JP2003115260A - Method for forming fine barrier, method for manufacturing flat panel display device, and abrasive for blasting - Google Patents
Method for forming fine barrier, method for manufacturing flat panel display device, and abrasive for blastingInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、微細隔壁の形成方
法、平面表示装置の製造方法、および噴射加工用研磨剤
に係り、さらに詳しくは、噴射加工法を用いて、安定し
た形状の微細隔壁を、良好な加工精度で、しかも高い研
削効率で形成することができる微細隔壁の形成方法と、
その方法を応用した平面表示装置の製造方法と、それら
の方法に用いられる噴射加工用研磨剤に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for forming fine barrier ribs, a method for manufacturing a flat display device, and an abrasive for jet machining, and more specifically, a fine barrier rib having a stable shape by using the jet machining method. A method for forming fine partition walls, which can be formed with good processing accuracy and high grinding efficiency,
The present invention relates to a method for manufacturing a flat panel display device to which the method is applied, and an abrasive for jet processing used in those methods.
【０００２】[0002]
【従来の技術】ガス放電型平面表示装置の微細隔壁を形
成する１つの方法として、サンドブラスト法などの噴射
加工法がある。この方法では、ガラス等の基板上に低融
点ガラスペーストを塗布・乾燥させた後、そのペースト
乾燥層の表面に耐サンドブラスト性のある感光性ドライ
フィルムレジストをラミネートした後、ガラスマスクを
用いて所定のパターンに露光、現像する。この後、サン
ドブラスト法により研磨剤を噴射して、パターニングさ
れた形状に加工を行う。この時に使用される研磨剤とし
ては炭酸カルシウムやガラスビーズが使用されている。2. Description of the Related Art As one method for forming fine barrier ribs of a gas discharge flat panel display, there is a jet processing method such as a sandblast method. In this method, a low-melting-point glass paste is applied and dried on a substrate such as glass, and a sandblasting-resistant photosensitive dry film resist is laminated on the surface of the paste dry layer, and then a predetermined amount is obtained using a glass mask. Exposure and development. After that, an abrasive is sprayed by the sandblast method to process the patterned shape. As the polishing agent used at this time, calcium carbonate and glass beads are used.
【０００３】しかしながら、炭酸カルシウムは被加工物
への付着性があり、隔壁のパターンが微細化する程、除
去されにくくなっていく。また、ガラスビーズは球形の
ため加工速度が遅く、しかも、小さい粒子径を作るのが
難しいため、入手しにくいという課題を有している。However, calcium carbonate has a property of adhering to an object to be processed, and it becomes more difficult to remove it as the partition wall pattern becomes finer. Further, since the glass beads are spherical, the processing speed is slow, and it is difficult to make a small particle diameter, which makes it difficult to obtain.
【０００４】さらに、近年、平面型表示パネルの高精細
化および高輝度化にともない、隔壁間のピッチおよび隔
壁幅の微小化が望まれているが、微細な隔壁を形成する
ためには、次の点が課題となっている。まず、研磨剤粒
子径の微細化と加工性および撥水性が求められている。
また、微細パターニングに対応したレジストの解像度と
薄膜化および被加工物への密着性と剥離性が求められて
いる。さらに、低融点ガラスペーストの微粒子化が求め
られていると共に、形状保持性の向上が求められてい
る。Furthermore, in recent years, along with the higher definition and higher brightness of flat panel display panels, it has been desired to reduce the pitch between partition walls and the partition wall width. In order to form fine partition walls, Is the issue. First, there is a demand for finer polishing agent particle size, workability, and water repellency.
Further, there is a demand for resolution and thinning of a resist corresponding to fine patterning, and adhesiveness and peeling property to a workpiece. Further, it is required to make the low melting point glass paste into fine particles and to improve the shape retention.
【０００５】[0005]
【発明が解決しようとする課題】本発明は、このような
実状に鑑みてなされ、その目的とするところは、噴射加
工法を用いて、安定した形状の微細隔壁を、良好な加工
精度で、しかも高い研削効率で形成することができる微
細隔壁の形成方法と、その方法を応用した平面表示装置
の製造方法と、それらの方法に用いられる噴射加工用研
磨剤を提供することである。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of such circumstances, and an object thereof is to use an injection processing method to form a fine partition wall having a stable shape with good processing accuracy. Moreover, it is an object of the present invention to provide a method for forming fine partition walls that can be formed with high grinding efficiency, a method for manufacturing a flat panel display device to which the method is applied, and an abrasive for jet processing used in those methods.
【０００６】[0006]
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明に係る微細隔壁の形成方法は、基板の表面に
微細隔壁を形成する際に、表面がシリコン系化合物でコ
ーティングしてある粉体から成る研磨剤を用いて噴射加
工することを特徴とする。In order to achieve the above object, in the method of forming fine barrier ribs according to the present invention, when the fine barrier ribs are formed on the surface of the substrate, the surface is coated with a silicon compound. It is characterized in that the spray processing is performed by using an abrasive made of powder.
【０００７】本発明に係る平面表示装置の製造方法は、
第１パネルおよび第２パネルを具備し、前記第１パネル
および第２パネルの間に、放電空間が形成してあるプラ
ズマ平面表示装置を製造する方法であって、前記第２パ
ネルを構成する第２基板の表面に、前記放電空間を仕切
るための隔壁を形成する際に、表面がシリコン系化合物
でコーティングしてある粉体から成る研磨剤を用いて噴
射加工することを特徴とする。A method of manufacturing a flat panel display device according to the present invention is
A method of manufacturing a plasma flat panel display device comprising a first panel and a second panel, wherein a discharge space is formed between the first panel and the second panel, the method comprising the steps of forming the second panel. When the partition walls for partitioning the discharge space are formed on the surfaces of the two substrates, the polishing is performed by using a polishing agent made of powder whose surface is coated with a silicon compound.
【０００８】本発明に係る噴射加工用研磨剤は、表面が
シリコン系化合物でコーティングしてある粉体から成る
噴射加工用研磨剤であって、前記研磨剤を構成する各粒
子が、サイズが異なる三角形以上の多角形状を持つ多角
形状層が積層された立体形状を持つことを特徴とする。
本発明において、シリコン系化合物とは、広い意味で用
い、シリコン（ケイ素／Ｓｉ）、シリコーン（［Ｓｉ−
Ｏ−Ｓｉ―］結合を持つ高分子化合物）、シリカ（酸化
ケイ素［ＳｉＯＸ：ＳｉＯ，ＳｉＯ２を含む］）、水酸
化ケイ素（Ｓｉ（ＯＨ）Ｘ）、およびこれらの混合物、
またはこれらの中間段階のもの（たとえばＳｉＯＸ（Ｏ
Ｈ）Ｙ ）を含む。本発明において、粉体としては、特
に限定されないが、好ましくは、粉体の材料主成分が、
炭酸カルシウム、または、牡蛎殻などの貝殻、骨材、卵
の殻などを粉砕したもの、あるいは粉砕して焼成したも
の、あるいはＳｒＳＯ４ （天青石Celestite）、Ｃａ
Ｆ２ （螢石Fluorite）、あるいはこれらの混合物など
が例示される。好ましくは、粉体の主成分材料のモース
硬度は５以下である。主成分材料のモース硬度が高すぎ
ると、ガラス基板や誘電体層や電極に必要以上のダメー
ジを与えてしまう傾向にある。The abrasive for jet processing according to the present invention is an abrasive for jet processing which is composed of powder whose surface is coated with a silicon compound, and the particles constituting the abrasive have different sizes. It is characterized by having a three-dimensional shape in which polygon layers having a polygon shape of a triangle or more are stacked.
In the present invention, the term “silicon compound” is used in a broad sense, and includes silicon (silicon / Si) and silicone ([Si-
A polymer compound having an O—Si—] bond, silica (silicon oxide [including SiO x : SiO, SiO 2 ]), silicon hydroxide (Si (OH) x ), and a mixture thereof.
Or intermediates of these (eg SiO x (O
H) Y )including. In the present invention, the powder is not particularly limited, but preferably, the material main component of the powder is
Calcium carbonate, crushed shells such as oyster shells, aggregates, egg shells, etc., or crushed and baked, or SrSO 4 (celestite), Ca
F 2 (fluorite Fluorite) or a mixture thereof is exemplified. Preferably, the Mohs hardness of the main component material of the powder is 5 or less. If the Mohs hardness of the main component material is too high, the glass substrate, the dielectric layer and the electrodes tend to be damaged more than necessary.
【０００９】好ましくは、前記研磨剤を構成する各粒子
が、サイズが異なる三角形以上の多角形状を持つ多角形
状層が積層された立体形状を持つ。好ましくは、前記研
磨剤の最大粒子径が、前記微細隔壁の隔壁幅の１／２以
下であり、前記研磨剤の平均粒子径が、前記微細隔壁の
隔壁幅の１／５以下である。また、好ましくは、前記研
磨剤の最大粒子径が、１０μｍ以下である。好ましく
は、前記微細隔壁の隔壁間ピッチが１５０μｍ以下、た
とえば５０〜１００μｍであり、前記微細隔壁の隔壁幅
が５０μｍ以下、たとえば１０〜３５μｍであり、前記
微細隔壁の高さが３００μｍ以下、たとえば１００〜２
００μｍである。Preferably, each particle constituting the abrasive has a three-dimensional shape in which polygonal layers each having a polygonal shape of a triangle or more different in size are laminated. Preferably, the maximum particle diameter of the abrasive is 1/2 or less of the partition width of the fine partition, and the average particle diameter of the abrasive is 1/5 or less of the partition width of the fine partition. Further, the maximum particle diameter of the abrasive is preferably 10 μm or less. Preferably, the pitch between the fine partition walls is 150 μm or less, for example, 50 to 100 μm, the partition width of the fine partition walls is 50 μm or less, for example, 10 to 35 μm, and the height of the fine partition walls is 300 μm or less, for example 100. ~ 2
It is 00 μm.
【００１０】好ましくは、所定パターンの前記微細隔壁
を形成するために用いられるレジスト層の厚みが、前記
微細隔壁の隔壁幅の１．２倍以下の厚みである。本発明
において、レジスト層としては、特に限定されないが、
耐サンドブラスト性のある液状、ペースト状又はフィル
ム状のものが用いられる。フィルム状のレジスト層とし
ては、たとえば樹脂フィルム間に感光性ペーストが積層
してあるものなどが用いられる。樹脂フィルムとして
は、たとえばポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フ
ィルムが用いられる。Preferably, the thickness of the resist layer used for forming the fine barrier ribs having a predetermined pattern is 1.2 times or less the barrier rib width of the fine barrier ribs. In the present invention, the resist layer is not particularly limited,
A liquid, paste or film having a sandblast resistance is used. As the film-like resist layer, for example, one in which a photosensitive paste is laminated between resin films is used. As the resin film, for example, a polyethylene terephthalate (PET) film is used.
【００１１】好ましくは、前記微細隔壁を形成するため
の低融点ガラスペーストを構成する各種フリットの粒子
径が、前記微細隔壁の隔壁幅の１／５以下である。低融
点ガラスペーストとしては、特に限定されず、有鉛のペ
ーストでも無鉛のペーストでも良いが、特に無鉛のペー
ストであることが好ましい。Preferably, the particle size of the various frit forming the low melting point glass paste for forming the fine partition is 1/5 or less of the partition width of the fine partition. The low melting point glass paste is not particularly limited, and may be a lead-containing paste or a lead-free paste, but a lead-free paste is particularly preferable.
