JP2003121493A - Alignment method of testing pin for electrostatic breakdown tester of electronic device - Google Patents

Alignment method of testing pin for electrostatic breakdown tester of electronic device

Info

Publication number
JP2003121493A
JP2003121493A JP2001321286A JP2001321286A JP2003121493A JP 2003121493 A JP2003121493 A JP 2003121493A JP 2001321286 A JP2001321286 A JP 2001321286A JP 2001321286 A JP2001321286 A JP 2001321286A JP 2003121493 A JP2003121493 A JP 2003121493A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
charge
pin
test
discharge
meter
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2001321286A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP3879036B2 (en
Inventor
Katsuo Matsuura
克夫 松浦
Hideyuki Wakabayashi
秀行 若林
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Electronics Trading Co Ltd
Original Assignee
Tokyo Electronics Trading Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electronics Trading Co Ltd filed Critical Tokyo Electronics Trading Co Ltd
Priority to JP2001321286A priority Critical patent/JP3879036B2/en
Publication of JP2003121493A publication Critical patent/JP2003121493A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP3879036B2 publication Critical patent/JP3879036B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To correctly carry out alignment of a testing pin with a terminal of a measured device, in an electrostatic breakdown test. SOLUTION: The position of a reference point on a setup jig 20 having a capacity forming means is read by an imaging element 52. The variation of a charge quantity stored in the capacity forming means is measured by a charge quantity meter 11, the positions for a chargedischarge pin 51 and a measuring pin 12 of the meter 11 to coincide with the reference point are found from thereby detected coordinate values of boundaries in the X-axis and Y-axis directions of a conductor pattern on the setup jig 20. The mutual positional relationship among the imaging element 52, the charge-discharge pin 51 and the measuring pin 12 of the charge quantity meter 11 is found from the position read by the imaging element 52 and the positions for the charge-discharge pin 51 and the measuring pin 12 of the meter 11 to coincide with the reference point. After the positions of terminals of the measured device are recognized by the imaging element 52 in testing, the positions of the charge-discharge pin 51 and the measuring pin 12 of the meter 11 are made to coincide with those of the terminals from the mutual positional relationship.

