液晶装置１がＲＧＢ
用のライトバルブとして各々使用され、各液晶装置１の
各々には、ＲＧＢ色分解用のダイクロイックミラーを介
して分解された各色の光が投射光として各々入射される
ことになる。従って、前記した各形態の液晶装置１には
カラーフィルタが形成されていない。The liquid crystal device 1 shown here is used, for example, in a projection type display device (liquid crystal projector) described later. In this case, the three liquid crystal devices 1 are RGB
Each of the liquid crystal devices 1 is used as a light valve for each color, and the light of each color decomposed through the dichroic mirror for RGB color separation is incident on each of the liquid crystal devices 1 as projection light. Therefore, the color filter is not formed in the liquid crystal device 1 of each of the above-described embodiments.
【００４１】（ＴＦＴ３０に対する遮光構造）このよう
に構成した液晶装置１において、ＴＦＴ３０のチャネル
領域やドレイン端などに強い光が照射されると、光電流
が発生して、ＴＦＴ３０の特性が変化する原因となる。(Light-shielding structure for the TFT 30) In the liquid crystal device 1 having such a structure, when the channel region or the drain end of the TFT 30 is irradiated with intense light, a photocurrent is generated and the characteristics of the TFT 30 are changed. Becomes
【００４２】そこで、ＴＦＴアレイ基板１０では、ＴＦ
Ｔ３０のチャネル領域１ａ′やドレイン端などを覆うよ
うにデータ線６ａを形成することにより、対向基板２０
０の側から入射した強い光（Ｌ１で示す）をデータ線６
ａで遮ってＴＦＴ３０のチャネル領域１ａ′やドレイン
端に届かないようにしてある。Therefore, in the TFT array substrate 10, the TF
The counter substrate 20 is formed by forming the data line 6a so as to cover the channel region 1a ′ of T30 and the drain end.
The strong light (indicated by L1) incident from the 0 side is input to the data line
It is blocked by a so as not to reach the channel region 1a ′ of the TFT 30 and the drain end.
【００４３】また、投射型表示装置では、液晶装置から
出射された光が背後の光学部品で反射し、戻り光（矢印
Ｌ２で示す）として再び、ＴＦＴアレイ基板１０の側か
ら入射する場合がある。また、複数の液晶装置１をプリ
ズム等を介して組み合わせて１つの光学系を構成した場
合に、他の液晶装置１からプリズム等を突き抜けてくる
光などがＴＦＴ３０に入射することもある。それでも、
本形態では、ＴＦＴアレイ基板１０を裏面側（光出射
側）からみてＴＦＴ３０と重なる領域には、タングステ
ンシリサイド膜などからなる遮光膜１１ａが形成されて
いるため、戻り光Ｌ２などがＴＦＴ３０に入射するの未
然に防ぐことができる。Further, in the projection type display device, the light emitted from the liquid crystal device may be reflected by the optical components behind and may be incident again from the TFT array substrate 10 side as return light (indicated by arrow L2). . Further, when a plurality of liquid crystal devices 1 are combined through a prism or the like to form one optical system, light or the like penetrating the prism or the like from another liquid crystal device 1 may enter the TFT 30. Still,
In this embodiment, since the light shielding film 11a made of a tungsten silicide film or the like is formed in a region overlapping the TFT 30 when the TFT array substrate 10 is viewed from the back surface side (light emission side), the return light L2 and the like are incident on the TFT 30. Can be prevented in advance.
【００４４】一方、対向基板２００には、隣接する画素
電極９ａ同士の境界領域に対向する位置に遮光膜２３を
形成し、投射画像のコントラストの向上を図るととも
に、対向基板２００の側から入射する強い光（Ｌ１で示
す）がＴＦＴ３０のチャネル領域１ａ′やドレイン端な
どに届くのを防止している。On the other hand, on the counter substrate 200, the light shielding film 23 is formed at a position facing the boundary region between the adjacent pixel electrodes 9a to improve the contrast of the projected image and to enter from the counter substrate 200 side. Intense light (indicated by L1) is prevented from reaching the channel region 1a ′ of the TFT 30 and the drain end.
【００４５】ここで、遮光膜２３は、光反射率の高い材
料からなる高反射層２３１と、この高反射層２３１の上
層側に高反射層２３１よりも光反射率の低い材料からな
る低反射層２３２とを備えている。高反射層２３１とし
ては、例えば金属膜を用いることができ、本形態では、
アルミニウム膜が用いられている。これに対して、低反
射層２３２としては、例えば金属窒化膜を用いることが
でき、本形態では、窒化チタン膜が用いられている。な
お、低反射層２３２については、金属酸化膜を用いても
よい。Here, the light shielding film 23 has a high reflection layer 231 made of a material having a high light reflectance, and a low reflection made of a material having a light reflectance lower than that of the high reflection layer 231 on the upper layer side of the high reflection layer 231. And layer 232. As the high reflection layer 231, for example, a metal film can be used.
