JP2003109753A - エレクトロルミネッセンス素子の製造方法 - Google Patents
エレクトロルミネッセンス素子の製造方法Info
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/844—Encapsulations
Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 保護膜の付着力とガスバリア特性を向上させ
る。 【解決手段】 透明基板１１上に、陽極電極１２と、有
機正孔注入層１３と、有機発光層１４と、陰極電極１５
と、ＤＬＣ膜１６とを積層してなる有機ＥＬ素子１０に
おいて、保護膜としてのＤＬＣ膜１６をプラズマＣＶＤ
法により成膜する際に、基板に印加するＲＦ電力を連続
的に増大させ、このＤＬＣ膜１６の内部応力が膜内部か
ら膜表面に向かうにつれて大となるように制御する。す
なわち、素子の各層が形成された側のＤＬＣ膜１６ほど
小さい内部応力を有し、ＤＬＣ膜１６の表面側ほど大き
な内部応力を有するようにして成膜する。
る。 【解決手段】 透明基板１１上に、陽極電極１２と、有
機正孔注入層１３と、有機発光層１４と、陰極電極１５
と、ＤＬＣ膜１６とを積層してなる有機ＥＬ素子１０に
おいて、保護膜としてのＤＬＣ膜１６をプラズマＣＶＤ
法により成膜する際に、基板に印加するＲＦ電力を連続
的に増大させ、このＤＬＣ膜１６の内部応力が膜内部か
ら膜表面に向かうにつれて大となるように制御する。す
なわち、素子の各層が形成された側のＤＬＣ膜１６ほど
小さい内部応力を有し、ＤＬＣ膜１６の表面側ほど大き
な内部応力を有するようにして成膜する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、エレクトロルミネ
ッセンス素子の製造方法に関し、より詳しくはエレクト
ロルミネッセンス素子の保護膜としてのＤＬＣ膜におけ
る付着力とガスバリア特性とを両立させたエレクトロル
ミネッセンス素子の製造方法に関する。
ッセンス素子の製造方法に関し、より詳しくはエレクト
ロルミネッセンス素子の保護膜としてのＤＬＣ膜におけ
る付着力とガスバリア特性とを両立させたエレクトロル
ミネッセンス素子の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】エレクトロルミネッセンス素子（ＥＬ素
子）は、電界発光素子とも称されており、現在、蛍光材
として無機材料を用いた無機ＥＬ素子と、有機材料を用
いた有機ＥＬ素子とが利用されている。このうち、有機
ＥＬ素子は、蛍光性有機化合物を主体とする薄膜を陽極
及び陰極で挟み込んだ構成とされており、この薄膜に電
子及び正孔を注入して再結合させることにより励起子
（エキシントン）を生成させ、これが失活する際の光の
放出（蛍光・燐光）を利用して発光する発光素子であ
る。
子）は、電界発光素子とも称されており、現在、蛍光材
として無機材料を用いた無機ＥＬ素子と、有機材料を用
いた有機ＥＬ素子とが利用されている。このうち、有機
ＥＬ素子は、蛍光性有機化合物を主体とする薄膜を陽極
及び陰極で挟み込んだ構成とされており、この薄膜に電
子及び正孔を注入して再結合させることにより励起子
（エキシントン）を生成させ、これが失活する際の光の
放出（蛍光・燐光）を利用して発光する発光素子であ
る。
【０００３】有機ＥＬ素子は、基本的には、陰極として
機能する金属電極と、陽極として機能する透明電極との
間に、有機化合物からなる積層構造化された有機蛍光体
薄膜を挿入することにより構成されている。ここで、積
層構造化された有機蛍光体薄膜としては、有機発光層と
接して有機正孔注入層を配した２層構造のものや、有機
発光層を有機電子注入層及び有機正孔注入層で挟み込ん
だ３層構造のものなどが知られている。
機能する金属電極と、陽極として機能する透明電極との
間に、有機化合物からなる積層構造化された有機蛍光体