Description

【発明の詳細な説明】 【0001】 【発明の属する技術分野】本発明は、電子デバイスの静
電破壊試験装置の試験用ピンの位置合わせ方法に関す
る。より詳しくは、とくに半導体集積回路についての静
電気の放電に対する破壊耐量を測定する静電破壊試験に
おいて用いられるものであり、被測定デバイスの端子と
試験用のピンとの位置合わせを、正確に行うことができ
る電子デバイスの静電破壊試験装置の試験用ピンの位置
合わせ方法を提供せんとするものである。 【0002】 【従来の技術】半導体集積回路の開発過程においては、
各種の信頼性試験が行われる。その中に、静電気放電に
対する破壊耐量を測定する静電破壊試験がある。すなわ
ち、半導体集積回路の製造過程や電子機器への実装時な
どにおいては、静電気放電により半導体集積回路が破壊
または劣化(以下、単に「破壊」という)することがあ
る。したがって、半導体集積回路の設計に際しては、静
電気放電に対する耐性を充分に確保する必要がある。そ
こで、半導体集積回路における静電気放電をシミュレー
トして、静電気放電に対する破壊耐量を測定するのが、
静電破壊試験である。 【0003】ここで、半導体集積回路の製造過程や電子
機器への実装時などにおいて、実際に静電破壊が発生す
るモード(態様)には、大別してつぎの2つがある。 【0004】1つは、半導体集積回路自体は静電気は帯
電していないが、静電気が帯電した他の物体が半導体集
積回路の近くに存在する場合に発生するモードである。
すなわち、外部の帯電物体が、半導体集積回路の端子に
接触して放電が起こり、これにより半導体集積回路が破
壊するモードである。このモードには、外部帯電物体が
人体や機械である場合が代表的なものとしてあり、それ
ぞれ「人体モデル」(HBM:Human Body Model)、
「機械モデル」(MM:Machine Model)と呼ばれてい
る。 【0005】もう1つは、半導体集積回路自体が摩擦や
誘導などにより帯電している場合に発生するモードであ
る。すなわち、電荷が蓄えられている半導体集積回路の
端子に、外部の導体が接触したときに起こる放電によっ
て、半導体集積回路が破壊するモードである。このモー
ドは、デバイス自体が帯電していることから、「デバイ
ス帯電モデル」(CDM:Charged Device Model)と呼
ばれている。 【0006】前者の人体モデルや機械モデルは、従前よ
りその存在が知られており、これをシミュレートする方
法は、既に確立されている。これに対して、後者のデバ
イス帯電モデルは、近年に至ってその存在が指摘され、
人体モデルや機械モデルとは区別して考察されるように
なったものである。 【0007】そこで、近時、このデバイス帯電モデルを
シミュレートするための各種の静電破壊試験装置が提案
されている。ここで、この種の試験装置では、デバイス
帯電モデルをシミュレートするために、被測定デバイス
に帯電させた後に急速に放電させる。その場合、被測定
デバイスに帯電させる方式としては、つぎの2つがあ
る。 1)被測定デバイスの端子を介して高電圧を印加して、
被測定デバイスに直接に充電する直接充電方式(この方
式による試験をD−CDM(Direct-Charging Charged
Device Model)試験という) 2)高電圧電源に接続された電極と、これに対向した、
接地されたグランド板とによって形成される平等電界に
おいて、電極上に被測定デバイスを載置することにより
帯電させる誘導帯電方式(この方式による試験をF−C
DM(Field-Induced Charged Device Model)試験とい
う) 【0008】従来、諸外国では、上記2)のF−CDM
試験が主流であるのに対して、我が国では、1)のD−
CDM試験が主流であった。しかし、電子デバイスにつ
いてのF−CDM試験に基づく試験データの提出が、外
国から要求されるという事情もあり、近年、我が国にお
いてもF−CDM試験用の装置に対するニーズが増えて
きている。 【0009】そこで、そのようなF−CDM試験に用い
られる従来の電子デバイスの静電破壊試験装置の構成概
念を、図11に示し説明する。 【0010】図11において、71は、被測定デバイス
に誘導により帯電させるための、方形板状の金属製の帯
電電極であり、この上に、試験時に被測定デバイスが載
置される。図11では、帯電電極71上には、平行平板
コンデンサ80が図示されている。この平行平板コンデ
ンサ80は、試験を行うに先立って、被測定デバイスに
おける試験をする金属の端子と、後述するプローブ部5
0の充放電ピン51との位置合わせのために用いるもの
である。試験時は、帯電電極71上に平行平板コンデン
サ80が置かれることはなく、被測定デバイスが載置さ
れる。 【0011】この帯電電極71には、直流の高電圧を発
生する、出力電圧が可変の高電圧電源Eからの高電圧
が、スイッチSW3および高抵抗体72(抵抗値は例え
ば100MΩ)の直列接続を介して印加される。高抵抗
体72を用いているのは、高電圧が印加される帯電電極
71上に載置された被測定デバイスへの帯電が高速過ぎ
て、帯電時に被測定デバイスが破壊されないように、時
間をかけて帯電させるためである。 【0012】他方、帯電電極71の上方には、帯電電極
71との間で平等電界を形成するための金属製の上部グ
ランド板53と、被測定デバイスの端子に接触して充放
電するための充放電ピン51と、CCDカメラなどの撮
像素子52とを主要な構成要素とするプローブ部50が
配置されている。 【0013】プローブ部50における上部グランド板5
3は、一般に円板状に形成されており、大地の電位に維
持するため接地されている。また、充放電ピン51に
は、試験時に、帯電した被測定デバイスの端子を介して
放電される放電電流を検出するための低抵抗値(通常1
Ω)の抵抗Rが、放電時に閉じられるスイッチSW1を
介して接続されている。 【0014】さらに、充放電ピン51には、スイッチS
W2を介して容量変化検出回路61が接続されている。
この容量変化検出回路61の出力は、増幅器62により
適当な振幅に増幅されてから、A/D(アナログ・ディ
ジタル)変換器63によりディジタル変換されてコンピ
ュータ65に送出される。ここにおける容量変化検出回
路61は、被測定デバイスの端子と充放電ピン51との
位置合わせに用いるものである。これについては、後述
する。 【0015】撮像素子52は、これも被測定デバイスの
端子と充放電ピン51との位置合わせに用いるものであ
り、被測定デバイスの端子の位置を認識して、その位置
情報をインタフェース回路64を介してコンピュータ6
5に送出する。 【0016】このような構成のプローブ部50は、X軸
駆動部66、Y軸駆動部67およびZ軸駆動部68の作
動により、X軸方向(図面上で左右方向)、Y軸方向
(紙面に垂直方向)およびZ軸方向(図面上で上下方
向)において移動するようになっている。 【0017】つぎに、以上のように構成された装置を用
いて被測定デバイスの静電破壊試験を行う方法について
説明する。試験をするに当たっては、まず、図示されて
はいない被測定デバイスを、帯電電極71の上に載置す
る。このとき、帯電電極71の上方に配置されたプロー
ブ部50は、被測定デバイスの端子から充分に離してお
く。 【0018】帯電電極71上に被測定デバイスが載置さ
れたならば、スイッチSW3を閉じ、帯電電極71に取
り付けられた高抵抗体72を介して、高電圧電源Eから
の高電圧(例えば+1000V)を帯電電極71に印加
する。 【0019】帯電電極71に高電圧が印加され所定時間
(一般に数ミリ秒から数十ミリ秒)が経過すると、帯電
電極71は+1000Vの電位に充電される。これに伴
い、被測定デバイスの各端子の電位もほぼ+1000V
となる。 【0020】そこで、コンピュータ65からの制御信号
が与えられたZ軸駆動部68の駆動により、プローブ部
50における充放電ピン51の先端が、被測定デバイス
における複数の端子のうちの1つの端子に接触するよう
に、プローブ部50を下降させる。このとき、各スイッ
チSW1,SW2は開放にしておく。 【0021】充放電ピン51の先端が、被測定デバイス
の端子に接触した後に、スイッチSW1を閉じると、接
触した端子の電位は急激に0Vになる。その瞬間、被測
定デバイスのチップの電位は0Vとなり、被測定デバイ
スの帯電電極71側のパッケージとチップとの間の容量
は+1000Vに充電される。このときのストレスによ
り、被測定デバイスが破壊することがある。 【0022】このような手順による試験は、高電圧電源
Eからの出力電圧を順次変えて行われる。そして、その
都度、被測定デバイスの特性試験を行い、これにより被
測定デバイスが破壊する電圧を知り、破壊耐量を知るこ
とになるのである。 【0023】なお、この種の装置では、放電時の放電電
流波形の定期的な観測が義務付けられている(例えば日
本電子機械工業会暫定規格 EIAJ EDX−470
2)。そのため、放電時には、スイッチSW1を介して
充放電ピン51に接続された抵抗Rにより放電電流を取
り出して、放電電流波形を観測する。 【0024】また、1回のストレス印加が完了したなら
ば、つぎのストレス印加を行う前に、帯電電極71およ
び被測定デバイスを除電して電荷が残留していないよう
にしておく必要がある。そのため、1回のストレス印加
が完了すると、接地されたスイッチSW4を閉じて除電
動作を行う。 【0025】以上が、半導体集積回路などの電子デバイ
スについて行われる、誘導帯電方式による静電破壊試験
であるが、この試験を行うに際して重要なことは、被測
定デバイスの端子と、プローブ部50の充放電ピン51
との位置合わせである。とくに、今日では、半導体集積
回路の高密度化、微細化に伴い、端子数が増え各端子間
の間隔もより狭くなっている。誤って試験端子以外の端
子に充放電ピン51が接触してしまうことも起こり得
る。 【0026】また、被測定デバイスをICソケットに装
着して試験を行うと、半導体集積回路の製造過程などに
おいて発生する実際の静電気放電現象を厳密にシミュレ
ートすることができなくなる。そのため、被測定デバイ
スをICソケットに装着して試験をすることが禁じられ
ており、充放電ピン51を用いて試験を行わなければな
らない。したがって、被測定デバイスの端子と充放電ピ
ン51との位置合わせを正確に行うことが必要となる。 【0027】そこで、図11に示した従来例における被
測定デバイスの端子と充放電ピン51との位置合わせの
方法を、以下に説明する。 【0028】図12(a)は、この位置合わせのために
用いる平行平板コンデンサ80の平面図である。図中、
中央に大きく占める正方形における斜線部分は、金めっ
きを施した金めっきパターン81aである。この金めっ
きパターン81aの中央部には、円形の非めっき部分が
あり、この円には十字マークが描かれている。また、こ
の金めっきパターン81aと同じ大きさの金めっきパタ
ーン81bが、図12(b)に示すように、平行平板コ
ンデンサ80の裏面にも設けられている。ただし、裏面
の金めっきパターン81bは、その全面に金めっきが施
されており、中央部に円形の非めっき部分はない。 【0029】このような構成の平行平板コンデンサ80
は、位置合わせをするに当たって、図11に示したよう
に、帯電電極71上に固定される。その場合、十字マー
クが描かれた面が上面となるように固定する。 【0030】そこで、図示されてはいないキー・ボード
などの入力装置からの入力信号に基づき、プローブ部5
0を移動させて、モニター(図示せず)の画面上で、平
行平板コンデンサ80の表面中央部の十字マークを探
す。 【0031】ここで、プローブ部50は、コンピュータ
65からの制御信号を受けたX軸駆動部66、Y軸駆動
部67およびZ軸駆動部68の駆動により、X軸方向
(図11および図12(a)上で左右方向)、Y軸方向
(図11上で紙面に垂直方向、図12(a)上で上下方
向)およびZ軸方向(図11上で上下方向、図12
(a)上で紙面に垂直方向)において移動する。移動分
解能は、この従来例では10μm/1ステップである。 【0032】プローブ部50を移動させて、撮像素子5
2により撮像された平行平板コンデンサ80の十字マー
クを視野の中に捉えたならば、その十字マークと、モニ
ター画面に表示されている十字マーク(その交点は撮像
素子52の光軸の中心点)とが一致する位置を見い出
す。この2つの十字マークが一致する位置を見い出した
ならば、インタフェース回路64を介して撮像素子52
と接続されたコンピュータ65は、その位置の座標値
(Xom,Yom)を読み取り、これを撮像素子52の光軸
の中心点の座標値として、コンピュータ65に登録して
おく。 【0033】つぎに、プローブ部50におけるスイッチ
SW1を開いた状態で、スイッチSW2を閉じて、容量
変化検出回路61を動作可能な状態とする。容量変化検
出回路61が動作可能となったならば、プローブ部50
を下降させて、充放電ピン51の先端を平行平板コンデ
ンサ80の表面部に接触させる。 【0034】そこで、図12(a)において、充放電ピ
ン51のY座標(図面上で上下方向)を、平行平板コン
デンサ80のほぼ中央(正確に中央でなくてよい)に固
定しておいて、充放電ピン51をX軸方向(図面上で左
右方向)に移動させる。充放電ピン51は、上下動機構
により1ステップ毎に上下動する。すなわち、1ステッ
プ毎に平行平板コンデンサ80の表面部に接触するよう
になっている。 【0035】金めっきパターン81aに充放電ピン51
が接触すると、非めっき部分に接触するときよりも、そ
の前後の静電容量の変化が大きいので、これを容量変化
検出回路61により検出する。これにより、金めっきパ
ターン81aと左右の非めっき部分との境界の各X座標
1,X2を探す。容量変化検出回路61の出力は、増幅
器62により増幅されてからA/D(アナログ・ディジ
タル)変換器63によりディジタル変換されて、コンピ
ュータ65に送出される。 【0036】同様にして、充放電ピン51のX座標を、
平行平板コンデンサ80のほぼ中央に固定しておいて、
Y軸方向に充放電ピン51を移動せしめて、金めっきパ
ターン81と上下の非めっき部分との境界の各Y座標Y
1,Y2を探す。 【0037】金めっきパターン81aは、左右および上
下とも対称に形成されているので、平行平板コンデンサ
80の中心点の座標値(Xc,Yc)は、次式により求め
られる。 Xc=(X1+X2)/2 Yc=(Y1+Y2)/2 【0038】ここにおける座標値(Xc,Yc)は、平行
平板コンデンサ80の中心点に、充放電ピン51の軸心
を一致させたときの、その軸心の座標値である。したが
って、撮像素子52の光軸の中心点の座標値(Xom,Y
om)と、充放電ピン51の軸心の座標値との差(Xo
o)は、次式により求められる。 Xo=Xom−Xco=Yom−Yc 【0039】この座標値の差(Xo,Yo)をコンピュー
タ65に登録しておけば、撮像素子52を用いて被測定
デバイスの端子に焦点を合わせた後、座標値の差
(Xo,Yo)だけプローブ部50を移動させればよい。
そうすれば、例えば光学的手段を用いての目視による確
認の必要もなく、被測定デバイスの端子と充放電ピン5
1との位置合わせをすることができる。 【0040】この位置合わせが完了したならば、既に述
べたように、帯電電極71(図11)に高電圧を印加し
て被測定デバイスに帯電させた後、Z軸駆動部68を駆
動してプローブ部50を下降させ、その後スイッチSW
1を閉じて充放電ピン51と被測定デバイスの端子を介
して放電させることになる。 【0041】 【発明が解決しようとする課題】従来、電子デバイスの
静電気放電に対する破壊耐量は、放電または帯電電圧に
より決定されるものと考えられてきた。しかし、その後
の研究の進展により、静電気放電に対する破壊耐量は、
放電または帯電電圧よりも、放電エネルギーまたは放電
電荷量に依存することが、明らかとなってきている(特
開平9−218241号公報・特許第2836676号
公報参照)。 【0042】その結果、最近では、静電気放電に対する
破壊耐量を正確に測定するためには、静電破壊試験装置
の構成要素として、静電気放電の電荷量を測定する電荷
量計(クーロン・メータ)を用いることが必要となって
いる。 【0043】そこで、このような必要性に対処するため
に、図11に示した従来の静電破壊試験装置に電荷量計
を付設したうえで、被測定デバイスの端子と充放電ピン
51との位置合わせを、容量変化検出回路61を用いて
行うとすると、装置の構成が複雑となってしまう。とく
に、容量変化検出回路61は、電子デバイスの破壊耐量
の測定自体にとっては不可欠の構成要素ではないだけ
に、装置の構成が複雑となるのは問題である。 【0044】このように、図11に示した容量変化検出
回路61を用いて、被測定デバイスの端子と充放電ピン
51との位置合わせを行う方法を、電荷量計を具備した
最近の静電破壊試験装置に適用するとすれば、装置の構
成が複雑となってしまい、コスト増を招くという解決す
べき課題があった。 【0045】 【課題を解決するための手段】そこで、上記課題を解決
すべく本発明はなされたものである。そのために、本発
明では、平行板の一方として例えば正方形に形成された
導体を用いて電荷が蓄積する容量を形成したうえで、該
導体に設けられた基準点の位置を例えば撮像素子により
認識する。電荷量計が測定する電荷量の変化により検出
される該導体のX軸方向およびY軸方向における各境界
のそれぞれの座標値より、第1および第2の試験用ピン
が該基準点にそれぞれ一致する各位置を求める。撮像素
子などにより認識される該基準点の位置と、前記第1お
よび第2の試験用ピンが該基準点にそれぞれ一致する各
位置より、撮像素子などと第1および第2の試験用ピン
との相互位置関係を求める。これらが求められたなら
ば、試験時において、撮像素子などにより被測定デバイ
スの端子の位置を認識してから、該相互位置関係を基に
して第1および第2の試験用ピンの一方の位置を被測定
デバイスの端子の位置に一致させる。以上のような手段
を本発明では用いるようにした。 【0046】 【発明の実施の形態】本発明の実施の形態について図1
ないし図10により説明する。まず、本発明が適用され
る電子デバイスの静電破壊試験装置の構成概念を図1に
示し説明する。なお、図1では、図11における構成要
素と同一の構成要素については、同じ符号を付してい
る。 【0047】図1において、図11に示した従来例の構
成と異なるところは、A/D変換器63を介してコンピ
ュータ65と接続された、静電気放電の電荷量を測定す
る電荷量計11を、プローブ部10に配置する一方で、
容量変化検出回路61(図11)と、これに接続される
スイッチSW2および増幅器62を配設していないこと
である。ここで、図1では、帯電電極71に固定された
セットアップ治具20が図示されている。このセットア
ップ治具20は、被測定デバイスの端子と、充放電ピン
51あるいは電荷量計11の測定ピン12との位置合わ
せに用いるものである。これについては、後述する。 【0048】また、プローブ部10は、Y軸方向(図1
上で紙面に垂直方向)およびZ軸方向(図1上で上下方
向)においてのみ移動し、セットアップ治具20が、X
軸方向(図1上で左右方向)において移動するようにな
っている。これは、位置合わせのための作業が終了した
際に、帯電電極71上に固定されたセットアップ治具2
0を、プローブ部10のカバー領域外に移動させて取り
出し易くしたものである。移動分解能は、本実施の形態
では、X軸、Y軸およびZ軸方向とも10μm/1ステ
ップである。その他の構成は、図11に示した従来例の
構成と同じである。 【0049】プローブ部10に配置された電荷量計11
は、試験時の放電電荷量を測定するための針状の測定ピ
ン12を有し、この測定ピン12は、上部グランド板1
3に穿設された孔部を介して、上部グランド板13の下
方に突き出している。上部グランド板13の構成は、図
11の上部グランド板53と実質的に同一である。 【0050】この電荷量計11は、図示されてはいない
上下動機構により、測定ピン12も一体として若干の距
離だけ上下に移動して、測定ピン12の先端の位置を変
えられるようになっている。これは、電荷量計11の測
定ピン12と充放電ピン51のそれぞれの先端の位置を
異なるものとすることにより、一方のピンを被測定デバ
イスの端子などに接触させるときに、これらに他方のピ
ンが不用意に接触しないようにするためである。 【0051】以上のような構成の装置を用いて試験を行
う方法は、図11に示した従来例について説明した試験
方法に加えて、電荷量計11を用いての試験方法があ
る。すなわち、帯電した被測定デバイスの端子に電荷量
計11の測定ピン12を接触させて、放電電荷量を測定
する試験を行う方法である。この場合は、1回の試験が
完了する毎に行う被測定デバイスについての特性試験の
結果から、被測定デバイスの破壊耐量を放電電荷量に基
づいて決定する。 【0052】このような本装置を用いての試験を行うに
当たって、被測定デバイスの端子と、充放電ピン51あ
るいは電荷量計11の測定ピン12との位置合わせが重
要であることは、図11に示した従来例の場合と同様で
ある。そこで、本発明による被測定デバイスの端子と、
充放電ピン51あるいは電荷量計11の測定ピン12と
の位置合わせの方法について、説明する。 【0053】まず、充放電ピン51、電荷量計11の測
定ピン12、および撮像素子52の光軸の中心点の位置
関係の一例について、図2により説明する。ここで、図
1では、充放電ピン51と電荷量計11の測定ピン12
は、X軸方向(図1上で左右方向)において並置される
ように図示されている。このように図示したのは、説明
の便宜のためであり、本実施の形態における両者の実際
の位置関係は、図2に示すように、Y軸方向(図1上で
紙面に垂直方向)において並置されている。すなわち、
充放電ピン51と電荷量計11の測定ピン12は、座標
系においてそのX座標は同じである。 【0054】図2において、充放電ピン51と撮像素子
52の光軸の中心点OAとの間の距離DOPは、20mmであ
る。充放電ピン51と電荷量計11の測定ピン12との
間の距離DPPは、10mmである。三者の位置関係は、この
ように設定される。 【0055】そこで、装置を製作するうえで、三者の位
置関係が、設定された通りに正確に実現され得るなら
ば、被測定デバイスの端子に撮像素子52の光軸の中心
点OAを一致させて、その位置の座標値をコンピュータ
65に登録した後、この中心点OAとの間の距離DOP
PPだけプローブ部10および被測定デバイスを移動さ
せれば、被測定デバイスの端子と、充放電ピン51ある
いは電荷量計11の測定ピン12との位置合わせができ
ることになる。 【0056】しかし、装置の製作上、正確な位置関係を
実現することは、実際問題としては、極めて困難であ
る。 0.1mm以下の寸法精度を得ることは、困難である。
また、撮像素子52の光軸とZ軸(図2上で紙面に垂
直)との厳密な平行度を確保することも、困難である。
すなわち、例えば 0.1mm程度の微細な被測定デバイスの
端子寸法に対応できるだけの充分な精度を得ることがで
きない。 【0057】その結果、被測定デバイスの端子に撮像素
子52の光軸の中心点OAを一致させた後、設定された
距離DOP,DPPだけプローブ部10および被測定デバイ
スを移動させても、被測定デバイスの端子と、充放電ピ
ン51あるいは電荷量計11の測定ピン12との位置合
わせを、正確には実現することができないことになる。 【0058】そこで、本発明では、被測定デバイスの端
子と、充放電ピン51あるいは電荷量計11の測定ピン
12との位置合わせを的確に行うための手段として、図
3に示すセットアップ治具20を用いている。ここで、
図3は、セットアップ治具20の構成を示す、一部を切
り欠いた斜視図である。 【0059】図3において、セットアップ治具20は板
状に形成され、絶縁体からなる絶縁板21と、その下面
に固着された、絶縁板21よりは厚い金属板22との二
層構造になっている。このセットアップ治具20の平面
形状は、一辺の長さSJ が例えば 110mmの正方形であ
る。 【0060】絶縁板21は平面形状がロ字状に形成さ
れ、その中央の空隙部には、絶縁板21と同一の厚さの
プリント基板23が、嵌合するように固定されている。
このプリント基板23の平面形状は、一辺の長さSP
例えば39mmの正方形である。 【0061】プリント基板23の上面中央部には、平行
斜線で示すように、金めっきなどが施された導体パター
ン24が設けられており、これと下方の金属板22とが
平行板として電荷を蓄積する容量を形成することにな
る。導体パターン24の形状は、例えば一辺の長さSC
が20mmの正方形である。また、この導体パターン24の
中央部には、円形の非めっき部分があり、ここには十字
マークが描かれている。この十字マークの交点は、被測
定デバイスの端子と、充放電ピン51あるいは電荷量計
11の測定ピン12との位置合わせのための基準点とな
るものである。 【0062】つぎに、以上のように構成されたセットア
ップ治具20の用い方について、図4により説明する。 【0063】図4において、セットアップ治具20にお
ける導体パターン24中央部の十字マークの交点IP
は、この位置と一致する撮像素子52の光軸の中心点O
A(図2)の座標値(XOA,YOA)を読み取るために用
いられる。 【0064】また、めっきが施された正方形の導体パタ
ーン24は、これへの充放電ピン51あるいは電荷量計
11の測定ピン12の接触位置を、各矢印A,Bが示す
方向に移動させて、導体パターン24のX軸方向(図4
上で左右)の境界Xa,Xbすなわちめっき部分(導体
部)と非めっき部分(絶縁部)との境目の各X座標を求
めるために用いられる。 【0065】同様に、各矢印C,Dが示す方向に該接触
位置を移動させて、導体パターン24のY軸方向(図4
上で上下)の境界Ya,Ybの各Y座標を求めるために
用いられる。 【0066】図5から図10は、セットアップ治具20
を用いての図1に示した装置による、被測定デバイス
と、充放電ピン51あるいは電荷量計11の測定ピン1
2との位置合わせのためのコンピュータ65(図1)の
制御動作の流れを示すフローチャートである。 【0067】図5において、装置は既に動作を開始して
おり、キー・ボードなどの入力装置からの入力信号に基
づいて、セットアップ治具20をX軸方向において移動
させるとともに、プローブ部10をY軸方向において移
動させ、さらにZ軸方向の移動によりピント調節を行っ
て、セットアップ治具20における導体パターン(図に
おいて単に「パターン」という)24の十字マークの交
点IPに、撮像素子52の光軸の中心点OA(モニタ画
面上の十字マークの交点)を合わせる(S1)。 【0068】十字マークの交点IPに、撮像素子52の
光軸の中心点OAが合わせられたならば、その位置の座
標値(XOA,YOA)を読み取り記憶する(S2)。 【0069】ついで、充放電ピン51が、導体パターン
24のほぼ中央(図4上で矢印AまたはBの始点付近)
に位置するように、入力装置からの入力信号に基づい
て、プローブ部10をY軸方向に、セットアップ治具
(図において単に「治具」という)20をX軸方向にお
いて移動する(S3)。 【0070】そこで、Z軸駆動部68を駆動させてプロ
ーブ部10を下降させ、充放電ピン51を導体パターン
24に接触させたうえで(S4)、セットアップ治具2
0をX軸方向において移動させて、導体パターン24の
X軸方向におけるそれぞれの境界Xa,Xbの各X座標
11,X12を求める(S5)。 【0071】各X座標X11,X12が求められたならば、
充放電ピン51が導体パターン24における十字マーク
の交点IPと一致する位置のX座標XCPを、次式により
求める(S6)。 XCP=(X11+X12)/2 【0072】ついで、充放電ピン51が導体パターン2
4のほぼ中央(図4上で矢印CまたはDの始点付近)に
位置するように、入力装置からの入力信号に基づいて、
プローブ部10をY軸方向に、セットアップ治具20を
X軸方向において移動する(S7、図6)。 【0073】そこで、Z軸駆動部68を駆動させてプロ
ーブ部10を下降させ、充放電ピン51を導体パターン
24に接触させたうえで(S8)、プローブ10をY軸
方向において移動させ、導体パターン24のY軸方向に
おけるそれぞれの境界Ya,Ybの各Y座標Y11,Y12
を求める(S9)。 【0074】各Y座標Y11,Y12が求められたならば、
充放電ピン51が導体パターン24における十字マーク
の交点IPと一致する位置のY座標YCPを、次式により
求める(S10)。 YCP=(Y11+Y12)/2 【0075】充放電ピン51が導体パターン24におけ
る十字マークの交点IPと一致する位置のX座標XCP
Y座標YCPが得られたならば、電荷量計11の測定ピン
12が導体パターン24のほぼ中央(図4上で矢印Aま
たはBの始点付近)に位置するように、入力装置からの
入力信号に基づいて、プローブ部10をY軸方向に、セ
ットアップ治具20をX軸方向において移動する(S1
1)。 【0076】そこで、Z軸駆動部68の駆動によりプロ
ーブ部10を下降させて、測定ピン12を導体パターン
24に接触させたうえで(S12)、セットアップ治具
20をX軸方向において移動させ、導体パターン24に
おけるX軸方向におけるそれぞれの境界Xa,Xbの各
X座標X21,X22を求める(S13、図7)。 【0077】各X座標X21,X22が求められたならば、
測定ピン12が導体パターン24における十字マークの
交点IPと一致する位置のX座標XMPを、次式により求
める(S14)。 XMP=(X21+X22)/2 【0078】ついで、測定ピン12が導体パターン24
のほぼ中央(図4上で矢印CまたはDの始点付近)に位
置するように、入力装置からの入力信号に基づいてプロ
ーブ部10をY軸方向に、セットアップ治具20をX軸
方向において移動する(S15)。 【0079】そこで、プローブ部10を下降させて、測
定ピン12を導体パターン24に接触させたうえで(S
16)、プローブ10をY軸方向において移動させ、導
体パターン24のY軸方向におけるそれぞれの境界Y
a,Ybの各Y座標Y21,Y22を求める(S17)。 【0080】各Y座標Y2122が求められたならば、
測定ピン12が導体パターン24における十字マークの
交点IPと一致する位置のY座標YMPを、次式により求
める(S18)。 YMP=(Y21+Y22)/2 【0081】以上より、被測定デバイスの端子と、充放
電ピン51あるいは電荷量計11の測定ピン12との位
置合わせに必要な位置情報である各座標値(XOA
OA),(XCP,YCP),(XMP,YMP)が得られたの
で、プローブ部10を上昇させて(S19)、作業を終
了する。 【0082】図8および図9は、導体パターン24の十
字マークの交点IPに、充放電ピン51を一致させるた
めの、導体パターン24のX軸方向における各境界X
a,XbのそれぞれのX座標X11,X12を求めるステッ
プS5(図5)の作業の流れの詳細を示すものである。
以下では、説明を簡単にするため、図4上で右側の境界
XaのX座標X11を求める作業についてのみ説明する。 【0083】図8において、まず、プローブ部10にお
ける充放電ピン51に接続されたスイッチSW1を開放
にする(S21)。この状態で、プローブ部10を下降
させて、セットアップ治具20のプリント基板(図にお
いて単に「基板」という)23の表面に、充放電ピン5
1の先端を接触させる(S22)。 【0084】そこで、高電圧電源Eの出力電圧を例えば
200Vに設定し(S23)、これに接続されたスイッ
チSW3を閉じる(S24)。その後、プローブ部10
におけるスイッチSW1を閉じる(S25)。ここで、
充放電ピン51がプリント基板23の導体パターン24
に接触した場合は、導体パターン24と、その下方の金
属板22(図3)との間に形成される容量CJIG に20
0Vで充電される。導体パターン24のない部分に接触
した場合は、容量CJIG には充電されない。 【0085】その後、プローブ部10を上昇させて充放
電ピン51をプリント基板23の表面より離す(S2
6)。ついで、プローブ部10において電荷量計11の
みを、そのセット位置を下げることにより下降させる
(S27)。その後、プローブ部10全体を下降させ
て、電荷量計11の測定ピン12の先端をプリント基板
23の表面に接触させる(S28、図9)。 【0086】そこで、電荷量計11により測定される電
荷量Qが200CJIG か否かが問われる(S29)。電
荷量計11の測定ピン12が導体パターン24に接触す
る前に、ステップS3またはステップS5,ステップS
33で決められたX座標において充放電ピン51が導体
パターン24に接触していれば、容量CJIG は充電され
ているので、電荷量計11の測定ピン12が導体パター
ン24に接触したときに電荷量計11が測定する電荷量
は、極めて少ない。 【0087】これに対して、ステップS3またはステッ
プS5,ステップS33で決められたX座標において充
放電ピン51が導体パターン24に接触していなけれ
ば、容量CJIG は充電されていないので、電荷量計11
は、高電圧電源Eからの印加電圧200Vに充電するま
での電荷量Q(=200CJIG )を測定する。すなわ
ち、電荷量計11の測定結果により、導体パターン24
への充放電ピン51の接触の有無を判定することがで
き、したがって、導体パターン24の境界を検出するこ
とができる。 【0088】ステップS29において、電荷量計11に
より測定された電荷量Qが200C JIG でない場合は
(S29NO)、ステップS3またはステップS5,ス
テップS33で決められたX座標において充放電ピン5
1は導体パターン24に接触しており、導体パターン2
4の右側の境界Xaは検出されていないので、プローブ
部10を上昇させて電荷量計11の測定ピン12を導体
パターン24より離し(S30)、セットアップ治具2
0および電荷量計11を初期化する(S31)。すなわ
ち、導体パターン24と、その下方の金属板22との間
に形成される容量CJIG は充電されたままであるので、
充放電ピン51を導体パターン24に接触させたうえ
で、高電圧電源Eの出力電圧を0Vとし、各スイッチS
W1,SW3,SW4を閉じる除電操作を行う。あわせ
て、電荷量計11内部に蓄積された電荷を放電して、電
荷量計11をリセットしておく。 【0089】セットアップ治具20および電荷量計11
が初期化されたならば、各スイッチSW3,SW4を開
放にしたうえで(S32)、セットアップ治具20をX
軸のマイナス方向(図4上で左方向)に1ステップ移動
させることにより測定点を移動し(S33)、ステップ
S21(図8)からの作業を繰り返す。 【0090】ステップS29において、電荷量計11に
より測定された電荷量Qが200C JIG である場合は
(S29YES)、充放電ピン51は導体パターン24
には接触しておらず、導体パターン24の右側の境界X
aが検出されたので、そのX座標X11を読み取って記憶
する(S34)。そして、プローブ部10を上昇させた
うえで(S35)、セットアップ治具20および電荷量
計11を初期化して(S36)、作業を終了する。 【0091】以上が、導体パターン24における右側の
境界XaのX座標X11を求めるための手順であるが、左
側の境界XbのX座標X12は、上述したところと同様に
して求められるので、その説明は省略する。ただし、測
定のスタート位置は、図4の矢印Bの始点付近であり、
セットアップ治具20の移動方向は、X軸のプラス方向
(図4上で右方向)である。 【0092】また、導体パターン24のY軸方向におけ
るそれぞれの境界Ya,Ybの各Y座標Y11,Y12を求
めるステップS9(図6)の作業の流れの詳細も、図8
および図9により説明したところと同様であるので、そ
の説明は省略する。ただ、この場合は、測定のスタート
位置が、図4の矢印C,Dの始点付近である点と、電荷
量計11および充放電ピン51が配置されたプローブ部
10を、Y軸方向に移動させることにより、各境界Y
a,Ybを検出する点が異なる。 【0093】図10は、導体パターン24の十字マーク
の交点IPに、電荷量計11の測定ピン12を一致させ
るための、導体パターン24のX軸方向における各境界
Xa,XbのそれぞれのX座標X21,X22を求めるステ
ップS13(図6)の作業の流れの詳細を示すものであ
る。ここでは、説明を簡単にするため、図4上で右側の
境界XaのX座標X21を求める作業についてのみ説明す
る。 【0094】図10において、充放電ピン51および電
荷量計11の測定ピン12を、セットアップ治具20の
表面に接触させない状態で、各スイッチSW1およびS
W4を開放したまま、スイッチSW3を閉じ(S4
1)、高電圧電源Eの出力電圧を例えば200Vに設定
する(S42)。ついで、電荷量計11の測定ピン12
を、プリント基板(図において単に「基板」という)2
3の表面に接触させる(S43)。 【0095】そこで、電荷量計11により測定される電
荷量Qが200CJIG か否かが問われる(S44)。測
