JP2003115267A - Pattern correcting method, and pattern correcting device - Google Patents
Pattern correcting method, and pattern correcting deviceInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】この発明はパターン修正方法
およびパターン修正装置に関し、特に、プラズマディス
プレイ（以下、ＰＤＰと称する）の製造工程において発
生する欠陥のうち、前面ガラス基板と裏面ガラス基板を
貼り合せたセル状態において発生する欠陥を修正するパ
ターン修正方法およびパターン修正装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a pattern repairing method and a pattern repairing apparatus, and particularly to a front glass substrate and a back glass substrate which are bonded to each other among defects generated in a manufacturing process of a plasma display (hereinafter referred to as PDP). The present invention relates to a pattern repairing method and a pattern repairing apparatus for repairing defects that occur in a cell state.
【０００２】[0002]
【従来の技術】図５はＰＤＰのセル状態を示す図であ
り、図６はＰＤＰのセルの欠陥を修正する方法を説明す
るための図である。2. Description of the Related Art FIG. 5 is a diagram showing a cell state of a PDP, and FIG. 6 is a diagram for explaining a method of correcting a defect in a cell of the PDP.
【０００３】ＰＤＰセル基板６は図５に示すように、前
面ガラス基板６４と裏面ガラス基板６９とからなってい
て、前面ガラス基板６４には図５において水平方向に延
びる走査電極６１と放電電極６２とがそれぞれ所定の間
隔を隔てて形成されており、その上に誘電体層６３が全
面に設けられている。As shown in FIG. 5, the PDP cell substrate 6 comprises a front glass substrate 64 and a back glass substrate 69. The front glass substrate 64 has a scanning electrode 61 and a discharge electrode 62 which extend horizontally in FIG. Are formed at predetermined intervals, and a dielectric layer 63 is provided on the entire surface thereof.
【０００４】裏面ガラス基板６９は前面ガラス基板６４
に対向して設けられており、裏面ガラス基板６９には、
全面に誘電体層６６が形成されていて、誘電体層６６に
は前面ガラス基板６４の走査電極６１や放電電極６２に
直交する方向に延びるデータ電極６５が埋め込まれてい
る。誘電体層６６上にはリブ（隔壁）６７がそれぞれ所
定の間隔を隔てて配置されており、各リブ６７の間には
発光体となるＲ，Ｇ，Ｂの蛍光体６８が交互に配置され
ている。そして、前面ガラス基板６４と、裏面ガラス基
板６９とが張り合わされてＰＤＰセル基板６が構成され
ていて、電気的に駆動信号を与えれば画像の表示が可能
となる。The back glass substrate 69 is the front glass substrate 64.
Is provided to face the rear glass substrate 69.
A dielectric layer 66 is formed on the entire surface, and a data electrode 65 extending in a direction orthogonal to the scanning electrode 61 and the discharge electrode 62 of the front glass substrate 64 is embedded in the dielectric layer 66. Ribs (partition walls) 67 are arranged at predetermined intervals on the dielectric layer 66, and R, G, and B phosphors 68 serving as light emitters are alternately arranged between the ribs 67. ing. Then, the front glass substrate 64 and the back glass substrate 69 are bonded together to form the PDP cell substrate 6, and an image can be displayed by electrically supplying a drive signal.
【０００５】ＰＤＰセル基板６においては表示状態にお
いて、本来消灯していなければならない画素が点灯して
しまう輝点欠陥が生じることがある。この欠陥は図６
（ａ）に示すように、放電電極６２を形成するときに画
素に対応する部分がエッチング不良などにより切り欠か
れていないために生ずる。このような欠陥に対してはＰ
ＤＰセル基板６のコストを低減させるために、欠陥修正
装置により修正して製品の歩留まりを向上させている。
すなわち、図６（ａ）に示すように、放電電極６２の１
画素分に相当する矩形形状のエリアに、図６（ｂ）に示
すように対物レンズ３０を介してレーザ光を照射し、照
射位置をずらしながら、図６（ｃ）に示すように放電電
極６２の１画素分をカットして除去している。In the display state of the PDP cell substrate 6, a bright spot defect may occur in which a pixel which should be originally turned off is turned on. This defect is shown in Figure 6.