【００１２】[0012]
【作用】本発明に係る研磨剤では、炭酸カルシウムなど
の粉体の表面をシリコン系化合物でコーティングするこ
とにより、撥水性と流動性に優れている。したがって、
この研磨剤を用いて、サンドブラストなどの噴射加工を
行えば、微細隔壁を所定パターンで形成する際に、被加
工物としての微細隔壁または溝内へ研磨剤が付着して残
ることを有効に防止し、きれいに取り除くことができ
る。The abrasive according to the present invention has excellent water repellency and fluidity by coating the surface of powder such as calcium carbonate with a silicon compound. Therefore,
If this abrasive is used to perform a spraying process such as sandblasting, when the fine partition walls are formed in a predetermined pattern, it is possible to effectively prevent the polishing agent from adhering and remaining inside the fine partition walls or grooves as the workpiece. And can be removed cleanly.
【００１３】また、本発明において、研磨剤を構成する
各粒子を、サイズが異なる三角形以上の多角形状を持つ
多角形状層が積層された立体形状とすることで、平均粒
子径を小さくしても研削効率が良く、かつ精度良く微細
隔壁を形成することができる。Further, in the present invention, each particle constituting the abrasive has a three-dimensional shape in which polygonal layers each having a polygonal shape of a triangle or more different in size are laminated, so that the average particle diameter can be reduced. It is possible to form fine partition walls with high grinding efficiency and high accuracy.
【００１４】さらに、研磨剤の最大粒子径を、前記微細
隔壁の隔壁幅の１／２以下とし、その平均粒子径を、微
細隔壁の隔壁幅の１／５以下とすることで、微細ピッチ
で微細幅の隔壁を、その形状を損なうことなく加工する
ことができる。特に、研磨剤の最大粒子径を、１０μｍ
以下とすることで、微細ピッチで微細幅の隔壁を、その
形状を損なうことなく加工することができる。Further, by setting the maximum particle size of the abrasive to be 1/2 or less of the partition width of the fine partition and the average particle size thereof to be 1/5 or less of the partition width of the fine partition, fine pitch can be obtained. A partition having a fine width can be processed without impairing its shape. In particular, the maximum particle size of the abrasive is 10 μm
By the following, the partition wall having a fine pitch and a fine width can be processed without impairing its shape.
【００１５】本発明の方法により形成される微細隔壁の
隔壁間ピッチとしては、特に限定されないが、１５０μ
ｍ以下のピッチが可能であり、しかも、微細隔壁の隔壁
幅は、５０μｍ以下が可能であり、微細隔壁の高さとし
ては、３００μｍ以下が可能である。The pitch between the partition walls of the fine partition walls formed by the method of the present invention is not particularly limited, but is 150 μm.
A pitch of m or less is possible, and the partition wall width of the fine partition wall can be 50 μm or less, and the height of the fine partition wall can be 300 μm or less.
【００１６】本発明において、所定パターンの微細隔壁
を形成するために用いられるレジスト層の厚みを、微細
隔壁の隔壁幅の１．２倍以下の厚みとすることで、ハガ
レ、倒れ、うねりのない微細巾のパターンの形成が可能
となり、また、低融点ガラスペーストとの密着性が確実
なものとなり、微細なピッチおよび隔壁幅を持つ隔壁パ
ターンの形成が容易になる。In the present invention, the thickness of the resist layer used for forming the fine barrier ribs having a predetermined pattern is 1.2 times or less the barrier rib width of the fine barrier ribs so that peeling, tilting and waviness do not occur. It becomes possible to form a pattern having a fine width, and the adhesiveness with the low melting point glass paste is ensured, which facilitates the formation of a partition pattern having a fine pitch and a partition width.
【００１７】微細隔壁を形成するための低融点ガラスペ
ーストを構成する各種フリットの粒子径を、微細隔壁の
隔壁幅の１／５以下とすることで、微細で安定した形状
の隔壁を形成することができる。Fine and stable partition walls are formed by setting the particle size of various frits forming the low-melting-point glass paste for forming the fine partition walls to 1/5 or less of the partition wall width of the fine partition walls. You can
【００１８】[0018]
【発明の実施の形態】以下、本発明を、図面に示す実施
形態に基づき説明する。図１は本発明の一実施形態に係
る平面表示装置の要部断面図、図２は図１に示す平面表
示装置の隔壁形成プロセスを示すフローチャート、図３
（Ａ）〜図３（Ｃ）は隔壁形成プロセスを示す要部断面
図、図４および図５は本発明の一実施例に係る噴射加工
で用いる研磨剤の拡大倍率が異なる顕微鏡写真、図６お
よび図７は図４および図５に示す研磨剤を用いた噴射加
工により加工された微細隔壁の拡大倍率が異なる顕微鏡
写真、図８および図９は本発明の他の実施例に係る噴射
加工で用いる研磨剤の拡大倍率が異なる顕微鏡写真、図
１０および図１１は図８および図９に示す研磨剤を用い
た噴射加工により加工された微細隔壁の拡大倍率が異な
る顕微鏡写真である。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION The present invention will be described below based on the embodiments shown in the drawings. FIG. 1 is a cross-sectional view of a main part of a flat panel display device according to an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a flowchart showing a partition forming process of the flat panel display device shown in FIG.
(A) to FIG. 3 (C) are cross-sectional views of a main part showing the partition wall forming process, FIGS. 4 and 5 are micrographs showing different magnifications of the polishing agent used in the jet processing according to the embodiment of the present invention, and 7 and FIG. 7 are micrographs with different magnifications of the fine partition walls processed by the spraying process using the abrasive shown in FIGS. 4 and 5, and FIGS. 8 and 9 are spraying processes according to other embodiments of the present invention. 10 and 11 are micrographs with different magnifications of the fine partition walls processed by the injection processing using the abrasives shown in FIGS. 8 and 9.
【００１９】プラズマ平面表示装置の全体構成
まず、図１に基づき、交流駆動型（ＡＣ）型プラズマ平
面表示装置（以下、単に、プラズマ表示装置と呼ぶ場合
がある）の全体構成について説明する。図１に示すＡＣ
型プラズマ平面表示装置２は、いわゆる３電極型に属
し、１対の放電維持電極１２の間で放電が生じる。この
ＡＣ型プラズマ表示装置２は、フロントパネルに相当す
る第１パネル１０と、リアパネルに相当する第２パネル
２０とが貼り合わされて成る。第２パネル２０上の蛍光
体層２５Ｒ，２５Ｇ，２５Ｂの発光は、たとえば、第１
パネル１０を通して観察される。すなわち、第１パネル
１０が、表示面側となる。 Overall Configuration of Plasma Flat Panel Display First, the overall configuration of an AC drive type (AC) type plasma flat panel display (hereinafter sometimes simply referred to as a plasma display) will be described with reference to FIG. AC shown in FIG.
The type plasma flat panel display 2 belongs to a so-called three-electrode type, and discharge is generated between the pair of discharge sustaining electrodes 12. This AC type plasma display device 2 is formed by laminating a first panel 10 corresponding to a front panel and a second panel 20 corresponding to a rear panel. The light emission of the phosphor layers 25R, 25G, 25B on the second panel 20 is, for example, the first light emission.
Observed through panel 10. That is, the first panel 10 is the display surface side.
【００２０】第１パネル１０は、透明な第１基板１１
と、第１基板１１上にストライプ状に設けられ、透明導
電材料から成る複数の一対の放電維持電極１２と、放電
維持電極１２のインピーダンスを低下させるために設け
られ、放電維持電極１２よりも電気抵抗率の低い材料か
ら成るバス電極１３と、バス電極１３および放電維持電
極１２上を含む第１の基板１１上に形成された誘電体層
１４と、その上に形成された保護層１５とから構成され
ている。なお、保護層１５は、必ずしも形成されている
必要はないが、形成されていることが好ましい。The first panel 10 includes a transparent first substrate 11
And a plurality of pairs of discharge sustaining electrodes 12 made of a transparent conductive material, which are provided on the first substrate 11 in a stripe shape, and provided to reduce the impedance of the discharge sustaining electrodes 12. The bus electrode 13 made of a material having a low resistivity, the dielectric layer 14 formed on the first substrate 11 including the bus electrode 13 and the discharge sustaining electrode 12, and the protective layer 15 formed thereon. It is configured. The protective layer 15 is not necessarily formed, but is preferably formed.
【００２１】一方、第２パネル２０は、第２基板２１
と、第２基板２１上にストライプ状に設けられた複数の
アドレス電極（データ電極とも呼ばれる）２２と、アド
レス電極２２上を含む第２基板２１上に形成された誘電
体膜（図示省略）と、誘電体膜上であって隣り合うアド
レス電極２２の間の領域にアドレス電極２２と平行に延
びる絶縁性の隔壁２４と、誘電体膜上から隔壁２４の側
壁面上に亘って設けられた蛍光体層とから構成されてい
る。蛍光体層は、赤色蛍光体層２５Ｒ、緑色蛍光体層２
５Ｇ、および青色蛍光体層２５Ｂから構成されている。On the other hand, the second panel 20 includes a second substrate 21.
A plurality of address electrodes (also referred to as data electrodes) 22 provided in stripes on the second substrate 21, and a dielectric film (not shown) formed on the second substrate 21 including the address electrodes 22. , An insulating partition wall 24 extending in parallel with the address electrode 22 in a region between the adjacent address electrodes 22 on the dielectric film, and fluorescent light provided over the dielectric film and the sidewall surface of the partition wall 24. It is composed of a body layer. The phosphor layers are the red phosphor layer 25R and the green phosphor layer 2
5G, and a blue phosphor layer 25B.
【００２２】図１は、表示装置の一部分解斜視図であ
り、実際には、第２パネル２０側の隔壁２４の頂部が第
１パネル１０側の保護層１５に当接している。一対の放
電維持電極１２と、２つの隔壁２４の間に位置するアド
レス電極２２とが重複する領域が、単一の放電セルに相
当する。そして、隣り合う隔壁２４と蛍光体層２５Ｒ，
２５Ｇ，２５Ｂと保護層１５とによって囲まれた放電空
間４内には、放電ガスが封入されている。第１パネル１
０と第２パネル２０とは、それらの周辺部において、フ
リットガラスを用いて接合されている。放電空間４内に
封入される放電ガスとしては、特に限定されないが、キ
セノン（Ｘｅ）ガス、ネオン（Ｎｅ）ガス、ヘリウム
（Ｈｅ）ガス、アルゴン（Ａｒ）ガス、窒素（Ｎ２）ガ
ス等の不活性ガス、あるいはこれらの不活性ガスの混合
ガスなどが用いられる。封入されている放電ガスの全圧
は、特に限定されないが、６×１０３Ｐａ〜８×１０４
Ｐａ程度である。FIG. 1 is a partially exploded perspective view of the display device. Actually, the top of the partition wall 24 on the second panel 20 side is in contact with the protective layer 15 on the first panel 10 side. The region where the pair of discharge sustaining electrodes 12 and the address electrode 22 located between the two barrier ribs 24 overlap corresponds to a single discharge cell. Then, the adjacent partition wall 24 and the phosphor layer 25R,
A discharge gas is enclosed in the discharge space 4 surrounded by 25G and 25B and the protective layer 15. 1st panel 1
The 0 and the second panel 20 are joined at their peripheral portions by using frit glass. The discharge gas sealed in the discharge space 4 is not particularly limited, but may be xenon (Xe) gas, neon (Ne) gas, helium (He) gas, argon (Ar) gas, nitrogen (N 2 ) gas, or the like. An inert gas or a mixed gas of these inert gases is used. The total pressure of the enclosed discharge gas is not particularly limited, but is 6 × 10 3 Pa to 8 × 10 4
It is about Pa.