定された電荷量Qが200CJIG である場合は(S44
YES)、電荷量計11の測定ピン12は導体パターン
24に接触しており、導体パターン24の右側の境界X
aは検出されていないので、プローブ部10を上昇させ
て電荷量計11の測定ピン12を導体パターン24より
離す(S45)。そして、セットアップ治具20および
電荷量計11を初期化し(S46)、ついで各スイッチ
SW1,SW3,SW4を開放したうえで(S47)、
セットアップ治具20をX軸のマイナス方向(図4上で
左方向)に1ステップ移動させることにより測定点を移
動し(S48)、ステップS41からの作業を繰り返
す。 【0096】ステップS44において、電荷量計11に
より測定される電荷量Qが200C JIG でない場合は
(S44NO)、電荷量計11の測定ピン12は、導体
パターン24には接触しておらず、導体パターン24の
右側の境界Xaが検出されたので、そのX座標X21を読
み取って記憶する(S49)。そして、プローブ部10
を上昇させたうえで(S50)、セットアップ治具20
および電荷量計11を初期化して(S51)、作業を終
了する。 【0097】以上が、導体パターン24における右側の
境界XaのX座標X21を求めるための手順であるが、左
側の境界XbのX座標X22は、上述したところと同様に
して求められるので、その説明は省略する。ただし、セ
ットアップ治具20の移動方向は、X軸のプラス方向
(図4上で右方向)である。 【0098】また、導体パターン24のY軸方向におけ
るそれぞれの境界Ya,Ybの各Y座標Y21,Y22を求
めるステップS17(図7)の作業の流れの詳細も、図
10により説明したところと同様であるので、その説明
は省略する。ただ、この場合は、電荷量計11が配置さ
れたプローブ部10を、Y軸方向に移動させることによ
り、各境界Ya,Ybを検出する点が異なる。 【0099】以上のようにして、 撮像素子52の光軸の中心点OAが導体パターン24
中央部の十字マークの交点IPと一致する位置の座標値
(XOA,YOA) 充放電ピン51が該十字マークの交点IPと一致する
位置の座標値(XCP,Y CP) 電荷量計11の測定ピン12が該十字マークの交点I
Pと一致する位置の座標値(XMP,YMP) をそれぞれ求めることができる。 【0100】これらの実測値である座標値(XOA
OA),(XCP,YCP),(XMP,YMP)が求められれ
ば、撮像素子52の光軸の中心点OA、充放電ピン51
および電荷量計11の測定ピン12の三者の相互位置関
係は、X軸およびY軸の駆動系における位置決め機構の
分解能(例えば10μm)と同じ分解能で計算することが
できる。 【0101】すなわち、撮像素子52の光軸の中心点O
Aと、電荷量計11の測定ピン12との位置関係Aは、
各座標値(XOA,YOA),(XMP,YMP)から直ちに計
算することができる。また、充放電ピン51と電荷量計
11の測定ピン12との位置関係Bも、各座標値
(XCP,YCP),(XMP,YMP)から直ちに計算するこ
とができる。撮像素子52の光軸の中心点OAと充放電
ピン51との位置関係Cは、各位置関係A,Bから計算
により求めることができる。 【0102】その結果、試験を行う際に、撮像素子52
により被測定デバイスの端子の位置を目視観測して、そ
の位置の座標値をコンピュータ65に知らせれば、この
座標値を基にしてコンピュータ65が計算をし、X軸駆
動部66およびY軸駆動部67の動作を制御することに
より、充放電ピン51あるいは電荷量計11の測定ピン
12を、被測定デバイスの端子に正確に位置合わせをし
て接触させることができる。 【0103】この位置合わせのための位置情報である各
座標値(XOA,YOA),(XCP,Y CP),(XMP
MP)は、一度コンピュータに記憶させておけば、撮像
素子52、充放電ピン51および電荷量計11の位置関
係を変更する修理や改造、充放電ピン51あるいは電荷
量計11の測定ピン12の交換を行わない限り、位置合
わせ用の位置情報として有効に用いることができる。 【0104】なお、以上においては、導体パターン24
が正方形の形状である場合を例に挙げて説明した。しか
し、本発明は、これに限定されるものではない。例え
ば、長方形、菱形さらには円など、左右および上下とも
に対称である形状であれば、本発明は適用され得るもの
である。 【0105】また、導体パターン24の各境界Xa,X
b,Ya,Ybを検出する場合の駆動系の移動ステップ
が、一定値(10μm)に固定されている場合について
説明したが、本発明は、これに限られない。作業の効率
性を重視するのであれば、例えば、移動ステップを大き
な値から徐々に小さな値になるように設定して、X軸お
よびY軸方向の移動距離を少しずつ短くする逐次比較方
式を用いるようにしてもよい。 【0106】 【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
によるならば、電荷量計を付加した電子デバイスの静電
破壊試験装置において、従来例におけるように、被測定
デバイスの端子と試験用ピンとの位置合わせのために、
電子デバイスの静電破壊試験装置にとって本来不可欠の
構成要素ではない容量変化検出回路を付設する必要がな
い。すなわち、試験装置としての構成を複雑とすること
なく、したがってコスト増を招くことなく、被測定デバ
イスの端子と試験用ピンとの位置合わせを正確に行うこ
とができる。 【0107】また、セットアップ治具が移動するX軸と
プローブ部が移動するY軸との直交度および撮像素子の
光軸とZ軸との平行度を比較的粗く製作したとしても、
被測定デバイスと試験用ピンとの位置合わせを正確に行
うことが可能である。X軸とY軸との直交度は、セット
アップ治具の導体パターンにおける直交する2辺に沿っ
て、X軸方向のみまたY軸方向のみに撮像素子を平行移
動させることにより、直交度のずれの有無を確認するこ
とができる。 【0108】また、撮像素子とZ軸との平行度は、セッ
トアップ治具の導体パターン中央の十字マークの交点
に、撮像素子の光軸の中心点(モニター画面に表示の十
字マークの交点)を合わせた後、プローブ部を上下に移
動させ、モニター画面上で導体パターン中央の十字マー
クの交点が移動しないかどうかで確認することができ
る。すなわち、このような簡単な確認方法により、装置
の駆動系のX軸方向とY軸方向との直交度および撮像素
子の光軸の中心点とZ軸との平行度をテストすれば、半
導体集積回路の微細な端子にも試験用ピンを正確に接触
させることができる。したがって、本発明が電子デバイ
スの静電破壊試験においてもたらす効果は、極めて大き
い。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [0001] [0001] The present invention relates to an electronic device.
Regarding the method of aligning the test pins of the
You. More specifically, static integrated circuits
For electrostatic breakdown test to measure breakdown strength against electric discharge
And the terminals of the device under test
Accurate alignment with test pins
Of test pins for electrostatic breakdown test equipment for electronic devices
It does not provide a matching method. [0002] 2. Description of the Related Art In the development process of a semiconductor integrated circuit,
Various reliability tests are performed. In that, electrostatic discharge
There is an electrostatic breakdown test that measures the breakdown strength of a substrate. Sand
In other words, during the manufacturing process of semiconductor
In some cases, electrostatic discharge destroys semiconductor integrated circuits
Or deterioration (hereinafter simply referred to as “destruction”).
You. Therefore, when designing a semiconductor integrated circuit,
It is necessary to ensure sufficient resistance to electric discharge. So
Here, we simulate electrostatic discharge in semiconductor integrated circuits.
To measure the breakdown strength against electrostatic discharge,
This is an electrostatic breakdown test. Here, the manufacturing process of a semiconductor integrated circuit and electronic
Electrostatic destruction actually occurs when mounting on equipment
There are roughly the following two modes (modes). One is that a semiconductor integrated circuit itself is not charged with static electricity.
Other objects that are not charged but are charged with static electricity
This is a mode that occurs when the signal is present near an integrated circuit.
In other words, the external charged object is connected to the terminal of the semiconductor integrated circuit.
Discharge occurs upon contact, which breaks the semiconductor integrated circuit.
This is a breaking mode. In this mode, externally charged objects
A typical example is a human body or machine.
Each "Human Body Model" (HBM),
It is called “Machine Model” (MM).
You. The other is that the semiconductor integrated circuit itself is subject to friction and
This mode occurs when charging is caused by induction, etc.
You. In other words, a semiconductor integrated circuit in which charges are stored
Discharge occurs when an external conductor contacts the terminals.
This is a mode in which the semiconductor integrated circuit is destroyed. This mode
Device is charged because the device itself is charged.
"Charged Device Model" (CDM)
Have been broken. [0006] The former human body model and mechanical model are
Is known and simulates this
The law is already established. In contrast, the latter device
The existence of the chair electrification model has been pointed out in recent years,
As considered separately from human body models and machine models
It has become. Therefore, recently, this device charging model has been
Various electrostatic breakdown test equipment proposed for simulation
Have been. Here, in this type of test equipment, the device
Device to be measured to simulate the charging model
And then discharge rapidly. In that case, the measured
The following two methods are available for charging the device.
You. 1) Apply a high voltage through the terminal of the device under test,
Direct charging method for charging the device under test directly
The D-CDM (Direct-Charging Charged)
Device Model) test) 2) an electrode connected to a high voltage power supply and an electrode facing the electrode,
To the equal electric field formed by the grounded ground plate
By placing the device under test on the electrode
Induction charging method for charging (Test by this method is FC
DM (Field-Induced Charged Device Model) test
U) Conventionally, in other countries, the above-mentioned 2) F-CDM
While tests are mainstream, in Japan, 1) D-
CDM testing was the mainstream. However, electronic devices
Submission of test data based on the F-CDM test
Due to the fact that it is required by the Japanese government,
However, the need for F-CDM test equipment has increased
coming. [0009] Therefore, such F-CDM test
Configuration of Conventional Electrostatic Breakdown Test Equipment for Electronic Devices
This will be described with reference to FIG. In FIG. 11, reference numeral 71 denotes a device to be measured.
Metal plate with a rectangular plate shape for charging by induction
The device under test is mounted on this
Is placed. In FIG. 11, a parallel plate is placed on the charging electrode 71.
A capacitor 80 is shown. This parallel plate conde
The sensor 80 is connected to the device under test prior to conducting the test.
Terminal to be tested in the probe section 5
Used for alignment with 0 charge / discharge pin 51
It is. During the test, a parallel plate capacitor was placed on the charging electrode 71.
The device 80 is not placed and the device under test is
It is. The charging electrode 71 generates a high DC voltage.
Generated high voltage from high voltage power supply E with variable output voltage
Is the switch SW3 and the high-resistance element 72 (for example,
For example, 100 MΩ). High resistance
The body 72 is used because a charging electrode to which a high voltage is applied is used.
Charging of the device under test mounted on 71 is too fast
Time so that the device under test is not destroyed during charging.
This is for charging over time. On the other hand, above the charging electrode 71, a charging electrode
71 to form an equal electric field between
Charges and discharges by contacting the land plate 53 and the terminals of the device under test
Charging / discharging pins 51 for charging
A probe unit 50 having an image element 52 as a main component is
Are located. The upper ground plate 5 in the probe unit 50
No. 3 is generally formed in a disk shape, and is maintained at the ground potential.
Grounded to carry. In addition, the charge / discharge pin 51
During testing, through the terminals of the charged device under test
A low resistance value (typically 1) for detecting the discharge current to be discharged
Ω) is connected to the switch SW1 which is closed at the time of discharging.
Connected through. A switch S is connected to the charge / discharge pin 51.
The capacitance change detection circuit 61 is connected via W2.
The output of the capacitance change detection circuit 61 is
After being amplified to an appropriate amplitude, A / D (analog
Digital) by the digital
To the computer 65. The capacitance change detection time here
The path 61 is connected between the terminal of the device under test and the charge / discharge pin 51.
It is used for alignment. This will be discussed later
I do. The image pickup device 52 is also used as a device to be measured.
It is used for positioning the terminal and the charging / discharging pin 51.
Recognizes the position of the terminal of the device under test and
The information is transferred to the computer 6 via the interface circuit 64.
5 The probe unit 50 having such a configuration is arranged on the X-axis.
The operation of the driving unit 66, the Y-axis driving unit 67, and the Z-axis driving unit 68
X-axis direction (left-right direction in the drawing), Y-axis direction
(Perpendicular to the paper) and Z-axis (up and down on the drawing)
Direction). Next, the apparatus constructed as described above is used.
To perform electrostatic discharge test of device under test
explain. When conducting the test, first,
The device to be measured is placed on the charged electrode 71
You. At this time, the probe arranged above the charging electrode 71
Step 50 should be sufficiently separated from the terminals of the device under test.
Good. A device to be measured is placed on the charging electrode 71.
Switch SW3 is closed, and the
From the high-voltage power supply E via the high-resistance body 72
High voltage (for example, +1000 V) is applied to the charging electrode 71
I do. When a high voltage is applied to the charging electrode 71 for a predetermined time
(Typically a few milliseconds to tens of milliseconds)
The electrode 71 is charged to a potential of + 1000V. With this
The potential of each terminal of the device under test is also approximately +1000 V
It becomes. Therefore, the control signal from the computer 65
The drive of the Z-axis drive unit 68 given the
The tip of the charge / discharge pin 51 in the device 50
Contact one of the terminals at
Then, the probe unit 50 is lowered. At this time,
The switches SW1 and SW2 are left open. The tip of the charge / discharge pin 51 is connected to the device to be measured.
When the switch SW1 is closed after contacting the terminal
The potential of the touched terminal suddenly becomes 0V. At that moment, measured
The potential of the fixed device chip becomes 0 V,
Between the package and the chip on the side of the charged electrode 71
Is charged to + 1000V. Due to the stress at this time
The device under test may be destroyed. The test by such a procedure is performed by using a high-voltage power supply.
This is performed by sequentially changing the output voltage from E. And that
Each time a device under test is tested for characteristics,
Know the voltage at which the measuring device breaks down, and know the breakdown strength.
It becomes. In this type of apparatus, the discharge voltage at the time of discharge is
Regular observation of flow waveforms is required (for example,
The Electronic Machinery Manufacturers Association Provisional Standard EIAJ EDX-470
2). Therefore, at the time of discharging, through the switch SW1
The discharge current is detected by the resistor R connected to the charge / discharge pin 51.
And observe the discharge current waveform. Also, if one stress application is completed
For example, before the next stress application, the charging electrode 71 and
And the device under test so that no charge remains.
Must be kept. Therefore, one-time stress application
Is completed, the grounded switch SW4 is closed and the charge is removed.
Perform the operation. The above is an explanation of electronic devices such as semiconductor integrated circuits.
Electrostatic discharge test conducted by induction charging method
However, what is important in conducting this test is
Terminal of the fixed device and the charge / discharge pin 51 of the probe unit 50
It is alignment with. Especially today, semiconductor integration
As the circuit density and miniaturization have increased, the number of terminals has increased and
Are also narrower. The end other than the test terminal
The charging / discharging pin 51 may come into contact with the
You. The device to be measured is mounted on an IC socket.
When the test is performed on the
Strictly simulate the actual electrostatic discharge phenomenon that occurs in
Can no longer be installed. Therefore, the device under test
It is forbidden to carry out the test with the IC socket mounted on the IC socket.
The test must be performed using the charging / discharging pins 51.
No. Therefore, the terminals of the device under test
It is necessary to accurately perform the alignment with the pin 51. In view of the above, the conventional example shown in FIG.
Positioning of the measurement device terminals and the charge / discharge pins 51
The method is described below. FIG. 12A shows an example of the alignment.
FIG. 3 is a plan view of a parallel plate capacitor 80 used. In the figure,
The shaded area in the square that occupies a large area in the center is
This is the gold plating pattern 81a subjected to the plating. This gold
In the center of the pattern 81a, there is a circular non-plated part
There is a cross mark on this circle. Also,
Gold plating pattern of the same size as the gold plating pattern 81a
12b, as shown in FIG.
It is also provided on the back surface of the capacitor 80. However, the back
Gold plating pattern 81b is gold plated on the entire surface.
There is no circular non-plated portion in the center. The parallel plate capacitor 80 having such a configuration
Is used for positioning as shown in FIG.
Then, it is fixed on the charging electrode 71. In that case, crosshair
Fix so that the surface on which the mark is drawn is the top surface. Therefore, a key board (not shown)
Probe unit 5 based on an input signal from an input device such as
0 on the screen of the monitor (not shown)
Look for the cross mark at the center of the surface of row plate capacitor 80
You. Here, the probe unit 50 is a computer.
X-axis driving unit 66 receiving the control signal from 65, Y-axis driving
Driving in the X-axis direction by the driving of the section 67 and the Z-axis driving section 68
(Left and right directions in FIGS. 11 and 12 (a)), Y-axis direction
(Vertical direction to the paper surface in FIG. 11, upper and lower directions in FIG.
Direction) and Z-axis direction (vertical direction on FIG. 11, FIG. 12)
(A) in the direction perpendicular to the paper surface). Movement
The resolution is 10 μm / 1 step in this conventional example. The probe unit 50 is moved to
2 of the parallel plate capacitor 80 imaged by
If you see the mark in the field of view, the cross mark and the moni
The cross mark displayed on the monitor screen (the intersection is
(The center point of the optical axis of the element 52)
