JP2003123532A - 導電性組成物、導電体及びその形成方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 湿度依存性がなく高い導電性を発現し、成膜
性、成形性、無色透明性、耐溶剤性、耐水性、硬度、耐
侯性に優れた導電性組成物、及び湿度依存性がなく高い
導電性を発現し、表面抵抗のばらつきが小さく、成膜
性、成形性、無色透明性、耐溶剤性、耐水性、硬度、耐
侯性に優れた導電性膜を形成させて得られる導電体及び
その形成方法の提供 【解決手段】 インドール誘導体三量体（Ａ）、溶媒
（Ｂ）及び架橋剤（Ｃ）更に必要によりコロイダルシリ
カ（Ｅ）、塩基性化合物（Ｆ）、高分子化合物（Ｇ）、
界面活性剤及び／または（Ｈ）無機塩（Ｉ）を含む導電
性組成物、該導電性組成物により形成される導電体及び
その形成方法。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明はインドール誘導体三
量体を含有する導電性組成物、該導電性組成物から形成
された導電体及びその形成方法に関するものである。本
発明の導電性組成物は、塗布、スプレー、キャスト、デ
ィップ等の簡便な手法を用いることにより各種帯電防止
剤、コンデンサー、電池，ＥＭＩシールド、化学センサ
ー、表示素子、非線形材料、防食剤、接着剤、繊維、帯
電防止塗料、防食塗料、電着塗料、メッキプライマー、
静電塗装用導電性プライマー、電気防食、電池の蓄電能
力向上などの用途に適用可能である。また本発明の導電
体は、半導体、電器電子部品などの工業用包装材料、オ
ーバーヘッドプロジェクタ用フィルム、スライドフィル
ムなどの電子写真記録材料等の帯電防止フィルム、オー
ディオテープ、ビデオテープ、コンピュータ用テープ、
フロッピィディスクなどの磁気記録用テープの帯電防
止、更に透明タッチパネル、エレクトロルミネッセンス
ディスプレイ、液晶ディスプレイなどの入力及び表示デ
バイス表面の帯電防止や透明電極、有機エレクトロルミ
ネッセンス素子を形成する発光材料、バッファ材料、電
子輸送材料、正孔輸送材料及び蛍光材料として利用され
る。

【０００２】

【従来の技術】従来、導電性組成物の導電成分としては
金属系粉末、カーボン粉末、ＩＴＯなどの無機系導電
剤、界面活性剤などの有機系導電剤、及びポリアニリ
ン、スルホン化ポリアニリンなどの導電性ポリマーが知
られている。

【０００３】これらの中でカーボン粉末や金属粉末と高
分子化合物からなる導電性組成物から形成した導電膜
は、塗膜の耐久性に優れるが導電成分の添加量が１０質
量部〜３０質量部程度必要となり透明性に欠けるという
欠点がある。また、透明性を発現させるため、導電成分
の添加量を低減すると十分な導電性能は得られない欠点
がある。一方アニオン系、カチオン系、非イオン系、両
性などの半透明な界面活性剤などをプラスチックフィル
ム中に練り込んだり、プラスチックフィルム表面にコー
ティングすることにより、親水性とイオン性を与えてフ
ィルム表面に導電性を付与したものが知られている。し
かし、この方法で得られる導電膜はイオン導電性のた
め、その導電性が大気中の湿度の影響を受け易く、低湿
度の条件では単位面積当たりの表面抵抗値が１０^９Ω以
下の導電性を安定的に得ることができないという欠点が
ある。

【０００４】導電成分としてＩＴＯ（インジウム―スズ
酸化物）を蒸着して得られる導電体は、透明性及び導電
性に優れていることが知られている。しかし、その薄膜
を形成させるために真空蒸着装置が必要のため導電膜の
作成が煩雑であり、またその装置は高価である。しかも
材料として用いられるＩＴＯも高価であるため、得られ
る導電体も高価になってしまうという欠点がある。

【０００５】ポリアニリンなどをドープした導電性ポリ
マーは良く知られているが、ほとんど全ての溶剤に不溶
であり成形、加工が難しいという欠点がある。また、ア
ニリンを電解酸化重合する方法[特開昭６０−２３５８
３１号公報、Ｊ．Ｐｏｌｙｍｅｒ Ｓｃｉ．，Ｐｏｌｙ
ｍｅｒ Ｃｈｅｍ．Ｅｄ．，２６，１５３１（１９８
８）]は電極上にポリアニリンのフィルムを形成するこ
とが可能であるが、単離操作が煩雑になること及び大量
合成が困難であるという欠点がある。一方、アニリンの
化学酸化重合によって得られた脱ドープ状態のポリアニ
リンと酸解離定数ｐＫａが４．８以下であるプロトン酸
のアンモニウム塩からなる導電性組成物（特開平３−２
８５９８３号公報）が報告されているが、脱ドープ状態
のポリアニリンはＮ−メチル−２−ピロリドン等の溶解
力の極めて強い特殊な溶媒にのみ可溶であるため、塗工
基材に影響を与えるなどの欠点があり汎用ワニスとして
適するとは言い難い。更に該組成物から得られる塗膜
は、導電性ポリマー独特の緑〜青色の着色を有してお
り、基材の色調及び上塗のコーティング材料の色調に影
響を与えるため適用用途が制限されるなどの課題があ
る。

【０００６】導電性ポリマーの溶解性に対する課題を解
決するためポリアニリンにスルホン酸基などの酸性基を
有する導電性ポリマー（スルホン化ポリアニリン）を用
いた導電性組成物が提案されている（特許第０３０５１
３０８号公報、特開平８−１４３６６２号公報）。この
組成物は溶媒として水が使用可能であり、湿度依存性が
なく高い導電性を発現し、成膜性、成形性、透明性に優
れた導電体を形成することが報告されている。しかし、
該組成物から得られる塗膜の色調についても、スルホン
化ポリアニリンによって黄色に着色しており、基材の色
調及び上塗のコーティング材料の色調に影響を与えるた
め適用用途が制限されるなどの課題がある。

【０００７】一方、[Ｓｙｎｔｈｅｔｉｃ Ｍｅｔａｌ
ｓ，８０（１９９６）３０９頁]では、インドールを原
料として電解反応により導電性を有する無置換のインド
ール三量体を合成する方法が報告されている。しかし本
報告では、単に電極上に無置換インドール三量体を形成
させただけであり溶媒に溶解した導電性組成物として使
用した例はなく、また電極反応であるため、基材の形状
や材質が限定されてしまうという欠点も有する。

【０００８】また、インドール誘導体であるインドール
−５−カルボニトリル、インドール−５−カルボン酸を
アセトニトリル中において電解酸化重合する方法[Ｐｈ
ｙｓ．Ｃｈｅｍ．Ｃｈｅｍ．Ｐｈｙｓ．，２，１２４１
−１２４８（２０００）]により電極上にインドール誘
導体三量体を形成することが報告されているが、これも
電解反応であるため基材の形状や材質が限定されてしま
うという欠点を有する。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記の従来
技術の諸々の問題を解決するためになされたものであ
り、湿度依存性がなく高い導電性を発現し、成膜性、成
形性、無色透明性、耐溶剤性、耐水性、硬度、耐侯性に
優れた導電性組成物、及び該組成物を利用して湿度依存
性がなく高い導電性を発現し、表面抵抗のばらつきが小
さく、成膜性、成形性、無色透明性、耐溶剤性、耐水
性、硬度、耐侯性に優れた導電性膜を形成させて得られ
る導電体及びその形成方法を提供することにある。

【００１０】

【課題を解決するための手段】本発明者らは、これらの
課題を解決するため鋭意研究をした結果、インドール誘
導体の三量体と架橋剤を含む組成物がこの目的に適する
ことを見出して、本発明に到達した。すなわち、本発明
の第１は、インドール誘導体三量体（Ａ）、溶媒（Ｂ）
及び架橋剤（Ｃ）を含むことを特徴とする導電性組成物
である。この導電性組成物はコロイダルシリカ（Ｄ）、
塩基性化合物（Ｆ）、高分子化合物（Ｇ）、界面活性剤
（Ｈ）、及び／または無機塩（Ｉ）を更に含むことで性
能の向上がはかれる。また、架橋剤（Ｃ）がシランカッ
プリング剤（Ｄ）であるときにより耐水性が向上し、イ
ンドール誘導体三量体が層構造であると高性能を示す。

【００１１】また、本発明の第２は、該導電性組成物よ
り形成される透明導電性膜を有することを特徴とする導
電体である。この透明性導電性膜に酸がドーパントとし
て付加していることで更に性能の向上がはかれる。

【００１２】本発明の第３は、基材の少なくとも一つの
面上に、該導電性組成物を塗布し透明導電性膜を形成し
た後に、常温で放置あるいは加熱処理を行うことを特徴
とする導電体の形成方法である。

【００１３】

【発明の実施の形態】以下、本発明の導電性組成物及び
該導電性組成物より形成した導電体ならびにその形成方
法について詳細に説明する。

【００１４】本発明の導電性組成物及び導電体を構成す
るインドール誘導体三量体（Ａ）としては、

【化７】 （２） （上記式中、Ｒ^１〜Ｒ^１２は、水素、炭素数１〜２４の
直鎖または分岐のアルキル基、炭素数１〜２４の直鎖ま
たは分岐のアルコキシ基、炭素数２〜２４の直鎖または
分岐のアシル基、アルデヒド基、カルボキシル基、炭素
数２〜２４の直鎖または分岐のカルボン酸エステル基、
スルホン酸基、炭素数１〜２４の直鎖または分岐のスル
ホン酸エステル基、シアノ基、水酸基、ニトロ基、アミ
ノ基、アミド基及びハロゲン基よりなる群からそれぞれ
独立して選ばれた置換基である。また、Ｘ^a-は、塩素イ
オン、臭素イオン、ヨウ素イオン、フッ素イオン、硝酸
イオン、硫酸イオン、硫酸水素イオン、リン酸イオン、
ほうフッ化イオン、過塩素酸イオン、チオシアン酸イオ
ン、酢酸イオン、プロピオン酸イオン、メタンスルホン
酸イオン、ｐ−トルエンスルホン酸イオン、トリフルオ
ロ酢酸イオン、及びトリフルオロメタンスルホン酸イオ
ンよりなる１〜３価の陰イオン群より選ばれた少なくと
も一種の陰イオンであり、ａはＸのイオン価数を表し、
１〜３の整数であり、ｍはドープ率であり、その値は０
〜０．５である。）が例示される。

【００１５】好ましくは、

【化８】 （３） （上記式中、Ｒ^１３〜Ｒ^２４は、水素、炭素数１〜２４
の直鎖または分岐のアルキル基、炭素数１〜２４の直鎖
または分岐のアルコキシ基、炭素数２〜２４の直鎖また
は分岐のアシル基、アルデヒド基、カルボキシル基、炭
素数２〜２４の直鎖または分岐のカルボン酸エステル
基、スルホン酸基、炭素数１〜２４の直鎖または分岐の
スルホン酸エステル基、シアノ基、水酸基、ニトロ基、
アミノ基、アミド基及びハロゲン基よりなる群からそれ
ぞれ独立して選ばれた置換基で示され、Ｒ^１３〜Ｒ^２４
のうち少なくとも１つがシアノ基、ニトロ基、アミド基
またはハロゲン基から選ばれた基である。またＸ^a-は、
塩素イオン、臭素イオン、ヨウ素イオン、フッ素イオ
ン、硝酸イオン、硫酸イオン、硫酸水素イオン、リン酸
イオン、ほうフッ化イオン、過塩素酸イオン、チオシア
ン酸イオン、酢酸イオン、プロピオン酸イオン、メタン
スルホン酸イオン、ｐ−トルエンスルホン酸イオン、ト
リフルオロ酢酸イオン、及びトリフルオロメタンスルホ
ン酸イオンよりなる１〜３価の陰イオン群より選ばれた
少なくとも一種の陰イオンであり、ａはＸのイオン価数
を表し、１〜３の整数であり、ｍはドープ率であり、そ
の値は０〜０．５である。）で示されるインドール誘導
体三量体及び、