【００２３】放電維持電極１２の射影像が延びる方向と
アドレス電極２２の射影像が延びる方向とは略直交（必
ずしも直交する必要はないが）しており、一対の放電維
持電極１２と、３原色を発光する蛍光体層２５Ｒ，２５
Ｇ，２５Ｂの１組とが重複する領域が１画素（１ピクセ
ル）に相当する。グロー放電が一対の放電維持電極１２
間で生じることから、このタイプのプラズマ表示装置は
「面放電型」と称される。一対の放電維持電極１２間に
電圧を印加する直前に、たとえば、放電セルの放電開始
電圧よりも低いパネル電圧をアドレス電極２２に印加す
ることで、放電セル内に壁電荷が蓄積され（表示を行う
放電セルの選択）、見掛け上の放電開始電圧が低下す
る。次いで、一対の放電維持電極１２の間で開始された
放電は、放電開始電圧よりも低い電圧にて維持され得
る。放電セルにおいては、放電ガス中でのグロー放電に
基づき発生した真空紫外線の照射によって励起された蛍
光体層が、その蛍光体層材料の種類に応じた特有の発光
色を呈する。なお、封入された放電ガスの種類に応じた
波長を有する真空紫外線が発生する。The direction in which the projected image of the discharge sustaining electrodes 12 extends and the direction in which the projected image of the address electrodes 22 extends are substantially orthogonal (although they do not necessarily need to be at right angles), and the pair of discharge sustaining electrodes 12 and the three primary colors. Emitting phosphor layers 25R, 25
An area where one set of G and 25B overlaps corresponds to one pixel (one pixel). Glow discharge is a pair of discharge sustaining electrodes 12
This type of plasma display device is referred to as a "surface discharge type" because it occurs in between. Immediately before applying a voltage between the pair of discharge sustaining electrodes 12, for example, by applying a panel voltage lower than the discharge starting voltage of the discharge cells to the address electrodes 22, wall charges are accumulated in the discharge cells (display Selection of discharge cells to be performed), the apparent discharge start voltage decreases. Then, the discharge started between the pair of discharge sustaining electrodes 12 may be maintained at a voltage lower than the discharge starting voltage. In the discharge cell, the phosphor layer excited by the irradiation of vacuum ultraviolet rays generated by glow discharge in the discharge gas exhibits a specific emission color according to the type of the phosphor layer material. In addition, vacuum ultraviolet rays having a wavelength corresponding to the type of the enclosed discharge gas are generated.
【００２４】本実施形態のプラズマ表示装置２は、いわ
ゆる反射型プラズマ表示装置であり、蛍光体層２５Ｒ，
２５Ｇ，２５Ｂの発光は、第１パネル１０を通して観察
されるので、アドレス電極２２を構成する導電性材料に
関して透明／不透明の別は問わないが、放電維持電極１
２を構成する導電性材料は透明である必要がある。な
お、ここで述べる透明／不透明とは、蛍光体層材料に固
有の発光波長（可視光域）における導電性材料の光透過
性に基づく。即ち、蛍光体層から射出される光に対して
透明であれば、放電維持電極やアドレス電極を構成する
導電性材料は透明であると言える。The plasma display device 2 of the present embodiment is a so-called reflection type plasma display device, and includes a phosphor layer 25R,
Since the light emission of 25G and 25B is observed through the first panel 10, the conductive material forming the address electrode 22 may be transparent or opaque.
The conductive material forming 2 must be transparent. The transparency / opacity described here is based on the light transmittance of the conductive material in the emission wavelength (visible light region) peculiar to the phosphor layer material. That is, if it is transparent to the light emitted from the phosphor layer, it can be said that the conductive material forming the discharge sustaining electrodes and the address electrodes is transparent.
【００２５】不透明な導電性材料として、Ｎｉ，Ａｌ，
Ａｕ，Ａｇ，Ａｌ，Ｐｄ／Ａｇ，Ｃｒ，Ｔａ，Ｃｕ，Ｂ
ａ，ＬａＢ６，Ｃａ０．２Ｌａ０．８ＣｒＯ３等の材料
を、単独または適宜組み合わせて用いることができる。
透明な導電性材料としては、ＩＴＯ（インジウム・錫酸
化物）やＳｎＯ２を挙げることができる。放電維持電極
１２またはアドレス電極２２は、スパッタ法や、蒸着
法、スクリーン印刷法、サンドブラスト法、メッキ法、
リフトオフ法等によって形成することができる。放電維
持電極１２の電極幅は、特に限定されないが、２００〜
４００μｍ程度である。また、これらの対となる電極１
２相互間の距離は、特に限定されないが、好ましくは５
〜１５０μｍ程度である。また、アドレス電極２２の幅
は、たとえば５０〜１００μｍ程度である。As the opaque conductive material, Ni, Al,
Au, Ag, Al, Pd / Ag, Cr, Ta, Cu, B
Materials such as a, LaB 6 , Ca 0.2 La 0.8 CrO 3 and the like can be used alone or in appropriate combination.
Examples of the transparent conductive material include ITO (indium / tin oxide) and SnO 2 . The discharge sustaining electrode 12 or the address electrode 22 is formed by a sputtering method, a vapor deposition method, a screen printing method, a sandblast method, a plating method,
It can be formed by a lift-off method or the like. The electrode width of the discharge sustaining electrode 12 is not particularly limited, but is 200 to
It is about 400 μm. In addition, the electrode 1 which becomes a pair of these
The distance between the two is not particularly limited, but is preferably 5
It is about 150 μm. The width of the address electrode 22 is, for example, about 50 to 100 μm.
【００２６】バス電極１３は、典型的には、金属材料、
たとえば、Ａｇ，Ａｕ，Ａｌ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ｍｏ，Ｃｒ
などの単層金属膜、あるいはＣｒ／Ｃｕ／Ｃｒなどの積
層膜などから構成することができる。かかる金属材料か
ら成るバス電極１３は、反射型のプラズマ表示装置にお
いては、蛍光体層から放射されて第１基板１１を通過す
る可視光の透過光量を低減させ、表示画面の輝度を低下
させる要因となり得るので、放電維持電極全体に要求さ
れる電気抵抗値が得られる範囲内で出来る限り細く形成
することが好ましい。具体的には、バス電極１３の電極
幅は、放電維持電極１２の電極幅よりも小さく、たとえ
ば３０〜２００μｍ程度である。バス電極１３は、スパ
ッタ法や、蒸着法、スクリーン印刷法、サンドブラスト
法、メッキ法、リフトオフ法等によって形成することが
できる。The bus electrode 13 is typically a metallic material,
For example, Ag, Au, Al, Ni, Cu, Mo, Cr
It can be composed of a single layer metal film such as or a laminated film of Cr / Cu / Cr or the like. In the reflection type plasma display device, the bus electrode 13 made of such a metal material reduces the amount of visible light that is emitted from the phosphor layer and passes through the first substrate 11 to reduce the brightness of the display screen. Therefore, it is preferable to form the discharge sustaining electrode as thinly as possible within the range in which the required electric resistance value can be obtained. Specifically, the electrode width of the bus electrode 13 is smaller than the electrode width of the discharge sustaining electrode 12, and is, for example, about 30 to 200 μm. The bus electrode 13 can be formed by a sputtering method, a vapor deposition method, a screen printing method, a sandblast method, a plating method, a lift-off method, or the like.
【００２７】放電維持電極１２の表面に形成される誘電
体層１４は、たとえば、電子ビーム蒸着法やスパッタ
法、蒸着法、スクリーン印刷法等に基づき、形成されて
いることが好ましい。誘電体層１２を設けることによっ
て、放電空間４内で発生するイオンや電子が、放電維持
電極１２と直接に接触することを防止することができ
る。その結果、放電維持電極１２の磨耗を防ぐことがで
きる。誘電体層１４は、アドレス期間に発生する壁電荷
を蓄積する機能、過剰な放電電流を制限する抵抗体とし
ての機能、放電状態を維持するメモリ機能を有する。誘
電体層１４は、典型的には、低融点ガラスから構成する
ことができるが、その他の誘電体材料を用いて形成する
こともできる。The dielectric layer 14 formed on the surface of the discharge sustaining electrode 12 is preferably formed by, for example, an electron beam evaporation method, a sputtering method, an evaporation method, a screen printing method, or the like. By providing the dielectric layer 12, it is possible to prevent ions and electrons generated in the discharge space 4 from coming into direct contact with the discharge sustaining electrode 12. As a result, wear of the discharge sustaining electrode 12 can be prevented. The dielectric layer 14 has a function of accumulating wall charges generated in the address period, a function of a resistor that limits an excessive discharge current, and a memory function of maintaining a discharge state. Dielectric layer 14 can typically be constructed from low melting glass, but can also be formed using other dielectric materials.
【００２８】誘電体層１４の放電空間側表面に形成して
ある保護層１５は、イオンや電子と放電維持電極との直
接接触を防止する作用を奏する。その結果、放電維持電
極１２の磨耗を効果的に防ぐことができる。また、保護
層１５は、放電に必要な２次電子を放出する機能も有す
る。保護層１５を構成する材料として、酸化マグネシウ
ム（ＭｇＯ）、フッ化マグネシウム（ＭｇＦ２）、フッ
化カルシウム（ＣａＦ ２）を例示することができる。中
でも酸化マグネシウムは、化学的に安定であり、スパッ
タリング率が低く、蛍光体層の発光波長における光透過
率が高く、放電開始電圧が低い等の特色を有する好適な
材料である。なお、保護層１５を、これらの材料から成
る群から選択された少なくとも２種類の材料から構成さ
れた積層膜構造としてもよい。Formed on the surface of the dielectric layer 14 on the discharge space side
A certain protective layer 15 is provided between the ions and electrons and the discharge sustaining electrode.
It has the effect of preventing intimate contact. As a result,
Wear of the pole 12 can be effectively prevented. Also protection
The layer 15 also has a function of emitting secondary electrons necessary for discharging
It As a material for forming the protective layer 15, magnesium oxide is used.
(MgO), magnesium fluoride (MgF)Two),
Calcium oxide (CaF Two) Can be illustrated. During ~
But magnesium oxide is chemically stable,
Low tarring rate and light transmission at the emission wavelength of the phosphor layer
Suitable for having features such as high rate and low discharge starting voltage
It is a material. The protective layer 15 is made of these materials.
Composed of at least two materials selected from the group
It may have a laminated film structure.