You. I found a position where these two cross marks match
If so, the image sensor 52 via the interface circuit 64
And the computer 65 connected to the
(Xom, Yom) Is read, and this is
Is registered in the computer 65 as the coordinate value of the center point of
deep. Next, a switch in the probe unit 50
With SW1 open, switch SW2 is closed and the capacitance
The change detection circuit 61 is made operable. Capacity change detection
When the output circuit 61 becomes operable, the probe unit 50
And lower the tip of the charge / discharge pin 51 to a parallel flat plate
The surface of the sensor 80. Therefore, in FIG.
The Y coordinate (vertical direction in the drawing) of the
Fixed to the center of the densa 80 (it does not have to be exactly the center)
The charge / discharge pin 51 in the X-axis direction (left
Right). The charge / discharge pin 51 has a vertical movement mechanism.
Moves up and down every step. That is, one step
Contact the surface of the parallel plate capacitor 80
It has become. The charge / discharge pins 51 are attached to the gold plating pattern 81a.
Contact with non-plated parts,
The change in capacitance before and after is large.
The detection is performed by the detection circuit 61. As a result, the gold plating
Each X coordinate of the boundary between the turn 81a and the left and right non-plated parts
X1, XTwoSearch for The output of the capacitance change detection circuit 61 is amplified
A / D (analog digital
Digital) by the converter 63, and
To the computer 65. Similarly, the X coordinate of the charge / discharge pin 51 is
Fixed at almost the center of the parallel plate capacitor 80,
Move the charge / discharge pin 51 in the Y-axis direction to
Each Y coordinate Y at the boundary between the turn 81 and the upper and lower non-plated portions
1, YTwoSearch for The gold plating pattern 81a has a
Since it is formed symmetrically at the bottom, a parallel plate capacitor
The coordinate value of the center point of 80 (Xc, Yc) Is calculated by the following formula.
Can be Xc= (X1+ XTwo) / 2 Yc= (Y1+ YTwo) / 2 The coordinate values (Xc, Yc) Is parallel
The center of the plate capacitor 80, the axis of the charge / discharge pin 51
Are the coordinate values of the axis center when. But
Thus, the coordinate value (Xom, Y
om) And the coordinate value of the axis of the charge / discharge pin 51 (Xo,
Yo) Is obtained by the following equation. Xo= Xom-Xc Yo= Yom-Yc The difference between the coordinate values (Xo, Yo) Computer
If the measurement is registered in the
After focusing on the device terminals, the difference in coordinate values
(Xo, Yo) Only needs to be moved.
This allows visual confirmation, for example, using optical means.
The terminal of the device under test and the charge / discharge pin 5
1 can be aligned. When this alignment is completed,
As described above, a high voltage is applied to the charging electrode 71 (FIG. 11).
After charging the device under test, the Z-axis drive unit 68 is driven.
To lower the probe unit 50, and then switch SW
1 is closed and the charge / discharge pin 51 is connected to the terminal of the device under test.
And discharge. [0041] SUMMARY OF THE INVENTION Conventionally, in electronic devices,
The breakdown strength against electrostatic discharge depends on the discharge or charging voltage.
It has been considered more determined. But then
As a result of the progress of the research of
Discharge energy or discharge rather than discharge or charging voltage
It is becoming clear that it depends on the amount of charge.
Japanese Unexamined Patent Publication No. 9-218241 and Japanese Patent No. 2836676.
Gazette). As a result, recently, the
In order to measure the breakdown strength accurately, an electrostatic breakdown tester
Is a component that measures the amount of charge of an electrostatic discharge
It becomes necessary to use a coulomb meter
I have. Therefore, in order to address such a need,
Next, the conventional electrostatic breakdown test apparatus shown in FIG.
After attaching the terminals of the device under test and the charging / discharging pins
The alignment with the position 51 is performed by using the capacitance change detection circuit 61.
Doing so complicates the configuration of the device. Especially
In addition, the capacitance change detection circuit 61 is a
Is not an indispensable component of the measurement itself
In addition, there is a problem that the configuration of the apparatus becomes complicated. As described above, the capacitance change detection shown in FIG.
Using the circuit 61, the terminals of the device under test and the charging / discharging pins
The method for performing alignment with 51 was equipped with a charge meter.
If applied to recent electrostatic breakdown test equipment,
Solution that complicates the process and increases costs.
There were issues to be addressed. [0045] Means for Solving the Problems Therefore, the above problems are solved.
The present invention has been made in order to achieve the above object. For that purpose,
In Ming, for example, it was formed as a square as one of the parallel plates
After forming a capacitor to store charges using a conductor,
The position of the reference point provided on the conductor is determined by, for example, an image sensor.
recognize. Detected by changes in charge measured by the charge meter
Boundaries in the X-axis direction and the Y-axis direction of the conductor to be measured
From the respective coordinate values of the first and second test pins
Finds each position that matches the reference point. Imaging element
And the position of the reference point recognized by the
And the second test pin respectively corresponds to the reference point.
From the position, the imaging device and the first and second test pins
Find the mutual positional relationship with. If these were asked
For example, during a test, the device under test
After recognizing the position of the terminal of the
To measure one of the positions of the first and second test pins
Match the position of the device terminals. Means like above
Was used in the present invention. [0046] FIG. 1 shows an embodiment of the present invention.
This will be described with reference to FIG. First, the present invention is applied
Fig. 1 shows the configuration of an electrostatic breakdown tester for electronic devices.
Will be described. In FIG. 1, the configuration shown in FIG.
Elements that are the same as elements are given the same reference numerals.
You. In FIG. 1, the structure of the conventional example shown in FIG.
The difference from the configuration is that the A / D converter 63
Measuring the amount of charge of the electrostatic discharge connected to the computer 65
While the charge meter 11 is disposed on the probe unit 10,
Capacitance change detection circuit 61 (FIG. 11) and connected thereto
Switch SW2 and amplifier 62 are not provided
It is. Here, in FIG. 1, it is fixed to the charging electrode 71.
The setup jig 20 is shown. This set-up
The jig 20 includes a terminal of the device under test and a charging / discharging pin.
51 or alignment with the measuring pin 12 of the charge meter 11
It is used for the purpose. This will be described later. The probe unit 10 is moved in the Y-axis direction (FIG. 1).
Above and the Z-axis direction (up and down in FIG. 1)
Direction), and the setup jig 20
It moves in the axial direction (the horizontal direction in FIG. 1).
ing. It's done work for alignment
At this time, the setup jig 2 fixed on the charging electrode 71
0 outside the cover area of the probe unit 10
It is easy to put out. The moving resolution is determined according to the present embodiment.
In the X-axis, Y-axis, and Z-axis directions,
Up. Other configurations are the same as those of the conventional example shown in FIG.
The configuration is the same. The charge meter 11 arranged in the probe section 10
Is a needle-shaped measurement pin for measuring the amount of discharge charge during the test.
The measuring pin 12 is connected to the upper ground plate 1.
3 under the upper ground plate 13 through a hole formed in
Sticking out. The configuration of the upper ground plate 13 is shown in FIG.
11 is substantially the same as the upper ground plate 53. This charge meter 11 is not shown.
The vertical movement mechanism allows the measuring pin 12 to be
Move up and down only to separate the tip of the measuring pin 12
Can be obtained. This is the measurement of the charge meter 11.
The position of each tip of the fixed pin 12 and the charge / discharge pin 51
By making them different, one of the pins can be
When making contact with the terminals of the chair,
This is to prevent accidental contact of the components. A test was conducted using the apparatus having the above configuration.
The method described in the prior art shown in FIG.
In addition to the method, there is a test method using the charge meter 11.
You. That is, the amount of charge
Contact the measuring pin 12 of the meter 11 to measure the amount of discharged electric charge
This is a method for conducting a test. In this case, one test
Each time the test is completed,
From the results, the breakdown strength of the device under test is
To decide. When conducting a test using such an apparatus,
At this time, the terminals of the device under test and the charge / discharge pins 51
Or the positioning of the charge meter 11 with the measuring pin 12 is heavy.
What is important is the same as in the case of the conventional example shown in FIG.
is there. Therefore, the terminal of the device under test according to the present invention,
Charge / discharge pin 51 or measurement pin 12 of charge meter 11
The method of positioning will be described. First, measurement of the charge / discharge pin 51 and the charge meter 11 is performed.
Position of the fixed pin 12 and the center point of the optical axis of the image sensor 52
An example of the relationship will be described with reference to FIG. Where the figure
1, the charging / discharging pin 51 and the measuring pin 12 of the charge meter 11
Are juxtaposed in the X-axis direction (the left-right direction in FIG. 1).
As shown. What is shown in this way is explanation
For the sake of convenience, the actual
The positional relationship is as shown in FIG. 2 in the Y-axis direction (in FIG. 1,
(Perpendicular to the plane of the paper). That is,
The charge / discharge pin 51 and the measurement pin 12 of the charge meter 11 are coordinated.
The X coordinate is the same in the system. In FIG. 2, the charge / discharge pin 51 and the image pickup device
Distance D from the center point OA of the optical axis 52OPIs 20mm
You. Between the charge / discharge pin 51 and the measurement pin 12 of the charge meter 11
Distance D betweenPPIs 10 mm. The positional relationship between the three
It is set as follows. Therefore, when manufacturing the device, the three
If the relationship can be realized exactly as set
For example, the center of the optical axis of the image sensor 52 is connected to the terminal of the device under test.
Point OA is matched, and the coordinate value of that position is
After registration at 65, the distance D from this center point OAOP,
DPPJust move the probe unit 10 and the device under test.
If possible, there are terminals of the device to be measured and charge / discharge pins 51.
Or alignment with the measuring pin 12 of the charge meter 11
Will be. However, due to the manufacturing of the device, an accurate positional relationship is required.
Realization is extremely difficult in practice.
You. It is difficult to obtain dimensional accuracy of 0.1 mm or less.
Further, the optical axis and the Z axis of the image sensor 52 (vertical on the paper in FIG.
It is also difficult to ensure a strict parallelism with the direct).
That is, for example, for a device
It is possible to obtain sufficient accuracy to support the terminal dimensions.
I can't. As a result, the imaging element is connected to the terminal of the device under test.
After the center point OA of the optical axis of the child 52 is matched,
Distance DOP, DPPOnly the probe unit 10 and the device under test
The terminal of the device under test and the charge / discharge pin
Position with the measuring pin 12 of the charge meter
Cannot be realized exactly. Accordingly, in the present invention, the end of the device under test is
And the charge / discharge pin 51 or the measuring pin of the charge meter 11
As a means for accurately performing the alignment with FIG.
The setup jig 20 shown in FIG. here,
FIG. 3 shows the configuration of the setup jig 20.
FIG. In FIG. 3, the setup jig 20 is a plate
Plate 21 made of an insulator, and its lower surface
And a metal plate 22 thicker than the insulating plate 21
It has a layered structure. The plane of this setup jig 20
The shape is one side length SJ Is a 110mm square
You. The insulating plate 21 has a rectangular shape in plan view.
In the center gap, the same thickness as the insulating plate 21 is provided.
The printed circuit board 23 is fixed so as to fit.
The planar shape of the printed circuit board 23 has a side length SP But
For example, a square of 39 mm. At the center of the upper surface of the printed circuit board 23, a parallel
Conductor patterns with gold plating, etc., as shown by diagonal lines
24 is provided, and this and the lower metal plate 22
It is necessary to form a capacitor for storing electric charge as a parallel plate.
You. The shape of the conductor pattern 24 is, for example, one side length SC
Is a 20 mm square. In addition, the conductor pattern 24
In the center there is a circular unplated part, where a cross
The mark is drawn. The intersection of this cross mark is
Terminal of the constant device and charge / discharge pin 51 or charge meter
11 serves as a reference point for alignment with the measuring pin 12.
Things. Next, the setup configured as described above will be described.
How to use the top jig 20 will be described with reference to FIG. In FIG. 4, the setup jig 20
IP of the cross mark at the center of the conductor pattern 24
Is the center point O of the optical axis of the image sensor 52 that coincides with this position.
A (FIG. 2) coordinate values (XOA, YOAFor reading)
You can. Also, a plated square conductor pattern
24 is connected to a charge / discharge pin 51 or a charge meter.
Arrows A and B indicate the contact positions of the 11 measuring pins 12.
In the X-axis direction of the conductor pattern 24 (FIG. 4).
Upper and lower boundaries Xa, Xb, that is, plated portions (conductors)
Section) and the non-plated section (insulating section)
Used for Similarly, the contact is made in the directions indicated by the arrows C and D.
By moving the position, the conductor pattern 24 is moved in the Y-axis direction (FIG. 4).
To determine each Y coordinate of the upper and lower boundaries Ya and Yb
Used. FIGS. 5 to 10 show the setup jig 20.
Device to be measured by the apparatus shown in FIG.
And charge / discharge pin 51 or measurement pin 1 of charge meter 11
Of computer 65 (FIG. 1) for alignment with
It is a flowchart which shows the flow of a control operation. In FIG. 5, the device has already started operation.
Input signal from an input device such as a keyboard.
The setup jig 20 in the X-axis direction
And move the probe unit 10 in the Y-axis direction.
And then adjust the focus by moving in the Z-axis direction.
Then, the conductor pattern (see FIG.
(Referred to simply as “pattern”).
The center point OA of the optical axis of the image sensor 52 (monitor image)
(The intersection of the cross marks on the surface) (S1). At the intersection IP of the cross mark, the image sensor 52
If the center point OA of the optical axis is aligned,
The standard value (XOA, YOA) Is read and stored (S2). Next, the charge / discharge pin 51 is
Nearly the center of 24 (near the starting point of arrow A or B on FIG. 4)
Based on the input signal from the input device
And set the probe unit 10 in the Y-axis direction
20 (referred to simply as “jig” in the figure) in the X-axis direction.
And move (S3). Therefore, the Z-axis driving unit 68 is driven to
The charging / discharging pin 51 with the conductive pattern.
24 (S4), and then the setup jig 2
0 in the X-axis direction to
Each X coordinate of each boundary Xa, Xb in the X axis direction