薄膜を挿入することにより構成されている。ここで、積
層構造化された有機蛍光体薄膜としては、有機発光層と
接して有機正孔注入層を配した２層構造のものや、有機
発光層を有機電子注入層及び有機正孔注入層で挟み込ん
だ３層構造のものなどが知られている。
【０００４】ところで、ＥＬ素子においては、有機蛍光
体薄膜が透明基板上に形成され、この透明基板側に透明
電極を形成することによって、この透明基板側から光を
取り出す構造とされることが多い。このとき、有機蛍光
体薄膜の上層には、この有機蛍光体薄膜を保護する保護
膜を形成することが必要となる。
体薄膜が透明基板上に形成され、この透明基板側に透明
電極を形成することによって、この透明基板側から光を
取り出す構造とされることが多い。このとき、有機蛍光
体薄膜の上層には、この有機蛍光体薄膜を保護する保護
膜を形成することが必要となる。
【０００５】従来構造のＥＬ素子１００は、図３に示す
ように、ガラス又は樹脂材料から成る透明基板１０１上
に、透明電極層１０２と、有機正孔注入層１０３と、有
機発光層１０４と、陰極電極層１０５とが順次積層され
てなり、例えばガラス材料や金属材料から成るカバー材
１０６によって封止されている。また、カバー材１０６
の内部には、大気中の水蒸気や酸素などによって他の各
層が劣化することを防止する目的で、例えばシリカゲル
やＢａＯ等によって形成された吸湿材１０７が配設され
る。
ように、ガラス又は樹脂材料から成る透明基板１０１上
に、透明電極層１０２と、有機正孔注入層１０３と、有
機発光層１０４と、陰極電極層１０５とが順次積層され
てなり、例えばガラス材料や金属材料から成るカバー材
１０６によって封止されている。また、カバー材１０６
の内部には、大気中の水蒸気や酸素などによって他の各
層が劣化することを防止する目的で、例えばシリカゲル
やＢａＯ等によって形成された吸湿材１０７が配設され
る。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところで、従来構造の
ＥＬ素子１００は、透明基板１０１、及びカバー材１０
６がガラス材料や金属材料によって形成されているため
に、可撓性を持たせて折り曲げ自在に形成することがで
きないという問題があった。また、プラスチック材料等
により形成された可撓性基板上に形成されたＥＬ素子１
００のカバー材１０６の代替としてＤＬＣ（Diamond Li
ke Carbon）から成る保護膜によって封止を行うことも
提案されているが、素子及び可撓性基板に対するＤＬＣ
膜の付着力と高いガスバリア特性との双方を十分に確保
する手法は確立されていない。
ＥＬ素子１００は、透明基板１０１、及びカバー材１０
６がガラス材料や金属材料によって形成されているため
に、可撓性を持たせて折り曲げ自在に形成することがで
きないという問題があった。また、プラスチック材料等
により形成された可撓性基板上に形成されたＥＬ素子１
００のカバー材１０６の代替としてＤＬＣ（Diamond Li
ke Carbon）から成る保護膜によって封止を行うことも
提案されているが、素子及び可撓性基板に対するＤＬＣ
膜の付着力と高いガスバリア特性との双方を十分に確保
する手法は確立されていない。
【０００７】そこで本発明は、上述した従来の実情に鑑
みてなされたものであり、保護膜としてのＤＬＣ膜の付
着力を向上させるとともに、高いガスバリア特性を確保
することが可能なエレクトロルミネッセンス素子の製造
方法を提供することを目的とする。
みてなされたものであり、保護膜としてのＤＬＣ膜の付
着力を向上させるとともに、高いガスバリア特性を確保
することが可能なエレクトロルミネッセンス素子の製造
方法を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明の請求項１に係る
エレクトロルミネッセンス素子の製造方法は、基板上に
薄膜形成されたエレクトロルミネッセンス素子上に、プ