【００２９】第１基板１１および第２基板２１の構成材
料として、高歪点ガラス、ソーダガラス（Ｎａ２Ｏ・Ｃ
ａＯ・ＳｉＯ２）、硼珪酸ガラス（Ｎａ２Ｏ・Ｂ２Ｏ３
・ＳｉＯ２）、フォルステライト（２ＭｇＯ・Ｓｉ
Ｏ２）、鉛ガラス（Ｎａ２Ｏ・ＰｂＯ・ＳｉＯ２）を例
示することができる。第１基板１１と第２基板２１の構
成材料は、同じであっても異なっていてもよい。As a constituent material of the first substrate 11 and the second substrate 21, high strain point glass and soda glass (Na 2 O.C) are used.
aO ・ SiO 2 ), borosilicate glass (Na 2 O ・ B 2 O 3
・ SiO 2 ), forsterite (2MgO ・ Si
O 2), can be exemplified lead glass (Na 2 O · PbO · SiO 2). The constituent materials of the first substrate 11 and the second substrate 21 may be the same or different.
【００３０】蛍光体層２５Ｒ，２５Ｇ，２５Ｂは、たと
えば、赤色を発光する蛍光体層材料、緑色を発光する蛍
光体層材料および青色を発光する蛍光体層材料から成る
群から選択された蛍光体層材料から構成され、アドレス
電極２２の上方に設けられている。プラズマ表示装置が
カラー表示の場合、具体的には、たとえば、赤色を発光
する蛍光体層材料から構成された蛍光体層（赤色蛍光体
層２５Ｒ）がアドレス電極２２の上方に設けられ、緑色
を発光する蛍光体層材料から構成された蛍光体層（緑色
蛍光体層２５Ｇ）が別のアドレス電極２２の上方に設け
られ、青色を発光する蛍光体層材料から構成された蛍光
体層（青色蛍光体層２５Ｂ）が更に別のアドレス電極２
２の上方に設けられており、これらの３原色を発光する
蛍光体層が１組となり、所定の順序に従って設けられて
いる。そして、前述したように、一対の放電維持電極１
２と、これらの３原色を発光する１組の蛍光体層２５
Ｒ，２５Ｇ，２５Ｂとが重複する領域が、１画素に相当
する。赤色蛍光体層、緑色蛍光体層および青色蛍光体層
は、ストライプ状に形成されていてもよいし、格子状に
形成されていてもよい。The phosphor layers 25R, 25G, 25B are, for example, phosphors selected from the group consisting of a phosphor layer material that emits red light, a phosphor layer material that emits green light, and a phosphor layer material that emits blue light. It is made of a layer material and is provided above the address electrode 22. When the plasma display device is a color display, specifically, for example, a phosphor layer (red phosphor layer 25R) made of a phosphor layer material that emits red light is provided above the address electrode 22 to display a green color. A phosphor layer (green phosphor layer 25G) composed of a phosphor layer material that emits light is provided above another address electrode 22, and a phosphor layer composed of a phosphor layer material that emits blue light (blue phosphor). Body layer 25B) is further address electrode 2
2 is provided above, and one set of phosphor layers that emit these three primary colors is provided in a predetermined order. Then, as described above, the pair of discharge sustaining electrodes 1
2 and a set of phosphor layers 25 that emit these three primary colors
The area where R, 25G, and 25B overlap corresponds to one pixel. The red phosphor layer, the green phosphor layer, and the blue phosphor layer may be formed in a stripe shape or a grid shape.
【００３１】蛍光体層２５Ｒ，２５Ｇ，２５Ｂを構成す
る蛍光体層材料としては、従来公知の蛍光体層材料の中
から、量子効率が高く、真空紫外線に対する飽和が少な
い蛍光体層材料を適宜選択して用いることができる。カ
ラー表示を想定した場合、色純度がＮＴＳＣで規定され
る３原色に近く、３原色を混合した際の白バランスがと
れ、残光時間が短く、３原色の残光時間がほぼ等しくな
る蛍光体層材料を組み合わせることが好ましい。As the phosphor layer material forming the phosphor layers 25R, 25G, and 25B, a phosphor layer material having high quantum efficiency and low saturation with respect to vacuum ultraviolet rays is appropriately selected from conventionally known phosphor layer materials. Can be used. In the case of color display, the color purity is close to the three primary colors specified by NTSC, the white balance is good when the three primary colors are mixed, the afterglow time is short, and the afterglow times of the three primary colors are almost equal. It is preferred to combine the layer materials.
【００３２】蛍光体層材料の具体的な例示を次に示す。
たとえば赤色に発光する蛍光体層材料として、（Ｙ２Ｏ
３：Ｅｕ），（ＹＢＯ３Ｅｕ），（ＹＶＯ４：Ｅｕ），
（Ｙ ０．９６Ｐ０．６０Ｖ０．４０Ｏ４：Ｅ
ｕ０．０４），［（Ｙ，Ｇｄ）ＢＯ３：Ｅｕ］，（Ｇｄ
ＢＯ３：Ｅｕ），（ＳｃＢＯ３：Ｅｕ），（３．５Ｍｇ
Ｏ・０．５ＭｇＦ２・ＧｅＯ２：Ｍｎ）、緑色に発光す
る蛍光体層材料として、（ＺｎＳｉＯ２：Ｍｎ），（Ｂ
ａＡ１１２Ｏ１９：Ｍｎ），（ＢａＭｇ２Ａ１１６Ｏ
２７：Ｍｎ），（ＭｇＧａ２Ｏ４：Ｍｎ），（ＹＢ
Ｏ３：Ｔｂ），（ＬｕＢＯ３：Ｔｂ），（Ｓｒ４Ｓｉ３
Ｏ８Ｃｌ４：Ｅｕ）、青色に発光する蛍光体層材料とし
て、（Ｙ２ＳｉＯ５：Ｃｅ），（ＣａＷＯ４：Ｐｂ），
ＣａＷＯ４，ＹＰ０．８５Ｖ０．１５Ｏ４，（ＢａＭｇ
Ａ１１４Ｏ２３：Ｅｕ），（Ｓｒ２Ｐ２Ｏ７：Ｅｕ），
（Ｓｒ２Ｐ２Ｏ７：Ｓｎ）などが例示される。Specific examples of the phosphor layer material are shown below.
For example, as a phosphor layer material that emits red light, (YTwoO
Three: Eu), (YBOThreeEu), (YVOFour: Eu),
(Y 0.96P0.60V0.40OFour: E
u0.04), [(Y, Gd) BOThree: Eu], (Gd
BOThree: Eu), (ScBOThree: Eu), (3.5Mg
O ・ 0.5MgFTwo・ GeOTwo: Mn), emits green light
As a phosphor layer material forTwo: Mn), (B
aA112O19: Mn), (BaMgTwoA116O
27: Mn), (MgGaTwoOFour: Mn), (YB
OThree: Tb), (LuBOThree: Tb), (SrFourSiThree
O8ClFour: Eu), as a phosphor layer material that emits blue light
, (YTwoSiO5: Ce), (CaWOFour: Pb),
CaWOFour, YP0.85V0.15OFour, (BaMg
A114O23: Eu), (SrTwoPTwoO7: Eu),
(SrTwoPTwoO7: Sn) and the like.
【００３３】蛍光体層２５Ｒ，２５Ｇ，２５Ｂの形成方
法として、厚膜印刷法、蛍光体層粒子をスプレーする方
法、蛍光体層の形成予定部位に予め粘着性物質を付けて
おき、蛍光体層粒子を付着させる方法、感光性の蛍光体
層ペーストを使用し、露光および現像によって蛍光体層
をパターニングする方法、全面に蛍光体層を形成した後
に不要部をサンドブラスト法により除去する方法を挙げ
ることができる。As a method of forming the phosphor layers 25R, 25G, 25B, a thick film printing method, a method of spraying phosphor layer particles, an adhesive substance is attached in advance to the site where the phosphor layer is to be formed, and the phosphor layer is formed. A method of attaching particles, a method of using a photosensitive phosphor layer paste, patterning the phosphor layer by exposure and development, and a method of forming a phosphor layer on the entire surface and then removing unnecessary portions by sandblasting You can
【００３４】なお、蛍光体層２５Ｒ，２５Ｇ，２５Ｂは
アドレス電極２２の上に直接形成されていてもよいし、
アドレス電極２２上から隔壁２４の側壁面上に亘って形
成されていてもよい。あるいはまた、蛍光体層２５Ｒ，
２５Ｇ，２５Ｂは、アドレス電極２２上に設けられた誘
電体膜上に形成されていてもよいし、アドレス電極２２
上に設けられた誘電体膜上から隔壁２４の側壁面上に亘
って形成されていてもよい。更には、蛍光体層２５Ｒ，
２５Ｇ，２５Ｂは、隔壁２４の側壁面上にのみ形成され
ていてもよい。誘電体膜の構成材料として、たとえば低
融点ガラスやＳｉＯ２ を挙げることができる。The phosphor layers 25R, 25G, 25B may be directly formed on the address electrode 22, or
It may be formed over the address electrode 22 and the side wall surface of the partition wall 24. Alternatively, the phosphor layer 25R,
25G and 25B may be formed on the dielectric film provided on the address electrode 22 or the address electrode 22.
It may be formed over the dielectric film provided on the sidewall surface of the partition wall 24. Furthermore, the phosphor layer 25R,
25G and 25B may be formed only on the side wall surface of the partition wall 24. Examples of the constituent material of the dielectric film include low melting point glass and SiO 2 .
【００３５】第２基板２１には、前述したように、アド
レス電極２２と平行に延びる隔壁２４（リブ）が形成さ
れている。なお、隔壁（リブ）２４は、ミアンダ構造を
有していてもよい。誘電体膜が第２基板２１およびアド
レス電極２２上に形成されている場合には、隔壁２４は
誘電体膜上に形成されている場合もある。隔壁２４の構
成材料として、従来公知の絶縁材料を使用することがで
き、たとえば広く用いられている低融点ガラスにアルミ
ナ等の金属酸化物を混合した材料を用いることができ
る。隔壁２４は、たとえば幅が５０μｍ以下程度、好ま
しくは１０〜３５μｍで、高さが３００μｍ以下、好ま
しくは１００〜２００μｍ程度である。隔壁２４のピッ
チ間隔は、たとえば５０〜４００μｍ程度、好ましくは
１５０μｍ以下である。隔壁２４の形成方法について
は、後述する。As described above, the partition walls 24 (ribs) extending in parallel with the address electrodes 22 are formed on the second substrate 21. The partition wall (rib) 24 may have a meander structure. When the dielectric film is formed on the second substrate 21 and the address electrode 22, the partition wall 24 may be formed on the dielectric film. As a constituent material of the partition wall 24, a conventionally known insulating material can be used. For example, a widely used low-melting glass mixed with a metal oxide such as alumina can be used. The partition wall 24 has a width of, for example, about 50 μm or less, preferably 10 to 35 μm, and a height of 300 μm or less, preferably about 100 to 200 μm. The pitch interval of the partition walls 24 is, for example, about 50 to 400 μm, preferably 150 μm or less. The method of forming the partition wall 24 will be described later.
【００３６】第２基板２１上に形成された一対の隔壁２
４と、一対の隔壁２４によって囲まれた領域内を占める
放電維持電極１２とアドレス電極２２と蛍光体層２５
Ｒ，２５Ｇ，２５Ｂによって１つの放電セルが構成され
る。そして、かかる放電セルの内部、より具体的には、
隔壁によって囲まれた放電空間の内部に、混合ガスから
成る放電ガスが封入されており、蛍光体層２５Ｒ，２５
Ｇ，２５Ｂは、放電空間４内の放電ガス中で生じた交流
グロー放電に基づき発生した紫外線に照射されて発光す
る。A pair of partition walls 2 formed on the second substrate 21.