X11, X12(S5). Each X coordinate X11, X12If asked,
The charge / discharge pin 51 is a cross mark in the conductor pattern 24
X coordinate of the position that coincides with the intersection IP ofCPIs given by
Obtain (S6). XCP= (X11+ X12) / 2 Next, the charging / discharging pin 51 is
4 at the center (near the starting point of arrow C or D in FIG. 4)
Position, based on the input signal from the input device,
Set the probe jig in the Y-axis direction and the setup jig
It moves in the X-axis direction (S7, FIG. 6). Therefore, the Z-axis driving unit 68 is driven to
The charging / discharging pin 51 with the conductive pattern.
24 (S8), and move the probe 10 to the Y-axis.
In the Y direction of the conductor pattern 24
Y coordinate Y of each boundary Ya, Yb in the11, Y12
(S9). Each Y coordinate Y11, Y12If asked,
The charge / discharge pin 51 is a cross mark in the conductor pattern 24
Coordinate Y at the position that coincides with the intersection IP ofCPIs given by
Obtain (S10). YCP= (Y11+ Y12) / 2 When the charge / discharge pin 51 is
Coordinate X at the position that matches the intersection point IP of the cross markCPWhen
Y coordinate YCPIs obtained, the measuring pin of the charge meter 11
12 is substantially at the center of the conductor pattern 24 (arrow A in FIG. 4).
Or near the starting point of B) from the input device.
The probe unit 10 is moved in the Y-axis direction based on the input signal.
The setup jig 20 is moved in the X-axis direction (S1
1). Therefore, the driving of the Z-axis driving section 68
The probe 10 is lowered, and the measuring pin 12 is
24 (S12), and a setup jig
20 in the X-axis direction, and
Of each of the boundaries Xa and Xb in the X-axis direction
X coordinate Xtwenty one, Xtwenty two(S13, FIG. 7). Each X coordinate Xtwenty one, Xtwenty twoIf asked,
The measurement pin 12 is
X coordinate X at the position that matches the intersection IPMPIs calculated by the following equation.
(S14). XMP= (Xtwenty one+ Xtwenty two) / 2 Next, the measuring pin 12 is
At the center (near the starting point of arrow C or D in FIG. 4).
The input signal from the input device.
Move the setup part 20 in the X-axis
Move in the direction (S15). Therefore, the probe unit 10 is lowered to measure
After the fixed pin 12 is brought into contact with the conductor pattern 24 (S
16) Move the probe 10 in the Y-axis direction
Each boundary Y in the Y-axis direction of the body pattern 24
a, Yb each Y coordinate Ytwenty one, Ytwenty twoIs obtained (S17). Each Y coordinate Ytwenty one Ytwenty twoIf asked,
The measurement pin 12 is
Y coordinate Y at a position that coincides with intersection IPMPIs calculated by the following equation.
(S18). YMP= (Ytwenty one+ Ytwenty two) / 2 From the above, the terminal of the device to be measured,
Position with the measuring pin 12 of the charge pin 51 or the charge meter 11
Each coordinate value (XOA,
YOA), (XCP, YCP), (XMP, YMP) Was obtained
Then, the probe unit 10 is raised (S19), and the operation is completed.
Complete. FIG. 8 and FIG.
The charge / discharge pin 51 is made to coincide with the intersection IP of the character mark.
Each boundary X in the X-axis direction of the conductor pattern 24
X coordinate X of each of a and Xb11, X12Step for seeking
It shows the details of the work flow of step S5 (FIG. 5).
In the following, for the sake of simplicity, the right boundary in FIG.
X coordinate X of Xa11Only the operation for asking will be described. In FIG. 8, first, the probe unit 10
Switch SW1 connected to charging / discharging pin 51
(S21). In this state, lower the probe unit 10
Then, the printed circuit board of the setup jig 20 (see the figure)
Charge and discharge pins 5 on the surface of the
1 is brought into contact (S22). Therefore, the output voltage of the high-voltage power supply E is
200V (S23), and the switch connected to this
The switch SW3 is closed (S24). Then, the probe unit 10
Is closed (S25). here,
The charge / discharge pin 51 is connected to the conductor pattern 24
Contact with the conductor pattern 24 and the gold thereunder.
Capacitance C formed between metal plate 22 (FIG. 3)JIG To 20
It is charged at 0V. Touches the part without conductor pattern 24
If so, the capacity CJIG Is not charged. Thereafter, the probe unit 10 is raised to charge and discharge.
The electrical pins 51 are separated from the surface of the printed circuit board 23 (S2
6). Next, the charge meter 11 is
Only by lowering its set position
(S27). Then, lower the entire probe section 10
The tip of the measuring pin 12 of the charge meter 11 on the printed circuit board.
23 (S28, FIG. 9). Therefore, the electric charge measured by the electric charge meter 11 is
Load Q is 200CJIG It is asked whether or not (S29). Electric
The measuring pin 12 of the load meter 11 contacts the conductor pattern 24
Step S3 or Step S5, Step S
In the X coordinate determined by 33, the charge / discharge pin 51 is a conductor
If it is in contact with the pattern 24, the capacitance CJIG Is charged
The measuring pin 12 of the charge meter 11
Charge measured by the charge meter 11 when it comes into contact with the
Is extremely small. On the other hand, in step S3 or step
Step S5, charging at the X coordinate determined in step S33
The discharge pin 51 must be in contact with the conductor pattern 24
If the capacity CJIG Is not charged, the charge meter 11
Is charged until the voltage applied from the high voltage power supply E reaches 200 V.
Charge Q at the point (= 200CJIG ) Is measured. Sand
According to the measurement result of the charge meter 11, the conductor pattern 24
It is possible to determine whether the charge / discharge pin 51 has contacted the
Therefore, the boundary of the conductor pattern 24 can be detected.
Can be. At step S29, the charge meter 11
The measured charge amount Q is 200C JIG If not
(S29NO), step S3 or step S5,
At the X coordinate determined in step S33, the charge / discharge pin 5
1 is in contact with the conductor pattern 24 and the conductor pattern 2
4 is not detected, the probe X
Raise the part 10 and connect the measuring pin 12 of the charge meter 11 with a conductor.
Separated from pattern 24 (S30), setup jig 2
0 and the charge meter 11 are initialized (S31). Sand
That is, between the conductor pattern 24 and the metal plate 22 therebelow.
Formed in the capacitor CJIG Remains charged,
After the charging / discharging pin 51 is brought into contact with the conductor pattern 24,
Then, the output voltage of the high-voltage power supply E is set to 0 V, and each switch S
A static elimination operation for closing W1, SW3 and SW4 is performed. Together
To discharge the electric charge accumulated inside the charge meter 11,
The load meter 11 is reset. Setup Jig 20 and Charge Meter 11
Is initialized, open switches SW3 and SW4.
After releasing (S32), set the setup jig 20 to X
Move one step in the minus direction of the axis (to the left in FIG. 4)
To move the measurement point (S33),
The operation from S21 (FIG. 8) is repeated. At step S29, the charge meter 11
The measured charge amount Q is 200C JIG If
(S29YES), the charge / discharge pin 51 is
And the right side boundary X of the conductor pattern 24
a is detected, its X coordinate X11Read and memorize
(S34). Then, the probe unit 10 was raised.
Then (S35), the setup jig 20 and the charge amount
The total 11 is initialized (S36), and the operation ends. The above is the description on the right side of the conductor pattern 24.
X coordinate X of boundary Xa11Is the procedure for finding
X coordinate X of the side boundary Xb12Is the same as
Therefore, the description is omitted. However,
The fixed start position is near the starting point of arrow B in FIG.
The moving direction of the setup jig 20 is the plus direction of the X axis.
(Rightward in FIG. 4). In the Y-axis direction of the conductor pattern 24,
Y coordinate Y of each boundary Ya, Yb11, Y12Seeking
The details of the work flow of step S9 (FIG. 6)
9 and FIG.
Is omitted. However, in this case, start the measurement.
The point where the position is near the starting point of arrows C and D in FIG.
Probe section in which meter 11 and charge / discharge pin 51 are arranged
10 is moved in the Y-axis direction, so that each boundary Y
The difference is that a and Yb are detected. FIG. 10 shows a cross mark of the conductor pattern 24.
The measurement pin 12 of the charge meter 11 to the intersection IP of
Boundaries in the X-axis direction of the conductor pattern 24 for
X coordinate X of each of Xa and Xbtwenty one, Xtwenty twoSeeking for
It shows the details of the work flow of step S13 (FIG. 6).
You. Here, for simplicity, the right side of FIG.
X coordinate X of boundary Xatwenty oneExplain only tasks that require
You. In FIG. 10, the charge / discharge pin 51 and the
Connect the measuring pin 12 of the load meter 11 to the setup jig 20
While not touching the surface, each switch SW1 and S
With W4 open, switch SW3 is closed (S4
1), the output voltage of the high-voltage power supply E is set to, for example, 200 V
(S42). Next, the measuring pin 12 of the charge meter 11
To a printed circuit board (hereinafter simply referred to as a “board”) 2
3 (S43). Therefore, the electric charge measured by the charge meter 11 is
Load Q is 200CJIG It is asked whether or not (S44). Measurement
The fixed charge Q is 200CJIG If (S44)
YES), the measurement pin 12 of the charge meter 11 is a conductor pattern
24 and the right boundary X of the conductor pattern 24
Since a is not detected, the probe unit 10 is raised
The measuring pin 12 of the charge meter 11 from the conductor pattern 24
Release (S45). Then, the setup jig 20 and
The charge meter 11 is initialized (S46).
After opening SW1, SW3 and SW4 (S47),
Set the setup jig 20 in the minus direction of the X axis (in FIG.
Move the measurement point by moving one step to the left
(S48), and repeat the operation from step S41.
You. In step S44, the charge meter 11
The measured charge amount Q is 200C JIG If not
(S44NO), the measuring pin 12 of the charge meter 11
Is not in contact with the pattern 24,
Since the right boundary Xa has been detected, its X coordinate Xtwenty oneRead
It is taken and stored (S49). And the probe unit 10
Is raised (S50), and the setup jig 20
And the charge meter 11 is initialized (S51), and the operation is completed.
Complete. The above is the description on the right side of the conductor pattern 24.
X coordinate X of boundary Xatwenty oneIs the procedure for finding
X coordinate X of the side boundary Xbtwenty twoIs the same as
Therefore, the description is omitted. However,
The movement direction of the setup jig 20 is the plus direction of the X axis.
(Rightward in FIG. 4). In the Y-axis direction of the conductor pattern 24,
Y coordinate Y of each boundary Ya, Ybtwenty one, Ytwenty twoSeeking
The details of the work flow of step S17 (FIG. 7)
10 is the same as that described with reference to FIG.
Is omitted. However, in this case, the charge meter 11 is provided.
Moving the probe unit 10 in the Y-axis direction.
The difference is that the boundaries Ya and Yb are detected. As described above, The center point OA of the optical axis of the imaging element 52 is
Coordinate value of the position that matches the intersection point IP of the cross mark in the center
(XOA, YOA) The charge / discharge pin 51 coincides with the intersection point IP of the cross mark
Position coordinate value (XCP, Y CP) The measuring pin 12 of the charge meter 11 is located at the intersection I of the cross mark.
The coordinate value (XMP, YMP) Can be obtained respectively. The coordinate values (XOA,
YOA), (XCP, YCP), (XMP, YMP) Is required
For example, the center point OA of the optical axis of the image sensor 52, the charge / discharge pin 51
And the mutual position of the three measuring pins 12 of the charge meter 11
The shifter is a positioning mechanism for the X-axis and Y-axis drive systems.
It is possible to calculate with the same resolution as the resolution (for example, 10 μm)
it can. That is, the center O of the optical axis of the image sensor 52
A and the positional relationship A between the measuring pin 12 of the charge meter 11 are
Each coordinate value (XOA, YOA), (XMP, YMPImmediately)
Can be calculated. The charge / discharge pin 51 and the charge meter
The positional relationship B between the measurement pin 11 and the measurement pin 12 is also represented by each coordinate value.
(XCP, YCP), (XMP, YMP)
Can be. Center point OA of optical axis of image sensor 52 and charge / discharge
The positional relationship C with the pin 51 is calculated from the positional relationships A and B.
Can be obtained by As a result, when the test is performed,
And visually observe the positions of the terminals of the device under test.
If the coordinate value of the position is notified to the computer 65,
The computer 65 calculates based on the coordinate values,
In controlling the operation of the moving unit 66 and the Y-axis driving unit 67
From the charge / discharge pin 51 or the measurement pin of the charge meter 11
12 is precisely aligned with the terminal of the device under test.
Contact. Each of the position information for this positioning is
Coordinate value (XOA, YOA), (XCP, Y CP), (XMP,
YMP), Once stored in the computer,
The positional relationship between the element 52, the charge / discharge pin 51 and the charge meter 11
Repair or remodeling, charge / discharge pin 51 or charge
Unless the measuring pin 12 of the meter 11 is replaced,
This can be used effectively as position information for the adjustment. In the above description, the conductor pattern 24
Has been described as an example in which is a square shape. Only
However, the present invention is not limited to this. example
For example, rectangles, diamonds, circles, etc.
The present invention can be applied if the shape is symmetric
It is. The boundaries Xa and Xa of the conductor pattern 24
Step of moving drive system when detecting b, Ya, Yb
Is fixed to a constant value (10 μm)
Although described, the present invention is not limited to this. Work efficiency
If emphasis is placed on performance, for example, increase the
The value is set so that it gradually becomes smaller from the
And successive approximation method to gradually shorten the moving distance in the Y-axis direction
Expressions may be used. [0106] As is apparent from the above description, the present invention
According to, the static electricity of the electronic device with the charge meter
In the destructive test equipment, the measured
To align the device terminals with the test pins,
Essential for Electrostatic Breakdown Test Equipment of Electronic Devices
It is not necessary to add a capacitance change detection circuit that is not a component.
No. In other words, the configuration as a test device must be complicated.
Device under test and therefore no cost increase.
Ensure that the terminals of the chair and the test pins are correctly aligned.
Can be. Also, the X axis on which the setup jig moves and the
The degree of orthogonality to the Y axis where the probe moves and the
Even if the parallelism between the optical axis and the Z axis is made relatively coarse,
Accurately align the device under test with the test pins
It is possible to X-axis and Y-axis orthogonality are set
Along the two orthogonal sides of the conductor pattern of the up jig
To move the image sensor only in the X-axis direction and only in the Y-axis direction.
To check for any deviation in orthogonality.
Can be. The parallelism between the image sensor and the Z axis is set.
Intersection of the cross mark in the center of the conductor pattern of the toe jig
The center point of the optical axis of the image sensor (the
The probe section up and down.
On the monitor screen.
Can be checked by checking whether the intersection of
You. That is, by such a simple confirmation method, the device
Of the drive system in the X-axis direction and the Y-axis direction and the image sensor
If the parallelism between the center of the optical axis of the child and the Z axis is tested,
Accurate contact of test pins with fine terminals of conductor integrated circuits
Can be done. Therefore, the present invention is applicable to electronic devices.
The effect of the electrostatic discharge test on
No.