【００１６】

【化９】 （４） （上記式中、Ｒ^２５〜Ｒ^３６は、水素、炭素数１〜２４
の直鎖または分岐のアルキル基、炭素数１〜２４の直鎖
または分岐のアルコキシ基、炭素数２〜２４の直鎖また
は分岐のアシル基、アルデヒド基、カルボキシル基、炭
素数２〜２４の直鎖または分岐のカルボン酸エステル
基、スルホン酸基、炭素数１〜２４の直鎖または分岐の
スルホン酸エステル基、シアノ基、水酸基、ニトロ基、
アミノ基、アミド基及びハロゲン基よりなる群からそれ
ぞれ独立して選ばれた置換基で示され、Ｒ^２５〜Ｒ^３６
のうち少なくとも１つがスルホン酸基またはカルボキシ
ル基である。またＸ^a-は、塩素イオン、臭素イオン、ヨ
ウ素イオン、フッ素イオン、硝酸イオン、硫酸イオン、
硫酸水素イオン、リン酸イオン、ほうフッ化イオン、過
塩素酸イオン、チオシアン酸イオン、酢酸イオン、プロ
ピオン酸イオン、メタンスルホン酸イオン、ｐ−トルエ
ンスルホン酸イオン、トリフルオロ酢酸イオン、及びト
リフルオロメタンスルホン酸イオンよりなる１〜３価の
陰イオン群より選ばれた少なくとも一種の陰イオンであ
り、ａはＸのイオン価数を表し、１〜３の整数であり、
ｍはドープ率であり、その値は０〜０．５である。）で
示されるインドール誘導体三量体などが挙げられる。

【００１７】これらのインドール誘導体三量体のうち、
カルボキシル基置換インドール三量体類、スルホン酸基
置換インドール三量体類、シアノ基置換インドール三量
体類、ニトロ基置換インドール三量体類、アミド基置換
インドール三量体類、ハロゲン基置換インドール三量体
類などが実用上好ましく、カルボキシル基置換インドー
ル三量体類、スルホン酸基置換インドール三量体類など
の酸性基を有する三量体は、水溶性であるため溶媒とし
て水を使用できるため、人体及び環境への安全性の面か
らも特に好ましく用いることができる。

【００１８】本発明で用いられるインドール誘導体三量
体（Ａ）は、化学的合成及び電気化学的合成などの各種
合成法によって得られるインドール誘導体三量体（Ａ）
を用いることができる。

【００１９】本発明では、特に、下記一般式（５）

【化１０】 （５） （上記式中、Ｒ^３７〜Ｒ^４０は、水素、炭素数１〜２４
の直鎖または分岐のアルキル基、炭素数１〜２４の直鎖
または分岐のアルコキシ基、炭素数２〜２４の直鎖また
は分岐のアシル基、アルデヒド基、カルボキシル基、炭
素数２〜２４の直鎖または分岐のカルボン酸エステル
基、スルホン酸基、炭素数１〜２４の直鎖または分岐の
スルホン酸エステル基、シアノ基、水酸基、ニトロ基、
アミノ基、アミド基及びハロゲン基よりなる群からそれ
ぞれ独立して選ばれた置換基である。）で示される少な
くとも一種のインドール誘導体を、少なくとも一種の酸
化剤と少なくとも一種の溶媒を含む反応混合物中におい
て反応させることにより得られるインドール誘導体三量
体（Ａ）が好ましく用いられる。

【００２０】前記のインドール誘導体三量体（Ａ）の合
成法で用いられる一般式（４）で示されるインドール誘
導体は、具体的には、４―メチルインドール、５―メチ
ルインドール、６―メチルインドール、７―メチルイン
ドール、４―エチルインドール、５―エチルインドー
ル、６―エチルインドール、７―エチルインドール、４
―ｎ−プロピルインドール、５―ｎ−プロピルインドー
ル、６―ｎ−プロピルインドール、７―ｎ−プロピルイ
ンドール、４―ｉｓｏ−プロピルインドール、５―ｉｓ
ｏ−プロピルインドール、６―ｉｓｏ−プロピルインド
ール、７―ｉｓｏ−プロピルインドール、４―ｎ−ブチ
ルインドール、５―ｎ−ブチルインドール、６―ｎ−ブ
チルインドール、７―ｎ−ブチルインドール、４―ｓｅ
ｃ−ブチルインドール、５―ｓｅｃ−ブチルインドー
ル、６―ｓｅｃ−ブチルインドール、７―ｓｅｃ−ブチ
ルインドール、４―ｔ−ブチルインドール、５―ｔ−ブ
チルインドール、６―ｔ−ブチルインドール、７―ｔ−
ブチルインドールなどのアルキル基置換インドール類、
４―メトキシインドール、５―メトキシインドール、６
―メトキシインドール、７―メトキシインドール、４―
エトキシインドール、５―エトキシインドール、６―エ
トキシインドール、７―エトキシインドール、４―ｎ−
プロポキシインドール、５―ｎ−プロポキシインドー
ル、６―ｎ−プロポキシインドール、７―ｎ−プロポキ
シインドール、４―ｉｓｏ−プロポキシインドール、５
―ｉｓｏ−プロポキシインドール、６―ｉｓｏ−プロポ
キシインドール、７―ｉｓｏ−プロポキシインドール、
４―ｎ−ブトキシインドール、５―ｎ−ブトキシインド
ール、６―ｎ−ブトキシインドール、７―ｎ−ブトキシ
インドール、４―ｓｅｃ−ブトキシインドール、５―ｓ
ｅｃ−ブトキシインドール、６―ｓｅｃ−ブトキシイン
ドール、７―ｓｅｃ−ブトキシインドール、４―ｔ−ブ
トキシインドール、５―ｔ−ブトキシインドール、６―
ｔ−ブトキシインドール、７―ｔ−ブトキシインドール
などのアルコキシ基置換インドール類、４―アセチルイ
ンドール、５―アセチルインドール、６―アセチルイン
ドール、７―アセチルインドールなどのアシル基置換イ
ンドール類、インドール―４―カルバルデヒド、インド
ール―５―カルバルデヒド、インドール―６―カルバル
デヒド、インドール―７―カルバルデヒドなどのアルデ
ヒド基置換インドール類、インドール―４―カルボン
酸、インドール―５―カルボン酸、インドール―６―カ
ルボン酸、インドール―７―カルボン酸などのカルボキ
シル基置換インドール類、インドール―４―カルボン酸
メチル、インドール―５―カルボン酸メチル、インドー
ル―６―カルボン酸メチル、インドール―７―カルボン
酸メチルなどのカルボン酸エステル基置換インドール
類、インドール―４―スルホン酸、インドール―５―ス
ルホン酸、インドール―６―スルホン酸、インドール―
７―スルホン酸などのスルホン酸基置換インドール類、
インドール―４―スルホン酸メチル、インドール―５―
スルホン酸メチル、インドール―６―スルホン酸メチ
ル、インドール―７―スルホン酸メチルなどのスルホン
酸エステル基置換インドール類、インドール―４―カル
ボニトリル、インドール―５―カルボニトリル、インド
ール―６―カルボニトリル、インドール―７―カルボニ
トリルなどのシアノ基置換インドール類、４―ヒドロキ
シインドール、５―ヒドロキシインドール、６―ヒドロ
キシインドール、７―ヒドロキシインドールなどのヒド
ロキシ基置換インドール類、４―ニトロインドール、５
―ニトロインドール、６―ニトロインドール、７―ニト
ロインドールなどのニトロ基置換インドール類、４―ア
ミノインドール、５―アミノインドール、６―アミノイ
ンドール、７―アミノインドールなどのアミノ基置換イ
ンドール類、４―カルバモイルインドール、５―カルバ
モイルインドール、６―カルバモイルインドール、７―
カルバモイルインドールなどのアミド基置換インドール
類、４―フルオロインドール、５―フルオロインドー
ル、６―フルオロインドール、７―フルオロインドー
ル、４―クロロインドール、５―クロロインドール、６
―クロロインドール、７―クロロインドール、４―ブロ
モインドール、５―ブロモインドール、６―ブロモイン
ドール、７―ブロモインドール、４―ヨードインドー
ル、５―ヨードインドール、６―ヨードインドール、７
―ヨードインドールなどのハロゲン基置換インドール類
などを挙げることができる。

【００２１】このなかでカルボキシル基置換インドール
類、スルホン酸基置換インドール類、シアノ基置換イン
ドール類、ニトロ基置換インドール類、アミド基置換イ
ンドール類、ハロゲン基置換インドール類などが実用上
好ましく、カルボキシル基置換インドール類、スルホン
酸基置換インドール類が特に好ましい。

【００２２】前記のインドール誘導体三量体（Ａ）の合
成法で用いる酸化剤は、特に限定されないが、例えば塩
化第二鉄６水和物、無水塩化第二鉄、硝酸第二鉄９水和
物、硫酸第二鉄ｎ水和物、硫酸第二鉄アンモニウム１２
水和物、過塩素酸第二鉄ｎ水和物、テトラフルオロホウ
酸第二鉄、塩化第二銅、硝酸第二銅、硫酸第二銅、テト
ラフルオロホウ酸第二銅、テトラフルオロホウ酸ニトロ
ソニウム、過酸化水素、過硫酸アンモニウム、過硫酸ナ
トリウム、過硫酸カリウム、過沃素酸カリウムなどを挙
げることができる。このなかで塩化第二鉄６水和物、無
水塩化第二鉄、塩化第二銅、テトラフルオロホウ酸第二
銅、過硫酸アンモニウムが実用上好ましく、その中でも
塩化第二鉄６水和物、無水塩化第二鉄が最も実用上好ま
しい。なお、これらの酸化剤はそれぞれ単独で用いて
も、また２種以上を任意の割合で併用して用いてもよ
い。

【００２３】前記のインドール誘導体三量体（Ａ）の合
成法で用いるインドール誘導体と、酸化剤とのモル比
は、インドール誘導体：酸化剤＝１：０．５〜１００、
好ましくは１：１〜５０で用いられる。ここで、酸化剤
の割合が低いと反応性が低下して原料が残存し、逆にそ
の割合があまり高いと生成した三量体を過酸化して、生
成物の劣化を引き起こすことがある。

【００２４】前記のインドール誘導体三量体（Ａ）の合
成法で用いる溶媒は、水、有機溶媒が使用できる。有機
溶媒は特に限定されないが、メタノール、エタノール、
イソプロパノール、アセトン、アセトニトリル、プロピ
オニトリル、テトラヒドロフラン、１，４−ジオキサ
ン、メチルイソブチルケトン、メチルエチルケトン、γ
―ブチルラクトン、プロピレンカーボネート、スルホラ
ン、ニトロメタン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ
−メチルアセトアミド、ジメチルスルホキシド、ジメチ
ルスルホン、Ｎ−メチルピロリドン、ベンゼン、トルエ
ン、キシレン、塩化メチレン、クロロホルム、ジクロロ
エタンなどが用いられる。なお、これらの溶媒はそれぞ
れ単独で用いても、また２種以上を任意の割合で混合し
て用いてもよい。これら溶媒のなかでは、アセトン、ア
セトニトリル、１，４−ジオキサン、γ−ブチルラクト
ン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミドなどが好ましく、と
くにアセトニトリルが実用上もっとも好ましい。