ラズマＣＶＤ法により保護膜としてのＤＬＣ（Diamond
Like Carbon）膜を形成するに際して、上記ＤＬＣ膜の
成膜中に、上記基板に印加するＲＦ電力を連続的に増大
させ、当該ＤＬＣ膜の内部応力分布が膜内部から膜表面
に向かうにつれて大となるように制御することを特徴と
するものである。
エレクトロルミネッセンス素子の製造方法は、基板上に
薄膜形成されたエレクトロルミネッセンス素子上に、プ
ラズマＣＶＤ法により保護膜としてのＤＬＣ（Diamond
Like Carbon）膜を形成するに際して、上記ＤＬＣ膜の
成膜中に、上記基板に印加するＲＦ電力を連続的に増大
させ、当該ＤＬＣ膜の内部応力分布が膜内部から膜表面
に向かうにつれて大となるように制御することを特徴と
するものである。
【０００９】以上のように構成された本発明の請求項１
に係るエレクトロルミネッセンス素子の製造方法によれ
ば、ＤＬＣ膜の内部応力分布を連続的に変化させること
ができ、特定の積層界面への応力集中を防止することが
できる。このため、ＤＬＣ膜の付着力を向上させて膜の
剥離を防止することができるとともに、高いガスバリア
特性を確保することが可能となる。
に係るエレクトロルミネッセンス素子の製造方法によれ
ば、ＤＬＣ膜の内部応力分布を連続的に変化させること
ができ、特定の積層界面への応力集中を防止することが
できる。このため、ＤＬＣ膜の付着力を向上させて膜の
剥離を防止することができるとともに、高いガスバリア
特性を確保することが可能となる。
【００１０】なお、上記基板に印加するＲＦ電力の変化
幅は、上限のＲＦ電力値で上記ＤＬＣ膜がｓｐ３結合主
体となる条件の範囲内とすることが望ましい。これによ
り、高い付着力と良好なガスバリア特性とを確実に確保
することができる。また、上記基板に印加するＲＦ電力
の最大値を１２０Ｗとすることがさらに望ましい。これ
により、高い付着力と良好なガスバリア特性とをさらに
確実に確保することができる。また、ガスバリア特性を
さらに向上させるためには、上記ＤＬＣ膜を成膜する最
終段階において、上記基板に印加するＲＦ電力を一定と
することが望ましい。また、上記ＤＬＣ膜は、半導体材
料または絶縁材料および高抵抗金属材料のいずれか１つ
の材料から成る下地膜上に形成することが望ましく、更
に高い付着力を得られる。
幅は、上限のＲＦ電力値で上記ＤＬＣ膜がｓｐ３結合主
体となる条件の範囲内とすることが望ましい。これによ
り、高い付着力と良好なガスバリア特性とを確実に確保
することができる。また、上記基板に印加するＲＦ電力
の最大値を１２０Ｗとすることがさらに望ましい。これ
により、高い付着力と良好なガスバリア特性とをさらに
確実に確保することができる。また、ガスバリア特性を
さらに向上させるためには、上記ＤＬＣ膜を成膜する最
終段階において、上記基板に印加するＲＦ電力を一定と
することが望ましい。また、上記ＤＬＣ膜は、半導体材
料または絶縁材料および高抵抗金属材料のいずれか１つ
の材料から成る下地膜上に形成することが望ましく、更
に高い付着力を得られる。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て、図面を参照しながら詳細に説明する。以下では、図
１に示すような有機ＥＬ素子１０を作製する際に本発明
を適用した場合について説明する。そこで、先ず、有機
ＥＬ素子１０の積層構造について説明する。
て、図面を参照しながら詳細に説明する。以下では、図
１に示すような有機ＥＬ素子１０を作製する際に本発明
を適用した場合について説明する。そこで、先ず、有機
ＥＬ素子１０の積層構造について説明する。
【００１２】有機ＥＬ素子１０は、図１に示すように、
樹脂材料によって形成された可撓性の透明基板１１と、
この透明基板１１上に形成された陽極電極１２と、この
陽極電極１２上の所定の領域に形成された有機正孔注入
層１３と、有機正孔注入層１３上に形成された有機発光
層１４と、有機発光層１４上に形成された陰極電極１５