4, the discharge sustaining electrode 12, the address electrode 22, and the phosphor layer 25 occupying the area surrounded by the pair of barrier ribs 24.
One discharge cell is composed of R, 25G, and 25B. And, inside such a discharge cell, more specifically,
A discharge gas composed of a mixed gas is enclosed in the discharge space surrounded by the partition walls, and the phosphor layers 25R, 25
G and 25B emit light by being irradiated with ultraviolet rays generated by the AC glow discharge generated in the discharge gas in the discharge space 4.
【００３７】プラズマ表示装置の製造方法
次に、本発明の実施形態に係るプラズマ表示装置の製造
方法について説明する。 第１パネル１０は、以下の方
法で作製することができる。まず、高歪点ガラスやソー
ダガラスから成る第１基板１１の全面にたとえばスパッ
タリング法によりＩＴＯ層を形成し、フォトリソグラフ
ィ技術およびエッチング技術によりＩＴＯ層をストライ
プ状にパターニングすることによって、一対の放電維持
電極１２を、複数、形成する。放電維持電極１２は、第
１の方向に延びている。 Manufacturing Method of Plasma Display Device Next, a manufacturing method of the plasma display device according to the embodiment of the present invention will be described. The first panel 10 can be manufactured by the following method. First, an ITO layer is formed on the entire surface of the first substrate 11 made of high strain point glass or soda glass by, for example, a sputtering method, and the ITO layer is patterned into stripes by a photolithography technique and an etching technique to maintain a pair of discharges. A plurality of electrodes 12 are formed. The discharge sustaining electrode 12 extends in the first direction.
【００３８】次に、第１基板１１の内面全面に、たとえ
ば蒸着法によりアルミニウム膜を形成し、フォトリソグ
ラフィ技術およびエッチング技術によりアルミニウム膜
をパターニングすることによって、各放電維持電極１２
の縁部に沿ってバス電極１３を形成する。その後、バス
電極１３が形成された第１基板１１の内面全面にＳｉＯ
２ から成る誘電体層１４を形成し、その上に電子ビー
ム蒸着法により厚さ０．６μｍの酸化マグネシウム（Ｍ
ｇＯ）から成る保護層１５を形成する。以上の工程によ
り第１パネル１０を完成することができる。Next, an aluminum film is formed on the entire inner surface of the first substrate 11 by, for example, a vapor deposition method, and the aluminum film is patterned by a photolithography technique and an etching technique.
The bus electrodes 13 are formed along the edges of the. Then, SiO 2 is formed on the entire inner surface of the first substrate 11 on which the bus electrodes 13 are formed.
2 is formed on the dielectric layer 14, and magnesium oxide (M) having a thickness of 0.6 μm is formed thereon by an electron beam evaporation method.
A protective layer 15 made of gO) is formed. The first panel 10 can be completed through the above steps.
【００３９】また、第２パネル２０を以下の方法で作製
する。先ず、高歪点ガラスやソーダガラスから成る第２
の基板２１上に、たとえば蒸着法によりアルミニウム膜
を形成し、フォトリソグラフィ技術およびエッチング技
術によりアルミニウム膜をパターニングすることによっ
て、アドレス電極２２を形成する。アドレス電極２２
は、第１の方向と直交する第２の方向に延びている。次
に、スクリーン印刷法により全面に低融点ガラスペース
ト層を形成し、この低融点ガラスペースト層を焼成する
ことによって誘電体膜を形成する。The second panel 20 is manufactured by the following method. First, the second one made of high strain point glass and soda glass
An address electrode 22 is formed by forming an aluminum film on the substrate 21 by, for example, a vapor deposition method, and patterning the aluminum film by a photolithography technique and an etching technique. Address electrode 22
Extend in a second direction orthogonal to the first direction. Next, a low melting point glass paste layer is formed on the entire surface by a screen printing method, and the low melting point glass paste layer is baked to form a dielectric film.
【００４０】その後、隣り合うアドレス電極２２の間の
領域の上方の誘電体膜上に、以下の方法で、微細なスト
ライプパターンの隔壁２４を形成する。まず、図２に示
すステップＳ１において、たとえばスクリーン印刷法ま
たは各種コーター法により低融点ガラスペーストを所定
厚さに塗布し、図３（Ａ）に示すように、第２基板２１
の表面に隔壁層２４ａを形成する。なお、隔壁層２４ａ
を形成するための低融点ガラスペーストを構成する各種
フリットの粒子径は、得ようとする図３（Ｃ）に示す隔
壁幅Ｗ１の１／５以下とする。Thereafter, the partition wall 24 having a fine stripe pattern is formed on the dielectric film above the region between the adjacent address electrodes 22 by the following method. First, in step S1 shown in FIG. 2, a low melting point glass paste is applied to a predetermined thickness by, for example, a screen printing method or various coater methods, and as shown in FIG.
A partition layer 24a is formed on the surface of the. The partition layer 24a
The particle size of various frits forming the low-melting-point glass paste for forming the is set to be ⅕ or less of the partition wall width W1 shown in FIG. 3C to be obtained.
【００４１】次に、図２に示すステップＳ２において、
隔壁層２４ａが形成された第２基板２１を数分間自然放
置（キュアリング）した後、乾燥炉にて乾燥させ、隔壁
層２４ａ内の溶剤成分を取り除く。乾燥後の隔壁層２４
ａの厚みは、３００μｍ以下である。なお、図３では、
図１に示すアドレス電極２２などの図示は省略してあ
る。Next, in step S2 shown in FIG.
The second substrate 21 on which the partition layer 24a is formed is naturally left (cured) for several minutes and then dried in a drying oven to remove the solvent component in the partition layer 24a. Partition layer 24 after drying
The thickness of a is 300 μm or less. In addition, in FIG.
Illustration of the address electrodes 22 and the like shown in FIG. 1 is omitted.
【００４２】次に、図２に示すステップＳ３において、
図３（Ａ）に示すように、乾燥後に温まった状態の隔壁
層２４ａの表面に、ラミネータなどを用いて、感光性ド
ライフィルムレジスト膜３０をラミネートする。このレ
ジスト膜３０の膜厚Ｔ１は、得ようとする隔壁２４の隔
壁幅Ｗ１（図３（Ｃ）参照）の１．２倍以下の厚みであ
る。感光性ドライフィルムレジスト膜３０は、たとえば
感光性ペースト層をＰＥＴフィルムで挟み込んだ積層構
造を有する。Next, in step S3 shown in FIG.
As shown in FIG. 3A, a photosensitive dry film resist film 30 is laminated on the surface of the partition wall layer 24a that has been heated after drying, using a laminator or the like. The film thickness T1 of the resist film 30 is 1.2 times or less the partition wall width W1 (see FIG. 3C) of the partition wall 24 to be obtained. The photosensitive dry film resist film 30 has, for example, a laminated structure in which a photosensitive paste layer is sandwiched between PET films.
【００４３】図２に示すステップＳ４において、所定形
状にパターン化されたフォトマスクを用いて、レジスト
膜３０の露光を行う。次に、図２に示すステップＳ５に
おいて、所定形状パターンに露光された第２基板２１を
アルカリ性水溶液で現像し、未露光部分のレジストを除
去して所定の隔壁形状のレジストパターンを得る。その
状態を図３（Ｂ）に示す。In step S4 shown in FIG. 2, the resist film 30 is exposed using a photomask patterned into a predetermined shape. Next, in step S5 shown in FIG. 2, the second substrate 21 exposed to the predetermined pattern is developed with an alkaline aqueous solution to remove the resist in the unexposed portion to obtain a predetermined partition-shaped resist pattern. The state is shown in FIG.
【００４４】その後、図２に示すステップＳ６におい
て、サンドブラスト法（噴射加工法の１種）により研磨
剤を噴射して、レジスト３０が除去された部分の隔壁層
２４ａを切削除去することによって所定パターンの隔壁
２４を形成する。その状態を図３（Ｃ）に示す。After that, in step S6 shown in FIG. 2, a sandblasting method (a kind of jetting method) is used to spray an abrasive to remove the partition wall layer 24a in the portion where the resist 30 has been removed, thereby forming a predetermined pattern. The partition wall 24 is formed. The state is shown in FIG.
【００４５】本実施形態では、研磨剤としては、表面が
シリコン系化合物でコーティングしてある粉体から成る
研磨剤を用いる。本実施形態では、研磨剤を構成する各
粒子が、図４および図５または図８および図９に示すよ
うに、サイズが異なる四角形以上の多角形状を持つ多角
形状層が積層された立体形状を持つ。また、研磨剤の最
大粒子径は、隔壁２４の隔壁幅Ｗ１の１／２以下であ
り、研磨剤の平均粒子径が、隔壁２４の隔壁幅Ｗ１の１
／５以下である。しかも、研磨剤の最大粒子径は、１０
μｍ以下である。In this embodiment, as the polishing agent, a polishing agent made of powder whose surface is coated with a silicon compound is used. In the present embodiment, each particle constituting the abrasive has a three-dimensional shape in which polygon layers each having a polygon shape of a quadrangle or more having different sizes are stacked, as shown in FIGS. 4 and 5 or 8 and 9. To have. Further, the maximum particle diameter of the polishing agent is 1/2 or less of the partition wall width W1 of the partition wall 24, and the average particle diameter of the polishing agent is 1 of the partition wall width W1 of the partition wall 24.
/ 5 or less. Moreover, the maximum particle size of the abrasive is 10
μm or less.
【００４６】その後、図２に示すステップＳ７におい
て、サンドブラストによって除去されなかったレジスト
３０を水酸化ナトリウムあるいは炭酸ナトリウムなどの
アルカリ性水溶液或いはレジスト専用剥離液を用いて剥
離をする。その後、所定温度で焼成することにより所望
の微細パターンの隔壁２４が形成される。この時の焼成
（隔壁焼成工程）は、空気中で行い、焼成温度は、５６
０°Ｃ程度であり、１０分間保持する。Then, in step S7 shown in FIG. 2, the resist 30 which has not been removed by sandblasting is peeled off using an alkaline aqueous solution such as sodium hydroxide or sodium carbonate or a resist-dedicated peeling liquid. After that, the partition walls 24 having a desired fine pattern are formed by firing at a predetermined temperature. The firing (partition wall firing step) at this time is performed in air, and the firing temperature is 56.
The temperature is about 0 ° C., and is held for 10 minutes.
【００４７】なお、隔壁２４を黒くすることにより、い
わゆるブラック・マトリックスを形成し、表示画面の高
コントラスト化を図ることができる。隔壁２４を黒くす
る方法として、黒色顔料を添加した低融点ガラスペース
ト材料を用いて隔壁を形成する方法を例示することがで
きる。By making the partition wall 24 black, a so-called black matrix can be formed and a high contrast of the display screen can be achieved. As a method of blackening the partition wall 24, a method of forming the partition wall using a low melting point glass paste material to which a black pigment is added can be exemplified.
【００４８】次に、第２基板２１に形成された隔壁２４
の間に３原色の蛍光体層スラリーを順次印刷する。その
後、この第２基板２１を、焼成炉内で焼成し、隔壁２４
の間の誘電体膜上から隔壁２４の側壁面上に亘って、蛍
光体層２５Ｒ，２５Ｇ，２５Ｂを形成する。その時の焼
成（蛍光体焼成工程）は、空気中で行い、焼成温度は、
５１０°Ｃ程度である。焼成時間は、１０分程度であ
る。Next, the partition wall 24 formed on the second substrate 21.