An aluminum film is used. On the other hand, as the low reflection layer 232, for example, a metal nitride film can be used, and in this embodiment, a titanium nitride film is used. A metal oxide film may be used for the low reflection layer 232.
【００４６】このように本形態では、光反射率の高い材
料からなる高反射層２３１と、この高反射層２３１の上
層側に高反射層２３１よりも光反射率の低い材料からな
る低反射層２３２とを備えた遮光膜２３が対向基板２０
０に形成されているため、投射型表示装置において、矢
印Ｌ１で示すように、光源からの強い光が対向基板２０
０の側に照射されても、この強い光は、矢印Ｌ１０で示
すように、遮光膜２３の下層側に形成された高反射層２
３１で反射されるので、発熱が小さい。As described above, in this embodiment, the high reflection layer 231 made of a material having a high light reflectance and the low reflection layer made of a material having a light reflectance lower than that of the high reflection layer 231 are provided on the high reflection layer 231. And a light-shielding film 23 including
Since it is formed to be 0, strong light from the light source is emitted from the counter substrate 20 as shown by an arrow L1 in the projection display device.
Even if the light is irradiated to the 0 side, the strong light is reflected by the high reflection layer 2 formed on the lower layer side of the light shielding film 23 as shown by an arrow L10.
Since it is reflected by 31, the heat generation is small.
【００４７】また、矢印Ｌ２で示す戻り光などがＴＦＴ
アレイ基板１０の側から入射して、矢印Ｌ２１で示すよ
うに、遮光膜２３に届いた場合でも、遮光膜２３の上層
側には低反射層２３２が形成されているので、この光
は、遮光膜２３で反射して迷光となってＴＦＴ３０のチ
ャネル領域１ａ′やドレイン端などに向かうという事態
を回避することができる。Further, the return light indicated by the arrow L2 is the TFT.
Even when the light enters from the array substrate 10 side and reaches the light-shielding film 23 as indicated by the arrow L21, the low-reflecting layer 232 is formed on the upper layer side of the light-shielding film 23, so this light is shielded. It is possible to avoid a situation in which the light is reflected by the film 23 and becomes stray light, which goes toward the channel region 1a ′ of the TFT 30 and the drain end.
【００４８】また、本形態では、遮光膜２３において高
反射層２３１としてアルミニウム膜を用い、低反射層２
２２として窒化チタン膜が用いているため、後述するよ
うに、対向基板２００に遮光膜２３を形成する際、第２
の透明基板２５０の表面側にアルミニウム膜と窒化チタ
ン膜とをこの順に形成した後、アルミニウム膜と窒化チ
タン膜とを一括してパターニングして遮光膜を形成する
ことができる。従って、遮光膜２３を多層構造にしたと
しても製造工程数の増加を最小限に止めることができ
る。Further, in this embodiment, an aluminum film is used as the high reflection layer 231 in the light shielding film 23, and the low reflection layer 2 is used.
Since a titanium nitride film is used as the film 22, the second film is formed when the light shielding film 23 is formed on the counter substrate 200, as will be described later.
After forming the aluminum film and the titanium nitride film in this order on the surface side of the transparent substrate 250, the aluminum film and the titanium nitride film can be collectively patterned to form the light shielding film. Therefore, even if the light shielding film 23 has a multi-layer structure, the increase in the number of manufacturing steps can be minimized.
【００４９】さらに、本形態では、対向基板２００にお
いて画素電極６ａと対向する各領域の各々にマイクロレ
ンズ５００を形成し、マイクロレンズ５００によって、
矢印Ｌ１１で示すように、遮光膜２３やＴＦＴ３０など
により遮光されて損失していた入射光を各画素の開口部
分に集光させることにより、透過光量を増大させるとと
もに、ＴＦＴ３０のチャネル領域１ａ′やドレイン端な
どに強い光が照射されることを防止している。このた
め、明るくて品位の高い画像を表示できるとともに、液
晶装置１の信頼性が高い。Further, in the present embodiment, the microlens 500 is formed in each of the regions of the counter substrate 200 facing the pixel electrode 6a, and the microlens 500 allows
As indicated by an arrow L11, incident light that has been blocked by the light-shielding film 23 or the TFT 30 and is lost is focused on the opening portion of each pixel to increase the amount of transmitted light, and to increase the amount of transmitted light and the channel region 1a ′ of the TFT 30. This prevents strong light from being applied to the drain end. Therefore, a bright and high-quality image can be displayed and the reliability of the liquid crystal device 1 is high.