とを備えている。また、この積層構造の最上層側には、
素子全体を覆うようにして保護膜としてのＤＬＣ膜１６
が形成されている。
樹脂材料によって形成された可撓性の透明基板１１と、
この透明基板１１上に形成された陽極電極１２と、この
陽極電極１２上の所定の領域に形成された有機正孔注入
層１３と、有機正孔注入層１３上に形成された有機発光
層１４と、有機発光層１４上に形成された陰極電極１５
とを備えている。また、この積層構造の最上層側には、
素子全体を覆うようにして保護膜としてのＤＬＣ膜１６
が形成されている。
【００１３】なお、上述した積層構造に加えて、有機正
孔注入層１３上に正孔輸送層を介在させてもよい。ま
た、例えば、有機発光層１４と陰極電極１５との間に電
子注入層を介在させてもよい。
孔注入層１３上に正孔輸送層を介在させてもよい。ま
た、例えば、有機発光層１４と陰極電極１５との間に電
子注入層を介在させてもよい。
【００１４】この有機ＥＬ素子１０において、陽極電極
１２は、例えば、酸化インジウム、酸化錫インジウム、
酸化亜鉛系材料などのような酸化物透明電極材料を用い
て形成されている。
１２は、例えば、酸化インジウム、酸化錫インジウム、
酸化亜鉛系材料などのような酸化物透明電極材料を用い
て形成されている。
【００１５】有機正孔注入層１３は、有機発光層１４に
対する正孔の注入性を向上させるために配された層であ
り、イオン化エネルギーが十分に小さく、また有機発光
層１４への電子の閉じ込め（エネルギー障壁）が可能で
ある材料によって形成されている。このような材料とし
ては、例えばアミン系の材料を挙げることができる。
対する正孔の注入性を向上させるために配された層であ
り、イオン化エネルギーが十分に小さく、また有機発光
層１４への電子の閉じ込め（エネルギー障壁）が可能で
ある材料によって形成されている。このような材料とし
ては、例えばアミン系の材料を挙げることができる。
【００１６】有機発光層１４を形成する材料としては、
例えば、ジスチリルアリーレン（ＤＳＡ）系材料、オキ
サジアゾール系材料、ピラゾロキノリン系材料、ベンゾ
オキサゾール系材料、ベンザチアゾール系材料、ベンゾ
イミダゾール系材料、金属キレート化オキシノイド化合
物などを挙げることができる。
例えば、ジスチリルアリーレン（ＤＳＡ）系材料、オキ
サジアゾール系材料、ピラゾロキノリン系材料、ベンゾ
オキサゾール系材料、ベンザチアゾール系材料、ベンゾ
イミダゾール系材料、金属キレート化オキシノイド化合
物などを挙げることができる。
【００１７】陰極電極１５を形成する材料としては、Ｍ
ｇ−ＡｇやＡｌ−Ｌｉ等のアルカリ系金属材料や、導電
性を有するホウ素化合物等を挙げることができる。ホウ
素化合物としては、例えば、ホウ化ランタン（Ｌａ
Ｂ６）等を挙げることができる。
ｇ−ＡｇやＡｌ−Ｌｉ等のアルカリ系金属材料や、導電
性を有するホウ素化合物等を挙げることができる。ホウ
素化合物としては、例えば、ホウ化ランタン（Ｌａ
Ｂ６）等を挙げることができる。
【００１８】以上のように構成された有機ＥＬ素子１０
は、陽極電極１２と陰極電極１５との間に所定の電界が
印加されると、正孔が陽極電極１２から有機発光層１４
の価電子レベルに注入され、電子が陰極電極１５から有
機発光層１４の伝導レベルへ注入される。その後、正孔
及び電子は、有機発光層１４中の両レベルを移動して再
結合する。そして、これら正孔及び電子が励起状態から
基底状態に緩和されると、有機発光層１４を構成する有
機電界発光性化合物が発光する。
は、陽極電極１２と陰極電極１５との間に所定の電界が
印加されると、正孔が陽極電極１２から有機発光層１４
の価電子レベルに注入され、電子が陰極電極１５から有
機発光層１４の伝導レベルへ注入される。その後、正孔
及び電子は、有機発光層１４中の両レベルを移動して再
結合する。そして、これら正孔及び電子が励起状態から
基底状態に緩和されると、有機発光層１４を構成する有
機電界発光性化合物が発光する。
【００１９】このとき、透明基板１１が光透過性を有す
る樹脂材料によって形成されていることから、この透明
基板１１が外方に臨む側の面（視認面）から発光光を取
り出すことができる。
る樹脂材料によって形成されていることから、この透明
基板１１が外方に臨む側の面（視認面）から発光光を取
り出すことができる。
【００２０】以上で説明した有機ＥＬ素子１０を作製す
る際には、透明基板１１上に各層を順次成膜してゆき、
最後にＤＬＣ膜１６を成膜する。このＤＬＣ膜１６を成
膜する際には、プラズマＣＶＤ法を用いて、透明基板１
１に印加するＲＦ電力を連続的に増大させ、このＤＬＣ
膜１６の内部応力分布が膜内部から膜表面に向かうにつ
れて大となるように制御する。
る際には、透明基板１１上に各層を順次成膜してゆき、
最後にＤＬＣ膜１６を成膜する。このＤＬＣ膜１６を成
膜する際には、プラズマＣＶＤ法を用いて、透明基板１
１に印加するＲＦ電力を連続的に増大させ、このＤＬＣ
膜１６の内部応力分布が膜内部から膜表面に向かうにつ
れて大となるように制御する。
【００２１】ここで、ＤＬＣ膜１６をプラズマＣＶＤ法
により成膜するに際して、ＲＦ電力を変化させた場合に
おける、ＲＦ電力とＤＬＣ膜１６の内部応力との関係を
図２に示す。図２に示すように、印加するＲＦ電力を増
大させるほど、ＤＬＣ膜１６の内部応力が大きくなるこ
とが分かる。したがって、ＤＬＣ膜１６の成膜中に印加
するＲＦ電力を増大させることによって、ＤＬＣ膜１６
の素子側の内部応力が小となり、ＤＬＣ膜１６の表面に
向かうに従って内部応力が大きくなる。すなわち、成膜
時にＲＦ電力を連続的に増大させることによって、ＤＬ
Ｃ膜１６の内部応力が膜内部から膜表面に向かうにつれ
て大となるようにして成膜することができる。
により成膜するに際して、ＲＦ電力を変化させた場合に
おける、ＲＦ電力とＤＬＣ膜１６の内部応力との関係を
図２に示す。図２に示すように、印加するＲＦ電力を増
大させるほど、ＤＬＣ膜１６の内部応力が大きくなるこ
とが分かる。したがって、ＤＬＣ膜１６の成膜中に印加
するＲＦ電力を増大させることによって、ＤＬＣ膜１６
の素子側の内部応力が小となり、ＤＬＣ膜１６の表面に
向かうに従って内部応力が大きくなる。すなわち、成膜
時にＲＦ電力を連続的に増大させることによって、ＤＬ
Ｃ膜１６の内部応力が膜内部から膜表面に向かうにつれ
て大となるようにして成膜することができる。
【００２２】このように、ＤＬＣ膜１６の成膜初期段階
でＲＦ電力を低く抑えることにより、陰極電極１５以下
の素子とＤＬＣ膜１６との界面では内部応力が小さな状
態となるため、有機ＥＬ素子１０全体に加わる応力を低
減することができる。したがって、素子の信頼性が向上
する。また、ＤＬＣ膜１６の内部応力が連続的に変化し
ているため、特定の積層界面への応力集中を防止するこ
とができ、ＤＬＣ膜１６の剥離を防止することができ
る。
でＲＦ電力を低く抑えることにより、陰極電極１５以下
の素子とＤＬＣ膜１６との界面では内部応力が小さな状
態となるため、有機ＥＬ素子１０全体に加わる応力を低
減することができる。したがって、素子の信頼性が向上
する。また、ＤＬＣ膜１６の内部応力が連続的に変化し
ているため、特定の積層界面への応力集中を防止するこ
とができ、ＤＬＣ膜１６の剥離を防止することができ
る。
【００２３】なお、ＲＦ電力の変化幅は、上限のＲＦ電
力値でＤＬＣ膜１６がｓｐ３結合主体となる条件の範囲
内とすることが望ましい。より具体的には、図２から明
らかであるとおり、印加するＲＦ電力の最大値を１２０
Ｗとすることが望ましい。これにより、ＤＬＣ膜１６の
付着力を高めることができると同時に、高いガスバリア
特性を確保することができる。
力値でＤＬＣ膜１６がｓｐ３結合主体となる条件の範囲
内とすることが望ましい。より具体的には、図２から明
らかであるとおり、印加するＲＦ電力の最大値を１２０
Ｗとすることが望ましい。これにより、ＤＬＣ膜１６の
付着力を高めることができると同時に、高いガスバリア
特性を確保することができる。
【００２４】また、ＤＬＣ膜１６におけるガスバリア特
性をさらに向上させるためには、ＤＬＣ膜１６を成膜す
る最終段階において、印加するＲＦ電力を一定とするこ
とが望ましい。
性をさらに向上させるためには、ＤＬＣ膜１６を成膜す
る最終段階において、印加するＲＦ電力を一定とするこ
とが望ましい。
【００２５】また、ＤＬＣ膜１６は、半導体材料または
絶縁材料および高抵抗金属材料のいずれか１つの材料か
ら成る下地膜上に形成することが望ましく、更に高い付
着力を得られる。
絶縁材料および高抵抗金属材料のいずれか１つの材料か
ら成る下地膜上に形成することが望ましく、更に高い付
着力を得られる。
【００２６】
【実施例】以下では、上述した構造とされた有機ＥＬ素
子１０に基づいて、実際にＤＬＣ膜１６を成膜した場合
に得られた結果について説明する。
子１０に基づいて、実際にＤＬＣ膜１６を成膜した場合
に得られた結果について説明する。
【００２７】先ず、所定の形状にパターニングを行った
ＩＴＯ電極（透明電極１２）が形成されたガラス基板上
に、真空蒸着法により有機ＥＬ膜（正孔輸送層１３及び
有機発光層１４）を成膜し、さらに陰極電極１５とし
て、ＬｉＦ／Ａｌ膜を成膜した。
ＩＴＯ電極（透明電極１２）が形成されたガラス基板上
に、真空蒸着法により有機ＥＬ膜（正孔輸送層１３及び
有機発光層１４）を成膜し、さらに陰極電極１５とし
て、ＬｉＦ／Ａｌ膜を成膜した。
【００２８】次に、陰極電極１５上にスパッタ装置を用
いて例えばＳｉ，Ｔｉ，Ｃｒから成る下地膜を成膜す
る。そして、ＥＣＲプラズマＣＶＤ装置を用いて、ＤＬ
Ｃ膜１６の成膜を行う。このとき、１．０×１０−４Ｐ
ａ以下の真空度まで排気を行い、プロセスガスとしてエ
チレンを０．６６Ｐａとなるように導入した。また、マ
イクロ波電力は２００Ｗとし、コイル電流は、１６．５
Ａとした。そして、ガラス基板に印加するＲＦ電力を０
Ｗ〜１２０Ｗの範囲で連続的に増大させながら、膜厚５
００ÅのＤＬＣ膜１６を成膜した。
いて例えばＳｉ，Ｔｉ，Ｃｒから成る下地膜を成膜す
る。そして、ＥＣＲプラズマＣＶＤ装置を用いて、ＤＬ
Ｃ膜１６の成膜を行う。このとき、１．０×１０−４Ｐ
ａ以下の真空度まで排気を行い、プロセスガスとしてエ
チレンを０．６６Ｐａとなるように導入した。また、マ
イクロ波電力は２００Ｗとし、コイル電流は、１６．５
Ａとした。そして、ガラス基板に印加するＲＦ電力を０
Ｗ〜１２０Ｗの範囲で連続的に増大させながら、膜厚５
００ÅのＤＬＣ膜１６を成膜した。
【００２９】以上のようにして作製した有機ＥＬ素子１
０を、温度８５℃で湿度８５％の恒温漕中に２４時間放
置し、素子の状態を光学顕微鏡で観察した。この結果、
この有機ＥＬ素子１０には亀裂や膜の剥離は認められ
ず、ＤＬＣ膜１６が高いガスバリア性および付着力を有
していることを確認することができた。
０を、温度８５℃で湿度８５％の恒温漕中に２４時間放
置し、素子の状態を光学顕微鏡で観察した。この結果、
この有機ＥＬ素子１０には亀裂や膜の剥離は認められ
ず、ＤＬＣ膜１６が高いガスバリア性および付着力を有
していることを確認することができた。
【００３０】
【発明の効果】本発明に係るエレクトロルミネッセンス
素子の製造方法によれば、ＤＬＣ膜の内部応力分布を連
続的に変化させることができ、特定の積層界面への応力
集中を防止することができる。このため、ＤＬＣ膜の付
着力を向上させて膜の剥離を防止することができるとと
もに、高いガスバリア特性を確保することが可能とな
る。したがって、外界からの酸素や水蒸気の侵入を確実
に防止することができ、素子の長寿命化を図ることがで
きる。また、ＤＬＣ膜は、水素原子を含有しており、原
子配列に空間的なゆとりを有するため、弾性的な変形が
可能である。これにより、樹脂材料により形成された基
板を用いることにより、折り曲げ自在とすることができ
るとともに、折り曲げ時に加わる応力によって保護膜と
してのＤＬＣ膜に亀裂や剥離などの損傷が生じてしまう
ことがない。
素子の製造方法によれば、ＤＬＣ膜の内部応力分布を連
続的に変化させることができ、特定の積層界面への応力
集中を防止することができる。このため、ＤＬＣ膜の付
着力を向上させて膜の剥離を防止することができるとと
もに、高いガスバリア特性を確保することが可能とな
る。したがって、外界からの酸素や水蒸気の侵入を確実
に防止することができ、素子の長寿命化を図ることがで
きる。また、ＤＬＣ膜は、水素原子を含有しており、原
子配列に空間的なゆとりを有するため、弾性的な変形が
可能である。これにより、樹脂材料により形成された基
板を用いることにより、折り曲げ自在とすることができ
るとともに、折り曲げ時に加わる応力によって保護膜と
してのＤＬＣ膜に亀裂や剥離などの損傷が生じてしまう
ことがない。
【図１】本発明の実施の形態として示す有機ＥＬ素子の
積層構造を示す概略断面図である。
積層構造を示す概略断面図である。
【図２】同有機ＥＬ素子のＤＬＣ膜を成膜する際に、印
加するＲＦ電力を変化させた場合におけるＤＬＣ膜の内
部応力の変化を示す模式図である。
加するＲＦ電力を変化させた場合におけるＤＬＣ膜の内
部応力の変化を示す模式図である。
【図３】従来構造の有機ＥＬ素子の積層構造を示す概略
断面図である。
断面図である。
１０ 有機ＥＬ素子
１１ 透明基板
１２ 陽極電極
１３ 有機正孔注入層
１４ 有機発光層
１５ 陰極電極
１６ ＤＬＣ膜
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
Ｆターム(参考） 3K007 AB11 AB13 AB15 AB18 BB00
CA06 CB01 DB03 EA01 EB00
FA01 FA02
4K030 AA09 BA28 BB12 CA06 FA02
HA04 HA14 JA16
Claims (5)
- 【請求項１】 基板上に薄膜形成されたエレクトロルミ
ネッセンス素子上に、プラズマＣＶＤ法により保護膜と
してのＤＬＣ（Diamond Like Carbon）膜を形成するに
際して、 上記ＤＬＣ膜の成膜中に、上記基板に印加するＲＦ電力
を連続的に増大させ、当該ＤＬＣ膜の内部応力分布が膜
内部から膜表面に向かうにつれて大となるように制御す
ることを特徴とするエレクトロルミネッセンス素子の製
造方法。 - 【請求項２】 上記基板に印加するＲＦ電力の変化幅
は、上限のＲＦ電力値で上記ＤＬＣ膜がｓｐ３結合主体
となる条件の範囲内とすることを特徴とする請求項１記
載のエレクトロルミネッセンス素子の製造方法。 - 【請求項３】 上記基板に印加するＲＦ電力の最大値を
１２０Ｗとすることを特徴とする請求項１記載のエレク
トロルミネッセンス素子の製造方法。 - 【請求項４】 上記ＤＬＣ膜を成膜する最終段階におい
て、上記基板に印加するＲＦ電力を一定とすることを特
徴とする請求項１記載のエレクトロルミネッセンス素子
の製造方法。 - 【請求項５】 上記ＤＬＣ膜は、半導体材料または絶縁
材料および高抵抗金属材料のいずれか１つの材料から成
る下地膜上に形成することを特徴とする請求項１記載の
エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001303589A JP2003109753A (ja) | 2001-09-28 | 2001-09-28 | エレクトロルミネッセンス素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001303589A JP2003109753A (ja) | 2001-09-28 | 2001-09-28 | エレクトロルミネッセンス素子の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003109753A true JP2003109753A (ja) | 2003-04-11 |