【図面の簡単な説明】 【図1】本発明の実施の形態を示す構成概念図である。 【図2】図1に示した撮像素子の光軸の中心点と充放電
ピンと電荷量計の測定ピンの位置関係の一例を説明する
ための説明図である。 【図3】図1に示したセットアップ治具の構成を示す、
一部を切り欠いた斜視図である。 【図4】図1に示したセットアップ治具の用い方を説明
するための説明図である。 【図5】図1に示した静電破壊装置における撮像素子の
光軸の中心点、充放電ピンおよび電荷量計の測定ピンの
位置情報を求めるための動作を示すフローチャートであ
る。 【図6】図5とともに、図1に示した静電破壊装置にお
ける撮像素子の光軸の中心点、充放電ピンおよび電荷量
計の測定ピンの位置情報を求めるための動作を示すフロ
ーチャートである。 【図7】図5および図6とともに、図1に示した静電破
壊装置における撮像素子の光軸の中心点、充放電ピンお
よび電荷量計の測定ピンの位置情報を求めるための動作
を示すフローチャートである。 【図8】図5中の1ステップの詳細を示すフローチャー
トである。 【図9】図8とともに図5中の1ステップの詳細を示す
フローチャートである。 【図10】図6中の1ステップの詳細を示すフローチャ
ートである。 【図11】従来例の構成を示す構成概念図である。 【図12】図11に示した充放電ピンと被測定デバイス
の端子との位置合わせに用いる平行平板コンデンサの構
成を示す構成図である。 【符号の説明】 10 プローブ部 11 電荷量計 12 測定ピン 13 上部グランド板 20 セットアップ治具 21 絶縁板 22 金属板 23 プリント基板 24 導体パターン 50 プローブ部 51 充放電ピン 52 撮像素子 53 上部グランド板 61 容量変化検出回路 62 増幅器 63 A/D変換器 64 インタフェース回路 65 コンピュータ 66 X軸駆動部 67 Y軸駆動部 68 Z軸駆動部 71 帯電電極 72 高抵抗体 80 平行平板コンデンサ 81a,81b,82,83 金めっきパターン E 高電圧電源 IP 交点 OA 中心点 R 抵抗 SW1〜SW4 スイッチ
BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS FIG. 1 is a configuration conceptual diagram showing an embodiment of the present invention. FIG. 2 is an explanatory diagram for explaining an example of a positional relationship between a center point of an optical axis of the imaging device shown in FIG. 1, a charge / discharge pin, and a measurement pin of a charge meter. FIG. 3 shows a configuration of the setup jig shown in FIG.
It is the perspective view which cut out some. FIG. 4 is an explanatory diagram for explaining how to use the setup jig shown in FIG. 1; 5 is a flowchart showing an operation for obtaining position information of a center point of an optical axis of an image sensor, a charge / discharge pin, and a measurement pin of a charge meter in the electrostatic breakdown device shown in FIG. 6 is a flowchart showing an operation for obtaining position information of a center point of an optical axis of an image sensor, a charge / discharge pin, and a measurement pin of a charge meter in the electrostatic discharge device shown in FIG. 1 together with FIG. 5; . 7 shows, together with FIGS. 5 and 6, an operation for obtaining position information of a center point of an optical axis of an image sensor, a charge / discharge pin, and a measurement pin of a charge meter in the electrostatic discharge device shown in FIG. It is a flowchart. 8 is a flowchart showing details of one step in FIG. FIG. 9 is a flowchart showing details of one step in FIG. 5 together with FIG. 8; FIG. 10 is a flowchart showing details of one step in FIG. 6; FIG. 11 is a conceptual diagram showing the configuration of a conventional example. 12 is a configuration diagram showing a configuration of a parallel plate capacitor used for positioning the charge / discharge pin shown in FIG. 11 and a terminal of a device under test. DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Probe unit 11 Charge meter 12 Measurement pin 13 Upper ground plate 20 Setup jig 21 Insulating plate 22 Metal plate 23 Printed circuit board 24 Conductor pattern 50 Probe unit 51 Charge / discharge pin 52 Image sensor 53 Upper ground plate 61 Capacitance change detection circuit 62 Amplifier 63 A / D converter 64 Interface circuit 65 Computer 66 X-axis drive unit 67 Y-axis drive unit 68 Z-axis drive unit 71 Charging electrode 72 High-resistance element 80 Parallel plate capacitors 81a, 81b, 82, 83 Gold plating pattern E High voltage power supply IP Intersection OA Center point R Resistance SW1 to SW4 Switch