【００５０】（対向基板の製造方法）図６ないし図９を
参照して、本発明に係る対向基板２００の製造方法を説
明する。(Manufacturing Method of Counter Substrate) A manufacturing method of the counter substrate 200 according to the present invention will be described with reference to FIGS.
【００５１】図６ないし図９は、いずれも本実施形態に
係る対向基板２００の製造方法を模式的に示す工程断面
図である。6 to 9 are process sectional views schematically showing a method of manufacturing the counter substrate 200 according to the present embodiment.
【００５２】本実施形態では、まず、図６の工程（ａ）
において、対向基板２００の基体たる第１の透明基板２
０の表面上にアモルファスシリコンからなるマスク層６
０を形成する（マスク層形成工程）。このマスク層６０
は蒸着法、スパッタリング法等によって形成できる。特
にプラズマＣＶＤ法やＬＰＣＶＤ法によって成膜するこ
とによって制御性良く形成できる。In this embodiment, first, the step (a) in FIG.
In the first transparent substrate 2 which is a base of the counter substrate 200
Mask layer 6 made of amorphous silicon on the surface of 0
0 is formed (mask layer forming step). This mask layer 60
Can be formed by a vapor deposition method, a sputtering method, or the like. In particular, the film can be formed with good controllability by forming the film by the plasma CVD method or the LPCVD method.
【００５３】次に、基板エッチング用開口部形成工程を
行なう。この基板エッチング用開口部形成工程では、ま
ず、図６の工程（ｂ）において、マスク層６０の表面に
レジストマスク７０を形成した後、図６の工程（ｃ）に
おいて、所定のマスクパターンを備えた露光マスク８０
を用いてレジストマスク７０を露光し、さらに図６の工
程（ｄ）において現像を行なって、マスク層６０に形成
する基板エッチング用開口部に相当する位置に対してマ
スク層エッチング用開口部７１を形成する。次に、図７
の工程（ｅ）において、マスク層エッチング用開口部７
１からマスク層６０に対してドライエッチングといった
異方性エッチング処理を行なうことにより、マスク層６
０に対して、径が０．５μｍ以上、かつ、４μｍ以下の
基板エッチング用開口部６１を形成し、しかる後に、図
７の工程（ｆ）においてに、レジストマスク７０を除去
する。Next, a substrate etching opening forming step is performed. In this substrate etching opening forming step, first, in step (b) of FIG. 6, a resist mask 70 is formed on the surface of the mask layer 60, and then in step (c) of FIG. 6, a predetermined mask pattern is provided. Exposed mask 80
6, the resist mask 70 is exposed to light, and development is performed in step (d) of FIG. 6 to form a mask layer etching opening 71 at a position corresponding to the substrate etching opening formed in the mask layer 60. Form. Next, FIG.
In step (e) of step 7, the mask layer etching opening 7 is formed.
By performing anisotropic etching treatment such as dry etching on the mask layer 6 from 1 to
For 0, a substrate etching opening 61 having a diameter of 0.5 μm or more and 4 μm or less is formed, and then the resist mask 70 is removed in step (f) of FIG.
【００５４】次に、図７の工程（ｇ）において、マスク
層６０の基板エッチング用開口部６１から第１の透明基
板２００の表面を等方的にエッチング処理し、凹曲面部
２６を形成する。このエッチング処理は、フッ酸を主体
とするエッチング液を用いたウエットエッチングであ
る。なお、本実施形態では、第１の透明基板２０の表面
に平面視円形の輪郭を有する略半球状の穴部を設けて凹
曲面部２６を形成したが、凹曲面部２６の平面形状は円
形に限らず、矩形など種々の形状に形成しても良い。凹
曲面部２６の平面形状は、基板エッチング用開口部６１
の平面形状によって決定される。また、凹曲面部２６の
径はマイクロレンズアレイの使用目的に応じて適宜形成
されるもので任意であり、その径はエッチング時間を制
御する事により容易に変更できる。例えば１〜１００μ
ｍ、好ましくは１０〜５０μｍ程度であり、本実施形態
のように、液晶装置１に入射する光を集光するために用
いる場合には、液晶装置１の画素サイズと同等の大きさ
に形成される。Next, in step (g) of FIG. 7, the surface of the first transparent substrate 200 is isotropically etched through the substrate etching opening 61 of the mask layer 60 to form the concave curved surface portion 26. . This etching process is wet etching using an etching solution mainly containing hydrofluoric acid. In the present embodiment, the concave surface portion 26 is formed by providing the surface of the first transparent substrate 20 with a substantially hemispherical hole having a circular contour in plan view, but the concave surface portion 26 has a circular planar shape. However, it may be formed in various shapes such as a rectangle. The planar shape of the concave curved surface portion 26 is the same as the opening 61 for etching the substrate.