【００２５】また、前記のインドール誘導体三量体
（Ａ）の合成法では水と有機溶媒を共存させて反応させ
ることが特に好ましい。前記インドール誘導体と、水と
の使用モル比は、インドール誘導体：水＝１：１０００
〜１０００：１、好ましくは１：１００〜１００：１で
用いられる。ただし、酸化剤が結晶水を持っている場合
は、その結晶水量も水として計量する。ここで、水の割
合が低いと反応が暴走して三量体を過酸化して構造劣化
すると同時に、三量体に対してドーパントとなるＸ ^ａ−
が効率良くドープできない場合があり、導電率が低下す
ることがある。逆にその割合が高すぎると酸化反応の進
行を妨げて反応収率が低下することがある。

【００２６】前記のインドール誘導体三量体（Ａ）の合
成法では、反応時のインドール誘導体の濃度は、溶媒に
対して０．０１質量％以上、好ましくは０．１〜５０質
量％、より好ましくは１〜３０質量％の範囲である。

【００２７】本発明で用いられる一般式（２）〜（４）
で示されるインドール誘導体三量体（Ａ）中のＸ^ａ−は
ドーパントであり、重合中の酸化剤等に由来するプロト
ン酸の陰イオンである。具体的には、塩素イオン、臭素
イオン、ヨウ素イオン、フッ素イオン、硝酸イオン、硫
酸イオン、硫酸水素イオン、リン酸イオン、ほうフッ化
イオン、過塩素酸イオン、チオシアン酸イオン、酢酸イ
オン、プロピオン酸イオン、ｐ−トルエンスルホン酸イ
オン、トリフルオロ酢酸イオン、トリフルオロメタンス
ルホン酸イオン等の１〜３価の陰イオンであり、好まし
くは塩素イオン、硫酸イオン、ホウフッ化イオンなどの
１〜２価の陰イオンである。最も好ましいのは塩素イオ
ンなどの１価の陰イオンである。例えば、酸化剤として
無水塩化第二鉄を選んで重合を行った場合、インドール
誘導体三量体中のドーパントＸ^{ａ −}は塩素イオンとな
り、トリフルオロ酢酸第二銅を用いて重合を行った場合
は、ドーパントＸ^ａ−はトリフルオロ酢酸イオンとな
る。

【００２８】前記のインドール誘導体三量体（Ａ）の合
成法で得られるインドール誘導体三量体（Ａ）は、酸化
剤として過酸化水素やオゾンを用いる場合以外はドープ
型のインドール誘導体三量体（Ａ）であり、その繰り返
し単位に対するドーパントＸ ^ａ−のモル比（ドープ率）
ｍは０．００１〜０．５である。酸化剤として過酸化水
素またはオゾンを用いるとｍ＝０となる。

【００２９】インドール誘導体三量体（Ａ）は、溶媒
（Ｂ）への溶解性をより向上する目的で脱ドープ処理を
したものを用いることができる。脱ドープの処理方法と
しては特に限定されるものではないが、例えば従来から
各種導電性ポリマー、電荷移動錯体の脱ドープ工程とし
て公知の方法が用いられる。すなわちアンモニア水、水
酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化リチウムなど
のアルカリ性溶液中にインドール誘導体三量体（Ａ）を
懸濁させてドーパントＸ^ａ−を除去する方法、または還
元処理により脱ドープ型のインドール誘導体三量体（す
なわち、ドープ率ｍ＝０）を得る方法が挙げられる。

【００３０】脱ドープ型のインドール誘導体三量体は、
再度任意種類、任意の量のドープ剤による処理により任
意のドーパントを任意のドープ率だけ有するドープ型の
インドール誘導体三量体に容易に変換することができ
る。例えば、塩素イオン以外の対イオンを有する酸化剤
で重合したドープ型インドール誘導体三量体を、水酸化
ナトリウム溶液で脱ドープして脱ドープ型のインドール
誘導体三量体とした後、それを塩酸水溶液に再ケン濁さ
せることで、塩素ドープ型インドール誘導体三量体へと
誘導することも可能である。このようにして得られた任
意のドーパントによりドープされたインドール誘導体三
量体を用いて、本発明の導電性組成物等を調製すること
もできる。

【００３１】インドール誘導体三量体（Ａ）は、積層構
造を有することにより、より導電性能が優れる場合があ
る。特に、層間隔０．１〜０．６ｎｍである積層構造を
有していることが好ましい。このような超微細積層構造
をもつ化合物は、剛性、強度、耐熱性などの物性が良好
である。ただし、層間隔が０．１ｎｍ以上で積層構造が
より安定となる傾向にあり、また０．６ｎｍ以下で三量
体相互間での電子ホッピング伝導がより容易になり、導
電性が向上する傾向がある。

【００３２】本発明の導電性組成物を構成する溶媒
（Ｂ）としてはインドール誘導体三量体（Ａ）、架橋剤
（Ｃ）、シランカップリング剤（Ｄ）、コロイダルシリ
カ（Ｅ）、塩基性化合物（Ｆ）、高分子化合物（Ｇ）、
界面活性剤（Ｈ）、無機塩（Ｉ）を溶解或いは分散する
ものであれば特に限定されず、水や有機溶媒が用いられ
る。有機溶剤としては、メタノール、エタノール、プロ
パノール、イソプロパノールなどのアルコール類、アセ
トン、メチルイソブチルケトン、などのケトン類、イソ
プロピルエーテル、メチル―ｔ―ブチルエーテルなどの
エーテル類、メチルセロソルブ、エチルセロソルブなど
のセロソルブ類、メチルプロピレングリコール、エチル
プロピレングリコールなどのプロピレングリコール類、
ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミドなどのア
ミド類、Ｎ−メチルピロリドン、Ｎ−エチルピロリドン
などのピロリドン類などが好ましく用いられる。特にイ
ンドール誘導体三量体への溶解性の点で水、メタノー
ル、イソプロパノール、アセトン、ジメチルホルムアミ
ド、ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチルピロリドンがよ
り好ましい。なお、これらの溶媒はそれぞれ単独で用い
ても、また任意の割合で混合して用いてもよい。

【００３３】インドール誘導体三量体（Ａ）の使用割合
は、溶媒（Ｂ）１００質量部に対して０．０１〜２０質
量部、好ましくは０．１〜１０質量部である。インドー
ル誘導体三量体（Ａ）の割合が２０質量部以下では溶解
性がよく導電性がより向上する。

【００３４】本発明の導電性組成物は、必須構成成分で
ある架橋剤（Ｃ）を加えることにより該導電性組成物か
ら形成される導電体の耐溶剤性及び耐水性が付与され
る。

【００３５】必須構成成分である架橋剤（Ｃ）は、特に
限定されないが、架橋剤自身が分子間で架橋反応して三
次元網状構造を形成するか、または、インドール誘導体
三量体（Ａ）、高分子化合物（Ｇ）などの他の成分と反
応して架橋結合を形成するものが使用される。特にイン
ドール誘導体三量体（Ａ）及び高分子化合物（Ｇ）のど
ちらか一方または両方と架橋するものが、耐溶剤性、耐
水性の観点からより好ましい。

【００３６】本発明の架橋剤（Ｃ）としては、反応して
架橋結合を形成することが可能な、例えばアクリル基、
ビニル基、エポキシ基、イソシアネート基、オキサゾリ
ン基、シラノール基、酸クロリド基、カルボキシル基、
アミノ基、水酸基、メルカプト基等の反応性基を分子内
に２個以上有する化合物、または水等の溶媒中において
通常の条件下では保護されて反応しないが、加熱、ｐＨ
調整などの処理により、イソシアネート基などの上記反
応性基に再生する基を分子内に２個以上有する化合物で
ある。このような化合物としては、多官能ビニル化合
物、多官能アクリル化合物、多官能エポキシ化合物、多
官能イソシアネート化合物、多官能オキサゾリン化合
物、多官能カルボン酸化合物、多官能アミン化合物、多
官能ヒドロキシ化合物、多官能メルカプト化合物、シラ
ンカップリング剤（Ｄ）等が挙げられる。

【００３７】多官能エポキシ化合物としては、ビスフェ
ノールＡを出発原料としたビスフェノールＡ系エポキシ
樹脂、ソルビトールポリグリシジルエーテル、ポリグリ
セロールポリグリシジルエーテル、ペンタエリスリトー
ルポリグリシジルエーテル、ジグリセロールポリグリシ
ジルエーテル、グリセロールポリグリシジルエーテル、
トリグリシジルトリス（２−ヒドロキシエチル）イソシ
アヌレート、トリメチロールプロパンポリグリシジルエ
ーテル、レゾルシンジグリシジルエーテル、ネオペンチ
ルグリコールジグリシジルエーテル、１，６−へキサン
ジオールジグリシジルエーテル、ビスフェノール−Ｓ−
ジグリシジルエーテル、水素化ビスフェノールＡジグリ
シジルエーテル、エチレングリコールジグリシジルエー
テル、ポリエチレングリコールジグリシジルエーテル、
ポリプロピレングリコールジグリシジルエーテル、プロ
ピレングリコールジグリシジルエーテル、ポリテトラメ
チレングリコールジグリシジルエーテル、アジピン酸グ
リシジルエステル、ｏ−フタル酸グリシジルエステル、
ジブロモネオペンチルグリコールジグリシジルエーテ
ル、アリルグリシジルエーテル、２−エチルヘキシルグ
リシジルエーテル、フェニルグリシジルエーテル、フェ
ノール（ＥＯ）_５グリシジルエーテル、ｐ−ｔ−ブチル
フェニルグリシジルエーテル、ラウリルアルコール（Ｅ
Ｏ）_１５グリシジルエーテル、ハイドロキノンジグリシ
ジルエーテル、ジグリシジルテレフタレート、Ｎ−グリ
シジルフタルイミド等があげられる。

【００３８】上記多官能エポキシ化合物は、共存するイ
ンドール誘導体三量体（Ａ）および／または高分子化合
物（Ｇ）と反応する以外に、他の活性水素を有する化合
物を添加して反応させることも可能である。そのような
化合物としては、例えば、ジエチレントリアミン、トリ
エチレンテトラミン、テトラエチレンペンタミン、ポリ
オキシプロピレンポリアミン、トリエチレングリコール
ジアミン、テトラエチレングリコールジアミンなどの脂
肪族ポリアミン、キシリレンジアミン、スピロアセター
ルジアミン、イソホロンジアミン、ビス（３−メチル−
４−アミノシクロヘキシル）メタンなどの環状ポリアミ
ン、ジアミノジフェニルメタン、ジアミノジフェニルス
ルホンなどの芳香族ポリアミン、ポリアミンとジカルボ
ン酸との縮合により合成される分子内に活性アミノ基を
多数有するポリアミノアミド、アミンアダクト硬化剤、
マンニッヒ型硬化剤等の変性アミンなどがあげられる。

【００３９】多官能イソシアネート化合物としては、分
子中にイソシアネート基を二つ以上、好ましくは３また
は４個含有するものを使用することができる。具体的に
は、２，４−トリレンジイソシアネート（２，４−ＴＤ
Ｉ）、２，６−トリレンジイソシアネート（２，６−Ｔ
ＤＩ）、ジフェニルメタン−４，４’−ジイソシアネー
ト（ＭＤＩ）、水素化ＭＤＩ、１，５−ナフタレンジイ
ソシアネート、キシリレンジイソシアネート（ＸＤ
Ｉ）、水素化ＸＤＩ、メタキシリレンジイソシアネート
（ＭＸＤＩ）、３，３’−ジメチル−４，４’−ジフェ
ニリレンジイソシアネート（ＴＯＤＩ）等の芳香族系の
イソシアネート化合物や、イソホロンジイソシアネート
（ＩＰＤＩ）、トリメチルヘキサメチレンジイソシアネ
ート（ＴＭＤＩ）、ヘキサメチレンジイソシアネート
（ＨＤＩ）等の脂肪族系のイソシアネート化合物、およ
びこれらのアダクト体、ビウレット体、イソシアヌレー
ト体などが好ましく使用される。多官能イソシアネート
化合物の分子量は、一般に５００〜１０００程度が好ま
しい。