As shown in (a), it occurs because the portion corresponding to the pixel is not cut out due to etching failure when the discharge electrode 62 is formed. P for such defects
In order to reduce the cost of the DP cell substrate 6, the defect is corrected by the defect correction device to improve the product yield.
That is, as shown in FIG.
A rectangular area corresponding to a pixel is irradiated with laser light through the objective lens 30 as shown in FIG. 6B, and the discharge position is changed as shown in FIG. 6C while shifting the irradiation position. 1 pixel is removed by cutting.
【０００６】欠陥修正装置には作業者が観察しながらレ
ーザカットするために、観察系とレーザ系の光学系が設
けられており、対物側で光軸が同軸になるように構成さ
れていて、先端部に対物レンズ３０が設けられている。
観察系の光学系において可視域から波長が１８００ｎｍ
の近赤外まで使用する波長を変えてもピントが焦点深度
内で合致し、レーザ系の光学系においてはＹＡＧ基本波
１０６４ｎｍの波長でピントずれを生じないよう補正設
計された対物レンズ３０が挿入されている。The defect correcting apparatus is provided with an optical system of an observation system and a laser system so that an operator can perform laser cutting while observing, and the optical axis is coaxial on the object side. The objective lens 30 is provided at the tip.
Wavelength from the visible range to 1800 nm in the observation optical system
Even if the wavelength used up to the near infrared is changed, the focus matches within the depth of focus, and in the optical system of the laser, the objective lens 30 which is designed to be corrected so as not to cause focus shift at the wavelength of the YAG fundamental wave of 1064 nm is inserted. Has been done.
【０００７】[0007]
【発明が解決しようとする課題】図６に示す修正方法で
は、前面ガラス基板６４の厚みが２．８ｍｍというよう
に比較的厚いために、対物レンズ３０による上記補正が
くずれてしまう。このため、従来の対物レンズ３０を介
してレーザ光によりカットする場合、カットの品位が悪
く、所望するような欠陥の修正を行うことができない。In the correction method shown in FIG. 6, since the front glass substrate 64 has a relatively large thickness of 2.8 mm, the above correction by the objective lens 30 is lost. Therefore, when cutting with the laser beam through the conventional objective lens 30, the quality of the cut is poor and the desired defect cannot be corrected.
【０００８】しかも、カットのために使用されるレーザ
は、ジャイアントパルス方式のＱスイッチ付きレーザが
用いられ、欠陥部分の放電電極６２が除去される。ジャ
イアントパルス方式のＱスイッチ付きレーザは、ある期
間励起発振させておいて、蓄積されたエネルギを一気に
放出するレーザであり、繰り返し回数は２０ｐｐｓ（２
０回／秒）程度である。Moreover, the laser used for cutting is a giant pulse type Q-switched laser, and the discharge electrode 62 at the defective portion is removed. The giant pulse type Q-switched laser is a laser that is excited and oscillated for a certain period of time to release the accumulated energy at a dash, and the number of repetitions is 20 pps (2
0 times / second).
【０００９】ところが、図６に示す方法ではレーザ光を
矩形形状に広範囲にレーザを照射していた。そのため、
放電電極６２の上面の誘電体層６３へのダメージが大き
くなるという問題がある。However, in the method shown in FIG. 6, the laser light is irradiated in a rectangular shape over a wide range. for that reason,
There is a problem that damage to the dielectric layer 63 on the upper surface of the discharge electrode 62 becomes large.
【００１０】それゆえに、この発明の主たる目的は、ガ
ラス越しであっても最適な修正が可能であって、他の機
能膜へのダメージも軽減できるパターン修正方法および
パターン修正装置を提供することである。Therefore, a main object of the present invention is to provide a pattern repairing method and a pattern repairing apparatus capable of performing optimum repairing even through glass and reducing damage to other functional films. is there.
【００１１】[0011]
【課題を解決するための手段】この発明は、基板の表面
に形成したパターンの欠陥を修正するパターン修正方法
であって、基板のパターンを形成した面の裏面からレー
ザ光を照射し、基板内を通過したレーザ光によりパター
ンをライン状にカットすることを特徴とする。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention is a pattern repair method for repairing defects in a pattern formed on a surface of a substrate, which comprises irradiating a laser beam from the back surface of the surface of the substrate on which the pattern is formed. It is characterized in that the pattern is cut into lines by the laser light that has passed through.
【００１２】このようにパターンをライン状にカットす
ることにより、レーザ照射面積や照射時間を短くするこ
とができ、トータルのレーザ照射パワーを小さくでき、
他の機能膜へのダメージも軽減することが可能となる。By thus cutting the pattern into lines, the laser irradiation area and irradiation time can be shortened, and the total laser irradiation power can be reduced.
It is also possible to reduce damage to other functional films.
【００１３】また、レーザ光は、前記基板内を通過する
４００ｎｍから１８００ｎｍの波長の光が前記パターン
上で集光するように補正されたレンズを介して照射され
るものであることを特徴とする。The laser light is emitted through a lens corrected so that light having a wavelength of 400 nm to 1800 nm passing through the substrate is condensed on the pattern. .
【００１４】このように補正された対物レンズを使用す
ることにより、ガラス越しであっても最適なレーザ加工
を実現できる。By using the objective lens thus corrected, optimum laser processing can be realized even through glass.
【００１５】補正されたレンズは対物レンズであること
を特徴とする。さらに、レーザ光は、レーザダイオード
励起方式のレーザ発振器から照射されるものであること
を特徴とする。The corrected lens is an objective lens. Furthermore, the laser light is emitted from a laser oscillator of a laser diode excitation system.
【００１６】これにより、１回ごとのレーザ照射パワー
を小さくして欠陥の修正が可能となり、他の機能膜への
ダメージを軽減できる。As a result, it is possible to correct the defect by reducing the laser irradiation power each time, and it is possible to reduce damage to other functional films.
【００１７】他の発明は、基板の表面に形成したパター
ンの欠陥を修正するパターン修正装置であって、基板の
パターンを形成した面の裏面から基板内を通過する４０
０ｎｍから１８００ｎｍの波長の光がパターン上で集光
するように補正されたレンズを備えたことを特徴とす
る。Another invention is a pattern repairing device for repairing defects in a pattern formed on the surface of a substrate, which passes through the inside of the substrate from the back surface of the surface on which the pattern of the substrate is formed.
It is characterized by comprising a lens corrected so that light having a wavelength of 0 nm to 1800 nm is condensed on the pattern.
【００１８】このように補正された対物レンズを使用す
ることにより、ガラス越しであっても最適なレーザ加工
を実現できる。By using the objective lens thus corrected, optimum laser processing can be realized even through glass.
【００１９】補正されたレンズは対物レンズであること
を特徴とする。さらに、欠陥を修正するレーザ光を照射
するレーザダイオード励起方式のレーザ発振器を備えた
ことを特徴とする。The corrected lens is an objective lens. Further, it is characterized in that a laser diode excitation type laser oscillator for irradiating a laser beam for correcting a defect is provided.
【００２０】これにより、１回ごとのレーザ照射パワー
を小さくして欠陥の修正が可能となり、他の機能膜への
ダメージを軽減できる。As a result, it is possible to correct the defect by reducing the laser irradiation power each time, and it is possible to reduce the damage to other functional films.
【００２１】さらに、基板を水平方向に移動させるため
の水平テーブルと、基板の欠陥を観察するための観察光
学系と、レーザ発振器と観察光学系と対物レンズを垂直
方向に移動させるための垂直テーブルとを含むことを特
徴とする。Further, a horizontal table for moving the substrate in the horizontal direction, an observation optical system for observing defects on the substrate, a vertical table for moving the laser oscillator, the observation optical system and the objective lens in the vertical direction. It is characterized by including and.
【００２２】このように水平テーブルにより基板の欠陥
箇所を水平方向に自在に移動でき、垂直テーブルにより
観察光学系とレーザ光学系を上下方向の任意の位置に位
置決めできる。As described above, the horizontal table can freely move the defective portion of the substrate in the horizontal direction, and the vertical table can position the observation optical system and the laser optical system at arbitrary positions in the vertical direction.
【００２３】[0023]
【発明の実施の形態】図１はこの発明の一実施形態の欠
陥修正装置の全体の構成を示す斜視図であり、図２は図
１に示した修正ヘッドの斜視図である。1 is a perspective view showing the overall structure of a defect repairing apparatus according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a perspective view of the repairing head shown in FIG.
【００２４】図１において、欠陥修正装置は被修正対象
となるＰＤＰセル基板６を搭載し、水平面のＹ軸方向に
移動可能なＹ軸テーブル８と、修正ヘッドとなる光学系
を搭載し、垂直方向（Ｚ方向）に移動可能なＺ軸テーブ
ル９と、このＺ軸テーブル９および修正ヘッドを搭載
し、水平面のＸ方向に移動可能なＸ軸テーブル７とを含
む。さらに、欠陥修正装置は全体を制御するための制御
コンピュータ１０と、専用ユーザインタフェースである
操作パネル１１とを含む。Ｘ軸テーブルとＹ軸テーブル
とにより水平テ−ブルを構成し、Ｚ軸テーブルにより垂
直テーブルを構成する。In FIG. 1, the defect repairing apparatus mounts a PDP cell substrate 6 to be repaired, mounts a Y-axis table 8 movable in the Y-axis direction on a horizontal plane, and an optical system serving as a repairing head, and mounts it vertically. A Z-axis table 9 movable in the direction (Z direction), and an X-axis table 7 having the Z-axis table 9 and the correction head mounted thereon and movable in the X direction on the horizontal plane are included. Further, the defect repairing apparatus includes a control computer 10 for controlling the whole and an operation panel 11 which is a dedicated user interface. The X-axis table and the Y-axis table form a horizontal table, and the Z-axis table forms a vertical table.
【００２５】修正ヘッドは図２に示すように、欠陥部位
をカットするためのレーザ１と、レーザ光をＰＤＰセル
基板６の欠陥部位に導光するための鏡筒２と、対物レン
ズ３０とによって構成されており、その他に観察光学系
であるＣＣＤカメラ４と、欠陥部位を落射照明するため
の光源５が設けられている。レーザ１として、従来はＱ
スイッチ付ジャイアントパルスレーザが用いられていた
が、この実施形態では常時発振させておいて、その状態
から必要なときにレーザ照射する形式であるレーザダイ
オード励起方式のレーザ（以下、「ＬＤ方式のレーザ」
と称する。）が用いられる。As shown in FIG. 2, the correction head includes a laser 1 for cutting a defective portion, a lens barrel 2 for guiding the laser light to the defective portion of the PDP cell substrate 6, and an objective lens 30. In addition, a CCD camera 4 as an observation optical system and a light source 5 for epi-illuminating a defective portion are provided. Conventionally, as laser 1, Q
Although a giant pulse laser with a switch was used, in this embodiment, a laser diode excitation type laser (hereinafter referred to as "LD type laser") is a type in which laser is constantly oscillated and laser irradiation is performed from that state when necessary. "
Called. ) Is used.
【００２６】対物レンズ３０はＰＤＰセル基板６のガラ
スの厚み２．８ｍｍを考慮して補正されている。すなわ
ち、ガラス基板内を通過する４００ｎｍから１８００ｎ
ｍの波長のレーザ光が電極パターン上で集光するように
補正された対物レンズが用いられる。この場合、補正さ
れた対物レンズ３０を用いることなく、図６で説明した
対物レンズ３０に補正レンズを組み合わせるようにして
もよい。The objective lens 30 is corrected in consideration of the glass thickness of 2.8 mm of the PDP cell substrate 6. That is, 400 nm to 1800 n passing through the glass substrate
An objective lens is used that has been corrected so that the laser light of wavelength m is condensed on the electrode pattern. In this case, a correction lens may be combined with the objective lens 30 described in FIG. 6 without using the corrected objective lens 30.
【００２７】なお、図示していないが、ＰＤＰセル基板
６を点灯させて修正前の欠陥の状態および修正後の状態
を確認するために、ＰＤＰセル点灯用装置を搭載するこ
とも可能である。このＰＤＰセル点灯用装置は、ＰＤＰ
セル基板６の電気配線にコンタクトするためのコンタク
トプローブと、駆動用の電気信号を発生するドライバな
どから構成されており、実際に点灯させて検査するため
の検査パターン表示などに用いられる。Although not shown, a PDP cell lighting device may be mounted in order to light the PDP cell substrate 6 and confirm the defect state before the repair and the state after the repair. This PDP cell lighting device is a PDP
It is composed of a contact probe for contacting the electric wiring of the cell substrate 6, a driver for generating an electric signal for driving, and the like, and is used for displaying an inspection pattern for actually lighting and inspecting.
【００２８】図３はこの発明の一実施形態による輝点欠
陥の修正方法を説明するための図である。FIG. 3 is a diagram for explaining a bright spot defect correcting method according to an embodiment of the present invention.
【００２９】図３に示した欠陥修正は、ＰＤＰセル状態
での欠陥修正を行うものであり、放電電極６２の１画素
分をレーザによるカットラインで走査電極６１から切り
離す。このとき、レーザ１として高繰り返し照射可能な
レーザを用い、前述の図６（ａ）に示すような矩形形状
による加工ではなく、図３（ｂ）に示すようにレーザ光
をビーム形状にして、図３（ａ）に示すように、ライン
状に最小限の部分をカットすることで修正を実現する。
ビーム形状による加工であるため、レーザ照射する面積
が小さく、またＬＤ方式のレーザ１を使用することによ
り、１回ごとに照射するレーザパワーも小さくてすむた
め、放電電極６２以外の誘電体層６３へのダメージも小
さくすることが可能となる。The defect repair shown in FIG. 3 is to repair the defect in the PDP cell state, and one pixel of the discharge electrode 62 is separated from the scanning electrode 61 by a laser cut line. At this time, a laser capable of highly repetitive irradiation is used as the laser 1, and the laser beam is formed into a beam shape as shown in FIG. 3B instead of the rectangular shape as shown in FIG. As shown in FIG. 3A, the correction is realized by cutting the minimum part in a line shape.
Since the processing is performed by the beam shape, the area for laser irradiation is small, and by using the LD type laser 1, the laser power for irradiation each time can be small, so that the dielectric layer 63 other than the discharge electrode 62 is required. It is also possible to reduce the damage to.
【００３０】図４はこの発明の他の実施形態のショート
欠陥の修正方法を示す図である。この実施形態は、放電
電極間のショート欠陥を修正するものである。図４
（ａ）に示すように平行に配列される放電電極６２間が
エッチング不良により金属導体の一部が残ってしまい、
放電電極間がショートするショート欠陥を生じることが
ある。このようなショート欠陥に対しても、放電電極６
２と平行にライン状にレーザ１により、図４（ｂ）に示
すようにレーザ光をビーム形状にして照射すれば、図４
（ｃ）に示すようにショート欠陥をカットして修正する
ことができる。FIG. 4 is a diagram showing a method of repairing a short defect according to another embodiment of the present invention. This embodiment corrects a short defect between discharge electrodes. Figure 4
Part of the metal conductor remains between the discharge electrodes 62 arranged in parallel as shown in FIG.
A short circuit defect between the discharge electrodes may occur. Even with respect to such a short defect, the discharge electrode 6
If the laser beam is irradiated in a beam shape as shown in FIG.
Short defects can be cut and repaired as shown in (c).
【００３１】この実施形態においても、レーザ１からの
レーザ光はビーム形状であるため、レーザ照射する面積
が小さく、またＬＤ方式のレーザ１を使用することによ
り、１回ごとに照射するレーザパワーも小さくてすむた
め、誘電体層６３へのダメージも小さくすることが可能
となる。Also in this embodiment, since the laser beam from the laser 1 has a beam shape, the area for laser irradiation is small, and by using the LD type laser 1, the laser power for each irradiation is also set. Since it can be made small, damage to the dielectric layer 63 can also be made small.
【００３２】今回開示された実施の形態はすべての点で
例示であって制限的なものではないと考えられるべきで
ある。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求
の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味お
よび範囲内でのすべての変更が含まれることが意図され
る。The embodiments disclosed this time are to be considered as illustrative in all points and not restrictive. The scope of the present invention is shown not by the above description but by the claims, and is intended to include meanings equivalent to the claims and all modifications within the scope.
【００３３】[0033]
【発明の効果】以上のように、この発明によれば、基板
のパターンを形成した面の裏面からレーザ光を照射し、
基板内を通過したレーザ光によりパターンをライン状に
カットするようにしたので、レーザ照射面積や照射時間
を短くすることができ、トータルのレーザ照射パワーを
小さくでき、他の機能膜へのダメージも軽減することが
可能となる。As described above, according to the present invention, laser light is irradiated from the back surface of the surface of the substrate on which the pattern is formed,
Since the pattern is cut into lines by the laser light that has passed through the substrate, the laser irradiation area and irradiation time can be shortened, the total laser irradiation power can be reduced, and damage to other functional films can also be prevented. It is possible to reduce.
【００３４】また、ガラスの厚みを補正したレンズを用
いることにより、ガラス越しであっても最適なレーザ加
工を実現できる。Further, by using a lens in which the thickness of the glass is corrected, optimum laser processing can be realized even through the glass.
【００３５】しかも、レーザに高繰り返し型のレーザを
使用することにより、１回ごとのレーザ照射パワーを小
さくして欠陥の修正が可能となり、他の機能膜へのダメ
ージを軽減できる。In addition, by using a high repetition type laser as the laser, it is possible to reduce the laser irradiation power for each time and repair defects, and it is possible to reduce damage to other functional films.
【図１】 この発明の一実施形態の欠陥修正装置の全体
の構成を示す斜視図である。FIG. 1 is a perspective view showing an overall configuration of a defect repairing apparatus according to an embodiment of the present invention.
【図２】 図１に示した修正ヘッドの斜視図である。2 is a perspective view of the repair head shown in FIG. 1. FIG.
【図３】 この発明の一実施形態による輝点欠陥の修正
方法を説明するための図である。FIG. 3 is a diagram for explaining a bright spot defect correcting method according to an embodiment of the present invention.
【図４】 この発明の他の実施形態のショート欠陥の修
正方法を示す図である。FIG. 4 is a diagram showing a method of repairing a short defect according to another embodiment of the present invention.
【図５】 ＰＤＰのセル状態を示す図である。FIG. 5 is a diagram showing a cell state of a PDP.
【図６】 ＰＤＰのセルの欠陥を修正する方法を説明す
るための図である。FIG. 6 is a diagram illustrating a method of correcting a defect in a cell of a PDP.
１ レーザ、２ 鏡筒、４ ＣＣＤカメラ、５ 落射照
明光源、６ ＰＤＰセル基板、７ Ｘ軸テーブル、８
Ｙ軸テーブル、９ Ｚ軸テーブル、１０ 制御テーブ
ル、１１ 操作パネル、３０ 対物レンズ、６１ 走査
電極、６２ 放電電極、６３，６６ 誘電体層、６４
前面ガラス基板、６５ データ電極、６７リブ、６９
裏面ガラス基板。1 laser, 2 lens barrel, 4 CCD camera, 5 epi-illumination light source, 6 PDP cell substrate, 7 X-axis table, 8
Y-axis table, 9 Z-axis table, 10 control table, 11 operation panel, 30 objective lens, 61 scanning electrode, 62 discharge electrode, 63, 66 dielectric layer, 64
Front glass substrate, 65 data electrodes, 67 ribs, 69
Back glass substrate.
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 5C012 AA09 5C040 FA01 FA04 GB03 GB14 GC20 JA26 MA23 5G435 AA06 AA19 BB06 KK10 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continued front page F-term (reference) 5C012 AA09 5C040 FA01 FA04 GB03 GB14 GC20 JA26 MA23 5G435 AA06 AA19 BB06 KK10
Claims (8)
修正するパターン修正方法であって、 前記基板のパターンを形成した面の裏面からレーザ光を
照射し、 前記基板内を通過したレーザ光により前記パターンをラ
イン状にカットすることを特徴とする、パターン修正方
法。1. A pattern repairing method for repairing a defect of a pattern formed on a surface of a substrate, comprising irradiating a laser beam from a back surface of a surface of the substrate on which a pattern is formed, the laser light passing through the inside of the substrate. A pattern correction method, characterized in that the pattern is cut into lines.
４００ｎｍから１８００ｎｍの波長の光が前記パターン
上で集光するように補正されたレンズを介して照射され
るものであることを特徴とする、請求項１に記載のパタ
ーン修正方法。2. The laser light is emitted through a lens corrected so that light having a wavelength of 400 nm to 1800 nm passing through the substrate is condensed on the pattern. The pattern correction method according to claim 1.
ることを特徴とする、請求項２に記載のパターン修正方
法。3. The pattern correction method according to claim 2, wherein the corrected lens is an objective lens.
方式のレーザ発振器から照射されるものであることを特
徴とする、請求項１または２に記載のパターン修正方
法。4. The pattern correction method according to claim 1, wherein the laser light is emitted from a laser oscillator of a laser diode excitation system.
修正するパターン修正装置であって、 前記基板のパターンを形成した面の裏面から前記基板内
を通過する４００ｎｍから１８００ｎｍの波長の光が前
記パターン上で集光するように補正されたレンズを備え
たことを特徴とする、パターン修正装置。5. A pattern repairing device for repairing defects of a pattern formed on a surface of a substrate, wherein light having a wavelength of 400 nm to 1800 nm passing through the inside of the substrate from the back surface of the surface of the substrate on which the pattern is formed. A pattern correction device comprising a lens corrected to collect light on a pattern.
ることを特徴とする、請求項５に記載のパターン修正装
置。6. The pattern correction device according to claim 5, wherein the corrected lens is an objective lens.
照射するレーザダイオード励起方式のレーザ発振器を備
えたことを特徴とする、請求項５に記載のパターン修正
装置。7. The pattern repairing device according to claim 5, further comprising a laser oscillator of a laser diode excitation system for irradiating a laser beam for repairing the defect.
るための水平テーブルと、 前記基板の欠陥を観察するための観察光学系と、 前記レーザ発振器と前記観察光学系と前記対物レンズを
垂直方向に移動させるための垂直テーブルとを含むこと
を特徴とする、請求項５から７のいずれかに記載のパタ
ーン修正装置。8. A horizontal table for moving the substrate in a horizontal direction, an observation optical system for observing defects in the substrate, a laser oscillator, the observation optical system and the objective lens in a vertical direction. 8. The pattern correction device according to claim 5, further comprising a vertical table for moving the pattern.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001306394A JP2003115267A (en) | 2001-10-02 | 2001-10-02 | Pattern correcting method, and pattern correcting device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001306394A JP2003115267A (en) | 2001-10-02 | 2001-10-02 | Pattern correcting method, and pattern correcting device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003115267A true JP2003115267A (en) | 2003-04-18 |
Family
ID=19126038
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001306394A Withdrawn JP2003115267A (en) | 2001-10-02 | 2001-10-02 | Pattern correcting method, and pattern correcting device |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003115267A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010276767A (en) * | 2009-05-27 | 2010-12-09 | Hitachi Displays Ltd | Defect correcting method of electronic circuit pattern, and device therefor |
-
2001
- 2001-10-02 JP JP2001306394A patent/JP2003115267A/en not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010276767A (en) * | 2009-05-27 | 2010-12-09 | Hitachi Displays Ltd | Defect correcting method of electronic circuit pattern, and device therefor |
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