Claims (1)

【特許請求の範囲】 【請求項1】 平行板の一方として左右および上下とも
に対称に形成された導体(24)を用いた、電荷が蓄積
する容量を形成するための容量形成手段における前記導
体に設けられた基準点の位置を位置認識手段により認識
し(52,65)、 電荷量測定手段(11)が測定する電荷量の変化により
検出される前記導体のX軸方向およびY軸方向における
各境界(Xa,Xb,Ya,Yb)のそれぞれの座標値
より、第1および第2の試験用ピン(12,51)が前
記基準点にそれぞれ一致する各位置を求め、 前記位置認識手段により認識される前記基準点の位置と
前記第1および第2の試験用ピンが前記基準点にそれぞ
れ一致する各位置より、前記位置認識手段と前記第1お
よび第2の試験用ピンとの相互位置関係を求め、 前記位置認識手段により被測定デバイスの端子の位置を
認識してから前記相互位置関係より前記第1および第2
の試験用ピンの一方の位置を前記被測定デバイスの端子
の位置に一致させる電子デバイスの静電破壊試験装置の
試験用ピンの位置合わせ方法。
Claims: 1. A conductor (24) formed symmetrically in both the left and right and upper and lower sides as one of parallel plates, wherein said conductor in a capacitance forming means for forming a capacitance for accumulating electric charges is provided. The position of the provided reference point is recognized by the position recognition means (52, 65), and each of the conductors in the X-axis direction and the Y-axis direction detected by a change in the charge amount measured by the charge amount measurement means (11). From the respective coordinate values of the boundaries (Xa, Xb, Ya, Yb), respective positions where the first and second test pins (12, 51) match the reference points are obtained, and are recognized by the position recognition means. The relative positional relationship between the position recognition means and the first and second test pins is determined based on the position of the reference point and the positions where the first and second test pins respectively match the reference point. Request After the position of the terminal of the device under test is recognized by the position recognition means, the first and second terminals are determined from the mutual positional relationship.
A position of the test pin of the electronic device electrostatic discharge test apparatus, wherein one position of the test pin is made to coincide with the position of the terminal of the device under test.
JP2001321286A 2001-10-19 2001-10-19 Method of aligning test pins of an electrostatic breakdown test apparatus for electronic devices Expired - Fee Related JP3879036B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001321286A JP3879036B2 (en) 2001-10-19 2001-10-19 Method of aligning test pins of an electrostatic breakdown test apparatus for electronic devices