【００４０】例えば、熱反応型水溶性ウレタン樹脂であ
るエラストロン（商品名、第一工業製薬（株））として
入手できる。これは、末端イソシアネート基がブロック
剤により保護されて、水中においても安定に取り扱える
ように工夫した反応性ウレタン樹脂である。エラストロ
ンのブロック剤にはカルバモイルスルホネート基（−Ｎ
ＨＣＯＳＯ3 −）なる強力な親水性基を有する化合物が
使用されている。エラストロンは一定の熱処理される
と、ブロック剤が解離し、活性イソシアネート基が再生
される特徴を有する。具体的には、１００℃以下で予備
乾燥し、１２０−１７０℃の数分の熱処理により、エラ
ストロンはそれ自身単独で再生したイソシアネート基に
より、分子間で自己架橋反応して３次元の網目構造をも
ったポリウレタン被膜を形成する。また他の活性水素含
有化合物と混合して熱処理を行うと、それらの化合物を
架橋により改質することができる

【００４１】多官能ビニル化合物としては、例えば、ポ
リブタジエン、イソプレン等が挙げられる。

【００４２】多官能アクリル化合物としては、具体的に
は、ビスフェノールＦ ＥＯ変性（４モル）ジアクリレ
ート（Ｍ−２０８）、ビスフェノールＡ ＥＯ変性（４
モル）ジアクリレート（Ｍ−２１０）、イソシアヌル酸
ＥＯ変性ジアクリレート（Ｍ−２１５）、トリプロピレ
ングリコールジアクリレート（Ｍ−２２０）、ポリプロ
ピレングリコールジアクリレート（ｎは約７、ＰＰＧ＃
４００、Ｍ−２２５）、ペンタエリスリトールジアクリ
レートモノステアレート（Ｍ−２３３）、ポリエチレン
グリコールジアクリレート（ｎは約４、ＰＰＧ＃２０
０、Ｍ−２４０）、ポリエチレングリコールジアクリレ
ート（ｎは約９、ＰＰＧ＃４００、Ｍ−２４５）、ポリ
エチレングリコールジアクリレート（ｎは約１３〜１
４、ＰＰＧ＃６００、Ｍ−２６０）、ポリプロピレング
リコールジアクリレート（ｎは約１２、Ｍ−２７０）、
ペンタエリスリトールトリアクリレート（Ｍ−３０
５）、トリメチロールプロパントリアクリレート（Ｍ−
３０９）、トリメチロールプロパンＰＯ変性（３モル）
トリアクリレート（Ｍ−３１０）、イソシアヌル酸ＥＯ
変性トリアクリレート（Ｍ−３１５）、トリメチロール
プロパンＰＯ変性（６モル）トリアクリレート（Ｍ−３
２０）、トリメチロールプロパンＥＯ変性（３モル）ト
リアクリレート（Ｍ−３５０）、トリメチロールプロパ
ンＥＯ変性（６モル）トリアクリレート（Ｍ−３６
０）、ジペンタエリスリトールペンタおよびヘキサアク
リレート（Ｍ−４００）、ジトリメチロールプロパンテ
トラアクリレート（Ｍ−４０８）、ペンタエリスリトー
ルテトラアクリレート（Ｍ−４５０）、ウレタンアクリ
レート（Ｍ−１１００）、ポリエステルアクリレート
（Ｍ−７０００シリーズ、Ｍ−８０００シリーズ、Ｍ−
７１００、Ｍ−８０６０）が挙げられる。

【００４３】多官能オキサゾリン化合物としては、例え
ば、エポクロス（商品名、日本触媒（株）製）等が挙げ
られる。

【００４４】多官能カルボン酸化合物としては、例え
ば、無水トリメリット酸、無水ピロメリット酸、トリメ
シン酸等が挙げられる。

【００４５】多官能アミン化合物としては、例えば、バ
ーサミン、バーサミド（商品名、ヘンケルジャパン
（株）製）のようなポリアミンまたはポリアミドアミン
化合物、ジエチレントリアミン、トリエチレンテトラミ
ン等が挙げられる。

【００４６】多官能ヒドロキシ化合物としては、例え
ば、ポリビニルアルコール、ポリエーテルポリオール、
ポリエステルポリオール、アクリルポリオール、ポリカ
ーボネートジオール、トリメチロールエタン、トリメチ
ロールプロパン、グリセリン、ペンタエリスリトール等
が挙げられる。

【００４７】多官能メルカプト化合物としては、例え
ば、トリビニルシクロヘキサン変性トリメチレンジオー
ル等が挙げられる。

【００４８】シランカップリング剤（Ｄ）としては、一
般式（１）で示されるシランカップリング剤（Ｄ）、

【化１１】 （１） （上記式中、Ｒ^４８、Ｒ^４９、Ｒ^５０は各々独立に、水
素、炭素数１〜６の直鎖また は分岐のアルキル基、
炭素数１〜６の直鎖または分岐のアルコキシ基、アミノ
基、アセチル基、フェニル基、ハロゲン基よりなる群か
ら選ばれた基である。Ｘは

【化１２】 を示し、ｎ及びｌは１〜６までの数である。Ｙは水酸
基、チオール基、アミノ基、エポキシ基及びエポキシシ
クロヘキシル基よりなる群から選ばれた基である。）が
用いられる。

【００４９】本発明の構成成分であるシランカップリン
グ剤（Ｄ）は、前記一般式（１）で示される水酸基、チ
オール基、アミノ基、エポキシ基またはエポキシシクロ
ヘキシル基を持つものが用いられる。具体的にはエポキ
シ基を持つものとしてはγ−グリシジルオキシプロピル
トリメトキシシラン、γ−グリシジルオキシプロピルメ
チルジメトキシシラン、γ−グリシジルオキシプロピル
トリエトキシシラン等、アミノ基を持つものとしてはγ
−アミノプロピルトリエトキシシラン、β−アミノエチ
ルトリメトキシシラン、γ−アミノプロポキシプロピル
トリメトキシシラン等、チオール基を持つものとしては
γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、β−メル
カプトエチルメチルジメトキシシラン等、水酸基を持つ
ものとしてはβ−ヒドロキシエトキシエチルトリエトキ
シシラン、γ−ヒドロキシプロピルトリメトキシシラン
等、エポキシシクロヘキシル基をもつものとしては、β
−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメト
キシシラン等が挙げられる。

【００５０】本発明の架橋剤（Ｃ）は、導電層形成時に
使用する溶媒（Ｂ）に溶け、安定ならば如何なるものも
使用可能である。中でも多官能エポキシ化合物、多官能
イソシアネート化合物、多官能ヒドロキシ化合物、シラ
ンカップリング剤（Ｄ）が好ましく、特に水に可溶で安
定な水系多官能エポキシ化合物、水系多官能イソシアネ
ート化合物、水系多官能ヒドロキシ化合物、水系シラン
カップリング剤が好ましい。

【００５１】また、上記の多官能反応性基含有化合物中
に、モノビニル化合物、モノアクリル化合物、モノエポ
キシ化合物、モノイソシアネート化合物、モノオキサゾ
リン化合物、モノカルボン酸化合物、モノアミン化合
物、モノヒドロキシ化合物、モノメルカプト化合物等を
含んでもよい。

【００５２】インドール誘導体三量体（Ａ）および／ま
たは高分子化合物（Ｇ）を自己架橋させ、より架橋を強
固にすることもできる。そのためにはこれらの化合物
（Ａ）及び（Ｇ）が架橋性反応基を有することが必要で
あり、このような架橋性反応基としては、例えば、アク
リル基、ビニル基、エポキシ基、イソシアネート基、オ
キサゾリン基、シラノール基、酸クロリド基、カルボキ
シル基、アミノ基、水酸基、メルカプト基等が挙げられ
る。

【００５３】本発明の導電性組成物から得られる導電体
は、用途によっては使用時に水や有機溶剤にて洗浄する
場合があるが、架橋剤（Ｃ）により硬化することによ
り、耐水性や耐溶剤性の付与により制電性の低下を防止
できるだけでなく、透明導電性膜に対する水や溶剤の振
り切り性が良くなるという効果がある。また、架橋硬化
により透明導電性膜は水や溶剤の吸水量が少なく膨潤し
ていないため、乾燥時間を短縮できる。また、ゴミの付
着が少ない、水洗時の傷つきが少ないといった効果もあ
る。

【００５４】しかし、架橋硬化が強すぎると、加工等で
導電体を伸張した場合、導電層が伸びに追従できず、伸
張部分での制電性の低下が起こるため、１５０％伸張し
た時に表面抵抗値が１０倍より大きくならないように、
架橋硬化させることが好ましい。

【００５５】また、前記成分（Ｃ）と成分（Ｂ）の使用
割合は、成分（Ｂ）１００質量部に対して成分（Ｃ）が
０．００１〜２０質量部であり、好ましくは０．０１〜
１５質量部である。成分（Ｃ）０．００１質量部未満で
は耐水性及び／または耐溶剤性の向上幅が比較的小さ
く、一方、２０質量部を越えると溶解性、平坦性、透明
性、及び導電性が悪化することがある。

【００５６】また、前記成分（Ｄ）と成分（Ｂ）の使用
割合は、成分（Ｂ）１００質量部に対して成分（Ｄ）が
０．００１〜２０質量部であり、好ましくは０．０１〜
１５質量部である。成分（Ｄ）０．００１質量部未満で
は耐水性及び／または耐溶剤性の向上幅が比較的小さ
く、一方、２０質量部を越えると溶解性、平坦性、透明
性、及び導電性が悪化することがある。

【００５７】本発明の導電性組成物は、更にコロイダル
シリカ（Ｅ）を加えると導電性組成物から得られる導電
体の表面硬度及び耐侯性は著しく向上する。

【００５８】本発明に用いられるコロイダルシリカ
（Ｅ）は、特に限定されないが、水、有機溶剤または水
及び有機溶剤の混合溶媒に分散されているものが好まし
く用いられる。有機溶剤としては、特に限定されないが
例えば、メタノール、エタノール、イソプロピルアルコ
ール、プロピルアルコール、ブタノール、ペンタノール
等のアルコール類、アセトン、メチルエチルケトン、エ
チルイソブチルケトン、メチルイソブチルケトン等のケ
トン類、エチレングリコール、エチレングリコールメチ
ルエーテル、エチレングリコールモノ−ｎ−プロピルエ
ーテル等のエチレングリコール類、プロピレングリコー
ル、プロピレングリコールメチルエーテル、プロピレン
グリコールエチルエーテル、プロピレングリコールブチ
ルエーテル、プロピレングリコールプロピルエーテル等
のプロピレングリコール類等が好ましく用いられる。

【００５９】また、コロイダルシリカ（Ｅ）の粒子径と
しては、１ｎｍ〜３００ｎｍのものが用いられ、好まし
くは１ｎｍ〜１５０ｎｍ、更に好ましくは１ｎｍ〜５０
ｎｍの範囲のものが用いられる。ここで粒子径が大きす
ぎると硬度が不足し、またコロイダルシリカ自体の溶液
安定性も低下してしまう。

【００６０】また、前記成分（Ｅ）と成分（Ｂ）の使用
割合は、成分（Ｂ）１００質量部に対して成分（Ｅ）が
０．００１〜１００質量部が好ましく、より好ましくは
０．０１〜５０質量部である。成分（Ｅ）０．００１質
量部以上で耐水性、耐侯性及び硬度の向上幅が大きく、
一方、１００質量部を越えると溶解性、平坦性、透明
性、及び導電性が悪化することがある。

【００６１】本発明の導電性組成物を構成する塩基性化
合物（Ｆ）は、導電性組成物中に添加することによりイ
ンドール誘導体三量体（Ａ）を脱ドープし、溶媒（Ｂ）
への溶解性をより向上させる効果がある。またカルボキ
シル基置換インドール三量体類、スルホン酸基置換イン
ドール三量体類の場合、スルホン酸基及びカルボキシル
基と塩を形成することにより水への溶解性が特段に向上
する。塩基性化合物（Ｆ）としては、特に限定されるも
のではないが、例えばアミン類やアンモニウム塩類など
が好ましく用いられる。

【００６２】塩基性化合物（Ｆ）として用いられるアミ
ン類の構造式を下式に示す。

【化１３】 （６） 式中、Ｒ^４１〜Ｒ^４３は各々互いに独立に水素、炭素数
１〜４（Ｃ_１〜Ｃ_４）のアルキル基、ＣＨ_２ＯＨ、ＣＨ
_２ＣＨ_２ＯＨ、ＣＯＮＨ_２またはＮＨ_２を表す。

【００６３】本発明の塩基性化合物（Ｆ）として用いら
れるアンモニウム塩類の構造式を下式に示す。

【化１４】 （７） 式中、Ｒ^４４〜Ｒ^４７は各々互いに独立に水素、炭素数
１〜４（Ｃ_１〜Ｃ_４）のアルキル基、ＣＨ_２ＯＨ、ＣＨ
_２ＣＨ_２ＯＨ、ＣＯＮＨ_２またはＮＨ_２を表し；Ｘ⁻は
ＯＨ⁻、１／２・ＳＯ_４ ^２−、ＮＯ_３ ⁻、１／２ＣＯ_３
^２−、ＨＣＯ_３ ⁻、１／２・（ＣＯＯ）_２ ^２−、または
Ｒ‘ＣＯＯ⁻［式中、Ｒ‘は炭素数１〜３（Ｃ_１〜
Ｃ_３）のアルキル基である］を表す。

【００６４】塩基性化合物（Ｆ）は２種以上を混合して
用いても良い。例えば、アミン類とアンモニウム塩類を
混合して用いることにより更に導電性を向上させること
ができる。具体的には、ＮＨ_３／（ＮＨ_４）_２ＣＯ_３、
ＮＨ_３／（ＮＨ_４）ＨＣＯ_３、ＮＨ_３／ＣＨ_３ＣＯＯＮ
Ｈ_４、ＮＨ_３／（ＮＨ_４）_２ＳＯ_４、Ｎ（ＣＨ_３）_３／
ＣＨ_３ＣＯＯＮＨ_４、Ｎ（ＣＨ_３）_３／（ＮＨ_４）_２Ｓ
Ｏ_４などが挙げられる。またこれらの混合比は任意の割
合で用いることができるが、アミン類／アンモニウム塩
類＝１／１０〜１０／０が好ましい。

【００６５】塩基性化合物（Ｆ）の使用割合は、溶媒
（Ｂ）１００質量部に対して０．１〜１０質量部が好ま
しく、より好ましくは０．１〜５質量部である。塩基性
化合物（Ｇ）の割合が１０質量部以下の時、溶解性と導
電性が共に優れるなど好ましい。

【００６６】本発明の前記導電性組成物及び導電体を構
成する高分子化合物（Ｇ）は、溶媒（Ｂ）に溶解するも
の、或いはエマルションを形成するものであれば特に限
定されるものではない。例えばポリビニルアルコール、
ポリビニルホルマール、ポリビニルブチラールなどのポ
リビニルアルコール類、ポリアクリルアマイド、ポリ
（Ｎ−ｔ−ブチルアクリルアマイド）、ポリアクリルア
マイドメチルプロパンスルホン酸などのポリアクリルア
マイド類、ポリビニルピロリドン類、アルキド樹脂、メ
ラミン樹脂、尿素樹脂、フェノール樹脂、エポキシ樹
脂、ポリブタジエン樹脂、アクリル樹脂、ウレタン樹
脂、ビニルエステル樹脂、ユリア樹脂、ポリイミド樹
脂、マレイン酸樹脂、ポリカーボネート樹脂、酢酸ビニ
ル樹脂、塩素化ポリエチレン樹脂、塩素化ポリプロピレ
ン樹脂、アクリル／スチレン共重合樹脂、酢酸ビニル／
アクリル共重合樹脂、ポリエステル樹脂、スチレン／マ
レイン酸共重合樹脂、フッ素樹脂及びこれらの共重合体
などが用いられる。またこれらの高分子化合物（Ｇ）は
２種以上を任意の割合で混合したものであってもよい。

【００６７】これら高分子化合物（Ｇ）の中でも水溶性
高分子化合物または水系でエマルジョンを形成する高分
子化合物が好ましく用いられ、特に好ましくはアニオン
基を有する高分子化合物が用いられる。また、その中で
も、水系アクリル樹脂、水系ポリエステル樹脂、水系ウ
レタン樹脂および水系塩素化ポリオレフィン樹脂のうち
の１種または２種以上を混合して使用することが好まし
い。

【００６８】高分子化合物（Ｇ）の使用割合は溶媒
（Ｂ）１００質量部に対して０．１〜４００質量部が好
ましく、より好ましくは０．５〜３００質量部である。
０．１質量部以上では成膜性、成形性、強度がより向上
し、一方４００質量部以下の時、インドール誘導体三量
体（Ａ）の溶解性の低下が少なく、高い導電性が維持さ
れる。

【００６９】本発明の導電性組成物は、インドール誘導
体三量体（Ａ）、溶媒（Ｂ）、シランカップリング剤
（Ｄ）等の架橋剤（Ｃ）、コロイダルシリカ（Ｅ）、塩
基性化合物（Ｆ）及び高分子化合物（Ｇ）の成分のみで
も性能の良い膜を形成することが可能であるが、界面活
性剤（Ｈ）を加えると更に平坦性、塗布性及び導電性な
どが向上する。本発明の導電性組成物及び導電体の成分
である界面活性剤（Ｈ）は、アルキルスルホン酸、アル
キルベンゼンスルホン酸、アルキルカルボン酸、アルキ
ルナフタレンスルホン酸、α−オレフィンスルホン酸、
ジアルキルスルホコハク酸、α−スルホン化脂肪酸、Ｎ
−メチル−Ｎ−オレイルタウリン、石油スルホン酸、ア
ルキル硫酸、硫酸化油脂、ポリオキシエチレンアルキル
エーテル硫酸、ポリオキシエチレンスチレン化フェニル
エーテル硫酸、アルキルリン酸、ポリオキシエチレンア
ルキルエーテルリン酸、ポリオキシエチレンアルキルフ
ェニルエーテルリン酸、ナフタレンスルホン酸ホルムア
ルデヒド縮合物及びこれらの塩などのアニオン系界面活
性剤、第一〜第三脂肪アミン、四級アンモニウム、テト
ラアルキルアンモニウム、トリアルキルベンジルアンモ
ニウムアルキルピリジニウム、２−アルキル−１−アル
キル−１−ヒドロキシエチルイミダゾリニウム、Ｎ，Ｎ
−ジアルキルモルホリニウム、ポリエチレンポリアミン
脂肪酸アミド、ポリエチレンポリアミン脂肪酸アミドの
尿素縮合物、ポリエチレンポリアミン脂肪酸アミドの尿
素縮合物の第四級アンモニウム及びこれらの塩などのカ
チオン系界面活性剤、Ｎ，Ｎ−ジメチル−Ｎ−アルキル
−Ｎ−カルボキシメチルアンモニウムベタイン、Ｎ，
Ｎ，Ｎ−トリアルキル−Ｎ−スルホアルキレンアンモニ
ウムベタイン、Ｎ，Ｎ−ジアルキル−Ｎ，Ｎ−ビスポリ
オキシエチレンアンモニウム硫酸エステルベタイン、２
−アルキル−１−カルボキシメチル−１−ヒドロキシエ
チルイミダゾリニウムベタインなどのベタイン類、Ｎ，
Ｎ−ジアルキルアミノアルキレンカルボン酸塩などのア
ミノカルボン酸類などの両性界面活性剤、ポリオキシエ
チレンアルキルエーテル、ポリオキシエチレンアルキル
フェニルエーテル、ポリオキシエチレンポリスチリルフ
ェニルエーテル、ポリオキシエチレン−ポリオキシプロ
ピレングリコール、ポリオキシエチレン−ポリオキシプ
ロピレンアルキルエーテル、多価アルコール脂肪酸部分
エステル、ポリオキシエチレン多価アルコール脂肪酸部
分エステル、ポリオキシエチレン脂肪酸エステル、ポリ
グリセリン脂肪酸エステル、ポリオキシエチレン化ヒマ
シ油、脂肪酸ジエタノールアミド、ポリオキシエチレン
アルキルアミン、トリエタノールアミン脂肪酸部分エス
テル、トリアルキルアミンオキサイドなどの非イオン系
界面活性剤及びフルオロアルキルカルボン酸、パーフル
オロアルキルカルボン酸、パーフルオロアルキルベンゼ
ンスルホン酸、パーフルオロアルキルポリオキシエチレ
ンエタノールなどのフッ素系界面活性剤が用いられる。
ここで、アルキル基は炭素数１〜２４が好ましく、炭素
数３〜１８がより好ましい。なお、界面活性剤は二種以
上用いても何らさしつかえない。

【００７０】界面活性剤（Ｈ）の使用割合は、溶媒
（Ｂ）１００質量部に対して０．１〜１０質量部が好ま
しく、より好ましくは０．１〜５質量部である。

【００７１】本発明の導電性組成物は、更に無機塩
（Ｉ）を加えると溶媒（Ｂ）に対するインドール誘導体
三量体（Ａ）の溶解度が向上する。無機塩（Ｉ）は特に
限定されないがアルカリ金属塩、アルカリ土類金属塩な
どが好ましく用いられる。例えば塩化リチウム、臭化リ
チウム、ヨウ化リチウム、水酸化リチウム、炭酸リチウ
ム、硝酸リチウム、しゅう酸リチウム、りん酸リチウ
ム、硫酸リチウムが好ましく用いられる。なお、無機塩
は二種以上用いても何らさしつかえない。

【００７２】無機塩（Ｉ）の使用割合は、溶媒（Ｂ）１
００重量部に対して０．１〜５重量部が好ましく、より
好ましくは０．１〜３重量部である。

【００７３】また、本発明の導電性組成物には、その導
電性を更に向上させるために導電性物質を含有させるこ
とができる。導電性物質としては、導電性カーボンブラ
ック、黒鉛等の炭素系物質、酸化錫、酸化亜鉛等の金属
酸化物、銀、ニッケル、銅等の金属が挙げられる

【００７４】さらに本発明に用いられる導電性組成物に
は、必要に応じて、保存安定剤、接着助剤、染料、顔料
などを添加することができる。

【００７５】本発明による導電性組成物はインドール誘
導体三量体（Ａ）、溶媒（Ｂ）及びシランカップリング
剤（Ｄ）等の架橋剤（Ｃ）、更に必要によりコロイダル
シリカ（Ｅ）、塩基性化合物（Ｆ）、高分子化合物
（Ｇ）、界面活性剤（Ｈ）及び／または無機塩（Ｉ）を
室温下でまたは加熱攪拌して完全に溶解するか、または
混和して調製する。また、本発明の導電体は、前記のよ
うにして調製した導電性組成物を基材に塗布することに
より形成することが可能である。

【００７６】本発明の導電体は、このままでも優れた導
電性を有するものであるが、基材の少なくとも一つの面
上に、導電性組成物を塗布し透明導電性膜を形成した後
に、酸によりドーピング処理を行い、次いで常温で放置
あるいは加熱処理をすることにより、さらに導電性を向
上させることができる。

【００７７】酸によるドーピング処理方法については特
に限定されるものではなく公知の方法を用いることが出
来るが、例えば酸性溶液中に導電体を浸漬させるなどの
処理をすることによりドーピング処理を行うことができ
る。酸性溶液は、具体的には、塩酸、硫酸、硝酸などの
無機酸や、ｐ−トルエンスルホン酸、カンファスルホン
酸、安息香酸及びこれらの骨格を有する誘導体などの有
機酸や、ポリスチレンスルホン酸、ポリビニルスルホン
酸、ポリ（２−アクリルアミド−２−メチルプロパン）
スルホン酸、ポリビニル硫酸及びこれらの骨格を有する
誘導体などの高分子酸を含む水溶液、あるいは、水―有
機溶媒の混合溶液である。なお、これらの無機酸、有機
酸、高分子酸はそれぞれ単独で用いても、また２種以上
を任意の割合で混合して用いてもよい。

【００７８】本発明の導電体の形成方法としては、一般
の塗料に用いられる方法によって導電性組成物を基材の
表面に加工することが出来る。例えばグラビアコータ
ー、ロールコーター、カーテンフローコーター、スピン
コーター、バーコーター、リバースコーター、キスコー
ター、ファンテンコーター、ロッドコーター、エアドク
ターコーター、ナイフコーター、ブレードコーター、キ
ャストコーティング、スクリーンコーティングなどの塗
布法、スプレーコーティングなどの噴霧法、ディップな
どの浸漬法などが用いられる。

【００７９】本発明の導電性組成物によって形成される
透明導電性膜は、膜厚０．０１〜１０００μｍに成膜が
可能であるが、膜厚が大きいと透明導電性膜の透明性が
低下する傾向があるので、通常はなるべく薄いことが好
ましく、好ましくは０．０１〜５００μｍの範囲、より
好ましくは０．０２〜１００μｍの範囲とするのがよ
い。また、上記の厚さの透明導電性膜を得るためには、
導電性組成物の粘度を１０００ｃｐ以下、好ましくは１
〜５００ｃｐの範囲とし、固形分量０．１〜８０重量％
の範囲とすることが好ましい。

【００８０】本発明の透明導電性膜を有する導電体は、
低湿度条件（例えば温度 ２５℃、相対湿度 １５％）
での表面抵抗値が１０^５〜１０^１２Ωであることが好ま
しく、更に１０^５〜１０^１０Ωの性能を有することがよ
り好ましい。

【００８１】また、本発明の透明導電性膜を有する導電
体は、用途によっては優れた耐水性及び／または耐溶剤
性を有することが必要である。そのためには水または溶
剤への浸漬による導電性などの性能低下がないよう耐水
性及び／または耐溶剤性の付与が必要である。耐水性及
び耐溶剤性としては温度 浸漬前の表面抵抗値（ＳＲ
０）に対して４０℃の溶媒中に１時間浸漬した後の表面
抵抗値（ＳＲ１）の変化率（ＳＲ１／ＳＲ０）が１０以
内であることが好ましく、更に変化率が５以内であるこ
とがより好ましい。

【００８２】導電性組成物を塗工する基材としては、高
分子化合物、木材、紙材、セラミックス及びそのフィル
ムまたはガラス板、発砲体、多孔質体、エラストマーな
どが用いられる。例えば高分子化合物及びフィルムとし
ては、ポリエチレン、ポリ塩化ビニル、ポリプロピレ
ン、ポリスチレン、ポリエステル、ＡＢＳ樹脂、ＡＳ樹
脂、メタクリル樹脂、ポリブタジエン、ポリカーボネー
ト、ポリアリレート、ポリフッ化ビニリデン、ポリアミ
ド、ポリイミド、ポリアラミド、ポリフェニレンサルフ
ァイド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリフェニレン
エーテル、ポリエーテルニトリル、ポリアミドイミド、
ポリエーテルサルフォン、ポリサルフォン、ポリエーテ
ルイミド、ポリブチレンテレフタレート及びそのフィル
ムなどがある。これらの高分子フィルムは、少なくとも
その一つの面に透明導電性高分子膜を形成させるため、
該高分子膜の密着性を向上させる目的で上記フィルム表
面をコロナ表面処理またはプラズマ処理することが好ま
しい。また、基材に透明導電性膜を形成した後、加熱す
ることにより塩基性化合物（Ｆ）の残分が減り導電性が
向上し２５０℃以下、好ましくは４０〜２００℃の範囲
で加熱処理することにより性能の向上した導電体が形成
される。

【００８３】

【実施例】以下実施例により本発明を更に具体的に説明
する

【００８４】なお、インドール誘導体三量体合成例にお
いて、元素分析測定は、サーモクエスト社製 ＥＡ１１
１０で測定した。導電率測定は、三菱化学製ロレスター
計ＭＣＰ−Ｔ３５０（４端子法：電極間距離１ｍｍ）で
測定した。さらに、Ｘ線回折解析（ＸＲＤ）は、理学電
機株式会社製ＲＩＮＴ−１１００（管球：ＣｕＫ_αＸ
線）で測定した。

【００８５】合成例１ インドール−５−カルボン酸三量体の合成 ２００ｍｌの三ツ口フラスコにアセトニトリル１０ｍｌ
を入れ、インドール−５−カルボン酸１．４２ｇを溶解
した。一方、酸化剤溶液の調製はアセトニトリル４０ｍ
ｌに対して、無水塩化第二鉄１６．２ｇ、水５．４ｇを
溶解して１０分間攪拌した。次に、インドール−５−カ
ルボン酸水溶液に３０分間かけて、調製した酸化剤溶液
を滴下した後、６０℃で１０時間攪拌した。反応溶液は
若干の発熱を伴いながら薄黄色から淡緑色に変化し、そ
のｐＨは１以下であった。反応終了後、桐山漏斗で吸引
濾過し、アセトニトリル次いでメタノールで洗浄し、乾
燥して、淡緑色の６，１１−ジヒドロ−５Ｈ―ジインド
ロ[２，３−ａ：２’，３’−ｃ]カルバゾール−２，
９，１４−トリカルボン酸、（インドール−５−カルボ
ン酸三量体）１．１２ｇ（収率７９％）を得た。得られ
た三量体を錠剤成型器で加圧成型させて直径１０ｍｍ、
厚さ１ｍｍの形状に切り出して四端子法にて導電率を測
定したところ、０．４１Ｓ／ｃｍであった。元素分析の
結果は（Ｃ_{９ ．００}Ｈ_４．９０Ｎ_１．０９Ｏ_１．９８Ｃ
ｌ_０．１１）_３であった。また、Ｘ線回折結晶解析の結
果、層間隔は０．４８ｎｍであった。

【００８６】合成例２ インドール−５−スルホン酸三量体の合成 合成例１においてインドール−５−カルボン酸の代わり
にインドール−５−スルホン酸を使用する以外は合成例
１と同様な方法で重合を行った。緑色の６，１１−ジヒ
ドロ−５Ｈ―ジインドロ[２，３−ａ：２’，３’−ｃ]
カルバゾール−２，９，１４−トリスルホン酸、（イン
ドール−５−スルホン酸三量体）１．０１ｇ（収率７１
％）を得た。得られた三量体を錠剤成型器で加圧成型さ
せて直径１０ｍｍ、厚さ１ｍｍの形状に切り出して四端
子法にて導電率を測定したところ、０．５６Ｓ／ｃｍで
あった。元素分析の結果は（Ｃ_８．００Ｈ_４．８５Ｎ
_{１． ０６}Ｏ_３．０１Ｓ_１．０６Ｃｌ_０．１１）_３であっ
た。

【００８７】合成例３ インドール−５−カルボニトリル三量体の合成 合成例１においてインドール−５−カルボン酸の代わり
にインドール−５−カルボニトリルを使用する以外は合
成例１と同様な方法で重合を行った。緑色の６，１１−
ジヒドロ−５Ｈ―ジインドロ[２，３−ａ：２’，３’
−ｃ]カルバゾール−２，９，１４−トリカルボニトリ
ル、（インドール−５−カルボニトリル三量体）１．２
２ｇ（収率８６％）を得た。得られた三量体を錠剤成型
器で加圧成型させて直径１０ｍｍ、厚さ１ｍｍの形状に
切り出して四端子法にて導電率を測定したところ、０．
５０Ｓ／ｃｍであった。元素分析の結果は（Ｃ_９．００
Ｈ_{４ ．０３}Ｎ_１．９７Ｃｌ_０．１０）_３であった。ま
た、Ｘ線回折結晶解析の結果、層間隔は０．４４ｎｍで
あった。

【００８８】合成例４ 脱ドープ状態のインドール−５−カルボニトリル三量体
の合成 合成例７にて合成したインドール−５−カルボニトリル
三量体１．００ｇを、１Ｍアンモニア水中で分散させ、
1時間攪拌した。攪拌後、桐山漏斗で吸引濾過し、水、
次いでメタノールで洗浄し、乾燥して、黒色の脱ドープ
状態のインドール−５−カルボニトリル三量体０．９５
ｇを得た。得られた三量体を錠剤成型器で加圧成型させ
て直径１０ｍｍ、厚さ１ｍｍの形状に切り出して四端子
法にて導電率を測定したところ、０．０４Ｓ／ｃｍ以下
であった。元素分析の結果は（Ｃ _９．００Ｈ_４．０２Ｎ
_２．０２）_３であった。

【００８９】合成例５ 脱ドープ状態のポリアニリンの合成 アニリン１００ｍｍｏｌを２５℃で１ｍｏｌ／Ｌ 硫酸
水溶液に攪拌溶解し、ペルオキソ二硫酸アンモニウム１
００ｍｍｏｌの水溶液を滴下した。滴下終了後、２５℃
で１２時間更に攪拌した後に反応生成物を濾別洗浄後乾
燥し、重合体粉末８ｇを得た。得られた三量体を錠剤成
型器で加圧成型させて直径１０ｍｍ、厚さ１ｍｍの形状
に切り出して四端子法にて導電率を測定したところ、
１．０Ｓ／ｃｍ以下であった。この重合体を２５℃で１
時間で１ｍｏｌ／Ｌアンモニア水中で分散攪拌した後に
濾別洗浄後乾燥し、脱ドープ状態の重合体粉末５ｇを得
た。

【００９０】合成例６ ポリ（２−スルホ−５−メトキシ−１，４−イミノフェ
ニレン）の合成（スルホン化ポリアニリン） ２−アミノアニソール−４−スルホン酸１００ｍｍｏｌ
を２５℃で４ｍｏｌ／Ｌのアンモニア水溶液に攪拌溶解
し、ペルオキソ二硫酸アンモニウム１００ｍｍｏｌの水
溶液を滴下した。滴下終了後、２５℃で１２時間更に攪
拌した後に反応生成物を濾別洗浄後乾燥し、重合体粉末
１５ｇを得た。得られた三量体を錠剤成型器で加圧成型
させて直径１０ｍｍ、厚さ１ｍｍの形状に切り出して四
端子法にて導電率を測定したところ、０．１１Ｓ／ｃｍ
以下であった。

【００９１】実施例１（導電性組成物１） 上記合成例１の６，１１−ジヒドロ−５Ｈ―ジインドロ
[２，３−ａ：２’，３’−ｃ]カルバゾール−２，９，
１４−トリカルボン酸、（インドール−５−カルボン酸
三量体）０．２質量部、１，６−ヘキサンジオールジグ
リシジルエーテル０．５質量部をジメチルホルムアミド
１００質量部に室温で攪拌溶解し導電性組成物を調整し
た。このようにして得られた溶液をガラス基板上にスピ
ンコート法により塗布し、１５０℃×５分で乾燥させ
た。膜厚０．１μｍの表面の平滑な表面抵抗値６．９×
１０^８Ωの無色透明フィルムが得られた。

【００９２】実施例２（導電性組成物２） インドール−５−カルボン酸三量体５質量部、γ−グリ
シジルオキシプロピルトリメトキシシラン０．５質量
部、アンモニア１質量部を水１００質量部に室温で攪拌
溶解し導電性組成物を調整した。このようにして得られ
た溶液をガラス基板上にスピンコート法により塗布し、
８０℃×５分で乾燥させた。膜厚３．５μｍの表面の平
滑な表面抵抗値４．８×１０^６Ωの無色透明フィルムが
得られた。

【００９３】実施例３（導電性組成物３） インドール−５−カルボン酸三量体３質量部、アクリル
エマルション「ダイヤナールＭＸ−１７０８」（三菱レ
イヨン社製）２０質量部、γ−グリシジルオキシプロピ
ルトリメトキシシラン０．５質量部、アンモニア１．０
質量部を水１００質量部に室温で攪拌溶解し導電性組成
物を調整した。このようにして得られた溶液をガラス基
板上にスピンコート法により塗布し、１００℃×５分で
乾燥させた。膜厚３．０μｍの表面の平滑な表面抵抗値
４．２×１０^７Ωの無色透明フィルムが得られた。

【００９４】実施例４（導電性組成物４） インドール−５−カルボン酸三量体５質量部、γ−グリ
シジルオキシプロピルトリメトキシシラン０．５質量
部、コロイダルシリカ（粒子径：２０ｎｍ）５質量部、
アンモニア１質量部を水１００質量部に室温で攪拌溶解
し導電性組成物を調整した。このようにして得られた溶
液をガラス基板上にスピンコート法により塗布し、２５
℃×５分で乾燥させた。膜厚３．５μｍの表面の平滑な
表面抵抗値６．８×１０^６Ωの無色透明フィルムが得ら
れた。

【００９５】実施例５（導電性組成物５） インドール−５−カルボン酸三量体３質量部、アクリル
エマルション「ダイヤナールＭＸ−１７０８」（三菱レ
イヨン社製）２０質量部、γ−グリシジルオキシプロピ
ルトリメトキシシラン０．５質量部、コロイダルシリカ
（粒子径：２０ｎｍ）５質量部、アンモニア１．０質量
部を水１００質量部に室温で攪拌溶解し導電性組成物を
調整した。このようにして得られた溶液をガラス基板上
にスピンコート法により塗布し、５０℃×５分で乾燥さ
せた。膜厚３．０μｍの表面の平滑な表面抵抗値５．９
×１０^７Ωの無色透明フィルムが得られた。

【００９６】実施例６（導電性組成物６） インドール−５−スルホン酸三量体３質量部、ポリビニ
ルアルコール1質量部、アクリルエマルション「ダイヤ
ナールＭＸ−１７０８」（三菱レイヨン社製）２０質量
部、アンモニア０．４質量部を水１００質量部に室温で
攪拌溶解し導電性組成物を調整した。このようにして得
られた溶液をガラス基板上にスピンコート法により塗布
し、１５０℃×５分で乾燥させた。膜厚２．０μｍの表
面の平滑な表面抵抗値３．７×１０^７Ωの無色透明フィ
ルムが得られた。

【００９７】実施例７（導電性組成物７） インドール−５−カルボン酸三量体１質量部、２，４−
トリレンジイソシアネート１質量部、アンモニア２質量
部、アクリルエマルション「ダイヤナールＭＸ−１７０
８」（三菱レイヨン社製）２０質量部、ドデシルベンゼ
ンスルホン酸１質量部を水１００質量部に室温で攪拌溶
解し導電性組成物を調整した。このようにして得られた
溶液をガラス基板上にスピンコート法により塗布し、１
５０℃×５分で乾燥させた。膜厚５．０μｍの表面の平
滑な表面抵抗値３．９×１０^６Ωの無色透明フィルムが
得られた。

【００９８】実施例８（導電性組成物８） インドール−５−カルボン酸三量体１質量部、γ−グリ
シジルオキシプロピルメチルジメトキシシラン０．５質
量部、水溶性ポリエステル樹脂「アラスター３００」
（荒川化学工業社製）４質量部、ドデシルベンゼンスル
ホン酸１質量部を水１００質量部に室温で攪拌溶解し導
電性組成物を調整した。このようにして得られた溶液を
ＰＥＴフィルム上にバーコード法により塗布し、５０℃
×５分で乾燥させた。膜厚１．０μｍの表面の平滑な表
面抵抗値６．３×１０^７Ωの無色透明フィルムが得られ
た。

【００９９】実施例９（導電性組成物９） インドール−５−カルボン酸三量体０．５質量部、γ−
グリシジルオキシプロピルトリメトキシシラン０．５質
量部、アンモニア１質量部、水溶性ポリエステル樹脂
「アラスター３００」（荒川化学工業社製）３質量部を
水１００質量部に室温で攪拌溶解し導電性組成物を調整
した。このようにして得られた溶液をガラス基板上にス
ピンコート法により塗布し、４０℃×５分で乾燥させ
た。膜厚０．５μｍの表面の平滑な表面抵抗値２．８×
１０^８Ωの無色透明フィルムが得られた。

【０１００】実施例１０（導電性組成物１０） インドール−５−スルホン酸三量体３質量部、γ−グリ
シジルオキシプロピルトリメトキシシラン０．５質量
部、水溶性ポリエステル樹脂「アラスター３００」（荒
川化学工業社製）３質量部、ドデシルベンゼンスルホン
酸０．５質量部を水１００質量部に室温で攪拌溶解し導
電性組成物を調整した。このようにして得られた溶液を
ガラス基板上にスピンコート法により塗布し、８０℃×
５分で乾燥させた。膜厚３．０μｍの表面の平滑な表面
抵抗値３．３×１０^７Ωの無色透明フィルムが得られ
た。

【０１０１】実施例１１（導電性組成物１１） インドール−５−カルボニトリル三量体１質量部、ポリ
ビニルアルコール０．５質量部、ポリエステル樹脂（東
洋紡バイロン２９０）０．５質量部、アンモニア０．７
質量部をアセトン１００質量部に室温で攪拌溶解し導電
性組成物を調整した。このようにして得られた溶液をガ
ラス基板上にディップ法により塗布し、１５０℃×５分
で乾燥させた。膜厚１．０μｍの表面の平滑な表面抵抗
値３．９×１０^７Ωの無色透明フィルムが得られた。

【０１０２】実施例１２（導電性組成物１２） 脱ドープ状態のインドール−５−カルボニトリル三量体
８質量部、ポリビニルアルコール０．５質量部、をジメ
チルホルムアミド１００質量部に室温で攪拌溶解し導電
性組成物を調整した。このようにして得られた溶液をガ
ラス基板上にスピンコート法により塗布し、１５０℃で
乾燥させた。このガラス基板を１Ｍ硫酸水溶液中に５分
間浸漬した後、１５０℃×５分にて乾燥させた。膜厚
２．０μｍの表面の平滑な表面抵抗値３．１×１０^６Ω
の無色透明フィルムが得られた。

【０１０３】比較例１（導電性組成物１３） インドール−５−カルボン酸三量体５質量部、アンモニ
ア１質量部を水１００質量部に室温で攪拌溶解し導電性
組成物を調整した。このようにして得られた溶液をガラ
ス基板上にスピンコート法により塗布し、８０℃で乾燥
させた。膜厚３．５μｍの表面の平滑な表面抵抗値２．
２×１０^６Ωの無色透明フィルムが得られた。

【０１０４】比較例２（導電性組成物１４） インドール−５−カルボン酸三量体３質量部、アクリル
エマルション「ダイヤナールＭＸ−１７０８」（三菱レ
イヨン社製）２０質量部、アンモニア１．０質量部を水
１００質量部に室温で攪拌溶解し導電性組成物を調整し
た。このようにして得られた溶液をガラス基板上にスピ
ンコート法により塗布し、１００℃で乾燥させた。膜厚
３．０μｍの表面の平滑な表面抵抗値１．４×１０^７Ω
の無色透明フィルムが得られた。

【０１０５】比較例３（導電性組成物１５） 脱ドープ状態のポリアニリン１質量部、アクリルエマル
ション「ダイヤナールＭＸ−１７０８」（三菱レイヨン
社製）２０質量部、パーフルオロドデシルカルボン酸１
質量部をＮ−メチル−２−ピロリドン１００質量部に室
温で攪拌溶解し導電性組成物を調整した。このようにし
て得られた溶液をガラス基板上にスピンコート法により
塗布し、１５０℃で乾燥させた。このガラス基板を１Ｍ
硫酸水溶液に１０分浸漬させ１００℃で乾燥させ、膜厚
１．０μｍの表面の平滑な表面抵抗値３．０×１０^９Ω
の濃青色フィルムが得られた。

【０１０６】比較例４（導電性組成物１６） カーボンブラック１質量部、アクリルエマルション「ダ
イヤナールＭＸ−１７０８」（三菱レイヨン社製）２０
質量部、ポリスチレンスルホン酸ナトリウム１質量部を
水１００質量部に室温で攪拌溶解し導電性組成物を調整
した。このようにして得られた溶液をガラス基板上にス
ピンコート法により塗布し、８０℃で乾燥させた。膜厚
１．０μｍの表面の平滑な表面抵抗値３．０×１０^１２
Ωの黒色フィルムが得られた。

【０１０７】比較例５（導電性組成物１７） ポリスチレンスルホン酸ナトリウム１質量部、アクリル
エマルション「ダイヤナールＭＸ−１７０８」（三菱レ
イヨン社製）２０質量部を水１００質量部に室温で攪拌
溶解し導電性組成物を調整した。このようにして得られ
た溶液をガラス基板上にスピンコート法により塗布し、
８０℃で乾燥させた。膜厚０．７μｍの表面の平滑な表
面抵抗値５．０×１０^１２Ωのフィルムが得られた。

【０１０８】比較例６（導電性組成物１８） ポリ（２−スルホ−５−メトキシ−１，４−イミノフェ
ニレン）（スルホン化ポリアニリン）１質量部、アンモ
ニア１質量部、水溶性ポリエステル樹脂「アラスター３
００」（荒川化学工業社製）３質量部、塩化リチウム１
質量部を水１００質量部に室温で攪拌溶解し導電性組成
物を調整した。このようにして得られた溶液をガラス基
板上にスピンコート法により塗布し、８０℃で乾燥させ
た。膜厚１．０μｍの表面の平滑な表面抵抗値７．５×
１０^７Ωの黄色透明フィルムが得られた。

【０１０９】評価方法 実施例１〜１２及び比較例１〜６にて作成した導電体に
ついて、下記項目の評価を実施した。結果を表1に示
す。 ・表面抵抗値 ２５℃、１５％ＲＨの条件下で表面抵抗値の測定には２
端子法（電極間距離：２０ｍｍ）を用いた。 ・ 耐水性評価 実施例１３〜２４ 実施例１〜１２にて得られた導電体について、表面抵抗
値（ＳＲ０）を測定した。この導電体を４０℃の溶媒中
に１時間浸漬し、外観観察、表面抵抗値（ＳＲ１）を測
定し、Ｒ１／Ｒ０を算出した。 比較例７〜１２ 比較例１〜６にて得られた導電体について、表面抵抗値
（ＳＲ０）を測定した。この導電体を４０℃の溶媒中に
１時間浸漬し、外観観察、表面抵抗値（ＳＲ１）を測定
し、Ｒ１／Ｒ０を算出した。 ・ 塗面外観 ４０℃、溶媒中に1時間浸漬後、外観を目視により塗膜
の状態を観察した。 ○ ：浸漬前と変化なし（光沢、透明性あり） × ：成分が溶出 ・ 硬度 得られた導電体について鉛筆引っかき試験（ＪＩＳ Ｋ
５４００に準拠）を実施した。

