JP2003124047A - コイル及びその製造方法 - Google Patents
コイル及びその製造方法Info
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- JP2003124047A JP2003124047A JP2001317678A JP2001317678A JP2003124047A JP 2003124047 A JP2003124047 A JP 2003124047A JP 2001317678 A JP2001317678 A JP 2001317678A JP 2001317678 A JP2001317678 A JP 2001317678A JP 2003124047 A JP2003124047 A JP 2003124047A
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- coil
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- conductor
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- Manufacturing Cores, Coils, And Magnets (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 フォトレジストのクラックや欠損を防止し、
ショートのないコイル、及びその製造方法を提供する。 【解決手段】 フォトレジストを用いて基板上にコイル
のパターンを作成し、メッキ法によりレジスト開口部に
導体を成長させた後、基板を取り去り、メッキ法により
基板を取り去った面より導体を成長させる際、油脂分を
塗布したり、アルカリ処理することにより、コイル全体
にわたって、フォトレジストと樹脂との間に隙間がな
く、フォトレジストが樹脂に追随して変形したり、コイ
ル全体にわたってフォトレジストと樹脂との間に隙間が
形成されている。
ショートのないコイル、及びその製造方法を提供する。 【解決手段】 フォトレジストを用いて基板上にコイル
のパターンを作成し、メッキ法によりレジスト開口部に
導体を成長させた後、基板を取り去り、メッキ法により
基板を取り去った面より導体を成長させる際、油脂分を
塗布したり、アルカリ処理することにより、コイル全体
にわたって、フォトレジストと樹脂との間に隙間がな
く、フォトレジストが樹脂に追随して変形したり、コイ
ル全体にわたってフォトレジストと樹脂との間に隙間が
形成されている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、コイル及びその製
造方法に関するものであり、特にコイル内にフォトレジ
ストが残るコイルにおいて、フォトレジストにクラッ
ク、欠損のないコイル及びその製造方法に関する。
造方法に関するものであり、特にコイル内にフォトレジ
ストが残るコイルにおいて、フォトレジストにクラッ
ク、欠損のないコイル及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、コイルとしては導線を巻いて作成
する巻線コイルがあった。一方、フォトレジストを用い
て基板上にコイルのパターンを作成し、メッキ法により
レジスト開口部に導体を成長させた後、基板を取り去
り、メッキ法により基板を取り去った面より導体を成長
させるコイルがある。この方法により作成されるコイル
では、所望のコイルパターンを容易に実現することが可
能であり、微小ピッチのパターンを作成することや薄型
コイルにできるなど、巻線コイルでは不可能なコイルの
製造を可能にするものである。
する巻線コイルがあった。一方、フォトレジストを用い
て基板上にコイルのパターンを作成し、メッキ法により
レジスト開口部に導体を成長させた後、基板を取り去
り、メッキ法により基板を取り去った面より導体を成長
させるコイルがある。この方法により作成されるコイル
では、所望のコイルパターンを容易に実現することが可
能であり、微小ピッチのパターンを作成することや薄型
コイルにできるなど、巻線コイルでは不可能なコイルの
製造を可能にするものである。
【０００３】図１は従来のメッキ法によるコイルの製造
方法を示す図である。図１において、フォトレジスト２
を用いてアルミ基板１上にコイルのパターンを形成し、
メッキ法によりレジスト開口部に銅３を成長させる。こ
れを一次メッキという。次いで、ガラスクロス４をはさ
んで、樹脂５により積層し、アルミ基板１をエッチング
により除去する。次いで、レジスト開口部から銅メッキ
を行う。これを二次メッキという。最後に、表面をコー
トしてコイルを作成している。
方法を示す図である。図１において、フォトレジスト２
を用いてアルミ基板１上にコイルのパターンを形成し、
メッキ法によりレジスト開口部に銅３を成長させる。こ
れを一次メッキという。次いで、ガラスクロス４をはさ
んで、樹脂５により積層し、アルミ基板１をエッチング
により除去する。次いで、レジスト開口部から銅メッキ
を行う。これを二次メッキという。最後に、表面をコー
トしてコイルを作成している。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】この方法により作成さ
れるコイルは、コイルの構成材料としてフォトレジスト
が残ることになる。フォトレジストがゴム系であり、導
体を埋める絶縁材料がアルキッド樹脂系のワニスであ
り、基板上にメッキ法により成長させる導体高さと隣り
合う導体間距離の比が１．０以上であると、コイル作成
工程中の熱履歴などによるワニスの収縮により、ワニス
とレジストの間に空洞が発生したり（図２（ａ））、ワ
ニスの縮みにレジストが追従してフォトレジストが変形
したり、歪んだりする現象が確認されている（図２
（ｂ））。
れるコイルは、コイルの構成材料としてフォトレジスト
が残ることになる。フォトレジストがゴム系であり、導
体を埋める絶縁材料がアルキッド樹脂系のワニスであ
り、基板上にメッキ法により成長させる導体高さと隣り
合う導体間距離の比が１．０以上であると、コイル作成
工程中の熱履歴などによるワニスの収縮により、ワニス
とレジストの間に空洞が発生したり（図２（ａ））、ワ
ニスの縮みにレジストが追従してフォトレジストが変形
したり、歪んだりする現象が確認されている（図２
（ｂ））。
【０００５】このとき、図２（ａ）のような空洞の発生
箇所と、図２（ｂ）のようなフォトレジストがワニスに
追従する箇所が続けて発生する場合、その箇所のフォト
レジストに欠損が発生する場合があることが確認された
（図２（ｃ））。これらのレジスト欠損・クラックは基
板を取り去った面より導体を成長させる前に発生し、基
板を取り去った面より導体を成長させる際に、レジスト
欠損・クラックから導体が成長し、導体パターンの間で
接触してしまい、コイルにショート回路が発生し、所望
の電気特性が得られないという不具合が生じる恐れがあ
った。
箇所と、図２（ｂ）のようなフォトレジストがワニスに
追従する箇所が続けて発生する場合、その箇所のフォト
レジストに欠損が発生する場合があることが確認された
（図２（ｃ））。これらのレジスト欠損・クラックは基
板を取り去った面より導体を成長させる前に発生し、基
板を取り去った面より導体を成長させる際に、レジスト
欠損・クラックから導体が成長し、導体パターンの間で
接触してしまい、コイルにショート回路が発生し、所望
の電気特性が得られないという不具合が生じる恐れがあ
った。
【０００６】本発明は、レジストの欠損やクラックを発
生させず、不要な導体成長を低減し、導体パターンが接
触したり、ショートを生じないコイルおよびその製造方
法を提供することを課題とする。
生させず、不要な導体成長を低減し、導体パターンが接
触したり、ショートを生じないコイルおよびその製造方
法を提供することを課題とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、上述のよ
うな２次メッキのショートの原因がレジストのクラッ
ク、欠損であることを見出した。フォトレジストにクラ
ック、欠損が発生すると、２次メッキ時にその個所から
メッキ液が進入し、そのメッキ液が１次メッキの導体に
到達して、クラック、欠損からの導体の成長を引き起こ
すのである。そして、フォトレジストにクラック、欠損
が発生する原因は、フォトレジストとアルミ基板の密着
力、およびフォトレジストと樹脂の密着力が場所により
違いがあり、ある個所ではフォトレジストとアルミ基板
の方が強く、別の個所ではフォトレジストと樹脂の方が
強い場合にクラックや欠損が発生しやすいということが
わかった。
うな２次メッキのショートの原因がレジストのクラッ
ク、欠損であることを見出した。フォトレジストにクラ
ック、欠損が発生すると、２次メッキ時にその個所から
メッキ液が進入し、そのメッキ液が１次メッキの導体に
到達して、クラック、欠損からの導体の成長を引き起こ
すのである。そして、フォトレジストにクラック、欠損
が発生する原因は、フォトレジストとアルミ基板の密着
力、およびフォトレジストと樹脂の密着力が場所により
違いがあり、ある個所ではフォトレジストとアルミ基板
の方が強く、別の個所ではフォトレジストと樹脂の方が
強い場合にクラックや欠損が発生しやすいということが
わかった。
【０００８】その原因は、積層工程において温度を１７
０℃から室温に下げるときに樹脂が収縮することにあ
る。樹脂が収縮するとき、フォトレジストとアルミ基板
のほうが密着力の強い個所は、フォトレジストがアルミ
基板に張り付いたままで変形せず、フォトレジストとワ
ニスの間に空間が発生する。一方、フォトレジストと樹
脂の方が密着力の強い個所は、フォトレジストが樹脂に
追従し変形する。
０℃から室温に下げるときに樹脂が収縮することにあ
る。樹脂が収縮するとき、フォトレジストとアルミ基板
のほうが密着力の強い個所は、フォトレジストがアルミ
基板に張り付いたままで変形せず、フォトレジストとワ
ニスの間に空間が発生する。一方、フォトレジストと樹
脂の方が密着力の強い個所は、フォトレジストが樹脂に
追従し変形する。
【０００９】そして、フォトレジストと樹脂との間の方
が密着力の強い個所とフォトレジストとアルミ基板との
間の方が密着力の強い個所とが隣り合うと、フォトレジ
ストが変形せず空間が形成される個所と、フォトレジス
トが樹脂に追従し変形する個所とが形成されることにな
り、それらの個所の間でレジストの破れが発生する。つ
まり、２次メッキ時のショートを回避するには、フォト
レジストが変形せず空間ができる個所と、フォトレジス
トが樹脂に追従し変形する個所とが連続して形成されな
いような構造を作ればよいことがわかった。
が密着力の強い個所とフォトレジストとアルミ基板との
間の方が密着力の強い個所とが隣り合うと、フォトレジ
ストが変形せず空間が形成される個所と、フォトレジス
トが樹脂に追従し変形する個所とが形成されることにな
り、それらの個所の間でレジストの破れが発生する。つ
まり、２次メッキ時のショートを回避するには、フォト
レジストが変形せず空間ができる個所と、フォトレジス
トが樹脂に追従し変形する個所とが連続して形成されな
いような構造を作ればよいことがわかった。
【００１０】すなわち、フォトレジストがコイル全体に
わたって変形しない構造にしたり、フォトレジストがコ
イル全体にわたって変形した構造にすればよい。このよ
うな構造にするためには、フォトレジストをアルカリ処
理してフォトレジストと樹脂の密着力を弱することがあ
げられる。このようにすることにより、相対的にフォト
レジストとアルミ基板の密着力を強くして、レジストが
コイル全体にわたってアルミ基板に密着し、変形しない
ようにすることができる。
わたって変形しない構造にしたり、フォトレジストがコ
イル全体にわたって変形した構造にすればよい。このよ
うな構造にするためには、フォトレジストをアルカリ処
理してフォトレジストと樹脂の密着力を弱することがあ
げられる。このようにすることにより、相対的にフォト
レジストとアルミ基板の密着力を強くして、レジストが
コイル全体にわたってアルミ基板に密着し、変形しない
ようにすることができる。
【００１１】また、基板にレジストを塗布する前に、ア
ルミ基板に油脂分を塗布し、フォトレジストとアルミ基
板の密着力を弱くすることにより、フォトレジストが樹
脂に追従して変形するようにすればよい。また、フォト
レジストと樹脂、フォトレジストとアルミ基板以外に密
着力の弱いところを作り、別の密着力の弱い界面が剥が
れるようにすればよい。例えば、アクリレート系レジス
トの使用により、フォトレジストと樹脂、フォトレジス
トとアルミ基板の密着力を強くし、さらに樹脂を２層に
して、１層目の樹脂と２層目の樹脂の界面が剥がれるよ
うにすればよい。
ルミ基板に油脂分を塗布し、フォトレジストとアルミ基
板の密着力を弱くすることにより、フォトレジストが樹
脂に追従して変形するようにすればよい。また、フォト
レジストと樹脂、フォトレジストとアルミ基板以外に密
着力の弱いところを作り、別の密着力の弱い界面が剥が
れるようにすればよい。例えば、アクリレート系レジス
トの使用により、フォトレジストと樹脂、フォトレジス
トとアルミ基板の密着力を強くし、さらに樹脂を２層に
して、１層目の樹脂と２層目の樹脂の界面が剥がれるよ
うにすればよい。
【００１２】また、樹脂として収縮しないようなものを
用いることにより、積層工程での樹脂の収縮を無くすよ
うにする。例えば、熱履歴等による収縮の小さい、具体
的には線膨張率が２×１０-4／Ｋ以下、好ましくは１×
１０-4／Ｋ以下であるものを用いればよい。例えば、ア
クリレート系樹脂材料を用いることができる。
用いることにより、積層工程での樹脂の収縮を無くすよ
うにする。例えば、熱履歴等による収縮の小さい、具体
的には線膨張率が２×１０-4／Ｋ以下、好ましくは１×
１０-4／Ｋ以下であるものを用いればよい。例えば、ア
クリレート系樹脂材料を用いることができる。
【００１３】このような製造方法により形成されたコイ
ルでは、クラック、欠損のきわめて少ないフォトレジス
トとすることができる。特に、このようなクラックや欠
陥が、仮にすべてショートに結びついたとしても、コイ
ル部分の面積１００平方センチメートルに対しクラック
や欠損が２個以下であれば、十分満足する収率が得られ
ることとなり、通常の大きさのコイルではショートがほ
ぼ発生しないという結果が得られることとなる。
ルでは、クラック、欠損のきわめて少ないフォトレジス
トとすることができる。特に、このようなクラックや欠
陥が、仮にすべてショートに結びついたとしても、コイ
ル部分の面積１００平方センチメートルに対しクラック
や欠損が２個以下であれば、十分満足する収率が得られ
ることとなり、通常の大きさのコイルではショートがほ
ぼ発生しないという結果が得られることとなる。
【００１４】すなわち、本発明の請求項１に係るコイル
は、基板にコイルパターンのフォトレジストを形成し、
メッキ法によりフォトレジスト開口部に第１の導体を成
長させ、これらの導体が形成された基板どうしを前記導
体が向かい合うように、かつ前記導体間に樹脂を介して
積層し、次いで前記基板を取り去り、基板を取り去った
面からメッキ法により第２の導体を成長させたコイルで
あって、前記コイル部分全体にわたって、前記フォトレ
ジストと前記樹脂との間に隙間が形成されていて、前記
フォトレジストが変形しないようになっていると共に、
前記フォトレジストが変形することにより発生するクラ
ックまたは欠陥が前記コイル部分の面積１００平方セン
チメートルに対し２個以下となっていることを特徴とす
る。
は、基板にコイルパターンのフォトレジストを形成し、
メッキ法によりフォトレジスト開口部に第１の導体を成
長させ、これらの導体が形成された基板どうしを前記導
体が向かい合うように、かつ前記導体間に樹脂を介して
積層し、次いで前記基板を取り去り、基板を取り去った
面からメッキ法により第２の導体を成長させたコイルで
あって、前記コイル部分全体にわたって、前記フォトレ
ジストと前記樹脂との間に隙間が形成されていて、前記
フォトレジストが変形しないようになっていると共に、
前記フォトレジストが変形することにより発生するクラ
ックまたは欠陥が前記コイル部分の面積１００平方セン
チメートルに対し２個以下となっていることを特徴とす
る。
【００１５】また、請求項２に係るコイルは、基板にコ
イルパターンのフォトレジストを形成し、メッキ法によ
りフォトレジスト開口部に第１の導体を成長させ、これ
らの導体が形成された基板どうしを前記導体が向かい合
うように、かつ前記導体間に樹脂を介して積層し、次い
で前記基板を取り去り、基板を取り去った面からメッキ
法により第２の導体を成長させたコイルであって、前記
コイル全面にわたって、前記フォトレジストと前記樹脂
との間に隙間がなく、かつフォトレジストが前記樹脂に
追随して変形するようになっていると共に、前記フォト
レジストが変形しないことにより発生するクラックまた
は欠陥が前記コイル部分の面積１００平方センチメート
ルに対し２個以下となっていることを特徴とする。
イルパターンのフォトレジストを形成し、メッキ法によ
りフォトレジスト開口部に第１の導体を成長させ、これ
らの導体が形成された基板どうしを前記導体が向かい合
うように、かつ前記導体間に樹脂を介して積層し、次い
で前記基板を取り去り、基板を取り去った面からメッキ
法により第２の導体を成長させたコイルであって、前記
コイル全面にわたって、前記フォトレジストと前記樹脂
との間に隙間がなく、かつフォトレジストが前記樹脂に
追随して変形するようになっていると共に、前記フォト
レジストが変形しないことにより発生するクラックまた
は欠陥が前記コイル部分の面積１００平方センチメート
ルに対し２個以下となっていることを特徴とする。
【００１６】さらに、請求項３に係るコイルは、基板に
コイルパターンのフォトレジストを形成させ、メッキ法
によりフォトレジスト開口部に第１の導体を成長し、こ
れらの導体が形成された基板どうしを前記導体が向かい
合うように、かつ前記導体間に樹脂を介して積層し、次
いで前記基板を取り去り、基板を取り去った面からメッ
キ法により第２の導体を成長させたコイルであって、前
記樹脂の線膨張率が２×１０-4／Ｋ以下であることを特
徴とする。
コイルパターンのフォトレジストを形成させ、メッキ法
によりフォトレジスト開口部に第１の導体を成長し、こ
れらの導体が形成された基板どうしを前記導体が向かい
合うように、かつ前記導体間に樹脂を介して積層し、次
いで前記基板を取り去り、基板を取り去った面からメッ
キ法により第２の導体を成長させたコイルであって、前
記樹脂の線膨張率が２×１０-4／Ｋ以下であることを特
徴とする。
【００１７】請求項４に係るコイルの製造方法は、基板
に油脂を塗布する工程、前記基板にフォトレジストを形
成させ、コイルパターンを形成する工程、メッキ法によ
りフォトレジスト開口部に第１の導体を成長する工程、
これらの導体が形成された基板どうしを前記導体が向か
い合うように、かつ前記導体間に樹脂を介して積層する
工程、前記基板を取り去り、基板を取り去った面からメ
ッキ法により第２の導体を成長させる工程、を有するも
のである。
に油脂を塗布する工程、前記基板にフォトレジストを形
成させ、コイルパターンを形成する工程、メッキ法によ
りフォトレジスト開口部に第１の導体を成長する工程、
これらの導体が形成された基板どうしを前記導体が向か
い合うように、かつ前記導体間に樹脂を介して積層する
工程、前記基板を取り去り、基板を取り去った面からメ
ッキ法により第２の導体を成長させる工程、を有するも
のである。
【００１８】さらに、請求項５に係るコイルの製造方法
は、前記基板にフォトレジストを形成し、コイルパター
ンを形成する工程、前記フォトレジストをアルカリ処理
する工程、メッキ法によりフォトレジスト開口部に第１
の導体を成長する工程、これらの導体が形成された基板
どうしを前記導体が向かい合うように、かつ前記導体間
に樹脂を介して積層する工程、前記基板を取り去り、基
板を取り去った面からメッキ法により第２の導体を成長
させる工程、を有するものである。
は、前記基板にフォトレジストを形成し、コイルパター
ンを形成する工程、前記フォトレジストをアルカリ処理
する工程、メッキ法によりフォトレジスト開口部に第１
の導体を成長する工程、これらの導体が形成された基板
どうしを前記導体が向かい合うように、かつ前記導体間
に樹脂を介して積層する工程、前記基板を取り去り、基
板を取り去った面からメッキ法により第２の導体を成長
させる工程、を有するものである。
【００１９】請求項６に係るコイルの製造方法は、前記
基板にアクリレート系フォトレジストを形成し、コイル
パターンを形成する工程、メッキ法によりフォトレジス
ト開口部に第１の導体を成長する工程、前記第１の導体
が形成された基板上に第１層のアルキッド樹脂系絶縁材
料を塗布する工程、前記第１層のアルキッド樹脂系絶縁
材料上に第２層のアルキッド樹脂系絶縁材料を塗布する
工程、これらの導体が形成された基板どうしを前記導体
が向かい合うように積層する工程、前記基板を取り去
り、基板を取り去った面からメッキ法により第２の導体
を成長させる工程、を有するものである。
基板にアクリレート系フォトレジストを形成し、コイル
パターンを形成する工程、メッキ法によりフォトレジス
ト開口部に第１の導体を成長する工程、前記第１の導体
が形成された基板上に第１層のアルキッド樹脂系絶縁材
料を塗布する工程、前記第１層のアルキッド樹脂系絶縁
材料上に第２層のアルキッド樹脂系絶縁材料を塗布する
工程、これらの導体が形成された基板どうしを前記導体
が向かい合うように積層する工程、前記基板を取り去
り、基板を取り去った面からメッキ法により第２の導体
を成長させる工程、を有するものである。
【００２０】
【発明の実施の形態】以下、本発明を実施に基づいて説
明する。
明する。
【００２１】
【実施例】実施例１
袋綴じ状アルミニウム基板の両面に、ゴム系フォトレジ
ストを塗布してフォトリソグラフィー法によりコイルパ
ターンを形成し、表出したアルミニウム基板面に前処理
を施した後、メッキ法により銅を成長させた。銅の導体
高さは３２μｍ、導体間距離は２０μｍであった。
ストを塗布してフォトリソグラフィー法によりコイルパ
ターンを形成し、表出したアルミニウム基板面に前処理
を施した後、メッキ法により銅を成長させた。銅の導体
高さは３２μｍ、導体間距離は２０μｍであった。
【００２２】そして表出しているフォトレジスト表面に
アルカリ処理を実施した後、アルキッド樹脂系絶縁材料
であるワニスを２回塗布し、基板の四辺をカットするこ
とにより基板を２枚に分割させた。そしてエポキシ系接
着剤を両面に塗布したガラスクロスを用いて、１７０
℃、１０ｋｇ／ｃｍ2、１０ｔｏｒｒの真空プレスを行
い、コイルパターンが形成された両面を張り合わせた。
その後基板であるアルミニウムをエッチングにより除去
した。
アルカリ処理を実施した後、アルキッド樹脂系絶縁材料
であるワニスを２回塗布し、基板の四辺をカットするこ
とにより基板を２枚に分割させた。そしてエポキシ系接
着剤を両面に塗布したガラスクロスを用いて、１７０
℃、１０ｋｇ／ｃｍ2、１０ｔｏｒｒの真空プレスを行
い、コイルパターンが形成された両面を張り合わせた。
その後基板であるアルミニウムをエッチングにより除去
した。
【００２３】上記基板の断面観察を実施したところ、ワ
ニスは収縮しているが、フォトレジストはワニスに追従
せず変形がないことを確認した。また表面観察により、
フォトレジストとワニス間に空洞が存在すること、また
レジストにクラック、欠損が無いことを確認した。その
後、再度メッキ法により銅を成長させたが、パターン以
外の位置での導体の成長は認められなかった。
ニスは収縮しているが、フォトレジストはワニスに追従
せず変形がないことを確認した。また表面観察により、
フォトレジストとワニス間に空洞が存在すること、また
レジストにクラック、欠損が無いことを確認した。その
後、再度メッキ法により銅を成長させたが、パターン以
外の位置での導体の成長は認められなかった。
【００２４】実施例２
表面に油脂分を塗布した袋綴じ状アルミニウム基板の両
面に、ゴム系フォトレジストを塗布してフォトリソグラ
フィー法によりコイルパターンを形成し、前処理を施し
た後メッキ法により銅を成長させた。銅の導体高さは３
２μｍ、導体間距離は２０μｍであった。その後、アル
キッド樹脂系絶縁材料であるワニスを２回塗布し、基板
の四辺をカットすることにより基板を２枚に分割させ
た。そしてエポキシ系接着剤を両面に塗布したガラスク
ロスを用いて、１７０℃、１０ｋｇ／ｃｍ2、１０ｔｏ
ｒｒの真空プレスを行い、コイルパターンが形成された
両面を張り合わせた。その後、基板であるアルミニウム
をエッチングにより除去した。
面に、ゴム系フォトレジストを塗布してフォトリソグラ
フィー法によりコイルパターンを形成し、前処理を施し
た後メッキ法により銅を成長させた。銅の導体高さは３
２μｍ、導体間距離は２０μｍであった。その後、アル
キッド樹脂系絶縁材料であるワニスを２回塗布し、基板
の四辺をカットすることにより基板を２枚に分割させ
た。そしてエポキシ系接着剤を両面に塗布したガラスク
ロスを用いて、１７０℃、１０ｋｇ／ｃｍ2、１０ｔｏ
ｒｒの真空プレスを行い、コイルパターンが形成された
両面を張り合わせた。その後、基板であるアルミニウム
をエッチングにより除去した。
【００２５】上記基板の断面観察を実施したところ、フ
ォトレジストがワニスに隙間なく追従して変形している
ことを確認した。また表面観察により、フォトレジスト
にクラック、欠損がないことを確認した。その後、再度
メッキ法により銅を成長させたが、パターン以外の位置
での導体の成長は認められなかった。
ォトレジストがワニスに隙間なく追従して変形している
ことを確認した。また表面観察により、フォトレジスト
にクラック、欠損がないことを確認した。その後、再度
メッキ法により銅を成長させたが、パターン以外の位置
での導体の成長は認められなかった。
【００２６】実施例３
袋綴じ状アルミニウム基板の両面に、ゴム系フォトレジ
ストを塗布してフォトリソグラフィー法によりコイルパ
ターンを形成し、前処理を施した後メッキ法により銅を
成長させた。銅の導体高さは３２μｍ、導体間距離は２
０μｍであった。その後、スクリーン印刷法によりアク
リレート樹脂系絶縁材料であり、線膨張率１×１０-4／
Ｋの穴埋めインクを基板両面に塗り込み、基板の四辺を
カットすることにより基板を２枚に分割させた。そして
エポキシ系接着剤を両面に塗布したガラスクロスを用い
て、１７０℃、１０ｋｇ／ｃｍ2、１０ｔｏｒｒの真空
プレスを行い、コイルパターンが形成された両面を張り
合わせた。その後、基板であるアルミニウムをエッチン
グにより除去した。
ストを塗布してフォトリソグラフィー法によりコイルパ
ターンを形成し、前処理を施した後メッキ法により銅を
成長させた。銅の導体高さは３２μｍ、導体間距離は２
０μｍであった。その後、スクリーン印刷法によりアク
リレート樹脂系絶縁材料であり、線膨張率１×１０-4／
Ｋの穴埋めインクを基板両面に塗り込み、基板の四辺を
カットすることにより基板を２枚に分割させた。そして
エポキシ系接着剤を両面に塗布したガラスクロスを用い
て、１７０℃、１０ｋｇ／ｃｍ2、１０ｔｏｒｒの真空
プレスを行い、コイルパターンが形成された両面を張り
合わせた。その後、基板であるアルミニウムをエッチン
グにより除去した。
【００２７】上記基板の断面観察を実施したところ、フ
ォトレジストが変形していないこと、及びフォトレジス
トと穴埋めインクとの間が隙間無く埋められていること
を確認した。また表面観察により、レジストにクラッ
ク、欠損がないことを確認した。その後、再度メッキ法
により銅を成長させたが、パターン以外の位置での導体
の成長は認められなかった。
ォトレジストが変形していないこと、及びフォトレジス
トと穴埋めインクとの間が隙間無く埋められていること
を確認した。また表面観察により、レジストにクラッ
ク、欠損がないことを確認した。その後、再度メッキ法
により銅を成長させたが、パターン以外の位置での導体
の成長は認められなかった。
【００２８】実施例４
袋綴じ状アルミニウム基板の両面に前処理を施してメッ
キ法により両面に下地銅を成長させた後、アクリレート
系フォトレジストを塗布してフォトリソグラフィー法に
よりコイルパターンを形成し、メッキ法により銅を成長
させた。銅の導体高さは３２μｍ、導体間距離は２０μ
ｍであった。その後、アルキッド樹脂系絶縁材料である
ワニスを２回塗布し、基板の四辺をカットすることによ
り基板を２枚に分割させた。そして、エポキシ系接着剤
を両面に塗布したガラスクロスを用いて、１７０℃、１
０ｋｇ／ｃｍ2、１０ｔｏｒｒの真空プレスを行い、コ
イルパターンが形成された両面を張り合わせた。その後
基板であるアルミニウムをエッチングにより除去し、さ
らにアルミニウム基板上に最初に成長させた下地銅の層
をエッチングにより除去した。
キ法により両面に下地銅を成長させた後、アクリレート
系フォトレジストを塗布してフォトリソグラフィー法に
よりコイルパターンを形成し、メッキ法により銅を成長
させた。銅の導体高さは３２μｍ、導体間距離は２０μ
ｍであった。その後、アルキッド樹脂系絶縁材料である
ワニスを２回塗布し、基板の四辺をカットすることによ
り基板を２枚に分割させた。そして、エポキシ系接着剤
を両面に塗布したガラスクロスを用いて、１７０℃、１
０ｋｇ／ｃｍ2、１０ｔｏｒｒの真空プレスを行い、コ
イルパターンが形成された両面を張り合わせた。その後
基板であるアルミニウムをエッチングにより除去し、さ
らにアルミニウム基板上に最初に成長させた下地銅の層
をエッチングにより除去した。
【００２９】上記基板の断面観察を実施したところレジ
ストが変形していないこと、ワニスの１回目と２回目の
塗布の界面が剥離していることを確認した。また表面観
察により、フォトレジストにクラック、欠損がないこと
を確認した。その後再度メッキ法により銅を成長させた
が、パターン以外の位置での導体の成長は認められなか
った。
ストが変形していないこと、ワニスの１回目と２回目の
塗布の界面が剥離していることを確認した。また表面観
察により、フォトレジストにクラック、欠損がないこと
を確認した。その後再度メッキ法により銅を成長させた
が、パターン以外の位置での導体の成長は認められなか
った。
【００３０】比較例１
袋綴じ状アルミニウム基板の両面に、ゴム系フォトレジ
ストを塗布してフォトリソグラフィー法によりコイルパ
ターンを形成し、前処理を施した後メッキ法により銅を
成長させた。銅の導体高さは３２μｍ、導体間距離は２
０μｍであった。その後、アルキッド樹脂系絶縁材料で
あるワニスを２回塗布し、基板の四辺をカットすること
により基板を２枚に分割させた。そしてエポキシ系接着
剤を両面に塗布したガラスクロスを用いて、１７０℃、
１０ｋｇ／ｃｍ2、１０ｔｏｒｒの真空プレスを行い、
コイルパターンが形成された両面を張り合わせた。その
後、基板であるアルミニウムをエッチングにより除去し
た。
ストを塗布してフォトリソグラフィー法によりコイルパ
ターンを形成し、前処理を施した後メッキ法により銅を
成長させた。銅の導体高さは３２μｍ、導体間距離は２
０μｍであった。その後、アルキッド樹脂系絶縁材料で
あるワニスを２回塗布し、基板の四辺をカットすること
により基板を２枚に分割させた。そしてエポキシ系接着
剤を両面に塗布したガラスクロスを用いて、１７０℃、
１０ｋｇ／ｃｍ2、１０ｔｏｒｒの真空プレスを行い、
コイルパターンが形成された両面を張り合わせた。その
後、基板であるアルミニウムをエッチングにより除去し
た。
【００３１】上記基板の表面観察を実施したところ、フ
ォトレジストとワニス間に空洞が存在する場所があるこ
とを確認した。また断面観察により、空洞の無い場所は
フォトレジストがワニスに追従して変形していることを
確認した。また、表面観察により、空洞上のレジストに
欠損がある場所があること、メッキの端に沿った線上の
クラックがあることを確認した。その後、再度メッキ法
により銅を成長させたが、コイルパターンの間の位置に
あるレジストの欠損部分より導体が成長し、本来は接触
しない位置で導体が接触していることが認められた。
ォトレジストとワニス間に空洞が存在する場所があるこ
とを確認した。また断面観察により、空洞の無い場所は
フォトレジストがワニスに追従して変形していることを
確認した。また、表面観察により、空洞上のレジストに
欠損がある場所があること、メッキの端に沿った線上の
クラックがあることを確認した。その後、再度メッキ法
により銅を成長させたが、コイルパターンの間の位置に
あるレジストの欠損部分より導体が成長し、本来は接触
しない位置で導体が接触していることが認められた。
【００３２】
【発明の効果】本発明によれば、フォトレジストを用い
て基板上にコイルのパターンを作成し、メッキ法により
レジスト開口部に導体を成長させた後、基板を取り去
り、メッキ法により基板を取り去った面より所望の場所
のみで導体を成長させ作成するコイル及びその製造方法
において、２回目のメッキにおいて不要な個所での導体
の成長を防止し、導体パターンが接触することがないコ
イル、及びその製造方法を提供し、製品の収率を常に高
く保つのに絶大な効果を発揮する。
て基板上にコイルのパターンを作成し、メッキ法により
レジスト開口部に導体を成長させた後、基板を取り去
り、メッキ法により基板を取り去った面より所望の場所
のみで導体を成長させ作成するコイル及びその製造方法
において、２回目のメッキにおいて不要な個所での導体
の成長を防止し、導体パターンが接触することがないコ
イル、及びその製造方法を提供し、製品の収率を常に高
く保つのに絶大な効果を発揮する。
【図1】メッキ法によりコイルを製造する工程を示す図
である。
である。
【図２】クラックが発生する仕組みを説明する図であ
る。
る。
１ アルミ基板
２ フォトレジスト
３ 銅（一次メッキ）
４ ガラスクロス
５ 樹脂
６ 銅（二次メッキ）
Claims (6)
- 【請求項１】 基板にコイルパターンのフォトレジスト
を形成し、メッキ法によりフォトレジスト開口部に第１
の導体を成長させ、これらの導体が形成された基板どう
しを前記導体が向かい合うように、かつ前記導体間に樹
脂を介して積層し、次いで前記基板を取り去り、基板を
取り去った面からメッキ法により第２の導体を成長させ
たコイルであって、 前記コイル部分全体にわたって、前記フォトレジストと
前記樹脂との間に隙間が形成されていて、前記フォトレ
ジストが変形しないようになっていると共に、前記フォ
トレジストが変形することにより発生するクラックまた
は欠陥が前記コイル部分の面積１００平方センチメート
ルに対し２個以下となっていることを特徴とするコイ
ル。 - 【請求項２】 基板にコイルパターンのフォトレジスト
を形成し、メッキ法によりフォトレジスト開口部に第１
の導体を成長させ、これらの導体が形成された基板どう
しを前記導体が向かい合うように、かつ前記導体間に樹
脂を介して積層し、次いで前記基板を取り去り、基板を
取り去った面からメッキ法により第２の導体を成長させ
たコイルであって、 前記コイル全面にわたって、前記フォトレジストと前記
樹脂との間に隙間がなく、かつフォトレジストが前記樹
脂に追随して変形するようになっていると共に、前記フ
ォトレジストが変形しないことにより発生するクラック
または欠陥が前記コイル部分の面積１００平方センチメ
ートルに対し２個以下となっていることを特徴とするコ
イル。 - 【請求項３】 基板にコイルパターンのフォトレジスト
を形成し、メッキ法によりフォトレジスト開口部に第１
の導体を成長させ、これらの導体が形成された基板どう
しを前記導体が向かい合うように、かつ前記導体間に樹
脂を介して積層し、次いで前記基板を取り去り、基板を
取り去った面からメッキ法により第２の導体を成長させ
たコイルであって、 前記樹脂の線膨張率が２×１０-4／Ｋ以下であることを
特徴とするコイル。 - 【請求項４】 基板に油脂を塗布する工程、 前記基板にフォトレジストを形成し、コイルパターンを
形成する工程、 メッキ法によりフォトレジスト開口部に第１の導体を成
長する工程、 これらの導体が形成された基板どうしを前記導体が向か
い合うように、かつ前記導体間に樹脂を介して積層する
工程、 前記基板を取り去り、基板を取り去った面からメッキ法
により第２の導体を成長させる工程、 を有するコイルの製造方法。 - 【請求項５】 前記基板にフォトレジストを形成し、コ
イルパターンを形成する工程、 前記フォトレジストをアルカリ処理する工程、 メッキ法によりフォトレジスト開口部に第１の導体を成
長する工程、 これらの導体が形成された基板どうしを前記導体が向か
い合うように、かつ前記導体間に樹脂を介して積層する
工程、 前記基板を取り去り、基板を取り去った面からメッキ法
により第２の導体を成長させる工程、 を有するコイルの製造方法。 - 【請求項６】 前記基板にアクリレート系フォトレジス
トを形成し、コイルパターンを形成する工程、 メッキ法によりフォトレジスト開口部に第１の導体を成
長する工程、前記第１の導体が形成された基板上に第１
層のアルキッド樹脂系絶縁材料を塗 布する工程、 前記第１層のアルキッド樹脂系絶縁材料上に第２層のア
ルキッド樹脂系絶縁材料を塗布する工程、 これらの導体が形成された基板どうしを前記導体が向か
い合うように積層する工程、 前記基板を取り去り、基板を取り去った面からメッキ法
により第２の導体を成長させる工程、 を有するコイルの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001317678A JP2003124047A (ja) | 2001-10-16 | 2001-10-16 | コイル及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001317678A JP2003124047A (ja) | 2001-10-16 | 2001-10-16 | コイル及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003124047A true JP2003124047A (ja) | 2003-04-25 |
Family
ID=19135509
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001317678A Withdrawn JP2003124047A (ja) | 2001-10-16 | 2001-10-16 | コイル及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003124047A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009010268A (ja) * | 2007-06-29 | 2009-01-15 | Asahi Kasei Electronics Co Ltd | 平面コイルおよびその製造方法 |
| JP2009117546A (ja) * | 2007-11-05 | 2009-05-28 | Asahi Kasei Electronics Co Ltd | 平面コイル及びその製造方法 |
-
2001
- 2001-10-16 JP JP2001317678A patent/JP2003124047A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009010268A (ja) * | 2007-06-29 | 2009-01-15 | Asahi Kasei Electronics Co Ltd | 平面コイルおよびその製造方法 |
| JP2009117546A (ja) * | 2007-11-05 | 2009-05-28 | Asahi Kasei Electronics Co Ltd | 平面コイル及びその製造方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
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