It is determined by the plane shape of. Further, the diameter of the concave curved surface portion 26 is appropriately formed depending on the purpose of use of the microlens array, and is arbitrary, and the diameter can be easily changed by controlling the etching time. For example, 1-100μ
m, preferably about 10 to 50 μm, and when used to collect the light incident on the liquid crystal device 1 as in the present embodiment, it is formed to a size similar to the pixel size of the liquid crystal device 1. It
【００５５】次に、図７の工程（ｈ）において、マスク
層６０をエッチング処理によって除去する。このエッチ
ング処理には、マスク層６０を除去可能で、かつ、第１
の透明基板２０に影響をほとんど与えない方法、例えば
５０℃以上に加熱した１０％程度のテトラメチル水酸化
アンモニウム水溶液によるウエットエッチングが行われ
る。Next, in step (h) of FIG. 7, the mask layer 60 is removed by etching. In this etching process, the mask layer 60 can be removed and the first
The method that hardly affects the transparent substrate 20, for example, wet etching with about 10% tetramethylammonium hydroxide aqueous solution heated to 50 ° C. or higher is performed.
【００５６】このようにして表面上に多数の凹曲面部２
６を形成した第１の透明基板２０に対して、図８の工程
（ｉ）において、透明材料２１０を介して第２の透明基
板２５０を接着する。透明材料２１０としては、対向基
板２００とは屈折率の異なる透明材料であればよい。例
えば、透明な樹脂材料、特に、ペースト状などの液状で
容易に硬化できるものが取り扱い上、及び製造工程上好
ましく、また、透明基板２０や透明基板２５０に対して
強い接着力を有するものが好ましい。これらの透明材料
２１０が熱硬化性又は光硬化性を有する場合、第１の透
明基板２０と第２の透明基板２５０とを透明材料２１０
を介して重ね合わせた後、加熱工程若しくは光照射工程
を行なって透明材料２１０を硬化させる。この工程によ
り、透明材料２１０が凹曲面部２６内に充填されるた
め、凹曲面部２６を有する第１の透明基板２０と、屈折
率の異なる透明材料２１０との境界面によって、マイク
ロレンズ５００が構成される。In this way, a large number of concave curved surface portions 2 are formed on the surface.
In step (i) of FIG. 8, the second transparent substrate 250 is bonded to the first transparent substrate 20 on which 6 is formed via the transparent material 210. The transparent material 210 may be a transparent material having a refractive index different from that of the counter substrate 200. For example, a transparent resin material, particularly a material that can be easily cured in a liquid state such as a paste, is preferable in terms of handling and a manufacturing process, and a material having a strong adhesive force to the transparent substrate 20 or the transparent substrate 250 is preferable. . When these transparent materials 210 have a thermosetting property or a photo-curing property, the first transparent substrate 20 and the second transparent substrate 250 are transparent materials 210.
After the layers are overlapped with each other via a heating process, a heating process or a light irradiation process is performed to cure the transparent material 210. By this step, the transparent material 210 is filled in the concave curved surface portion 26, so that the microlens 500 is formed by the boundary surface between the first transparent substrate 20 having the concave curved surface portion 26 and the transparent material 210 having a different refractive index. Composed.
【００５７】次に、図８の工程（ｊ）において、第２の
透明基板２５０を研削、研磨などによって薄く形成す
る。これは、第２透明基板２５０の厚さと画素ピッチで
決まるレンズの焦点距離を液晶層中に位置するように設
定するためである。予め、第２の透明基板２５０を厚く
しておくのは、図８の工程（ｉ）を参照して説明した第
１の透明基板２０と第２の透明基板２５０との接着工程
を容易に行うとともに、この薄肉化工程において第２の
透明基板２５０の表面を平滑化する狙いもある。Next, in step (j) of FIG. 8, the second transparent substrate 250 is thinly formed by grinding, polishing or the like. This is because the focal length of the lens, which is determined by the thickness of the second transparent substrate 250 and the pixel pitch, is set to be located in the liquid crystal layer. The thickness of the second transparent substrate 250 is made thick in advance so that the step of adhering the first transparent substrate 20 and the second transparent substrate 250 described with reference to the step (i) of FIG. 8 can be easily performed. At the same time, there is an aim to smooth the surface of the second transparent substrate 250 in this thinning step.
【００５８】次に、図８の工程（ｋ）において、第２の
透明基板２５０の表面上に蒸着法、スパッタリング法な
どを用いて、図５を参照して説明した遮光膜２３の高反
射層２３１を形成するためのアルミニウム膜２３１′
（金属膜）を形成した後、図８の工程（ｌ）において、
アルミニウム膜２３１′の上層に、蒸着法、スパッタリ
ング法などを用いて、図５を参照して説明した遮光膜２
３の低反射層２３２を形成するための窒化チタン膜２３
２′（金属窒化膜）を形成する。ここで、低反射層２３
２′については、金属窒化膜に限らず、金属酸化膜を用
いてもよい。Next, in the step (k) of FIG. 8, a highly reflective layer of the light shielding film 23 described with reference to FIG. 5 is formed on the surface of the second transparent substrate 250 by using a vapor deposition method, a sputtering method or the like. Aluminum film 231 'for forming 231
After forming the (metal film), in step (l) of FIG.
The light-shielding film 2 described above with reference to FIG. 5 is formed on the aluminum film 231 'by using a vapor deposition method, a sputtering method, or the like.
Titanium nitride film 23 for forming the low reflection layer 232 of No. 3
2 '(metal nitride film) is formed. Here, the low reflection layer 23
For 2 ', not only a metal nitride film but a metal oxide film may be used.
【００５９】次に、図９の工程（ｍ）において、フォト
リソグラフィ技術を利用して窒化チタン膜２３２′の表
面にレジストマスク２３０を形成し、次に、図９の工程
（ｎ）において、ドライエッチングあるいはウエットエ
ッチングを行って、窒化チタン膜２３２′およびアルミ
ニウム膜２３１′を一括してエッチングし、アルミニウ
ム膜からなる高反射層２３１と、窒化チタン膜からなる
低反射層２３２とを備えた遮光膜２３を形成する。Next, in the step (m) of FIG. 9, a resist mask 230 is formed on the surface of the titanium nitride film 232 'by using the photolithography technique, and then in the step (n) of FIG. Etching or wet etching is performed to collectively etch the titanium nitride film 232 'and the aluminum film 231' to provide a light-shielding film including a high reflection layer 231 made of an aluminum film and a low reflection layer 232 made of a titanium nitride film. 23 is formed.
【００６０】しかる後に、図５に示すように、スパッタ
法などによりＩＴＯ膜からなる対向電極２１を形成した
後、その表面に配向膜２２を形成すれば、対向基板２０
０が完成する。Then, as shown in FIG. 5, after forming the counter electrode 21 made of an ITO film by a sputtering method or the like and then forming the alignment film 22 on the surface thereof, the counter substrate 20 is formed.
0 is completed.
【００６１】［投射型表示装置の構成］図１０は、本発
明を適用した液晶装置１をライトバルブとして用いた投
射型表示装置（プロジェクタ）の光学系を示す概略構成
図である。[Structure of Projection Display Device] FIG. 10 is a schematic structure diagram showing an optical system of a projection display device (projector) using the liquid crystal device 1 to which the present invention is applied as a light valve.
【００６２】この図に示されるように、プロジェクタ１
１００の内部には、ハロゲンランプ等の白色光源からな
るランプユニット１１０２が設けられている。このラン
プユニット１１０２から射出された投射光は、内部に配
置された３枚のミラー１１０６および２枚のダイクロイ
ックミラー１１０８によってＲＧＢの３原色に分離され
て、各原色に対応するライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇ
および１００Ｂにそれぞれ導かれる。ここで、ライトバ
ルブ１００Ｒ、１００Ｇおよび１００Ｂの構成は上述し
た液晶装置１と同様であり、画像信号処理回路（図示省
略）から供給されるＲ、Ｇ、Ｂの原色信号でそれぞれ駆
動されるものである。また、Ｂ色の光は他のＲ色やＧ色
と比較すると、光路が長いので、その損失を防ぐため
に、入射レンズ１１２２、リレーレンズ１１２３および
出射レンズ１１２４からなるリレーレンズ系１１２１を
介して導かれる。As shown in this figure, the projector 1
Inside 100, a lamp unit 1102 including a white light source such as a halogen lamp is provided. The projection light emitted from the lamp unit 1102 is separated into three primary colors of RGB by three mirrors 1106 and two dichroic mirrors 1108 arranged inside, and the light valves 100R and 100G corresponding to the respective primary colors.
And 100B respectively. Here, the light valves 100R, 100G, and 100B have the same configuration as that of the liquid crystal device 1 described above, and are driven by R, G, and B primary color signals supplied from an image signal processing circuit (not shown). is there. In addition, since the light of B color has a longer optical path than the other R and G colors, in order to prevent the loss, it is guided through a relay lens system 1121 including an entrance lens 1122, a relay lens 1123, and an exit lens 1124. Get burned.
【００６３】このように構成した投射型表示装置におい
て、ライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂによっ
てそれぞれ変調された光は、ダイクロイックプリズム１
１１２に３方向から入射される。このダイクロイックプ
リズム１１１２において、Ｒ色およびＢ色の光は９０度
に屈折する一方、Ｇ色の光は直進する。したがって、各
色の画像が合成される結果、投射レンズ１１１４を介し
て、スクリーン１１２０にカラー画像が投射されること
となる。In the projection type display device having such a configuration, the lights respectively modulated by the light valves 100R, 100G and 100B are emitted by the dichroic prism 1.
It is incident on 112 from three directions. In the dichroic prism 1112, the R color light and the B color light are refracted at 90 degrees, while the G color light goes straight. Therefore, as a result of combining the images of the respective colors, a color image is projected on the screen 1120 via the projection lens 1114.
【００６４】なお、ライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇお
よび１００Ｂには、ダイクロイックミラー１１０８によ
って、Ｒ、Ｇ、Ｂの各原色に対応する光が入射するの
で、上述したようにカラーフィルタを設ける必要はな
い。The light valves 100R, 100G, and 100B are not required to be provided with the color filters as described above, because the lights corresponding to the primary colors of R, G, and B are incident by the dichroic mirror 1108.
【００６５】[0065]
【発明の効果】以上説明したように、本発明では、対向
基板において、画素電極の境界領域と対向する各領域に
遮光膜が形成されているので、例えば、投射型表示装置
において、光源からの強い光が対向基板の側に照射され
ても、この強い光は、遮光膜の下層側に形成された高反
射層で反射されるので、発熱が小さい。また、戻り光と
してＴＦＴアレイ基板の側から光が入射して遮光膜に届
いた場合でも、遮光膜の上層側には低反射層が形成され
ているので、液晶装置に入射した光などが遮光膜で反射
して迷光となってＴＦＴのチャネル領域やドレイン端な
どに向かうという事態を回避することができる。As described above, according to the present invention, the light-shielding film is formed in each region of the counter substrate which faces the boundary region of the pixel electrode. Even if strong light is applied to the counter substrate side, this strong light is reflected by the high reflection layer formed on the lower layer side of the light shielding film, so that heat generation is small. Further, even when light is incident as return light from the TFT array substrate side and reaches the light-shielding film, the low-reflecting layer is formed on the upper layer side of the light-shielding film, so that light incident on the liquid crystal device is shielded. It is possible to avoid a situation in which the light is reflected by the film and becomes stray light, which goes toward the channel region or the drain end of the TFT.
【図１】本発明を適用した液晶装置のＴＦＴアレイ基板
をその上に形成された各構成要素と共に、対向基板の側
から見た平面図である。FIG. 1 is a plan view of a TFT array substrate of a liquid crystal device to which the present invention is applied, together with each component formed thereon, as viewed from a counter substrate side.
【図２】図１のＨ−Ｈ´の断面のうち、シール材で囲ま
れた領域内を抜き出して模式的に示した説明図である。FIG. 2 is an explanatory view schematically showing a region surrounded by a sealing material extracted from the cross section taken along the line HH ′ in FIG. 1.
【図３】図１に示す液晶装置の画像表示領域を構成する
マトリクス状に形成された複数の画素における各種素
子、配線等の等価回路である。FIG. 3 is an equivalent circuit of various elements, wirings, etc. in a plurality of pixels formed in a matrix forming an image display area of the liquid crystal device shown in FIG.
【図４】データ線、走査線、画素電極などが形成された
ＴＦＴアレイ基板において相隣接する画素の平面図であ
る。FIG. 4 is a plan view of pixels adjacent to each other on a TFT array substrate on which data lines, scanning lines, pixel electrodes, etc. are formed.
【図５】図４のＡ−Ａ′線に相当する位置での断面、お
よびＴＦＴアレイ基板と対向基板との間に電気光学物質
としての液晶を封入した状態の断面を示す説明図であ
る。5 is an explanatory view showing a cross section at a position corresponding to line AA ′ in FIG. 4 and a cross section in a state where liquid crystal as an electro-optical substance is sealed between a TFT array substrate and a counter substrate.
【図６】本発明に係るマイクロレンズ基板の製造方法に
おいて行う工程（ａ）〜（ｄ）の工程断面図である。FIG. 6 is a process cross-sectional view of steps (a) to (d) performed in the method for manufacturing a microlens substrate according to the present invention.
【図７】本発明に係るマイクロレンズ基板の製造方法に
おいて、図６に示す工程に続いて行なう各工程（ｅ）〜
（ｈ）の工程断面図である。7A to 7C are each step (e) to be performed following the step shown in FIG. 6 in the method for manufacturing a microlens substrate according to the present invention.
It is a process sectional view of (h).
【図８】本発明に係るマイクロレンズ基板の製造方法に
おいて、図７に示す工程に続いて行なう各工程（ｉ）〜
（ｌ）の工程断面図である。FIG. 8 is a step (i) to be performed subsequent to the step shown in FIG. 7 in the method for manufacturing a microlens substrate according to the present invention.
It is a process sectional view of (l).
【図９】本発明に係るマイクロレンズ基板の製造方法に
おいて、図８に示す工程に続いて行なう各工程（ｍ）、
（ｎ）の工程断面図である。説明する。9 is a step (m) performed subsequent to the step shown in FIG. 8 in the method for manufacturing a microlens substrate according to the present invention,
It is a process sectional view of (n). explain.
【図１０】投射型表示装置の光学系の概略構成図であ
る。FIG. 10 is a schematic configuration diagram of an optical system of a projection display device.
【図１１】従来の液晶装置の断面図である。FIG. 11 is a cross-sectional view of a conventional liquid crystal device.
１ 液晶装置（電気光学装置）
１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂ ライトバルブ（光変調
手段）
９ａ 画素電極
１０ ＴＦＴアレイ基板
１０ａ 画像表示領域
２０ 第１の透明基板
２３ 対向基板側の遮光膜
２６ 凹曲面部
３０ ＴＦＴ
５０ 液晶（電気光学物質）
５２ シール材
５３ 見切り用の遮光膜
２００ 対向基板（マイクロレンズ基板）
２３１ 遮光膜の高反射層
２３２ 遮光膜の低反射層
２５０ 第２の透明基板
５００ マイクロレンズ
１１００ 投射型表示装置（プロジェクタ）1 Liquid Crystal Device (Electro-Optical Device) 100R, 100G, 100B Light Valve (Light Modulating Means) 9a Pixel Electrode 10 TFT Array Substrate 10a Image Display Area 20 First Transparent Substrate 23 Light-shielding Film 26 on Counter Substrate Side Recessed Curved Surface 30 TFT 50 Liquid Crystal (Electro-Optical Material) 52 Sealing Material 53 Light-shielding Film for Parting Out 200 Opposing Substrate (Microlens Substrate) 231 High-Reflecting Layer 232 of Light-shielding Film Low-Reflecting Layer of Light-shielding Film 250 Second Transparent Substrate 500 Micro Lens 1100 Display device (projector)
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｇ０２Ｆ 1/1335 ５００ Ｇ０２Ｆ 1/1335 ５００ 1/1368 1/1368 Ｆターム(参考） 2H088 EA14 EA15 HA08 HA14 MA02 MA04 2H091 FA29Y FA34Y FB06 FB08 FD06 GA13 LA03 2H092 GA20 JA24 JB51 NA01 PA07 PA09 5C094 AA16 BA03 BA16 BA43 CA19 DA14 DA15 DB04 EA04 EA06 EA07 ED01 ED11 ED15 FB12─────────────────────────────────────────────────── ─── Continued Front Page (51) Int.Cl. 7 Identification Code FI Theme Coat (Reference) G02F 1/1335 500 G02F 1/1335 500 1/1368 1/1368 F Term (Reference) 2H088 EA14 EA15 HA08 HA14 MA02 MA04 2H091 FA29Y FA34Y FB06 FB08 FD06 GA13 LA03 2H092 GA20 JA24 JB51 NA01 PA07 PA09 5C094 AA16 BA03 BA16 BA43 CA19 DA14 DA15 DB04 EA04 EA06 EA07 ED01 ED11 ED15 FB12
Claims (11)
トランジスタが複数、マトリクス状に形成されたＴＦＴ
アレイ基板と、透明基板の前記ＴＦＴアレイ基板と対向
する表面側に、前記画素電極と対向する対向電極、およ
び前記画素電極同士の境界領域に対向する遮光膜が形成
された対向基板と、該対向基板と前記ＴＦＴアレイ基板
との間に保持された電気光学物質とを有する電気光学装
置において、 前記遮光膜は、光反射率の高い材料から形成された高反
射層と、該高反射層の上層側に当該高反射層よりも光反
射率の低い材料から形成された低反射層とを備えている
ことを特徴とする電気光学装置。1. A TFT in which a plurality of pixel electrodes and pixel switching thin film transistors are formed in a matrix.
An array substrate, a counter substrate on a surface of the transparent substrate facing the TFT array substrate, a counter electrode facing the pixel electrode, and a light blocking film facing a boundary region between the pixel electrodes, and the counter substrate. In an electro-optical device having an electro-optical material held between a substrate and the TFT array substrate, the light-shielding film is a highly reflective layer formed of a material having a high light reflectance, and an upper layer of the highly reflective layer. An electro-optical device comprising a low reflection layer formed of a material having a light reflectance lower than that of the high reflection layer on the side.
膜から形成され、前記低反射層は金属窒化膜または金属
酸化膜から形成されていることを特徴とする電気光学装
置。2. The electro-optical device according to claim 1, wherein the high reflection layer is formed of a metal film, and the low reflection layer is formed of a metal nitride film or a metal oxide film.
ミニウム膜から形成され、前記低反射層は窒化チタン膜
から形成されていることを特徴とする電気光学装置。3. The electro-optical device according to claim 1, wherein the high reflection layer is formed of an aluminum film, and the low reflection layer is formed of a titanium nitride film.
前記対向基板では、前記画素電極と対向する各領域の各
々にマイクロレンズが形成されていることを特徴とする
電気光学装置。4. The method according to any one of claims 1 to 3,
An electro-optical device, wherein a microlens is formed in each of the regions facing the pixel electrode on the counter substrate.
前記電気光学物質は、液晶であることを特徴とする電気
光学装置。5. The method according to any one of claims 1 to 4,
The electro-optical device, wherein the electro-optical material is liquid crystal.
電気光学装置をライトバルブとして用いるとともに、前
記対向基板側を光源からの光の入射側としたことを特徴
とする投射型表示装置。6. A projection type display device, wherein the electro-optical device defined in any one of claims 1 to 5 is used as a light valve, and the counter substrate side is an incident side of light from a light source.
トランジスタが複数、マトリクス状に形成されたＴＦＴ
アレイ基板と、透明基板の前記ＴＦＴアレイ基板と対向
する表面側に、前記画素電極に対向する対向電極、およ
び前記画素電極同士の境界領域に対向する遮光膜が形成
された対向基板と、該対向基板と前記ＴＦＴアレイ基板
との間に保持された電気光学物質とを有する電気光学装
置の製造方法において、 前記対向基板に前記遮光膜を形成するにあたっては、前
記透明基板の表面側に、光反射率の高い材料から形成さ
れた高反射層と、当該高反射層よりも光反射率の低い材
料から形成された低反射層とをこの順に形成することを
特徴とする電気光学装置の製造方法。7. A TFT in which a plurality of pixel electrodes and pixel switching thin film transistors are formed in a matrix.
An array substrate, a counter substrate on a surface of the transparent substrate facing the TFT array substrate, a counter electrode facing the pixel electrode, and a light-shielding film facing a boundary region between the pixel electrodes, and the counter substrate. In a method of manufacturing an electro-optical device having an electro-optical material held between a substrate and the TFT array substrate, in forming the light-shielding film on the counter substrate, light reflection is performed on a surface side of the transparent substrate. A method of manufacturing an electro-optical device, comprising: forming a high reflection layer formed of a material having a high reflectance and a low reflection layer formed of a material having a light reflectance lower than that of the high reflection layer in this order.
膜から形成し、前記低反射層を金属窒化膜から形成する
ことを特徴とする電気光学装置の製造方法。8. The method for manufacturing an electro-optical device according to claim 7, wherein the high reflection layer is formed of a metal film, and the low reflection layer is formed of a metal nitride film.
ミニウム膜から形成し、前記低反射層を窒化チタン膜か
ら形成することを特徴とする電気光学装置の製造方法。9. The method of manufacturing an electro-optical device according to claim 7, wherein the high reflection layer is formed of an aluminum film, and the low reflection layer is formed of a titanium nitride film.
記遮光膜を形成するにあたっては、前記透明基板の表面
側にアルミニウム膜と窒化チタン膜とをこの順に形成し
た後、前記アルミニウム膜と前記窒化チタン膜とを一括
してパターニングして前記遮光膜を形成することを特徴
とする電気光学装置の製造方法。10. The method according to claim 9, wherein when forming the light shielding film on the counter substrate, an aluminum film and a titanium nitride film are formed in this order on the front surface side of the transparent substrate, and then the aluminum film and the nitride film are formed. A method of manufacturing an electro-optical device, which comprises patterning a titanium film together to form the light-shielding film.
て、前記対向基板を形成するにあたっては、前記透明基
板としてマイクロレンズが形成された基板を用いること
を特徴とする電気光学装置の製造方法。11. The method of manufacturing an electro-optical device according to claim 7, wherein when forming the counter substrate, a substrate on which microlenses are formed is used as the transparent substrate.
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Cited By (2)
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|---|---|---|---|---|
| JP2005128517A (en) * | 2003-09-30 | 2005-05-19 | Citizen Watch Co Ltd | Method for manufacturing device in which elctro-optical conversion member is used |
| JP2015018149A (en) * | 2013-07-12 | 2015-01-29 | セイコーエプソン株式会社 | Electro-optic device substrate, electro-optic device, electronic apparatus and manufacturing method of electro-optic device substrate |
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2001
- 2001-10-19 JP JP2001322805A patent/JP2003131591A/en active Pending
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