【０１１０】

【表１】

【０１１１】

【発明の効果】１．本発明による導電性組成物は、該組
成物を適当な基材に塗布、スプレー、キャスト、ディッ
プ及び加熱処理のみで湿度依存性がなく高い導電性を発
現し成膜性、成形性、無色透明性、耐溶剤性、耐水性、
硬度、耐侯性に優れた導電性薄膜を得ることができる。 ２．本発明においては、インドール誘導体三量体を成膜
性、成形性、無色透明性、耐溶剤性、耐水性、硬度、耐
侯性に優れた透明導電性高分子膜を、適当な基材に塗
布、スプレー、キャスト、ディップなどの加工により形
成後、常温で放置あるいは加熱処理のみで湿度依存性が
なく高い導電性を発現し、表面抵抗のばらつきが小さい
導電体を得ることができる。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｃ０９Ｄ 201/00 Ｃ０９Ｄ 201/00 ５Ｇ３０７ Ｃ０９Ｊ 9/02 Ｃ０９Ｊ 9/02 ５Ｇ３２３ 201/00 201/00 Ｈ０１Ｂ 1/20 Ｈ０１Ｂ 1/20 Ａ 5/14 5/14 Ａ 13/00 ５０３ 13/00 ５０３Ｂ // Ｃ０８Ｌ 101:00 Ｃ０８Ｌ 101:00 Ｆターム(参考） 4D075 BB26Z BB93Z CA02 CA22 CA32 CA38 DC18 DC21 DC24 DC27 EB42 EC03 4F006 AA11 AA31 AB38 BA07 CA08 DA04 4J038 DL05 DL06 HA446 JA15 JB27 JC30 KA03 KA08 KA09 KA12 NA01 NA03 NA04 NA11 NA20 PB08 PB09 4J040 EK05 EK07 HB06 HC21 HD30 JB10 KA03 KA16 KA32 KA38 KA42 LA06 LA07 LA09 NA17 NA19 5G301 DA28 DD01 DD02 5G307 FA01 FA02 FB03 FC03 FC04 FC09 5G323 BA05 BB01

Claims (20)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】インドール誘導体三量体（Ａ）、溶媒
   （Ｂ）及び架橋剤（Ｃ）を含むことを特徴とする導電性
   組成物。
2. 【請求項２】 架橋剤（Ｃ）が一般式（１）で示される
   シランカップリング剤（Ｄ）、 【化１】 （１） （上記式中、Ｒ^４８、Ｒ^４９、Ｒ^５０は各々独立に、水
   素、炭素数１〜６の直鎖または分岐のアルキル基、炭素
   数１〜６の直鎖または分岐のアルコキシ基、アミノ基、
   アセチル基、フェニル基、ハロゲン基よりなる群から選
   ばれた基である。Ｘは 【化２】 を示し、ｎ及びｌは１〜６までの数である。Ｙは水酸
   基、チオール基、アミノ基、エポキシ基及びエポキシシ
   クロヘキシル基よりなる群から選ばれた基である。）で
   ある請求項１記載の導電性組成物。
3. 【請求項３】 導電性組成物がコロイダルシリカ（Ｅ）
   を含むことを特徴とする請求項１または２に記載の導電
   性組成物。
4. 【請求項４】 コロイダルシリカ（Ｅ）の粒子径が１ｎ
   ｍ〜３００ｎｍである請求項１〜３のいずれか1項に記
   載の導電性組成物。
5. 【請求項５】 導電性組成物が塩基性化合物（Ｆ）を含
   むことを特徴とする請求項１〜４のいずれか1項に記載
   の導電性組成物。
6. 【請求項６】 導電性組成物が高分子化合物（Ｇ）を含
   むことを特徴とする請求項１〜５のいずれか1項に記載
   の導電性組成物。
7. 【請求項７】 導電性組成物が界面活性剤（Ｈ）を含む
   ことを特徴とする請求項１〜６のいずれか1項に記載の
   導電性組成物。
8. 【請求項８】 導電性組成物が無機塩（Ｉ）を含むこと
   を特徴とする請求項１〜７のいずれか1項に記載の導電
   性組成物。
9. 【請求項９】 インドール誘導体三量体（Ａ）が、 【化３】 （２） （上記式中、Ｒ^１〜Ｒ^１２は、水素、炭素数１〜２４の
   直鎖または分岐のアルキル基、炭素数１〜２４の直鎖ま
   たは分岐のアルコキシ基、炭素数２〜２４の直鎖または
   分岐のアシル基、アルデヒド基、カルボン酸基、炭素数
   ２〜２４の直鎖または分岐のカルボン酸エステル基、ス
   ルホン酸基、炭素数１〜２４の直鎖または分岐のスルホ
   ン酸エステル基、シアノ基、水酸基、ニトロ基、アミノ
   基、アミド基及びハロゲン基よりなる群からそれぞれ独
   立に選ばれた置換基である。また、Ｘ^a-は、塩素イオ
   ン、臭素イオン、ヨウ素イオン、フッ素イオン、硝酸イ
   オン、硫酸イオン、硫酸水素イオン、リン酸イオン、ほ
   うフッ化イオン、過塩素酸イオン、チオシアン酸イオ
   ン、酢酸イオン、プロピオン酸イオン、メタンスルホン
   酸イオン、ｐ−トルエンスルホン酸イオン、トリフルオ
   ロ酢酸イオン、及びトリフルオロメタンスルホン酸イオ
   ンよりなる１〜３価の陰イオン群より選ばれた少なくと
   も１種の陰イオンであり、ａはＸのイオン価数を表し、
   １〜３の整数であり、ｍはドープ率であり、その値は０
   〜０．５である。）である請求項１〜８のいずれか1項
   に記載の導電性組成物。
10. 【請求項１０】 インドール誘導体三量体（Ａ）が、 【化４】 （３） 上記式中、Ｒ^１３〜Ｒ^２４は、水素、炭素数１〜２４の
    直鎖または分岐のアルキル基、炭素数１〜２４の直鎖ま
    たは分岐のアルコキシ基、炭素数２〜２４の直鎖または
    分岐のアシル基、アルデヒド基、カルボキシル基、炭素
    数２〜２４の直鎖または分岐のカルボン酸エステル基、
    スルホン酸基、炭素数１〜２４の直鎖または分岐のスル
    ホン酸エステル基、シアノ基、水酸基、ニトロ基、アミ
    ノ基、アミド基及びハロゲン基よりなる群からそれぞれ
    独立して選ばれた置換基で示され、Ｒ^１３〜Ｒ^２４のう
    ち少なくとも１つがシアノ基、ニトロ基、アミド基また
    はハロゲン基から選ばれた基である。またＸ^a-は、塩素
    イオン、臭素イオン、ヨウ素イオン、フッ素イオン、硝
    酸イオン、硫酸イオン、硫酸水素イオン、リン酸イオ
    ン、ほうフッ化イオン、過塩素酸イオン、チオシアン酸
    イオン、酢酸イオン、プロピオン酸イオン、メタンスル
    ホン酸イオン、ｐ−トルエンスルホン酸イオン、トリフ
    ルオロ酢酸イオン、及びトリフルオロメタンスルホン酸
    イオンよりなる１〜３価の陰イオン群より選ばれた少な
    くとも一種の陰イオンであり、ａはＸのイオン価数を表
    し、１〜３の整数であり、ｍはドープ率であり、その値
    は０〜０．５である。）である請求項１〜９のいずれか
    1項に記載の導電性組成物。
11. 【請求項１１】 インドール誘導体三量体（Ａ）が、 【化５】 （４） （上記式中、Ｒ^２５〜Ｒ^３６は、水素、炭素数１〜２４
    の直鎖または分岐のアルキル基、炭素数１〜２４の直鎖
    または分岐のアルコキシ基、炭素数２〜２４の直鎖また
    は分岐のアシル基、アルデヒド基、カルボキシル基、炭
    素数２〜２４の直鎖または分岐のカルボン酸エステル
    基、スルホン酸基、炭素数１〜２４の直鎖または分岐の
    スルホン酸エステル基、シアノ基、水酸基、ニトロ基、
    アミノ基、アミド基及びハロゲン基よりなる群からそれ
    ぞれ独立して選ばれた置換基で示され、Ｒ^２５〜Ｒ^３６
    のうち少なくとも１つがスルホン酸基またはカルボキシ
    ル基である。またＸ^a-は、塩素イオン、臭素イオン、ヨ
    ウ素イオン、フッ素イオン、硝酸イオン、硫酸イオン、
    硫酸水素イオン、リン酸イオン、ほうフッ化イオン、過
    塩素酸イオン、チオシアン酸イオン、酢酸イオン、プロ
    ピオン酸イオン、メタンスルホン酸イオン、ｐ−トルエ
    ンスルホン酸イオン、トリフルオロ酢酸イオン、及びト
    リフルオロメタンスルホン酸イオンよりなる１〜３価の
    陰イオン群より選ばれた少なくとも一種の陰イオンであ
    り、ａはＸのイオン価数を表し、１〜３の整数であり、
    ｍはドープ率であり、その値は０〜０．５である。）で
    ある請求項１〜１０のいずれか1項に記載の導電性組成
    物。
12. 【請求項１２】 インドール誘導体三量体（Ａ）が 【化６】 （５） （上記式中、Ｒ^３７〜Ｒ^４０は、水素、炭素数１〜２４
    の直鎖または分岐のアルキル基、炭素数１〜２４の直鎖
    または分岐のアルコキシ基、炭素数２〜２４の直鎖また
    は分岐のアシル基、アルデヒド基、カルボキシル基、炭
    素数２〜２４の直鎖または分岐のカルボン酸エステル
    基、スルホン酸基、炭素数１〜２４の直鎖または分岐の
    スルホン酸エステル基、シアノ基、水酸基、ニトロ基、
    アミノ基、アミド基及びハロゲン基よりなる群からそれ
    ぞれ独立して選ばれた置換基である。）で示される少な
    くとも一種のインドール誘導体を、少なくとも一種の酸
    化剤と少なくとも一種の溶媒を含む反応混合物中におい
    て反応させることにより得られたインドール誘導体三量
    体であることを特徴とする請求項１〜１１のいずれか1
    項に記載の導電性組成物。
13. 【請求項１３】 インドール誘導体三量体（Ａ）が積層
    構造であることを特徴とする請求項１〜１２のいずれか
    １項に記載の導電性組成物。
14. 【請求項１４】 請求項１〜１３のいずれか１項に記載
    の導電性組成物より形成される透明導電性膜を有するこ
    とを特徴とする導電体。
15. 【請求項１５】 透明導電性膜に酸がドーパントとして
    付加していることを特徴とする請求項１４記載の導電
    体。
16. 【請求項１６】 透明導電性膜が、温度 ２５℃、相対
    湿度 １５％での表面抵抗値が１０^５〜１０^１２Ωであ
    ることを特徴とする請求項１４または１５項に記載の導
    電体。
17. 【請求項１７】 透明導電性膜が、温度 ４０℃の溶媒
    中に１時間浸漬した後の表面抵抗値の変化率（ＳＲ１
    （４０℃の溶媒中に１時間浸漬した後の表面抵抗値）／
    ＳＲ０（浸漬前の表面抵抗値））が１０以内であること
    を特徴とする請求項１４〜１６の何れか１項に記載の導
    電体。
18. 【請求項１８】 基材の少なくとも一つの面上に、請求
    項１〜１３のいずれか１項に記載の導電性組成物を塗布
    し透明導電性膜を形成した後に、常温で放置あるいは加
    熱処理を行うことを特徴とする導電体の形成方法。
19. 【請求項１９】 透明導電性膜を形成した後に、酸によ
    るドーピング処理を行い、次いで常温で放置あるいは加
    熱処理を行うことを特徴とする請求項１８記載の導電体
    の形成方法。
20. 【請求項２０】 加熱処理を常温から２５０℃の温度範
    囲で行うことを特徴とする請求項１８または１９記載の
    導電体の形成方法。