Family
ID=19123653
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001303589A Pending JP2003109753A (ja) | 2001-09-28 | 2001-09-28 | エレクトロルミネッセンス素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003109753A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005046292A1 (ja) * | 2003-11-11 | 2005-05-19 | Pioneer Corporation | バリア薄膜、及びバリア薄膜を用いた有機ｅｌ素子 |
| WO2005048367A1 (en) * | 2003-11-13 | 2005-05-26 | Philips Intellectual Property & Standards Gmbh | Electronic device comprising a protective barrier layer stack |
| KR100700012B1 (ko) | 2004-11-25 | 2007-03-26 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기전계 발광표시장치 및 그 제조방법 |
| JP2011195900A (ja) * | 2010-03-19 | 2011-10-06 | Mitsui Eng & Shipbuild Co Ltd | 原子層堆積方法および原子層堆積装置 |
| CN110265584A (zh) * | 2019-07-29 | 2019-09-20 | 云谷（固安）科技有限公司 | 显示面板以及显示装置 |
-
2001
- 2001-09-28 JP JP2001303589A patent/JP2003109753A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005046292A1 (ja) * | 2003-11-11 | 2005-05-19 | Pioneer Corporation | バリア薄膜、及びバリア薄膜を用いた有機ｅｌ素子 |
| JPWO2005046292A1 (ja) * | 2003-11-11 | 2007-05-24 | パイオニア株式会社 | バリア薄膜、及びバリア薄膜を用いた有機ｅｌ素子 |
| WO2005048367A1 (en) * | 2003-11-13 | 2005-05-26 | Philips Intellectual Property & Standards Gmbh | Electronic device comprising a protective barrier layer stack |
| KR100700012B1 (ko) | 2004-11-25 | 2007-03-26 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기전계 발광표시장치 및 그 제조방법 |
| JP2011195900A (ja) * | 2010-03-19 | 2011-10-06 | Mitsui Eng & Shipbuild Co Ltd | 原子層堆積方法および原子層堆積装置 |
| CN110265584A (zh) * | 2019-07-29 | 2019-09-20 | 云谷（固安）科技有限公司 | 显示面板以及显示装置 |
| CN110265584B (zh) * | 2019-07-29 | 2022-01-25 | 云谷（固安）科技有限公司 | 显示面板以及显示装置 |
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