In the meantime, three primary color phosphor layer slurries are sequentially printed. Then, the second substrate 21 is baked in a baking furnace to form the partition wall 24.
Phosphor layers 25R, 25G, and 25B are formed on the dielectric film between and on the side wall surface of the partition wall 24. The firing (phosphor firing step) at that time is performed in air, and the firing temperature is
It is about 510 ° C. The firing time is about 10 minutes.
【００４９】次に、プラズマ表示装置の組み立てを行
う。即ち、先ず、たとえばスクリーン印刷により、第２
パネル２０の周縁部にシール層を形成する。次に、図１
に示すように、第１パネル１０と第２パネル２０とを貼
り合わせ、焼成してシール層を硬化させる。その後、第
１パネル１０と第２パネル２０との間に形成された空間
を排気した後、放電ガスを封入し、かかる空間を封止
し、プラズマ表示装置２を完成させる。Next, the plasma display device is assembled. That is, first, for example, by screen printing, the second
A sealing layer is formed on the peripheral portion of the panel 20. Next, FIG.
As shown in, the first panel 10 and the second panel 20 are bonded together and fired to cure the seal layer. After that, the space formed between the first panel 10 and the second panel 20 is evacuated, then the discharge gas is filled, and the space is sealed to complete the plasma display device 2.
【００５０】かかる構成を有するプラズマ表示装置の交
流グロー放電動作の一例を説明する。先ず、たとえば、
全ての一方の放電維持電極１２に、放電開始電圧Ｖｂｄ
よりも高いパネル電圧を短時間印加する。これによって
グロー放電が生じ、一方の放電維持電極の近傍の誘電体
層１４の表面に誘電分極に起因して壁電荷が発生し、壁
電荷が蓄積し、見掛けの放電開始電圧が低下する。その
後、アドレス電極２２に電圧を印加しながら、表示をさ
せない放電セルに含まれる一方の放電維持電極１２に電
圧を印加することによって、アドレス電極２２と一方の
放電維持電極１２との間にグロー放電を生じさせ、蓄積
された壁電荷を消去する。この消去放電を各アドレス電
極２２において順次実行する。一方、表示をさせる放電
セルに含まれる一方の放電維持電極には電圧を印加しな
い。これによって、壁電荷の蓄積を維持する。その後、
全ての一対の放電維持電極１２間に所定のパルス電圧を
印加することによって、壁電荷が蓄積されていたセルに
おいては一対の放電維持電極１２の間でグロー放電が開
始し、放電セルにおいては、放電空間内における放電ガ
ス中でのグロー放電に基づき発生した真空紫外線の照射
によって励起された蛍光体層が、蛍光体層材料の種類に
応じた特有の発光色を呈する。なお、一方の放電維持電
極と他方の放電維持電極に印加される放電維持電圧の位
相は半周期ずれており、電極の極性は交流の周波数に応
じて反転する。An example of the AC glow discharge operation of the plasma display device having such a configuration will be described. First, for example,
The discharge start voltage Vbd is applied to all one of the sustaining electrodes 12.
A higher panel voltage is applied for a short time. This causes glow discharge, wall charges are generated on the surface of the dielectric layer 14 near one of the discharge sustaining electrodes due to dielectric polarization, the wall charges are accumulated, and the apparent discharge start voltage is lowered. Thereafter, while applying a voltage to the address electrode 22, a voltage is applied to one of the discharge sustaining electrodes 12 included in the discharge cell which is not displayed, whereby a glow discharge is generated between the address electrode 22 and the one sustaining electrode 12. And the accumulated wall charges are erased. This erase discharge is sequentially executed at each address electrode 22. On the other hand, no voltage is applied to one of the sustain electrodes included in the discharge cell for displaying. This maintains the accumulation of wall charges. afterwards,
By applying a predetermined pulse voltage between all the pair of discharge sustaining electrodes 12, glow discharge starts between the pair of discharge sustaining electrodes 12 in the cell in which the wall charges are accumulated, and in the discharge cell, The phosphor layer excited by the irradiation of the vacuum ultraviolet rays generated by the glow discharge in the discharge gas in the discharge space exhibits a unique emission color according to the type of the phosphor layer material. Note that the phases of the discharge sustaining voltages applied to the one discharge sustaining electrode and the other discharge sustaining electrode are shifted by a half cycle, and the polarities of the electrodes are inverted according to the alternating current frequency.
【００５１】本実施形態に係る隔壁２４の形成方法およ
び平面表示装置２の製造方法によれば、次に示す作用を
奏する。すなわち、隔壁２４を形成する際に用いる研磨
剤として、炭酸カルシウムの表面をシリコン系化合物で
コーティングしてある研磨剤を用いており、その研磨剤
が、撥水性と流動性に優れていることから、隔壁２４を
所定の微細パターンで形成する際に、隔壁２４または溝
内へ研磨剤が付着して残ることを有効に防止し、きれい
に取り除くことができる。According to the method of forming the partition wall 24 and the method of manufacturing the flat panel display device 2 according to this embodiment, the following actions are exhibited. That is, as the polishing agent used when forming the partition walls 24, the polishing agent in which the surface of calcium carbonate is coated with a silicon-based compound is used, and the polishing agent is excellent in water repellency and fluidity. When the partition wall 24 is formed in a predetermined fine pattern, it is possible to effectively prevent the polishing agent from adhering and remaining inside the partition wall 24 or the groove, and remove it cleanly.
【００５２】また、本実施形態では、研磨剤を構成する
各粒子を、サイズが異なる四角形以上の多角形状を持つ
多角形状層が積層された立体形状としてあることから、
平均粒子径を小さくしても研削効率が良く、かつ精度良
く微細パターンの隔壁２４を形成することができる。Further, in the present embodiment, since each particle constituting the abrasive has a three-dimensional shape in which polygonal layers having different polygonal shapes of quadrangle or more having different sizes are laminated,
Even if the average particle size is reduced, the partition walls 24 having a fine pattern can be formed with good grinding efficiency and high accuracy.
【００５３】さらに、研磨剤の最大粒子径を、隔壁２４
の隔壁幅Ｗ１の１／２以下とし、その平均粒子径を、隔
壁２４の隔壁幅Ｗ１の１／５以下とすることで、微細ピ
ッチで微細幅の隔壁２４を、その形状を損なうことなく
加工することができる。特に、研磨剤の最大粒子径を、
１０μｍ以下とすることで、微細ピッチで微細幅の隔壁
２４を、その形状を損なうことなく加工することができ
る。Further, the maximum particle size of the abrasive is determined by the partition wall 24.
The partition wall width W1 of ½ or less and the average particle diameter thereof is ⅕ or less of the partition wall width W1 of the partition wall 24 to process the partition wall 24 having a fine pitch and a fine width without impairing its shape. can do. In particular, the maximum particle size of the abrasive is
When the thickness is 10 μm or less, the partition walls 24 having a fine pitch and a fine width can be processed without damaging the shape thereof.
【００５４】本実施形態の方法により形成される微細隔
壁の隔壁間ピッチＰ１としては、特に限定されないが、
１５０μｍ以下のピッチが可能であり、しかも、隔壁２
４の隔壁幅Ｗ１は、５０μｍ以下が可能であり、隔壁高
さＨ１としては、３００μｍ以下が可能である。The pitch P1 between the partition walls of the fine partition walls formed by the method of this embodiment is not particularly limited,
A pitch of 150 μm or less is possible, and the partition wall 2
The partition wall width W1 of No. 4 can be 50 μm or less, and the partition wall height H1 can be 300 μm or less.
【００５５】しかも本実施形態では、隔壁２４を形成す
るために用いられるレジスト層３０の厚みを、隔壁幅Ｗ
１の１．２倍以下の厚みとしてあるので、ハガレ、倒
れ、うねりのない微細巾のパターンが形成でき、また、
低融点ガラスペーストから成る隔壁層２４ａとの密着性
が確実なものとなり、微細なピッチおよび隔壁幅を持つ
隔壁２４の形成が容易になる。Moreover, in this embodiment, the thickness of the resist layer 30 used to form the partition wall 24 is set to be the partition wall width W.
Since the thickness is 1.2 times or less than 1, it is possible to form a fine width pattern without peeling, falling, or waviness.
Adhesion with the partition layer 24a made of a low melting point glass paste is ensured, and the partition 24 having a fine pitch and partition width is easily formed.
【００５６】さらに、隔壁２４を形成するための低融点
ガラスペーストを構成する各種フリットの粒子径を、隔
壁２４の隔壁幅Ｗ１の１／５以下としてあるので、微細
で安定した形状の隔壁２４を形成することができる。Further, since the particle size of various frit forming the low melting point glass paste for forming the partition wall 24 is set to 1/5 or less of the partition wall width W1 of the partition wall 24, the partition wall 24 having a fine and stable shape is obtained. Can be formed.
【００５７】その他の実施形態
なお、本発明は、上述した実施形態に限定されるもので
はなく、本発明の範囲内で種々に改変することができ
る。 Other Embodiments The present invention is not limited to the above-mentioned embodiments, but can be variously modified within the scope of the present invention.
【００５８】たとえば、本発明では、プラズマ表示装置
の具体的な構造は、図１に示す実施形態に限定されず、
その他の構造であっても良い。たとえば図１に示す実施
形態では、いわゆる３電極型のプラズマ表示装置を例示
したが、本発明のプラズマ表示装置は、いわゆる２電極
のプラズマ表示装置であっても良い。この場合には、一
対の放電維持電極の一方を第１基板に形成し、他方を第
２基板に形成する構成となる。また、一方の放電維持電
極の射影像は第１の方向に延び、他方の放電維持電極の
射影像は、第１の方向とは異なる第２の方向（好ましく
は第１の方向と略垂直）に延び、一対の放電維持電極が
対面するごとく対向して配置されている。２電極型のプ
ラズマ表示装置にあっては、必要に応じて、上述した実
施形態の説明における「アドレス電極」を「他方の放電
維持電極」と読み替えればよい。For example, in the present invention, the specific structure of the plasma display device is not limited to the embodiment shown in FIG.
Other structures may be used. For example, in the embodiment shown in FIG. 1, a so-called three-electrode type plasma display device is illustrated, but the plasma display device of the present invention may be a so-called two-electrode plasma display device. In this case, one of the pair of discharge sustaining electrodes is formed on the first substrate and the other is formed on the second substrate. Further, the projected image of one of the discharge sustaining electrodes extends in the first direction, and the projected image of the other discharge sustaining electrode is in a second direction different from the first direction (preferably substantially perpendicular to the first direction). And a pair of discharge sustaining electrodes are arranged so as to face each other. In the two-electrode type plasma display device, the “address electrode” in the above description of the embodiment may be read as “the other discharge sustaining electrode” as necessary.
【００５９】また、上述した実施形態のプラズマ表示装
置は、第１パネル１０が表示パネル側となり、いわゆる
反射型のプラズマ表示装置であるが、本発明のプラズマ
表示装置は、いわゆる透過型のプラズマ表示装置であっ
ても良い。ただし、透過型のプラズマ表示装置では、蛍
光体層の発光は第２パネル２０を通して観察されるの
で、放電維持電極を構成する導電性材料に関して透明／
不透明の別は問わないが、アドレス電極２２を第２基板
２１上に設けるので、アドレス電極は透明である必要が
ある。In the plasma display device of the above-described embodiment, the first panel 10 is on the display panel side and is a so-called reflection type plasma display device. However, the plasma display device of the present invention is a so-called transmission type plasma display device. It may be a device. However, in the transmissive plasma display device, since the light emission of the phosphor layer is observed through the second panel 20, the conductive material forming the discharge sustaining electrode is transparent /
It does not matter whether it is opaque or not, but since the address electrode 22 is provided on the second substrate 21, the address electrode needs to be transparent.
【００６０】また、本発明に係る微細隔壁の形成方法
は、上述した構成のプラズマ表示装置とは別の構成の平
面表示装置に用いられる微細隔壁を形成する場合にも適
用することができる。その場合において、微細隔壁のパ
ターンは、ストライプ状に限定されず、矩形波状、ワッ
フル状、ミアンダ状など、その他の各種形状であっても
良い。The method of forming fine barrier ribs according to the present invention can also be applied to the case of forming fine barrier ribs used in a flat panel display device having a different structure from the plasma display device having the above structure. In that case, the pattern of the fine partition walls is not limited to the stripe shape, and may be various other shapes such as a rectangular wave shape, a waffle shape, and a meander shape.
【００６１】[0061]
【実施例】以下、本発明を、さらに詳細な実施例に基づ
き説明するが、本発明は、これら実施例に限定されな
い。EXAMPLES The present invention will be described below based on more detailed examples, but the present invention is not limited to these examples.
【００６２】実施例１
まず、高歪点ガラスやソーダガラスから成る第２基板２
１上に、平均粒径４μｍ以下の低融点ガラスペースト
を、スクリーン印刷法にて所定高さが得られるようにベ
タ印刷し、図３（Ａ）に示すように、隔壁層２４ａを形
成した。 Example 1 First, the second substrate 2 made of high strain point glass or soda glass
A low-melting-point glass paste having an average particle size of 4 μm or less was solid-printed on No. 1 by a screen printing method so as to obtain a predetermined height, and a partition layer 24a was formed as shown in FIG. 3 (A).
【００６３】次に、この第２基板２１を、５分間自然放
置（キュアリング）させた後、１２０℃で乾燥させペー
スト内の溶剤分を取り除いた。その後、基板２１は８０
℃に保温しておいた。Next, the second substrate 21 was left to stand for 5 minutes (curing) and then dried at 120 ° C. to remove the solvent component in the paste. After that, the substrate 21 is 80
It was kept warm at ℃.
【００６４】次に、フィルム厚さ２０μｍの感光性ドラ
イフィルムレジスト膜３０を、隔壁層２４ａの表面にラ
ミネータを用いてラミネートした。次に、ピッチ９０μ
ｍおよび隔壁幅２０μｍにパターン化されたネガタイプ
のフォトマスクを用いて、レジスト膜３０の露光を行っ
た。次に、図３（Ｂ）に示すように、所定形状に露光さ
れたレジスト３０が形成された基板２１を、０．２％炭
酸ナトリウム水溶液を用いて現像し、所定の隔壁パター
ンを形成した。Next, a photosensitive dry film resist film 30 having a film thickness of 20 μm was laminated on the surface of the partition layer 24a using a laminator. Next, pitch 90μ
The resist film 30 was exposed using a negative type photomask patterned to have a width of m and a partition wall width of 20 μm. Next, as shown in FIG. 3B, the substrate 21 on which the resist 30 exposed in a predetermined shape was formed was developed using a 0.2% sodium carbonate aqueous solution to form a predetermined partition pattern.
【００６５】次に、サンドブラスト法により、平均粒子
径が３μｍであり、表面をシリコン系化合物でコーティ
ングした炭酸カルシウムの研磨剤（ミサキＳＨＥ−１／
図４および図５に示す）で噴射加工を行い、図３（Ｃ）
に示すように、微細ストライプ状パターンの隔壁２４を
形成した。なお、研磨剤の主成分材料である炭酸カルシ
ウムのモース硬度は、５以下であった。次に、残された
レジスト膜３０を、２．５％水酸化ナトリウム水溶液に
て剥離処理を行った。このようにして、図６および図７
に示すように、ピッチ９０μｍ、隔壁幅２０μｍ、隔壁
高さ１８７μｍ（焼成前）の微細隔壁が得られた。Next, by a sand blast method, a calcium carbonate abrasive having an average particle diameter of 3 μm and a surface coated with a silicon compound (Misaki SHE-1 /
4 (shown in FIG. 4 and FIG. 5).
As shown in, the partition walls 24 having a fine stripe pattern were formed. The Mohs hardness of calcium carbonate, which is the main material of the abrasive, was 5 or less. Next, the remaining resist film 30 was stripped with a 2.5% aqueous sodium hydroxide solution. In this way, FIG. 6 and FIG.
As shown in (1), fine partition walls having a pitch of 90 μm, partition wall width of 20 μm, and partition wall height of 187 μm (before firing) were obtained.
【００６６】実施例２
フィルム厚さ１６μｍの感光性ドライフィルムレジスト
膜３０を使用し、ピッチ７８μｍおよび隔壁幅２０μｍ
にパターン化されたネガタイプのフォトマスクを用い
て、レジスト膜３０の露光を行い、図８および図９に示
すように、表面をシリコン系化合物でコーティングした
炭酸カルシウムの研磨剤（ミサキ＃ＲＣ−１）で噴射加
工を行った以外は、前記実施例１と同様にして、微細隔
壁を形成した。 Example 2 Using a photosensitive dry film resist film 30 having a film thickness of 16 μm, a pitch of 78 μm and a partition wall width of 20 μm
The resist film 30 was exposed using a negative type photomask patterned as described above, and as shown in FIGS. 8 and 9, a calcium carbonate abrasive (Misaki # RC-1 whose surface was coated with a silicon-based compound) was used. ) The fine partition walls were formed in the same manner as in Example 1 except that the jetting was performed.
【００６７】その結果、図１０および図１１に示すよう
に、ピッチ７８μｍ、隔壁幅２０μｍ、隔壁高さ１７８
μｍ（焼成前）の微細隔壁が得られた。実施例３
表面をシリコン系化合物でコーティングした炭酸カルシ
ウムの研磨剤（ミサキＳＨＥ−１／図４および図５に示
す）の代わりに、牡蛎殻などの貝殻、骨材、卵の殻など
を粉砕したもの、あるいは粉砕して焼成したもの、ある
いはＳｒＳＯ４ （天青石Celestite）、ＣａＦ２ （螢
石Fluorite）、あるいはこれらの混合物などを、シリコ
ン系化合物でコーティングした研磨剤を用いた以外は、
実施例１と同様にして、微細隔壁を形成した。実施例１
または２と同様な微細隔壁が得られることが確認でき
た。実施例４
表面をシリコン系化合物でコーティングした炭酸カルシ
ウムの研磨剤（ミサキＳＨＥ−１／図４および図５に示
す）の代わりに、表面をシリコーン、水酸化ケイ素、ま
たはシリカでコーティングした研磨剤を用いた以外は、
実施例１と同様にして、微細隔壁を形成した。実施例１
または２と同様な微細隔壁が得られることが確認でき
た。As a result, as shown in FIG. 10 and FIG.
, Pitch 78 μm, partition wall width 20 μm, partition wall height 178
A fine partition wall of μm (before firing) was obtained.Example 3
Calcium carbonate whose surface is coated with silicon compounds
Um abrasive (Misaki SHE-1 / shown in Figures 4 and 5
) Instead of oyster shells, aggregates, egg shells, etc.
Crushed or crushed and baked,
Iha SrSOFour (Temaseishi Celestite), CaFTwo(Tsubasa
Stone Fluorite), or a mixture of these,
With the exception of using abrasives coated with
Fine partition walls were formed in the same manner as in Example 1. Example 1
Or it can be confirmed that a fine partition wall similar to 2 can be obtained.
It wasExample 4
Calcium carbonate whose surface is coated with silicon compounds
Um abrasive (Misaki SHE-1 / shown in Figures 4 and 5
Instead of silicone, silicon hydroxide, or
Or using a silica coated abrasive,
Fine partition walls were formed in the same manner as in Example 1. Example 1
Or it can be confirmed that a fine partition wall similar to 2 can be obtained.
It was
【００６８】[0068]
【発明の効果】以上説明してきたように、本発明によれ
ば、噴射加工法を用いて、安定した形状の微細隔壁を、
良好な加工精度で、しかも高い研削効率で形成すること
ができる微細隔壁の形成方法と、その方法を応用した平
面表示装置の製造方法と、それらの方法に用いられる噴
射加工用研磨剤を提供することができる。As described above, according to the present invention, a stable microfine partition wall can be formed by using the jet processing method.
Provided are a method for forming fine partition walls that can be formed with good processing accuracy and high grinding efficiency, a method for manufacturing a flat display device to which the method is applied, and an abrasive for jet processing used in those methods. be able to.
【図１】 図１は本発明の一実施形態に係る平面表示装
置の要部断面図である。FIG. 1 is a cross-sectional view of a main part of a flat panel display device according to an embodiment of the present invention.
【図２】 図２は図１に示す平面表示装置の隔壁形成プ
ロセスを示すフローチャートである。FIG. 2 is a flowchart showing a partition wall forming process of the flat panel display shown in FIG.
【図３】 図３（Ａ）〜図３（Ｃ）は隔壁形成プロセス
を示す部断面図である。FIG. 3A to FIG. 3C are partial cross-sectional views showing a partition wall forming process.
【図４】 図４は本発明の一実施例に係る噴射加工で用
いる研磨剤の顕微鏡写真である。FIG. 4 is a micrograph of an abrasive used in jet processing according to an embodiment of the present invention.
【図５】 図５は図４と拡大倍率が異なる顕微鏡写真で
ある。FIG. 5 is a micrograph with a magnification different from that in FIG.
【図６】 図６は図４および図５に示す研磨剤を用いた
噴射加工により加工された微細隔壁の顕微鏡写真であ
る。FIG. 6 is a micrograph of fine partition walls processed by jet processing using the abrasive shown in FIGS. 4 and 5.
【図７】 図７は図６と拡大倍率が異なる顕微鏡写真で
ある。FIG. 7 is a micrograph with a magnification different from that in FIG.
【図８】 図８は本発明の他の実施例に係る噴射加工で
用いる研磨剤の顕微鏡写真である。FIG. 8 is a micrograph of an abrasive used in jet processing according to another embodiment of the present invention.
【図９】 図９は図８と拡大倍率が異なる顕微鏡写真で
ある。FIG. 9 is a micrograph with a magnification different from that in FIG.
【図１０】 図１０は図８および図９に示す研磨剤を用
いた噴射加工により加工された微細隔壁の顕微鏡写真で
ある。FIG. 10 is a micrograph of fine partition walls processed by jet processing using the abrasive shown in FIGS. 8 and 9.
【図１１】 図１１は図１０と拡大倍率が異なる顕微鏡
写真である。FIG. 11 is a micrograph showing a magnification different from that in FIG.
２… プラズマ表示装置 ４… 放電空間 １０… 第１パネル １１… 第１基板 １２… 放電維持電極 １３… バス電極 １４… 誘電体層 １５… 保護層 ２０… 第２パネル ２１… 第２基板 ２２… アドレス電極 ２４… 隔壁 ２４ａ… 隔壁層 ２５Ｒ，２５Ｇ，２５Ｂ… 蛍光体層 ３０… 感光性ドライフィルムレジスト膜 2 ... Plasma display device 4 ... Discharge space 10 ... First panel 11 ... First substrate 12 ... Discharge sustaining electrode 13 ... Bus electrode 14 ... Dielectric layer 15 ... Protective layer 20 ... Second panel 21 ... Second substrate 22 ... Address electrode 24 ... Partition wall 24a ... Partition layer 25R, 25G, 25B ... Phosphor layer 30 ... Photosensitive dry film resist film
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 木村 友廣 東京都品川区北品川６丁目７番35号 ソニ ー株式会社内 (72)発明者 川口 英広 東京都品川区北品川６丁目７番35号 ソニ ー株式会社内 Ｆターム(参考） 5C027 AA09 5C040 FA01 GF18 GF19 JA17 KA09 KA10 MA23 MA24 MA26 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continued front page (72) Inventor Tomohiro Kimura 6-735 Kita-Shinagawa, Shinagawa-ku, Tokyo Soni -Inside the corporation (72) Inventor Hidehiro Kawaguchi 6-735 Kita-Shinagawa, Shinagawa-ku, Tokyo Soni -Inside the corporation F-term (reference) 5C027 AA09 5C040 FA01 GF18 GF19 JA17 KA09 KA10 MA23 MA24 MA26
Claims (22)
表面がシリコン系化合物でコーティングしてある粉体か
ら成る研磨剤を用いて噴射加工することを特徴とする微
細隔壁の形成方法。1. When forming fine partition walls on the surface of a substrate,
A method for forming fine partition walls, which comprises performing spray processing using an abrasive made of powder whose surface is coated with a silicon compound.
が異なる三角形以上の多角形状を持つ多角形状層が積層
された立体形状を持つことを特徴とする請求項１に記載
の微細隔壁の形成方法。2. The fine partition wall according to claim 1, wherein each of the particles constituting the abrasive has a three-dimensional shape in which polygonal layers each having a polygonal shape of a triangle or more different in size are stacked. Forming method.
壁の隔壁幅の１／２以下であり、前記研磨剤の平均粒子
径が、前記微細隔壁の隔壁幅の１／５以下であることを
特徴とする請求項１または２に記載の微細隔壁の形成方
法。3. The maximum particle size of the abrasive is 1/2 or less of the partition width of the fine partition, and the average particle size of the abrasive is 1/5 or less of the partition width of the fine partition. The method for forming fine partition walls according to claim 1 or 2, characterized in that.
下であることを特徴とする請求項３に記載の微細隔壁の
形成方法。4. The method for forming fine partition walls according to claim 3, wherein the maximum particle diameter of the abrasive is 10 μm or less.
ｍ以下であり、前記微細隔壁の隔壁幅が５０μｍ以下で
あり、前記微細隔壁の高さが３００μｍ以下であること
を特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の微細隔壁
の形成方法。5. The pitch between the partition walls of the fine partition walls is 150 μm.
5. The method for forming fine barrier ribs according to claim 1, wherein the fine barrier rib has a barrier rib width of 50 μm or less and the fine barrier rib has a height of 300 μm or less.
ために用いられるレジスト層の厚みが、前記微細隔壁の
隔壁幅の１．２倍以下の厚みであることを特徴とする請
求項１〜５のいずれかに記載の微細隔壁の形成方法。6. The thickness of the resist layer used for forming the fine barrier ribs having a predetermined pattern is 1.2 times or less the barrier rib width of the fine barrier ribs. The method for forming fine partition walls according to any one of 1.
ラスペーストを構成する各種フリットの粒子径が、前記
微細隔壁の隔壁幅の１／５以下であることを特徴とする
請求項１〜６のいずれかに記載の微細隔壁の形成方法。7. The particle size of various frit forming the low melting point glass paste for forming the fine partition is 1/5 or less of the partition width of the fine partition. The method for forming fine partition walls according to any one of 1.
前記第１パネルおよび第２パネルの間に、放電空間が形
成してあるプラズマ平面表示装置を製造する方法であっ
て、 前記第２パネルを構成する第２基板の表面に、前記放電
空間を仕切るための隔壁を形成する際に、表面がシリコ
ン系化合物でコーティングしてある粉体から成る研磨剤
を用いて噴射加工することを特徴とする平面表示装置の
製造方法。8. A first panel and a second panel are provided,
A method of manufacturing a plasma flat panel display device in which a discharge space is formed between the first panel and the second panel, wherein the discharge space is partitioned on a surface of a second substrate which constitutes the second panel. A method for manufacturing a flat panel display device, characterized in that, when forming the barrier ribs, the surface of the flat display device is jet-processed by using an abrasive made of powder whose surface is coated with a silicon compound.
が異なる三角形以上の多角形状を持つ多角形状層が積層
された立体形状を持つことを特徴とする請求項８に記載
の平面表示装置の製造方法。9. The flat panel display device according to claim 8, wherein each of the particles constituting the abrasive has a three-dimensional shape in which polygon layers each having a polygon shape of a triangle or more having different sizes are stacked. Manufacturing method.
隔壁の隔壁幅の１／２以下であり、前記研磨剤の平均粒
子径が、前記微細隔壁の隔壁幅の１／５以下であること
を特徴とする請求項８または９に記載の平面表示装置の
製造方法。10. The maximum particle size of the abrasive is 1/2 or less of the partition width of the fine partition, and the average particle size of the abrasive is 1/5 or less of the partition width of the fine partition. The method for manufacturing a flat panel display device according to claim 8 or 9, wherein
以下であることを特徴とする請求項１０に記載の平面表
示装置の製造方法。11. The maximum particle size of the abrasive is 10 μm.
The method for manufacturing a flat panel display device according to claim 10, wherein:
μｍ以下であり、前記微細隔壁の隔壁幅が５０μｍ以下
であり、前記微細隔壁の高さが３００μｍ以下であるこ
とを特徴とする請求項８〜１１のいずれかに記載の平面
表示装置の製造方法。12. The pitch between the partition walls of the fine partition walls is 150.
12. The method for manufacturing a flat panel display device according to claim 8, wherein the fine barrier ribs have a barrier rib width of 50 μm or less, and the fine barrier ribs have a height of 300 μm or less. .
るために用いられるレジスト層の厚みが、前記微細隔壁
の隔壁幅の１．２倍以下の厚みであることを特徴とする
請求項８〜１２のいずれかに記載の平面表示装置の製造
方法。13. The thickness of the resist layer used for forming the fine barrier ribs having a predetermined pattern is 1.2 times or less the barrier rib width of the fine barrier ribs. A method for manufacturing a flat panel display device according to any one of 1.
ガラスペーストを構成する各種フリットの粒子径が、前
記微細隔壁の隔壁幅の１／５以下であることを特徴とす
る請求項８〜１３のいずれかに記載の平面表示装置の製
造方法。14. The particle size of various frit forming the low melting point glass paste for forming the fine partition is ⅕ or less of the partition width of the fine partition. A method for manufacturing a flat panel display device according to any one of 1.
グしてある粉体から成る噴射加工用研磨剤であって、 前記研磨剤を構成する各粒子が、サイズが異なる三角形
以上の多角形状を持つ多角形状層が積層された立体形状
を持つことを特徴とする噴射加工用研磨剤。15. An abrasive for jet processing, comprising a powder whose surface is coated with a silicon-based compound, wherein each particle constituting the abrasive has a polygonal shape having a triangular shape or more of different sizes. An abrasive for jet processing, which has a three-dimensional shape in which layers are laminated.
以下であることを特徴とする請求項１５に記載の噴射加
工用研磨剤。16. The maximum particle size of the abrasive is 10 μm.
It is the following, The abrasive for jet processing of Claim 15 characterized by the following.
ウム、または、牡蛎殻などの貝殻、骨材、卵の殻などを
粉砕したもの、あるいは粉砕して焼成したもの、あるい
はＳｒＳＯ４ （天青石Celestite）、ＣａＦ２ （螢
石Fluorite）、あるいはこれらの混合物であることを特
徴とする請求項１〜７のいずれかに記載の微細隔壁の形
成方法。17. The powder is mainly composed of calcium carbonate, or crushed shells such as oyster shells, aggregates, egg shells, etc., or crushed and baked, or SrSO 4 (heaven). cordierite Celestite), CaF 2 (fluorite fluorite), or method of forming a fine partition wall according to any one of claims 1-7, characterized in that a mixture thereof.
５以下である請求項１７または請求項１〜７のいずれか
に記載の微細隔壁の形成方法。18. The method for forming fine partition walls according to claim 17, wherein the Mohs hardness of the main component material of the powder is 5 or less.
ウム、または、牡蛎殻などの貝殻、骨材、卵の殻などを
粉砕したもの、あるいは粉砕して焼成したもの、あるい
はＳｒＳＯ４ （天青石Celestite）、ＣａＦ２ （螢
石Fluorite）、あるいはこれらの混合物であることを特
徴とする請求項８〜１４のいずれかに記載の平面表示装
置の製造方法。19. The powder is mainly composed of calcium carbonate, or crushed shells such as oyster shells, aggregates, egg shells, etc., or crushed and baked, or SrSO 4 (heaven). Aoishi Celestite), CaF 2 (fluorite Fluorite), or a mixture thereof, The method for manufacturing a flat panel display device according to claim 8.
５以下である請求項１９または請求項８〜１４のいずれ
かに記載の平面表示装置の製造方法。20. The method for manufacturing a flat panel display device according to claim 19, wherein the Mohs hardness of the main component material of the powder is 5 or less.
ウム、または、牡蛎殻などの貝殻、骨材、卵の殻などを
粉砕したもの、あるいは粉砕して焼成したもの、あるい
はＳｒＳＯ４ （天青石Celestite）、ＣａＦ２ （螢
石Fluorite）、あるいはこれらの混合物であることを特
徴とする請求項１５または１６に記載の噴射加工用研磨
剤。21. The main component of the powder material is calcium carbonate, or crushed shells such as oyster shells, aggregates, egg shells, etc., or crushed and baked, or SrSO 4 (heaven). Aoishi Celestite), CaF 2 (fluorite Fluorite), or a mixture thereof, The abrasive for jet processing according to claim 15 or 16.
５以下である請求項１５または１６または２１のいずれ
かに記載の噴射加工用研磨剤。22. The abrasive for jet processing according to claim 15, 16 or 21, wherein the Mohs hardness of the main component material of the powder is 5 or less.
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|---|---|---|---|
| JP2002213766A JP2003115260A (en) | 2001-07-30 | 2002-07-23 | Method for forming fine barrier, method for manufacturing flat panel display device, and abrasive for blasting |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015136886A (en) * | 2014-01-23 | 2015-07-30 | 住友ゴム工業株式会社 | Method and device of cleaning mold for tire |
| WO2015153637A3 (en) * | 2014-04-01 | 2015-11-26 | Uwm Research Foundation, Inc. | Hollow silicon structures for use as anode active materials in lithium-ion batteries |
-
2002
- 2002-07-23 JP JP2002213766A patent/JP2003115260A/en active Pending
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| US10381641B2 (en) | 2014-04-01 | 2019-08-13 | Uwm Research Foundation, Inc. | Hollow silicon structures for use as anode active materials in lithium-ion batteries |
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