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001321286A JP3879036B2 (en) 2001-10-19 2001-10-19 Method of aligning test pins of an electrostatic breakdown test apparatus for electronic devices

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2003121493A true JP2003121493A (en) 2003-04-23
JP3879036B2 JP3879036B2 (en) 2007-02-07

Family

ID=19138528

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2001321286A Expired - Fee Related JP3879036B2 (en) 2001-10-19 2001-10-19 Method of aligning test pins of an electrostatic breakdown test apparatus for electronic devices

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3879036B2 (en)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2012063902A1 (en) * 2010-11-10 2012-05-18 東京電子交易株式会社 Device for inspecting electric field variation resistance of electronic devices and method for detecting electric field variation resistance of electronic devices
JP2015222236A (en) * 2014-05-23 2015-12-10 パルステック工業株式会社 X-ray diffraction measurement method and incident angle adjustment jig
JP2020003410A (en) * 2018-06-29 2020-01-09 株式会社東芝 Method of measuring static electricity in production line
US20210356505A1 (en) * 2020-05-16 2021-11-18 Pragma Design, Inc. Field Collapse Pulser

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2012063902A1 (en) * 2010-11-10 2012-05-18 東京電子交易株式会社 Device for inspecting electric field variation resistance of electronic devices and method for detecting electric field variation resistance of electronic devices
JP5700261B2 (en) * 2010-11-10 2015-04-15 東京電子交易株式会社 Fluctuating electric field tolerance inspection device for electronic equipment, Fluctuating electric field tolerance inspection method for electronic equipment
JP2015222236A (en) * 2014-05-23 2015-12-10 パルステック工業株式会社 X-ray diffraction measurement method and incident angle adjustment jig
JP2020003410A (en) * 2018-06-29 2020-01-09 株式会社東芝 Method of measuring static electricity in production line
JP7123663B2 (en) 2018-06-29 2022-08-23 株式会社東芝 Static electricity measurement method in the production line
US20210356505A1 (en) * 2020-05-16 2021-11-18 Pragma Design, Inc. Field Collapse Pulser
US11609256B2 (en) * 2020-05-16 2023-03-21 Pragma Design, Inc. Field collapse pulser

Also Published As

Publication number Publication date
JP3879036B2 (en) 2007-02-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10746788B2 (en) Sensing structure of alignment of a probe for testing integrated circuits
US6118894A (en) Integrated circuit probe card inspection system
JP3080595B2 (en) Substrate inspection device and substrate inspection method
JP3165056B2 (en) Substrate inspection device and substrate inspection method
JPH06213955A (en) Test probe
JP3104906B2 (en) Substrate displacement detection apparatus and substrate displacement detection method
JP2003121493A (en) Alignment method of testing pin for electrostatic breakdown tester of electronic device
JPH09107011A (en) Semiconductor device and aligning method thereof
JP2007155663A (en) Esd-testing device
US6496013B1 (en) Device for testing circuit boards
JPH11153638A (en) Method and device for inspecting substrate
JP4329087B2 (en) Method and apparatus for electrostatic breakdown testing of semiconductor devices
JP2019176080A (en) Conduction inspection device, prober, and static eliminator
JP3011101U (en) Electrostatic breakdown test equipment
JP3361311B2 (en) Substrate inspection device and substrate inspection method
JP2627992B2 (en) Electrostatic breakdown test equipment for semiconductor devices
JP2003028921A (en) Method and device for electrostatic breakdown test
JPH0758168A (en) Probing device
KR102382569B1 (en) Method for inspecting printed assembly circuit board assembly using printed circuit board assembly inspection device
JP3898074B2 (en) Probing apparatus, semiconductor device inspection apparatus and inspection method
JP4966564B2 (en) Semiconductor device inspection system and inspection method
JP3003557U (en) Electrostatic breakdown test equipment for semiconductor devices
JP3003306U (en) Electrostatic breakdown test equipment
JP2004245671A (en) Probe card and its manufacturing method, probe apparatus, probe testing method, and manufacturing method of semiconductor device
JP2588715B2 (en) Probe tip position detection method for probe device

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20041013

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20051206

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20060104

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20060201

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20060516

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20060607

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20060926

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20061024

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101117

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111117

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121117

Year of fee payment: 6

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees